説明

ブタジエンの製造プロセス

【課題】n−ブテンを原料として、分子状酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、金属酸化物を担体に担持した触媒と接触させて酸化脱水素反応により製造したブタジエンを含むガスから、簡潔な工程により精製されたブタジエンを得る方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)から(5)の工程を有するブタジエンの製造方法。
工程(1):n−ブテンを含む原料ガスと酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、触媒と 接触させて酸化脱水素反応によりブタジエンを含むガスを生成させる工程
工程(2):ブタジエンを含むガスを急冷塔で冷却する工程
工程(3):ブタジエンを含むガスを沸点が100〜210℃の溶剤に吸収させる工程
工程(4):ブタジエン溶液から水を除去する工程
工程(5):ブタジエン溶液から高沸成分を除去する工程

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、1,3−ブタジエン(以後、ブタジエンと表記)の製造プロセスに関する。
【背景技術】
【0002】
ブタジエンを製造する方法として、現在、ナフサのクラッキングにより得られた炭素数4の留分に対して抽出溶剤を用いてブタン、ブテン、アセチレン類、高沸成分及び低沸成分を除去する方法が採用されている。ブタジエンは合成ゴムなどの原料として需要が増加しているが、エチレンの製法がナフサのクラッキングからエタンの熱分解による方法に移行しているために、ナフサのクラッキングからのブタジエンの生産量の増加は期待できない状況にある。これに対して、ブテンからブタジエンを製造する方法が特開2010-90082号及び特開2010-90083号に開示されている。これらの方法では、ブテンを酸化脱水素した後に、急冷し、水分を除去した後に溶剤でブタジエンを吸収、そして回収する方法が開示されているが、これらのプロセスでは得られたブタジエンの純度が不十分であり、更に精製するためには、従来の方法である、ナフサのクラッキングにより得られた炭素数4の留分からブタジエンを精製するためのプロセスを使用しなければならず、従って、ブタジエンを製造する為のプロセスが複雑になるという問題が残る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2010-90082号
【特許文献2】特開2010-90083号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
n−ブテンを原料として、分子状酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、金属酸化物を担体に担持した触媒と接触させて酸化脱水素反応により製造したブタジエンを含むガスから、簡潔な工程によりブタジエンを精製する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、流動層反応により生成させたブタジエンを含むガスを冷却した後、特定の溶剤を使って抽出蒸留することにより簡単なプロセスでブタジエンを精製できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は以下の通りである。
【0006】
[1]以下の工程(1)から(5)の工程を有するブタジエンの製造方法。
工程(1):n−ブテンを含む原料ガスと酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、触媒と 接触させて酸化脱水素反応によりブタジエンを含むガスを生成させる工程
工程(2):ブタジエンを含むガスを急冷塔で冷却する工程
工程(3):ブタジエンを含むガスを沸点が100〜210℃の溶剤に吸収させる工程
工程(4):ブタジエン溶液から水を除去する工程
工程(5):ブタジエン溶液から高沸成分を除去する工程
[2]前記原料は、ブタジエン及びイソブテンを除去した後の炭素数4の留分から、更に、ブタンを除去して得られた炭素数4の留分である請求項1に記載の方法。
【発明の効果】
【0007】
本発明によると、流動層反応器を用いてn−ブテンの酸化脱水素反応により製造したブタジエンを含むガスから、簡潔な方法で精製されたブタジエンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、本実施の形態)について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
以下、ブタジエンを精製されたブタジエンを製造する為に必要な方法について記載する。
【0009】
[1] ブタジエンを含むガスを得る工程
(1) 原料
原料は、n−ブテンを含有する。工業的にはブタジエン及びイソブテンを除去した後の炭素数4の留分に含まれるn−ブテン(具体的には、1−ブテン及び/又は2−ブテン)を好適に利用できる。1−ブテンと2−ブテンの比率には特に制限が無く、1−ブテンは0〜100重量%、2−ブテンは100〜0重量%の範囲で任意に用いることができる。また、2−ブテンにはトランス体とシス体があるが、この比率もそれぞれ100〜0重量%、0〜100重量%の範囲で任意に用いることができる。この原料は、ブタジエン及びイソブテンを少量であれば含むことも出来る。ブタジエンはn−ブテンに対して5重量%以下、好ましくは3重量%以下、更に好ましくは1重量%以下である。また、イソブテンはn−ブテンに対して10重量%以下、好ましくは0.1〜6重量%、更に好ましくは0.5〜3重量%である。この原料はn−ブタン、イソブタン、炭素数が3以下の炭化水素、炭素数が5以上の炭化水素を含んでいても良く、n−ブテンの濃度は40重量%以上、好ましくは50重量%以上、更に好ましくは60重量%以上の原料を用いることが好ましい。
【0010】
原料を流動層反応器に供給する前に、溶媒を用いた抽出蒸留により、炭素数4の留分からブタンを分離することも好ましい方法の一つである。ブタンを分離するための抽出蒸留の溶媒には沸点100〜210℃のものを使用出来る。このような溶媒の具体例としては、オクタン、ノナン、デカン、エチルシクロヘキサン、オクテン、ノネン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、クメン、ビニルシクロヘキセン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、フルフラール、n−メチルピロリドンなどが挙げられる。これらの中で、オクタン、ノナン、デカン、エチルシクロヘキサン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、クメン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、フルフラール、n−メチルピロリドンを用いるのが好ましい。キシレンとしてはm−キシレン、o−キシレン、p−キシレンの単独、または、混合物として用いることが出来る。
【0011】
原料は、例えば、ナフサ熱分解で副生するC4留分からブタジエンを抽出した残留成分や重油留分の流動接触分解(FCC)で副生するC4留分、エチレン又はエタノールの接触転化反応で副生するC4留分などからイソブテンをTBA、MTBE、ETBE、2量化反応による炭素数8の化合物とする方法により分離することで得ることができる。また、n−ブタンの脱水素反応又は酸化脱水素反応により得られるn−ブテン、また、エタン熱分解やエタノールの脱水反応により得られるエチレンの接触転化反応で副生するn−ブテンなどを使用することができる。このエタノールはバイオマス由来のエタノールも好適な原料として使用することが出来る。
【0012】
流動床反応器に供給する原料混合ガス中のn−ブテン濃度は、ブタジエンの生産性の観点で、少なくとも2体積%以上が好ましく、触媒への負荷を抑える観点で30体積%以下が好ましい。より好ましくは3〜25体積%、更に好ましくは5〜20体積%である。n−ブテンの濃度が高いと触媒に反応生成物やコークの析出が増加し、触媒の劣化による触媒寿命が短くなる傾向にある。また、n−ブテンの濃度が低いとブタジエンの製造量が少なく、実際上の利点がない。
【0013】
原料混合ガスはパラフィン、水、スチーム、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素等を含んでいてもよい。パラフィンの例として、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンを挙げることができる。更に、反応生成物から目的生成物であるブタジエンを分離した後、回収した未反応ブテンの少なくとも一部を流動層反応器にリサイクルすることもできる。
原料混合ガス中は水を30容量%以下で、好ましくは20容量%以下、更に好ましくは10容量%以下で含むことも好ましい方法の一つである。
【0014】
(2)反応器
n−ブテンの酸化脱水素反応によるブタジエンの製造は、流動層反応方式で行われる。
流動層反応器は、反応器内にガス分散器・内挿物・サイクロンをその主要構成要素として有し、触媒を流動させつつ、原料であるガスと接触させる構造である。流動床ハンドブック(株式会社培風館刊、1999年)等に記載の流動層反応器であれば使用可能であるが、特に気泡流動層方式の反応器が適している。発生する反応熱の除熱は反応器に設置した冷却管を用いて行うことができる。
冷却管は反応器内の濃厚層及び希薄層に配置され、目的の温度を実現する為に操作される。
【0015】
(3)反応条件
n−ブテンと酸素が反応に供される。酸素源としては通常、空気を用いるが、酸素を空気と混合するなどして酸素濃度を高めたガス、又は空気と窒素、ヘリウム、反応生成ガスからブタジエン、n−ブテン、n−ブタン、イソブタンなどの炭化水素化合物を分離した後のガスなどを混合して酸素濃度を低めたガス、また、酸素分離膜などを用いた分離方法により製造した酸素濃度を高めたガス、又は、酸素濃度を低めたガスなどを用いることもできる。n−ブテンに対する酸素のモル比は0.5〜1.5(空気/n−ブテン比として2.5〜7.5)とするのが好ましく、より好ましくは0.6〜1.3(空気/n−ブテン比として3.0〜6.5)の範囲である。
【0016】
反応に供するガスが上記の比率となる限り、n−ブテンと酸素の導入方法は限定されない。触媒を充填した反応器へ、n−ブテンを含むガスと、空気又は酸素濃度を高めたガス又は酸素濃度を低めたガスを予め混合して導入しても良いし、それぞれ独立して導入してもよい。反応に供するガスは反応器に導入した後に所定の反応温度に昇温することもできるが、連続して効率的に反応させるために、通常は予熱して反応器に導入する。
【0017】
流動床反応器の濃厚層の温度は320〜400℃であり、希薄層の温度は濃厚層の温度に対して−50〜+20℃で制御する。濃厚層温度を320℃以上にすることで、濃厚層温度を維持し易く、モノオレフィンの転化率を保って、安定に運転を継続できる。濃厚層温度を400℃以下にすることで生成した共役ジオレフィンの燃焼分解を抑制することができる。流動床反応器の濃厚層の好ましい温度は330〜390℃であり、更に好ましくは340〜380℃である。ブタジエンの製造反応は発熱反応であるので、流動床反応器の濃厚層及び希薄層の温度を上記の範囲となるように、冷却管による反応熱の除去、又は、加熱装置による給熱、供給する原料ガスの余熱などにより制御する。
【0018】
反応圧力は0.01〜0.4MPa/Gが好ましく、より好ましくは0.02〜0.3MPa/G、更に好ましくは0.03〜0.2MPa/Gである。原料混合ガスと触媒との接触時間は0.5〜20g・sec/ccが好ましく、より好ましくは1〜10g・sec/ccである。
【0019】
生成したブタジエンを含むガスは、反応器出口から流出する。反応器出口ガス中の酸素濃度を0.05〜1.5容量%に維持することにより、反応器内における触媒の還元及び目的生成物の分解を有効に防止でき、安定に目的生成物を製造できる。反応器出口ガス中の酸素濃度は、反応器内における目的生成物の分解や二次反応に影響するので、1.5容量%以下に維持するのは好ましい態様である。反応器出口ガス中の酸素濃度は、反応器に供給する原料ガスであるn−ブテンの量、酸素供給源となるガスの量、反応温度、反応器内の圧力、触媒量、反応器に供給する全ガス量などを変更することによって、調整することができる。好ましくは、反応器に供給する酸素供給源となるガス、例えば、空気の量を制御することによって制御する。
【0020】
反応器出口ガス中の酸素濃度は、熱伝導型検出器(TCD)を備えたガスクロマトグラフィーで測定することができる。
【0021】
(4)触媒
(4−1)構造
流動層反応により比較的高い収率でブタジエンを得る観点で、酸化物を担体に担持した触媒は、担体と、Mo、Bi及びFeを含むのが好ましい。Mo、Bi及びFeの組成は合目的な酸化物を形成するように調節されており、この酸化物中の格子酸素によって、n−ブテンからブタジエンの酸化脱水素反応が行われると考えられる。一般に、触媒中の格子酸素が酸化脱水素反応に消費されると、酸化物中に酸素空孔が生じる結果、反応の進行に伴って酸化物の還元も進行し、触媒活性が失活していくので、触媒活性を維持するためには、還元を受けた酸化物を速やかに再酸化することが必要である。Mo、Bi及びFeを含む酸化物は、n−ブテンからブタジエンの酸化脱水素反応に対する反応性に加え、気相中の酸素を解離吸着して酸化物内に取り込み、消費された格子酸素の再生を行う再酸化作用にも優れていると考えられる。従って、長期にわたって反応を行う場合でも、格子酸素の再酸化作用が維持され、触媒は失活することなく、n−ブテンからブタジエンを安定に製造できるものと考えられる。
【0022】
Mo、Bi及びFeを含む酸化物を担体に担持した触媒を、流動層方式によるブタジエンの製造に用いると、生成物であるブタジエンの燃焼分解や二次反応による含酸素化合物の生成の抑制に有利で、高い収率でブタジエンを得ることができる。詳細は不明ではあるがその理由として、(1)触媒の酸性度が好適であるため、触媒上におけるブタジエンの燃焼分解や二次反応が低い、(2)生成したブタジエンに対する反応活性点の吸着能が小さいため、ブタジエンは生成した後、反応活性点において分解や反応を受ける前に速やかに脱離する、などが考えられる。
【0023】
Mo、Bi及びFeが合目的な酸化物を形成し易いためのこれらの組成比は、Moの原子比12に対するBiの原子比p、Feの原子比qが、0.1≦p≦5、0.5≦q≦8であると考えられる。
【0024】
酸化物がMo、Bi及びFe以外の金属を含有する場合、実験式:
Mo12BiFe
(式中、Aはニッケル及びコバルトから選ばれる少なくとも1種の元素、Bはアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも1種の元素、Cはマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、亜鉛及びマンガンから選ばれる少なくとも1種の元素、Dは少なくとも1種の希土類元素、Eはクロム、インジウム及びガリウムから選ばれる少なくとも1種の元素、Oは酸素であり、p、q、a、b、c、d、e、及びxはそれぞれモリブデン12原子に対するビスマス、鉄、A、B、C、D、E及び酸素の原子比を表し、0.1≦p≦5、0.5≦q≦8、0≦a≦10、0.02≦b≦2、0≦c≦5、0≦d≦5、0≦e≦5であり、xは存在する他の元素の原子価要求を満足させるのに必要な酸素の原子数である。)
で表されるのが好ましい。本明細書中、「実験式」は、当該式に含まれる金属の原子比と、その原子比及び酸化数の総計に応じて要求される酸素とからなる組成を表す。様々な酸化数をとりうる金属を含む酸化物において、酸素の原子数を特定することは実質的に不可能であるため、酸素の数は形式的に「x」で表すこととしている。例えば、Mo化合物、Bi化合物及びFe化合物を含むスラリーを調製し、それを乾燥及び/又は焼成して酸化物を得る場合、スラリーに含まれる金属の原子比と、得られる酸化物中の金属の原子比とは実質的に同じと考えてよいので、スラリーの仕込み組成式にOを付加したものが、得られる酸化物の実験式である。なお本明細書中、上述のスラリーの仕込み組成のように、意図的にコントロールした成分とその比率を表す式を「組成式」と呼ぶので、上述の例の場合、実験式からOを除いたものが「組成式」である。
【0025】
A、B、C、D及びEで表される成分の役割は限定的ではないが、Mo、Bi及びFeを必須成分とする酸化物触媒の分野では、概ね次のように推定されている。すなわち、A及びEは触媒の活性を向上させ、B及びCはMo、Bi及びFeを含む合目的な酸化物の構造の安定化させ、Dは酸化物の再酸化という影響を与えると考えられている。p、q、a、b、c、d、eが好ましい範囲であると、これらの効果が一層高いと期待できる。
上記組成式において、より好ましい組成としては、0.1≦p≦0.5、1.5≦q≦3.5、1.7≦a≦9、0.02≦b≦1、0.5≦c≦4.5、0.02≦d≦0.5、0≦e≦4.5であり、さらに好ましい組成としては、Bがルビジウム、カリウム又はセシウム、Cがマグネシウム、Dがセリウムであり、0.15≦p≦0.4、1.7≦q≦3、2≦a≦8、0.03≦b≦0.5、1≦c≦3.5、0.05≦d≦0.3、0≦e≦3.5である。Aがニッケル、Bがルビジウム、カリウム又はセシウム、Cがマグネシウム、Dがセリウムの場合、共役ジオレフィン収率がより高く、かつその燃焼分解が良好に抑制され、また触媒に対して還元劣化に対する耐性を付与することができる傾向がある。
【0026】
担体は、担体と酸化物の合計に対して30〜70重量%、好ましくは40〜60重量%の範囲で有効に用いることができる。Mo、Bi及びFeを含有する酸化物を含む担持触媒は、公知の方法、例えば原料スラリーを調製する第1の工程、該原料スラリーを噴霧乾燥する第2の工程、及び第2の工程で得られた乾燥品を焼成する第3の工程を包含する方法によって得ることができる。担体は、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアが好ましく、より好適な担体はシリカである。シリカは他の担体に比べ不活性な担体であり、目的生成物に対する触媒の活性や選択性を低下させることなく、触媒と良好な結合作用を有する。加えて、酸化物を担体に担持することによって、粒子形状・大きさ・分布、流動性、機械的強度といった、流動層反応に好適な物理的特性を付与することできる。
【0027】
(4−2)触媒の調製方法
原料スラリーを調製する第1の工程、該原料スラリーを噴霧乾燥する第2の工程、及び第2の工程で得られた乾燥品を焼成する第3の工程からなる、触媒の製造法の好ましい態様について、Mo、Bi及びFeを含む触媒を例にとって説明する。
【0028】
第1の工程では、触媒原料を調製して原料スラリーを得るが、モリブデン、ビスマス、鉄、ニッケル、コバルト、アルカリ金属元素、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、亜鉛、マンガン、希土類元素、クロム、インジウム、ガリウムの各元素の元素源としては、水又は硝酸に可溶なアンモニウム塩、硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、有機酸塩などを挙げることができる。特にモリブデン源としてはアンモニウム塩が、ビスマス、鉄、ニッケル、アルカリ元素、マグネシウム、亜鉛、マンガン、希土類元素、各元素の元素源としては、それぞれの硝酸塩が好ましい。上述の通り、酸化物の担体としてシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等の酸化物を用いることができるが、好適な担体としてはシリカが用いられ、シリカ源としてはシリカゾルが好ましい。シリカゾルの不純物に関して、好ましくは、ケイ素100原子当たり0.04原子以下のアルミニウムを含むシリカソゾルを用い、さらに好ましくは、ケイ素100原子当たり0.02原子以下のアルミニウムを含むシリカゾルを用いる。原料スラリーの調製は、水に溶解させたモリブデンのアンモニウム塩をシリカゾルに添加し、次に、ビスマス、希土類元素、鉄、ニッケル、マグネシウム、亜鉛、マンガン、アルカリ元素の各元素の硝酸塩を水又は硝酸水溶液に溶解させた溶液を加えることによって行うことができる。このようにして、原料スラリーを調製することができる。その際、上記の添加の順序を変えることもできる。
【0029】
第2の工程では、上記の第1工程で得られた該原料スラリーを噴霧乾燥して、球状粒子を得る。原料スラリーの噴霧化は、通常工業的に実施される遠心方式、二流体ノズル方式及び高圧ノズル方式等の方法によって行うことができるが、特に遠心方式で行うことが望ましい。次に、得られた粒子を乾燥するが、乾燥熱源としては、スチーム、電気ヒーター等によって加熱された空気を用いることが好ましい。乾燥機入口の温度は100〜400℃、好ましくは150〜300℃である。
【0030】
第3の工程では、第2の工程で得られた乾燥粒子を焼成することで所望の触媒を得る。乾燥粒子の焼成は、必要に応じて150〜500℃で前焼成を行い、その後500〜700℃、好ましくは520〜700℃の温度範囲で1〜20時間行うのが好ましい。焼成は回転炉、トンネル炉、マッフル炉等の焼成炉を用いて行うことができる。触媒の平均粒子径は40〜70μmであり、触媒粒子の90%以上の粒子が20〜100μmの範囲に分布していることが好ましい。
【0031】
[2] ブタジエンを含むガスを急冷塔で急冷する工程
急冷塔は2区画以上を有する多段急冷塔が好ましく、より好ましくは3段以上の区画を有する。多段急冷塔は各区画において抜出した水溶液を抜き出し位置より上部に噴霧し、ガスを冷却する。抜出した水溶液は冷却した後に噴霧することが好ましい。これにより、急冷塔の出口ガス温度を70℃以下にするのが好ましく、より好ましくは0〜60℃の範囲に、更に好ましくは5〜50℃の範囲に制御する。
【0032】
急冷塔の圧力は0.01〜0.4MPa/Gが好ましく、より好ましくは0.02〜0.3MPa/G、更に好ましくは0.03〜0.2MPa/Gである。
【0033】
急冷塔の最下段抜出液のpHは7〜8に制御するのが好ましい。急冷塔の循環液にIa族、IIa族及びアンモニアから選ばれる少なくとも1種の元素または化合物を含む水溶液を添加することによって抜出液のpHを7〜8にコントロールできる。この添加の好ましい形態としては、急冷塔の最下段区画の上部に設けられた区画段の循環液のpHを7.2〜9に、好ましくは7.5〜8.5に制御することが挙げられる。この循環液のpHを制御する為に、Ia族、IIa族及びアンモニアから選ばれる少なくとも1種の元素または化合物を含む水溶液を循環液に添加するが、ナトリウム、カリウム、及びアンモニアから選ばれる少なくとも1種の元素または化合物を用いることが好ましく、更に、より好ましくはナトリウムを用いる。
【0034】
各区画には空塔、トレイ、または、充填物を充填することができる。循環液の噴霧はスプレーノズルを用いて、液とガスの接触を考慮してその個数と配置を適宜、決定すれば良い。
【0035】
[3] ブタジエンを含むガスを吸収させる工程
吸収溶媒は沸点100〜210℃の溶剤を使用する。このような溶媒の具体例としては、オクタン、ノナン、デカン、エチルシクロヘキサン、オクテン、ノネン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、クメン、ビニルシクロヘキセン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、フルフラール、n−メチルピロリドンなどが挙げられる。これらの中で、オクタン、ノナン、デカン、エチルシクロヘキサン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼンを用いるのが好ましい。キシレンとしてはm−キシレン、o−キシレン、p−キシレンの単独、または、混合物として用いることが出来る。
【0036】
この工程では、工程(2)で得られたブタジエンを含むガスを圧縮し、且つ、冷却したガスを吸収塔の塔底に導入し、吸収溶媒と向流接触させてブタジエン及びその他の炭化数4を主体とする炭化水素を吸収させる。ブタジエン及びその他の炭化数4を主体とする炭化水素を除かれたガスは吸収塔の塔頂からオフガスとして排出される。ブタジエンなどの炭化水素をほとんど含まない吸収溶媒は吸収塔の塔頂に導入される。吸収塔は、圧力0.3〜1.5MPa/G、好ましくは0.5〜1.0MPa/Gで、温度は5〜60℃、好ましくは10〜50℃で操作される。
【0037】
吸収塔としては、充填塔、段塔などの塔を用いることが出来る。また、吸収塔内部の発熱を抑制する為に、塔内の液の一部を冷却器により冷却すると吸収効率をより上げることが出来る。
吸収塔底から抜出したブタジエンを含む吸収溶媒は工程(4)のブタジエンを回収する工程へ導入される。
【0038】
[4] 放散工程
ブタジエンを含む溶液は、放散塔の中段に導入されるのが好ましい。放散塔は、圧力0.03〜0.5MPa/G、好ましくは0.05〜0.3MPa/Gで、塔頂温度は0〜90℃、塔底温度は100〜190℃にするのが好ましく、より好ましくは110〜180℃で操作される。100℃以上にすることでではブタジエンなどの炭化水素を十分に放散し易く、190以下にすることで重合体やタ−ルの生成を防止できる。
【0039】
放散塔としては、充填塔、段塔を用いることが出来る。
ブタジエンを含むガスは放散塔の塔頂から回収され、塔底からはブタジエンなどの炭化水素をほとんど含まない吸収溶媒が抜出される。塔底液は吸収溶媒として利用可能であるので、吸収塔の塔頂に導入されるのが好ましい。この吸収溶媒は長時間の使用により高沸物やタールなどにより汚れてくるので、連続または断続的に溶媒の精製を行うことが良い。汚れを防ぐ観点で、吸収溶媒に重合防止剤を添加することが好ましい。
【0040】
[5] ブタジエンから水を除去する工程
ブタジエンを含むガスを圧縮して液化し、水を分離する為に蒸留塔の上部に供給し、塔頂から水を分離する。塔底からは水を除去したブタジエンを抜出す。この蒸留は、圧力0.3〜0.7MPa/G、好ましくは0.4〜0.6MPa/Gで、塔頂温度は40〜60℃、塔底温度は45〜65℃で操作される。脱水工程には、充填塔、段塔などの塔を用いることが出来る。重合防止剤は添加することが好ましい。
【0041】
[6] ブタジエンから高沸成分を除去する工程
脱水工程で塔底から抜出したブタジエンを、高沸成分を分離する為に蒸留塔の中段に供給し、塔頂から精製されたブタジエンを抜出す。塔底からは2−ブテンなどの高沸成分を抜出す。この蒸留は、圧力0.3〜0.7MPa/G、好ましくは0.4〜0.6MPa/Gで、塔頂温度は40〜60℃、塔底温度は50〜70℃で操作される。この高沸分離塔は、充填塔、段塔などの塔を用いることが出来る。重合防止剤は添加することが好ましい。
【実施例】
【0042】
以下に実施例を示して、本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下に記載の実施例によって制限されるものではない。
【0043】
反応成績を表すために用いたn−ブテン転化率、ブタジエン選択率及び収率は次式で定義される。
n−ブテン転化率(%)=(反応したn−ブテンのモル数)/(供給したn−ブテンのモ ル数)*100
ブタジエン選択率(%)=(生成した−ブタジエンのモル数)/(反応したn−ブテンの モル数)*100
ブタジエン収率(%)=(生成した−ブタジエンのモル数)/(供給したn−ブテンのモ ル数)*100
【0044】
接触時間は次式で定義される。
接触時間(g・sec/cc)=W/F*60*273.15/(273.15+T)*(P*1000+101.325)/101.325
式中、Wは触媒充填量(g)、Fは原料混合ガス流量(cc/min、NTP換算)、Tは反応温度(℃)、Pは反応圧力(MPa)を表す。
【0045】
出口酸素の分析は、反応器に直結させたガスクロマトグラフィー(GC−8A(島津製作所製)、分析カラム:ZY1(信和化工製)、キャリアガス:ヘリウム、カラム温度:75℃一定、TCD設定温度:80℃)を用いて行った。
【0046】
n−ブテン、ブタジエン、メタクロレインなどの分析は、反応器に直結させたガスクロマトグラフィー(GC−2010(島津製作所製)、分析カラム:HP−ALS(J&W製)、キャリアガス:ヘリウム、カラム温度:ガス注入後、100℃で8分間保持した後、10℃/分で195℃になるまで昇温し、その後195℃で40分間保持、TCD・FID(水素炎イオン検出器)設定温度:250℃)を用いて行った。
【0047】
(実施例1)
(a)触媒の調製
組成がMo12Bi0.60Fe1.8Ni5.00.09Rb0.05Mg2.0Ce0.75で表される酸化物を、50重量%のシリカに担持して、触媒を次のようにして調製した。30重量%のSiO2を含むシリカゾル1835.4gをとり、16.6重量%の硝酸413.3gに58.7gの硝酸ビスマス〔Bi(NO・5HO〕、65.7gの硝酸セリウム〔Ce(NO・6HO〕、146.7gの硝酸鉄〔Fe(NO3)3・9H2O〕、293.4gの硝酸ニッケル〔Ni(NO・6HO〕、103.5gの硝酸マグネシウム〔Mg(NO・6HO〕、1.8gの硝酸カリウム〔KNO〕及び1.5gの硝酸ルビジウム〔RbNO〕を溶解させた液を加え、最後に水860.9gに427.4gのパラモリブデン酸アンモニウム〔(NHMo24・4HO〕を溶解させた液を加えた。ここに得られた原料調合液を並流式の噴霧乾燥器に送り、入口温度約250℃、出口温度約140℃で乾燥させた。該調合液の噴霧化は、乾燥器上部中央に設置された皿型回転子を備えた噴霧化装置を用いて行った。得られた粉体は、電気炉で空気雰囲気下350℃で1時間の前焼成の後、空気雰囲気下590℃で2時間焼成して触媒を得た。
【0048】
(b)ブタジエン製造反応
触媒の調製工程で得られた触媒1300gを、管径3インチで高さ950mmのSUS304製反応器に入れ、この反応管に炭素数4の留分として、n−ブテン:n−ブタン:イソブタン:イソブテン=53.9:37.0:8.4:0.7(重量比)の原料を405.9g/Hrで、酸素及び窒素をそれぞれ85.4g/Hr、816.3g/Hrで供給し、反応温度T-=360℃、反応圧力P=0.05MPaの条件で反応を行った。この時、触媒と混合ガスの接触時間は2.9(g・sec/cc)であった。
反応開始から24時間後の反応成績は、n−ブテンの転化率は95.5%、ブタジエンの選択率は83.1%、ブタジエン収率は79.4%であった。
【0049】
(c)反応ガスの急冷
(b)の工程で得られた反応ガスを、ボトムは管径200mm、高さ300mmでその上部に管径100mm、高さ1000mmの急冷部を有するSUS304製急冷塔の下段に導入した。急冷部は3段式で、上段、中段及び下段に対して塔底から抜出した液をそれぞれ100、170、160L/Hrでスプレーした。中段へのスプレー液にはボトム抜出液のpHが7.2になるように水酸化ナトリウムの10%水溶液を添加した。また、上段へのスプレー液は熱交換器を通して45℃に冷却してスプレーした。この時、急冷塔塔頂からの排出ガス温度は50℃であった。
【0050】
(d)ブタジエンの吸収工程
(c)の工程で得られた排出ガスを圧縮機で0.5MPa/Gまで加圧し、熱交換器を通して50℃に制御したガスを、管径2.5インチ、高さ3300mmでその内部に5mmφ*5mmのラシヒリングを充填したSUS304製吸収塔の下段に導入した。この塔の上段には10℃に冷却したm−キシレン(沸点:139.1℃)を5.0kg/Hrで供給し、向流接触させ、99.8%のブタジエンを吸収させた。このブタジエンを吸収した50℃のm−キシレンをボトムから抜出した。
【0051】
(e)ブタジエンの回収工程
(d)の工程で得られたブタジエンを含有するm−キシレンを、管径2.5インチ、高さ3000mmでその内部に5mmφ*5mmのラシヒリングを充填したSUS304製回収塔の中段に導入した。回収塔は圧力0.11MPa/G、塔底液温度は110℃、塔頂のガス温度は25℃になるように運転した。塔頂からは93.2重量%のブタジエンを含む液化ガスを188g/Hrで抜出し、塔底からはブタジエンを含まないm−キシレンを5.0kg/Hrで抜出し、(c)の工程の吸収液として供給した。
【0052】
(f)水を除去する工程
(e)の工程で塔頂から抜出したブタジエンを含む液化ガスを一時、タンクに保管し、597g/Hrで、36段のトレイを有する管径2.5インチ、高さ3000mmのSUS304製脱水塔の上段に導入した。脱水塔は圧力0.60MPa/G、塔底液温度は53℃、塔頂のガス温度は51℃になるように運転した。塔頂からは水を1g/Hrで系外に抜出し、塔底からは水をほとんど含まないブタジエンを596g/Hrで抜出した。
【0053】
(g)高沸成分を除去する工程
(f)の工程で塔底から抜出したブタジエンを、52段のトレイを有する管径2.5インチ、高さ3300mmのSUS304製脱水塔の中段に導入した。脱水塔は圧力0.60MPa/G、塔底液温度は61℃、塔頂のガス温度は52℃になるように運転した。塔頂からは509g/Hrのブタジエンを抜出した。このブタジエンの純度は99.3重量%であり、ブタジエン中のアセチレン類は10重量ppm以下であった。また、塔底からは41重量%の高沸成分を含むブタジエンを87g/Hrで抜出した。
【産業上の利用可能性】
【0054】
n−ブテンを原料として、分子状酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、金属酸化物を担体に担持した触媒と接触させて酸化脱水素反応により製造したブタジエンを含むガスから、簡潔な工程により精製されたブタジエンを製造することができる。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
以下の工程(1)から(5)の工程を有するブタジエンの製造方法。
工程(1):n−ブテンを含む原料ガスと酸素含有ガスを流動層反応器に供給し、触媒と 接触させて酸化脱水素反応によりブタジエンを含むガスを生成させる工程
工程(2):ブタジエンを含むガスを急冷塔で冷却する工程
工程(3):ブタジエンを含むガスを沸点が100〜210℃の溶剤に吸収させる工程
工程(4):ブタジエン溶液から水を除去する工程
工程(5):ブタジエン溶液から高沸成分を除去する工程
【請求項2】
前記原料は、ブタジエン及びイソブテンを除去した後の炭素数4の留分から、更に、ブタンを除去して得られた炭素数4の留分である請求項1に記載の方法。

【公開番号】特開2012−82153(P2012−82153A)
【公開日】平成24年4月26日(2012.4.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−228314(P2010−228314)
【出願日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【出願人】(303046314)旭化成ケミカルズ株式会社 (2,513)
【Fターム(参考)】