プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
【課題】製造に必要な酸化マグネシウム結晶体の使用量が少なく、製造コストが低いプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備するプラズマディスプレイパネルにおいて、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度を、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低くすること。
【解決手段】前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備するプラズマディスプレイパネルにおいて、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度を、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低くすること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、大型薄型テレビとして実用化されている。
【０００３】
ＰＤＰにおける画像表示は、次のように行われる。まず、表示する画像に応じて選択した放電セルで、アドレス放電を起こす。このアドレス放電により、放電セルに所定の壁電荷が形成される。
【０００４】
アドレス放電は、例えば、前面基板に形成した走査電極に負電圧パルスを印加し、同時に、背面基板に形成したアドレス電極に正電圧パルスを印加して起こす。
【０００５】
次に、走査電極と維持電極の間に交互に電圧を印加する。すると、壁電荷が形成された放電セルで選択的にサステイン放電が起きて、紫外線が発生する。この紫外線が、放電セルに設けられた蛍光体を発光させる。その結果、選択された放電セルが点灯し、所望の画像がＰＤＰに表示される。
【０００６】
ところで、近年、ＰＤＰの高精細化が進んでいる。従って、ＰＤＰの画素数は増え続けている。このため、高精細化したＰＤＰでは、アドレス放電のために印加する電圧パルスの幅が狭くなっている。
【０００７】
同じ放電セルに、同じ電圧パルスを印加しても、電圧パルスを印加してから放電が始まるまでの時間（放電遅れ）は、放電のたびに異なり一定しない。このため、アドレス放電のために印加する電圧パルスの幅が狭くなり過ぎると、アドレス放電が起きない放電セルが出現する。その結果、選択された放電セルの一部が点灯しなくなり、画質の劣化が招来される。
【０００８】
この問題を解決するため、前面基板を覆う保護膜の上に、酸化マグネシウム単結晶（以下、酸化マグネシウム結晶体と呼ぶ）からなる粒子の層を形成することが提案されている（特許文献１）。
【０００９】
酸化マグネシウム結晶体は、一画面前の画像表示の際に行われたサステイン放電や、アドレス放電に先立って行われるリセット放電によって励起される。
【００１０】
励起された酸化マグネシウム結晶体は、その後少しずつ、放電セル内に電子を放出する。この放出された電子によって、アドレス放電が起こりやすくなり、放電遅れ時間が短縮する。
【００１１】
このように、保護膜上に酸化マグネシウム結晶体の層を形成しておくことによって、ＰＤＰを高精細化しても、画像の劣化が起きないようにすることができる。
【特許文献１】特開２００６−１１４４８４号公報
【特許文献２】特開２００７−１０３０５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、酸化マグネシウム結晶体は、高価である。このため、酸化マグネシウム結晶体を使用すると、ＰＤＰの製造のコストが高くなる。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、製造に必要な酸化マグネシウム結晶体の量が少なく、製造コストが低いプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備し、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度が、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【００１５】
第１の側面によれば、製造に必要な酸化マグネシウム結晶体の量が少なく、製造コストが低いプラズマディスプレイパネルを提供することできる。
【００１６】
本発明の第２の側面は、第１の側面において、前記前面パネルの中央における前記粒子の密度が、前記前面パネルの上端及び下端における前記粒子の密度より低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【００１７】
第２の側面によれば、ＰＤＰを視る者は、従来のＰＤＰより、表示された画像を明るく感じる。
【００１８】
本発明の第３の側面は、前面基板上に、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなる複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜を順次形成する第１の工程と、前記保護膜の上で、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子を溶媒に分散したスラリーをスプレーガンから吐出して、前記保護膜の上に前記粒子を撒布する第２の工程を具備し、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の第１の上方に位置する前記保護膜の上に、前記電極の第２の上方に位置する前記保護膜の上に撒布する前記粒子より少ない前記粒子を撒布することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１９】
第３の側面によれば、酸化マグネシウム結晶体の使用量が少なく、製造コストが低いＰＤＰの製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＰＤＰの製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量が少なるので、ＰＤＰの製造コストが低くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００２２】
ＰＤＰに表示すべき画像を書き込むアドレス放電は、次のような手順によって起こされる。
【００２３】
まず、背面パネルに垂直方向に延在するように形成された複数のアドレス電極に、例えば、表示すべき画像データに応じて、正の電圧パルスを、順次印加する。更に、前面パネルに水平方向に延在するように形成された複数の走査電極に、この電圧パルスに同期する負の電圧パルスを、上から順番に印加する。
【００２４】
従って、後にアドレス放電を起こす放電セルほど、最後の放電（リセット放電）が起きてから次の放電（アドレス放電）が開始するまでの期間（以下、放電待機期間と呼ぶ）が長くなる。
【００２５】
ところで、酸化マグネシウム結晶体から放出される単位時間当たりの電子の量（以下、電子放出量と呼ぶ）は、放電待機期間が長くなるに従って除々に減少する。
【００２６】
従って、アドレス放電を起こす順番が遅い放電セル群ほど、酸化マグネシウム結晶体の電子放出量が少なくなる。その結果、アドレス放電を起こす順番が遅い放電セル群ほど、酸化マグネシウム結晶体による放電遅延抑制効果が小さくなる。
【００２７】
そこで、従来は、最後にアドレス放電を起こす放電セル群で、所望の放電遅延抑制効果が得られるように、十分な量の酸化マグネシウム結晶体を、保護膜全面に一様に撒布していた。
【００２８】
この場合、殆どの放電セルに、必要以上の酸化マグネシウム結晶体が撒布される。このような過剰な酸化マグネシウム結晶体の撒布を止めることができるならば、製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量を、削減することができる。
【００２９】
そこで、本ＰＤＰでは、画像データを書き込むための電圧パルスが先に印加される走査電極の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子の密度を、後に上記電圧パルスが印加される走査電極の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子の密度より低くしている。
【００３０】
このようにすれば、製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量を削減して、ＰＤＰの製造コストを低くすることができる。
【実施例１】
【００３１】
（１）構 成
図１は、本実施例のＰＤＰ２の構成を説明する平面図である。
【００３２】
本実施例のＰＤＰ２は、前面パネル４と背面パネル６を具備している。
【００３３】
前面パネル４には、水平方向に延在する走査電極８と同じく水平方向に延在する維持電極１０からなる複数の表示電極が形成されている。
【００３４】
走査電極８には、画像データを書き込むための電圧パルス（以後、書き込み走査パルスと呼ぶ）が、上から順番に印加される。すなわち、走査電極８には、矢印１２の指し示す方向に向かって、順番に書き込み走査パルスが印加される。尚、書き込み走査パルスが順番に印加されて行く方向を、以後、走査方向と呼ぶ。
【００３５】
一方、背面パネル６には、走査電極８及び維持電極１０に直交する複数のアドレス電極１４が形成されている。このアドレス電極１４と、走査電極８及び維持電極１０が交差する位置に、放電セルが形成されている。
【００３６】
図２は、図１に示したII−II線に沿った断面を、矢印の方向から見た図である。
【００３７】
図２に示すように本ＰＤＰ２は、ガラス製の前面基板１６等からなる前面パネル４と、ガラス製の背面基板１８等からなる背面パネル６を有している。前面パネル４と背面パネル６は対向して配置され、その外周部は、ガラスフリットなどの封着剤によって気密封着されている。
【００３８】
封着されたＰＤＰ２の内部に形成される放電空間２０には、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）からなる放電ガスが封入されている。
【００３９】
前面基板１６の上には、走査電極８と維持電極１０からなる複数の表示電極２２が、水平方向に形成されている。前面基板１６の上には、表示電極２２を覆うように誘電体層２４が形成されている。この誘電体層２４を覆うように、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜２６が形成されている。
【００４０】
保護膜２６は、誘電体層２４を放電による侵食から保護するためのものである。更に、保護膜２６は放電に曝されると、２次電子を放出して放電を起こりやすくする。
【００４１】
この保護膜２６の上には、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子２８（酸化マグネシウム結晶体）が配置されている。この酸化マグネシウム結晶体２８は、放電に曝された後、暫くの間、電子を放出して放電遅れを短縮する。
【００４２】
背面基板１８の上には、表示電極２２に直交する方向に延在する複数のアドレス電極１４が形成されている。
【００４３】
アドレス電極１４は、誘電体層３０によって覆われている。この誘電体層３０の上には、隔壁３２が形成されている。図２に示すように、隔壁３２は、隣り合うアドレス電極１４の間に形成されている。更に、隔壁３２は、隣り合う表示電極２２の間にも形成されている。
【００４４】
この隔壁３２によって放電空間２０が区画され、放電セル３４が形成されている。すなわち、本ＰＤＰ２の放電セルは、所謂、ボックス構造を有している。
【００４５】
各放電セル３４内には、紫外線によって夫々、赤、緑、及び青で発光する３種類の蛍光体層３６が、表示電極２２の延在方向に順次、繰り返し形成されている。赤、緑、青の蛍光体層を有する一組の放電セルが、カラー表示のための一画素になる。
【００４６】
図３は、走査方向１２に沿った、酸化マグネシウム結晶体２８の密度分布を説明する図である。横軸は、走査方向に沿った位置である。図３の右端が、ＰＤＰ２の上端５０に相当する。一方、図３の左端は、ＰＤＰ２の下端６０に相当する。縦軸は、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度である。
【００４７】
図３に示すように、本ＰＤＰ２では、前面パネル４の上側５０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、後面パネル４の下側６０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。
【００４８】
すなわち、先に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、後に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。ここで、「上方」とは、前面基板１６から保護膜２６に向かう方向のことである。尚、走査電極８に沿った酸化マグネシウム結晶体２８の密度は、一定である。
【００４９】
そして、各走査線８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度は、当該走査線８が貫く放電セル群の放電遅れを、一定の値、短縮するために必要かつ十分な量である。すなわち、酸化マグネシウム結晶体２８は、過不足なく、保護膜２６の上に配置されている。
【００５０】
故に、本ＰＤＰ２では、略全面に亘って酸化マグネシウム結晶体２８が過剰に配置されている従来のＰＤＰに比べ、酸化マグネシウム結晶体２８の量が少なくなっている。由って、本ＰＤＰ２によれば、ＰＤＰの製造コストを抑制することができる。
【００５１】
尚、放電遅延時間の均一化を図るため、保護膜２６の厚さを、書き込み走査パルスが遅れて印加される走査電極８の上方で、厚くしたＰＤＰが報告されている（特許文献２）。
【００５２】
このＰＤＰでは、保護膜が、通常のＰＤＰより厚く形成されている。これは、製品化する際に要求される総サステイン放電時間（例えば、３万時間）に耐えられるように、保護膜を、通常のＰＤＰの保護膜と同等又はより厚く（例えば、０．９μｍ以上に）する為と考えられる。従って、上記報告例に従ってＰＤＰを製造すると、保護膜の形成に使用する原料は増加する。
【００５３】
一方、本ＰＤＰの保護膜２６は、従来のＰＤＰと同じ厚さの保護膜を有している。従って、本ＰＤＰ２は、サステイン放電に対して、従来のＰＤＰと同等の耐性を有している。このため、本実施例によれば、酸化マグネシウム結晶体２８の使用量を、増加させるのではなく削減することができる。
【００５４】
以上の説明から明らかなように、本ＰＤＰ２は、前面パネル４と背面パネル６を具備している（図２参照）。
【００５５】
前面パネル４は、前面基板１６を有している。
【００５６】
また、前面パネル４は、画像データを書き込むための電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８と維持電極１０からなり、且つ前面基板１６の表面に形成された複数の表示電極２２を有している。
【００５７】
また、前面パネル４は、表示電極２２を覆う誘電体層２４と、誘電体層２２を覆う保護膜２６と、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）を有している。
【００５８】
一方、背面パネル６は、背面基板１８を有している。
【００５９】
また、背面パネル６は、背面基板１８の表面に形成され、表示電極２２と直交する方向に延在し、且つ上記画像データが入力される複数のアドレス電極１４を有している。
【００６０】
そして、本ＰＤＰ２では、他の走査電極８である電極より先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方に配置された上記粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）の密度が、上記電極の上方に配置された粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）の密度より低くなっている。
【００６１】
このため、本ＰＤＰ２の製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量は、従来の高精細化ＰＤＰより少ない。故に、本ＰＤＰ２によれば、高精細化ＰＤＰの製造コストを低くすることができる。
【００６２】
（２）製造方法
以下、前面パネルの製造工程について説明する。背面パネルの製造工程及び前面パネルと背面パネルの組み立て工程は、従来のＰＤＰと略同じである。
【００６３】
（ａ）電極形成工程、誘電体層形成工程、保護膜形成工程
まず、ガラスからなる前面基板１６の表面に、スパッタリングにより透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィにより帯状の透明電極を形成する。透明電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。この透明電極の上に、スパッタリングより金属導電膜を形成する。
【００６４】
次に、この金属導電膜を、フォトリソグラフィにより加工して、透明電極の上辺又は下辺に片寄った位置にバス電極を形成する。金属膜は、例えば、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層金属である。このバス電極と上記透明電極が一体となった電極が、走査電極８及び維持電極１０からなる表示電極２２となる。
【００６５】
次に、この走査電極８及び維持電極１０からなる表示電極２２の上に、誘電体層２４を形成する。誘電体層２４の材料は、低融点ガラスである。
【００６６】
次に、ＰＤＰの放電特性を改善し且つ誘電体層２４を保護するため、誘電体層２４の上に保護膜２６を形成する。保護膜２６の材料は、２次電子放出効率が高く、且つ放電によってスパッタされにくい酸化マグネシウム（ＭｇＯ）である。この保護膜２６は、真空中で蒸着法によって形成する。
【００６７】
このように、本製造方法では、まず、前面基板１６の上に、画像データを書き込むための電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８と維持電極１０からなる複数の表示電極２２と、表示電極２２を覆う誘電体層２４と、誘電体層２４を覆う保護膜２６を順次形成する。
【００６８】
（ｂ）酸化マグネシウム結晶体の撒布工程
図４は、酸化マグネシウム結晶体２８の撒布工程を説明する斜視図である。
【００６９】
酸化マグネシウム結晶体２８の撒布は、スラリー撒布装置３８を用いて行う。スラリー撒布装置３８は、スラリー４４を霧状にして噴出すスプレーガン４０と、スプレーガン３８が取り付けられたガイドレール４２を具備している。
【００７０】
一方、酸化マグネシウム結晶体２８が撒布される（製造途中の）前面パネル４８は、パネルを一方向４６に搬送するパネル搬送装置（図示せず）に載置され、スラリー撒布装置３８の下側を移動する。
【００７１】
酸化マグネシウム結晶体２８の撒布は、以下の手順で行われる。
【００７２】
まず、酸化マグネシウム結晶体を溶媒に分散させたスラリーを、リザーバに充填する。このリザーバは、スプレーガン４０に接続され、スプレーガン４０にスラリーを供給する。
【００７３】
次に、表示電極２２、誘電体層２４、及び保護膜２６が、前面基板１６上に形成された製造途中の前面パネル４を、保護膜２６を上にして上記搬送装置に載置する。次に、この搬送装置を動作させて、製造途中の前面パネル４を、ガイドレール４２の下側を通過させる。
【００７４】
この時、スプレーガン４０に上記スラリー４４を吐出させながら、スプレーガン４０を、搬送中の前面パネル４８の上を繰り返し移動せる。すると、パネル４８の全面に、酸化マグネシウム結晶体を含むスラリーが撒布される。
【００７５】
その際、本実施例では、スプレーガン４０がパネル４８の上端５０に近づくほど、スラリー４４の（単位時間当たりの）吐出量を少なくする。
【００７６】
すなわち、本実施例では、保護膜２６の上で、酸化マグネシウム単結晶２８からなる粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を溶媒に分散したスラリーを、スプレーガン４０から吐出して、保護膜２６の上に上記粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を撒布する。
【００７７】
更に、本実施例では、他の走査電極８（他の走査電極である電極）より先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の第１の上方に位置する保護膜２６の上に、上記他の走査電極８（上記電極）の第の上方に位置する保護膜２６の上より少ない粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を撒布する。
【００７８】
このように、酸化マグネシウム単結晶粒子の撒布量に分布を持たせるために、本実施例では、スプレーガン４０が単位時間当たりに吐出するスラリー４４の吐出量を変化させる。具体的には、先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第１の上方）におけるスラリーの吐出量を、後に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極２２の上方（すなわち、上記第２の上方）おける上記吐出量より少なくする。
【００７９】
或いは、酸化マグネシウム単結晶粒子の撒布量に分布を持たせるために、スプレーガン４０のスラリー４４の吐出量は一定として、先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第１の上方）におけるスプレーガン４０の移動速度を、後に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第２の上方）におけるスプレーガン４０の移動速度より速くしてもよい。
【００８０】
（３）動 作
図５は、ＰＤＰ２の駆動方法を説明する図である。横軸は、時間を表している。縦軸は、ＰＤＰ２の上端５０から数えた表示電極の順番を表している。
【００８１】
画像信号の１フィールドは、複数のサブフィールド５２に分けられる。各サブフィールド５２は、夫々、リセット期間５４、アドレス期間５６、及び維持期間５８に分けられる。
【００８２】
リセット期間５４には、走査電極８と維持電極１０の間に初期化電圧を印加してリセット放電を起して、全ての放電セルに均一に壁電荷を形成する。
【００８３】
アドレス期間５６には、アドレス電極１４に画像情報を担持した正の電圧パルス（書き込み信号パルス）を順次印加する。ここで、書き込み信号パルスに担持させる画像情報は、各放電セルを点灯させるか否かを定めた情報である。
【００８４】
同時に、走査電極８には、負の電圧パルス（書き込み走査パルス）を前面パネル４の上端５０から下端６０に向かって、順次印加して行く（図１参照）。
【００８５】
この際、アドレス電極１４には新たな画像情報が順次入力され、その度に、書き込み走査パルスが印加される走査電極８は、下側に移動する。
【００８６】
書き込み信号パルス及び書き込み走査パルスが、同時に印加された放電セルでは、アドレス放電が起き、壁電荷が形成される。その結果、各放電セルに、画像情報に応じた壁電荷が形成される。
【００８７】
全放電セルに対して書き込み走査が終了すると、維持期間５８が開始する。
【００８８】
維持期間５８中は、交互に位相が反転する周期的な維持パルスを走査電極８と維持電極１０の間に印加して、サステイン放電を起こす。この時、アドレス期間５６に壁電荷が形成された放電セルだけで、サステイン放電が起きる。
【００８９】
サステイン放電によって発生した紫外線が放電セルの背面パネル６に設けられた蛍光体層３６を励起して、可視光を生成する。その結果、各サブフィールド５２に割り当てられた画像がＰＤＰ２に表示される。その結果、各サブフィールドの元となる画像が、階調表示される。
【００９０】
ところで、ＰＤＰ２が高精細化しても、アドレス期間５６に割り当てることのできる時間は変わらない。このため、高精細化のために走査電極８の数を増やすと、各走査電極８に印加される書き込み走査パルスの幅が狭くなる。
【００９１】
従って、放電遅れ現象が顕在化して、点灯すべき放電セルで放電が起きなくなることを防止するために、酸化マグネシウム結晶体２８を保護膜の上に撒布して、放電遅れ時間を短縮する。
【００９２】
本ＰＤＰ２では、先に書き込み走査パルスが印加される放電セルほど、撒布された酸化マグネシウム結晶体２８の密度の低い。一方、酸化マグネシウム結晶体２８が放出する電子は、アドレス期間５４中に除々に減少していく。
【００９３】
従って、書き込み走査パルスが印加される時点で比較すると、酸化マグネシウム結晶体２８から単位時間当たり放出される電子の数は、全放電セルにおいて略同じになる。
【００９４】
このため、本ＰＤＰ２では、全放電セルで一様に、放電遅れが改善される。従って、撒布する酸化マグネシウム結晶体の量を削減しても、画像品質の劣化は起きない。
【実施例２】
【００９５】
図６は、本実施例のＰＤＰにおける、走査方向に沿った酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である。横軸は、前面パネルの上下方向に沿った位置である。図６の右端は、ＰＤＰ２の上端５０に相当する。一方、図６の左端は、ＰＤＰ２の下端６０に相当ずる。縦軸は、保護膜２６の上に撒布された酸化マグネシウム結晶体２８の密度である。図６の上部に示された矢印１２は、書き込み走査パルスの走査方向を表している。
【００９６】
本実施例のＰＤＰは、図１及び図２を参照して説明した実施例１のＰＤＰと略同じ構成を有している。但し、図６に示すように、前面パネル４の中央６２に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、前面パネル４の上端５０及び下端６０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。尚、実施例１と同様に、表示電極２２に沿った酸化マグネシウム結晶体の密度は、一定である。
【００９７】
本ＰＤＰでは、アドレス電極１４が前面パネル４の中央６２で分割され、前面パネル４の中央６２から上端５０及び下端６０の両方向に向かって、書き込み走査パルスが、走査電極８に順次印加される。すなわち、本ＰＤＰは、所謂、デュアルスキャン型のＰＤＰである。
【００９８】
本ＰＤＰでも、先に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に位置する保護膜２６の上ほど、酸化マグネシウム結晶体２８の密度が低くなっている。すなわち、本ＰＤＰでも、酸化マグネシウム結晶体２８は過不足なく保護膜２６の上に配置されている。従って、本ＰＤＰの製造コストも低い。
【００９９】
ところで、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム結晶体２８は、放電セルで生成された可視光を散乱する。このため、酸化マグネシウム結晶体２８を撒布すると最大で１０％程度、ＰＤＰの輝度が低下する。このような輝度の低下がＰＤＰを視る者に与える影響は、画面の中央部ほど大きい。
【０１００】
本ＰＤＰでは、酸化マグネシウム結晶体２８の配置密度が、ＰＤＰの中央６２で最も低くなっている。従って、本ＰＤＰを視る者は、従来の高精細化ＰＤＰより、表示された画像を明るく感じる。
【０１０１】
尚、走査方向を逆にして、上端５０及び下端６０から中央６２に向かって、書き込み走査パルスを、走査電極８に順次に印加してもよい。この場合には、酸化マグネシウム結晶体２８の配置密度を、前面パネル４の中央から、前面パネル４の上端５０及び下端６０に向かって、除々に低くなるようにする。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】実施例１のＰＤＰの構成を説明する平面図である。
【図２】図１に示したII−II線に沿った断面を矢印の方向から見た図である。
【図３】書き込み走査パルスの走査方向に沿った、酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である（実施例１）。
【図４】酸化マグネシウム結晶体の撒布工程を説明する斜視図である。
【図５】実施例１のＰＤＰの駆動方向を説明する図である。
【図６】走査方向に沿った、酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である（実施例２）。
【符号の説明】
【０１０３】
２・・・実施例１のＰＤＰ ４・・・前面パネル
６・・・背面パネル ８・・・走査電極
１０・・・維持電極 １２・・・矢印（走査方向）
１４・・・アドレス電極 １６・・・前面基板
１８・・・背面基板 ２０・・・放電空間
２２・・・表示電極 ２４・・・誘電体層
２６・・・保護膜 ２８・・・酸化マグネシウム結晶体
３０・・・誘電体層 ３２・・・隔壁
３４・・・放電セル ３６・・・蛍光体層
３８・・・スラリー撒布装置 ４０・・・スプレーガン
４２・・・ガイドレール ４４・・・スラリー
４６・・・パネルの搬送方向 ４８・・・（製造途中の）前面パネル
５０・・・前面パネルの上端 ５２・・・サブフィールド
５４・・・リセット期間 ５６・・・アドレス期間
５８・・・維持期間 ６０・・・前面パネルの下端
６２・・・前面パネルの中央
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、大型薄型テレビとして実用化されている。
【０００３】
ＰＤＰにおける画像表示は、次のように行われる。まず、表示する画像に応じて選択した放電セルで、アドレス放電を起こす。このアドレス放電により、放電セルに所定の壁電荷が形成される。
【０００４】
アドレス放電は、例えば、前面基板に形成した走査電極に負電圧パルスを印加し、同時に、背面基板に形成したアドレス電極に正電圧パルスを印加して起こす。
【０００５】
次に、走査電極と維持電極の間に交互に電圧を印加する。すると、壁電荷が形成された放電セルで選択的にサステイン放電が起きて、紫外線が発生する。この紫外線が、放電セルに設けられた蛍光体を発光させる。その結果、選択された放電セルが点灯し、所望の画像がＰＤＰに表示される。
【０００６】
ところで、近年、ＰＤＰの高精細化が進んでいる。従って、ＰＤＰの画素数は増え続けている。このため、高精細化したＰＤＰでは、アドレス放電のために印加する電圧パルスの幅が狭くなっている。
【０００７】
同じ放電セルに、同じ電圧パルスを印加しても、電圧パルスを印加してから放電が始まるまでの時間（放電遅れ）は、放電のたびに異なり一定しない。このため、アドレス放電のために印加する電圧パルスの幅が狭くなり過ぎると、アドレス放電が起きない放電セルが出現する。その結果、選択された放電セルの一部が点灯しなくなり、画質の劣化が招来される。
【０００８】
この問題を解決するため、前面基板を覆う保護膜の上に、酸化マグネシウム単結晶（以下、酸化マグネシウム結晶体と呼ぶ）からなる粒子の層を形成することが提案されている（特許文献１）。
【０００９】
酸化マグネシウム結晶体は、一画面前の画像表示の際に行われたサステイン放電や、アドレス放電に先立って行われるリセット放電によって励起される。
【００１０】
励起された酸化マグネシウム結晶体は、その後少しずつ、放電セル内に電子を放出する。この放出された電子によって、アドレス放電が起こりやすくなり、放電遅れ時間が短縮する。
【００１１】
このように、保護膜上に酸化マグネシウム結晶体の層を形成しておくことによって、ＰＤＰを高精細化しても、画像の劣化が起きないようにすることができる。
【特許文献１】特開２００６−１１４４８４号公報
【特許文献２】特開２００７−１０３０５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、酸化マグネシウム結晶体は、高価である。このため、酸化マグネシウム結晶体を使用すると、ＰＤＰの製造のコストが高くなる。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、製造に必要な酸化マグネシウム結晶体の量が少なく、製造コストが低いプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備し、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度が、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【００１５】
第１の側面によれば、製造に必要な酸化マグネシウム結晶体の量が少なく、製造コストが低いプラズマディスプレイパネルを提供することできる。
【００１６】
本発明の第２の側面は、第１の側面において、前記前面パネルの中央における前記粒子の密度が、前記前面パネルの上端及び下端における前記粒子の密度より低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【００１７】
第２の側面によれば、ＰＤＰを視る者は、従来のＰＤＰより、表示された画像を明るく感じる。
【００１８】
本発明の第３の側面は、前面基板上に、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなる複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜を順次形成する第１の工程と、前記保護膜の上で、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子を溶媒に分散したスラリーをスプレーガンから吐出して、前記保護膜の上に前記粒子を撒布する第２の工程を具備し、他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の第１の上方に位置する前記保護膜の上に、前記電極の第２の上方に位置する前記保護膜の上に撒布する前記粒子より少ない前記粒子を撒布することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１９】
第３の側面によれば、酸化マグネシウム結晶体の使用量が少なく、製造コストが低いＰＤＰの製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＰＤＰの製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量が少なるので、ＰＤＰの製造コストが低くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００２２】
ＰＤＰに表示すべき画像を書き込むアドレス放電は、次のような手順によって起こされる。
【００２３】
まず、背面パネルに垂直方向に延在するように形成された複数のアドレス電極に、例えば、表示すべき画像データに応じて、正の電圧パルスを、順次印加する。更に、前面パネルに水平方向に延在するように形成された複数の走査電極に、この電圧パルスに同期する負の電圧パルスを、上から順番に印加する。
【００２４】
従って、後にアドレス放電を起こす放電セルほど、最後の放電（リセット放電）が起きてから次の放電（アドレス放電）が開始するまでの期間（以下、放電待機期間と呼ぶ）が長くなる。
【００２５】
ところで、酸化マグネシウム結晶体から放出される単位時間当たりの電子の量（以下、電子放出量と呼ぶ）は、放電待機期間が長くなるに従って除々に減少する。
【００２６】
従って、アドレス放電を起こす順番が遅い放電セル群ほど、酸化マグネシウム結晶体の電子放出量が少なくなる。その結果、アドレス放電を起こす順番が遅い放電セル群ほど、酸化マグネシウム結晶体による放電遅延抑制効果が小さくなる。
【００２７】
そこで、従来は、最後にアドレス放電を起こす放電セル群で、所望の放電遅延抑制効果が得られるように、十分な量の酸化マグネシウム結晶体を、保護膜全面に一様に撒布していた。
【００２８】
この場合、殆どの放電セルに、必要以上の酸化マグネシウム結晶体が撒布される。このような過剰な酸化マグネシウム結晶体の撒布を止めることができるならば、製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量を、削減することができる。
【００２９】
そこで、本ＰＤＰでは、画像データを書き込むための電圧パルスが先に印加される走査電極の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子の密度を、後に上記電圧パルスが印加される走査電極の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子の密度より低くしている。
【００３０】
このようにすれば、製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量を削減して、ＰＤＰの製造コストを低くすることができる。
【実施例１】
【００３１】
（１）構 成
図１は、本実施例のＰＤＰ２の構成を説明する平面図である。
【００３２】
本実施例のＰＤＰ２は、前面パネル４と背面パネル６を具備している。
【００３３】
前面パネル４には、水平方向に延在する走査電極８と同じく水平方向に延在する維持電極１０からなる複数の表示電極が形成されている。
【００３４】
走査電極８には、画像データを書き込むための電圧パルス（以後、書き込み走査パルスと呼ぶ）が、上から順番に印加される。すなわち、走査電極８には、矢印１２の指し示す方向に向かって、順番に書き込み走査パルスが印加される。尚、書き込み走査パルスが順番に印加されて行く方向を、以後、走査方向と呼ぶ。
【００３５】
一方、背面パネル６には、走査電極８及び維持電極１０に直交する複数のアドレス電極１４が形成されている。このアドレス電極１４と、走査電極８及び維持電極１０が交差する位置に、放電セルが形成されている。
【００３６】
図２は、図１に示したII−II線に沿った断面を、矢印の方向から見た図である。
【００３７】
図２に示すように本ＰＤＰ２は、ガラス製の前面基板１６等からなる前面パネル４と、ガラス製の背面基板１８等からなる背面パネル６を有している。前面パネル４と背面パネル６は対向して配置され、その外周部は、ガラスフリットなどの封着剤によって気密封着されている。
【００３８】
封着されたＰＤＰ２の内部に形成される放電空間２０には、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）からなる放電ガスが封入されている。
【００３９】
前面基板１６の上には、走査電極８と維持電極１０からなる複数の表示電極２２が、水平方向に形成されている。前面基板１６の上には、表示電極２２を覆うように誘電体層２４が形成されている。この誘電体層２４を覆うように、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜２６が形成されている。
【００４０】
保護膜２６は、誘電体層２４を放電による侵食から保護するためのものである。更に、保護膜２６は放電に曝されると、２次電子を放出して放電を起こりやすくする。
【００４１】
この保護膜２６の上には、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子２８（酸化マグネシウム結晶体）が配置されている。この酸化マグネシウム結晶体２８は、放電に曝された後、暫くの間、電子を放出して放電遅れを短縮する。
【００４２】
背面基板１８の上には、表示電極２２に直交する方向に延在する複数のアドレス電極１４が形成されている。
【００４３】
アドレス電極１４は、誘電体層３０によって覆われている。この誘電体層３０の上には、隔壁３２が形成されている。図２に示すように、隔壁３２は、隣り合うアドレス電極１４の間に形成されている。更に、隔壁３２は、隣り合う表示電極２２の間にも形成されている。
【００４４】
この隔壁３２によって放電空間２０が区画され、放電セル３４が形成されている。すなわち、本ＰＤＰ２の放電セルは、所謂、ボックス構造を有している。
【００４５】
各放電セル３４内には、紫外線によって夫々、赤、緑、及び青で発光する３種類の蛍光体層３６が、表示電極２２の延在方向に順次、繰り返し形成されている。赤、緑、青の蛍光体層を有する一組の放電セルが、カラー表示のための一画素になる。
【００４６】
図３は、走査方向１２に沿った、酸化マグネシウム結晶体２８の密度分布を説明する図である。横軸は、走査方向に沿った位置である。図３の右端が、ＰＤＰ２の上端５０に相当する。一方、図３の左端は、ＰＤＰ２の下端６０に相当する。縦軸は、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度である。
【００４７】
図３に示すように、本ＰＤＰ２では、前面パネル４の上側５０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、後面パネル４の下側６０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。
【００４８】
すなわち、先に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、後に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。ここで、「上方」とは、前面基板１６から保護膜２６に向かう方向のことである。尚、走査電極８に沿った酸化マグネシウム結晶体２８の密度は、一定である。
【００４９】
そして、各走査線８の上方に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度は、当該走査線８が貫く放電セル群の放電遅れを、一定の値、短縮するために必要かつ十分な量である。すなわち、酸化マグネシウム結晶体２８は、過不足なく、保護膜２６の上に配置されている。
【００５０】
故に、本ＰＤＰ２では、略全面に亘って酸化マグネシウム結晶体２８が過剰に配置されている従来のＰＤＰに比べ、酸化マグネシウム結晶体２８の量が少なくなっている。由って、本ＰＤＰ２によれば、ＰＤＰの製造コストを抑制することができる。
【００５１】
尚、放電遅延時間の均一化を図るため、保護膜２６の厚さを、書き込み走査パルスが遅れて印加される走査電極８の上方で、厚くしたＰＤＰが報告されている（特許文献２）。
【００５２】
このＰＤＰでは、保護膜が、通常のＰＤＰより厚く形成されている。これは、製品化する際に要求される総サステイン放電時間（例えば、３万時間）に耐えられるように、保護膜を、通常のＰＤＰの保護膜と同等又はより厚く（例えば、０．９μｍ以上に）する為と考えられる。従って、上記報告例に従ってＰＤＰを製造すると、保護膜の形成に使用する原料は増加する。
【００５３】
一方、本ＰＤＰの保護膜２６は、従来のＰＤＰと同じ厚さの保護膜を有している。従って、本ＰＤＰ２は、サステイン放電に対して、従来のＰＤＰと同等の耐性を有している。このため、本実施例によれば、酸化マグネシウム結晶体２８の使用量を、増加させるのではなく削減することができる。
【００５４】
以上の説明から明らかなように、本ＰＤＰ２は、前面パネル４と背面パネル６を具備している（図２参照）。
【００５５】
前面パネル４は、前面基板１６を有している。
【００５６】
また、前面パネル４は、画像データを書き込むための電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８と維持電極１０からなり、且つ前面基板１６の表面に形成された複数の表示電極２２を有している。
【００５７】
また、前面パネル４は、表示電極２２を覆う誘電体層２４と、誘電体層２２を覆う保護膜２６と、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）を有している。
【００５８】
一方、背面パネル６は、背面基板１８を有している。
【００５９】
また、背面パネル６は、背面基板１８の表面に形成され、表示電極２２と直交する方向に延在し、且つ上記画像データが入力される複数のアドレス電極１４を有している。
【００６０】
そして、本ＰＤＰ２では、他の走査電極８である電極より先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方に配置された上記粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）の密度が、上記電極の上方に配置された粒子（酸化マグネシウム結晶体２８）の密度より低くなっている。
【００６１】
このため、本ＰＤＰ２の製造に使用する酸化マグネシウム結晶体の量は、従来の高精細化ＰＤＰより少ない。故に、本ＰＤＰ２によれば、高精細化ＰＤＰの製造コストを低くすることができる。
【００６２】
（２）製造方法
以下、前面パネルの製造工程について説明する。背面パネルの製造工程及び前面パネルと背面パネルの組み立て工程は、従来のＰＤＰと略同じである。
【００６３】
（ａ）電極形成工程、誘電体層形成工程、保護膜形成工程
まず、ガラスからなる前面基板１６の表面に、スパッタリングにより透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィにより帯状の透明電極を形成する。透明電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。この透明電極の上に、スパッタリングより金属導電膜を形成する。
【００６４】
次に、この金属導電膜を、フォトリソグラフィにより加工して、透明電極の上辺又は下辺に片寄った位置にバス電極を形成する。金属膜は、例えば、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層金属である。このバス電極と上記透明電極が一体となった電極が、走査電極８及び維持電極１０からなる表示電極２２となる。
【００６５】
次に、この走査電極８及び維持電極１０からなる表示電極２２の上に、誘電体層２４を形成する。誘電体層２４の材料は、低融点ガラスである。
【００６６】
次に、ＰＤＰの放電特性を改善し且つ誘電体層２４を保護するため、誘電体層２４の上に保護膜２６を形成する。保護膜２６の材料は、２次電子放出効率が高く、且つ放電によってスパッタされにくい酸化マグネシウム（ＭｇＯ）である。この保護膜２６は、真空中で蒸着法によって形成する。
【００６７】
このように、本製造方法では、まず、前面基板１６の上に、画像データを書き込むための電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８と維持電極１０からなる複数の表示電極２２と、表示電極２２を覆う誘電体層２４と、誘電体層２４を覆う保護膜２６を順次形成する。
【００６８】
（ｂ）酸化マグネシウム結晶体の撒布工程
図４は、酸化マグネシウム結晶体２８の撒布工程を説明する斜視図である。
【００６９】
酸化マグネシウム結晶体２８の撒布は、スラリー撒布装置３８を用いて行う。スラリー撒布装置３８は、スラリー４４を霧状にして噴出すスプレーガン４０と、スプレーガン３８が取り付けられたガイドレール４２を具備している。
【００７０】
一方、酸化マグネシウム結晶体２８が撒布される（製造途中の）前面パネル４８は、パネルを一方向４６に搬送するパネル搬送装置（図示せず）に載置され、スラリー撒布装置３８の下側を移動する。
【００７１】
酸化マグネシウム結晶体２８の撒布は、以下の手順で行われる。
【００７２】
まず、酸化マグネシウム結晶体を溶媒に分散させたスラリーを、リザーバに充填する。このリザーバは、スプレーガン４０に接続され、スプレーガン４０にスラリーを供給する。
【００７３】
次に、表示電極２２、誘電体層２４、及び保護膜２６が、前面基板１６上に形成された製造途中の前面パネル４を、保護膜２６を上にして上記搬送装置に載置する。次に、この搬送装置を動作させて、製造途中の前面パネル４を、ガイドレール４２の下側を通過させる。
【００７４】
この時、スプレーガン４０に上記スラリー４４を吐出させながら、スプレーガン４０を、搬送中の前面パネル４８の上を繰り返し移動せる。すると、パネル４８の全面に、酸化マグネシウム結晶体を含むスラリーが撒布される。
【００７５】
その際、本実施例では、スプレーガン４０がパネル４８の上端５０に近づくほど、スラリー４４の（単位時間当たりの）吐出量を少なくする。
【００７６】
すなわち、本実施例では、保護膜２６の上で、酸化マグネシウム単結晶２８からなる粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を溶媒に分散したスラリーを、スプレーガン４０から吐出して、保護膜２６の上に上記粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を撒布する。
【００７７】
更に、本実施例では、他の走査電極８（他の走査電極である電極）より先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の第１の上方に位置する保護膜２６の上に、上記他の走査電極８（上記電極）の第の上方に位置する保護膜２６の上より少ない粒子（酸化マグネシウム単結晶粒子）を撒布する。
【００７８】
このように、酸化マグネシウム単結晶粒子の撒布量に分布を持たせるために、本実施例では、スプレーガン４０が単位時間当たりに吐出するスラリー４４の吐出量を変化させる。具体的には、先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第１の上方）におけるスラリーの吐出量を、後に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極２２の上方（すなわち、上記第２の上方）おける上記吐出量より少なくする。
【００７９】
或いは、酸化マグネシウム単結晶粒子の撒布量に分布を持たせるために、スプレーガン４０のスラリー４４の吐出量は一定として、先に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第１の上方）におけるスプレーガン４０の移動速度を、後に電圧パルス（書き込み走査パルス）が印加される走査電極８の上方（すなわち、上記第２の上方）におけるスプレーガン４０の移動速度より速くしてもよい。
【００８０】
（３）動 作
図５は、ＰＤＰ２の駆動方法を説明する図である。横軸は、時間を表している。縦軸は、ＰＤＰ２の上端５０から数えた表示電極の順番を表している。
【００８１】
画像信号の１フィールドは、複数のサブフィールド５２に分けられる。各サブフィールド５２は、夫々、リセット期間５４、アドレス期間５６、及び維持期間５８に分けられる。
【００８２】
リセット期間５４には、走査電極８と維持電極１０の間に初期化電圧を印加してリセット放電を起して、全ての放電セルに均一に壁電荷を形成する。
【００８３】
アドレス期間５６には、アドレス電極１４に画像情報を担持した正の電圧パルス（書き込み信号パルス）を順次印加する。ここで、書き込み信号パルスに担持させる画像情報は、各放電セルを点灯させるか否かを定めた情報である。
【００８４】
同時に、走査電極８には、負の電圧パルス（書き込み走査パルス）を前面パネル４の上端５０から下端６０に向かって、順次印加して行く（図１参照）。
【００８５】
この際、アドレス電極１４には新たな画像情報が順次入力され、その度に、書き込み走査パルスが印加される走査電極８は、下側に移動する。
【００８６】
書き込み信号パルス及び書き込み走査パルスが、同時に印加された放電セルでは、アドレス放電が起き、壁電荷が形成される。その結果、各放電セルに、画像情報に応じた壁電荷が形成される。
【００８７】
全放電セルに対して書き込み走査が終了すると、維持期間５８が開始する。
【００８８】
維持期間５８中は、交互に位相が反転する周期的な維持パルスを走査電極８と維持電極１０の間に印加して、サステイン放電を起こす。この時、アドレス期間５６に壁電荷が形成された放電セルだけで、サステイン放電が起きる。
【００８９】
サステイン放電によって発生した紫外線が放電セルの背面パネル６に設けられた蛍光体層３６を励起して、可視光を生成する。その結果、各サブフィールド５２に割り当てられた画像がＰＤＰ２に表示される。その結果、各サブフィールドの元となる画像が、階調表示される。
【００９０】
ところで、ＰＤＰ２が高精細化しても、アドレス期間５６に割り当てることのできる時間は変わらない。このため、高精細化のために走査電極８の数を増やすと、各走査電極８に印加される書き込み走査パルスの幅が狭くなる。
【００９１】
従って、放電遅れ現象が顕在化して、点灯すべき放電セルで放電が起きなくなることを防止するために、酸化マグネシウム結晶体２８を保護膜の上に撒布して、放電遅れ時間を短縮する。
【００９２】
本ＰＤＰ２では、先に書き込み走査パルスが印加される放電セルほど、撒布された酸化マグネシウム結晶体２８の密度の低い。一方、酸化マグネシウム結晶体２８が放出する電子は、アドレス期間５４中に除々に減少していく。
【００９３】
従って、書き込み走査パルスが印加される時点で比較すると、酸化マグネシウム結晶体２８から単位時間当たり放出される電子の数は、全放電セルにおいて略同じになる。
【００９４】
このため、本ＰＤＰ２では、全放電セルで一様に、放電遅れが改善される。従って、撒布する酸化マグネシウム結晶体の量を削減しても、画像品質の劣化は起きない。
【実施例２】
【００９５】
図６は、本実施例のＰＤＰにおける、走査方向に沿った酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である。横軸は、前面パネルの上下方向に沿った位置である。図６の右端は、ＰＤＰ２の上端５０に相当する。一方、図６の左端は、ＰＤＰ２の下端６０に相当ずる。縦軸は、保護膜２６の上に撒布された酸化マグネシウム結晶体２８の密度である。図６の上部に示された矢印１２は、書き込み走査パルスの走査方向を表している。
【００９６】
本実施例のＰＤＰは、図１及び図２を参照して説明した実施例１のＰＤＰと略同じ構成を有している。但し、図６に示すように、前面パネル４の中央６２に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度が、前面パネル４の上端５０及び下端６０に配置された酸化マグネシウム結晶体２８の密度より低くなっている。尚、実施例１と同様に、表示電極２２に沿った酸化マグネシウム結晶体の密度は、一定である。
【００９７】
本ＰＤＰでは、アドレス電極１４が前面パネル４の中央６２で分割され、前面パネル４の中央６２から上端５０及び下端６０の両方向に向かって、書き込み走査パルスが、走査電極８に順次印加される。すなわち、本ＰＤＰは、所謂、デュアルスキャン型のＰＤＰである。
【００９８】
本ＰＤＰでも、先に書き込み走査パルスが印加される走査電極８の上方に位置する保護膜２６の上ほど、酸化マグネシウム結晶体２８の密度が低くなっている。すなわち、本ＰＤＰでも、酸化マグネシウム結晶体２８は過不足なく保護膜２６の上に配置されている。従って、本ＰＤＰの製造コストも低い。
【００９９】
ところで、保護膜２６の上に配置された酸化マグネシウム結晶体２８は、放電セルで生成された可視光を散乱する。このため、酸化マグネシウム結晶体２８を撒布すると最大で１０％程度、ＰＤＰの輝度が低下する。このような輝度の低下がＰＤＰを視る者に与える影響は、画面の中央部ほど大きい。
【０１００】
本ＰＤＰでは、酸化マグネシウム結晶体２８の配置密度が、ＰＤＰの中央６２で最も低くなっている。従って、本ＰＤＰを視る者は、従来の高精細化ＰＤＰより、表示された画像を明るく感じる。
【０１０１】
尚、走査方向を逆にして、上端５０及び下端６０から中央６２に向かって、書き込み走査パルスを、走査電極８に順次に印加してもよい。この場合には、酸化マグネシウム結晶体２８の配置密度を、前面パネル４の中央から、前面パネル４の上端５０及び下端６０に向かって、除々に低くなるようにする。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】実施例１のＰＤＰの構成を説明する平面図である。
【図２】図１に示したII−II線に沿った断面を矢印の方向から見た図である。
【図３】書き込み走査パルスの走査方向に沿った、酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である（実施例１）。
【図４】酸化マグネシウム結晶体の撒布工程を説明する斜視図である。
【図５】実施例１のＰＤＰの駆動方向を説明する図である。
【図６】走査方向に沿った、酸化マグネシウム結晶体の密度分布を説明する図である（実施例２）。
【符号の説明】
【０１０３】
２・・・実施例１のＰＤＰ ４・・・前面パネル
６・・・背面パネル ８・・・走査電極
１０・・・維持電極 １２・・・矢印（走査方向）
１４・・・アドレス電極 １６・・・前面基板
１８・・・背面基板 ２０・・・放電空間
２２・・・表示電極 ２４・・・誘電体層
２６・・・保護膜 ２８・・・酸化マグネシウム結晶体
３０・・・誘電体層 ３２・・・隔壁
３４・・・放電セル ３６・・・蛍光体層
３８・・・スラリー撒布装置 ４０・・・スプレーガン
４２・・・ガイドレール ４４・・・スラリー
４６・・・パネルの搬送方向 ４８・・・（製造途中の）前面パネル
５０・・・前面パネルの上端 ５２・・・サブフィールド
５４・・・リセット期間 ５６・・・アドレス期間
５８・・・維持期間 ６０・・・前面パネルの下端
６２・・・前面パネルの中央
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、
背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備し、
他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度が、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記前面パネルの中央における前記粒子の密度が、前記前面パネルの上端及び下端における前記粒子の密度より低いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前面基板上に、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなる複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜を順次形成する第１の工程と、
前記保護膜の上で、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子を溶媒に分散したスラリーをスプレーガンから吐出して、前記保護膜の上に前記粒子を撒布する第２の工程を具備し、
他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の第１の上方に位置する前記保護膜の上に、前記電極の第２の上方に位置する前記保護膜の上に撒布する前記粒子より少ない前記粒子を撒布することを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記スプレーガンが単位時間当たりに吐出する前記スラリーの吐出量を変化させて、
前記第１の上方における前記吐出量を、前記第２の上方における前記吐出量より少なくすることを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第１の上方における前記スプレーガンの移動速度が、前記第２の上方における前記移動速度より速いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１】
前面基板と、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなり且つ前記前面基板の表面に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜と、前記保護膜上に配置された酸化マグネシウム単結晶からなる複数の粒子とを有する前面パネルと、
背面基板と、前記背面基板の表面に形成され且つ前記画像データが入力される複数のアドレス電極とを有する背面パネルとを具備し、
他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の上方に配置された前記粒子の密度が、前記電極の上方に配置された前記粒子の密度より低いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記前面パネルの中央における前記粒子の密度が、前記前面パネルの上端及び下端における前記粒子の密度より低いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前面基板上に、画像データを書き込むための電圧パルスが印加される走査電極と維持電極からなる複数の表示電極と、前記表示電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層を覆う保護膜を順次形成する第１の工程と、
前記保護膜の上で、酸化マグネシウム単結晶からなる粒子を溶媒に分散したスラリーをスプレーガンから吐出して、前記保護膜の上に前記粒子を撒布する第２の工程を具備し、
他の前記走査電極である電極より先に前記電圧パルスが印加される前記走査電極の第１の上方に位置する前記保護膜の上に、前記電極の第２の上方に位置する前記保護膜の上に撒布する前記粒子より少ない前記粒子を撒布することを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記スプレーガンが単位時間当たりに吐出する前記スラリーの吐出量を変化させて、
前記第１の上方における前記吐出量を、前記第２の上方における前記吐出量より少なくすることを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第１の上方における前記スプレーガンの移動速度が、前記第２の上方における前記移動速度より速いことを、
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１４０８４９（Ｐ２０１０−１４０８４９Ａ）
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１８２４３（Ｐ２００８−３１８２４３）
【出願日】平成２０年１２月１５日（２００８．１２．１５）
【出願人】（５９９１３２７０８）日立プラズマディスプレイ株式会社 (328)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１５日（２００８．１２．１５）
【出願人】（５９９１３２７０８）日立プラズマディスプレイ株式会社 (328)
【Ｆターム（参考）】
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