プラズマディスプレイパネル
【課題】発光効率の改善を行うことが出来るＰＤＰを提供する。
【解決手段】ＰＤＰの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップｇ１を介してサステイン放電を行う透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、誘電体層１２が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている。
【解決手段】ＰＤＰの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップｇ１を介してサステイン放電を行う透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、誘電体層１２が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般的に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板側に、行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置されて誘電体層によって被覆され、他方のガラス基板側に、列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されており、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成されて、この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００３】
そして、一対のガラス基板の間の放電空間内に、体積比１〜１０パーセントのキセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われて、この発光セルと非発光セルとが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００５】
この後、各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内においてサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生されて、この真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【０００６】
上記のような構成のＰＤＰにおいて、行電極の寸法は、従来は以下のように設定されている。
【０００７】
すなわち、図１は、従来のＰＤＰの行電極対のうち一個の放電セルＣに対向している部分の構成を示しており、この図１において、行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、互いに行方向に平行に延びるとともに列方向において放電ギャップｇを介して対向される帯状の透明電極Ｘａ，Ｙａと、この透明電極Ｘａ，Ｙａに接続されて行方向に延びる帯状のバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００８】
図１中、Ｄは列電極である。
そして、この従来のＰＤＰの各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗは、４００〜１０００μｍの値に設定されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
この従来のＰＤＰにおいて、行電極の列方向の幅が上記のように設定されているのは、以下のような理由による。
【００１０】
すなわち、ＰＤＰにおいては、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちその主成分である波長１４７ｎｍの共鳴線によって、蛍光体層が励起されて可視光が発生されるが、この共鳴線は、放電ガス中を蛍光体層に向かって進んでゆく過程で、放電ガス中のキセノン原子と衝突し、このキセノン原子との間で吸収と放射が繰り返されることによって減衰してしまう。
【００１１】
このため、含まれているキセノンの体積比が１〜１０パーセントであるような低キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、サステイン放電時に蛍光体層に到達する共鳴線の量が少なくなり、所要の輝度を得ることが出来なくなる場合がある。
【００１２】
従来のＰＤＰでは、上記のように、各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗ（図１参照）を広く設定することによって、放電セルＣ内の広い領域でサステイン放電が発生されるようにし、このサステイン放電によって発生する真空紫外線の量（すなわち、共鳴線の量）を増加させて、蛍光体層に到達する共鳴線の量が所定値以上になるようにすることによって、所定値以上の輝度が確保されるようになっている。
【００１３】
しかしながら、上記従来のＰＤＰでは、高輝度の画面を形成するために必要な高い発光効率を得ることが出来ないという問題点を有している。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−２２７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を構成する一対の行電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１７】
第２の発明（請求項１０に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１８】
第３の発明（請求項１９に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分を含む誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
この発明によるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２０】
この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極の構成部分のうち、この行電極間の放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が、従来のＰＤＰにおける４００〜１０００μｍの幅に比べて小さい１５０μｍ以下に設定されていることにより、放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなって、この放電の成長領域が、初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【００２１】
これによって、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【００２２】
さらに、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ、この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがないことによって、行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになるので、従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００２３】
そして、この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の、好ましくは８以下の、例えば、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物等の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率をさらに改善することが出来る。
【００２４】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層を基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚となるように形成することが好ましい。
【００２５】
これによって、単位発光領域毎の誘電体層の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、単位発光領域毎の発光効率のばらつきを小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【００２６】
上記実施形態のＰＤＰは、さらに、単位発光領域内における真空紫外線の発生領域が従来のＰＤＰよりも小さいので、単位発光領域が隔壁によって区画されているような場合でも、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の分子線を利用して蛍光体層の励起が行われるので、真空紫外線の発生領域と蛍光体層との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、単位発光領域に対する行電極対の列方向の位置に高い精度が要求されなくなり、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【００２７】
行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定する構成としては、第１に、各行電極の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定される構成、第２に、行電極対を被覆する誘電体層について、各行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆している誘電体層の厚さが薄く、他の部分の誘電体層の厚さが厚くなっていて、行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分においてのみ放電の発生が許容される構成、第３に、対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成される構成等がある。
【００２８】
この第１の構成のＰＤＰは、各行電極の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【００２９】
第２の構成のＰＤＰは、従来の行電極対の構成の変更が不要であるので製造工程の大きな変更を必要とせず、さらに、誘電体層の形成位置や厚さ寸法を任意に設定することによって構成出来るので、設計および製造上の自由度が増すことによって、製造コストの低廉化と製品歩留の向上を図ることが出来るようになる。
【００３０】
第３の構成のＰＤＰは、行電極間での放電の発生領域が二次電子放出層の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【実施例１】
【００３１】
図２および３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図２はこの第１実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図３は図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【００３２】
この図２および３において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１１の背面に、行方向（図２の左右方向）に延びる複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、列方向（図２の上下方向）に所要の間隔を開けて等間隔に並設されている。
【００３３】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一方の行電極Ｘ１は、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成された透明電極Ｘ１ａと、この透明電極Ｘ１ａの背面の中央位置において、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｘ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００３４】
行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する他方の行電極Ｙ１も、行電極Ｘ１と同様に、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成されて、行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ａと所要の間隔を開けて平行に延びるように位置された透明電極Ｙ１ａと、この透明電極Ｙ１ａの背面の中央位置において、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｙ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００３５】
この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１１の列方向に沿って交互に配列されており、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において、対になっている行電極Ｘ１とＹ１の互いに対向する透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の所要の幅の間隔が、それぞれ、放電ギャップｇ１を構成している。
【００３６】
前面ガラス基板１１の背面には、さらに、誘電体層１２が形成されて、この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００３７】
この誘電体層１２は、後で詳述するような理由によって、比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ１が３５μｍ以上になるように形成されている。
【００３８】
誘電体層１２を形成する比誘電率が９．３以下の低誘電材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスや、この酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ2Ｏ5）系ガラスとの混合物等が挙げられる。
【００３９】
この誘電体層１２の背面側には、この背面全体を覆う様に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の高γ材料からなる図示しない保護層が形成されている。
【００４０】
この前面ガラス基板１１に対して、背面ガラス基板１３が、放電空間を介して平行に対向されている。
【００４１】
そして、この背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１と対向する側の面上に、列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄ１が、行方向に所要の間隔を開けて等間隔に形成されている。
【００４２】
背面ガラス基板１３のこの面上には、さらに、列電極保護層（誘電体層）１４が形成されて、この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００４３】
この列電極保護層１４上には、以下のような形状を有する隔壁１５が形成されている。
【００４４】
すなわち、この隔壁１５は、列方向において互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の中間位置に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる複数の横壁１５Ａと、列方向に延びるとともに行方向に所要の間隔を開けて等間隔に並設された複数の縦壁１５Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００４５】
この隔壁１５によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間がそれぞれ略方形形状に区画されることにより、パネル面にマトリクス状に配置された複数の放電セルＣ１が形成されている。
【００４６】
そして、この各放電セルＣ１の中央部分に、それぞれ、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が対向されている。
【００４７】
各放電セルＣ１において、この放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１４Ｂの四つの側面と列電極保護層１４の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の色が各放電セルＣ１毎に三原色の赤，緑，青に色分けされて、この三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００４８】
放電空間内には、キセノンを含む全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【００４９】
上記ＰＤＰ１０の行電極Ｘ１，Ｙ１の寸法および放電ガスの構成は、以下のように設定されている。
【００５０】
すなわち、各行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅、すなわち、透明電極Ｘ１ａの列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１ａの列方向の幅Ｗｙ１（図２参照）が、それぞれ１５０μｍ以下に設定されている。
【００５１】
そして、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【００５２】
このＰＤＰ１０は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャン・パルスが印加され、これと同時に、列電極Ｄ１に選択的にデータ・パルスが印加されて、このスキャン・パルスが印加された行電極Ｙ１とデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが、映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００５３】
この後、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内において、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００５４】
そして、発光セル内において、このサステイン放電によって、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され、この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００５５】
このＰＤＰ１０は、各行電極Ｘ１の列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１の列方向の列方向の幅Ｗｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、放電空間内の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、画像形成時における上記のようなサステイン放電時に、以下のような理由によって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００５６】
すなわち、図４は、ＰＤＰにおける行電極の列方向の幅（以下、電極幅と略称する）と発光効率との関係を示している。
【００５７】
なお、この図４は、放電セルのサイズが７００（μｍ）×３１０（μｍ）、開口部サイズが６４０（μｍ）×２５０（μｍ）の場合の測定結果を示している。
【００５８】
この図４において、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）未満の場合（図４においては、キセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）には、電極幅が小さくなるほど発光効率が低下している。
【００５９】
そして、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上になると、電極幅が小さくなるにしたがって、発光効率が上昇し、キセノン分圧が大きくなるほど（図４においては、キセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）、発光効率の上昇が顕著になる。
【００６０】
ＰＤＰにおいて要求される発光効率としては、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の値が有用な値となる。
【００６１】
したがって、この図４から、ＰＤＰ１０において、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている状態で、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下であれば、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の発光効率を得ることが出来ることが分かる。
【００６２】
このように、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の状態において、電極幅が小さくなるにしたがって発光効率が上昇するのは、以下の理由による。
【００６３】
図５は、放電の一般的な成長過程を示すグラフであり、図６は、従来の放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【００６４】
この図５および６に示されるように、前述したような画像形成時に放電セル内において発生されるサステイン放電は、タウンゼント放電−初期グロー放電−グロー放電のそれぞれの過程を経て成長してゆく。
【００６５】
ＰＤＰの画像形成時における真空紫外線の生成には、一般的に、サステイン放電の発生期間うち、初期グロー放電とグロー放電の期間が利用されている。
【００６６】
そして、この真空紫外線の生成に利用される放電期間のうち、初期グロー放電期間は、空間電荷の局在化が完成する前の過程において、陰極付近に主にイオンによって形成される陰極降下部でのエネルギの損失がないため、非常に高い効率で真空紫外線が生成される。
【００６７】
この初期グロー放電期間に続くグロー放電期間では、陰極降下部の生成によって放電空間内に非常に強い電界が形成され、この強電界によって多量の高エネルギ電子が生成されて、強電界部の出口となる負グロー部において多量の真空紫外線が生成されるが、陰極降下部にエネルギの損失が生じるため、初期グロー放電期間と比べて、真空紫外線の生成効率は高くない。
【００６８】
ＰＤＰの放電セル内において発生されるサステイン放電は、一般的に、図６に示されるように、その成長過程において、行電極対の陽極側から陰極側へと立体的に成長してゆく。
【００６９】
上記ＰＤＰ１０では、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていて、放電セルＣ１内においてサステイン放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭いために、このサステイン放電の成長領域が、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域（図６においてｅで示される領域）に制限される。
【００７０】
なお、このＰＤＰ１０において、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域において発生するサステイン放電を、以下、狭奥行き放電と呼称する。
【００７１】
この狭奥行き放電の成長領域は、前述したように非常に高い効率で真空紫外線が生成される図６の初期グロー放電の発生領域と重なる。
【００７２】
このため、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されて、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成を、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行うことが出来るようになる。
【００７３】
一方、ＰＤＰ１０において、従来と同様に、放電空間内に低キセノン分圧の放電ガスを封入して、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちの主として波長１４７ｎｍの共鳴線によって蛍光体層１６を励起しようとすると、ＰＤＰ１０において発生される狭奥行き放電であるサステイン放電が、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化するために、この真空紫外線の共鳴線の蛍光体層１６に到達するまでの間の減衰が反って大きくなってしまう。
【００７４】
一般に、放電ガス中のキセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）である場合には、放電ガスから発生される真空紫外線の主成分は、波長１４７ｎｍの共鳴線であることが知られており、この共鳴線は、キセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）の条件下において放電ガス中を１００μｍ進む間に、ほぼ半分に減衰する。
【００７５】
ＰＤＰ１０においては、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われる。
【００７６】
この真空紫外線のうちの分子線は、共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがない。
【００７７】
従って、ＰＤＰ１０においては、サステイン放電が狭奥行き放電となって、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層１６に十分に到達するので、サステイン放電が狭奥行き放電になることによって真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるという特性がそのまま生かされるようになり、これによって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００７８】
次に、上記のように狭奥行き放電を行うとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰ１０における誘電体層１２の比誘電率と、放電電流および比誘電率との関係との関係について説明を行う。
【００７９】
図７は、電極幅が５０μｍに設定され、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）に設定されているとともに狭奥行き放電を行うＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率と、放電電流（電流密度）および発光効率との関係を示した表であり、図８は、この図７の表をグラフにして示したものである。
【００８０】
そして、図９は、電極幅が２００μｍに設定され、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）に設定された従来のＰＤＰにおける放電電流（電流密度）と発光効率との関係を示したグラフである。
【００８１】
なお、図７ないし９において、測定に使用されたサステイン・パルスの周期は、何れも５μｓであり、また、図中、ｉは放電電流（電流密度）を示し、ηは発光効率を示している。
【００８２】
ＰＤＰにおけるサステイン放電時の放電電流（電流密度）と行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率との間には、この誘電体層の比誘電率が大きくなるほど、放電電流が大きくなるという関係が有り、図９に示される従来のＰＤＰにおいては、放電電流が大きくなるに従って発光効率が大きくなっている。
【００８３】
これに対し、図８の狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率が小さくなって放電電流が減少するに従って、発光効率は上昇し、放電電流が１．０Ａ／ｍ2以下になると、発光効率は、ほぼ４ｌｍ／Ｗで安定する。
【００８４】
このように放電電流が減少するに従って発光効率が上昇する現象は、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰにおいて発生し、上述したように、従来のＰＤＰにおいては発生しない。
【００８５】
ＰＤＰにおいては、通常、最大発光効率と実効発光効率がほぼ等しくなるようにするのが好ましいが、少なくとも、実効発光効率が最大発光効率の９０パーセント以上の値になるようにすることが好ましい。
【００８６】
従って、図７および８から、上記ＰＤＰ１０において、最大発光効率４ｌｍ／Ｗの９０パーセント以上の値、すなわち３．６ｌｍ／Ｗ以上の実効発光効率を得るために、放電電流（電流密度）が１．１６Ａ／ｍ2以下の値になるように設定され、このために、誘電体層１２の比誘電率が９．３以下の値になるように設定されている。
【００８７】
さらに、このＰＤＰ１０において、実効発光効率が最大発光効率４ｌｍ／Ｗとほぼ等しくなるようにするためには、放電電流（電流密度）が１Ａ／ｍ2以下の値になるようにする必要があり、このため、誘電体層１２の比誘電率が８以下の値に設定されるようにするのが好ましい。
【００８８】
このように、狭奥行き放電を発生させるとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率および放電電流（電流密度）が小さくなるにしたがって発光効率が大きくなるのは、以下のような理由による。
【００８９】
すなわち、行電極対を被覆する比誘電率が大きくなると放電電流（電流密度）が大きくなり、行電極間で発生されるサステイン放電時の電離量が多くなるため、この電離によって生成される電子が、この電子との衝突反応によって真空紫外光放射の始状態になる励起キセノン原子を励起破壊してしまう確率が高くなる。
【００９０】
特に、ＰＤＰ１０のような狭奥行き放電を発生し高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、放電電流（電流密度）が大きくなると、上記のような励起キセノン原子の励起破壊によって真空紫外光の生成効率が悪くなるため、蛍光体層に照射される真空紫外線の光量が低下することによって、発光効率が低下することになる。
【００９１】
したがって、狭奥行き放電を発生し高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、放電電流が小さくなることによって発光効率が上昇すると考えられる。
【００９２】
以上のように、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、さらに、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されており、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層１２の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下に設定されることによって、サステイン放電時の電離量が抑制され、この電離によって生成された電子が、この電子との衝突反応によって真空紫外光放射の始状態となる励起キセノン原子を励起破壊する確率が低くなり、これによって、真空紫外線生成効率が改善されて蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大することにより、発光効率が改善される。
【００９３】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、誘電体層１２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることにより、これよりも大きい比誘電率を有する誘電材料によって形成された誘電体層を有する従来のＰＤＰと比べて、行電極Ｘ１，Ｙ１間および行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量が小さくなって、無効電力の発生が低減される。
【００９４】
また、高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、駆動電圧が上昇すると放電電流が増大することになるが、上記ＰＤＰ１０においては、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている場合でも、誘電体層１２が比誘電率９．３以下の低誘電材料によって形成されていることにより、放電電流が小さくなって、発光効率が低下するのが防止される。
【００９５】
次に、ＰＤＰ１０の誘電体層１２の膜厚が３５μｍ以上に設定されている理由を、図１０および１１に基づいて説明する。
【００９６】
図１０は、規格化誘電体膜厚と規格化誘電体容量との関係を示すグラフであり、図１１は、規格化誘電体膜厚に対する規格化誘電体容量の変化率（図１０のグラフの傾き（微分値））を示すグラフである。
【００９７】
そして、図１０および１１における規格化誘電体容量Ｃｒは、
Ｃｒ＝εｒ・ε０（Ｓ ／ｄ）
εｒ：比誘電率
ε０ ：真空の誘電率
Ｓ ：電極面積
ｄ ：誘電体膜厚
の式によって求められている。
【００９８】
そして、この図１０および１１は、ＰＤＰにおいて一般的に形成される誘電体層の数十μｍの膜厚の数値範囲について、上記の式に基づいて、誘電体容量を算出して示したものである。
【００９９】
上記式から、規格化誘電体容量Ｃｒは、誘電体膜厚のみに反比例しており、図１０および１１に示されているように、誘電体膜厚が大きくなるほで小さくなっている。
【０１００】
ここで、図１０および１１から分かるように、誘電体膜厚が３５μｍよりも小さい場合には、誘電体膜厚が大きくなるのに伴う誘電体容量の減少率が大きい。
【０１０１】
これに対し、誘電体膜厚が３５μｍ以上になると、誘電体膜厚が大きくなるのに伴う誘電体容量の減少率が、誘電体膜厚が３５μｍよりも小さい場合に比べて小さくなっている。
【０１０２】
前述したように、ＰＤＰにおいては放電電流と発光効率との間に相関関係が有り、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰでは、放電電流の値が小さくなると発光効率が上昇する。
【０１０３】
このため、放電セル毎にこの放電電流にばらつきが生じると、放電セル毎に発光効率が異なってしまうという問題が発生する。
【０１０４】
この放電電流は誘電体層の誘電体容量によって変化し、この誘電体容量は、前述したように、誘電体膜厚によって変化する。
【０１０５】
ＰＤＰの製造工程において、放電セルの全てにおいて均一な膜厚の誘電体層を形成することは困難であり、誘電体層の膜厚にある程度のばらつきが発生する。
【０１０６】
このとき、前述したように、誘電体層の膜厚が３５μｍ以上の場合は、膜厚が３５μｍよりも小さい場合に比べて、膜厚の変化に対する誘電体容量の変化率が小さいため、誘電体層を膜厚が３５μｍ以上になるように形成すると、放電セル毎の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セル毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおけるよりも小さく抑えて、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが可能になる。
【０１０７】
なお、上記のような各効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ１０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層１６が各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成されて、この蛍光体層１６の表面積が増大されているので、さらに高い発光効率を得ることが出来る。
【０１０８】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになるとともに、放電ギャップｇ１に対向する部分の誘電体層１２に凹部１２Ａが形成されていることによっても、電極間に形成される静電容量が減少されて、無効電流の発生が減少することによって消費電力を低減することが出来る。
【０１０９】
なお、上記においては、ＰＤＰ１０の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、放電セルＣ１に対して、列方向において放電セルＣ１の中央位置に配置されている例が示されているが、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は、放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置されていても良い。
【０１１０】
その理由は、以下の通りである。
【０１１１】
すなわち、従来のＰＤＰにおいては、前述したようにサステイン放電が放電セルの全体に拡がる奥行きの深い放電になるため、格子形状の隔壁によって区画された放電セルに対して行電極対が列方向において放電セルの中央位置から上下どちらかにずれた位置に位置されると、放電ギャップが放電セルを区画している隔壁の上下の横壁のどちらかに偏って位置されることによって、各放電セル毎に電圧マージンや輝度，発光効率等にばらつきが生じて、発光に悪影響が生じるという問題が発生するので、放電セルに対して行電極対の高い位置精度が要求される。
【０１１２】
しかしながら、上記のＰＤＰ１０では、サステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になって、真空紫外線の発生領域が、従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になるので、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の吸収が少ない波長１７２ｎｍの分子線を利用して蛍光体層１６の励起が行われるので、サステイン放電の放電領域（真空紫外線の発生領域）と蛍光体層１６との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の位置が中央位置からずれている場合でも、発光効率および輝度の変動はほとんど生じないからである。
【０１１３】
従って、上記ＰＤＰ１０によれば、隔壁１５が略格子形状を有していて放電セルＣ１の周囲が横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂによって囲まれている場合でも、放電ギャップの位置（すなわち行電極対の位置）が、列方向において放電セルの中央位置に正確に位置決めされていなくてもよくなり、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１１４】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１１５】
さらに、上記においては、行電極が透明電極とバス電極によって構成された例を述べたが、行電極が金属製のバス電極のみで構成され、その列方向の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定する構成でもよい。
【実施例２】
【０１１６】
図１２および１３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２の実施例を示しており、図１２はこの第２実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図１３は図１２のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【０１１７】
この図１２および１３において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分には、図２および３と同一の符号が付されている。
【０１１８】
前述した第１実施例のＰＤＰの行電極対を構成する各行電極のバス電極が透明電極の背面のほぼ中央部に配置されていたのに対し、この第２実施例のＰＤＰ２０は、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を構成する行電極Ｘ２とＹ２が、それぞれ、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１の列方向の中央部分に対向する位置に位置される透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａと、放電セルＣ１の両側の横壁１５Ａに近接する位置に配置されて透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されているバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂとによって構成されている。
【０１１９】
すなわち、図１２および１３において、ＰＤＰ２０は、第１実施例の場合と同様に、放電空間が、横壁１５Ａと縦壁１５Ｂによって略格子形状に成形された隔壁１５によって略方形に区画されることにより、放電セルＣ１が形成されている。
【０１２０】
行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を構成する行電極Ｘ２，Ｙ２は、それぞれ、帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、放電セルＣ１の列方向の中央部分に対向する位置において互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びている。
【０１２１】
この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａは、その列方向の幅（Ｗｘ２，Ｗｙ２）がそれぞれ１５０μｍ以下となるように設定されている。
【０１２２】
バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂは、それぞれ、隔壁１５の横壁１５Ａの内縁部に沿って行方向に帯状に延びるバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と、このバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの間において隔壁１５の縦壁１５Ｂに対向する位置を列方向に延びて、バス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａとをそれぞれ接続するバス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２とによって構成されている。
【０１２３】
そして、この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層２２が、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ２が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１２４】
他の部分の構成は第１実施例に場合と同様であり、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上（５０Ｔｏｒｒ）以上の値に設定されている。
【０１２５】
第１実施例の場合には、金属膜によって形成されるバス電極が放電セルの中央部分に対向する位置に配置されているため、この光透過性を有しないバス電極によって放電セルの開口部がそれぞれ列方向に二分されることになるのに対し、このＰＤＰ２０の場合には、金属膜によって形成されるバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂのバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が隔壁１５の横壁１５Ａに近接した位置に配置されていることによって、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂによって放電セルＣ１の開口部が第１実施例の場合のように二分されるようなことはない。
【０１２６】
本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
さらに、このＰＤＰ２０は、バス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２が、隔壁１５の縦壁１５Ｂに対向する位置に配置されていることによって、このバス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２の形成によって放電セルＣ１の開口部の一部が遮蔽されることもない。
【０１２７】
なお、上記においては、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂのバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が放電セルＣ１に対向する部分において隔壁１５の横壁１５Ａに近接する位置に配置されている例が示されているが、このバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１を隔壁１５の横壁１５Ａに対向する位置に配置するようにしても良く、この場合には、バス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が放電セルＣ１の開口部を遮蔽することがなくなるので、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの全体が蛍光体層からの発光の邪魔になる虞が無くなる。
【０１２８】
上記ＰＤＰ２０は、行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａの列方向の幅（電極幅）Ｗｘ２および透明電極Ｙ２ａの列方向の幅（電極幅）Ｗｙ２がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されることによって、第１実施例に場合と同様に、この透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電となって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１２９】
そして、上記ＰＤＰ２０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層２２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この誘電体層２２の膜厚が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の誘電体層２２の膜厚ｄ２のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきが従来のＰＤＰよりも小さくなって、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１３０】
なお、上記のような効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ２０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層を各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成して蛍光体層の表面積を増大させることが出来るので、さらに高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１３１】
さらに、上記ＰＤＰ２０は、行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａのそれぞれの列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【０１３２】
さらに、上記ＰＤＰ２０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１３３】
なお、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【実施例３】
【０１３４】
図１４および１５は、この発明の実施形態における第３の実施例を示しており、図１４はこの第３実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１５は図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【０１３５】
この図１４および１５において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図２および３と同一の符号が付されている。
【０１３６】
前述した第１実施例のＰＤＰが各行電極の透明電極の列方向の幅を変更してサステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第３実施例のＰＤＰ３０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ３，Ｙ３）が形成され、この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２の放電空間に面する背面側の所要の位置にさらに第２誘電体層３３が積層して形成されて、行電極Ｘ３，Ｙ３のそれぞれ実質的に放電を発生させる部分の列方向の幅が狭められることにより、サステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されている。
【０１３７】
すなわち、ＰＤＰ３０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ３）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａに接続されている。
【０１３８】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された第１誘電体層３２によって被覆されている。
【０１３９】
この第１誘電体層３２は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ３が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１４０】
この第１誘電体層３２の背面の下記に述べるような所要の位置に、第２誘電体層３３が積層して形成されている。
【０１４１】
そして、これらの第１誘電体層３２と第２誘電体層３３の背面の全体を覆う様に図示しない二次電子放出層が形成されている。
【０１４２】
第２誘電体層３３は、第１誘電体層３２の背面の放電ギャップｇ３と、この放電ギャップｇ３を挟んで対向している行電極Ｘ３，Ｙ３の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａのそれぞれ先端から列方向において１５０μｍ以下の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分とに対向する行方向に延びる帯状の部分以外の部分を被覆する位置に形成されている。
【０１４３】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２は、その前面ガラス基板１１と直角方向の膜厚ｄ３が３５μｍ以上になるように形成されており、第２誘電体層３３は第１誘電体層３２以上の膜厚を有していて、第１誘電体層３２と第２誘電体層３３が積層されている部分の膜厚が、第１誘電体層３２の膜厚の２倍以上の放電による壁電荷がほとんど形成されることがない膜厚となるように設定されている。
【０１４４】
放電空間内には、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【０１４５】
上記ＰＤＰ３０は、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の各行電極Ｘ３，Ｙ３が、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、この行電極Ｘ３，Ｙ３の放電ギャップｇ３を介して互いに対向する透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分以外の部分が、積層された第１誘電体層３２と第２誘電体層３３の二層の誘電体層によって被覆されて、その部分の誘電体層の膜厚が先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を被覆している誘電体層の膜厚よりも厚くなっているので、壁電荷は、第１誘電体層３２に第２誘電体層３３が積層されて膜厚が厚くなっている部分にはほとんど形成されず、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を被覆している第１誘電体層３２の表面に形成される。
【０１４６】
このため、ＰＤＰ３０では、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）にサステイン・パルスが印加されて透明電極Ｘ３ａとＹ３ａ間で放電ギャップｇ３を介してサステイン放電が発生される際に、このサステイン放電は、ほとんど透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分のみで行われるようになって、第１実施例で説明したような狭奥行き放電が形成される。
【０１４７】
以上のようにして、上記ＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰに比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１４８】
そして、上記ＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この第１誘電体層３２の膜厚ｄ３が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の第１誘電体層３２の膜厚ｄ３のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおけるよりも小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１４９】
さらに、このＰＤＰ３０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１５０】
さらに、上記ＰＤＰ３０は、上記のような第１実施例の場合と同様の効果に加えて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電ギャップｇ３から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１５１】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
そして、このＰＤＰ３０の構成によれば、バス電極の蛍光体層からの発光に対する影響を小さくするための構造が、前述した第２実施例のＰＤＰの場合と比べて簡素化することが出来る。
【０１５２】
また、例えば、図１４および１５には、バス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電セルＣ１の開口面に対向する位置に配置されている例が示されているが、図１６に示されるように行電極対（Ｘ４，Ｙ４）を構成する各行電極Ｘ４，Ｙ４のバス電極Ｘ４ｂ，Ｙ４ｂが放電セルＣ１の開口面から外れた位置に配置されるようにすれば、バス電極Ｘ４ｂ，Ｙ４ｂの蛍光体層からの発光に対する影響が無くなって、発光の取出し効率を大幅に向上させることが出来るようになる。
【０１５３】
上記ＰＤＰ３０は、さらに、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の構成が従来と同様であるので、製造工程の大きな変更を必要とせず、また、第２誘電体層３３の形成位置を任意に設定することが出来るので、設計および製造上の自由度が増し、これによって、製造コストの低廉化と製品歩留への貢献を図ることが出来るようになる。
【０１５４】
なお、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１５５】
また、上記においては、第２誘電体層がそれぞれ行方向に延びる帯状に形成されている例が示されているが、第１誘電体層上に積層される第２誘電体層は、図１７に示される第２誘電体層３４のように、放電セルＣ１の開口面に対向する部分に方形の開口部３４ａが形成された略格子形状に成形されており、この開口部３４ａによって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分および放電ギャップｇ３に対向する部分以外の部分を被覆している誘電体層の膜厚を壁電荷が形成されない厚さに設定するようにしても良い。
【実施例４】
【０１５６】
図１８および１９は、この発明の実施形態における第４の実施例を示しており、図１８はこの第４実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１９は図１８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【０１５７】
この図１８および１９において、前述した第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１４および１５と同一の符号が付されている。
【０１５８】
前述した第３実施例のＰＤＰが行電極対を被覆する第１誘電体層上に形成された第２誘電体層によってサステイン放電の放電範囲が制限されることにより狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第４実施例のＰＤＰ４０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ３，Ｙ３）が形成され、この誘電体層４２の放電空間に面する背面側の所要の位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって二次電子放出層４３が行方向に帯状に延びるように形成されて、この二次電子放出層４３によって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を形成するようになっている。
【０１５９】
すなわち、ＰＤＰ４０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ４）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａに接続されている。
【０１６０】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された誘電体層４２によって被覆されている。
【０１６１】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する誘電体層４２は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ４が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１６２】
そして、この誘電体層４２の背面上の、放電ギャップｇ４およびこの放電ギャップｇ４を挟んで両側に位置する透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の列方向における幅Ｗｘ４およびＷｙ４の部分を含む部分に対向する位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されている。
【０１６３】
この二次電子放出層４３の形成方法としては、例えば、二次電子放出膜４３の形成位置に対応する開口部を有するマスクを誘電体層４２と高γ材料の材料蒸発源との間に介在させて、材料蒸発源から発生される高γ材料の蒸気を、誘電体層４２のマスクの開口部に対向する部分に付着させて成膜を行う方法等がある。
【０１６４】
この二次電子放出層４３の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａと対向している部分のそれぞれの列方向の幅Ｗｘ４およびＷｙ４は、１５０μｍ以下に設定されている。
【０１６５】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【０１６６】
上記ＰＤＰ４０は、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の各行電極Ｘ３，Ｙ３が、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、高γ材料によって形成された二次電子放出層４３が、誘電体層４２上の放電ギャップｇ４とこの放電ギャップｇ４の両側の透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の幅Ｗｘ４およびＷｙ４の部分に対向する位置のみに配置されていることによって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａ間において発生されるサステイン放電のほとんどがこの二次電子放出層４３が形成されている領域の範囲内で発生されることになり、これによって、このサステイン放電が、第１実施例で説明したような狭奥行き放電を形成するようになる。
【０１６７】
以上のようにして、上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰに比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１６８】
そして、上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する誘電体層４２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この誘電体層２２の膜厚ｄ４が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の誘電体層４２の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおける場合よりも小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１６９】
さらに、このＰＤＰ４０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１７０】
さらに、ＰＤＰ４０は、上記のような第１実施例の場合と同様の効果に加えて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電ギャップｇ４から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１７１】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
そして、このＰＤＰ４０の構成によれば、バス電極の蛍光体層からの発光に対する影響を小さくするための構造が、前述した第２実施例のＰＤＰの場合と比べて簡素化することが出来る。
【０１７２】
また、このＰＤＰ４０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層４３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０１７３】
なお、上記においては、二次電子放出層４３が行方向に帯状に延びる形状に成形されている例が示されているが、この二次電子放出層は、各放電セルＣ１毎に独立したいわゆる島形状に成形するようにしても良い。
【０１７４】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１７５】
上記各実施例のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入されており、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されているＰＤＰをその上位概念の実施形態としている。
【０１７６】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極の構成部分のうち、この行電極間の放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が、従来のＰＤＰにおける４００〜１０００μｍの幅に比べて小さい１５０μｍ以下に設定されていることにより、放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなって、この放電の成長領域が、初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【０１７７】
これによって、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【０１７８】
さらに、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ、この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがないことによって、行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになるので、従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１７９】
そして、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の、好ましくは８以下の、例えば、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物等の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率を改善することが出来る。
【０１８０】
この実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層を基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚となるように形成することが好ましく、これによって、単位発光領域毎の誘電体層の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、単位発光領域毎の発光効率のばらつきを小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図４】ＰＤＰにおける電極の幅と発光効率との関係を示すグラブである。
【図５】ＰＤＰにおける放電の一般的成長過程を示すグラブである。
【図６】ＰＤＰの放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【図７】狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰにおける放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示す表図である。
【図８】図７における放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示すグラフである。
【図９】従来のＰＤＰにおける放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示すグラフである。
【図１０】ＰＤＰにおける誘電体膜厚と誘電体容量との関係を示すグラフである。
【図１１】ＰＤＰにおける誘電体膜厚と誘電体容量の変化率との関係を示すグラフである。
【図１２】この発明の実施形態の第２実施例を示す正面図である。
【図１３】図１２のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図１４】この発明の実施形態の第３実施例を示す正面図である。
【図１５】図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１６】同実施例の変形例を示す正面図である。
【図１７】同実施例の他の変形例を示す正面図である。
【図１８】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１９】図１８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【符号の説明】
【０１８２】
１１ …前面ガラス基板（一方の基板）
１２，２２，４２ …誘電体層
１３ …背面ガラス基板（他方の基板）
１５ …隔壁
１５Ａ …横壁（横壁部）
１５Ｂ …縦壁（縦壁部）
１６ …蛍光体層
３２ …第１誘電体層（誘電体層）
３３，３４ …第２誘電体層（誘電体層）
３４ａ …開口部
４３ …二次電子放出層
Ｃ１ …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１ …列電極
Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２，Ｘ３，Ｙ３，Ｘ４，Ｙ４
…行電極
Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘａ３，Ｙａ３，Ｘａ４，Ｙａ４
…透明電極
Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘｂ２，Ｙｂ２，Ｘｂ３，Ｙｂ３，Ｘｂ４，Ｙｂ４
…バス電極
Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１ …バス電極本体部
Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２ …バス電極接続部
Ｗｘ１，Ｗｙ１，Ｗｘ２，Ｗｙ２，Ｗｘ３，Ｗｙ３，Ｗｘ４，Ｗｙ４
…列方向の幅
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ３ …膜厚
ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４ …放電ギャップ
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般的に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板側に、行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置されて誘電体層によって被覆され、他方のガラス基板側に、列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されており、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成されて、この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００３】
そして、一対のガラス基板の間の放電空間内に、体積比１〜１０パーセントのキセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われて、この発光セルと非発光セルとが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００５】
この後、各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内においてサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生されて、この真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【０００６】
上記のような構成のＰＤＰにおいて、行電極の寸法は、従来は以下のように設定されている。
【０００７】
すなわち、図１は、従来のＰＤＰの行電極対のうち一個の放電セルＣに対向している部分の構成を示しており、この図１において、行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、互いに行方向に平行に延びるとともに列方向において放電ギャップｇを介して対向される帯状の透明電極Ｘａ，Ｙａと、この透明電極Ｘａ，Ｙａに接続されて行方向に延びる帯状のバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００８】
図１中、Ｄは列電極である。
そして、この従来のＰＤＰの各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗは、４００〜１０００μｍの値に設定されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
この従来のＰＤＰにおいて、行電極の列方向の幅が上記のように設定されているのは、以下のような理由による。
【００１０】
すなわち、ＰＤＰにおいては、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちその主成分である波長１４７ｎｍの共鳴線によって、蛍光体層が励起されて可視光が発生されるが、この共鳴線は、放電ガス中を蛍光体層に向かって進んでゆく過程で、放電ガス中のキセノン原子と衝突し、このキセノン原子との間で吸収と放射が繰り返されることによって減衰してしまう。
【００１１】
このため、含まれているキセノンの体積比が１〜１０パーセントであるような低キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、サステイン放電時に蛍光体層に到達する共鳴線の量が少なくなり、所要の輝度を得ることが出来なくなる場合がある。
【００１２】
従来のＰＤＰでは、上記のように、各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗ（図１参照）を広く設定することによって、放電セルＣ内の広い領域でサステイン放電が発生されるようにし、このサステイン放電によって発生する真空紫外線の量（すなわち、共鳴線の量）を増加させて、蛍光体層に到達する共鳴線の量が所定値以上になるようにすることによって、所定値以上の輝度が確保されるようになっている。
【００１３】
しかしながら、上記従来のＰＤＰでは、高輝度の画面を形成するために必要な高い発光効率を得ることが出来ないという問題点を有している。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−２２７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を構成する一対の行電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１７】
第２の発明（請求項１０に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１８】
第３の発明（請求項１９に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分を含む誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
この発明によるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２０】
この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極の構成部分のうち、この行電極間の放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が、従来のＰＤＰにおける４００〜１０００μｍの幅に比べて小さい１５０μｍ以下に設定されていることにより、放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなって、この放電の成長領域が、初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【００２１】
これによって、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【００２２】
さらに、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ、この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがないことによって、行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになるので、従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００２３】
そして、この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の、好ましくは８以下の、例えば、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物等の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率をさらに改善することが出来る。
【００２４】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層を基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚となるように形成することが好ましい。
【００２５】
これによって、単位発光領域毎の誘電体層の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、単位発光領域毎の発光効率のばらつきを小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【００２６】
上記実施形態のＰＤＰは、さらに、単位発光領域内における真空紫外線の発生領域が従来のＰＤＰよりも小さいので、単位発光領域が隔壁によって区画されているような場合でも、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の分子線を利用して蛍光体層の励起が行われるので、真空紫外線の発生領域と蛍光体層との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、単位発光領域に対する行電極対の列方向の位置に高い精度が要求されなくなり、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【００２７】
行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定する構成としては、第１に、各行電極の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定される構成、第２に、行電極対を被覆する誘電体層について、各行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆している誘電体層の厚さが薄く、他の部分の誘電体層の厚さが厚くなっていて、行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分においてのみ放電の発生が許容される構成、第３に、対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成される構成等がある。
【００２８】
この第１の構成のＰＤＰは、各行電極の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【００２９】
第２の構成のＰＤＰは、従来の行電極対の構成の変更が不要であるので製造工程の大きな変更を必要とせず、さらに、誘電体層の形成位置や厚さ寸法を任意に設定することによって構成出来るので、設計および製造上の自由度が増すことによって、製造コストの低廉化と製品歩留の向上を図ることが出来るようになる。
【００３０】
第３の構成のＰＤＰは、行電極間での放電の発生領域が二次電子放出層の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【実施例１】
【００３１】
図２および３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図２はこの第１実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図３は図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【００３２】
この図２および３において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１１の背面に、行方向（図２の左右方向）に延びる複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、列方向（図２の上下方向）に所要の間隔を開けて等間隔に並設されている。
【００３３】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一方の行電極Ｘ１は、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成された透明電極Ｘ１ａと、この透明電極Ｘ１ａの背面の中央位置において、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｘ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００３４】
行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する他方の行電極Ｙ１も、行電極Ｘ１と同様に、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成されて、行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ａと所要の間隔を開けて平行に延びるように位置された透明電極Ｙ１ａと、この透明電極Ｙ１ａの背面の中央位置において、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｙ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００３５】
この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１１の列方向に沿って交互に配列されており、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において、対になっている行電極Ｘ１とＹ１の互いに対向する透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の所要の幅の間隔が、それぞれ、放電ギャップｇ１を構成している。
【００３６】
前面ガラス基板１１の背面には、さらに、誘電体層１２が形成されて、この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００３７】
この誘電体層１２は、後で詳述するような理由によって、比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ１が３５μｍ以上になるように形成されている。
【００３８】
誘電体層１２を形成する比誘電率が９．３以下の低誘電材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスや、この酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ2Ｏ5）系ガラスとの混合物等が挙げられる。
【００３９】
この誘電体層１２の背面側には、この背面全体を覆う様に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の高γ材料からなる図示しない保護層が形成されている。
【００４０】
この前面ガラス基板１１に対して、背面ガラス基板１３が、放電空間を介して平行に対向されている。
【００４１】
そして、この背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１と対向する側の面上に、列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄ１が、行方向に所要の間隔を開けて等間隔に形成されている。
【００４２】
背面ガラス基板１３のこの面上には、さらに、列電極保護層（誘電体層）１４が形成されて、この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００４３】
この列電極保護層１４上には、以下のような形状を有する隔壁１５が形成されている。
【００４４】
すなわち、この隔壁１５は、列方向において互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の中間位置に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる複数の横壁１５Ａと、列方向に延びるとともに行方向に所要の間隔を開けて等間隔に並設された複数の縦壁１５Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００４５】
この隔壁１５によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間がそれぞれ略方形形状に区画されることにより、パネル面にマトリクス状に配置された複数の放電セルＣ１が形成されている。
【００４６】
そして、この各放電セルＣ１の中央部分に、それぞれ、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が対向されている。
【００４７】
各放電セルＣ１において、この放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１４Ｂの四つの側面と列電極保護層１４の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の色が各放電セルＣ１毎に三原色の赤，緑，青に色分けされて、この三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００４８】
放電空間内には、キセノンを含む全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【００４９】
上記ＰＤＰ１０の行電極Ｘ１，Ｙ１の寸法および放電ガスの構成は、以下のように設定されている。
【００５０】
すなわち、各行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅、すなわち、透明電極Ｘ１ａの列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１ａの列方向の幅Ｗｙ１（図２参照）が、それぞれ１５０μｍ以下に設定されている。
【００５１】
そして、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【００５２】
このＰＤＰ１０は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャン・パルスが印加され、これと同時に、列電極Ｄ１に選択的にデータ・パルスが印加されて、このスキャン・パルスが印加された行電極Ｙ１とデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが、映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００５３】
この後、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内において、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００５４】
そして、発光セル内において、このサステイン放電によって、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され、この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００５５】
このＰＤＰ１０は、各行電極Ｘ１の列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１の列方向の列方向の幅Ｗｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、放電空間内の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、画像形成時における上記のようなサステイン放電時に、以下のような理由によって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００５６】
すなわち、図４は、ＰＤＰにおける行電極の列方向の幅（以下、電極幅と略称する）と発光効率との関係を示している。
【００５７】
なお、この図４は、放電セルのサイズが７００（μｍ）×３１０（μｍ）、開口部サイズが６４０（μｍ）×２５０（μｍ）の場合の測定結果を示している。
【００５８】
この図４において、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）未満の場合（図４においては、キセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）には、電極幅が小さくなるほど発光効率が低下している。
【００５９】
そして、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上になると、電極幅が小さくなるにしたがって、発光効率が上昇し、キセノン分圧が大きくなるほど（図４においては、キセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）、発光効率の上昇が顕著になる。
【００６０】
ＰＤＰにおいて要求される発光効率としては、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の値が有用な値となる。
【００６１】
したがって、この図４から、ＰＤＰ１０において、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている状態で、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下であれば、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の発光効率を得ることが出来ることが分かる。
【００６２】
このように、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の状態において、電極幅が小さくなるにしたがって発光効率が上昇するのは、以下の理由による。
【００６３】
図５は、放電の一般的な成長過程を示すグラフであり、図６は、従来の放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【００６４】
この図５および６に示されるように、前述したような画像形成時に放電セル内において発生されるサステイン放電は、タウンゼント放電−初期グロー放電−グロー放電のそれぞれの過程を経て成長してゆく。
【００６５】
ＰＤＰの画像形成時における真空紫外線の生成には、一般的に、サステイン放電の発生期間うち、初期グロー放電とグロー放電の期間が利用されている。
【００６６】
そして、この真空紫外線の生成に利用される放電期間のうち、初期グロー放電期間は、空間電荷の局在化が完成する前の過程において、陰極付近に主にイオンによって形成される陰極降下部でのエネルギの損失がないため、非常に高い効率で真空紫外線が生成される。
【００６７】
この初期グロー放電期間に続くグロー放電期間では、陰極降下部の生成によって放電空間内に非常に強い電界が形成され、この強電界によって多量の高エネルギ電子が生成されて、強電界部の出口となる負グロー部において多量の真空紫外線が生成されるが、陰極降下部にエネルギの損失が生じるため、初期グロー放電期間と比べて、真空紫外線の生成効率は高くない。
【００６８】
ＰＤＰの放電セル内において発生されるサステイン放電は、一般的に、図６に示されるように、その成長過程において、行電極対の陽極側から陰極側へと立体的に成長してゆく。
【００６９】
上記ＰＤＰ１０では、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていて、放電セルＣ１内においてサステイン放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭いために、このサステイン放電の成長領域が、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域（図６においてｅで示される領域）に制限される。
【００７０】
なお、このＰＤＰ１０において、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域において発生するサステイン放電を、以下、狭奥行き放電と呼称する。
【００７１】
この狭奥行き放電の成長領域は、前述したように非常に高い効率で真空紫外線が生成される図６の初期グロー放電の発生領域と重なる。
【００７２】
このため、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されて、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成を、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行うことが出来るようになる。
【００７３】
一方、ＰＤＰ１０において、従来と同様に、放電空間内に低キセノン分圧の放電ガスを封入して、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちの主として波長１４７ｎｍの共鳴線によって蛍光体層１６を励起しようとすると、ＰＤＰ１０において発生される狭奥行き放電であるサステイン放電が、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化するために、この真空紫外線の共鳴線の蛍光体層１６に到達するまでの間の減衰が反って大きくなってしまう。
【００７４】
一般に、放電ガス中のキセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）である場合には、放電ガスから発生される真空紫外線の主成分は、波長１４７ｎｍの共鳴線であることが知られており、この共鳴線は、キセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）の条件下において放電ガス中を１００μｍ進む間に、ほぼ半分に減衰する。
【００７５】
ＰＤＰ１０においては、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われる。
【００７６】
この真空紫外線のうちの分子線は、共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがない。
【００７７】
従って、ＰＤＰ１０においては、サステイン放電が狭奥行き放電となって、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層１６に十分に到達するので、サステイン放電が狭奥行き放電になることによって真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるという特性がそのまま生かされるようになり、これによって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００７８】
次に、上記のように狭奥行き放電を行うとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰ１０における誘電体層１２の比誘電率と、放電電流および比誘電率との関係との関係について説明を行う。
【００７９】
図７は、電極幅が５０μｍに設定され、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）に設定されているとともに狭奥行き放電を行うＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率と、放電電流（電流密度）および発光効率との関係を示した表であり、図８は、この図７の表をグラフにして示したものである。
【００８０】
そして、図９は、電極幅が２００μｍに設定され、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）に設定された従来のＰＤＰにおける放電電流（電流密度）と発光効率との関係を示したグラフである。
【００８１】
なお、図７ないし９において、測定に使用されたサステイン・パルスの周期は、何れも５μｓであり、また、図中、ｉは放電電流（電流密度）を示し、ηは発光効率を示している。
【００８２】
ＰＤＰにおけるサステイン放電時の放電電流（電流密度）と行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率との間には、この誘電体層の比誘電率が大きくなるほど、放電電流が大きくなるという関係が有り、図９に示される従来のＰＤＰにおいては、放電電流が大きくなるに従って発光効率が大きくなっている。
【００８３】
これに対し、図８の狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率が小さくなって放電電流が減少するに従って、発光効率は上昇し、放電電流が１．０Ａ／ｍ2以下になると、発光効率は、ほぼ４ｌｍ／Ｗで安定する。
【００８４】
このように放電電流が減少するに従って発光効率が上昇する現象は、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰにおいて発生し、上述したように、従来のＰＤＰにおいては発生しない。
【００８５】
ＰＤＰにおいては、通常、最大発光効率と実効発光効率がほぼ等しくなるようにするのが好ましいが、少なくとも、実効発光効率が最大発光効率の９０パーセント以上の値になるようにすることが好ましい。
【００８６】
従って、図７および８から、上記ＰＤＰ１０において、最大発光効率４ｌｍ／Ｗの９０パーセント以上の値、すなわち３．６ｌｍ／Ｗ以上の実効発光効率を得るために、放電電流（電流密度）が１．１６Ａ／ｍ2以下の値になるように設定され、このために、誘電体層１２の比誘電率が９．３以下の値になるように設定されている。
【００８７】
さらに、このＰＤＰ１０において、実効発光効率が最大発光効率４ｌｍ／Ｗとほぼ等しくなるようにするためには、放電電流（電流密度）が１Ａ／ｍ2以下の値になるようにする必要があり、このため、誘電体層１２の比誘電率が８以下の値に設定されるようにするのが好ましい。
【００８８】
このように、狭奥行き放電を発生させるとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、行電極対を被覆する誘電体層の比誘電率および放電電流（電流密度）が小さくなるにしたがって発光効率が大きくなるのは、以下のような理由による。
【００８９】
すなわち、行電極対を被覆する比誘電率が大きくなると放電電流（電流密度）が大きくなり、行電極間で発生されるサステイン放電時の電離量が多くなるため、この電離によって生成される電子が、この電子との衝突反応によって真空紫外光放射の始状態になる励起キセノン原子を励起破壊してしまう確率が高くなる。
【００９０】
特に、ＰＤＰ１０のような狭奥行き放電を発生し高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、放電電流（電流密度）が大きくなると、上記のような励起キセノン原子の励起破壊によって真空紫外光の生成効率が悪くなるため、蛍光体層に照射される真空紫外線の光量が低下することによって、発光効率が低下することになる。
【００９１】
したがって、狭奥行き放電を発生し高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、放電電流が小さくなることによって発光効率が上昇すると考えられる。
【００９２】
以上のように、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、さらに、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されており、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を被覆する誘電体層１２の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下に設定されることによって、サステイン放電時の電離量が抑制され、この電離によって生成された電子が、この電子との衝突反応によって真空紫外光放射の始状態となる励起キセノン原子を励起破壊する確率が低くなり、これによって、真空紫外線生成効率が改善されて蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大することにより、発光効率が改善される。
【００９３】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、誘電体層１２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることにより、これよりも大きい比誘電率を有する誘電材料によって形成された誘電体層を有する従来のＰＤＰと比べて、行電極Ｘ１，Ｙ１間および行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量が小さくなって、無効電力の発生が低減される。
【００９４】
また、高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、駆動電圧が上昇すると放電電流が増大することになるが、上記ＰＤＰ１０においては、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている場合でも、誘電体層１２が比誘電率９．３以下の低誘電材料によって形成されていることにより、放電電流が小さくなって、発光効率が低下するのが防止される。
【００９５】
次に、ＰＤＰ１０の誘電体層１２の膜厚が３５μｍ以上に設定されている理由を、図１０および１１に基づいて説明する。
【００９６】
図１０は、規格化誘電体膜厚と規格化誘電体容量との関係を示すグラフであり、図１１は、規格化誘電体膜厚に対する規格化誘電体容量の変化率（図１０のグラフの傾き（微分値））を示すグラフである。
【００９７】
そして、図１０および１１における規格化誘電体容量Ｃｒは、
Ｃｒ＝εｒ・ε０（Ｓ ／ｄ）
εｒ：比誘電率
ε０ ：真空の誘電率
Ｓ ：電極面積
ｄ ：誘電体膜厚
の式によって求められている。
【００９８】
そして、この図１０および１１は、ＰＤＰにおいて一般的に形成される誘電体層の数十μｍの膜厚の数値範囲について、上記の式に基づいて、誘電体容量を算出して示したものである。
【００９９】
上記式から、規格化誘電体容量Ｃｒは、誘電体膜厚のみに反比例しており、図１０および１１に示されているように、誘電体膜厚が大きくなるほで小さくなっている。
【０１００】
ここで、図１０および１１から分かるように、誘電体膜厚が３５μｍよりも小さい場合には、誘電体膜厚が大きくなるのに伴う誘電体容量の減少率が大きい。
【０１０１】
これに対し、誘電体膜厚が３５μｍ以上になると、誘電体膜厚が大きくなるのに伴う誘電体容量の減少率が、誘電体膜厚が３５μｍよりも小さい場合に比べて小さくなっている。
【０１０２】
前述したように、ＰＤＰにおいては放電電流と発光効率との間に相関関係が有り、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰでは、放電電流の値が小さくなると発光効率が上昇する。
【０１０３】
このため、放電セル毎にこの放電電流にばらつきが生じると、放電セル毎に発光効率が異なってしまうという問題が発生する。
【０１０４】
この放電電流は誘電体層の誘電体容量によって変化し、この誘電体容量は、前述したように、誘電体膜厚によって変化する。
【０１０５】
ＰＤＰの製造工程において、放電セルの全てにおいて均一な膜厚の誘電体層を形成することは困難であり、誘電体層の膜厚にある程度のばらつきが発生する。
【０１０６】
このとき、前述したように、誘電体層の膜厚が３５μｍ以上の場合は、膜厚が３５μｍよりも小さい場合に比べて、膜厚の変化に対する誘電体容量の変化率が小さいため、誘電体層を膜厚が３５μｍ以上になるように形成すると、放電セル毎の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セル毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおけるよりも小さく抑えて、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが可能になる。
【０１０７】
なお、上記のような各効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ１０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層１６が各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成されて、この蛍光体層１６の表面積が増大されているので、さらに高い発光効率を得ることが出来る。
【０１０８】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになるとともに、放電ギャップｇ１に対向する部分の誘電体層１２に凹部１２Ａが形成されていることによっても、電極間に形成される静電容量が減少されて、無効電流の発生が減少することによって消費電力を低減することが出来る。
【０１０９】
なお、上記においては、ＰＤＰ１０の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、放電セルＣ１に対して、列方向において放電セルＣ１の中央位置に配置されている例が示されているが、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は、放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置されていても良い。
【０１１０】
その理由は、以下の通りである。
【０１１１】
すなわち、従来のＰＤＰにおいては、前述したようにサステイン放電が放電セルの全体に拡がる奥行きの深い放電になるため、格子形状の隔壁によって区画された放電セルに対して行電極対が列方向において放電セルの中央位置から上下どちらかにずれた位置に位置されると、放電ギャップが放電セルを区画している隔壁の上下の横壁のどちらかに偏って位置されることによって、各放電セル毎に電圧マージンや輝度，発光効率等にばらつきが生じて、発光に悪影響が生じるという問題が発生するので、放電セルに対して行電極対の高い位置精度が要求される。
【０１１２】
しかしながら、上記のＰＤＰ１０では、サステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になって、真空紫外線の発生領域が、従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になるので、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の吸収が少ない波長１７２ｎｍの分子線を利用して蛍光体層１６の励起が行われるので、サステイン放電の放電領域（真空紫外線の発生領域）と蛍光体層１６との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の位置が中央位置からずれている場合でも、発光効率および輝度の変動はほとんど生じないからである。
【０１１３】
従って、上記ＰＤＰ１０によれば、隔壁１５が略格子形状を有していて放電セルＣ１の周囲が横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂによって囲まれている場合でも、放電ギャップの位置（すなわち行電極対の位置）が、列方向において放電セルの中央位置に正確に位置決めされていなくてもよくなり、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１１４】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１１５】
さらに、上記においては、行電極が透明電極とバス電極によって構成された例を述べたが、行電極が金属製のバス電極のみで構成され、その列方向の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定する構成でもよい。
【実施例２】
【０１１６】
図１２および１３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２の実施例を示しており、図１２はこの第２実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図１３は図１２のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【０１１７】
この図１２および１３において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分には、図２および３と同一の符号が付されている。
【０１１８】
前述した第１実施例のＰＤＰの行電極対を構成する各行電極のバス電極が透明電極の背面のほぼ中央部に配置されていたのに対し、この第２実施例のＰＤＰ２０は、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を構成する行電極Ｘ２とＹ２が、それぞれ、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１の列方向の中央部分に対向する位置に位置される透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａと、放電セルＣ１の両側の横壁１５Ａに近接する位置に配置されて透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されているバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂとによって構成されている。
【０１１９】
すなわち、図１２および１３において、ＰＤＰ２０は、第１実施例の場合と同様に、放電空間が、横壁１５Ａと縦壁１５Ｂによって略格子形状に成形された隔壁１５によって略方形に区画されることにより、放電セルＣ１が形成されている。
【０１２０】
行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を構成する行電極Ｘ２，Ｙ２は、それぞれ、帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、放電セルＣ１の列方向の中央部分に対向する位置において互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びている。
【０１２１】
この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａは、その列方向の幅（Ｗｘ２，Ｗｙ２）がそれぞれ１５０μｍ以下となるように設定されている。
【０１２２】
バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂは、それぞれ、隔壁１５の横壁１５Ａの内縁部に沿って行方向に帯状に延びるバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と、このバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの間において隔壁１５の縦壁１５Ｂに対向する位置を列方向に延びて、バス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａとをそれぞれ接続するバス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２とによって構成されている。
【０１２３】
そして、この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層２２が、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ２が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１２４】
他の部分の構成は第１実施例に場合と同様であり、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上（５０Ｔｏｒｒ）以上の値に設定されている。
【０１２５】
第１実施例の場合には、金属膜によって形成されるバス電極が放電セルの中央部分に対向する位置に配置されているため、この光透過性を有しないバス電極によって放電セルの開口部がそれぞれ列方向に二分されることになるのに対し、このＰＤＰ２０の場合には、金属膜によって形成されるバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂのバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が隔壁１５の横壁１５Ａに近接した位置に配置されていることによって、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂによって放電セルＣ１の開口部が第１実施例の場合のように二分されるようなことはない。
【０１２６】
本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
さらに、このＰＤＰ２０は、バス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２が、隔壁１５の縦壁１５Ｂに対向する位置に配置されていることによって、このバス電極接続部Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２の形成によって放電セルＣ１の開口部の一部が遮蔽されることもない。
【０１２７】
なお、上記においては、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂのバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が放電セルＣ１に対向する部分において隔壁１５の横壁１５Ａに近接する位置に配置されている例が示されているが、このバス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１を隔壁１５の横壁１５Ａに対向する位置に配置するようにしても良く、この場合には、バス電極本体部Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１が放電セルＣ１の開口部を遮蔽することがなくなるので、バス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂの全体が蛍光体層からの発光の邪魔になる虞が無くなる。
【０１２８】
上記ＰＤＰ２０は、行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａの列方向の幅（電極幅）Ｗｘ２および透明電極Ｙ２ａの列方向の幅（電極幅）Ｗｙ２がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されることによって、第１実施例に場合と同様に、この透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電となって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１２９】
そして、上記ＰＤＰ２０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層２２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この誘電体層２２の膜厚が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の誘電体層２２の膜厚ｄ２のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきが従来のＰＤＰよりも小さくなって、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１３０】
なお、上記のような効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ２０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層を各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成して蛍光体層の表面積を増大させることが出来るので、さらに高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１３１】
さらに、上記ＰＤＰ２０は、行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａのそれぞれの列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【０１３２】
さらに、上記ＰＤＰ２０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１３３】
なお、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【実施例３】
【０１３４】
図１４および１５は、この発明の実施形態における第３の実施例を示しており、図１４はこの第３実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１５は図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【０１３５】
この図１４および１５において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図２および３と同一の符号が付されている。
【０１３６】
前述した第１実施例のＰＤＰが各行電極の透明電極の列方向の幅を変更してサステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第３実施例のＰＤＰ３０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ３，Ｙ３）が形成され、この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２の放電空間に面する背面側の所要の位置にさらに第２誘電体層３３が積層して形成されて、行電極Ｘ３，Ｙ３のそれぞれ実質的に放電を発生させる部分の列方向の幅が狭められることにより、サステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されている。
【０１３７】
すなわち、ＰＤＰ３０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ３）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａに接続されている。
【０１３８】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された第１誘電体層３２によって被覆されている。
【０１３９】
この第１誘電体層３２は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ３が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１４０】
この第１誘電体層３２の背面の下記に述べるような所要の位置に、第２誘電体層３３が積層して形成されている。
【０１４１】
そして、これらの第１誘電体層３２と第２誘電体層３３の背面の全体を覆う様に図示しない二次電子放出層が形成されている。
【０１４２】
第２誘電体層３３は、第１誘電体層３２の背面の放電ギャップｇ３と、この放電ギャップｇ３を挟んで対向している行電極Ｘ３，Ｙ３の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａのそれぞれ先端から列方向において１５０μｍ以下の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分とに対向する行方向に延びる帯状の部分以外の部分を被覆する位置に形成されている。
【０１４３】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２は、その前面ガラス基板１１と直角方向の膜厚ｄ３が３５μｍ以上になるように形成されており、第２誘電体層３３は第１誘電体層３２以上の膜厚を有していて、第１誘電体層３２と第２誘電体層３３が積層されている部分の膜厚が、第１誘電体層３２の膜厚の２倍以上の放電による壁電荷がほとんど形成されることがない膜厚となるように設定されている。
【０１４４】
放電空間内には、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【０１４５】
上記ＰＤＰ３０は、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の各行電極Ｘ３，Ｙ３が、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、この行電極Ｘ３，Ｙ３の放電ギャップｇ３を介して互いに対向する透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分以外の部分が、積層された第１誘電体層３２と第２誘電体層３３の二層の誘電体層によって被覆されて、その部分の誘電体層の膜厚が先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を被覆している誘電体層の膜厚よりも厚くなっているので、壁電荷は、第１誘電体層３２に第２誘電体層３３が積層されて膜厚が厚くなっている部分にはほとんど形成されず、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を被覆している第１誘電体層３２の表面に形成される。
【０１４６】
このため、ＰＤＰ３０では、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）にサステイン・パルスが印加されて透明電極Ｘ３ａとＹ３ａ間で放電ギャップｇ３を介してサステイン放電が発生される際に、このサステイン放電は、ほとんど透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分のみで行われるようになって、第１実施例で説明したような狭奥行き放電が形成される。
【０１４７】
以上のようにして、上記ＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰに比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１４８】
そして、上記ＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する第１誘電体層３２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この第１誘電体層３２の膜厚ｄ３が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の第１誘電体層３２の膜厚ｄ３のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおけるよりも小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１４９】
さらに、このＰＤＰ３０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１５０】
さらに、上記ＰＤＰ３０は、上記のような第１実施例の場合と同様の効果に加えて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電ギャップｇ３から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１５１】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
そして、このＰＤＰ３０の構成によれば、バス電極の蛍光体層からの発光に対する影響を小さくするための構造が、前述した第２実施例のＰＤＰの場合と比べて簡素化することが出来る。
【０１５２】
また、例えば、図１４および１５には、バス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電セルＣ１の開口面に対向する位置に配置されている例が示されているが、図１６に示されるように行電極対（Ｘ４，Ｙ４）を構成する各行電極Ｘ４，Ｙ４のバス電極Ｘ４ｂ，Ｙ４ｂが放電セルＣ１の開口面から外れた位置に配置されるようにすれば、バス電極Ｘ４ｂ，Ｙ４ｂの蛍光体層からの発光に対する影響が無くなって、発光の取出し効率を大幅に向上させることが出来るようになる。
【０１５３】
上記ＰＤＰ３０は、さらに、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の構成が従来と同様であるので、製造工程の大きな変更を必要とせず、また、第２誘電体層３３の形成位置を任意に設定することが出来るので、設計および製造上の自由度が増し、これによって、製造コストの低廉化と製品歩留への貢献を図ることが出来るようになる。
【０１５４】
なお、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１５５】
また、上記においては、第２誘電体層がそれぞれ行方向に延びる帯状に形成されている例が示されているが、第１誘電体層上に積層される第２誘電体層は、図１７に示される第２誘電体層３４のように、放電セルＣ１の開口面に対向する部分に方形の開口部３４ａが形成された略格子形状に成形されており、この開口部３４ａによって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分および放電ギャップｇ３に対向する部分以外の部分を被覆している誘電体層の膜厚を壁電荷が形成されない厚さに設定するようにしても良い。
【実施例４】
【０１５６】
図１８および１９は、この発明の実施形態における第４の実施例を示しており、図１８はこの第４実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１９は図１８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【０１５７】
この図１８および１９において、前述した第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１４および１５と同一の符号が付されている。
【０１５８】
前述した第３実施例のＰＤＰが行電極対を被覆する第１誘電体層上に形成された第２誘電体層によってサステイン放電の放電範囲が制限されることにより狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第４実施例のＰＤＰ４０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ３，Ｙ３）が形成され、この誘電体層４２の放電空間に面する背面側の所要の位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって二次電子放出層４３が行方向に帯状に延びるように形成されて、この二次電子放出層４３によって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａの間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を形成するようになっている。
【０１５９】
すなわち、ＰＤＰ４０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ４）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａに接続されている。
【０１６０】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された誘電体層４２によって被覆されている。
【０１６１】
この行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する誘電体層４２は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスやこの酸化亜鉛（ＺｎＯ）系ガラスと酸化燐（Ｐ２Ｏ５）系ガラスとの混合物等の比誘電率が９．３以下、好ましくは８以下の低誘電材料によって、前面ガラス基板１１に対して垂直な方向の膜厚ｄ４が３５μｍ以上になるように形成されている。
【０１６２】
そして、この誘電体層４２の背面上の、放電ギャップｇ４およびこの放電ギャップｇ４を挟んで両側に位置する透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の列方向における幅Ｗｘ４およびＷｙ４の部分を含む部分に対向する位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されている。
【０１６３】
この二次電子放出層４３の形成方法としては、例えば、二次電子放出膜４３の形成位置に対応する開口部を有するマスクを誘電体層４２と高γ材料の材料蒸発源との間に介在させて、材料蒸発源から発生される高γ材料の蒸気を、誘電体層４２のマスクの開口部に対向する部分に付着させて成膜を行う方法等がある。
【０１６４】
この二次電子放出層４３の透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａと対向している部分のそれぞれの列方向の幅Ｗｘ４およびＷｙ４は、１５０μｍ以下に設定されている。
【０１６５】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【０１６６】
上記ＰＤＰ４０は、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の各行電極Ｘ３，Ｙ３が、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、高γ材料によって形成された二次電子放出層４３が、誘電体層４２上の放電ギャップｇ４とこの放電ギャップｇ４の両側の透明電極Ｘ３ａとＹ３ａのそれぞれの先端部分の幅Ｗｘ４およびＷｙ４の部分に対向する位置のみに配置されていることによって、透明電極Ｘ３ａとＹ３ａ間において発生されるサステイン放電のほとんどがこの二次電子放出層４３が形成されている領域の範囲内で発生されることになり、これによって、このサステイン放電が、第１実施例で説明したような狭奥行き放電を形成するようになる。
【０１６７】
以上のようにして、上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成が従来のＰＤＰに比べて非常に高い効率で行われるようになるとともに、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として減衰がほとんど無い波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われるので、従来のＰＤＰと比べて高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１６８】
そして、上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する誘電体層４２が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率が改善され、さらに、この誘電体層２２の膜厚ｄ４が３５μｍ以上に設定されていることによって、放電セルＣ１毎の誘電体層４２の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、放電セルＣ１毎の発光効率のばらつきを従来のＰＤＰにおける場合よりも小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【０１６９】
さらに、このＰＤＰ４０は、第１実施例において説明したのと同様の理由により、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置することが可能であり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１７０】
さらに、ＰＤＰ４０は、上記のような第１実施例の場合と同様の効果に加えて、透明電極Ｘ３ａ，Ｙ３ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂが放電ギャップｇ４から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１７１】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
そして、このＰＤＰ４０の構成によれば、バス電極の蛍光体層からの発光に対する影響を小さくするための構造が、前述した第２実施例のＰＤＰの場合と比べて簡素化することが出来る。
【０１７２】
また、このＰＤＰ４０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層４３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０１７３】
なお、上記においては、二次電子放出層４３が行方向に帯状に延びる形状に成形されている例が示されているが、この二次電子放出層は、各放電セルＣ１毎に独立したいわゆる島形状に成形するようにしても良い。
【０１７４】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１７５】
上記各実施例のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入されており、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の低誘電材料によって形成されているＰＤＰをその上位概念の実施形態としている。
【０１７６】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極の構成部分のうち、この行電極間の放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が、従来のＰＤＰにおける４００〜１０００μｍの幅に比べて小さい１５０μｍ以下に設定されていることにより、放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなって、この放電の成長領域が、初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【０１７７】
これによって、この実施形態におけるＰＤＰは、放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【０１７８】
さらに、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ、この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがないことによって、行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになるので、従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１７９】
そして、行電極対を被覆する誘電体層が、比誘電率が９．３以下の、好ましくは８以下の、例えば、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物等の低誘電材料によって形成されていることによって、狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいて、サステイン放電時の電離量が抑制されて真空紫外線生成効率の改善によって蛍光体層に照射される真空紫外光量が増大されることにより、発光効率を改善することが出来る。
【０１８０】
この実施形態のＰＤＰにおいて、誘電体層を基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚となるように形成することが好ましく、これによって、単位発光領域毎の誘電体層の膜厚のばらつきによって生じる放電電流のばらつきが小さくなり、これによって、単位発光領域毎の発光効率のばらつきを小さくして、パネルの全面に亘って安定した発光効率を得ることが出来るＰＤＰを製造することが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図４】ＰＤＰにおける電極の幅と発光効率との関係を示すグラブである。
【図５】ＰＤＰにおける放電の一般的成長過程を示すグラブである。
【図６】ＰＤＰの放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【図７】狭奥行き放電を行い高キセノン分圧の放電ガスが封入されたＰＤＰにおける放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示す表図である。
【図８】図７における放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示すグラフである。
【図９】従来のＰＤＰにおける放電電流と発光効率，誘電体の非誘電率との関係を示すグラフである。
【図１０】ＰＤＰにおける誘電体膜厚と誘電体容量との関係を示すグラフである。
【図１１】ＰＤＰにおける誘電体膜厚と誘電体容量の変化率との関係を示すグラフである。
【図１２】この発明の実施形態の第２実施例を示す正面図である。
【図１３】図１２のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図１４】この発明の実施形態の第３実施例を示す正面図である。
【図１５】図１４のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１６】同実施例の変形例を示す正面図である。
【図１７】同実施例の他の変形例を示す正面図である。
【図１８】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１９】図１８のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【符号の説明】
【０１８２】
１１ …前面ガラス基板（一方の基板）
１２，２２，４２ …誘電体層
１３ …背面ガラス基板（他方の基板）
１５ …隔壁
１５Ａ …横壁（横壁部）
１５Ｂ …縦壁（縦壁部）
１６ …蛍光体層
３２ …第１誘電体層（誘電体層）
３３，３４ …第２誘電体層（誘電体層）
３４ａ …開口部
４３ …二次電子放出層
Ｃ１ …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１ …列電極
Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２，Ｘ３，Ｙ３，Ｘ４，Ｙ４
…行電極
Ｘａ１，Ｙａ１，Ｘａ２，Ｙａ２，Ｘａ３，Ｙａ３，Ｘａ４，Ｙａ４
…透明電極
Ｘｂ１，Ｙｂ１，Ｘｂ２，Ｙｂ２，Ｘｂ３，Ｙｂ３，Ｘｂ４，Ｙｂ４
…バス電極
Ｘ２ｂ１，Ｙ２ｂ１ …バス電極本体部
Ｘ２ｂ２，Ｙ２ｂ２ …バス電極接続部
Ｗｘ１，Ｗｙ１，Ｗｘ２，Ｗｙ２，Ｗｘ３，Ｗｙ３，Ｗｘ４，Ｗｙ４
…列方向の幅
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ３ …膜厚
ｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４ …放電ギャップ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を構成する一対の行電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記誘電体層を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体層が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記行電極対を構成する各行電極が、それぞれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と、この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に接続された金属性のバス電極とを備え、
一対の前記透明電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記行電極対を構成する各行電極が、それぞれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する金属製のバス電極からなり、
一対の前記バス電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極の透明電極が単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置され、バス電極が隔壁の横壁部に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの透明電極とバス電極が、隔壁の縦壁部に対向する位置に形成されて列方向に延びる金属製の接続部によって接続されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記誘電体層の薄膜の部分が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記誘電体層の厚膜の部分の厚さが、誘電体層の薄膜の部分の厚さのほぼ２倍以上に設定されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記誘電体層の薄膜の部分が、行方向に延びる帯状に形成されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記誘電体層の薄膜の部分が、各単位発光領域毎に島状に形成され、厚膜の部分が、この薄膜の部分を囲む略格子形状に成形されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記行電極対を構成する各行電極が、それそれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と、この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に接続された金属製のバス電極とを備え、
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記各行電極のバス電極が、それぞれ隔壁の横壁部に対向する位置に配置されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分を含む誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記誘電体層を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記誘電体層を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記誘電体層が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を構成する一対の行電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記誘電体層を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体層が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記行電極対を構成する各行電極が、それぞれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と、この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に接続された金属性のバス電極とを備え、
一対の前記透明電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記行電極対を構成する各行電極が、それぞれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する金属製のバス電極からなり、
一対の前記バス電極の列方向の幅が、１５０μｍ以下に設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極の透明電極が単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置され、バス電極が隔壁の横壁部に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの透明電極とバス電極が、隔壁の縦壁部に対向する位置に形成されて列方向に延びる金属製の接続部によって接続されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記誘電体層の少なくとも薄膜の部分を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記誘電体層の薄膜の部分が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記誘電体層の厚膜の部分の厚さが、誘電体層の薄膜の部分の厚さのほぼ２倍以上に設定されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記誘電体層の薄膜の部分が、行方向に延びる帯状に形成されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記誘電体層の薄膜の部分が、各単位発光領域毎に島状に形成され、厚膜の部分が、この薄膜の部分を囲む略格子形状に成形されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記行電極対を構成する各行電極が、それそれ、列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と、この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に接続された金属製のバス電極とを備え、
前記一対の基板の間に、行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて、この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され、
前記各行電極のバス電極が、それぞれ隔壁の横壁部に対向する位置に配置されている請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分を含む誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記誘電体層が、比誘電率が９．３以下の誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記誘電体層を形成する誘電材料の比誘電率が８以下である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記誘電体層を形成する誘電材料が、酸化亜鉛系ガラス、または、酸化亜鉛系ガラスと酸化燐系ガラスとの混合物である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記誘電体層が、基板に対して垂直方向に３５μｍ以上の膜厚を有している請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００７−３１１１２７（Ｐ２００７−３１１１２７Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３７９６９（Ｐ２００６−１３７９６９）
【出願日】平成１８年５月１７日（２００６．５．１７）
【出願人】（５０３４１１５７６）株式会社次世代ＰＤＰ開発センター (65)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１７日（２００６．５．１７）
【出願人】（５０３４１１５７６）株式会社次世代ＰＤＰ開発センター (65)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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