プリント基板の製造方法
【課題】ベース基板の両面にトレンチを形成することにより、両面に回路パターンを同時に形成することができるため、製造工程を単純化することができるとともに、微細回路パターンを実現することができるプリント基板の製造方法の提供。
【解決手段】ベース基板１００の両面に絶縁層１１０を積層する段階と、絶縁層１１０にトレンチ１２０を加工する段階と、トレンチ１２０の内部を含む絶縁層１１０にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、絶縁層１１０に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層１４０を形成する段階とを含んでなる。
【解決手段】ベース基板１００の両面に絶縁層１１０を積層する段階と、絶縁層１１０にトレンチ１２０を加工する段階と、トレンチ１２０の内部を含む絶縁層１１０にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、絶縁層１１０に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層１４０を形成する段階とを含んでなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体チップの高密度化および信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が高まっており、これにより半導体チップの高密度化に対応できる高密度および高信頼性のプリント基板の開発が要求されている。
【０００３】
高密度および高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様と密接に連関しており、プリント基板は回路の微細化、高度の電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような要求仕様に対応した微細回路パターンおよびマイクロビアホールを形成することが可能なプリント基板技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の回路パターンを形成する方法としては、サブトラクティブ法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、フルアディティブ法（ｆｕｌｌ ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、およびセミアディティブ法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）などがある。これらの方法のうち、回路パターンの微細化が実現できるセミアディティブ法が現在注目を浴びている。
【０００５】
図１〜図６は、従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。以下、これらの図を参照して回路パターンの形成方法について説明する。
【０００６】
まず、図１に示すように、一面に金属層１４が形成された絶縁層１２にビアホール１６を加工する。
【０００７】
次に、図２に示すように、ビアホール１６の内壁を含んで絶縁層１２上に無電解メッキ層１８を形成する。この際、無電解メッキ層１８は、以後行われる電解メッキ工程の前処理工程の役割を果たすが、電解メッキ層２４を形成するためには一定の厚さ以上（例えば、１μｍ以上）の無電解メッキ層１８を形成しなければならない。
【０００８】
次に、図３に示すように、ドライフィルム２０を積層し、回路パターン形成領域を露出させる開口部２２を有するようにパターニングする。
【０００９】
その後、図４に示すように、ビアホール１６を含んで開口部２２に電解メッキ層２４を形成する。
【００１０】
その次、図５に示すように、ドライフィルム２０を除去する。
【００１１】
最後に、図６に示すように、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）、クイックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）などによって、電解メッキ層２４の形成されていない無電解メッキ層１８を除去することにより、ビア２６を含む回路パターン２８を形成する。
【００１２】
ところが、従来のセミアディティブ法によって形成された回路パターン２８は、絶縁層１２上に陽刻として形成されているから、絶縁層１２から分離されるという問題点があった。特に、無電解メッキ層１８を除去するためのフラッシュエッチング、クイックエッチングの際に回路パターン２８の下端部に発生するアンダーカット現象のため、セミアディティブ法は微細回路パターンを形成するのに不適であるという問題点があった。
【００１３】
また、従来の回路パターン形成方法は、プリント基板の一面にのみ回路パターンを形成することができるため、多層プリント基板の製造工程上、効率が低下するという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的とするところは、ベース基板の両面にトレンチを採用して回路層を形成し、あるいは一面にはトレンチを採用し、他面にはサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて両面の回路層を同時に形成することにより、製造工程を単純化し且つ製造コストを節約することが可能なプリント基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の両面に絶縁層を積層する段階と、（Ｂ）前記絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工する段階と、（Ｃ）前記トレンチの内部を含む前記絶縁層にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、（Ｄ）前記絶縁層に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層を形成する段階とを含んでなるものである。
【００１６】
ここで、前記（Ｃ）段階において、前記メッキ層は、前記トレンチを含む前記絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキによって形成することが好ましい。
【００１７】
また、前記（Ｄ）段階において、前記回路層は、過剰形成された前記メッキ層をエッチングによって除去して形成することが好ましい。
【００１８】
更に、前記（Ｄ）段階において、前記回路層は、過剰形成された前記メッキ層を研磨によって除去して形成することが好ましい。
【００１９】
本発明の好適な他の実施例に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階と、（Ｂ）前記第１絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工し、前記第２絶縁層にビアホールを加工する段階と、（Ｃ）前記第１絶縁層に形成された前記トレンチの内部にメッキ工程によって第１回路層を形成し、前記第２絶縁層にメッキ工程によってビアを含む第２回路層を形成する段階とを含んでなるものである。
【００２０】
ここで、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第２メッキ層を形成する段階と、（Ｃ２）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、（Ｃ３）前記第２メッキ層に腐食レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、（Ｃ４）前記回路形成用開口部から露出された前記第２メッキ層をエッチングによって除去し、前記腐食レジストを除去して第２回路層を形成する段階と、を含んでなることが好ましい。
【００２１】
前記（Ｃ１）段階において、前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとは、互いに異なることが好ましい。
【００２２】
前記（Ｃ２）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、エッチングによって除去することが好ましい。
【００２３】
また、前記（Ｃ２）段階において、前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することが好ましい。
【００２４】
更に、前記（Ｃ２）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、研磨によって除去することが好ましい。
【００２５】
また、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、第２絶縁層にメッキレジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、（Ｃ２）前記無電解メッキ層に電解メッキを施し、前記トレンチを含む第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記回路形成用開口部に第２メッキ層を形成する段階と、（Ｃ３）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、（Ｃ４）前記メッキレジストを剥離し、前記無電解メッキ層を除去して第２回路層を形成する段階と、を含んでなることが好ましい。
【００２６】
前記（Ｃ２）段階において、前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとは、互いに異なることが好ましい。
【００２７】
前記（Ｃ３）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、エッチングによって除去することが好ましい。
【００２８】
また、前記（Ｃ３）段階において、前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することが好ましい。
【００２９】
更に、前記（Ｃ３）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、研磨によって除去することが好ましい。
【００３０】
本発明の特徴および利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
【００３１】
これに先立ち、本明細書および特許請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的且つ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ベース基板の両面にトレンチを形成することにより、両面に回路パターンを同時に形成することができるため、製造工程を単純化することができるとともに、微細回路パターンを実現することができるという効果がある。
【００３３】
また、本発明によれば、微細回路層が必要なベース基板の一面にはトレンチを採用し、ベース基板の他面には従来のサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて両面に回路層を同時に形成することにより、製造工程を単純化することができるうえ、製造コストを節約することができるという利点がある。
【００３４】
更に、本発明によれば、トレンチの内部に突起を形成してトレンチの内部を狭い領域に分割することにより、メッキバラツキを改善することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図２】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図３】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図４】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図５】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図６】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図７】好適な第１実施例に係るプリント基板の断面図である。
【図８】好適な第２実施例に係るプリント基板の断面図である。
【図９】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図１０】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図１１】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図１２】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図１３】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図１４】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図１５】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図１６】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図１７】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図１８】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図１９】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図２０】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図２１】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図２２】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図２３】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図２４】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図２５】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図２６】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図２７】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（８）である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は、添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきである。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００３７】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３８】
図７は、好適な第１実施例に係るプリント基板の断面図である。次に、図７を参照して、本実施例に係るプリント基板について説明する。
【００３９】
図７に示すように、本実施例に係るプリント基板は、ベース基板１００と、ベース基板１００の両面に積層され、トレンチ１２０が形成された絶縁層１１０と、トレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成された回路パターン１２３およびビア１２５を含む回路層１４０とを含んでなるものである。
【００４０】
ベース基板１００は、例えばコア回路層１０４が両面に形成されたコア絶縁層１０２に、内層回路層１０８の形成された内層絶縁層１０６が積層されるが、内層回路層１０８はコア絶縁層１０２および内層絶縁層１０６を貫通する内層ビアを介して連結された構造を持つ。勿論、図７に示したベース基板１００は例示的なものに過ぎず、ベース基板としては多様な構造の基板を採用することができる。
【００４１】
絶縁層１１０は、ベース基板１００の両面に積層され、回路パターン１２３およびビア１２５形成用のトレンチ１２０が形成される。トレンチ１２０は、全体を陰刻として形成することができるが、陰刻内部の一部領域を除去しないため突起１２７を形成する。この際、突起１２７は、トレンチ１２０が広い領域に形成された場合、トレンチ１２０を狭い領域に分割してメッキが一定の厚さに形成されるように誘導する。
【００４２】
回路層１４０は、回路パターン１２３とビア１２５を含み、トレンチ１２０の内部にメッキ工程を施すことにより形成される。この際、回路層１４０は、トレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成されるので、絶縁層１１０に埋め込まれる。
【００４３】
本実施例に係るプリント基板は、両面に埋め込まれた回路層１４０が形成されるので、従来のセミアディティブ法によって形成された回路層とは異なり回路パターン１２３の下端にアンダーカットが発生しないため、微細回路の実現が容易である。また、トレンチ１２０を用いて両面に回路層１４０を同時に形成することができるので、製造工程を単純化することができるという効果がある。
【００４４】
図８は、好適な第２実施例に係るプリント基板の断面図である。次に、図８を参照して、本実施例に係るプリント基板について説明する。
【００４５】
図８に示すように、本実施例に係るプリント基板は、ベース基板１００と、ベース基板１００の一面に積層され、トレンチ１２０が形成された第１絶縁層２１０と、ベース基板１００の他面に積層され、ビアホール２２５が形成された第２絶縁層２２０と、第１絶縁層２１０に形成されたトレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成された回路パターン１２３およびビア１２５を含む第１回路層２３０と、前記第２絶縁層２２０に形成されたビアを含む第２回路層２４０とを含んでなるものである。
【００４６】
すなわち、本実施例は、ベース基板１００の一面には、第１実施例と同一構造のトレンチ１２０を用いて埋め込まれた第１回路層２３０が形成され、ベース基板１００の他面には、一般的な回路パターン形成法としてのサブトラクティブ法またはセミアディティブ法によって、突出した回路パターンを含む第２回路層２４０が形成される。これ以外は第１実施例と同様なので、重複説明は省略する。
【００４７】
本実施例に係るプリント基板は、一面にはトレンチ１２０を用いて品質および信頼性の高い微細回路を形成することができ、他面には相対的に価格競争力を有するサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて回路層を形成することにより、製造コストを節約することができる。すなわち、本実施例は、プリント基板の一面に選択的に微細な回路が必要な場合に有用である。また、トレンチ１２０を用いた工程とサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を同時に行い、両面に回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造コストを単純化することができるという効果がある。
【００４８】
図９〜図１２は、本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、図９に示すように、ベース基板１００の両面に絶縁層１１０を積層する段階である。ここで、ベース基板１００は、コア回路層１０４が両面に形成されたコア絶縁層１０２に、内層回路層１０８の形成された内層絶縁層１０６が積層され、内層回路層１０８はコア絶縁層１０２および内層絶縁層１０６を貫通して形成された内層ビア１２５を介して連結された構造を持つものと示されているが、これは例示的なものに過ぎない。たとえば、ベース基板１００として単層の絶縁材を使用することも可能であり、この場合には追加的な絶縁層１１０を積層する工程なしで次の段階が行われ得る。
【００５０】
その次、図１０に示すように、絶縁層１１０にトレンチ１２０を加工する段階である。この際、トレンチ１２０を狭い領域に分割して次の段階で一定の厚さにメッキ層１５０を形成することができるように、トレンチ１２０を加工するときに陰刻内部の一部領域を除去しないため、突起１２７を形成することができる。
【００５１】
ここで、トレンチ１２０は、当業界における公知のものであれば特に限定されないが、例えばインプリント工法（ｉｍｐｒｉｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）またはレーザー工法（たとえば、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、ＣＯ２レーザー、パルスＵＶ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）エキシマーレーザー）によって加工される。
【００５２】
その次、図１１に示すように、トレンチ１２０の内部を含む絶縁層１１０にメッキ工程によってメッキ層１５０を形成する段階である。メッキ工程は、ベース基板１００に積層された２つの絶縁層１１０で同時に行って製造工程を単純化することが好ましい。さらに詳しく説明すると、まず、トレンチを含む絶縁層１１０に無電解メッキを施して無電解メッキ層１５５を形成し、これを用いて電解メッキによってメッキ層１５０を形成する。
【００５３】
その次、図１２に示すように、絶縁層１１０に過剰形成されたメッキ層１５０を除去して回路層１４０を形成する段階である。前述したメッキ層１５０の形成段階で、メッキ層１５０は、絶縁層１１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成されたメッキ層１５０を除去しなければならない。過剰形成されたメッキ層１５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨、およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することができる。過剰形成された絶縁層１１０の除去工程は、ベース基板１００に積層された２つの絶縁層１１０で同時に行うことにより製造工程を単純化することが好ましい。
【００５４】
図１３〜図１９は、本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００５５】
まず、図１３に示すように、ベース基板１００の一面に第１絶縁層２１０を積層し、ベース基板１００の他面に第２絶縁層２２０を積層する段階である。本実施例において、ベース基板は、前述した第１実施例と同一であり、絶縁層も第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に区分されるが、基本的に、第１実施例の絶縁層１１０と同一である。但し、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に区分した理由は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するためである。
【００５６】
その次、図１４に示すように、第１絶縁層２１０にトレンチ１２０を加工し、第２絶縁層２２０にビアホール２２５を加工する段階である。この際、トレンチ１２０を狭い領域に分割して次の段階で一定の厚さにメッキ層２５０を形成することができるようにトレンチ１２０を加工するときに陰刻内部の一部領域を除去しないため、突起１２７を形成することができる。
【００５７】
第１実施例と同様に、トレンチ１２０は、第１絶縁層２１０にインプリント工法またはレーザー工法（たとえば、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、ＣＯ２レーザー、パルスＵＶ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）エキシマーレーザー）によって加工する。また、ビアホール２２５はＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーなどを用いて加工する。
【００５８】
その次、図１５および図１６に示すように、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキして第１メッキ層２５０を形成し、ビアホール２２５を含む第２絶縁層２２０に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキして第２メッキ層２６０を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に対するメッキ工程をそれぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキを施して製造工程を単純化することが好ましい。
【００５９】
メッキ工程は、無電解メッキと電解メッキに分けられるが、まず、無電解メッキによって無電解メッキ層１５５を形成した後、これを用いて電解メッキを施して第１絶縁層２１０に第１メッキ層２５０を形成し、第２絶縁層２２０に第２メッキ層２６０を形成する。ここで、第１メッキ層２５０と第２メッキ層２６０は、後述の段階で行われる第１メッキ層２５０の除去工程と第２メッキ層２６０のエッチング工程を考慮し、相異なる厚さを持つことができる。
【００６０】
その次、図１７に示すように、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成された第１メッキ層２５０を除去して第１回路層２３０を形成する段階である。前述した第１メッキ層２５０の形成段階で、第１メッキ層２５０は第１絶縁層２１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成された第１メッキ層２５０を除去しなければならない。過剰形成された第１メッキ層２５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することにより、第１回路層２３０を形成することができる。
【００６１】
また、過剰形成された第１メッキ層２５０をエッチングによって除去するとき、第２メッキ層２６０も所定の厚さをエッチングによって除去することができる。この際、決定された第２メッキ層２６０の厚さは、最終的に第２回路層２４０の厚さになる。すなわち、本段階で第１メッキ層２５０をエッチングするとき、第２メッキ層２６０にもエッチングを行うことにより、後述の段階で形成される第２回路層２４０の厚さを決定することができるであろう。
【００６２】
その次、図１８に示すように、第２メッキ層２６０に腐食レジスト２７０を塗布し、回路形成用開口部２７５を形成する段階である。ここで、腐食レジスト２７０は、ドライフィルムなどの感光材を使用することができ、回路形成用開口部２７５は露光、現像によって形成する。一方、次の段階でエッチングによって第２回路層２４０を形成するが、既に形成の完了した第１回路層２３０がエッチングによって損傷するのを防止するために、第１絶縁層２１０には、腐食レジスト２７０を全面塗布することが好ましい。
【００６３】
その次、図１９に示すように、腐食レジスト２７０の回路形成用開口部２７５から露出された第２メッキ層２６０をエッチングによって除去し、腐食レジスト２７０を除去して第２回路層２４０を形成する段階である。回路形成用開口部２７５から露出された第２メッキ層２６０のみを選択的にエッチングすることにより回路パターンを実現した後、塩化鉄、塩化銅などの剥離液を用いて腐食レジスト２７０を剥離することにより、第２回路層２４０を完成する。
【００６４】
本実施例に係るプリント基板の製造方法は、一面はトレンチ１２０を用い、他面はサブトラクティブ法を用いて同時に両面の回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造工程の効率性を増大することができる。
【００６５】
図２０〜図２７は、本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００６６】
まず、図２０および図２１に示すように、ベース基板１００の一面に第１絶縁層２１０を積層し、ベース基板１００の他面に第２絶縁層２２０を積層する段階と、第１絶縁層２１０にトレンチ１２０を加工し、第２絶縁層２２０にビアホール２２５を加工する段階は、前述した第２実施例と同様なので、その詳細な説明は省略する。
【００６７】
その次、図２２および図２３に示すように、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に無電解メッキ層１５５を形成し、ビアホール２２５を含む第２絶縁層２２０に無電解メッキ層１５５を形成した後、第２絶縁層２２０にメッキレジスト２８０を塗布し、回路形成用開口部２８５を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に対する無電解メッキ工程は、それぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に行って製造工程の効率性を増大することが好ましい。一方、第２絶縁層２２０には、無電解メッキ層１５５を形成した後、メッキレジスト２８０を塗布し、メッキレジスト２８０に露光、現像によって回路形成用開口部２８５をパターニングする。回路形成用開口部２８５には、後述の段階で第２メッキ層２６０を形成する。
【００６８】
その次、図２４に示すように、無電解メッキ層１５５に電解メッキを施して、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に第１メッキ層２５０を形成し、回路形成用開口部２８５に第２メッキ層２６０を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と回路形成用開口部２８５に対するメッキ工程は、それぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に行って製造工程の効率性を増大することが好ましい。一方、第１メッキ層２５０と第２メッキ層２６０は、後述の段階で行われる第１メッキ層２５０の除去工程を考慮し、相異なる厚さを持つことができる。
【００６９】
その次、図２５に示すように、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成された第１メッキ層２５０を除去して第１回路層２３０を形成する段階である。前述した第１メッキ層２５０の形成段階で、第１メッキ層２５０は、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成された第１メッキ層２５０を除去しなければならない。過剰形成された第１メッキ層２５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することにより、第１回路層２３０を形成することができる。
【００７０】
また、過剰形成された第１メッキ層２５０をエッチングによって除去するとき、第２メッキ層２６０も所定の厚さを、エッチングによって除去することができる。この際、決定された第２メッキ層２６０の厚さは、最終的に第２回路層２４０の厚さになる。すなわち、本段階で第１メッキ層２５０をエッチングするとき、第２メッキ層２６０にもエッチングを行うことにより、後述の段階で形成される第２回路層２４０の厚さを決定することができるであろう。
【００７１】
その次、図２６および図２７に示すように、メッキレジスト２８０を剥離し、無電解メッキ層１５５を除去して第２回路層２４０を形成する段階である。ここで、無電解メッキ層１５５は、第２メッキ層２６０が形成されていない部分のみを選択的に除去するのは勿論のこと、通常、フラッシュエッチング、クイックエッチングなどによって除去する。
【００７２】
本実施例に係るプリント基板の製造方法は、一面はトレンチ１２０を用い、他面はセミアディティブ法を用いて同時に両面の回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造工程の効率性を増大することができる。
【００７３】
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これらの実施例は本発明を具体的に説明するためのものに過ぎない。本発明に係るプリント基板の製造方法は、これらの実施例に限定されず、本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形および改良が可能である。
【００７４】
本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、微細回路パターンを有し、且つ多層であるプリント基板の製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１００ ベース基板
１０２ コア絶縁層
１０４ コア回路層
１０６ 内層絶縁層
１０８ 内層回路層
１１０ 絶縁層
１２０ トレンチ
１２３ 回路パターン
１２５ ビア
１２７ 突起
１４０ 回路層
１５０ メッキ層
１５５ 無電解メッキ層
２１０ 第１絶縁層
２２０ 第２絶縁層
２２５ ビアホール
２３０ 第１回路層
２４０ 第２回路層
２５０ 第１メッキ層
２６０ 第２メッキ層
２７０ 腐食レジスト
２７５、２８５ 回路形成用開口部
２８０ メッキレジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体チップの高密度化および信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップをプリント基板に直接実装する技術に対する要求が高まっており、これにより半導体チップの高密度化に対応できる高密度および高信頼性のプリント基板の開発が要求されている。
【０００３】
高密度および高信頼性のプリント基板に対する要求仕様は半導体チップの仕様と密接に連関しており、プリント基板は回路の微細化、高度の電気特性、高速信号伝達構造、高信頼性、高機能性などの多くの課題がある。このような要求仕様に対応した微細回路パターンおよびマイクロビアホールを形成することが可能なプリント基板技術が要求されている。
【０００４】
通常、プリント基板の回路パターンを形成する方法としては、サブトラクティブ法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、フルアディティブ法（ｆｕｌｌ ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、およびセミアディティブ法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）などがある。これらの方法のうち、回路パターンの微細化が実現できるセミアディティブ法が現在注目を浴びている。
【０００５】
図１〜図６は、従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図である。以下、これらの図を参照して回路パターンの形成方法について説明する。
【０００６】
まず、図１に示すように、一面に金属層１４が形成された絶縁層１２にビアホール１６を加工する。
【０００７】
次に、図２に示すように、ビアホール１６の内壁を含んで絶縁層１２上に無電解メッキ層１８を形成する。この際、無電解メッキ層１８は、以後行われる電解メッキ工程の前処理工程の役割を果たすが、電解メッキ層２４を形成するためには一定の厚さ以上（例えば、１μｍ以上）の無電解メッキ層１８を形成しなければならない。
【０００８】
次に、図３に示すように、ドライフィルム２０を積層し、回路パターン形成領域を露出させる開口部２２を有するようにパターニングする。
【０００９】
その後、図４に示すように、ビアホール１６を含んで開口部２２に電解メッキ層２４を形成する。
【００１０】
その次、図５に示すように、ドライフィルム２０を除去する。
【００１１】
最後に、図６に示すように、フラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）、クイックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）などによって、電解メッキ層２４の形成されていない無電解メッキ層１８を除去することにより、ビア２６を含む回路パターン２８を形成する。
【００１２】
ところが、従来のセミアディティブ法によって形成された回路パターン２８は、絶縁層１２上に陽刻として形成されているから、絶縁層１２から分離されるという問題点があった。特に、無電解メッキ層１８を除去するためのフラッシュエッチング、クイックエッチングの際に回路パターン２８の下端部に発生するアンダーカット現象のため、セミアディティブ法は微細回路パターンを形成するのに不適であるという問題点があった。
【００１３】
また、従来の回路パターン形成方法は、プリント基板の一面にのみ回路パターンを形成することができるため、多層プリント基板の製造工程上、効率が低下するという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明は、上述した問題点を解決するためのもので、その目的とするところは、ベース基板の両面にトレンチを採用して回路層を形成し、あるいは一面にはトレンチを採用し、他面にはサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて両面の回路層を同時に形成することにより、製造工程を単純化し且つ製造コストを節約することが可能なプリント基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の好適な一実施例に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の両面に絶縁層を積層する段階と、（Ｂ）前記絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工する段階と、（Ｃ）前記トレンチの内部を含む前記絶縁層にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、（Ｄ）前記絶縁層に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層を形成する段階とを含んでなるものである。
【００１６】
ここで、前記（Ｃ）段階において、前記メッキ層は、前記トレンチを含む前記絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキによって形成することが好ましい。
【００１７】
また、前記（Ｄ）段階において、前記回路層は、過剰形成された前記メッキ層をエッチングによって除去して形成することが好ましい。
【００１８】
更に、前記（Ｄ）段階において、前記回路層は、過剰形成された前記メッキ層を研磨によって除去して形成することが好ましい。
【００１９】
本発明の好適な他の実施例に係るプリント基板の製造方法は、（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階と、（Ｂ）前記第１絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工し、前記第２絶縁層にビアホールを加工する段階と、（Ｃ）前記第１絶縁層に形成された前記トレンチの内部にメッキ工程によって第１回路層を形成し、前記第２絶縁層にメッキ工程によってビアを含む第２回路層を形成する段階とを含んでなるものである。
【００２０】
ここで、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第２メッキ層を形成する段階と、（Ｃ２）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、（Ｃ３）前記第２メッキ層に腐食レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、（Ｃ４）前記回路形成用開口部から露出された前記第２メッキ層をエッチングによって除去し、前記腐食レジストを除去して第２回路層を形成する段階と、を含んでなることが好ましい。
【００２１】
前記（Ｃ１）段階において、前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとは、互いに異なることが好ましい。
【００２２】
前記（Ｃ２）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、エッチングによって除去することが好ましい。
【００２３】
また、前記（Ｃ２）段階において、前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することが好ましい。
【００２４】
更に、前記（Ｃ２）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、研磨によって除去することが好ましい。
【００２５】
また、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、第２絶縁層にメッキレジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、（Ｃ２）前記無電解メッキ層に電解メッキを施し、前記トレンチを含む第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記回路形成用開口部に第２メッキ層を形成する段階と、（Ｃ３）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、（Ｃ４）前記メッキレジストを剥離し、前記無電解メッキ層を除去して第２回路層を形成する段階と、を含んでなることが好ましい。
【００２６】
前記（Ｃ２）段階において、前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとは、互いに異なることが好ましい。
【００２７】
前記（Ｃ３）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、エッチングによって除去することが好ましい。
【００２８】
また、前記（Ｃ３）段階において、前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することが好ましい。
【００２９】
更に、前記（Ｃ３）段階において、前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層は、研磨によって除去することが好ましい。
【００３０】
本発明の特徴および利点らは、添付図面に基づいた次の詳細な説明からさらに明白になるであろう。
【００３１】
これに先立ち、本明細書および特許請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的且つ辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ベース基板の両面にトレンチを形成することにより、両面に回路パターンを同時に形成することができるため、製造工程を単純化することができるとともに、微細回路パターンを実現することができるという効果がある。
【００３３】
また、本発明によれば、微細回路層が必要なベース基板の一面にはトレンチを採用し、ベース基板の他面には従来のサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて両面に回路層を同時に形成することにより、製造工程を単純化することができるうえ、製造コストを節約することができるという利点がある。
【００３４】
更に、本発明によれば、トレンチの内部に突起を形成してトレンチの内部を狭い領域に分割することにより、メッキバラツキを改善することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図２】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図３】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図４】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図５】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図６】従来の一例に係るセミアディティブ法によって回路パターンを形成する方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図７】好適な第１実施例に係るプリント基板の断面図である。
【図８】好適な第２実施例に係るプリント基板の断面図である。
【図９】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図１０】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図１１】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図１２】本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図１３】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図１４】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図１５】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図１６】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図１７】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図１８】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図１９】本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図２０】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（１）である。
【図２１】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（２）である。
【図２２】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（３）である。
【図２３】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（４）である。
【図２４】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（５）である。
【図２５】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（６）である。
【図２６】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（７）である。
【図２７】本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図（８）である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は、添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきである。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【００３７】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００３８】
図７は、好適な第１実施例に係るプリント基板の断面図である。次に、図７を参照して、本実施例に係るプリント基板について説明する。
【００３９】
図７に示すように、本実施例に係るプリント基板は、ベース基板１００と、ベース基板１００の両面に積層され、トレンチ１２０が形成された絶縁層１１０と、トレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成された回路パターン１２３およびビア１２５を含む回路層１４０とを含んでなるものである。
【００４０】
ベース基板１００は、例えばコア回路層１０４が両面に形成されたコア絶縁層１０２に、内層回路層１０８の形成された内層絶縁層１０６が積層されるが、内層回路層１０８はコア絶縁層１０２および内層絶縁層１０６を貫通する内層ビアを介して連結された構造を持つ。勿論、図７に示したベース基板１００は例示的なものに過ぎず、ベース基板としては多様な構造の基板を採用することができる。
【００４１】
絶縁層１１０は、ベース基板１００の両面に積層され、回路パターン１２３およびビア１２５形成用のトレンチ１２０が形成される。トレンチ１２０は、全体を陰刻として形成することができるが、陰刻内部の一部領域を除去しないため突起１２７を形成する。この際、突起１２７は、トレンチ１２０が広い領域に形成された場合、トレンチ１２０を狭い領域に分割してメッキが一定の厚さに形成されるように誘導する。
【００４２】
回路層１４０は、回路パターン１２３とビア１２５を含み、トレンチ１２０の内部にメッキ工程を施すことにより形成される。この際、回路層１４０は、トレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成されるので、絶縁層１１０に埋め込まれる。
【００４３】
本実施例に係るプリント基板は、両面に埋め込まれた回路層１４０が形成されるので、従来のセミアディティブ法によって形成された回路層とは異なり回路パターン１２３の下端にアンダーカットが発生しないため、微細回路の実現が容易である。また、トレンチ１２０を用いて両面に回路層１４０を同時に形成することができるので、製造工程を単純化することができるという効果がある。
【００４４】
図８は、好適な第２実施例に係るプリント基板の断面図である。次に、図８を参照して、本実施例に係るプリント基板について説明する。
【００４５】
図８に示すように、本実施例に係るプリント基板は、ベース基板１００と、ベース基板１００の一面に積層され、トレンチ１２０が形成された第１絶縁層２１０と、ベース基板１００の他面に積層され、ビアホール２２５が形成された第２絶縁層２２０と、第１絶縁層２１０に形成されたトレンチ１２０の内部にメッキ工程によって形成された回路パターン１２３およびビア１２５を含む第１回路層２３０と、前記第２絶縁層２２０に形成されたビアを含む第２回路層２４０とを含んでなるものである。
【００４６】
すなわち、本実施例は、ベース基板１００の一面には、第１実施例と同一構造のトレンチ１２０を用いて埋め込まれた第１回路層２３０が形成され、ベース基板１００の他面には、一般的な回路パターン形成法としてのサブトラクティブ法またはセミアディティブ法によって、突出した回路パターンを含む第２回路層２４０が形成される。これ以外は第１実施例と同様なので、重複説明は省略する。
【００４７】
本実施例に係るプリント基板は、一面にはトレンチ１２０を用いて品質および信頼性の高い微細回路を形成することができ、他面には相対的に価格競争力を有するサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を用いて回路層を形成することにより、製造コストを節約することができる。すなわち、本実施例は、プリント基板の一面に選択的に微細な回路が必要な場合に有用である。また、トレンチ１２０を用いた工程とサブトラクティブ法またはセミアディティブ法を同時に行い、両面に回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造コストを単純化することができるという効果がある。
【００４８】
図９〜図１２は、本発明の好適な第１実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、図９に示すように、ベース基板１００の両面に絶縁層１１０を積層する段階である。ここで、ベース基板１００は、コア回路層１０４が両面に形成されたコア絶縁層１０２に、内層回路層１０８の形成された内層絶縁層１０６が積層され、内層回路層１０８はコア絶縁層１０２および内層絶縁層１０６を貫通して形成された内層ビア１２５を介して連結された構造を持つものと示されているが、これは例示的なものに過ぎない。たとえば、ベース基板１００として単層の絶縁材を使用することも可能であり、この場合には追加的な絶縁層１１０を積層する工程なしで次の段階が行われ得る。
【００５０】
その次、図１０に示すように、絶縁層１１０にトレンチ１２０を加工する段階である。この際、トレンチ１２０を狭い領域に分割して次の段階で一定の厚さにメッキ層１５０を形成することができるように、トレンチ１２０を加工するときに陰刻内部の一部領域を除去しないため、突起１２７を形成することができる。
【００５１】
ここで、トレンチ１２０は、当業界における公知のものであれば特に限定されないが、例えばインプリント工法（ｉｍｐｒｉｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）またはレーザー工法（たとえば、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、ＣＯ２レーザー、パルスＵＶ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）エキシマーレーザー）によって加工される。
【００５２】
その次、図１１に示すように、トレンチ１２０の内部を含む絶縁層１１０にメッキ工程によってメッキ層１５０を形成する段階である。メッキ工程は、ベース基板１００に積層された２つの絶縁層１１０で同時に行って製造工程を単純化することが好ましい。さらに詳しく説明すると、まず、トレンチを含む絶縁層１１０に無電解メッキを施して無電解メッキ層１５５を形成し、これを用いて電解メッキによってメッキ層１５０を形成する。
【００５３】
その次、図１２に示すように、絶縁層１１０に過剰形成されたメッキ層１５０を除去して回路層１４０を形成する段階である。前述したメッキ層１５０の形成段階で、メッキ層１５０は、絶縁層１１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成されたメッキ層１５０を除去しなければならない。過剰形成されたメッキ層１５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨、およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することができる。過剰形成された絶縁層１１０の除去工程は、ベース基板１００に積層された２つの絶縁層１１０で同時に行うことにより製造工程を単純化することが好ましい。
【００５４】
図１３〜図１９は、本発明の好適な第２実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００５５】
まず、図１３に示すように、ベース基板１００の一面に第１絶縁層２１０を積層し、ベース基板１００の他面に第２絶縁層２２０を積層する段階である。本実施例において、ベース基板は、前述した第１実施例と同一であり、絶縁層も第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に区分されるが、基本的に、第１実施例の絶縁層１１０と同一である。但し、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に区分した理由は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するためである。
【００５６】
その次、図１４に示すように、第１絶縁層２１０にトレンチ１２０を加工し、第２絶縁層２２０にビアホール２２５を加工する段階である。この際、トレンチ１２０を狭い領域に分割して次の段階で一定の厚さにメッキ層２５０を形成することができるようにトレンチ１２０を加工するときに陰刻内部の一部領域を除去しないため、突起１２７を形成することができる。
【００５７】
第１実施例と同様に、トレンチ１２０は、第１絶縁層２１０にインプリント工法またはレーザー工法（たとえば、Ｎｄ−ＹＡＧ（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、ＣＯ２レーザー、パルスＵＶ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）エキシマーレーザー）によって加工する。また、ビアホール２２５はＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーなどを用いて加工する。
【００５８】
その次、図１５および図１６に示すように、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキして第１メッキ層２５０を形成し、ビアホール２２５を含む第２絶縁層２２０に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキして第２メッキ層２６０を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に対するメッキ工程をそれぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に無電解メッキ層１５５を形成した後、電解メッキを施して製造工程を単純化することが好ましい。
【００５９】
メッキ工程は、無電解メッキと電解メッキに分けられるが、まず、無電解メッキによって無電解メッキ層１５５を形成した後、これを用いて電解メッキを施して第１絶縁層２１０に第１メッキ層２５０を形成し、第２絶縁層２２０に第２メッキ層２６０を形成する。ここで、第１メッキ層２５０と第２メッキ層２６０は、後述の段階で行われる第１メッキ層２５０の除去工程と第２メッキ層２６０のエッチング工程を考慮し、相異なる厚さを持つことができる。
【００６０】
その次、図１７に示すように、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成された第１メッキ層２５０を除去して第１回路層２３０を形成する段階である。前述した第１メッキ層２５０の形成段階で、第１メッキ層２５０は第１絶縁層２１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成された第１メッキ層２５０を除去しなければならない。過剰形成された第１メッキ層２５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することにより、第１回路層２３０を形成することができる。
【００６１】
また、過剰形成された第１メッキ層２５０をエッチングによって除去するとき、第２メッキ層２６０も所定の厚さをエッチングによって除去することができる。この際、決定された第２メッキ層２６０の厚さは、最終的に第２回路層２４０の厚さになる。すなわち、本段階で第１メッキ層２５０をエッチングするとき、第２メッキ層２６０にもエッチングを行うことにより、後述の段階で形成される第２回路層２４０の厚さを決定することができるであろう。
【００６２】
その次、図１８に示すように、第２メッキ層２６０に腐食レジスト２７０を塗布し、回路形成用開口部２７５を形成する段階である。ここで、腐食レジスト２７０は、ドライフィルムなどの感光材を使用することができ、回路形成用開口部２７５は露光、現像によって形成する。一方、次の段階でエッチングによって第２回路層２４０を形成するが、既に形成の完了した第１回路層２３０がエッチングによって損傷するのを防止するために、第１絶縁層２１０には、腐食レジスト２７０を全面塗布することが好ましい。
【００６３】
その次、図１９に示すように、腐食レジスト２７０の回路形成用開口部２７５から露出された第２メッキ層２６０をエッチングによって除去し、腐食レジスト２７０を除去して第２回路層２４０を形成する段階である。回路形成用開口部２７５から露出された第２メッキ層２６０のみを選択的にエッチングすることにより回路パターンを実現した後、塩化鉄、塩化銅などの剥離液を用いて腐食レジスト２７０を剥離することにより、第２回路層２４０を完成する。
【００６４】
本実施例に係るプリント基板の製造方法は、一面はトレンチ１２０を用い、他面はサブトラクティブ法を用いて同時に両面の回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造工程の効率性を増大することができる。
【００６５】
図２０〜図２７は、本発明の好適な第３実施例に係るプリント基板の製造方法を工程順に示す工程断面図である。次に、これらの図を参照して、本実施例に係るプリント基板の製造方法について説明する。
【００６６】
まず、図２０および図２１に示すように、ベース基板１００の一面に第１絶縁層２１０を積層し、ベース基板１００の他面に第２絶縁層２２０を積層する段階と、第１絶縁層２１０にトレンチ１２０を加工し、第２絶縁層２２０にビアホール２２５を加工する段階は、前述した第２実施例と同様なので、その詳細な説明は省略する。
【００６７】
その次、図２２および図２３に示すように、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に無電解メッキ層１５５を形成し、ビアホール２２５を含む第２絶縁層２２０に無電解メッキ層１５５を形成した後、第２絶縁層２２０にメッキレジスト２８０を塗布し、回路形成用開口部２８５を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と第２絶縁層２２０に対する無電解メッキ工程は、それぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に行って製造工程の効率性を増大することが好ましい。一方、第２絶縁層２２０には、無電解メッキ層１５５を形成した後、メッキレジスト２８０を塗布し、メッキレジスト２８０に露光、現像によって回路形成用開口部２８５をパターニングする。回路形成用開口部２８５には、後述の段階で第２メッキ層２６０を形成する。
【００６８】
その次、図２４に示すように、無電解メッキ層１５５に電解メッキを施して、トレンチ１２０を含む第１絶縁層２１０に第１メッキ層２５０を形成し、回路形成用開口部２８５に第２メッキ層２６０を形成する段階である。この際、第１絶縁層２１０と回路形成用開口部２８５に対するメッキ工程は、それぞれ行うこともできるが、図示の如く、同時に行って製造工程の効率性を増大することが好ましい。一方、第１メッキ層２５０と第２メッキ層２６０は、後述の段階で行われる第１メッキ層２５０の除去工程を考慮し、相異なる厚さを持つことができる。
【００６９】
その次、図２５に示すように、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成された第１メッキ層２５０を除去して第１回路層２３０を形成する段階である。前述した第１メッキ層２５０の形成段階で、第１メッキ層２５０は、第１絶縁層２１０の上部に過剰形成されるので、回路パターン１２３としての機能を行うことができない。よって、過剰形成された第１メッキ層２５０を除去しなければならない。過剰形成された第１メッキ層２５０は、機械的研磨、化学的研磨、化学機械的研磨およびエッチングの中から選ばれたいずれか一つまたは組み合わせによって除去することにより、第１回路層２３０を形成することができる。
【００７０】
また、過剰形成された第１メッキ層２５０をエッチングによって除去するとき、第２メッキ層２６０も所定の厚さを、エッチングによって除去することができる。この際、決定された第２メッキ層２６０の厚さは、最終的に第２回路層２４０の厚さになる。すなわち、本段階で第１メッキ層２５０をエッチングするとき、第２メッキ層２６０にもエッチングを行うことにより、後述の段階で形成される第２回路層２４０の厚さを決定することができるであろう。
【００７１】
その次、図２６および図２７に示すように、メッキレジスト２８０を剥離し、無電解メッキ層１５５を除去して第２回路層２４０を形成する段階である。ここで、無電解メッキ層１５５は、第２メッキ層２６０が形成されていない部分のみを選択的に除去するのは勿論のこと、通常、フラッシュエッチング、クイックエッチングなどによって除去する。
【００７２】
本実施例に係るプリント基板の製造方法は、一面はトレンチ１２０を用い、他面はセミアディティブ法を用いて同時に両面の回路層２３０、２４０を形成することができるので、製造工程の効率性を増大することができる。
【００７３】
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これらの実施例は本発明を具体的に説明するためのものに過ぎない。本発明に係るプリント基板の製造方法は、これらの実施例に限定されず、本発明の技術的思想内において、当該分野における通常の知識を有する者によって多様な変形および改良が可能である。
【００７４】
本発明の単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、微細回路パターンを有し、且つ多層であるプリント基板の製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１００ ベース基板
１０２ コア絶縁層
１０４ コア回路層
１０６ 内層絶縁層
１０８ 内層回路層
１１０ 絶縁層
１２０ トレンチ
１２３ 回路パターン
１２５ ビア
１２７ 突起
１４０ 回路層
１５０ メッキ層
１５５ 無電解メッキ層
２１０ 第１絶縁層
２２０ 第２絶縁層
２２５ ビアホール
２３０ 第１回路層
２４０ 第２回路層
２５０ 第１メッキ層
２６０ 第２メッキ層
２７０ 腐食レジスト
２７５、２８５ 回路形成用開口部
２８０ メッキレジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ベース基板の両面に絶縁層を積層する段階と、
（Ｂ）前記絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工する段階と、
（Ｃ）前記トレンチの内部を含む前記絶縁層にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、
（Ｄ）前記絶縁層に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記（Ｃ）段階において、
前記メッキ層が、前記トレンチを含む前記絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキによって形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｄ）段階において、
前記回路層が、過剰形成された前記メッキ層をエッチングによって除去して形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記（Ｄ）段階において、
前記回路層が、過剰形成された前記メッキ層を研磨によって除去して形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階と、
（Ｂ）前記第１絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工し、前記第２絶縁層にビアホールを加工する段階と、
（Ｃ）前記第１絶縁層に形成された前記トレンチの内部にメッキ工程によって第１回路層を形成し、前記第２絶縁層に、メッキ工程によってビアを含む第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第２メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ２）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、
（Ｃ３）前記第２メッキ層に腐食レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、
（Ｃ４）前記回路形成用開口部から露出された前記第２メッキ層をエッチングによって除去し、前記腐食レジストを除去して第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ１）段階において、
前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとが、互いに異なることを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、エッチングによって除去することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することを特徴とする請求項８に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、研磨によって除去することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、第２絶縁層にメッキレジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、
（Ｃ２）前記無電解メッキ層に電解メッキを施して、前記トレンチを含む第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記回路形成用開口部に第２メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ３）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、
（Ｃ４）前記メッキレジストを剥離し、前記無電解メッキ層を除去して第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとが、互いに異なることを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、エッチングによって除去することを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することを特徴とする請求項１３に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、研磨によって除去することを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１】
（Ａ）ベース基板の両面に絶縁層を積層する段階と、
（Ｂ）前記絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工する段階と、
（Ｃ）前記トレンチの内部を含む前記絶縁層にメッキ工程によってメッキ層を形成する段階と、
（Ｄ）前記絶縁層に過剰形成された前記メッキ層を除去して回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記（Ｃ）段階において、
前記メッキ層が、前記トレンチを含む前記絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキによって形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｄ）段階において、
前記回路層が、過剰形成された前記メッキ層をエッチングによって除去して形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記（Ｄ）段階において、
前記回路層が、過剰形成された前記メッキ層を研磨によって除去して形成することを特徴とする請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
（Ａ）ベース基板の一面に第１絶縁層を積層し、前記ベース基板の他面に第２絶縁層を積層する段階と、
（Ｂ）前記第１絶縁層に陰刻内部の一部領域を除去せず突起が形成されたトレンチを加工し、前記第２絶縁層にビアホールを加工する段階と、
（Ｃ）前記第１絶縁層に形成された前記トレンチの内部にメッキ工程によって第１回路層を形成し、前記第２絶縁層に、メッキ工程によってビアを含む第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第１メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、電解メッキして第２メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ２）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、
（Ｃ３）前記第２メッキ層に腐食レジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、
（Ｃ４）前記回路形成用開口部から露出された前記第２メッキ層をエッチングによって除去し、前記腐食レジストを除去して第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ１）段階において、
前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとが、互いに異なることを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、エッチングによって除去することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することを特徴とする請求項８に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、研磨によって除去することを特徴とする請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｃ）段階が、
（Ｃ１）前記トレンチを含む第１絶縁層に無電解メッキ層を形成し、前記ビアホールを含む第２絶縁層に無電解メッキ層を形成した後、第２絶縁層にメッキレジストを塗布し、回路形成用開口部を形成する段階と、
（Ｃ２）前記無電解メッキ層に電解メッキを施して、前記トレンチを含む第１絶縁層に第１メッキ層を形成し、前記回路形成用開口部に第２メッキ層を形成する段階と、
（Ｃ３）前記第１絶縁層に過剰形成された第１メッキ層を除去して第１回路層を形成する段階と、
（Ｃ４）前記メッキレジストを剥離し、前記無電解メッキ層を除去して第２回路層を形成する段階とを含んでなることを特徴とする請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｃ２）段階において、
前記第１メッキ層の厚さと前記第２メッキ層の厚さとが、互いに異なることを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、エッチングによって除去することを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１メッキ層をエッチングによって除去するとき、前記第２メッキ層の所定の厚さをエッチングによって除去することを特徴とする請求項１３に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｃ３）段階において、
前記第１絶縁層に過剰形成された前記第１メッキ層が、研磨によって除去することを特徴とする請求項１１に記載のプリント基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１２−２２７５５７（Ｐ２０１２−２２７５５７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８３２１９（Ｐ２０１２−１８３２１９）
【出願日】平成２４年８月２２日（２０１２．８．２２）
【分割の表示】特願２００９−２７８８４６（Ｐ２００９−２７８８４６）の分割
【原出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２２日（２０１２．８．２２）
【分割の表示】特願２００９−２７８８４６（Ｐ２００９−２７８８４６）の分割
【原出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]