プローブ
【課題】半導体素子の電気的特性の検査に用いられるプローブに関し、プローブへのハンダ転写防止と耐磨耗性・安定した電気的特性を維持できるプローブを提供しようとするものである。
【解決手段】半導体素子の電極と接触する端子部１１０を備えたプローブ１００において、端子部１１０の基材１１１の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層１２１、１２２；１３１〜１３３；１４１、１４３；１５２、１５３を形成したことを特徴とする
【解決手段】半導体素子の電極と接触する端子部１１０を備えたプローブ１００において、端子部１１０の基材１１１の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層１２１、１２２；１３１〜１３３；１４１、１４３；１５２、１５３を形成したことを特徴とする
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の電気的特性の検査に用いられるプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子の電気的特性の検査は、プローブを半導体素子等に形成された複数の電極パッドに圧接することによって行なわれている。
【０００３】
このようなプローブには、低抵抗、耐腐食性、高耐久性が要求されている。プローブに、高耐久性が要求されるのは、電気的特性の検査は、通常何万回もの繰り返しで行なわれるためである。このため、プローブは、十分な強度を確保しなくてはならず、被検査品の電極パッドに圧接する部分は、高硬度であることが必要である。さらに、針材（以降、基材とする）となるものは、半導体素子の微細化に伴い加工性に優れたものが望ましい。
【０００４】
そのため、プローブは、加工性のすぐれた基材に強度に優れたものを被覆する構造を持つものが一般的で、より具体的には、Ｂｅ（ベリリウム）−Ｃｕ（銅）合金、Ｆｅ（鉄）の元素等を含んだ合金を基材として、低抵抗層となるＮｉ（ニッケル）メッキやＡｕ（金）メッキを表面側に被覆した構造のものや、耐久性に優れたＷ（タングステン）とＣ（炭素）の合金を表面側に被覆した構成とされている。
【０００５】
さらに、半導体素子の電気的特性確認は、パッケージ品を検査するのもある。パッケージの種類は数多くあるが、パッケージ品は外部回路との接続のため、Ｓｎ（スズ）メッキ処理やハンダ付け処理がパッケージ内部の半導体素子と接続されているリード部に施されている。
【０００６】
プローブでこのようなハンダ付け処理されたリード部を圧接して、電気的特性の検査を行なった場合、検査回数が増えるにつれて、ハンダ主成分であるＳｎがプローブの先端に溶着してプローブの接触抵抗が大きくなり、安定した検査結果が維持できないという問題を有していた。
【０００７】
これに加えて、環境負荷低減のために、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ系のＰｂフリーハンダが広く使用された結果、プローブ先端へのＳｎ溶着がより顕著となった。
【０００８】
ハンダ溶着防止手法として、例えば、カーボンと導電性元素を含有させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、他のハンダ溶着防止手法として、高硬度で化学的に安定な白金族をプローブ先端に形成する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３１８２４７号公報
【特許文献２】特開２００２−１３１３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載された技術では、カーボンと導電性元素を含有させた場合、密着性が劣化し、機械的強度を維持できないなどの課題を有していた。また、特許文献２に記載された技術では、耐久性及び抵抗特性を考慮して厚膜化にすると金属にクラックが入るという課題を有していた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであって、プローブへのハンダ転写防止と耐磨耗性・安定した電気的特性を長期間維持できるプローブを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１は、半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成したことを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項２は、請求項１において、白金族系元素を含む材料を、プラチナ、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項３は、請求項１又は２において、基材を、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、タングステン、銅、亜鉛、金のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項４は、請求項１乃至３において、基材と複数の被膜層の内側の被膜層との間にコバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる下地層を形成したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項５は、請求項１乃至４において、複数の被膜層の間に、コバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる中間層を形成したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項６は、請求項１乃至５において、複数の被膜層を、パラジウム、プラチナのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層の外側に、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層が形成したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項７は、請求項１乃至６において、複数の被膜層のうち、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムを、プラチナ、パラジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜３．０μｍ以内とし、複数の被膜層のうち、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜５．０μｍ以内とし、複数の被膜層の膜厚の合計を、０．１μｍ〜５．１μｍ以内としたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項８は、請求項１乃至７において、供給される測定電流が、１ｍＡ以上で使用されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項９の製造方法は、請求項１乃至８に記載において、複数の被膜層を、いずれも湿式メッキ法により形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成することにより、プローブの先端にＳｎが溶着することを防止できるとともに、耐久性に優れたプローブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施例の構成図であり、図１（ａ）は端子部の斜視図、図１（ｂ）は、実施例１、実施例２、実施例３、実施例８、実施例９の被膜層の構成図、図１（ｃ）は、実施例４、実施例６の被膜層の構成図、図１（ｄ）は、実施例５の被膜層の構成図、図１（ｅ）は、実施例７の被膜層の構成図である。
【図２】白金族系元素の導電率及びモース硬度を示す図である。
【図３】被膜層の構成に対する完全剥離荷重、初期抵抗、耐久後抵抗を示す図である。
【図４】コンタクト回数に対する接触抵抗の変化を示す特性図である。
【図５】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＲｕからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図６】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＩｒからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図７】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＲｈからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図８】Ｐｄからなる被膜層の膜厚に対するＲｕからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図９】Ｐｄからなる被膜層の膜厚に対するＲｈからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図１０】Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｄからなる３層の被膜層構造の膜厚に対するＰｄからなる被膜層の膜厚に対するＩｒからなる被膜の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本実施例のプローブ１００は、図１（ａ）に示すように、半導体素子の電極と接触する端子部１１０を備えたものである。端子部１１０は、例えば、図１（ｂ）、図１（ｃ）、図１（ｄ）、図１（ｅ）に示すような、基材１１１の表面に、異なる白金族系元素を含む材料が隣接して配置された複数の被膜層から構成されている。
【００２３】
図１（ｂ）は、基材１１１の表面に第１被膜層１２１、第２被膜層１２２を形成したものである。図１（ｃ）は、基材１１１の表面に第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成したものである。図１（ｄ）は、第１被膜層１４１と第２被膜層１４３との間に、中間層１４２を形成したものである。
図１（ｅ）は、基材１１１に下地層１５１を形成し、下地層１５１の上部に第１被膜層１５２、第２被膜層１５３を形成したものである。
【００２４】
基材１１１は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）のうち少なくとも一つの元素を含む材料からから構成されている。また、第１被膜層１２１、第２被膜層１２２／第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３／第１被膜層１４１、第２被膜層１４３／第１被膜層１５２、第２被膜層１５３は、白金族系元素を含む材料、特に、プラチナ（以降、Ｐｔ）、ルテニウム（以降、Ｒｕ）、ロジウム（以降、Ｒｈ）、パラジウム（以降、Ｐｄ）、オスミウム（以降、Ｏｓ）、イリジウム（以降、Ｉｒ）のうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成されている。
第１被膜層１２１、第２被膜層１２２、又は第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３、又は第１被膜層１４１、第２被膜層１４３、又は第１被膜層１５２、第２被膜層１５３を構成する材料に含まれる白金族系元素は、図２に示すようにＰｔ、Ｐｄのモース硬度がＩｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈより低い。
硬度が高い程、厚膜化すると、クラックが発生しやすくなる。一方、硬度が低いと摩耗などにより弱くなる。このため、硬度の低い材料を基材１１１側に形成し、表面に近い側に硬度の高い材料を形成することが好適である。
また、中間層１４２、下地層１５１は、コバルト（以降、Ｃｏ）、金（以降、Ａｕ）、チタン（以降、Ｔｉ）、ニッケル（以降、Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成されている。
【００２５】
また、白金族系元素を含む材料による複数の被膜層は、スパッタリング法、湿式メッキ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの公知の方法を用いて形成されている。このうち、湿式メッキ法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などに比べて電気的特性の改善、価格低減と処理時間の観点では、優れている。このため、プローブ１００においては、複数の被膜層を湿式メッキ法により形成することが好適である。
【００２６】
次に、基材１１１の表面に異なる白金族系元素を含む材料が隣接して配置された複数の被膜層を形成した実施例を、図３を参照して説明する。
図３において、完全剥離荷重は、ＣＳＭ社製の自動スクラッチ試験機「Ｒｅｖｅｔｅｓｔ」を用い、スクラッチ条件測定子を先端形状が先端角１２０度の円錐形状のダイアモンド圧子とし、測定条件として、開始荷重を２Ｎ、最大荷重を７０Ｎ、スクラッチスピードを５．８６ｍｍ／ｍｉｎ、ローディングレートを６８Ｎ／ｍｉｎとして測定を行った結果から求めている。完全剥離荷重は、例えば、測定装置で測定している荷重値が急激に変化したときの荷重値とする。
また、接触抵抗とは、プローブ１００をＳｎメッキプレートされた面に向かって徐々に降下させ、プローブ１００とＳｎメッキプレートとの導通がとれた位置を０μｍとして、更にプローブ１００をＳｎメッキプレートの方向に１５０μｍ押し込み、プローブ１００に１ｍＡの電流を流したときに測定される電気抵抗である。測定は、プローブ１００のＳｎメッキプレートとの接触する位置を変更しながら１０００００回以上にわたって行われる。初期抵抗は、最初に測定された接触抵抗であり、耐久後抵抗は、１０００００回測定後の接触抵抗である。
【００２７】
図３の実施例１は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｔを１μｍ、第２被膜層１２２としてＲｕを１μｍ形成したものである。
図３の実施例１の構成では、完全剥離荷重は、５８Ｎ、初期抵抗は２８ｍΩ、耐久後抵抗は、３２ｍΩとなった。
図３の実施例２は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｄを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。図３の実施例２の構成では、完全剥離荷重は、５５Ｎ、初期抵抗は２３ｍΩ、耐久後抵抗は、２７ｍΩとなった。
【００２８】
図３の実施例３は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｄ−Ｃｏ合金を１μｍ、第２被膜層１２２としてＲｈを１μｍ、形成したものである。図３の実施例３の構成では、完全剥離荷重は、４５Ｎ、初期抵抗は２２ｍΩ、耐久後抵抗は、２６ｍΩとなった。
図３の実施例４は、図１（ｃ）において、第１被膜層１３１として、Ｐｄ−Ｃｏ合金を０．５μｍ、第２被膜層１３２としてＰｄを０．５μｍ、第３被膜層１３３としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例４の構成では、完全剥離荷重は、４８Ｎ、初期抵抗は２４ｍΩ、耐久後抵抗は、２８ｍΩとなった。
【００２９】
図３の実施例５は、図１（ｄ）において、第１被膜層１４１として、Ｐｄを１μｍ、中間層１４２としてＣｕを０．２μｍ、第２被膜層１４３としてＩｒを０．８μｍ形成したものである。
図３の実施例５の構成では、完全剥離荷重は、６０Ｎ、初期抵抗は２１ｍΩ、耐久後抵抗は、２３．５ｍΩとなった。
図３の実施例６は、図１（ｃ）において、第１被膜層１３１として、Ｐｄを１μｍ、第２被膜層１３２としてＩｒを０．８μｍ、第３被膜層１３３としてＰｄを０．２μｍ形成したものである。
図３の実施例６の構成では、完全剥離荷重は、５５Ｎ、初期抵抗は２５ｍΩ、耐久後抵抗は、３２ｍΩとなった。
【００３０】
図３の実施例７は、図１（ｅ）において、下地層１５１として、Ｃｕを０．２μｍ、第２被膜層１５３としてＰｄを０．８μｍ、第１被膜層１５２として、Ｉｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例７の構成では、完全剥離荷重は、６０Ｎ、初期抵抗は２０ｍΩ、耐久後抵抗は、２３ｍΩとなった。
【００３１】
図３の実施例８は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｒｕを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例８の構成では、完全剥離荷重は、１１Ｎ、初期抵抗は２１ｍΩ、耐久後抵抗は、３６ｍΩとなった。
図３の実施例９は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｒｈを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例９の構成では、完全剥離荷重は、１３Ｎ、初期抵抗は１７ｍΩ、耐久後抵抗は、３３ｍΩとなった。
【００３２】
なお、実施例１−実施例３、実施例８、実施例９において、基材１１１上の第１被膜層１２１、第２被膜層１２２との合計膜厚、及び実施例４、実施例６における第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計膜厚、実施例５における第１被膜層１４１、中間層１４２、第２被膜層１４３の合計膜厚、実施例７における下地層１５１、第１被膜層１５２、第２被膜層１５３の合計膜厚は、各々２μｍとなるようにしている。
【００３３】
一方、比較例１は、基材１１１にＰｔを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、６６Ｎ、初期抵抗は、３１ｍΩ、耐久後抵抗は、９９ｍΩとなる。比較例２は、基材１１１にＰｄを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、６５Ｎ、初期抵抗は、３１ｍΩ、耐久後抵抗は、７５ｍΩとなる。比較例３は、基材１１１にＲｕを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、１２Ｎ、初期抵抗は、２６ｍΩ、耐久後抵抗は、１３０ｍΩとなる。比較例４は、基材１１１にＡｕを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、４４Ｎ、初期抵抗は、１１ｍΩ、耐久後抵抗は、１５０ｍΩとなる。比較例５は、基材１１１にＩｒを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、１２Ｎ、初期抵抗は、１８ｍΩ、耐久後抵抗は、１２０ｍΩとなる。
【００３４】
図３に示すように、実施例１−実施例７は、完全剥離荷重が４８Ｎ以上あり、比較例３−５に比べて完全剥離荷重が、十分に大きい。よって、機械的耐久性が向上していることがわかる。また、実施例１−実施例９は、耐久後抵抗が３６ｍΩ以下であり、比較例１−５のいずれに対しても耐久後抵抗が極めて小さく電気的耐久性も向上していることがわかる。
【００３５】
また、図４に示すように、実施例１−５及び比較例１−４のコンタクト回数に対する抵抗の変化を示しており、Ａは、実施例１、Ｂは、実施例２、Ｃは、実施例３、Ｄは、実施例４、Ｅは、実施例５、ａは、比較例１、ｂは、比較例２、ｃは、比較例３、ｄは、比較例４の抵抗の変化を示している。
図４に示すように、比較例１−４がコンタクト回数が１００００回以降で、抵抗値が大幅に増大するのに対し、実施例１−５は、接触抵抗値はほとんど変化していないことがわかる。
【００３６】
また、１０００００回の接触抵抗測定後のプローブの先端部の状態についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察及びＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）分析を行った。その結果、実施例１−７では、プローブピンの先端にＳｎ酸化物の付着がほとんど認められなかった。これに対し、比較例１−５では、Ｓｎ酸化物の付着が見られ、比較例３及び５では、一部メッキ剥がれが生じていた。
このように、実施例１−７では、比較例１−５に比べて機械的耐久性、及び電気的耐久性が大幅に向上することがわかる。
【００３７】
なお、白金族元素による被膜層の厚さは元素により適性厚が異なる。Ｐｄ及びＰｔを含有する場合には、図２に示すように硬度が比較的低いため、０．０５μｍから５μｍ以内で形成することが望ましい。また、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓを含有する材料の場合には、図２に示すように硬度が高いため、厚膜化するとクラックが入りやすいため、０．０５μｍから３μｍ以内であることが望ましい。ただし、一層に、例えば、ＰｄとＲｕが同時に含まれる場合は、より割合が多い元素の膜厚が基準となる。
【００３８】
これらを複数層形成した場合、少なくとも１層にＰｄ及びＰｔを含む層との組み合わせでは合計厚が０．１μｍから５．１μｍ以内で、Ｐｄ及びＰｔがない場合は、合計で０．１μｍから３．１μｍ以内であることが望ましい。電気抵抗及び耐久性の観点からは、厚膜化することが望ましく、少なくとも１層にＰｄ及びＰｔを含む層との組み合わせがより望ましいものである。
【００３９】
また、白金族系元素のうち、Ｐｄ、ＰｔよりもＲｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈが硬いので、硬度の高い材料を最表面に形成することが望ましい。
次に、第１被膜層１２１と第２被膜層１２２との膜厚の関係について説明する。
実施例１では、膜厚を合計で２μｍとして例について説明したが、第１被膜層１２１、及び第２被膜層１２２は、種々の膜厚が設定可能である。
【００４０】
図５において、線分ａは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚に対するＲｕからなる第２被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。なお、良好な関係とは、クラックなどを発生することなく被膜を最も厚く形成可能な膜厚の関係のことである。
図５の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略２．０μｍとしたときには、Ｒｕからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．９μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４１】
また、図５において、線分ｂは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１と第２被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図５の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．５μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚とＲｕからなる第２被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１２１、及び第２被膜層１２２を形成できる。
【００４２】
図６において、線分ａは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図６の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略３．４μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４３】
また、図６において、線分ｂは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１とＩｒからなる第２被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図６の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４４】
図７において、線分ａは、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｈからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図７の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略４．０μｍとしたときには、Ｒｈからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
また、図７において、線分ｂは、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｈからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図７の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を３．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．５μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚とＲｈからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４５】
図８において、線分ａは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｕからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図８の線分ａにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を略３．５μｍとしたときには、Ｒｕからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
また、図８において、線分ｂは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｕからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図８の線分ｂにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．５μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．０μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚とＲｕからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４６】
図９において、線分ａは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｈからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図９の線分ａにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を略２．５μｍとしたときには、Ｒｈからなる第２被膜層１２２の膜厚は、２．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４７】
また、図９において、線分ｂは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｈからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図９の線分ｂにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．０μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚とＲｈからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜層１２１、１２２を形成できる。
【００４８】
次に、被膜層１３１、１３２、１３３の膜厚の関係について説明する。
図１０において、線分ａ１は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ１において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．３μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、２．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ１より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００４９】
線分ａ２は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ２において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．７μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．８μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５０】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ２より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５１】
線分ａ３は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ３において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．０μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．７μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５２】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ３より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ａ４は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ４において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．５μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．４μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ４より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５３】
また、図１０において、線分ｂ１は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときのＰｄからなる被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ１において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．３μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚は、３．８μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５４】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ１より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ｂ２は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ２において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．７μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚は、４．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ２より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５５】
線分ｂ３は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ３において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．０μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計は、４．１μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５６】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第３被膜層１３３の第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ３より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ｂ４は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときのＰｄからなる被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
【００５７】
図１０の線分ｂ４において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．５μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１の膜厚、第２被膜層１３２の膜厚、第３被膜層１３３の膜厚の合計は、４．２μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときには、Ｐｄからなる第１被膜層１３１、Ｉｒからなる第２被膜１３２、Ｐｄからなる第３被膜１３３の合計の膜厚を線分ｂ４より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
なお、上記実施例１−９では、複数の被膜層として２〜３層の被膜層を形成した例について説明しているが、複数の被膜層は、２〜３層に限定されるものではなく、４層以上の被膜層を形成してもよいことは言うまでもない。要は、基材１１１の表面に形成される被膜が、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を含む構成であれば、実施例１〜実施例９の例に限定されるものではない。
【００５８】
なお、プローブは、検査時に通電される電流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇し、ハンダが溶着しやすくなるが、測定により１ｍＡ以上の電流であれば効果が得られることが確認できた。
さらに、本発明のプローブは、その形状は制限されない。例えば、湾曲形状プローブのものや直線と途中で屈曲した形状のものなど様々なプローブに適用できることは言うまでもない。
【００５９】
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱しない範囲で種々の変形例が考えられることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６０】
１００ プローブ
１１０ 端子部
１１１ 基材
１２１ 第１被膜層
１２２ 第２被膜層
１３１ 第１被膜層
１３２ 第２被膜層
１３３ 第３被膜層
１４１ 第１被膜層
１４２ 中間層
１４３ 第２被膜層
１５１ 下地層
１５２ 第１被膜層
１５３ 第２被膜層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の電気的特性の検査に用いられるプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子の電気的特性の検査は、プローブを半導体素子等に形成された複数の電極パッドに圧接することによって行なわれている。
【０００３】
このようなプローブには、低抵抗、耐腐食性、高耐久性が要求されている。プローブに、高耐久性が要求されるのは、電気的特性の検査は、通常何万回もの繰り返しで行なわれるためである。このため、プローブは、十分な強度を確保しなくてはならず、被検査品の電極パッドに圧接する部分は、高硬度であることが必要である。さらに、針材（以降、基材とする）となるものは、半導体素子の微細化に伴い加工性に優れたものが望ましい。
【０００４】
そのため、プローブは、加工性のすぐれた基材に強度に優れたものを被覆する構造を持つものが一般的で、より具体的には、Ｂｅ（ベリリウム）−Ｃｕ（銅）合金、Ｆｅ（鉄）の元素等を含んだ合金を基材として、低抵抗層となるＮｉ（ニッケル）メッキやＡｕ（金）メッキを表面側に被覆した構造のものや、耐久性に優れたＷ（タングステン）とＣ（炭素）の合金を表面側に被覆した構成とされている。
【０００５】
さらに、半導体素子の電気的特性確認は、パッケージ品を検査するのもある。パッケージの種類は数多くあるが、パッケージ品は外部回路との接続のため、Ｓｎ（スズ）メッキ処理やハンダ付け処理がパッケージ内部の半導体素子と接続されているリード部に施されている。
【０００６】
プローブでこのようなハンダ付け処理されたリード部を圧接して、電気的特性の検査を行なった場合、検査回数が増えるにつれて、ハンダ主成分であるＳｎがプローブの先端に溶着してプローブの接触抵抗が大きくなり、安定した検査結果が維持できないという問題を有していた。
【０００７】
これに加えて、環境負荷低減のために、Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ系のＰｂフリーハンダが広く使用された結果、プローブ先端へのＳｎ溶着がより顕著となった。
【０００８】
ハンダ溶着防止手法として、例えば、カーボンと導電性元素を含有させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、他のハンダ溶着防止手法として、高硬度で化学的に安定な白金族をプローブ先端に形成する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３１８２４７号公報
【特許文献２】特開２００２−１３１３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載された技術では、カーボンと導電性元素を含有させた場合、密着性が劣化し、機械的強度を維持できないなどの課題を有していた。また、特許文献２に記載された技術では、耐久性及び抵抗特性を考慮して厚膜化にすると金属にクラックが入るという課題を有していた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであって、プローブへのハンダ転写防止と耐磨耗性・安定した電気的特性を長期間維持できるプローブを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１は、半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成したことを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項２は、請求項１において、白金族系元素を含む材料を、プラチナ、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項３は、請求項１又は２において、基材を、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、タングステン、銅、亜鉛、金のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項４は、請求項１乃至３において、基材と複数の被膜層の内側の被膜層との間にコバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる下地層を形成したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項５は、請求項１乃至４において、複数の被膜層の間に、コバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる中間層を形成したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項６は、請求項１乃至５において、複数の被膜層を、パラジウム、プラチナのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層の外側に、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層が形成したことを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項７は、請求項１乃至６において、複数の被膜層のうち、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムを、プラチナ、パラジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜３．０μｍ以内とし、複数の被膜層のうち、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜５．０μｍ以内とし、複数の被膜層の膜厚の合計を、０．１μｍ〜５．１μｍ以内としたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項８は、請求項１乃至７において、供給される測定電流が、１ｍＡ以上で使用されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項９の製造方法は、請求項１乃至８に記載において、複数の被膜層を、いずれも湿式メッキ法により形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成することにより、プローブの先端にＳｎが溶着することを防止できるとともに、耐久性に優れたプローブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施例の構成図であり、図１（ａ）は端子部の斜視図、図１（ｂ）は、実施例１、実施例２、実施例３、実施例８、実施例９の被膜層の構成図、図１（ｃ）は、実施例４、実施例６の被膜層の構成図、図１（ｄ）は、実施例５の被膜層の構成図、図１（ｅ）は、実施例７の被膜層の構成図である。
【図２】白金族系元素の導電率及びモース硬度を示す図である。
【図３】被膜層の構成に対する完全剥離荷重、初期抵抗、耐久後抵抗を示す図である。
【図４】コンタクト回数に対する接触抵抗の変化を示す特性図である。
【図５】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＲｕからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図６】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＩｒからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図７】Ｐｔからなる被膜層の膜厚に対するＲｈからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図８】Ｐｄからなる被膜層の膜厚に対するＲｕからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図９】Ｐｄからなる被膜層の膜厚に対するＲｈからなる被膜層の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【図１０】Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｄからなる３層の被膜層構造の膜厚に対するＰｄからなる被膜層の膜厚に対するＩｒからなる被膜の膜厚、及び合計の膜厚の最適な膜厚の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本実施例のプローブ１００は、図１（ａ）に示すように、半導体素子の電極と接触する端子部１１０を備えたものである。端子部１１０は、例えば、図１（ｂ）、図１（ｃ）、図１（ｄ）、図１（ｅ）に示すような、基材１１１の表面に、異なる白金族系元素を含む材料が隣接して配置された複数の被膜層から構成されている。
【００２３】
図１（ｂ）は、基材１１１の表面に第１被膜層１２１、第２被膜層１２２を形成したものである。図１（ｃ）は、基材１１１の表面に第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成したものである。図１（ｄ）は、第１被膜層１４１と第２被膜層１４３との間に、中間層１４２を形成したものである。
図１（ｅ）は、基材１１１に下地層１５１を形成し、下地層１５１の上部に第１被膜層１５２、第２被膜層１５３を形成したものである。
【００２４】
基材１１１は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）のうち少なくとも一つの元素を含む材料からから構成されている。また、第１被膜層１２１、第２被膜層１２２／第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３／第１被膜層１４１、第２被膜層１４３／第１被膜層１５２、第２被膜層１５３は、白金族系元素を含む材料、特に、プラチナ（以降、Ｐｔ）、ルテニウム（以降、Ｒｕ）、ロジウム（以降、Ｒｈ）、パラジウム（以降、Ｐｄ）、オスミウム（以降、Ｏｓ）、イリジウム（以降、Ｉｒ）のうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成されている。
第１被膜層１２１、第２被膜層１２２、又は第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３、又は第１被膜層１４１、第２被膜層１４３、又は第１被膜層１５２、第２被膜層１５３を構成する材料に含まれる白金族系元素は、図２に示すようにＰｔ、Ｐｄのモース硬度がＩｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｈより低い。
硬度が高い程、厚膜化すると、クラックが発生しやすくなる。一方、硬度が低いと摩耗などにより弱くなる。このため、硬度の低い材料を基材１１１側に形成し、表面に近い側に硬度の高い材料を形成することが好適である。
また、中間層１４２、下地層１５１は、コバルト（以降、Ｃｏ）、金（以降、Ａｕ）、チタン（以降、Ｔｉ）、ニッケル（以降、Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成されている。
【００２５】
また、白金族系元素を含む材料による複数の被膜層は、スパッタリング法、湿式メッキ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの公知の方法を用いて形成されている。このうち、湿式メッキ法は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などに比べて電気的特性の改善、価格低減と処理時間の観点では、優れている。このため、プローブ１００においては、複数の被膜層を湿式メッキ法により形成することが好適である。
【００２６】
次に、基材１１１の表面に異なる白金族系元素を含む材料が隣接して配置された複数の被膜層を形成した実施例を、図３を参照して説明する。
図３において、完全剥離荷重は、ＣＳＭ社製の自動スクラッチ試験機「Ｒｅｖｅｔｅｓｔ」を用い、スクラッチ条件測定子を先端形状が先端角１２０度の円錐形状のダイアモンド圧子とし、測定条件として、開始荷重を２Ｎ、最大荷重を７０Ｎ、スクラッチスピードを５．８６ｍｍ／ｍｉｎ、ローディングレートを６８Ｎ／ｍｉｎとして測定を行った結果から求めている。完全剥離荷重は、例えば、測定装置で測定している荷重値が急激に変化したときの荷重値とする。
また、接触抵抗とは、プローブ１００をＳｎメッキプレートされた面に向かって徐々に降下させ、プローブ１００とＳｎメッキプレートとの導通がとれた位置を０μｍとして、更にプローブ１００をＳｎメッキプレートの方向に１５０μｍ押し込み、プローブ１００に１ｍＡの電流を流したときに測定される電気抵抗である。測定は、プローブ１００のＳｎメッキプレートとの接触する位置を変更しながら１０００００回以上にわたって行われる。初期抵抗は、最初に測定された接触抵抗であり、耐久後抵抗は、１０００００回測定後の接触抵抗である。
【００２７】
図３の実施例１は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｔを１μｍ、第２被膜層１２２としてＲｕを１μｍ形成したものである。
図３の実施例１の構成では、完全剥離荷重は、５８Ｎ、初期抵抗は２８ｍΩ、耐久後抵抗は、３２ｍΩとなった。
図３の実施例２は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｄを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。図３の実施例２の構成では、完全剥離荷重は、５５Ｎ、初期抵抗は２３ｍΩ、耐久後抵抗は、２７ｍΩとなった。
【００２８】
図３の実施例３は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｐｄ−Ｃｏ合金を１μｍ、第２被膜層１２２としてＲｈを１μｍ、形成したものである。図３の実施例３の構成では、完全剥離荷重は、４５Ｎ、初期抵抗は２２ｍΩ、耐久後抵抗は、２６ｍΩとなった。
図３の実施例４は、図１（ｃ）において、第１被膜層１３１として、Ｐｄ−Ｃｏ合金を０．５μｍ、第２被膜層１３２としてＰｄを０．５μｍ、第３被膜層１３３としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例４の構成では、完全剥離荷重は、４８Ｎ、初期抵抗は２４ｍΩ、耐久後抵抗は、２８ｍΩとなった。
【００２９】
図３の実施例５は、図１（ｄ）において、第１被膜層１４１として、Ｐｄを１μｍ、中間層１４２としてＣｕを０．２μｍ、第２被膜層１４３としてＩｒを０．８μｍ形成したものである。
図３の実施例５の構成では、完全剥離荷重は、６０Ｎ、初期抵抗は２１ｍΩ、耐久後抵抗は、２３．５ｍΩとなった。
図３の実施例６は、図１（ｃ）において、第１被膜層１３１として、Ｐｄを１μｍ、第２被膜層１３２としてＩｒを０．８μｍ、第３被膜層１３３としてＰｄを０．２μｍ形成したものである。
図３の実施例６の構成では、完全剥離荷重は、５５Ｎ、初期抵抗は２５ｍΩ、耐久後抵抗は、３２ｍΩとなった。
【００３０】
図３の実施例７は、図１（ｅ）において、下地層１５１として、Ｃｕを０．２μｍ、第２被膜層１５３としてＰｄを０．８μｍ、第１被膜層１５２として、Ｉｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例７の構成では、完全剥離荷重は、６０Ｎ、初期抵抗は２０ｍΩ、耐久後抵抗は、２３ｍΩとなった。
【００３１】
図３の実施例８は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｒｕを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例８の構成では、完全剥離荷重は、１１Ｎ、初期抵抗は２１ｍΩ、耐久後抵抗は、３６ｍΩとなった。
図３の実施例９は、図１（ｂ）において、第１被膜層１２１として、Ｒｈを１μｍ、第２被膜層１２２としてＩｒを１μｍ形成したものである。
図３の実施例９の構成では、完全剥離荷重は、１３Ｎ、初期抵抗は１７ｍΩ、耐久後抵抗は、３３ｍΩとなった。
【００３２】
なお、実施例１−実施例３、実施例８、実施例９において、基材１１１上の第１被膜層１２１、第２被膜層１２２との合計膜厚、及び実施例４、実施例６における第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計膜厚、実施例５における第１被膜層１４１、中間層１４２、第２被膜層１４３の合計膜厚、実施例７における下地層１５１、第１被膜層１５２、第２被膜層１５３の合計膜厚は、各々２μｍとなるようにしている。
【００３３】
一方、比較例１は、基材１１１にＰｔを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、６６Ｎ、初期抵抗は、３１ｍΩ、耐久後抵抗は、９９ｍΩとなる。比較例２は、基材１１１にＰｄを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、６５Ｎ、初期抵抗は、３１ｍΩ、耐久後抵抗は、７５ｍΩとなる。比較例３は、基材１１１にＲｕを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、１２Ｎ、初期抵抗は、２６ｍΩ、耐久後抵抗は、１３０ｍΩとなる。比較例４は、基材１１１にＡｕを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、４４Ｎ、初期抵抗は、１１ｍΩ、耐久後抵抗は、１５０ｍΩとなる。比較例５は、基材１１１にＩｒを単層で２μｍ形成したものであり、完全剥離荷重は、１２Ｎ、初期抵抗は、１８ｍΩ、耐久後抵抗は、１２０ｍΩとなる。
【００３４】
図３に示すように、実施例１−実施例７は、完全剥離荷重が４８Ｎ以上あり、比較例３−５に比べて完全剥離荷重が、十分に大きい。よって、機械的耐久性が向上していることがわかる。また、実施例１−実施例９は、耐久後抵抗が３６ｍΩ以下であり、比較例１−５のいずれに対しても耐久後抵抗が極めて小さく電気的耐久性も向上していることがわかる。
【００３５】
また、図４に示すように、実施例１−５及び比較例１−４のコンタクト回数に対する抵抗の変化を示しており、Ａは、実施例１、Ｂは、実施例２、Ｃは、実施例３、Ｄは、実施例４、Ｅは、実施例５、ａは、比較例１、ｂは、比較例２、ｃは、比較例３、ｄは、比較例４の抵抗の変化を示している。
図４に示すように、比較例１−４がコンタクト回数が１００００回以降で、抵抗値が大幅に増大するのに対し、実施例１−５は、接触抵抗値はほとんど変化していないことがわかる。
【００３６】
また、１０００００回の接触抵抗測定後のプローブの先端部の状態についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察及びＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）分析を行った。その結果、実施例１−７では、プローブピンの先端にＳｎ酸化物の付着がほとんど認められなかった。これに対し、比較例１−５では、Ｓｎ酸化物の付着が見られ、比較例３及び５では、一部メッキ剥がれが生じていた。
このように、実施例１−７では、比較例１−５に比べて機械的耐久性、及び電気的耐久性が大幅に向上することがわかる。
【００３７】
なお、白金族元素による被膜層の厚さは元素により適性厚が異なる。Ｐｄ及びＰｔを含有する場合には、図２に示すように硬度が比較的低いため、０．０５μｍから５μｍ以内で形成することが望ましい。また、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓを含有する材料の場合には、図２に示すように硬度が高いため、厚膜化するとクラックが入りやすいため、０．０５μｍから３μｍ以内であることが望ましい。ただし、一層に、例えば、ＰｄとＲｕが同時に含まれる場合は、より割合が多い元素の膜厚が基準となる。
【００３８】
これらを複数層形成した場合、少なくとも１層にＰｄ及びＰｔを含む層との組み合わせでは合計厚が０．１μｍから５．１μｍ以内で、Ｐｄ及びＰｔがない場合は、合計で０．１μｍから３．１μｍ以内であることが望ましい。電気抵抗及び耐久性の観点からは、厚膜化することが望ましく、少なくとも１層にＰｄ及びＰｔを含む層との組み合わせがより望ましいものである。
【００３９】
また、白金族系元素のうち、Ｐｄ、ＰｔよりもＲｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈが硬いので、硬度の高い材料を最表面に形成することが望ましい。
次に、第１被膜層１２１と第２被膜層１２２との膜厚の関係について説明する。
実施例１では、膜厚を合計で２μｍとして例について説明したが、第１被膜層１２１、及び第２被膜層１２２は、種々の膜厚が設定可能である。
【００４０】
図５において、線分ａは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚に対するＲｕからなる第２被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。なお、良好な関係とは、クラックなどを発生することなく被膜を最も厚く形成可能な膜厚の関係のことである。
図５の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略２．０μｍとしたときには、Ｒｕからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．９μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４１】
また、図５において、線分ｂは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１と第２被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図５の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．５μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚とＲｕからなる第２被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１２１、及び第２被膜層１２２を形成できる。
【００４２】
図６において、線分ａは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図６の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略３．４μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４３】
また、図６において、線分ｂは、Ｐｔからなる第１被膜層１２１とＩｒからなる第２被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図６の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４４】
図７において、線分ａは、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｈからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図７の線分ａにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を略４．０μｍとしたときには、Ｒｈからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
また、図７において、線分ｂは、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｈからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図７の線分ｂにおいて、Ｐｔからなる第１被膜層１２１の膜厚を３．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．５μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｔからなる被膜層１２１の膜厚とＲｈからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４５】
図８において、線分ａは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｕからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図８の線分ａにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を略３．５μｍとしたときには、Ｒｕからなる第２被膜層１２２の膜厚は、１．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
また、図８において、線分ｂは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｕからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図８の線分ｂにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．５μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．０μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
このように、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚とＲｕからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜１２１、１２２を形成できる。
【００４６】
図９において、線分ａは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対するＲｈからなる被膜層１２２の膜厚の良好な関係を示している。
図９の線分ａにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を略２．５μｍとしたときには、Ｒｈからなる第２被膜層１２２の膜厚は、２．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００４７】
また、図９において、線分ｂは、Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚に対する被膜層１２１とＲｈからなる被膜層１２２との合計の膜厚の良好な関係を示している。
図９の線分ｂにおいて、Ｐｄからなる第１被膜層１２１の膜厚を２．０μｍに設定した場合には、第１被膜層１２１の膜厚と第２被膜層１２２の膜厚との合計は、４．０μｍ以下となるように、第２被膜層１２２の膜厚を設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる被膜層１２１の膜厚とＲｈからなる被膜層１２２の膜厚とを線分ａ、ｂより下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、被膜層１２１、１２２を形成できる。
【００４８】
次に、被膜層１３１、１３２、１３３の膜厚の関係について説明する。
図１０において、線分ａ１は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ１において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．３μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、２．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ１より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００４９】
線分ａ２は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ２において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．７μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．８μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５０】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ２より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５１】
線分ａ３は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ３において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．０μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．７μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５２】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ３より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ａ４は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対するＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ａ４において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．５μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、Ｉｒからなる第２被膜層１３２の膜厚は、１．４μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚とＩｒからなる第２被膜層１３２の膜厚を線分ａ４より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５３】
また、図１０において、線分ｂ１は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときのＰｄからなる被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ１において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．３μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚は、３．８μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５４】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．３μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ１より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ｂ２は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ２において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を０．７μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚は、４．０μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を０．７μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ２より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
【００５５】
線分ｂ３は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときのＰｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
図１０の線分ｂ３において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．０μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計は、４．１μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
【００５６】
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．０μｍとしたときには、Ｐｄからなる第３被膜層１３３の膜厚に対する第３被膜層１３３の第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚を線分ｂ３より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
線分ｂ４は、Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときのＰｄからなる被膜層１３３の膜厚に対する第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３の合計の膜厚の良好な関係を示している。
【００５７】
図１０の線分ｂ４において、Ｐｄからなる第１被膜層１３１の膜厚を１．５μｍとし、第３被膜層１３３の膜厚を１．５μｍとしたときには、第１被膜層１３１の膜厚、第２被膜層１３２の膜厚、第３被膜層１３３の膜厚の合計は、４．２μｍ以下に設定することが望ましいことがわかる。
Ｐｄからなる第１被膜層１３１を１．５μｍとしたときには、Ｐｄからなる第１被膜層１３１、Ｉｒからなる第２被膜１３２、Ｐｄからなる第３被膜１３３の合計の膜厚を線分ｂ４より下の領域に設定することにより、クラックなどを発生することなく、第１被膜層１３１、第２被膜層１３２、第３被膜層１３３を形成できる。
なお、上記実施例１−９では、複数の被膜層として２〜３層の被膜層を形成した例について説明しているが、複数の被膜層は、２〜３層に限定されるものではなく、４層以上の被膜層を形成してもよいことは言うまでもない。要は、基材１１１の表面に形成される被膜が、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を含む構成であれば、実施例１〜実施例９の例に限定されるものではない。
【００５８】
なお、プローブは、検査時に通電される電流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇し、ハンダが溶着しやすくなるが、測定により１ｍＡ以上の電流であれば効果が得られることが確認できた。
さらに、本発明のプローブは、その形状は制限されない。例えば、湾曲形状プローブのものや直線と途中で屈曲した形状のものなど様々なプローブに適用できることは言うまでもない。
【００５９】
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載を逸脱しない範囲で種々の変形例が考えられることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００６０】
１００ プローブ
１１０ 端子部
１１１ 基材
１２１ 第１被膜層
１２２ 第２被膜層
１３１ 第１被膜層
１３２ 第２被膜層
１３３ 第３被膜層
１４１ 第１被膜層
１４２ 中間層
１４３ 第２被膜層
１５１ 下地層
１５２ 第１被膜層
１５３ 第２被膜層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、
前記端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成したことを特徴とするプローブ。
【請求項２】
前記白金族系元素を含む材料は、プラチナ、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記基材は、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、タングステン、銅、亜鉛、金のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブ。
【請求項４】
前記基材と前記複数の被膜層の内側の被膜層との間にコバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる下地層を形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項５】
前記複数の被膜層の間に、コバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる中間層を形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項６】
前記複数の被膜層は、パラジウム、プラチナのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層の外側に、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項７】
前記複数の被膜層のうち、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムを、プラチナ、パラジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜３．０μｍ以内とし、
前記複数の被膜層のうち、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜５．０μｍ以内とし、
前記複数の被膜層の膜厚の合計を、０．１μｍ〜５．１μｍ以内としたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載されたプローブ。
【請求項８】
供給される測定電流が、１ｍＡ以上で使用されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項９】
前記複数の被膜層は、いずれも湿式メッキ法により形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載のプローブの製造方法。
【請求項１】
半導体素子の電極と接触する端子部を備えたプローブにおいて、
前記端子部は、基材の表面に、異なる白金族系元素を含む材料からなる複数の被膜層を形成したことを特徴とするプローブ。
【請求項２】
前記白金族系元素を含む材料は、プラチナ、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムのうち少なくとも１つの元素を含む材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブ。
【請求項３】
前記基材は、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、タングステン、銅、亜鉛、金のうち少なくとも一つの元素を含む材料から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブ。
【請求項４】
前記基材と前記複数の被膜層の内側の被膜層との間にコバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる下地層を形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項５】
前記複数の被膜層の間に、コバルト、金、チタン、ニッケル、銅のうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる中間層を形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項６】
前記複数の被膜層は、パラジウム、プラチナのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層の外側に、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムのうち少なくとも一つの元素を含む材料からなる被膜層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項７】
前記複数の被膜層のうち、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムを、プラチナ、パラジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜３．０μｍ以内とし、
前記複数の被膜層のうち、プラチナ、パラジウム、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウムよりも多く含有する被膜層の膜厚を、合計で、０．０５μｍ〜５．０μｍ以内とし、
前記複数の被膜層の膜厚の合計を、０．１μｍ〜５．１μｍ以内としたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載されたプローブ。
【請求項８】
供給される測定電流が、１ｍＡ以上で使用されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載のプローブ。
【請求項９】
前記複数の被膜層は、いずれも湿式メッキ法により形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載のプローブの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１１−２１４９６５（Ｐ２０１１−２１４９６５Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８２７７７（Ｐ２０１０−８２７７７）
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００６７５８）株式会社ヨコオ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００６７５８）株式会社ヨコオ (158)
【Ｆターム（参考）】
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