（ａ）サンプル前駆体を支持しかつ保持するサンプル前駆体保持ユニットと、（ｂ）サンプル前駆体保持ユニットを運搬しかつ位置決めする運搬・位置決めユニットと、（ｃ）サンプル前駆体上のターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製を監視する光イメージングユニットと、（ｄ）サンプル前駆体及びシステムコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、（ｅ）表面の各マイクロ溝の形成を制御するコンポーネントを含み、サンプル前駆体の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、（ｆ）調製されたサンプルを形成するため、サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットとを備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム及び方法。所望により、マイクロマスク接着ユニット及びマイクロマスク接着方法をさらに含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）サンプル前駆体を支持しかつ保持するサンプル前駆体保持ユニットと、
（ｂ）前記サンプル前駆体保持ユニットの少なくとも一部を運搬しかつ位置決めする運搬・位置決めユニットと、
（ｃ）前記サンプル前駆体上に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視する光イメージングユニットと、
（ｄ）前記サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするピックアンドプレイスユニットと、
（ｅ）前記サンプル前駆体の表面の各マイクロ溝の深さ及び品質を制御するコンポーネントを含み、前記サンプル前駆体の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成するマイクロ溝生成ユニットと、
（ｆ）調製されたサンプルを形成するため、前記サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化する極低温セクション化ユニットと
を備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製するシステム。
【請求項２】
前記サンプル前駆体保持ユニットは側面観察又は平面観察サンプル調製プロセス中にサンプル前駆体を支持するための少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体は平面観察サンプル調製プロセス中に切断及び搭載された処理形式のサンプル前駆体を支持する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体は調製されたサンプルの再加工のために使用される、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記サンプル前駆体保持ユニットは二つの前記サンプル前駆体サポート構造体を含み、調製されたサンプルサポートエレメント及び調製されたサンプルサポートエレメントホルダーをさらに含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記調製されたサンプルサポートエレメントホルダーはサンプル前駆体を支持する前記二つのサンプル前駆体サポート構造体のうちの一方と方向が合わされ、それに関して位置が合わされ、それに取り付けられる、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記調製されたサンプルサポートエレメントは調製されたサンプルを支持し、調製されたサンプルに固定される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記サンプル前駆体保持ユニットは側面観察又は平面観察サンプル調製プロセス中にマスキングエレメントを支持するための又はマスキングエレメント及びサンプル前駆体を支持するための少なくとも一つのサンプル前駆体サポート構造体を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記マイクロ溝生成ユニットはマイクロ溝生成エレメントを含み、前記マイクロ溝生成エレメントはマイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記マイクロ溝生成チップは約１００ナノメートル未満の半径を持つ、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記マイクロ溝生成チップは約２０ナノメートル未満の半径を持つ、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記マイクロ溝生成チップはダイヤモンド又はダイヤモンド様材料から構成される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記マイクロ溝生成ユニットは、前記マイクロ溝生成エレメントを垂直移動し、サンプル前駆体の前記表面に侵入させるための垂直移動アセンブリをさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記垂直移動アセンブリはサンプル前駆体の前記表面に関して前記マイクロ溝生成エレメントの回転自由度を許可するように前記マイクロ溝生成ユニット上に搭載可能である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記回転自由度はサンプル前駆体の前記表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度の可変制御を可能にする、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記接近角度は前記垂直移動アセンブリに作用するアライニングアセンブリによって実現される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記垂直移動アセンブリは軸受サブアセンブリ、及びマイクロ溝深さ（侵入）制御サブアセンブリを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記マイクロ溝生成ユニットは、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントへ印加し、それによってサンプル前駆体の前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの制御可能な移動を与えるための力印加アセンブリをさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１９】
前記力印加アセンブリは力発生モーター及び力印加アームを含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体の前記表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度及び前記表面への侵入を制御するためのアライニングアセンブリをさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記マイクロ溝生成ユニットは垂直移動アセンブリをさらに含み、前記垂直移動アセンブリは、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が前記アライニングアセンブリを介して回転移動に変換されるように運動を前記アライニングアセンブリに伝達し、それによって前記マイクロ溝生成エレメントによるサンプル前駆体の表面へ向かう接近角度及び前記表面への侵入を制御する、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記マイクロ溝生成ユニットは、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントへ印加し、それによってサンプル前駆体の前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの制御可能な移動を与えるための力印加アセンブリをさらに含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記力印加アセンブリは１組の力印加部材を含む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ（侵入）は約１０ナノメートルから約１００００ナノメートルまでの範囲である、請求項９に記載のシステム。
【請求項２５】
前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ（侵入）の増分（ステップ）最小単位は約３ナノメートルから約７ナノメートルまでの範囲である、請求項９に記載のシステム。
【請求項２６】
前記マイクロ溝生成エレメントはサンプル前駆体の前記表面の垂直傾斜を測定するために使用される、請求項９に記載のシステム。
【請求項２７】
前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体のターゲットエリア又は対象領域内の形状特徴に隣接したサンプル前駆体の所定の数の層を引き離すために使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２８】
前記マイクロ溝生成ユニットはサンプル前駆体の前記表面のターゲットエリア又は対象領域を前記少なくとも一つのマイクロ溝を介してマーキングするために使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２９】
前記極低温セクション化ユニットは極低温流体リザーバに存在する極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に極低温流体リザーバの極低温流体の圧力を一定値に維持するための圧力制御機構を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３０】
前記極低温セクション化ユニットは極低温セクション化ブレードのセクション化深さを較正するために極低温セクション化ブレードの直径を測定するための測定ピンアセンブリをさらに含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
システム内で第１コンポーネントを第２コンポーネントに接着させるために前記運搬・位置決めユニットを前記ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにするための接着インターフェイスアセンブリをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３２】
前記接着インターフェイスアセンブリはサンプル前駆体の前記表面又は切断及び搭載された処理形態のサンプル前駆体の前記表面へマスキングエレメントを接着するための接着剤塗布サブアセンブリを含む、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記接着剤塗布サブアセンブリは接着剤塗布ニードル及び接着剤容器を含み、前記接着剤容器はシステムの一つ以上のコンポーネントへ前記接着剤塗布ニードルによって塗布される接着剤材料を含有する、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
前記接着剤塗布ニードルは前記接着剤容器の内部の前記接着剤材料のレベルを測定するための前記接着剤容器の内部を調査するために使用される、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
前記接着剤塗布ニードルは正確な量の前記接着剤材料を取り出すように前記接着剤容器中に所定のレベルまで浸漬される、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３６】
サンプル前駆体の前記表面へマイクロマスクを接着するためのマイクロマスク接着ユニットをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３７】
前記マイクロマスク接着ユニットはマイクロサイズマスキングエレメント及びマイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリを含み、前記マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリは前記マイクロサイズマスキングエレメントを保持し、前記マイクロサイズマスキングエレメントへ電流を伝達する導電性ワイヤを含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記マイクロマスク接着ユニットは予め極低温セクション化されたサンプル前駆体の前記表面に前記マイクロマスクを接着するために使用される、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３９】
前記マイクロマスクは約５０ナノメートル〜約１５０ナノメートルの範囲の位置決め精度で前記表面の所定の位置に接着される、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４０】
（ｇ）システム内で第１コンポーネントを第２コンポーネントに接着させるため、前記運搬・位置決めユニットを前記ピックアンドプレイスユニットと接合できるようにする接着インターフェイスアセンブリと、（ｈ）システムのコンポーネントの空気圧を制御する空気圧制御ユニットと、（ｉ）サンプル前駆体のサイズ（表面積寸法）を所定のサンプル前駆体サイズまで減少させるサンプル前駆体マイクロサイズ（表面積寸法）減少ユニットと、（ｊ）サンプル前駆体の前記表面にスクライブ線を生成し、前記スクライブ線に沿ってサンプル前駆体を劈開するスクライブ・クリーブユニットと、（ｋ）マイクロマスクをサンプル前駆体の前記表面に接着させるマイクロマスク接着ユニットと、（ｌ）システムの動作中に振動の発生を阻止するか又は最小限に抑える振動防止ユニットとからなる群から選択された少なくとも１個の付加的なコンポーネントをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４１】
サンプル前駆体は半導体材料、セラミック材料、純粋金属材料、金属合金材料、ポリマー材料、複合材料、及びそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つのタイプの材料を含むか又はそれから構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４２】
サンプル前駆体は半導体タイプの材料を含むか又はそれから構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４３】
前記材料はウェハの単一ダイ、ウェハセグメント、もしくはウェハ全体であるか、又はそれを含む、請求項４２に記載のシステム。
【請求項４４】
（ａ）マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリと、
（ｂ）前記マイクロ溝生成エレメントを垂直移動させ、材料の表面に侵入させる垂直移動アセンブリと、
（ｃ）前記垂直移動アセンブリの動作によって、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントに印加する力印加アセンブリと
を備える、材料の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成する装置。
【請求項４５】
前記マイクロ溝生成エレメントはマイクロ溝生成チップが付いているブレード又はナイフである、請求項４４に記載の装置。
【請求項４６】
前記マイクロ溝生成チップは約１００ナノメートル未満の半径を持つ、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記マイクロ溝生成チップは約２０ナノメートル未満の半径を持つ、請求項４５に記載の装置。
【請求項４８】
前記マイクロ溝生成チップはダイヤモンド又はダイヤモンド様材料から構成される、請求項４５に記載の装置。
【請求項４９】
前記垂直移動アセンブリは材料の表面に関して前記マイクロ溝生成エレメントの回転自由度を許可するようにマイクロ溝生成装置のハウジング上に搭載可能である、請求項４４に記載の装置。
【請求項５０】
前記回転自由度は材料の表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度の可変制御を可能にする、請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記接近角度は前記垂直移動アセンブリに作用するアライニングアセンブリによって実現される、請求項５０に記載の装置。
【請求項５２】
前記垂直移動アセンブリは軸受サブアセンブリ、及びマイクロ溝深さ（侵入）制御サブアセンブリを含む、請求項４４に記載の装置。
【請求項５３】
前記力印加アセンブリは力発生モーター及び力印加アームを含む、請求項４４に記載の装置。
【請求項５４】
前記力発生モーターは直流（ＤＣ）モーターである、請求項５３に記載の装置。
【請求項５５】
前記マイクロ溝生成装置は材料の表面へ向かう前記マイクロ溝生成エレメントの接近角度及び前記表面への侵入を制御するためのアライニングアセンブリをさらに含む、請求項４４に記載の装置。
【請求項５６】
前記垂直移動アセンブリは、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が前記アライニングアセンブリを介して回転移動に変換されるように運動を前記アライニングアセンブリに伝達し、それによって前記マイクロ溝生成エレメントによって材料の表面へ向かう接近角度及び前記表面への侵入を制御する、請求項５５に記載の装置。
【請求項５７】
前記力印加アセンブリは１組の力印加部材を含む、請求項４４に記載の装置。
【請求項５８】
前記力印加アセンブリがばねである、請求項５７に記載の装置。
【請求項５９】
前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ（侵入）は約１０ナノメートルから約１００００ナノメートルまでの範囲である、請求項４４に記載の装置。
【請求項６０】
前記表面への前記マイクロ溝生成エレメントの深さ（侵入）の増分（ステップ）最小単位は約３ナノメートルから約７ナノメートルまでの範囲である、請求項４４に記載の装置。
【請求項６１】
前記マイクロ溝生成エレメントは材料の表面の垂直傾斜を測定するために使用される、請求項４４に記載の装置。
【請求項６２】
材料上のターゲットエリア又は対象領域内の形状特徴に隣接した材料の所定の数の層を引き離すために使用される、請求項４４に記載の装置。
【請求項６３】
材料の表面上のターゲットエリア又は対象領域を少なくとも１つのマイクロ溝を介してマーキングするために使用される、請求項４４に記載の装置。
【請求項６４】
（ａ）材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化する細かいセクション化ブレードと、
（ｂ）セクション化によって、前記ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させる粗いセクション化ブレードと、
（ｃ）前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの両方を駆動するセクション化ブレードドライブシャフトと、
（ｄ）前記ブレードドライブシャフトを回転させるセクション化ブレードドライブシャフトモーターと、
（ｅ）極低温セクション化プロセス中に、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御し、（ｉ）極低温流体、（ｉｉ）極低温流体リザーバ、（ｉｉｉ）前記極低温流体リザーバ内に存在する前記極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に前記極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリ、及び、（ｉｖ）極低温流体出口ノズルサブアセンブリを含む極低温流体供給・制御アセンブリと
を備える、材料を極低温セクション化する装置。
【請求項６５】
前記セクション化ブレードのセクション化深さを較正するために前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの少なくとも一方の直径を測定するための測定ピンアセンブリをさらに含む、請求項６４に記載の装置。
【請求項６６】
（ａ）円筒形、長方形、及び台形からなる群から選択された幾何学的な構造、形態、又は形状を有し、前記円筒形構造の直径が約６ミクロンから約２５ミクロンまでの範囲であり、前記長方形構造の断面又は側面が約６ミクロンから約２５ミクロンまでの範囲であるマイクロサイズマスキングエレメントと、
（ｂ）マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリと、
（ｃ）電気接点アセンブリと、
（ｄ）ハウジングアセンブリと、
（ｅ）ｙ軸移動サブアセンブリと、
（ｆ）ｚ軸移動サブアセンブリと、
（ｇ）光ビーム遮断センサアセンブリと
を備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる装置。
【請求項６７】
前記マイクロサイズマスキングエレメントホルダーアセンブリは前記マイクロサイズマスキングエレメントを保持し、前記マイクロサイズマスキングエレメントに電流を伝達する導電性ワイヤを含む、請求項６６に記載の装置。
【請求項６８】
予め極低温セクション化された材料の表面へ前記マイクロマスクを接着するために使用される、請求項６６に記載の装置。
【請求項６９】
前記マイクロマスクは約５０ナノメートル〜約１５０ナノメートルの範囲の位置決め精度で表面の所定の位置に接着される、請求項６６に記載の装置。
【請求項７０】
（ａ）サンプル前駆体をサンプル前駆体保持ユニットに載せるステップと、
（ｂ）運搬・位置決めユニットを用いて、前記サンプル前駆体保持ユニットを運搬しかつ位置決めするステップと、
（ｃ）光イメージングユニットを用いて、前記サンプル前駆体に位置しているターゲット形状特徴を光学的にイメージングし、認識し、特定し、かつ、サンプル調製のステップを監視するステップと、
（ｄ）ピックアンドプレイスユニットを用いて、前記サンプル前駆体及びシステムの選択されたコンポーネントを初期位置からその他の機能的に依存した位置へピックアンドプレイスするステップと、
（ｅ）前記マイクロ溝生成ユニットに含まれるコンポーネントによって前記サンプル前駆体の表面の各前記マイクロ溝の深さが制御され、マイクロ溝生成ユニットを用いて、前記サンプル前駆体の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成するステップと、
（ｆ）極低温セクション化ユニットを用いて、調製されたサンプルを形成するために、前記サンプル前駆体を所定の構造及びサイズまで極低温セクション化するステップと
を備える、マイクロ分析のためのサンプルを調製する方法。
【請求項７１】
（ａ）マイクロ溝生成エレメント及びマイクロ溝生成エレメントホルダーアセンブリを含むマイクロ溝生成エレメントアセンブリを準備するステップと、
（ｂ）アライニングアセンブリを用いて、前記マイクロ溝生成エレメントによって、材料の表面へ向かって接近する角度及び材料の表面への侵入を制御するステップと、
（ｃ）垂直移動アセンブリを用いて、前記マイクロ溝生成エレメントの垂直移動が回転移動に変換されるように、前記アライニングアセンブリへ運動を伝達するステップと、
（ｄ）力印加アセンブリを用いて、制御可能な力を前記マイクロ溝生成エレメントに印加するステップと
を備える、材料の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成する方法。
【請求項７２】
（ａ）細かいセクション化ブレードを用いて、材料のターゲット形状特徴に隣接している材料に沿った場所にある位置で材料をセクション化するステップと、
（ｂ）粗いセクション化ブレードを用いて、セクション化によって、前記ターゲット形状特徴に隣接していない材料に沿った位置で材料を減少させるステップと、
（ｃ）セクション化ブレードドライブシャフトを用いて、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードの両方を駆動するステップと、
（ｄ）セクション化ブレードドライブシャフトモーターを用いて、前記ブレードドライブシャフトを回転させるステップと、
（ｅ）（ｉ）極低温流体と、（ｉｉ）極低温流体リザーバと、（ｉｉｉ）前記極低温流体リザーバ内に存在する前記極低温流体の体積の変化又は変動とは無関係に前記極低温流体リザーバの圧力を一定値に維持する圧力制御機構を含む極低温流体供給弁調節・分配サブアセンブリと、（ｉｖ）極低温流体出口ノズルサブアセンブリとを含む極低温流体供給・制御アセンブリを用いて、極低温セクション化プロセス中に、前記細かいセクション化ブレード及び前記粗いセクション化ブレードのうちの少なくとも一方と材料とを冷却するクーラント又は冷却剤としての極低温流体を供給し、その使用を制御するステップと
を備える、材料を極低温セクション化する方法。
【請求項７３】
（ａ）マイクロ溝生成ユニットを用いて、材料の表面に少なくとも１個のマイクロ溝を生成するステップと、
（ｂ）前記生成された各マイクロ溝がマークとしての機能を果たすためにマクロマスクに関して延長され、それによって、後でセクション化手順の対象とされる間に、光イメージング装置によって視認されるように、接着インターフェイスアセンブリを用いて、所定の場所にあり、所定の構造（姿勢）に従うマクロマスクを材料の表面に接着させるステップと
を備える、マクロマスクを材料の表面に接着させる方法。
【請求項７４】
（ａ）ピックアンドプレイスユニットを用いて、材料の表面の専用エリア上に接着剤を塗布するステップと、
（ｂ）運搬・位置決めユニットを用いて、前記接着剤が塗布された前記専用エリアをマイクロサイズマスキングエレメント下に置くステップと、
（ｃ）前記運搬・位置決めユニットのｚ軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントを前記接着剤へ制御可能に浸漬させるステップと、
（ｄ）前記ｚ軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントに焦点を合わせるステップと、
（ｅ）前記ｚ軸移動サブアセンブリを用いて、前記マイクロサイズマスキングエレメントを光イメージングユニットの焦点から垂直方向へ移動させるステップと、
（ｆ）前記運搬・位置決めユニットを用いて、焦点から外される前に、前記マイクロサイズマスキングエレメントによって前に占領されていた位置と一致するように、材料のターゲット形状特徴を位置決めするステップと、
（ｇ）前記ｚ軸移動サブアセンブリを用いて、材料の表面と接触するまで下へ前記マイクロサイズマスキングエレメントを垂直方向に移動させるステップと、
（ｈ）前記マイクロサイズマスキングエレメントを加熱しかつ硬化させるために、前記マイクロサイズマスキングエレメントに電流を印加するステップと、
（ｉ）前記マイクロサイズマスキングエレメントのエッジをトリミングするために、前記マイクロサイズマスキングエレメントのエッジに印加された前記電流を増加させるステップと
を備える、マイクロマスクを材料の表面に接着させる方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５Ａ−Ｃ】

【図５Ｄ−Ｆ】

【図６Ａ−Ｂ】

【図６Ｃ−Ｄ】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６Ａ−Ｅ】

【図１６Ｆ−Ｊ】

【図１６Ｋ−Ｍ】

【図１７Ａ−Ｆ】

【図１７Ｇ−Ｌ】

【図１７Ｍ−Ｒ】

【図１８Ａ−Ｆ】

【図１８Ｇ−Ｋ】

【図１９Ａ−Ｅ】

【図１９Ｆ−Ｊ】

【図１９Ｋ−Ｐ】

【公表番号】特表２００８−５２９０３１（Ｐ２００８−５２９０３１Ａ）
【公表日】平成２０年７月３１日（２００８．７．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５５３７８３（Ｐ２００７−５５３７８３）
【出願日】平成１８年２月５日（２００６．２．５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＬ２００６／０００１４１
【国際公開番号】ＷＯ２００６／０８２５８５
【国際公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【出願人】（５０７０６２７２７）セラ　セミコンダクター　エンジニアリング　ラボラトリーズ　リミテッド (2)
【Ｆターム（参考）】