メモリ装置
【課題】磁気メモリ本体（メモリ）の取り外しによる磁気メモリ本体に記録されたデータの不正読み出しや改竄を防止することができるメモリ装置の提供を図る。
【解決手段】保持力を持たない第１磁性層１１１ａ，１１１ｂと保持力を有する第２磁性層１１３ａ，１１３ｂが積層されたメモリ１のスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、第１磁石２１ａ，２１ｂによって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石２３ａ，２３ｂ、を備える。
【解決手段】保持力を持たない第１磁性層１１１ａ，１１１ｂと保持力を有する第２磁性層１１３ａ，１１３ｂが積層されたメモリ１のスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、第１磁石２１ａ，２１ｂによって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石２３ａ，２３ｂ、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリに変わるメモリとして、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Magnetoresistive Random Access Memory）等の磁気メモリ装置が注目され、また、製品として提供されている。
【０００３】
磁気メモリ装置は、例えば、不揮発性メモリの機能を持ちながら、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）と同等の高速アクセス性能（例えば、３５ｎｓ程度）を有している。
【０００４】
また、磁気メモリ装置において、メモリセルは、従来の半導体メモリのような電荷ではなく、磁気モーメントによって情報を記憶するため、リークや摩耗の心配がなく、さらに、高温環境下でもデータの保存と無限の書き換えサイクルを実現することができる。
【０００５】
そのため、例えば、ＳＲＡＭやバッテリー駆動のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）の代わりに、ＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置を使用するようにもなってきている。
【０００６】
ところで、このような不揮発性メモリの機能を有する磁気メモリ装置は、例えば、磁気メモリ装置が使用されるパソコン（パーソナルコンピュータ）等から取り外され、その磁気メモリ装置のデータが不正に読み出され、或いは、改竄されるといった虞がある。
【０００７】
従来、データの改竄からの保護機能を有する磁気メモリ装置として、様々なものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００６−５１１８９２号公報
【特許文献２】国際公開第０８／０６２６８６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述したように、例えば、ＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置は、不揮発性メモリの機能を有しているため、その磁気メモリ装置が設けられたパソコン等から取り外して、記録されたデータが不正に読み出され、或いは、改竄されるといった虞がある。
【００１０】
一側面では、本発明は、磁気メモリ本体の取り外しによる磁気メモリ本体に記録されたデータの不正読み出しや改竄を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施形態によれば、保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、第１磁石および第２磁石を備えることを特徴とするメモリ装置が提供される。
【００１２】
前記第２磁石は、前記第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する。
【発明の効果】
【００１３】
一実施形態によれば、磁気メモリ本体（メモリ）を取り外したとき、その磁気メモリ本体に記録されたデータの不正読み出しや改竄を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本実施形態の磁気メモリ装置を示す側面図である。
【図２】図２は、図１の磁気メモリ装置におけるＭＲＡＭ本体を説明するための図である。
【図３】図３は、図２のＭＲＡＭ本体における１つのＭＲＡＭ素子を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その１）である。
【図５】図５は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その２）である。
【図６】図６は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その３）である。
【図７】図７は、第１実施例としてのＳＳＤタイプ磁気メモリ装置を示す図である。
【図８】図８は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図９】図９は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１０】図１０は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図（その１）である。
【図１１】図１１は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図（その２）である。
【図１２】図１２は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図１３】図１３は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１４】図１４は、第３実施例としてのデスクトップパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図である。
【図１５】図１５は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニットをメモリソケットに取り付ける様子を示す図である。
【図１６】図１６は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図１７】図１７は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の磁気メモリ装置の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、磁気メモリ装置の実施例を、添付図面を参照して詳述する。図１は、本実施形態の磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ）を示す側面図であり、使用状態のＭＲＡＭを示すものである。
【００１６】
図１において、参照符号１はＭＲＡＭ本体（磁気メモリ本体）、２ａ，２ｂは磁石複合体（磁場発生ユニット）、３はコネクタ、そして、４は基板（例えば、対象装置のマザーボード）を示す。
【００１７】
また、参照符号１１はＭＲＡＭ素子を示し、２１ａ，２１ｂは第１磁場Ｍ１を発生する第１異方性磁石（第１磁場発生磁石）、２２ａ，２２ｂは遮蔽材、そして、２３ａ，２３ｂは第２磁場Ｍ２を発生する第２異方性磁石（第２磁場発生磁石）を示す。
【００１８】
図１に示されるように、本実施形態のＭＲＡＭは、複数のＭＲＡＭ素子１１を含むＭＲＡＭ本体１が独立した構成とされ、例えば、コネクタ３により、パソコン等の基板４に対して容易に取り外し可能として接続されている。
【００１９】
すなわち、ＭＲＡＭ本体１は、複数の金属端子（接続ピン）１０１を有し、その複数の金属端子１０１およびコネクタ３を介して基板４の配線と電気的に接続される。なお、後述する図４等において、金属端子１０１は、図面を見やすくするために省略されている。
【００２０】
ＭＲＡＭ本体１の両側には、基板４に固定して配置された２つの磁石複合体２ａおよび２ｂが設けられている。ここで、基板４に対して磁石複合体２ａ，２ｂを固定して配置するとは、例えば、接着剤等を使用して磁石複合体２ａ，２ｂを基板４に永久的に固着するだけでなく、ＭＲＡＭ本体１と一緒に取り外すことができないようにして基板４に取り付けてもよい。
【００２１】
一方の磁石複合体２ａは、第１異方性磁石２１ａの上に遮蔽材２２ａを介して第２異方性磁石２３ａが設けられ、同様に、他方の磁石複合体２ｂは、第１異方性磁石２１ｂの上に遮蔽材２２ｂを介して第２異方性磁石２３ｂが設けられている。
【００２２】
ここで、第１異方性磁石２１ａおよび２１ｂによる第１磁場Ｍ１の向き、並びに、第２異方性磁石２３ａおよび２３ｂによる第２磁場Ｍ２の向きは、図１において、両方とも左から右へ向かうようになっているが互いに逆の向きとしてもよい。例えば、第１磁場Ｍ１の向きを右から左へ向かうようにしてもよい。
【００２３】
なお、遮蔽材２２ａおよび２２ｂは、磁石複合体２ａおよび２ｂにおいて、それぞれ第１異方性磁石２１ａおよび２１ｂと第２異方性磁石２３ａおよび２３ｂとが互いに影響しないように配置するためのものである。
【００２４】
さらに、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１は、後に詳述するように、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層（第１磁性層）がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、且つ、上部フリー層（第２磁性層）の磁化反転に影響の無い強さに配置される。この第１磁場Ｍ１は、例えば、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ間の距離により適切な強さに規定される。
【００２５】
そして、第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ本体１を取り外すとき、ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層（１１３）を強制的に反転させ、且つ、通常の使用状態ではＭＲＡＭ素子１１に影響を与えない程度の強さに配置される。この第２磁場Ｍ２は、例えば、第２異方性磁石２３ａ，２３ｂ間の距離により適切な強さに規定される。
【００２６】
以上において、磁石複合体２ａ，２ｂにおける第１異方性磁石２１ａ，２１ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂは、必ずしも異方性の磁石でなくてもよい。ただし、方向性を持たない磁石を使用した場合には、遮蔽材２２ａ，２２ｂの材質や厚さを調節して、例えば、磁石２１ａ，２１ｂと磁石２３ａ，２３ｂとの間隙を広く設定するといったことになる。
【００２７】
図２は、図１の磁気メモリ装置におけるＭＲＡＭ本体を説明するための図であり、図２（ａ）はＭＲＡＭ本体１を示し、図２（ｂ）はＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）を示す。
【００２８】
ここで、上部フリー層（第２磁性層）１１３は、保持力を有する磁性体（強磁性体）であり、書き込むデータに応じたスピン方向の磁化を保持する。また、下部磁性層（第１磁性層）１１１は、保持力を持たない磁性体（強磁性体）であり、外部からの磁力により磁化されるが、その磁力が失われると、下部磁性層１１１の磁化も失われる。
【００２９】
図２（ａ）に示されるように、各ＭＲＡＭ素子１１に対して書き込むデータは、例えば、ワード線ＷＬに流れる書き込み電流の方向により、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）のスピン方向を決定する。なお、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）と下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）との間には、絶縁層１１２（１１２ａ，１１２ｂ）が設けられている。
【００３０】
図２（ｂ）に示されるように、下部磁性層１１１の磁化の方向を規定する第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１は、上部フリー層１１３の磁化とほぼ同じ方向（向きは逆でもよい）となっている。
【００３１】
すなわち、ＭＲＡＭ本体１に設けられたＭＲＡＭ素子の磁化方向、或いは、そのような磁化方向とされる複数のＭＲＡＭ素子を有するメモリチップの方向と、第１磁場Ｍ１および第２磁場Ｍ２の方向は、ほぼ一致するようになっている。これは、以下に説明する本実施形態および第１〜第３実施例の説明においても同様である。
【００３２】
なお、ＭＲＡＭ素子１１ａは、下部磁性層１１１ａと上部フリー層１１３ａのスピンが同じ方向となるデータ『０』の状態の素子（磁気トンネル接合素子：ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子）を示す。
【００３３】
また、ＭＲＡＭ素子１１ｂは、下部磁性層１１１ｂと上部フリー層１１３ｂのスピンが逆方向となるデータ『１』の状態の素子（ＭＴＪ素子）を示す。そして、データ『０』のＭＲＡＭ素子（１ＭＴＪ素子）１１ａは、その素子を流れる電流が大きく、また、データ『１』の１ＭＴＪ素子１１ｂは、その素子を流れる電流が小さい。
【００３４】
図３は、図２のＭＲＡＭ本体における１つのＭＲＡＭ素子を説明するための図であり、読み出し用トランジスタ１２を含めて描いたものである。図３に示されるように、ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬの交差個所に設けられたＭＲＡＭ素子１１は、上部フリー層１１３のスピン方向による電流の大きさによりデータを読み出す。
【００３５】
すなわち、ワード線ＷＬによりトランジスタ１２をオンし、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピン方向による電流の大きさの違いを、ビット線ＢＬを介して検出することで、記録されたデータを読み出す。
【００３６】
なお、図３では、ＭＲＡＭ素子１１は、下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピンが逆方向で流れる電流が小さいデータ『１』を記録している状態を示しているが、データ『０』も同様にして読み出すことができる。また、本実施形態のＭＲＡＭ素子１１は、図２および図３に示す構成に限定されないのはもちろんである。
【００３７】
ただし、前述したように、上部フリー層１１３は、書き込み電流による磁場で磁化の向きが反転されるが、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂの磁力では、磁化の向きは反転されない。
【００３８】
また、下部磁性層１１１は、保持力を持たない磁性体であり、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂからの外部磁力で磁化方向が決定され、その外部磁力が失われると、下部磁性層１１１の磁化も失われる。
【００３９】
すなわち、本実施形態のＭＲＡＭ素子１１は、外部磁力によって下部磁性層１１１の磁化方向が決定され、書き込み電流による磁場で上部フリー層１１３の磁化方向が決定されて、ＭＲＡＭ素子として機能する。
【００４０】
そして、下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピン方向が同じであれば、ＭＲＡＭ素子１１の電気抵抗は小さくなってデータ（論理値）『０』を保持し、逆に、スピン方向が相反すればデータ『１』を保持する。
【００４１】
図４〜図６は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。すなわち、図４は、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３から外した直後の状態を示し、図５は、ＭＲＡＭ本体１が第２磁場Ｍ２の影響を受けている状態を示し、図６は、ＭＲＡＭ本体１を完全に取り外した状態を示す。
【００４２】
前述した図１のように、ＭＲＡＭ本体（磁気メモリ本体）１を、コネクタ３を介して基板４に取り付けることで、磁気メモリ装置に通常の動作を行わせる。そして、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３から外すと、磁気メモリ装置に記録されたデータが破壊される様子を図４〜図６を参照して詳述する。
【００４３】
まず、図４に示されるように、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３（基板４）から外すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１の中心から外れる。
【００４４】
その結果、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、磁化されるのに十分な磁場（第１磁場Ｍ１）が供給されなくなる。ここで、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は保持力を持たないため、上部フリー層１１３からの漏れ磁場の影響を受けることになる。
【００４５】
具体的に、データ『０』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ａの下部磁性層１１１ａは、それまでの上部フリー層１１３ａと同じ方向(1)から逆の方向(2)へと変化する。一方、データ『１』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ｂの下部磁性層１１１ｂは、それまでの上部フリー層１１３ｂと逆の方向をそのまま維持する。
【００４６】
すなわち、この状態では、各ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）とは反対の方向に磁化されるため、データを保持するメモリとしての機能を失うことになる。しかしながら、この図４に示す状態では、各ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層１１３は、それぞれ記録されたデータに対応する磁化方向を保持している状態にある。
【００４７】
そこで、図５に示されるように、ＭＲＡＭ本体１を、さらに基板４から離すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２の中心にかかる。
【００４８】
その結果、データ『０』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ａの下部磁性層１１１ａは、第２磁場Ｍ２に従って、それまでの方向(3)から方向(4)へと変化する。一方、データ『１』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ｂの上部フリー層１１３ｂは、第２磁場Ｍ２に従って、それまでの方向(5)から方向(6)へと変化する。
【００４９】
すなわち、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）の磁化方向を強制的に書き換える強さを持っているので、全て同じ方向に磁化される。
【００５０】
また、第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）も、強制的に同じ方向に磁化する。その結果、ＭＲＡＭ本体１に含まれる全てのＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層１１３および下部磁性層１１１は、第２磁場Ｍ２磁化方向に磁化されることで、ＭＲＡＭ本体１に記録されたデータが全て破壊される。
【００５１】
そして、図６に示されるように、さらに、ＭＲＡＭ本体１を基板４から離すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２の中心から外れる。
【００５２】
その結果、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、磁化されるのに十分な磁場（第２磁場Ｍ２）が供給されなくなる。ここで、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は保持力を持たないため、上部フリー層１１３からの漏れ磁場の影響を受けることになる。
【００５３】
すなわち、全てのＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）からの漏れ磁場の影響を受け、それまでの方向(7)から上部フリー層とは反対の方向(8)へ磁化される。
【００５４】
このようにして、全てのＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は上部フリー層１１３とは反対方向に磁化され、ＭＲＡＭ本体１に記録された全てのデータが破壊（消去）される。また、ＭＲＡＭ本体１が第１異方性磁石と分離するので、データを記録するメモリとしての機能は、完全に失われる。
【００５５】
なお、本実施形態の磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ）は、例えば、図１に示されるように、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３に差し込むことにより、再びデータを記録するメモリとして使用することが可能になる。このとき、全てのデータは初期化され、新たな磁気メモリ装置として使用されることになる。
【００５６】
以上において、ＭＲＡＭ本体１に内蔵するＭＲＡＭ素子１１は、１枚のメモリチップとして構成される必要はなく、複数枚のメモリチップを水平方向だけでなく、垂直方向に並べたものであってもよい。
【００５７】
すなわち、ＭＲＡＭを使用する場合、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１がＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１を磁化する構成であれば、複数枚のメモリチップを積層してもよい。
【００５８】
このように、本実施形態の磁気メモリ装置によれば、記録されたデータを破壊（消去）するときに電力を必要とせず、また、データの破壊は、メモリ素子の状態を物理的に変化させるため、データ破壊後にデータの読み出しや解読（改竄）を不可能とすることができる。
【００５９】
さらに、外部磁場（第１磁場Ｍ１）が無ければ、磁気メモリ装置に電源を供給して電気的にデータを書き換えてもメモリとして機能しないため、磁気メモリ装置が持ち出されてもデータが漏洩することがない。
【００６０】
また、磁気メモリ本体は、磁石等の外部磁場供給源を内蔵しないため、不正な持ち出しに対する外部磁界供給源を遮断するのが容易であり、外部磁界供給源を遮断するのに磁気メモリ本体を破壊する必要がないため、再使用することも可能である。
【００６１】
図７は、第１実施例としてのＳＳＤ（Solid State Drive）タイプの磁気メモリ装置を示す図であり、ＳＳＤタイプ磁気メモリ装置が実装されたノートパソコン５の底面図を示すものである。
【００６２】
図８は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図９は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００６３】
ところで、近年、例えば、ノートパソコンのＨＤＤ（Hard Disk Drive）の代わりに、フラッシュメモリを使用したＳＳＤが使用されるようになって来ている。図７〜図９は、このようなＳＳＤとして磁気メモリ装置を適用した場合の実施例を示す。
【００６４】
図７に示されるように、本第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置は、ノートパソコン５の底面における基板４に対して着脱可能なＳＳＤユニット（ＭＲＡＭ本体）１を取り付ける。
【００６５】
ここで、ＳＳＤユニット１の四隅には、衝撃吸収材６ａ〜６ｄが設けられ、磁石複合体２ａ，２ｂとＳＳＤユニット１の間隙を所定の距離となるようにしている。また、磁石複合体２ａおよび２ｂは、ノートパソコン５の基板（例えば、マザーボード）４に固定して配置されている。なお、ＳＳＤユニット１と基板４のコネクタとの接続は省略するが、一般的なＳＳＤの取り付けと同様に構成することができる。
【００６６】
図８および図９は、前述した図１および図５に相当するが、図８および図９では、ノートパソコン５の底面に実装する様子を示すために、図１および図５とは上下方向が逆になっている。
【００６７】
すなわち、図８に示されるように、ＳＳＤユニット１は、基板４と密接するようにして取り付けられる。ここで、ＳＳＤユニット１を基板４に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされるのは前述した通りである。
【００６８】
そして、図９に示されるように、ＳＳＤユニット１を基板４から取り外すとき、すなわち、ＳＳＤユニット１を矢印の下向きに移動させて取り外す場合には、図４〜図６を参照して説明したようにして、記録されたデータは完全に破壊（消去）されることになる。
【００６９】
ここで、ＳＳＤユニット１を基板４から取り外す場合、第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層を強制的に反転させ、且つ、通常の使用状態ではＭＲＡＭ素子１１に影響を与えない程度の強さとされているのも前述した通りである。
【００７０】
以上において、磁石複合体２ａ，２ｂは、例えば、それぞれ第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ、遮蔽材２２ａ，２２ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂをプラスチック等でコーティングして容易に分解できないようにすることができる。
【００７１】
すなわち、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ、遮蔽材２２ａ，２２ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂが積層された磁石複合体２ａ，２ｂは、それぞれパッケージングされ、基板４に固定して配置される。
【００７２】
さらに、磁石複合体２ａ，２ｂは、基板４から容易に取り外すことができないように、様々な接合手法を適用して、基板４に対して固定して配置することができる。この場合、磁石複合体２ａ，２ｂは、ＳＳＤユニット１と一緒に取り外すことができないようにする。
【００７３】
なお、図８および図９において、ＭＲＡＭ素子１１は、複数のＭＲＡＭ素子が設けられたメモリチップであってもよいのはいうまでもない。また、ＳＳＤユニット１を使用する対象装置はノートパソコンではなくデスクトップパソコンやその他の電子機器であってもよい。
【００７４】
図１０および図１１は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭ（Small Outline Dual In-line Memory Module）タイプ磁気メモリ装置を示す図であり、図１０は斜視図を示し、図１１は低面図を示す。
【００７５】
図１０および図１１に示されるように、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、例えば、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１がコネクタ３を介してメモリソケット４’（基板４）に着脱可能として取り付けられる。
【００７６】
すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１は、例えば、ノートパソコンに適用する一般的なＳＯ−ＤＩＭＭと同様の形状とされ、その取り付けおよび取り外しもＳＯ−ＤＩＭＭと同様に行うことができるようになっている。
【００７７】
ただし、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置では、磁石複合体２ａ，２ｂが、ノートパソコンの基板（例えば、マザーボード）４におけるメモリソケット４’の両側に固定して配置されている。
【００７８】
図１２は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図１３は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００７９】
ここで、図１３（ａ）は、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１を、メモリソケット４’から飛び出させた状態の低面図を示し、図１３（ｂ）は、そのときの側面図をＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の移動と共に示す。なお、図１２および図１３は、前述した図１および図５、或いは、図８および図９に相当する。
【００８０】
まず、図１２に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３を有するメモリソケット４’に嵌め込むことにより、基板４に取り付ける。このように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、ＭＲＡＭ素子（メモリチップ）１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされている。
【００８１】
さらに、図１３に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４から取り外すとき、すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’から矢印の回転下向きに飛び出させて取り外す場合には、記録されたデータは完全に破壊されることになる。
【００８２】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）から取り外す場合、第２磁場Ｍ２は、例えば、全てのＭＲＡＭ素子１１（メモリチップ１１の全てのＭＲＡＭ素子）に対して同時に印加されないことになる。しかしながら、このような場合でも、全てのＭＲＡＭ素子１１のデータを破壊することができるのはいうまでもない。
【００８３】
すなわち、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、磁石複合体２ａ，２ｂを設ける必要はあるが、一般的に使用されているノートパソコンのＳＯ−ＤＩＭＭと同様に、ノートパソコン用のＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を提供することができる。
【００８４】
図１４は、第３実施例としてのデスクトップパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図であり、図１５は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニットをメモリソケットに取り付ける様子を示す図である。
【００８５】
図１４および図１５に示されるように、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、例えば、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１がコネクタ３を介してメモリソケット４’（基板４）に着脱可能として取り付けられる。なお、図１４における参照符号６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を示している。
【００８６】
すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１は、例えば、デスクトップパソコンに適用する一般的なＳＯ−ＤＩＭＭと同様の形状とされ、その取り付けおよび取り外しもＳＯ−ＤＩＭＭと同様に行うことができるようになっている。
【００８７】
具体的に、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３が設けられたメモリソケット４’に差し込み、コネクタレバー（ロックレバー）４０ａ，４０ｂにより、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’にしっかりと取り付けるようになっている。
【００８８】
ただし、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置では、磁石複合体２ａ，２ｂが、デスクトップパソコンの基板（例えば、マザーボード）４におけるメモリソケット４’の両側に固定して配置されている。
【００８９】
なお、図１４では、複数（４個）のメモリソケットの内の１つのメモリソケット４’にだけ磁石複合体２ａ，２ｂを設けて、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を適用しているが、全てのメモリソケットに対して適用するように構成してもよい。
【００９０】
また、図１５では、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の一側面に設けられたメモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１に対応する一側面の両側に磁石複合体２ａ，２ｂを設けた場合を示している。
【００９１】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の両側面にメモリチップ１１が設けられている場合、すなわち、図１５において、メモリチップ１１がＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の裏面にも設けられている場合、その裏面に対しても磁石複合体２ａ，２ｂを設けることになる。
【００９２】
図１６は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図１７は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００９３】
ここで、図１６（ａ）および図１７（ａ）は、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１およびメモリソケット４’の正面図を示し、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）は、そのときの側面図を示す。なお、図１６および図１７は、前述した図１および図５、図８および図９、或いは、図１２および図１３に相当する。
【００９４】
まず、図１５並びに図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３を有するメモリソケット４’に嵌め込み、コネクタレバー４０ａ，４０ｂによりＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’に取り付ける。
【００９５】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、メモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされている。
【００９６】
なお、磁石複合体２ａ，２ｂには、それぞれ第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１を、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１におけるメモリチップ１１に適切な位置で印加するようにスペーサ２０ａ，２０ｂが設けられている。
【００９７】
さらに、図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４から取り外すには、コネクタレバー４０ａ，４０ｂを開いてＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’から押し上げて外す。このとき、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１のメモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１に記録されたデータは完全に破壊される。
【００９８】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）から取り外す場合、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１が傾いた状態で取り外される場合でも、前述した第２実施例のときと同様に、全てのＭＲＡＭ素子１１のデータが破壊されることになる。
【００９９】
すなわち、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、磁石複合体２ａ，２ｂを設ける必要はあるが、一般的に使用されているデスクトッップパソコンのＳＯ−ＤＩＭＭと同様に、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を提供することができる。
【０１００】
上述した第１〜第３実施例の磁気メモリ装置によれば、電力を必要とすることなく、記録されたデータを破壊することができ、また、データ破壊後にデータの読み出しや解読（改竄）を不可能とすることができる。
【０１０１】
さらに、磁気メモリ本体を不正に持ち出した場合には、記録された全てのデータが確実に破壊されることになり、データの漏洩を防止することができる。そして、取り外した磁気メモリ本体を元に戻して取り付けた場合には、記録されていたデータは破壊されて使用できないが、新たに初期化された磁気メモリ装置として再使用することが可能となる。
【０１０２】
図１８は、本実施形態の磁気メモリ装置の変形例を説明するための図である。ところで、図１〜図６を参照して説明した実施形態では、対向する磁石複合体２ａおよび２ｂを基板４（例えば、マザーボード）に対して直接固定して配置し、ＭＲＡＭ本体（例えば、ＳＳＤユニット）１と一緒に取り外すことができないようにしている。
【０１０３】
これに対して、図１８に示す変形例では、対向する磁石複合体２ａおよび２ｂが専用の基板３０（例えば、ＳＳＤユニットの基板：ユニット基板）に対して固定して配置されている。そして、このユニット基板３０は、一旦マザーボード４に取り付けられると、マザーボード４から取り外すことができないようになっている。
【０１０４】
ここで、図１８（ａ）は、ＳＳＤユニット１，ユニット基板３０およびマザーボード４を分離した状態を示し、図１８（ｂ）は、ＳＳＤユニット１，ユニット基板３０およびマザーボード４を勘合した状態を示す。
【０１０５】
ＳＳＤユニット１は、磁石複合体２ａ，２ｂが固定して配置されたユニット基板３０に対して、コネクタ１００および３１０により着脱可能として設けられている。すなわち、ＳＳＤユニット１は、ＳＳＤユニット１のコネクタ１００と、ユニット基板３０のコネクタ３１０により電気的に接続される。
【０１０６】
さらに、ユニット基板３０は、ユニット基板３０のコネクタ３２０と、マザーボード４のコネクタ４００により電気的に接続される。なお、各コネクタ１００，３１０，３２０および４００は、複数の金属端子（接続ピン）を有している。
【０１０７】
ユニット基板３０には、ロック機構（メス部）３３０ａ，３３０ｂが設けられ、マザーボード４のロック機構（オス部）４１０ａ，４１０ｂと勘合するようになっている。ここで、ユニット基板３０のロック機構３３０ａ，３３０ｂには、ツメ部３４０ａ，３４０ｂが形成されていて、一旦マザーボード４のロック機構４１０ａ，４１０ｂが勘合すると、ツメ部３４０ａ，３４０ｂにより取り外すことができないようになっている。
【０１０８】
また、マザーボード４には、位置合わせ部４１１ａ，４１１ｂが設けられていて、ユニット基板３０をマザーボード４の所定個所に位置合わせできるようになっている。
【０１０９】
なお、図１８では、ロック機構３３０ａ，３３０ｂ；４１０ａ，４１０ｂおよびツメ部３４０ａ，３４０ｂにより、マザーボード４に対してユニット基板３０を取り外しできないように取り付ける例を示しているが、様々な変形も可能である。
【０１１０】
具体的に、例えば、一旦ユニット基板３０がマザーボード４に取り付けられると、一般には入手不可能な専用の取り外し工具がなければ、マザーボード４から取り外すことができないように構成することもできる。或いは、接着剤等を使用して、一旦ユニット基板３０がマザーボード４に取り付けられると、永久的に取り外すことができないようにしてもよい。
【０１１１】
これにより、図１８に示す変形例は、図１〜図６を参照して説明した実施形態と同様に、例えば、磁気メモリ本体を不正に持ち出した場合には、記録された全てのデータが確実に破壊（消去）されてデータの漏洩を確実に防止することができる。
【０１１２】
ここで、図１８に示す変形例は、ユニット基板３０に対して、磁石複合体２ａ，２ｂ、コネクタ３１０，１００（３）およびＳＳＤユニット（ＭＲＡＭ本体）１の全てを設けた磁気メモリ装置を、他社に販売する場合等において好ましいものである。
【０１１３】
すなわち、本変形例では、磁気メモリ装置の製造メーカがメモリ本体１と磁石複合体２ａ，２ｂ（異方性磁石２１ａ，２１ｂおよび２３ａ，２３ｂ）の位置関係等の設定を正確に行い、その設定後の製品を提供するため、製品の管理を厳密に行うことができる。
【０１１４】
なお、例えば、上述したような磁気メモリ装置を購入したパソコンの組み立てメーカでは、磁気メモリ装置（ユニット基板３０）をマザーボード４に固定して配置することになるが、知られている技術をそのまま利用することで、何らの問題も生じることはない。すなわち、図１〜図６を参照して説明した実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１５】
なお、図１８に示す変形例は、単なる例であり、前述した第１〜第３実施例に対して適宜変更して適用することができるのはいうまでもない。また、上述した第１〜第３実施例の磁気メモリ装置も単なる例であり、本実施形態の磁気メモリ装置は、ＳＳＤやＳＯ−ＤＩＭＭ以外にも、様々な構成として適用することが可能である。
【０１１６】
さらに、第１〜第３実施例の磁気メモリ装置を設ける対象装置は、ノートパソコンやデスクトップパソコンに限定されるものではなく、携帯端末を始めとする様々な電子機器に対して幅広く適用することができる。
【０１１７】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに、以下の付記を開示する。
（付記１）
保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、
第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石、
を備えることを特徴とするメモリ装置。
【０１１８】
（付記２）
前記第１磁石は、前記メモリの取り外しの際に、前記第１磁性層を前記第１方向の磁化から開放する位置に設けられている、
ことを特徴とする付記１に記載のメモリ装置。
【０１１９】
（付記３）
前記第２磁石は、前記メモリの取り付けの際に、前記第１磁性層および前記第２磁性層の磁化に影響を与えない位置に設けられている、
ことを特徴とする付記１または付記２に記載のメモリ装置。
【０１２０】
（付記４）
前記第１磁石および前記第２磁石は、遮蔽材を介して積層され、前記メモリに対して同一方向の磁場を与えるように前記メモリの両側に設けられている、
ことを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【０１２１】
（付記５）
積層された前記第１磁石，前記遮蔽材および前記第２磁石は、磁場発生ユニットとしてパッケージングされ、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記メモリの両側で、互いに対向するように設けられている、
ことを特徴とする付記４に記載のメモリ装置。
【０１２２】
（付記６）
前記メモリは、ＳＳＤユニットとして形成され、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記ＳＳＤユニットの両側で、互いに対向するように設けられる、
ことを特徴とする付記５に記載のメモリ装置。
【０１２３】
（付記７）
前記メモリは、ＳＯ−ＤＩＭＭユニットとして形成され、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記ＳＯ−ＤＩＭＭユニットを取り付けるメモリソケットの両側で、互いに対向するように設けられる、
ことを特徴とする付記５に記載のメモリ装置。
【０１２４】
（付記８）
前記磁場発生ユニットが設けられる対象装置は、ノートパソコンまたはデスクトップパソコンである、
ことを特徴とする付記５乃至付記７のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【０１２５】
（付記９）
前記第１磁石および前記第２磁石は、異方性磁石である、
ことを特徴とする付記１乃至付記８のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【符号の説明】
【０１２６】
１ ＭＲＡＭ本体（メモリ，磁気メモリ本体，ＳＳＤユニット，ＳＯ−ＤＩＭＭユニット）
２ａ，２ｂ 磁石複合体（磁場発生ユニット）
３，１００，３１０，３２０，４００ コネクタ
４ 基板（マザーボード）
４’ メモリソケット
５ ノートパソコン
６ ＣＰＵ
１１，１１ａ，１１ｂ ＭＲＡＭ素子（メモリチップ）
２０ａ，２０ｂ スペーサ
２１ａ，２１ｂ 第１異方性磁石（第１磁場発生磁石）
２２ａ，２２ｂ 遮蔽材
２３ａ，２３ｂ 第２異方性磁石（第２磁場発生磁石）
３０ ＳＳＤユニットの基板（ユニット基板）
１０１， 金属端子（接続ピン）
１１１，１１１ａ，１１１ｂ 下部磁性層（第１磁性層）
１１２，１１２ａ，１１２ｂ 絶縁層
１１３，１１３ａ，１１３ｂ 上部フリー層（第２磁性層）
３３０ａ，３３０ｂ ロック機構（メス部）
３４０ａ，３４０ｂ ツメ部
４１０ａ，４１０ｂ ロック機構（オス部）
４１１ａ，４１１ｂ 位置合わせ部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラッシュメモリに変わるメモリとして、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Magnetoresistive Random Access Memory）等の磁気メモリ装置が注目され、また、製品として提供されている。
【０００３】
磁気メモリ装置は、例えば、不揮発性メモリの機能を持ちながら、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）と同等の高速アクセス性能（例えば、３５ｎｓ程度）を有している。
【０００４】
また、磁気メモリ装置において、メモリセルは、従来の半導体メモリのような電荷ではなく、磁気モーメントによって情報を記憶するため、リークや摩耗の心配がなく、さらに、高温環境下でもデータの保存と無限の書き換えサイクルを実現することができる。
【０００５】
そのため、例えば、ＳＲＡＭやバッテリー駆動のＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）の代わりに、ＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置を使用するようにもなってきている。
【０００６】
ところで、このような不揮発性メモリの機能を有する磁気メモリ装置は、例えば、磁気メモリ装置が使用されるパソコン（パーソナルコンピュータ）等から取り外され、その磁気メモリ装置のデータが不正に読み出され、或いは、改竄されるといった虞がある。
【０００７】
従来、データの改竄からの保護機能を有する磁気メモリ装置として、様々なものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００６−５１１８９２号公報
【特許文献２】国際公開第０８／０６２６８６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述したように、例えば、ＭＲＡＭ等の磁気メモリ装置は、不揮発性メモリの機能を有しているため、その磁気メモリ装置が設けられたパソコン等から取り外して、記録されたデータが不正に読み出され、或いは、改竄されるといった虞がある。
【００１０】
一側面では、本発明は、磁気メモリ本体の取り外しによる磁気メモリ本体に記録されたデータの不正読み出しや改竄を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一実施形態によれば、保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、第１磁石および第２磁石を備えることを特徴とするメモリ装置が提供される。
【００１２】
前記第２磁石は、前記第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する。
【発明の効果】
【００１３】
一実施形態によれば、磁気メモリ本体（メモリ）を取り外したとき、その磁気メモリ本体に記録されたデータの不正読み出しや改竄を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本実施形態の磁気メモリ装置を示す側面図である。
【図２】図２は、図１の磁気メモリ装置におけるＭＲＡＭ本体を説明するための図である。
【図３】図３は、図２のＭＲＡＭ本体における１つのＭＲＡＭ素子を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その１）である。
【図５】図５は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その２）である。
【図６】図６は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図（その３）である。
【図７】図７は、第１実施例としてのＳＳＤタイプ磁気メモリ装置を示す図である。
【図８】図８は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図９】図９は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１０】図１０は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図（その１）である。
【図１１】図１１は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図（その２）である。
【図１２】図１２は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図１３】図１３は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１４】図１４は、第３実施例としてのデスクトップパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図である。
【図１５】図１５は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニットをメモリソケットに取り付ける様子を示す図である。
【図１６】図１６は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図である。
【図１７】図１７は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の磁気メモリ装置の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、磁気メモリ装置の実施例を、添付図面を参照して詳述する。図１は、本実施形態の磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ）を示す側面図であり、使用状態のＭＲＡＭを示すものである。
【００１６】
図１において、参照符号１はＭＲＡＭ本体（磁気メモリ本体）、２ａ，２ｂは磁石複合体（磁場発生ユニット）、３はコネクタ、そして、４は基板（例えば、対象装置のマザーボード）を示す。
【００１７】
また、参照符号１１はＭＲＡＭ素子を示し、２１ａ，２１ｂは第１磁場Ｍ１を発生する第１異方性磁石（第１磁場発生磁石）、２２ａ，２２ｂは遮蔽材、そして、２３ａ，２３ｂは第２磁場Ｍ２を発生する第２異方性磁石（第２磁場発生磁石）を示す。
【００１８】
図１に示されるように、本実施形態のＭＲＡＭは、複数のＭＲＡＭ素子１１を含むＭＲＡＭ本体１が独立した構成とされ、例えば、コネクタ３により、パソコン等の基板４に対して容易に取り外し可能として接続されている。
【００１９】
すなわち、ＭＲＡＭ本体１は、複数の金属端子（接続ピン）１０１を有し、その複数の金属端子１０１およびコネクタ３を介して基板４の配線と電気的に接続される。なお、後述する図４等において、金属端子１０１は、図面を見やすくするために省略されている。
【００２０】
ＭＲＡＭ本体１の両側には、基板４に固定して配置された２つの磁石複合体２ａおよび２ｂが設けられている。ここで、基板４に対して磁石複合体２ａ，２ｂを固定して配置するとは、例えば、接着剤等を使用して磁石複合体２ａ，２ｂを基板４に永久的に固着するだけでなく、ＭＲＡＭ本体１と一緒に取り外すことができないようにして基板４に取り付けてもよい。
【００２１】
一方の磁石複合体２ａは、第１異方性磁石２１ａの上に遮蔽材２２ａを介して第２異方性磁石２３ａが設けられ、同様に、他方の磁石複合体２ｂは、第１異方性磁石２１ｂの上に遮蔽材２２ｂを介して第２異方性磁石２３ｂが設けられている。
【００２２】
ここで、第１異方性磁石２１ａおよび２１ｂによる第１磁場Ｍ１の向き、並びに、第２異方性磁石２３ａおよび２３ｂによる第２磁場Ｍ２の向きは、図１において、両方とも左から右へ向かうようになっているが互いに逆の向きとしてもよい。例えば、第１磁場Ｍ１の向きを右から左へ向かうようにしてもよい。
【００２３】
なお、遮蔽材２２ａおよび２２ｂは、磁石複合体２ａおよび２ｂにおいて、それぞれ第１異方性磁石２１ａおよび２１ｂと第２異方性磁石２３ａおよび２３ｂとが互いに影響しないように配置するためのものである。
【００２４】
さらに、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１は、後に詳述するように、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層（第１磁性層）がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、且つ、上部フリー層（第２磁性層）の磁化反転に影響の無い強さに配置される。この第１磁場Ｍ１は、例えば、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ間の距離により適切な強さに規定される。
【００２５】
そして、第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ本体１を取り外すとき、ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層（１１３）を強制的に反転させ、且つ、通常の使用状態ではＭＲＡＭ素子１１に影響を与えない程度の強さに配置される。この第２磁場Ｍ２は、例えば、第２異方性磁石２３ａ，２３ｂ間の距離により適切な強さに規定される。
【００２６】
以上において、磁石複合体２ａ，２ｂにおける第１異方性磁石２１ａ，２１ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂは、必ずしも異方性の磁石でなくてもよい。ただし、方向性を持たない磁石を使用した場合には、遮蔽材２２ａ，２２ｂの材質や厚さを調節して、例えば、磁石２１ａ，２１ｂと磁石２３ａ，２３ｂとの間隙を広く設定するといったことになる。
【００２７】
図２は、図１の磁気メモリ装置におけるＭＲＡＭ本体を説明するための図であり、図２（ａ）はＭＲＡＭ本体１を示し、図２（ｂ）はＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）を示す。
【００２８】
ここで、上部フリー層（第２磁性層）１１３は、保持力を有する磁性体（強磁性体）であり、書き込むデータに応じたスピン方向の磁化を保持する。また、下部磁性層（第１磁性層）１１１は、保持力を持たない磁性体（強磁性体）であり、外部からの磁力により磁化されるが、その磁力が失われると、下部磁性層１１１の磁化も失われる。
【００２９】
図２（ａ）に示されるように、各ＭＲＡＭ素子１１に対して書き込むデータは、例えば、ワード線ＷＬに流れる書き込み電流の方向により、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）のスピン方向を決定する。なお、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）と下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）との間には、絶縁層１１２（１１２ａ，１１２ｂ）が設けられている。
【００３０】
図２（ｂ）に示されるように、下部磁性層１１１の磁化の方向を規定する第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１は、上部フリー層１１３の磁化とほぼ同じ方向（向きは逆でもよい）となっている。
【００３１】
すなわち、ＭＲＡＭ本体１に設けられたＭＲＡＭ素子の磁化方向、或いは、そのような磁化方向とされる複数のＭＲＡＭ素子を有するメモリチップの方向と、第１磁場Ｍ１および第２磁場Ｍ２の方向は、ほぼ一致するようになっている。これは、以下に説明する本実施形態および第１〜第３実施例の説明においても同様である。
【００３２】
なお、ＭＲＡＭ素子１１ａは、下部磁性層１１１ａと上部フリー層１１３ａのスピンが同じ方向となるデータ『０』の状態の素子（磁気トンネル接合素子：ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子）を示す。
【００３３】
また、ＭＲＡＭ素子１１ｂは、下部磁性層１１１ｂと上部フリー層１１３ｂのスピンが逆方向となるデータ『１』の状態の素子（ＭＴＪ素子）を示す。そして、データ『０』のＭＲＡＭ素子（１ＭＴＪ素子）１１ａは、その素子を流れる電流が大きく、また、データ『１』の１ＭＴＪ素子１１ｂは、その素子を流れる電流が小さい。
【００３４】
図３は、図２のＭＲＡＭ本体における１つのＭＲＡＭ素子を説明するための図であり、読み出し用トランジスタ１２を含めて描いたものである。図３に示されるように、ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬの交差個所に設けられたＭＲＡＭ素子１１は、上部フリー層１１３のスピン方向による電流の大きさによりデータを読み出す。
【００３５】
すなわち、ワード線ＷＬによりトランジスタ１２をオンし、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピン方向による電流の大きさの違いを、ビット線ＢＬを介して検出することで、記録されたデータを読み出す。
【００３６】
なお、図３では、ＭＲＡＭ素子１１は、下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピンが逆方向で流れる電流が小さいデータ『１』を記録している状態を示しているが、データ『０』も同様にして読み出すことができる。また、本実施形態のＭＲＡＭ素子１１は、図２および図３に示す構成に限定されないのはもちろんである。
【００３７】
ただし、前述したように、上部フリー層１１３は、書き込み電流による磁場で磁化の向きが反転されるが、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂの磁力では、磁化の向きは反転されない。
【００３８】
また、下部磁性層１１１は、保持力を持たない磁性体であり、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂからの外部磁力で磁化方向が決定され、その外部磁力が失われると、下部磁性層１１１の磁化も失われる。
【００３９】
すなわち、本実施形態のＭＲＡＭ素子１１は、外部磁力によって下部磁性層１１１の磁化方向が決定され、書き込み電流による磁場で上部フリー層１１３の磁化方向が決定されて、ＭＲＡＭ素子として機能する。
【００４０】
そして、下部磁性層１１１と上部フリー層１１３のスピン方向が同じであれば、ＭＲＡＭ素子１１の電気抵抗は小さくなってデータ（論理値）『０』を保持し、逆に、スピン方向が相反すればデータ『１』を保持する。
【００４１】
図４〜図６は、本実施形態の磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。すなわち、図４は、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３から外した直後の状態を示し、図５は、ＭＲＡＭ本体１が第２磁場Ｍ２の影響を受けている状態を示し、図６は、ＭＲＡＭ本体１を完全に取り外した状態を示す。
【００４２】
前述した図１のように、ＭＲＡＭ本体（磁気メモリ本体）１を、コネクタ３を介して基板４に取り付けることで、磁気メモリ装置に通常の動作を行わせる。そして、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３から外すと、磁気メモリ装置に記録されたデータが破壊される様子を図４〜図６を参照して詳述する。
【００４３】
まず、図４に示されるように、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３（基板４）から外すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１の中心から外れる。
【００４４】
その結果、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、磁化されるのに十分な磁場（第１磁場Ｍ１）が供給されなくなる。ここで、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は保持力を持たないため、上部フリー層１１３からの漏れ磁場の影響を受けることになる。
【００４５】
具体的に、データ『０』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ａの下部磁性層１１１ａは、それまでの上部フリー層１１３ａと同じ方向(1)から逆の方向(2)へと変化する。一方、データ『１』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ｂの下部磁性層１１１ｂは、それまでの上部フリー層１１３ｂと逆の方向をそのまま維持する。
【００４６】
すなわち、この状態では、各ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）とは反対の方向に磁化されるため、データを保持するメモリとしての機能を失うことになる。しかしながら、この図４に示す状態では、各ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層１１３は、それぞれ記録されたデータに対応する磁化方向を保持している状態にある。
【００４７】
そこで、図５に示されるように、ＭＲＡＭ本体１を、さらに基板４から離すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２の中心にかかる。
【００４８】
その結果、データ『０』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ａの下部磁性層１１１ａは、第２磁場Ｍ２に従って、それまでの方向(3)から方向(4)へと変化する。一方、データ『１』が記録されていたＭＲＡＭ素子１１ｂの上部フリー層１１３ｂは、第２磁場Ｍ２に従って、それまでの方向(5)から方向(6)へと変化する。
【００４９】
すなわち、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）の磁化方向を強制的に書き換える強さを持っているので、全て同じ方向に磁化される。
【００５０】
また、第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）も、強制的に同じ方向に磁化する。その結果、ＭＲＡＭ本体１に含まれる全てのＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層１１３および下部磁性層１１１は、第２磁場Ｍ２磁化方向に磁化されることで、ＭＲＡＭ本体１に記録されたデータが全て破壊される。
【００５１】
そして、図６に示されるように、さらに、ＭＲＡＭ本体１を基板４から離すと、ＭＲＡＭ本体１（ＭＲＡＭ素子１１）は、磁石複合体２ａ，２ｂの第２異方性磁石２３ａ，２３ｂによる第２磁場Ｍ２の中心から外れる。
【００５２】
その結果、ＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、磁化されるのに十分な磁場（第２磁場Ｍ２）が供給されなくなる。ここで、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は保持力を持たないため、上部フリー層１１３からの漏れ磁場の影響を受けることになる。
【００５３】
すなわち、全てのＭＲＡＭ素子１１（１１ａ，１１ｂ）の下部磁性層１１１（１１１ａ，１１１ｂ）は、上部フリー層１１３（１１３ａ，１１３ｂ）からの漏れ磁場の影響を受け、それまでの方向(7)から上部フリー層とは反対の方向(8)へ磁化される。
【００５４】
このようにして、全てのＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１は上部フリー層１１３とは反対方向に磁化され、ＭＲＡＭ本体１に記録された全てのデータが破壊（消去）される。また、ＭＲＡＭ本体１が第１異方性磁石と分離するので、データを記録するメモリとしての機能は、完全に失われる。
【００５５】
なお、本実施形態の磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ）は、例えば、図１に示されるように、ＭＲＡＭ本体１をコネクタ３に差し込むことにより、再びデータを記録するメモリとして使用することが可能になる。このとき、全てのデータは初期化され、新たな磁気メモリ装置として使用されることになる。
【００５６】
以上において、ＭＲＡＭ本体１に内蔵するＭＲＡＭ素子１１は、１枚のメモリチップとして構成される必要はなく、複数枚のメモリチップを水平方向だけでなく、垂直方向に並べたものであってもよい。
【００５７】
すなわち、ＭＲＡＭを使用する場合、磁石複合体２ａ，２ｂの第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１がＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層１１１を磁化する構成であれば、複数枚のメモリチップを積層してもよい。
【００５８】
このように、本実施形態の磁気メモリ装置によれば、記録されたデータを破壊（消去）するときに電力を必要とせず、また、データの破壊は、メモリ素子の状態を物理的に変化させるため、データ破壊後にデータの読み出しや解読（改竄）を不可能とすることができる。
【００５９】
さらに、外部磁場（第１磁場Ｍ１）が無ければ、磁気メモリ装置に電源を供給して電気的にデータを書き換えてもメモリとして機能しないため、磁気メモリ装置が持ち出されてもデータが漏洩することがない。
【００６０】
また、磁気メモリ本体は、磁石等の外部磁場供給源を内蔵しないため、不正な持ち出しに対する外部磁界供給源を遮断するのが容易であり、外部磁界供給源を遮断するのに磁気メモリ本体を破壊する必要がないため、再使用することも可能である。
【００６１】
図７は、第１実施例としてのＳＳＤ（Solid State Drive）タイプの磁気メモリ装置を示す図であり、ＳＳＤタイプ磁気メモリ装置が実装されたノートパソコン５の底面図を示すものである。
【００６２】
図８は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図９は、第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００６３】
ところで、近年、例えば、ノートパソコンのＨＤＤ（Hard Disk Drive）の代わりに、フラッシュメモリを使用したＳＳＤが使用されるようになって来ている。図７〜図９は、このようなＳＳＤとして磁気メモリ装置を適用した場合の実施例を示す。
【００６４】
図７に示されるように、本第１実施例のＳＳＤタイプ磁気メモリ装置は、ノートパソコン５の底面における基板４に対して着脱可能なＳＳＤユニット（ＭＲＡＭ本体）１を取り付ける。
【００６５】
ここで、ＳＳＤユニット１の四隅には、衝撃吸収材６ａ〜６ｄが設けられ、磁石複合体２ａ，２ｂとＳＳＤユニット１の間隙を所定の距離となるようにしている。また、磁石複合体２ａおよび２ｂは、ノートパソコン５の基板（例えば、マザーボード）４に固定して配置されている。なお、ＳＳＤユニット１と基板４のコネクタとの接続は省略するが、一般的なＳＳＤの取り付けと同様に構成することができる。
【００６６】
図８および図９は、前述した図１および図５に相当するが、図８および図９では、ノートパソコン５の底面に実装する様子を示すために、図１および図５とは上下方向が逆になっている。
【００６７】
すなわち、図８に示されるように、ＳＳＤユニット１は、基板４と密接するようにして取り付けられる。ここで、ＳＳＤユニット１を基板４に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、ＭＲＡＭ素子１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされるのは前述した通りである。
【００６８】
そして、図９に示されるように、ＳＳＤユニット１を基板４から取り外すとき、すなわち、ＳＳＤユニット１を矢印の下向きに移動させて取り外す場合には、図４〜図６を参照して説明したようにして、記録されたデータは完全に破壊（消去）されることになる。
【００６９】
ここで、ＳＳＤユニット１を基板４から取り外す場合、第２磁場Ｍ２は、ＭＲＡＭ素子１１の上部フリー層を強制的に反転させ、且つ、通常の使用状態ではＭＲＡＭ素子１１に影響を与えない程度の強さとされているのも前述した通りである。
【００７０】
以上において、磁石複合体２ａ，２ｂは、例えば、それぞれ第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ、遮蔽材２２ａ，２２ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂをプラスチック等でコーティングして容易に分解できないようにすることができる。
【００７１】
すなわち、第１異方性磁石２１ａ，２１ｂ、遮蔽材２２ａ，２２ｂおよび第２異方性磁石２３ａ，２３ｂが積層された磁石複合体２ａ，２ｂは、それぞれパッケージングされ、基板４に固定して配置される。
【００７２】
さらに、磁石複合体２ａ，２ｂは、基板４から容易に取り外すことができないように、様々な接合手法を適用して、基板４に対して固定して配置することができる。この場合、磁石複合体２ａ，２ｂは、ＳＳＤユニット１と一緒に取り外すことができないようにする。
【００７３】
なお、図８および図９において、ＭＲＡＭ素子１１は、複数のＭＲＡＭ素子が設けられたメモリチップであってもよいのはいうまでもない。また、ＳＳＤユニット１を使用する対象装置はノートパソコンではなくデスクトップパソコンやその他の電子機器であってもよい。
【００７４】
図１０および図１１は、第２実施例としてのノートパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭ（Small Outline Dual In-line Memory Module）タイプ磁気メモリ装置を示す図であり、図１０は斜視図を示し、図１１は低面図を示す。
【００７５】
図１０および図１１に示されるように、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、例えば、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１がコネクタ３を介してメモリソケット４’（基板４）に着脱可能として取り付けられる。
【００７６】
すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１は、例えば、ノートパソコンに適用する一般的なＳＯ−ＤＩＭＭと同様の形状とされ、その取り付けおよび取り外しもＳＯ−ＤＩＭＭと同様に行うことができるようになっている。
【００７７】
ただし、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置では、磁石複合体２ａ，２ｂが、ノートパソコンの基板（例えば、マザーボード）４におけるメモリソケット４’の両側に固定して配置されている。
【００７８】
図１２は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図１３は、第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００７９】
ここで、図１３（ａ）は、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１を、メモリソケット４’から飛び出させた状態の低面図を示し、図１３（ｂ）は、そのときの側面図をＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の移動と共に示す。なお、図１２および図１３は、前述した図１および図５、或いは、図８および図９に相当する。
【００８０】
まず、図１２に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３を有するメモリソケット４’に嵌め込むことにより、基板４に取り付ける。このように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、ＭＲＡＭ素子（メモリチップ）１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされている。
【００８１】
さらに、図１３に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４から取り外すとき、すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’から矢印の回転下向きに飛び出させて取り外す場合には、記録されたデータは完全に破壊されることになる。
【００８２】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）から取り外す場合、第２磁場Ｍ２は、例えば、全てのＭＲＡＭ素子１１（メモリチップ１１の全てのＭＲＡＭ素子）に対して同時に印加されないことになる。しかしながら、このような場合でも、全てのＭＲＡＭ素子１１のデータを破壊することができるのはいうまでもない。
【００８３】
すなわち、本第２実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、磁石複合体２ａ，２ｂを設ける必要はあるが、一般的に使用されているノートパソコンのＳＯ−ＤＩＭＭと同様に、ノートパソコン用のＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を提供することができる。
【００８４】
図１４は、第３実施例としてのデスクトップパソコンに適用するＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置を示す図であり、図１５は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニットをメモリソケットに取り付ける様子を示す図である。
【００８５】
図１４および図１５に示されるように、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、例えば、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１がコネクタ３を介してメモリソケット４’（基板４）に着脱可能として取り付けられる。なお、図１４における参照符号６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を示している。
【００８６】
すなわち、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１は、例えば、デスクトップパソコンに適用する一般的なＳＯ−ＤＩＭＭと同様の形状とされ、その取り付けおよび取り外しもＳＯ−ＤＩＭＭと同様に行うことができるようになっている。
【００８７】
具体的に、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３が設けられたメモリソケット４’に差し込み、コネクタレバー（ロックレバー）４０ａ，４０ｂにより、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’にしっかりと取り付けるようになっている。
【００８８】
ただし、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置では、磁石複合体２ａ，２ｂが、デスクトップパソコンの基板（例えば、マザーボード）４におけるメモリソケット４’の両側に固定して配置されている。
【００８９】
なお、図１４では、複数（４個）のメモリソケットの内の１つのメモリソケット４’にだけ磁石複合体２ａ，２ｂを設けて、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を適用しているが、全てのメモリソケットに対して適用するように構成してもよい。
【００９０】
また、図１５では、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の一側面に設けられたメモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１に対応する一側面の両側に磁石複合体２ａ，２ｂを設けた場合を示している。
【００９１】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の両側面にメモリチップ１１が設けられている場合、すなわち、図１５において、メモリチップ１１がＳＯ−ＤＩＭＭユニット１の裏面にも設けられている場合、その裏面に対しても磁石複合体２ａ，２ｂを設けることになる。
【００９２】
図１６は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置の使用状態を示す図であり、図１７は、第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置において、ＭＲＡＭ本体を取り外す様子を示す図である。
【００９３】
ここで、図１６（ａ）および図１７（ａ）は、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット（ＭＲＡＭ本体）１およびメモリソケット４’の正面図を示し、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）は、そのときの側面図を示す。なお、図１６および図１７は、前述した図１および図５、図８および図９、或いは、図１２および図１３に相当する。
【００９４】
まず、図１５並びに図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を、コネクタ３を有するメモリソケット４’に嵌め込み、コネクタレバー４０ａ，４０ｂによりＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’に取り付ける。
【００９５】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）に取り付けて使用する場合、第１磁場Ｍ１は、メモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１の下部磁性層がＭＲＡＭとして機能するのに十分で、上部フリー層の磁化反転に影響の無い強さとされている。
【００９６】
なお、磁石複合体２ａ，２ｂには、それぞれ第１異方性磁石２１ａ，２１ｂによる第１磁場Ｍ１を、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１におけるメモリチップ１１に適切な位置で印加するようにスペーサ２０ａ，２０ｂが設けられている。
【００９７】
さらに、図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示されるように、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を基板４から取り外すには、コネクタレバー４０ａ，４０ｂを開いてＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’から押し上げて外す。このとき、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１のメモリチップ（ＭＲＡＭ素子）１１に記録されたデータは完全に破壊される。
【００９８】
ここで、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１をメモリソケット４’（基板４）から取り外す場合、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１が傾いた状態で取り外される場合でも、前述した第２実施例のときと同様に、全てのＭＲＡＭ素子１１のデータが破壊されることになる。
【００９９】
すなわち、本第３実施例のＳＯ−ＤＩＭＭタイプ磁気メモリ装置は、磁石複合体２ａ，２ｂを設ける必要はあるが、一般的に使用されているデスクトッップパソコンのＳＯ−ＤＩＭＭと同様に、ＳＯ−ＤＩＭＭユニット１を提供することができる。
【０１００】
上述した第１〜第３実施例の磁気メモリ装置によれば、電力を必要とすることなく、記録されたデータを破壊することができ、また、データ破壊後にデータの読み出しや解読（改竄）を不可能とすることができる。
【０１０１】
さらに、磁気メモリ本体を不正に持ち出した場合には、記録された全てのデータが確実に破壊されることになり、データの漏洩を防止することができる。そして、取り外した磁気メモリ本体を元に戻して取り付けた場合には、記録されていたデータは破壊されて使用できないが、新たに初期化された磁気メモリ装置として再使用することが可能となる。
【０１０２】
図１８は、本実施形態の磁気メモリ装置の変形例を説明するための図である。ところで、図１〜図６を参照して説明した実施形態では、対向する磁石複合体２ａおよび２ｂを基板４（例えば、マザーボード）に対して直接固定して配置し、ＭＲＡＭ本体（例えば、ＳＳＤユニット）１と一緒に取り外すことができないようにしている。
【０１０３】
これに対して、図１８に示す変形例では、対向する磁石複合体２ａおよび２ｂが専用の基板３０（例えば、ＳＳＤユニットの基板：ユニット基板）に対して固定して配置されている。そして、このユニット基板３０は、一旦マザーボード４に取り付けられると、マザーボード４から取り外すことができないようになっている。
【０１０４】
ここで、図１８（ａ）は、ＳＳＤユニット１，ユニット基板３０およびマザーボード４を分離した状態を示し、図１８（ｂ）は、ＳＳＤユニット１，ユニット基板３０およびマザーボード４を勘合した状態を示す。
【０１０５】
ＳＳＤユニット１は、磁石複合体２ａ，２ｂが固定して配置されたユニット基板３０に対して、コネクタ１００および３１０により着脱可能として設けられている。すなわち、ＳＳＤユニット１は、ＳＳＤユニット１のコネクタ１００と、ユニット基板３０のコネクタ３１０により電気的に接続される。
【０１０６】
さらに、ユニット基板３０は、ユニット基板３０のコネクタ３２０と、マザーボード４のコネクタ４００により電気的に接続される。なお、各コネクタ１００，３１０，３２０および４００は、複数の金属端子（接続ピン）を有している。
【０１０７】
ユニット基板３０には、ロック機構（メス部）３３０ａ，３３０ｂが設けられ、マザーボード４のロック機構（オス部）４１０ａ，４１０ｂと勘合するようになっている。ここで、ユニット基板３０のロック機構３３０ａ，３３０ｂには、ツメ部３４０ａ，３４０ｂが形成されていて、一旦マザーボード４のロック機構４１０ａ，４１０ｂが勘合すると、ツメ部３４０ａ，３４０ｂにより取り外すことができないようになっている。
【０１０８】
また、マザーボード４には、位置合わせ部４１１ａ，４１１ｂが設けられていて、ユニット基板３０をマザーボード４の所定個所に位置合わせできるようになっている。
【０１０９】
なお、図１８では、ロック機構３３０ａ，３３０ｂ；４１０ａ，４１０ｂおよびツメ部３４０ａ，３４０ｂにより、マザーボード４に対してユニット基板３０を取り外しできないように取り付ける例を示しているが、様々な変形も可能である。
【０１１０】
具体的に、例えば、一旦ユニット基板３０がマザーボード４に取り付けられると、一般には入手不可能な専用の取り外し工具がなければ、マザーボード４から取り外すことができないように構成することもできる。或いは、接着剤等を使用して、一旦ユニット基板３０がマザーボード４に取り付けられると、永久的に取り外すことができないようにしてもよい。
【０１１１】
これにより、図１８に示す変形例は、図１〜図６を参照して説明した実施形態と同様に、例えば、磁気メモリ本体を不正に持ち出した場合には、記録された全てのデータが確実に破壊（消去）されてデータの漏洩を確実に防止することができる。
【０１１２】
ここで、図１８に示す変形例は、ユニット基板３０に対して、磁石複合体２ａ，２ｂ、コネクタ３１０，１００（３）およびＳＳＤユニット（ＭＲＡＭ本体）１の全てを設けた磁気メモリ装置を、他社に販売する場合等において好ましいものである。
【０１１３】
すなわち、本変形例では、磁気メモリ装置の製造メーカがメモリ本体１と磁石複合体２ａ，２ｂ（異方性磁石２１ａ，２１ｂおよび２３ａ，２３ｂ）の位置関係等の設定を正確に行い、その設定後の製品を提供するため、製品の管理を厳密に行うことができる。
【０１１４】
なお、例えば、上述したような磁気メモリ装置を購入したパソコンの組み立てメーカでは、磁気メモリ装置（ユニット基板３０）をマザーボード４に固定して配置することになるが、知られている技術をそのまま利用することで、何らの問題も生じることはない。すなわち、図１〜図６を参照して説明した実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１５】
なお、図１８に示す変形例は、単なる例であり、前述した第１〜第３実施例に対して適宜変更して適用することができるのはいうまでもない。また、上述した第１〜第３実施例の磁気メモリ装置も単なる例であり、本実施形態の磁気メモリ装置は、ＳＳＤやＳＯ−ＤＩＭＭ以外にも、様々な構成として適用することが可能である。
【０１１６】
さらに、第１〜第３実施例の磁気メモリ装置を設ける対象装置は、ノートパソコンやデスクトップパソコンに限定されるものではなく、携帯端末を始めとする様々な電子機器に対して幅広く適用することができる。
【０１１７】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに、以下の付記を開示する。
（付記１）
保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、
第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石、
を備えることを特徴とするメモリ装置。
【０１１８】
（付記２）
前記第１磁石は、前記メモリの取り外しの際に、前記第１磁性層を前記第１方向の磁化から開放する位置に設けられている、
ことを特徴とする付記１に記載のメモリ装置。
【０１１９】
（付記３）
前記第２磁石は、前記メモリの取り付けの際に、前記第１磁性層および前記第２磁性層の磁化に影響を与えない位置に設けられている、
ことを特徴とする付記１または付記２に記載のメモリ装置。
【０１２０】
（付記４）
前記第１磁石および前記第２磁石は、遮蔽材を介して積層され、前記メモリに対して同一方向の磁場を与えるように前記メモリの両側に設けられている、
ことを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【０１２１】
（付記５）
積層された前記第１磁石，前記遮蔽材および前記第２磁石は、磁場発生ユニットとしてパッケージングされ、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記メモリの両側で、互いに対向するように設けられている、
ことを特徴とする付記４に記載のメモリ装置。
【０１２２】
（付記６）
前記メモリは、ＳＳＤユニットとして形成され、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記ＳＳＤユニットの両側で、互いに対向するように設けられる、
ことを特徴とする付記５に記載のメモリ装置。
【０１２３】
（付記７）
前記メモリは、ＳＯ−ＤＩＭＭユニットとして形成され、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記ＳＯ−ＤＩＭＭユニットを取り付けるメモリソケットの両側で、互いに対向するように設けられる、
ことを特徴とする付記５に記載のメモリ装置。
【０１２４】
（付記８）
前記磁場発生ユニットが設けられる対象装置は、ノートパソコンまたはデスクトップパソコンである、
ことを特徴とする付記５乃至付記７のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【０１２５】
（付記９）
前記第１磁石および前記第２磁石は、異方性磁石である、
ことを特徴とする付記１乃至付記８のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【符号の説明】
【０１２６】
１ ＭＲＡＭ本体（メモリ，磁気メモリ本体，ＳＳＤユニット，ＳＯ−ＤＩＭＭユニット）
２ａ，２ｂ 磁石複合体（磁場発生ユニット）
３，１００，３１０，３２０，４００ コネクタ
４ 基板（マザーボード）
４’ メモリソケット
５ ノートパソコン
６ ＣＰＵ
１１，１１ａ，１１ｂ ＭＲＡＭ素子（メモリチップ）
２０ａ，２０ｂ スペーサ
２１ａ，２１ｂ 第１異方性磁石（第１磁場発生磁石）
２２ａ，２２ｂ 遮蔽材
２３ａ，２３ｂ 第２異方性磁石（第２磁場発生磁石）
３０ ＳＳＤユニットの基板（ユニット基板）
１０１， 金属端子（接続ピン）
１１１，１１１ａ，１１１ｂ 下部磁性層（第１磁性層）
１１２，１１２ａ，１１２ｂ 絶縁層
１１３，１１３ａ，１１３ｂ 上部フリー層（第２磁性層）
３３０ａ，３３０ｂ ロック機構（メス部）
３４０ａ，３４０ｂ ツメ部
４１０ａ，４１０ｂ ロック機構（オス部）
４１１ａ，４１１ｂ 位置合わせ部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、
第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石、
を備えることを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
前記第１磁石は、前記メモリの取り外しの際に、前記第１磁性層を前記第１方向の磁化から開放する位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記第２磁石は、前記メモリの取り付けの際に、前記第１磁性層および前記第２磁性層の磁化に影響を与えない位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記第１磁石および前記第２磁石は、遮蔽材を介して積層され、前記メモリに対して同一方向の磁場を与えるように前記メモリの両側に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【請求項５】
積層された前記第１磁石，前記遮蔽材および前記第２磁石は、磁場発生ユニットとしてパッケージングされ、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記メモリの両側で、互いに対向するように設けられている、
ことを特徴とする請求項４に記載のメモリ装置。
【請求項１】
保持力を持たない第１磁性層と保持力を有する第２磁性層が積層されたメモリのスピン方向によりデータを記録するメモリ装置において、
第１磁石によって前記第１磁性層が第１の方向に磁化された前記メモリの取り外しの際に該メモリが通過する領域に磁界を与え、前記第２磁性層を第２方向に磁化する第２磁石、
を備えることを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
前記第１磁石は、前記メモリの取り外しの際に、前記第１磁性層を前記第１方向の磁化から開放する位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記第２磁石は、前記メモリの取り付けの際に、前記第１磁性層および前記第２磁性層の磁化に影響を与えない位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記第１磁石および前記第２磁石は、遮蔽材を介して積層され、前記メモリに対して同一方向の磁場を与えるように前記メモリの両側に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のメモリ装置。
【請求項５】
積層された前記第１磁石，前記遮蔽材および前記第２磁石は、磁場発生ユニットとしてパッケージングされ、
２つの前記磁場発生ユニットは、前記メモリの両側で、互いに対向するように設けられている、
ことを特徴とする請求項４に記載のメモリ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−８９０８１（Ｐ２０１３−８９０８１Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９９１９（Ｐ２０１１−２２９９１９）
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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