説明

レーザ光源

【課題】パルス光の出力を一時停止して再開した場合の光サージの発生が抑制されたレーザ光源を提供することを目的とする。
【解決手段】レーザ光源1は、第1の波長の光をパルス光として出力する第1光源17と、第1の波長とは異なる第2の波長の光を出力する第2光源21と、第1光源17から出力されるパルス光と第2光源21から出力される光とを入力し、第1光源17から出力されるパルス光及び第2光源21から出力される光を増幅して出力する光増幅器である光増幅性ファイバ12と、第1光源17からの光の出力に応じて前記第2の光源からの光の出力を制御する制御部22と、を備え、第1光源17は、パルス光の一定周期での繰り返し出力が開始・継続するON状態と、パルス光の出力が一定周期以上の間停止するOFF状態と、を有し、制御部22は、第1光源17がOFF状態である場合に、第2光源から光を出力させることにより、光増幅性ファイバ12に添加された希土類系元素の反転分布の上昇を抑制する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パルス光を出射するレーザ光源に関する。特に、光増幅器を使用し、パルス光を増幅して、出射するレーザ光源であり、高出力であり、加工用や医療用などに適用される。
【背景技術】
【0002】
レーザ加工や医療、計測等の多くの分野において、パルス幅が短く、パルスピークが高く、且つ、高速繰返しの可能なパルスレーザ光が要望される。レーザ加工の分野では、パルスレーザ光はQスイッチ方式で実現されることが多い。しかしながら、Qスイッチ方式のパルスレーザ光源では、パルス幅は光共振器中を光が複数回往復した時間に相当するため、短パルス化に限界があり、且つ高速繰返しも困難である。このため、パルス変調された半導体レーザ等を種光源とし、その下流に光増幅器を配置したMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)方式を用いたレーザ光源が注目されている。レーザ光源としてMOPA方式を採用した場合、光増幅器部分を、希土類元素を添加した光ファイバを光増幅媒体とする光ファイバ増幅器とすることにより、高い利得及び安定した回折限界ビーム品質を実現することが容易であるという効果が知られている。
【0003】
ただし、MOPA方式のパルスレーザ光源を用いる場合、パルス動作を一時中断する場合に種光源からのパルス光の出力を停止すると、光ファイバ増幅器に含まれ、希土類元素が添加された光増幅媒体である光ファイバ中の反転分布が極限まで上昇してしまうため、パルス動作を再開した際に出射光の光パワーが一時的に増大する光サージが発生する場合がある。このため、光サージが発生したレーザ光を加工対象物に照射することを防ぐ方法として、例えば特許文献1記載のように、出力再開後のパルスレーザ光を遮蔽する方法が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2001−358087号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上述の光サージの発生は、レーザ光が照射される加工対象物以外にも影響を与える場合がある。例えば、光サージの発生は、レーザ光源の故障の原因になりうる。また、光ファイバ増幅器の動作を停止する方法も考えられるが、光ファイバ増幅器を再び励起する際に、熱平衡に達するまでの暖機運転に一定の時間を要することから、短時間に安定動作させることが困難である。このように、MOPA方式を用いたレーザ光源からのパルス光の出力を一時停止する場合、再開後の光サージの発生が抑制され一定強度のパルス光を安定して出射するレーザ光源の提供が望まれている。
【0006】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、パルス光の出力を一時停止して再開した場合の光サージの発生が抑制されたレーザ光源を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するため、本発明に係るレーザ光源は、第1の波長の光をパルス光として出力する第1光源と、第1の波長とは異なる第2の波長の光を出力する第2光源と、第1光源及び第2光源から出力される光を増幅する光増幅器と、第1光源からの光の出力に応じて第2の光源からの光の出力を制御する制御部とを備え、第1光源は、パルス光の一定周期での繰り返し出力が開始・継続するON状態と、パルス光の出力が一定周期以上の間停止するOFF状態とを有し、制御部は、第1光源がOFF状態である場合に、第2光源から光を出力させることを特徴とする。
【0008】
上記のレーザ光源のように、第1光源からのパルス光の出力が一定周期以上の間停止するOFF状態の際に第2光源からの光を出力させることにより、上記の反転分布が抑制されるため、第1光源からのパルス光の一定周期での繰り返し出力が開始・継続するON状態とした場合の光サージの発生が抑制される。
【0009】
また、本発明に係るレーザ光源は、光増幅器により増幅されて出力された光を入力し、この入力した光のうち第1の波長の光を透過し、第2の波長の光を遮断するフィルタをさらに備えるフィルタをさらに備える態様とすることができる。
【0010】
上記のように、フィルタをさらに備えることで、第2光源から出射され、光増幅器により増幅された光が外部に出射されることを抑制することができる。
【0011】
また、制御部は、第1光源がOFF状態からON状態に変更される時点又は第1光源がON状態である場合に、第2光源からの光の出力を停止させる態様としてもよい。
【0012】
このように、第1光源がON状態である場合には第2光源からの光の出力を停止させることにより、第1光源から出力されるパルス光のピークパワーを抑圧することなく、レーザ光を出力させることができる。
【0013】
また、光増幅器は、光増幅性元素が添加された光ファイバを光増幅媒体として構成され、第2光源から出力される光の立ち上がり時間は、光増幅性元素の励起寿命の50%〜200%の時間となるように設定されている態様とすることもできる。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、光源のOFF状態時に光増幅器の熱平衡が維持されるように励起光を光増幅器に供給しない状態で、パルス光を出力する光源をOFF状態からON状態に変更した場合に、巨大な光サージを発生することがないレーザ光源が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】第1実施形態に係るレーザ光源1の構成を示す図である。
【図2】レーザ光源1に含まれるLWPF26について説明する図である。
【図3】レーザ光源1に含まれる合波器23について説明する図である。
【図4】レーザ光源1によるレーザ光の出力について説明する図である。
【図5】レーザ光源1によるレーザ加工について説明する図である。
【図6】ガルバノスキャナによるX軸方向及びY軸方向の掃引の有無と、第1光源17及び第2光源21のレーザ光の出力の有無(ON状態とOFF状態)との関係の一例を示す図である。
【図7】ガルバノスキャナによるX軸方向及びY軸方向の掃引の有無と、第1光源17及び第2光源21のレーザ光の出力の有無(ON状態とOFF状態)との関係の他の例を示す図である。
【図8】第2実施形態に係るレーザ光源2の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【0017】
(第1実施形態)
本発明に係るレーザ光源の第1実施形態について説明する。図1は第1実施形態に係るレーザ光源1の構成を示す図である。図1に示すように、レーザ光源1は、光増幅性ファイバ11,12、励起光源13,14、コンバイナ15,16、第1光源17、光アイソレータ18,20、バンドパスフィルタ19、第2光源21、制御部22、WDM(Wavelength DivisionMultiplexing)カプラ23、エンドキャップ24、レンズ25及びLWPF(LongWavelength Pass Filter)26を含んで構成される。
【0018】
このレーザ光源1は、光増幅性ファイバ11,12に対して励起光源13,14より出力される励起光を入力することにより、光増幅性ファイバ11,12を励起状態とすることにより、種光源である第1光源17から出力される種光が光増幅性ファイバ11,12により光増幅され、その光増幅された光がレーザ光源1の出力となる。すなわち、このレーザ光源1はMOPA(Master Oscillator Power Amplifier)の構造となっている。
【0019】
第1光源17としては種光となるパルス光を出射することができる光源であれば、特に限定されないがYAGレーザ光源等が好適に用いられる。本実施形態における第1光源17は、その駆動電流は200mA程度であり、種光となる波長1064nmで700mW程度のパルス光を出力する。この種光の波長1060nm帯において光増幅性ファイバ11,12はそれぞれ利得を有する。
【0020】
光増幅を行う活性媒体は、既存のYAGレーザ光源と互換性がある波長1060nm周辺に利得を有し、かつ、励起光波長と被増幅光波長とが互いに近くパワー変換効率の点で有利なYb元素が好適であり、光ファイバのコアにYb元素が添加されたYbDF(Yb-Doped Fiber)であるのが望ましい。このレーザ光源1における光増幅部は、光増幅性ファイバ11を含むプリアンプ部及び光増幅性ファイバ12を含むブースターアンプ部を含んで構成される。
【0021】
プリアンプ部では、第1光源17から出力され光アイソレータ18及びコンバイナ15を経て光増幅性ファイバ11に入力された種光を、この光増幅性ファイバ11により光増幅する。励起LDモジュールからなる励起光源13からコンバイナ15を経て光増幅性ファイバ11に順方向に供給される励起光は、波長が975nmであり、パワーが5W級である。光増幅性ファイバ11は、リン(P)濃度が26.4wt%であり、且つアルミニウム(Al)濃度が0.8wt%であるコア励起方式のリン酸塩系YbDFであって、コア径が10μmであり、第1クラッドの径が125μm程度であり、波長915nmにおける非飽和吸収係数が1.8dB/mであり、長さが3.4mである。光増幅性ファイバ11の後段に配置されたバンドパスフィルタ19は、種光源から出力される光以外の波長を抑圧する為に挿入される。
【0022】
上記のプリアンプ部のバンドパスフィルタ19の後段において、第1光源17から出力され、光増幅性ファイバ11により光増幅された光と、第2光源21から出力される光と、を合波する合波器23が設けられる。合波器23において合波された光は、光アイソレータ20、コンバイナ16を経由しブースターアンプ部である光増幅性ファイバ12へ出力される。
【0023】
第2光源21は、波長1030nmのレーザ光を連続して出力する光源である。この第2光源21による光の出力は、制御部22により制御される。制御部22は、第1光源21からの種光(パルス光)の出力の開始(OFF状態→ON状態)及び停止(ON状態→OFF状態)等の情報を配線を介して受信し、これに基づいて第2光源21からのレーザ光(例えば、CW光)の出力を制御する。制御部22による制御方法の詳細については後述する。
【0024】
ブースターアンプ部では、コンバイナ16を経た光を、この光増幅性ファイバ12において光増幅する。励起光源14のそれぞれからコンバイナ16を経て光増幅性ファイバ12に順方向に供給される励起光は、波長が975nmであり、パワーが5W級である。すなわち光増幅性ファイバ12に供給される励起光のパワーは30Wである。なお、光増幅性ファイバ12は、アルミニウム(Al)濃度が1.5wt%であるコア励起方式のAl共添加石英系YbDFであって、コア径が10μmであり、第1クラッドの径が125μm程度であり、波長915nmにおける非飽和吸収係数が1.5dB/mであり、長さが4mである。
【0025】
さらに光増幅性ファイバ12の後段には、エンドキャップ24が設けられ、光増幅性ファイバ12から出力された光を入力し、エンドキャップ24から出力する。さらにエンドキャップ24の後段にレンズ25が設けられる。エンドキャップ24から出力された光はレンズ25によりコリメートされた後、LWPF26に入力される。LWPF26は長波長透過フィルタであり、その透過特性は図2に示すとおりである。LWPF26は、第2光源から出力される光の波長(第2波長)を第1光源から出力される光の波長(第1波長)より短い波長とし、第1波長の光を透過し、第2波長の光を除去する波長域に設定されている。このような透過特性を有するLWPF26を経た光がパルス光としてレーザ光源1から出射される。なお、第2波長の光を除去するためだけであれば、第1の波長の光のみが透過可能なフィルタとして、LWPF26に代えてバンドパスフィルタを用いることもできる。ただし、レーザ光を高パワー出力する場合には、光増幅性ファイバ11,12中で誘導ラマン散乱(Stimulated Raman Scattering:SRS)等の非線形効果により、波長1100nm付近の成分の光が発生する場合がある。この長波長成分の光もレーザ加工に寄与する場合がある。長波長成分の光を利用する場合は、長波長成分を透過させることのできるLWPFを用いることが好ましい。
【0026】
図3は、合波器23について説明する図である。図3では、合波器23としてWDMフィルタを用いた場合について説明する。図3(A)に示すように、第1光源17と第2光源21それぞれからの光の入力ポートは、合波器23に対して対向する位置に配置される。図3(B)はWDMフィルタの特性を説明する図であり、S1はWDMフィルタに対する各波長の光の透過率を示し、S2は当該フィルタに対する各波長の光の反射率を示す。図3(B)に示すように、第1光源17から出射される波長1064nmの光は合波器23を透過し、出力ポートへ出力することができる。一方、第2光源21から出射される波長1030nmの光は、WDMフィルタにおいて反射され、第1光源17からの光の入力ポートへはほとんど透過されず、出力ポートへ出力する。このため、図3(A)に示すように、合波器23に対して対向するように第1光源17と第2光源とを配置することにより、第1光源17及び第2光源21から出射される光を同一の方向に出射させることができる。これにより、合波器23は、第1光源17から出射される光と第2光源21から出射される光とを合波し、光アイソレータ20に対して出射させることができる。なお、合波器23としては、WDMフィルタに代えて、WDMカプラを用いてもよい。なお、WDMカプラとはファイバを溶融接続した溶融式ファイバカプラであり、安価且つコンパクトである。
【0027】
なお、レーザ光源1から出射されるレーザ光の照射方向は、ガルバノスキャナ等により制御される。
【0028】
ここで、図4及び図5を用いて、第1光源17及び第2光源21のそれぞれから光を出射するタイミングについて、説明する。図4は、レーザ光源1から出射されるレーザ光の出力パワーについて説明する図である。また、図5は、レーザ光源1を用いて加工対象物を加工する例について説明する図である。
【0029】
本実施形態では、図5に示すように、レーザ光源1から出射されるレーザ光によって加工対象物Pの表面を加工する場合について説明する。具体的には、レーザ光源1から出射されるレーザ光Lにより、平板状の加工対象物Pの表面をX軸に平行な方向に複数本加工する(図5のA部が加工対象領域である)。そしてレーザ光源1の照射領域は、加工対象物PのY軸方向の側縁部に位置し、隣接するA部の端部の間を繋ぐ領域(図5のB部)上を移動する。これにより、レーザ光源1の照射領域が、加工対象であるA部上と非加工対象であるB部上とを交互に移動することにより、X軸に平行な複数本の加工部(A部)をレーザ光Lにより加工することができる。このとき、レーザ光源1の照射領域がB部上を移動する場合にはレーザ光Lの照射を停止する必要がある。
【0030】
上記の加工対象物Pを加工する場合、図4(A)に示すように、レーザ光源1から出射されるレーザ光の照射領域がA部上であるON時間帯(図4(A)において時間T1に示す時間帯)は、第1光源17から波長1064nmのパルス光を出力し(ON状態)、レーザ光源1からはこのパルス光が光増幅されたパルスレーザ光L1が出力される。次に、ガルバノスキャナにより、レーザ光源1によるレーザ光の照射領域がB部上になった場合には、第1光源17からのパルス光の出力を停止させる(OFF状態)。これにより、レーザ光源1によるパルスレーザ光L1の出力は停止される。ただし、この停止時間中に、光増幅性ファイバ12中に添加される希土類元素の反転分布が極限まで上昇してしまうため、再びレーザ光源1のレーザ光Lの照射領域がA部上に来て、レーザ光源1からのパルスレーザ光L1の照射を再開した時点(時間T1の開始時点)におけるパルスレーザ光L1の出力パワーが一時的に急激に増大し、光サージが発生する。巨大な光サージが発生すると、レーザ光源1の各部に故障や破損等が発生する可能性がある。
【0031】
これに対して、本実施形態のレーザ光源1では、図4(B)に示すように、第1光源17からの種光(パルス光)の出射をパルス光のパルス周期以上の期間停止している(OFF状態である)OFF時間帯(時間T2で示される時間帯)に、第2光源21からの光の出射を行う。そして、第2光源21から出力された光は、光増幅性ファイバ12により増幅される。光増幅性ファイバ12により増幅されたレーザ光L2は、エンドキャップ24、レンズ25を経てLWPF26に入射する。この第2光源21から出射されるレーザ光L2は、LWPF26によりそのほとんどが遮断される。なお、レーザ光L2が、加工等に利用する場合や、照射対象に対して無害の場合は、LWPF26などのフィルタがない状態でも良い。上記の通り、OFF時間帯に第2光源21から出射された光が光増幅性ファイバ12に対して入射され、光増幅性ファイバ12に入力される励起光が消費されるため、光増幅性ファイバ12に添加される希土類元素の反転分布の著しい上昇が抑制される。これにより、第1光源17からのパルス光の出力が再開された時点(時間T1の開始時点)におけるパルスレーザ光L1の巨大な光サージの発生を抑制することができる。
【0032】
第2光源21からの光の出射は、第1光源17からのパルス光の出射を停止した後、間隙をおかず、開始することが好ましい。第1光源17からのパルス光の出射の停止時刻と第2光源21からの光の出射の開始時刻との間に間隙がある(すなわち、いずれの光源からも光が出射されない時間帯がある)と、その間に光増幅性ファイバ12に添加される希土類元素の反転分布が上昇するため、第2光源21から光の出射を開始した際に、光サージが発生する場合がある。これを防ぐためには、第1光源17からのパルス光の出射を停止した後、第1光源17から出射されるパルス光の出力周期と同等又はそれよりも短い間隔で第2光源21からの光の出射を開始することが好ましい。より具体的には、第1光源17から出力されるパルス光の繰返し周波数が100kHzである場合、1パルス周期の時間は10μsであるので、第1光源17からのパルス光の出力停止後1パルス周期の時間以内、すなわち10μs以内に第2光源21からのレーザ光の出力を開始することが好ましい。
【0033】
また、第1光源17がON状態となる時点より、光増幅性ファイバ12に添加される希土類元素の励起寿命に対して50〜200%の時間だけ早く第2光源21からのレーザ光の出力を開始させる態様、すなわち、第2光源21から出力される光の立ち上がり時間を希土類元素の励起寿命の50%〜200%の時間とする態様とすることもできる。
【0034】
第2光源21からレーザ光を出力する場合、このレーザ光の出力強度が所定の値となるまでの所要時間(立ち上がり時間)が短すぎると、光サージの原因となる可能性がある。また、立ち上がり時間が遅すぎると、希土類元素の反転分布の上昇を十分に抑制することが難しくなる。このため、第2光源21からのレーザ光の出力に係る立ち上がり時間(所定の出力強度に対して10%の強度の状態から90%の強度になるまでの所要時間)は、光増幅性ファイバ12において光増幅作用を起こすYbイオンの励起寿命である100μsに対して同程度であることが好ましいが、励起寿命に対して50〜200%としてもよい。
【0035】
第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力に係る制御は、例えば、レーザ光源1から出力される増幅後のレーザ光の照射位置を制御してビーム掃引を行うガルバノスキャナに対して、ガルバノスキャナの動作に係る制御信号をレーザ光源1に係る制御装置22から送信する場合に併せてレーザ光源1に対しても第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力に係る制御信号を送信することにより行うことができる。より具体的には、レーザ光源1によるレーザ光の掃引方向が図5におけるX軸方向(加工対象領域であるA部)からY軸方向(非加工対象領域であるB部)に対して変更する場合に、第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力を制御する制御部22に対してもレーザ光の出力に係る制御信号が送信されることにより、第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力を制御することができる。なお、他の方法として、X軸方向及びY軸方向の移動をそれぞれ制御するガルバノスキャナのモータの駆動(掃引状態)及び停止に係る信号を外部出力し、この駆動及び停止に対応付けて第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力を制御する態様としてもよい。
【0036】
図5に示す加工対象物Pのレーザ加工を行う場合、ガルバノスキャナによるX軸方向及びY軸方向の掃引の有無と、第1光源17及び第2光源21のレーザ光の出力の有無(ON状態とOFF状態)とは、例えば図6に基づいて対応付けることができる。なお、図6のうち、「1」はガルバノスキャナが該当する方向に対して掃引状態であることを示し、「0」はガルバノスキャナが該当する方向への掃引を停止している状態であることを示す。なお、表1では、X軸方向及びY軸方向の両者が「0」である場合及び両者が「1」である場合についても示している。これは、ガルバノスキャナがソレノイドモーター等からなるため、電気信号に対する即応性が低いことにより発生する状態に対応するものである。すなわち、電気信号によりX軸方向又はY軸方向についての掃引及び停止を切り替えた際に、過渡的にガルバノスキャナが緩和振動を起こした場合の各光源の制御を示すものである。この場合、光サージを避ける目的から、X軸方向及びY軸方向の両者が「0」である場合及び両者が「1」である場合のいずれにおいても、第1光源17及び第2光源21をON状態とし、両光源からレーザ光を出射させる状態とすることが好ましい。
【0037】
なお、図6のように第1光源17及び第2光源21の両者のON状態とOFF状態とを切り替えず、例えば第1光源17は常時ON状態とし、第2光源21のみON状態とOFF状態とを切り替える態様とした場合とすることができる。この場合のガルバノスキャナによる掃引方向と第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力の関係を図7に示す。
【0038】
図7に示すように、第1光源17が常時ON状態である場合であっても、第2光源を用いることにより、レーザ光源1から出射されるパルス光のピークを抑圧することができる。特に、加工対象物が熱影響を受け難い材料からなる場合には、表2に示す関係で第1光源17及び第2光源21からのレーザ光の出力を制御することにより、レーザ光の照射位置をY軸方向に掃引する際のレーザ光源1から出射されるパルス光のパルスピークをより簡便に抑圧することができる。なお、上記の実施形態では第1光源17がON状態である場合について説明しているが、何かの拍子に第1光源をOFF状態で、励起光を駆動する際には、第2光源をON状態で使用することで、有効となる。
【0039】
(第2実施形態)
次に、本発明に係るレーザ光源の第2実施形態について説明する。図8は第2実施形態に係るレーザ光源2の構成を示す図である。レーザ光源2がレーザ光源1と異なる点は、以下の点である。すなわち、種光として、第1光源17及び第2光源21とは異なる波長のパルス光を出射する第3光源30を備え、第1光源17から出射されるパルス光及び第3光源30から出射されるパルス光は、合波器31により合波された後、光アイソレータ18に入射され、コンバイナ15を経て光増幅性ファイバ11に入射される点である。なお、第2光源の波長は、第1光源、第3光源のそれぞれの波長が含まれる波長帯とは異なることが望ましい。この合波器31としては、上述のWDMカプラが好適に用いられる。
【0040】
このように、レーザ光源2から出射するパルス光の種光を複数種類の波長のレーザ光とすることができる。第2光源21からの光を、第1光源と第3光源それぞれからのパルス光の出射が停止しているOFF時間帯に出射することにより、第1光源と第3光源それぞれからのパルス光の出射を再開した際の光サージを抑制することができる。なお、第1実施形態で記載された種々の変更可能な実施態様は、第2実施形態でも適用可能してもよい。
【0041】
以上、本発明の好適な実施形態について種々の形態を説明したが、本発明は上記態様に限定されない。例えば、上記実施形態では、Ybが添加された光増幅性ファイバ11,12を用いた態様について説明したが、Ybに代えてErが添加された光増幅性ファイバを用いてもよい。この場合には、第1光源17から出射されるパルス光の波長を1550nmとし、第2光源21から出射される光の波長を1530nmとすることが好ましい。ただし、レーザ光源1から出力されるレーザ光の強度をより高くする場合には、上述のように、励起光と被増幅光(種光)との波長を近くすることから、Ybが添加された光増幅性ファイバを用いることが好ましい。
【0042】
また、第1光源17から種光の出射を停止したOFF状態のときに第2光源21から出射される光の波長は、光増幅性ファイバ11,12に添加する希土類系元素がYb及びErのいずれであっても、自然放出光スペクトルのピークを有する波長の近傍とすることが好ましい。この場合、第2光源21から出射される光による光サージの抑制がより効果的に行われる。
【0043】
また、上記実施形態では、光増幅器として光増幅性ファイバ11,12が用いられる形態について説明したが、固体レーザを用いる態様とすることもできる。
【符号の説明】
【0044】
1,2…レーザ光源、11,12…光増幅性ファイバ、13,14…励起光源、15,16…コンバイナ、17…第1光源、18,20…光アイソレータ、19…バンドパスフィルタ、21…第2光源、22…制御部、23,31…合波器、24…エンドキャップ、25…レンズ、26…LWPF、30…第3光源。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の波長の光をパルス光として出力する第1光源と、
前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を出力する第2光源と、
前記第1光源及び前記第2光源から出力される光を増幅する光増幅器と、
前記第1光源からの光の出力に応じて前記第2の光源からの光の出力を制御する制御部とを備え、
前記第1光源は、前記パルス光の一定周期での繰り返し出力が開始・継続するON状態と、前記パルス光の出力が前記一定周期以上の間停止するOFF状態とを有し、
前記制御部は、前記第1光源が前記OFF状態である場合に、前記第2光源から前記光を出力させる
ことを特徴とするレーザ光源。
【請求項2】
前記光増幅器により増幅されて出力された光を入力し、この入力した光のうち前記第1の波長の光を透過し、前記第2の波長の光を遮断するフィルタをさらに備える
ことを特徴とする請求項1記載のレーザ光源。
【請求項3】
前記制御部は、前記第1光源が前記OFF状態から前記ON状態に変更される時点又は前記第1光源が前記ON状態である場合に、前記第2光源からの前記光の出力を停止させる
ことを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ光源。
【請求項4】
前記光増幅器は、光増幅性元素が添加された光ファイバを光増幅媒体として構成され、
前記第2光源から出力される光の立ち上がり時間は、前記光増幅性元素の励起寿命の50%〜200%の時間となるように設定されている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ光源。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2010−258272(P2010−258272A)
【公開日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−107760(P2009−107760)
【出願日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【出願人】(000002130)住友電気工業株式会社 (12,747)
【Fターム(参考)】