レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法
【課題】磁気力を利用してドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーティングする工程を含むレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと，上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと，
上記基板ステージと上記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと，上記基板ステージと磁気力を形成する密着フレームと，上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と，を含んで構成される。
【解決手段】 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと，上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと，
上記基板ステージと上記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと，上記基板ステージと磁気力を形成する密着フレームと，上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と，を含んで構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関し，より詳細には，磁気力を利用してドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーティングする工程を含むレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく，多様に適用することができるが，有機発光素子製作において，有機発光層等を形成するときに有用であると予想される。有機発光素子は第１電極と第２電極間に発光層を形成し，電極の間に電圧を印加することで，発光層で正孔と電子が合わせられることで自発光する素子である。
【０００３】
以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。
【０００４】
レーザ熱転写法は基材基板，光熱変換層，及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層で熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで，隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。
【０００５】
レーザ熱転写法を施す場合，発光層の転写が行われるチャンバ内部は，発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいので，真空状態で主に行われる。しかし，従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合，接着力が弱くなって，転写層の転写がよく行われないという問題点がある。よって，レーザ熱転写法において，ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は，重要な意味を持ち，これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。
【０００６】
図１は，上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば，レーザ熱転写装置１０は，チャンバ１１内部に位置する基板ステージ１２及びチャンバ１１上部に位置したレーザ照射装置１３を含んで構成される。
【０００７】
基板ステージ１２は，チャンバ１１に導入されるアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５をそれぞれ順次設置するためのステージである。
この時，アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために，レーザ熱転写が行われるチャンバ１１内部を真空で維持せず，基板ステージ１２下部にホース１６を連結して真空ポンプＰで吸いこみ，アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５を合着させる。
【０００８】
一方，上記従来のレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては，下記特許文献１〜３等がある。
【０００９】
【特許文献１】特開第２００４−３５５９４９号公報
【特許文献２】特開第２００４−２９６２２４号公報
【特許文献３】米国特許第４，３７７，３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし，このような従来の技術においてもアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間の異物１と空間が発生することを完全に防止することができず，かつ，チャンバ１１内部の真空状態を維持することができなくなるため，製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすという問題がある。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，真空状態で磁気力を利用してアクセプタ基板とドナー基板をラミネーティングさせ，アクセプタ基板上の特定画素配列に有利に用いることが可能な，新規かつ改良されたレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００１３】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００１４】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００１５】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００１６】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには，永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群より選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００１７】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには，永久磁石または電磁石が含まれでもよい。
【００１８】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２０】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において；第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００２２】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００２３】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００２４】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００２５】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００２６】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００２７】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００２８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２９】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００３０】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００３１】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００３２】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００３３】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００３４】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択されるすくなくとも一つが含まれてもよい。
【００３５】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００３６】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００３７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００３８】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００３９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１〜第３色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し，上記第１〜第３色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は，画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：磁石または磁性体を含む基板ステージ及び上記基板ステージと；レーザオシレータの間に設置される密着フレームと；レーザ熱転写が行われるチャンバと；上記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための上記レーザオシレータと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記密着フレームと磁気力を形成し，上記第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホームを有することを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００４０】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空で維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００４１】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００４２】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００４３】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００４４】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００４５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセル領域に転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；磁石または磁性体を含み，上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と；レーザオシレータから上記密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して上記第１色相有機発光層を上記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；上記密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に上記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と；上記レーザオシレータから上記密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルムにレーザを照射して上記第２色相有機発光層を上記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；を含み，上記第３サブピクセルの発光層は，上記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００４６】
また，上記第１〜第３サブピクセルは，１×３行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写され，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列に形成されるように転写されてもよい。
【００４７】
また，上記第１色相有機発光層は赤発光層であり，上記第２色相有機発光層は緑発光層であり，上記第３色相有機発光層は青発光層であってもよい。
【００４８】
また，上記第１色相有機発光層は緑発光層であり，上記第２色相有機発光層は赤発光層であり，上記第３色相有機発光層は青発光層であってもよい。
【００４９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；上記基板ステージと上記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され,上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００５０】
また，少なくとも上記基板ステージと上記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含んでもよい。
【００５１】
また，上記開口ホームの大きさは，上記密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００５２】
また，上記密着フレームの磁石または上記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，電磁石であってもよい。
【００５３】
また，上記密着フレームの磁石または上記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，永久磁石であってもよい。
【００５４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する磁性体を含む密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと；上記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと；で構成され，上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００５５】
また，上記磁性体は，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであってもよい。
【００５６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームで交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を２個の第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００５７】
また，上記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１転写段階で第１色相有機発光層は，上記画素内の左上端に形成されるように転写され，上記第２転写段階で第２色相有機発光層は，上記第１サブピクセルの右側に形成されるように転写され，上記第３転写段階で第３色相有機発光層は，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されてもよい。
【００５８】
また，上記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１転写段階で第１色相有機発光層は，上記画素内の左上端に形成されるように転写され，上記第２転写段階で第２色相有機発光層は，上記第１サブピクセルの下側に形成されるように転写され，上記第３転写段階で第３色相有機発光層は，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルの各右側に形成されるように転写されてもよい。
【００５９】
また，上記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は緑で，上記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であってもよい。
【００６０】
また，上記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は赤で，上記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であってもよい。
【００６１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置において：磁石または磁性体を含む基板ステージと上記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと；レーザ熱転写が行われるチャンバと；上記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための上記レーザオシレータと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，磁石または磁性体を含み，一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第１〜第３サブピクセルの中で上記第１サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第１密着フレームと；上記第２サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第２密着フレームと；上記二つの第３サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第３密着フレームと；を備え，上記第１〜第３密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００６２】
また，上記密着フレーム移動手段は，上記密着フレームを上下に移動させるための上下駆動部と，上記上下駆動部及び上記密着フレームが安着された第１トレイに連結された連結バーと，を備えてもよい。
【００６３】
また，上記基板ステージ及び上記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた上記磁石は電磁石であってもよい。
【００６４】
また，上記基板ステージ及び上記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた上記磁石は永久磁石であってもよい。
【００６５】
また，上記磁性体はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであってもよい。
【００６６】
また，上記基板ステージには，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセル及び上記二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板と，上記アクセプタ基板上のサブピクセルに転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムと，が順次移送されて積層されてもよい。
【００６７】
また，上記密着フレーム移動手段は，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームを順次交換させる交換手段をさらに備えてもよい。
【００６８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；磁石または磁性体を含んで上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；レーザオシレータから上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して上記第１色相有機発光層を上記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで上記第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に上記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記レーザオシレータから上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルムにレーザを照射して上記第２色相有機発光層を上記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第３密着フレームに交換する第３密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に上記第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；上記レーザオシレータから上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルムにレーザを照射して上記第３色相有機発光層を上記第３サブピクセル領域に転写する第３サブピクセル転写段階と；を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００６９】
また，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセルと上記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列に形成されるように転写し，上記第３サブピクセル転写段階で上記二つの第３色相有機発光層は，上記画素内の第２行１列及び第２行２列に形成されるように転写してもよい。
【００７０】
また，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセルと上記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第２行１列に形成されるように転写し，上記第３サブピクセル転写段階で上記二つの第３色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列及び第２行２列に形成されるように転写してもよい。
【００７１】
また，上記第１サブピクセルは赤サブピクセルであり，上記第２サブピクセルは緑サブピクセルであり，上記第３サブピクセルは青サブピクセルであってもよい。
【００７２】
また，上記第１サブピクセルは緑サブピクセルであり，上記第２サブピクセルは赤サブピクセルであり，上記第３サブピクセルは青サブピクセルであってもよい。
【発明の効果】
【００７３】
以上説明したように，本発明によれば，基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができ，かつ有機素子の寿命，歩留まり及び信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７４】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００７５】
（第１実施形態）
図２は，本発明の一実施形態によるレーザ熱転写装置の分解斜視図である。これによれば，レーザ熱転写装置１００は，基板ステージ１１０，レーザオシレータ１２０，密着フレーム１３０，密着フレーム移動手段１４０，及びチャンバ１５０を含んで構成される。
【００７６】
まず，チャンバ１５０は，通常のレーザ熱転写装置１００で用いられるチャンバ１５０を使うことができ，チャンバ１５０内部には少なくとも基板ステージ１１０及び密着フレーム１３０などが装着される。チャンバ１５０内には，ドナーフィルム２００及びアクセプタ基板３００が移送され，このためにチャンバ１５０外部にはドナーフィルム２００及びアクセプタ基板３００をチャンバ１５０内部に移送するための移送手段（図示せず）が具備される。
【００７７】
本実施形態において用いられるアクセプタ基板３００は，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を具備し，ドナーフィルム２００は上記画素に有機発光層を転写する転写層を含む。
【００７８】
基板ステージ１１０は，チャンバ１５０の底面に位置し，本実施形態において基板ステージ１１０には少なくとも一つの電磁石（図示せず）が含まれている。但し，電磁石の代りに永久磁石または磁性体になりうる他の実施形態を当業者は容易に想到することができ，これは本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
基板ステージ１１０に含まれた電磁石をより詳細に説明するために図３ａ及び図３ｂを参照する。
【００８０】
図３ａは，基板ステージ１１０内部に電磁石１１３が同心円に形成されたことをあらわす透視平面図であり，図３ｂは，基板ステージ１１０内部に電磁石１１３が複数の列に形成されたことをあらわす透視平面図である。
【００８１】
図３ａのように基板ステージ１１０の電磁石１１３が図３ａのように同心円状に配置される場合，最も内部にある同心円を成す電磁石１１３にさきに電力を印加し，その状態で次の外部にある同心円を成す電磁石１１３に電力を印加し，その状態でまたその外部にある同心円を成す電磁石１１３に電力を印加することによって，後述の密着フレームの磁石と磁気的引力を発生するようにしてドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００の間の異物や空間が生成されることを極小化しながらラミネーティングすることができる。
【００８２】
また，基板ステージ１１０の電磁石が図３ｂのように横及び縦に多数の列を形成しながら配置される場合，レーザが照射される電磁石１１３またはその列の電磁石１１３のみに電力を印加し，後述する密着フレームの磁石と磁気的引力を発生するようにし，レーザが照射される部分のみに連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにすることで，より異物や空間が生成されることを減らしつつラミネーティングすることができる。そして，図示してないが各電磁石には電力を印加する電気配線が形成される。
【００８３】
一方，基板ステージ１１０は，移動のための駆動手段（図示せず。）をさらに備えることができる。基板ステージ１１０が移動される場合，レーザオシレータ１２０は一方向のみにレーザを照射するように構成されうる。例えば，レーザが縦長方向に照射され，横長方向に基板ステージ１１０を移動させる駆動手段をさらに備える場合，ドナーフィルム２００全面的に対してレーザが照射されうる。
【００８４】
また，基板ステージ１１０はアクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００を収納して装着させる装着手段を備えることができる。装着手段は，移送手段によってチャンバ１５０内に移送されて来たアクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００が基板ステージの決まった位置に正確に装着されるようにする。
【００８５】
本実施形態において，装着手段は貫通ホール４１０，５１０，ガイドバー４２０，５２０，移動プレート４３０，５３０，支持台４４０，５４０，及び装着ホーム４５０，５５０を含んで構成することができる。この時，ガイドバー４２０は，移動プレート４３０及び支持台４４０に伴って上昇または下降運動するが，ガイドバー４２０が貫通ホール４１０を通過して上昇しながらアクセプタ基板３００を収容し，下降しながらアクセプタ基板３００を基板ステージ１１０上に形成された第１装着ホーム４５０に安定して設置する構造である。第２装着ホーム５５０にはドナーフィルム２００が安定して設置される。上記装着手段は当業者によって多様に変形実施されうるので，これに対する詳細な説明は略する。
【００８６】
レーザオシレータ１２０は，チャンバ１５０の外部または内部に設置されることができ，レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。レーザオシレータ１２０の概略的な構成図である図４によれば，本実施形態においてレーザオシレータ１２０は，ＣＷ ＮＤ：ＹＡＧレーザ（１６０４ｎｍ）を使っており，２個のガルバノーミトスキャナ１２１，１２３を具備し，スキャンレンズ１２５及びシリンダレンズ１２７を備えるが，これに制限されるのではない。
【００８７】
密着フレーム１３０は，電磁石，永久磁石，または磁性体を含んで構成され，基板ステージ１１０の磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。また，密着フレーム１３０はレーザが通過することができる開口ホーム１３３を備えるが，これによって密着フレーム１３０はレーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することができる。一方，本実施形態において磁性体とは，強磁性体と弱磁性体を含む概念であり，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物等が好ましく使用することができる。
【００８８】
この時，図５ａ〜５ｃに示すように，密着フレーム１３０は，転写される有機発光層によって３種類の密着フレームが用いられてもよい。例えば，有機発光素子の第１サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ａ＿１が形成された第１密着フレーム１３０ａ＿１と，第２サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ｂ＿１が形成された第２密着フレーム１３０ｂ＿１，そして第３サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ｃ＿１が形成された第３密着フレーム１３０ｃ＿１がお互いに交換されながら運転される。
【００８９】
また，開口ホームを全面に形成して一つの密着フレームを使って製造する工程も不可能ではないが，この場合，磁石が密着フレームの枠部のみに含まれようになり，ドナー基板とアクセプタ基板の間の磁力によるラミネーティングが実質的に起きない可能性が高い。よって，磁石の含まれる面積は密着フレームの少なくとも５０％以上であることが好ましい。
【００９０】
図５ａは，第１密着フレーム，図５ｂは，第２密着フレーム，図５ｃは，第３密着フレームの一実施形態を図示する。図５ｄはこれによって形成されたストライプ型画素配列を図示している。
【００９１】
図５ａの第１密着フレーム１３０ａ＿１は，第１サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿１が複数形成されており，図５ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿１は，第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿１が複数形成されており，図５ｃの第３密着フレーム１３０ｃ＿１は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｃ＿１が複数形成されている。
【００９２】
密着フレーム移動手段１４０は，密着フレーム１３０を基板ステージ方向に往復移動させる手段であり，多様に製作されうるが，図６に図示された実施形態によれば，据置ホーム１４２を具備した据置台１４１とチャンバ１５０上面から据置台１４１に連結される連結バー１４３及び連結バー１４３とこれに連結された据置台１４１を上下駆動させる駆動手段（図示せず。）を含む。この時，密着フレーム１３０は図示されたように移動手段によって移動される場合，据置突部１３４を備えたトレイ１３５に装着されて移動される。
【００９３】
一方，第１密着フレーム１３０ａ＿１と第２密着フレーム１３０ｂ＿１の交換は，ロボット腕のような交換手段が利用されうる。例えば，据置台上に置かれている第１密着フレーム１３０ａ＿１に第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成した後，ロボット腕が第１密着フレーム１３０ａ＿１を据置台から外部に移送させ，第２密着フレーム１３０ｂ＿１を据置台に位置させることで交換が行われる。
【００９４】
次に，図２，図５及び図７を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ６００，第２密着フレーム密着段階ＳＴ７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ８００，第２密着フレーム分離段階ＳＴ９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ１０００と，第３密着フレーム密着段階ＳＴ１１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ１２００と，を含む。
【００９５】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域はストライプ型画素を形成するように配列されている。
【００９６】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成されることができ，例えば，赤の場合もあり得る。
【００９７】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ａ＿１が形成され，磁石または磁性体を含む第１密着フレーム１３０ａ＿１を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【００９８】
第１転写段階ＳＴ４００は，第１密着フレーム１３０ａ＿１の開口ホーム１３３ａ＿１を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【００９９】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００は，第１密着フレームを１次的に磁気的斥力で分離し，２次的に密着フレーム移動手段によってチャンバ１５０上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレーム１３０ａ＿１を第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１００】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１０１】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ７００は，第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿１が形成され，磁石または磁性体を含む第２密着フレームを第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第２密着フレーム１３０ｂ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１０２】
第２転写段階ＳＴ８００は，第２密着フレーム１３０ｂ＿１の開口ホーム１３３ｂ＿１を通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【０１０３】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ１０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上からチャンバ１５０外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１０４】
第３密着フレーム密着段階ＳＴ１１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｃ＿１が形成されて磁石または磁性体を含む第３密着フレーム１３０ｃ＿１を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第３密着フレーム１３０ｃ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１０５】
第３転写段階ＳＴ１２００は，第３密着フレーム１３０ｃ＿１の開口ホーム１３３ｃ＿１を通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【０１０６】
各転写段階において，上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１０７】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１０８】
一方，上記製造方法において各密着フレーム交換段階が説明されなかったが，当業者は交換段階が遂行されなければならないことを認識すべきである。
【０１０９】
（第２実施形態）
以下の実施形態での図面符号は，第１実施形態と同じ構成の場合，同じ符号を付与する。
【０１１０】
第２実施形態では第１実施形態と区別されるアクセプタ基板及び密着フレームに対してのみ詳しく説明する。
【０１１１】
第２実施形態で用いられるアクセプタ基板３００は，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク（ｍｏｓａｉｃ）型に配置されるように形成された画素定義領域を具備し，モザイク型はお互いに違う色相のサブピクセル順に連続する形状の配列である。
【０１１２】
図８ａは，本発明の第２実施形態にかかる第１密着フレームを，図８ｂは，本発明の第２実施形態にかかる第２密着フレームを，図８ｃは，本発明の第２実施形態にかかる第３密着フレームを図示し，図８ｄは密着フレームに形成されたアクセプタ基板上のモザイク画素配列が図示されている。
【０１１３】
図８ａの第１密着フレーム１３０ａ＿２は，第１サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿２が複数形成されており，図８ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿２は，第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿２が複数形成されており，図８ｃの第３密着フレーム１３０ｃ＿２は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｃ＿２が複数形成されている。
【０１１４】
第２実施形態の製造方法は第１実施形態の製造方法と同じなので，これに対する説明は略する。
【０１１５】
（第３実施形態）
第３実施形態では第１実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
【０１１６】
図９ａ，図９ｂは，第１密着フレーム，第２密着フレームの一実施形態を図示し，図９ｃはこれによって形成されたデルタ型画素配列を図示している。第３実施形態はデルタ型画素配列を形成するアクセプタ基板が利用されるが，デルタ型画素配列は各サブピクセルが三角形（ｄｅｌｔａ）に羅列される配列である。
【０１１７】
第１密着フレーム１３０ａは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿３が複数形成されており，第２密着フレーム１３０ｂ＿３は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿３が複数形成される。この時，２個の密着フレーム１３０ａ＿３，１３０ｂ＿３はお互いに交換されながら運転される。
【０１１８】
図２，図９及び図１０を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって第３実施形態による有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ２１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ２３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ２４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ２５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ２６００，第１密着フレーム再密着段階ＳＴ２７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ２８００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ２９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ３０００と，第２密着フレーム密着段階ＳＴ３１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ３２００と，を含む。
【０１１９】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ２１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域はストライプ型画素を形成するように配列されている。
【０１２０】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成することができ，例えば赤の場合もある。
【０１２１】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ２３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ａ＿３が形成されて磁石または磁性体を含む第１密着フレーム１３０ａ＿３を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿３は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的には，より力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１２２】
第１転写段階ＳＴ２４００は，第１密着フレーム１３０ａ＿３の開口ホーム１３３ａ＿３を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１２３】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ２５００は，第１密着フレーム１３０ａ＿３を１次的に磁気的斥力で分離し，２次的には密着フレーム移動手段によってチャンバ１５０上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレーム１３０ａ＿３を第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１２４】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ２６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１２５】
第１密着フレーム再密着段階ＳＴ２７００は，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００でドナー基板から分離された第１密着フレーム１３０ａ＿３を再度第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿３は１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１２６】
第２転写段階ＳＴ２８００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第２画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１２７】
第２密着フレーム交換段階ＳＴ２９００では，第１密着フレーム１３０ａ＿３と基板ステージの間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生して第１密着フレーム１３０ａ＿３を第２ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレーム１３０ａ＿３を第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿３が形成され，磁石または磁性体１３７ｂ＿３が含まれた第２密着フレーム１３０ｂ＿３に交換する。
【０１２８】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ３０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上からチャンバ１５０外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１２９】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ３１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿３が形成され，磁石または磁性体を含む第２密着フレーム１３０ｂ＿３を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ｂ＿３は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１３０】
第３転写段階ＳＴ３２００は，第２密着フレーム１３０ｂ＿３の開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時には，レーザが第２密着フレーム１３０ｂ＿２の全領域に照射されるようにすることも可能である。
【０１３１】
この時，各転写段階において，上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１３２】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１３３】
（第４実施形態）
第４実施形態では第１実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
【０１３４】
図１１ａは，密着フレームの一実施形態を図示し，図１１ｂはこれによって形成された画素配列を図示している。これによれば，密着フレーム１３０＿４は，基板ステージ１１０の磁石または磁性体と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の間に位置するアクセプタ基板３００とドナーフィルムを力強くラミネーティングすることができるように少なくとも一つの磁石または磁性体１３７＿４を含む。ここで，磁石は電磁石または永久磁石の場合もあり，密着フレーム自体が磁性体で形成することもできる。但し，基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の中で一つは磁石が含まれなければならない。
【０１３５】
また，密着フレーム１３０＿４は，レーザが通過することができる開口ホーム１３３＿４を備えるが，密着フレーム１３０＿４はラミネーティングのための手段になるだけでなく，レーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することができる。
【０１３６】
開口ホーム１３３＿４は，転写される有機発光層が含まれた画素配列によって多様に設定されうる。例えば，一つの画素内に具備される第１〜第３サブピクセルの中で第１及び第２サブピクセルのみレーザ熱転写法によって形成し，画素部全体に共通層を蒸着して第３サブピクセルを形成する場合，同じ行にお互いに隣り合うように配置される第１及び第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３＿４が形成されうる。ここで，第１及び第２サブピクセルは赤サブピクセル及び緑サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましいが，本発明はこれに限定されない。
【０１３７】
ここで，第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホーム１３３＿４を共通に形成したので，これらの二つのサブピクセルは，同じ密着フレーム１３０＿４を利用して形成するが，レーザビームをコントロールして第１及び第２サブピクセルの発光層が正確な位置に転写されるようにする。これによって，用いられる密着フレームの数を減らして工程を単純化することができる。そして，第３サブピクセルは，第１及び第２サブピクセルの発光層が形成された後，アクセプタ基板３００を蒸着チャンバ（図示せず。）に移動させて熱蒸着などによって形成される。この時，別途のマスク工程を経らなくて工程がさらに単純化される。
【０１３８】
上記密着フレーム１３０＿４を利用して画素を形成した画素部を模式的に現わした図１１ｂを参照すれば，一つの画素には，第１〜第３サブピクセルが含まれるが，第１及び第２サブピクセルが形成された領域を除いた残りの画素部分が第３サブピクセル領域になる。
【０１３９】
図２及び図１２を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって第３実施形態による有機発光素子を形成する方法を説明する。これによれば，工程はアクセプタ基板移送段階ＳＴ４０００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ４１００，密着フレーム密着段階ＳＴ４２００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ４３００，密着フレーム分離段階ＳＴ４４００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ４５００，密着フレーム再密着段階ＳＴ４６００及び第２サブピクセル転写段階ＳＴ４７００と，を含む。
【０１４０】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ４０００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０の装着ホーム４５０に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置させる段階である。アクセプタ基板３００には，ドナーフィルム２００から転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。このようなアクセプタ基板３００の画素領域は，三つのサブピクセルが一つの画素を形成するように配列されている。ここで，サブピクセルは第１及び第２サブピクセル領域を除いた部分が第３サブピクセル領域になるように配列される。
【０１４１】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ４１００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上に移送する段階である。ここで，第１ドナーフィルムには，アクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第１色相で構成されることができ，例えば赤で構成されうる。
【０１４２】
密着フレーム密着段階ＳＴ４２００は，密着フレーム１３０＿４を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，密着フレーム１３０＿４は，磁石または磁性体を含んで第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３＿４を備える。この時，密着フレーム１３０＿４は，一次的には密着フレーム移動手段によって基板ステージ１１０上に移動されて密着され，二次的には基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の間の磁気的引力によってより力強く密着されることが好ましい。
【０１４３】
第１サブピクセル転写段階ＳＴ４３００は，レーザオシレータ１２０から密着フレーム１３０＿４の開口ホーム１３３＿４を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに形成された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホーム１３３＿４の中で第１サブピクセル領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１４４】
密着フレーム分離段階ＳＴ４５００は，密着フレーム１３０＿４を第１ドナーフィルムから分離する段階である。この時，密着フレーム１３０＿４は，一次的には磁気的斥力によって第１ドナーフィルムから分離し，二次的には密着フレーム移動手段１４０によってチャンバ１５０上部に移動される。
【０１４５】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ４６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０に移送し，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１３０＿４上に移送する段階である。ここで，第２ドナーフィルムにはアクセプタ基板１３０＿４の第２サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第２色相で構成されることができ，例えば緑で構成されうる。
【０１４６】
密着フレーム再密着段階ＳＴ４７００は，密着フレーム１３０＿４を第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，密着フレーム１３０＿４は，第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３＿４を備える。
【０１４７】
第２サブピクセル転写段階ＳＴ４８００は，レーザオシレータ１２０から密着フレーム１３０＿４の開口ホーム１３３＿４を通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに形成された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１３０＿４の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホーム１３３＿４中諦２サブピクセル領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１４８】
前述したように，第１及び第２サブピクセルの有機発光層が形成されれば，アクセプタ基板１３０＿４を蒸着チャンバに移送して第３サブピクセルの有機発光層を形成することができる。この時，第３サブピクセルの有機発光層は熱蒸着などによって画素部に共通に形成されることができ，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１４９】
一方，上記工程段階は，真空チャンバ１５０内で進行され，各転写段階で転写される有機発光層の配列にしたがってレーザ照射方法は変わることができる。例えば，１×３行列に配列された三つのサブピクセルが一つの画素を成す場合，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは，１行２列に形成されるようにレーザを照射することができる。
【０１５０】
（第５実施形態）
第５実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図１３ａは，第１密着フレーム１３０ａの一実施形態を示し，図１３ｂは，第２密着フレーム１３０ｂの一実施形態を図示する。
【０１５１】
図１３ａの第１密着フレーム１３０ａ＿５は，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿５が複数形成されており，図１３ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿５は，第１密着フレーム１３０ａ＿５と重なる場合，第１密着フレーム１３０ａ＿５開口ホーム１３３ａ＿５の下部に位置される２個の第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿５が複数形成されている。この時，各密着フレームには，磁石または磁性体１３７＿５が含まれている。一方，これによって形成されたアクセプタ基板の画素配列は図１３ｃに図示されている。
【０１５２】
また，図１３ｄ，図１３ｅは，お互いに交換されながら装着される第１密着フレームと第２密着フレームの他の実施形態を図示し，図１３ｆは第１密着フレーム１３０ｄ＿５と第２密着フレーム１３０ｅ＿５によって形成された画素配列を図示する。これによれば，図１３ｄの第１密着フレーム１３０ｄ＿５は，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｄ＿５が複数形成されており，図１３ｅの第２密着フレーム１３０ｅ＿５は，第１密着フレーム１３０ｄ＿５と重なる場合，第１密着フレーム１３０ｄ＿５の開口ホームの右側に位置される２個の第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｅ＿５が複数形成されている。この時，各密着フレームには，磁石または磁性体１３７が含まれている。一方，これによって形成されたアクセプタ基板の画素配列は図１３ｆに図示されている。
【０１５３】
次に，図２及び図１４を参照しながら，本実施形態によるレーザ熱転写装置によって有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ５１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ５２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ５３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ５４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ５６００，第１密着フレーム再密着段階ＳＴ５７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ５８００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ５９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ６０００と，第２密着フレーム密着段階ＳＴ６１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ６２００と，を含む。
【０１５４】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ５１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域は４個のサブピクセルが１個の画素を形成するように配列されている。
【０１５５】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ５２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成されることができ，例えば赤である場合がある。
【０１５６】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ５３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石または磁性体を含む第１密着フレームを第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１５７】
第１転写段階ＳＴ５４００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１５８】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００は，第１密着フレームを１次的に磁気的斥力で分離し，２次的に密着フレーム移動手段によってチャンバ上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレームを第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１５９】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ５６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１６０】
第１密着フレーム再密着段階ＳＴ５７００は，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００でドナー基板から分離された第１密着フレームを再度第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１６１】
第２転写段階ＳＴ５８００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第２画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１６２】
第２密着フレーム交換段階ＳＴ５９００では，第１密着フレームと基板ステージの間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生して第１密着フレームを第２ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレームを第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第２密着フレームに交換する。
【０１６３】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ６０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１６４】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ６１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石または磁性体を含む第２密着フレームを第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１６５】
第３転写段階ＳＴ６２００は，第２密着フレームの開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時，レーザが第２密着フレームの全領域に照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１６６】
一方，各転写段階で有機発光層は，画素定義領域に多様に転写されうる。有機発光層は転写の配列によって，レーザ照射方法は変わることができる。例えば，四つのサブピクセルが２×２画素を成す場合，第１転写段階で第１サブピクセルは，左上端の画素領域に形成され，第２転写段階で第２サブピクセルは，第１サブピクセルの右側に形成されるように転写し，第３転写段階で第３サブピクセルは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルの下に一つずつ形成されるように転写することができる。
【０１６７】
または，第１転写段階で第１サブピクセルは左上端の画素領域に形成され，第２転写段階で第２サブピクセルは，第１サブピクセルの下に形成されるように転写し，第３転写段階で第３サブピクセルは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルの右側に一つずつ形成されるように転写することができる。
【０１６８】
この時，２個のサブピクセルを成す色相は青が好ましい。例えば，各転写段階において上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相はＲで，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，上記第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されうる。
【０１６９】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，上記第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されうる。
【０１７０】
（第６実施形態）
第６実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図１５ａは，本発明の第６実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。また，図１５ｂは，本発明の第６実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を図示した斜視図であり，図１５ｃは，本発明の第６実施形態にかかる第３密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。
【０１７１】
図１５ａ〜図１５ｃを参照すれば，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６それぞれは，永久磁石，磁性体または電磁石の中で少なくとも一つと，少なくとも一つの開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６を備える。
【０１７２】
ここで，永久磁石，磁性体または電磁石１３７は，図２及び図４ａ〜図４ｂに図示された基板ステージ１１０の磁石１３７と磁気力を形成するために，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６に具備され，開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６の間に位置される。
【０１７３】
ここで，磁性体とは，強磁性体と弱磁性体を含む概念であり，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物等を用いることができる。一方，磁石１３７が電磁石の場合，各電磁石には電力を印加する電気配線がさらに形成されなければならない。
【０１７４】
開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６は，転写される有機発光層が含まれた画素配列によって多様に設定されうる。例えば，２×２行列形態に配列された一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を形成し，複数の画素が画素部を形成する場合，第１密着フレーム１３０ａ＿６は図５ａのように第１サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ａ＿６を備える。
【０１７５】
そして，第２密着フレーム１３０ｂ＿６は，図５ｂに示すように第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｂ＿６を備え，第３密着フレーム１３０ｃ＿６は，図５ｃに示すように二つの第３サブピクセルが形成される位置に共通開口ホーム１３３ｃ＿６を備える。この時，第３密着フレーム１３０ｃ＿６に備えた開口ホーム１３３ｃ＿６は，第３サブピクセルが同じ列に位置されるように形成される。そして，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６の開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６は，これらの密着フレームがお互いに重なる場合，重畳されないように形成される。
【０１７６】
ここで，第１及び第２サブピクセルは，赤サブピクセル及び緑サブピクセルで，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましいが，本発明はこれに限定されない。この場合，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６は第１〜第３サブピクセルを形成するためのマスクの役割も遂行するようになる。
【０１７７】
前述した第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６を利用して発光層を形成した有機発光表示装置の画素配列を図示した図１５ｄを参照すれば，画素部は一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルからなる複数の画素を備える。
【０１７８】
画素内で第１〜第３サブピクセルは，２×２行列形態に配置され，第１サブピクセルは第１行１列に，第２サブピクセルは第２行１列に，そして，二つの第３サブピクセルは第２列に位置される。ここで，第１〜第３サブピクセルは赤，緑及び青サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１７９】
一方，他の実施形態として一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルを２×２行列形態で配置する時，二つの第３サブピクセルを第２行に配置することもできる。この場合，レーザ熱転写装置は，図１５ｅ〜図１５ｇのように形成された第１，第２，第３密着フレーム１３０ｅ＿６，１３０ｆ＿６，１３０ｇ＿６を備えるようになる。
【０１８０】
第１密着フレーム１３０ｅ＿６は，図１５ｅに示すように第１サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｅ＿６を備えることができる。そして，第２密着フレーム１３０ｆ＿６は，図１５ｆに示すように第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｆ＿６を具備し，第３密着フレーム１３０ｇ＿６は，図１５ｇのように二つの第３サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｇ＿６を備える。この時，第３密着フレーム１３０ｇ＿６に具備された開口ホーム１３３ｇ＿６は，第３サブピクセルが同じ行に位置されるように形成される。
【０１８１】
すなわち，図１５ｈに図示されたように第１行１列には第１サブピクセルが位置され，第１行２列には第２サブピクセルが位置され，第２行には第３サブピクセルが位置される。ここで，第１〜第３サブピクセルは赤，緑及び青サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１８２】
このように一つの赤サブピクセル，一つの緑サブピクセル及び二つの青サブピクセルで一つの画素を形成する場合，最も発光効率が低い青サブピクセルの発光効率を補って各サブピクセルの均衡を合わせ，色再現性を高めることができる。
【０１８３】
また，お互いに異なる密着フレームを使って各サブピクセルを形成するようになれば，同じ密着フレームには，一色相のサブピクセルが形成される位置のみに開口ホームが形成される。この場合，一つの密着フレームに二つの色相以上のサブピクセルに対応される開口ホームを形成する場合に比べて密着フレーム内に磁石または磁性体を含む部分が多くて，磁力によるラミネーティング効果を高めることができる。
【０１８４】
図１６は，本発明の実施形態によるレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写工程を図示したブロック図である。図１６を説明する際，説明の便宜のために有機発光表示装置の画素を形成する場合を仮定して説明する。ここで，有機発光表示装置の画素は，第１〜第３サブピクセルを具備し，各サブピクセルに含まれた発光層は，レーザ熱転写工程によって形成される。
【０１８５】
図１６を参照すれば，本発明の実施形態によるレーザ熱転写装置を利用して有機発光表示装置の画素を形成するレーザ熱転写工程は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ７１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ７２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ７３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ７４００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ７５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ７６００，第２密着フレーム密着段階ＳＴ７７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ７８００，第３密着フレーム交換段階ＳＴ７９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ８０００，第３密着フレーム密着段階ＳＴ８１００及び第３サブピクセル転写段階ＳＴ８２００と，を含む。
【０１８６】
以下では，図１６とレーザ熱転写装置を図示した斜視分解図である図２をあわせてレーザ熱転写工程を各段階別に詳しく説明する。
【０１８７】
アクセプタ基板１１０移送段階は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０の第１装着ホーム２４５に有機発光層が形成されるアクセプタ基板１１０を位置させる段階である。アクセプタ基板１１０には，ドナーフィルム２００から転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。このようなアクセプタ基板１１０の画素領域は，一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが２×２行列形態に配置されて一つの画素を形成するように配列される（ＳＴ７１００）。
【０１８８】
第１ドナーフィルム移送段階は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第１ドナーフィルムには，アクセプタ基板１１０の第１サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は，第１色相で構成されることができ，例えば赤で構成されうる（ＳＴ７２００）。
【０１８９】
第１密着フレーム密着段階は，第１密着フレーム１３０ａ＿６を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，第１密着フレーム１３０ａ＿６は，磁石または磁性体を含んで第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームを備える。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿６は，一次的には密着フレーム移動手段１４０によって基板ステージ１１０上に移動されて密着され，二次的には基板ステージ１１０と第１密着フレーム１３０ａ＿６の間の磁気的引力によってより力強く密着されることが好ましい（ＳＴ７３００）。
【０１９０】
第１サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第１密着フレーム１３０ａ＿６の開口ホームを通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに形成された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第１サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ７４００）。
【０１９１】
第２密着フレーム交換段階は，第１密着フレーム１３０ａ＿６と基板ステージ２２０の間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生させて第１密着フレーム１３０ａ＿６を第１ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレーム１３０ａ＿６を第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第２密着フレーム１３０ｂ＿６に交換する段階である（ＳＴ７５００）。
【０１９２】
第２ドナーフィルム移送段階は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０外部に移送し，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第２ドナーフィルムにはアクセプタ基板１１０の第２サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第２色相で構成されることができ，例えば緑で構成されうる（ＳＴ７６００）。
【０１９３】
第２密着フレーム密着段階は，第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である（ＳＴ７７００）。
【０１９４】
第２サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第２密着フレーム１３０ｂ＿６の開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに形成された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第２サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ７８００）。
【０１９５】
第３密着フレーム交換段階は，第２密着フレーム１３０ｂ＿６と基板ステージ２２０の間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生させて第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第２ドナーフィルムから分離した後，第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第３密着フレーム１３０ｃ＿６に交換する段階である（ＳＴ７９００）。
【０１９６】
第３ドナーフィルム移送段階は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０外部に移送し，第３ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第３ドナーフィルムにはアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第３色相で構成されることができ，例えば青で構成されうる（ＳＴ８０００）。
【０１９７】
第３密着フレーム密着段階は，第３密着フレーム１３０ｃ＿６を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である（ＳＴ８１００）。
【０１９８】
第３サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第１密着フレーム１３０ｃ＿６の開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに形成された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ８２００）。
【０１９９】
一方，前述した工程段階は，真空チャンバ１５０内で進行されることができ，各転写段階で転写される有機発光層の配列にしたがってレーザ照射方法は変わることができる。例えば，２×２行列形態に配列された一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成す場合，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが第１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは，第１行２列に形成されるようにレーザを照射し，第３サブピクセル転写段階では，第２行１列及び２行２列に二つの第３サブピクセルが形成されるようにレーザを照射することができる。
【０２００】
または，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが第１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは第２行１列に形成されるようにレーザを照射し，第３サブピクセル転写段階では第１行２列及び２行２列に二つの第３サブピクセルが形成されるようにレーザを照射することもできる。
この時，第１及び第２サブピクセルを成す色相は，赤及び緑で，二つの第３サブピクセルを成す色相は青であることが好ましい。
【０２０１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０２０２】
本発明は，レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２０３】
【図１】従来技術によるレーザ熱転写装置を図示する断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるレーザ熱転写装置の一実施形態を図示する斜視図である。
【図３ａ】本発明によるレーザ熱転写装置の基板ステージの一実施形態を図示する透視平面図である。
【図３ｂ】本発明によるレーザ熱転写装置の基板ステージの他の実施形態を図示する透視平面図である。
【図４】本発明に用いられるレーザ熱転写装置のレーザオシレータの一実施形態をあらわす構造図
【図５ａ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｂ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｃ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｄ】図５ａ，図５ｂ，図５ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図６】本発明によるレーザ熱転写装置の密着フレーム移送手段をあらわす斜視図である。
【図７】本発明の第１実施形態にかかる有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図８ａ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｂ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｃ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｄ】図８ａ，図８ｂ，図８ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図９ａ】本発明の第３実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図９ｂ】本発明の第３実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図９ｃ】図９ａ，図９ｂによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１１ａ】本発明の第４実施形態によるレーザ熱転写装置の密着フレームの一実施形態をあらわす平面図である。
【図１１ｂ】図１１ａによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１３ａ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１３ｂ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１３ｃ】図１３ａ，図１３ｂによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１３ｄ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレーム及び第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１３ｅ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１３ｆ】図１３ｄ，図１３ｅによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１５ａ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｂ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｃ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｄ】図１５ａ，図１５ｂ，図１５ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１５ｅ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｆ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｇ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｈ】図１５ｅ，図１５ｆ，１５ｇによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【０２０４】
１００ チャンバ
２００ 基板ステージ
３００ 密着フレーム
４００ レーザオシレータ
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関し，より詳細には，磁気力を利用してドナーフィルムとアクセプタ基板をラミネーティングする工程を含むレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の適用分野は特定産業分野に限定されるのではなく，多様に適用することができるが，有機発光素子製作において，有機発光層等を形成するときに有用であると予想される。有機発光素子は第１電極と第２電極間に発光層を形成し，電極の間に電圧を印加することで，発光層で正孔と電子が合わせられることで自発光する素子である。
【０００３】
以下では有機発光素子に用いられるレーザ熱転写装置を基準として本発明の従来の技術及び本発明の構成等が説明されるが本発明がこれに限定されるのではない。
【０００４】
レーザ熱転写法は基材基板，光熱変換層，及び転写層を含むドナー基板にレーザを照射させて基材基板を通過したレーザを光熱変換層で熱に変化させて光熱変換層を変形膨脹させることで，隣接した転写層を変形膨脹させてアクセプタ基板に転写層が接着されて転写されるようにする方法である。
【０００５】
レーザ熱転写法を施す場合，発光層の転写が行われるチャンバ内部は，発光素子形成の時の他の蒸着工程と同調されるようにするために真空状態が行われることが好ましいので，真空状態で主に行われる。しかし，従来の方法によって真空状態でレーザ熱転写を行う場合，接着力が弱くなって，転写層の転写がよく行われないという問題点がある。よって，レーザ熱転写法において，ドナー基板とアクセプタ基板をラミネーティングさせる方法は，重要な意味を持ち，これを解決するためのさまざまな方案が研究されている。
【０００６】
図１は，上述した問題点を解決するための従来の技術によるレーザ熱転写装置の部分断面図である。これによれば，レーザ熱転写装置１０は，チャンバ１１内部に位置する基板ステージ１２及びチャンバ１１上部に位置したレーザ照射装置１３を含んで構成される。
【０００７】
基板ステージ１２は，チャンバ１１に導入されるアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５をそれぞれ順次設置するためのステージである。
この時，アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために，レーザ熱転写が行われるチャンバ１１内部を真空で維持せず，基板ステージ１２下部にホース１６を連結して真空ポンプＰで吸いこみ，アクセプタ基板１４とドナーフィルム１５を合着させる。
【０００８】
一方，上記従来のレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に関する技術を記載した文献としては，下記特許文献１〜３等がある。
【０００９】
【特許文献１】特開第２００４−３５５９４９号公報
【特許文献２】特開第２００４−２９６２２４号公報
【特許文献３】米国特許第４，３７７，３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし，このような従来の技術においてもアクセプタ基板１４とドナーフィルム１５の間の異物１と空間が発生することを完全に防止することができず，かつ，チャンバ１１内部の真空状態を維持することができなくなるため，製品の寿命および信頼性に良くない影響を及ぼすという問題がある。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，真空状態で磁気力を利用してアクセプタ基板とドナー基板をラミネーティングさせ，アクセプタ基板上の特定画素配列に有利に用いることが可能な，新規かつ改良されたレーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００１３】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００１４】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００１５】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００１６】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには，永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群より選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００１７】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには，永久磁石または電磁石が含まれでもよい。
【００１８】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２０】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において；第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００２２】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００２３】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００２４】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００２５】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００２６】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００２７】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００２８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００２９】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００３０】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００３１】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００３２】
また，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され，上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成してもよい。
【００３３】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００３４】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択されるすくなくとも一つが含まれてもよい。
【００３５】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００３６】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００３７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００３８】
また，上記各段階は，真空下で遂行されてもよい。
【００３９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１〜第３色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し，上記第１〜第３色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は，画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：磁石または磁性体を含む基板ステージ及び上記基板ステージと；レーザオシレータの間に設置される密着フレームと；レーザ熱転写が行われるチャンバと；上記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための上記レーザオシレータと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記密着フレームと磁気力を形成し，上記第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホームを有することを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００４０】
また，上記アクセプタ基板と上記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空で維持するチャンバをさらに含んでもよい。
【００４１】
また，上記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，上記各密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００４２】
また，上記基板ステージには磁石が含まれ，上記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれてもよい。
【００４３】
また，上記基板ステージには磁性体が含まれ，上記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれてもよい。
【００４４】
また，上記基板ステージまたは上記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれてもよい。
【００４５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセル領域に転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；磁石または磁性体を含み，上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と；レーザオシレータから上記密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して上記第１色相有機発光層を上記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；上記密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に上記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と；上記レーザオシレータから上記密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルムにレーザを照射して上記第２色相有機発光層を上記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；を含み，上記第３サブピクセルの発光層は，上記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする，有機発光素子の製造方法が提供される。
【００４６】
また，上記第１〜第３サブピクセルは，１×３行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写され，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列に形成されるように転写されてもよい。
【００４７】
また，上記第１色相有機発光層は赤発光層であり，上記第２色相有機発光層は緑発光層であり，上記第３色相有機発光層は青発光層であってもよい。
【００４８】
また，上記第１色相有機発光層は緑発光層であり，上記第２色相有機発光層は赤発光層であり，上記第３色相有機発光層は青発光層であってもよい。
【００４９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；上記基板ステージと上記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと，上記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され,上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，レーザ熱転写装置が提供される。
【００５０】
また，少なくとも上記基板ステージと上記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含んでもよい。
【００５１】
また，上記開口ホームの大きさは，上記密着フレームの面積の１％〜５０％であってもよい。
【００５２】
また，上記密着フレームの磁石または上記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，電磁石であってもよい。
【００５３】
また，上記密着フレームの磁石または上記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，永久磁石であってもよい。
【００５４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；を備え，上記基板ステージと上記レーザオシレータとの間には，レーザを通過させる開口ホームと；上記基板ステージとの間に磁気力を形成する磁性体を含む密着フレームと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと；上記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと；で構成され，上記第１密着フレームと上記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００５５】
また，上記磁性体は，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであってもよい。
【００５６】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；上記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；上記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；上記第１密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームで交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を２個の第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００５７】
また，上記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１転写段階で第１色相有機発光層は，上記画素内の左上端に形成されるように転写され，上記第２転写段階で第２色相有機発光層は，上記第１サブピクセルの右側に形成されるように転写され，上記第３転写段階で第３色相有機発光層は，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されてもよい。
【００５８】
また，上記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１転写段階で第１色相有機発光層は，上記画素内の左上端に形成されるように転写され，上記第２転写段階で第２色相有機発光層は，上記第１サブピクセルの下側に形成されるように転写され，上記第３転写段階で第３色相有機発光層は，上記第１サブピクセル及び上記第２サブピクセルの各右側に形成されるように転写されてもよい。
【００５９】
また，上記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は緑で，上記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であってもよい。
【００６０】
また，上記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は赤で，上記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であってもよい。
【００６１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置において：磁石または磁性体を含む基板ステージと上記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと；レーザ熱転写が行われるチャンバと；上記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための上記レーザオシレータと；上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，上記密着フレームは，磁石または磁性体を含み，一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第１〜第３サブピクセルの中で上記第１サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第１密着フレームと；上記第２サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第２密着フレームと；上記二つの第３サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第３密着フレームと；を備え，上記第１〜第３密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置が提供される。
【００６２】
また，上記密着フレーム移動手段は，上記密着フレームを上下に移動させるための上下駆動部と，上記上下駆動部及び上記密着フレームが安着された第１トレイに連結された連結バーと，を備えてもよい。
【００６３】
また，上記基板ステージ及び上記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた上記磁石は電磁石であってもよい。
【００６４】
また，上記基板ステージ及び上記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた上記磁石は永久磁石であってもよい。
【００６５】
また，上記磁性体はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであってもよい。
【００６６】
また，上記基板ステージには，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセル及び上記二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板と，上記アクセプタ基板上のサブピクセルに転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムと，が順次移送されて積層されてもよい。
【００６７】
また，上記密着フレーム移動手段は，上記第１密着フレーム，上記第２密着フレーム及び上記第３密着フレームを順次交換させる交換手段をさらに備えてもよい。
【００６８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；上記アクセプタ基板上に上記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；磁石または磁性体を含んで上記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；レーザオシレータから上記第１密着フレームの開口ホームを通じて上記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して上記第１色相有機発光層を上記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；上記第１密着フレームを上記第１ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで上記第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に上記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを上記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；上記レーザオシレータから上記第２密着フレームの開口ホームを通じて上記第２ドナーフィルムにレーザを照射して上記第２色相有機発光層を上記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；上記第２密着フレームを上記第２ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで上記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第３密着フレームに交換する第３密着フレーム交換段階と；上記アクセプタ基板上に上記第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを上記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；上記第３密着フレームを上記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；上記レーザオシレータから上記第３密着フレームの開口ホームを通じて上記第３ドナーフィルムにレーザを照射して上記第３色相有機発光層を上記第３サブピクセル領域に転写する第３サブピクセル転写段階と；を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法が提供される。
【００６９】
また，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセルと上記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列に形成されるように転写し，上記第３サブピクセル転写段階で上記二つの第３色相有機発光層は，上記画素内の第２行１列及び第２行２列に形成されるように転写してもよい。
【００７０】
また，上記一つの第１サブピクセルと上記一つの第２サブピクセルと上記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，上記第１サブピクセル転写段階で上記第１色相有機発光層は，上記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，上記第２サブピクセル転写段階で上記第２色相有機発光層は，上記画素内の第２行１列に形成されるように転写し，上記第３サブピクセル転写段階で上記二つの第３色相有機発光層は，上記画素内の第１行２列及び第２行２列に形成されるように転写してもよい。
【００７１】
また，上記第１サブピクセルは赤サブピクセルであり，上記第２サブピクセルは緑サブピクセルであり，上記第３サブピクセルは青サブピクセルであってもよい。
【００７２】
また，上記第１サブピクセルは緑サブピクセルであり，上記第２サブピクセルは赤サブピクセルであり，上記第３サブピクセルは青サブピクセルであってもよい。
【発明の効果】
【００７３】
以上説明したように，本発明によれば，基板とドナーフィルムの転写層の間の密着特性を高めることができ，かつ有機素子の寿命，歩留まり及び信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７４】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００７５】
（第１実施形態）
図２は，本発明の一実施形態によるレーザ熱転写装置の分解斜視図である。これによれば，レーザ熱転写装置１００は，基板ステージ１１０，レーザオシレータ１２０，密着フレーム１３０，密着フレーム移動手段１４０，及びチャンバ１５０を含んで構成される。
【００７６】
まず，チャンバ１５０は，通常のレーザ熱転写装置１００で用いられるチャンバ１５０を使うことができ，チャンバ１５０内部には少なくとも基板ステージ１１０及び密着フレーム１３０などが装着される。チャンバ１５０内には，ドナーフィルム２００及びアクセプタ基板３００が移送され，このためにチャンバ１５０外部にはドナーフィルム２００及びアクセプタ基板３００をチャンバ１５０内部に移送するための移送手段（図示せず）が具備される。
【００７７】
本実施形態において用いられるアクセプタ基板３００は，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を具備し，ドナーフィルム２００は上記画素に有機発光層を転写する転写層を含む。
【００７８】
基板ステージ１１０は，チャンバ１５０の底面に位置し，本実施形態において基板ステージ１１０には少なくとも一つの電磁石（図示せず）が含まれている。但し，電磁石の代りに永久磁石または磁性体になりうる他の実施形態を当業者は容易に想到することができ，これは本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
基板ステージ１１０に含まれた電磁石をより詳細に説明するために図３ａ及び図３ｂを参照する。
【００８０】
図３ａは，基板ステージ１１０内部に電磁石１１３が同心円に形成されたことをあらわす透視平面図であり，図３ｂは，基板ステージ１１０内部に電磁石１１３が複数の列に形成されたことをあらわす透視平面図である。
【００８１】
図３ａのように基板ステージ１１０の電磁石１１３が図３ａのように同心円状に配置される場合，最も内部にある同心円を成す電磁石１１３にさきに電力を印加し，その状態で次の外部にある同心円を成す電磁石１１３に電力を印加し，その状態でまたその外部にある同心円を成す電磁石１１３に電力を印加することによって，後述の密着フレームの磁石と磁気的引力を発生するようにしてドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００の間の異物や空間が生成されることを極小化しながらラミネーティングすることができる。
【００８２】
また，基板ステージ１１０の電磁石が図３ｂのように横及び縦に多数の列を形成しながら配置される場合，レーザが照射される電磁石１１３またはその列の電磁石１１３のみに電力を印加し，後述する密着フレームの磁石と磁気的引力を発生するようにし，レーザが照射される部分のみに連続的に局所的なラミネーティングが行われるようにすることで，より異物や空間が生成されることを減らしつつラミネーティングすることができる。そして，図示してないが各電磁石には電力を印加する電気配線が形成される。
【００８３】
一方，基板ステージ１１０は，移動のための駆動手段（図示せず。）をさらに備えることができる。基板ステージ１１０が移動される場合，レーザオシレータ１２０は一方向のみにレーザを照射するように構成されうる。例えば，レーザが縦長方向に照射され，横長方向に基板ステージ１１０を移動させる駆動手段をさらに備える場合，ドナーフィルム２００全面的に対してレーザが照射されうる。
【００８４】
また，基板ステージ１１０はアクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００を収納して装着させる装着手段を備えることができる。装着手段は，移送手段によってチャンバ１５０内に移送されて来たアクセプタ基板３００及びドナーフィルム２００が基板ステージの決まった位置に正確に装着されるようにする。
【００８５】
本実施形態において，装着手段は貫通ホール４１０，５１０，ガイドバー４２０，５２０，移動プレート４３０，５３０，支持台４４０，５４０，及び装着ホーム４５０，５５０を含んで構成することができる。この時，ガイドバー４２０は，移動プレート４３０及び支持台４４０に伴って上昇または下降運動するが，ガイドバー４２０が貫通ホール４１０を通過して上昇しながらアクセプタ基板３００を収容し，下降しながらアクセプタ基板３００を基板ステージ１１０上に形成された第１装着ホーム４５０に安定して設置する構造である。第２装着ホーム５５０にはドナーフィルム２００が安定して設置される。上記装着手段は当業者によって多様に変形実施されうるので，これに対する詳細な説明は略する。
【００８６】
レーザオシレータ１２０は，チャンバ１５０の外部または内部に設置されることができ，レーザが上部から照らされうるように設置されることが好ましい。レーザオシレータ１２０の概略的な構成図である図４によれば，本実施形態においてレーザオシレータ１２０は，ＣＷ ＮＤ：ＹＡＧレーザ（１６０４ｎｍ）を使っており，２個のガルバノーミトスキャナ１２１，１２３を具備し，スキャンレンズ１２５及びシリンダレンズ１２７を備えるが，これに制限されるのではない。
【００８７】
密着フレーム１３０は，電磁石，永久磁石，または磁性体を含んで構成され，基板ステージ１１０の磁石と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０間に位置するドナーフィルム２００とアクセプタ基板３００を力強くラミネーティングする。また，密着フレーム１３０はレーザが通過することができる開口ホーム１３３を備えるが，これによって密着フレーム１３０はレーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することができる。一方，本実施形態において磁性体とは，強磁性体と弱磁性体を含む概念であり，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物等が好ましく使用することができる。
【００８８】
この時，図５ａ〜５ｃに示すように，密着フレーム１３０は，転写される有機発光層によって３種類の密着フレームが用いられてもよい。例えば，有機発光素子の第１サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ａ＿１が形成された第１密着フレーム１３０ａ＿１と，第２サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ｂ＿１が形成された第２密着フレーム１３０ｂ＿１，そして第３サブピクセルを形成するようになる少なくとも一つの開口ホーム１３３ｃ＿１が形成された第３密着フレーム１３０ｃ＿１がお互いに交換されながら運転される。
【００８９】
また，開口ホームを全面に形成して一つの密着フレームを使って製造する工程も不可能ではないが，この場合，磁石が密着フレームの枠部のみに含まれようになり，ドナー基板とアクセプタ基板の間の磁力によるラミネーティングが実質的に起きない可能性が高い。よって，磁石の含まれる面積は密着フレームの少なくとも５０％以上であることが好ましい。
【００９０】
図５ａは，第１密着フレーム，図５ｂは，第２密着フレーム，図５ｃは，第３密着フレームの一実施形態を図示する。図５ｄはこれによって形成されたストライプ型画素配列を図示している。
【００９１】
図５ａの第１密着フレーム１３０ａ＿１は，第１サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿１が複数形成されており，図５ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿１は，第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿１が複数形成されており，図５ｃの第３密着フレーム１３０ｃ＿１は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｃ＿１が複数形成されている。
【００９２】
密着フレーム移動手段１４０は，密着フレーム１３０を基板ステージ方向に往復移動させる手段であり，多様に製作されうるが，図６に図示された実施形態によれば，据置ホーム１４２を具備した据置台１４１とチャンバ１５０上面から据置台１４１に連結される連結バー１４３及び連結バー１４３とこれに連結された据置台１４１を上下駆動させる駆動手段（図示せず。）を含む。この時，密着フレーム１３０は図示されたように移動手段によって移動される場合，据置突部１３４を備えたトレイ１３５に装着されて移動される。
【００９３】
一方，第１密着フレーム１３０ａ＿１と第２密着フレーム１３０ｂ＿１の交換は，ロボット腕のような交換手段が利用されうる。例えば，据置台上に置かれている第１密着フレーム１３０ａ＿１に第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成した後，ロボット腕が第１密着フレーム１３０ａ＿１を据置台から外部に移送させ，第２密着フレーム１３０ｂ＿１を据置台に位置させることで交換が行われる。
【００９４】
次に，図２，図５及び図７を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ６００，第２密着フレーム密着段階ＳＴ７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ８００，第２密着フレーム分離段階ＳＴ９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ１０００と，第３密着フレーム密着段階ＳＴ１１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ１２００と，を含む。
【００９５】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域はストライプ型画素を形成するように配列されている。
【００９６】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成されることができ，例えば，赤の場合もあり得る。
【００９７】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ａ＿１が形成され，磁石または磁性体を含む第１密着フレーム１３０ａ＿１を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【００９８】
第１転写段階ＳＴ４００は，第１密着フレーム１３０ａ＿１の開口ホーム１３３ａ＿１を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【００９９】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００は，第１密着フレームを１次的に磁気的斥力で分離し，２次的に密着フレーム移動手段によってチャンバ１５０上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレーム１３０ａ＿１を第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１００】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１０１】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ７００は，第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿１が形成され，磁石または磁性体を含む第２密着フレームを第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第２密着フレーム１３０ｂ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１０２】
第２転写段階ＳＴ８００は，第２密着フレーム１３０ｂ＿１の開口ホーム１３３ｂ＿１を通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【０１０３】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ１０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上からチャンバ１５０外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１０４】
第３密着フレーム密着段階ＳＴ１１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｃ＿１が形成されて磁石または磁性体を含む第３密着フレーム１３０ｃ＿１を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第３密着フレーム１３０ｃ＿１は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１０５】
第３転写段階ＳＴ１２００は，第３密着フレーム１３０ｃ＿１の開口ホーム１３３ｃ＿１を通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節されうる。
【０１０６】
各転写段階において，上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１０７】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１０８】
一方，上記製造方法において各密着フレーム交換段階が説明されなかったが，当業者は交換段階が遂行されなければならないことを認識すべきである。
【０１０９】
（第２実施形態）
以下の実施形態での図面符号は，第１実施形態と同じ構成の場合，同じ符号を付与する。
【０１１０】
第２実施形態では第１実施形態と区別されるアクセプタ基板及び密着フレームに対してのみ詳しく説明する。
【０１１１】
第２実施形態で用いられるアクセプタ基板３００は，第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク（ｍｏｓａｉｃ）型に配置されるように形成された画素定義領域を具備し，モザイク型はお互いに違う色相のサブピクセル順に連続する形状の配列である。
【０１１２】
図８ａは，本発明の第２実施形態にかかる第１密着フレームを，図８ｂは，本発明の第２実施形態にかかる第２密着フレームを，図８ｃは，本発明の第２実施形態にかかる第３密着フレームを図示し，図８ｄは密着フレームに形成されたアクセプタ基板上のモザイク画素配列が図示されている。
【０１１３】
図８ａの第１密着フレーム１３０ａ＿２は，第１サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿２が複数形成されており，図８ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿２は，第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿２が複数形成されており，図８ｃの第３密着フレーム１３０ｃ＿２は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｃ＿２が複数形成されている。
【０１１４】
第２実施形態の製造方法は第１実施形態の製造方法と同じなので，これに対する説明は略する。
【０１１５】
（第３実施形態）
第３実施形態では第１実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
【０１１６】
図９ａ，図９ｂは，第１密着フレーム，第２密着フレームの一実施形態を図示し，図９ｃはこれによって形成されたデルタ型画素配列を図示している。第３実施形態はデルタ型画素配列を形成するアクセプタ基板が利用されるが，デルタ型画素配列は各サブピクセルが三角形（ｄｅｌｔａ）に羅列される配列である。
【０１１７】
第１密着フレーム１３０ａは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿３が複数形成されており，第２密着フレーム１３０ｂ＿３は，第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿３が複数形成される。この時，２個の密着フレーム１３０ａ＿３，１３０ｂ＿３はお互いに交換されながら運転される。
【０１１８】
図２，図９及び図１０を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって第３実施形態による有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ２１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ２３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ２４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ２５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ２６００，第１密着フレーム再密着段階ＳＴ２７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ２８００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ２９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ３０００と，第２密着フレーム密着段階ＳＴ３１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ３２００と，を含む。
【０１１９】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ２１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域はストライプ型画素を形成するように配列されている。
【０１２０】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ２２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成することができ，例えば赤の場合もある。
【０１２１】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ２３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ａ＿３が形成されて磁石または磁性体を含む第１密着フレーム１３０ａ＿３を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿３は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的には，より力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１２２】
第１転写段階ＳＴ２４００は，第１密着フレーム１３０ａ＿３の開口ホーム１３３ａ＿３を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１２３】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ２５００は，第１密着フレーム１３０ａ＿３を１次的に磁気的斥力で分離し，２次的には密着フレーム移動手段によってチャンバ１５０上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレーム１３０ａ＿３を第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１２４】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ２６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１２５】
第１密着フレーム再密着段階ＳＴ２７００は，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５００でドナー基板から分離された第１密着フレーム１３０ａ＿３を再度第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿３は１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１２６】
第２転写段階ＳＴ２８００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第２画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１２７】
第２密着フレーム交換段階ＳＴ２９００では，第１密着フレーム１３０ａ＿３と基板ステージの間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生して第１密着フレーム１３０ａ＿３を第２ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレーム１３０ａ＿３を第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿３が形成され，磁石または磁性体１３７ｂ＿３が含まれた第２密着フレーム１３０ｂ＿３に交換する。
【０１２８】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ３０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上からチャンバ１５０外部に移送し，アクセプタ基板３００上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１２９】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ３１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３ｂ＿３が形成され，磁石または磁性体を含む第２密着フレーム１３０ｂ＿３を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレーム１３０ｂ＿３は，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ１１０上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１３０】
第３転写段階ＳＴ３２００は，第２密着フレーム１３０ｂ＿３の開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時には，レーザが第２密着フレーム１３０ｂ＿２の全領域に照射されるようにすることも可能である。
【０１３１】
この時，各転写段階において，上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は赤で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１３２】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されてもよい。
【０１３３】
（第４実施形態）
第４実施形態では第１実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
【０１３４】
図１１ａは，密着フレームの一実施形態を図示し，図１１ｂはこれによって形成された画素配列を図示している。これによれば，密着フレーム１３０＿４は，基板ステージ１１０の磁石または磁性体と磁気力を形成して基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の間に位置するアクセプタ基板３００とドナーフィルムを力強くラミネーティングすることができるように少なくとも一つの磁石または磁性体１３７＿４を含む。ここで，磁石は電磁石または永久磁石の場合もあり，密着フレーム自体が磁性体で形成することもできる。但し，基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の中で一つは磁石が含まれなければならない。
【０１３５】
また，密着フレーム１３０＿４は，レーザが通過することができる開口ホーム１３３＿４を備えるが，密着フレーム１３０＿４はラミネーティングのための手段になるだけでなく，レーザが所定位置のみに照射されうるマスクの役割を同時に遂行することができる。
【０１３６】
開口ホーム１３３＿４は，転写される有機発光層が含まれた画素配列によって多様に設定されうる。例えば，一つの画素内に具備される第１〜第３サブピクセルの中で第１及び第２サブピクセルのみレーザ熱転写法によって形成し，画素部全体に共通層を蒸着して第３サブピクセルを形成する場合，同じ行にお互いに隣り合うように配置される第１及び第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３＿４が形成されうる。ここで，第１及び第２サブピクセルは赤サブピクセル及び緑サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましいが，本発明はこれに限定されない。
【０１３７】
ここで，第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホーム１３３＿４を共通に形成したので，これらの二つのサブピクセルは，同じ密着フレーム１３０＿４を利用して形成するが，レーザビームをコントロールして第１及び第２サブピクセルの発光層が正確な位置に転写されるようにする。これによって，用いられる密着フレームの数を減らして工程を単純化することができる。そして，第３サブピクセルは，第１及び第２サブピクセルの発光層が形成された後，アクセプタ基板３００を蒸着チャンバ（図示せず。）に移動させて熱蒸着などによって形成される。この時，別途のマスク工程を経らなくて工程がさらに単純化される。
【０１３８】
上記密着フレーム１３０＿４を利用して画素を形成した画素部を模式的に現わした図１１ｂを参照すれば，一つの画素には，第１〜第３サブピクセルが含まれるが，第１及び第２サブピクセルが形成された領域を除いた残りの画素部分が第３サブピクセル領域になる。
【０１３９】
図２及び図１２を参照しながら，上記レーザ熱転写装置によって第３実施形態による有機発光素子を形成する方法を説明する。これによれば，工程はアクセプタ基板移送段階ＳＴ４０００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ４１００，密着フレーム密着段階ＳＴ４２００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ４３００，密着フレーム分離段階ＳＴ４４００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ４５００，密着フレーム再密着段階ＳＴ４６００及び第２サブピクセル転写段階ＳＴ４７００と，を含む。
【０１４０】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ４０００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０の装着ホーム４５０に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置させる段階である。アクセプタ基板３００には，ドナーフィルム２００から転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。このようなアクセプタ基板３００の画素領域は，三つのサブピクセルが一つの画素を形成するように配列されている。ここで，サブピクセルは第１及び第２サブピクセル領域を除いた部分が第３サブピクセル領域になるように配列される。
【０１４１】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ４１００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板３００上に移送する段階である。ここで，第１ドナーフィルムには，アクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第１色相で構成されることができ，例えば赤で構成されうる。
【０１４２】
密着フレーム密着段階ＳＴ４２００は，密着フレーム１３０＿４を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，密着フレーム１３０＿４は，磁石または磁性体を含んで第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３＿４を備える。この時，密着フレーム１３０＿４は，一次的には密着フレーム移動手段によって基板ステージ１１０上に移動されて密着され，二次的には基板ステージ１１０と密着フレーム１３０＿４の間の磁気的引力によってより力強く密着されることが好ましい。
【０１４３】
第１サブピクセル転写段階ＳＴ４３００は，レーザオシレータ１２０から密着フレーム１３０＿４の開口ホーム１３３＿４を通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに形成された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板３００の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホーム１３３＿４の中で第１サブピクセル領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１４４】
密着フレーム分離段階ＳＴ４５００は，密着フレーム１３０＿４を第１ドナーフィルムから分離する段階である。この時，密着フレーム１３０＿４は，一次的には磁気的斥力によって第１ドナーフィルムから分離し，二次的には密着フレーム移動手段１４０によってチャンバ１５０上部に移動される。
【０１４５】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ４６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０に移送し，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１３０＿４上に移送する段階である。ここで，第２ドナーフィルムにはアクセプタ基板１３０＿４の第２サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第２色相で構成されることができ，例えば緑で構成されうる。
【０１４６】
密着フレーム再密着段階ＳＴ４７００は，密着フレーム１３０＿４を第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，密着フレーム１３０＿４は，第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホーム１３３＿４を備える。
【０１４７】
第２サブピクセル転写段階ＳＴ４８００は，レーザオシレータ１２０から密着フレーム１３０＿４の開口ホーム１３３＿４を通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに形成された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１３０＿４の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホーム１３３＿４中諦２サブピクセル領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１４８】
前述したように，第１及び第２サブピクセルの有機発光層が形成されれば，アクセプタ基板１３０＿４を蒸着チャンバに移送して第３サブピクセルの有機発光層を形成することができる。この時，第３サブピクセルの有機発光層は熱蒸着などによって画素部に共通に形成されることができ，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１４９】
一方，上記工程段階は，真空チャンバ１５０内で進行され，各転写段階で転写される有機発光層の配列にしたがってレーザ照射方法は変わることができる。例えば，１×３行列に配列された三つのサブピクセルが一つの画素を成す場合，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは，１行２列に形成されるようにレーザを照射することができる。
【０１５０】
（第５実施形態）
第５実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図１３ａは，第１密着フレーム１３０ａの一実施形態を示し，図１３ｂは，第２密着フレーム１３０ｂの一実施形態を図示する。
【０１５１】
図１３ａの第１密着フレーム１３０ａ＿５は，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ａ＿５が複数形成されており，図１３ｂの第２密着フレーム１３０ｂ＿５は，第１密着フレーム１３０ａ＿５と重なる場合，第１密着フレーム１３０ａ＿５開口ホーム１３３ａ＿５の下部に位置される２個の第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｂ＿５が複数形成されている。この時，各密着フレームには，磁石または磁性体１３７＿５が含まれている。一方，これによって形成されたアクセプタ基板の画素配列は図１３ｃに図示されている。
【０１５２】
また，図１３ｄ，図１３ｅは，お互いに交換されながら装着される第１密着フレームと第２密着フレームの他の実施形態を図示し，図１３ｆは第１密着フレーム１３０ｄ＿５と第２密着フレーム１３０ｅ＿５によって形成された画素配列を図示する。これによれば，図１３ｄの第１密着フレーム１３０ｄ＿５は，第１サブピクセル及び第２サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｄ＿５が複数形成されており，図１３ｅの第２密着フレーム１３０ｅ＿５は，第１密着フレーム１３０ｄ＿５と重なる場合，第１密着フレーム１３０ｄ＿５の開口ホームの右側に位置される２個の第３サブピクセルを形成するようになる開口ホーム１３３ｅ＿５が複数形成されている。この時，各密着フレームには，磁石または磁性体１３７が含まれている。一方，これによって形成されたアクセプタ基板の画素配列は図１３ｆに図示されている。
【０１５３】
次に，図２及び図１４を参照しながら，本実施形態によるレーザ熱転写装置によって有機発光素子を形成する方法を説明する。有機発光素子の発光層を形成するにあたり，上記レーザ熱転写装置を利用する方法は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ５１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ５２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ５３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ５４００，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ５６００，第１密着フレーム再密着段階ＳＴ５７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ５８００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ５９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ６０００と，第２密着フレーム密着段階ＳＴ６１００，第３サブピクセル転写段階ＳＴ６２００と，を含む。
【０１５４】
アクセプタ基板移送段階ＳＴ５１００は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０上に有機発光層が形成されるアクセプタ基板３００を位置する段階である。アクセプタ基板３００にはドナーフィルムから転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。アクセプタ基板３００の画素領域は４個のサブピクセルが１個の画素を形成するように配列されている。
【０１５５】
第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ５２００は，アクセプタ基板３００上に転写される発光層が具備されている第１ドナーフィルムを移送する段階である。この時，発光層はいずれか１色相で構成されることができ，例えば赤である場合がある。
【０１５６】
第１密着フレーム密着段階ＳＴ５３００は，第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石または磁性体を含む第１密着フレームを第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１５７】
第１転写段階ＳＴ５４００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに具備された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第１サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第１画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲が調節される。
【０１５８】
第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００は，第１密着フレームを１次的に磁気的斥力で分離し，２次的に密着フレーム移動手段によってチャンバ上部へ密着フレームを上昇させて第１密着フレームを第１ドナー基板から分離する段階である。
【０１５９】
第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ５６００は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１６０】
第１密着フレーム再密着段階ＳＴ５７００は，第１密着フレーム分離段階ＳＴ５５００でドナー基板から分離された第１密着フレームを再度第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１６１】
第２転写段階ＳＴ５８００は，第１密着フレームの開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに具備された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第２サブピクセル領域に転写する段階である。この時，開口ホームの中で第２画素領域のみにレーザが照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１６２】
第２密着フレーム交換段階ＳＴ５９００では，第１密着フレームと基板ステージの間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生して第１密着フレームを第２ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレームを第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第２密着フレームに交換する。
【０１６３】
第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ６０００は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板上からチャンバ外部に移送し，アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを移送する段階である。すなわち，第１ドナーフィルムがドナーフィルム移送手段によって第２ドナーフィルムに交換される段階である。
【０１６４】
第２密着フレーム密着段階ＳＴ６１００は，第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石または磁性体を含む第２密着フレームを第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。この時，第１密着フレームは，１次的には密着フレーム移動手段によって密着フレームを基板ステージ上に移動させて密着し，２次的にはより力強く磁気的引力で密着することが好ましい。
【０１６５】
第３転写段階ＳＴ６２００は，第２密着フレームの開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに具備された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板の第３サブピクセル領域に転写する段階である。この時，レーザが第２密着フレームの全領域に照射されるようにレーザ照射範囲を調節する。
【０１６６】
一方，各転写段階で有機発光層は，画素定義領域に多様に転写されうる。有機発光層は転写の配列によって，レーザ照射方法は変わることができる。例えば，四つのサブピクセルが２×２画素を成す場合，第１転写段階で第１サブピクセルは，左上端の画素領域に形成され，第２転写段階で第２サブピクセルは，第１サブピクセルの右側に形成されるように転写し，第３転写段階で第３サブピクセルは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルの下に一つずつ形成されるように転写することができる。
【０１６７】
または，第１転写段階で第１サブピクセルは左上端の画素領域に形成され，第２転写段階で第２サブピクセルは，第１サブピクセルの下に形成されるように転写し，第３転写段階で第３サブピクセルは，第１サブピクセル及び第２サブピクセルの右側に一つずつ形成されるように転写することができる。
【０１６８】
この時，２個のサブピクセルを成す色相は青が好ましい。例えば，各転写段階において上記第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相はＲで，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は緑で，上記第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されうる。
【０１６９】
または，第１転写段階で転写される第１色相発光層の色相は緑で，上記第２転写段階で転写される第２色相発光層の色相は赤で，上記第３転写段階で転写される第３色相発光層の色相は青に製造されうる。
【０１７０】
（第６実施形態）
第６実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図１５ａは，本発明の第６実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。また，図１５ｂは，本発明の第６実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を図示した斜視図であり，図１５ｃは，本発明の第６実施形態にかかる第３密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。
【０１７１】
図１５ａ〜図１５ｃを参照すれば，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６それぞれは，永久磁石，磁性体または電磁石の中で少なくとも一つと，少なくとも一つの開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６を備える。
【０１７２】
ここで，永久磁石，磁性体または電磁石１３７は，図２及び図４ａ〜図４ｂに図示された基板ステージ１１０の磁石１３７と磁気力を形成するために，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６に具備され，開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６の間に位置される。
【０１７３】
ここで，磁性体とは，強磁性体と弱磁性体を含む概念であり，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物等を用いることができる。一方，磁石１３７が電磁石の場合，各電磁石には電力を印加する電気配線がさらに形成されなければならない。
【０１７４】
開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６は，転写される有機発光層が含まれた画素配列によって多様に設定されうる。例えば，２×２行列形態に配列された一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を形成し，複数の画素が画素部を形成する場合，第１密着フレーム１３０ａ＿６は図５ａのように第１サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ａ＿６を備える。
【０１７５】
そして，第２密着フレーム１３０ｂ＿６は，図５ｂに示すように第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｂ＿６を備え，第３密着フレーム１３０ｃ＿６は，図５ｃに示すように二つの第３サブピクセルが形成される位置に共通開口ホーム１３３ｃ＿６を備える。この時，第３密着フレーム１３０ｃ＿６に備えた開口ホーム１３３ｃ＿６は，第３サブピクセルが同じ列に位置されるように形成される。そして，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６の開口ホーム１３３ａ＿６，１３３ｂ＿６，１３３ｃ＿６は，これらの密着フレームがお互いに重なる場合，重畳されないように形成される。
【０１７６】
ここで，第１及び第２サブピクセルは，赤サブピクセル及び緑サブピクセルで，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましいが，本発明はこれに限定されない。この場合，第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６は第１〜第３サブピクセルを形成するためのマスクの役割も遂行するようになる。
【０１７７】
前述した第１〜第３密着フレーム１３０ａ＿６，１３０ｂ＿６，１３０ｃ＿６を利用して発光層を形成した有機発光表示装置の画素配列を図示した図１５ｄを参照すれば，画素部は一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルからなる複数の画素を備える。
【０１７８】
画素内で第１〜第３サブピクセルは，２×２行列形態に配置され，第１サブピクセルは第１行１列に，第２サブピクセルは第２行１列に，そして，二つの第３サブピクセルは第２列に位置される。ここで，第１〜第３サブピクセルは赤，緑及び青サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１７９】
一方，他の実施形態として一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルを２×２行列形態で配置する時，二つの第３サブピクセルを第２行に配置することもできる。この場合，レーザ熱転写装置は，図１５ｅ〜図１５ｇのように形成された第１，第２，第３密着フレーム１３０ｅ＿６，１３０ｆ＿６，１３０ｇ＿６を備えるようになる。
【０１８０】
第１密着フレーム１３０ｅ＿６は，図１５ｅに示すように第１サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｅ＿６を備えることができる。そして，第２密着フレーム１３０ｆ＿６は，図１５ｆに示すように第２サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｆ＿６を具備し，第３密着フレーム１３０ｇ＿６は，図１５ｇのように二つの第３サブピクセルが形成される位置に開口ホーム１３３ｇ＿６を備える。この時，第３密着フレーム１３０ｇ＿６に具備された開口ホーム１３３ｇ＿６は，第３サブピクセルが同じ行に位置されるように形成される。
【０１８１】
すなわち，図１５ｈに図示されたように第１行１列には第１サブピクセルが位置され，第１行２列には第２サブピクセルが位置され，第２行には第３サブピクセルが位置される。ここで，第１〜第３サブピクセルは赤，緑及び青サブピクセルであり，第３サブピクセルは青サブピクセルであることが好ましい。
【０１８２】
このように一つの赤サブピクセル，一つの緑サブピクセル及び二つの青サブピクセルで一つの画素を形成する場合，最も発光効率が低い青サブピクセルの発光効率を補って各サブピクセルの均衡を合わせ，色再現性を高めることができる。
【０１８３】
また，お互いに異なる密着フレームを使って各サブピクセルを形成するようになれば，同じ密着フレームには，一色相のサブピクセルが形成される位置のみに開口ホームが形成される。この場合，一つの密着フレームに二つの色相以上のサブピクセルに対応される開口ホームを形成する場合に比べて密着フレーム内に磁石または磁性体を含む部分が多くて，磁力によるラミネーティング効果を高めることができる。
【０１８４】
図１６は，本発明の実施形態によるレーザ熱転写装置を利用したレーザ熱転写工程を図示したブロック図である。図１６を説明する際，説明の便宜のために有機発光表示装置の画素を形成する場合を仮定して説明する。ここで，有機発光表示装置の画素は，第１〜第３サブピクセルを具備し，各サブピクセルに含まれた発光層は，レーザ熱転写工程によって形成される。
【０１８５】
図１６を参照すれば，本発明の実施形態によるレーザ熱転写装置を利用して有機発光表示装置の画素を形成するレーザ熱転写工程は，アクセプタ基板移送段階ＳＴ７１００，第１ドナーフィルム移送段階ＳＴ７２００，第１密着フレーム密着段階ＳＴ７３００，第１サブピクセル転写段階ＳＴ７４００，第２密着フレーム交換段階ＳＴ７５００，第２ドナーフィルム移送段階ＳＴ７６００，第２密着フレーム密着段階ＳＴ７７００，第２サブピクセル転写段階ＳＴ７８００，第３密着フレーム交換段階ＳＴ７９００，第３ドナーフィルム移送段階ＳＴ８０００，第３密着フレーム密着段階ＳＴ８１００及び第３サブピクセル転写段階ＳＴ８２００と，を含む。
【０１８６】
以下では，図１６とレーザ熱転写装置を図示した斜視分解図である図２をあわせてレーザ熱転写工程を各段階別に詳しく説明する。
【０１８７】
アクセプタ基板１１０移送段階は，磁石または磁性体を含む基板ステージ１１０の第１装着ホーム２４５に有機発光層が形成されるアクセプタ基板１１０を位置させる段階である。アクセプタ基板１１０には，ドナーフィルム２００から転写される発光層が形成される画素領域が定義されている。このようなアクセプタ基板１１０の画素領域は，一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが２×２行列形態に配置されて一つの画素を形成するように配列される（ＳＴ７１００）。
【０１８８】
第１ドナーフィルム移送段階は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第１ドナーフィルムには，アクセプタ基板１１０の第１サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は，第１色相で構成されることができ，例えば赤で構成されうる（ＳＴ７２００）。
【０１８９】
第１密着フレーム密着段階は，第１密着フレーム１３０ａ＿６を第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である。ここで，第１密着フレーム１３０ａ＿６は，磁石または磁性体を含んで第１ドナーフィルムの第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームを備える。この時，第１密着フレーム１３０ａ＿６は，一次的には密着フレーム移動手段１４０によって基板ステージ１１０上に移動されて密着され，二次的には基板ステージ１１０と第１密着フレーム１３０ａ＿６の間の磁気的引力によってより力強く密着されることが好ましい（ＳＴ７３００）。
【０１９０】
第１サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第１密着フレーム１３０ａ＿６の開口ホームを通じて第１ドナーフィルム上にレーザを照射し，第１ドナーフィルムに形成された第１色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第１サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ７４００）。
【０１９１】
第２密着フレーム交換段階は，第１密着フレーム１３０ａ＿６と基板ステージ２２０の間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生させて第１密着フレーム１３０ａ＿６を第１ドナーフィルムから分離した後，第１密着フレーム１３０ａ＿６を第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第２密着フレーム１３０ｂ＿６に交換する段階である（ＳＴ７５００）。
【０１９２】
第２ドナーフィルム移送段階は，第１ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０外部に移送し，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第２ドナーフィルムにはアクセプタ基板１１０の第２サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第２色相で構成されることができ，例えば緑で構成されうる（ＳＴ７６００）。
【０１９３】
第２密着フレーム密着段階は，第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である（ＳＴ７７００）。
【０１９４】
第２サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第２密着フレーム１３０ｂ＿６の開口ホームを通じて第２ドナーフィルム上にレーザを照射し，第２ドナーフィルムに形成された第２色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第２サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ７８００）。
【０１９５】
第３密着フレーム交換段階は，第２密着フレーム１３０ｂ＿６と基板ステージ２２０の間の磁気力を無くすか，または磁気的斥力を発生させて第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第２ドナーフィルムから分離した後，第２密着フレーム１３０ｂ＿６を第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石または磁性体が含まれた第３密着フレーム１３０ｃ＿６に交換する段階である（ＳＴ７９００）。
【０１９６】
第３ドナーフィルム移送段階は，第２ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上からチャンバ１５０外部に移送し，第３ドナーフィルムをアクセプタ基板１１０上に移送する段階である。ここで，第３ドナーフィルムにはアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写される発光層が具備されている。この時，発光層は第３色相で構成されることができ，例えば青で構成されうる（ＳＴ８０００）。
【０１９７】
第３密着フレーム密着段階は，第３密着フレーム１３０ｃ＿６を第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着する段階である（ＳＴ８１００）。
【０１９８】
第３サブピクセル転写段階は，レーザオシレータ２２５から第１密着フレーム１３０ｃ＿６の開口ホームを通じて第３ドナーフィルム上にレーザを照射し，第３ドナーフィルムに形成された第３色相有機発光層を膨脹させてアクセプタ基板１１０の第３サブピクセル領域に転写する段階である（ＳＴ８２００）。
【０１９９】
一方，前述した工程段階は，真空チャンバ１５０内で進行されることができ，各転写段階で転写される有機発光層の配列にしたがってレーザ照射方法は変わることができる。例えば，２×２行列形態に配列された一つの第１サブピクセル，一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成す場合，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが第１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは，第１行２列に形成されるようにレーザを照射し，第３サブピクセル転写段階では，第２行１列及び２行２列に二つの第３サブピクセルが形成されるようにレーザを照射することができる。
【０２００】
または，第１サブピクセル転写段階で第１サブピクセルが第１行１列領域に形成されるようにレーザを照射し，第２サブピクセル転写段階で第２サブピクセルは第２行１列に形成されるようにレーザを照射し，第３サブピクセル転写段階では第１行２列及び２行２列に二つの第３サブピクセルが形成されるようにレーザを照射することもできる。
この時，第１及び第２サブピクセルを成す色相は，赤及び緑で，二つの第３サブピクセルを成す色相は青であることが好ましい。
【０２０１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０２０２】
本発明は，レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２０３】
【図１】従来技術によるレーザ熱転写装置を図示する断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるレーザ熱転写装置の一実施形態を図示する斜視図である。
【図３ａ】本発明によるレーザ熱転写装置の基板ステージの一実施形態を図示する透視平面図である。
【図３ｂ】本発明によるレーザ熱転写装置の基板ステージの他の実施形態を図示する透視平面図である。
【図４】本発明に用いられるレーザ熱転写装置のレーザオシレータの一実施形態をあらわす構造図
【図５ａ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｂ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｃ】本発明の第１実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図５ｄ】図５ａ，図５ｂ，図５ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図６】本発明によるレーザ熱転写装置の密着フレーム移送手段をあらわす斜視図である。
【図７】本発明の第１実施形態にかかる有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図８ａ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｂ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｃ】本発明の第２実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図８ｄ】図８ａ，図８ｂ，図８ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図９ａ】本発明の第３実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図９ｂ】本発明の第３実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一実施形態を示す平面図である。
【図９ｃ】図９ａ，図９ｂによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１１ａ】本発明の第４実施形態によるレーザ熱転写装置の密着フレームの一実施形態をあらわす平面図である。
【図１１ｂ】図１１ａによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１３ａ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１３ｂ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１３ｃ】図１３ａ，図１３ｂによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１３ｄ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレーム及び第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１３ｅ】本発明の第５実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１３ｆ】図１３ｄ，図１３ｅによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【図１５ａ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｂ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｃ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの一側面をあらわす平面図である。
【図１５ｄ】図１５ａ，図１５ｂ，図１５ｃによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１５ｅ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第１密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｆ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第２密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｇ】本発明の第６実施形態によるレーザ熱転写装置の第３密着フレームの他の側面をあらわす平面図である。
【図１５ｈ】図１５ｅ，図１５ｆ，１５ｇによって形成された有機発光素子の画素配列をあらわす平面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態による有機発光素子の製作方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【０２０４】
１００ チャンバ
２００ 基板ステージ
３００ 密着フレーム
４００ レーザオシレータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項２】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１または２に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには，永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群より選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項６】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには，永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項７】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項８】
請求項１のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項８に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において；
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項１１】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１２】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，
で構成され，前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１０または１１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１３】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１０〜１２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１４】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１５】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１６】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１７】
請求項１０のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項１７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１９】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項２０】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２１】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され，前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１９または２０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２２】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１９〜２１のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２３】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択されるすくなくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２４】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２５】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２６】
第１９項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項２８】
第１〜第３色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し，前記第１〜第３色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は，画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ及び前記基板ステージと；
レーザオシレータの間に設置される密着フレームと；
レーザ熱転写が行われるチャンバと；
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，前記密着フレームと磁気力を形成し，前記第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホームを有することを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項２９】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空で維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項２８に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３０】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項２８または２９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３１】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３２】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３３】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３４】
第２８項のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセル領域に転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
磁石または磁性体を含み，前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と；
レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第１色相有機発光層を前記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；
前記密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と；
前記レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルムにレーザを照射して前記第２色相有機発光層を前記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；
を含み，
前記第３サブピクセルの発光層は，
前記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項３５】
前記第１〜第３サブピクセルは，１×３行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写され，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列に形成されるように転写されることを特徴とする，請求項３４に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記第１色相有機発光層は赤発光層であり，
前記第２色相有機発光層は緑発光層であり，
前記第３色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする，請求項３４または３５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記第１色相有機発光層は緑発光層であり，
前記第２色相有機発光層は赤発光層であり，
前記第３色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする，請求項３４または３５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３８】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され,前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項３９】
少なくとも前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項３８に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４０】
前記開口ホームの大きさは，前記密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項３８または３９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４１】
前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，電磁石であることを特徴とする，請求項３８〜４０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４２】
前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，永久磁石であることを特徴とする，請求項３８〜４０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４３】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する磁性体を含む密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと；
前記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと；で構成され，
前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項４４】
前記磁性体は，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする，請求項４３に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４５】
請求項３８項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームで交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を２個の第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項４６】
前記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１転写段階で第１色相有機発光層は，前記画素内の左上端に形成されるように転写され，
前記第２転写段階で第２色相有機発光層は，前記第１サブピクセルの右側に形成されるように転写され，
前記第３転写段階で第３色相有機発光層は，前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されることを特徴とする，請求項４５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４７】
前記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１転写段階で第１色相有機発光層は，前記画素内の左上端に形成されるように転写され，
前記第２転写段階で第２色相有機発光層は，前記第１サブピクセルの下側に形成されるように転写され，
前記第３転写段階で第３色相有機発光層は，前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルの各右側に形成されるように転写されることを特徴とする，請求項４５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４８】
前記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は赤で，
前記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は緑で，
前記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする，請求項４５〜２７のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４９】
前記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は緑で，
前記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は赤で，
前記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする，請求項４５〜２７のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５０】
有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
磁石または磁性体を含む基板ステージと前記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと；
レーザ熱転写が行われるチャンバと；
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
磁石または磁性体を含み，一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第１〜第３サブピクセルの中で前記第１サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第１密着フレームと；
前記第２サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第２密着フレームと；
前記二つの第３サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第３密着フレームと；
を備え，前記第１〜第３密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項５１】
前記密着フレーム移動手段は，
前記密着フレームを上下に移動させるための上下駆動部と，
前記上下駆動部及び前記密着フレームが安着された第１トレイに連結された連結バーと，を備えたことを特徴とする，請求項５０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５２】
前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は電磁石であることを特徴とする，請求項５０または５１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５３】
前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は永久磁石であることを特徴とする，請求項５０または５１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５４】
前記磁性体はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする，請求項５０〜５３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５５】
前記基板ステージには，前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセル及び前記二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板と，前記アクセプタ基板上のサブピクセルに転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムと，が順次移送されて積層されることを特徴とする，請求項５０〜５４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５６】
前記密着フレーム移動手段は，
前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームを順次交換させる交換手段をさらに備えたことを特徴とする，請求項５０〜５５のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５７】
請求項５０のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
磁石または磁性体を含んで前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
レーザオシレータから前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第１色相有機発光層を前記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで前記第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記レーザオシレータから前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルムにレーザを照射して前記第２色相有機発光層を前記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第３密着フレームに交換する第３密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記レーザオシレータから前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルムにレーザを照射して前記第３色相有機発光層を前記第３サブピクセル領域に転写する第３サブピクセル転写段階と；
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項５８】
前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセルと前記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列に形成されるように転写し，
前記第３サブピクセル転写段階で前記二つの第３色相有機発光層は，前記画素内の第２行１列及び第２行２列に形成されるように転写することを特徴とする，請求項５７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５９】
前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセルと前記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第２行１列に形成されるように転写し，
前記第３サブピクセル転写段階で前記二つの第３色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列及び第２行２列に形成されるように転写することを特徴とする，請求項５７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６０】
前記第１サブピクセルは赤サブピクセルであり，
前記第２サブピクセルは緑サブピクセルであり，
前記第３サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする，請求項５７〜５９のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６１】
前記第１サブピクセルは緑サブピクセルであり，
前記第２サブピクセルは赤サブピクセルであり，
前記第３サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする，請求項５７〜５９のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項２】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，で構成され，前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１または２に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには，永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群より選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項６】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには，永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項７】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項８】
請求項１のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項８に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において；
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項１１】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１２】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第３密着フレームと，
で構成され，前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１０または１１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１３】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１０〜１２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１４】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１５】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１６】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１０〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項１７】
請求項１０のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離する第２密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項１７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１９】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石または磁性体を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備えることを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項２０】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項１９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２１】
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記第３サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され，前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，請求項１９または２０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２２】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項１９〜２１のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２３】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択されるすくなくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２４】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２５】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項１９〜２２のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項２６】
第１９項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び第３サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項２７】
前記各段階は，真空下で遂行されることを特徴とする，請求項２６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項２８】
第１〜第３色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し，前記第１〜第３色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は，画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ及び前記基板ステージと；
レーザオシレータの間に設置される密着フレームと；
レーザ熱転写が行われるチャンバと；
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，前記密着フレームと磁気力を形成し，前記第１及び第２サブピクセルを形成するための開口ホームを有することを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項２９】
前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空で維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項２８に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３０】
前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は，前記各密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項２８または２９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３１】
前記基板ステージには磁石が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石，電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３２】
前記基板ステージには磁性体が含まれ，
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３３】
前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で，少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする，請求項２８〜３０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項３４】
第２８項のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第１サブピクセル，第２サブピクセル及び第３サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセル領域に転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
磁石または磁性体を含み，前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と；
レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第１色相有機発光層を前記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；
前記密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と；
前記レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルムにレーザを照射して前記第２色相有機発光層を前記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；
を含み，
前記第３サブピクセルの発光層は，
前記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする，有機発光素子の製造方法。
【請求項３５】
前記第１〜第３サブピクセルは，１×３行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写され，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列に形成されるように転写されることを特徴とする，請求項３４に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３６】
前記第１色相有機発光層は赤発光層であり，
前記第２色相有機発光層は緑発光層であり，
前記第３色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする，請求項３４または３５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３７】
前記第１色相有機発光層は緑発光層であり，
前記第２色相有機発光層は赤発光層であり，
前記第３色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする，請求項３４または３５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３８】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間に設置され，レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと，
前記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと，で構成され,前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする，レーザ熱転写装置。
【請求項３９】
少なくとも前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする，請求項３８に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４０】
前記開口ホームの大きさは，前記密着フレームの面積の１％〜５０％であることを特徴とする，請求項３８または３９に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４１】
前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，電磁石であることを特徴とする，請求項３８〜４０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４２】
前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは，永久磁石であることを特徴とする，請求項３８〜４０のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４３】
有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され，磁石を含む基板ステージと；
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと；
を備え，
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には，
レーザを通過させる開口ホームと；
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する磁性体を含む密着フレームと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第１密着フレームと；
前記２個の第３サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第２密着フレームと；で構成され，
前記第１密着フレームと前記第２密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項４４】
前記磁性体は，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする，請求項４３に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項４５】
請求項３８項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において：
磁石を含む基板ステージ上に第１サブピクセル，第２サブピクセル，及び２個の第３サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
前記第１色相及び第２色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して第１色相有機発光層を第１サブピクセル領域に転写する第１転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離する第１密着フレーム分離段階と；
前記アクセプタ基板上に第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第１密着フレーム再密着段階と；
前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルム上にレーザを照射して第２色相有機発光層を第２サブピクセル領域に転写する第２転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され，磁石を含む第２密着フレームで交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルム上にレーザを照射して第３色相有機発光層を２個の第３サブピクセル領域に転写する第３転写段階と；
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項４６】
前記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１転写段階で第１色相有機発光層は，前記画素内の左上端に形成されるように転写され，
前記第２転写段階で第２色相有機発光層は，前記第１サブピクセルの右側に形成されるように転写され，
前記第３転写段階で第３色相有機発光層は，前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されることを特徴とする，請求項４５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４７】
前記四つのサブピクセルが２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１転写段階で第１色相有機発光層は，前記画素内の左上端に形成されるように転写され，
前記第２転写段階で第２色相有機発光層は，前記第１サブピクセルの下側に形成されるように転写され，
前記第３転写段階で第３色相有機発光層は，前記第１サブピクセル及び前記第２サブピクセルの各右側に形成されるように転写されることを特徴とする，請求項４５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４８】
前記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は赤で，
前記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は緑で，
前記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする，請求項４５〜２７のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４９】
前記第１転写段階で転写される第１色相有機発光層の色相は緑で，
前記第２転写段階で転写される第２色相有機発光層の色相は赤で，
前記第３転写段階で転写される第３色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする，請求項４５〜２７のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５０】
有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置において：
磁石または磁性体を含む基板ステージと前記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと；
レーザ熱転写が行われるチャンバと；
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと；
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と；を備え，
前記密着フレームは，
磁石または磁性体を含み，一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第１〜第３サブピクセルの中で前記第１サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第１密着フレームと；
前記第２サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第２密着フレームと；
前記二つの第３サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第３密着フレームと；
を備え，前記第１〜第３密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。
【請求項５１】
前記密着フレーム移動手段は，
前記密着フレームを上下に移動させるための上下駆動部と，
前記上下駆動部及び前記密着フレームが安着された第１トレイに連結された連結バーと，を備えたことを特徴とする，請求項５０に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５２】
前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は電磁石であることを特徴とする，請求項５０または５１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５３】
前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は永久磁石であることを特徴とする，請求項５０または５１に記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５４】
前記磁性体はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏＦｅ２Ｏ４，磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする，請求項５０〜５３のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５５】
前記基板ステージには，前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセル及び前記二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板と，前記アクセプタ基板上のサブピクセルに転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムと，が順次移送されて積層されることを特徴とする，請求項５０〜５４のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５６】
前記密着フレーム移動手段は，
前記第１密着フレーム，前記第２密着フレーム及び前記第３密着フレームを順次交換させる交換手段をさらに備えたことを特徴とする，請求項５０〜５５のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
【請求項５７】
請求項５０のレーザ熱転写装置によって第１及び第２電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において：
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第１サブピクセルと一つの第２サブピクセル及び二つの第３サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第１サブピクセルに転写される第１色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第１ドナーフィルム移送段階と；
磁石または磁性体を含んで前記第１色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第１密着フレーム密着段階と；
レーザオシレータから前記第１密着フレームの開口ホームを通じて前記第１ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第１色相有機発光層を前記第１サブピクセル領域に転写する第１サブピクセル転写段階と；
前記第１密着フレームを前記第１ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで前記第２ドナーフィルムの第２色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第２密着フレームに交換する第２密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第２色相有機発光層を備える第２ドナーフィルムを前記第１ドナーフィルムと交換して設置する第２ドナーフィルム移送段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第２密着フレーム密着段階と；
前記レーザオシレータから前記第２密着フレームの開口ホームを通じて前記第２ドナーフィルムにレーザを照射して前記第２色相有機発光層を前記第２サブピクセル領域に転写する第２サブピクセル転写段階と；
前記第２密着フレームを前記第２ドナーフィルムから分離し，磁石または磁性体を含んで前記第３ドナーフィルムの第３色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第３密着フレームに交換する第３密着フレーム交換段階と；
前記アクセプタ基板上に前記第３色相有機発光層を備える第３ドナーフィルムを前記第２ドナーフィルムと交換して設置する第３ドナーフィルム移送段階と；
前記第３密着フレームを前記第３ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第３密着フレーム密着段階と；
前記レーザオシレータから前記第３密着フレームの開口ホームを通じて前記第３ドナーフィルムにレーザを照射して前記第３色相有機発光層を前記第３サブピクセル領域に転写する第３サブピクセル転写段階と；
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項５８】
前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセルと前記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列に形成されるように転写し，
前記第３サブピクセル転写段階で前記二つの第３色相有機発光層は，前記画素内の第２行１列及び第２行２列に形成されるように転写することを特徴とする，請求項５７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５９】
前記一つの第１サブピクセルと前記一つの第２サブピクセルと前記二つの第３サブピクセルは，２×２行列を成して一つの画素を形成し，
前記第１サブピクセル転写段階で前記第１色相有機発光層は，前記画素内の第１行１列に形成されるように転写し，
前記第２サブピクセル転写段階で前記第２色相有機発光層は，前記画素内の第２行１列に形成されるように転写し，
前記第３サブピクセル転写段階で前記二つの第３色相有機発光層は，前記画素内の第１行２列及び第２行２列に形成されるように転写することを特徴とする，請求項５７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６０】
前記第１サブピクセルは赤サブピクセルであり，
前記第２サブピクセルは緑サブピクセルであり，
前記第３サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする，請求項５７〜５９のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６１】
前記第１サブピクセルは緑サブピクセルであり，
前記第２サブピクセルは赤サブピクセルであり，
前記第３サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする，請求項５７〜５９のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図５ｄ】
【図６】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図９ａ】
【図９ｂ】
【図９ｃ】
【図１０】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１２】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１３ｃ】
【図１３ｄ】
【図１３ｅ】
【図１３ｆ】
【図１４】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１５ｃ】
【図１５ｄ】
【図１５ｅ】
【図１５ｆ】
【図１５ｇ】
【図１５ｈ】
【図１６】
【図２】
【図３ａ】
【図３ｂ】
【図４】
【図５ａ】
【図５ｂ】
【図５ｃ】
【図５ｄ】
【図６】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図８ｄ】
【図９ａ】
【図９ｂ】
【図９ｃ】
【図１０】
【図１１ａ】
【図１１ｂ】
【図１２】
【図１３ａ】
【図１３ｂ】
【図１３ｃ】
【図１３ｄ】
【図１３ｅ】
【図１３ｆ】
【図１４】
【図１５ａ】
【図１５ｂ】
【図１５ｃ】
【図１５ｄ】
【図１５ｅ】
【図１５ｆ】
【図１５ｇ】
【図１５ｈ】
【図１６】
【公開番号】特開２００７−６６９０７（Ｐ２００７−６６９０７Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２３４４７８（Ｐ２００６−２３４４７８）
【出願日】平成１８年８月３０日（２００６．８．３０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月３０日（２００６．８．３０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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