光ディスク装置、収差補正レンズの原点復帰方法、及び、そのプログラム
【課題】光ディスクのポージング状態において光ディスク装置の電源がOFFとなっても、収差補正レンズを少ない負荷で原点復帰させる。
【解決手段】光ディスク装置１００は、フラッシュメモリ３７と、適合検出部５０と、変位制御部５１と、を備えている。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、フラッシュメモリ３７から記憶位置を読み込み、記憶位置に基づいて基準位置に復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数を求め、求めたステップ数に所定の押し当てステップ数を加えたステップ数を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させる。
【解決手段】光ディスク装置１００は、フラッシュメモリ３７と、適合検出部５０と、変位制御部５１と、を備えている。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、フラッシュメモリ３７から記憶位置を読み込み、記憶位置に基づいて基準位置に復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数を求め、求めたステップ数に所定の押し当てステップ数を加えたステップ数を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置、収差補正レンズの原点復帰方法、及び、そのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクとしてはBlu-ray DiscやＤＶＤ(Digital Versatile Disc)のように記録層が多層に形成される、いわゆる多層光ディスクが知られている。このような多層ディスクは各記録層によってレーザ光の入射面から記録層までのカバー層の厚みが相違することに起因して記録層に収束されるレーザ光に球面収差が発生する。その為、特にBlu-ray Discのように記録密度が高められた多層光ディスクにおいては、上記の球面収差が記録再生を行う障害になるため、多層光ディスク対応の光ピックアップには、光ディスクのカバー層の厚みに応じて収差補正レンズを光軸方向に駆動可能なレンズ駆動機構が備えられている。
【０００３】
多層光ディスク対応の光ピックアップが組み込まれる光ディスク装置は、レンズ駆動機構を多層光ディスクの記録再生する記録層に対応させて収差補正レンズを光軸方向に変位させるべく制御させている。
【０００４】
レンズ駆動機構は、一般に収差補正レンズの駆動源としてステッピングモータが使用され、このステッピングモータを駆動する駆動パルスを光ディスク装置に備えるモータ駆動回路から発生させることにより収差補正レンズを光軸方向に変位させる構成となっている。そして、光ディスク装置にはモータ駆動回路を制御するレンズ制御手段が備えられ、モータ駆動回路はレンズ制御手段により制御されてステッピングモータを駆動する駆動パルスを発生する。
【０００５】
ところで、光ディスク装置は、レンズ駆動機構の収差補正レンズを制御するために収差補正レンズの位置を把握する必要がある。
【０００６】
これに対し、特許文献１では、収差補正レンズが基準位置に変位していることが検出されるようにフォトインタラプタなどの位置検出素子を設けている。
【０００７】
しかしながら、レンズ駆動機構に位置検出素子を設けることは、部品点数の増加及び組み立て工数の増加を伴うので、コスト面で不利である。
【０００８】
そこで、特許文献２は、位置検出素子を省いたレンズ駆動機構を開示している。特許文献２では、位置検出素子がない場合、収差補正レンズの基準位置をレンズ駆動機構における収差補正レンズの機構的な一方の可動限界に設定し、収差補正レンズをレンズ駆動機構の機構的な一方の可動限界に確実に押し当てて基準位置に変位させることになる。このとき、収差補正レンズがレンズ駆動機構の機構的な可動限界に押し当てられると、レンズ駆動機構に機構的な負荷が加わり、レンズ駆動機構の耐久性を劣化させる要因となる。そこで、特許文献２では、光ディスクの回転の停止時に収差補正レンズを所定の待機位置に変位させると共に、電源オン時であって収差補正レンズを基準位置に戻す際には待機位置と基準位置との差分に基づいて収差補正レンズを駆動させることとしている。また、待機位置は、収差補正レンズの可動要求範囲のうち、基準位置から最も離れた位置に設定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７?３２８８７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７７６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特許文献２の構成では、光ディスクの回転の停止時に収差補正レンズを所定の待機位置に変位させることとしているに過ぎず、光ディスクの回転中に電源OFFとなった場合は、次回の電源ON時に、レンズ駆動機構の機構的な一方の可動限界に対して収差補正レンズが過度に押し当てられることになる。なぜなら、収差補正レンズが実際には待機位置に変位させられていないにもかかわらず、待機位置に変位させられたものとして処理するからである。
【００１１】
特許文献２では、そのような事態の発生は稀であると謳っているが、実際には決して看過することのできない頻度で発生している。その理由は、光ディスク装置においては、光ディスクの記録・再生が完了した後でも次に記録・再生の要求に迅速に応答できるよう、一定時間、光ディスクの回転状態を継続することとしているからである。この状態は、光ディスクのポージング状態と称されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明の第１の観点によれば、レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置であって、光ディスクは記録層を備え、不揮発性記憶手段と、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる適合位置検出手段と、前記不揮発性記憶手段から前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる収差補正レンズ変位制御手段と、を備えた、光ディスク装置が提供される。
【００１３】
本願発明の第２の観点によれば、レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置における、収差補正レンズの原点復帰方法であって、光ディスクは記録層を備え、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する第１のステップと、記憶している前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる第２のステップと、を含む、収差補正レンズの原点復帰方法が提供される。
【００１４】
本願発明の第３の観点によれば、コンピュータに、請求項９に記載の収差補正レンズの原点復帰方法を実行させるためのプログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１５】
即ち、前記光ディスクのポージング状態において、前記収差補正レンズは、前記適合位置に位置している。従って、本願発明によれば、前記光ディスクのポージング状態において前記光ディスク装置の電源がOFFとなっても、前記収差補正レンズを少ない負荷で原点復帰させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、光ディスク装置の概略構成図である。（第１実施形態）
【図２】図２は、ビームエキスパンダ駆動ユニットの構成図である。（第１実施形態）
【図３】図３は、ビームエキスパンダの可動範囲の模式図である。（第１実施形態）
【図４】図４は、光ピックアップの温度とビームエキスパンダの適合位置の関係を示す図である。（第１実施形態）
【図５】図５は、ビームエキスパンダの初期調整結果の例を示す図である。（第１実施形態）
【図６】図６は、フラッシュメモリの使用例を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ａ】図７Aは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｂ】図７Bは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｃ】図７Cは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｄ】図７Dは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｅ】図７Eは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｆ】図７Fは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｇ】図７Gは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図８】図８は、コントローラのディスク挿入時における制御フローである。（第１実施形態）
【図９】図９は、コントローラの再生動作時における制御フローである。（第１実施形態）
【図１０】図１０は、コントローラのディスク挿入時における制御フローである。（第２実施形態）
【図１１】図１１は、コントローラの再生動作時における制御フローである。（第２実施形態）
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、図１〜９を参照しつつ、本願発明の第１実施形態を説明する。
【００１８】
図１に示す光ディスク装置１００は、一例としてＢｌｕ−Ｒａｙディスク規格の２層の記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１が形成される２層光ディスク４０を対象としてデータの再生を行う。本実施の形態では球面収差補正手段としてビームエキスパンダ７を用いている。
【００１９】
光ピックアップ１０１は、レーザダイオード１、コリメータレンズ２、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３、グレーティング４、偏光ビームスプリッタ５、１／４波長板６、ビームエキスパンダ７、対物レンズ８、検出レンズ９、光検出器１０、集光レンズ１１、フロントモニタフォトダイオード１２という光学系の構成、及び、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０、アクチュエータ２５、温度センサ２６を含んで構成される。
【００２０】
レーザダイオード１から出射されるＢＤ適合波長（λ＝４０５nm）のレーザ光は、コリメータレンズ２により平行光となった後、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３に入射する。ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３は、波長４０５nmの光束に対して、P偏光成分の大部分を透過し、残り部分が反射する。この反射光は集光レンズ１１により集光され、フロントモニタフォトダイオード１２に入射する。フロントモニタフォトダイオード１２は、レーザダイオード１のレーザ光をモニタするためのフォトダイオードである。光量に応じてフロントモニタフォトダイオード１２が流す電流が変化するので、それを電圧変換し、ループを組みレーザダイオード１のレーザ電流を制御することで、レーザダイオード１の出力を一定のパワーにする。
【００２１】
一方、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３を透過した光束は、グレーティング４に入射する。グレーティング４は、レーザダイオード１から出射されるレーザから使用するための周波数を抽出するための分光格子である。グレーティング４を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ５に入射する。偏光ビームスプリッタ５は、レーザダイオード１から出射されるレーザを透過させ、２層光ディスク４０からの反射光を反射するフィルタの機能を有するビームスプリッタである。偏光ビームスプリッタ５を透過した光束は、１／４波長板６により円偏光に変換された後、ビームエキスパンダ７に導かれる。
【００２２】
ビームエキスパンダ７は、凸レンズ及び凹レンズの二つから構成される光学系である。ビームエキスパンダ７が用意されるのは、レーザ光の径を拡げるためであり、本実施の形態ではビームエキスパンダ７に含まれる凹レンズを光軸に沿って前後に動かしてレーザ光の径を拡げることで、光ディスクの保護層の厚みのばらつき等による球面収差を吸収する。
【００２３】
ここで、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０について、図２を使用して説明する。ビームエキスパンダ駆動ユニット２０はビームエキスパンダ７を動作させる駆動モジュールである。ステッピングモータによる位置決めであるので、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０による位置決定は再現性がある。ビームエキスパンダ駆動ユニット２０には、ステッピングモータ２１が含まれる。ステッピングモータ２１は送りねじ２３を回転させることでアーム２２に伝達する動力を与える。アーム２２はビームエキスパンダ７の凹レンズを動かすための伝達用部材である。
【００２４】
次に、ビームエキスパンダ７を出射した光束は、対物レンズ８に入射し、２層光ディスク４０の所望の記録層に絞り込まれる。ここで、アクチュエータ２５は対物レンズ８を動かすための駆動装置である。アクチュエータ２５はコイル等で構成されており、２層光ディスク４０の記録面に焦点を合わせるためのフォーカスアクチュエータ、光ディスクに設けられた溝に追従するためのトラッキングアクチュエータなどがある。実使用時には光検出器１０と後述するＤＳＰ３５、ドライバ３６との間でフィードバックループを形成しエラー信号が０となるようにフォーカスサーボおよびトラックサーボ動作を行う。
【００２５】
２層光ディスク４０からの反射光は、再び対物レンズ８、およびビームエキスパンダ７を透過し、１／４波長板６により往路系における偏光方向と直交する向きの偏光方向を有する直線偏光に変換される。この偏光された光束は、偏光ビームスプリッタ５により大部分が反射されて、検出レンズ９を透過した後、光検出器１０に導かれる。検出レンズ９は、光ディスクからの反射光を光検出器１０上で焦点を合わせるためのシリンドリカルレンズ等である。また、光検出器１０は複数に分割された受光素子から構成される。検出レンズ９によって焦点が合わせた２層光ディスク４０からの反射光が入射すると、各受光素子に所定の光起電力が生じ、演算回路３４に入力される。
【００２６】
また、本光ピックアップ１０１はレーザダイオード１の温度を検出するためにＣＭＯＳ ＩＣの温度センサ２６を搭載している。なお、温度センサ２６としては、熱電対等、他の手段を用いてもよい。温度センサ２６による検出結果は後述するコントローラ３３に入力される。
【００２７】
この光ピックアップ１０１を制御する周辺回路は、ＡＰＣ回路３１、レーザドライバ３２、コントローラ３３、演算回路３４、ＤＳＰ３５、ドライバ３６、フラッシュメモリ３７（不揮発性記憶手段）、RAM３８、信号処理回路３９、を含んで構成される。
【００２８】
ＡＰＣ回路３１は、フロントモニタフォトダイオード１２からの電流を電圧変換し、レーザドライバ３２にフィードバックする自動出力制御回路である。
【００２９】
レーザドライバ３２は、レーザダイオード１に出力用の電流を加えることで、レーザダイオード１の光出力を制御する駆動回路である。
【００３０】
演算回路３４は、光検出器１０により電気信号に変換された信号から、フォーカスエラー信号（ＦＥ）、トラッキングエラー信号（ＴＥ）、プルインエラー信号（ＰＥ）等の誤差信号を生成する。
【００３１】
信号処理回路３９は、２層光ディスク４０からの再生信号を処理する回路である。 再生時には、コントローラ３３からの指示により演算回路３４から入力された再生RF信号をデコードし、RAM３８にデータを格納する。RAM３８に格納されたデータはコントローラ３３を介し、SATAなどの外部Ｉ／Ｆにより外部接続装置に転送される。
【００３２】
RAM３８は光ディスク装置１００から読み取ったデータを一時的に保存するためのキャッシュメモリを構成するとともに、制御プログラムが使用する各種パラメータ（変数など）を格納する。
【００３３】
フラッシュメモリ３７には、図６に示すように、コントローラ３３にて解読可能なコードで記述された、本実施の形態における動作を制御する制御プログラムや、制御パラメータの初期値などと共に、後述するＱＲコードのデータやビームエキスパンダ７の位置（記憶位置）情報が格納されている。
【００３４】
CPU（Central Processing Unit）として機能するコントローラ３３とRAM３８、フラッシュメモリ３７でコンピュータを構成している。フラッシュメモリ３７に記憶されている制御プログラムがコントローラ３３に読み出され、コントローラ３３上で実行されることで、フラッシュメモリ３７の制御プログラムは、コントローラ３３等のハードウェアを、適合検出部５０（適合位置検出手段）及び変位制御部５１（収差補正レンズ変位制御手段）等として機能させる。
【００３５】
次に、図３を用いてビームエキスパンダ７の可動範囲について説明する。図２に示すビームエキスパンダ駆動ユニット２０において、ビームエキスパンダ７（の凹レンズ）は対物レンズ８から離れた方向の機構的な可動限界（基準位置＝０ステップ）と、対物レンズ８に近づく方向の機構的な可動限界（位置＝３６０ステップ）との間を移動可能に構成されている。可動限界を超えてビームエキスパンダ７を移動（押し当て）しようとすると、実際は可動限界までしか移動されず、可動限界位置において送りねじの歯とびによる磨耗（ビームエキスパンダ駆動ユニットの耐久性劣化）や、押し当てによるノイズが発生してしまう。
【００３６】
ここで、光ピックアップ１０１の特性上、各記録層Ｌ０、記録層Ｌ１に対するビームエキスパンダ７のおおよその適合位置は計算により求められ、その位置情報（以後、中心位置とする）は光ピックアップ１０１に貼り付けられるQRコードなどの２次元コード（図示せず）に記録されている場合が多い。例えば、本実施の形態では、記録層Ｌ０に対するビームエキスパンダ７の中心位置＝１２０ステップ、記録層Ｌ１に対するビームエキスパンダ７の中心位置＝２２０ステップという情報がQRコードに記録されており、このＱＲコードを読み取ったデータが、あらかじめフラッシュメモリ３７内に記録されているものとする。なお、光ピックアップ１０１によっては、記録層Ｌ０の中心値のみをQRコードに格納し、他の記録層Ｌ１の中心値については、記録層Ｌ０の中心値に対するオフセット量（ステップ数）として与えられる場合もある。本実施形態において、記録層Ｌ０と記録層Ｌ１のうち前者である記録層Ｌ０を基準とすべき記録層として取り扱うものとする。
【００３７】
この中心値に対して、ビームエキスパンダ７の適合位置は、２層光ディスク４０のカバー層厚のばらつきや温度変化により変化する。図４は温度と、ビームエキスパンダ７の適合位置との関係を示す図であり、温度センサ２６からの出力値から換算した光ピックアップ周辺温度と、後述する初期調整で求まったビームエキスパンダ７の適合位置との関係を表している。本例では、記録層Ｌ０（四角形のプロット）、記録層Ｌ１（三角形のプロット）共に、温度が１℃上昇するとともに、ビームエキスパンダ７の適合位置は１．１〜１．３ステップだけ基準位置側へシフトしていることが分かる。すなわち、本光ピックアップにおけるビームエキスパンダ７の位置の温度係数Kは、およそ−１．２［ステップ／℃］である。
【００３８】
このように、環境温度の変化や再生動作に伴う光ディスク装置１００の内部温度変化により、ビームエキスパンダ７の適合位置は変化する。従って、本発明の光ディスク装置１００は、２層光ディスク４０を挿入した際に、QRコードに記録されている中心位置を基準にビームエキスパンダ７の位置を振って各記録層Ｌ０、L1に対する適合位置の調整を行う。
【００３９】
図５はビームエキスパンダ７の初期調整結果を表す図である。この初期調整では２層光ディスク４０を挿入した際に、QRコードに記録されている中心位置を基準にビームエキスパンダ７の位置を振って各記録層Ｌ０、L1に対する適合位置を求める。図５のグラフは、ビームエキスパンダ７の位置（ステップ位置）とＴＥ信号振幅値、またはJitter値との関係を表している。この初期調整ではTE信号振幅が最大となる位置、あるいはJitter値が最小となる位置を適合位置としてビームエキスパンダ７を移動させる。
【００４０】
次に、前述のようにして構成された光ディスク装置１００における、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０の制御について、図６〜８を用いて説明する。図８のフローチャートは、コントローラ３３によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応しており、特に２層光ディスク４０を挿入した際の動作（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理および初期調整処理）を示すフローチャートである。
【００４１】
図８において２層光ディスク４０が挿入されると、ステップ１０１では、コントローラ３３は、フラッシュメモリ３７に記憶されているビームエキスパンダ７の位置（記憶位置）情報を読み出す。
【００４２】
この記憶位置は、図６に示すように、複数の記憶位置情報が記録できるようフラッシュメモリ３７にその領域が確保され、この領域の先頭から順番に使用されるものとする。通常、フラッシュメモリなどの不揮発メモリは情報の書き換え（ＥｒａｓｅとＷｒｉｔｅ）を行う際は数ＫＢといった大きな単位で行う必要があるが、初期値データ（例えばＦＦＦＦｈ）が記録されている部分に対しては２バイト単位で記録（Ｗｒｉｔｅのみ）を行うことが可能である。従って、記憶位置の更新においてフラッシュメモリ３７の未使用部分を順番に使用（追記）することで、フラッシュメモリ３７の特定部分が上書きされる頻度を減らすとともに、更新にかかる時間を短縮することが出来る。本実施の形態では記憶位置格納用に全４Kバイトの領域をフラッシュメモリ３７内に確保し、記憶位置を更新する場合は２バイト単位で追記を行う。すなわち、ステップ１０１では、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域の先頭から２バイト単位で記憶位置のサーチを行い、初期値＝ＦＦＦＦｈ以外が記録されている最後の記憶位置情報を抽出する。
【００４３】
次に、ステップ１０２では、コントローラ３３は、フラッシュメモリ３７から読み出した記憶位置が初期値＝ＦＦＦＦｈかどうかを判定する。例えば、図７Aに示すように、光ディスク装置１００が初めて電源オンされた場合、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域は全て初期値＝ＦＦＦＦｈが記録されている。この場合、ステップ１０２の判断は肯定され、ステップ１０４に移行する。
【００４４】
ステップ１０４では、コントローラ３３は、ビームエキスパンダ７の移動量（ステップ数）として、その全可動範囲である３６０ステップを選択し、ステップ１０５に移行する。
【００４５】
ステップ１０５では、コントローラ３３は、ステッピングモータ２１を起動して、ビームエキスパンダ７を基準位置方向に移動させる（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理）。すなわち、フラッシュメモリ３７に記憶位置が書き込まれていない初期状態では、ビームエキスパンダ７の現在位置が特定できないため、基準位置から最も離れた位置にある場合を考慮して、基準位置への移動を行う。この場合、実際は図７Aに示すように、可動限界である基準位置を大きく超えてビームエキスパンダ７を移動しようして、過度の押し当てが発生してしまう。
【００４６】
一方、ステップ１０２において、図７Cに示すように、フラッシュメモリ３７に初期値以外の記憶位置が格納されていた場合は、ステップ１０２の判断は否定され、ステップ１０３に移行する。
【００４７】
ステップ１０３では、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７の移動量（ステップ数）として、記憶位置から基準位置までのステップ数（理論移動量）に、押し当てステップ数（マージン移動量）を加算したステップ数（原点復帰移動量）が選択され、このステップ数分だけ、次のステップ１０５でビームエキスパンダ７を基準位置方向に移動させる（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理）。図７Cの例では、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップ、押し当てステップ数＝１０ステップであるため、移動ステップ数＝１３０＋１０＝１４０ステップとなる。この例では、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は記憶位置と等しい１３０ステップの位置にあるため、ビームエキスパンダ７の原点復帰処理において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。この押し当てステップ数は、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である。ステップ１０５において変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理が完了すると、ステップ１０６へ遷移する。
【００４８】
ステップ１０６では、適合検出部５０が、ビームエキスパンダ７の初期調整を行う。ここでは、図５に示すように、適合検出部５０は、ビームエキスパンダ７の位置と、例えばＴＥ信号振幅値との関係を求めた後、TE信号振幅値が最大となる位置を、ビームエキスパンダ７の適合位置として選択する。２層光ディスク４０が複数の記録層Ｌ０、L1を有する場合は、記録層Ｌ０、L1毎に初期調整が実施される。なお、調整のための信号としてJitter値を測定し、Jitter値が最小となるビームエキスパンダ７の位置を適合位置として選択しても良い。ステップ１０６において初期調整が完了すると、ステップ１０７へ遷移する。
【００４９】
ステップ１０７では、基準記録層である記録層Ｌ０の適合位置を取得する。例えば、図７Bでは適合位置＝１３０ステップ位置であり、図７Dでは適合位置＝１３８ステップ位置であり、図７Fでは適合位置＝１６０ステップ位置が得られたことを示している。
【００５０】
次のステップ１０８では、適合検出部５０は、記録層Ｌ０の適合位置とフラッシュメモリ３７に記録されている記憶位置との差分ステップ数（差分量）を計算する。図７Dの例では、適合位置＝１３８ステップ位置に対して、記憶位置＝１３０ステップ位置であり、その差分は８ステップである。また、図７Fの例では、適合位置＝１６０ステップ位置に対して、記憶位置＝１３０ステップ位置であり、その差分は３０ステップである。
【００５１】
次のステップ１０９では、適合検出部５０は、ステップ１０８で求まった差分ステップ数が、所定の記憶位置更新しきい値（所定量）を超えたかどうかを判断する。本実施の形態では記憶位置更新しきい値＝１０ステップとしているが、この記憶位置更新しきい値は後述するように、押し当てステップ数以下のステップ数である必要がある。例えば、図７Fのように、適合位置と記憶位置の差分（＝３０ステップ）が記憶更新しきい値（＝１０ステップ）を超えた場合、ステップ１０９の判定は肯定され、ステップ１１０に遷移する。なお、図７Bの例のように、フラッシュメモリ３７に記憶位置が格納される前の初期状態の場合もステップ１０９の判定は肯定され、ステップ１１０に遷移する。
【００５２】
ステップ１１０では、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。ここでは、適合検出部５０は、基準記録層である記録層Ｌ０に対応するビームエキスパンダ７の適合位置を新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７の未使用領域に記録する。図７Fの例では、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域の未使用部分の先頭に適合位置＝１６０（"００Ａ０ｈ"）が記録される。
一方、ステップ１０９において、図７Dの例のように、ステップ１０８で求まった差分ステップ数（＝８ステップ）が、記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）を超えないと判断された場合は、ステップ１１０の処理がスキップされ、ステップ１１１に遷移する。
【００５３】
ステップ１１１では、コントローラ３３は、ステップ１０７で得られた記録層Ｌ０の適合位置へビームエキスパンダ７の凹レンズを移動させて、処理を終了する。
【００５４】
次に、以上説明した制御方法によりビームエキスパンダ駆動ユニット２０を制御する光ディスク装置１００において、電源オンおよびディスク挿入を繰り返した場合の動作に関して、図７A〜図７Ｇを用いて説明する。
【００５５】
図７Aは、光ディスク装置が初めて電源オンされた場合のビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、フラッシュメモリ３７に記憶位置が格納される前の初期状態であり、ビームエキスパンダ７の現在位置が特定できないため、コントローラ３３は、ビームエキスパンダ７が基準位置から最も離れた位置にあるケースを想定して、その可動範囲である３６０ステップの移動を行う。従って、ビームエキスパンダ７の実際の位置によっては、過度の押し当てが発生することになるが、このような押し当ては光ディスク装置が初めて電源オンされた場合に限定できる。
【００５６】
次の図７Bは、図７Aの状態に続けて、適合検出部５０によるビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１３０ステップ位置が求まったとする。この例では、フラッシュメモリ３７に記憶位置が記録される前の初期状態であるため、適合検出部５０は、適合位置＝１３０ステップ位置（"００８２ｈ"）を記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記録する。
【００５７】
次の図７Cは、図７Bの状態に続けて、光ディスク装置の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１３０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１４０ステップの移動を行う。この例では、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は記憶位置と等しい１３０ステップの位置にあるため、基準位置への移動において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。この押し当てステップ数は、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である。
【００５８】
次の図７Dは、図７Cの状態に続けて、適合検出部５０によるビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１３８ステップ位置が求まったとする。この場合、フラッシュメモリ３７に格納されている記憶位置＝１３０ステップ位置と、適合位置（=１３８ステップ位置）との差分は８ステップであり、記憶位置更新しきい値＝１０ステップ以下であるため、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置の更新を行わない。
【００５９】
次の図７Eは、図７Dの状態に続けて、光ディスク装置１００の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１３０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１４０ステップの移動を行う。しかし、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は１３８ステップ位置であるため、基準位置への移動においては、「移動ステップ数（１４０ステップ）」−「ビームエキスパンダ７の現在位置（１３８ステップ）」＝２ステップの押し当てが発生することになる。
【００６０】
すなわち、光ディスク装置の電源がオンされた状態において、実際のビームエキスパンダ７の位置と記憶位置とが異なる状態においても、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置に戻すためには、少なくとも記憶位置更新しきい値以上の押し当てを行えばよい。本実施の形態では、記憶位置更新しきい値、押し当てステップ数をともに１０ステップとしたが、これに限らず、記憶位置更新しきい値と押し当てステップ数に異なる値を用いても良い。ただし、前述のように、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置へ戻すためには、「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」の関係を保つとともに、押し当てステップ数はビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である必要がある。好ましくは、「記憶位置更新しきい値」＜「押し当てステップ数」の関係とするとよい。
【００６１】
次の図７Fは、図７Eの状態に続けて、適合検出部５０がビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１６０ステップ位置が求まったとする。この場合、フラッシュメモリ３７に格納されている記憶位置＝１３０ステップ位置と、適合位置（＝１６０ステップ位置）との差分は３０ステップであり、記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）を超えるため、適合検出部５０は、記憶位置＝１６０ステップ位置（"００Ａ０ｈ"）としてフラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。この場合、あらたな記憶位置情報はフラッシュメモリ３７の未使用領域に追記する形で記録される。
【００６２】
次の図７Gは、図７Fの状態に続けて、光ディスク装置の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１６０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１６０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１７０ステップの移動を行う。実際のビームエキスパンダの現在位置は記憶位置と等しい１６０ステップの位置にあるため、基準位置への移動において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。
【００６３】
次に、以上説明した制御方法によりビームエキスパンダ７を制御する光ディスク装置１００において、ユーザからの要求に従い、２層光ディスク４０からの再生を行う場合の動作に関して、図９を用いて説明する。図９のフローチャートは、コントローラ３３によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。
【００６４】
ステップ２０１では、コントローラ３３は、ユーザから再生の要求があるかどうかを判定する。再生要求があった場合、ステップ２０１の判定は肯定され、ステップ２０２へ遷移する。
【００６５】
ステップ２０２では、コントローラ３３は、ユーザからの要求に従い、２層光ディスク４０に対して所定の再生動作を行う。この再生処理では、ユーザから、２層光ディスク４０のデータ領域に仮想的に割り当てられた論理アドレスと要求セクタ数（１セクタ＝２０４８バイト）が指定される。また、コントローラ３３は、は要求アドレスが位置する記録層Ｌ０（又は記録層Ｌ１）を判別し、図８のステップ１０６で行った初期調整結果を参照して、ビームエキスパンダ７を所望の記録層に対する適合位置に移動させた後に再生動作を行う。ステップ２０２において要求された再生処理が完了したら、ステップ２０３に遷移する。
【００６６】
ステップ２０３では、コントローラ３３は、ディスク停止用タイマをリセットする。このディスク停止用タイマについては後述する。
【００６７】
次のステップ２０４では、変位制御部５１は、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ０内のアドレスであったかどうかを判定する。ここで、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ１内のアドレスであった場合、ステップ２０４の判定は否定され、ステップ２０５に遷移する。
【００６８】
ステップ２０５では、変位制御部５１は、記録層Ｌ０へフォーカスを移動する。このフォーカス移動に伴い、変位制御部５１により、ビームエキスパンダ７が記録層Ｌ０に対する適合位置に移動される。
【００６９】
次に、ステップ２０６では、変位制御部５１は、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。一般に、光ディスク装置１００は、ユーザが要求した再生処理が終了した後も、再度この終了アドレスから再生を要求される場合が多いことから、再生終了アドレス付近でポーズ動作を行うが、本実施の形態における光ディスク装置は、あえて、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。従って、ポーズ状態（２層光ディスク４０が回転している状態）で、電源オフされる場合においても、ビームエキスパンダ７の現在位置とフラッシュメモリ３７に格納される記憶位置との差が記憶位置更新しきい値以内にある状態が保持される。この差分は、前述のように、「実際の位置ずれ量」≦「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」であることから、再度電源オンされた場合のビームエキスパンダ７の原点復帰処理において、確実に基準位置へ戻すことが出来る。
【００７０】
一方、ステップ２０４において、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ０内のアドレスであった場合は、コントローラ３３は、ステップ２０４の判定は肯定され、ステップ２０６に遷移して、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。
【００７１】
次のステップ２０７では、コントローラ３３は、ディスク停止用タイマを参照して、所定の時間が経過したかどうかを判定する。このタイマはユーザが要求した再生処理が完了した時点でリセットされる（ステップ２０３）タイマであり、ユーザからの再生要求がない期間を計測するためのタイマである。ステップ２０７において、所定の時間が経過していない場合は、ステップ２０７の判定は否定され、ステップ２０１へ遷移する。
【００７２】
ステップ２０１では、再度ユーザから再生の要求があるかどうかを判定する。ここで、ユーザから再生要求がない場合、ステップ２０１の判定は否定され、ステップ２０７へ遷移し、再びディスク停止用タイマを参照して、所定の時間が経過したかどうかを判定する。
【００７３】
一方、ステップ２０７において、所定の時間が経過していた場合、ステップ２０７の判定は肯定され、ステップ２０８へ遷移する。
【００７４】
ステップ２０８では、コントローラ３３は、ディスクを停止する。
【００７５】
次のステップ２０９では、変位制御部５１は、ビームエキスパンダを記憶位置へ移動させる。このように、２層光ディスク４０が停止してから（あるいは光ディスク装置１００から排出されてから）電源オフされる場合、ビームエキスパンダ７の位置は記憶位置と等しくなるため、この状態で電源オンされた際にビームエキスパンダ７の原点復帰処理を適切に行うことが出来る。
【００７６】
なお、本実施例では２層光ディスク４０からデータを再生する場合の再生処理について説明したが、２層光ディスク４０に対して記録を行う記録処理であってもよい。
【００７７】
以上に本願発明の第１実施形態を説明したが、第１実施形態は、要するに以下の特長を有している。
【００７８】
光ディスク装置１００は、レーザダイオード１（レーザ光源）と対物レンズ８の間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされたビームエキスパンダ７（収差補正レンズ）を備えている。２層光ディスク４０は記録層Ｌ０（又は記録層Ｌ１、以下同様）を備えている。光ディスク装置１００は、フラッシュメモリ３７（不揮発性記憶手段）と、適合検出部５０（適合位置検出手段）と、変位制御部５１（収差補正レンズ変位制御手段）と、を備えている。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置（例えば、図７Ｂにおけるステップ数１３０）を検出し、検出した適合位置を記憶位置（適合位置情報）としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、フラッシュメモリ３７から記憶位置を読み込み、記憶位置に基づいて基準位置（原点）に復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数（理論移動量、記憶位置と基準位置との差分量、図７Cではステップ数１３０）を求め、求めたステップ数に所定の押し当てステップ数（マージン移動量、図７Cではステップ数１０）を加えたステップ数（原点復帰移動量、図７Cではステップ数１４０）を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させる。即ち、２層光ディスク４０のポージング状態において、ビームエキスパンダ７は、適合位置に位置している。従って、以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において光ディスク装置１００の電源がOFFとなっても、ビームエキスパンダ７を少ない負荷で基準位置に復帰させることができる。
【００７９】
また、適合検出部５０は、検出した適合位置が、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と異なる場合は、検出した適合位置を、新たな適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、例えば光ピックアップ１０１の温度変化や２層光ディスク４０の個体差により、検出する適合位置が都度バラつく場合であっても、ビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させることができる。
【００８０】
また、適合検出部５０は、検出した適合位置と、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と、の差分量が記憶位置更新しきい値（所定量）を上回っていた場合に限り、検出した適合位置を、新たな適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、フラッシュメモリ３７の書き込み頻度が低下するので、フラッシュメモリ３７の寿命を延ばすことができる。
【００８１】
また、記憶位置更新しきい値は、押し当てステップ数以下に設定されている。以上の構成によれば、差分量が押し当てステップ数以下であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置に復帰させることができる。
【００８２】
また、記憶位置更新しきい値は、押し当てステップ数未満に設定されている。以上の構成によれば、差分量が押し当てステップ数未満であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を一層確実に基準位置に復帰させることができる。
【００８３】
また、２層光ディスク４０が記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１を有している。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の複数の記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１のうち基準記録層である記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、２層光ディスク４０の基準記録層以外の記録層Ｌ１に対して記録又は再生が行われていた場合は、その記録又は再生が完了後、基準記録層である記録層Ｌ０に適合した適合位置にビームエキスパンダ７を変位させる。以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において、ビームエキスパンダ７は、基準記録層である記録層Ｌ０に適合した適合位置に位置している。従って、以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において光ディスク装置１００の電源がOFFとなっても、ビームエキスパンダ７を少ない負荷で基準位置に復帰させることができる。
【００８４】
また、変位制御部５１は、２層光ディスク４０の回転が停止したら、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置に、ビームエキスパンダ７を変位させる。以上の構成によれば、ビームエキスパンダ７を安定的に基準位置へ復帰させることができる。
【００８５】
また、ビームエキスパンダ７の基準位置への復帰方法は、第１のステップ（ステップ１０６〜１１０）と、第２のステップ（ステップ１０１〜１０５）と、を含んでいる。第１のステップでは、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し（ステップ１０６）、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する（ステップ１１０）。第２のステップでは、記憶している記憶位置を読み込み（ステップ１０１）、記憶位置に基づいて基準位置へ復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数を求め、求めた理論移動量に所定の押し当てステップ数を加えたステップ数を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置へ復帰させる。
【００８６】
（第２実施形態）
次に、図１０〜１１を参照しつつ、本願発明の第２実施形態を説明する。ここでは、本実施形態が上記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、重複する説明は適宜省略する。また、上記第１実施形態の各構成要素に対応する構成要素には原則として同一の符号を付すこととする。
【００８７】
この第２の実施形態は、２層光ディスク４０を再生中の温度変化に伴い、ビームエキスパンダ７の位置を変更した場合の記憶位置の更新方法が、第１の実施形態に追加されている。この第２の実施形態は、フラッシュメモリ３７に格納されている制御プログラムのみが異なり、その他、光ディスク装置１００の構成などは、前述した第１の実施形態と同様である。
【００８８】
図１０のフローチャートは、第２の実施例を説明するためのフローチャートであり、図８のフローチャートにおけるステップ１０６とステップ１０７との間に、ステップ１２０、１２１が挿入されたものである。図１０のフローチャートにおいて、図８のフローチャートと同じステップ番号のステップでは、前述した処理と同様な処理が行われる。そこで、挿入されたステップ１２０、１２１での処理について説明する。
【００８９】
ステップ１２０では、コントローラ３３は、温度センサ２６からの出力値を読み出して、初期調整を行った後の光ディスク装置内の温度（以後、調整時温度）を取得する。
【００９０】
次のステップ１２１では、コントローラ３３は、調整時温度をRAM３８に保存する。この調整時温度は、後述する再生処理において使用される。
【００９１】
図１１のフローチャートは、第２の実施例を説明するためのフローチャートであり、図９のフローチャートにおけるステップ２０１とステップ２０２との間に、ステップ２２０〜２２６が挿入されたものである。図１１のフローチャートにおいて、図９のフローチャートと同じステップ番号のステップでは、前述した処理と同様な処理が行われる。そこで、挿入されたステップ２２０〜２２６での処理について説明する。
【００９２】
ステップ２２０では、コントローラ３３は、再生要求があった場合に、温度センサ２６からの出力値を読み出して、現在温度を取得する。
【００９３】
次のステップ２２１では、適合検出部５０は、前回取得した温度から所定のしきい値を超える温度変化があったかどうかを判定する。具体的には、適合検出部５０は、過去に温度変化によるビームエキスパンダ７の位置補正を行っていた場合は、そのときの温度をRAM３８から読み出し、現在温度と比較する。適合検出部５０は、過去に温度変化によるビームエキスパンダ７の位置補正を行っていない場合は、図１０のステップ１２１にて保存した初期調整時の温度をRAM２８から読み出し、現在温度と比較する。なお、本ステップ２２１における温度の差分しきい値としては、温度変化による球面収差が再生品質に影響を及ぼさない範囲でそのしきい値を決めればよい。これらの比較において、温度の差分が所定のしきい値を超えた場合、ステップ２２１の判定は肯定され、ステップ２２２へ遷移する。
【００９４】
ステップ２２２では、適合検出部５０は、温度変化に応じてビームエキスパンダ７の補正ステップ数を算出する。ここでは、適合検出部５０は、図１０のステップ１２１で保存した調整温度と、ステップ２２０で取得した現在温度との差分を求め、図４に示す温度とビームエキスパンダ７の適合位置との関係（温度係数K＝−１．２［ステップ／温度］）に基づき、ビームエキスパンダ７の補正ステップ数を算出する。
【００９５】
次のステップ２２３では、現在温度をRAM３８に保存し、ステップ２２４へ遷移する。
【００９６】
ステップ２２４では、適合検出部５０は、ステップ１０６で求めた適合位置のうち基準記録層である記録層Ｌ０に対応する適合位置に、ステップ２２２で求めた補正ステップ数を加味したステップ位置を、ビームエキスパンダ７の補正後の適合位置（以後、補正位置）とし、この補正位置と記憶位置との差分ステップ数を計算する。
【００９７】
次のステップ２２５では、適合検出部５０は、ステップ２２４で求まった差分ステップ数が、所定の記憶位置更新しきい値を超えたかどうかを判断する。この記憶位置更新しきい値は、図８のステップ１０９における記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）と同じである。差分ステップ数が、記憶位置更新しきい値を超えた場合、ステップ２２５の判定は肯定され、ステップ２２６へ遷移する。
【００９８】
ステップ２２６では、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。ここでは、基準記録層である記録層Ｌ０に対応するビームエキスパンダ７の補正位置を、新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７の未使用領域に記録した後に、ステップ２０２へ遷移する。
【００９９】
一方、ステップ２２５において、差分ステップ数が記録位置更新しきい値以下の場合、ステップ２２５の判定は否定され、ステップ２０２へ遷移する。
【０１００】
また、ステップ２２１において、温度変化が所定のしきい値に満たない場合、ステップ２２１の判定は否定され、ステップ２０２へ遷移する。
【０１０１】
以上のように、第２の実施形態にかかる光ディスク装置１００は、再生時の温度変化に応じて、ビームエキスパンダ７の適合位置を補正する。ここで、温度変化に伴う補正ステップ数はステップ２０２の再生処理、およびステップ２０６のフォーカス移動処理にて参照される。具体的には、ステップ２０２において、コントローラ３３は、図１０のステップ１０６で得られた所望の記録層に対する適合位置に、ステップ２２２で求めた補正ステップ数を加味したステップ位置を、所望の記録層に対するビームエキスパンダ７の補正位置とし、この補正位置へビームエキスパンダ７を移動させた後に再生動作を行う。また、ステップ２０６のフォーカス移動処理では、コントローラ３３は、記録層Ｌ０に対する補正位置へビームエキスパンダ７を移動させる。従って、初期調整時の温度と再生時の温度に変化が生じた場合も、ビームエキスパンダ７の位置は温度変化に応じた最適な位置を保つことが出来る。
【０１０２】
また、第２の実施形態にかかる光ディスク装置１００は、基準記録層である記録層Ｌ０に対応した補正後のビームエキスパンダ７の適合位置と、記憶位置との差分ステップ数に応じて、フラッシュメモリ３７の記憶位置情報を更新する。従って、再生処理後のポーズ状態（２層光ディスク４０が回転している状態）で、電源オフされる場合においても、ビームエキスパンダ７の現在位置とフラッシュメモリ３７に格納される記憶位置との差が所定の記憶位置更新しきい値以下にある状態が保持される。この差分は、前述のように、「実際の位置ずれ量」≦「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」であることから、再度電源オンされた場合に確実に基準位置へ戻すことが出来る。
【０１０３】
なお、本実施例では２層光ディスク４０からデータを再生する場合の再生処理について説明したが、２層光ディスク４０に対して記録を行う記録処理であってもよい。
【０１０４】
以上に本願発明の第２実施形態を説明したが、第２実施形態は、要するに、以下の特長を有している。
【０１０５】
即ち、光ディスク装置１００は、光ピックアップ１０１の温度変化を検出する温度センサ２６（温度変化検出手段）を更に備えている。温度センサ２６により光ピックアップ１０１の温度変化が検出されたら、適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を補正し、補正後の適合位置と、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と、の差分量が押し当てステップ数以下に設定された記憶位置更新しきい値を上回っていたら、補正後の適合位置を、新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、２層光ディスク４０に温度変化があっても、差分量が押し当てステップ数以下であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置へ復帰させることができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１ レーザダイオード
２ コリメータレンズ
３ ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ
４ グレーティング
５ 偏光ビームスプリッタ
６ １／４波長板
７ ビームエキスパンダ
８ 対物レンズ
９ 検出レンズ
１０ 光検出器
１１ 集光レンズ
１２ フロントモニタフォトダイオード
２０ ビームエキスパンダ駆動ユニット
２１ ステッピングモータ
２２ アーム
２３ 送りねじ
２５ アクチュエータ
２６ 温度センサ
３１ ＡＰＣ回路
３２ レーザドライバ
３３ コントローラ
３４ 演算回路
３５ ＤＳＰ
３６ ドライバ
３７ フラッシュメモリ
３８ RAM
３９ 信号処理回路
４０ ２層光ディスク
５０ 適合検出部
５１ 変位制御部
１００ 光ディスク装置
１０１ 光ピックアップ
Ｌ０ 記録層
Ｌ１ 記録層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置、収差補正レンズの原点復帰方法、及び、そのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクとしてはBlu-ray DiscやＤＶＤ(Digital Versatile Disc)のように記録層が多層に形成される、いわゆる多層光ディスクが知られている。このような多層ディスクは各記録層によってレーザ光の入射面から記録層までのカバー層の厚みが相違することに起因して記録層に収束されるレーザ光に球面収差が発生する。その為、特にBlu-ray Discのように記録密度が高められた多層光ディスクにおいては、上記の球面収差が記録再生を行う障害になるため、多層光ディスク対応の光ピックアップには、光ディスクのカバー層の厚みに応じて収差補正レンズを光軸方向に駆動可能なレンズ駆動機構が備えられている。
【０００３】
多層光ディスク対応の光ピックアップが組み込まれる光ディスク装置は、レンズ駆動機構を多層光ディスクの記録再生する記録層に対応させて収差補正レンズを光軸方向に変位させるべく制御させている。
【０００４】
レンズ駆動機構は、一般に収差補正レンズの駆動源としてステッピングモータが使用され、このステッピングモータを駆動する駆動パルスを光ディスク装置に備えるモータ駆動回路から発生させることにより収差補正レンズを光軸方向に変位させる構成となっている。そして、光ディスク装置にはモータ駆動回路を制御するレンズ制御手段が備えられ、モータ駆動回路はレンズ制御手段により制御されてステッピングモータを駆動する駆動パルスを発生する。
【０００５】
ところで、光ディスク装置は、レンズ駆動機構の収差補正レンズを制御するために収差補正レンズの位置を把握する必要がある。
【０００６】
これに対し、特許文献１では、収差補正レンズが基準位置に変位していることが検出されるようにフォトインタラプタなどの位置検出素子を設けている。
【０００７】
しかしながら、レンズ駆動機構に位置検出素子を設けることは、部品点数の増加及び組み立て工数の増加を伴うので、コスト面で不利である。
【０００８】
そこで、特許文献２は、位置検出素子を省いたレンズ駆動機構を開示している。特許文献２では、位置検出素子がない場合、収差補正レンズの基準位置をレンズ駆動機構における収差補正レンズの機構的な一方の可動限界に設定し、収差補正レンズをレンズ駆動機構の機構的な一方の可動限界に確実に押し当てて基準位置に変位させることになる。このとき、収差補正レンズがレンズ駆動機構の機構的な可動限界に押し当てられると、レンズ駆動機構に機構的な負荷が加わり、レンズ駆動機構の耐久性を劣化させる要因となる。そこで、特許文献２では、光ディスクの回転の停止時に収差補正レンズを所定の待機位置に変位させると共に、電源オン時であって収差補正レンズを基準位置に戻す際には待機位置と基準位置との差分に基づいて収差補正レンズを駆動させることとしている。また、待機位置は、収差補正レンズの可動要求範囲のうち、基準位置から最も離れた位置に設定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７?３２８８７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７７６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特許文献２の構成では、光ディスクの回転の停止時に収差補正レンズを所定の待機位置に変位させることとしているに過ぎず、光ディスクの回転中に電源OFFとなった場合は、次回の電源ON時に、レンズ駆動機構の機構的な一方の可動限界に対して収差補正レンズが過度に押し当てられることになる。なぜなら、収差補正レンズが実際には待機位置に変位させられていないにもかかわらず、待機位置に変位させられたものとして処理するからである。
【００１１】
特許文献２では、そのような事態の発生は稀であると謳っているが、実際には決して看過することのできない頻度で発生している。その理由は、光ディスク装置においては、光ディスクの記録・再生が完了した後でも次に記録・再生の要求に迅速に応答できるよう、一定時間、光ディスクの回転状態を継続することとしているからである。この状態は、光ディスクのポージング状態と称されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明の第１の観点によれば、レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置であって、光ディスクは記録層を備え、不揮発性記憶手段と、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる適合位置検出手段と、前記不揮発性記憶手段から前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる収差補正レンズ変位制御手段と、を備えた、光ディスク装置が提供される。
【００１３】
本願発明の第２の観点によれば、レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置における、収差補正レンズの原点復帰方法であって、光ディスクは記録層を備え、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する第１のステップと、記憶している前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる第２のステップと、を含む、収差補正レンズの原点復帰方法が提供される。
【００１４】
本願発明の第３の観点によれば、コンピュータに、請求項９に記載の収差補正レンズの原点復帰方法を実行させるためのプログラムが提供される。
【発明の効果】
【００１５】
即ち、前記光ディスクのポージング状態において、前記収差補正レンズは、前記適合位置に位置している。従って、本願発明によれば、前記光ディスクのポージング状態において前記光ディスク装置の電源がOFFとなっても、前記収差補正レンズを少ない負荷で原点復帰させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、光ディスク装置の概略構成図である。（第１実施形態）
【図２】図２は、ビームエキスパンダ駆動ユニットの構成図である。（第１実施形態）
【図３】図３は、ビームエキスパンダの可動範囲の模式図である。（第１実施形態）
【図４】図４は、光ピックアップの温度とビームエキスパンダの適合位置の関係を示す図である。（第１実施形態）
【図５】図５は、ビームエキスパンダの初期調整結果の例を示す図である。（第１実施形態）
【図６】図６は、フラッシュメモリの使用例を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ａ】図７Aは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｂ】図７Bは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｃ】図７Cは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｄ】図７Dは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｅ】図７Eは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｆ】図７Fは、ビームエキスパンダの初期調整処理を示す図である。（第１実施形態）
【図７Ｇ】図７Gは、ビームエキスパンダの原点復帰処理を示す図である。（第１実施形態）
【図８】図８は、コントローラのディスク挿入時における制御フローである。（第１実施形態）
【図９】図９は、コントローラの再生動作時における制御フローである。（第１実施形態）
【図１０】図１０は、コントローラのディスク挿入時における制御フローである。（第２実施形態）
【図１１】図１１は、コントローラの再生動作時における制御フローである。（第２実施形態）
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、図１〜９を参照しつつ、本願発明の第１実施形態を説明する。
【００１８】
図１に示す光ディスク装置１００は、一例としてＢｌｕ−Ｒａｙディスク規格の２層の記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１が形成される２層光ディスク４０を対象としてデータの再生を行う。本実施の形態では球面収差補正手段としてビームエキスパンダ７を用いている。
【００１９】
光ピックアップ１０１は、レーザダイオード１、コリメータレンズ２、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３、グレーティング４、偏光ビームスプリッタ５、１／４波長板６、ビームエキスパンダ７、対物レンズ８、検出レンズ９、光検出器１０、集光レンズ１１、フロントモニタフォトダイオード１２という光学系の構成、及び、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０、アクチュエータ２５、温度センサ２６を含んで構成される。
【００２０】
レーザダイオード１から出射されるＢＤ適合波長（λ＝４０５nm）のレーザ光は、コリメータレンズ２により平行光となった後、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３に入射する。ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３は、波長４０５nmの光束に対して、P偏光成分の大部分を透過し、残り部分が反射する。この反射光は集光レンズ１１により集光され、フロントモニタフォトダイオード１２に入射する。フロントモニタフォトダイオード１２は、レーザダイオード１のレーザ光をモニタするためのフォトダイオードである。光量に応じてフロントモニタフォトダイオード１２が流す電流が変化するので、それを電圧変換し、ループを組みレーザダイオード１のレーザ電流を制御することで、レーザダイオード１の出力を一定のパワーにする。
【００２１】
一方、ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ３を透過した光束は、グレーティング４に入射する。グレーティング４は、レーザダイオード１から出射されるレーザから使用するための周波数を抽出するための分光格子である。グレーティング４を透過した光束は、偏光ビームスプリッタ５に入射する。偏光ビームスプリッタ５は、レーザダイオード１から出射されるレーザを透過させ、２層光ディスク４０からの反射光を反射するフィルタの機能を有するビームスプリッタである。偏光ビームスプリッタ５を透過した光束は、１／４波長板６により円偏光に変換された後、ビームエキスパンダ７に導かれる。
【００２２】
ビームエキスパンダ７は、凸レンズ及び凹レンズの二つから構成される光学系である。ビームエキスパンダ７が用意されるのは、レーザ光の径を拡げるためであり、本実施の形態ではビームエキスパンダ７に含まれる凹レンズを光軸に沿って前後に動かしてレーザ光の径を拡げることで、光ディスクの保護層の厚みのばらつき等による球面収差を吸収する。
【００２３】
ここで、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０について、図２を使用して説明する。ビームエキスパンダ駆動ユニット２０はビームエキスパンダ７を動作させる駆動モジュールである。ステッピングモータによる位置決めであるので、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０による位置決定は再現性がある。ビームエキスパンダ駆動ユニット２０には、ステッピングモータ２１が含まれる。ステッピングモータ２１は送りねじ２３を回転させることでアーム２２に伝達する動力を与える。アーム２２はビームエキスパンダ７の凹レンズを動かすための伝達用部材である。
【００２４】
次に、ビームエキスパンダ７を出射した光束は、対物レンズ８に入射し、２層光ディスク４０の所望の記録層に絞り込まれる。ここで、アクチュエータ２５は対物レンズ８を動かすための駆動装置である。アクチュエータ２５はコイル等で構成されており、２層光ディスク４０の記録面に焦点を合わせるためのフォーカスアクチュエータ、光ディスクに設けられた溝に追従するためのトラッキングアクチュエータなどがある。実使用時には光検出器１０と後述するＤＳＰ３５、ドライバ３６との間でフィードバックループを形成しエラー信号が０となるようにフォーカスサーボおよびトラックサーボ動作を行う。
【００２５】
２層光ディスク４０からの反射光は、再び対物レンズ８、およびビームエキスパンダ７を透過し、１／４波長板６により往路系における偏光方向と直交する向きの偏光方向を有する直線偏光に変換される。この偏光された光束は、偏光ビームスプリッタ５により大部分が反射されて、検出レンズ９を透過した後、光検出器１０に導かれる。検出レンズ９は、光ディスクからの反射光を光検出器１０上で焦点を合わせるためのシリンドリカルレンズ等である。また、光検出器１０は複数に分割された受光素子から構成される。検出レンズ９によって焦点が合わせた２層光ディスク４０からの反射光が入射すると、各受光素子に所定の光起電力が生じ、演算回路３４に入力される。
【００２６】
また、本光ピックアップ１０１はレーザダイオード１の温度を検出するためにＣＭＯＳ ＩＣの温度センサ２６を搭載している。なお、温度センサ２６としては、熱電対等、他の手段を用いてもよい。温度センサ２６による検出結果は後述するコントローラ３３に入力される。
【００２７】
この光ピックアップ１０１を制御する周辺回路は、ＡＰＣ回路３１、レーザドライバ３２、コントローラ３３、演算回路３４、ＤＳＰ３５、ドライバ３６、フラッシュメモリ３７（不揮発性記憶手段）、RAM３８、信号処理回路３９、を含んで構成される。
【００２８】
ＡＰＣ回路３１は、フロントモニタフォトダイオード１２からの電流を電圧変換し、レーザドライバ３２にフィードバックする自動出力制御回路である。
【００２９】
レーザドライバ３２は、レーザダイオード１に出力用の電流を加えることで、レーザダイオード１の光出力を制御する駆動回路である。
【００３０】
演算回路３４は、光検出器１０により電気信号に変換された信号から、フォーカスエラー信号（ＦＥ）、トラッキングエラー信号（ＴＥ）、プルインエラー信号（ＰＥ）等の誤差信号を生成する。
【００３１】
信号処理回路３９は、２層光ディスク４０からの再生信号を処理する回路である。 再生時には、コントローラ３３からの指示により演算回路３４から入力された再生RF信号をデコードし、RAM３８にデータを格納する。RAM３８に格納されたデータはコントローラ３３を介し、SATAなどの外部Ｉ／Ｆにより外部接続装置に転送される。
【００３２】
RAM３８は光ディスク装置１００から読み取ったデータを一時的に保存するためのキャッシュメモリを構成するとともに、制御プログラムが使用する各種パラメータ（変数など）を格納する。
【００３３】
フラッシュメモリ３７には、図６に示すように、コントローラ３３にて解読可能なコードで記述された、本実施の形態における動作を制御する制御プログラムや、制御パラメータの初期値などと共に、後述するＱＲコードのデータやビームエキスパンダ７の位置（記憶位置）情報が格納されている。
【００３４】
CPU（Central Processing Unit）として機能するコントローラ３３とRAM３８、フラッシュメモリ３７でコンピュータを構成している。フラッシュメモリ３７に記憶されている制御プログラムがコントローラ３３に読み出され、コントローラ３３上で実行されることで、フラッシュメモリ３７の制御プログラムは、コントローラ３３等のハードウェアを、適合検出部５０（適合位置検出手段）及び変位制御部５１（収差補正レンズ変位制御手段）等として機能させる。
【００３５】
次に、図３を用いてビームエキスパンダ７の可動範囲について説明する。図２に示すビームエキスパンダ駆動ユニット２０において、ビームエキスパンダ７（の凹レンズ）は対物レンズ８から離れた方向の機構的な可動限界（基準位置＝０ステップ）と、対物レンズ８に近づく方向の機構的な可動限界（位置＝３６０ステップ）との間を移動可能に構成されている。可動限界を超えてビームエキスパンダ７を移動（押し当て）しようとすると、実際は可動限界までしか移動されず、可動限界位置において送りねじの歯とびによる磨耗（ビームエキスパンダ駆動ユニットの耐久性劣化）や、押し当てによるノイズが発生してしまう。
【００３６】
ここで、光ピックアップ１０１の特性上、各記録層Ｌ０、記録層Ｌ１に対するビームエキスパンダ７のおおよその適合位置は計算により求められ、その位置情報（以後、中心位置とする）は光ピックアップ１０１に貼り付けられるQRコードなどの２次元コード（図示せず）に記録されている場合が多い。例えば、本実施の形態では、記録層Ｌ０に対するビームエキスパンダ７の中心位置＝１２０ステップ、記録層Ｌ１に対するビームエキスパンダ７の中心位置＝２２０ステップという情報がQRコードに記録されており、このＱＲコードを読み取ったデータが、あらかじめフラッシュメモリ３７内に記録されているものとする。なお、光ピックアップ１０１によっては、記録層Ｌ０の中心値のみをQRコードに格納し、他の記録層Ｌ１の中心値については、記録層Ｌ０の中心値に対するオフセット量（ステップ数）として与えられる場合もある。本実施形態において、記録層Ｌ０と記録層Ｌ１のうち前者である記録層Ｌ０を基準とすべき記録層として取り扱うものとする。
【００３７】
この中心値に対して、ビームエキスパンダ７の適合位置は、２層光ディスク４０のカバー層厚のばらつきや温度変化により変化する。図４は温度と、ビームエキスパンダ７の適合位置との関係を示す図であり、温度センサ２６からの出力値から換算した光ピックアップ周辺温度と、後述する初期調整で求まったビームエキスパンダ７の適合位置との関係を表している。本例では、記録層Ｌ０（四角形のプロット）、記録層Ｌ１（三角形のプロット）共に、温度が１℃上昇するとともに、ビームエキスパンダ７の適合位置は１．１〜１．３ステップだけ基準位置側へシフトしていることが分かる。すなわち、本光ピックアップにおけるビームエキスパンダ７の位置の温度係数Kは、およそ−１．２［ステップ／℃］である。
【００３８】
このように、環境温度の変化や再生動作に伴う光ディスク装置１００の内部温度変化により、ビームエキスパンダ７の適合位置は変化する。従って、本発明の光ディスク装置１００は、２層光ディスク４０を挿入した際に、QRコードに記録されている中心位置を基準にビームエキスパンダ７の位置を振って各記録層Ｌ０、L1に対する適合位置の調整を行う。
【００３９】
図５はビームエキスパンダ７の初期調整結果を表す図である。この初期調整では２層光ディスク４０を挿入した際に、QRコードに記録されている中心位置を基準にビームエキスパンダ７の位置を振って各記録層Ｌ０、L1に対する適合位置を求める。図５のグラフは、ビームエキスパンダ７の位置（ステップ位置）とＴＥ信号振幅値、またはJitter値との関係を表している。この初期調整ではTE信号振幅が最大となる位置、あるいはJitter値が最小となる位置を適合位置としてビームエキスパンダ７を移動させる。
【００４０】
次に、前述のようにして構成された光ディスク装置１００における、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０の制御について、図６〜８を用いて説明する。図８のフローチャートは、コントローラ３３によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応しており、特に２層光ディスク４０を挿入した際の動作（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理および初期調整処理）を示すフローチャートである。
【００４１】
図８において２層光ディスク４０が挿入されると、ステップ１０１では、コントローラ３３は、フラッシュメモリ３７に記憶されているビームエキスパンダ７の位置（記憶位置）情報を読み出す。
【００４２】
この記憶位置は、図６に示すように、複数の記憶位置情報が記録できるようフラッシュメモリ３７にその領域が確保され、この領域の先頭から順番に使用されるものとする。通常、フラッシュメモリなどの不揮発メモリは情報の書き換え（ＥｒａｓｅとＷｒｉｔｅ）を行う際は数ＫＢといった大きな単位で行う必要があるが、初期値データ（例えばＦＦＦＦｈ）が記録されている部分に対しては２バイト単位で記録（Ｗｒｉｔｅのみ）を行うことが可能である。従って、記憶位置の更新においてフラッシュメモリ３７の未使用部分を順番に使用（追記）することで、フラッシュメモリ３７の特定部分が上書きされる頻度を減らすとともに、更新にかかる時間を短縮することが出来る。本実施の形態では記憶位置格納用に全４Kバイトの領域をフラッシュメモリ３７内に確保し、記憶位置を更新する場合は２バイト単位で追記を行う。すなわち、ステップ１０１では、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域の先頭から２バイト単位で記憶位置のサーチを行い、初期値＝ＦＦＦＦｈ以外が記録されている最後の記憶位置情報を抽出する。
【００４３】
次に、ステップ１０２では、コントローラ３３は、フラッシュメモリ３７から読み出した記憶位置が初期値＝ＦＦＦＦｈかどうかを判定する。例えば、図７Aに示すように、光ディスク装置１００が初めて電源オンされた場合、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域は全て初期値＝ＦＦＦＦｈが記録されている。この場合、ステップ１０２の判断は肯定され、ステップ１０４に移行する。
【００４４】
ステップ１０４では、コントローラ３３は、ビームエキスパンダ７の移動量（ステップ数）として、その全可動範囲である３６０ステップを選択し、ステップ１０５に移行する。
【００４５】
ステップ１０５では、コントローラ３３は、ステッピングモータ２１を起動して、ビームエキスパンダ７を基準位置方向に移動させる（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理）。すなわち、フラッシュメモリ３７に記憶位置が書き込まれていない初期状態では、ビームエキスパンダ７の現在位置が特定できないため、基準位置から最も離れた位置にある場合を考慮して、基準位置への移動を行う。この場合、実際は図７Aに示すように、可動限界である基準位置を大きく超えてビームエキスパンダ７を移動しようして、過度の押し当てが発生してしまう。
【００４６】
一方、ステップ１０２において、図７Cに示すように、フラッシュメモリ３７に初期値以外の記憶位置が格納されていた場合は、ステップ１０２の判断は否定され、ステップ１０３に移行する。
【００４７】
ステップ１０３では、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７の移動量（ステップ数）として、記憶位置から基準位置までのステップ数（理論移動量）に、押し当てステップ数（マージン移動量）を加算したステップ数（原点復帰移動量）が選択され、このステップ数分だけ、次のステップ１０５でビームエキスパンダ７を基準位置方向に移動させる（ビームエキスパンダ７の原点復帰処理）。図７Cの例では、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップ、押し当てステップ数＝１０ステップであるため、移動ステップ数＝１３０＋１０＝１４０ステップとなる。この例では、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は記憶位置と等しい１３０ステップの位置にあるため、ビームエキスパンダ７の原点復帰処理において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。この押し当てステップ数は、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である。ステップ１０５において変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理が完了すると、ステップ１０６へ遷移する。
【００４８】
ステップ１０６では、適合検出部５０が、ビームエキスパンダ７の初期調整を行う。ここでは、図５に示すように、適合検出部５０は、ビームエキスパンダ７の位置と、例えばＴＥ信号振幅値との関係を求めた後、TE信号振幅値が最大となる位置を、ビームエキスパンダ７の適合位置として選択する。２層光ディスク４０が複数の記録層Ｌ０、L1を有する場合は、記録層Ｌ０、L1毎に初期調整が実施される。なお、調整のための信号としてJitter値を測定し、Jitter値が最小となるビームエキスパンダ７の位置を適合位置として選択しても良い。ステップ１０６において初期調整が完了すると、ステップ１０７へ遷移する。
【００４９】
ステップ１０７では、基準記録層である記録層Ｌ０の適合位置を取得する。例えば、図７Bでは適合位置＝１３０ステップ位置であり、図７Dでは適合位置＝１３８ステップ位置であり、図７Fでは適合位置＝１６０ステップ位置が得られたことを示している。
【００５０】
次のステップ１０８では、適合検出部５０は、記録層Ｌ０の適合位置とフラッシュメモリ３７に記録されている記憶位置との差分ステップ数（差分量）を計算する。図７Dの例では、適合位置＝１３８ステップ位置に対して、記憶位置＝１３０ステップ位置であり、その差分は８ステップである。また、図７Fの例では、適合位置＝１６０ステップ位置に対して、記憶位置＝１３０ステップ位置であり、その差分は３０ステップである。
【００５１】
次のステップ１０９では、適合検出部５０は、ステップ１０８で求まった差分ステップ数が、所定の記憶位置更新しきい値（所定量）を超えたかどうかを判断する。本実施の形態では記憶位置更新しきい値＝１０ステップとしているが、この記憶位置更新しきい値は後述するように、押し当てステップ数以下のステップ数である必要がある。例えば、図７Fのように、適合位置と記憶位置の差分（＝３０ステップ）が記憶更新しきい値（＝１０ステップ）を超えた場合、ステップ１０９の判定は肯定され、ステップ１１０に遷移する。なお、図７Bの例のように、フラッシュメモリ３７に記憶位置が格納される前の初期状態の場合もステップ１０９の判定は肯定され、ステップ１１０に遷移する。
【００５２】
ステップ１１０では、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。ここでは、適合検出部５０は、基準記録層である記録層Ｌ０に対応するビームエキスパンダ７の適合位置を新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７の未使用領域に記録する。図７Fの例では、フラッシュメモリ３７の記憶位置格納領域の未使用部分の先頭に適合位置＝１６０（"００Ａ０ｈ"）が記録される。
一方、ステップ１０９において、図７Dの例のように、ステップ１０８で求まった差分ステップ数（＝８ステップ）が、記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）を超えないと判断された場合は、ステップ１１０の処理がスキップされ、ステップ１１１に遷移する。
【００５３】
ステップ１１１では、コントローラ３３は、ステップ１０７で得られた記録層Ｌ０の適合位置へビームエキスパンダ７の凹レンズを移動させて、処理を終了する。
【００５４】
次に、以上説明した制御方法によりビームエキスパンダ駆動ユニット２０を制御する光ディスク装置１００において、電源オンおよびディスク挿入を繰り返した場合の動作に関して、図７A〜図７Ｇを用いて説明する。
【００５５】
図７Aは、光ディスク装置が初めて電源オンされた場合のビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、フラッシュメモリ３７に記憶位置が格納される前の初期状態であり、ビームエキスパンダ７の現在位置が特定できないため、コントローラ３３は、ビームエキスパンダ７が基準位置から最も離れた位置にあるケースを想定して、その可動範囲である３６０ステップの移動を行う。従って、ビームエキスパンダ７の実際の位置によっては、過度の押し当てが発生することになるが、このような押し当ては光ディスク装置が初めて電源オンされた場合に限定できる。
【００５６】
次の図７Bは、図７Aの状態に続けて、適合検出部５０によるビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１３０ステップ位置が求まったとする。この例では、フラッシュメモリ３７に記憶位置が記録される前の初期状態であるため、適合検出部５０は、適合位置＝１３０ステップ位置（"００８２ｈ"）を記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記録する。
【００５７】
次の図７Cは、図７Bの状態に続けて、光ディスク装置の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１３０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１４０ステップの移動を行う。この例では、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は記憶位置と等しい１３０ステップの位置にあるため、基準位置への移動において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。この押し当てステップ数は、ビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である。
【００５８】
次の図７Dは、図７Cの状態に続けて、適合検出部５０によるビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１３８ステップ位置が求まったとする。この場合、フラッシュメモリ３７に格納されている記憶位置＝１３０ステップ位置と、適合位置（=１３８ステップ位置）との差分は８ステップであり、記憶位置更新しきい値＝１０ステップ以下であるため、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置の更新を行わない。
【００５９】
次の図７Eは、図７Dの状態に続けて、光ディスク装置１００の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１３０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１３０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１４０ステップの移動を行う。しかし、実際のビームエキスパンダ７の現在位置は１３８ステップ位置であるため、基準位置への移動においては、「移動ステップ数（１４０ステップ）」−「ビームエキスパンダ７の現在位置（１３８ステップ）」＝２ステップの押し当てが発生することになる。
【００６０】
すなわち、光ディスク装置の電源がオンされた状態において、実際のビームエキスパンダ７の位置と記憶位置とが異なる状態においても、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置に戻すためには、少なくとも記憶位置更新しきい値以上の押し当てを行えばよい。本実施の形態では、記憶位置更新しきい値、押し当てステップ数をともに１０ステップとしたが、これに限らず、記憶位置更新しきい値と押し当てステップ数に異なる値を用いても良い。ただし、前述のように、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置へ戻すためには、「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」の関係を保つとともに、押し当てステップ数はビームエキスパンダ駆動ユニット２０に悪影響を与えない程度のステップ数である必要がある。好ましくは、「記憶位置更新しきい値」＜「押し当てステップ数」の関係とするとよい。
【００６１】
次の図７Fは、図７Eの状態に続けて、適合検出部５０がビームエキスパンダ７の初期調整を行った結果を示す図であり、記録層Ｌ０の適合位置＝１６０ステップ位置が求まったとする。この場合、フラッシュメモリ３７に格納されている記憶位置＝１３０ステップ位置と、適合位置（＝１６０ステップ位置）との差分は３０ステップであり、記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）を超えるため、適合検出部５０は、記憶位置＝１６０ステップ位置（"００Ａ０ｈ"）としてフラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。この場合、あらたな記憶位置情報はフラッシュメモリ３７の未使用領域に追記する形で記録される。
【００６２】
次の図７Gは、図７Fの状態に続けて、光ディスク装置の電源がオフされた後に再度電源オンが行われた場合の、変位制御部５１によるビームエキスパンダ７の原点復帰処理を示す図である。ここでは、変位制御部５１は、ビームエキスパンダ７は記憶位置＝１６０ステップの位置にあるものとして、記憶位置から基準位置までのステップ数＝１６０ステップに、押し当てステップ数＝１０ステップを加算したステップ数=１７０ステップの移動を行う。実際のビームエキスパンダの現在位置は記憶位置と等しい１６０ステップの位置にあるため、基準位置への移動において、押し当てステップ数と等しい１０ステップの押し当てが発生する。
【００６３】
次に、以上説明した制御方法によりビームエキスパンダ７を制御する光ディスク装置１００において、ユーザからの要求に従い、２層光ディスク４０からの再生を行う場合の動作に関して、図９を用いて説明する。図９のフローチャートは、コントローラ３３によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。
【００６４】
ステップ２０１では、コントローラ３３は、ユーザから再生の要求があるかどうかを判定する。再生要求があった場合、ステップ２０１の判定は肯定され、ステップ２０２へ遷移する。
【００６５】
ステップ２０２では、コントローラ３３は、ユーザからの要求に従い、２層光ディスク４０に対して所定の再生動作を行う。この再生処理では、ユーザから、２層光ディスク４０のデータ領域に仮想的に割り当てられた論理アドレスと要求セクタ数（１セクタ＝２０４８バイト）が指定される。また、コントローラ３３は、は要求アドレスが位置する記録層Ｌ０（又は記録層Ｌ１）を判別し、図８のステップ１０６で行った初期調整結果を参照して、ビームエキスパンダ７を所望の記録層に対する適合位置に移動させた後に再生動作を行う。ステップ２０２において要求された再生処理が完了したら、ステップ２０３に遷移する。
【００６６】
ステップ２０３では、コントローラ３３は、ディスク停止用タイマをリセットする。このディスク停止用タイマについては後述する。
【００６７】
次のステップ２０４では、変位制御部５１は、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ０内のアドレスであったかどうかを判定する。ここで、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ１内のアドレスであった場合、ステップ２０４の判定は否定され、ステップ２０５に遷移する。
【００６８】
ステップ２０５では、変位制御部５１は、記録層Ｌ０へフォーカスを移動する。このフォーカス移動に伴い、変位制御部５１により、ビームエキスパンダ７が記録層Ｌ０に対する適合位置に移動される。
【００６９】
次に、ステップ２０６では、変位制御部５１は、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。一般に、光ディスク装置１００は、ユーザが要求した再生処理が終了した後も、再度この終了アドレスから再生を要求される場合が多いことから、再生終了アドレス付近でポーズ動作を行うが、本実施の形態における光ディスク装置は、あえて、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。従って、ポーズ状態（２層光ディスク４０が回転している状態）で、電源オフされる場合においても、ビームエキスパンダ７の現在位置とフラッシュメモリ３７に格納される記憶位置との差が記憶位置更新しきい値以内にある状態が保持される。この差分は、前述のように、「実際の位置ずれ量」≦「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」であることから、再度電源オンされた場合のビームエキスパンダ７の原点復帰処理において、確実に基準位置へ戻すことが出来る。
【００７０】
一方、ステップ２０４において、ユーザが要求した再生アドレスが記録層Ｌ０内のアドレスであった場合は、コントローラ３３は、ステップ２０４の判定は肯定され、ステップ２０６に遷移して、記録層Ｌ０にてポーズ動作を行う。
【００７１】
次のステップ２０７では、コントローラ３３は、ディスク停止用タイマを参照して、所定の時間が経過したかどうかを判定する。このタイマはユーザが要求した再生処理が完了した時点でリセットされる（ステップ２０３）タイマであり、ユーザからの再生要求がない期間を計測するためのタイマである。ステップ２０７において、所定の時間が経過していない場合は、ステップ２０７の判定は否定され、ステップ２０１へ遷移する。
【００７２】
ステップ２０１では、再度ユーザから再生の要求があるかどうかを判定する。ここで、ユーザから再生要求がない場合、ステップ２０１の判定は否定され、ステップ２０７へ遷移し、再びディスク停止用タイマを参照して、所定の時間が経過したかどうかを判定する。
【００７３】
一方、ステップ２０７において、所定の時間が経過していた場合、ステップ２０７の判定は肯定され、ステップ２０８へ遷移する。
【００７４】
ステップ２０８では、コントローラ３３は、ディスクを停止する。
【００７５】
次のステップ２０９では、変位制御部５１は、ビームエキスパンダを記憶位置へ移動させる。このように、２層光ディスク４０が停止してから（あるいは光ディスク装置１００から排出されてから）電源オフされる場合、ビームエキスパンダ７の位置は記憶位置と等しくなるため、この状態で電源オンされた際にビームエキスパンダ７の原点復帰処理を適切に行うことが出来る。
【００７６】
なお、本実施例では２層光ディスク４０からデータを再生する場合の再生処理について説明したが、２層光ディスク４０に対して記録を行う記録処理であってもよい。
【００７７】
以上に本願発明の第１実施形態を説明したが、第１実施形態は、要するに以下の特長を有している。
【００７８】
光ディスク装置１００は、レーザダイオード１（レーザ光源）と対物レンズ８の間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされたビームエキスパンダ７（収差補正レンズ）を備えている。２層光ディスク４０は記録層Ｌ０（又は記録層Ｌ１、以下同様）を備えている。光ディスク装置１００は、フラッシュメモリ３７（不揮発性記憶手段）と、適合検出部５０（適合位置検出手段）と、変位制御部５１（収差補正レンズ変位制御手段）と、を備えている。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置（例えば、図７Ｂにおけるステップ数１３０）を検出し、検出した適合位置を記憶位置（適合位置情報）としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、フラッシュメモリ３７から記憶位置を読み込み、記憶位置に基づいて基準位置（原点）に復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数（理論移動量、記憶位置と基準位置との差分量、図７Cではステップ数１３０）を求め、求めたステップ数に所定の押し当てステップ数（マージン移動量、図７Cではステップ数１０）を加えたステップ数（原点復帰移動量、図７Cではステップ数１４０）を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させる。即ち、２層光ディスク４０のポージング状態において、ビームエキスパンダ７は、適合位置に位置している。従って、以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において光ディスク装置１００の電源がOFFとなっても、ビームエキスパンダ７を少ない負荷で基準位置に復帰させることができる。
【００７９】
また、適合検出部５０は、検出した適合位置が、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と異なる場合は、検出した適合位置を、新たな適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、例えば光ピックアップ１０１の温度変化や２層光ディスク４０の個体差により、検出する適合位置が都度バラつく場合であっても、ビームエキスパンダ７を基準位置に復帰させることができる。
【００８０】
また、適合検出部５０は、検出した適合位置と、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と、の差分量が記憶位置更新しきい値（所定量）を上回っていた場合に限り、検出した適合位置を、新たな適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、フラッシュメモリ３７の書き込み頻度が低下するので、フラッシュメモリ３７の寿命を延ばすことができる。
【００８１】
また、記憶位置更新しきい値は、押し当てステップ数以下に設定されている。以上の構成によれば、差分量が押し当てステップ数以下であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置に復帰させることができる。
【００８２】
また、記憶位置更新しきい値は、押し当てステップ数未満に設定されている。以上の構成によれば、差分量が押し当てステップ数未満であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を一層確実に基準位置に復帰させることができる。
【００８３】
また、２層光ディスク４０が記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１を有している。適合検出部５０は、２層光ディスク４０の複数の記録層Ｌ０及び記録層Ｌ１のうち基準記録層である記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。変位制御部５１は、２層光ディスク４０の基準記録層以外の記録層Ｌ１に対して記録又は再生が行われていた場合は、その記録又は再生が完了後、基準記録層である記録層Ｌ０に適合した適合位置にビームエキスパンダ７を変位させる。以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において、ビームエキスパンダ７は、基準記録層である記録層Ｌ０に適合した適合位置に位置している。従って、以上の構成によれば、２層光ディスク４０のポージング状態において光ディスク装置１００の電源がOFFとなっても、ビームエキスパンダ７を少ない負荷で基準位置に復帰させることができる。
【００８４】
また、変位制御部５１は、２層光ディスク４０の回転が停止したら、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置に、ビームエキスパンダ７を変位させる。以上の構成によれば、ビームエキスパンダ７を安定的に基準位置へ復帰させることができる。
【００８５】
また、ビームエキスパンダ７の基準位置への復帰方法は、第１のステップ（ステップ１０６〜１１０）と、第２のステップ（ステップ１０１〜１０５）と、を含んでいる。第１のステップでは、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を検出し（ステップ１０６）、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する（ステップ１１０）。第２のステップでは、記憶している記憶位置を読み込み（ステップ１０１）、記憶位置に基づいて基準位置へ復帰するために理論上必要となるビームエキスパンダ７のステップ数を求め、求めた理論移動量に所定の押し当てステップ数を加えたステップ数を求め、このステップ数を用いてビームエキスパンダ７を基準位置へ復帰させる。
【００８６】
（第２実施形態）
次に、図１０〜１１を参照しつつ、本願発明の第２実施形態を説明する。ここでは、本実施形態が上記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、重複する説明は適宜省略する。また、上記第１実施形態の各構成要素に対応する構成要素には原則として同一の符号を付すこととする。
【００８７】
この第２の実施形態は、２層光ディスク４０を再生中の温度変化に伴い、ビームエキスパンダ７の位置を変更した場合の記憶位置の更新方法が、第１の実施形態に追加されている。この第２の実施形態は、フラッシュメモリ３７に格納されている制御プログラムのみが異なり、その他、光ディスク装置１００の構成などは、前述した第１の実施形態と同様である。
【００８８】
図１０のフローチャートは、第２の実施例を説明するためのフローチャートであり、図８のフローチャートにおけるステップ１０６とステップ１０７との間に、ステップ１２０、１２１が挿入されたものである。図１０のフローチャートにおいて、図８のフローチャートと同じステップ番号のステップでは、前述した処理と同様な処理が行われる。そこで、挿入されたステップ１２０、１２１での処理について説明する。
【００８９】
ステップ１２０では、コントローラ３３は、温度センサ２６からの出力値を読み出して、初期調整を行った後の光ディスク装置内の温度（以後、調整時温度）を取得する。
【００９０】
次のステップ１２１では、コントローラ３３は、調整時温度をRAM３８に保存する。この調整時温度は、後述する再生処理において使用される。
【００９１】
図１１のフローチャートは、第２の実施例を説明するためのフローチャートであり、図９のフローチャートにおけるステップ２０１とステップ２０２との間に、ステップ２２０〜２２６が挿入されたものである。図１１のフローチャートにおいて、図９のフローチャートと同じステップ番号のステップでは、前述した処理と同様な処理が行われる。そこで、挿入されたステップ２２０〜２２６での処理について説明する。
【００９２】
ステップ２２０では、コントローラ３３は、再生要求があった場合に、温度センサ２６からの出力値を読み出して、現在温度を取得する。
【００９３】
次のステップ２２１では、適合検出部５０は、前回取得した温度から所定のしきい値を超える温度変化があったかどうかを判定する。具体的には、適合検出部５０は、過去に温度変化によるビームエキスパンダ７の位置補正を行っていた場合は、そのときの温度をRAM３８から読み出し、現在温度と比較する。適合検出部５０は、過去に温度変化によるビームエキスパンダ７の位置補正を行っていない場合は、図１０のステップ１２１にて保存した初期調整時の温度をRAM２８から読み出し、現在温度と比較する。なお、本ステップ２２１における温度の差分しきい値としては、温度変化による球面収差が再生品質に影響を及ぼさない範囲でそのしきい値を決めればよい。これらの比較において、温度の差分が所定のしきい値を超えた場合、ステップ２２１の判定は肯定され、ステップ２２２へ遷移する。
【００９４】
ステップ２２２では、適合検出部５０は、温度変化に応じてビームエキスパンダ７の補正ステップ数を算出する。ここでは、適合検出部５０は、図１０のステップ１２１で保存した調整温度と、ステップ２２０で取得した現在温度との差分を求め、図４に示す温度とビームエキスパンダ７の適合位置との関係（温度係数K＝−１．２［ステップ／温度］）に基づき、ビームエキスパンダ７の補正ステップ数を算出する。
【００９５】
次のステップ２２３では、現在温度をRAM３８に保存し、ステップ２２４へ遷移する。
【００９６】
ステップ２２４では、適合検出部５０は、ステップ１０６で求めた適合位置のうち基準記録層である記録層Ｌ０に対応する適合位置に、ステップ２２２で求めた補正ステップ数を加味したステップ位置を、ビームエキスパンダ７の補正後の適合位置（以後、補正位置）とし、この補正位置と記憶位置との差分ステップ数を計算する。
【００９７】
次のステップ２２５では、適合検出部５０は、ステップ２２４で求まった差分ステップ数が、所定の記憶位置更新しきい値を超えたかどうかを判断する。この記憶位置更新しきい値は、図８のステップ１０９における記憶位置更新しきい値（＝１０ステップ）と同じである。差分ステップ数が、記憶位置更新しきい値を超えた場合、ステップ２２５の判定は肯定され、ステップ２２６へ遷移する。
【００９８】
ステップ２２６では、適合検出部５０は、フラッシュメモリ３７の記憶位置を更新する。ここでは、基準記録層である記録層Ｌ０に対応するビームエキスパンダ７の補正位置を、新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７の未使用領域に記録した後に、ステップ２０２へ遷移する。
【００９９】
一方、ステップ２２５において、差分ステップ数が記録位置更新しきい値以下の場合、ステップ２２５の判定は否定され、ステップ２０２へ遷移する。
【０１００】
また、ステップ２２１において、温度変化が所定のしきい値に満たない場合、ステップ２２１の判定は否定され、ステップ２０２へ遷移する。
【０１０１】
以上のように、第２の実施形態にかかる光ディスク装置１００は、再生時の温度変化に応じて、ビームエキスパンダ７の適合位置を補正する。ここで、温度変化に伴う補正ステップ数はステップ２０２の再生処理、およびステップ２０６のフォーカス移動処理にて参照される。具体的には、ステップ２０２において、コントローラ３３は、図１０のステップ１０６で得られた所望の記録層に対する適合位置に、ステップ２２２で求めた補正ステップ数を加味したステップ位置を、所望の記録層に対するビームエキスパンダ７の補正位置とし、この補正位置へビームエキスパンダ７を移動させた後に再生動作を行う。また、ステップ２０６のフォーカス移動処理では、コントローラ３３は、記録層Ｌ０に対する補正位置へビームエキスパンダ７を移動させる。従って、初期調整時の温度と再生時の温度に変化が生じた場合も、ビームエキスパンダ７の位置は温度変化に応じた最適な位置を保つことが出来る。
【０１０２】
また、第２の実施形態にかかる光ディスク装置１００は、基準記録層である記録層Ｌ０に対応した補正後のビームエキスパンダ７の適合位置と、記憶位置との差分ステップ数に応じて、フラッシュメモリ３７の記憶位置情報を更新する。従って、再生処理後のポーズ状態（２層光ディスク４０が回転している状態）で、電源オフされる場合においても、ビームエキスパンダ７の現在位置とフラッシュメモリ３７に格納される記憶位置との差が所定の記憶位置更新しきい値以下にある状態が保持される。この差分は、前述のように、「実際の位置ずれ量」≦「記憶位置更新しきい値」≦「押し当てステップ数」であることから、再度電源オンされた場合に確実に基準位置へ戻すことが出来る。
【０１０３】
なお、本実施例では２層光ディスク４０からデータを再生する場合の再生処理について説明したが、２層光ディスク４０に対して記録を行う記録処理であってもよい。
【０１０４】
以上に本願発明の第２実施形態を説明したが、第２実施形態は、要するに、以下の特長を有している。
【０１０５】
即ち、光ディスク装置１００は、光ピックアップ１０１の温度変化を検出する温度センサ２６（温度変化検出手段）を更に備えている。温度センサ２６により光ピックアップ１０１の温度変化が検出されたら、適合検出部５０は、２層光ディスク４０の記録層Ｌ０に適合したビームエキスパンダ７の位置である適合位置を補正し、補正後の適合位置と、フラッシュメモリ３７に記憶位置として記憶されている適合位置と、の差分量が押し当てステップ数以下に設定された記憶位置更新しきい値を上回っていたら、補正後の適合位置を、新たな記憶位置としてフラッシュメモリ３７に記憶させる。以上の構成によれば、２層光ディスク４０に温度変化があっても、差分量が押し当てステップ数以下であることが保証されるので、ビームエキスパンダ７を確実に基準位置へ復帰させることができる。
【符号の説明】
【０１０６】
１ レーザダイオード
２ コリメータレンズ
３ ＡＰＣ用偏光ビームスプリッタ
４ グレーティング
５ 偏光ビームスプリッタ
６ １／４波長板
７ ビームエキスパンダ
８ 対物レンズ
９ 検出レンズ
１０ 光検出器
１１ 集光レンズ
１２ フロントモニタフォトダイオード
２０ ビームエキスパンダ駆動ユニット
２１ ステッピングモータ
２２ アーム
２３ 送りねじ
２５ アクチュエータ
２６ 温度センサ
３１ ＡＰＣ回路
３２ レーザドライバ
３３ コントローラ
３４ 演算回路
３５ ＤＳＰ
３６ ドライバ
３７ フラッシュメモリ
３８ RAM
３９ 信号処理回路
４０ ２層光ディスク
５０ 適合検出部
５１ 変位制御部
１００ 光ディスク装置
１０１ 光ピックアップ
Ｌ０ 記録層
Ｌ１ 記録層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置であって、光ディスクは記録層を備え、
不揮発性記憶手段と、
前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる適合位置検出手段と、
前記不揮発性記憶手段から前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる収差補正レンズ変位制御手段と、
を備えた、
光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスク装置であって、
前記適合位置検出手段は、前記検出した適合位置が、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と異なる場合は、前記検出した適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光ディスク装置であって、
前記適合位置検出手段は、前記検出した適合位置と、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と、の差分量が所定量を上回っていた場合に限り、
前記検出した適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
前記所定量は、前記マージン移動量以下に設定されている、
光ディスク装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光ディスク装置であって、
前記所定量は、前記マージン移動量未満に設定されている、
光ディスク装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の光ディスク装置であって、
前記光ディスクが前記記録層を複数有する場合は、
前記適合位置検出手段は、前記光ディスクの前記複数の記録層のうち何れかの記録層である基準記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させ、
前記収差補正レンズ変位制御手段は、前記光ディスクの前記複数の記録層のうち前記基準記録層以外の記録層に対して記録又は再生が行われていた場合は、その記録又は再生が完了後、前記基準記録層に適合した前記適合位置に前記収差補正レンズを変位させる、
光ディスク装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載の光ディスク装置であって、
前記収差補正レンズ変位制御手段は、前記光ディスクの回転が停止したら、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置に、前記収差補正レンズを変位させる、
光ディスク装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光ディスク装置であって、
光ピックアップの温度変化を検出する温度変化検出手段を更に備え、
前記温度変化検出手段により前記光ピックアップの温度変化が検出されたら、前記適合位置検出手段は、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を補正し、補正後の適合位置と、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と、の差分量が前記マージン移動量以下に設定された所定量を上回っていたら、前記補正後の適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項９】
レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置における、収差補正レンズの原点復帰方法であって、光ディスクは記録層を備え、
前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する第１のステップと、
記憶している前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる第２のステップと、
を含む、
収差補正レンズの原点復帰方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項９に記載の収差補正レンズの原点復帰方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１】
レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置であって、光ディスクは記録層を備え、
不揮発性記憶手段と、
前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる適合位置検出手段と、
前記不揮発性記憶手段から前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる収差補正レンズ変位制御手段と、
を備えた、
光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスク装置であって、
前記適合位置検出手段は、前記検出した適合位置が、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と異なる場合は、前記検出した適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光ディスク装置であって、
前記適合位置検出手段は、前記検出した適合位置と、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と、の差分量が所定量を上回っていた場合に限り、
前記検出した適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスク装置であって、
前記所定量は、前記マージン移動量以下に設定されている、
光ディスク装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光ディスク装置であって、
前記所定量は、前記マージン移動量未満に設定されている、
光ディスク装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の光ディスク装置であって、
前記光ディスクが前記記録層を複数有する場合は、
前記適合位置検出手段は、前記光ディスクの前記複数の記録層のうち何れかの記録層である基準記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させ、
前記収差補正レンズ変位制御手段は、前記光ディスクの前記複数の記録層のうち前記基準記録層以外の記録層に対して記録又は再生が行われていた場合は、その記録又は再生が完了後、前記基準記録層に適合した前記適合位置に前記収差補正レンズを変位させる、
光ディスク装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載の光ディスク装置であって、
前記収差補正レンズ変位制御手段は、前記光ディスクの回転が停止したら、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置に、前記収差補正レンズを変位させる、
光ディスク装置。
【請求項８】
請求項１に記載の光ディスク装置であって、
光ピックアップの温度変化を検出する温度変化検出手段を更に備え、
前記温度変化検出手段により前記光ピックアップの温度変化が検出されたら、前記適合位置検出手段は、前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を補正し、補正後の適合位置と、前記不揮発性記憶手段に前記適合位置情報として記憶されている適合位置と、の差分量が前記マージン移動量以下に設定された所定量を上回っていたら、前記補正後の適合位置を、新たな適合位置情報として前記不揮発性記憶手段に記憶させる、
光ディスク装置。
【請求項９】
レーザ光源と対物レンズの間に配置され、球面収差を補正するために光軸上で変位可能とされた収差補正レンズを備えた光ディスク装置における、収差補正レンズの原点復帰方法であって、光ディスクは記録層を備え、
前記光ディスクの前記記録層に適合した前記収差補正レンズの位置である適合位置を検出し、検出した適合位置を適合位置情報として記憶する第１のステップと、
記憶している前記適合位置情報を読み込み、前記適合位置情報に基づいて原点復帰するために理論上必要となる前記収差補正レンズの理論移動量を求め、求めた理論移動量に所定のマージン移動量を加えた原点復帰移動量を求め、前記原点復帰移動量を用いて前記収差補正レンズを原点復帰させる第２のステップと、
を含む、
収差補正レンズの原点復帰方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項９に記載の収差補正レンズの原点復帰方法を実行させるためのプログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−９７８４０（Ｐ２０１３−９７８４０Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４０８９１（Ｐ２０１１−２４０８９１）
【出願日】平成２３年１１月２日（２０１１．１１．２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＱＲコード
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２日（２０１１．１１．２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＱＲコード
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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