光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置
【課題】加工溝の溝深さを所望値にコントロールすることができる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換装置10を構成する中間コンタクト層分離溝15に対してピコ秒レーザを照射するとともに、中間コンタクト層分離溝15に対してピコ秒レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝15を形成する溝形成工程を有する光電変換装置10の製造方法において、溝形成工程は、ピコ秒レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、干渉縞が走査方向に接続されるようにピコ秒レーザを相対移動することを特徴とする。
【解決手段】光電変換装置10を構成する中間コンタクト層分離溝15に対してピコ秒レーザを照射するとともに、中間コンタクト層分離溝15に対してピコ秒レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝15を形成する溝形成工程を有する光電変換装置10の製造方法において、溝形成工程は、ピコ秒レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、干渉縞が走査方向に接続されるようにピコ秒レーザを相対移動することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置に関し、特に光電変換装置を構成する薄膜の溝加工に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、薄膜太陽電池(光電変換装置)の光電変換効率を向上させるため、複数の光電変換層を積層した構造が知られている。例えば、アモルファスシリコン層と微結晶シリコン層を積層したタンデム型太陽電池が知られている。このタンデム型太陽電池は、光透過性基板上に、透明電極、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、及び裏面電極といった薄膜を順次積層することによって形成される。そして、アモルファスシリコン層と微結晶シリコン層との間に、電気的および光学的に接続された中間コンタクト層(薄膜)を設け、入射光の一部を反射させて更に光電変換効率向上を図る技術が知られている。
【0003】
また、このようなタンデム型太陽電池では、複数の光電変換セルを直列接続することによって所望の電圧を得る高電圧化を図っている。複数の光電変換セルを直列接続する際には、アモルファスシリコン層、中間コンタクト層及び微結晶シリコン層を貫通する接続溝を形成し、この接続溝内に裏面電極を充填することによって、裏面電極と透明電極とを電気的に接続する。
一方、中間コンタクト層は、導電性を有しているため、裏面電極が充填された接続溝と電気的に接続されると、アモルファスシリコン層や微結晶シリコン層で発生した電流が中間コンタクト層を介して接続溝へと漏れてしまう。
そこで、レーザ加工によって中間コンタクト層を分離することで、中間コンタクト層から接続溝への電流の漏洩を防止する技術が種々提案されている(特許文献1及び2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2002−261308号公報
【特許文献2】特開2003−273383号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
レーザ加工によって薄膜に一方向に連続した溝を形成するには、例えば、図12(a)に示したように、パルスレーザを用いて複数の照射領域14を形成し、隣り合う照射領域14を部分的に重ね合わせて数珠繋ぎのように連続した溝を形成する。照射領域14の直径D0が集光されて膜表面に照射されたビーム径である。同図において、符号B0が隣り合う照射領域14の重ね幅となる。
しかしながら、レーザにはレーザ径D0に相当する照射領域14内でレーザ強度分布が不可避的に生じる。具体的には、図12(b)に示すように、照射領域の中央では強度が最も強く周辺ほど強度が弱くなるガウス分布状のレーザ強度分布となる。したがって、加工溝は、この照射領域14の全体にわたって形成された強度分布に対応した溝深さとなる。つまり、図12(b)に示したように、少なくともエネルギー密度差dpに対応する程度の溝深さの分布が生じてしまう。また、透明電極や中間コンタクト層は、反射率、アモルファスシリコン層や結晶質シリコン層での吸収率を向上させるために、凹凸のテクスチャー形状となっている。以上の事情により、所望の溝深さの制御が困難となっていた。したがって、ときには薄膜を十分に切断できない程度に浅い溝となってしまい、ときには必要以上に深く溝を形成してしまうという問題があった。
また、加工溝は、図12(a)に示したように、数珠繋ぎのようになっているので、加工方向(同図において左右方向)に浅い/深いが繰り返し現れる深さ分布が生じてしまうという問題があった。
なお、同図において、符号L0は、照射領域14が重ね合わされていない領域における加工方向の長さを示す。
【0006】
一方、中間コンタクト層を分離する際にレーザを中間コンタクト層およびアモルファスシリコン層に照射すると、レーザの熱エネルギーをアモルファスシリコン層が吸収し、このアモルファスシリコン層が溶融し、中間コンタクト層を伴って飛散し、中間コンタクト層分離溝が形成される。この中間コンタクト層分離溝を形成する際に、中間コンタクト層分離溝を形成する壁部(底壁含む)では、溶融したアモルファスシリコン層が再結晶化する。この再結晶化した領域は、当初のアモルファスシリコンから変質しているため、低抵抗化すると考えられる。このように低抵抗化した再結晶領域は、中間コンタクト層を透明電極と裏面電極の接続部から分離する効果が低く、電流の新たな漏れ経路となり、電池性能の低下を来してしまう。
したがって、再結晶化領域が電流の漏れ経路となることを防ぐためには、この再結晶化領域の位置を適切にコントロールすることが要求される。つまり、中間コンタクト層分離溝の終端位置(溝深さ)を正確にコントロールすることが必要となる。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、膜厚方向への漏れ電流を抑制することができる加工溝の構造、また、加工溝の溝深さを所望値にコントロールすることができる光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明の光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置は以下の手段を採用する。
すなわち、本発明にかかる光電変換装置の製造方法は、光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するとともに、該薄膜に対して該レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する溝形成工程を有する光電変換装置の製造方法において、前記溝形成工程は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、該干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動することを特徴とする。
【0009】
レーザのビーム径に相当する照射領域内では、本発明のように干渉縞を形成しない場合、その中央では強度がもっとも強く周辺ほど強度が弱くなるレーザ強度分布が生じる。このように照射領域内の全体にわたってレーザ強度分布が生じると、所望の溝深さを実現することが困難となる。
そこで、本発明では、照射領域内で干渉縞を形成することとした。この干渉縞は、一方向に並列に並ぶ複数の明領域および暗領域から構成される。この干渉縞を構成する一つの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を形成する。これにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
そして、干渉縞を走査方向に接続することにより、連続した加工溝が形成される。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等や、モジュール終端部の絶縁溝の溝形成にも用いることができる。
【0010】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法は、シリコンを主成分とする第1光電変換層を製膜する第1光電変換層製膜工程と、前記第1光電変換層上に、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続される中間コンタクト層を製膜する中間コンタクト層製膜工程と、レーザを照射して、前記中間コンタクト層を除去するとともに、前記第1光電変換層まで到達する中間コンタクト層分離溝を形成して該中間コンタクト層を分離する中間コンタクト層分離工程と、前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層を製膜する第2光電変換層製膜工程とを有し、前記中間コンタクト層分離工程として、前記溝形成工程が行われることを特徴とする。
【0011】
上記の溝形成工程によって中間コンタクト層に中間コンタクト層分離溝が形成されるので、所望の深さとされた中間コンタクト層分離溝を得ることができる。これにより、中間コンタクト層の膜面方向に流れる電流経路を確実に切断することができる。
なお、第1光電変換層としては、好適には、アモルファスシリコン層が用いられ、第2光電変換層としては、微結晶シリコン層が用いられる。中間コンタクト層としては、GZO(GaドープZnO)が好適に用いられる。
【0012】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記中間コンタクト層分離溝は、前記第1光電変換層の中途位置にて終端していることを特徴とする。
【0013】
中間コンタクト層分離溝を第1光電変換層の中途位置にて終端させることとし、第1光電変換層に接続する電極(又はトリプル構造の場合は他の中間コンタクト層)まで到達させないこととした。これにより、分離溝を形成する壁部に再結晶化領域が形成されていても、この再結晶化領域が電極(又は他の中簡層)に物理的に接続されることがないので、中間コンタクト層と電極とが電気的に接続されることはない。
このように、中間コンタクト層分離溝の終端位置は、第1光電変換層に接続する電極(又は他の中間コンタクト層)に再結晶化領域が接触しない位置とされていることが好ましく、中間コンタクト層に接続された第1光電変換層のn層またはp層を少なくとも切断する深さが好ましい。n層またはp層を切断することにより、n層またはp層に含まれるドーパントが再結晶化領域に混入し、再結晶化領域の導電性を増加させることを回避することができる。
【0014】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記レーザは、パルスレーザとされ、前記溝形成工程は、前記パルスレーザによる複数の前記照射領域を部分的に重ね合わせることによって連続的に前記加工溝を形成する際に、前記干渉縞の複数の明領域が連続するように、隣り合う前記照射領域を重ね合わせることを特徴とする。
【0015】
レーザとしてパルスレーザを用いた場合には、パルスレーザの照射領域は断続的に形成されることになる。この断続的に形成される照射領域を部分的に重ねることによって連続した加工溝を形成する。
隣り合う照射領域を重ね合わせる際に、部分的に重ね合わせる領域を調整することによって複数の明領域が連続するようにする。これにより、複数の明領域が連続した加工溝が形成されるので、1本のみの明領域が形成された加工溝に比べて、薄膜(例えば中間コンタクト層分離溝)の切断を確実に行うことができる。
重ね合わせる領域の調整は、薄膜とレーザとの相対移動速度の調整や、パルスレーザのパルス間隔を調整することによって実現することができる。
各明領域の溝深さが異なる場合には、特定の明領域の溝深さが所望深さとなるようにレーザパワー等が調整される。
ここで、本発明における干渉縞の「明領域」とは、干渉縞のうち、レーザ強度が干渉によって強調された領域を意味し、レーザ強度が干渉によって弱められた暗領域の対義語である。
【0016】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記照射領域は、略矩形状とされ、前記溝形成工程は、矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせることを特徴とする。
【0017】
略矩形状とされた隣り合う照射領域の一辺同士を重ねあわせるので、円形状とされた照射領域を重ね合わせる場合に比べて、一辺の延在方向にわたる幅広の領域で重ねあわせることができる。これにより、複数の明領域を連続させる際に必要な走査方向の重ね幅を、円形状の照射領域の場合よりも狭くすることができる。したがって、照射領域の重ね幅を狭くした分だけ走査方向の移動量を大きくすることができるので、溝形成工程を短縮化することができる。また、照射領域の重ね幅が狭いということはレーザが複数回照射される領域を狭くすることになるので、この重ね領域における薄膜の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
なお、照射領域を略矩形状にする方法としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープ等のビーム断面形状を変形させる光学素子を用いる方法が挙げられる。
また、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域の量を調整することにより、円形状の照射領域では得られなかった数の明領域を多く連続して形成することができる。
ここで、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域のそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0018】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化した後に前記薄膜にレーザを照射することを特徴とする。
【0019】
レーザの照射領域における強度分布を均一化した後に薄膜にレーザを照射するので、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域による溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
なお、レーザの照射領域における強度分布を均一化する方法としては、例えば、対物レンズの焦点距離を長くする方法や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)等の光学素子を用いる方法が挙げられる。
【0020】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記溝形成工程は、パルス幅が10ps以上750ps以下とされたパルスレーザによって行われることを特徴とする。
【0021】
10ps以上750ps以下のパルス幅とされたパルスレーザとされているので、極めて短い時間間隔で熱エネルギーを薄膜(例えば第1光電変換層)に与えることができる。つまり、ナノ秒のパルス幅とされた従来のパルスレーザに比べて、投入された熱エネルギーが薄膜に吸収されて拡散する熱拡散を小さく抑えることができるので、加工溝(例えば中間コンタクト層分離溝)を形成する壁部近傍まで十分な熱エネルギーを投入して溝加工に無駄なくエネルギーを用いることができ、加工溝の周縁近傍まで所望深さに形成された加工溝を形成することができる。
【0022】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記第1光電変換層製膜工程の前に、基板上に基板側電極を形成する基板側電極製膜工程と、該基板側電極を除去して基板側電極分離溝を形成する基板側電極分離溝形成工程と、前記第2光電変換層製膜工程の後に、前記第2光電変換層、前記中間コンタクト層および前記第1光電変換層を除去し、裏面電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝を形成する接続溝形成工程とを備え、前記中間コンタクト層分離工程は、前記基板側電極分離溝に対して前記中間コンタクト層分離溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われ、および/または、前記接続溝形成工程は、前記中間コンタクト層分離溝に対して前記接続溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われることを特徴とする。
【0023】
基板側電極分離溝(例えば透明導電膜)、中間コンタクト層分離溝および接続溝は、この順番で互いに隣り合う状態で形成される。基板側電極分離溝から中間コンタクト層分離溝を挟んで接続溝までの間(正確には、接続溝のさらに外側に形成される段間分離溝までの距離)は、光電変換装置として発電に寄与しない部分(無効発電領域)となる。本発明では、中間コンタクト層分離溝と、基板側電極分離溝および/または接続溝とを、隣接させて部分的に重複するようにした。これにより、無効発電領域を狭めることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
本発明では、中間コンタクト層分離溝が複数形成されるので、中間コンタクト層分離溝が基板側電極分離溝および/または接続溝に部分的に重複していても、中間コンタクト層分離溝の複数の溝のうちの外側に位置する溝が重複するに過ぎず、中央に位置する溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝のうち、外側に位置する溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【0024】
また、本発明の光電変換装置の製造装置は、光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するレーザ発振器と、前記薄膜に対して前記レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する移動手段と、を備えた光電変換装置の製造装置において、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成する干渉縞形成手段を備え、前記移動手段は、前記干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動させることを特徴とする。
【0025】
レーザのビーム径に相当する照射領域内では、その中央では強度がもっとも強く周辺ほど強度が弱くなるレーザ強度分布が生じる。このように照射領域内の全体にわたってレーザ強度分布が生じると、所望の溝深さを実現することが困難となる。
そこで、本発明では、干渉縞形成手段によって、照射領域内で干渉縞を形成することとした。この干渉縞は、一方向に並列に並ぶ複数の明領域から構成される。この干渉縞を構成する一つの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を形成する。これにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
そして、移動手段によって、干渉縞が走査方向に接続されるように相対移動させることにより、連続した加工溝を形成する。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等の溝形成にも用いることができる。
【0026】
さらに、本発明の光電変換装置の製造装置では、前記照射領域の形状を略矩形状とする照射領域形状変更手段を備え、前記移動手段は、該矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせるように、前記レーザを相対移動させることを特徴とする。
【0027】
略矩形状とされた隣り合う照射領域の一辺同士を重ねあわせるので、円形状とされた照射領域を重ね合わせる場合に比べて、一辺の延在方向にわたる幅広の領域で重ねあわせることができる。これにより、複数の明領域を連続させる際に必要な走査方向の重ね幅を、円形状の照射領域の場合よりも狭くすることができる。したがって、照射領域の重ね幅を狭くした分だけ走査方向の移動量を大きくすることができるので、溝形成工程を短縮化することができる。また、照射領域の重ね幅が狭いということはレーザが複数回照射される領域を狭くすることになるので、この重ね領域における薄膜の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
なお、照射領域を略矩形状にする照射領域形状変更手段としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープ等のビーム断面形状を変形させる光学素子を用いる方法が挙げられる。
また、移動手段によって、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域を調整することにより、円形状の照射領域では得られなかった数の明領域を多く連続して形成することができる。
ここで、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域のそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0028】
さらに、本発明の光電変換装置の製造装置では、前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段を備えていることを特徴とする。
【0029】
レーザ強度分布均一化手段によって、レーザの照射領域における強度分布を均一化する。そして、薄膜にレーザを照射することにより、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域による溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
なお、レーザ強度分布均一化手段としては、例えば、対物レンズの焦点距離を長くする光学配置や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)等の光学素子が挙げられる。
【0030】
また、本発明の光電変換装置は、複数の薄膜が積層され、いずれかの薄膜にはレーザ照射によって形成された加工溝が一方向に形成された光電変換装置において、前記加工溝は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて前記一方向に並列に並ぶ複数の溝とされていることを特徴とする。
【0031】
レーザのビーム径に相当する照射領域内に、一方向に並列に並ぶ複数の溝を形成することとしたので、薄膜の切断をより確実に行うことができる。
このような複数の溝は、例えば、照射領域内に干渉縞を形成することによって得ることができる。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等の溝形成にも用いることができる。
【0032】
さらに、本発明の光電変換装置は、基板と、該基板上に製膜された基板側電極と、該基板側電極を分離する基板側電極分離溝と、該基板側電極上および前記基板側電極分離溝内に製膜されたシリコンを主成分とする第1光電変換層と、該第1光電変換層上に製膜され、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続された中間コンタクト層と、該中間コンタクト層を分離するとともに、前記基板側電極分離溝に隣り合うように形成された中間コンタクト層分離溝と、前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に製膜され、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層と、該第2光電変換層、前記中間コンタクト層、および前記第1光電変換層を分離するとともに、前記中間コンタクト層分離溝に隣り合うように形成され、裏面側電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝とを有し、前記基板側電極分離溝、前記中間コンタクト層分離溝および前記接続溝がこの順番で並列して形成された光電変換装置において、前記中間コンタクト層分離溝は、前記加工溝とされ、前記中間コンタクト層分離溝は、前記基板側電極分離溝に対して隣接しかつ部分的に重複し、かつ/または、前記中間コンタクト層分離溝は、前記接続溝に対して隣接しかつ部分的に重複することを特徴とする。
【0033】
基板側電極分離溝(例えば透明導電膜)、中間コンタクト層分離溝および接続溝は、この順番で互いに隣り合う状態で形成される。基板側電極分離溝から中間コンタクト層分離溝を挟んで接続溝までの間(正確には、接続溝のさらに外側に形成される段間分離溝までの距離)は、光電変換装置として発電に寄与しない部分(無効発電領域)となる。本発明では、中間コンタクト層分離溝と、基板側電極分離溝および/または接続溝とを、隣接させて部分的に重複するようにした。これにより、無効発電領域を狭めることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
本発明では、中間コンタクト層分離溝が複数形成されるので、中間コンタクト層分離溝が基板側電極分離溝および/または接続溝に部分的に重複していても、中間コンタクト層分離溝の複数の溝のうちの外側に位置する溝が重複するに過ぎず、中央に位置する溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝のうち、外側に位置する溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【発明の効果】
【0034】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
照射領域内で干渉縞を形成し、一方向に並列に並ぶ複数の明領域を得ることとした。この干渉縞を構成するそれぞれの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなるので、干渉縞の1つの明瞭域に対する加工溝の溝深さ分布も小さくなる。したがって、所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を得ることにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
また、中間コンタクト層を分離する際に、深さ分布の小さい所望深さの分離溝を形成することができるので、中間コンタクト層を確実に切断することができ、中間コンタクト層の切断不良による漏れ電流を低減させることができる。これにより、光電変換装置の性能が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の第1実施形態にかかるタンデム型太陽電池を示した縦断面図である。
【図2】中間コンタクト層分離工程において中間コンタクト層分離溝を形成した状態を示した縦断面図である。
【図3】本発明の第1実施形態にかかる太陽電池製造装置の中間コンタクト層分離溝を加工する装置の光学系を示した概略構成図である。
【図4】レーザの照射領域であって、(a)は干渉縞が形成された状態を示し、(b)は干渉縞のレーザ強度分布を示す。
【図5】干渉縞形成手段の一例としてのホモジナイザを示した概略構成図である。
【図6】連続した中間コンタクト層分離溝を形成する方法を示した説明図である。
【図7】本発明の第2実施形態にかかる照射領域を示した平面図である。
【図8】図7の変形例を示した平面図である。
【図9】加工溝の深さを模式的に示し、(a)は第1実施形態に相当する加工溝の深さ分布を示した模式図であり、(b)は第3実施形態の加工溝の深さ分布を示した模式図である。
【図10】本発明の第3実施形態にかかる太陽電池製造装置の中間コンタクト層分離溝を加工する装置の光学系を示した概略構成図である。
【図11】中間コンタクト層分離溝と、隣り合う透明電極分離溝および接続溝との位置関係を示し、(a)は比較例、(b)は第4実施形態を示した平面図である。
【図12】従来のパルスレーザを用いた場合であって、(a)は照射領域の重なり状態を示した平面図であり、(b)はパルスレーザのビーム断面におけるエネルギー密度を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下に、本発明にかかる実施形態について、図面を参照して説明する。
[第1実施形態]
図1には、タンデム型とされたシリコン系薄膜太陽電池(光電変換装置)の縦断面が示されている。
太陽電池10は、透光性絶縁基板とされたガラス基板1と、透明電極層2と、トップ層(第1光電変換層)91と、中間コンタクト層93と、ボトム層(第2光電変換層)92と、裏面電極層4とを備えている。本実施形態において、トップ層91は非晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層であり、ボトム層92は結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層である。
【0037】
ここで、「シリコン系」とはシリコン(Si)やシリコンカーバイド(SiC)やシリコンゲルマニウム(SiGe)を含む総称である。また、「結晶質シリコン系」とは、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコン系も含まれる。
【0038】
上記構成の本実施形態の太陽電池10は、以下のように製造される。
ガラス基板1としては、1m2以上の面積を有するソーダフロートガラスが用いられる。1m角以上(具体的には1.4m×1.1m)の大きさとされ、板厚が3.5〜4.5mmのものが用いられる。ガラス基板1の端面は、熱応力や衝撃などによる破損防止のために、コーナー面取り加工やR面取り加工が施されていることが好ましい。
【0039】
透明電極層2としては、例えば酸化錫膜(SnO2)を主成分とする透明電極膜が好適に用いられる。この透明電極膜は、約500nm〜800nmの膜厚とされ、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することによって得られる。この製膜処理の際に、透明電極膜の表面には適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層2として、透明電極膜と基板1との間にアルカリバリア膜(図示されず)を介在させても良い。アルカリバリア膜は、例えば50nm〜150nmの膜厚とされた酸化シリコン膜(SiO2)とされ、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することによって得られる。
【0040】
その後、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、YAGレーザの第1高調波(1064nm)を、透明電極層2の膜面側(図において上方側)から照射する。加工速度に対して適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極層2を発電セル5の直列接続方向に対して垂直な方向(図において紙面垂直方向)へ、ガラス基板1とレーザ光を相対移動させて、透明電極分離溝(基板側電極分離溝)12を形成する。これにより、透明電極層2が幅約6mm〜15mmの所定幅とされた短冊状にレーザエッチングされる。
【0041】
次に、プラズマCVD装置により、減圧雰囲気を30〜1000Paとし、基板温度を約200℃とした条件にて、アモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜してトップ層91を形成する。トップ層91は、SiH4ガスとH2ガスとを主原料としたプロセスガスによって、透明電極層2の上に製膜される。太陽光の入射する側(ガラス基板1側)からp層、i層、n層がこの順で積層される。
トップ層91は、本実施形態では、アモルファスp層としてBドープしたアモルファスSiCを主とした膜厚10nm〜30nm、アモルファスi層としてアモルファスSiを主とした膜厚200nm〜350nm、アモルファスn層としてアモルファスSiに微結晶Siを含有するpドープしたSi層を主とした膜厚30nm〜50nmから構成されている。また、p層膜とi層膜の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【0042】
次に、中間コンタクト層93としてGZO(GaドープZnO)膜を、トップ層91上に製膜する(中間コンタクト層製膜工程)。GZO(GaドープZnO)膜は、20nm〜100nmの膜厚とされ、スパッタリング装置により製膜される。中間コンタクト層93によって、トップ層91とボトム層92との間における接触性を改善するとともに電流整合性を得ることができる。また、中間コンタクト層93は、半反射膜とされており、ガラス基板1から入射した光の一部を反射させることによってトップ層91における光電変換効率の向上を実現している。
【0043】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、10ps〜750psのパルス幅を有するパルスレーザ(以下「ピコ秒パルスレーザ」という。)を、透明電極層2の膜面側(図において上方側)から照射する。このピコ秒パルスレーザによって、透明電極分離溝12と接続溝16との間に中間コンタクト層分離溝15を形成する(中間コンタクト層分離工程)。中間コンタクト層分離溝(加工溝)15は、第1加工溝15aと、この第1加工溝15aの両側に位置する第2加工溝15b及び第3加工溝15cから構成されている。各加工溝15a,15b,15cは、図2に示されているように、トップ層91のアモルファスi層91iにて終端している。
中間コンタクト層分離溝15によって、中間コンタクト層93の膜面方向に流れる電流を阻止することができる。
中間コンタクト層分離工程については、後に詳述する。
【0044】
次に、中間コンタクト層93の上および中間コンタクト層分離溝15内に、プラズマCVD装置によって、減圧雰囲気を3000Pa以下、基板温度を約200℃、プラズマ発生周波数を40MHz〜100MHzとした条件で、微結晶シリコン薄膜からなる微結晶p層膜/微結晶i層膜/微結晶n層膜を順次製膜してボトム層92を形成する(第2光電変換層製膜工程)。
ボトム層92は、本実施形態では、微結晶p層としてBドープした微結晶SiCを主とした膜厚10nm〜50nm、微結晶i層として微結晶Siを主とした膜厚1.2μm〜3.0μm、微結晶n層としてpドープした微結晶Siを主とした膜厚20nm〜50nmから構成されている。
【0045】
微結晶シリコン薄膜、特に微結晶i層膜をプラズマCVD法で形成するにあたり、プラズマ放電電極とガラス基板1の表面との距離dは、3mm〜10mmにすることが好ましい。3mmより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離dを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。10mmより大きい場合、十分な製膜速度(1nm/s以上)を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【0046】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザダイオード励起YAGレーザの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、ボトム層92の膜面側(図において上方側)から照射する。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極分離溝12から側方に約50〜350μm離間した位置に、接続溝16を形成する。また、レーザはガラス基板1側から照射しても良く、この場合はトップ層91で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して中間コンタクト層93及びボトム層92をエッチングできるので、更に安定したレーザエッチング加工を行うことが可能となる。レーザエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め公差を考慮して選定する。
【0047】
次に、裏面電極層4として、Ag膜/Ti膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約150〜200℃にて順次製膜する。裏面電極層4は、本実施形態では、Ag膜を約150〜500nmの膜厚とし、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜を10〜20nmの膜厚でこの順に積層する。あるいは約25nm〜100nmの膜厚を有するAg膜および/またはCu膜と、約15nm〜500nmの膜厚を有するAl膜またはTi膜との積層構造としても良い。n層と裏面電極層4との接触抵抗低減と光反射向上を目的として、ボトム層92と裏面電極層4との間にGZO(GaドープZnO)膜を膜厚50〜100nmで、スパッタリング装置によって製膜しても良い。
【0048】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザダイオード励起YAGレーザの第2高調波(532nm)を、ガラス基板1側(図において下方側)から照射する。レーザ光がトップ層91及びボトム層92で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。レーザのパルス発振周波数を1〜10kHzとして加工速度が適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極分離溝12から側方に約250〜400μm離間した位置に、セル分割溝(段間分離溝)18を形成するようにレーザエッチングする。
【0049】
上記工程の後、裏面電極4を覆うように、EVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等の接着充填材シートを介して防水効果の高いバックシートを貼付する工程等を経て、太陽電池が製造される。
【0050】
以下に、上述した中間コンタクト層分離工程について詳述する。
当該工程に用いられるレーザは、10ps〜750psのパルス幅を有するピコ秒パルスレーザである。具体的には、パルス幅13ps、発振周波数10kHz、ビームスポット径124μmとされたピコ秒パルスレーザ発振器が好適に用いられる。なお、ピコ秒パルスレーザ発振器としては、代表的なものとして、Nd:YVO4レーザ、チタン・サファイアレーザ、ファイバーレーザ等が挙げられる。
【0051】
図2に示されているように、中間コンタクト層分離溝15の終端位置(底部)は、トップ層91のi層91i内に位置している。すなわち、中間コンタクト層分離溝15の終端位置は、トップ層91のn層91nおよびp層91p内に位置していない。これにより、万が一、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部(底部を含む)にアモルファスシリコンの再結晶化領域20が形成されたとしても、この再結晶化領域20にn層91nやp層91pのドーパントが拡散されることが防止され、ドーパントによる再結晶化領域20の低抵抗化を回避することができる。なお、再結晶化領域20は、透過型電子顕微鏡等で確認することができる。
【0052】
図3には、中間コンタクト層分離溝15を加工する光学系の装置構成が示されている。
ピコ秒パルスレーザ発振器22とガラス基板1(正確には、トップ層91及び中間コンタクト層93が形成されたガラス基板1)との間には、全反射ミラー24が配置されている。ガラス基板1は、図示しないローラ式/ベルト式コンベア等の移動手段によって矢印T方向に移動させられ、走査方向Tに連続した中間コンタクト層分離溝15が形成されるようになっている。
ピコ秒パルスレーザ発振器22と全反射ミラー24との間には、干渉縞形成手段26が設けられている。
干渉縞形成手段26は、レーザのビーム径D1に相当する照射領域28(図4(a)参照)内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成するものである。干渉縞は、明領域28aと暗領域28bとから構成されている。明領域28aは、レーザ強度が干渉によって強調された領域であり、暗領域28bは、レーザ強度が干渉によって弱められた領域である。図4(a)に示されているように、1度の照射により干渉縞の明瞭域28aによって、加工溝15a,15b,15c,15d,15eが形成される。加工溝15a,15b,15c,15d,15e間の領域は干渉縞の暗領域28bに対応し、殆ど溝が形成されない。すなわち、図4(b)には、干渉縞によって形成される加工深さが示されており、明領域28aに対応する位置では深い加工溝15a,15b,15c,15d,15eとされており、暗領域28bに対応する位置では殆ど加工溝が形成されていないことが示されている。
また、それぞれの加工溝15a,15b,15c,15d,15eにおける溝深さ分布は、干渉縞を形成しない場合(図12(b))に比べて、比較的小さいものとなる。したがって、深さ分布が小さい加工溝15が得られるので、レーザ強度を調整することによって所望の溝深さの制御が正確にできる。
【0053】
図5には、干渉縞形成手段26の具体的構成の一例が示されている。
干渉縞形成手段26は、対向配置された2つのビーム分割ミラー30及びビーム結合ミラー31と、分割された光を折り返す全反射ミラー34,35,36,37を備えている。レーザ発振器22から出射された入射レーザ光32は、符号38で示したエネルギー密度分布を有してビーム分割ミラー30に入射する。入射レーザ光32は、ビーム分割ミラー30により、その中心で2分割されて2つの分割レーザ光32a,32bとなる。これら分割レーザ光32a,32bは、全反射ミラー34,35でそれぞれが折り返された後に交差する。交差する際に、分割レーザ光32a,32bは互いに干渉する。また、分割レーザ光32a,32bが交差することによって、それぞれの位置が入れ替わる。分割レーザ光32a,32bは、全反射ミラー36,37でそれぞれ折り返された後に、ビーム結合ミラー31へと入射する。ビーム結合ミラー31では、各分割レーザ光32a,32bが重畳することによって合成される。重畳後の出射レーザ光33は、符号39で示したエネルギー密度分布を有して基板1に照射される。以上の通り、分割レーザ光32a,32bが交差する際に干渉するので、出射レーザ光37には、干渉縞が形成される。
なお、図5に示した光学系を適宜調整することにより、出射レーザ光33の強度分布39を所望の程度にて均一化させることもできる。また、図5に示したビーム分割ミラー及びビーム結合ミラーや全反射ミラーに代えて、各種のプリズムを用いることによって同様の光学系を構成することもできる。
【0054】
図6には、連続した中間コンタクト層分離溝15を形成する方法が示されている。
それぞれの照射領域28が部分的に重ね合わせられている。なお、同図における左右方向は、中間コンタクト層分離溝28の形成方向(走査方向)である。隣り合う照射領域28の重なり幅B1は、明領域28aによって形成された加工溝15が連続するように決定する。同図における実施形態では、3つの明瞭域に対応する3つの加工溝15a,15b,15cが連続するように重なり幅B1が定められている。これにより、図1及び図2に示したような3つの加工溝15a,15b,15cが連続して形成される。なお、図6に示されているように、最も外側に位置する加工溝15d,15eは、走査方向に連続していない。
重なり幅B1の調整は、基板1とレーザとの相対移動速度の調整や、パルス秒レーザのパルス間隔を調整することによって実現することができる。
【0055】
上述した本実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
ピコ秒パルスレーザの照射領域28内で干渉縞を形成し、一方向に並列に並ぶ複数の明領域28aを得ることとした。それぞれの明領域28a内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定する。これにより、所望の溝深さを有する加工溝15a,15b,15cを正確に形成することができる。
【0056】
中間コンタクト層分離溝15を第1光電変換層の中途位置にて終端させることとし、トップ層91に接続する透明電極2まで到達させないこととした。これにより、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部に再結晶化領域20(図2参照)が形成されていても、この再結晶化領域20が透明電極2に物理的に接続されることがないので、中間コンタクト層93と透明電極2とが電気的に接続されることはない。
このように、中間コンタクト層分離溝15の終端位置は、トップ層91に接続する透明電極2に再結晶化領域20が接触しない位置とされていることが好ましく、中間コンタクト層93に接続されたトップ層91のn層91nを少なくとも切断する深さが好ましい。このように、n層を切断することにより、n層に含まれるドーパントが再結晶化領域20に混入し、再結晶化領域の導電性を増加させることを回避することができる。
【0057】
ピコ秒パルスレーザの隣り合う照射領域28を部分的に重ね合わせる際に、重ね幅B1を調整することによって干渉縞の複数の明領域に対応する加工溝15a,15b,15cが連続するようにした。これにより、複数の連続した加工溝15a,15b,15cが形成されるので、1本のみの明領域によって形成される加工溝に比べて、中間コンタクト層93の切断を確実に行うことができる。
各加工溝15a,15b,15cの溝深さが異なる場合には、特定の加工溝15aの溝深さが所望深さとなるようにレーザパワー等が調整される。この場合、特定の加工溝15aによって中間コンタクト層からの電流漏れが主として阻止される。
【0058】
本実施形態のパルス秒レーザは、10ps以上750ps以下のパルス幅とされているので、極めて短い時間間隔で熱エネルギーをトップ層91に与えることができる。つまり、ナノ秒のパルス幅とされた従来のパルスレーザに比べて、投入された熱エネルギーが薄膜に吸収されて拡散する熱拡散を小さく抑えることができるので、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部近傍まで十分な熱エネルギーを投入して溝加工に無駄なくエネルギーを用いることができ、所望深さに形成された中間コンタクト層分離溝15を形成することができる。
【0059】
中間コンタクト層分離溝15の深さ分布が低減して中間コンタクト層93を確実に切断するとともに、再結晶化領域20による影響を回避することができるので、漏れ電流による性能低下が低減され、電池性能が向上する。
【0060】
なお、本実施形態では、ピコ秒レーザを用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、干渉縞によって照射領域28内で複数の明瞭域28aを形成できれば他のレーザを用いてもよく、例えばナノ秒レーザが用いてもよい。
また、加工される薄膜として中間コンタクト層93を一例として説明したが、他の薄膜でも翼、例えば、トップ層91、ボトム層92、透明電極2、裏面電極4を加工対象としても良い。
また、本実施形態では、ピコ秒レーザに対して基板1を走査方向T(図3参照)に移動させる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザと加工対象となる薄膜とが相対的に移動させれば良く、例えば、基板1を固定した上でレーザを加工方向に走査しても良い。
また、本実施形態では、中央の第1加工溝15aの溝深さが最も深い場合として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光学系を調整して外側の第2加工溝15b又は第3加工溝15cが最も深い溝深さとしても良い。
【0061】
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態について、図7及び図8を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、照射領域の形状が異なり、その他の点については同様なので、相違点についてのみ説明し、その他については説明を省略する。
図7は、第1実施形態の図6に対応する図である。図7に示されているように、照射領域40は、略矩形状とされている。
矩形状の照射領域40を形成する方法としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープを用いる方法が挙げられる。
中間コンタクト層分離溝15を形成する際には、図7に示されているように、照射領域40の一辺を、隣り合う照射領域40の一辺と部分的に重ね合わせる。このように、一辺の延在方向の広い幅C2に渡って重ねあわせることができるので、図6のように円形状とされた照射領域28を重ね合わせる場合(幅C1参照)に比べて、照射領域40の重ね幅B2を狭くすることができる。したがって、走査方向の移動量を大きくすることができ、ひいては中間層分離工程を短縮化することができる。また、照射領域40の重なり幅B2(<B1)を走査方向に狭くできるので、複数回レーザが照射されることになる重なり領域を小さくすることになり、トップ層91の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
【0062】
また、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域を調整することにより、第1実施形態のような円形状の照射領域では得られなかった数の加工溝を多く連続して形成することができる。具体的には、図8に示したように、重なり幅B2’(>B2)を図7の場合よりも大きくすると、連続する明領域28aの数を多くすることができ、加工溝15の数を増やすことができる。つまり、図7の場合には3本の加工溝15a,15b,15cが連続しているのに対して、図8の場合には5本の加工溝15a,15b,15c,15d,15eを連続させることができる。
【0063】
なお、本実施形態において、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、図7及び図8に示したように角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域がそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0064】
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態について、図9及び図10を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、それぞれの加工溝15の深さを略均等としている点で異なる。しかし、それ以外の構成については同様であるので、その説明は省略する。
第1実施形態に示した加工溝15a,15b,15cは、図9(a)に示されているように、それぞれ溝深さが異なっている。これに対して、本実施形態では、図9(b)に示されているように、加工溝15a,15b,15c,15d,15eの溝深さを略同等としている。
このように各加工溝15a,15b,15c,15d,15eの溝深さを略均等とするには、照射領域におけるレーザ強度分布を均一化すればよい。具体的には、図10に示されているように、ピコ秒レーザ発振器22から出射されたレーザの強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段50を全反射ミラー24の手前に配置する。レーザ強度分布均一化手段50としては、対物レンズの焦点距離を長くする光学系や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)が挙げられる。
このように、本実施形態によれば、レーザの照射領域における強度分布を均一化した後に中間コンタクト層93にレーザを照射するので、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域によって形成される加工溝15の溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。
また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり(具体的には図9(a)の加工溝15a)過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
【0065】
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態について、図11を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、透明電極分離溝12、中間コンタクト層分離溝15および接続溝16の間隔が異なる。しかし、それ以外の構成については同様であるので、その説明は省略する。
図11(a)には、比較例が示されており、透明電極分離溝12と中間コンタクト層分離溝15との間、及び、中間コンタクト層分離溝15と接続溝16との間には、所定の間隔(例えば100nm程度)が設けられている。また、接続溝16の隣には、所定の間隔(例えば100nm程度)を有してセル分割溝18が形成されている。同図の符号N0で示すように、透明電極分離溝12からセル分割溝18までの間の領域は、発電に寄与しない無効発電領域N0となる。
本実施形態では、図11(b)に示されているように、透明電極分離溝12と中間コンタクト層分離溝15、及び、中間コンタクト層分離溝15と接続溝16を、隣接させかつ部分的に重複するようにする。これにより、図11(a)の比較例に比べて、無効発電領域N1を小さくすることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
【0066】
本実施形態では、中間コンタクト層分離溝15として複数の加工溝が形成されるので、中間コンタクト層分離溝15が透明電極分離溝12および接続溝16に部分的に重複していても、外側に位置する加工溝のみが重複するに過ぎず、中央側に位置する加工溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝15のうち、外側に位置する加工溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので(例えば図4(b)参照)、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【0067】
なお、本実施形態では、中間コンタクト層分離溝15に対して透明電極分離溝12及び接続溝16の両者を部分的に重複させることとしたが、いずれか一方のみを重複させることとしても、無効発電領域を小さくすることができる。
【符号の説明】
【0068】
1 ガラス基板
2 透明電極層
4 裏面電極層
5 発電セル
10 太陽電池(光電変換装置)
15 中間コンタクト層分離溝(加工溝)
15a 第1加工溝
15b 第2加工溝
15c 第3加工溝
20 再結晶化領域
22 ピコ秒レーザ発振器
26 干渉縞形成手段
50 レーザ強度分布均一化手段
91 トップ層(第1光電変換層)
92 ボトム層(第2光電変換層)
93 中間コンタクト層
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置に関し、特に光電変換装置を構成する薄膜の溝加工に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、薄膜太陽電池(光電変換装置)の光電変換効率を向上させるため、複数の光電変換層を積層した構造が知られている。例えば、アモルファスシリコン層と微結晶シリコン層を積層したタンデム型太陽電池が知られている。このタンデム型太陽電池は、光透過性基板上に、透明電極、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、及び裏面電極といった薄膜を順次積層することによって形成される。そして、アモルファスシリコン層と微結晶シリコン層との間に、電気的および光学的に接続された中間コンタクト層(薄膜)を設け、入射光の一部を反射させて更に光電変換効率向上を図る技術が知られている。
【0003】
また、このようなタンデム型太陽電池では、複数の光電変換セルを直列接続することによって所望の電圧を得る高電圧化を図っている。複数の光電変換セルを直列接続する際には、アモルファスシリコン層、中間コンタクト層及び微結晶シリコン層を貫通する接続溝を形成し、この接続溝内に裏面電極を充填することによって、裏面電極と透明電極とを電気的に接続する。
一方、中間コンタクト層は、導電性を有しているため、裏面電極が充填された接続溝と電気的に接続されると、アモルファスシリコン層や微結晶シリコン層で発生した電流が中間コンタクト層を介して接続溝へと漏れてしまう。
そこで、レーザ加工によって中間コンタクト層を分離することで、中間コンタクト層から接続溝への電流の漏洩を防止する技術が種々提案されている(特許文献1及び2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2002−261308号公報
【特許文献2】特開2003−273383号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
レーザ加工によって薄膜に一方向に連続した溝を形成するには、例えば、図12(a)に示したように、パルスレーザを用いて複数の照射領域14を形成し、隣り合う照射領域14を部分的に重ね合わせて数珠繋ぎのように連続した溝を形成する。照射領域14の直径D0が集光されて膜表面に照射されたビーム径である。同図において、符号B0が隣り合う照射領域14の重ね幅となる。
しかしながら、レーザにはレーザ径D0に相当する照射領域14内でレーザ強度分布が不可避的に生じる。具体的には、図12(b)に示すように、照射領域の中央では強度が最も強く周辺ほど強度が弱くなるガウス分布状のレーザ強度分布となる。したがって、加工溝は、この照射領域14の全体にわたって形成された強度分布に対応した溝深さとなる。つまり、図12(b)に示したように、少なくともエネルギー密度差dpに対応する程度の溝深さの分布が生じてしまう。また、透明電極や中間コンタクト層は、反射率、アモルファスシリコン層や結晶質シリコン層での吸収率を向上させるために、凹凸のテクスチャー形状となっている。以上の事情により、所望の溝深さの制御が困難となっていた。したがって、ときには薄膜を十分に切断できない程度に浅い溝となってしまい、ときには必要以上に深く溝を形成してしまうという問題があった。
また、加工溝は、図12(a)に示したように、数珠繋ぎのようになっているので、加工方向(同図において左右方向)に浅い/深いが繰り返し現れる深さ分布が生じてしまうという問題があった。
なお、同図において、符号L0は、照射領域14が重ね合わされていない領域における加工方向の長さを示す。
【0006】
一方、中間コンタクト層を分離する際にレーザを中間コンタクト層およびアモルファスシリコン層に照射すると、レーザの熱エネルギーをアモルファスシリコン層が吸収し、このアモルファスシリコン層が溶融し、中間コンタクト層を伴って飛散し、中間コンタクト層分離溝が形成される。この中間コンタクト層分離溝を形成する際に、中間コンタクト層分離溝を形成する壁部(底壁含む)では、溶融したアモルファスシリコン層が再結晶化する。この再結晶化した領域は、当初のアモルファスシリコンから変質しているため、低抵抗化すると考えられる。このように低抵抗化した再結晶領域は、中間コンタクト層を透明電極と裏面電極の接続部から分離する効果が低く、電流の新たな漏れ経路となり、電池性能の低下を来してしまう。
したがって、再結晶化領域が電流の漏れ経路となることを防ぐためには、この再結晶化領域の位置を適切にコントロールすることが要求される。つまり、中間コンタクト層分離溝の終端位置(溝深さ)を正確にコントロールすることが必要となる。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、膜厚方向への漏れ電流を抑制することができる加工溝の構造、また、加工溝の溝深さを所望値にコントロールすることができる光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明の光電変換装置の製造方法、光電変換装置の製造装置、及び光電変換装置は以下の手段を採用する。
すなわち、本発明にかかる光電変換装置の製造方法は、光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するとともに、該薄膜に対して該レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する溝形成工程を有する光電変換装置の製造方法において、前記溝形成工程は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、該干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動することを特徴とする。
【0009】
レーザのビーム径に相当する照射領域内では、本発明のように干渉縞を形成しない場合、その中央では強度がもっとも強く周辺ほど強度が弱くなるレーザ強度分布が生じる。このように照射領域内の全体にわたってレーザ強度分布が生じると、所望の溝深さを実現することが困難となる。
そこで、本発明では、照射領域内で干渉縞を形成することとした。この干渉縞は、一方向に並列に並ぶ複数の明領域および暗領域から構成される。この干渉縞を構成する一つの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を形成する。これにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
そして、干渉縞を走査方向に接続することにより、連続した加工溝が形成される。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等や、モジュール終端部の絶縁溝の溝形成にも用いることができる。
【0010】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法は、シリコンを主成分とする第1光電変換層を製膜する第1光電変換層製膜工程と、前記第1光電変換層上に、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続される中間コンタクト層を製膜する中間コンタクト層製膜工程と、レーザを照射して、前記中間コンタクト層を除去するとともに、前記第1光電変換層まで到達する中間コンタクト層分離溝を形成して該中間コンタクト層を分離する中間コンタクト層分離工程と、前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層を製膜する第2光電変換層製膜工程とを有し、前記中間コンタクト層分離工程として、前記溝形成工程が行われることを特徴とする。
【0011】
上記の溝形成工程によって中間コンタクト層に中間コンタクト層分離溝が形成されるので、所望の深さとされた中間コンタクト層分離溝を得ることができる。これにより、中間コンタクト層の膜面方向に流れる電流経路を確実に切断することができる。
なお、第1光電変換層としては、好適には、アモルファスシリコン層が用いられ、第2光電変換層としては、微結晶シリコン層が用いられる。中間コンタクト層としては、GZO(GaドープZnO)が好適に用いられる。
【0012】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記中間コンタクト層分離溝は、前記第1光電変換層の中途位置にて終端していることを特徴とする。
【0013】
中間コンタクト層分離溝を第1光電変換層の中途位置にて終端させることとし、第1光電変換層に接続する電極(又はトリプル構造の場合は他の中間コンタクト層)まで到達させないこととした。これにより、分離溝を形成する壁部に再結晶化領域が形成されていても、この再結晶化領域が電極(又は他の中簡層)に物理的に接続されることがないので、中間コンタクト層と電極とが電気的に接続されることはない。
このように、中間コンタクト層分離溝の終端位置は、第1光電変換層に接続する電極(又は他の中間コンタクト層)に再結晶化領域が接触しない位置とされていることが好ましく、中間コンタクト層に接続された第1光電変換層のn層またはp層を少なくとも切断する深さが好ましい。n層またはp層を切断することにより、n層またはp層に含まれるドーパントが再結晶化領域に混入し、再結晶化領域の導電性を増加させることを回避することができる。
【0014】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記レーザは、パルスレーザとされ、前記溝形成工程は、前記パルスレーザによる複数の前記照射領域を部分的に重ね合わせることによって連続的に前記加工溝を形成する際に、前記干渉縞の複数の明領域が連続するように、隣り合う前記照射領域を重ね合わせることを特徴とする。
【0015】
レーザとしてパルスレーザを用いた場合には、パルスレーザの照射領域は断続的に形成されることになる。この断続的に形成される照射領域を部分的に重ねることによって連続した加工溝を形成する。
隣り合う照射領域を重ね合わせる際に、部分的に重ね合わせる領域を調整することによって複数の明領域が連続するようにする。これにより、複数の明領域が連続した加工溝が形成されるので、1本のみの明領域が形成された加工溝に比べて、薄膜(例えば中間コンタクト層分離溝)の切断を確実に行うことができる。
重ね合わせる領域の調整は、薄膜とレーザとの相対移動速度の調整や、パルスレーザのパルス間隔を調整することによって実現することができる。
各明領域の溝深さが異なる場合には、特定の明領域の溝深さが所望深さとなるようにレーザパワー等が調整される。
ここで、本発明における干渉縞の「明領域」とは、干渉縞のうち、レーザ強度が干渉によって強調された領域を意味し、レーザ強度が干渉によって弱められた暗領域の対義語である。
【0016】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記照射領域は、略矩形状とされ、前記溝形成工程は、矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせることを特徴とする。
【0017】
略矩形状とされた隣り合う照射領域の一辺同士を重ねあわせるので、円形状とされた照射領域を重ね合わせる場合に比べて、一辺の延在方向にわたる幅広の領域で重ねあわせることができる。これにより、複数の明領域を連続させる際に必要な走査方向の重ね幅を、円形状の照射領域の場合よりも狭くすることができる。したがって、照射領域の重ね幅を狭くした分だけ走査方向の移動量を大きくすることができるので、溝形成工程を短縮化することができる。また、照射領域の重ね幅が狭いということはレーザが複数回照射される領域を狭くすることになるので、この重ね領域における薄膜の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
なお、照射領域を略矩形状にする方法としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープ等のビーム断面形状を変形させる光学素子を用いる方法が挙げられる。
また、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域の量を調整することにより、円形状の照射領域では得られなかった数の明領域を多く連続して形成することができる。
ここで、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域のそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0018】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化した後に前記薄膜にレーザを照射することを特徴とする。
【0019】
レーザの照射領域における強度分布を均一化した後に薄膜にレーザを照射するので、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域による溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
なお、レーザの照射領域における強度分布を均一化する方法としては、例えば、対物レンズの焦点距離を長くする方法や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)等の光学素子を用いる方法が挙げられる。
【0020】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記溝形成工程は、パルス幅が10ps以上750ps以下とされたパルスレーザによって行われることを特徴とする。
【0021】
10ps以上750ps以下のパルス幅とされたパルスレーザとされているので、極めて短い時間間隔で熱エネルギーを薄膜(例えば第1光電変換層)に与えることができる。つまり、ナノ秒のパルス幅とされた従来のパルスレーザに比べて、投入された熱エネルギーが薄膜に吸収されて拡散する熱拡散を小さく抑えることができるので、加工溝(例えば中間コンタクト層分離溝)を形成する壁部近傍まで十分な熱エネルギーを投入して溝加工に無駄なくエネルギーを用いることができ、加工溝の周縁近傍まで所望深さに形成された加工溝を形成することができる。
【0022】
さらに、本発明の光電変換装置の製造方法では、前記第1光電変換層製膜工程の前に、基板上に基板側電極を形成する基板側電極製膜工程と、該基板側電極を除去して基板側電極分離溝を形成する基板側電極分離溝形成工程と、前記第2光電変換層製膜工程の後に、前記第2光電変換層、前記中間コンタクト層および前記第1光電変換層を除去し、裏面電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝を形成する接続溝形成工程とを備え、前記中間コンタクト層分離工程は、前記基板側電極分離溝に対して前記中間コンタクト層分離溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われ、および/または、前記接続溝形成工程は、前記中間コンタクト層分離溝に対して前記接続溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われることを特徴とする。
【0023】
基板側電極分離溝(例えば透明導電膜)、中間コンタクト層分離溝および接続溝は、この順番で互いに隣り合う状態で形成される。基板側電極分離溝から中間コンタクト層分離溝を挟んで接続溝までの間(正確には、接続溝のさらに外側に形成される段間分離溝までの距離)は、光電変換装置として発電に寄与しない部分(無効発電領域)となる。本発明では、中間コンタクト層分離溝と、基板側電極分離溝および/または接続溝とを、隣接させて部分的に重複するようにした。これにより、無効発電領域を狭めることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
本発明では、中間コンタクト層分離溝が複数形成されるので、中間コンタクト層分離溝が基板側電極分離溝および/または接続溝に部分的に重複していても、中間コンタクト層分離溝の複数の溝のうちの外側に位置する溝が重複するに過ぎず、中央に位置する溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝のうち、外側に位置する溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【0024】
また、本発明の光電変換装置の製造装置は、光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するレーザ発振器と、前記薄膜に対して前記レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する移動手段と、を備えた光電変換装置の製造装置において、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成する干渉縞形成手段を備え、前記移動手段は、前記干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動させることを特徴とする。
【0025】
レーザのビーム径に相当する照射領域内では、その中央では強度がもっとも強く周辺ほど強度が弱くなるレーザ強度分布が生じる。このように照射領域内の全体にわたってレーザ強度分布が生じると、所望の溝深さを実現することが困難となる。
そこで、本発明では、干渉縞形成手段によって、照射領域内で干渉縞を形成することとした。この干渉縞は、一方向に並列に並ぶ複数の明領域から構成される。この干渉縞を構成する一つの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を形成する。これにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
そして、移動手段によって、干渉縞が走査方向に接続されるように相対移動させることにより、連続した加工溝を形成する。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等の溝形成にも用いることができる。
【0026】
さらに、本発明の光電変換装置の製造装置では、前記照射領域の形状を略矩形状とする照射領域形状変更手段を備え、前記移動手段は、該矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせるように、前記レーザを相対移動させることを特徴とする。
【0027】
略矩形状とされた隣り合う照射領域の一辺同士を重ねあわせるので、円形状とされた照射領域を重ね合わせる場合に比べて、一辺の延在方向にわたる幅広の領域で重ねあわせることができる。これにより、複数の明領域を連続させる際に必要な走査方向の重ね幅を、円形状の照射領域の場合よりも狭くすることができる。したがって、照射領域の重ね幅を狭くした分だけ走査方向の移動量を大きくすることができるので、溝形成工程を短縮化することができる。また、照射領域の重ね幅が狭いということはレーザが複数回照射される領域を狭くすることになるので、この重ね領域における薄膜の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
なお、照射領域を略矩形状にする照射領域形状変更手段としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープ等のビーム断面形状を変形させる光学素子を用いる方法が挙げられる。
また、移動手段によって、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域を調整することにより、円形状の照射領域では得られなかった数の明領域を多く連続して形成することができる。
ここで、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域のそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0028】
さらに、本発明の光電変換装置の製造装置では、前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段を備えていることを特徴とする。
【0029】
レーザ強度分布均一化手段によって、レーザの照射領域における強度分布を均一化する。そして、薄膜にレーザを照射することにより、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域による溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
なお、レーザ強度分布均一化手段としては、例えば、対物レンズの焦点距離を長くする光学配置や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)等の光学素子が挙げられる。
【0030】
また、本発明の光電変換装置は、複数の薄膜が積層され、いずれかの薄膜にはレーザ照射によって形成された加工溝が一方向に形成された光電変換装置において、前記加工溝は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて前記一方向に並列に並ぶ複数の溝とされていることを特徴とする。
【0031】
レーザのビーム径に相当する照射領域内に、一方向に並列に並ぶ複数の溝を形成することとしたので、薄膜の切断をより確実に行うことができる。
このような複数の溝は、例えば、照射領域内に干渉縞を形成することによって得ることができる。
なお、レーザとしては、パルスレーザが好適に用いられ、より具体的には、ピコ秒レーザまたはナノ秒レーザが用いられる。
また、レーザによって溝形成される薄膜としては、主としてタンデム構造(又はトリプル構造)とされた光電変換装置の中間コンタクト層が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、アモルファスシリコン層、微結晶シリコン層、透明導電膜、裏面電極等の溝形成にも用いることができる。
【0032】
さらに、本発明の光電変換装置は、基板と、該基板上に製膜された基板側電極と、該基板側電極を分離する基板側電極分離溝と、該基板側電極上および前記基板側電極分離溝内に製膜されたシリコンを主成分とする第1光電変換層と、該第1光電変換層上に製膜され、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続された中間コンタクト層と、該中間コンタクト層を分離するとともに、前記基板側電極分離溝に隣り合うように形成された中間コンタクト層分離溝と、前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に製膜され、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層と、該第2光電変換層、前記中間コンタクト層、および前記第1光電変換層を分離するとともに、前記中間コンタクト層分離溝に隣り合うように形成され、裏面側電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝とを有し、前記基板側電極分離溝、前記中間コンタクト層分離溝および前記接続溝がこの順番で並列して形成された光電変換装置において、前記中間コンタクト層分離溝は、前記加工溝とされ、前記中間コンタクト層分離溝は、前記基板側電極分離溝に対して隣接しかつ部分的に重複し、かつ/または、前記中間コンタクト層分離溝は、前記接続溝に対して隣接しかつ部分的に重複することを特徴とする。
【0033】
基板側電極分離溝(例えば透明導電膜)、中間コンタクト層分離溝および接続溝は、この順番で互いに隣り合う状態で形成される。基板側電極分離溝から中間コンタクト層分離溝を挟んで接続溝までの間(正確には、接続溝のさらに外側に形成される段間分離溝までの距離)は、光電変換装置として発電に寄与しない部分(無効発電領域)となる。本発明では、中間コンタクト層分離溝と、基板側電極分離溝および/または接続溝とを、隣接させて部分的に重複するようにした。これにより、無効発電領域を狭めることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
本発明では、中間コンタクト層分離溝が複数形成されるので、中間コンタクト層分離溝が基板側電極分離溝および/または接続溝に部分的に重複していても、中間コンタクト層分離溝の複数の溝のうちの外側に位置する溝が重複するに過ぎず、中央に位置する溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝のうち、外側に位置する溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【発明の効果】
【0034】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
照射領域内で干渉縞を形成し、一方向に並列に並ぶ複数の明領域を得ることとした。この干渉縞を構成するそれぞれの明領域内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなるので、干渉縞の1つの明瞭域に対する加工溝の溝深さ分布も小さくなる。したがって、所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定し、溝深さ分布の小さい加工溝を得ることにより、所望の溝深さを有する溝を正確に形成することができる。
また、中間コンタクト層を分離する際に、深さ分布の小さい所望深さの分離溝を形成することができるので、中間コンタクト層を確実に切断することができ、中間コンタクト層の切断不良による漏れ電流を低減させることができる。これにより、光電変換装置の性能が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の第1実施形態にかかるタンデム型太陽電池を示した縦断面図である。
【図2】中間コンタクト層分離工程において中間コンタクト層分離溝を形成した状態を示した縦断面図である。
【図3】本発明の第1実施形態にかかる太陽電池製造装置の中間コンタクト層分離溝を加工する装置の光学系を示した概略構成図である。
【図4】レーザの照射領域であって、(a)は干渉縞が形成された状態を示し、(b)は干渉縞のレーザ強度分布を示す。
【図5】干渉縞形成手段の一例としてのホモジナイザを示した概略構成図である。
【図6】連続した中間コンタクト層分離溝を形成する方法を示した説明図である。
【図7】本発明の第2実施形態にかかる照射領域を示した平面図である。
【図8】図7の変形例を示した平面図である。
【図9】加工溝の深さを模式的に示し、(a)は第1実施形態に相当する加工溝の深さ分布を示した模式図であり、(b)は第3実施形態の加工溝の深さ分布を示した模式図である。
【図10】本発明の第3実施形態にかかる太陽電池製造装置の中間コンタクト層分離溝を加工する装置の光学系を示した概略構成図である。
【図11】中間コンタクト層分離溝と、隣り合う透明電極分離溝および接続溝との位置関係を示し、(a)は比較例、(b)は第4実施形態を示した平面図である。
【図12】従来のパルスレーザを用いた場合であって、(a)は照射領域の重なり状態を示した平面図であり、(b)はパルスレーザのビーム断面におけるエネルギー密度を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下に、本発明にかかる実施形態について、図面を参照して説明する。
[第1実施形態]
図1には、タンデム型とされたシリコン系薄膜太陽電池(光電変換装置)の縦断面が示されている。
太陽電池10は、透光性絶縁基板とされたガラス基板1と、透明電極層2と、トップ層(第1光電変換層)91と、中間コンタクト層93と、ボトム層(第2光電変換層)92と、裏面電極層4とを備えている。本実施形態において、トップ層91は非晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層であり、ボトム層92は結晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層である。
【0037】
ここで、「シリコン系」とはシリコン(Si)やシリコンカーバイド(SiC)やシリコンゲルマニウム(SiGe)を含む総称である。また、「結晶質シリコン系」とは、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコン系も含まれる。
【0038】
上記構成の本実施形態の太陽電池10は、以下のように製造される。
ガラス基板1としては、1m2以上の面積を有するソーダフロートガラスが用いられる。1m角以上(具体的には1.4m×1.1m)の大きさとされ、板厚が3.5〜4.5mmのものが用いられる。ガラス基板1の端面は、熱応力や衝撃などによる破損防止のために、コーナー面取り加工やR面取り加工が施されていることが好ましい。
【0039】
透明電極層2としては、例えば酸化錫膜(SnO2)を主成分とする透明電極膜が好適に用いられる。この透明電極膜は、約500nm〜800nmの膜厚とされ、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することによって得られる。この製膜処理の際に、透明電極膜の表面には適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層2として、透明電極膜と基板1との間にアルカリバリア膜(図示されず)を介在させても良い。アルカリバリア膜は、例えば50nm〜150nmの膜厚とされた酸化シリコン膜(SiO2)とされ、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理することによって得られる。
【0040】
その後、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、YAGレーザの第1高調波(1064nm)を、透明電極層2の膜面側(図において上方側)から照射する。加工速度に対して適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極層2を発電セル5の直列接続方向に対して垂直な方向(図において紙面垂直方向)へ、ガラス基板1とレーザ光を相対移動させて、透明電極分離溝(基板側電極分離溝)12を形成する。これにより、透明電極層2が幅約6mm〜15mmの所定幅とされた短冊状にレーザエッチングされる。
【0041】
次に、プラズマCVD装置により、減圧雰囲気を30〜1000Paとし、基板温度を約200℃とした条件にて、アモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜してトップ層91を形成する。トップ層91は、SiH4ガスとH2ガスとを主原料としたプロセスガスによって、透明電極層2の上に製膜される。太陽光の入射する側(ガラス基板1側)からp層、i層、n層がこの順で積層される。
トップ層91は、本実施形態では、アモルファスp層としてBドープしたアモルファスSiCを主とした膜厚10nm〜30nm、アモルファスi層としてアモルファスSiを主とした膜厚200nm〜350nm、アモルファスn層としてアモルファスSiに微結晶Siを含有するpドープしたSi層を主とした膜厚30nm〜50nmから構成されている。また、p層膜とi層膜の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
【0042】
次に、中間コンタクト層93としてGZO(GaドープZnO)膜を、トップ層91上に製膜する(中間コンタクト層製膜工程)。GZO(GaドープZnO)膜は、20nm〜100nmの膜厚とされ、スパッタリング装置により製膜される。中間コンタクト層93によって、トップ層91とボトム層92との間における接触性を改善するとともに電流整合性を得ることができる。また、中間コンタクト層93は、半反射膜とされており、ガラス基板1から入射した光の一部を反射させることによってトップ層91における光電変換効率の向上を実現している。
【0043】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、10ps〜750psのパルス幅を有するパルスレーザ(以下「ピコ秒パルスレーザ」という。)を、透明電極層2の膜面側(図において上方側)から照射する。このピコ秒パルスレーザによって、透明電極分離溝12と接続溝16との間に中間コンタクト層分離溝15を形成する(中間コンタクト層分離工程)。中間コンタクト層分離溝(加工溝)15は、第1加工溝15aと、この第1加工溝15aの両側に位置する第2加工溝15b及び第3加工溝15cから構成されている。各加工溝15a,15b,15cは、図2に示されているように、トップ層91のアモルファスi層91iにて終端している。
中間コンタクト層分離溝15によって、中間コンタクト層93の膜面方向に流れる電流を阻止することができる。
中間コンタクト層分離工程については、後に詳述する。
【0044】
次に、中間コンタクト層93の上および中間コンタクト層分離溝15内に、プラズマCVD装置によって、減圧雰囲気を3000Pa以下、基板温度を約200℃、プラズマ発生周波数を40MHz〜100MHzとした条件で、微結晶シリコン薄膜からなる微結晶p層膜/微結晶i層膜/微結晶n層膜を順次製膜してボトム層92を形成する(第2光電変換層製膜工程)。
ボトム層92は、本実施形態では、微結晶p層としてBドープした微結晶SiCを主とした膜厚10nm〜50nm、微結晶i層として微結晶Siを主とした膜厚1.2μm〜3.0μm、微結晶n層としてpドープした微結晶Siを主とした膜厚20nm〜50nmから構成されている。
【0045】
微結晶シリコン薄膜、特に微結晶i層膜をプラズマCVD法で形成するにあたり、プラズマ放電電極とガラス基板1の表面との距離dは、3mm〜10mmにすることが好ましい。3mmより小さい場合、大型基板に対応する製膜室内の各構成機器精度から距離dを一定に保つことが難しくなるとともに、近過ぎて放電が不安定になる恐れがある。10mmより大きい場合、十分な製膜速度(1nm/s以上)を得難くなるとともに、プラズマの均一性が低下しイオン衝撃により膜質が低下する。
【0046】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザダイオード励起YAGレーザの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、ボトム層92の膜面側(図において上方側)から照射する。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極分離溝12から側方に約50〜350μm離間した位置に、接続溝16を形成する。また、レーザはガラス基板1側から照射しても良く、この場合はトップ層91で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して中間コンタクト層93及びボトム層92をエッチングできるので、更に安定したレーザエッチング加工を行うことが可能となる。レーザエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め公差を考慮して選定する。
【0047】
次に、裏面電極層4として、Ag膜/Ti膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約150〜200℃にて順次製膜する。裏面電極層4は、本実施形態では、Ag膜を約150〜500nmの膜厚とし、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜を10〜20nmの膜厚でこの順に積層する。あるいは約25nm〜100nmの膜厚を有するAg膜および/またはCu膜と、約15nm〜500nmの膜厚を有するAl膜またはTi膜との積層構造としても良い。n層と裏面電極層4との接触抵抗低減と光反射向上を目的として、ボトム層92と裏面電極層4との間にGZO(GaドープZnO)膜を膜厚50〜100nmで、スパッタリング装置によって製膜しても良い。
【0048】
次に、ガラス基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザダイオード励起YAGレーザの第2高調波(532nm)を、ガラス基板1側(図において下方側)から照射する。レーザ光がトップ層91及びボトム層92で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。レーザのパルス発振周波数を1〜10kHzとして加工速度が適切となるようにレーザパワーを調整して、透明電極分離溝12から側方に約250〜400μm離間した位置に、セル分割溝(段間分離溝)18を形成するようにレーザエッチングする。
【0049】
上記工程の後、裏面電極4を覆うように、EVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等の接着充填材シートを介して防水効果の高いバックシートを貼付する工程等を経て、太陽電池が製造される。
【0050】
以下に、上述した中間コンタクト層分離工程について詳述する。
当該工程に用いられるレーザは、10ps〜750psのパルス幅を有するピコ秒パルスレーザである。具体的には、パルス幅13ps、発振周波数10kHz、ビームスポット径124μmとされたピコ秒パルスレーザ発振器が好適に用いられる。なお、ピコ秒パルスレーザ発振器としては、代表的なものとして、Nd:YVO4レーザ、チタン・サファイアレーザ、ファイバーレーザ等が挙げられる。
【0051】
図2に示されているように、中間コンタクト層分離溝15の終端位置(底部)は、トップ層91のi層91i内に位置している。すなわち、中間コンタクト層分離溝15の終端位置は、トップ層91のn層91nおよびp層91p内に位置していない。これにより、万が一、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部(底部を含む)にアモルファスシリコンの再結晶化領域20が形成されたとしても、この再結晶化領域20にn層91nやp層91pのドーパントが拡散されることが防止され、ドーパントによる再結晶化領域20の低抵抗化を回避することができる。なお、再結晶化領域20は、透過型電子顕微鏡等で確認することができる。
【0052】
図3には、中間コンタクト層分離溝15を加工する光学系の装置構成が示されている。
ピコ秒パルスレーザ発振器22とガラス基板1(正確には、トップ層91及び中間コンタクト層93が形成されたガラス基板1)との間には、全反射ミラー24が配置されている。ガラス基板1は、図示しないローラ式/ベルト式コンベア等の移動手段によって矢印T方向に移動させられ、走査方向Tに連続した中間コンタクト層分離溝15が形成されるようになっている。
ピコ秒パルスレーザ発振器22と全反射ミラー24との間には、干渉縞形成手段26が設けられている。
干渉縞形成手段26は、レーザのビーム径D1に相当する照射領域28(図4(a)参照)内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成するものである。干渉縞は、明領域28aと暗領域28bとから構成されている。明領域28aは、レーザ強度が干渉によって強調された領域であり、暗領域28bは、レーザ強度が干渉によって弱められた領域である。図4(a)に示されているように、1度の照射により干渉縞の明瞭域28aによって、加工溝15a,15b,15c,15d,15eが形成される。加工溝15a,15b,15c,15d,15e間の領域は干渉縞の暗領域28bに対応し、殆ど溝が形成されない。すなわち、図4(b)には、干渉縞によって形成される加工深さが示されており、明領域28aに対応する位置では深い加工溝15a,15b,15c,15d,15eとされており、暗領域28bに対応する位置では殆ど加工溝が形成されていないことが示されている。
また、それぞれの加工溝15a,15b,15c,15d,15eにおける溝深さ分布は、干渉縞を形成しない場合(図12(b))に比べて、比較的小さいものとなる。したがって、深さ分布が小さい加工溝15が得られるので、レーザ強度を調整することによって所望の溝深さの制御が正確にできる。
【0053】
図5には、干渉縞形成手段26の具体的構成の一例が示されている。
干渉縞形成手段26は、対向配置された2つのビーム分割ミラー30及びビーム結合ミラー31と、分割された光を折り返す全反射ミラー34,35,36,37を備えている。レーザ発振器22から出射された入射レーザ光32は、符号38で示したエネルギー密度分布を有してビーム分割ミラー30に入射する。入射レーザ光32は、ビーム分割ミラー30により、その中心で2分割されて2つの分割レーザ光32a,32bとなる。これら分割レーザ光32a,32bは、全反射ミラー34,35でそれぞれが折り返された後に交差する。交差する際に、分割レーザ光32a,32bは互いに干渉する。また、分割レーザ光32a,32bが交差することによって、それぞれの位置が入れ替わる。分割レーザ光32a,32bは、全反射ミラー36,37でそれぞれ折り返された後に、ビーム結合ミラー31へと入射する。ビーム結合ミラー31では、各分割レーザ光32a,32bが重畳することによって合成される。重畳後の出射レーザ光33は、符号39で示したエネルギー密度分布を有して基板1に照射される。以上の通り、分割レーザ光32a,32bが交差する際に干渉するので、出射レーザ光37には、干渉縞が形成される。
なお、図5に示した光学系を適宜調整することにより、出射レーザ光33の強度分布39を所望の程度にて均一化させることもできる。また、図5に示したビーム分割ミラー及びビーム結合ミラーや全反射ミラーに代えて、各種のプリズムを用いることによって同様の光学系を構成することもできる。
【0054】
図6には、連続した中間コンタクト層分離溝15を形成する方法が示されている。
それぞれの照射領域28が部分的に重ね合わせられている。なお、同図における左右方向は、中間コンタクト層分離溝28の形成方向(走査方向)である。隣り合う照射領域28の重なり幅B1は、明領域28aによって形成された加工溝15が連続するように決定する。同図における実施形態では、3つの明瞭域に対応する3つの加工溝15a,15b,15cが連続するように重なり幅B1が定められている。これにより、図1及び図2に示したような3つの加工溝15a,15b,15cが連続して形成される。なお、図6に示されているように、最も外側に位置する加工溝15d,15eは、走査方向に連続していない。
重なり幅B1の調整は、基板1とレーザとの相対移動速度の調整や、パルス秒レーザのパルス間隔を調整することによって実現することができる。
【0055】
上述した本実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
ピコ秒パルスレーザの照射領域28内で干渉縞を形成し、一方向に並列に並ぶ複数の明領域28aを得ることとした。それぞれの明領域28a内でのレーザ強度分布は、照射領域全体におけるレーザ強度分布よりも相対的に小さくなる。相対的にレーザ強度分布が小さくなった所定の明領域についてレーザ強度を調整して溝深さを決定する。これにより、所望の溝深さを有する加工溝15a,15b,15cを正確に形成することができる。
【0056】
中間コンタクト層分離溝15を第1光電変換層の中途位置にて終端させることとし、トップ層91に接続する透明電極2まで到達させないこととした。これにより、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部に再結晶化領域20(図2参照)が形成されていても、この再結晶化領域20が透明電極2に物理的に接続されることがないので、中間コンタクト層93と透明電極2とが電気的に接続されることはない。
このように、中間コンタクト層分離溝15の終端位置は、トップ層91に接続する透明電極2に再結晶化領域20が接触しない位置とされていることが好ましく、中間コンタクト層93に接続されたトップ層91のn層91nを少なくとも切断する深さが好ましい。このように、n層を切断することにより、n層に含まれるドーパントが再結晶化領域20に混入し、再結晶化領域の導電性を増加させることを回避することができる。
【0057】
ピコ秒パルスレーザの隣り合う照射領域28を部分的に重ね合わせる際に、重ね幅B1を調整することによって干渉縞の複数の明領域に対応する加工溝15a,15b,15cが連続するようにした。これにより、複数の連続した加工溝15a,15b,15cが形成されるので、1本のみの明領域によって形成される加工溝に比べて、中間コンタクト層93の切断を確実に行うことができる。
各加工溝15a,15b,15cの溝深さが異なる場合には、特定の加工溝15aの溝深さが所望深さとなるようにレーザパワー等が調整される。この場合、特定の加工溝15aによって中間コンタクト層からの電流漏れが主として阻止される。
【0058】
本実施形態のパルス秒レーザは、10ps以上750ps以下のパルス幅とされているので、極めて短い時間間隔で熱エネルギーをトップ層91に与えることができる。つまり、ナノ秒のパルス幅とされた従来のパルスレーザに比べて、投入された熱エネルギーが薄膜に吸収されて拡散する熱拡散を小さく抑えることができるので、中間コンタクト層分離溝15を形成する壁部近傍まで十分な熱エネルギーを投入して溝加工に無駄なくエネルギーを用いることができ、所望深さに形成された中間コンタクト層分離溝15を形成することができる。
【0059】
中間コンタクト層分離溝15の深さ分布が低減して中間コンタクト層93を確実に切断するとともに、再結晶化領域20による影響を回避することができるので、漏れ電流による性能低下が低減され、電池性能が向上する。
【0060】
なお、本実施形態では、ピコ秒レーザを用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、干渉縞によって照射領域28内で複数の明瞭域28aを形成できれば他のレーザを用いてもよく、例えばナノ秒レーザが用いてもよい。
また、加工される薄膜として中間コンタクト層93を一例として説明したが、他の薄膜でも翼、例えば、トップ層91、ボトム層92、透明電極2、裏面電極4を加工対象としても良い。
また、本実施形態では、ピコ秒レーザに対して基板1を走査方向T(図3参照)に移動させる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、レーザと加工対象となる薄膜とが相対的に移動させれば良く、例えば、基板1を固定した上でレーザを加工方向に走査しても良い。
また、本実施形態では、中央の第1加工溝15aの溝深さが最も深い場合として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光学系を調整して外側の第2加工溝15b又は第3加工溝15cが最も深い溝深さとしても良い。
【0061】
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態について、図7及び図8を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、照射領域の形状が異なり、その他の点については同様なので、相違点についてのみ説明し、その他については説明を省略する。
図7は、第1実施形態の図6に対応する図である。図7に示されているように、照射領域40は、略矩形状とされている。
矩形状の照射領域40を形成する方法としては、例えば、円形状のレーザ断面の周囲を落とす矩形穴が形成された開口を通過させる方法や、カレイドスコープを用いる方法が挙げられる。
中間コンタクト層分離溝15を形成する際には、図7に示されているように、照射領域40の一辺を、隣り合う照射領域40の一辺と部分的に重ね合わせる。このように、一辺の延在方向の広い幅C2に渡って重ねあわせることができるので、図6のように円形状とされた照射領域28を重ね合わせる場合(幅C1参照)に比べて、照射領域40の重ね幅B2を狭くすることができる。したがって、走査方向の移動量を大きくすることができ、ひいては中間層分離工程を短縮化することができる。また、照射領域40の重なり幅B2(<B1)を走査方向に狭くできるので、複数回レーザが照射されることになる重なり領域を小さくすることになり、トップ層91の損傷を可及的に小さく抑えることができる。
【0062】
また、隣り合う略矩形状の照射領域が重なり合う領域を調整することにより、第1実施形態のような円形状の照射領域では得られなかった数の加工溝を多く連続して形成することができる。具体的には、図8に示したように、重なり幅B2’(>B2)を図7の場合よりも大きくすると、連続する明領域28aの数を多くすることができ、加工溝15の数を増やすことができる。つまり、図7の場合には3本の加工溝15a,15b,15cが連続しているのに対して、図8の場合には5本の加工溝15a,15b,15c,15d,15eを連続させることができる。
【0063】
なお、本実施形態において、略矩形状とは、角部が明瞭に形成された矩形状を意味しているのではなく、図7及び図8に示したように角部は丸まっていても良く、要するに、隣り合う照射領域がそれぞれの一辺同士が重なり合うように一辺が形成された形状であれば良い。
【0064】
[第3実施形態]
次に、本発明の第3実施形態について、図9及び図10を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、それぞれの加工溝15の深さを略均等としている点で異なる。しかし、それ以外の構成については同様であるので、その説明は省略する。
第1実施形態に示した加工溝15a,15b,15cは、図9(a)に示されているように、それぞれ溝深さが異なっている。これに対して、本実施形態では、図9(b)に示されているように、加工溝15a,15b,15c,15d,15eの溝深さを略同等としている。
このように各加工溝15a,15b,15c,15d,15eの溝深さを略均等とするには、照射領域におけるレーザ強度分布を均一化すればよい。具体的には、図10に示されているように、ピコ秒レーザ発振器22から出射されたレーザの強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段50を全反射ミラー24の手前に配置する。レーザ強度分布均一化手段50としては、対物レンズの焦点距離を長くする光学系や、ホモジナイザ(ロッドインテグレータ等のカレイドスコープ)が挙げられる。
このように、本実施形態によれば、レーザの照射領域における強度分布を均一化した後に中間コンタクト層93にレーザを照射するので、干渉縞を構成する各明領域のレーザ強度を同等とすることができる。これにより、各明領域によって形成される加工溝15の溝深さを同等にすることができ、信頼性の高い溝加工を実現することができる。
また、所定の明領域のみのレーザ強度が強くなり(具体的には図9(a)の加工溝15a)過度の加工が発生してしまうことを回避できる。
【0065】
[第4実施形態]
次に、本発明の第4実施形態について、図11を用いて説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、透明電極分離溝12、中間コンタクト層分離溝15および接続溝16の間隔が異なる。しかし、それ以外の構成については同様であるので、その説明は省略する。
図11(a)には、比較例が示されており、透明電極分離溝12と中間コンタクト層分離溝15との間、及び、中間コンタクト層分離溝15と接続溝16との間には、所定の間隔(例えば100nm程度)が設けられている。また、接続溝16の隣には、所定の間隔(例えば100nm程度)を有してセル分割溝18が形成されている。同図の符号N0で示すように、透明電極分離溝12からセル分割溝18までの間の領域は、発電に寄与しない無効発電領域N0となる。
本実施形態では、図11(b)に示されているように、透明電極分離溝12と中間コンタクト層分離溝15、及び、中間コンタクト層分離溝15と接続溝16を、隣接させかつ部分的に重複するようにする。これにより、図11(a)の比較例に比べて、無効発電領域N1を小さくすることができ、発電面積に対する発電量を向上させることができる。
【0066】
本実施形態では、中間コンタクト層分離溝15として複数の加工溝が形成されるので、中間コンタクト層分離溝15が透明電極分離溝12および接続溝16に部分的に重複していても、外側に位置する加工溝のみが重複するに過ぎず、中央側に位置する加工溝が重複することがないので、中間コンタクト層分離溝としての機能が失われることがない。また、中間コンタクト層分離溝15のうち、外側に位置する加工溝は、一般に加工時のエネルギー密度が小さいので(例えば図4(b)参照)、加工深さが浅くなり、基板側電極まで到達することがない。
【0067】
なお、本実施形態では、中間コンタクト層分離溝15に対して透明電極分離溝12及び接続溝16の両者を部分的に重複させることとしたが、いずれか一方のみを重複させることとしても、無効発電領域を小さくすることができる。
【符号の説明】
【0068】
1 ガラス基板
2 透明電極層
4 裏面電極層
5 発電セル
10 太陽電池(光電変換装置)
15 中間コンタクト層分離溝(加工溝)
15a 第1加工溝
15b 第2加工溝
15c 第3加工溝
20 再結晶化領域
22 ピコ秒レーザ発振器
26 干渉縞形成手段
50 レーザ強度分布均一化手段
91 トップ層(第1光電変換層)
92 ボトム層(第2光電変換層)
93 中間コンタクト層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するとともに、該薄膜に対して該レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する溝形成工程を有する光電変換装置の製造方法において、
前記溝形成工程は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、該干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項2】
シリコンを主成分とする第1光電変換層を製膜する第1光電変換層製膜工程と、
前記第1光電変換層上に、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続される中間コンタクト層を製膜する中間コンタクト層製膜工程と、
レーザを照射して、前記中間コンタクト層を除去するとともに、前記第1光電変換層まで到達する中間コンタクト層分離溝を形成して該中間コンタクト層を分離する中間コンタクト層分離工程と、
前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層を製膜する第2光電変換層製膜工程と、
を有し、
前記中間コンタクト層分離工程として、前記溝形成工程が行われることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項3】
前記中間コンタクト層分離溝は、前記第1光電変換層の中途位置にて終端していることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項4】
前記レーザは、パルスレーザとされ、
前記溝形成工程は、前記パルスレーザによる複数の前記照射領域を部分的に重ね合わせることによって連続的に前記加工溝を形成する際に、前記干渉縞の複数の明領域が連続するように、隣り合う前記照射領域を重ね合わせることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項5】
前記照射領域は、略矩形状とされ、
前記溝形成工程は、矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせることを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項6】
前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化した後に前記薄膜にレーザを照射することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項7】
前記溝形成工程は、パルス幅が10ps以上750ps以下とされたパルスレーザによって行われることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項8】
前記第1光電変換層製膜工程の前に、基板上に基板側電極を形成する基板側電極製膜工程と、該基板側電極を除去して基板側電極分離溝を形成する基板側電極分離溝形成工程と、
前記第2光電変換層製膜工程の後に、前記第2光電変換層、前記中間コンタクト層および前記第1光電変換層を除去し、裏面電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝を形成する接続溝形成工程と、を備え、
前記中間コンタクト層分離工程は、前記基板側電極分離溝に対して前記中間コンタクト層分離溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われ、
および/または、
前記接続溝形成工程は、前記中間コンタクト層分離溝に対して前記接続溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われることを特徴とする請求項2から7のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項9】
光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するレーザ発振器と、
前記薄膜に対して前記レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する移動手段と、
を備えた光電変換装置の製造装置において、
前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成する干渉縞形成手段を備え、
前記移動手段は、前記干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動させることを特徴とする光電変換装置の製造装置。
【請求項10】
前記照射領域の形状を略矩形状とする照射領域形状変更手段を備え、
前記移動手段は、該矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせるように、前記レーザを相対移動させることを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置の製造装置。
【請求項11】
前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段を備えていることを特徴とする請求項9又は10に記載の光電変換装置の製造装置。
【請求項12】
複数の薄膜が積層され、いずれかの薄膜にはレーザ照射によって形成された加工溝が一方向に形成された光電変換装置において、
前記加工溝は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて前記一方向に並列に並ぶ複数の溝とされていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項13】
基板と、
該基板上に製膜された基板側電極と、
該基板側電極を分離する基板側電極分離溝と、
該基板側電極上および前記基板側電極分離溝内に製膜されたシリコンを主成分とする第1光電変換層と、
該第1光電変換層上に製膜され、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続された中間コンタクト層と、
該中間コンタクト層を分離するとともに、前記基板側電極分離溝に隣り合うように形成された中間コンタクト層分離溝と、
前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に製膜され、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層と、
該第2光電変換層、前記中間コンタクト層、および前記第1光電変換層を分離するとともに、前記中間コンタクト層分離溝に隣り合うように形成され、裏面側電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝と、
を有し、
前記基板側電極分離溝、前記中間コンタクト層分離溝および前記接続溝がこの順番で並列して形成された光電変換装置において、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記加工溝とされ、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記基板側電極分離溝に対して隣接しかつ部分的に重複し、
かつ/または、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記接続溝に対して隣接しかつ部分的に重複することを特徴とする光電変換装置。
【請求項1】
光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するとともに、該薄膜に対して該レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する溝形成工程を有する光電変換装置の製造方法において、
前記溝形成工程は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成し、該干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項2】
シリコンを主成分とする第1光電変換層を製膜する第1光電変換層製膜工程と、
前記第1光電変換層上に、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続される中間コンタクト層を製膜する中間コンタクト層製膜工程と、
レーザを照射して、前記中間コンタクト層を除去するとともに、前記第1光電変換層まで到達する中間コンタクト層分離溝を形成して該中間コンタクト層を分離する中間コンタクト層分離工程と、
前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層を製膜する第2光電変換層製膜工程と、
を有し、
前記中間コンタクト層分離工程として、前記溝形成工程が行われることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項3】
前記中間コンタクト層分離溝は、前記第1光電変換層の中途位置にて終端していることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項4】
前記レーザは、パルスレーザとされ、
前記溝形成工程は、前記パルスレーザによる複数の前記照射領域を部分的に重ね合わせることによって連続的に前記加工溝を形成する際に、前記干渉縞の複数の明領域が連続するように、隣り合う前記照射領域を重ね合わせることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項5】
前記照射領域は、略矩形状とされ、
前記溝形成工程は、矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせることを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項6】
前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化した後に前記薄膜にレーザを照射することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項7】
前記溝形成工程は、パルス幅が10ps以上750ps以下とされたパルスレーザによって行われることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項8】
前記第1光電変換層製膜工程の前に、基板上に基板側電極を形成する基板側電極製膜工程と、該基板側電極を除去して基板側電極分離溝を形成する基板側電極分離溝形成工程と、
前記第2光電変換層製膜工程の後に、前記第2光電変換層、前記中間コンタクト層および前記第1光電変換層を除去し、裏面電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝を形成する接続溝形成工程と、を備え、
前記中間コンタクト層分離工程は、前記基板側電極分離溝に対して前記中間コンタクト層分離溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われ、
および/または、
前記接続溝形成工程は、前記中間コンタクト層分離溝に対して前記接続溝が隣接しかつ部分的に重複するように行われることを特徴とする請求項2から7のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項9】
光電変換装置を構成する薄膜に対してレーザを照射するレーザ発振器と、
前記薄膜に対して前記レーザを相対移動させて所定の走査方向に加工溝を形成する移動手段と、
を備えた光電変換装置の製造装置において、
前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて一方向に並列に並ぶ干渉縞を形成する干渉縞形成手段を備え、
前記移動手段は、前記干渉縞が前記走査方向に接続されるように前記レーザを相対移動させることを特徴とする光電変換装置の製造装置。
【請求項10】
前記照射領域の形状を略矩形状とする照射領域形状変更手段を備え、
前記移動手段は、該矩形状とされた前記照射領域の一辺を、隣り合う前記照射領域の一辺と部分的に重ね合わせるように、前記レーザを相対移動させることを特徴とする請求項9に記載の光電変換装置の製造装置。
【請求項11】
前記レーザの前記照射領域における強度分布を均一化するレーザ強度分布均一化手段を備えていることを特徴とする請求項9又は10に記載の光電変換装置の製造装置。
【請求項12】
複数の薄膜が積層され、いずれかの薄膜にはレーザ照射によって形成された加工溝が一方向に形成された光電変換装置において、
前記加工溝は、前記レーザのビーム径に相当する照射領域内にて前記一方向に並列に並ぶ複数の溝とされていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項13】
基板と、
該基板上に製膜された基板側電極と、
該基板側電極を分離する基板側電極分離溝と、
該基板側電極上および前記基板側電極分離溝内に製膜されたシリコンを主成分とする第1光電変換層と、
該第1光電変換層上に製膜され、該第1光電変換層に対して電気的および光学的に接続された中間コンタクト層と、
該中間コンタクト層を分離するとともに、前記基板側電極分離溝に隣り合うように形成された中間コンタクト層分離溝と、
前記中間コンタクト層上および前記中間コンタクト層分離溝内に製膜され、該中間コンタクト層に対して電気的および光学的に接続されるとともに、シリコンを主成分とする第2光電変換層と、
該第2光電変換層、前記中間コンタクト層、および前記第1光電変換層を分離するとともに、前記中間コンタクト層分離溝に隣り合うように形成され、裏面側電極と前記基板側電極とを電気的に接続する接続溝と、
を有し、
前記基板側電極分離溝、前記中間コンタクト層分離溝および前記接続溝がこの順番で並列して形成された光電変換装置において、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記加工溝とされ、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記基板側電極分離溝に対して隣接しかつ部分的に重複し、
かつ/または、
前記中間コンタクト層分離溝は、前記接続溝に対して隣接しかつ部分的に重複することを特徴とする光電変換装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2010−251428(P2010−251428A)
【公開日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−97328(P2009−97328)
【出願日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【出願人】(000006208)三菱重工業株式会社 (10,378)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【出願人】(000006208)三菱重工業株式会社 (10,378)
【Fターム(参考)】
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