半導体発光素子
【課題】本発明の一目的は、光取出し効率をさらに向上した半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】本発明の一側面は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及びナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、を含む半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の一側面は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及びナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、を含む半導体発光素子を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、窒化物半導体は、フルカラーディスプレイ、イメージスキャナ、各種信号システム及び光通信機器において光源として提供される緑色又は青色発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）又はレーザダイオード（ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）に広く用いられてきた。このような窒化物半導体発光素子は、電子と正孔の再結合原理を利用する青色及び緑色を含む多様な光を放出する活性層を有する発光素子として提供される。
【０００３】
このような窒化物発光素子は開発されてから技術的に大きく発展し、その活用範囲が拡大され、一般照明及び電装用光源として大いに研究されている。特に、窒化物発光素子は従来、主に低電流／低出力のモバイル製品に適用される部品として用いられていたが、最近では、その活用範囲が高電流／高出力の分野に次第に拡大されている。これにより、半導体発光素子の発光効率と品質を改善するための研究が活発に行われている。
【０００４】
半導体発光素子の発光効率の側面では、活性層で発生した光が空気と半導体層との屈折率の差による全反射によって半導体の内部に閉じ込められて逸失され、光として取出される効率、従って発光効率が低下するという問題がある。例えば、ＧａＮは、約２．５の屈折率を有し、空気との屈折率（約１）の差によって２３゜で入射された光は、約４％だけが外部に抜け出る。従って、このような光損失を最小化するために、ＧａＮの表面に凹凸を形成するなど、光取出し効率を向上するための研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一目的は、光取出し効率をさらに向上した半導体発光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、光出力と光均一度を同時に改善した半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、上記透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及び上記ナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、を含む半導体発光素子を提供する。
【０００７】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、順次減少する屈折率を有してよい。
【０００８】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、各々の層内で１つの屈折率を有してよい。
【０００９】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、同じ物質からなってよい。
【００１０】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、光透過性と電気伝導性を有する物質からなってよい。
【００１１】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、透明伝導性酸化物又は透明伝導性窒化物であってよい。
【００１２】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、上記第２導電型半導体層より小さい屈折率を有してよい。
【００１３】
本発明の一実施例では、上記第１導電型半導体層と電気的に連結されるように形成された第１電極と、上記透光性薄膜層上に形成され、上記第２導電型半導体層と電気的に連結された第２電極をさらに含んでよい。
【００１４】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、上記第２導電型半導体層上に形成されてよい。
【００１５】
本発明の一実施例では、一面に上記発光構造物の第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に形成された半導体成長用基板をさらに含み、前記半導体成長基板は前記発光構造物を形成後に除去されてよい。
【００１６】
この場合、上記光取出し層は、上記半導体成長用基板の上記発光構造物が形成された面と対向する面に形成されてよい。
【００１７】
本発明の一実施例では、上記第２導電型半導体層、活性層及び第１導電型半導体層の少なくとも一部を除去して露出した第１導電型半導体層上に形成された第１電極と、上記第２導電型半導体層上に形成された第２電極をさらに含んでよい。
【００１８】
本発明の一実施例では、上記半導体成長用基板の上記光取出し層が形成された面が主な光取出し面として提供されてよい。
【００１９】
本発明の一実施例では、上記第２導電型半導体層上に形成される導電性基板をさらに含んでよい。
【００２０】
この場合、上記光取出し層は、上記第１導電型半導体層上に形成されてよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一実施形態によると、ナノロッド、ナノワイヤを含むナノ構造体を用いて順次減少する屈折率を有する光取出し層を形成するので、光取出し効率を向上した半導体発光素子を提供できる。
【００２２】
本発明の一実施形態によると、光出力が向上する上、電流分散効果を極大化して光均一度が改善した半導体発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図３】本発明の第３実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２５】
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形でき、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどは明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【００２６】
図１は本発明の第１実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００２７】
図１を参照すると、本実施形態による半導体発光素子１００は、第１導電型半導体層２１、活性層２２、及び第２導電型半導体層２３を含む発光構造物２０と、発光構造物２０上に形成される光取出し層３０とを含む。光取出し層３０は、光透過性を有する透光性薄膜層３１と、透光性薄膜層３１上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層３２と、ナノロッド層３２上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層３３とを含んでよい。
【００２８】
発光構造物２０は、半導体成長用基板１０上に第１導電型半導体層２１、活性層２２、及び第２導電型半導体層２３の順に形成され、発光構造物２０の第１及び第２導電型半導体層２１、２３上には第１及び第２導電型半導体層２１、２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２１ａ、２３ａが形成される。
【００２９】
半導体成長用基板１０は、サファイア、ＳｉＣ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２、ＧａＮなどの物質からなる。この場合、サファイアは六角−ロンボ型（Ｈｅｘａ−Ｒｈｏｍｂｏ Ｒ３ｃ）の対称性を有する結晶体であって、ｃ軸及びａ軸方向の格子定数が各々１３．００１Åと４．７５８Åで、Ｃ（０００１）面、Ａ（１１２０）面、Ｒ（１１０２）面などを有する。上記Ｃ面は、比較的窒化物薄膜の成長が容易で、高温で安定するため、窒化物成長用基板として主に用いられる。バッファ層（不図示）には、窒化物などからなるアンドープ半導体層が採用され、その上に成長される半導体層の格子欠陥を緩和できる。
【００３０】
本実施形態における第１及び第２導電型半導体層２１、２３は、各々ｎ型及びｐ型半導体層であり、且つ窒化物半導体からなる。本実施形態の場合、これに制限されないが、第１及び第２導電型は各々ｎ型及びｐ型を意味すると理解される。第１及び第２導電型半導体層２１、２３はＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ組成式（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である）を有し、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなどの物質がこれに該当する。
【００３１】
第１及び第２導電型半導体層２１、２３との間に形成される活性層２２は、電子と正孔の再結合により所定のエネルギーを有する光を放出する層であって、量子井戸層と量子障壁層が交互に積層された多重量子井戸層（ＭＱＷ）構造、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造を用いる。一方、第１及び第２導電型半導体層２１、２３と活性層２２は、当技術分野において公知のＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥなどのような半導体層成長工程を利用して形成する。
【００３２】
第１及び第２導電型半導体層２１、２３上には、第１及び第２導電型半導体層２１、２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２１ａ、２３ａが形成される。図１に示したように、第１電極２１ａは第２導電型半導体層２３、活性層２２及び第１導電型半導体層２１の一部がエッチングされて露出した第１導電型半導体層２１上に形成され、第２電極２３ａは、第２導電型半導体層２３上に形成される。
【００３３】
この場合、第２導電型半導体層２３と第２電極２３ａ間のオーミックコンタクト機能を向上するために、ＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明電極をさらに備え得る。図１には、これを透光性薄膜層３１で示す。図１に示した構造の場合、第１及び第２電極２１ａ、２３ａが同じ方向を向かうように形成されているが、第１及び第２電極２１ａ、２３ａの位置及び連結構造は、必要に応じて、多様に変形できる。また、具体的には図示しなかったが、電流の均一な分配のために第１電極２１ａから延長される枝電極をさらに含み得る。このとき、第１電極２１ａは、ボンディングパッドと理解できる。
【００３４】
光取出し層３０は、第２導電型半導体層２３上に形成され、透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を含む。透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は各々の層内で１つの屈折率を有するように形成され、透光性薄膜層３１からナノワイヤ層３３に向かうほど、順次減少する屈折率を有する。このとき、透光性薄膜層３１が第２導電型半導体層２３より小さい屈折率を有することで、第２導電型半導体層２３から光の進行方向に沿って順次減少する屈折率を有するように構成できる。
【００３５】
本実施形態におけるナノロッド層３２は、透光性薄膜層３１の上面に形成される複数のナノロッドを含むので、上記複数のナノロッドの間に形成される空気により低い孔隙率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）乃至密度（ｄｅｎｓｉｔｙ）を有するようになる。また、ナノワイヤ層３３は、ナノロッド層３２を構成する複数のナノロッドより小さい幅を有する複数のナノワイヤを含むので、ナノロッド層３２より小さい孔隙率乃至密度を有するようになる。従って、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、透光性薄膜層３１から順次減少する屈折率を有することができる。
【００３６】
ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、各層内で１つの屈折率を有する１つの層として機能する。空気は、低い屈折率（約１）を有するため、ナノロッド層３２とナノワイヤ層３３内で空気の占める割合が高いほど、さらに低い屈折率を有する。従って、ナノロッド層３２とナノワイヤ層３３の孔隙率乃至密度を調節することで、屈折率を制御できる。
【００３７】
光が屈折率の高い領域から低い領域に進行する時、臨界角以上で入射される光は屈折せずに全反射され、屈折率の差が大きい場合にさらに多い光が全反射される。本実施形態の場合、外部（空気の屈折率：１）に進行する光が発光構造物２０で全反射され、発光構造物２０の内部で消滅する比率が減少するので、発光構造物２０から順次減少する屈折率を有する光取出し層３０を備えることで、光取出し効率を増加できる。
【００３８】
光取出し層３０を構成する透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、透光性と電気伝導性を有する物質からなり、例えば、透明伝導性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）又は透明伝導性窒化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＮ）を適用できる。透明伝導性酸化物は例えば、ＩＴＯ、ＣＩＯ、ＺｎＯの何れかである。本実施形態における透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は同じ物質からなってもよいが、これに制限されない。
【００３９】
光取出し層３０は公知の蒸着工程、例えば、有機金属化学蒸着法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子ビーム（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などにより形成される。具体的には、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）により有機金属前駆体の蒸気を基板と接触させるか、又は、分子ビーム蒸着法（ＭＢＥ）によりビーム（ｂｅａｍ）を照射し、ターゲット物質を基板又は半導体層上に成長させて形成する。光取出し層３０が有機化学蒸着法により形成される場合、導入する反応気体の流入量や蒸着温度及び時間などの条件を調節して所望する形態に形成できる。
【００４０】
例えば、触媒又は蒸着温度を調節し、連続的な蒸着工程を通じて透光性薄膜層３１上にナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を形成する。このとき、蒸着工程中に温度を高めることで、成長させるナノロッド乃至ナノワイヤの幅を減少できる。よって、連続した工程における温度制御を通じて、透光性薄膜層３１上にナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を順に形成できる。
【００４１】
第２導電型半導体層２３と電気的に連結される第２電極２３ａは、光取出し層３０の透光性薄膜層３１上に形成される。このとき、透光性薄膜層３１は光透過性と電気伝導性を有する物質、例えば、透明導電性酸化物又は透明伝導性窒化物が適用される。外部から電気信号の印加を受けるための第２電極２３ａが透光性薄膜層３１上に形成されることにより、透光性薄膜層３１により電流が側方向に広がって電流分散効果が向上し、光均一度を改善できる。
【００４２】
図２は、本発明の第２実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００４３】
図２を参照すると、本実施形態による半導体発光素子２００は導電性基板１４０と、導電性基板１４０上に形成された発光構造物１２０と、発光構造物１２０上に形成された光取出し層１３０と、を含む。
【００４４】
発光構造物１２０は、導電性基板１４０上に順に積層された第２導電型半導体層１２３、活性層１２２、及び第１導電型半導体層１２１を含み、第１導電型半導体層１２１上には、第１導電型半導体層１２１に外部の電気信号を印加するための第１電極１２１ａが形成されている。
【００４５】
導電性基板１４０は、半導体成長用基板（不図示）上に順に形成された第１導電型半導体層１２１、活性層１２２及び第２導電型半導体層１２３から上記半導体成長用基板を除去するためのレーザリフトオフなどの工程において、第１及び第２導電型半導体層１２１、１２３と活性層１２２を含む発光構造物１２０を支持する支持体の役割を果たし、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓの何れか１つを含む物質、例えば、Ｓｉ基板にＡｌがドーピングされた物質からなる。
【００４６】
本実施形態では、導電性基板１４０は、導電性接着層（不図示）を媒介として発光構造物１２０と接合される。上記導電性接着層は、例えば、ＡｕＳｎのような共融金属物質を利用する。また、導電性基板１４０は、第２導電型半導体層１２３に電気信号を印加する第２電極として機能し、図２に示したように、電極が図で水平方向に形成される場合、電流が流れる領域が拡大され、電流分散機能を向上できる。
【００４７】
図３は、本発明の第３実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００４８】
図３を参照すると、本実施形態による半導体発光素子３００は、半導体成長用基板２１０と、半導体成長用基板２１０上に形成された発光構造物２２０と、半導体成長用基板２１０の発光構造物２２０が形成された面と対向する面に形成された光取出し層２３０と、を含む。
【００４９】
第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３上には、第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２２１ａ、２２３ａが形成されている。
【００５０】
本実施形態の場合、図１に示された第１実施形態とは異なって、光取出し層２３０は、半導体成長用基板２１０の一面に形成される。このとき、光取出し層２３０が形成された面は発光素子の主な光取出し面として提供される。この場合、透光性薄膜層２３１は、電流経路としては提供されないので、電気伝導性を有する物質からなる必要はないが、半導体成長用基板２１０より小さい屈折率を有する物質からなる必要がある。
【００５１】
図４乃至図６は、本発明の第１から第３実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【００５２】
具体的には、図４は図１に示した半導体発光素子１００の実装形態の一例を、図５は図２に示した半導体発光素子２００の実装形態の一例を、図６は図３に示した半導体発光素子３００の実装形態の一例を示す。
【００５３】
まず、図４を参照すると、本実施形態による発光素子パッケージは、第１及び第２端子部５０ａ、５０ｂを備え、第１実施形態による半導体発光素子１００はこれらと各々電気的に連結される。この場合、半導体発光素子１００の第１及び第２導電型半導体層２１、２３上に形成された第１及び第２電極２１ａ、２３ａは、導電性ワイヤにより各々第２及び第１端子部５０ｂ、５０ａと連結される。
【００５４】
半導体発光素子１００の上部には、半導体発光素子１００を封止し、半導体発光素子１００と第１及び第２端子部５０ａ、５０ｂを固定するレンズ部６０が形成される。レンズ部６０は、半導体発光素子１００とワイヤを保護するだけでなく、半球状からなり、境界面でのフレネル反射を減らして光取出しを増加させる役割を果たす。レンズ部６０は例えば樹脂からなり、上記樹脂は例えば、エポキシ、シリコン、変形シリコン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート及びポリイミドの何れか１つである。また、レンズ部６０の上面に凹凸を形成して光取出し効率を高め、放出される光の方向を調節できる。レンズ部６０の形状は、必要に応じて、多様に変形できる。
【００５５】
具体的には図示しなかったが、レンズ部６０内には、半導体発光素子１００の活性層から放出された光の波長を変換する波長変換用蛍光体粒子が含まれ得る。その場合、蛍光体は、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、赤色（ｒｅｄ）及び緑色（ｇｒｅｅｎ）の何れか１つに波長を変換する蛍光体からなるか、又は、複数種の蛍光体が混合されてなり複数の波長に変換する。上記蛍光体の種類は、半導体発光素子１００の活性層から放出される波長により決まる。具体的には、レンズ部６０は例えば、ＹＡＧ系、ＴＡＧ系、ケイ酸塩（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系、又は窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系の少なくとも１種以上の蛍光物質を含む。例えば、青色発光ＬＥＤチップに対して黄色に波長変換させる蛍光体を適用する場合、白色発光半導体発光素子を得ることができる。
【００５６】
次に、図５を参照すると、本実施形態による発光素子パッケージは、第１及び第２端子部５１ａ、５１ｂを備え、半導体発光素子２００はこれらと各々電気的に連結されている。この場合、半導体発光素子２００の第１導電型半導体層１２１はその上面に形成された第１電極１２１ａと第２端子部５１ｂとがワイヤボンディングされ、第２導電型半導体層１２３は導電性基板１４０を通じて第１端子部５１ａと直接連結される。
【００５７】
図６は本発明の第３実施形態による半導体発光素子３００の実装形態を示したもので、第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３上に形成された第１及び第２電極２２１ａ、２２３ａは、バンプボールｂなどにより第１及び第２端子部５２ａ、５２ｂと直接連結され、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）ボンディングされている。この場合、半導体成長用基板２１０の光取出し層２３０が形成された面が主な光取出し面として提供される。
【００５８】
但し、図４乃至図６に示した発光素子パッケージは、本発明の第１乃至第３実施形態による発光素子の実装形態に対する例示であり、具体的な実装形態と方法は、必要に応じて、多様に変形できる。
【００５９】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には自明で、これも添付の特許請求の範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００６０】
１００、２００、３００ 半導体発光素子
１０、２１０ 半導体成長用基板
２０、１２０、２２０ 発光構造物
２１、１２１、２２１ 第１導電型半導体層
２１ａ、１２１ａ、２２１ａ 第１電極
２２、１２２、２２２ 活性層
２３、１２３、２２３ 第２導電型半導体層
２３ａ、１２３ａ、２２３ａ 第２電極
３０、１３０、２３０ 光取出し層
３１、１３１、２３１ 透光性薄膜層
３２、１３２、２３２ ナノロッド層
３３、１３３、２３３ ナノワイヤ層
５０ａ、５１ａ、５２ａ 第１端子部
５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ 第２端子部
６０ レンズ部
１４０ 導電性基板
ｂ バンプボール
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、窒化物半導体は、フルカラーディスプレイ、イメージスキャナ、各種信号システム及び光通信機器において光源として提供される緑色又は青色発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）又はレーザダイオード（ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）に広く用いられてきた。このような窒化物半導体発光素子は、電子と正孔の再結合原理を利用する青色及び緑色を含む多様な光を放出する活性層を有する発光素子として提供される。
【０００３】
このような窒化物発光素子は開発されてから技術的に大きく発展し、その活用範囲が拡大され、一般照明及び電装用光源として大いに研究されている。特に、窒化物発光素子は従来、主に低電流／低出力のモバイル製品に適用される部品として用いられていたが、最近では、その活用範囲が高電流／高出力の分野に次第に拡大されている。これにより、半導体発光素子の発光効率と品質を改善するための研究が活発に行われている。
【０００４】
半導体発光素子の発光効率の側面では、活性層で発生した光が空気と半導体層との屈折率の差による全反射によって半導体の内部に閉じ込められて逸失され、光として取出される効率、従って発光効率が低下するという問題がある。例えば、ＧａＮは、約２．５の屈折率を有し、空気との屈折率（約１）の差によって２３゜で入射された光は、約４％だけが外部に抜け出る。従って、このような光損失を最小化するために、ＧａＮの表面に凹凸を形成するなど、光取出し効率を向上するための研究が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一目的は、光取出し効率をさらに向上した半導体発光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、光出力と光均一度を同時に改善した半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、上記透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及び上記ナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、を含む半導体発光素子を提供する。
【０００７】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、順次減少する屈折率を有してよい。
【０００８】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、各々の層内で１つの屈折率を有してよい。
【０００９】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、同じ物質からなってよい。
【００１０】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、光透過性と電気伝導性を有する物質からなってよい。
【００１１】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、透明伝導性酸化物又は透明伝導性窒化物であってよい。
【００１２】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、上記第２導電型半導体層より小さい屈折率を有してよい。
【００１３】
本発明の一実施例では、上記第１導電型半導体層と電気的に連結されるように形成された第１電極と、上記透光性薄膜層上に形成され、上記第２導電型半導体層と電気的に連結された第２電極をさらに含んでよい。
【００１４】
本発明の一実施例における上記透光性薄膜層は、上記第２導電型半導体層上に形成されてよい。
【００１５】
本発明の一実施例では、一面に上記発光構造物の第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に形成された半導体成長用基板をさらに含み、前記半導体成長基板は前記発光構造物を形成後に除去されてよい。
【００１６】
この場合、上記光取出し層は、上記半導体成長用基板の上記発光構造物が形成された面と対向する面に形成されてよい。
【００１７】
本発明の一実施例では、上記第２導電型半導体層、活性層及び第１導電型半導体層の少なくとも一部を除去して露出した第１導電型半導体層上に形成された第１電極と、上記第２導電型半導体層上に形成された第２電極をさらに含んでよい。
【００１８】
本発明の一実施例では、上記半導体成長用基板の上記光取出し層が形成された面が主な光取出し面として提供されてよい。
【００１９】
本発明の一実施例では、上記第２導電型半導体層上に形成される導電性基板をさらに含んでよい。
【００２０】
この場合、上記光取出し層は、上記第１導電型半導体層上に形成されてよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一実施形態によると、ナノロッド、ナノワイヤを含むナノ構造体を用いて順次減少する屈折率を有する光取出し層を形成するので、光取出し効率を向上した半導体発光素子を提供できる。
【００２２】
本発明の一実施形態によると、光出力が向上する上、電流分散効果を極大化して光均一度が改善した半導体発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図３】本発明の第３実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２５】
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形でき、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさなどは明確な説明のために誇張されることがあり、図面上に同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【００２６】
図１は本発明の第１実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００２７】
図１を参照すると、本実施形態による半導体発光素子１００は、第１導電型半導体層２１、活性層２２、及び第２導電型半導体層２３を含む発光構造物２０と、発光構造物２０上に形成される光取出し層３０とを含む。光取出し層３０は、光透過性を有する透光性薄膜層３１と、透光性薄膜層３１上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層３２と、ナノロッド層３２上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層３３とを含んでよい。
【００２８】
発光構造物２０は、半導体成長用基板１０上に第１導電型半導体層２１、活性層２２、及び第２導電型半導体層２３の順に形成され、発光構造物２０の第１及び第２導電型半導体層２１、２３上には第１及び第２導電型半導体層２１、２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２１ａ、２３ａが形成される。
【００２９】
半導体成長用基板１０は、サファイア、ＳｉＣ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＬｉＧａＯ２、ＧａＮなどの物質からなる。この場合、サファイアは六角−ロンボ型（Ｈｅｘａ−Ｒｈｏｍｂｏ Ｒ３ｃ）の対称性を有する結晶体であって、ｃ軸及びａ軸方向の格子定数が各々１３．００１Åと４．７５８Åで、Ｃ（０００１）面、Ａ（１１２０）面、Ｒ（１１０２）面などを有する。上記Ｃ面は、比較的窒化物薄膜の成長が容易で、高温で安定するため、窒化物成長用基板として主に用いられる。バッファ層（不図示）には、窒化物などからなるアンドープ半導体層が採用され、その上に成長される半導体層の格子欠陥を緩和できる。
【００３０】
本実施形態における第１及び第２導電型半導体層２１、２３は、各々ｎ型及びｐ型半導体層であり、且つ窒化物半導体からなる。本実施形態の場合、これに制限されないが、第１及び第２導電型は各々ｎ型及びｐ型を意味すると理解される。第１及び第２導電型半導体層２１、２３はＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ組成式（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である）を有し、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮなどの物質がこれに該当する。
【００３１】
第１及び第２導電型半導体層２１、２３との間に形成される活性層２２は、電子と正孔の再結合により所定のエネルギーを有する光を放出する層であって、量子井戸層と量子障壁層が交互に積層された多重量子井戸層（ＭＱＷ）構造、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造を用いる。一方、第１及び第２導電型半導体層２１、２３と活性層２２は、当技術分野において公知のＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥなどのような半導体層成長工程を利用して形成する。
【００３２】
第１及び第２導電型半導体層２１、２３上には、第１及び第２導電型半導体層２１、２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２１ａ、２３ａが形成される。図１に示したように、第１電極２１ａは第２導電型半導体層２３、活性層２２及び第１導電型半導体層２１の一部がエッチングされて露出した第１導電型半導体層２１上に形成され、第２電極２３ａは、第２導電型半導体層２３上に形成される。
【００３３】
この場合、第２導電型半導体層２３と第２電極２３ａ間のオーミックコンタクト機能を向上するために、ＩＴＯ、ＺｎＯなどの透明電極をさらに備え得る。図１には、これを透光性薄膜層３１で示す。図１に示した構造の場合、第１及び第２電極２１ａ、２３ａが同じ方向を向かうように形成されているが、第１及び第２電極２１ａ、２３ａの位置及び連結構造は、必要に応じて、多様に変形できる。また、具体的には図示しなかったが、電流の均一な分配のために第１電極２１ａから延長される枝電極をさらに含み得る。このとき、第１電極２１ａは、ボンディングパッドと理解できる。
【００３４】
光取出し層３０は、第２導電型半導体層２３上に形成され、透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を含む。透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は各々の層内で１つの屈折率を有するように形成され、透光性薄膜層３１からナノワイヤ層３３に向かうほど、順次減少する屈折率を有する。このとき、透光性薄膜層３１が第２導電型半導体層２３より小さい屈折率を有することで、第２導電型半導体層２３から光の進行方向に沿って順次減少する屈折率を有するように構成できる。
【００３５】
本実施形態におけるナノロッド層３２は、透光性薄膜層３１の上面に形成される複数のナノロッドを含むので、上記複数のナノロッドの間に形成される空気により低い孔隙率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）乃至密度（ｄｅｎｓｉｔｙ）を有するようになる。また、ナノワイヤ層３３は、ナノロッド層３２を構成する複数のナノロッドより小さい幅を有する複数のナノワイヤを含むので、ナノロッド層３２より小さい孔隙率乃至密度を有するようになる。従って、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、透光性薄膜層３１から順次減少する屈折率を有することができる。
【００３６】
ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、各層内で１つの屈折率を有する１つの層として機能する。空気は、低い屈折率（約１）を有するため、ナノロッド層３２とナノワイヤ層３３内で空気の占める割合が高いほど、さらに低い屈折率を有する。従って、ナノロッド層３２とナノワイヤ層３３の孔隙率乃至密度を調節することで、屈折率を制御できる。
【００３７】
光が屈折率の高い領域から低い領域に進行する時、臨界角以上で入射される光は屈折せずに全反射され、屈折率の差が大きい場合にさらに多い光が全反射される。本実施形態の場合、外部（空気の屈折率：１）に進行する光が発光構造物２０で全反射され、発光構造物２０の内部で消滅する比率が減少するので、発光構造物２０から順次減少する屈折率を有する光取出し層３０を備えることで、光取出し効率を増加できる。
【００３８】
光取出し層３０を構成する透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は、透光性と電気伝導性を有する物質からなり、例えば、透明伝導性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）又は透明伝導性窒化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＮ）を適用できる。透明伝導性酸化物は例えば、ＩＴＯ、ＣＩＯ、ＺｎＯの何れかである。本実施形態における透光性薄膜層３１、ナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３は同じ物質からなってもよいが、これに制限されない。
【００３９】
光取出し層３０は公知の蒸着工程、例えば、有機金属化学蒸着法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、分子ビーム（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などにより形成される。具体的には、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）により有機金属前駆体の蒸気を基板と接触させるか、又は、分子ビーム蒸着法（ＭＢＥ）によりビーム（ｂｅａｍ）を照射し、ターゲット物質を基板又は半導体層上に成長させて形成する。光取出し層３０が有機化学蒸着法により形成される場合、導入する反応気体の流入量や蒸着温度及び時間などの条件を調節して所望する形態に形成できる。
【００４０】
例えば、触媒又は蒸着温度を調節し、連続的な蒸着工程を通じて透光性薄膜層３１上にナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を形成する。このとき、蒸着工程中に温度を高めることで、成長させるナノロッド乃至ナノワイヤの幅を減少できる。よって、連続した工程における温度制御を通じて、透光性薄膜層３１上にナノロッド層３２及びナノワイヤ層３３を順に形成できる。
【００４１】
第２導電型半導体層２３と電気的に連結される第２電極２３ａは、光取出し層３０の透光性薄膜層３１上に形成される。このとき、透光性薄膜層３１は光透過性と電気伝導性を有する物質、例えば、透明導電性酸化物又は透明伝導性窒化物が適用される。外部から電気信号の印加を受けるための第２電極２３ａが透光性薄膜層３１上に形成されることにより、透光性薄膜層３１により電流が側方向に広がって電流分散効果が向上し、光均一度を改善できる。
【００４２】
図２は、本発明の第２実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００４３】
図２を参照すると、本実施形態による半導体発光素子２００は導電性基板１４０と、導電性基板１４０上に形成された発光構造物１２０と、発光構造物１２０上に形成された光取出し層１３０と、を含む。
【００４４】
発光構造物１２０は、導電性基板１４０上に順に積層された第２導電型半導体層１２３、活性層１２２、及び第１導電型半導体層１２１を含み、第１導電型半導体層１２１上には、第１導電型半導体層１２１に外部の電気信号を印加するための第１電極１２１ａが形成されている。
【００４５】
導電性基板１４０は、半導体成長用基板（不図示）上に順に形成された第１導電型半導体層１２１、活性層１２２及び第２導電型半導体層１２３から上記半導体成長用基板を除去するためのレーザリフトオフなどの工程において、第１及び第２導電型半導体層１２１、１２３と活性層１２２を含む発光構造物１２０を支持する支持体の役割を果たし、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＧａＡｓの何れか１つを含む物質、例えば、Ｓｉ基板にＡｌがドーピングされた物質からなる。
【００４６】
本実施形態では、導電性基板１４０は、導電性接着層（不図示）を媒介として発光構造物１２０と接合される。上記導電性接着層は、例えば、ＡｕＳｎのような共融金属物質を利用する。また、導電性基板１４０は、第２導電型半導体層１２３に電気信号を印加する第２電極として機能し、図２に示したように、電極が図で水平方向に形成される場合、電流が流れる領域が拡大され、電流分散機能を向上できる。
【００４７】
図３は、本発明の第３実施形態による半導体発光素子を概略的に示す斜視図である。
【００４８】
図３を参照すると、本実施形態による半導体発光素子３００は、半導体成長用基板２１０と、半導体成長用基板２１０上に形成された発光構造物２２０と、半導体成長用基板２１０の発光構造物２２０が形成された面と対向する面に形成された光取出し層２３０と、を含む。
【００４９】
第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３上には、第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３の各々と電気的に連結される第１及び第２電極２２１ａ、２２３ａが形成されている。
【００５０】
本実施形態の場合、図１に示された第１実施形態とは異なって、光取出し層２３０は、半導体成長用基板２１０の一面に形成される。このとき、光取出し層２３０が形成された面は発光素子の主な光取出し面として提供される。この場合、透光性薄膜層２３１は、電流経路としては提供されないので、電気伝導性を有する物質からなる必要はないが、半導体成長用基板２１０より小さい屈折率を有する物質からなる必要がある。
【００５１】
図４乃至図６は、本発明の第１から第３実施形態による半導体発光素子のパッケージの実装形態を概略的に示す断面図である。
【００５２】
具体的には、図４は図１に示した半導体発光素子１００の実装形態の一例を、図５は図２に示した半導体発光素子２００の実装形態の一例を、図６は図３に示した半導体発光素子３００の実装形態の一例を示す。
【００５３】
まず、図４を参照すると、本実施形態による発光素子パッケージは、第１及び第２端子部５０ａ、５０ｂを備え、第１実施形態による半導体発光素子１００はこれらと各々電気的に連結される。この場合、半導体発光素子１００の第１及び第２導電型半導体層２１、２３上に形成された第１及び第２電極２１ａ、２３ａは、導電性ワイヤにより各々第２及び第１端子部５０ｂ、５０ａと連結される。
【００５４】
半導体発光素子１００の上部には、半導体発光素子１００を封止し、半導体発光素子１００と第１及び第２端子部５０ａ、５０ｂを固定するレンズ部６０が形成される。レンズ部６０は、半導体発光素子１００とワイヤを保護するだけでなく、半球状からなり、境界面でのフレネル反射を減らして光取出しを増加させる役割を果たす。レンズ部６０は例えば樹脂からなり、上記樹脂は例えば、エポキシ、シリコン、変形シリコン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネート及びポリイミドの何れか１つである。また、レンズ部６０の上面に凹凸を形成して光取出し効率を高め、放出される光の方向を調節できる。レンズ部６０の形状は、必要に応じて、多様に変形できる。
【００５５】
具体的には図示しなかったが、レンズ部６０内には、半導体発光素子１００の活性層から放出された光の波長を変換する波長変換用蛍光体粒子が含まれ得る。その場合、蛍光体は、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）、赤色（ｒｅｄ）及び緑色（ｇｒｅｅｎ）の何れか１つに波長を変換する蛍光体からなるか、又は、複数種の蛍光体が混合されてなり複数の波長に変換する。上記蛍光体の種類は、半導体発光素子１００の活性層から放出される波長により決まる。具体的には、レンズ部６０は例えば、ＹＡＧ系、ＴＡＧ系、ケイ酸塩（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系、又は窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系の少なくとも１種以上の蛍光物質を含む。例えば、青色発光ＬＥＤチップに対して黄色に波長変換させる蛍光体を適用する場合、白色発光半導体発光素子を得ることができる。
【００５６】
次に、図５を参照すると、本実施形態による発光素子パッケージは、第１及び第２端子部５１ａ、５１ｂを備え、半導体発光素子２００はこれらと各々電気的に連結されている。この場合、半導体発光素子２００の第１導電型半導体層１２１はその上面に形成された第１電極１２１ａと第２端子部５１ｂとがワイヤボンディングされ、第２導電型半導体層１２３は導電性基板１４０を通じて第１端子部５１ａと直接連結される。
【００５７】
図６は本発明の第３実施形態による半導体発光素子３００の実装形態を示したもので、第１及び第２導電型半導体層２２１、２２３上に形成された第１及び第２電極２２１ａ、２２３ａは、バンプボールｂなどにより第１及び第２端子部５２ａ、５２ｂと直接連結され、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）ボンディングされている。この場合、半導体成長用基板２１０の光取出し層２３０が形成された面が主な光取出し面として提供される。
【００５８】
但し、図４乃至図６に示した発光素子パッケージは、本発明の第１乃至第３実施形態による発光素子の実装形態に対する例示であり、具体的な実装形態と方法は、必要に応じて、多様に変形できる。
【００５９】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には自明で、これも添付の特許請求の範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００６０】
１００、２００、３００ 半導体発光素子
１０、２１０ 半導体成長用基板
２０、１２０、２２０ 発光構造物
２１、１２１、２２１ 第１導電型半導体層
２１ａ、１２１ａ、２２１ａ 第１電極
２２、１２２、２２２ 活性層
２３、１２３、２２３ 第２導電型半導体層
２３ａ、１２３ａ、２２３ａ 第２電極
３０、１３０、２３０ 光取出し層
３１、１３１、２３１ 透光性薄膜層
３２、１３２、２３２ ナノロッド層
３３、１３３、２３３ ナノワイヤ層
５０ａ、５１ａ、５２ａ 第１端子部
５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ 第２端子部
６０ レンズ部
１４０ 導電性基板
ｂ バンプボール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、前記透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及び前記ナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、
を含む半導体発光素子。
【請求項２】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、順次減少する屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、各々の層内で１つの屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、同じ物質からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記透光性薄膜層は、前記第２導電型半導体層より小さい屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記透光性薄膜層は、前記第２導電型半導体層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
一面に前記発光構造物の第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が順に形成された半導体成長用基板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記光取出し層は、前記半導体成長用基板の前記発光構造物が形成された面と対向する面に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記半導体成長用基板の前記光取出し層が形成された面が主な光取出し面として提供されることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記光取出し層は、前記第１導電型半導体層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物上に形成され、光透過性を有する透光性薄膜層、前記透光性薄膜層上に形成される複数のナノロッドを含むナノロッド層、及び前記ナノロッド層上に形成される複数のナノワイヤを含むナノワイヤ層を備える光取出し層と、
を含む半導体発光素子。
【請求項２】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、順次減少する屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、各々の層内で１つの屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記透光性薄膜層、ナノロッド層、及びナノワイヤ層は、同じ物質からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記透光性薄膜層は、前記第２導電型半導体層より小さい屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記透光性薄膜層は、前記第２導電型半導体層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
一面に前記発光構造物の第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層が順に形成された半導体成長用基板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記光取出し層は、前記半導体成長用基板の前記発光構造物が形成された面と対向する面に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記半導体成長用基板の前記光取出し層が形成された面が主な光取出し面として提供されることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記光取出し層は、前記第１導電型半導体層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１０６０５１（Ｐ２０１３−１０６０５１Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２５０２０７（Ｐ２０１２−２５０２０７）
【出願日】平成２４年１１月１４日（２０１２．１１．１４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１１月１４日（２０１２．１１．１４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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