回路基板、及び前記回路基板の製造方法
【課題】絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を提供することを目的とする。
【解決手段】表面に樹脂被膜２を形成し、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝３を形成し、前記回路溝３の表面及び前記樹脂被膜２の表面に触媒金属５を被着させ、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離することによって形成された絶縁基材１と、前記絶縁基材１に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路６とを備え、前記絶縁基材１が、フィラーを含有することを特徴とする回路基板１０である。
【解決手段】表面に樹脂被膜２を形成し、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝３を形成し、前記回路溝３の表面及び前記樹脂被膜２の表面に触媒金属５を被着させ、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離することによって形成された絶縁基材１と、前記絶縁基材１に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路６とを備え、前記絶縁基材１が、フィラーを含有することを特徴とする回路基板１０である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、及び前記回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、及び各種情報家電製品等の電気機器において、高機能化が急速に進行している。それに伴って、これら電気機器に搭載される回路基板には、電気回路のさらなる高密度化が要求されている。このような回路の高密度化の要求を満たすために、線幅及び線間隔（隣り合う電気回路と電気回路との間の部分の幅）のより狭い電気回路の配線を正確に形成できる方法が求められている。高密度化された回路配線においては、配線間における短絡やマイグレーション等が発生しやすくなっている。
【０００３】
回路基板の製造方法としては、サブトラクティブ法やアディティブ法等によって、絶縁基材上に電気回路を形成する方法等が知られている。サブトラクティブ法とは、金属箔張積層板の表面の電気回路を形成したい部分以外の金属箔を除去（サブトラクティブ）することにより、電気回路を形成する方法である。一方、アディティブ法とは、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解めっきを施すことにより、電気回路を形成する方法である。
【０００４】
サブトラクティブ法は、金属箔張積層板表面の金属箔をエッチングすることにより、電気回路を形成したい部分のみの金属箔を残し、その他の部分を除去する方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになるために製造コストの点等から不利である。一方、アディティブ法は、電気回路を形成したい部分にのみ、無電解めっきによって金属配線を形成することができる。このために、金属を浪費せず、資源の無駄が少ない。このような点からも、アディティブ法は、好ましい回路形成方法である。
【０００５】
従来の代表的なアディティブ法の１つであるフルアディティブ法により、金属配線からなる電気回路を形成する方法について、図５を参照しながら説明する。なお、図５は、従来のフルアディティブ法による金属配線を形成する各工程を説明するための模式断面図である。
【０００６】
はじめに、図５（Ａ）に示すように、スルーホール１０１が形成された絶縁基材１００の表面にめっき触媒１０２を被着させる。なお、絶縁基材１００の表面は、予め粗化されている。次に、図５（Ｂ）に示すように、めっき触媒１０２を被着させた絶縁基材１００上に、フォトレジスト層１０３を形成させる。次に、図５（Ｃ）に示すように、所定の回路パターンが形成されたフォトマスク１１０を介して、前記フォトレジスト層１０３を露光させる。次に、図５（Ｄ）に示すように、露光したフォトレジスト層１０３を現像して、回路パターン１０４を形成させる。そして、図５（Ｅ）に示すように、無電解銅めっき等の無電解めっきを施すことによって、現像により形成された回路パターン１０４の表面及びスルーホール１０１の内壁面に金属配線１０５を形成させる。上記のような各工程を施すことにより、絶縁基材１００上に金属配線１０５からなる回路が形成される。
【０００７】
上述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材１００の表面全体にめっき触媒１０２が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層１０３が高精度に現像された場合には、フォトレジストで保護されていない部分のみにめっきを形成させることができる。しかしながら、フォトレジスト層１０３が高精度に現像されなかった場合には、図６に示すように、本来めっきを形成したくない部分に不要なめっき部分１０６が残ることがある。これは、絶縁基材１００の表面全体にめっき触媒１０２が被着されているために起こる。不要なめっき部分１０６は、隣接する回路間に短絡やマイグレーション等を引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔の狭い回路を形成する場合にはより生じやすくなる。なお、図６は、従来のフルアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための模式断面図である。
【０００８】
また、上記の回路基板の製造方法とは異なる製造方法としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の製造方法等が挙げられる。
【０００９】
特許文献１には、別のアディティブ法として以下のような方法が開示されている。
【００１０】
はじめに、絶縁基板（絶縁基材）に溶剤可溶性の第１の感光性樹脂層とアルカリ可溶性の第２の感光性樹脂層を形成する。そして、第１及び第２の感光性樹脂層を所定の回路パターンを有するフォトマスクを介して露光する。次に、第１及び第２の感光性樹脂層を現像する。次に、現像により生じた凹部を含む表面全体に触媒を吸着させた後、アルカリ可溶性の第２の感光性樹脂をアルカリ溶液で溶解させることにより不要な触媒のみを除去する。そして、その後、無電解めっきを施すことにより触媒が存在する部分にのみ正確に回路を形成する。
【００１１】
また、下記特許文献２には、以下のような方法が開示されている。
【００１２】
はじめに、絶縁基板（絶縁基材）上に樹脂の保護膜をコーティングする（第１の工程）。次に、前記保護膜をコーティングした絶縁基板上に機械加工あるいはレーザービームの照射により配線パターンに対応した溝及びスルーホールを単独又は同時に描画形成する（第２の工程）。次に、前記絶縁基板全面に活性化層を形成する（第３の工程）。次に、前記保護膜を剥離して前記絶縁基板上の活性化層を除去し溝及びスルーホールの内壁面にのみ活性化層を残す（第４の工程）。次に、前記絶縁基板にめっき保護膜を用いないめっきを施し前記活性化された溝およびスルーホールの内壁面にのみ選択的に導電層を形成する（第５の工程）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭５７−１３４９９６号公報
【特許文献２】特開昭５８−１８６９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法によれば、溶剤溶解性の異なる２種の感光性樹脂層を形成し、また、現像時においても２種の溶剤で現像し、触媒を吸着させた後に、さらに、アルカリ溶液で第２の感光性樹脂を溶解させる必要があるなど、製造工程が非常に煩雑であった。
【００１５】
また、特許文献２には、絶縁基板上に保護膜として熱硬化性樹脂をコーティングし加熱硬化させた後、所定の配線パターンに従って保護膜及び絶縁基板を切削加工することや、絶縁基板表面の熱硬化性樹脂を溶剤で除去することが記載されている（特許文献２の第２頁左下欄第１６行〜右下欄第１１行）。
【００１６】
特許文献２に記載された保護膜として用いられる熱硬化性樹脂については、その種類については特に記載されていない。一般的な熱硬化性樹脂は、耐溶剤性に優れているために単なる溶剤では除去しにくいという問題があった。また、このような熱硬化性樹脂は、樹脂基材との密着性が高すぎて、樹脂基材の表面に保護膜の断片を残すことなく、保護膜のみを正確に除去することは困難であった。また、充分に剥離するために強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、基材表面のめっき触媒も除去されてしまう。この場合には、めっき触媒が除去された部分には導電層が形成されなくなる。また、強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、熱硬化性樹脂からなる保護膜がバラバラになるように崩れ、保護膜中のめっき触媒が溶剤中に再分散されることがあった。このように溶剤中に再分散されためっき触媒は、樹脂基材表面に再付着してしまい、その部分に不要なめっき膜が形成されてしまうおそれもあった。そのために特許文献２に開示された方法のような方法によれば、正確な輪郭を有する回路を形成することが困難であった。
【００１７】
さらに、上述したような従来の各種回路基板の製造方法を用いて、電気回路の高密度化を実現するために線幅及び線間隔の狭い電気回路を形成した場合、以下のような問題が生じる。すなわち、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、電気回路を構成する金属配線が、絶縁基材の回路溝から剥離しやすくなるという問題があった。このような回路の剥離は、電子機器の信頼性を低下させる原因になりうる。
【００１８】
具体的に、携帯電話機をはじめとする携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板において起こりうる問題を一例として説明する。
【００１９】
携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板には、比較的大きなＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）が実装される。このようなＬＳＩは、電気回路基板の回路の一部として形成されたランド部分において、半田バンプにより接合される。携帯情報端末機器は、携帯されるために衝撃を受ける機会が多々ある。このような衝撃を受けた場合、実装されたＬＳＩに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が絶縁基材から剥離するおそれがあった。
【００２０】
さらに、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、回路を構成する金属配線の強度も低下するという問題もあった。上記の例においては、このことが原因となって、ＬＳＩに実装されたＬＳＩに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が切断して損傷を受けるおそれがあった。
【００２１】
すなわち、電気回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、上記のような回路の損傷は起りやすくなるという問題があった。
【００２２】
上記のような問題を解決するために、回路配線の線幅を広くして、金属配線を補強し、金属配線と絶縁基材との接触面積を広げて、金属配線と絶縁基材との密着性を高める方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、回路の高密度化が図れなくなる。
【００２３】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を提供することを目的とする。また、前記回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明者等は、絶縁基材と電気回路との密着性を高めるために、絶縁基材の組成に着目した。フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、レーザ加工又は機械加工することによって形成される回路溝の表面は、フィラーが含有されていないので、平滑になりやすいと考えられる。そして、一般的には、表面が平滑な回路溝のほうが、電気回路を形成しやすいと考え、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを含有させないと考えられる。
【００２５】
しかしながら、本発明者等は、フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、前記絶縁基材に形成させた回路溝の表面に触媒金属を被着させた後に無電解めっきを施しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを発見した。
【００２６】
そして、本発明者等は、この現象は以下のことによると推察した。
【００２７】
まず、前記回路溝の表面が平滑であるので、前記回路溝の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落することによると考えた。
【００２８】
さらに、絶縁基材は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きいことによると考えた。具体的には、温度変化によって、絶縁基材が変形しやすく、その変形によって電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまうためであると考えた。
【００２９】
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されていないので、絶縁基材の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝の形状がいびつになることによると考えた。すなわち、電気回路にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまう部分ができるためであると考えた。
【００３０】
そこで、本発明者等は、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを絶縁基材にあえて含有することによって、以下のような本発明に想到するに到った。
【００３１】
本発明の一態様に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。
【００３２】
上記のような構成によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られる。なお、前記電気回路は、具体的には、前記無電解めっきを施すことによって、絶縁基材の回路溝上に形成される。
【００３３】
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。
【００３４】
まず、前記回路溝を形成する際、絶縁基材にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、形成される回路溝の表面が、フィラーに由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、この微小な凹凸によって、前記回路溝の表面に被着させた触媒金属の脱落を充分に抑制することができると考えられる。よって、無電解めっきによって、前記回路溝上に形成される電気回路の欠損の発生を充分に抑制することができると考えられる。
【００３５】
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。
【００３６】
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００３７】
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００３８】
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。
【００３９】
また、前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４０】
また、前記フィラーの平均粒子径が、０．０５〜１０μｍであることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４１】
また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４２】
また、前記フィラーが、無機微粒子であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。このことは、上記メカニズムのうち、例えば、絶縁基材の熱膨張係数をより小さくすることができることによる寄与をより大きくできると考えられる。すなわち、温度変化により絶縁基材がより変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力がより少なくなる。よって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離をより抑制することができると考えられる。
【００４３】
また、前記電気回路が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含むことが好ましい。このような線幅の狭い部分を含む電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。
【００４４】
また、本発明の他の一態様に係る回路基板の製造方法は、絶縁基材表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーを含有するものを用いることを特徴とする。
【００４５】
上記の構成によれば、線幅及び線間隔の狭い電気回路を絶縁基材上に形成した場合であっても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高い回路基板を提供することができる。また、前記回路基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１実施形態に係る回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【図２】第１実施形態において、前記回路溝形成工程後と前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を説明するための図面である。
【図３】フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合の絶縁基材２１の状態を説明するため図面である。
【図４】第２実施形態に係る立体回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【図５】従来のフルアディティブ法による金属配線を形成する各工程を説明するための模式断面図である。
【図６】従来のフルアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００４９】
本実施形態に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。
【００５０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる回路基板を製造する方法について説明する。図１は、第１実施形態に係る回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【００５１】
はじめに、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。なお、前記絶縁基材１は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
【００５２】
次に、図１（Ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる。なお、前記回路溝３を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜２の外表面を基準として、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて切削する。また、必要に応じて、前記絶縁基材１に貫通孔４を形成するための穴あけを行ってもよい。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
【００５３】
次に、図１（Ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面に触媒金属（めっき触媒）５を被着させる。このとき、前記絶縁基材１に前記貫通孔４が形成されている場合には、前記貫通孔４の内壁表面にも前記触媒金属５が被着される。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
【００５４】
次に、図１（Ｄ）に示すように、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる。そうすることによって、前記絶縁基材１の、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分の表面にのみ触媒金属５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着された触媒金属５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
【００５５】
次に、図１（Ｅ）に示すように、前記樹脂被膜２が剥離された絶縁基材１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属５が残存する部分にのみめっき層６が形成される。すなわち、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分に、電気回路となるめっき層６が形成される。そして、電気回路は、このめっき層６からなるものであってもよいし、前記めっき層６にさらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図１（Ｅ）に示すように、前記回路溝３全体を埋めるようにめっき層６からなる電気回路を形成させ、前記絶縁基材と前記電気回路との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【００５６】
上記各工程によって、図１（Ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。このように形成された回路基板１０は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。
【００５７】
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。
【００５８】
なお、図２は、第１実施形態において、前記回路溝形成工程後と前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を説明するための図面である。図２（Ａ）は、前記回路溝形成工程後の絶縁基材１の状態を示し、図２（Ｂ）は、前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を示す。
【００５９】
まず、前記回路溝形成工程後の絶縁基材１は、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材１にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、回路溝３が形成されている。そして、前記回路溝３の表面には、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材１に含有されていたフィラー１１が部分的に露出したり、フィラー１１に基づく隆起が形成されていたりすると考えられる。よって、前記回路溝３の表面が、フィラー１１に由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、前記触媒被着工程によって、前記回路溝３の表面に被着させた触媒金属は、この微小な凹凸によって、脱落しにくいと考えられる。
【００６０】
その後、前記被膜剥離工程によって、樹脂被膜２を剥離した後、前記めっき処理工程において、無電解めっきを施すことによって、図２（Ｂ）に示すように、前記回路溝３上に電気回路となるめっき層７が形成される。このめっき層７は、前記回路溝３の表面に被着させた触媒金属の脱落が抑制されているので、欠損の発生を充分に抑制しつつ形成できると考えられる。
【００６１】
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。
【００６２】
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００６３】
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００６４】
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。すなわち、前記めっき層７にフィルアップめっきを施しても、得られた電気回路は、絶縁基材から剥離されにくいものになると考えられる。
【００６５】
これに対して、フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合、本実施形態と同様の方法で、電気回路を形成しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを、本発明者等は発見した。以下のようになると推察される。
【００６６】
なお、図３は、フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合の絶縁基材２１の状態を説明するため図面である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に対応する図面である。
【００６７】
まず、レーザ加工又は機械加工によって、絶縁基材２１に形成された回路溝２３の表面は、平滑であるので、前記回路溝２３の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落すると考えられる。
【００６８】
その後、樹脂被膜２２を剥離した後、無電解めっきを施しても、図３（Ｂ）に示すように、前記回路溝２３の表面に触媒金属が被着されていない部分に起因する、前記回路溝２３上に電気回路となるめっき層２５が形成されない部分２３ａが形成されると考えられる。
【００６９】
また、絶縁基材２１は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きくなる。よって、温度変化によって、絶縁基材２１が変形しやすく、その変形によってめっき層２５にかかる応力が、めっき層２５と絶縁基材２１との密着力を上回ってしまい、めっき層２５が剥離した部分２５ａが形成されてしまうと考えられる。
【００７０】
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝２３を形成する際、絶縁基材２１にフィラーが含有されていないので、絶縁基材２１の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝２３の形状がいびつになると考えられる。よって、めっき層２５にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、めっき層２５にかかる応力が、めっき層２５と絶縁基材２１との密着力を上回ってしまう部分ができ、めっき層２５が剥離した部分２５ａが形成されてしまうと考えられる。
【００７１】
以上のことから、電気回路となるめっき層２５が絶縁基材２１の回路溝２３上に形成されなかったり、剥離してしまうと考えられる。すなわち、前記めっき層２５にさらにフィルアップめっきを施した場合、得られた電気回路は、絶縁基材２１からより剥離しやすいものになると考えられる。
【００７２】
以下、本実施形態の各構成について、説明する。
【００７３】
前記絶縁基材１は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
【００７４】
前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。
【００７５】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、指環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７６】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７７】
前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。
【００７８】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。
【００７９】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８０】
また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８１】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００８２】
前記フィラーは、上記各フィラー中でも、無機微粒子が、高充填化を容易に行うことができる点や、凹凸形状によるアンカー効果をより発揮できる点から好ましい。さらに、この中でも、シリカ微粒子が、上記効果に加えて、低膨張化、低吸湿化、低誘電率化、低誘電正接化、高強度化、高弾性率化等を発揮でき、耐熱性を高めることができる点から好ましい。また、得られる回路基板の放熱性を高める必要がある場合は、シリカ粒子だけではなく、シリカ微粒子とともにアルミナ微粒子や水酸化アルミニウム微粒子を含有させることが好ましい。
【００８３】
前記フィラーの含有量は、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％であることが好ましく、３０〜９０質量％であることが好ましく、６０〜９０質量％であることが好ましい。前記フィラーの含有量として、上記範囲内にすると、電気回路、例えば、Ｃｕからなる電気回路の線膨張係数に近づき、低反り及び低応力を実現できる。また、前記フィラーの含有量が少なすぎる場合、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーの含有量が多すぎる場合、絶縁基材の平滑性が低下し、よって、被膜剥離工程での樹脂被膜を剥離する際、絶縁基材を損傷してしまう等の不具合が発生する傾向がある。
【００８４】
前記フィラーの平均粒子径は、０．０５〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜７μｍであることがより好ましい。また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅Ｗ、前記回路溝の深さＤ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％であることが好ましく、０．５〜４０％であることがより好ましい。なお、ここで平均粒子径とは、体積平均粒子径のことを指し、一般的な粒度計、例えば、粒度計（株式会社島津製作所製のＳＡＬＤ２１００）を用いて測定することができる。
【００８５】
前記フィラーが小さすぎると、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーが大きすぎると、より高密度化された回路、例えば、線幅及び線間隔が１０μｍ以下の回路を形成する際、所望の回路溝を形成できない傾向がある。さらに、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向もある。このことは、フィラーが大きすぎると、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくくなることによると考えられる。
【００８６】
また、フィラーの平均粒子径は、前記回路溝の幅（トレンチ幅）が１０μｍ以下の場合、０．０５〜３μｍであることが好ましく、トレンチ幅が１０μｍを超え２０μｍ以下の場合、０．０５〜５μｍであることが好ましく、トレンチ幅が２０μｍを超え３０μｍ以下の場合、０．０５〜７μｍであることが好ましく、トレンチ幅が３０μｍを超える場合、０．０５〜１０μｍであることが好ましい。
【００８７】
また、前記隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅（トレンチ間幅）、及び前記回路溝の深さ（トレンチ深さ）についても、前記トレンチ幅と同様の関係が満たされる。
【００８８】
そして、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのうちの最小値が、フィラーの平均粒子径の好適範囲を決定する。具体的には、例えば、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのいずれもが、２０μｍである場合、平均粒子径が０．０５〜５μｍのフィラーが好適に用いられる。一方、前記トレンチ幅、及び前記トレンチ間幅がいずれも２０μｍであっても、前記トレンチ深さが１０μｍであれば、平均粒子径が０．０５〜３μｍのフィラーが好適に用いられる。
【００８９】
また、前記絶縁基材の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材１の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。
【００９０】
前記樹脂被膜２は、前記被膜剥離工程で剥離可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる膨潤性樹脂からなる樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、後述する所定の液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜等が挙げられる。
【００９１】
前記樹脂被膜２の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の主面に液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、前記絶縁基材１の主面に予め形成された樹脂フィルム等の樹脂被膜２になり得るものを貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等が挙げられる。
【００９２】
前記樹脂被膜２の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜２の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜２の厚みが厚すぎる場合には、レーザ加工又は機械加工することにより形成される溝や孔等の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜２の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。
【００９３】
次に、前記樹脂被膜２として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
【００９４】
前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜がより好ましく、１０００％以下である樹脂被膜がさらに好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜剥離工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。また、前記膨潤度が高すぎる場合には、被膜強度が低下することにより剥離する際に破れる等して剥離が困難になる傾向がある。
【００９５】
前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の主面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁基材１の主面に転写する方法等が挙げられる。
【００９６】
膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００９７】
なお、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜剥離工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。
【００９８】
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が２５％以下、さらには１０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００９９】
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【０１００】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。
【０１０１】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【０１０２】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が小さすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【０１０３】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。
【０１０４】
また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【０１０５】
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【０１０６】
膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方
法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【０１０７】
また、前記回路溝形成工程で形成される回路溝の幅は特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路溝が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含むことが好ましい。前記回路溝３によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。具体的には、例えば、ここで形成される回路溝の幅は、本実施形態で形成する電気回路の線幅となる。すなわち、このような線幅の狭い電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。
【０１０８】
なお、回路溝の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路と絶縁基材とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路の深さとなる。また、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な回路も容易に形成できる。
【０１０９】
前記めっき触媒５は、前記めっき処理工程において無電解めっきによりめっき層を形成したい部分にのみめっき層を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の剥離後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【０１１０】
めっき触媒５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【０１１１】
はじめに、回路溝３及び貫通孔４が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【０１１２】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【０１１３】
前記樹脂被膜２を除去する方法としては、アルカリ溶液等の液に樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬することにより、樹脂被膜２を溶解除去又は膨潤剥離するような方法が挙げられる。アルカリ溶液としては、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等が用いられうる。また、浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１１４】
また、前記樹脂被膜２として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
【０１１５】
前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる液体（膨潤液）としては、絶縁基材１、膨潤性樹脂被膜２及びめっき触媒５を実質的に分解又は溶解させることなく、膨潤性樹脂被膜２が容易に剥離される程度に膨潤させうる液体であれば特に限定なく用いられうる。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜２の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
【０１１６】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜２が、酸性条件下においては膨潤度が１０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
【０１１７】
膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１１８】
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒５が被着された部分のみに無電解めっき膜（めっき層）を析出させるような方法が用いられうる。
【０１１９】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１２０】
無電解めっき膜６の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。特に、前記回路溝３の深さを深くすることにより、膜厚の厚いめっきであって、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。
【０１２１】
めっき処理工程により、絶縁基材１表面のめっき触媒５が残留する部分のみに無電解めっき膜が析出する。そのために、回路溝を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路溝を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１２２】
（第２実施形態）
前記第１実施形態では、平面の絶縁基材上に電気回路を形成して得られる回路基板について説明したが、本発明は、特に、それに限定されない。具体的には、絶縁基材として、段差状の立体面を有するような三次元形状の絶縁基材を用いても、正確な配線の電気回路を備える回路基板（立体回路基板）が得られる。
【０１２３】
以下、第２実施形態にかかる立体回路基板の製造方法について説明する。
【０１２４】
図４は、第２実施形態に係る立体回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【０１２５】
はじめに、図４（Ａ）に示すように、段差部分を有する立体絶縁基材５１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
【０１２６】
前記立体絶縁基材５１としては、従来から知られた立体回路基板の製造に用いられうるような各種樹脂成形体が特に限定なく用いられうる。このような成形体は射出成形により得ることが、生産効率の点から好ましい。樹脂成形体を得るための樹脂材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、各種ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。
【０１２７】
前記樹脂被膜２の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記第１実施形態の場合と同様の形成方法等が挙げられる。
【０１２８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２が形成された立体絶縁基材５１に、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる。なお、前記回路溝３を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜２の外表面を基準として、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて切削する。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
【０１２９】
前記回路溝３によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。
【０１３０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面に触媒金属（めっき触媒）５を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。このような触媒被着処理により、図４（Ｃ）に示すように、回路溝３の表面、及び樹脂被膜２の表面に触媒金属５を被着させることができる。
【０１３１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、前記立体絶縁基材５１から前記樹脂被膜２を剥離させる。そうすることによって、前記立体絶縁基材５１の前記回路溝３が形成された部分の表面にのみ触媒金属５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着された触媒金属５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
【０１３２】
次に、図４（Ｅ）に示すように、前記樹脂被膜２が剥離された立体絶縁基材５１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属５が残存する部分にのみめっき層６が形成される。すなわち、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分に、電気回路となるめっき層６が形成される。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【０１３３】
上記各工程によって、図４（Ｅ）に示すような、三次元形状の立体絶縁基材５１に電気回路６が形成された回路基板６０が形成される。このように形成された回路基板６０は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。また、本実施形態にかかる回路基板は、立体回路基板の段差部を有する面にも、正確且つ容易に回路形成されている。
【実施例】
【０１３４】
以下、本実施形態の製造方法を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。
【０１３５】
（実施例１）
まず、絶縁基材として、平均粒子径０．５μｍのシリカ粒子（株式会社アドマテックス製のＳＯ−Ｃ２）と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の８５０Ｓ）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製のＤＩＣＹ）とからなる基材を用意した。なお、前記絶縁基材は、前記シリカ粒子の含有量が前記絶縁基材に対して３０質量％であり、厚みが１００μｍの基材であった。
【０１３６】
次に、前記絶縁基材の表面に、２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の被膜（樹脂被膜）を形成した。なお、被膜の形成は、前記絶縁基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１３７】
そして、樹脂被膜が形成された絶縁基材に対して、レーザ加工により幅２０μｍ、深さ２０μｍ、長さ３０ｍｍの略長方形断面の回路溝の形成を行った。なお、レーザ加工には、ＵＶ−ＹＡＧレーザを備えたレーザ光照射装置（ＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０）を用いた。
【０１３８】
次に、回路溝が形成された絶縁基材をクリーナーコンディショナ（界面活性剤溶液、ｐH＜１：ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製のＣ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト株式会社製、ｐH＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核（触媒金属）となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材に吸着させた。
【０１３９】
次に、ｐH＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、絶縁基材を、ｐH１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面のＳＢＲ被膜は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材表面にＳＢＲ被膜の断片等が残っていなかった。そして、絶縁基材を無電解めっき液（シプレイ・ファーイースト株式会社製の、ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。
【０１４０】
前記無電解銅めっき処理により、前記回路溝上に厚み５μｍのめっき層が形成された。さらに、無電解銅めっき処理（フィルアップめっき）を、前記回路溝を埋めるまで行った
なお、膨潤性樹脂被膜の膨潤度は、以下のように求めた。
【０１４１】
離型紙上に膨潤性樹脂被膜を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥した。これにより２μｍ厚の樹脂被膜を形成した。そして、形成された被膜を強制的に剥離することにより、試料を得た。
【０１４２】
そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ（ｂ）とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。また、別の試料を同様にして、２０±２℃の塩酸５％水溶液（ｐＨ１）１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。
【０１４３】
そして、遠心分離器を用いて１０００Gで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍ（ａ）とした。得られた、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）×１００（%）」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、ＪＩＳ Ｌ１０１５ ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行った。
【０１４４】
このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は７５０％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３％であった。
【０１４５】
（実施例２）
前記シリカ粒子の含有量が３０質量％の絶縁基材から、５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４６】
（実施例３）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が１．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４７】
（実施例４）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が１．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４８】
（実施例５）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が１．７μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が７５質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４９】
（実施例６）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が０．０５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１５０】
（実施例７）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が０．０５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１５１】
（比較例）
絶縁基材として、フィラーを含有しない絶縁基材［ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の８５０Ｓ）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製のＤＩＣＹ）とからなる基材］を用いること以外、実施例１と同様である。
【０１５２】
前記実施例１〜７及び比較例を以下のように評価した。
【０１５３】
（回路溝の形状）
まず、回路溝を形成した後の絶縁基材を、前記回路溝の延びる方向に垂直な方向に、
７箇所、切断した。その切断面をマイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５４】
◎：樹脂の溶出が確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、１箇所であった
△：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、２箇所であった
×：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、３箇所以上であった。
【０１５５】
（めっき未着）
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝（幅２０μｍ、長さ３０ｍｍ）上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前に、マイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５６】
◎：めっき層が形成されていないと確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、１箇所であった
△：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、２箇所であった
×：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、３箇所以上であった。
【０１５７】
（めっき剥離）
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝（幅２０μｍ、長さ３０ｍｍ）上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前にマイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５８】
◎：めっき層が剥離していると確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：めっき層が剥離していると確認された箇所が、１箇所であった
△：めっき層が剥離していると確認された箇所が、２箇所であった
×：めっき層が剥離していると確認された箇所が、３箇所以上であった。
【０１５９】
上記評価結果を、表１に示す。
【０１６０】
【表１】
【０１６１】
表１からわかるように、フィラーであるシリカ粒子を含有する絶縁基材を用いた場合（実施例１〜７）は、フィラーを含有しない絶縁基材を用いた場合と比較して、回路溝を形成する際に、回路溝内に発生する樹脂の溶出を抑制されていた。さらに、実施例１〜７は、比較例と比較して、めっき未着やめっき剥離が抑制されていた。これらのことから、実施例１〜７によれば、電気回路と絶縁基材との密着性の高い回路基板が得られることがわかった。
【符号の説明】
【０１６２】
１，２１ 絶縁基材
２，２２ 樹脂被膜
３，２３ 回路溝
４ 貫通孔
５ 触媒金属
６ めっき層（電気回路）
７ めっき層
１０ 回路基板
１１ フィラー
５１ 立体絶縁基材
６０ 回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、及び前記回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の携帯情報端末機器、コンピュータ及びその周辺機器、及び各種情報家電製品等の電気機器において、高機能化が急速に進行している。それに伴って、これら電気機器に搭載される回路基板には、電気回路のさらなる高密度化が要求されている。このような回路の高密度化の要求を満たすために、線幅及び線間隔（隣り合う電気回路と電気回路との間の部分の幅）のより狭い電気回路の配線を正確に形成できる方法が求められている。高密度化された回路配線においては、配線間における短絡やマイグレーション等が発生しやすくなっている。
【０００３】
回路基板の製造方法としては、サブトラクティブ法やアディティブ法等によって、絶縁基材上に電気回路を形成する方法等が知られている。サブトラクティブ法とは、金属箔張積層板の表面の電気回路を形成したい部分以外の金属箔を除去（サブトラクティブ）することにより、電気回路を形成する方法である。一方、アディティブ法とは、絶縁基材上の回路を形成したい部分のみに無電解めっきを施すことにより、電気回路を形成する方法である。
【０００４】
サブトラクティブ法は、金属箔張積層板表面の金属箔をエッチングすることにより、電気回路を形成したい部分のみの金属箔を残し、その他の部分を除去する方法である。この方法によれば、除去される部分の金属を浪費することになるために製造コストの点等から不利である。一方、アディティブ法は、電気回路を形成したい部分にのみ、無電解めっきによって金属配線を形成することができる。このために、金属を浪費せず、資源の無駄が少ない。このような点からも、アディティブ法は、好ましい回路形成方法である。
【０００５】
従来の代表的なアディティブ法の１つであるフルアディティブ法により、金属配線からなる電気回路を形成する方法について、図５を参照しながら説明する。なお、図５は、従来のフルアディティブ法による金属配線を形成する各工程を説明するための模式断面図である。
【０００６】
はじめに、図５（Ａ）に示すように、スルーホール１０１が形成された絶縁基材１００の表面にめっき触媒１０２を被着させる。なお、絶縁基材１００の表面は、予め粗化されている。次に、図５（Ｂ）に示すように、めっき触媒１０２を被着させた絶縁基材１００上に、フォトレジスト層１０３を形成させる。次に、図５（Ｃ）に示すように、所定の回路パターンが形成されたフォトマスク１１０を介して、前記フォトレジスト層１０３を露光させる。次に、図５（Ｄ）に示すように、露光したフォトレジスト層１０３を現像して、回路パターン１０４を形成させる。そして、図５（Ｅ）に示すように、無電解銅めっき等の無電解めっきを施すことによって、現像により形成された回路パターン１０４の表面及びスルーホール１０１の内壁面に金属配線１０５を形成させる。上記のような各工程を施すことにより、絶縁基材１００上に金属配線１０５からなる回路が形成される。
【０００７】
上述した従来のアディティブ法においては、絶縁基材１００の表面全体にめっき触媒１０２が被着される。そのために、次のような問題が生じていた。すなわち、フォトレジスト層１０３が高精度に現像された場合には、フォトレジストで保護されていない部分のみにめっきを形成させることができる。しかしながら、フォトレジスト層１０３が高精度に現像されなかった場合には、図６に示すように、本来めっきを形成したくない部分に不要なめっき部分１０６が残ることがある。これは、絶縁基材１００の表面全体にめっき触媒１０２が被着されているために起こる。不要なめっき部分１０６は、隣接する回路間に短絡やマイグレーション等を引き起こす。このような短絡やマイグレーションは、線幅及び線間隔の狭い回路を形成する場合にはより生じやすくなる。なお、図６は、従来のフルアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための模式断面図である。
【０００８】
また、上記の回路基板の製造方法とは異なる製造方法としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の製造方法等が挙げられる。
【０００９】
特許文献１には、別のアディティブ法として以下のような方法が開示されている。
【００１０】
はじめに、絶縁基板（絶縁基材）に溶剤可溶性の第１の感光性樹脂層とアルカリ可溶性の第２の感光性樹脂層を形成する。そして、第１及び第２の感光性樹脂層を所定の回路パターンを有するフォトマスクを介して露光する。次に、第１及び第２の感光性樹脂層を現像する。次に、現像により生じた凹部を含む表面全体に触媒を吸着させた後、アルカリ可溶性の第２の感光性樹脂をアルカリ溶液で溶解させることにより不要な触媒のみを除去する。そして、その後、無電解めっきを施すことにより触媒が存在する部分にのみ正確に回路を形成する。
【００１１】
また、下記特許文献２には、以下のような方法が開示されている。
【００１２】
はじめに、絶縁基板（絶縁基材）上に樹脂の保護膜をコーティングする（第１の工程）。次に、前記保護膜をコーティングした絶縁基板上に機械加工あるいはレーザービームの照射により配線パターンに対応した溝及びスルーホールを単独又は同時に描画形成する（第２の工程）。次に、前記絶縁基板全面に活性化層を形成する（第３の工程）。次に、前記保護膜を剥離して前記絶縁基板上の活性化層を除去し溝及びスルーホールの内壁面にのみ活性化層を残す（第４の工程）。次に、前記絶縁基板にめっき保護膜を用いないめっきを施し前記活性化された溝およびスルーホールの内壁面にのみ選択的に導電層を形成する（第５の工程）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭５７−１３４９９６号公報
【特許文献２】特開昭５８−１８６９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法によれば、溶剤溶解性の異なる２種の感光性樹脂層を形成し、また、現像時においても２種の溶剤で現像し、触媒を吸着させた後に、さらに、アルカリ溶液で第２の感光性樹脂を溶解させる必要があるなど、製造工程が非常に煩雑であった。
【００１５】
また、特許文献２には、絶縁基板上に保護膜として熱硬化性樹脂をコーティングし加熱硬化させた後、所定の配線パターンに従って保護膜及び絶縁基板を切削加工することや、絶縁基板表面の熱硬化性樹脂を溶剤で除去することが記載されている（特許文献２の第２頁左下欄第１６行〜右下欄第１１行）。
【００１６】
特許文献２に記載された保護膜として用いられる熱硬化性樹脂については、その種類については特に記載されていない。一般的な熱硬化性樹脂は、耐溶剤性に優れているために単なる溶剤では除去しにくいという問題があった。また、このような熱硬化性樹脂は、樹脂基材との密着性が高すぎて、樹脂基材の表面に保護膜の断片を残すことなく、保護膜のみを正確に除去することは困難であった。また、充分に剥離するために強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、基材表面のめっき触媒も除去されてしまう。この場合には、めっき触媒が除去された部分には導電層が形成されなくなる。また、強い溶剤を用いたり、長時間浸漬したりした場合には、熱硬化性樹脂からなる保護膜がバラバラになるように崩れ、保護膜中のめっき触媒が溶剤中に再分散されることがあった。このように溶剤中に再分散されためっき触媒は、樹脂基材表面に再付着してしまい、その部分に不要なめっき膜が形成されてしまうおそれもあった。そのために特許文献２に開示された方法のような方法によれば、正確な輪郭を有する回路を形成することが困難であった。
【００１７】
さらに、上述したような従来の各種回路基板の製造方法を用いて、電気回路の高密度化を実現するために線幅及び線間隔の狭い電気回路を形成した場合、以下のような問題が生じる。すなわち、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、電気回路を構成する金属配線が、絶縁基材の回路溝から剥離しやすくなるという問題があった。このような回路の剥離は、電子機器の信頼性を低下させる原因になりうる。
【００１８】
具体的に、携帯電話機をはじめとする携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板において起こりうる問題を一例として説明する。
【００１９】
携帯情報端末機器に搭載される電気回路基板には、比較的大きなＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）が実装される。このようなＬＳＩは、電気回路基板の回路の一部として形成されたランド部分において、半田バンプにより接合される。携帯情報端末機器は、携帯されるために衝撃を受ける機会が多々ある。このような衝撃を受けた場合、実装されたＬＳＩに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が絶縁基材から剥離するおそれがあった。
【００２０】
さらに、回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、回路を構成する金属配線の強度も低下するという問題もあった。上記の例においては、このことが原因となって、ＬＳＩに実装されたＬＳＩに力が掛かってランド部分を構成する金属配線が切断して損傷を受けるおそれがあった。
【００２１】
すなわち、電気回路の線幅及び線間隔が狭くなるにつれて、上記のような回路の損傷は起りやすくなるという問題があった。
【００２２】
上記のような問題を解決するために、回路配線の線幅を広くして、金属配線を補強し、金属配線と絶縁基材との接触面積を広げて、金属配線と絶縁基材との密着性を高める方法が考えられる。しかしながら、このような方法では、回路の高密度化が図れなくなる。
【００２３】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を提供することを目的とする。また、前記回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明者等は、絶縁基材と電気回路との密着性を高めるために、絶縁基材の組成に着目した。フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、レーザ加工又は機械加工することによって形成される回路溝の表面は、フィラーが含有されていないので、平滑になりやすいと考えられる。そして、一般的には、表面が平滑な回路溝のほうが、電気回路を形成しやすいと考え、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを含有させないと考えられる。
【００２５】
しかしながら、本発明者等は、フィラーを含有していない絶縁基材を用いた場合、前記絶縁基材に形成させた回路溝の表面に触媒金属を被着させた後に無電解めっきを施しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを発見した。
【００２６】
そして、本発明者等は、この現象は以下のことによると推察した。
【００２７】
まず、前記回路溝の表面が平滑であるので、前記回路溝の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落することによると考えた。
【００２８】
さらに、絶縁基材は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きいことによると考えた。具体的には、温度変化によって、絶縁基材が変形しやすく、その変形によって電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまうためであると考えた。
【００２９】
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されていないので、絶縁基材の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝の形状がいびつになることによると考えた。すなわち、電気回路にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、電気回路にかかる応力が、電気回路と絶縁基材との密着力を上回ってしまう部分ができるためであると考えた。
【００３０】
そこで、本発明者等は、レーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝の表面の平滑性を低めうるフィラーを絶縁基材にあえて含有することによって、以下のような本発明に想到するに到った。
【００３１】
本発明の一態様に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。
【００３２】
上記のような構成によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られる。なお、前記電気回路は、具体的には、前記無電解めっきを施すことによって、絶縁基材の回路溝上に形成される。
【００３３】
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。
【００３４】
まず、前記回路溝を形成する際、絶縁基材にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、形成される回路溝の表面が、フィラーに由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、この微小な凹凸によって、前記回路溝の表面に被着させた触媒金属の脱落を充分に抑制することができると考えられる。よって、無電解めっきによって、前記回路溝上に形成される電気回路の欠損の発生を充分に抑制することができると考えられる。
【００３５】
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。
【００３６】
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００３７】
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００３８】
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。
【００３９】
また、前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４０】
また、前記フィラーの平均粒子径が、０．０５〜１０μｍであることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４１】
また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。
【００４２】
また、前記フィラーが、無機微粒子であることが好ましい。このような構成によれば、電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性のより高い回路基板が得られる。このことは、上記メカニズムのうち、例えば、絶縁基材の熱膨張係数をより小さくすることができることによる寄与をより大きくできると考えられる。すなわち、温度変化により絶縁基材がより変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力がより少なくなる。よって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離をより抑制することができると考えられる。
【００４３】
また、前記電気回路が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含むことが好ましい。このような線幅の狭い部分を含む電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。
【００４４】
また、本発明の他の一態様に係る回路基板の製造方法は、絶縁基材表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーを含有するものを用いることを特徴とする。
【００４５】
上記の構成によれば、線幅及び線間隔の狭い電気回路を絶縁基材上に形成した場合であっても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高い回路基板を提供することができる。また、前記回路基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１実施形態に係る回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【図２】第１実施形態において、前記回路溝形成工程後と前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を説明するための図面である。
【図３】フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合の絶縁基材２１の状態を説明するため図面である。
【図４】第２実施形態に係る立体回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【図５】従来のフルアディティブ法による金属配線を形成する各工程を説明するための模式断面図である。
【図６】従来のフルアディティブ法により形成された回路の輪郭形状を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００４９】
本実施形態に係る回路基板は、表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする。
【００５０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる回路基板を製造する方法について説明する。図１は、第１実施形態に係る回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【００５１】
はじめに、図１（Ａ）に示すように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。なお、前記絶縁基材１は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
【００５２】
次に、図１（Ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる。なお、前記回路溝３を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜２の外表面を基準として、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて切削する。また、必要に応じて、前記絶縁基材１に貫通孔４を形成するための穴あけを行ってもよい。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
【００５３】
次に、図１（Ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面に触媒金属（めっき触媒）５を被着させる。このとき、前記絶縁基材１に前記貫通孔４が形成されている場合には、前記貫通孔４の内壁表面にも前記触媒金属５が被着される。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
【００５４】
次に、図１（Ｄ）に示すように、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる。そうすることによって、前記絶縁基材１の、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分の表面にのみ触媒金属５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着された触媒金属５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
【００５５】
次に、図１（Ｅ）に示すように、前記樹脂被膜２が剥離された絶縁基材１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属５が残存する部分にのみめっき層６が形成される。すなわち、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分に、電気回路となるめっき層６が形成される。そして、電気回路は、このめっき層６からなるものであってもよいし、前記めっき層６にさらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図１（Ｅ）に示すように、前記回路溝３全体を埋めるようにめっき層６からなる電気回路を形成させ、前記絶縁基材と前記電気回路との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【００５６】
上記各工程によって、図１（Ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。このように形成された回路基板１０は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。
【００５７】
上述した絶縁基材と電気回路との密着性を高める効果は、以下のメカニズムによると推察される。
【００５８】
なお、図２は、第１実施形態において、前記回路溝形成工程後と前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を説明するための図面である。図２（Ａ）は、前記回路溝形成工程後の絶縁基材１の状態を示し、図２（Ｂ）は、前記めっき処理工程中の絶縁基材１の状態を示す。
【００５９】
まず、前記回路溝形成工程後の絶縁基材１は、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材１にレーザ加工又は機械加工を施すことによって、回路溝３が形成されている。そして、前記回路溝３の表面には、図２（Ａ）に示すように、絶縁基材１に含有されていたフィラー１１が部分的に露出したり、フィラー１１に基づく隆起が形成されていたりすると考えられる。よって、前記回路溝３の表面が、フィラー１１に由来する微小な凹凸が形成されると考えられる。そして、前記触媒被着工程によって、前記回路溝３の表面に被着させた触媒金属は、この微小な凹凸によって、脱落しにくいと考えられる。
【００６０】
その後、前記被膜剥離工程によって、樹脂被膜２を剥離した後、前記めっき処理工程において、無電解めっきを施すことによって、図２（Ｂ）に示すように、前記回路溝３上に電気回路となるめっき層７が形成される。このめっき層７は、前記回路溝３の表面に被着させた触媒金属の脱落が抑制されているので、欠損の発生を充分に抑制しつつ形成できると考えられる。
【００６１】
さらに、この微小な凹凸によるアンカー効果によって、絶縁基材の回路溝上に形成される電気回路と絶縁基材との密着性を高めることができると考えられる。
【００６２】
また、前記絶縁基材は、フィラーを含有するので、熱膨張係数が小さくなる。よって、温度変化により絶縁基材が変形しにくく、形成される電気回路にかかる応力が少なくなる。したがって、その変形によって電気回路にかかる応力による、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００６３】
さらに、レーザ加工又は機械加工によって回路溝を形成する際、絶縁基材にフィラーが含有されているので、絶縁基材の耐熱性が高く、熱による溶融が発生しにくい。よって、形成される回路溝の形状がいびつになることを充分に抑制できると考えられる。すなわち、回路溝の形状がいびつになることが抑制されるので、電気回路にかかる応力が均一になり、電気回路の剥離を抑制することができると考えられる。
【００６４】
以上のことから、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい回路基板が得られると考えられる。すなわち、前記めっき層７にフィルアップめっきを施しても、得られた電気回路は、絶縁基材から剥離されにくいものになると考えられる。
【００６５】
これに対して、フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合、本実施形態と同様の方法で、電気回路を形成しても、回路溝上に電気回路となるめっき層が形成されていない箇所や形成されためっき層が剥がれるという現象が生じることを、本発明者等は発見した。以下のようになると推察される。
【００６６】
なお、図３は、フィラーを含有していない絶縁基材２１を用いた場合の絶縁基材２１の状態を説明するため図面である。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に対応する図面である。
【００６７】
まず、レーザ加工又は機械加工によって、絶縁基材２１に形成された回路溝２３の表面は、平滑であるので、前記回路溝２３の表面に触媒金属を被着させても、充分に被着せず、脱落すると考えられる。
【００６８】
その後、樹脂被膜２２を剥離した後、無電解めっきを施しても、図３（Ｂ）に示すように、前記回路溝２３の表面に触媒金属が被着されていない部分に起因する、前記回路溝２３上に電気回路となるめっき層２５が形成されない部分２３ａが形成されると考えられる。
【００６９】
また、絶縁基材２１は、フィラーを含有していないので、熱線膨張係数が大きくなる。よって、温度変化によって、絶縁基材２１が変形しやすく、その変形によってめっき層２５にかかる応力が、めっき層２５と絶縁基材２１との密着力を上回ってしまい、めっき層２５が剥離した部分２５ａが形成されてしまうと考えられる。
【００７０】
そして、レーザ加工又は機械加工によって回路溝２３を形成する際、絶縁基材２１にフィラーが含有されていないので、絶縁基材２１の耐熱性が低く、熱による溶融が発生して、回路溝２３の形状がいびつになると考えられる。よって、めっき層２５にかかる応力が、このいびつな形状により不均一になり、めっき層２５にかかる応力が、めっき層２５と絶縁基材２１との密着力を上回ってしまう部分ができ、めっき層２５が剥離した部分２５ａが形成されてしまうと考えられる。
【００７１】
以上のことから、電気回路となるめっき層２５が絶縁基材２１の回路溝２３上に形成されなかったり、剥離してしまうと考えられる。すなわち、前記めっき層２５にさらにフィルアップめっきを施した場合、得られた電気回路は、絶縁基材２１からより剥離しやすいものになると考えられる。
【００７２】
以下、本実施形態の各構成について、説明する。
【００７３】
前記絶縁基材１は、フィラーが含有されている。具体的には、例えば、樹脂とフィラーとを含む基材等が挙げられる。
【００７４】
前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。
【００７５】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、指環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂としては、上記各エポキシ樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７６】
また、上記各樹脂で基材を構成する場合、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７７】
前記フィラーとしては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。
【００７８】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。
【００７９】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８０】
また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８１】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００８２】
前記フィラーは、上記各フィラー中でも、無機微粒子が、高充填化を容易に行うことができる点や、凹凸形状によるアンカー効果をより発揮できる点から好ましい。さらに、この中でも、シリカ微粒子が、上記効果に加えて、低膨張化、低吸湿化、低誘電率化、低誘電正接化、高強度化、高弾性率化等を発揮でき、耐熱性を高めることができる点から好ましい。また、得られる回路基板の放熱性を高める必要がある場合は、シリカ粒子だけではなく、シリカ微粒子とともにアルミナ微粒子や水酸化アルミニウム微粒子を含有させることが好ましい。
【００８３】
前記フィラーの含有量は、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％であることが好ましく、３０〜９０質量％であることが好ましく、６０〜９０質量％であることが好ましい。前記フィラーの含有量として、上記範囲内にすると、電気回路、例えば、Ｃｕからなる電気回路の線膨張係数に近づき、低反り及び低応力を実現できる。また、前記フィラーの含有量が少なすぎる場合、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーの含有量が多すぎる場合、絶縁基材の平滑性が低下し、よって、被膜剥離工程での樹脂被膜を剥離する際、絶縁基材を損傷してしまう等の不具合が発生する傾向がある。
【００８４】
前記フィラーの平均粒子径は、０．０５〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜７μｍであることがより好ましい。また、前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅Ｗ、前記回路溝の深さＤ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％であることが好ましく、０．５〜４０％であることがより好ましい。なお、ここで平均粒子径とは、体積平均粒子径のことを指し、一般的な粒度計、例えば、粒度計（株式会社島津製作所製のＳＡＬＤ２１００）を用いて測定することができる。
【００８５】
前記フィラーが小さすぎると、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向がある。このことは、前記回路溝や前記貫通孔の表面に、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくいことによると考えられる。また、前記フィラーが大きすぎると、より高密度化された回路、例えば、線幅及び線間隔が１０μｍ以下の回路を形成する際、所望の回路溝を形成できない傾向がある。さらに、めっき層が形成されない部分の発生やめっき層の剥離を充分に抑制できない傾向もある。このことは、フィラーが大きすぎると、上述したようなフィラー由来の微小な凹凸が形成されにくくなることによると考えられる。
【００８６】
また、フィラーの平均粒子径は、前記回路溝の幅（トレンチ幅）が１０μｍ以下の場合、０．０５〜３μｍであることが好ましく、トレンチ幅が１０μｍを超え２０μｍ以下の場合、０．０５〜５μｍであることが好ましく、トレンチ幅が２０μｍを超え３０μｍ以下の場合、０．０５〜７μｍであることが好ましく、トレンチ幅が３０μｍを超える場合、０．０５〜１０μｍであることが好ましい。
【００８７】
また、前記隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅（トレンチ間幅）、及び前記回路溝の深さ（トレンチ深さ）についても、前記トレンチ幅と同様の関係が満たされる。
【００８８】
そして、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのうちの最小値が、フィラーの平均粒子径の好適範囲を決定する。具体的には、例えば、前記トレンチ幅、前記トレンチ間幅、及び前記トレンチ深さのいずれもが、２０μｍである場合、平均粒子径が０．０５〜５μｍのフィラーが好適に用いられる。一方、前記トレンチ幅、及び前記トレンチ間幅がいずれも２０μｍであっても、前記トレンチ深さが１０μｍであれば、平均粒子径が０．０５〜３μｍのフィラーが好適に用いられる。
【００８９】
また、前記絶縁基材の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材１の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。
【００９０】
前記樹脂被膜２は、前記被膜剥離工程で剥離可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる膨潤性樹脂からなる樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、後述する所定の液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜等が挙げられる。
【００９１】
前記樹脂被膜２の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の主面に液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、前記絶縁基材１の主面に予め形成された樹脂フィルム等の樹脂被膜２になり得るものを貼り合せる方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等が挙げられる。
【００９２】
前記樹脂被膜２の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜２の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜２の厚みが厚すぎる場合には、レーザ加工又は機械加工することにより形成される溝や孔等の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜２の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。
【００９３】
次に、前記樹脂被膜２として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
【００９４】
前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜がより好ましく、１０００％以下である樹脂被膜がさらに好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜剥離工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。また、前記膨潤度が高すぎる場合には、被膜強度が低下することにより剥離する際に破れる等して剥離が困難になる傾向がある。
【００９５】
前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の主面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される被膜を絶縁基材１の主面に転写する方法等が挙げられる。
【００９６】
膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００９７】
なお、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜剥離工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。
【００９８】
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜剥離工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度が２５％以下、さらには１０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００９９】
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【０１００】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。
【０１０１】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【０１０２】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が小さすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【０１０３】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。
【０１０４】
また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【０１０５】
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【０１０６】
膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコーター法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方
法や、支持基材に形成されたＤＦＲを真空ラミネーター等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【０１０７】
また、前記回路溝形成工程で形成される回路溝の幅は特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路溝が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含むことが好ましい。前記回路溝３によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。具体的には、例えば、ここで形成される回路溝の幅は、本実施形態で形成する電気回路の線幅となる。すなわち、このような線幅の狭い電気回路の場合、充分に高密度化された回路を備える回路基板が得られる。また、このような線幅の狭い電気回路の場合、一般的に、電気回路と絶縁基材との接触面積が狭く、電気回路と絶縁基材との密着性が低くなり、電気回路が絶縁基材から剥離しやすい。上記のような構成にすることによって、上記のような線幅の狭い電気回路の場合であっても、電気回路と絶縁基材との密着性が充分に高く、絶縁基材からの電気回路の剥離を抑制できる回路基板が得られる。
【０１０８】
なお、回路溝の深さは、フィルアップめっきにより、電気回路と絶縁基材とに段差をなくした場合には、本実施形態で形成する電気回路の深さとなる。また、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な回路も容易に形成できる。
【０１０９】
前記めっき触媒５は、前記めっき処理工程において無電解めっきによりめっき層を形成したい部分にのみめっき層を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の剥離後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【０１１０】
めっき触媒５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【０１１１】
はじめに、回路溝３及び貫通孔４が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性触媒金属コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【０１１２】
なお、酸性触媒金属コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性触媒金属コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【０１１３】
前記樹脂被膜２を除去する方法としては、アルカリ溶液等の液に樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬することにより、樹脂被膜２を溶解除去又は膨潤剥離するような方法が挙げられる。アルカリ溶液としては、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等が用いられうる。また、浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１１４】
また、前記樹脂被膜２として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
【０１１５】
前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる液体（膨潤液）としては、絶縁基材１、膨潤性樹脂被膜２及びめっき触媒５を実質的に分解又は溶解させることなく、膨潤性樹脂被膜２が容易に剥離される程度に膨潤させうる液体であれば特に限定なく用いられうる。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜２の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
【０１１６】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するメッキプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜２が、酸性条件下においては膨潤度が１０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーから形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
【０１１７】
膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１１８】
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒５が被着された部分のみに無電解めっき膜（めっき層）を析出させるような方法が用いられうる。
【０１１９】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１２０】
無電解めっき膜６の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。特に、前記回路溝３の深さを深くすることにより、膜厚の厚いめっきであって、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。
【０１２１】
めっき処理工程により、絶縁基材１表面のめっき触媒５が残留する部分のみに無電解めっき膜が析出する。そのために、回路溝を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路溝を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１２２】
（第２実施形態）
前記第１実施形態では、平面の絶縁基材上に電気回路を形成して得られる回路基板について説明したが、本発明は、特に、それに限定されない。具体的には、絶縁基材として、段差状の立体面を有するような三次元形状の絶縁基材を用いても、正確な配線の電気回路を備える回路基板（立体回路基板）が得られる。
【０１２３】
以下、第２実施形態にかかる立体回路基板の製造方法について説明する。
【０１２４】
図４は、第２実施形態に係る立体回路基板を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【０１２５】
はじめに、図４（Ａ）に示すように、段差部分を有する立体絶縁基材５１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
【０１２６】
前記立体絶縁基材５１としては、従来から知られた立体回路基板の製造に用いられうるような各種樹脂成形体が特に限定なく用いられうる。このような成形体は射出成形により得ることが、生産効率の点から好ましい。樹脂成形体を得るための樹脂材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、各種ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。
【０１２７】
前記樹脂被膜２の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記第１実施形態の場合と同様の形成方法等が挙げられる。
【０１２８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２が形成された立体絶縁基材５１に、前記樹脂被膜２の外表面側からレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる。なお、前記回路溝３を形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、前記樹脂被膜２の外表面を基準として、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて切削する。なお、この工程は、回路溝形成工程に相当する。
【０１２９】
前記回路溝３によって、無電解めっきによってめっき層が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。
【０１３０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面に触媒金属（めっき触媒）５を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。このような触媒被着処理により、図４（Ｃ）に示すように、回路溝３の表面、及び樹脂被膜２の表面に触媒金属５を被着させることができる。
【０１３１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、前記立体絶縁基材５１から前記樹脂被膜２を剥離させる。そうすることによって、前記立体絶縁基材５１の前記回路溝３が形成された部分の表面にのみ触媒金属５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着された触媒金属５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
【０１３２】
次に、図４（Ｅ）に示すように、前記樹脂被膜２が剥離された立体絶縁基材５１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記触媒金属５が残存する部分にのみめっき層６が形成される。すなわち、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分に、電気回路となるめっき層６が形成される。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【０１３３】
上記各工程によって、図４（Ｅ）に示すような、三次元形状の立体絶縁基材５１に電気回路６が形成された回路基板６０が形成される。このように形成された回路基板６０は、絶縁基材上に形成される電気回路の線幅及び線間隔が狭くても、絶縁基材と電気回路との密着性の高く、電気回路が損傷しにくい。また、本実施形態にかかる回路基板は、立体回路基板の段差部を有する面にも、正確且つ容易に回路形成されている。
【実施例】
【０１３４】
以下、本実施形態の製造方法を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。
【０１３５】
（実施例１）
まず、絶縁基材として、平均粒子径０．５μｍのシリカ粒子（株式会社アドマテックス製のＳＯ−Ｃ２）と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の８５０Ｓ）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製のＤＩＣＹ）とからなる基材を用意した。なお、前記絶縁基材は、前記シリカ粒子の含有量が前記絶縁基材に対して３０質量％であり、厚みが１００μｍの基材であった。
【０１３６】
次に、前記絶縁基材の表面に、２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の被膜（樹脂被膜）を形成した。なお、被膜の形成は、前記絶縁基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１３７】
そして、樹脂被膜が形成された絶縁基材に対して、レーザ加工により幅２０μｍ、深さ２０μｍ、長さ３０ｍｍの略長方形断面の回路溝の形成を行った。なお、レーザ加工には、ＵＶ−ＹＡＧレーザを備えたレーザ光照射装置（ＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０）を用いた。
【０１３８】
次に、回路溝が形成された絶縁基材をクリーナーコンディショナ（界面活性剤溶液、ｐH＜１：ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製のＣ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト株式会社製、ｐH＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核（触媒金属）となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材に吸着させた。
【０１３９】
次に、ｐH＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。そして、絶縁基材を、ｐH１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面のＳＢＲ被膜は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材表面にＳＢＲ被膜の断片等が残っていなかった。そして、絶縁基材を無電解めっき液（シプレイ・ファーイースト株式会社製の、ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。
【０１４０】
前記無電解銅めっき処理により、前記回路溝上に厚み５μｍのめっき層が形成された。さらに、無電解銅めっき処理（フィルアップめっき）を、前記回路溝を埋めるまで行った
なお、膨潤性樹脂被膜の膨潤度は、以下のように求めた。
【０１４１】
離型紙上に膨潤性樹脂被膜を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥した。これにより２μｍ厚の樹脂被膜を形成した。そして、形成された被膜を強制的に剥離することにより、試料を得た。
【０１４２】
そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ（ｂ）とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。また、別の試料を同様にして、２０±２℃の塩酸５％水溶液（ｐＨ１）１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。
【０１４３】
そして、遠心分離器を用いて１０００Gで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍ（ａ）とした。得られた、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）×１００（%）」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、ＪＩＳ Ｌ１０１５ ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行った。
【０１４４】
このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は７５０％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３％であった。
【０１４５】
（実施例２）
前記シリカ粒子の含有量が３０質量％の絶縁基材から、５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４６】
（実施例３）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が１．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４７】
（実施例４）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が１．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４８】
（実施例５）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が１．７μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が７５質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１４９】
（実施例６）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材から、平均粒子径が０．０５μｍのシリカ粒子を含有する絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１５０】
（実施例７）
平均粒子径が０．５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が３０質量％の絶縁基材から、平均粒子径が０．０５μｍのシリカ粒子を含有し、その含有量が５０質量％の絶縁基材に代えたこと以外、実施例１と同様である。
【０１５１】
（比較例）
絶縁基材として、フィラーを含有しない絶縁基材［ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の８５０Ｓ）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製のＤＩＣＹ）とからなる基材］を用いること以外、実施例１と同様である。
【０１５２】
前記実施例１〜７及び比較例を以下のように評価した。
【０１５３】
（回路溝の形状）
まず、回路溝を形成した後の絶縁基材を、前記回路溝の延びる方向に垂直な方向に、
７箇所、切断した。その切断面をマイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５４】
◎：樹脂の溶出が確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、１箇所であった
△：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、２箇所であった
×：樹脂の溶出が確認された箇所が、７箇所中、３箇所以上であった。
【０１５５】
（めっき未着）
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝（幅２０μｍ、長さ３０ｍｍ）上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前に、マイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５６】
◎：めっき層が形成されていないと確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、１箇所であった
△：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、２箇所であった
×：めっき層が形成されていないと確認された箇所が、３箇所以上であった。
【０１５７】
（めっき剥離）
前記無電解めっきによって、絶縁基材の回路溝（幅２０μｍ、長さ３０ｍｍ）上に形成されためっき層を、フィルアップめっきを行う前にマイクロスコープ（株式会社ハイロックス製のＫＨ−７７００）を用いて、形成しためっき層全体を観察した。そして、以下の評価基準で評価した。
【０１５８】
◎：めっき層が剥離していると確認された箇所が全くなかった（０箇所であった）
○：めっき層が剥離していると確認された箇所が、１箇所であった
△：めっき層が剥離していると確認された箇所が、２箇所であった
×：めっき層が剥離していると確認された箇所が、３箇所以上であった。
【０１５９】
上記評価結果を、表１に示す。
【０１６０】
【表１】
【０１６１】
表１からわかるように、フィラーであるシリカ粒子を含有する絶縁基材を用いた場合（実施例１〜７）は、フィラーを含有しない絶縁基材を用いた場合と比較して、回路溝を形成する際に、回路溝内に発生する樹脂の溶出を抑制されていた。さらに、実施例１〜７は、比較例と比較して、めっき未着やめっき剥離が抑制されていた。これらのことから、実施例１〜７によれば、電気回路と絶縁基材との密着性の高い回路基板が得られることがわかった。
【符号の説明】
【０１６２】
１，２１ 絶縁基材
２，２２ 樹脂被膜
３，２３ 回路溝
４ 貫通孔
５ 触媒金属
６ めっき層（電気回路）
７ めっき層
１０ 回路基板
１１ フィラー
５１ 立体絶縁基材
６０ 回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、
前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、
前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％である請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記フィラーの平均粒子径が、０．０５〜１０μｍである請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記フィラーが、無機微粒子である請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記電気回路が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁基材表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、
前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、
前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、
前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、
前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーを含有するものを用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１】
表面に樹脂被膜を形成し、前記樹脂被膜の外表面側からレーザ加工又は機械加工することによって、所望の形状及び深さの回路溝を形成し、前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させ、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離することによって形成された絶縁基材と、
前記絶縁基材に無電解めっきを施すことによって形成された電気回路とを備え、
前記絶縁基材が、フィラーを含有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記フィラーの含有量が、前記絶縁基材に対して１０〜９０質量％である請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記フィラーの平均粒子径が、０．０５〜１０μｍである請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記フィラーの平均粒子径が、前記回路溝の幅、前記回路溝の深さ、及び隣接する回路溝と回路溝との間の部分の幅のうちの最小値に対して、０．２５〜５０％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記フィラーが、無機微粒子である請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記電気回路が、少なくとも５〜３０μｍの線幅の部分を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁基材表面に樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、
前記樹脂被膜の外表面側から前記絶縁基材にレーザ加工又は機械加工することにより所望の形状及び深さの回路溝を形成する回路溝形成工程と、
前記回路溝の表面及び前記樹脂被膜の表面に触媒金属を被着させる触媒被着工程と、
前記絶縁基材から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、
前記樹脂被膜が剥離された絶縁基材に無電解めっきを施すめっき処理工程とを備え、
前記被膜形成工程が、前記絶縁基材として、フィラーを含有するものを用いることを特徴とする回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−２９４９４（Ｐ２０１１−２９４９４Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７５３６２（Ｐ２００９−１７５３６２）
【出願日】平成２１年７月２８日（２００９．７．２８）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月２８日（２００９．７．２８）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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