説明

多孔質酸化珪素粉末の製造方法

【解決手段】少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下1100〜1600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させ、該酸化珪素ガスを冷却した基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、基体表面の温度が100〜400℃であり、酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5〜15g/m3であることを特徴とする細孔平均径0.5〜20nm、細孔容積0.005〜0.2cm3/g,BET比表面積5〜300m2/gである多孔質酸化珪素粉末の製造方法。
【効果】本発明の酸化珪素粉末は、高活性であり、かつハンドリング性に優れているため、他の元素と反応が容易であり、しかも工業的規模の生産にも十分耐えられるものである。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミックス製造用原料、包装用フィルム蒸着用原料、有機珪素化合物製造用原料及びリチウムイオンニ次電池負極活物質として有用とされる多孔質酸化珪素粉末の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
酸化珪素は公知の物質であり、化学的に活性であることを活用して工業的に有用なアルキルハロシラン合成(Gary N.Bokerman et al,USP5051247 Silane products from reaction of silicon monoxide with organic halides:特許文献1)、更には直接シロキサンの合成の試み(Peter L.Timms and William N.Rowlands,EPA0406000A2 Polysiloxane oils and process for their preparation:特許文献2)が行われたり、低温でマグネシウムとの反応で珪化マグネシウムが得られたとの報告がある(Fugle、in,E;Schubert,U,Chem.Mater.1999,11,865−866:非特許文献1)。また、リチウムイオンニ次電池負極活物質としてSiOxを用いることでリチウムイオンの吸蔵放出が容易となる(特開平9−7638号公報:特許文献3)との報告もあり、近年リチウムイオンニ次電池負極活物質としての用途の拡大も期待されている。
【0003】
また、従来提案されている酸化珪素粉末としては、活性を高めることを目的とし、微細なものが一般的で、例えば特公昭59−50601号公報(特許文献4)に少なくとも表面が窒化又は炭化もしくは酸化した粒径1μm以下のアモルファス状SiOの超微粉の記載があり、特公平4−81524号公報(特許文献5)に0.1μm以下の超微細アモルファス状のSiO粉末を製造する方法が示されている。
【0004】
しかしながら、上記超微粉のSiO粉末は、BET比表面積が大きく、各種反応を行う上では高活性であり、有利であるが、粒子径が1μm以下と微粉であるため、ハンドリング性,充填性に劣るといった問題があった。
【特許文献1】米国特許第5051247号明細書
【特許文献2】欧州特許出願公開第0406000A2号明細書
【特許文献3】特開平9−7638号公報
【特許文献4】特公昭59−50601号公報
【特許文献5】特公平4−81524号公報
【非特許文献3】Fugle、in,E;Schubert,U,Chem.Mater.1999,11,865−866
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、高活性で、しかもハンドリング性に優れ、このため上記用途に有用に用いることができる多孔質酸化珪素粉末の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、特定の製造条件で酸化珪素粉末を製造することで、高BET比表面積でありながら微粉ではない多孔質酸化珪素粉末が得られ、この多孔質酸化珪素粉末を各種反応原料として用いることで、上記超微粉SiO並に高活性であり、かつハンドリング性,充填性の改善が可能になることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【0007】
従って、本発明は、少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下1100〜1600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させ、該酸化珪素ガスを冷却した基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、基体表面の温度が100〜400℃であり、酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5〜15g/m3であることを特徴とする細孔平均径0.5〜20nm、細孔容積0.005〜0.2cm3/g,BET比表面積5〜300m2/gである多孔質酸化珪素粉末の製造方法を提供する。
この場合、酸化珪素粉末が、一般式SiOxで表される酸化珪素粉末であり、xの範囲が0.9≦x≦1.8であることが好ましく、また酸化珪素粉末が、X線回折測定において明瞭な回折線を有しないものであることが好ましい。
【発明の効果】
【0008】
本発明の酸化珪素粉末は、高活性であり、かつハンドリング性に優れているため、他の元素と反応が容易であり、しかも工業的規模の生産にも十分耐えられるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明における酸化珪素粉末は、細孔平均径が0.5〜20nm、好ましくは1.0〜10nmである。細孔平均径が0.5nm未満だと、BET比表面積が大きくなりすぎて、表面酸化による二酸化珪素含有量の割合が大きくなりすぎ、酸化珪素の純度が低下してしまい、結果として活性が低下する。逆に、細孔平均径が20nmより大きいと、BET比表面積が小さくなり、表面活性が低下する。次に、本発明の酸化珪素粉末は、細孔容積が0.005〜0.2cm3/g、好ましくは0.01〜0.15cm3/gである。細孔容積が0.005cm3/gより小さいと、BET比表面積が小さくなり、活性が低下するし、逆に細孔容積が0.2cm3/gより大きいと、BET比表面積が大きくなりすぎて、表面酸化の影響が大きく、結果として表面活性が低下する。また、本発明の酸化珪素粉末は、BET比表面積5〜300m2/g、好ましくは10〜200m2/gである。BET比表面積が5m2/g未満では、表面活性が低下し、他元素との反応性に劣る。逆に、BET比表面積が300m2/gより大きいと、表面酸化による二酸化珪素含有量の割合が大きくなりすぎて酸化珪素の純度が低下してしまい、結果として反応性が低下する。
【0010】
なお、本発明において、細孔平均径及び細孔容積は定容法によるN2ガス吸着法によって測定した値で、例えば島津製作所(株)製トライスター3000により測定した値である。また、比表面積は、窒素ガス吸着量によって測定するBET1点法によって測定することができる。
【0011】
本発明の酸化珪素粉末は一般式SiOxで表され、xの範囲は0.9〜1.8であるものが好ましい。xの範囲が0.9より小さいと、実質的に金属珪素が過剰になり、結晶質及び/又はブロック状になり、活性酸素が含まれなくなり、好ましくない。xの範囲が1.8より大きいと、実質的に二酸化珪素となり、活性珪素が含まれなくなり、好ましくない。より好ましくは、xの範囲は0.9〜1.6、更に好ましくは0.9〜1.3である。
【0012】
更に、本発明の多孔質酸化珪素粉末は、X線回折測定において明瞭な回折線を有しないことが好ましい。X線回折測定において明瞭な回折線を有すると、珪素の活性が著しく損なわれるおそれがある。
【0013】
上記物性の多孔質酸化珪素粉末は、例えば、二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下1100〜1600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させ、酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5〜15g/cm3の酸化珪素ガスを100〜400℃に冷却した基体表面に析出させる方法によって製造することができる。
【0014】
この製造方法につき更に詳述すると、本発明の多孔質酸化珪素粉末の製造において、原料としてはニ酸化珪素粉末とこれを還元する粉末との混合物を用いる。具体的な還元粉末としては、金属珪素化合物,炭素含有粉末が挙げられるが、特に金属珪素粉末を用いたものが、[1]反応性を高める、[2]収率を高めるといった点で効果的であり、好ましく用いられる。なお、金属珪素粉末の種類については特に限定しないが、生成した酸化珪素粉末の純度を高める意味で、半導体グレードSi,セラミックスグレードSi,ケミカルグレードSiといった純度の高いものが好適に用いられる。
【0015】
なお、二酸化珪素粉末とこれを還元する粉末との使用割合は、特に制限されるものではなく、例えば還元用の金属粉末として金属珪素(Si)や炭素(C)を使用し、これらを例えば二酸化珪素粉末と1/1のモル比で使用した場合には、下記の式に従って還元反応が進行するものであるが、これらの反応に限定されるものではない。
・SiO2+Si→2SiO
・SiO2+C→SiO+CO
【0016】
本発明では、上記混合原料粉末を反応室内において1100〜1600℃、好ましくは1200〜1500℃の温度に加熱・保持し、酸化珪素ガスを発生させる。反応温度が1100℃未満では反応が進行し難く、生産性が低下してしまうし、逆に1600℃を超えると、混合原料粉末が溶融して、逆に反応性が低下したり、炉材の選定が困難になるおそれがある。
【0017】
また、この酸化珪素ガス発生工程において、本発明の物性の多孔質酸化珪素粉末を製造するために特に重要なことは、発生する酸化珪素ガス蒸気濃度を0.5〜15g/m3の範囲とすることである。発生する酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5g/m3より少ないと得られる酸化珪素は細孔径の大きく、かつ細孔容積の大きな多孔質酸化珪素粉末となり、結果としてBET比表面積が大きくなりすぎて、表面酸化の影響で活性が低下する。逆に発生する酸化珪素ガス蒸気濃度が15g/m3より多いと、得られる酸化珪素は細孔径が小さく、かつ細孔容積が小さく、従ってBET比表面積が小さい酸化珪素であり、結果として活性が低下する。この場合、酸化珪素ガス蒸気濃度は、反応室への原料仕込み量、反応温度(酸化珪素ガス発生速度)及び真空ポンプの排気能力(速度)により決まり、それらを適宜選定することにより制御することが可能である。
【0018】
一方、炉内雰囲気は不活性ガスもしくは減圧下であるが、熱力学的に減圧下の方が反応性が高く、低温反応が可能となるため、減圧下で行うことが望ましい。なお、不活性ガスとしては、Ar、He、H2等の非酸化性ガス等が挙げられ、また減圧度は、10Torr(1330Pa)以下[即ち、0〜10Torr(0〜1330Pa)]、特に1Torr(133Pa)[即ち、0〜1Torr(0〜133Pa)]以下とすることが好ましい。
【0019】
この場合、上記反応室には、原料供給機構(フィーダー)にて、上記混合原料粉末を適宜間隔ごとに又は連続的に供給することができる。
上記反応室内で生成した酸化珪素ガスは、これを搬送管を介して析出室に供給する。
【0020】
この場合、搬送管は、1000℃を超え1300℃以下、好ましくは1100〜1200℃に加熱し、保持する。ここで、搬送管を加熱する目的は搬送管内壁への酸化珪素蒸気の析出防止であり、搬送管の温度が1000℃以下では、酸化珪素蒸気が搬送管内壁に析出・付着し、運転上支障を生じ、安定的な連続運転ができなくなる。逆に1300℃を超える温度に加熱しても、それ以上の効果は見れないばかりか、電力コストの上昇を招いてしまう。
【0021】
上記析出室には、冷媒により冷却された基体が配置され、この析出室内に導入された上記酸化珪素ガスがこの冷却基体に接触、冷却されることにより、この基体上に酸化珪素粉末が析出する。ここで、基体表面の温度は100〜500℃に制御することが重要である。基体表面の温度が100℃未満では、BET比表面積が300m2/gより大きくなり、表面酸化により不活性な二酸化珪素の割合が大きくなり、活性が低下する。逆に、基体表面の温度が500℃より高いとBET比表面積が5m2/g未満となり、活性が低下する。なお、基体表面温度によるBET比表面積の変化の原因については定かではないが、基体表面の温度を上げることにより、析出物表面の活性が高まり、その結果、融着により緻密化し、BET比表面積が低下するものと推測される。また、基体表面の温度については、析出室内温度(析出室ヒーターにより加熱)及び冷媒の種類,流量の組合せにより制御される。冷媒の種類については特に限定しないが、水,熱媒といった液体,空気,窒素といった気体がその目的によって使われる。基体の種類も特に限定しないが、加工性の点で、SUSやモリブデン,タングステンといった高融点金属が好適に用いられる。
【0022】
上記基体上に析出した酸化珪素粉末は、掻き取り等の適宜な手段により回収する。また、回収した酸化珪素粉末は、必要により適宜な手段で粉砕し、所望の粒径とすることができる。
【0023】
上記方法に用いる装置としては、例えば図1に示すような装置を用いることができる。ここで、図1において、1は反応炉であり、この反応炉1内にマッフル2が配設されている。このマッフル2内は反応室3となっており、この反応室3内に二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末4を収容する原料容器5が配置されている。また、マッフル2を取り囲むようにヒーター6が配設され、このヒーター6により上記混合原料粉末4が加熱されるようになっている。なお、7は断熱材である。
【0024】
また、8はヒーター9が埋設された搬送管、10は析出槽であり、上記反応室3内で発生した酸化珪素ガスが上記搬送管8内を通って上記析出槽10内の析出室11に導入される。この析出室11内には基体12が配設されている。この基体12内には冷却通路が形成されており、冷媒導入管14より冷媒通路に供給された冷媒により上記基体12が冷却され、酸化珪素ガスがこの冷却基体12に接触、冷却されることにより、基体12上に酸化珪素粉末が析出されるようになっている。なお、冷却基体12には熱電対13が埋設され、冷却基体12表面温度を測定することができる。上記冷媒は、冷媒排出管15を通って排出されるようになっており、また上記析出槽10内には、ヒーター16が配設されている。17は析出室11内の温度を測定するための熱電対である。18は真空ポンプである。
【実施例】
【0025】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【0026】
[実施例1]
図1に示す製造装置を用いて、酸化珪素粉末を製造した。原料は、二酸化珪素粉末(BET比表面積=200m2/g)とセラミックスグレード用金属珪素粉末(BET比表面積=3m2/g)を等量モルの割合で混合した混合粉末であり、マッフル2の容積が6000cm3の反応炉内に200g仕込んだ。次に排気能力30m3/hrの真空ポンプ18を用いて炉内を1Torr以下に減圧した後、ヒーター6に通電し、1300℃の温度に昇温・保持した。一方で、搬送管8を1100℃に加熱・保持した。次に析出室ヒーター16に通電し、析出室11内温度を900℃とし、同時にSUS製の基体12(表面積200cm2)に水5.0NL/min流入した。なお、この条件における反応完了時間は3時間であり、上記真空ポンプ能力より、この時の酸化珪素ガス蒸気濃度は2.1g/cm3と算出できた。また基体表面温度は210℃であった。上記運転を3時間行った結果、基体12表面には黒色塊状の酸化珪素が析出していた。この塊状析出物を回収した後、ボールミルで5時間粉砕し、酸化珪素粉末を製造した。得られた酸化珪素粉末は、細孔平均径=4.5nm、細孔容積=0.05cm3/g、BET比表面積60m2/g、一般式SiOx(x=1.05)で示される非晶質粉末であった。
【0027】
次に、上記酸化珪素粉末10gを窒素中1100℃に加熱し、3時間保持して窒化珪素粉末を製造した。得られた窒化珪素粉末については、窒素含有量=36.5%のα型窒化珪素粉末であり、原料である酸化珪素粉末が非常に活性の高い粉末であることが確認された。
【0028】
[実施例2〜5、比較例1〜4]
原料仕込み量、反応温度、反応時間、及び基体12表面温度を表1に示す条件とした他は実施例1と同じ条件で酸化珪素粉末及びこの酸化珪素粉末を原料とした窒化珪素粉末を製造した。得られた酸化珪素粉末の細孔平均径,細孔容積,BET比表面積及びSiOxのx値を表1に併記する。一方、実施例1と同条件で窒化反応を行った窒化生成物の窒素含有量を表1に併記する。
【0029】
【表1】

注:仕込み原料は、実施例1記載の二酸化珪素粉末とセラミックスグレード用金
属珪素粉末との等量モル混合物である。
【0030】
[実施例6]
実施例1で得られた酸化珪素粉末100重量部、導電材としてグラファイト90重量部、及び結着材としてポリフッ化ビニリデン20重量部(N−メチルピロリドン溶媒)を混練し、その一部をステンレス製メッシュに塗布、圧着し、真空乾燥機にて一晩乾燥し、電極を得た。
上述のようにして得られた電極の充放電特性を評価するために、対極にリチウム箔を使用し、非水電解質として六フッ化リンリチウムをエチレンカーボネートと1,2−ジメトキシエタンの1/1混合液に1mol/Lの濃度で溶解した非水電解質溶液を用い、セパレーターに厚さ30μmのポリエチレン製微多孔質フィルムを用いた評価用リチウムイオン二次電池を作成した。
作成したリチウムイオン二次電池を一晩室温で放置した後、二次電池充放電試験装置((株)ナガノ製)を用い、0.5mA/cm2の定電流で、放電の終止電圧0.003V、充電の終止電圧1.800Vの条件で充放電試験を行った。
その結果、初回放電容量800mAh/gの高容量リチウムイオン二次電池が得られることが確認された。
【0031】
[比較例5]
比較例1で得られた酸化珪素粉末を用いる他は実施例6と同様な方法でリチウムイオン二次電池を作成し、実施例6と同じ方法で充放電試験を行った。
その結果、初回放電容量は480mAh/gであり、容量的に明らかに実施例6に劣るものであった。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の多孔質酸化珪素粉末の製造に用いる装置の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【0033】
1 反応炉
2 マッフル
3 反応室
4 混合原料粉末
5 原料容器
6 ヒーター
7 断熱材
8 搬送管
9 ヒーター
10 析出槽
11 析出室
12 基体
13 熱電対
14 冷媒導入管
15 冷媒排出管
16 ヒーター
17 熱電対
18 真空ポンプ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を不活性ガスもしくは減圧下1100〜1600℃の温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させ、該酸化珪素ガスを冷却した基体表面に析出させる酸化珪素粉末の製造方法において、基体表面の温度が100〜400℃であり、酸化珪素ガス蒸気濃度が0.5〜15g/m3であることを特徴とする細孔平均径0.5〜20nm、細孔容積0.005〜0.2cm3/g,BET比表面積5〜300m2/gである多孔質酸化珪素粉末の製造方法。
【請求項2】
酸化珪素粉末が、一般式SiOxで表される酸化珪素粉末であり、xの範囲が0.9≦x≦1.8であることを特徴とする請求項1記載の多孔質酸化珪素粉末の製造方法。
【請求項3】
酸化珪素粉末が、X線回折測定において明瞭な回折線を有しないものである請求項1又は2記載の多孔質酸化珪素粉末の製造方法。

【図1】
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【公開番号】特開2007−99621(P2007−99621A)
【公開日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−9975(P2007−9975)
【出願日】平成19年1月19日(2007.1.19)
【分割の表示】特願2001−393147(P2001−393147)の分割
【原出願日】平成13年12月26日(2001.12.26)
【出願人】(000002060)信越化学工業株式会社 (3,361)
【Fターム(参考)】