封止体の作製方法および発光装置の作製方法
【課題】気密性の優れた封止体の作製方法を提供する。また、当該封止体で封止された発光装置の作製方法を提供する。
【解決手段】フリットガラス層で封止した封止体および発光装置を作製する方法に関して、レーザ光の照射により生じる基板とフリットガラス層のひびを防止するため緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、フリットガラス層または緩衝層にレーザ光を照射して基板を溶着させる第３の工程を、順次行えば、気密性の高い封止体および当該封止体で封止した信頼性のある発光装置を作製することが出来る。当該発光装置の作製方法を、特に有機ＥＬ素子に適用した場合、信頼性の高い発光装置が得られる。
【解決手段】フリットガラス層で封止した封止体および発光装置を作製する方法に関して、レーザ光の照射により生じる基板とフリットガラス層のひびを防止するため緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、フリットガラス層または緩衝層にレーザ光を照射して基板を溶着させる第３の工程を、順次行えば、気密性の高い封止体および当該封止体で封止した信頼性のある発光装置を作製することが出来る。当該発光装置の作製方法を、特に有機ＥＬ素子に適用した場合、信頼性の高い発光装置が得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスを外部より侵入する不純物から保護する封止体の作製方法および発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚のガラス基板を貼り合わせて、貼り合わせた空間を密閉する技術として、フリットガラス封止が知られている。フリットガラスで封止した封止体は気密性が優れている事が知られており、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと称す。）表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に応用されている。
【０００３】
とくにＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の信頼性向上のためフリットガラス封止を応用する試みがされている。なぜならば、有機ＥＬ素子は有機ＥＬ層やそれを両側から挟んでいる電極が、水分や酸素に曝されると急速にその信頼性が低下するためである。フリットガラスを用いる封止により有機ＥＬ層や両電極を大気に曝さないようにする技術として、例えば、特許文献１に記された技術が知られている。
【０００４】
特許文献１に記された技術は、ガラス基板の縁に沿ってフリットガラスペーストをノズルから吐出させ、フリットガラスペーストの隔壁を形成する。そのフリットガラスペーストの隔壁を焼成してフリットガラス層とする。さらに、他のガラス基板に当該フリットガラス層を押し付け、フリットガラス層にレーザ光を照射して加熱溶融し、当該フリットガラス層と他のガラス基板とを溶着することにより、気密性の優れた封止体を形成するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フリットガラス層にレーザ光を照射して封止体を形成する方法において、フリットガラス層の表面にレーザ光を照射すると、レーザ光が散乱してフリットガラス層の溶融が不完全となり、フリットガラス層とガラス基板が溶着できない問題が生じる場合がある。
【０００７】
また、フリットガラス層が形成された基板を介してフリットガラス層にレーザ光を照射すると、レーザ光の入射方向に近い側、特に基板とフリットガラス層の界面近傍のフリットガラス層が優先的に加熱される。その結果フリットガラス層が形成された基板に応力が加わり、基板とフリットガラス層にひび（クラックともいう）が入ってしまう場合がある。
【０００８】
基板とフリットガラス層に発生したクラックは、封止体の内部に大気成分が侵入するリークパスとなり、封止性能が低下する原因となる。また、クラックの発生は封止体の接合強度を低下させる原因ともなる。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、基板とフリットガラス層におけるクラックの発生を抑制させ、気密性の優れた封止体の作製方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様では、フリットガラス層にレーザ光を照射することでガラス基板に生じる応力に着眼した。そして、緩衝層が設けられたガラス基板の一方の面に、緩衝層と重ねてフリットガラス層を形成し、ガラス基板の他方の面から当該フリットガラス層にレーザを照射する方法に想到し、上記課題の解決に至った。
【００１１】
ガラス基板の他方の面から当該フリットガラス層にレーザ光を照射すると、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないため、フリットガラス層を充分に溶融することができ、ガラス基板とフリットガラス層が溶着しない問題の発生を抑制できる。また、ガラス基板を介してレーザ光を照射して優先的に加熱されたフリットガラス層が、その下地である緩衝層に応力を加えても、該応力が当該緩衝層により緩和されるため、ガラス基板にクラックが生じることがない。
【００１２】
すなわち、本発明の一態様は、第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面にレーザ光を透過する緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた第２の基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟んだ状態で、第２の基板の他方の面からフリットガラス層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、をこの順で行う封止体の作製方法である。
【００１３】
上記作製方法により、フリットガラス層の下地に設けられた緩衝層が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板に加わる応力を緩和する。そして、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制する。その結果、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１４】
また、上記作製方法では、第２の基板を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様は、第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面にレーザ光を吸収する緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた第２の基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、第１の基板と第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、第２の基板の他方の面から、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、をこの順で行う封止体の作製方法である。
【００１６】
上記作製方法により、フリットガラス層の下地に設けられた緩衝層が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板に加わる応力を緩和する。そして、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制する。その結果、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１７】
また、上記作製方法では、第２の基板を介して緩衝層にレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１８】
また、上記作製方法ではレーザ光を吸収する緩衝層を用いるので、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融することができる。レーザ光を吸収する緩衝層は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００１９】
また、フリットガラス層にレーザ光を吸収して熱に変換する材料（以下、レーザ吸収材という）を添加しなくてもよいため、材料費を低減できる。
【００２０】
また、本発明の一態様は、レーザ光を吸収する緩衝層にフリットガラス層より融点が高い金属層を用いた封止体である。
【００２１】
フリットガラス層より高い融点を有する金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００２２】
また金属は延性があるので、第２の基板に生じた引張り応力を緩和することができるため、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制できる。
【００２３】
また、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００２４】
また、上記作製方法によれば、前記フリットガラス層を閉曲線に形成した後に、第１の基板と第２の基板を封止する作製方法である。そのため、フリットガラス層に切れ目のない気密性の高い封止体を作製することが出来る。
【００２５】
また、本発明の一態様は、第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、発光素子を囲む大きさでレーザ光を透過する緩衝層を形成する第２の工程と、第２の基板の一方の面の側に、緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟持させた状態で、第１の基板と第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、第２の基板の他方の面から、フリットガラス層にレーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、をこの順で行う発光装置の作製方法である。
【００２６】
上記発光装置の作製方法を用いると、緩衝層がレーザ光の照射によって生じた第２の基板の応力を緩和して、第２の基板においてクラックの発生を抑制することができる。その結果、気密性の高いフリットガラス層で封止した信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２７】
また、上記発光装置の作製方法を用いると、第２の基板を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２８】
また、上記発光装置の作製方法を用いると、第２の基板側にフリットガラス層を形成するため、フリットガラスの仮焼成で加える熱は、発光素子にかからない。そのため、発光素子に損傷を与えることがない。
【００２９】
また、本発明の一態様は、第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、発光素子を囲む大きさでレーザ光を吸収する緩衝層を形成する第２の工程と、第２の基板の一方の面の側に、緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟持させた状態で、第１の基板と第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、第２の基板の他方の面から、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、をこの順で行う発光装置の作製方法である。
【００３０】
上記発光装置の作製方法を用いると、緩衝層がレーザ光の照射によって生じた第２の基板の応力を緩和して、第２の基板においてクラックの発生を抑制することができる。その結果、気密性の高いフリットガラス層で封止した信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００３１】
また、上記作製方法ではレーザ光を吸収する緩衝層を用いるので、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融することができる。レーザ光を吸収する緩衝層は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００３２】
また、フリットガラス層にレーザ光を吸収して熱に変換する材料（以下、レーザ吸収材という）を添加しなくてもよいため、材料費を低減できる。
【００３３】
また、本発明の一態様は、レーザ光を吸収する緩衝層にフリットガラス層より高い融点を有する金属層を用いた封止体である。
【００３４】
フリットガラス層より高い融点を有する金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００３５】
また金属は延性があるので、第２の基板に生じた引張り応力を緩和することができるため、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制できる。
【００３６】
また、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００３７】
また、上記発光装置の作製方法では、第１の基板と第２の基板を閉曲線に形成されたフリットガラス層で封止することができる。そのため、発光装置を切れ目のないフリットガラス層で封止することができる。よって、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の一態様によれば、気密性の優れた封止体の作製方法を提供できる。または、信頼性の高い発光装置の作製方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一態様の封止体を示す断面図及び平面図。
【図２】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図３】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図４】本発明の一態様の封止体を示す断面図及び平面図。
【図５】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図６】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図７】本発明の一態様の発光装置を示す断面図及び平面図。
【図８】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図９】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図１０】本発明の一態様の発光装置を示す断面図及び平面図。
【図１１】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図１２】本発明の一態様に係る発光素子の概念図。
【図１３】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１４】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１５】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１６】本発明の一態様に係る電子機器及び照明装置の例を示す図。
【図１７】本発明の一態様に係る照明装置の例を示す図。
【図１８】本発明の一態様に係る車載表示装置の例を示す図。
【図１９】本発明の一態様に係る照明装置の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法を用いて図１に示す封止体１６１を作製する方法を図２、図３を用いて説明する。
【００４２】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１４０を形成する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。
【００４３】
緩衝層１４０となる膜は、酸化シリコン、窒化シリコンを用いることが出来る。酸化シリコン、窒化シリコンはプラズマＣＶＤ法を用いて成膜すればよい。後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、緩衝層１４０は圧縮応力を有する層であればよい。
【００４４】
緩衝層１４０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図２（Ａ））。緩衝層１４０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００４５】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、フリットガラスペースト５００を緩衝層１４０と重なるように、第２の基板３００上に塗布する（図２（Ｂ））。フリットガラスペースト５００とは、粉末ガラスとバインダを含むものである。粉末ガラスは、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１以上の化合物を含むことが望ましい。これに、例えば、有機溶媒で希釈した樹脂バインダを混ぜ、フリットガラスペーストとする。後述するレーザ光の照射でフリットガラス層５１０を加熱するため、レーザ光吸収材を添加したフリットガラスペーストを用いる。吸収材は使用するレーザ光の波長に合わせて最適なレーザ光吸収材を選択すればよい。
【００４６】
フリットガラスペースト５００の塗布方法は、ディスペンサ法、スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いて形成することができる。この実施の形態では、表示装置などを封止するのに好適な長方形状としたが、閉曲線を成すものであれば、円状、楕円状などいかなる形状としてもよい。
【００４７】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト中のバインダを揮発させるため加熱を行う。具体的には温度は３００〜４５０℃で加熱を行えばよい。当該加熱処理は、ランプやヒーターなどを利用して行なえばよい。当該加熱処理で、粉末ガラスを溶融し固化させることにより当該粉末ガラスを融合させ、フリットガラス層５１０とすることができる。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する（図２（Ｃ））。気密性の優れた封止体を形成するためである。
【００４８】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、フリットガラス層５１０にレーザ光８００を照射する（図３）。その結果、溶融したフリットガラス層５１０を介して、第２の基板３００と第１の基板１３０が溶着する。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介してフリットガラス層５１０に行う。フリットガラス層５１０の表面でレーザ光は散乱しないので、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０が溶着して気密性の高い封止体を得ることが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００４９】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板とフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温された後、急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、本実施の形態の第２の基板３００には緩衝層１４０が設けられているため、レーザ光８００が照射されたフリットガラス層５１０から生じる引張り応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。そのため、気密性の優れた封止体を作製することが出来る。
【００５０】
以上の工程により、図１に示す封止体１６１を作製することができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態で示す封止体１６１の作製方法を用いると、緩衝層１４０が、レーザ光８００の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６１を作製することができる。
【００５２】
また、本実施の形態で示す封止体１６１の作製方法は、第２の基板３００を介してレーザ光８００の照射を行っているため、フリットガラス層５１０の表面でレーザ光８００が散乱しないで、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、気密性の優れた封止体１６１を作製することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法を用いて図４に示す封止体１６２を作製する方法を図５、図６を用いて説明する。
【００５４】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１５０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。
【００５５】
緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図５）。緩衝層１５０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００５６】
緩衝層１５０となる膜は、レーザ光を吸収して、ガラスの融点より高い融点の物質で形成することが出来る。具体的にはシリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）の絶縁物、タングステン、タンタル、鉄等の金属で形成することが出来る。シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）はプラズマＣＶＤ法、メタルはスパッタリング法で形成することができる。
【００５７】
後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の絶縁物は、圧縮応力を有することが好ましい。
【００５８】
または、シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）の代わりに、緩衝層１５０は、タングステン、タンタル、鉄等の金属で延性を有する層であっても良い。フリットガラス層より高い融点をもつ金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００５９】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１５０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する（図５）。本実施の形態ではレーザ吸収材を含まないフリットガラスペーストを用いる。その他のフリットガラスペーストの材料構成、塗布方法は、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００６０】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する（図５）。気密性の優れた封止体を形成するためである。
【００６１】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、レーザ光の照射する（図６）。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介して緩衝層１５０に行う。緩衝層１５０がレーザ光８００を吸収し、緩衝層１５０から熱伝導した熱がフリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板を溶着させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。緩衝層がなくフリットガラス層にレーザ光を吸収させる場合、フリットガラス層は膜厚が一定ではなく表面形状も凹凸を有するので、レーザ光が散乱する場合がある。一方、レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に膜厚が一定の薄膜として形成され、表面形状も凹凸がないため、レーザ光が散乱されにくくフリットガラス層５１０より効率よくレーザ光を吸収する。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。特に緩衝層１５０にタングステン、タンタル、鉄の金属を用いた場合、レーザ光を吸収しやすいため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザ光の波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００６２】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００６３】
また、レーザ光の照射により第２の基板３００に生じた引張応力は、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いることより緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００６４】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００６５】
また、緩衝層１５０にフリットガラス層より高い融点を有する金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００６６】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０を用いると、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよい。よって、フリットガラスペーストの材料費を抑制することができる。
【００６７】
なお、本発明の一態様の封止体の作製方法は、フリットガラスペースト５００を用いた場合に限られず、極めて薄い帯状のガラス薄膜を用いた場合にも適用することが出来る。例えば、フリットガラス層５１０に代えて厚さが１００ｎｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の帯状のガラス薄膜を用い、緩衝層１５０に対してレーザ光を照射することにより、間接的に加熱して当該ガラス薄膜を溶融させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０を溶着させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。このような帯状のガラス薄膜を用いると、フリットガラスペースト５００の仮焼成が不要であるため、工程を簡略化できる。
【００６８】
以上の工程により、図４に示す封止体１６２を作製することができる。
【００６９】
以上のように、本実施の形態で示す封止体１６２の作製方法を用いると、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６２を作製することができる。
【００７０】
また、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６２を作製することができる。
【００７１】
また、本実施の形態で示す封止体１６２の作製方法は、緩衝層１５０にレーザ光８００を照射してフリットガラス層５１０を溶融している。緩衝層１５０が第２の基板３００に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光８００が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。また、緩衝層１５０に金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光８００を吸収して発熱した熱をフリットガラス層５１０に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。また、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよいため、フリットガラスペースト５００の材料費を低減できる。
【００７２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図７に示す発光装置１６３の作製方法の一形態を、図８、図９を用いて説明する。本実施の形態では、発光素子の一態様として有機ＥＬ素子を用いた場合について説明する。
【００７３】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１４０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。緩衝層１４０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する。第２の基板３００と第１の基板１３０を貼り合わせた状態で、緩衝層１４０は、有機ＥＬ素子１２５を囲むように、形成すればよい。緩衝層１４０のパターン形成は公知の技術を用いればよく、エッチングによって形成することができる。
【００７４】
緩衝層１４０には、酸化シリコン、窒化シリコンを用いることが出来る。酸化シリコン、窒化シリコンはプラズマＣＶＤ法を用いて成膜すればよい。後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、緩衝層１４０は圧縮応力を有する層であればよい。
【００７５】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１４０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する。本実施の形態では、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００７６】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に閉曲線になるように形成する。気密性の高い封止体で有機ＥＬ素子１２５を封止するためである。
【００７７】
（有機ＥＬ素子の形成）
まず、図８（Ａ）に示すように、第１の基板１３０上に有機ＥＬ素子１２５を設ける。有機ＥＬ素子１２５は、例えば、第１の基板１３０に近いほうから陽極、発光層、陰極の順に積まれた積層構造を有する。陽極と陰極を入れ替えてもよい。これらの他に別の層を追加で設けても構わない。陽極からは端子１２６ａが、陰極からは端子１２６ｂがそれぞれ出ており、これらを外部電源に接続することで、有機ＥＬ素子１２５に電力を供給できる。
【００７８】
（シール材の形成）
次に、図８（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１２５を囲むように、かつフリットガラス層５１０と貼り合わせる領域と重ならないように、シール材１１０を形成する。シール材１１０で、第１の基板１３０と第２の基板３００を貼り合わせる理由は、フリットガラス層５１０に粘着性がなく、第１の基板１３０と第２の基板の位置合わせが困難であるためである。シール材１１０は、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂などを用い、ディスペンサ法、スクリーン印刷法で塗布すればよい。該シール材１１０は第１の基板１３０上で閉曲線に形成する。該シール材１１０においても外気の侵入を防ぐためである。なお、シール材１１０の閉曲線は、フリットガラス層５１０が形成される領域の内側、または外側のどちらでもよい。
【００７９】
（シール材の硬化）
次に、シール材１１０を塗布した有機ＥＬ素子１２５を有する第１の基板１３０と、フリットガラス層５１０を形成した第２の基板３００を貼り合わせる。紫外線硬化樹脂を用いる場合、有機ＥＬ素子１２５に紫外線が当たらないように遮光マスク６００で有機ＥＬ素子１２５を遮光し、紫外線７００を照射してシール材１１０を硬化させ、第１の基板１３０と第２の基板を接着させる（図９（Ｃ））。
【００８０】
（レーザ光の照射）
次に、フリットガラス層５１０にレーザ光を照射して、フリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０を溶着する（図９（Ｄ））。レーザ光の照射は第２の基板３００を介してフリットガラス層５１０に行う。フリットガラス層５１０の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層５１０を充分に溶融することができる。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００８１】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、緩衝層１４０が、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００８２】
以上の工程により、図７に示す発光装置１６３を作製することができる。
【００８３】
以上のように、本実施の形態で示す発光装置１６３の作製方法を用いると、第２の基板３００においてクラックの発生を抑制することができる。緩衝層１４０が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制するためである。フリットガラス層５１０は気密性を有するので、外部から水分、大気成分の侵入を抑制できる。その結果、気密性の高い封止により信頼性の優れた発光装置１６３を作製することができる。
【００８４】
また、本実施の形態で示す発光装置１６３の作製方法は、第２の基板３００を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層５１０の表面でレーザ光が散乱しないので、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０の溶着が不完全になることを防止することが出来る。その結果、気密性の高い封止体により信頼性の高い発光装置１６３を作製することができる。
【００８５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１０に示す発光装置１６４の作製方法の一形態を、図１１を用いて説明する。
【００８６】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１５０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図１１（Ｃ））。緩衝層１５０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。後述するように第２の基板３００は、発光素子を形成する第１の基板１３０とフリットガラス層５１０を介して貼り合わせる。そのため貼り合わせた状態で発光素子を囲むように、緩衝層１５０を第２の基板３００上に形成する。
【００８７】
緩衝層１５０の構成、形成については、実施の形態２を参酌することが出来る。
【００８８】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１５０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する。本実施の形態ではレーザ光吸収材を含まないフリットガラスペーストを用いる。その他のフリットガラスペーストの材料構成、塗布方法は、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００８９】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する。気密性の高い封止体を形成するためである。
【００９０】
（有機ＥＬ素子、シール材の形成）
第１の基板１３０上に有機ＥＬ素子１２５を設ける工程、第１の基板１３０上にシール材１１０を形成する工程および、シール材１１０を硬化させ第１の基板１３０と第２の基板３００を貼り合わせる工程は、実施の形態３を参酌することが出来る。
【００９１】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、レーザ光８００を照射する（図１１（Ｄ））。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介して緩衝層１５０に行う。緩衝層１５０がレーザ光８００を吸収し、緩衝層１５０から熱伝導した熱がフリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板を溶着させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのためレーザ光が散乱されにくいので、緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０に比べレーザ光を効率よく吸収する。よって、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。特に緩衝層１５０にタングステン、タンタル、鉄の金属を用いた場合、レーザ光を吸収しやすいため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザ光の波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００９２】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００９３】
また、レーザ光の照射により第２の基板３００に生じた引張応力は、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いると、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００９４】
緩衝層がなくフリットガラス層にレーザ光を吸収させる場合、フリットガラス層は膜厚が一定ではなく表面形状も凹凸を有するので、レーザ光が散乱する場合がある。一方、レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に膜厚が一定の薄膜として形成され、表面形状も凹凸がないため、レーザ光が散乱されにくくフリットガラス層５１０より効率よくレーザ光を吸収する。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００９５】
また、緩衝層にフリットガラス層より高い融点を有する金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００９６】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０を用いると、フリットガラスペーストにレーザ吸収材を添加しなくてもよい。よって、フリットガラスペーストの材料費を抑制することができる。
【００９７】
なお、本発明の一態様の封止体の作製方法は、フリットガラスペースト５００を用いた場合に限られず、極めて薄い帯状のガラス薄膜を用いた場合にも適用することが出来る。例えば、フリットガラス層５１０に代えて厚さが１００ｎｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の帯状のガラス薄膜を用い、緩衝層１５０に対してレーザ照射することにより、間接的に加熱して当該ガラス薄膜を溶融させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０を溶着させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。このような帯状のガラス薄膜を用いると、フリットガラスペースト５００の仮焼成が不要であるため、工程を簡略化できる。
【００９８】
以上の工程により、図１０に示す発光装置１６４を作製することができる。
【００９９】
以上のように、本実施の形態で示す発光装置１６４の作製方法を用いると、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い発光装置１６４を作製することができる。
【０１００】
また、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い発光装置１６４を作製することができる。
【０１０１】
また、本実施の形態で示す発光装置１６４の作製方法は、緩衝層１５０にレーザ光８００を照射してフリットガラス層５１０を溶融している。緩衝層１５０が第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層５１０にレーザ光を直接照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。また、緩衝層１５０に金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光８００を吸収して発熱した熱をフリットガラス層５１０に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。また、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよいため、フリットガラスペースト５００の材料費を低減できる。
【０１０２】
（実施の形態５）
実施の形態３および４において説明した有機ＥＬ素子１２５に適用可能な構成の一態様について、図１２（Ａ）を用いて説明する。なお、本実施の形態では第１の電極１０２と第２の電極１０４に挟持された有機ＥＬ層１０３を有する発光素子の構成について詳細に説明する。また、第１の電極１０２には端子１２６ｂが接続され、第２の電極１０４には端子１２６ａが接続される。
【０１０３】
発光素子は、一対の電極（第１の電極１０２及び第２の電極１０４）と、当該一対の電極間に挟まれた有機ＥＬ層１０３を有する。また、本実施の形態で説明する発光素子は、ガラス基板１００上に設けられている。
【０１０４】
ガラス基板１００は、発光素子の支持体として用いられる。ガラス基板１００としては、長方形の板状のものは勿論、曲面を有するものなど様々な形状のものを用いることができる。
【０１０５】
第１の電極１０２及び第２の電極１０４は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。本実施の形態においては、第１の電極１０２を陽極として用い、第２の電極１０４を陰極として用いるものとして説明するが、本発明はこの構成に限定されるものではない。
【０１０６】
陽極として用いる材料は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１０７】
陰極として用いる材料は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）が挙げられる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金（例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を用いることもできる。また、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属、または希土類金属を含む合金を用いることもできる。また、有機ＥＬ層１０３の一部として、第２の電極１０４に接する電子注入層を設ける場合、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯなどの様々な導電性材料を第２の電極１０４として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて薄膜とすることが可能である。
【０１０８】
有機ＥＬ層１０３は、単層構造で構成されることも可能であるが、通常積層構造から構成される。有機ＥＬ層１０３の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）または正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層、発光材料を含む層（発光層）などを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。図１２（Ａ）においては、第１の電極１０２の上に形成された有機ＥＬ層１０３として、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４が順に積層された構造を示している。
【０１０９】
発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層１１３において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１１３に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０１１０】
発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０２を通ってガラス基板１００側から取り出される。また、第２の電極１０４のみが透光性を有する電極である場合、発光は第２の電極１０４を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０４がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０４を通って、ガラス基板１００側と逆側の両方から取り出される。
【０１１１】
発光層１１３に接する正孔輸送層１１２や電子輸送層１１４、特に発光層１１３における発光領域に近い方に接するキャリア（電子または正孔）輸送層は、発光層１１３で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、発光層を構成する発光材料、または発光層に含まれる発光中心物質よりも大きなエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。
【０１１２】
正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含み、第１の電極１０２から正孔輸送層１１２へ正孔の注入を補助する機能を有する。正孔注入層１１１には、第１の電極１０２と正孔輸送層１１２との間のイオン化ポテンシャルの差を緩和し、正孔が注入され易くなるものを選ぶ。正孔注入層１１１は、イオン化ポテンシャルを正孔輸送層１１２よりも小さく、第１の電極１０２よりも大きい物質が好ましい。正孔注入層１１１には、例えば、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、またはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子を用いることができる。
【０１１３】
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む。正孔輸送性の高い物質とは、正孔の移動度が電子のそれよりも高いものを指し、電子の移動度に対する正孔の移動度の比（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、正孔輸送層１１２の正孔移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）などを利用できる。また、正孔輸送層１１２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【０１１４】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む。電子輸送性の高い物質とは、電子の移動度が正孔のそれよりも高いものを指し、正孔の移動度に対する電子の移動度の比（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、電子輸送層１１４の電子移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体を利用できる。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）が挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）が挙げられる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ ０１）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。具体例を挙げた上述の物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を電子輸送層１１４として用いてもよい。また、電子輸送層１１４は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【０１１５】
また、発光層１１３と電子輸送層１１４との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けてもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１１６】
また、電子輸送層１１４と第２の電極１０４との間に、第２の電極１０４に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）などのようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたものを用いればよい。具体例としては、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けることにより、第２の電極１０４からの電子注入を効率良く行うことができる。
【０１１７】
また、有機ＥＬ層１０３は、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いて形成できる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、またはスピンコート法を用いることができる。また、有機ＥＬ層１０３を積層構造とする場合、各層毎に異なる方法を用いて形成してもよいし、各層全てを同一の方法で形成してもよい。
【０１１８】
また、第１の電極１０２、第２の電極１０４は、ゾル−ゲル法や液状の金属材料を用いた湿式法で形成してもよいし、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法で形成してもよい。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【０１１９】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の封止体作製方法により封止した、複数の発光ユニットを積層した構成を有する発光素子（以下、「タンデム型の発光素子」という）について、図１２（Ｂ）を参照しながら説明する。タンデム型の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニットを有する。発光ユニットとしては、先に示した有機ＥＬ層１０３と同様な構成を用いることができる。
【０１２１】
図１２（Ｂ）において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されている。第１の電極５０１と第２の電極５０２は、実施の形態５と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態５に示したものと同様なものを適用することができる。
【０１２２】
第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２との間には、電荷発生層５１３が設けられている。電荷発生層５１３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含み、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を可能にする。
【０１２３】
正孔輸送性の有機化合物には、正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物、オリゴマー、デンドリマーなどが利用できる。また、それらと混ぜる金属酸化物には、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられ、これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ましい。
【０１２４】
また、電荷発生層５１３は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを積層した構造としてもよい。
【０１２５】
本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、タンデム型の発光素子は、３つ以上の発光ユニットを有していてもよい。この場合も、各発光ユニットの間には電荷発生層を設ける。例えば、第１のユニットと、それよりも長波長の発光（例えば、赤色の発光）を呈する第１の発光材料を用いて作製される第２のユニットと、第１のユニットよりも長波長、かつ第１の発光材料よりも短波長の発光（例えば、緑色の発光）を呈する第２の発光材料を用いて作製される第３のユニットとを有する発光素子を構成してもよい。これらの発光ユニットを用いることにより、白色の発光装置を得ることができる。
【０１２６】
本実施の形態に係るタンデム型の発光素子は、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置するため、電流密度を低く保ったまま高輝度の発光を可能にする。電流密度を低くできるため、高輝度でも長寿命な発光素子とすることができる。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【０１２７】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
（実施の形態７）
（パッシブマトリクス型の発光装置、及びアクティブマトリクス型の発光装置の説明）
本実施の形態では、本発明の一態様である封止体の作製方法で封止したパッシブマトリクス型の発光装置、及びアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。
【０１２９】
図１３、図１４にパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。
【０１３０】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１３１】
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）は、封止前における画素部の平面図であり、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面を図１３（Ｄ）に示す。
【０１３２】
ガラス基板６０１上には、下地絶縁層として絶縁層６０２が形成されている。なお、絶縁層６０２が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層６０２上には、ストライプ状の複数の第１の電極６０３が等間隔で配置されている（図１３（Ａ））。なお、本実施の形態で示す第１の電極６０３は、実施の形態５における第１の電極１０２に相当する。
【０１３３】
また、第１の電極６０３上には、各画素に対応する開口部６０５を有する隔壁６０４が設けられている。隔壁６０４は、絶縁材料で形成されている。例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、もしくはベンゾシクロブテン等の感光性または非感光性の有機材料や、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜等のＳＯＧ膜を絶縁材料として用いることができる。また、各画素に対応する開口部６０５は、発光領域となる（図１３（Ｂ））。
【０１３４】
開口部を有する隔壁６０４上には、第１の電極６０３と交差する複数の隔壁６０６が設けられている（図１３（Ｃ））。複数の隔壁６０６は、それぞれ互いに平行に設けられており、逆テーパ状をなしている。
【０１３５】
第１の電極６０３及び隔壁６０４上には、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８が順次積層されている（図１３（Ｄ））。なお、本実施の形態で示す有機ＥＬ層６０７は、実施の形態５における有機ＥＬ層１０３に相当し、第２の電極６０８は、第２の電極１０４に相当する。隔壁６０４及び隔壁６０６を合わせた高さは、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８を合わせた厚さより大きくなるように設定されているため、図１３（Ｄ）に示すように複数の領域に分離された有機ＥＬ層６０７、及び第２の電極６０８が形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１３６】
第２の電極６０８は、第１の電極６０３と交差するストライプを成す。なお、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８を形成すると、逆テーパ状の隔壁６０６上にも同様の層が形成されるが、有機ＥＬ層６０７、及び第２の電極６０８とは分断されている。
【０１３７】
続いて、ガラス基板６０１を基に実施の形態３で示したようにガラス封止体を形成する。これにより、発光素子の劣化を著しく抑制できる。なお、密閉された空間には、乾燥した充填材や不活性ガスを充填しても良い。さらに、水分などによる発光素子の劣化を防ぐために当該ガラス封止体に乾燥材などを封入してもよい。乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属の酸化物、ゼオライト、またはシリカゲル等を用いることができる。アルカリ土類金属の酸化物は、化学吸着によって水分を吸収する性質を有する。また、ゼオライトやシリカゲルは、物理吸着によって水分を吸着する性質を有する。
【０１３８】
次に、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｄ）に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）などを実装したものの平面図を図１４に示す。
【０１３９】
図１４において、画像表示を構成する画素部では、走査線群とデータ線群が互いに直交している。
【０１４０】
ここで図１４の図１３との関係を示すと、第１の電極６０３が走査線７０３に相当し、第２の電極６０８がデータ線７０８に相当し、逆テーパ状の隔壁６０６が隔壁７０６に相当する。データ線７０８と走査線７０３の間には、図１３に示した有機ＥＬ層６０７が挟まれており、領域７０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１４１】
走査線７０３は配線端で接続配線７０９と電気的に接続され、接続配線７０９が入力端子７１０を介してＦＰＣ７１１ｂに接続される。また、データ線７０８は入力端子７１２を介してＦＰＣ７１１ａに接続される。データ線７０８と接続配線７０９は、図７に示した端子１２６ａ、端子１２６ｂに相当する。これらをまたいでフリットガラス層５１０を形成する。
【０１４２】
また、必要に応じて、光の射出面に偏光板、円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に加えて反射防止膜を設け、外光の反射を抑えてもよい。あるいは、光の射出面に凹凸を設け、反射光を拡散させることにより、外光が光の射出面に映り込むのを抑えることができる。
【０１４３】
なお、図１４では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを設けてもよい。
【０１４４】
ＩＣチップを用いる場合には、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをそれぞれ取り付ける。取り付け方式には、ＣＯＧ方式、ＴＣＰ、ワイヤボンディング方式等を用いることができる。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを設けたものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを取り付ける。データ線側ＩＣ及び走査線側ＩＣは、シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に形成されたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板、またはプラスチック基板上に形成されたものであってもよい。
【０１４５】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は発光装置を示す平面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、ガラス基板８０１上に設けられた画素部８０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）８０３と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）８０４とを有する。画素部８０２、駆動回路部８０３、及び駆動回路部８０４は、フリットガラス層５１０とガラス基板８０１とガラス基板８０６とで形成された封止体の中に封止されている。
【０１４６】
ガラス基板８０１上には、駆動回路部８０３及び駆動回路部８０４に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線８０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
【０１４７】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。なお、ガラス基板８０１上には駆動回路部８０３及び駆動回路部８０４及び画素部８０２が形成されているが、図１５（Ｂ）においては、ソース側駆動回路である駆動回路部８０３と、画素部８０２を示している。
【０１４８】
駆動回路部８０３は、ｎチャネル型ＴＦＴ８０９とｐチャネル型ＴＦＴ８１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。なお、駆動回路部は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の形態では、同一基板上に画素部と駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、画素部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
【０１４９】
画素部８０２は、スイッチング用のＴＦＴ８１１と、電流制御用のＴＦＴ８１２と、電流制御用ＴＦＴ８１２の配線（ソース電極またはドレイン電極）に電気的に接続された陽極８１３とを含む複数の画素により形成されている。また、陽極８１３の端部を覆って絶縁物８１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、スイッチング用のＴＦＴ８１１や電流制御用のＴＦＴ８１２といったＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のＴＦＴでもよいし、逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、トップゲート型のＴＦＴでもよいし、ボトムゲート型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の材料についても特に限定されず、シリコンを用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物等の酸化物半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。
【０１５０】
発光素子８１７は、陽極８１３、有機ＥＬ層８１５、及び陰極８１６によって構成されている。発光素子の構造、材料等については先に示した通りである。なお、図１５における陽極８１３、有機ＥＬ層８１５、及び陰極８１６はそれぞれ実施の形態５における第１の電極１０２、有機ＥＬ層１０３、第２の電極１０４に相当する。また、ここでは図示しないが、陰極８１６は外部入力端子であるＦＰＣ８０８に電気的に接続されている。
【０１５１】
絶縁物８１４は、陽極８１３の端部に設けられている。そして、絶縁物８１４の上層に形成される陰極８１６の被覆性を良好なものとするため、絶縁物８１４の角部に丸みを持たせるとよい。例えば、０．２μｍ以上３μｍ以下の曲率半径を有する曲面とするのが好ましい。また、絶縁物８１４の材料としては、光をあてるとエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光をあてるとエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
【０１５２】
また、図１５（Ｂ）に示す断面図では発光素子８１７を１つのみ図示しているが、画素部８０２においては、複数の発光素子がマトリクス状に配置されている。例えば、画素部８０２に３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、先の実施の形態に示した白色の発光装置とカラーフィルタを組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、当該発光素子は、ボトムエミッション方式、トップエミッション方式、または両面射出方式のいずれも採ることができる。
【０１５３】
また、発光素子８１７は、ガラス基板８０１、ガラス基板８０６、及びフリットガラス層５１０で囲まれた封止体８１８内部に設けられている。封止体８１８は、希ガスまたは窒素ガスが充填されていてもよいし、固体で充填されていてもよい。
【０１５４】
以上のようにして、本発明の一態様に係る封止体の作製方法で封止したアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。このような発光装置は、信頼性の高い発光装置である。
【０１５５】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した作製方法で作製した発光装置を用いて作製される電子機器及び、当該発光装置を照明装置として用いる具体例について、図１６、図１７を用いて説明する。
【０１５７】
本発明を適用可能な電子機器の一例として、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器および照明装置の具体例を図１６、図１７に示す。
【０１５８】
図１６（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示している。テレビジョン装置９１００は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれている。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、表示部９１０３に用いることが可能であり、表示部９１０３により映像を表示することが可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示している。
【０１５９】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【０１６０】
図１６（Ａ）に示すテレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えている。テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１６１】
先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置をテレビジョン装置の表示部９１０３に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命なテレビジョン装置とすることができる。
【０１６２】
図１６（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。コンピュータは、本発明の一態様を用いて作製される発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。
【０１６３】
また、先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置をコンピュータの表示部９２０３に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な表示部とすることが可能となる。
【０１６４】
図１６（Ｃ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９３０１と筐体９３０２で構成されており、連結部９３０３により、開閉可能に連結されている。筐体９３０１には表示部９３０４が組み込まれ、筐体９３０２には表示部９３０５が組み込まれている。また、図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、操作キー９３０９、接続端子９３１０、センサ９３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９３１２等の入力手段を備えている。さらに、スピーカ部９３０６、記録媒体挿入部９３０７、ＬＥＤランプ９３０８等を備えていてもよい。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定されず、表示部９３０４および表示部９３０５の両方、または一方に上記実施の形態を適用して形成される発光装置が少なくとも用いられていればよい。
【０１６５】
図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１６６】
また、先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を携帯型ゲーム機の表示部（９３０４、９３０５）に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な携帯型ゲーム機とすることが可能となる。
【０１６７】
図１６（Ｅ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９５００は、筐体９５０１に組み込まれた表示部９５０２の他、操作ボタン９５０３、外部接続ポート９５０４、スピーカ９５０５、マイク９５０６などを備えている。携帯電話機９５００は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を表示部９５０２に採用している。
【０１６８】
図１６（Ｅ）に示す携帯電話機９５００は、表示部９５０２を指などで触れることで、情報を入力する、電話を掛ける、またはメールを作成するなどの操作を行うことができる。
【０１６９】
表示部９５０２の画面は、主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合したものである。
【０１７０】
例えば、電話を掛ける、またはメールを作成する場合は、表示部９５０２を文字の入力を主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部９５０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１７１】
また、携帯電話機９５００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機９５００の向き（縦向きか横向きか）を判断して、表示部９５０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１７２】
また、画面モードの切り替えは、表示部９５０２を触れる、または筐体９５０１の操作ボタン９５０３の操作により行われる。また、表示部９５０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１７３】
また、入力モードにおいて、表示部９５０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部９５０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１７４】
また、表示部９５０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部９５０２に掌や指を触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１７５】
先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を携帯電話機の表示部９５０２に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な携帯電話機とすることが可能となる。
【０１７６】
図１６（Ｄ）は卓上型の照明装置であり、照明部９４０１、傘９４０２、可変アーム９４０３、支柱９４０４、台９４０５、電源スイッチ９４０６を含む。卓上型の照明装置は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を照明部９４０１に用いることにより作製される。なお、照明装置の形式は、卓上型に限らず、天井固定型や、壁掛け型、携帯型も含まれる。
【０１７７】
図１７は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を、室内の照明装置１００１として用いた例である。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、上記実施の形態で示した発光装置は、薄型化が可能であるため、ロール型の照明装置１００２として用いることもできる。このようなデバイスを作製するには、例えば、巻き取ることが可能な極薄ガラス基板をガラス封止体の一部として利用すればよい。巻き取れるほどの極薄ガラス基板であっても、水分や酸素などを極めて通しにくいため、本発明に適用することは好ましい。なお、図１７に示すように、室内の照明装置１００１を備えた部屋で、図１６（Ｄ）で説明した卓上型の照明装置１００３を併用してもよい。
【０１７８】
また、先の実施の形態に示した封止体の作製方法で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を照明装置として用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な照明装置とすることができる。
【０１７９】
図１８に本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。
【０１８０】
自動車のフロントガラスに設けられた本発明の一形態に係るフリットガラス層５１０で封止された発光装置を、表示装置５０００、表示装置５００１に示す。実施の形態５または実施の形態６に記載の発光素子は、第１の電極と第２の電極に透光性を与えることにより、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
【０１８１】
ピラー部分に設けられた、実施の形態５または実施の形態６に記載の発光素子を、表示装置５００２に示す。表示装置５００２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示装置５００３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０１８２】
表示装置５００４や表示装置５００５はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示装置５０００乃至表示装置５００３にも設けることができる。また、表示装置５０００乃至表示装置５００５は照明装置として用いることも可能である。
【０１８３】
本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置は、信頼性が優れているので、車載用に好適に用いることができる。
【０１８４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８５】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置を照明装置として用いる例を、図１９を参照しながら説明する。図１９（Ｂ）は照明装置の平面図、図１９（Ａ）は図１９（Ｂ）におけるｃ−ｄ断面図である。
【０１８６】
本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有するガラス基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。ガラス基板４００及び第１の電極４０１は実施の形態５における第１の基板１３０及び第１の電極１０２に相当する。
【０１８７】
第１の電極４０１上には補助配線４０２が設けられている。本実施の形態では、第１の電極４０１側から発光を取り出す例を示したため、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。補助配線４０２は透光性を有する材料の導電率の低さを補うために設けられており、第１の電極４０１の抵抗が高いことによる電圧降下を起因とする発光面内の輝度むらを抑制する機能を有する。補助配線４０２は少なくとも第１の電極４０１の材料よりも導電率の大きい材料を用いて形成する。例えば、アルミニウムなどを用いると好ましい。なお、補助配線４０２における第１の電極４０１と接する部分以外の表面は絶縁層で覆われていることが好ましい。これは、取り出すことができない補助配線４０２上部からの発光を抑制するためであり、無効電流を低減し、電力効率の低下を抑制するためである。なお、補助配線４０２の形成と同時に第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２を形成しても良い。
【０１８８】
第１の電極４０１と補助配線４０２上には有機ＥＬ層４０３が形成されている。有機ＥＬ層４０３は実施の形態６における有機ＥＬ層１０３の構成、もしくは実施の形態６における発光ユニット５１１、５１２及び電荷発生層５１３を合わせた構成に相当する。なお、有機ＥＬ層４０３は第１の電極４０１よりも平面的に見て少し大きく形成することが、第１の電極４０１と第２の電極４０４とのショートを抑制する絶縁層の役割も担えるため好ましい構成である。
【０１８９】
有機ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態５における第２の電極１０４に相当し、同様の構成を有する。本実施の形態においては、発光は第１の電極４０１側から取り出されるため、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成されることが好ましい。本実施の形態において、第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給されるものとする。
【０１９０】
以上、第１の電極４０１、有機ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４（及び補助配線４０２）を有する発光素子を、本発明の一形態に係る封止体を作製する方法により封止することによって照明装置が完成する。当該ガラス封止体内部には、先の実施の形態に示したように不活性ガス４０８などを充填させる。あるいは、水分や酸素などを放出しない固形物を充填させてもよい。
【０１９１】
また、パッド４１２、第１の電極４０１及び補助配線４０２の一部をフリットガラス層５１０、シール材１１０の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。
【０１９２】
本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された照明装置は、信頼性が優れているので、車載用に限らず好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１９３】
１００ ガラス基板
１３０ 第１の基板
３００ 第２の基板
１４０ 緩衝層
１５０ 緩衝層
１１０ シール材
５００ フリットガラスペースト
５１０ フリットガラス層
１２５ 有機ＥＬ素子
１２６ａ 端子
１２６ｂ 端子
６００ 遮光マスク
７００ 紫外線
８００ レーザ光
１６１ 封止体
１６２ 封止体
１６３ 発光装置
１６４ 発光装置
１０２ 電極
１０３ 有機ＥＬ層
１０４ 電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
４００ ガラス基板
４０１ 電極
４０２ 補助配線
４０３ 有機ＥＬ層
４０４ 電極
４０８ 不活性ガス
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５０１ 電極
５０２ 電極
５１１ 発光ユニット
５１２ 発光ユニット
５１３ 電荷発生層
６０１ ガラス基板
６０２ 絶縁層
６０３ 電極
６０４ 隔壁
６０５ 開口部
６０６ 隔壁
６０７ 有機ＥＬ層
６０８ 電極
７０３ 走査線
７０５ 領域
７０６ 隔壁
７０８ データ線
７０９ 接続配線
７１０ 入力端子
７１１ａ ＦＰＣ
７１１ｂ ＦＰＣ
７１２ 入力端子
８０１ ガラス基板
８０２ 画素部
８０３ 駆動回路部
８０４ 駆動回路部
８０６ ガラス基板
８０７ 配線
８０８ ＦＰＣ
８０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
８１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
８１１ ＴＦＴ
８１２ ＴＦＴ
８１３ 陽極
８１４ 絶縁物
８１５ 有機ＥＬ層
８１６ 陰極
８１７ 発光素子
８１８ 封止体
１００１ 照明装置
１００２ 照明装置
１００３ 照明装置
５０００ 表示装置
５００１ 表示装置
５００２ 表示装置
５００３ 表示装置
５００４ 表示装置
５００５ 表示装置
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモコン操作機
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９３０１ 筐体
９３０２ 筐体
９３０３ 連結部
９３０４ 表示部
９３０５ 表示部
９３０６ スピーカ部
９３０７ 記録媒体挿入部
９３０８ ＬＥＤランプ
９３０９ 操作キー
９３１０ 接続端子
９３１１ センサ
９３１２ マイクロフォン
９４０１ 照明部
９４０２ 傘
９４０３ 可変アーム
９４０４ 支柱
９４０５ 台
９４０６ 電源スイッチ
９５００ 携帯電話機
９５０１ 筐体
９５０２ 表示部
９５０３ 操作ボタン
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ スピーカ
９５０６ マイク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスを外部より侵入する不純物から保護する封止体の作製方法および発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚のガラス基板を貼り合わせて、貼り合わせた空間を密閉する技術として、フリットガラス封止が知られている。フリットガラスで封止した封止体は気密性が優れている事が知られており、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと称す。）表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に応用されている。
【０００３】
とくにＥＬ表示装置において、ＥＬ素子の信頼性向上のためフリットガラス封止を応用する試みがされている。なぜならば、有機ＥＬ素子は有機ＥＬ層やそれを両側から挟んでいる電極が、水分や酸素に曝されると急速にその信頼性が低下するためである。フリットガラスを用いる封止により有機ＥＬ層や両電極を大気に曝さないようにする技術として、例えば、特許文献１に記された技術が知られている。
【０００４】
特許文献１に記された技術は、ガラス基板の縁に沿ってフリットガラスペーストをノズルから吐出させ、フリットガラスペーストの隔壁を形成する。そのフリットガラスペーストの隔壁を焼成してフリットガラス層とする。さらに、他のガラス基板に当該フリットガラス層を押し付け、フリットガラス層にレーザ光を照射して加熱溶融し、当該フリットガラス層と他のガラス基板とを溶着することにより、気密性の優れた封止体を形成するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フリットガラス層にレーザ光を照射して封止体を形成する方法において、フリットガラス層の表面にレーザ光を照射すると、レーザ光が散乱してフリットガラス層の溶融が不完全となり、フリットガラス層とガラス基板が溶着できない問題が生じる場合がある。
【０００７】
また、フリットガラス層が形成された基板を介してフリットガラス層にレーザ光を照射すると、レーザ光の入射方向に近い側、特に基板とフリットガラス層の界面近傍のフリットガラス層が優先的に加熱される。その結果フリットガラス層が形成された基板に応力が加わり、基板とフリットガラス層にひび（クラックともいう）が入ってしまう場合がある。
【０００８】
基板とフリットガラス層に発生したクラックは、封止体の内部に大気成分が侵入するリークパスとなり、封止性能が低下する原因となる。また、クラックの発生は封止体の接合強度を低下させる原因ともなる。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、基板とフリットガラス層におけるクラックの発生を抑制させ、気密性の優れた封止体の作製方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様では、フリットガラス層にレーザ光を照射することでガラス基板に生じる応力に着眼した。そして、緩衝層が設けられたガラス基板の一方の面に、緩衝層と重ねてフリットガラス層を形成し、ガラス基板の他方の面から当該フリットガラス層にレーザを照射する方法に想到し、上記課題の解決に至った。
【００１１】
ガラス基板の他方の面から当該フリットガラス層にレーザ光を照射すると、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないため、フリットガラス層を充分に溶融することができ、ガラス基板とフリットガラス層が溶着しない問題の発生を抑制できる。また、ガラス基板を介してレーザ光を照射して優先的に加熱されたフリットガラス層が、その下地である緩衝層に応力を加えても、該応力が当該緩衝層により緩和されるため、ガラス基板にクラックが生じることがない。
【００１２】
すなわち、本発明の一態様は、第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面にレーザ光を透過する緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた第２の基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟んだ状態で、第２の基板の他方の面からフリットガラス層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、をこの順で行う封止体の作製方法である。
【００１３】
上記作製方法により、フリットガラス層の下地に設けられた緩衝層が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板に加わる応力を緩和する。そして、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制する。その結果、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１４】
また、上記作製方法では、第２の基板を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様は、第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面にレーザ光を吸収する緩衝層を形成する第１の工程と、緩衝層の設けられた第２の基板の面に、緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、第１の基板と第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、第２の基板の他方の面から、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、をこの順で行う封止体の作製方法である。
【００１６】
上記作製方法により、フリットガラス層の下地に設けられた緩衝層が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板に加わる応力を緩和する。そして、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制する。その結果、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１７】
また、上記作製方法では、第２の基板を介して緩衝層にレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、気密性の優れた封止体を作製することができる。
【００１８】
また、上記作製方法ではレーザ光を吸収する緩衝層を用いるので、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融することができる。レーザ光を吸収する緩衝層は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００１９】
また、フリットガラス層にレーザ光を吸収して熱に変換する材料（以下、レーザ吸収材という）を添加しなくてもよいため、材料費を低減できる。
【００２０】
また、本発明の一態様は、レーザ光を吸収する緩衝層にフリットガラス層より融点が高い金属層を用いた封止体である。
【００２１】
フリットガラス層より高い融点を有する金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００２２】
また金属は延性があるので、第２の基板に生じた引張り応力を緩和することができるため、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制できる。
【００２３】
また、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００２４】
また、上記作製方法によれば、前記フリットガラス層を閉曲線に形成した後に、第１の基板と第２の基板を封止する作製方法である。そのため、フリットガラス層に切れ目のない気密性の高い封止体を作製することが出来る。
【００２５】
また、本発明の一態様は、第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、発光素子を囲む大きさでレーザ光を透過する緩衝層を形成する第２の工程と、第２の基板の一方の面の側に、緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟持させた状態で、第１の基板と第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、第２の基板の他方の面から、フリットガラス層にレーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、をこの順で行う発光装置の作製方法である。
【００２６】
上記発光装置の作製方法を用いると、緩衝層がレーザ光の照射によって生じた第２の基板の応力を緩和して、第２の基板においてクラックの発生を抑制することができる。その結果、気密性の高いフリットガラス層で封止した信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２７】
また、上記発光装置の作製方法を用いると、第２の基板を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層を充分に溶融することができる。そのため、フリットガラス層と第１の基板の溶着が不完全になることを防止することが出来るので、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００２８】
また、上記発光装置の作製方法を用いると、第２の基板側にフリットガラス層を形成するため、フリットガラスの仮焼成で加える熱は、発光素子にかからない。そのため、発光素子に損傷を与えることがない。
【００２９】
また、本発明の一態様は、第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、発光素子を囲む大きさでレーザ光を吸収する緩衝層を形成する第２の工程と、第２の基板の一方の面の側に、緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、第１の基板と第２の基板の間にフリットガラス層を挟持させた状態で、第１の基板と第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、第２の基板の他方の面から、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融させ、フリットガラス層と第１の基板と第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、をこの順で行う発光装置の作製方法である。
【００３０】
上記発光装置の作製方法を用いると、緩衝層がレーザ光の照射によって生じた第２の基板の応力を緩和して、第２の基板においてクラックの発生を抑制することができる。その結果、気密性の高いフリットガラス層で封止した信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００３１】
また、上記作製方法ではレーザ光を吸収する緩衝層を用いるので、緩衝層にレーザ光を照射してフリットガラス層を溶融することができる。レーザ光を吸収する緩衝層は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００３２】
また、フリットガラス層にレーザ光を吸収して熱に変換する材料（以下、レーザ吸収材という）を添加しなくてもよいため、材料費を低減できる。
【００３３】
また、本発明の一態様は、レーザ光を吸収する緩衝層にフリットガラス層より高い融点を有する金属層を用いた封止体である。
【００３４】
フリットガラス層より高い融点を有する金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００３５】
また金属は延性があるので、第２の基板に生じた引張り応力を緩和することができるため、第２の基板とフリットガラス層にクラックが発生する現象を抑制できる。
【００３６】
また、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００３７】
また、上記発光装置の作製方法では、第１の基板と第２の基板を閉曲線に形成されたフリットガラス層で封止することができる。そのため、発光装置を切れ目のないフリットガラス層で封止することができる。よって、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の一態様によれば、気密性の優れた封止体の作製方法を提供できる。または、信頼性の高い発光装置の作製方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一態様の封止体を示す断面図及び平面図。
【図２】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図３】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図４】本発明の一態様の封止体を示す断面図及び平面図。
【図５】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図６】本発明の一態様の封止体の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図７】本発明の一態様の発光装置を示す断面図及び平面図。
【図８】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図９】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図１０】本発明の一態様の発光装置を示す断面図及び平面図。
【図１１】本発明の一態様の発光装置の作製工程を示す断面図及び平面図。
【図１２】本発明の一態様に係る発光素子の概念図。
【図１３】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１４】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１５】本発明の一態様に係る発光装置の例を示す図。
【図１６】本発明の一態様に係る電子機器及び照明装置の例を示す図。
【図１７】本発明の一態様に係る照明装置の例を示す図。
【図１８】本発明の一態様に係る車載表示装置の例を示す図。
【図１９】本発明の一態様に係る照明装置の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法を用いて図１に示す封止体１６１を作製する方法を図２、図３を用いて説明する。
【００４２】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１４０を形成する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。
【００４３】
緩衝層１４０となる膜は、酸化シリコン、窒化シリコンを用いることが出来る。酸化シリコン、窒化シリコンはプラズマＣＶＤ法を用いて成膜すればよい。後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、緩衝層１４０は圧縮応力を有する層であればよい。
【００４４】
緩衝層１４０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図２（Ａ））。緩衝層１４０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００４５】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、フリットガラスペースト５００を緩衝層１４０と重なるように、第２の基板３００上に塗布する（図２（Ｂ））。フリットガラスペースト５００とは、粉末ガラスとバインダを含むものである。粉末ガラスは、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラスおよびホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された１以上の化合物を含むことが望ましい。これに、例えば、有機溶媒で希釈した樹脂バインダを混ぜ、フリットガラスペーストとする。後述するレーザ光の照射でフリットガラス層５１０を加熱するため、レーザ光吸収材を添加したフリットガラスペーストを用いる。吸収材は使用するレーザ光の波長に合わせて最適なレーザ光吸収材を選択すればよい。
【００４６】
フリットガラスペースト５００の塗布方法は、ディスペンサ法、スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いて形成することができる。この実施の形態では、表示装置などを封止するのに好適な長方形状としたが、閉曲線を成すものであれば、円状、楕円状などいかなる形状としてもよい。
【００４７】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト中のバインダを揮発させるため加熱を行う。具体的には温度は３００〜４５０℃で加熱を行えばよい。当該加熱処理は、ランプやヒーターなどを利用して行なえばよい。当該加熱処理で、粉末ガラスを溶融し固化させることにより当該粉末ガラスを融合させ、フリットガラス層５１０とすることができる。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する（図２（Ｃ））。気密性の優れた封止体を形成するためである。
【００４８】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、フリットガラス層５１０にレーザ光８００を照射する（図３）。その結果、溶融したフリットガラス層５１０を介して、第２の基板３００と第１の基板１３０が溶着する。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介してフリットガラス層５１０に行う。フリットガラス層５１０の表面でレーザ光は散乱しないので、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０が溶着して気密性の高い封止体を得ることが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００４９】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板とフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温された後、急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、本実施の形態の第２の基板３００には緩衝層１４０が設けられているため、レーザ光８００が照射されたフリットガラス層５１０から生じる引張り応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。そのため、気密性の優れた封止体を作製することが出来る。
【００５０】
以上の工程により、図１に示す封止体１６１を作製することができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態で示す封止体１６１の作製方法を用いると、緩衝層１４０が、レーザ光８００の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６１を作製することができる。
【００５２】
また、本実施の形態で示す封止体１６１の作製方法は、第２の基板３００を介してレーザ光８００の照射を行っているため、フリットガラス層５１０の表面でレーザ光８００が散乱しないで、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、気密性の優れた封止体１６１を作製することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の作製方法を用いて図４に示す封止体１６２を作製する方法を図５、図６を用いて説明する。
【００５４】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１５０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。
【００５５】
緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図５）。緩衝層１５０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。
【００５６】
緩衝層１５０となる膜は、レーザ光を吸収して、ガラスの融点より高い融点の物質で形成することが出来る。具体的にはシリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）の絶縁物、タングステン、タンタル、鉄等の金属で形成することが出来る。シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）はプラズマＣＶＤ法、メタルはスパッタリング法で形成することができる。
【００５７】
後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の絶縁物は、圧縮応力を有することが好ましい。
【００５８】
または、シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）の代わりに、緩衝層１５０は、タングステン、タンタル、鉄等の金属で延性を有する層であっても良い。フリットガラス層より高い融点をもつ金属は、レーザ光照射による発熱でフリットガラス層が溶融する前に金属が溶融しないため、フリットガラス層に熱を効率よく伝えることが出来る。
【００５９】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１５０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する（図５）。本実施の形態ではレーザ吸収材を含まないフリットガラスペーストを用いる。その他のフリットガラスペーストの材料構成、塗布方法は、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００６０】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する（図５）。気密性の優れた封止体を形成するためである。
【００６１】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、レーザ光の照射する（図６）。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介して緩衝層１５０に行う。緩衝層１５０がレーザ光８００を吸収し、緩衝層１５０から熱伝導した熱がフリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板を溶着させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。緩衝層がなくフリットガラス層にレーザ光を吸収させる場合、フリットガラス層は膜厚が一定ではなく表面形状も凹凸を有するので、レーザ光が散乱する場合がある。一方、レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に膜厚が一定の薄膜として形成され、表面形状も凹凸がないため、レーザ光が散乱されにくくフリットガラス層５１０より効率よくレーザ光を吸収する。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。特に緩衝層１５０にタングステン、タンタル、鉄の金属を用いた場合、レーザ光を吸収しやすいため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザ光の波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００６２】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００６３】
また、レーザ光の照射により第２の基板３００に生じた引張応力は、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いることより緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００６４】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００６５】
また、緩衝層１５０にフリットガラス層より高い融点を有する金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００６６】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０を用いると、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよい。よって、フリットガラスペーストの材料費を抑制することができる。
【００６７】
なお、本発明の一態様の封止体の作製方法は、フリットガラスペースト５００を用いた場合に限られず、極めて薄い帯状のガラス薄膜を用いた場合にも適用することが出来る。例えば、フリットガラス層５１０に代えて厚さが１００ｎｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の帯状のガラス薄膜を用い、緩衝層１５０に対してレーザ光を照射することにより、間接的に加熱して当該ガラス薄膜を溶融させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０を溶着させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。このような帯状のガラス薄膜を用いると、フリットガラスペースト５００の仮焼成が不要であるため、工程を簡略化できる。
【００６８】
以上の工程により、図４に示す封止体１６２を作製することができる。
【００６９】
以上のように、本実施の形態で示す封止体１６２の作製方法を用いると、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６２を作製することができる。
【００７０】
また、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い封止体１６２を作製することができる。
【００７１】
また、本実施の形態で示す封止体１６２の作製方法は、緩衝層１５０にレーザ光８００を照射してフリットガラス層５１０を溶融している。緩衝層１５０が第２の基板３００に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光８００が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。また、緩衝層１５０に金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光８００を吸収して発熱した熱をフリットガラス層５１０に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。また、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよいため、フリットガラスペースト５００の材料費を低減できる。
【００７２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図７に示す発光装置１６３の作製方法の一形態を、図８、図９を用いて説明する。本実施の形態では、発光素子の一態様として有機ＥＬ素子を用いた場合について説明する。
【００７３】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１４０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。緩衝層１４０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する。第２の基板３００と第１の基板１３０を貼り合わせた状態で、緩衝層１４０は、有機ＥＬ素子１２５を囲むように、形成すればよい。緩衝層１４０のパターン形成は公知の技術を用いればよく、エッチングによって形成することができる。
【００７４】
緩衝層１４０には、酸化シリコン、窒化シリコンを用いることが出来る。酸化シリコン、窒化シリコンはプラズマＣＶＤ法を用いて成膜すればよい。後述するレーザ光の照射により第２の基板３００に生じる引張り応力を緩和するため、緩衝層１４０は圧縮応力を有する層であればよい。
【００７５】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１４０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する。本実施の形態では、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００７６】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に閉曲線になるように形成する。気密性の高い封止体で有機ＥＬ素子１２５を封止するためである。
【００７７】
（有機ＥＬ素子の形成）
まず、図８（Ａ）に示すように、第１の基板１３０上に有機ＥＬ素子１２５を設ける。有機ＥＬ素子１２５は、例えば、第１の基板１３０に近いほうから陽極、発光層、陰極の順に積まれた積層構造を有する。陽極と陰極を入れ替えてもよい。これらの他に別の層を追加で設けても構わない。陽極からは端子１２６ａが、陰極からは端子１２６ｂがそれぞれ出ており、これらを外部電源に接続することで、有機ＥＬ素子１２５に電力を供給できる。
【００７８】
（シール材の形成）
次に、図８（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１２５を囲むように、かつフリットガラス層５１０と貼り合わせる領域と重ならないように、シール材１１０を形成する。シール材１１０で、第１の基板１３０と第２の基板３００を貼り合わせる理由は、フリットガラス層５１０に粘着性がなく、第１の基板１３０と第２の基板の位置合わせが困難であるためである。シール材１１０は、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂などを用い、ディスペンサ法、スクリーン印刷法で塗布すればよい。該シール材１１０は第１の基板１３０上で閉曲線に形成する。該シール材１１０においても外気の侵入を防ぐためである。なお、シール材１１０の閉曲線は、フリットガラス層５１０が形成される領域の内側、または外側のどちらでもよい。
【００７９】
（シール材の硬化）
次に、シール材１１０を塗布した有機ＥＬ素子１２５を有する第１の基板１３０と、フリットガラス層５１０を形成した第２の基板３００を貼り合わせる。紫外線硬化樹脂を用いる場合、有機ＥＬ素子１２５に紫外線が当たらないように遮光マスク６００で有機ＥＬ素子１２５を遮光し、紫外線７００を照射してシール材１１０を硬化させ、第１の基板１３０と第２の基板を接着させる（図９（Ｃ））。
【００８０】
（レーザ光の照射）
次に、フリットガラス層５１０にレーザ光を照射して、フリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０を溶着する（図９（Ｄ））。レーザ光の照射は第２の基板３００を介してフリットガラス層５１０に行う。フリットガラス層５１０の表面でレーザ光が散乱されないので、フリットガラス層５１０を充分に溶融することができる。レーザ光の照射に用いるレーザの波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００８１】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、緩衝層１４０が、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００８２】
以上の工程により、図７に示す発光装置１６３を作製することができる。
【００８３】
以上のように、本実施の形態で示す発光装置１６３の作製方法を用いると、第２の基板３００においてクラックの発生を抑制することができる。緩衝層１４０が、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制するためである。フリットガラス層５１０は気密性を有するので、外部から水分、大気成分の侵入を抑制できる。その結果、気密性の高い封止により信頼性の優れた発光装置１６３を作製することができる。
【００８４】
また、本実施の形態で示す発光装置１６３の作製方法は、第２の基板３００を介してレーザ光の照射を行っているため、フリットガラス層５１０の表面でレーザ光が散乱しないので、フリットガラス層５１０が充分に溶融する。そのため、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０の溶着が不完全になることを防止することが出来る。その結果、気密性の高い封止体により信頼性の高い発光装置１６３を作製することができる。
【００８５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１０に示す発光装置１６４の作製方法の一形態を、図１１を用いて説明する。
【００８６】
（緩衝層の形成）
まず、第２の基板３００上に緩衝層１５０を成膜する。第２の基板３００はガラスを用いる。後述するレーザ光の照射を第２の基板３００を介して行うため、第２の基板３００はレーザ光を透過する基板であればよい。緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０を形成する領域に形成する（図１１（Ｃ））。緩衝層１５０の形態は公知の技術を用いて形成すればよく、例えばフォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いてエッチングによって形成することができる。後述するように第２の基板３００は、発光素子を形成する第１の基板１３０とフリットガラス層５１０を介して貼り合わせる。そのため貼り合わせた状態で発光素子を囲むように、緩衝層１５０を第２の基板３００上に形成する。
【００８７】
緩衝層１５０の構成、形成については、実施の形態２を参酌することが出来る。
【００８８】
（フリットガラスペーストの塗布）
つぎに、第２の基板３００上で緩衝層１５０と重なるように、フリットガラスペースト５００を塗布する。本実施の形態ではレーザ光吸収材を含まないフリットガラスペーストを用いる。その他のフリットガラスペーストの材料構成、塗布方法は、実施の形態１を参酌することが出来る。
【００８９】
（フリットガラスペーストの焼成）
フリットガラスペースト５００を焼成してフリットガラス層５１０を形成する工程は、実施の形態１を参酌することが出来る。この焼成の段階でフリットガラス層５１０は、第２の基板３００上に切れ目のない閉曲線になるように形成する。気密性の高い封止体を形成するためである。
【００９０】
（有機ＥＬ素子、シール材の形成）
第１の基板１３０上に有機ＥＬ素子１２５を設ける工程、第１の基板１３０上にシール材１１０を形成する工程および、シール材１１０を硬化させ第１の基板１３０と第２の基板３００を貼り合わせる工程は、実施の形態３を参酌することが出来る。
【００９１】
（レーザ光の照射）
次に、第２の基板３００上のフリットガラス層５１０と第１の基板１３０を密着させ、レーザ光８００を照射する（図１１（Ｄ））。レーザ光８００の照射は第２の基板３００を介して緩衝層１５０に行う。緩衝層１５０がレーザ光８００を吸収し、緩衝層１５０から熱伝導した熱がフリットガラス層５１０を溶融させ、フリットガラス層５１０と第１の基板を溶着させ、フリットガラス層５１０と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのためレーザ光が散乱されにくいので、緩衝層１５０は、フリットガラス層５１０に比べレーザ光を効率よく吸収する。よって、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。特に緩衝層１５０にタングステン、タンタル、鉄の金属を用いた場合、レーザ光を吸収しやすいため、フリットガラス層５１０に直接レーザ光を照射する場合より、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。レーザ光の照射に用いるレーザ光の波長は７５０〜１２００ｎｍを用いることが出来る。具体的には８００ｎｍの半導体レーザが望ましい。
【００９２】
フリットガラス層が直接設けられた基板にレーザ光を照射すると、基板にフリットガラス層が接する部分が、局所的に急速昇温・急冷される。そのため基板に局所的に大きな引張応力が発生して、基板とフリットガラス層にクラックが発生する場合がある。しかし、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００９３】
また、レーザ光の照射により第２の基板３００に生じた引張応力は、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いると、第２の基板３００に生じた引張り応力を緩和することができるので、第２の基板３００のクラックの発生を抑制することができる。
【００９４】
緩衝層がなくフリットガラス層にレーザ光を吸収させる場合、フリットガラス層は膜厚が一定ではなく表面形状も凹凸を有するので、レーザ光が散乱する場合がある。一方、レーザ光を吸収する緩衝層１５０は、第２の基板３００に膜厚が一定の薄膜として形成され、表面形状も凹凸がないため、レーザ光が散乱されにくくフリットガラス層５１０より効率よくレーザ光を吸収する。そのため、フリットガラス層に直接レーザ光を照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。
【００９５】
また、緩衝層にフリットガラス層より高い融点を有する金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光を吸収して発熱した熱をフリットガラス層に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。
【００９６】
レーザ光を吸収する緩衝層１５０を用いると、フリットガラスペーストにレーザ吸収材を添加しなくてもよい。よって、フリットガラスペーストの材料費を抑制することができる。
【００９７】
なお、本発明の一態様の封止体の作製方法は、フリットガラスペースト５００を用いた場合に限られず、極めて薄い帯状のガラス薄膜を用いた場合にも適用することが出来る。例えば、フリットガラス層５１０に代えて厚さが１００ｎｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下の帯状のガラス薄膜を用い、緩衝層１５０に対してレーザ照射することにより、間接的に加熱して当該ガラス薄膜を溶融させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０を溶着させ、当該ガラス薄膜と第１の基板１３０と第２の基板３００とで閉空間を形成する。このような帯状のガラス薄膜を用いると、フリットガラスペースト５００の仮焼成が不要であるため、工程を簡略化できる。
【００９８】
以上の工程により、図１０に示す発光装置１６４を作製することができる。
【００９９】
以上のように、本実施の形態で示す発光装置１６４の作製方法を用いると、圧縮応力を有する層を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い発光装置１６４を作製することができる。
【０１００】
また、延性を有する金属を緩衝層１５０に用いれば、レーザ光の照射によって生じた第２の基板３００の応力を緩和して、第２の基板３００のクラックの発生を抑制する。その結果、気密性の高い発光装置１６４を作製することができる。
【０１０１】
また、本実施の形態で示す発光装置１６４の作製方法は、緩衝層１５０にレーザ光８００を照射してフリットガラス層５１０を溶融している。緩衝層１５０が第２の基板に平坦な薄膜として形成されているため、レーザ光が散乱されにくい。そのため、フリットガラス層５１０にレーザ光を直接照射する場合より、低いエネルギーのレーザ光で溶着することが出来る。また、緩衝層１５０に金属を用いた場合、金属の熱伝導率は絶縁物より高いため、レーザ光８００を吸収して発熱した熱をフリットガラス層５１０に絶縁物より効率よく熱を伝えることが出来る。そのため、低いレーザ光の照射エネルギーで溶着することが出来る。また、フリットガラスペースト５００にレーザ吸収材を添加しなくてもよいため、フリットガラスペースト５００の材料費を低減できる。
【０１０２】
（実施の形態５）
実施の形態３および４において説明した有機ＥＬ素子１２５に適用可能な構成の一態様について、図１２（Ａ）を用いて説明する。なお、本実施の形態では第１の電極１０２と第２の電極１０４に挟持された有機ＥＬ層１０３を有する発光素子の構成について詳細に説明する。また、第１の電極１０２には端子１２６ｂが接続され、第２の電極１０４には端子１２６ａが接続される。
【０１０３】
発光素子は、一対の電極（第１の電極１０２及び第２の電極１０４）と、当該一対の電極間に挟まれた有機ＥＬ層１０３を有する。また、本実施の形態で説明する発光素子は、ガラス基板１００上に設けられている。
【０１０４】
ガラス基板１００は、発光素子の支持体として用いられる。ガラス基板１００としては、長方形の板状のものは勿論、曲面を有するものなど様々な形状のものを用いることができる。
【０１０５】
第１の電極１０２及び第２の電極１０４は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。本実施の形態においては、第１の電極１０２を陽極として用い、第２の電極１０４を陰極として用いるものとして説明するが、本発明はこの構成に限定されるものではない。
【０１０６】
陽極として用いる材料は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１０７】
陰極として用いる材料は、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などが好ましい。具体的には、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）が挙げられる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金（例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を用いることもできる。また、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属、または希土類金属を含む合金を用いることもできる。また、有機ＥＬ層１０３の一部として、第２の電極１０４に接する電子注入層を設ける場合、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯなどの様々な導電性材料を第２の電極１０４として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて薄膜とすることが可能である。
【０１０８】
有機ＥＬ層１０３は、単層構造で構成されることも可能であるが、通常積層構造から構成される。有機ＥＬ層１０３の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）または正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層、発光材料を含む層（発光層）などを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。図１２（Ａ）においては、第１の電極１０２の上に形成された有機ＥＬ層１０３として、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４が順に積層された構造を示している。
【０１０９】
発光素子は、第１の電極１０２と第２の電極１０４との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である発光層１１３において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり発光層１１３に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０１１０】
発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０２を通ってガラス基板１００側から取り出される。また、第２の電極１０４のみが透光性を有する電極である場合、発光は第２の電極１０４を通って基板と逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０４がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０４を通って、ガラス基板１００側と逆側の両方から取り出される。
【０１１１】
発光層１１３に接する正孔輸送層１１２や電子輸送層１１４、特に発光層１１３における発光領域に近い方に接するキャリア（電子または正孔）輸送層は、発光層１１３で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制するため、発光層を構成する発光材料、または発光層に含まれる発光中心物質よりも大きなエネルギーギャップを有する物質で構成することが好ましい。
【０１１２】
正孔注入層１１１は、正孔注入性の高い物質を含み、第１の電極１０２から正孔輸送層１１２へ正孔の注入を補助する機能を有する。正孔注入層１１１には、第１の電極１０２と正孔輸送層１１２との間のイオン化ポテンシャルの差を緩和し、正孔が注入され易くなるものを選ぶ。正孔注入層１１１は、イオン化ポテンシャルを正孔輸送層１１２よりも小さく、第１の電極１０２よりも大きい物質が好ましい。正孔注入層１１１には、例えば、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、またはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子を用いることができる。
【０１１３】
正孔輸送層１１２は、正孔輸送性の高い物質を含む。正孔輸送性の高い物質とは、正孔の移動度が電子のそれよりも高いものを指し、電子の移動度に対する正孔の移動度の比（＝正孔移動度／電子移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、正孔輸送層１１２の正孔移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）などを利用できる。また、正孔輸送層１１２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【０１１４】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む。電子輸送性の高い物質とは、電子の移動度が正孔のそれよりも高いものを指し、正孔の移動度に対する電子の移動度の比（＝電子移動度／正孔移動度）が１００よりも大きいものを利用するのが好ましい。また、電子輸送層１１４の電子移動度は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とするのが好ましい。具体的には、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子を有する金属錯体、チアゾール系配位子を有する金属錯体を利用できる。キノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）が挙げられる。また、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体の具体例としては、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）が挙げられる。また、オキサゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）が挙げられる。また、チアゾール系配位子を有する金属錯体の具体例としては、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）が挙げられる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ ０１）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。具体例を挙げた上述の物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を電子輸送層１１４として用いてもよい。また、電子輸送層１１４は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【０１１５】
また、発光層１１３と電子輸送層１１４との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けてもよい。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に対して、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層である。電子キャリアの移動を制御する層を設けることにより、電子キャリアの移動を抑制し、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１１６】
また、電子輸送層１１４と第２の電極１０４との間に、第２の電極１０４に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、電子輸送性を有する物質からなる層中に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）などのようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたものを用いればよい。具体例としては、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。電子注入層を設けることにより、第２の電極１０４からの電子注入を効率良く行うことができる。
【０１１７】
また、有機ＥＬ層１０３は、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いて形成できる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、またはスピンコート法を用いることができる。また、有機ＥＬ層１０３を積層構造とする場合、各層毎に異なる方法を用いて形成してもよいし、各層全てを同一の方法で形成してもよい。
【０１１８】
また、第１の電極１０２、第２の電極１０４は、ゾル−ゲル法や液状の金属材料を用いた湿式法で形成してもよいし、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法で形成してもよい。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【０１１９】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の封止体作製方法により封止した、複数の発光ユニットを積層した構成を有する発光素子（以下、「タンデム型の発光素子」という）について、図１２（Ｂ）を参照しながら説明する。タンデム型の発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニットを有する。発光ユニットとしては、先に示した有機ＥＬ層１０３と同様な構成を用いることができる。
【０１２１】
図１２（Ｂ）において、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されている。第１の電極５０１と第２の電極５０２は、実施の形態５と同様なものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、各ユニットの構成は、それぞれ実施の形態５に示したものと同様なものを適用することができる。
【０１２２】
第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２との間には、電荷発生層５１３が設けられている。電荷発生層５１３は、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含み、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を可能にする。
【０１２３】
正孔輸送性の有機化合物には、正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物、オリゴマー、デンドリマーなどが利用できる。また、それらと混ぜる金属酸化物には、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いればよく、具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられ、これらの金属酸化物は電子受容性が高いため、好ましい。特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、且つ扱いやすいため、特に好ましい。
【０１２４】
また、電荷発生層５１３は、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物、及び電子輸送性の高い化合物を含む層とを積層した構造としてもよいし、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを積層した構造としてもよい。
【０１２５】
本実施の形態では、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。すなわち、タンデム型の発光素子は、３つ以上の発光ユニットを有していてもよい。この場合も、各発光ユニットの間には電荷発生層を設ける。例えば、第１のユニットと、それよりも長波長の発光（例えば、赤色の発光）を呈する第１の発光材料を用いて作製される第２のユニットと、第１のユニットよりも長波長、かつ第１の発光材料よりも短波長の発光（例えば、緑色の発光）を呈する第２の発光材料を用いて作製される第３のユニットとを有する発光素子を構成してもよい。これらの発光ユニットを用いることにより、白色の発光装置を得ることができる。
【０１２６】
本実施の形態に係るタンデム型の発光素子は、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置するため、電流密度を低く保ったまま高輝度の発光を可能にする。電流密度を低くできるため、高輝度でも長寿命な発光素子とすることができる。このような発光素子と本発明の一態様である封止体の作製方法を組み合わせることにより、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【０１２７】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
（実施の形態７）
（パッシブマトリクス型の発光装置、及びアクティブマトリクス型の発光装置の説明）
本実施の形態では、本発明の一態様である封止体の作製方法で封止したパッシブマトリクス型の発光装置、及びアクティブマトリクス型の発光装置について説明する。
【０１２９】
図１３、図１４にパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す。
【０１３０】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１３１】
図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）は、封止前における画素部の平面図であり、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面を図１３（Ｄ）に示す。
【０１３２】
ガラス基板６０１上には、下地絶縁層として絶縁層６０２が形成されている。なお、絶縁層６０２が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層６０２上には、ストライプ状の複数の第１の電極６０３が等間隔で配置されている（図１３（Ａ））。なお、本実施の形態で示す第１の電極６０３は、実施の形態５における第１の電極１０２に相当する。
【０１３３】
また、第１の電極６０３上には、各画素に対応する開口部６０５を有する隔壁６０４が設けられている。隔壁６０４は、絶縁材料で形成されている。例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、もしくはベンゾシクロブテン等の感光性または非感光性の有機材料や、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜等のＳＯＧ膜を絶縁材料として用いることができる。また、各画素に対応する開口部６０５は、発光領域となる（図１３（Ｂ））。
【０１３４】
開口部を有する隔壁６０４上には、第１の電極６０３と交差する複数の隔壁６０６が設けられている（図１３（Ｃ））。複数の隔壁６０６は、それぞれ互いに平行に設けられており、逆テーパ状をなしている。
【０１３５】
第１の電極６０３及び隔壁６０４上には、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８が順次積層されている（図１３（Ｄ））。なお、本実施の形態で示す有機ＥＬ層６０７は、実施の形態５における有機ＥＬ層１０３に相当し、第２の電極６０８は、第２の電極１０４に相当する。隔壁６０４及び隔壁６０６を合わせた高さは、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８を合わせた厚さより大きくなるように設定されているため、図１３（Ｄ）に示すように複数の領域に分離された有機ＥＬ層６０７、及び第２の電極６０８が形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１３６】
第２の電極６０８は、第１の電極６０３と交差するストライプを成す。なお、有機ＥＬ層６０７及び第２の電極６０８を形成すると、逆テーパ状の隔壁６０６上にも同様の層が形成されるが、有機ＥＬ層６０７、及び第２の電極６０８とは分断されている。
【０１３７】
続いて、ガラス基板６０１を基に実施の形態３で示したようにガラス封止体を形成する。これにより、発光素子の劣化を著しく抑制できる。なお、密閉された空間には、乾燥した充填材や不活性ガスを充填しても良い。さらに、水分などによる発光素子の劣化を防ぐために当該ガラス封止体に乾燥材などを封入してもよい。乾燥剤によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。乾燥剤としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属の酸化物、ゼオライト、またはシリカゲル等を用いることができる。アルカリ土類金属の酸化物は、化学吸着によって水分を吸収する性質を有する。また、ゼオライトやシリカゲルは、物理吸着によって水分を吸着する性質を有する。
【０１３８】
次に、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｄ）に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）などを実装したものの平面図を図１４に示す。
【０１３９】
図１４において、画像表示を構成する画素部では、走査線群とデータ線群が互いに直交している。
【０１４０】
ここで図１４の図１３との関係を示すと、第１の電極６０３が走査線７０３に相当し、第２の電極６０８がデータ線７０８に相当し、逆テーパ状の隔壁６０６が隔壁７０６に相当する。データ線７０８と走査線７０３の間には、図１３に示した有機ＥＬ層６０７が挟まれており、領域７０５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１４１】
走査線７０３は配線端で接続配線７０９と電気的に接続され、接続配線７０９が入力端子７１０を介してＦＰＣ７１１ｂに接続される。また、データ線７０８は入力端子７１２を介してＦＰＣ７１１ａに接続される。データ線７０８と接続配線７０９は、図７に示した端子１２６ａ、端子１２６ｂに相当する。これらをまたいでフリットガラス層５１０を形成する。
【０１４２】
また、必要に応じて、光の射出面に偏光板、円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板または円偏光板に加えて反射防止膜を設け、外光の反射を抑えてもよい。あるいは、光の射出面に凹凸を設け、反射光を拡散させることにより、外光が光の射出面に映り込むのを抑えることができる。
【０１４３】
なお、図１４では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを設けてもよい。
【０１４４】
ＩＣチップを用いる場合には、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをそれぞれ取り付ける。取り付け方式には、ＣＯＧ方式、ＴＣＰ、ワイヤボンディング方式等を用いることができる。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを設けたものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを取り付ける。データ線側ＩＣ及び走査線側ＩＣは、シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に形成されたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板、またはプラスチック基板上に形成されたものであってもよい。
【０１４５】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１５を用いて説明する。なお、図１５（Ａ）は発光装置を示す平面図であり、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、ガラス基板８０１上に設けられた画素部８０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）８０３と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）８０４とを有する。画素部８０２、駆動回路部８０３、及び駆動回路部８０４は、フリットガラス層５１０とガラス基板８０１とガラス基板８０６とで形成された封止体の中に封止されている。
【０１４６】
ガラス基板８０１上には、駆動回路部８０３及び駆動回路部８０４に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線８０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
【０１４７】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の断面構造について図１５（Ｂ）を用いて説明する。なお、ガラス基板８０１上には駆動回路部８０３及び駆動回路部８０４及び画素部８０２が形成されているが、図１５（Ｂ）においては、ソース側駆動回路である駆動回路部８０３と、画素部８０２を示している。
【０１４８】
駆動回路部８０３は、ｎチャネル型ＴＦＴ８０９とｐチャネル型ＴＦＴ８１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。なお、駆動回路部は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、またはＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の形態では、同一基板上に画素部と駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、画素部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
【０１４９】
画素部８０２は、スイッチング用のＴＦＴ８１１と、電流制御用のＴＦＴ８１２と、電流制御用ＴＦＴ８１２の配線（ソース電極またはドレイン電極）に電気的に接続された陽極８１３とを含む複数の画素により形成されている。また、陽極８１３の端部を覆って絶縁物８１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、スイッチング用のＴＦＴ８１１や電流制御用のＴＦＴ８１２といったＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型のＴＦＴでもよいし、逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、トップゲート型のＴＦＴでもよいし、ボトムゲート型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の材料についても特に限定されず、シリコンを用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物等の酸化物半導体を用いてもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。
【０１５０】
発光素子８１７は、陽極８１３、有機ＥＬ層８１５、及び陰極８１６によって構成されている。発光素子の構造、材料等については先に示した通りである。なお、図１５における陽極８１３、有機ＥＬ層８１５、及び陰極８１６はそれぞれ実施の形態５における第１の電極１０２、有機ＥＬ層１０３、第２の電極１０４に相当する。また、ここでは図示しないが、陰極８１６は外部入力端子であるＦＰＣ８０８に電気的に接続されている。
【０１５１】
絶縁物８１４は、陽極８１３の端部に設けられている。そして、絶縁物８１４の上層に形成される陰極８１６の被覆性を良好なものとするため、絶縁物８１４の角部に丸みを持たせるとよい。例えば、０．２μｍ以上３μｍ以下の曲率半径を有する曲面とするのが好ましい。また、絶縁物８１４の材料としては、光をあてるとエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、或いは光をあてるとエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
【０１５２】
また、図１５（Ｂ）に示す断面図では発光素子８１７を１つのみ図示しているが、画素部８０２においては、複数の発光素子がマトリクス状に配置されている。例えば、画素部８０２に３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、先の実施の形態に示した白色の発光装置とカラーフィルタを組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。また、当該発光素子は、ボトムエミッション方式、トップエミッション方式、または両面射出方式のいずれも採ることができる。
【０１５３】
また、発光素子８１７は、ガラス基板８０１、ガラス基板８０６、及びフリットガラス層５１０で囲まれた封止体８１８内部に設けられている。封止体８１８は、希ガスまたは窒素ガスが充填されていてもよいし、固体で充填されていてもよい。
【０１５４】
以上のようにして、本発明の一態様に係る封止体の作製方法で封止したアクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。このような発光装置は、信頼性の高い発光装置である。
【０１５５】
以上、本実施の形態に示す方法などは、他の実施の形態に示す方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した作製方法で作製した発光装置を用いて作製される電子機器及び、当該発光装置を照明装置として用いる具体例について、図１６、図１７を用いて説明する。
【０１５７】
本発明を適用可能な電子機器の一例として、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機（パチンコ機、スロットマシン等）、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器および照明装置の具体例を図１６、図１７に示す。
【０１５８】
図１６（Ａ）は、テレビジョン装置９１００を示している。テレビジョン装置９１００は、筐体９１０１に表示部９１０３が組み込まれている。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は、表示部９１０３に用いることが可能であり、表示部９１０３により映像を表示することが可能である。なお、ここではスタンド９１０５により筐体９１０１を支持した構成を示している。
【０１５９】
テレビジョン装置９１００の操作は、筐体９１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９１１０により行うことができる。リモコン操作機９１１０が備える操作キー９１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９１１０に、当該リモコン操作機９１１０から出力する情報を表示する表示部９１０７を設ける構成としてもよい。
【０１６０】
図１６（Ａ）に示すテレビジョン装置９１００は、受信機やモデムなどを備えている。テレビジョン装置９１００は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１６１】
先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置をテレビジョン装置の表示部９１０３に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命なテレビジョン装置とすることができる。
【０１６２】
図１６（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。コンピュータは、本発明の一態様を用いて作製される発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。
【０１６３】
また、先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置をコンピュータの表示部９２０３に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な表示部とすることが可能となる。
【０１６４】
図１６（Ｃ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９３０１と筐体９３０２で構成されており、連結部９３０３により、開閉可能に連結されている。筐体９３０１には表示部９３０４が組み込まれ、筐体９３０２には表示部９３０５が組み込まれている。また、図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、操作キー９３０９、接続端子９３１０、センサ９３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９３１２等の入力手段を備えている。さらに、スピーカ部９３０６、記録媒体挿入部９３０７、ＬＥＤランプ９３０８等を備えていてもよい。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定されず、表示部９３０４および表示部９３０５の両方、または一方に上記実施の形態を適用して形成される発光装置が少なくとも用いられていればよい。
【０１６５】
図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１６（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１６６】
また、先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を携帯型ゲーム機の表示部（９３０４、９３０５）に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な携帯型ゲーム機とすることが可能となる。
【０１６７】
図１６（Ｅ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９５００は、筐体９５０１に組み込まれた表示部９５０２の他、操作ボタン９５０３、外部接続ポート９５０４、スピーカ９５０５、マイク９５０６などを備えている。携帯電話機９５００は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を表示部９５０２に採用している。
【０１６８】
図１６（Ｅ）に示す携帯電話機９５００は、表示部９５０２を指などで触れることで、情報を入力する、電話を掛ける、またはメールを作成するなどの操作を行うことができる。
【０１６９】
表示部９５０２の画面は、主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合したものである。
【０１７０】
例えば、電話を掛ける、またはメールを作成する場合は、表示部９５０２を文字の入力を主とする入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部９５０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１７１】
また、携帯電話機９５００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機９５００の向き（縦向きか横向きか）を判断して、表示部９５０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１７２】
また、画面モードの切り替えは、表示部９５０２を触れる、または筐体９５０１の操作ボタン９５０３の操作により行われる。また、表示部９５０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１７３】
また、入力モードにおいて、表示部９５０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部９５０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１７４】
また、表示部９５０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部９５０２に掌や指を触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１７５】
先の実施の形態に示したフリットガラス層５１０で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を携帯電話機の表示部９５０２に用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な携帯電話機とすることが可能となる。
【０１７６】
図１６（Ｄ）は卓上型の照明装置であり、照明部９４０１、傘９４０２、可変アーム９４０３、支柱９４０４、台９４０５、電源スイッチ９４０６を含む。卓上型の照明装置は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を照明部９４０１に用いることにより作製される。なお、照明装置の形式は、卓上型に限らず、天井固定型や、壁掛け型、携帯型も含まれる。
【０１７７】
図１７は、本発明の一態様を用いて作製される発光装置を、室内の照明装置１００１として用いた例である。本発明の一態様を用いて作製される発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、上記実施の形態で示した発光装置は、薄型化が可能であるため、ロール型の照明装置１００２として用いることもできる。このようなデバイスを作製するには、例えば、巻き取ることが可能な極薄ガラス基板をガラス封止体の一部として利用すればよい。巻き取れるほどの極薄ガラス基板であっても、水分や酸素などを極めて通しにくいため、本発明に適用することは好ましい。なお、図１７に示すように、室内の照明装置１００１を備えた部屋で、図１６（Ｄ）で説明した卓上型の照明装置１００３を併用してもよい。
【０１７８】
また、先の実施の形態に示した封止体の作製方法で封止された発光装置を利用すれば、発光素子が劣化しにくいため、当該発光装置を照明装置として用いることで、従来に比べて丈夫で長寿命な照明装置とすることができる。
【０１７９】
図１８に本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置を自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。
【０１８０】
自動車のフロントガラスに設けられた本発明の一形態に係るフリットガラス層５１０で封止された発光装置を、表示装置５０００、表示装置５００１に示す。実施の形態５または実施の形態６に記載の発光素子は、第１の電極と第２の電極に透光性を与えることにより、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
【０１８１】
ピラー部分に設けられた、実施の形態５または実施の形態６に記載の発光素子を、表示装置５００２に示す。表示装置５００２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示装置５００３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
【０１８２】
表示装置５００４や表示装置５００５はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示装置５０００乃至表示装置５００３にも設けることができる。また、表示装置５０００乃至表示装置５００５は照明装置として用いることも可能である。
【０１８３】
本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置は、信頼性が優れているので、車載用に好適に用いることができる。
【０１８４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８５】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された発光装置を照明装置として用いる例を、図１９を参照しながら説明する。図１９（Ｂ）は照明装置の平面図、図１９（Ａ）は図１９（Ｂ）におけるｃ−ｄ断面図である。
【０１８６】
本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有するガラス基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。ガラス基板４００及び第１の電極４０１は実施の形態５における第１の基板１３０及び第１の電極１０２に相当する。
【０１８７】
第１の電極４０１上には補助配線４０２が設けられている。本実施の形態では、第１の電極４０１側から発光を取り出す例を示したため、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。補助配線４０２は透光性を有する材料の導電率の低さを補うために設けられており、第１の電極４０１の抵抗が高いことによる電圧降下を起因とする発光面内の輝度むらを抑制する機能を有する。補助配線４０２は少なくとも第１の電極４０１の材料よりも導電率の大きい材料を用いて形成する。例えば、アルミニウムなどを用いると好ましい。なお、補助配線４０２における第１の電極４０１と接する部分以外の表面は絶縁層で覆われていることが好ましい。これは、取り出すことができない補助配線４０２上部からの発光を抑制するためであり、無効電流を低減し、電力効率の低下を抑制するためである。なお、補助配線４０２の形成と同時に第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２を形成しても良い。
【０１８８】
第１の電極４０１と補助配線４０２上には有機ＥＬ層４０３が形成されている。有機ＥＬ層４０３は実施の形態６における有機ＥＬ層１０３の構成、もしくは実施の形態６における発光ユニット５１１、５１２及び電荷発生層５１３を合わせた構成に相当する。なお、有機ＥＬ層４０３は第１の電極４０１よりも平面的に見て少し大きく形成することが、第１の電極４０１と第２の電極４０４とのショートを抑制する絶縁層の役割も担えるため好ましい構成である。
【０１８９】
有機ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態５における第２の電極１０４に相当し、同様の構成を有する。本実施の形態においては、発光は第１の電極４０１側から取り出されるため、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成されることが好ましい。本実施の形態において、第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給されるものとする。
【０１９０】
以上、第１の電極４０１、有機ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４（及び補助配線４０２）を有する発光素子を、本発明の一形態に係る封止体を作製する方法により封止することによって照明装置が完成する。当該ガラス封止体内部には、先の実施の形態に示したように不活性ガス４０８などを充填させる。あるいは、水分や酸素などを放出しない固形物を充填させてもよい。
【０１９１】
また、パッド４１２、第１の電極４０１及び補助配線４０２の一部をフリットガラス層５１０、シール材１１０の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。
【０１９２】
本発明の一形態に係る封止体の作製方法で封止された照明装置は、信頼性が優れているので、車載用に限らず好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１９３】
１００ ガラス基板
１３０ 第１の基板
３００ 第２の基板
１４０ 緩衝層
１５０ 緩衝層
１１０ シール材
５００ フリットガラスペースト
５１０ フリットガラス層
１２５ 有機ＥＬ素子
１２６ａ 端子
１２６ｂ 端子
６００ 遮光マスク
７００ 紫外線
８００ レーザ光
１６１ 封止体
１６２ 封止体
１６３ 発光装置
１６４ 発光装置
１０２ 電極
１０３ 有機ＥＬ層
１０４ 電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
４００ ガラス基板
４０１ 電極
４０２ 補助配線
４０３ 有機ＥＬ層
４０４ 電極
４０８ 不活性ガス
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５０１ 電極
５０２ 電極
５１１ 発光ユニット
５１２ 発光ユニット
５１３ 電荷発生層
６０１ ガラス基板
６０２ 絶縁層
６０３ 電極
６０４ 隔壁
６０５ 開口部
６０６ 隔壁
６０７ 有機ＥＬ層
６０８ 電極
７０３ 走査線
７０５ 領域
７０６ 隔壁
７０８ データ線
７０９ 接続配線
７１０ 入力端子
７１１ａ ＦＰＣ
７１１ｂ ＦＰＣ
７１２ 入力端子
８０１ ガラス基板
８０２ 画素部
８０３ 駆動回路部
８０４ 駆動回路部
８０６ ガラス基板
８０７ 配線
８０８ ＦＰＣ
８０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
８１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
８１１ ＴＦＴ
８１２ ＴＦＴ
８１３ 陽極
８１４ 絶縁物
８１５ 有機ＥＬ層
８１６ 陰極
８１７ 発光素子
８１８ 封止体
１００１ 照明装置
１００２ 照明装置
１００３ 照明装置
５０００ 表示装置
５００１ 表示装置
５００２ 表示装置
５００３ 表示装置
５００４ 表示装置
５００５ 表示装置
９１００ テレビジョン装置
９１０１ 筐体
９１０３ 表示部
９１０５ スタンド
９１０７ 表示部
９１０９ 操作キー
９１１０ リモコン操作機
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９３０１ 筐体
９３０２ 筐体
９３０３ 連結部
９３０４ 表示部
９３０５ 表示部
９３０６ スピーカ部
９３０７ 記録媒体挿入部
９３０８ ＬＥＤランプ
９３０９ 操作キー
９３１０ 接続端子
９３１１ センサ
９３１２ マイクロフォン
９４０１ 照明部
９４０２ 傘
９４０３ 可変アーム
９４０４ 支柱
９４０５ 台
９４０６ 電源スイッチ
９５００ 携帯電話機
９５０１ 筐体
９５０２ 表示部
９５０３ 操作ボタン
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ スピーカ
９５０６ マイク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、
レーザ光を透過する前記第２の基板の一方の面に前記レーザ光を透過する緩衝層を形成する第１の工程と、
前記緩衝層の設けられた前記第２の基板の面に、前記緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、前記第２の基板の他方の面から、前記フリットガラス層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、
をこの順で行う封止体の作製方法。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、
レーザ光を透過する前記第２の基板の一方の面に前記レーザ光を吸収する緩衝層を形成する第１の工程と、
前記緩衝層の設けられた前記第２の基板の面に、前記緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、前記第２の基板の他方の面から、前記緩衝層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、
をこの順で行う封止体の作製方法。
【請求項３】
前記フリットガラス層より融点が高い金属層を用いて前記緩衝層を形成する請求項２記載の封止体の作製方法。
【請求項４】
前記第２の工程で前記フリットガラス層を閉曲線に形成する請求項１または請求項２記載の封止体の作製方法。
【請求項５】
第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、
レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、前記発光素子を囲む大きさで前記レーザ光を透過する緩衝層を形成する第２の工程と、
前記第２の基板の一方の面の側に、前記緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟持させた状態で、前記第１の基板と前記第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、
前記第２の基板の他方の面から、前記フリットガラス層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、
をこの順で行う発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、
レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、前記発光素子を囲む大きさで前記レーザ光を吸収する緩衝層を形成する第２の工程と、
前記第２の基板の一方の面の側に、前記緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟持させた状態で、前記第１の基板と前記第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、
前記第２の基板の他方の面から、前記緩衝層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、
をこの順で行う発光装置の作製方法。
【請求項７】
前記フリットガラス層より融点が高い金属層を用いて前記緩衝層を形成する請求項６記載の発光装置の作製方法。
【請求項８】
前記第３の工程で前記フリットガラス層を閉曲線に形成する請求項５または請求項６記載の発光装置の作製方法。
【請求項１】
第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、
レーザ光を透過する前記第２の基板の一方の面に前記レーザ光を透過する緩衝層を形成する第１の工程と、
前記緩衝層の設けられた前記第２の基板の面に、前記緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、前記第２の基板の他方の面から、前記フリットガラス層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、
をこの順で行う封止体の作製方法。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板を用いる封止体の作製方法であって、
レーザ光を透過する前記第２の基板の一方の面に前記レーザ光を吸収する緩衝層を形成する第１の工程と、
前記緩衝層の設けられた前記第２の基板の面に、前記緩衝層と重なるようにフリットガラス層を形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟んだ状態で、前記第２の基板の他方の面から、前記緩衝層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第３の工程と、
をこの順で行う封止体の作製方法。
【請求項３】
前記フリットガラス層より融点が高い金属層を用いて前記緩衝層を形成する請求項２記載の封止体の作製方法。
【請求項４】
前記第２の工程で前記フリットガラス層を閉曲線に形成する請求項１または請求項２記載の封止体の作製方法。
【請求項５】
第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、
レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、前記発光素子を囲む大きさで前記レーザ光を透過する緩衝層を形成する第２の工程と、
前記第２の基板の一方の面の側に、前記緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟持させた状態で、前記第１の基板と前記第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、
前記第２の基板の他方の面から、前記フリットガラス層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、
をこの順で行う発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板の一方の面に発光素子を形成する第１の工程と、
レーザ光を透過する第２の基板の一方の面に、前記発光素子を囲む大きさで前記レーザ光を吸収する緩衝層を形成する第２の工程と、
前記第２の基板の一方の面の側に、前記緩衝層に重なるようにフリットガラス層を形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記フリットガラス層を挟持させた状態で、前記第１の基板と前記第２の基板をシール材で封止する第４の工程と、
前記第２の基板の他方の面から、前記緩衝層に前記レーザ光を照射して前記フリットガラス層を溶融させ、前記フリットガラス層と前記第１の基板と前記第２の基板とで閉空間を形成する第５の工程と、
をこの順で行う発光装置の作製方法。
【請求項７】
前記フリットガラス層より融点が高い金属層を用いて前記緩衝層を形成する請求項６記載の発光装置の作製方法。
【請求項８】
前記第３の工程で前記フリットガラス層を閉曲線に形成する請求項５または請求項６記載の発光装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−２０９６３（Ｐ２０１３−２０９６３Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１３４０１６（Ｐ２０１２−１３４０１６）
【出願日】平成２４年６月１３日（２０１２．６．１３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月１３日（２０１２．６．１３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]