放射線像貯蔵パネルの製造方法
【課題】
頻繁に再使用されるとき全寿命にわたってほぼ一定のスピードを有する蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】
放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法において、その製造後で顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする。
頻繁に再使用されるとき全寿命にわたってほぼ一定のスピードを有する蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】
放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法において、その製造後で顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は顧客に引き渡される準備の整った放射線像貯蔵パネルの製造方法に関し、前記パネルはランタノイドドープされたアルカリ金属ハロゲン化物型燐光体の結合剤のない蒸着された貯蔵燐光体層を与えられる。
【背景技術】
【０００２】
燐光体の良く知られた用途はＸ線像の生成にある。従来の放射線写真システムでは、Ｘ線放射線写真は、Ｘ線を対象物に像に従って透過させ、それをいわゆる増感スクリーン（Ｘ線変換スクリーン）における対応する強度の光に変換することによって得られ、前記スクリーンでは、燐光体粒子は透過されたＸ線を吸収し、それらを可視光及び／又は紫外線に変換する。写真フィルムはＸ線の直接衝撃に対してより可視光及び／又は紫外線に対して敏感である。
【０００３】
例えばＵＳ−Ａ ３８５９５２７に開示されているようなＸ線パターンを記録及び再生する別の方法によれば、パネルに混入される光刺激性燐光体として知られる特別なタイプの燐光体が使用され、それは入射パターンに従って変調されたＸ線ビームに露光され、その結果としてＸ線放射線パターンに含まれるエネルギーを一時的に貯蔵する。露光後、ある間隔で、可視又は赤外光のビームはパネルを走査して貯蔵されたエネルギーの光としての放出を刺激し、その光を検出して逐次電気信号に変換し、それを処理して可視像を生成することができる。この目的のため、燐光体は入射Ｘ線エネルギーをできるだけ多く貯蔵するべきであり、走査ビームによって刺激されるまで貯蔵されたエネルギーをできるだけ少なく放出するべきである。この像形成技術は「デジタル放射線写真」又は「コンピュータ放射線写真」と称される。
【０００４】
二価ＥｕをドープされたＣｓＢｒは針状結晶の形で生長されることができる特に有望なＸ線貯蔵燐光体である。基本特許ＵＳ−Ａ ６８０２９９１では、例えばＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されたユウロピウム化合物とＣｓＢｒの混合物を４５０℃以上の温度に加熱し、物理蒸着、化学蒸着又は噴霧化技術からなる群から選択された方法によって支持体上に前記燐光体を蒸着することによる蒸着装置における蒸着によってかかる燐光体を製造するための方法が提供される。ＵＳ−Ａ ６７３０２４３では、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を製造するための方法は、ＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％とＣｓＢｒを混合し、その混合物を支持体上に蒸着し、結合剤のない燐光体スクリーンを形成し、前記燐光体スクリーンを室温に冷却し、前記燐光体スクリーンを８０〜２２０℃の温度にもたらし、それをその温度で１０分〜１５時間維持する（アニール工程は燐光体スピードをさらに修正するために加えられる）工程を含む。ＥＰ−Ａ １４４３５２５に教示されているように、少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーで１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の短い紫外線放射線を放出する放射線源からのエネルギーによる製造工程の少なくとも一つの間又はその後の放射線露光処理によってさらなる修正がなされることができる。
【０００５】
スピード増加を最適化するためのスピードの修正は、ＵＳ−Ａ ６８５２３５７に教示されているように、気相中で支持体上に斜方晶系ユウロピウム活性化臭化セシウム燐光体結晶層を蒸着し、不活性ガス雰囲気又は少量の酸素もしくは水素を含有する不活性ガス雰囲気において１〜８時間、５０℃以上、３００℃未満の温度で結晶層を加熱することによってさらに提供される。ＵＳ−Ａ ２００５／０４０３４０では、熱処理と称されるアニール工程は８０℃〜３００℃の温度で実施される。
【０００６】
患者に与えられる有害なＸ線露光の減少のためにできるだけ低い線量を可能にするプレートを顧客に与えるためにできるだけ高いスピードを得ようとする試みが常にある。しかしながら、かかる貯蔵燐光体プレートが頻繁に再使用されている間、スピードの変化がその全表面積にわたるスピードの均一性及び時間の関数として見出されることが確立されている。例えばほとんど吸収しない患者の体が位置される境界のような、高い量のＸ線が捕獲される前記表面積の部位はスピードの大きな変化を受けるが、プレートの中央ではプレートの中央に位置する部位の吸収する患者の体の存在のおかげでスピードの変化は少なかった。それにもかかわらず、ユーザ時間に伴うスピード変化のそれらの差の結果として、プレートの表面積にわたるスピードの均一性も強く変化した。
【０００７】
全体として均一に又は均等に露光されたプレートに対してであっても、スピードの顕著な変化は時間と累積露光線量の関数として実験的に観察された。かかる状況は顧客、即ち放射線医による頻繁な使用によってプレート又はパネルの寿命の関数としての状況を表すので、パネル上の部位ごとのスピードの変化及び前記パネルの表面積にわたるスピードの均一性を減らすためにさらなる研究が要求された。
【０００８】
読み出し貯蔵燐光体プレート又はパネルのスピードを最適化するために利用可能な多くの技術にかかわらず、同じプレートがその寿命にわたって放射線写真用途で頻繁に再使用されるとき、時間の関数としてほぼ一定のスピード及び一定の不均一性を有するプレートを顧客に引き渡す永続的に続く要求がある。
【発明の開示】
【０００９】
本発明の目的は頻繁に再使用されるとき全寿命にわたってほぼ一定のスピードを有する蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルの製造方法を提供することであり、かかる一定のスピードは個々にとったパネルの表面積上の部位のほとんど全てにおいて期待されるだけでなく、全体としてとったパネルの表面積にわたっても期待され、それによって貯蔵燐光体パネルの全表面積にわたって再現可能なスピード均一性を表す。
【００１０】
上述の有利な効果は請求項１に述べられているようにプレートを顧客に引き渡す前に製造中に特別な工程を適用することによって放射線像貯蔵燐光体パネルを製造するための方法を提供することによって実現される。本発明の好ましい実施態様の特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００１１】
主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有するタイプの貯蔵燐光体を燐光体層に含む放射線像貯蔵燐光体プレートの製造方法において、頻繁な再使用中にプレート又はパネルの全表面積にわたってスピードの変化及びスピード均一性の変化を「修正」するために、プレートは製造後に均一に露光されるべきであり、即ち一定の強度でかつその全表面積にわたって均一なエネルギー分布で、より好ましくは１〜１０Ｇｙの範囲のプレートによって吸収されるＸ線量で露光されるべきであることを予期せぬことに見出した。放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法は、その製造後及び顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする。
【００１２】
本発明による燐光体パネルの製造方法における特別な実施態様は以下の通りである：
− 前記吸収された線量は２〜６Ｇｙの範囲、さらにより好ましくは２〜３Ｇｙの範囲にあるべきであり、Ｘ線はＲＱＡ５に従うビーム質を有する；
− 前記放射線像貯蔵燐光体は主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体であり、特に放射線像貯蔵燐光体はＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体であり、その製造方法は以下に記載される。
【００１３】
本発明のさらなる利点及び特別な実施態様は以下の記載から明らかであるが、本発明はそれらに限定されない。
【００１４】
用語「フラットフィールド（ｆｌａｔ ｆｉｅｌｄ）」は、「均一に露光される」、即ち「ファントム」を避けるために均一なエネルギー分布でかつ一定の強度で露光される、こととして理解されるべきである。標準的な手順では、ＲＱＡ５（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４）ビーム質がそのために使用される。
【００１５】
図１Ａ及びＢはそれぞれ、プレートによって吸収される累積Ｘ線量（前記線量はｋＲ（キロレントゲン）で与えられる）（図１Ａ参照）及びＧｙ（１Ｊ／ｋｇと等価な吸収された線量の単位として知られる「グレイ」）（図１Ｂ参照）の関数として正規化された感度（百分率で与えられる）を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明によれば、放射線像貯蔵燐光体プレートの製造方法が提供され、そこでは前記プレートを顧客に引き渡す前の最後の製造工程において、プレートは均一に露光され、即ち一定の強度でかつその全表面積にわたって均一なエネルギー分布で、前記燐光体プレートによって吸収されるような１〜１０Ｇｙの範囲のＸ線量で露光される。
【００１７】
本発明の方法の特別は実施態様では、実際に適用されるような吸収される線量は２〜６Ｇｙの範囲であり、さらに好ましくは前記線量は２〜３Ｇｙの範囲であり、Ｘ線はＲＱＡに従うビーム質を有する。
【００１８】
特に、本発明の方法によれば、前記Ｘ線量は、参照としてここに組み入れられるＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４のＲＱＡ５に従うビーム質を有する。
【００１９】
続く露光の結果として特にＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体プレートに与えられた蓄積線量はスピードの変化を生じる傾向を有すること、約５Ｇｙの全線量まで、特に６００レントゲン又は５．２Ｇｙの累積線量までのスピードの増加を得る傾向があること、その後同じプレートが増大するＸ線量をさらに得るにつれてスピードが減少することが実験的に確立されている。前記スピード増加は約１３％の範囲である。
【００２０】
顧客としての放射線医が約１０００レントゲンの全累積線量を吸収するまで（即ち、約８Ｇｙの全吸収線量まで）かかるプレートを使用することを考慮すると、最後の工程として「スピード修正工程」を与えることによって製造中に貯蔵燐光体プレート又はパネルを作ることが正当化され、「フラットフィールド（ｆｌａｔ ｆｉｅｌｄ）」露光は１〜１０Ｇｙの範囲のＸ線量で与えられる。
【００２１】
「フラットフィールド」露光が約３００レントゲン、即ち２．６ＧｙのＸ線量で与えられる特定の場合において、１３００レントゲンの累積線量までの全寿命サイクルが期待されることができ、そこでは有利な効果として５％未満のスピードの変化が前記全寿命サイクルにわたって観察される。もし製造の終わりのかかる「予備処理露光」（有効な使用前の放射線露光処理）がプレート又はパネルに与えられないなら、５％より大きいスピードの変化、以下の実施例から明らかなように少なくとも１３％の変化が予想されることができる。
【００２２】
放射線像燐光体又はシンチレータパネルはマトリックス成分及び活性化剤から構成される蒸着針状燐光体結晶を含む燐光体層を有することが有利である。前記マトリックス化合物は下記式（Ｉ）によって最も一般的に表される：
Ｍ１Ｘ．ａＭ２Ｘ′２．ｂＭ３Ｘ′′３ （Ｉ）
式中、Ｍ１はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、
Ｍ２はＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮｉからなる群から選択される二価金属を表し、
Ｍ３はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される三価金属を表し、
Ｘ，Ｘ′及びＸ′′は各々、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，及びＩからなる群から選択されるハロゲンを表し、ａ及びｂは各々、０≦ａ＜０．５及び０≦ｂ＜０．５を表す。
【００２３】
マトリックス成分として使用するために好適な原材料は好ましくはアルカリハロゲン化物塩マトリックス成分であり、より好ましくは前記アルカリハロゲン化物塩はＣｓＸであり、ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ又はそれらの組み合わせを表す。
【００２４】
活性化剤成分はＥｕ，Ｔｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選択される元素を活性化剤要素として有する成分であることが好ましい。
【００２５】
その特別な実施態様では、前記蒸着針状燐光体は例えばＵＳ−Ａ ６８０２９９１（それは参考としてここに組み入れられる）に記載されたような光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である。
【００２６】
本発明による方法では、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとランタノイドドーパント塩としてのＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）とを混合することによって製造されることが有利である。
【００２７】
本発明による別の実施態様では、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）からなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％とを混合し、その混合物を４５０℃以上の温度で燃焼し、前記混合物を冷却し、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収することによって製造されることが有利である。
【００２８】
本発明によるさらに別の実施態様によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒと、式ＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ（但し、ｘ／ｙ＞０．２５，α≧２，Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるハロゲン化物である）によるランタノイドドーパント塩とアルカリ金属ハロゲン化物塩の組み合わせとを混合することによって製造されることが有利である。
【００２９】
本発明の方法によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーンは物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、高周波蒸着及びパルス化レーザ蒸着からなる群から選択される方法によって支持体上に前記燐光体を適用することによって得られる。
【００３０】
結合剤のない層に配置された針状燐光体は蒸着法によって製造される。蒸着法の例として、物理蒸着法（ＰＶＤ）、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、及びイオンプレーティング法のような蒸着技術及び電子線蒸着のような噴霧化技術が特に良く知られている。放射線像貯蔵パネルを製造する方法では、前記燐光体層は物理蒸着、化学蒸着及び噴霧化技術からなる群から選択された技術によって支持体上に被覆される。噴霧化技術として、例えばＵＳ−Ａ ６７４０８９７及び６８７５９９０、及びＵＳ出願２００２／０５０５７０，２００４／０７５０６２及び２００４／１４９９３１（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているような電子線蒸着が使用されることができる。電子線蒸着技術では、電子銃によって生成された電子線は蒸発源上に適用され、電子線の加速電圧は１．５ｋＶ〜５．０ｋＶの範囲である。電子線技術を適用することによって、マトリックス成分及び活性化剤要素からなる蒸発源は加熱、蒸発されて支持体上に付着される。抵抗加熱、スパッタリング及びＲＦ誘導技術の如き物理蒸着技術は本発明の燐光体層における結合剤のない針状結晶の蒸着に使用するために特に好適である。抵抗加熱蒸着は例えばＵＳ−Ａ ６７２００２６，６７３０２４３及び６８０２９９１及びＵＳ出願２００１／００７３５２（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているように適用されることが有利でありうる。この技術は本発明によるパネルのために針状の結合剤のない貯蔵燐光体を蒸着するための方法として推奨される。抵抗加熱蒸着では、蒸発源は電気エネルギーを抵抗加熱手段、好ましくは耐火材料から構成されたるつぼ又はボート構成に供給することによって加熱される。蒸着装置では、蒸着燐光体材料の均一な蒸着を実際に実現するために、例えばＵＳ出願２００５／０００４１１，２００５／０００４４７及び２００５／２１７５６７（それらは参考としてここに組み入れられる）に開示されたように適用されてもよい。
【００３１】
高温での燐光体層の蒸着は好ましくは６０％〜９０％の範囲の高い燐光体充填密度を与える方法として実施される。前記蒸着法は選択された原材料を加熱することによって低い圧力下で蒸着室で実施されることが有利である。ＵＳ−Ａ ６８０２９９１に記載されているように支持体上のユウロピウムドープされたハロゲン化セシウム燐光体の蒸着は物理蒸着、化学蒸着又は噴霧化技術、例えば電子線蒸着又はプラズマ化学蒸着からなる群から選択される方法によって実施される。蒸気圧（例えばＵＳ−Ａ ２００５／００７７４７８のように０．０５〜１０Ｐａの範囲の中程度の真空下で又は例えばＵＳ−Ａ ２００４／１４９９２９のようにアルゴン又は窒素のような不活性ガスの存在下で０．３〜３Ｐａの範囲の圧力で又はＵＳ−Ａ ６８０２９９１のように０．０１Ｐａ未満の圧力で）を制御し、そしてＵＳ−Ａ ６８０２９９１のように、さらに蒸気流が支持体上への蒸発燐光体の付着を起こす前に支持体が冷却されるＵＳ−Ａ ６７２００２６に述べられているように支持体温度を制御することに加えて、蒸発源はＵＳ−Ａ ２００３／１１３５８０に述べられているように、０．５重量％以下の含水量を有することが推奨される。本発明のような蒸着装置における蒸着は予め決められた程度の真空度の調整を必要とする。本発明によるパネルにおける結合剤のない針状貯蔵燐光体層に対して、高い真空下での前記燐光体の形成が望ましい。１×１０−５〜５Ｐａの真空度、特に１×１０−２〜２Ｐａの真空度が望ましく、そこではＡｒ又はＮｅ貴ガスの如き不活性ガス、あるいは窒素ガスの如き不活性ガスが真空蒸着装置中に導入されてもよい。１×１０−５〜１×１０−２Ｐａのさらに低い内部圧力を与えるための排気が電子線蒸着のために好ましい。酸素又は水素ガスの導入は特に反応性を高めるため及び／又は例えばアニール工程で実施されることが有利でありうる。さらに、不活性ガスの導入はＵＳ−Ａ ６７２００２６（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているように燐光体蒸発原材料が蒸着される支持体及び／又はチタン（合金）支持体上への蒸着前に蒸気流を冷却するために実施されることができる。あるいは、支持体の一方の側は加熱されてもよいが、他方の側はＵＳ−Ａ ７０２９８３６（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているように蒸着を実施しながら冷却されてもよい。
【００３２】
蒸着手順が完了した後、蒸着された層は熱処理又はアニール手順を受けることが好ましく、それは少量の酸素ガス又は水素ガスを含有しうる不活性ガス雰囲気下で一般に１００〜３００℃の温度で０．５〜３時間、好ましくは１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２時間実施される。アニール手順はＵＳ−Ａ ６７３０２４３，６８１５６９２及び６８５２３５７又はＵＳ出願２００４／０１３１７６７，２００４／０１８８６３４，２００５／００４０３４０及び２００５／００７７４７７（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているように適用されてもよい。
【００３３】
本発明によるスクリーン又はパネルでは前記燐光体はＣＲ技術に適用されるような光刺激性燐光体である。光刺激性スクリーン又はパネルはいわゆる「ＮＩＰ」スクリーンとも称される「針状結晶像燐光体」プレート（好ましくはＣｓＢｒ：Ｅｕ針状結晶を蒸着によって被覆される）として被覆される。結合剤のない層に存在する前記針状結晶は、蒸着が適用された支持体から剥離されてもよく、所望により針状結晶の長さ（通常、１００〜１０００μｍの範囲）を減らすために微粉砕され、結合剤に分散された後に被覆され、「疑似ＰＩＰ」スクリーン（即ち、結合剤に前記（微粉砕された）燐光体を分散することによって結合剤のない燐光体から作られた粉末像燐光体プレート）を形成してもよい。
【００３４】
本発明による層形成配合物を硬化する方法では、硬化は紫外線によって又は電子線硬化によって行う。
【００３５】
さらに、本発明による方法では、硬化は紫外線によって又は電子線硬化によって行う。特に、硬化は支持体上に存在する燐光体層又はシンチレータ層上に保護被覆として前記層形成配合物を被覆した後に乾燥して行う。
【００３６】
本発明による方法では、前記被覆はドクターブレードコーティング又はバーコーティングによって実施される。
【００３７】
燐光体又はシンチレータスクリーン、プレート又はパネルの層配置のための実施態様は以下から選択される。
【００３８】
一つの側面では、スクリーン又はパネルの層配置は通常、支持体層上に被覆されるとき、支持体と燐光体層の間に中間層があり（例えばＵＳ−Ａ ２００４／００５１４４１及びＵＳ−Ａ ２００４／００５１４３８に開示されているようなパリレン又は別の例えばＵＳ−Ａ ６９２７４０４のような染料含有層）、かかるパリレン層はＵＳ−Ａ ６８２２２４３に記載されているように又はＵＳ−Ａ ６７１０３５６のように燐光体層と最外保護層又はトップコートの間に存在させてもよい。二つの保護層の間の良好な接着はＵＳ−Ａ ２００５／００６７５８４に開示されているように燐酸エステル化合物を使用するとき有利に提供される。上述のパリレン層は環境の湿度に極めて敏感であるものとして知られるアルカリ金属ハロゲン化物シンチレータ又は燐光体を使用するとき十分に認識されるように、燐光体又はシンチレータを湿分から保護する層として適用されることが特に推奨される。このパラグラフで引用された文献の全ては参考としてここに組み入れられる。
【００３９】
支持体は公知のいかなる支持体であることもできる。支持体は有機又は無機の性質のいかなる固体も使用することもでき、それはいかなる幾何学的形状、例えば箔、繊維（例えば炭素繊維補強樹脂（複数）、特に炭素繊維補強樹脂シートにおける炭素繊維の方向が互いに異なるように耐熱性樹脂を含浸されかつ一方向に配置された炭素繊維をそれぞれが含むシート（複数））をとることができ、粒子を使用することができる。無機非金属支持体として化学的に補強されたガラス又は結晶化ガラスを使用することができる。使用のために好適な無機金属支持体は例えばアルミニウム、チタン、鉛、鉄、銅、鋼、モリブデン、ベリリウムからなる金属支持体、アルミニウム、チタン、鉛、銅、ベリリウム、マンガン、タングステン、バナジウム及びシリコン酸化物からなる金属及び非金属酸化物の支持体である。有機支持体としてポリイミドシート、異なる組成のエポキシ化合物並びに熱可塑性及び熱硬化性化合物、ポリエーテル、ポリエステル及びポリカーボネート組成物を使用してもよいが、それらに限定されない。上述のような保護層ユニット又は配置を適用する前に洗浄及び脱脂に関するクリーニング手順に支持体を供することが推奨される。
【００４０】
ＥＰ出願Ｎｏ．０６１１８１５７及び０６１１８１５８（ともに２００６年７月３１日に出願され、参考としてここに組み入れられる）のように機械的損傷及び有機クリーニング溶液に対する感受性を低下させたトップコートを適用することが有利でありうる。従って、ポリマー又はコポリマー及び（メタ）アクリレート型モノマーを含み、モノマー分子あたり一つより多い（メタ）アクリレート基及び前記モノマー中の（メタ）アクリレート基あたり少なくとも一つのエチレンオキシ基を有する光又は電子線硬化組成物は、支持体、貯蔵燐光体層及びセルロースエステルポリマーを含む最外トップコートを含む光刺激性燐光体スクリーンのトップコート層に使用するために特に好適である。あるいは、ポリマー又はコポリマー及び（メタ）アクリレート型モノマーを含み、モノマー分子あたり一つより多い（メタ）アクリレート基及び前記モノマー中の（メタ）アクリレート基あたり二つより多いエチレンオキシ基を有する光硬化性組成物もまた、貯蔵燐光体スクリーン又はパネルのためのトップコート層として使用するために特に好適である。トップコート層を有する貯蔵燐光体スクリーンが突き出るビーズを持つとき、ビーズがスキャナの機械的部品に接触しないこと、及び貯蔵パネルがスキャナにおける移動時に幾らかのよろめきを示すときであってもこの通りであることが重要である。それゆえビーズは本発明の貯蔵燐光体スクリーンにおいてスペーシング粒子として使用されるとき、０．５μｍ≦ｄｖ５０≦２５μｍのメジアン体積直径ｄｖ５０及び０．１≦ｄｖ５０／ｄｎ５０≦１．２０のメジアン数直径ｄｎ５０を有することが好ましい。さらに、ビーズは前記ポリマービーズが０．２５≦ｄｖ５０／ｔ≦４．０のメジアン体積直径ｄｖ５０を有するように本発明の貯蔵パネル上の層Ｂの厚さｔに適応されることが好ましい。
【００４１】
本発明の燐光体パネルは自己支持パネル並びに支持体を含むパネルであることができる。この支持体は公知のいかなる支持体であることもできるが、スクリーンの所望の高い耐湿性に照らして、極めて低い水蒸気透過性を有する支持体が使用されることが好ましい。好ましい支持体はＵＳ−Ａ ６８１５０９５及びＵＳ出願２００３／０１３４０８７（それらは参考としてここに組み入れられる）に開示されているような支持体及び陽極酸化アルミニウムの支持体である。
【００４２】
本発明の特別な実施態様では燐光体層の表面は燐光体層が支持体の縁に到達しないように支持体の表面より小さくてもよい。従って、燐光体層の主表面より大きい表面を持ち、従って燐光体層が支持体の一部分を自由にさせた支持体を有するパネルであって、層Ａ及びトップコート層Ｂを含む保護層が燐光体層によって自由にさせた支持体の部分を少なくとも部分的に覆うパネルは、前に既に開示されているように本発明の特別な実施態様を表す。かかる構造の利点は、燐光体層の縁が装置の機械的部品に接触せず、従ってパネルの使用時、特にスキャナにおける移動時に容易に損傷されることが少ないことにある。この構成の別の利点は特別な縁補強が全く必要ないことである（但し、もし望むなら、さらなる縁補強も適用できる）。燐光体層の表面が支持体の表面より小さく、従って燐光体層が支持体の縁に到達しない燐光体パネルの構成は、本発明の特別な実施態様を表すが、かかる構成は公知の保護層で覆われた燐光体パネルの製造のために有益でありうる。
【００４３】
支持体材料と燐光体層の間にパリレン層が存在する場合には、覆われた支持体の表面粗さは表面粗さの減少（好ましくは０．５以下、より好ましくは０．１以下）につれて良好な滑らかさを示し、それはＵＳ−Ａ ２００４／００５１４３８に記載されているように小さな直径を有する針状結晶又は柱状結晶を蒸着するためであってもよく、それによって蒸着された光刺激性燐光体層の表面積の平方単位あたりの前記針状結晶の改良された充填密度及びＵＳ−Ａ ６９６７３３９（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているような柱状、針状又は円柱状燐光体で得られるような改良されたシャープネス又は解像度に導く。
【００４４】
特別な実施態様では、前記燐光体が熱蒸着又は電子線蒸着による蒸着システムにおいて支持体上に蒸着されるとき、前記燐光体は結合剤のない燐光体であり、前記結合剤のない燐光体はＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体であり、ＸはＢｒ及びＣｌからなる群から選択されたハロゲン化物を表す。これらは例えばＵＳ−Ａ ６８０２９９１に開示されている。マトリックス化合物としてのＣｓＸ及びドーパントとしてのＥｕに加えて、不純物及びさらなる元素（不純物であるかどうかにかかわらず）を、ＵＳ−Ａ ２００６/００７６５２５に記載されるように燐光体組成物に存在させてもよい。かかる結合剤のないＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体層は針状燐光体結晶内の光学的な反射及び良好な吸収性のためシャープネスに特に有利である。前記針状結晶間に間隙が存在し、それはＵＳ−Ａ ６８００３６２及びＵＳ出願２００３／０１６８６１１に述べたように規定された程度まで充填されてもよい。さらに、像シャープネスのために前記燐光体粒子はＵＳ−Ａ ６９７７３８５に記載されているようにナノ結晶色素で着色されてもよい。
【００４５】
間隙によって分離された針状燐光体結晶を有するかかる燐光体層上に、極めて低い水透過性を有する層Ａが付着されるとき、この層Ａが化学蒸着されたパリレン層であることが好ましく、かかる層は針状結晶の表面を覆うだけでなく、針状結晶間の間隙も覆い、従って燐光体針状結晶の縁を湿度に対して完全に保護する。本発明の燐光体パネルはまた、例えばＵＳ−Ａ ５３３４８４２及びＵＳ−Ａ ５３４０６６１（ともに参考としてここに組み入れられる）に記載されたもののように縁補強を含んでもよい。
【実施例】
【００４６】
本発明をその好ましい実施態様と関連して以下の実施例に記載するが、本発明をそれらの実施態様に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【００４７】
原材料としてＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物を出発材料として有するるつぼの抵抗加熱によって、真空室において可撓性のクロム封止された陽極酸化アルミニウムプレート上に蒸着工程によってＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体スクリーンを製造した。前記可撓性の陽極酸化アルミニウム支持体上への前記蒸着工程は、前記支持体が蒸気流上で回転するような方法で実施された。
【００４８】
電気加熱されたオーブン及び二つの耐火トレー又はボート（一方は左側に置かれ、他方は右側に置かれる）が使用され、そこでは３３０ｇのＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物（ＣｓＢｒ／ＥｕＯＢｒ重量％比＝９９．５％／０．５％）を蒸着のために前記るつぼの各々に原材料として存在させた。
【００４９】
るつぼとして１００ｍｍの長さを有する細長いボートを使用し、それは０．５ｍｍの厚さを有する「タンタル」から構成された３５ｍｍの幅及び５０ｍｍの側壁高さを有し、三つの集積部品：るつぼ容器、スリット及び小さな開口を有する「第二」プレート及びスリット出口を有するカバーから構成された。長手方向部分は漏れを克服するために一つの連続タンタルベースプレートから折り曲げられ、頭部分が溶接された。前記第二プレートは４５ｍｍの前記側壁高さの２／３より小さい最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着された。真空室へのアルゴンガスの連続注入によって維持された真空圧力（２×１０−３ｍｂａｒに等価な２×１０−１Ｐａの圧力）下で、かつ蒸気源（７６０℃）の十分に高い温度で、得られた蒸気は、移動するシート支持体の方に向けられ、前記支持体が蒸気流の上で回転するにつれて連続的にその上に付着された。蒸気源の前記温度は、外側に存在しかつ前記るつぼの底の下で圧縮された熱電対によって及びるつぼに存在するタンタル保護された熱電対によって測定された。蒸着装置において蒸発を開始する前、ボート又はるつぼにおいて原材料を加熱して、それらを蒸発のために準備しているとき、シャッターはボート、トレー又はるつぼを覆っている。
【００５０】
８００μｍの厚さ、１８ｃｍの幅及び２４ｃｍの長さを有するクロム封止された陽極酸化アルミニウム支持体は、燐光体が蒸着される側をパリレンＣプレコートで覆われ、支持体とるつぼ蒸気出口スリットの間の（垂直に測定した）距離が２２ｃｍになるように位置された。
【００５１】
プレートはほぼ等しい厚さの燐光体層を有する燐光体プレートに導く同じ蒸着時間を実施した後に蒸着装置から取り出された。
【００５２】
針状結晶像プレートは感度の変化を決定するために吸収される一連の高いＸ線量で露光された。プレートは番号ＣＢ７４２２２の下で前述のようにＡｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ，ベルギーによって製造され、１ｃｍ２あたり１８９．２ｍｇの燐光体の被覆量を有していた。
【００５３】
プレートは一組の穴を含む鉛のプレートで覆われた。一組の穴は五つの領域に分割され、領域ごとに異なるＸ線量で露光された。適用されたＸ線量は１２５Ｒ，２５０Ｒ，５００Ｒ，１．５ｋＲ及び１２ｋＲであり、ビーム質ＲＱＡ５を有していた。
【００５４】
プレートを前記Ｘ線量で露光した後、プレートはＵＶランプ（高圧水銀）、ナトリウムランプ（１０００ワット）、及びハロゲンランプ（３０００ワット）を有する通常の消去ユニットで強く消去された。
【００５５】
消去後、残っているエネルギーがプレートにあるかどうかを見るためにプレートをＸ線に露光せずに、品質制御目的のために、Ａｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ，ベルギーの社内で作られたＮＯＬＯ＿ＩＩと称しかつＣｓＢｒ：Ｅｕのために最適化されたスキャナで像を作った。１２ｋＲ（即ち、最高吸収Ｘ線量）で露光された穴だけがわずかに目で見ることができた。信号はかなり低い（即ち、＜０．１％）ことが確立されたので、それを無視することができる。
【００５６】
前述のような露光処理の後、２０μＧｙの線量（ビーム質ＲＱＡ５）でフラットフィールド露光した。
【００５７】
１２５レントゲンから１５００レントゲンの範囲の吸収線量で感度の増加が観察され、１２０００レントゲンの線量に対して感度の減少が観察されることが明らかになった。
【００５８】
異なる吸収Ｘ線量についての感度の相対的変化を決定するとき、以下の表１にまとめられた下記のデータが利用可能であった。
【００５９】
百分率値として表現するために（累積線量を有する感度／累積線量を有さない感度）×１００の式から「正規化された感度」を計算し、それらの数字をダイヤグラムに記載すると、正規化された感度の最大値が約５００レントゲン又は４．３ＧｙのＸ線での予備処理露光で達成されることが明らかになった。
【００６０】
１．１〜１３．０Ｇｙの範囲に相当する１２５〜１５００レントゲンの範囲の吸収Ｘ線量内では、５％の帯域内で感度の変化がある。しかしながら、Ｘ線露光線量が高いほど感度の低下が急になり、従って放射線医は高いＸ線量で患者の望ましくない露光を要求するだろう。
【００６１】
本発明の有利な効果として、明細書及び図面において上述したように、放射線医によって頻繁に再使用されるときであっても、寿命サイクル中のプレート又はパネルのより再現可能なスピード及びスピード分布が見出されること、スピードの変化が５％未満の許容可能な範囲内に制限されることが確立された。
【００６２】
本発明は放射線像貯蔵燐光体プレートを提供し、それは前述の方法に従って製造されるとき、考えられるような所望の特性を与える。
【００６３】
本発明の好ましい実施態様を詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をその中でなしうることが当業者に明らかであるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１Ａは、プレートによって吸収された累積Ｘ線量（ｋＲ）の関数として正規化された感度（％）を表す。図１Ｂは、プレートによって吸収された累積Ｘ線量（Ｇｙ）の関数として正規化された感度（％）を表す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は顧客に引き渡される準備の整った放射線像貯蔵パネルの製造方法に関し、前記パネルはランタノイドドープされたアルカリ金属ハロゲン化物型燐光体の結合剤のない蒸着された貯蔵燐光体層を与えられる。
【背景技術】
【０００２】
燐光体の良く知られた用途はＸ線像の生成にある。従来の放射線写真システムでは、Ｘ線放射線写真は、Ｘ線を対象物に像に従って透過させ、それをいわゆる増感スクリーン（Ｘ線変換スクリーン）における対応する強度の光に変換することによって得られ、前記スクリーンでは、燐光体粒子は透過されたＸ線を吸収し、それらを可視光及び／又は紫外線に変換する。写真フィルムはＸ線の直接衝撃に対してより可視光及び／又は紫外線に対して敏感である。
【０００３】
例えばＵＳ−Ａ ３８５９５２７に開示されているようなＸ線パターンを記録及び再生する別の方法によれば、パネルに混入される光刺激性燐光体として知られる特別なタイプの燐光体が使用され、それは入射パターンに従って変調されたＸ線ビームに露光され、その結果としてＸ線放射線パターンに含まれるエネルギーを一時的に貯蔵する。露光後、ある間隔で、可視又は赤外光のビームはパネルを走査して貯蔵されたエネルギーの光としての放出を刺激し、その光を検出して逐次電気信号に変換し、それを処理して可視像を生成することができる。この目的のため、燐光体は入射Ｘ線エネルギーをできるだけ多く貯蔵するべきであり、走査ビームによって刺激されるまで貯蔵されたエネルギーをできるだけ少なく放出するべきである。この像形成技術は「デジタル放射線写真」又は「コンピュータ放射線写真」と称される。
【０００４】
二価ＥｕをドープされたＣｓＢｒは針状結晶の形で生長されることができる特に有望なＸ線貯蔵燐光体である。基本特許ＵＳ−Ａ ６８０２９９１では、例えばＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されたユウロピウム化合物とＣｓＢｒの混合物を４５０℃以上の温度に加熱し、物理蒸着、化学蒸着又は噴霧化技術からなる群から選択された方法によって支持体上に前記燐光体を蒸着することによる蒸着装置における蒸着によってかかる燐光体を製造するための方法が提供される。ＵＳ−Ａ ６７３０２４３では、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を製造するための方法は、ＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３及びＥｕＯＢｒからなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％とＣｓＢｒを混合し、その混合物を支持体上に蒸着し、結合剤のない燐光体スクリーンを形成し、前記燐光体スクリーンを室温に冷却し、前記燐光体スクリーンを８０〜２２０℃の温度にもたらし、それをその温度で１０分〜１５時間維持する（アニール工程は燐光体スピードをさらに修正するために加えられる）工程を含む。ＥＰ−Ａ １４４３５２５に教示されているように、少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーで１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の短い紫外線放射線を放出する放射線源からのエネルギーによる製造工程の少なくとも一つの間又はその後の放射線露光処理によってさらなる修正がなされることができる。
【０００５】
スピード増加を最適化するためのスピードの修正は、ＵＳ−Ａ ６８５２３５７に教示されているように、気相中で支持体上に斜方晶系ユウロピウム活性化臭化セシウム燐光体結晶層を蒸着し、不活性ガス雰囲気又は少量の酸素もしくは水素を含有する不活性ガス雰囲気において１〜８時間、５０℃以上、３００℃未満の温度で結晶層を加熱することによってさらに提供される。ＵＳ−Ａ ２００５／０４０３４０では、熱処理と称されるアニール工程は８０℃〜３００℃の温度で実施される。
【０００６】
患者に与えられる有害なＸ線露光の減少のためにできるだけ低い線量を可能にするプレートを顧客に与えるためにできるだけ高いスピードを得ようとする試みが常にある。しかしながら、かかる貯蔵燐光体プレートが頻繁に再使用されている間、スピードの変化がその全表面積にわたるスピードの均一性及び時間の関数として見出されることが確立されている。例えばほとんど吸収しない患者の体が位置される境界のような、高い量のＸ線が捕獲される前記表面積の部位はスピードの大きな変化を受けるが、プレートの中央ではプレートの中央に位置する部位の吸収する患者の体の存在のおかげでスピードの変化は少なかった。それにもかかわらず、ユーザ時間に伴うスピード変化のそれらの差の結果として、プレートの表面積にわたるスピードの均一性も強く変化した。
【０００７】
全体として均一に又は均等に露光されたプレートに対してであっても、スピードの顕著な変化は時間と累積露光線量の関数として実験的に観察された。かかる状況は顧客、即ち放射線医による頻繁な使用によってプレート又はパネルの寿命の関数としての状況を表すので、パネル上の部位ごとのスピードの変化及び前記パネルの表面積にわたるスピードの均一性を減らすためにさらなる研究が要求された。
【０００８】
読み出し貯蔵燐光体プレート又はパネルのスピードを最適化するために利用可能な多くの技術にかかわらず、同じプレートがその寿命にわたって放射線写真用途で頻繁に再使用されるとき、時間の関数としてほぼ一定のスピード及び一定の不均一性を有するプレートを顧客に引き渡す永続的に続く要求がある。
【発明の開示】
【０００９】
本発明の目的は頻繁に再使用されるとき全寿命にわたってほぼ一定のスピードを有する蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルの製造方法を提供することであり、かかる一定のスピードは個々にとったパネルの表面積上の部位のほとんど全てにおいて期待されるだけでなく、全体としてとったパネルの表面積にわたっても期待され、それによって貯蔵燐光体パネルの全表面積にわたって再現可能なスピード均一性を表す。
【００１０】
上述の有利な効果は請求項１に述べられているようにプレートを顧客に引き渡す前に製造中に特別な工程を適用することによって放射線像貯蔵燐光体パネルを製造するための方法を提供することによって実現される。本発明の好ましい実施態様の特別な特徴は従属請求項に述べられている。
【００１１】
主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有するタイプの貯蔵燐光体を燐光体層に含む放射線像貯蔵燐光体プレートの製造方法において、頻繁な再使用中にプレート又はパネルの全表面積にわたってスピードの変化及びスピード均一性の変化を「修正」するために、プレートは製造後に均一に露光されるべきであり、即ち一定の強度でかつその全表面積にわたって均一なエネルギー分布で、より好ましくは１〜１０Ｇｙの範囲のプレートによって吸収されるＸ線量で露光されるべきであることを予期せぬことに見出した。放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法は、その製造後及び顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする。
【００１２】
本発明による燐光体パネルの製造方法における特別な実施態様は以下の通りである：
− 前記吸収された線量は２〜６Ｇｙの範囲、さらにより好ましくは２〜３Ｇｙの範囲にあるべきであり、Ｘ線はＲＱＡ５に従うビーム質を有する；
− 前記放射線像貯蔵燐光体は主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体であり、特に放射線像貯蔵燐光体はＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体であり、その製造方法は以下に記載される。
【００１３】
本発明のさらなる利点及び特別な実施態様は以下の記載から明らかであるが、本発明はそれらに限定されない。
【００１４】
用語「フラットフィールド（ｆｌａｔ ｆｉｅｌｄ）」は、「均一に露光される」、即ち「ファントム」を避けるために均一なエネルギー分布でかつ一定の強度で露光される、こととして理解されるべきである。標準的な手順では、ＲＱＡ５（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４）ビーム質がそのために使用される。
【００１５】
図１Ａ及びＢはそれぞれ、プレートによって吸収される累積Ｘ線量（前記線量はｋＲ（キロレントゲン）で与えられる）（図１Ａ参照）及びＧｙ（１Ｊ／ｋｇと等価な吸収された線量の単位として知られる「グレイ」）（図１Ｂ参照）の関数として正規化された感度（百分率で与えられる）を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明によれば、放射線像貯蔵燐光体プレートの製造方法が提供され、そこでは前記プレートを顧客に引き渡す前の最後の製造工程において、プレートは均一に露光され、即ち一定の強度でかつその全表面積にわたって均一なエネルギー分布で、前記燐光体プレートによって吸収されるような１〜１０Ｇｙの範囲のＸ線量で露光される。
【００１７】
本発明の方法の特別は実施態様では、実際に適用されるような吸収される線量は２〜６Ｇｙの範囲であり、さらに好ましくは前記線量は２〜３Ｇｙの範囲であり、Ｘ線はＲＱＡに従うビーム質を有する。
【００１８】
特に、本発明の方法によれば、前記Ｘ線量は、参照としてここに組み入れられるＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ−ＩＥＣ６１２６７：１９９４のＲＱＡ５に従うビーム質を有する。
【００１９】
続く露光の結果として特にＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体プレートに与えられた蓄積線量はスピードの変化を生じる傾向を有すること、約５Ｇｙの全線量まで、特に６００レントゲン又は５．２Ｇｙの累積線量までのスピードの増加を得る傾向があること、その後同じプレートが増大するＸ線量をさらに得るにつれてスピードが減少することが実験的に確立されている。前記スピード増加は約１３％の範囲である。
【００２０】
顧客としての放射線医が約１０００レントゲンの全累積線量を吸収するまで（即ち、約８Ｇｙの全吸収線量まで）かかるプレートを使用することを考慮すると、最後の工程として「スピード修正工程」を与えることによって製造中に貯蔵燐光体プレート又はパネルを作ることが正当化され、「フラットフィールド（ｆｌａｔ ｆｉｅｌｄ）」露光は１〜１０Ｇｙの範囲のＸ線量で与えられる。
【００２１】
「フラットフィールド」露光が約３００レントゲン、即ち２．６ＧｙのＸ線量で与えられる特定の場合において、１３００レントゲンの累積線量までの全寿命サイクルが期待されることができ、そこでは有利な効果として５％未満のスピードの変化が前記全寿命サイクルにわたって観察される。もし製造の終わりのかかる「予備処理露光」（有効な使用前の放射線露光処理）がプレート又はパネルに与えられないなら、５％より大きいスピードの変化、以下の実施例から明らかなように少なくとも１３％の変化が予想されることができる。
【００２２】
放射線像燐光体又はシンチレータパネルはマトリックス成分及び活性化剤から構成される蒸着針状燐光体結晶を含む燐光体層を有することが有利である。前記マトリックス化合物は下記式（Ｉ）によって最も一般的に表される：
Ｍ１Ｘ．ａＭ２Ｘ′２．ｂＭ３Ｘ′′３ （Ｉ）
式中、Ｍ１はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択されるアルカリ金属を表し、
Ｍ２はＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ及びＮｉからなる群から選択される二価金属を表し、
Ｍ３はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される三価金属を表し、
Ｘ，Ｘ′及びＸ′′は各々、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，及びＩからなる群から選択されるハロゲンを表し、ａ及びｂは各々、０≦ａ＜０．５及び０≦ｂ＜０．５を表す。
【００２３】
マトリックス成分として使用するために好適な原材料は好ましくはアルカリハロゲン化物塩マトリックス成分であり、より好ましくは前記アルカリハロゲン化物塩はＣｓＸであり、ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ又はそれらの組み合わせを表す。
【００２４】
活性化剤成分はＥｕ，Ｔｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選択される元素を活性化剤要素として有する成分であることが好ましい。
【００２５】
その特別な実施態様では、前記蒸着針状燐光体は例えばＵＳ−Ａ ６８０２９９１（それは参考としてここに組み入れられる）に記載されたような光刺激性ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である。
【００２６】
本発明による方法では、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとランタノイドドーパント塩としてのＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）とを混合することによって製造されることが有利である。
【００２７】
本発明による別の実施態様では、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ又はＥｕＸｚ（但し、２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）からなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％とを混合し、その混合物を４５０℃以上の温度で燃焼し、前記混合物を冷却し、ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収することによって製造されることが有利である。
【００２８】
本発明によるさらに別の実施態様によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体はアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒと、式ＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ（但し、ｘ／ｙ＞０．２５，α≧２，Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるハロゲン化物である）によるランタノイドドーパント塩とアルカリ金属ハロゲン化物塩の組み合わせとを混合することによって製造されることが有利である。
【００２９】
本発明の方法によれば、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーンは物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、高周波蒸着及びパルス化レーザ蒸着からなる群から選択される方法によって支持体上に前記燐光体を適用することによって得られる。
【００３０】
結合剤のない層に配置された針状燐光体は蒸着法によって製造される。蒸着法の例として、物理蒸着法（ＰＶＤ）、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、及びイオンプレーティング法のような蒸着技術及び電子線蒸着のような噴霧化技術が特に良く知られている。放射線像貯蔵パネルを製造する方法では、前記燐光体層は物理蒸着、化学蒸着及び噴霧化技術からなる群から選択された技術によって支持体上に被覆される。噴霧化技術として、例えばＵＳ−Ａ ６７４０８９７及び６８７５９９０、及びＵＳ出願２００２／０５０５７０，２００４／０７５０６２及び２００４／１４９９３１（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているような電子線蒸着が使用されることができる。電子線蒸着技術では、電子銃によって生成された電子線は蒸発源上に適用され、電子線の加速電圧は１．５ｋＶ〜５．０ｋＶの範囲である。電子線技術を適用することによって、マトリックス成分及び活性化剤要素からなる蒸発源は加熱、蒸発されて支持体上に付着される。抵抗加熱、スパッタリング及びＲＦ誘導技術の如き物理蒸着技術は本発明の燐光体層における結合剤のない針状結晶の蒸着に使用するために特に好適である。抵抗加熱蒸着は例えばＵＳ−Ａ ６７２００２６，６７３０２４３及び６８０２９９１及びＵＳ出願２００１／００７３５２（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているように適用されることが有利でありうる。この技術は本発明によるパネルのために針状の結合剤のない貯蔵燐光体を蒸着するための方法として推奨される。抵抗加熱蒸着では、蒸発源は電気エネルギーを抵抗加熱手段、好ましくは耐火材料から構成されたるつぼ又はボート構成に供給することによって加熱される。蒸着装置では、蒸着燐光体材料の均一な蒸着を実際に実現するために、例えばＵＳ出願２００５／０００４１１，２００５／０００４４７及び２００５／２１７５６７（それらは参考としてここに組み入れられる）に開示されたように適用されてもよい。
【００３１】
高温での燐光体層の蒸着は好ましくは６０％〜９０％の範囲の高い燐光体充填密度を与える方法として実施される。前記蒸着法は選択された原材料を加熱することによって低い圧力下で蒸着室で実施されることが有利である。ＵＳ−Ａ ６８０２９９１に記載されているように支持体上のユウロピウムドープされたハロゲン化セシウム燐光体の蒸着は物理蒸着、化学蒸着又は噴霧化技術、例えば電子線蒸着又はプラズマ化学蒸着からなる群から選択される方法によって実施される。蒸気圧（例えばＵＳ−Ａ ２００５／００７７４７８のように０．０５〜１０Ｐａの範囲の中程度の真空下で又は例えばＵＳ−Ａ ２００４／１４９９２９のようにアルゴン又は窒素のような不活性ガスの存在下で０．３〜３Ｐａの範囲の圧力で又はＵＳ−Ａ ６８０２９９１のように０．０１Ｐａ未満の圧力で）を制御し、そしてＵＳ−Ａ ６８０２９９１のように、さらに蒸気流が支持体上への蒸発燐光体の付着を起こす前に支持体が冷却されるＵＳ−Ａ ６７２００２６に述べられているように支持体温度を制御することに加えて、蒸発源はＵＳ−Ａ ２００３／１１３５８０に述べられているように、０．５重量％以下の含水量を有することが推奨される。本発明のような蒸着装置における蒸着は予め決められた程度の真空度の調整を必要とする。本発明によるパネルにおける結合剤のない針状貯蔵燐光体層に対して、高い真空下での前記燐光体の形成が望ましい。１×１０−５〜５Ｐａの真空度、特に１×１０−２〜２Ｐａの真空度が望ましく、そこではＡｒ又はＮｅ貴ガスの如き不活性ガス、あるいは窒素ガスの如き不活性ガスが真空蒸着装置中に導入されてもよい。１×１０−５〜１×１０−２Ｐａのさらに低い内部圧力を与えるための排気が電子線蒸着のために好ましい。酸素又は水素ガスの導入は特に反応性を高めるため及び／又は例えばアニール工程で実施されることが有利でありうる。さらに、不活性ガスの導入はＵＳ−Ａ ６７２００２６（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているように燐光体蒸発原材料が蒸着される支持体及び／又はチタン（合金）支持体上への蒸着前に蒸気流を冷却するために実施されることができる。あるいは、支持体の一方の側は加熱されてもよいが、他方の側はＵＳ−Ａ ７０２９８３６（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているように蒸着を実施しながら冷却されてもよい。
【００３２】
蒸着手順が完了した後、蒸着された層は熱処理又はアニール手順を受けることが好ましく、それは少量の酸素ガス又は水素ガスを含有しうる不活性ガス雰囲気下で一般に１００〜３００℃の温度で０．５〜３時間、好ましくは１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２時間実施される。アニール手順はＵＳ−Ａ ６７３０２４３，６８１５６９２及び６８５２３５７又はＵＳ出願２００４／０１３１７６７，２００４／０１８８６３４，２００５／００４０３４０及び２００５／００７７４７７（それらは参考としてここに組み入れられる）に記載されているように適用されてもよい。
【００３３】
本発明によるスクリーン又はパネルでは前記燐光体はＣＲ技術に適用されるような光刺激性燐光体である。光刺激性スクリーン又はパネルはいわゆる「ＮＩＰ」スクリーンとも称される「針状結晶像燐光体」プレート（好ましくはＣｓＢｒ：Ｅｕ針状結晶を蒸着によって被覆される）として被覆される。結合剤のない層に存在する前記針状結晶は、蒸着が適用された支持体から剥離されてもよく、所望により針状結晶の長さ（通常、１００〜１０００μｍの範囲）を減らすために微粉砕され、結合剤に分散された後に被覆され、「疑似ＰＩＰ」スクリーン（即ち、結合剤に前記（微粉砕された）燐光体を分散することによって結合剤のない燐光体から作られた粉末像燐光体プレート）を形成してもよい。
【００３４】
本発明による層形成配合物を硬化する方法では、硬化は紫外線によって又は電子線硬化によって行う。
【００３５】
さらに、本発明による方法では、硬化は紫外線によって又は電子線硬化によって行う。特に、硬化は支持体上に存在する燐光体層又はシンチレータ層上に保護被覆として前記層形成配合物を被覆した後に乾燥して行う。
【００３６】
本発明による方法では、前記被覆はドクターブレードコーティング又はバーコーティングによって実施される。
【００３７】
燐光体又はシンチレータスクリーン、プレート又はパネルの層配置のための実施態様は以下から選択される。
【００３８】
一つの側面では、スクリーン又はパネルの層配置は通常、支持体層上に被覆されるとき、支持体と燐光体層の間に中間層があり（例えばＵＳ−Ａ ２００４／００５１４４１及びＵＳ−Ａ ２００４／００５１４３８に開示されているようなパリレン又は別の例えばＵＳ−Ａ ６９２７４０４のような染料含有層）、かかるパリレン層はＵＳ−Ａ ６８２２２４３に記載されているように又はＵＳ−Ａ ６７１０３５６のように燐光体層と最外保護層又はトップコートの間に存在させてもよい。二つの保護層の間の良好な接着はＵＳ−Ａ ２００５／００６７５８４に開示されているように燐酸エステル化合物を使用するとき有利に提供される。上述のパリレン層は環境の湿度に極めて敏感であるものとして知られるアルカリ金属ハロゲン化物シンチレータ又は燐光体を使用するとき十分に認識されるように、燐光体又はシンチレータを湿分から保護する層として適用されることが特に推奨される。このパラグラフで引用された文献の全ては参考としてここに組み入れられる。
【００３９】
支持体は公知のいかなる支持体であることもできる。支持体は有機又は無機の性質のいかなる固体も使用することもでき、それはいかなる幾何学的形状、例えば箔、繊維（例えば炭素繊維補強樹脂（複数）、特に炭素繊維補強樹脂シートにおける炭素繊維の方向が互いに異なるように耐熱性樹脂を含浸されかつ一方向に配置された炭素繊維をそれぞれが含むシート（複数））をとることができ、粒子を使用することができる。無機非金属支持体として化学的に補強されたガラス又は結晶化ガラスを使用することができる。使用のために好適な無機金属支持体は例えばアルミニウム、チタン、鉛、鉄、銅、鋼、モリブデン、ベリリウムからなる金属支持体、アルミニウム、チタン、鉛、銅、ベリリウム、マンガン、タングステン、バナジウム及びシリコン酸化物からなる金属及び非金属酸化物の支持体である。有機支持体としてポリイミドシート、異なる組成のエポキシ化合物並びに熱可塑性及び熱硬化性化合物、ポリエーテル、ポリエステル及びポリカーボネート組成物を使用してもよいが、それらに限定されない。上述のような保護層ユニット又は配置を適用する前に洗浄及び脱脂に関するクリーニング手順に支持体を供することが推奨される。
【００４０】
ＥＰ出願Ｎｏ．０６１１８１５７及び０６１１８１５８（ともに２００６年７月３１日に出願され、参考としてここに組み入れられる）のように機械的損傷及び有機クリーニング溶液に対する感受性を低下させたトップコートを適用することが有利でありうる。従って、ポリマー又はコポリマー及び（メタ）アクリレート型モノマーを含み、モノマー分子あたり一つより多い（メタ）アクリレート基及び前記モノマー中の（メタ）アクリレート基あたり少なくとも一つのエチレンオキシ基を有する光又は電子線硬化組成物は、支持体、貯蔵燐光体層及びセルロースエステルポリマーを含む最外トップコートを含む光刺激性燐光体スクリーンのトップコート層に使用するために特に好適である。あるいは、ポリマー又はコポリマー及び（メタ）アクリレート型モノマーを含み、モノマー分子あたり一つより多い（メタ）アクリレート基及び前記モノマー中の（メタ）アクリレート基あたり二つより多いエチレンオキシ基を有する光硬化性組成物もまた、貯蔵燐光体スクリーン又はパネルのためのトップコート層として使用するために特に好適である。トップコート層を有する貯蔵燐光体スクリーンが突き出るビーズを持つとき、ビーズがスキャナの機械的部品に接触しないこと、及び貯蔵パネルがスキャナにおける移動時に幾らかのよろめきを示すときであってもこの通りであることが重要である。それゆえビーズは本発明の貯蔵燐光体スクリーンにおいてスペーシング粒子として使用されるとき、０．５μｍ≦ｄｖ５０≦２５μｍのメジアン体積直径ｄｖ５０及び０．１≦ｄｖ５０／ｄｎ５０≦１．２０のメジアン数直径ｄｎ５０を有することが好ましい。さらに、ビーズは前記ポリマービーズが０．２５≦ｄｖ５０／ｔ≦４．０のメジアン体積直径ｄｖ５０を有するように本発明の貯蔵パネル上の層Ｂの厚さｔに適応されることが好ましい。
【００４１】
本発明の燐光体パネルは自己支持パネル並びに支持体を含むパネルであることができる。この支持体は公知のいかなる支持体であることもできるが、スクリーンの所望の高い耐湿性に照らして、極めて低い水蒸気透過性を有する支持体が使用されることが好ましい。好ましい支持体はＵＳ−Ａ ６８１５０９５及びＵＳ出願２００３／０１３４０８７（それらは参考としてここに組み入れられる）に開示されているような支持体及び陽極酸化アルミニウムの支持体である。
【００４２】
本発明の特別な実施態様では燐光体層の表面は燐光体層が支持体の縁に到達しないように支持体の表面より小さくてもよい。従って、燐光体層の主表面より大きい表面を持ち、従って燐光体層が支持体の一部分を自由にさせた支持体を有するパネルであって、層Ａ及びトップコート層Ｂを含む保護層が燐光体層によって自由にさせた支持体の部分を少なくとも部分的に覆うパネルは、前に既に開示されているように本発明の特別な実施態様を表す。かかる構造の利点は、燐光体層の縁が装置の機械的部品に接触せず、従ってパネルの使用時、特にスキャナにおける移動時に容易に損傷されることが少ないことにある。この構成の別の利点は特別な縁補強が全く必要ないことである（但し、もし望むなら、さらなる縁補強も適用できる）。燐光体層の表面が支持体の表面より小さく、従って燐光体層が支持体の縁に到達しない燐光体パネルの構成は、本発明の特別な実施態様を表すが、かかる構成は公知の保護層で覆われた燐光体パネルの製造のために有益でありうる。
【００４３】
支持体材料と燐光体層の間にパリレン層が存在する場合には、覆われた支持体の表面粗さは表面粗さの減少（好ましくは０．５以下、より好ましくは０．１以下）につれて良好な滑らかさを示し、それはＵＳ−Ａ ２００４／００５１４３８に記載されているように小さな直径を有する針状結晶又は柱状結晶を蒸着するためであってもよく、それによって蒸着された光刺激性燐光体層の表面積の平方単位あたりの前記針状結晶の改良された充填密度及びＵＳ−Ａ ６９６７３３９（それは参考としてここに組み入れられる）に開示されているような柱状、針状又は円柱状燐光体で得られるような改良されたシャープネス又は解像度に導く。
【００４４】
特別な実施態様では、前記燐光体が熱蒸着又は電子線蒸着による蒸着システムにおいて支持体上に蒸着されるとき、前記燐光体は結合剤のない燐光体であり、前記結合剤のない燐光体はＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体であり、ＸはＢｒ及びＣｌからなる群から選択されたハロゲン化物を表す。これらは例えばＵＳ−Ａ ６８０２９９１に開示されている。マトリックス化合物としてのＣｓＸ及びドーパントとしてのＥｕに加えて、不純物及びさらなる元素（不純物であるかどうかにかかわらず）を、ＵＳ−Ａ ２００６/００７６５２５に記載されるように燐光体組成物に存在させてもよい。かかる結合剤のないＣｓＸ：Ｅｕ刺激性燐光体層は針状燐光体結晶内の光学的な反射及び良好な吸収性のためシャープネスに特に有利である。前記針状結晶間に間隙が存在し、それはＵＳ−Ａ ６８００３６２及びＵＳ出願２００３／０１６８６１１に述べたように規定された程度まで充填されてもよい。さらに、像シャープネスのために前記燐光体粒子はＵＳ−Ａ ６９７７３８５に記載されているようにナノ結晶色素で着色されてもよい。
【００４５】
間隙によって分離された針状燐光体結晶を有するかかる燐光体層上に、極めて低い水透過性を有する層Ａが付着されるとき、この層Ａが化学蒸着されたパリレン層であることが好ましく、かかる層は針状結晶の表面を覆うだけでなく、針状結晶間の間隙も覆い、従って燐光体針状結晶の縁を湿度に対して完全に保護する。本発明の燐光体パネルはまた、例えばＵＳ−Ａ ５３３４８４２及びＵＳ−Ａ ５３４０６６１（ともに参考としてここに組み入れられる）に記載されたもののように縁補強を含んでもよい。
【実施例】
【００４６】
本発明をその好ましい実施態様と関連して以下の実施例に記載するが、本発明をそれらの実施態様に限定することを意図しないことは理解されるだろう。
【００４７】
原材料としてＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物を出発材料として有するるつぼの抵抗加熱によって、真空室において可撓性のクロム封止された陽極酸化アルミニウムプレート上に蒸着工程によってＣｓＢｒ：Ｅｕ光刺激性燐光体スクリーンを製造した。前記可撓性の陽極酸化アルミニウム支持体上への前記蒸着工程は、前記支持体が蒸気流上で回転するような方法で実施された。
【００４８】
電気加熱されたオーブン及び二つの耐火トレー又はボート（一方は左側に置かれ、他方は右側に置かれる）が使用され、そこでは３３０ｇのＣｓＢｒとＥｕＯＢｒの混合物（ＣｓＢｒ／ＥｕＯＢｒ重量％比＝９９．５％／０．５％）を蒸着のために前記るつぼの各々に原材料として存在させた。
【００４９】
るつぼとして１００ｍｍの長さを有する細長いボートを使用し、それは０．５ｍｍの厚さを有する「タンタル」から構成された３５ｍｍの幅及び５０ｍｍの側壁高さを有し、三つの集積部品：るつぼ容器、スリット及び小さな開口を有する「第二」プレート及びスリット出口を有するカバーから構成された。長手方向部分は漏れを克服するために一つの連続タンタルベースプレートから折り曲げられ、頭部分が溶接された。前記第二プレートは４５ｍｍの前記側壁高さの２／３より小さい最外カバープレートからの距離でるつぼの内部に装着された。真空室へのアルゴンガスの連続注入によって維持された真空圧力（２×１０−３ｍｂａｒに等価な２×１０−１Ｐａの圧力）下で、かつ蒸気源（７６０℃）の十分に高い温度で、得られた蒸気は、移動するシート支持体の方に向けられ、前記支持体が蒸気流の上で回転するにつれて連続的にその上に付着された。蒸気源の前記温度は、外側に存在しかつ前記るつぼの底の下で圧縮された熱電対によって及びるつぼに存在するタンタル保護された熱電対によって測定された。蒸着装置において蒸発を開始する前、ボート又はるつぼにおいて原材料を加熱して、それらを蒸発のために準備しているとき、シャッターはボート、トレー又はるつぼを覆っている。
【００５０】
８００μｍの厚さ、１８ｃｍの幅及び２４ｃｍの長さを有するクロム封止された陽極酸化アルミニウム支持体は、燐光体が蒸着される側をパリレンＣプレコートで覆われ、支持体とるつぼ蒸気出口スリットの間の（垂直に測定した）距離が２２ｃｍになるように位置された。
【００５１】
プレートはほぼ等しい厚さの燐光体層を有する燐光体プレートに導く同じ蒸着時間を実施した後に蒸着装置から取り出された。
【００５２】
針状結晶像プレートは感度の変化を決定するために吸収される一連の高いＸ線量で露光された。プレートは番号ＣＢ７４２２２の下で前述のようにＡｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ，ベルギーによって製造され、１ｃｍ２あたり１８９．２ｍｇの燐光体の被覆量を有していた。
【００５３】
プレートは一組の穴を含む鉛のプレートで覆われた。一組の穴は五つの領域に分割され、領域ごとに異なるＸ線量で露光された。適用されたＸ線量は１２５Ｒ，２５０Ｒ，５００Ｒ，１．５ｋＲ及び１２ｋＲであり、ビーム質ＲＱＡ５を有していた。
【００５４】
プレートを前記Ｘ線量で露光した後、プレートはＵＶランプ（高圧水銀）、ナトリウムランプ（１０００ワット）、及びハロゲンランプ（３０００ワット）を有する通常の消去ユニットで強く消去された。
【００５５】
消去後、残っているエネルギーがプレートにあるかどうかを見るためにプレートをＸ線に露光せずに、品質制御目的のために、Ａｇｆａ−Ｇｅｖａｅｒｔ，Ｍｏｒｔｓｅｌ，ベルギーの社内で作られたＮＯＬＯ＿ＩＩと称しかつＣｓＢｒ：Ｅｕのために最適化されたスキャナで像を作った。１２ｋＲ（即ち、最高吸収Ｘ線量）で露光された穴だけがわずかに目で見ることができた。信号はかなり低い（即ち、＜０．１％）ことが確立されたので、それを無視することができる。
【００５６】
前述のような露光処理の後、２０μＧｙの線量（ビーム質ＲＱＡ５）でフラットフィールド露光した。
【００５７】
１２５レントゲンから１５００レントゲンの範囲の吸収線量で感度の増加が観察され、１２０００レントゲンの線量に対して感度の減少が観察されることが明らかになった。
【００５８】
異なる吸収Ｘ線量についての感度の相対的変化を決定するとき、以下の表１にまとめられた下記のデータが利用可能であった。
【００５９】
百分率値として表現するために（累積線量を有する感度／累積線量を有さない感度）×１００の式から「正規化された感度」を計算し、それらの数字をダイヤグラムに記載すると、正規化された感度の最大値が約５００レントゲン又は４．３ＧｙのＸ線での予備処理露光で達成されることが明らかになった。
【００６０】
１．１〜１３．０Ｇｙの範囲に相当する１２５〜１５００レントゲンの範囲の吸収Ｘ線量内では、５％の帯域内で感度の変化がある。しかしながら、Ｘ線露光線量が高いほど感度の低下が急になり、従って放射線医は高いＸ線量で患者の望ましくない露光を要求するだろう。
【００６１】
本発明の有利な効果として、明細書及び図面において上述したように、放射線医によって頻繁に再使用されるときであっても、寿命サイクル中のプレート又はパネルのより再現可能なスピード及びスピード分布が見出されること、スピードの変化が５％未満の許容可能な範囲内に制限されることが確立された。
【００６２】
本発明は放射線像貯蔵燐光体プレートを提供し、それは前述の方法に従って製造されるとき、考えられるような所望の特性を与える。
【００６３】
本発明の好ましい実施態様を詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をその中でなしうることが当業者に明らかであるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１Ａは、プレートによって吸収された累積Ｘ線量（ｋＲ）の関数として正規化された感度（％）を表す。図１Ｂは、プレートによって吸収された累積Ｘ線量（Ｇｙ）の関数として正規化された感度（％）を表す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法において、その製造後で顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記放射線像貯蔵燐光体がＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとランタノイドドーパント塩としてのＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ、又はＥｕＸｚ（但し２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）とを混合することによって作られる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ、及びＥｕＸｚ（但し２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）からなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％とを混合し、その混合物を４５０℃以上の温度で燃焼し、前記混合物を冷却し、ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収することによって作られる請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒと、アルカリ金属ハロゲン化物塩とランタノイドドーパント塩の組み合わせとしての式ＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ（但し、ｘ／ｙ＞０．２５，α≧２，Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される）とを混合することによって作られる請求項２に記載の方法。
【請求項１】
放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法において、その製造後で顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記放射線像貯蔵燐光体がＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとランタノイドドーパント塩としてのＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ、又はＥｕＸｚ（但し２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）とを混合することによって作られる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒとＥｕＸ２，ＥｕＸ３，ＥｕＯＸ、及びＥｕＸｚ（但し２＜ｚ＜３，ＸはＢｒ，Ｃｌ又はそれらの組み合わせの一つである）からなる群から選択されるユウロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％とを混合し、その混合物を４５０℃以上の温度で燃焼し、前記混合物を冷却し、ＣｓＸ：Ｅｕ燐光体を回収することによって作られる請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体がアルカリ金属ハロゲン化物塩としてのＣｓＢｒと、アルカリ金属ハロゲン化物塩とランタノイドドーパント塩の組み合わせとしての式ＣｓｘＥｕｙＸ′ｘ＋αｙ（但し、ｘ／ｙ＞０．２５，α≧２，Ｘ′はＣｌ，Ｂｒ及びＩ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される）とを混合することによって作られる請求項２に記載の方法。
【図１】
【公開番号】特開２００８−４６１２２（Ｐ２００８−４６１２２Ａ）
【公開日】平成２０年２月２８日（２００８．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２０７６２７（Ｐ２００７−２０７６２７）
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３０７０１０２０３）アグファ・ヘルスケア・エヌヴィ (10)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月２８日（２００８．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【出願人】（３０７０１０２０３）アグファ・ヘルスケア・エヌヴィ (10)
【Ｆターム（参考）】
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