有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
【課題】低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善する。
【解決手段】陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示されている。当該製造方法は、塗布装置２０３ｂ１などを用いて前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、活性エネルギー線照射装置３１０などを用いて塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、を備える。
【解決手段】陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が開示されている。当該製造方法は、塗布装置２０３ｂ１などを用いて前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、活性エネルギー線照射装置３１０などを用いて塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。詳しくは、ウェットプロセスによる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、低電圧駆動が可能で寿命の改善された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤと略記する）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子ともいう）や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。無機ＥＬ素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
【０００３】
一方、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００４】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来実用に供されてきた主要な光源、例えば、発光ダイオードや冷陰極管と異なり、面光源であることも大きな特徴となっている。この特性を有効に活用できる用途として、照明用光源や様々なディスプレイのバックライトがある。特に近年、需要の増加が著しい液晶フルカラーディスプレイのバックライトとして用いることも好適である。
【０００５】
有機エレクトロルミネッセンス素子をこのような照明用光源、あるいはディスプレイのバックライトとして実用する為の課題として発光効率の向上が挙げられる。発光効率の向上の為には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機機能層の一部においてそれぞれ別個の機能を有する材料を複数混合して構成する所謂ホスト／ゲスト構造を組み入れることが一般的となりつつある。例えば、発光層におけるホスト材料／発光ドーパントの組み合わせ、電子輸送層における電子輸送材料／アルカリ金属材料の組み合わせ等が挙げられる。
【０００６】
一方、これら有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法）等があるが、真空プロセスを必要とせず、連続生産が簡便であるという理由で近年はウェットプロセスにおける製造方法が注目されている。
【０００７】
しかしながら、ウェットプロセスにおける製造の場合、塗膜中に溶媒が残留しやすく、残留した溶媒の影響で素子性能、特に発光寿命を劣化させる場合がある。塗膜中に残留する溶媒を除去する為には、塗膜を加熱乾燥することが常套である。しかし、加熱乾燥時の温度は、使用する材料の劣化や塗膜の構造変化に伴う性能劣化を起こさない範囲に限定される。とりわけ、材料のガラス転移点を越える温度で加熱乾燥すると塗膜の構造変化や積層界面における混合を生じやすく、性能劣化を起こしやすい。したがって、性能劣化を引き起こすような高温で短時間の加熱乾燥をすることができず、加熱乾燥に時間がかかり、生産性が上がらないという問題もある。
【０００８】
これに対し、特許文献１の技術によれば、発光層を構成する材料をバブリング法で脱酸素し、その構成材料の酸素濃度および水分濃度を制御し、発光寿命の低下を防止している（段落００２９〜００４３など参照）。
特許文献２の技術によれば、発光層を構成する材料（液状体）を塗布した後に、この液状体を２段階で減圧して乾燥させ、発光層の厚みや形状のばらつきを抑えようとしている（段落００７０〜００７６や図７など参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−１４６８６５号公報
【特許文献２】特開２０１０−８０１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の技術による条件では、発光層の構成材料中から溶媒を十分に除去するとは考え難い。さらには特許文献１の技術では、段落００４７の記載などから、処理温度１００℃、処理時間６０ｍｉｎの条件で脱溶媒しており生産性に優れているともいえない。
特許文献２の技術でも、真空乾燥装置を用いているため、圧力の変動だけでは、発光層の構成材料中から溶媒を十分に除去することができないと考えられる。
したがって、本発明の主な目的は、安易な加熱乾燥によっても有機機能層の溶媒を除去可能とし、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、
塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、活性エネルギー線の照射により、有機機能層の溶媒の除去を促進することができ、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】照明用に使用する有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬパネルを、帯状の可撓性基板を使用して製造する製造工程の一例を示す模式図である。
【図３】図２に示す供給工程と、第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程までの模式図である。
【図４】図２に示す正孔輸送層形成工程の模式図である。
【図５】図２に示す発光層形成工程および電子輸送層形成工程の一部の模式図である。
【図６】図２に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程以降の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態を図１〜図６を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。尚、本発明の塗布方法を有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも云う）を製造する時の有機化合物層の塗布に適用した場合に付き説明する。
【００１６】
有機ＥＬパネルは透明基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる陽極が設けられ、その上に発光層や電子輸送層などを含む有機機能層、及び陽極と交差して成膜されたアルミニウム等からなる陰極がこの順に設けられることにより構成されたものである。例えば発光層は蛍光性有機化合物の非常に薄い層となっている。通常、有機物は絶縁体であるが有機層の膜厚を非常に薄くすることにより電流注入が可能となり有機ＥＬ素子として１０Ｖ以下の低電圧で駆動することが可能となる。有機ＥＬパネルは蛍光性有機化合物の非常に薄い薄膜を陽極と陰極ではさみ電流を流すことで発光する電流駆動型発光素子であり、近年、フラットディスプレイなどの表示装置や、電子写真複写機、プリンターなどの光源への使用が検討されている。
【００１７】
図１は照明用に使用する有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。図１（ａ）は有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図を示す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００１８】
図１に示すとおり、有機ＥＬパネル１は、可撓性基板１０１上に順次、陽極（第１電極）１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子輸送層１０５と、陰極バッファ層（電子注入層）１０６と、陰極（第２電極）１０７と、接着剤層１０８と、封止部材１０９とを有している。陽極１０２と陰極１０７との間に形成された正孔輸送層１０３、発光層１０４、電子輸送層１０５および陰極バッファ層１０６により有機機能層が構成されている。有機機能層は少なくとも発光層１０４を含むものであれば構成可能となっている。接着剤層１０８と、封止部材１０９とにより封止層を形成している。
有機ＥＬパネル１は、陽極（第１電極）１０２の取り出し電極１０２ａと、陰極（第２電極）１０７用の取り出し電極１０７ａの端部を除いて接着剤層１０８により封止された密着封止構造となっている。陽極（第１電極）１０２と可撓性基板１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。本発明では第２電極１０７の上を接着剤層１０８を介して封止部材１０９で封止された状態を有機ＥＬパネルと云い、第２電極までが形成された状態を有機ＥＬ素子と云う。
【００１９】
本図に示す有機ＥＬパネルの層構成は一例を示したものであるが、陽極（第１電極）と陰極（第２電極）との間の他の代表的な層構成としては次の（ｉ）〜（ｖ）の構成が挙げられる。有機ＥＬパネルを構成している各層については後に説明する。
【００２０】
（ｉ）陽極（第１電極）／発光層／陰極（第２電極）
（ｉｉ）陽極（第１電極）／発光層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（ｉｉｉ）陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（ｉｖ）陽極（第１電極）／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
（ｖ）陽極（第１電極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
【００２１】
図２は図１に示す有機ＥＬパネルを、帯状の可撓性基板を使用して製造する製造工程の一例を示す模式図である。
【００２２】
図２に示すとおり、有機ＥＬパネルの製造工程２は、帯状の可撓性基板の供給工程２０１と、第１電極形成工程２０２と、正孔輸送層形成工程２０３と、発光層形成工程２０４と、電子輸送層形成工程２０５と、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と、第２電極形成工程２０７と、封止工程２０８と、回収工程２０９とを有している。
尚、回収工程２０９としては複数の有機ＥＬパネルを有した帯状の可撓性基板から、個別の有機ＥＬパネルを得る断裁装置を用いても構わないし、複数の有機ＥＬパネルを有した帯状の可撓性基板をロール状に巻き取る巻き取り装置を用いてもよい。巻き取り装置を用いた場合、一旦、ロール状に巻き取り回収した後、別の工程で帯状の可撓性基板上に作製されている複数の有機ＥＬパネルを個の有機ＥＬパネルとして断裁しても構わない。
【００２３】
図２に示す様にロール状に巻いた帯状の可撓性基板を使用し、第１電極形成工程２０２〜封止工程２０８を順次経て、有機ＥＬパネルを作製する方式を「ロールツーロール方式」と云う。ロールツーロール方式とは、端的には、帯状の可撓性基板を搬送しながらその可撓性基板上に陽極や有機機能層、陰極などを順次連続的に形成する製造方式である。
【００２４】
尚、図２は供給工程２０１〜回収工程２０９を連続した場合を示しているが、工程全体が長くなり、設置が困難となる場合は適宜工程を分断し、帯状の可撓性基板をロール状に巻き取り保管し、再度次の工程に帯状の可撓性基板をロール状で供給する様にしても構わない。各工程については図３〜図６で説明する。
【００２５】
図３は図２に示す供給工程と、第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程までの模式図である。
【００２６】
供給工程２０１では、ロール状で帯状の可撓性基板３０１を繰り出す繰り出し装置（不図示）用いており、連続的に、次工程の第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程２０２に帯状の可撓性基板３を、搬送ローラー２０１ｂを介して繰り出す様になっている。帯状の可撓性基板３には予め第１電極及び第２電極用取り出し電極を形成する位置を決めるためのアライメントマーク（不図示）を付けておくことが好ましい。
【００２７】
第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程２０２では、第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａと、第１アキュームレータ２０２ｂと、第２アキュームレータ２０２ｃと、巻き取り装置２０２ｄとを使用している。第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａは蒸発源容器２０２ａ２を有する蒸着装置２０２ａ１を有している。
【００２８】
第１アキュームレータ２０２ｂは下側の複数の搬送ローラー２０２ｂ１と上側の複数の搬送ローラー２０２ｂ２とを有し、供給工程２０１との速度調整のために配設されている。第２アキュームレータ２０２ｃは下側の複数の搬送ローラー２０２ｃ１と上側の複数の搬送ローラー２０２ｃ２とを有し、巻き取り装置２０２ｄによる速度調整のために配設されている。
【００２９】
第１電極形成工程２０２では、供給工程２０１から連続的に供給されてくる帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａで決められた位置に取り出し電極を有する第１電極（不図示、図１の第１電極１０２に相当する）及び第２電極用取り出し電極（不図示、図１の第２電極用の取り出し電極１０７ａに相当する）をマスクパターン成膜する。
尚、形成する第１電極及び第２電極用取り出し電極の数は、帯状の可撓性基板の幅、作製する有機ＥＬパネルの大きさ等から適宜決めることが可能である。第１電極及び第２電極用取り出し電極の厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
第１電極及び第２電極用取り出し電極が形成された後は巻き取り装置２０２ｄにより搬送ローラー２０２ｄ１を介して第１電極及び第２電極用取り出し電極までが積層された帯状の可撓性基板を一旦巻き取り一次保管することが好ましい。一次保管した後、正孔輸送層形成工程２０３（図２、図４参照）に送られる。
尚、巻き取り、保管しない場合は連続して正孔輸送層形成工程２０３（図２、図４参照）に送られる。
【００３０】
供給工程２０１と第１電極正形成工程（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２とは真空環境下で行うことが好ましい。
尚、図３では第１電極形成工程（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）を蒸着法で形成する場合を示してあるが、形成方法については、特に限定はなく、例えばスパッタリング法などを用いることが出来る。
【００３１】
図４は図２に示す正孔輸送層形成工程の模式図である。
【００３２】
正孔輸送層形成工程２０３は、繰り出し部２０３ａと、塗布部２０３ｂと、乾燥部２０３ｃと、パターン形成部２０３ｄと、巻き取り部２０３ｅとを有している。正孔輸送層形成工程２０３では、第１電極までが形成された帯状の可撓性基板３の第１電極及び第２電極用取り出し電極の上を含め全面に正孔輸送層形成用塗布液が塗布され、乾燥部２０３ｃ、パターン形成工程２０３ｄを経てパターン化した正孔輸送層（不図示、図１の正孔輸送層１０３に相当する）を形成した後、一旦巻き取り、保管することが可能となっている。又、引き続き発光層形成工程２０４（図２参照）に搬送しても構わない。図４の正孔輸送層形成工程２０３は大気圧環境下に配設されている。
【００３３】
繰り出し部２０３ａでは、第１電極及び第２電極用取り出し電極までが既に形成され、巻き芯に巻き取られたロール状に巻かれた帯状の可撓性基板３が搬送ローラー２０３ａ１を介して供給される様になっている。繰り出し部２０３ａと塗布部２０３ｂとの間には必要に応じてアキュームレータ２０３ａ２と帯電防止手段２０３ａ３とを配設することが可能である。
アキュームレータ２０３ａ２は下側の複数の搬送ローラー２０３ａ２１と上側の複数の搬送ローラー２０３ａ２２とを有し、塗布部２０３ｂでの速度調整のために配設されている。
帯電防止手段２０３ａ３は、非接触式帯電防止装置２０３ａ３１と接触式帯電防止装置２０３ａ３２とを有している。
【００３４】
非接触式帯電防止装置２０３ａ３１としては例えば、非接触式のイオナイザーが挙げられる。イオナイザーの種類については特に制限はなく、イオン発生方式はＡＣ方式、ＤＣ方式どちらでも構わない。ＡＣタイプ、ダブルＤＣタイプ、パルスＡＣタイプ、軟Ｘ線タイプが用いることが出来るが、特に精密除電の観点から、ＡＣタイプが好ましい。ＡＣタイプの使用の際に必要となる噴射気体については、空気かＮ２が用いられるが、十分に純度が高められたＮ２で行うことが好ましい。又、インラインで行う観点より、ブロワータイプもしくはガンタイプより選ばれる。
接触式帯電防止装置２０３ａ３２としては、除電ロール又はアース接続した導電性ブラシを用いて行われる。除電器としての除電ロールは、接地されており、除電された表面に回転自在に接触して表面電荷を除去する。この様な除電ロールとしては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属製ロールの他に、カーボンブラック、金属粉、金属繊維等の導電性材料を混合した弾性のあるプラスチックやゴム製のロールが使用される。特に、帯状の可撓性基板３ａとの接触をよくするため、弾性のあるものが好ましい。アース接続した導電性ブラシとは、一般には、線状に配列した導電性繊維からなるブラシ部材や線状金属製のブラシを有する除電バー又は除電糸構造のものを挙げることが出来る。除電バーについては、特に限定はないが、コロナ放電式のものが好ましく用いられ、例えば、キーエンス社製のＳＪ−Ｂが用いられる。除電糸についても、特に限定はないが、通常フレキシブルな糸状のものが好ましく用いられ、例えば、ナスロン社製の１２／３００×３をその一例として挙げることが出来る。
【００３５】
非接触式帯電防止装置２０３ａ３１は帯状の可撓性基板３の上に形成されている正孔輸送層面側に使用し、接触式帯電防止装置２０３ａ３２は帯状の可撓性基板３の裏面側に使用することが好ましい。
【００３６】
塗布部２０３ｂは、前計量方式の塗布装置２０３ｂ１と第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極が形成された帯状の可撓性基板３を保持する保持部材であるバックアップロール２０３ｂ２とを用いている。バックアップロール２０３ｂ２は振動手段（不図示）を有している。
前計量方式の塗布装置２０３ｂ１による正孔輸送層形成用塗布液は、バックアップロール２０３ｂ２を振動手段（不図示）により振動させながら、第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極の上を含め、第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極が形成された帯状の可撓性基板３の上、全面に非接触で塗布される。
正孔輸送層の厚さは、５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。
【００３７】
図４は前計量方式の塗布装置２０３ｂ１としてはエクストルージョン型コータを使用した場合を示しているが、この他に例えば、スライド型コータ、インクジェットヘッド等の塗布装置の使用が可能である。これらの前計量方式の塗布装置の使用は正孔輸送層の材料に応じて適宜選択することが可能となっている。
【００３８】
乾燥部２０３ｃは乾燥装置２０３ｃ１と加熱処理装置２０３ｃ２とを有している。
乾燥装置２０３ｃ１は、塗布後の塗布層（正孔輸送層形成用塗布液による層）に対し、少なくとも塗布前から乾燥を開始出来る様に配設され、乾燥は塗布の開始と同時に行う様になっている。
加熱処理装置２０３ｃ２は乾燥装置２０３ｃ１の後に連続して配設されており、乾燥装置２０３ｃ１で溶媒を蒸発することで形成された正孔輸送層を帯状の可撓性基板３の裏面側から裏面伝熱方式で加熱する様になっている。加熱処理装置２０３ｃ２における正孔輸送層の加熱処理条件として、正孔輸送層の平滑性向上、残留溶媒の除去、正孔輸送層の硬化等を考慮し、正孔輸送層のガラス転移温度に対して−３０〜＋３０℃、且つ、正孔輸送層を構成している有機化合物の分解温度を超えない温度で裏面伝熱方式の熱処理を行うことが好ましい。
【００３９】
パターン形成部２０３ｄは、溶媒塗布部２０３ｄ１と除去部２０３ｄ２とを有している。
溶媒塗布部２０３ｄ１では、正孔輸送層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置２０３ｄ１２を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。
この後、除去部２０３ｄ２で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された正孔輸送層を除去し、パターン化した正孔輸送層を形成する。
塗布装置２０３ｄ１２としては、インクジェットヘッドが微細な塗布が出来るから好ましい。除去部２０３ｄ２での溶媒及び溶媒で溶解された正孔輸送層の除去は、吸引方式、スポンジ等の拭き取り部材による方法が挙げられる。２０３ｄ１３は乾燥部２０３ｃから搬送されてくる正孔輸送層が形成された可撓性基板３の載置台を示す。
【００４０】
巻き取り部２０３ｅは、パターン形成部２０３ｄと巻き取り装置２０３ｅ１との間には必要に応じて帯電防止手段２０３ｅ２とアキュームレータ２０３ｅ３とを有しており、パターン形成部２０３ｄでの処理が終了し、パターン化した正孔輸送層までが形成されている帯状の可撓性基板３が搬送ロール２０３ｅ４を介して巻き取る様になっている。
帯電防止手段２０３ｅ２は非接触式帯電防止装置２０３ｅ２１と接触式帯電防止装置２０３ｅ２２とを有しており、非接触式帯電防止装置２０３ａ３１および接触式帯電防止装置２０３ａ３２と同じものを使用することが好ましい。
アキュームレータ２０３ｅ３は下側の複数の搬送ローラー２０３ｅ３１と上側の複数の搬送ローラー２０３ｅ３２とを有し、巻き取り部２０３ｅでの速度調整のために配設されている。
【００４１】
発光層形成工程２０４および電子輸送層形成工程２０５（図２参照）は、図４に示す正孔輸送層形成工程２０３と基本的に同じ構成となっているので詳細の説明は省略し、発光層形成及び電子輸送層形成の概要と、正孔輸送層形成工程２０３との相違点とについて説明する。
電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では電子輸送層を蒸着で形成してもよく、この場合は、図５に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程と同じ構成となっていることが好ましい。
【００４２】
発光層形成工程２０４（図２参照）では正孔輸送層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に前計量型塗布方式の塗布装置により形成された正孔輸送層の上全面に発光層形成用塗布液がバックアップロールに配設した振動手段により振動を付与しながら非接触で塗布される。前計量型塗布方式の塗布装置としては正孔輸送層形成用塗布液を塗布するのに使用した塗布装置と同じ塗布装置の使用が可能である。
【００４３】
発光層形成工程２０４では、乾燥部２０３ｃの構成が相違しており、図５に示すとおり、可撓性基板３の搬送方向の塗布部２０３ｂより下流側に加熱処理装置３００が設けられている。
加熱処理装置３００は図４の加熱処理装置２０３ｃ２と同様の構成を有しており、塗布部２０３ｂで形成された塗布層（発光層形成用塗布液による層）を帯状の可撓性基板３の裏面側から裏面伝熱方式で加熱する様になっている。加熱処理装置３００における発光層の加熱処理条件として、可撓性基板の変性、発光層の平滑性向上、残留溶媒の除去、発光層の硬化等を考慮し、可撓性基板の構成材料のガラス転移温度未満でかつ有機機能層（正孔輸送層，発光層）の構成材料のガラス転移温度未満の温度で裏面伝熱方式の熱処理を行うことが好ましい。
【００４４】
加熱処理装置３００の内部には活性エネルギー線照射装置３１０（照射源）が設けられており、加熱処理装置３００による加熱処理と同時に、塗布部２０３ｂで形成された塗布層（発光層形成用塗布液による層）に向けて活性エネルギー線を照射するようになっている。
活性エネルギー線の照射による場合、活性エネルギー線としては、化合物の化学結合に対してエネルギーを与え、その結合そのものやその化合物の高次構造に対して変化を与えうるエネルギー線、例えば、紫外線、Ｘ線、放射性同位元素の崩壊によるガンマ線、あるいは、電子線、イオン線、中性原子線、他の素粒子線、例えば、陽子線、中性子線、陽電子線等が挙げられる。その発生方法や照射方法は各種存在する。例えば、エネルギー線の発生源であれば、マグネトロン、ＬＥＤ光源、レーザ光源、金属ターゲットに高速電子線を照射するＸ線源、放射性同位元素の崩壊によるガンマ線源、シンクロトロン（放射光）、熱電子を高電圧で加速して得る高圧電子線源、ＦＩＢ（収束イオンビーム）などがあり、照射方法も、狭い領域に収束させた活性エネルギー線を走査して広い領域に照射したり、活性エネルギー線を広い領域に拡大して同時に照射したりする方法も用いることができる。条件としては、対象となる化合物に合わせて照射線の種類や中心エネルギーを選んだり、素子構造や膜厚に合わせて、照射領域や時間を適宜選定したりする。好ましくは、変化させたい結合の結合エネルギーに合わせて線源や照射エネルギー・時間を選定する。
【００４５】
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー線の照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましい。
【００４６】
活性エネルギー線の照射は連続波によるものでもパルス波によるものでもよい。
活性エネルギー線の照射は真空下でおこなわれてもよい。
活性エネルギー線の照射強度は２００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２とし、好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ２とする。照射強度が２００ｍＪ／ｃｍ２未満であると塗布液中の溶媒の脱離促進の効果が得にくく、照射強度が５０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると発光層（有機機能層）に好ましくない影響を与え発光性能が劣化する傾向がある。
活性エネルギー線は好ましくは紫外線であり、当該紫外線の波長領域は好ましくは中心波長が１５０〜３８０ｎｍである。
本実施形態では、活性エネルギー線照射装置３００として紫外線ランプを使用し、当該紫外線ランプを点灯させることにより、塗布部２０３ｂで形成された発光層に向けて紫外線を照射している。
【００４７】
発光層形成工程２０４では、塗布部２０３ｂの構成部材（塗布装置２０３ｂ１やバックアップロール２０３ｂ２など）や、乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置３００や活性エネルギー線照射装置３１０など）をグローブボックス３２０で被覆し、発光層形成用塗布液の塗布やそれにより形成された発光層の加熱、当該発光層への活性エネルギー線の照射を窒素雰囲気下でおこなってもよい。
乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置３００や活性エネルギー線照射装置３１０など）を真空チャンバーで被覆し、発光層の加熱や発光層への活性エネルギー線の照射を真空雰囲気下（１００Ｐａ以下の圧力下）でおこなってもよい。
【００４８】
パターン形成部では、形成された発光層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置（例えば、インクジェットヘッド）を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。この後、除去部で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された発光層を除去し、パターン化した発光層を形成する。
【００４９】
他方、電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では、発光層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に前計量型塗布方式の塗布装置により形成された発光層の上全面に電子輸送層形成用塗布液がバックアップロールに配設した振動手段により振動を付与しながら非接触で塗布される。前計量型塗布方式の塗布装置としては正孔輸送層形成用塗布液を塗布するのに使用した塗布装置と同じ塗布装置の使用が可能である。
【００５０】
電子輸送層形成工程２０５でも、発光層形成工程２０４と同様に、乾燥部２０３ｃの構成が相違しており、図５に示すとおり、可撓性基板３の搬送方向の塗布部２０３ｂより下流側に加熱処理装置４００が設けられており、加熱処理装置４００の内部に活性エネルギー線照射装置４１０が設けられている。加熱処理装置４００および活性エネルギー線照射装置４１０の各構成やそれによる電子輸送層への各作用などは、発光層形成工程２０４で説明したのと同様となっている。
電子輸送層形成工程２０５でも、発光層形成工程２０４と同様に、塗布部２０３ｂや乾燥部２０３ｃの各構成部材をグローブボックス４２０で被覆し、電子輸送層形成用塗布液の塗布やそれにより形成された電子輸送層の加熱、当該電子輸送層への活性エネルギー線の照射を窒素雰囲気下でおこなってもよい。もちろん、乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置４００や活性エネルギー線照射装置４１０など）を真空チャンバーで被覆し、電子輸送層の加熱や電子輸送層への活性エネルギー線の照射を真空雰囲気下でおこなってもよい。
なお、発光層形成工程２０４と電子輸送層形成工程２０５とでは、いずれか一方の工程において、活性エネルギー線照射装置が設けられ活性エネルギー線が照射されるようにしてもよい。
【００５１】
パターン形成部では、形成された電子輸送層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置（例えば、インクジェットヘッド）を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。この後、除去部で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された電子輸送層を除去し、パターン化した電子輸送層層を形成する。
【００５２】
なお、電子輸送層を蒸着方式で形成する場合、電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では、発光層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置で決められた位置に取り出し電極を除き、既に形成されているパターン化した発光層の上に電子輸送層をマスクパターン成膜する。電子輸送層の厚さは、５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
【００５３】
図６は図２に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程以降の模式図である。
尚、図６では回収工程に断裁装置を用い、又、電子輸送層までが形成された帯状の可撓性基板を使用する場合を示す。
【００５４】
陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６は、ロール状に巻き取られたパターン化した電子輸送層までが形成された帯状の可撓性基板３の繰り出し部２０６ａを有し、蒸発源容器２０６ｃを有する蒸着装置２０６ｂと、アキュームレータ２０６ｄとを用いている。
アキュームレータ２０６ｄは、下側の複数の搬送ローラー２０６ｄ１と上側の複数の搬送ローラー２０６ｄ２とを有し、繰り出し部２０６ａと蒸着装置２０６ｂとの間に配設されており、繰り出し部２０６ａと蒸着装置２０６ｂとの速度調整のために配設されている。
【００５５】
陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６では繰り出し部２０６ａから搬送ローラー２０６ａ１を介して連続的に供給されてくる電子輸送層（不図示、図１の電子輸送層１０５に相当する）までが形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置２０６ｂで決められた位置に取り出し電極を除き、既に形成されているパターン化した電子輸送層の上に陰極バッファ層（電子注入層）（不図示、図１の電子注入層１０７に相当する）をマスクパターン成膜する。陰極バッファ層（電子注入層）の厚さは、０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００５６】
第２電極形成工程２０７は、蒸発源容器２０７ｂを有する蒸着装置２０７ａとアキュームレータ２０７ｃとを用いている。アキュームレータ２０７ｃは、下側の複数の搬送ローラー２０７ｃ１と上側の複数の搬送ローラー２０７ｃ２とを有し、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と第２電極形成工程２０７との間に配設されており、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６との速度調整のために配設されている。
【００５７】
第２電極形成工程２０７では陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６から連続的に供給されてくる陰極バッファ層（電子注入層）までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置２０７ａで決められた位置に、第２電極（陰極）用取り出し電極（不図示、図１の第２電極用取り出し電極１０７ａに相当する）と接続する様に、及び第１電極電と交差する様に第２電極（陰極）（不図示、図１の第２電極（陰極）１０７に相当する）を、既に形成されている陰極バッファ層（電子注入層）（不図示、図１の陰極バッファ層（電子注入層）１０６に相当する）の上にマスクパターン成膜する。
【００５８】
第２電極（陰極）としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この段階で、可撓性基板／第１電極（陽極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）の構成を有する有機ＥＬ素子が出来上がる。
【００５９】
図６では、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と第２電極（陰極）形成工程２０７が蒸着装置の場合を示したが、陰極バッファ層（電子注入層）及び第２電極（陰極）の形成方法については、特に限定はなく、例えばドライ方式のスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などを用いることが出来る。又、陰極バッファ層（電子注入層）は湿式塗布方式を用いることも可能である。
【００６０】
封止工程２０８は封止部材供給工程２０８ｂを有し、封止剤塗設装置２０８ａと、貼合装置２０８ｃと、アキュームレータ２０８ｅとを用いている。
封止部材供給工程２０８ｂからは封止部材２０８ｂ１が送られてくる。
アキュームレータ２０８ｅは、下側の複数の搬送ローラー２０８ｅ１と上側の複数の搬送ローラー２０８ｅ２とを有し、第２電極（陰極）形成工程２０７との速度調整のために配設されている。
【００６１】
尚、封止部材２０８ｂ１にも第２電極までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）と同じ位置にアライメントマーク（不図示）が付けられている。
【００６２】
封止工程２０８では第２電極までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って封止剤塗設装置２０８ａにより、有機ＥＬ素子の上部と周囲に取り出し電極（不図示、図１の取り出し電極１０２ａ及び取り出し電極１０７ａに相当する）を除いて塗設される。
【００６３】
この後、貼合装置２０８ｃにより、封止剤が塗設され形成された複数の有機ＥＬ素子を有する帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）と封止部材２０８ｂ１のアライメントマーク（不図示）とを合わせ有機ＥＬ素子を密着封止する。この段階で有機ＥＬパネルが作製される。
この段階で作製された有機ＥＬパネルは複数個が連続的に繋がっているため回収工程２０９で個別の有機ＥＬパネルに断裁される。
【００６４】
回収工程２０９は断裁装置２０９ａとアキュームレータ２０９ｂと回収箱２０９ｃとを用いている。
アキュームレータ２０９ｂは、下側の複数の搬送ローラー２０９ｂ１と上側の複数の搬送ローラー２０９ｂ２とを有し、封止工程２０８との速度調整のために配設されている。
断裁装置２０９ａでは複数の有機ＥＬパネルが形成されている帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）又は封止部材２０８ｂ１のアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って打ち抜き断裁が行われ個別の有機ＥＬパネル６として回収箱２０９ｃに回収される。２０９ｄは有機ＥＬパネルが打ち抜かれたロール状に巻かれたスケルトンを示す。断裁された有機ＥＬパネル６は図１で示した有機ＥＬパネルと同じ構成を有している。
【００６５】
以下、本発明の塗布方法を使用した一例として挙げた有機ＥＬパネルを構成している材料に付き説明する。
【００６６】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００６７】
発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲に調整される。
【００６８】
以下に発光層に含まれる発光ドーパント（発光ドーパント化合物ともいう）、ホスト化合物について説明する。
【００６９】
（１）ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
【００７０】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００７１】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でも良い。
【００７２】
併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００７３】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【００７４】
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【００７５】
（２）発光ドーパント
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点から、本発明の有機ＥＬ素子の発光層としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有する。
【００７６】
（２．１）リン光ドーパント
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００７７】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００７８】
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００７９】
リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【００８０】
本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００８１】
以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。
【００８２】
【化１】
【００８３】
【化２】
【００８４】
【化３】
【００８５】
【化４】
【００８６】
【化５】
【００８７】
【化６】
【００８８】
【化７】
【００８９】
【化８】
【００９０】
【化９】
【００９１】
【化１０】
【００９２】
【化１１】
【００９３】
【化１２】
【００９４】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
【００９５】
《注入層：正孔注入層（正孔バッファ層），電子注入層（陰極バッファ層）》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【００９６】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【００９７】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００９８】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００９９】
また、特開平６−０２５６５８号に記載されているフェロセン化合物、特開平１０−２３３２８７号等に記載されているスターバースト型の化合物、特開２０００−０６８０５８号、特開２００４−６３２１号に記載されているトリアリールアミン型の化合物、特開２００２−１１７９７９号に記載されている含硫黄環含有化合物、ＵＳ２００２／０１５８２４２、ＵＳ２００６／０２５１９２２号、特開２００６−４９３９３号等に記載されているヘキサアザトリフェニレン化合物等も正孔注入層として挙げられる。
【０１００】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１０１】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０１０２】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
【０１０３】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０１０４】
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
【０１０５】
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
【０１０６】
イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
【０１０７】
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
【０１０８】
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
【０１０９】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１１０】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１１１】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１１２】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１１３】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１１４】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１１５】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【０１１６】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ダイコート法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１１７】
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１１８】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１１９】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１２０】
また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１２１】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ダイコート法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１２２】
また、本発明においては、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１２３】
本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１２４】
《陽極（第１電極）》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
【０１２５】
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。
【０１２６】
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１２７】
《陰極（第２電極）》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
【０１２８】
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１２９】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１３０】
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０１３１】
《基板（可撓性基板など）》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１３２】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（ＪＳＲ製）あるいはアペル（三井化学製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【０１３３】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ２／日・ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には酸素透過度１０−３ｇ／ｍ２／日以下、水蒸気透過度１０−５ｇ／ｍ２／日以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１３４】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０１３５】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１３６】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０１３７】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１３８】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１３９】
《封止部材や接着剤層》
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【０１４０】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
【０１４１】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
【０１４２】
更には、ポリマーフィルムはＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／ｍ２／２４ｈ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２／２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１４３】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１４４】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０１４５】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４６】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
【０１４７】
更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１４８】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０１４９】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１５０】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子の構成材料（有機機能層を構成する塗布液（発光層用塗布液や電子輸送層用塗布液など））を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
【０１５１】
また有機ＥＬ素子の製造方法において、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１５２】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１５３】
《サンプル（有機ＥＬ素子）の作製》
基本的には、図２〜図６を参照しながら説明した製造方法の工程にしたがい、下記のとおりにサンプル（有機ＥＬ素子）を作製した。
（１）比較例１の作製
（陽極（第１電極）の形成）
厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ５００ｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＮと略記する）に、ガスバリア膜を形成したもの（特開２００７−８３６４４号の実施例１に記載の方法で形成した）を準備した。尚、帯状の可撓性基板には、予め第１電極を形成する位置を示すためにアライメントマークを設け、５×１０−１Ｐａの真空環境条件で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、引き出し部を帯状の可撓性基板の巾手方向の両端側に有する１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの第１電極を一定間隔に１２列を連続的に形成し巻き取った。
【０１５４】
（第１正孔輸送層形成）
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ４０８３）を純水で６５％、メタノール５％で希釈した溶液を第１正孔輸送層形成用塗布液として、ＰＥＮの上全面（但し、両端の１０ｍｍは除く）に、エクストルージョン塗布機を使用し乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように塗布した。塗布後、乾燥・加熱処理を行い、第１正孔輸送層を形成した。
第１正孔輸送層形成用塗布液の塗布条件は、温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ２ガス環境の大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。
【０１５５】
（第１正孔輸送層のパターン化：除去工程）
第１正孔輸送層が形成された可撓性基板に、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射して第１電極を熱パターンとしてその位置を検出して、これを位置決めマークとして用い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極の周囲の不要の部分に、正孔輸送層に対してこれを膨潤させる良溶媒であるメチルエチルケトンを供給して、所定の拭き取り装置により、装置内温度１０℃で１．９６×１０５Ｐａ程度の押圧でワイピングヘッド（押圧ロールをテープ状部材に押圧したヘッド）を可撓性基板との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って、有機エレクトロニクス構造体の間を連続的に拭き取り除去した。尚、温度は５℃、メチルエチルケトンの蒸気圧は５℃において４１７３Ｐａである。また、マイクロ波照射機は四国計測工業（株）製μ−ｒｅａｃｔｏｒを用いた。
【０１５６】
第１正孔輸送層を除去後、可撓性基板を乾燥し一旦巻き取った。尚、尚溶剤の供給量は１０ｍｌ／ｍｉｎ、温度１０℃で行った。
【０１５７】
次いで、以下の通り、第２正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次、エクストルージョン塗布機を使用し塗布、乾燥、巻き取りを繰り返すことで形成した。搬送速度は、３ｍ／分とした。
【０１５８】
（第２正孔輸送層）
窒素雰囲気下で、可撓性基板上に、下記のとおりに調製した正孔輸送層用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、窒素雰囲気下で、正孔輸送層用塗布液による塗布層を加熱乾燥させ、膜厚約２０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
（正孔輸送層用塗布液）
モノクロロベンゼン １００ｇ
ポリ−（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）ベンジジン）（ＡＤＳ２５４ＢＥ：アメリカン・ダイ・ソース社製） ０．５ｇ
【０１５９】
（発光層）
第２正孔輸送層上に、下記のとおりに調製した発光層形成用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、発光層形成用塗布液による塗布層を、１２０℃で３０分間加熱し乾燥させ、膜厚約５０ｎｍの発光層とした。
（発光層形成用塗布液）
酢酸ブチル １００ｇ
Ｈ−Ａ １ｇ
Ｄ−２８ ０．１１ｇ
Ｉｒ−１ ０．００２ｇ
Ｉｒ−１４ ０．００２ｇ
【０１６０】
（電子輸送層）
発光層上に、下記のとおりに調製した電子輸送層形成用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、電子輸送層用塗布液による塗布層を、１２０℃で４５分間加熱し乾燥させ、膜厚約１５ｎｍの電子輸送層とした。
（電子輸送層形成用塗布液）
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール １００ｇ
ＥＴ−Ａ ０．７５ｇ
【０１６１】
【化１３】
【０１６２】
塗布条件は、いずれも温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ２ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。
【０１６３】
（有機機能層（第２正孔輸送層，発光層，電子輸送層）のパターン化：除去工程）
巻き取った前記、第１正孔輸送層が形成された可撓性基板（ＰＥＮ）を供給して、ＰＥＴ上に形成された第１電極パターンを位置決めマークとして、マイクロ波センサを用いて、位置決めを行い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極（第１正孔輸送層）の周囲の不要の部分を、前記拭き取り装置により、第２正孔輸送層、発光層に対し親和性が高い溶剤であるｏ−キシレン、電子輸送層に対して良溶媒である１−ブタノールをそれぞれ２：１の混合比で混合した溶剤を供給して、温度１５℃、前記同様、押圧ロール（テープ状部材）の可撓性基板との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って連続的に拭き取り除去した。尚、ワイピングヘッドの押圧は１．９６×１０５Ｐａとした。拭き取り温度は、拭き取り装置内を１５℃まで冷却して溶剤のトータルの供給量は２０ｍｌ／ｍｉｎで行った。
【０１６４】
因みに、１−ブタノールの１５℃における蒸気圧は３６８Ｐａ、また、ｏ−キシレンの１５℃における蒸気圧は４７５Ｐａである。
【０１６５】
これにより膨潤また溶解された３つの有機機能層を一度に擦って除去パターニングを行った。パターニング後、乾燥装置で乾燥し、一旦巻き取り１時間保管した。
【０１６６】
次いで、以下に示す条件で前記有機機能層の上に順次陰極バッファ層（電子注入層）、陰極（第２電極）、封止層を形成し、断裁しさらに熱処理を行い、有機ＥＬパネルを作製し「比較例１」のサンプルとした。
【０１６７】
（陰極バッファ層（電子注入層）の形成）
パターン化された有機機能層が形成されたロール状のＰＥＮに付けられた陽極の位置に従って電子輸送層の上および第１電極の引き出し部を除いた部分に蒸着装置で５×１０−４Ｐａの真空環境条件にてＬｉＦを用い、マスクパターン蒸着成膜して、厚さ０．５ｎｍの陰極バッファ層（電子注入層）を積層した。
【０１６８】
（陰極（第２電極）の形成）
引き続き、同様に陰極バッファ層（電子注入層）上に第１電極の大きさに合わせ、第１電極の引き出し部と反対側に第２電極の引き出し部が配置されるように、５×１０−４Ｐａの真空下にてアルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層からなる第２電極を積層し有機エレクトロニクス構造体（有機ＥＬ構造体）を形成した。
【０１６９】
（封止部材の貼合）
次いで、有機エレクトロニクス構造体を有する帯状の可撓性基板に付けられたアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って第１電極および第２電極の引き出し部の一部を除いて、接着剤層を有する帯状の封止部材を貼合した。
帯状の封止部材として、ＰＥＴ５０μｍにアルミ箔３０μｍバリア層をラミネートしたフィルムを用いた。接着剤層の接着剤には、メルティングポイント１２０℃の熱硬化型接着剤を用い、層厚は３０μｍとした。
【０１７０】
（断裁）
次いで、作製した複数の有機ＥＬ素子が連続的に繋がった状態のものを個別の有機ＥＬパネルの大きさに、アライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って断裁した。まず長手方向に各列毎に断裁し、長手方向に一列で有機エレクトロニクス素子が配置された試料を得、これをさらに巾手方向に断裁して、個々の有機ＥＬ素子（比較例１のサンプル）を作製した。
【０１７１】
（２）比較例２〜３，実施例１〜９の作製
比較例１の作製において、発光層および電子輸送層を形成する場合の乾燥環境条件（圧力）や加熱処理条件、活性エネルギー線の照射（照射波長１７２ｎｍ，照射強度２０００ｍＪ／ｃｍ２）の有無を、表１のとおりに変更して比較例２〜３，実施例１〜９のサンプル（有機ＥＬ素子）を作製した。
なお、実施例１〜９の作製中、活性エネルギー線の照射は加熱処理と同時におこなった。
【０１７２】
【表１】
【０１７３】
《有機ＥＬ素子の評価》
（１）輝度−電圧特性
作製した有機ＥＬ素子に対し、印加する電圧を変化させながら輝度を測定し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２の発光が得られるときの電圧値を内挿により求めた。測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。比較例１のサンプルの測定値を１００として、各サンプルから得られた結果（相対値）を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。電圧の相対値は小さい値の方が駆動電圧が低く、好ましい結果であることを示す。
「○」…相対値が９１〜１１０である
「△」…相対値が１１１〜１２０である
「×」…相対値が１２１以上である
【０１７４】
（２）発光寿命
作製した有機ＥＬ素子に対し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２となるような電流を与えて連続駆動させ、正面輝度が初期の半減値（５００ｃｄ／ｍ２）になるまでに掛かる時間を求めた。比較例１のサンプルの測定値を１００として、各サンプルから得られた結果（相対値）を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。発光寿命の相対値は大きい値の方が発光寿命が長く、好ましい結果であることを表す。
「○」…相対値が９１〜１１０である
「△」…相対値が８１〜９０である
「×」…相対値が８０以下である
【０１７５】
（３）生産性
作製した有機ＥＬ素子に対し、発光層および電子輸送層の形成工程で費やした乾燥時間（活性エネルギー線の照射時間を含む加熱処理時間）を求め、その結果を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。
「○」…乾燥時間が０〜３０ｍｉｎである
「△」…乾燥時間が３１〜６０ｍｉｎである
「×」…乾燥時間が６１ｍｉｎ以上である
【０１７６】
【表２】
【０１７７】
（４）まとめ
表２に示すとおり、比較例１〜３と実施例１〜９との各サンプルを比較すると、実施例１〜９のサンプルは、基準となる比較例１のサンプルと同等の駆動電圧・発光寿命を示し、さらに塗布液中の溶媒を乾燥させ除去するのに要する時間（生産性）が優れていた。
以上から、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善する上では、発光層および電子輸送層の形成工程の少なくとも一方において、活性エネルギー線を照射することが有用であることがわかる。
【符号の説明】
【０１７８】
１ 有機ＥＬパネル
１０１ 可撓性基板
１０２ 陽極（第１電極）
１０３ 正孔輸送層
１０４ 発光層
１０５ 電子輸送層
１０６ 陰極バッファ層（電子注入層）
１０７ 陰極（第２電極）
１０８ 接着剤層
１０９ 封止部材
２ 製造工程
２０２ 第１電極形成工程
２０３ 正孔輸送層形成工程
２０３ａ 繰り出し部
２０３ｂ 塗布部
２０３ｂ１ 塗布装置
２０３ｂ２ バックアップロール
２０３ｃ 乾燥部
２０３ｄ パターン形成部
２０３ｅ 巻き取り部
２０４ 発光層形成工程
２０５ 電子輸送層形成工程
２０６ 陰極バッファ層（電子注入層）形成工程
２０７ 第２電極形成工程
２０８ 封止工程
３００，４００ 加熱処理装置
３１０，４１０ 活性エネルギー線照射装置（照射源）
３２０，４２０ グローブボックス
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。詳しくは、ウェットプロセスによる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、低電圧駆動が可能で寿命の改善された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤと略記する）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子ともいう）や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。無機ＥＬ素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
【０００３】
一方、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００４】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来実用に供されてきた主要な光源、例えば、発光ダイオードや冷陰極管と異なり、面光源であることも大きな特徴となっている。この特性を有効に活用できる用途として、照明用光源や様々なディスプレイのバックライトがある。特に近年、需要の増加が著しい液晶フルカラーディスプレイのバックライトとして用いることも好適である。
【０００５】
有機エレクトロルミネッセンス素子をこのような照明用光源、あるいはディスプレイのバックライトとして実用する為の課題として発光効率の向上が挙げられる。発光効率の向上の為には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機機能層の一部においてそれぞれ別個の機能を有する材料を複数混合して構成する所謂ホスト／ゲスト構造を組み入れることが一般的となりつつある。例えば、発光層におけるホスト材料／発光ドーパントの組み合わせ、電子輸送層における電子輸送材料／アルカリ金属材料の組み合わせ等が挙げられる。
【０００６】
一方、これら有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法）等があるが、真空プロセスを必要とせず、連続生産が簡便であるという理由で近年はウェットプロセスにおける製造方法が注目されている。
【０００７】
しかしながら、ウェットプロセスにおける製造の場合、塗膜中に溶媒が残留しやすく、残留した溶媒の影響で素子性能、特に発光寿命を劣化させる場合がある。塗膜中に残留する溶媒を除去する為には、塗膜を加熱乾燥することが常套である。しかし、加熱乾燥時の温度は、使用する材料の劣化や塗膜の構造変化に伴う性能劣化を起こさない範囲に限定される。とりわけ、材料のガラス転移点を越える温度で加熱乾燥すると塗膜の構造変化や積層界面における混合を生じやすく、性能劣化を起こしやすい。したがって、性能劣化を引き起こすような高温で短時間の加熱乾燥をすることができず、加熱乾燥に時間がかかり、生産性が上がらないという問題もある。
【０００８】
これに対し、特許文献１の技術によれば、発光層を構成する材料をバブリング法で脱酸素し、その構成材料の酸素濃度および水分濃度を制御し、発光寿命の低下を防止している（段落００２９〜００４３など参照）。
特許文献２の技術によれば、発光層を構成する材料（液状体）を塗布した後に、この液状体を２段階で減圧して乾燥させ、発光層の厚みや形状のばらつきを抑えようとしている（段落００７０〜００７６や図７など参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−１４６８６５号公報
【特許文献２】特開２０１０−８０１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の技術による条件では、発光層の構成材料中から溶媒を十分に除去するとは考え難い。さらには特許文献１の技術では、段落００４７の記載などから、処理温度１００℃、処理時間６０ｍｉｎの条件で脱溶媒しており生産性に優れているともいえない。
特許文献２の技術でも、真空乾燥装置を用いているため、圧力の変動だけでは、発光層の構成材料中から溶媒を十分に除去することができないと考えられる。
したがって、本発明の主な目的は、安易な加熱乾燥によっても有機機能層の溶媒を除去可能とし、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善することができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、
塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、活性エネルギー線の照射により、有機機能層の溶媒の除去を促進することができ、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】照明用に使用する有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬパネルを、帯状の可撓性基板を使用して製造する製造工程の一例を示す模式図である。
【図３】図２に示す供給工程と、第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程までの模式図である。
【図４】図２に示す正孔輸送層形成工程の模式図である。
【図５】図２に示す発光層形成工程および電子輸送層形成工程の一部の模式図である。
【図６】図２に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程以降の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態を図１〜図６を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。尚、本発明の塗布方法を有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも云う）を製造する時の有機化合物層の塗布に適用した場合に付き説明する。
【００１６】
有機ＥＬパネルは透明基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる陽極が設けられ、その上に発光層や電子輸送層などを含む有機機能層、及び陽極と交差して成膜されたアルミニウム等からなる陰極がこの順に設けられることにより構成されたものである。例えば発光層は蛍光性有機化合物の非常に薄い層となっている。通常、有機物は絶縁体であるが有機層の膜厚を非常に薄くすることにより電流注入が可能となり有機ＥＬ素子として１０Ｖ以下の低電圧で駆動することが可能となる。有機ＥＬパネルは蛍光性有機化合物の非常に薄い薄膜を陽極と陰極ではさみ電流を流すことで発光する電流駆動型発光素子であり、近年、フラットディスプレイなどの表示装置や、電子写真複写機、プリンターなどの光源への使用が検討されている。
【００１７】
図１は照明用に使用する有機ＥＬパネルの一例を示す概略図である。図１（ａ）は有機ＥＬパネルの一例を示す概略斜視図を示す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００１８】
図１に示すとおり、有機ＥＬパネル１は、可撓性基板１０１上に順次、陽極（第１電極）１０２と、正孔輸送層１０３と、発光層１０４と、電子輸送層１０５と、陰極バッファ層（電子注入層）１０６と、陰極（第２電極）１０７と、接着剤層１０８と、封止部材１０９とを有している。陽極１０２と陰極１０７との間に形成された正孔輸送層１０３、発光層１０４、電子輸送層１０５および陰極バッファ層１０６により有機機能層が構成されている。有機機能層は少なくとも発光層１０４を含むものであれば構成可能となっている。接着剤層１０８と、封止部材１０９とにより封止層を形成している。
有機ＥＬパネル１は、陽極（第１電極）１０２の取り出し電極１０２ａと、陰極（第２電極）１０７用の取り出し電極１０７ａの端部を除いて接着剤層１０８により封止された密着封止構造となっている。陽極（第１電極）１０２と可撓性基板１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。本発明では第２電極１０７の上を接着剤層１０８を介して封止部材１０９で封止された状態を有機ＥＬパネルと云い、第２電極までが形成された状態を有機ＥＬ素子と云う。
【００１９】
本図に示す有機ＥＬパネルの層構成は一例を示したものであるが、陽極（第１電極）と陰極（第２電極）との間の他の代表的な層構成としては次の（ｉ）〜（ｖ）の構成が挙げられる。有機ＥＬパネルを構成している各層については後に説明する。
【００２０】
（ｉ）陽極（第１電極）／発光層／陰極（第２電極）
（ｉｉ）陽極（第１電極）／発光層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（ｉｉｉ）陽極（第１電極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極（第２電極）
（ｉｖ）陽極（第１電極）／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
（ｖ）陽極（第１電極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／陰極（第２電極）
【００２１】
図２は図１に示す有機ＥＬパネルを、帯状の可撓性基板を使用して製造する製造工程の一例を示す模式図である。
【００２２】
図２に示すとおり、有機ＥＬパネルの製造工程２は、帯状の可撓性基板の供給工程２０１と、第１電極形成工程２０２と、正孔輸送層形成工程２０３と、発光層形成工程２０４と、電子輸送層形成工程２０５と、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と、第２電極形成工程２０７と、封止工程２０８と、回収工程２０９とを有している。
尚、回収工程２０９としては複数の有機ＥＬパネルを有した帯状の可撓性基板から、個別の有機ＥＬパネルを得る断裁装置を用いても構わないし、複数の有機ＥＬパネルを有した帯状の可撓性基板をロール状に巻き取る巻き取り装置を用いてもよい。巻き取り装置を用いた場合、一旦、ロール状に巻き取り回収した後、別の工程で帯状の可撓性基板上に作製されている複数の有機ＥＬパネルを個の有機ＥＬパネルとして断裁しても構わない。
【００２３】
図２に示す様にロール状に巻いた帯状の可撓性基板を使用し、第１電極形成工程２０２〜封止工程２０８を順次経て、有機ＥＬパネルを作製する方式を「ロールツーロール方式」と云う。ロールツーロール方式とは、端的には、帯状の可撓性基板を搬送しながらその可撓性基板上に陽極や有機機能層、陰極などを順次連続的に形成する製造方式である。
【００２４】
尚、図２は供給工程２０１〜回収工程２０９を連続した場合を示しているが、工程全体が長くなり、設置が困難となる場合は適宜工程を分断し、帯状の可撓性基板をロール状に巻き取り保管し、再度次の工程に帯状の可撓性基板をロール状で供給する様にしても構わない。各工程については図３〜図６で説明する。
【００２５】
図３は図２に示す供給工程と、第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程までの模式図である。
【００２６】
供給工程２０１では、ロール状で帯状の可撓性基板３０１を繰り出す繰り出し装置（不図示）用いており、連続的に、次工程の第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程２０２に帯状の可撓性基板３を、搬送ローラー２０１ｂを介して繰り出す様になっている。帯状の可撓性基板３には予め第１電極及び第２電極用取り出し電極を形成する位置を決めるためのアライメントマーク（不図示）を付けておくことが好ましい。
【００２７】
第１電極及び第２電極用取り出し電極形成工程２０２では、第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａと、第１アキュームレータ２０２ｂと、第２アキュームレータ２０２ｃと、巻き取り装置２０２ｄとを使用している。第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａは蒸発源容器２０２ａ２を有する蒸着装置２０２ａ１を有している。
【００２８】
第１アキュームレータ２０２ｂは下側の複数の搬送ローラー２０２ｂ１と上側の複数の搬送ローラー２０２ｂ２とを有し、供給工程２０１との速度調整のために配設されている。第２アキュームレータ２０２ｃは下側の複数の搬送ローラー２０２ｃ１と上側の複数の搬送ローラー２０２ｃ２とを有し、巻き取り装置２０２ｄによる速度調整のために配設されている。
【００２９】
第１電極形成工程２０２では、供給工程２０１から連続的に供給されてくる帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って第１電極形成装置（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２ａで決められた位置に取り出し電極を有する第１電極（不図示、図１の第１電極１０２に相当する）及び第２電極用取り出し電極（不図示、図１の第２電極用の取り出し電極１０７ａに相当する）をマスクパターン成膜する。
尚、形成する第１電極及び第２電極用取り出し電極の数は、帯状の可撓性基板の幅、作製する有機ＥＬパネルの大きさ等から適宜決めることが可能である。第１電極及び第２電極用取り出し電極の厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。
第１電極及び第２電極用取り出し電極が形成された後は巻き取り装置２０２ｄにより搬送ローラー２０２ｄ１を介して第１電極及び第２電極用取り出し電極までが積層された帯状の可撓性基板を一旦巻き取り一次保管することが好ましい。一次保管した後、正孔輸送層形成工程２０３（図２、図４参照）に送られる。
尚、巻き取り、保管しない場合は連続して正孔輸送層形成工程２０３（図２、図４参照）に送られる。
【００３０】
供給工程２０１と第１電極正形成工程（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）２０２とは真空環境下で行うことが好ましい。
尚、図３では第１電極形成工程（第２電極用取り出し電極形成装置も兼ねる）を蒸着法で形成する場合を示してあるが、形成方法については、特に限定はなく、例えばスパッタリング法などを用いることが出来る。
【００３１】
図４は図２に示す正孔輸送層形成工程の模式図である。
【００３２】
正孔輸送層形成工程２０３は、繰り出し部２０３ａと、塗布部２０３ｂと、乾燥部２０３ｃと、パターン形成部２０３ｄと、巻き取り部２０３ｅとを有している。正孔輸送層形成工程２０３では、第１電極までが形成された帯状の可撓性基板３の第１電極及び第２電極用取り出し電極の上を含め全面に正孔輸送層形成用塗布液が塗布され、乾燥部２０３ｃ、パターン形成工程２０３ｄを経てパターン化した正孔輸送層（不図示、図１の正孔輸送層１０３に相当する）を形成した後、一旦巻き取り、保管することが可能となっている。又、引き続き発光層形成工程２０４（図２参照）に搬送しても構わない。図４の正孔輸送層形成工程２０３は大気圧環境下に配設されている。
【００３３】
繰り出し部２０３ａでは、第１電極及び第２電極用取り出し電極までが既に形成され、巻き芯に巻き取られたロール状に巻かれた帯状の可撓性基板３が搬送ローラー２０３ａ１を介して供給される様になっている。繰り出し部２０３ａと塗布部２０３ｂとの間には必要に応じてアキュームレータ２０３ａ２と帯電防止手段２０３ａ３とを配設することが可能である。
アキュームレータ２０３ａ２は下側の複数の搬送ローラー２０３ａ２１と上側の複数の搬送ローラー２０３ａ２２とを有し、塗布部２０３ｂでの速度調整のために配設されている。
帯電防止手段２０３ａ３は、非接触式帯電防止装置２０３ａ３１と接触式帯電防止装置２０３ａ３２とを有している。
【００３４】
非接触式帯電防止装置２０３ａ３１としては例えば、非接触式のイオナイザーが挙げられる。イオナイザーの種類については特に制限はなく、イオン発生方式はＡＣ方式、ＤＣ方式どちらでも構わない。ＡＣタイプ、ダブルＤＣタイプ、パルスＡＣタイプ、軟Ｘ線タイプが用いることが出来るが、特に精密除電の観点から、ＡＣタイプが好ましい。ＡＣタイプの使用の際に必要となる噴射気体については、空気かＮ２が用いられるが、十分に純度が高められたＮ２で行うことが好ましい。又、インラインで行う観点より、ブロワータイプもしくはガンタイプより選ばれる。
接触式帯電防止装置２０３ａ３２としては、除電ロール又はアース接続した導電性ブラシを用いて行われる。除電器としての除電ロールは、接地されており、除電された表面に回転自在に接触して表面電荷を除去する。この様な除電ロールとしては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属製ロールの他に、カーボンブラック、金属粉、金属繊維等の導電性材料を混合した弾性のあるプラスチックやゴム製のロールが使用される。特に、帯状の可撓性基板３ａとの接触をよくするため、弾性のあるものが好ましい。アース接続した導電性ブラシとは、一般には、線状に配列した導電性繊維からなるブラシ部材や線状金属製のブラシを有する除電バー又は除電糸構造のものを挙げることが出来る。除電バーについては、特に限定はないが、コロナ放電式のものが好ましく用いられ、例えば、キーエンス社製のＳＪ−Ｂが用いられる。除電糸についても、特に限定はないが、通常フレキシブルな糸状のものが好ましく用いられ、例えば、ナスロン社製の１２／３００×３をその一例として挙げることが出来る。
【００３５】
非接触式帯電防止装置２０３ａ３１は帯状の可撓性基板３の上に形成されている正孔輸送層面側に使用し、接触式帯電防止装置２０３ａ３２は帯状の可撓性基板３の裏面側に使用することが好ましい。
【００３６】
塗布部２０３ｂは、前計量方式の塗布装置２０３ｂ１と第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極が形成された帯状の可撓性基板３を保持する保持部材であるバックアップロール２０３ｂ２とを用いている。バックアップロール２０３ｂ２は振動手段（不図示）を有している。
前計量方式の塗布装置２０３ｂ１による正孔輸送層形成用塗布液は、バックアップロール２０３ｂ２を振動手段（不図示）により振動させながら、第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極の上を含め、第１電極（陽極）及び第２電極用取り出し電極が形成された帯状の可撓性基板３の上、全面に非接触で塗布される。
正孔輸送層の厚さは、５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。
【００３７】
図４は前計量方式の塗布装置２０３ｂ１としてはエクストルージョン型コータを使用した場合を示しているが、この他に例えば、スライド型コータ、インクジェットヘッド等の塗布装置の使用が可能である。これらの前計量方式の塗布装置の使用は正孔輸送層の材料に応じて適宜選択することが可能となっている。
【００３８】
乾燥部２０３ｃは乾燥装置２０３ｃ１と加熱処理装置２０３ｃ２とを有している。
乾燥装置２０３ｃ１は、塗布後の塗布層（正孔輸送層形成用塗布液による層）に対し、少なくとも塗布前から乾燥を開始出来る様に配設され、乾燥は塗布の開始と同時に行う様になっている。
加熱処理装置２０３ｃ２は乾燥装置２０３ｃ１の後に連続して配設されており、乾燥装置２０３ｃ１で溶媒を蒸発することで形成された正孔輸送層を帯状の可撓性基板３の裏面側から裏面伝熱方式で加熱する様になっている。加熱処理装置２０３ｃ２における正孔輸送層の加熱処理条件として、正孔輸送層の平滑性向上、残留溶媒の除去、正孔輸送層の硬化等を考慮し、正孔輸送層のガラス転移温度に対して−３０〜＋３０℃、且つ、正孔輸送層を構成している有機化合物の分解温度を超えない温度で裏面伝熱方式の熱処理を行うことが好ましい。
【００３９】
パターン形成部２０３ｄは、溶媒塗布部２０３ｄ１と除去部２０３ｄ２とを有している。
溶媒塗布部２０３ｄ１では、正孔輸送層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置２０３ｄ１２を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。
この後、除去部２０３ｄ２で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された正孔輸送層を除去し、パターン化した正孔輸送層を形成する。
塗布装置２０３ｄ１２としては、インクジェットヘッドが微細な塗布が出来るから好ましい。除去部２０３ｄ２での溶媒及び溶媒で溶解された正孔輸送層の除去は、吸引方式、スポンジ等の拭き取り部材による方法が挙げられる。２０３ｄ１３は乾燥部２０３ｃから搬送されてくる正孔輸送層が形成された可撓性基板３の載置台を示す。
【００４０】
巻き取り部２０３ｅは、パターン形成部２０３ｄと巻き取り装置２０３ｅ１との間には必要に応じて帯電防止手段２０３ｅ２とアキュームレータ２０３ｅ３とを有しており、パターン形成部２０３ｄでの処理が終了し、パターン化した正孔輸送層までが形成されている帯状の可撓性基板３が搬送ロール２０３ｅ４を介して巻き取る様になっている。
帯電防止手段２０３ｅ２は非接触式帯電防止装置２０３ｅ２１と接触式帯電防止装置２０３ｅ２２とを有しており、非接触式帯電防止装置２０３ａ３１および接触式帯電防止装置２０３ａ３２と同じものを使用することが好ましい。
アキュームレータ２０３ｅ３は下側の複数の搬送ローラー２０３ｅ３１と上側の複数の搬送ローラー２０３ｅ３２とを有し、巻き取り部２０３ｅでの速度調整のために配設されている。
【００４１】
発光層形成工程２０４および電子輸送層形成工程２０５（図２参照）は、図４に示す正孔輸送層形成工程２０３と基本的に同じ構成となっているので詳細の説明は省略し、発光層形成及び電子輸送層形成の概要と、正孔輸送層形成工程２０３との相違点とについて説明する。
電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では電子輸送層を蒸着で形成してもよく、この場合は、図５に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程と同じ構成となっていることが好ましい。
【００４２】
発光層形成工程２０４（図２参照）では正孔輸送層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に前計量型塗布方式の塗布装置により形成された正孔輸送層の上全面に発光層形成用塗布液がバックアップロールに配設した振動手段により振動を付与しながら非接触で塗布される。前計量型塗布方式の塗布装置としては正孔輸送層形成用塗布液を塗布するのに使用した塗布装置と同じ塗布装置の使用が可能である。
【００４３】
発光層形成工程２０４では、乾燥部２０３ｃの構成が相違しており、図５に示すとおり、可撓性基板３の搬送方向の塗布部２０３ｂより下流側に加熱処理装置３００が設けられている。
加熱処理装置３００は図４の加熱処理装置２０３ｃ２と同様の構成を有しており、塗布部２０３ｂで形成された塗布層（発光層形成用塗布液による層）を帯状の可撓性基板３の裏面側から裏面伝熱方式で加熱する様になっている。加熱処理装置３００における発光層の加熱処理条件として、可撓性基板の変性、発光層の平滑性向上、残留溶媒の除去、発光層の硬化等を考慮し、可撓性基板の構成材料のガラス転移温度未満でかつ有機機能層（正孔輸送層，発光層）の構成材料のガラス転移温度未満の温度で裏面伝熱方式の熱処理を行うことが好ましい。
【００４４】
加熱処理装置３００の内部には活性エネルギー線照射装置３１０（照射源）が設けられており、加熱処理装置３００による加熱処理と同時に、塗布部２０３ｂで形成された塗布層（発光層形成用塗布液による層）に向けて活性エネルギー線を照射するようになっている。
活性エネルギー線の照射による場合、活性エネルギー線としては、化合物の化学結合に対してエネルギーを与え、その結合そのものやその化合物の高次構造に対して変化を与えうるエネルギー線、例えば、紫外線、Ｘ線、放射性同位元素の崩壊によるガンマ線、あるいは、電子線、イオン線、中性原子線、他の素粒子線、例えば、陽子線、中性子線、陽電子線等が挙げられる。その発生方法や照射方法は各種存在する。例えば、エネルギー線の発生源であれば、マグネトロン、ＬＥＤ光源、レーザ光源、金属ターゲットに高速電子線を照射するＸ線源、放射性同位元素の崩壊によるガンマ線源、シンクロトロン（放射光）、熱電子を高電圧で加速して得る高圧電子線源、ＦＩＢ（収束イオンビーム）などがあり、照射方法も、狭い領域に収束させた活性エネルギー線を走査して広い領域に照射したり、活性エネルギー線を広い領域に拡大して同時に照射したりする方法も用いることができる。条件としては、対象となる化合物に合わせて照射線の種類や中心エネルギーを選んだり、素子構造や膜厚に合わせて、照射領域や時間を適宜選定したりする。好ましくは、変化させたい結合の結合エネルギーに合わせて線源や照射エネルギー・時間を選定する。
【００４５】
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー線の照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましい。
【００４６】
活性エネルギー線の照射は連続波によるものでもパルス波によるものでもよい。
活性エネルギー線の照射は真空下でおこなわれてもよい。
活性エネルギー線の照射強度は２００〜５０００ｍＪ／ｃｍ２とし、好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ２とする。照射強度が２００ｍＪ／ｃｍ２未満であると塗布液中の溶媒の脱離促進の効果が得にくく、照射強度が５０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると発光層（有機機能層）に好ましくない影響を与え発光性能が劣化する傾向がある。
活性エネルギー線は好ましくは紫外線であり、当該紫外線の波長領域は好ましくは中心波長が１５０〜３８０ｎｍである。
本実施形態では、活性エネルギー線照射装置３００として紫外線ランプを使用し、当該紫外線ランプを点灯させることにより、塗布部２０３ｂで形成された発光層に向けて紫外線を照射している。
【００４７】
発光層形成工程２０４では、塗布部２０３ｂの構成部材（塗布装置２０３ｂ１やバックアップロール２０３ｂ２など）や、乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置３００や活性エネルギー線照射装置３１０など）をグローブボックス３２０で被覆し、発光層形成用塗布液の塗布やそれにより形成された発光層の加熱、当該発光層への活性エネルギー線の照射を窒素雰囲気下でおこなってもよい。
乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置３００や活性エネルギー線照射装置３１０など）を真空チャンバーで被覆し、発光層の加熱や発光層への活性エネルギー線の照射を真空雰囲気下（１００Ｐａ以下の圧力下）でおこなってもよい。
【００４８】
パターン形成部では、形成された発光層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置（例えば、インクジェットヘッド）を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。この後、除去部で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された発光層を除去し、パターン化した発光層を形成する。
【００４９】
他方、電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では、発光層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に前計量型塗布方式の塗布装置により形成された発光層の上全面に電子輸送層形成用塗布液がバックアップロールに配設した振動手段により振動を付与しながら非接触で塗布される。前計量型塗布方式の塗布装置としては正孔輸送層形成用塗布液を塗布するのに使用した塗布装置と同じ塗布装置の使用が可能である。
【００５０】
電子輸送層形成工程２０５でも、発光層形成工程２０４と同様に、乾燥部２０３ｃの構成が相違しており、図５に示すとおり、可撓性基板３の搬送方向の塗布部２０３ｂより下流側に加熱処理装置４００が設けられており、加熱処理装置４００の内部に活性エネルギー線照射装置４１０が設けられている。加熱処理装置４００および活性エネルギー線照射装置４１０の各構成やそれによる電子輸送層への各作用などは、発光層形成工程２０４で説明したのと同様となっている。
電子輸送層形成工程２０５でも、発光層形成工程２０４と同様に、塗布部２０３ｂや乾燥部２０３ｃの各構成部材をグローブボックス４２０で被覆し、電子輸送層形成用塗布液の塗布やそれにより形成された電子輸送層の加熱、当該電子輸送層への活性エネルギー線の照射を窒素雰囲気下でおこなってもよい。もちろん、乾燥部２０３ｃの構成部材（加熱処理装置４００や活性エネルギー線照射装置４１０など）を真空チャンバーで被覆し、電子輸送層の加熱や電子輸送層への活性エネルギー線の照射を真空雰囲気下でおこなってもよい。
なお、発光層形成工程２０４と電子輸送層形成工程２０５とでは、いずれか一方の工程において、活性エネルギー線照射装置が設けられ活性エネルギー線が照射されるようにしてもよい。
【００５１】
パターン形成部では、形成された電子輸送層を溶解する溶媒を塗布する塗布装置（例えば、インクジェットヘッド）を使用し、第１電極（陽極）の取り出し電極の上、第２電極用取り出し電極の上及び第１電極（陽極）の周囲の不要部分に塗布を行う。この後、除去部で塗布した溶媒及び溶媒で溶解された電子輸送層を除去し、パターン化した電子輸送層層を形成する。
【００５２】
なお、電子輸送層を蒸着方式で形成する場合、電子輸送層形成工程２０５（図２参照）では、発光層までが形成されている帯状の可撓性基板３の上に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置で決められた位置に取り出し電極を除き、既に形成されているパターン化した発光層の上に電子輸送層をマスクパターン成膜する。電子輸送層の厚さは、５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲が好ましい。
【００５３】
図６は図２に示す陰極バッファ層（電子注入層）形成工程以降の模式図である。
尚、図６では回収工程に断裁装置を用い、又、電子輸送層までが形成された帯状の可撓性基板を使用する場合を示す。
【００５４】
陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６は、ロール状に巻き取られたパターン化した電子輸送層までが形成された帯状の可撓性基板３の繰り出し部２０６ａを有し、蒸発源容器２０６ｃを有する蒸着装置２０６ｂと、アキュームレータ２０６ｄとを用いている。
アキュームレータ２０６ｄは、下側の複数の搬送ローラー２０６ｄ１と上側の複数の搬送ローラー２０６ｄ２とを有し、繰り出し部２０６ａと蒸着装置２０６ｂとの間に配設されており、繰り出し部２０６ａと蒸着装置２０６ｂとの速度調整のために配設されている。
【００５５】
陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６では繰り出し部２０６ａから搬送ローラー２０６ａ１を介して連続的に供給されてくる電子輸送層（不図示、図１の電子輸送層１０５に相当する）までが形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置２０６ｂで決められた位置に取り出し電極を除き、既に形成されているパターン化した電子輸送層の上に陰極バッファ層（電子注入層）（不図示、図１の電子注入層１０７に相当する）をマスクパターン成膜する。陰極バッファ層（電子注入層）の厚さは、０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００５６】
第２電極形成工程２０７は、蒸発源容器２０７ｂを有する蒸着装置２０７ａとアキュームレータ２０７ｃとを用いている。アキュームレータ２０７ｃは、下側の複数の搬送ローラー２０７ｃ１と上側の複数の搬送ローラー２０７ｃ２とを有し、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と第２電極形成工程２０７との間に配設されており、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６との速度調整のために配設されている。
【００５７】
第２電極形成工程２０７では陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６から連続的に供給されてくる陰極バッファ層（電子注入層）までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って蒸着装置２０７ａで決められた位置に、第２電極（陰極）用取り出し電極（不図示、図１の第２電極用取り出し電極１０７ａに相当する）と接続する様に、及び第１電極電と交差する様に第２電極（陰極）（不図示、図１の第２電極（陰極）１０７に相当する）を、既に形成されている陰極バッファ層（電子注入層）（不図示、図１の陰極バッファ層（電子注入層）１０６に相当する）の上にマスクパターン成膜する。
【００５８】
第２電極（陰極）としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この段階で、可撓性基板／第１電極（陽極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）の構成を有する有機ＥＬ素子が出来上がる。
【００５９】
図６では、陰極バッファ層（電子注入層）形成工程２０６と第２電極（陰極）形成工程２０７が蒸着装置の場合を示したが、陰極バッファ層（電子注入層）及び第２電極（陰極）の形成方法については、特に限定はなく、例えばドライ方式のスパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などを用いることが出来る。又、陰極バッファ層（電子注入層）は湿式塗布方式を用いることも可能である。
【００６０】
封止工程２０８は封止部材供給工程２０８ｂを有し、封止剤塗設装置２０８ａと、貼合装置２０８ｃと、アキュームレータ２０８ｅとを用いている。
封止部材供給工程２０８ｂからは封止部材２０８ｂ１が送られてくる。
アキュームレータ２０８ｅは、下側の複数の搬送ローラー２０８ｅ１と上側の複数の搬送ローラー２０８ｅ２とを有し、第２電極（陰極）形成工程２０７との速度調整のために配設されている。
【００６１】
尚、封止部材２０８ｂ１にも第２電極までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）と同じ位置にアライメントマーク（不図示）が付けられている。
【００６２】
封止工程２０８では第２電極までが既に形成された帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って封止剤塗設装置２０８ａにより、有機ＥＬ素子の上部と周囲に取り出し電極（不図示、図１の取り出し電極１０２ａ及び取り出し電極１０７ａに相当する）を除いて塗設される。
【００６３】
この後、貼合装置２０８ｃにより、封止剤が塗設され形成された複数の有機ＥＬ素子を有する帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）と封止部材２０８ｂ１のアライメントマーク（不図示）とを合わせ有機ＥＬ素子を密着封止する。この段階で有機ＥＬパネルが作製される。
この段階で作製された有機ＥＬパネルは複数個が連続的に繋がっているため回収工程２０９で個別の有機ＥＬパネルに断裁される。
【００６４】
回収工程２０９は断裁装置２０９ａとアキュームレータ２０９ｂと回収箱２０９ｃとを用いている。
アキュームレータ２０９ｂは、下側の複数の搬送ローラー２０９ｂ１と上側の複数の搬送ローラー２０９ｂ２とを有し、封止工程２０８との速度調整のために配設されている。
断裁装置２０９ａでは複数の有機ＥＬパネルが形成されている帯状の可撓性基板３に付けられているアライメントマーク（不図示）又は封止部材２０８ｂ１のアライメントマーク（不図示）を検出装置（不図示）で読み取り、検出装置（不図示）の情報に従って打ち抜き断裁が行われ個別の有機ＥＬパネル６として回収箱２０９ｃに回収される。２０９ｄは有機ＥＬパネルが打ち抜かれたロール状に巻かれたスケルトンを示す。断裁された有機ＥＬパネル６は図１で示した有機ＥＬパネルと同じ構成を有している。
【００６５】
以下、本発明の塗布方法を使用した一例として挙げた有機ＥＬパネルを構成している材料に付き説明する。
【００６６】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００６７】
発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲に調整される。
【００６８】
以下に発光層に含まれる発光ドーパント（発光ドーパント化合物ともいう）、ホスト化合物について説明する。
【００６９】
（１）ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
【００７０】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００７１】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でも良い。
【００７２】
併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００７３】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【００７４】
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【００７５】
（２）発光ドーパント
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点から、本発明の有機ＥＬ素子の発光層としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有する。
【００７６】
（２．１）リン光ドーパント
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００７７】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００７８】
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００７９】
リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【００８０】
本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００８１】
以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。
【００８２】
【化１】
【００８３】
【化２】
【００８４】
【化３】
【００８５】
【化４】
【００８６】
【化５】
【００８７】
【化６】
【００８８】
【化７】
【００８９】
【化８】
【００９０】
【化９】
【００９１】
【化１０】
【００９２】
【化１１】
【００９３】
【化１２】
【００９４】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
【００９５】
《注入層：正孔注入層（正孔バッファ層），電子注入層（陰極バッファ層）》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【００９６】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【００９７】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００９８】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００９９】
また、特開平６−０２５６５８号に記載されているフェロセン化合物、特開平１０−２３３２８７号等に記載されているスターバースト型の化合物、特開２０００−０６８０５８号、特開２００４−６３２１号に記載されているトリアリールアミン型の化合物、特開２００２−１１７９７９号に記載されている含硫黄環含有化合物、ＵＳ２００２／０１５８２４２、ＵＳ２００６／０２５１９２２号、特開２００６−４９３９３号等に記載されているヘキサアザトリフェニレン化合物等も正孔注入層として挙げられる。
【０１００】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１０１】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０１０２】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
【０１０３】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０１０４】
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
【０１０５】
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
【０１０６】
イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
【０１０７】
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
【０１０８】
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
【０１０９】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１１０】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１１１】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１１２】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１１３】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１１４】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１１５】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【０１１６】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ダイコート法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１１７】
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１１８】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１１９】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１２０】
また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１２１】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、ダイコート法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１２２】
また、本発明においては、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１２３】
本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１２４】
《陽極（第１電極）》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
【０１２５】
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。
【０１２６】
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１２７】
《陰極（第２電極）》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
【０１２８】
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１２９】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１３０】
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０１３１】
《基板（可撓性基板など）》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１３２】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（ＪＳＲ製）あるいはアペル（三井化学製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【０１３３】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ２／日・ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には酸素透過度１０−３ｇ／ｍ２／日以下、水蒸気透過度１０−５ｇ／ｍ２／日以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１３４】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０１３５】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１３６】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０１３７】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１３８】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１３９】
《封止部材や接着剤層》
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【０１４０】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
【０１４１】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
【０１４２】
更には、ポリマーフィルムはＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／ｍ２／２４ｈ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２／２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１４３】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１４４】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０１４５】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４６】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
【０１４７】
更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１４８】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０１４９】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１５０】
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子の構成材料（有機機能層を構成する塗布液（発光層用塗布液や電子輸送層用塗布液など））を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
【０１５１】
また有機ＥＬ素子の製造方法において、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１５２】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１５３】
《サンプル（有機ＥＬ素子）の作製》
基本的には、図２〜図６を参照しながら説明した製造方法の工程にしたがい、下記のとおりにサンプル（有機ＥＬ素子）を作製した。
（１）比較例１の作製
（陽極（第１電極）の形成）
厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ５００ｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＮと略記する）に、ガスバリア膜を形成したもの（特開２００７−８３６４４号の実施例１に記載の方法で形成した）を準備した。尚、帯状の可撓性基板には、予め第１電極を形成する位置を示すためにアライメントマークを設け、５×１０−１Ｐａの真空環境条件で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、引き出し部を帯状の可撓性基板の巾手方向の両端側に有する１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの第１電極を一定間隔に１２列を連続的に形成し巻き取った。
【０１５４】
（第１正孔輸送層形成）
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ４０８３）を純水で６５％、メタノール５％で希釈した溶液を第１正孔輸送層形成用塗布液として、ＰＥＮの上全面（但し、両端の１０ｍｍは除く）に、エクストルージョン塗布機を使用し乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように塗布した。塗布後、乾燥・加熱処理を行い、第１正孔輸送層を形成した。
第１正孔輸送層形成用塗布液の塗布条件は、温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ２ガス環境の大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。
【０１５５】
（第１正孔輸送層のパターン化：除去工程）
第１正孔輸送層が形成された可撓性基板に、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射して第１電極を熱パターンとしてその位置を検出して、これを位置決めマークとして用い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極の周囲の不要の部分に、正孔輸送層に対してこれを膨潤させる良溶媒であるメチルエチルケトンを供給して、所定の拭き取り装置により、装置内温度１０℃で１．９６×１０５Ｐａ程度の押圧でワイピングヘッド（押圧ロールをテープ状部材に押圧したヘッド）を可撓性基板との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って、有機エレクトロニクス構造体の間を連続的に拭き取り除去した。尚、温度は５℃、メチルエチルケトンの蒸気圧は５℃において４１７３Ｐａである。また、マイクロ波照射機は四国計測工業（株）製μ−ｒｅａｃｔｏｒを用いた。
【０１５６】
第１正孔輸送層を除去後、可撓性基板を乾燥し一旦巻き取った。尚、尚溶剤の供給量は１０ｍｌ／ｍｉｎ、温度１０℃で行った。
【０１５７】
次いで、以下の通り、第２正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次、エクストルージョン塗布機を使用し塗布、乾燥、巻き取りを繰り返すことで形成した。搬送速度は、３ｍ／分とした。
【０１５８】
（第２正孔輸送層）
窒素雰囲気下で、可撓性基板上に、下記のとおりに調製した正孔輸送層用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、窒素雰囲気下で、正孔輸送層用塗布液による塗布層を加熱乾燥させ、膜厚約２０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
（正孔輸送層用塗布液）
モノクロロベンゼン １００ｇ
ポリ−（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）ベンジジン）（ＡＤＳ２５４ＢＥ：アメリカン・ダイ・ソース社製） ０．５ｇ
【０１５９】
（発光層）
第２正孔輸送層上に、下記のとおりに調製した発光層形成用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、発光層形成用塗布液による塗布層を、１２０℃で３０分間加熱し乾燥させ、膜厚約５０ｎｍの発光層とした。
（発光層形成用塗布液）
酢酸ブチル １００ｇ
Ｈ−Ａ １ｇ
Ｄ−２８ ０．１１ｇ
Ｉｒ−１ ０．００２ｇ
Ｉｒ−１４ ０．００２ｇ
【０１６０】
（電子輸送層）
発光層上に、下記のとおりに調製した電子輸送層形成用塗布液をエクストルージョン塗布法により塗布（製膜）した。塗布後、電子輸送層用塗布液による塗布層を、１２０℃で４５分間加熱し乾燥させ、膜厚約１５ｎｍの電子輸送層とした。
（電子輸送層形成用塗布液）
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール １００ｇ
ＥＴ−Ａ ０．７５ｇ
【０１６１】
【化１３】
【０１６２】
塗布条件は、いずれも温度は２５℃、露点温度−２０℃以下のＮ２ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ Ｂ ９９２０）で行った。
【０１６３】
（有機機能層（第２正孔輸送層，発光層，電子輸送層）のパターン化：除去工程）
巻き取った前記、第１正孔輸送層が形成された可撓性基板（ＰＥＮ）を供給して、ＰＥＴ上に形成された第１電極パターンを位置決めマークとして、マイクロ波センサを用いて、位置決めを行い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極（第１正孔輸送層）の周囲の不要の部分を、前記拭き取り装置により、第２正孔輸送層、発光層に対し親和性が高い溶剤であるｏ−キシレン、電子輸送層に対して良溶媒である１−ブタノールをそれぞれ２：１の混合比で混合した溶剤を供給して、温度１５℃、前記同様、押圧ロール（テープ状部材）の可撓性基板との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って連続的に拭き取り除去した。尚、ワイピングヘッドの押圧は１．９６×１０５Ｐａとした。拭き取り温度は、拭き取り装置内を１５℃まで冷却して溶剤のトータルの供給量は２０ｍｌ／ｍｉｎで行った。
【０１６４】
因みに、１−ブタノールの１５℃における蒸気圧は３６８Ｐａ、また、ｏ−キシレンの１５℃における蒸気圧は４７５Ｐａである。
【０１６５】
これにより膨潤また溶解された３つの有機機能層を一度に擦って除去パターニングを行った。パターニング後、乾燥装置で乾燥し、一旦巻き取り１時間保管した。
【０１６６】
次いで、以下に示す条件で前記有機機能層の上に順次陰極バッファ層（電子注入層）、陰極（第２電極）、封止層を形成し、断裁しさらに熱処理を行い、有機ＥＬパネルを作製し「比較例１」のサンプルとした。
【０１６７】
（陰極バッファ層（電子注入層）の形成）
パターン化された有機機能層が形成されたロール状のＰＥＮに付けられた陽極の位置に従って電子輸送層の上および第１電極の引き出し部を除いた部分に蒸着装置で５×１０−４Ｐａの真空環境条件にてＬｉＦを用い、マスクパターン蒸着成膜して、厚さ０．５ｎｍの陰極バッファ層（電子注入層）を積層した。
【０１６８】
（陰極（第２電極）の形成）
引き続き、同様に陰極バッファ層（電子注入層）上に第１電極の大きさに合わせ、第１電極の引き出し部と反対側に第２電極の引き出し部が配置されるように、５×１０−４Ｐａの真空下にてアルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層からなる第２電極を積層し有機エレクトロニクス構造体（有機ＥＬ構造体）を形成した。
【０１６９】
（封止部材の貼合）
次いで、有機エレクトロニクス構造体を有する帯状の可撓性基板に付けられたアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って第１電極および第２電極の引き出し部の一部を除いて、接着剤層を有する帯状の封止部材を貼合した。
帯状の封止部材として、ＰＥＴ５０μｍにアルミ箔３０μｍバリア層をラミネートしたフィルムを用いた。接着剤層の接着剤には、メルティングポイント１２０℃の熱硬化型接着剤を用い、層厚は３０μｍとした。
【０１７０】
（断裁）
次いで、作製した複数の有機ＥＬ素子が連続的に繋がった状態のものを個別の有機ＥＬパネルの大きさに、アライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って断裁した。まず長手方向に各列毎に断裁し、長手方向に一列で有機エレクトロニクス素子が配置された試料を得、これをさらに巾手方向に断裁して、個々の有機ＥＬ素子（比較例１のサンプル）を作製した。
【０１７１】
（２）比較例２〜３，実施例１〜９の作製
比較例１の作製において、発光層および電子輸送層を形成する場合の乾燥環境条件（圧力）や加熱処理条件、活性エネルギー線の照射（照射波長１７２ｎｍ，照射強度２０００ｍＪ／ｃｍ２）の有無を、表１のとおりに変更して比較例２〜３，実施例１〜９のサンプル（有機ＥＬ素子）を作製した。
なお、実施例１〜９の作製中、活性エネルギー線の照射は加熱処理と同時におこなった。
【０１７２】
【表１】
【０１７３】
《有機ＥＬ素子の評価》
（１）輝度−電圧特性
作製した有機ＥＬ素子に対し、印加する電圧を変化させながら輝度を測定し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２の発光が得られるときの電圧値を内挿により求めた。測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。比較例１のサンプルの測定値を１００として、各サンプルから得られた結果（相対値）を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。電圧の相対値は小さい値の方が駆動電圧が低く、好ましい結果であることを示す。
「○」…相対値が９１〜１１０である
「△」…相対値が１１１〜１２０である
「×」…相対値が１２１以上である
【０１７４】
（２）発光寿命
作製した有機ＥＬ素子に対し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２となるような電流を与えて連続駆動させ、正面輝度が初期の半減値（５００ｃｄ／ｍ２）になるまでに掛かる時間を求めた。比較例１のサンプルの測定値を１００として、各サンプルから得られた結果（相対値）を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。発光寿命の相対値は大きい値の方が発光寿命が長く、好ましい結果であることを表す。
「○」…相対値が９１〜１１０である
「△」…相対値が８１〜９０である
「×」…相対値が８０以下である
【０１７５】
（３）生産性
作製した有機ＥＬ素子に対し、発光層および電子輸送層の形成工程で費やした乾燥時間（活性エネルギー線の照射時間を含む加熱処理時間）を求め、その結果を表２に表した。表２中、○，△，×の基準は下記のとおりである。
「○」…乾燥時間が０〜３０ｍｉｎである
「△」…乾燥時間が３１〜６０ｍｉｎである
「×」…乾燥時間が６１ｍｉｎ以上である
【０１７６】
【表２】
【０１７７】
（４）まとめ
表２に示すとおり、比較例１〜３と実施例１〜９との各サンプルを比較すると、実施例１〜９のサンプルは、基準となる比較例１のサンプルと同等の駆動電圧・発光寿命を示し、さらに塗布液中の溶媒を乾燥させ除去するのに要する時間（生産性）が優れていた。
以上から、低駆動電圧・長発光寿命を維持したまま生産性を改善する上では、発光層および電子輸送層の形成工程の少なくとも一方において、活性エネルギー線を照射することが有用であることがわかる。
【符号の説明】
【０１７８】
１ 有機ＥＬパネル
１０１ 可撓性基板
１０２ 陽極（第１電極）
１０３ 正孔輸送層
１０４ 発光層
１０５ 電子輸送層
１０６ 陰極バッファ層（電子注入層）
１０７ 陰極（第２電極）
１０８ 接着剤層
１０９ 封止部材
２ 製造工程
２０２ 第１電極形成工程
２０３ 正孔輸送層形成工程
２０３ａ 繰り出し部
２０３ｂ 塗布部
２０３ｂ１ 塗布装置
２０３ｂ２ バックアップロール
２０３ｃ 乾燥部
２０３ｄ パターン形成部
２０３ｅ 巻き取り部
２０４ 発光層形成工程
２０５ 電子輸送層形成工程
２０６ 陰極バッファ層（電子注入層）形成工程
２０７ 第２電極形成工程
２０８ 封止工程
３００，４００ 加熱処理装置
３１０，４１０ 活性エネルギー線照射装置（照射源）
３２０，４２０ グローブボックス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、
塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記塗布液を塗布する工程では、前記発光層を構成する第１の塗布液を前記基板上に塗布し、
前記活性エネルギー線を照射する工程では、塗布後の第１の塗布層に活性エネルギー線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記有機機能層が電子輸送層を含んでおり、
前記塗布液を塗布する工程では、前記電子輸送層を構成する第２の塗布液を前記基板上に塗布し、
前記活性エネルギー線を照射する工程では、塗布後の第２の塗布層に活性エネルギー線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記活性エネルギー線を照射する工程と同時に、加熱処理をおこなうことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記活性エネルギー線が紫外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１】
陽極、陰極および有機機能層が基板上に形成され、前記有機機能層が前記陽極と前記陰極との間に介在しかつ発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、
塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記塗布液を塗布する工程では、前記発光層を構成する第１の塗布液を前記基板上に塗布し、
前記活性エネルギー線を照射する工程では、塗布後の第１の塗布層に活性エネルギー線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記有機機能層が電子輸送層を含んでおり、
前記塗布液を塗布する工程では、前記電子輸送層を構成する第２の塗布液を前記基板上に塗布し、
前記活性エネルギー線を照射する工程では、塗布後の第２の塗布層に活性エネルギー線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記活性エネルギー線を照射する工程と同時に、加熱処理をおこなうことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記活性エネルギー線が紫外線であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１２８９５４（Ｐ２０１２−１２８９５４Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７６６７４（Ｐ２０１０−２７６６７４）
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発／有機ＥＬ照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１３日（２０１０．１２．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２２年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発／有機ＥＬ照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２７０）コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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