説明

有機エレクトロルミネッセンス素子

【課題】 駆動電圧が低くかつ長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することおよび駆動電圧が低くかつ所望の発光色を得ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【解決手段】 有機EL素子100は、基板1上にホール注入電極2、ホール注入層3a、ホール輸送層4、発光層5、電子注入制限層6、電子輸送層7および電子注入電極8が順に積層された構造を有する。電子注入制限層6としては電子輸送層7に比べて電子移動度が低いまたは最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い材料を用いる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、情報機器の多様化に伴い、一般に使用されているCRT(陰極線管)に比べて消費電力が少ない平面表示素子に対するニーズが高まってきている。このような平面表示素子の一つとして、高効率・薄型・軽量・低視野角依存性等の特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと略記する。)素子が注目されている。
【0003】
有機EL素子は、ホール注入電極と電子注入電極との間に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層が順に形成された積層構造を有する。
【0004】
従来の有機EL素子においては、電子輸送層として、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum:以下、Alq3と略記する)等が一般に広く用いられてきた。
【0005】
しかし、上記のAlq3は電子移動度が低い。そのため、電子輸送層としてAlq3を用いた場合、発光層へ十分な電子を注入しようとすると駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる。
【0006】
非特許文献1には、Alq3よりも高い電子移動度を有する材料としてフェナントロリン誘導体が報告されている。また、非特許文献2にはAlq3よりも高い電子移動度を有する材料としてシロール誘導体が報告されている。これらの電子移動度の高い有機材料を電子輸送層に用いることにより、駆動電圧を大きく低減することができる。
【非特許文献1】Appl.Phys.Lett.,Vol.76,No.2,10 January 2000,p197-199
【非特許文献2】Appl.Phys.Lett.,Vol.80,No.2,14 January 2002,p189-191
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、上記の非特許文献1および非特許文献2に記載されているような電子移動度の高い材料を電子輸送層として用いた場合、有機EL素子内における電子とホールとの再結合領域がホール注入電極側に移動し、ホール輸送層に到達する電子の量が多くなる。ホール輸送層の材料として一般的に用いられているトリフェニルアミン誘導体は、電子を受け入れると非常に不安定になり劣化する。その結果、有機EL素子の発光寿命が短くなる。
【0008】
また、2層以上の発光層を有する有機EL素子においては、電子とホールとの再結合領域がホール注入電極側に移動すると、ホール注入電極側の発光層における発光強度が電子注入電極側の発光層における発光強度に比べて高くなり、所望の発光色が得られなくなる。
【0009】
本発明の目的は、駆動電圧が低くかつ長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、駆動電圧が低くかつ所望の発光色を得ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、ホール注入電極と、発光層と、電子注入電極とを順に備え、発光層と電子注入電極との間に電子の輸送を促進する電子輸送層と、電子の移動を制限する電子制限層とをさらに備えたものである。
【0012】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層と電子注入電極との間に電子の輸送を促進する電子輸送層が設けられている。それにより、電子を効率よく発光層に注入することができるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を低くすることができる。
【0013】
また、発光層と電子注入電極との間に電子の移動を制限する電子制限層が設けられている。それにより、電子注入電極から発光層へと注入される電子の移動が制限され、ホールと電子との再結合領域が電子注入電極側へ移動する。したがって、ホールと再結合することなく発光層を通り抜けてホール注入電極側の層に到達する電子が低減される。その結果、電子によるホール注入電極側の層の劣化を防止することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を長くすることができる。
【0014】
なお、電子制限層の材料としては、電子輸送層の材料よりも低い電子移動度を有する材料が選択される。
【0015】
電子制限層は、発光層と電子輸送層との間に設けられてもよい。この場合、電子輸送層によって電子の輸送が促進され、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧が低下する。さらに電子制限層によってホール注入電極側の層の劣化を防止することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命が長くなる。
【0016】
電子制限層は、電子輸送層と電子注入電極との間に設けられてもよい。この場合、電子輸送層によって電子の輸送が促進され、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧が低下する。さらに電子制限層によってホール注入電極側の層の劣化を防止することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命が長くなる。
【0017】
電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルは、電子輸送層の最低空分子軌道のエネルギーレベルより低くてもよい。この場合、電子輸送層から電子制限層へと注入される電子を確実に制限することができるので、電子によるホール注入電極側の層の劣化を確実に防止することができる。それにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を確実に延ばすことができる。
【0018】
電子制限層は式(1)で示される分子構造を有する有機化合物を含み、式(1)中のR1〜R3は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基であってもよい。この場合、電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルが低くなるとともに電子制限層における電子移動度が低くなるので、ホール注入電極側の層への電子の到達が十分に抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を十分に延ばすことができる。
【0019】
【化1】

【0020】
電子制限層は式(2)で示される分子構造を有するトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)を含んでもよい。この場合、電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルが低くなるとともに電子制限層における電子移動度が低くなるので、ホール注入電極側の層への電子の到達が十分に抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を十分に延ばすことができる。
【0021】
【化2】

【0022】
電子制限層は式(3)で示される分子構造を有する有機化合物を含み、式(3)中のR4〜R7は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基であってもよい。この場合、電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルが低くなるとともに電子制限層における電子移動度が低くなるので、ホール注入電極側の層への電子の到達が十分に抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を十分に延ばすことができる。
【0023】
【化3】

【0024】
電子制限層はアントラセン誘導体を含んでもよい。この場合、電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルが低くなるとともに電子制限層における電子移動度が低くなるので、ホール注入電極側の層への電子の到達が十分に抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を十分に延ばすことができる。
【0025】
電子制限層は式(4)に示される分子構造を有するターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセンを含んでもよい。この場合、電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルが低くなるとともに電子制限層における電子移動度が低くなるので、ホール注入電極側の層への電子の到達が十分に抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を十分に延ばすことができる。
【0026】
【化4】

【0027】
電子輸送層はフェナントロリン化合物を含んでもよい。この場合、電子の移動が十分に促進されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を十分に低下させることができる。
【0028】
電子輸送層は式(5)に示される分子構造を有する1,10-フェナントロリンまたはその誘導体を含んでもよい。この場合、電子の移動が十分に促進されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を十分に低下させることができる。
【0029】
【化5】

【0030】
電子輸送層は式(6)に示される分子構造を有するフェナントロリン誘導体を含み、式(6)中のR8〜R11は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基であってもよい。この場合、電子の移動が十分に促進されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を十分に低下させることができる。
【0031】
【化6】

【0032】
電子輸送層は式(7)に示される分子構造を有する2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)を含んでもよい。この場合、電子の移動が十分に促進されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を十分に低下させることができる。
【0033】
【化7】

【0034】
電子輸送層は式(8)に示される分子構造を有するシロール誘導体を含み、式(8)中のR12〜R15は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基であってもよい。この場合、電子の移動が十分に促進されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧を十分に低下させることができる。
【0035】
【化8】

【0036】
発光層は、ホスト材料と発光ドーパントとを含んでもよい。この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させることができる。
【0037】
ホスト材料は、アントラセン誘導体、アルミニウム錯体、ルブレン誘導体およびアリールアミン誘導体のいずれかを含んでもよい。この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させることができる。
【0038】
発光ドーパントは三重項励起エネルギーを発光に変換しうる材料を含んでもよい。この場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率をさらに向上させることができる。
【0039】
ホスト材料は、式(4)で示されるターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセン(tert-butyl substituted dinaphthylanthracene)を含み、ドーパントは式(9)で示される1,4,7,10-テトラ-ターシャリー-ブチルペリレン(1,4,7,10-Tetra-tert-butylPerylene)を含んでもよい。この場合、高効率な青色光の取り出しが可能である。
【0040】
【化9】

【0041】
【化10】

【0042】
ホスト材料は式(10)で示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-benzidine)を含み、発光ドーパントは式(11)で示される5,12-ビス(4-ターシャリー-ブチルフェニル)-ナフタセン(5,12-Bis(4-tert-butylphenyl)-naphthacene)を含んでもよい。この場合、高効率な緑色光の取り出しが可能である。また、ホスト材料としてホール輸送性の材料が用いられているので、発光層中でホールが効率よく輸送される。それにより、ホールと再結合することなく発光層を通り抜けてホール注入電極側の層に到達する電子が低減される。その結果、電子によるホール注入電極側の層の劣化を防止することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光寿命を長くすることができる。
【0043】
【化11】

【0044】
【化12】

【0045】
発光層は、1または複数の層を含んでもよい。この場合、1または複数の層の材料を選択することにより、所望の発光色を得ることができる。
【0046】
発光層は、短波長発光層と長波長発光層とを含み、短波長発光層が発するピーク波長のうち少なくとも一つは500nmよりも小さく、長波長発光層が発するピーク波長のうち少なくとも一つは500nmよりも大きくてもよい。この場合、電子制限層の膜厚を調整することにより、ホールと電子との再結合領域の位置を制御することができる。それにより、短波長発光層および長波長発光層における発光の割合を調整することが可能となり、所望の発光色を得ることができる。
【0047】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、ホール注入電極と前記発光層との間にホールの輸送を促進するホール輸送層をさらに備えてもよい。この場合、ホールを効率よく発光層へ輸送することができるので、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させることができる。
【0048】
ホスト材料と前記ホール輸送層とが同じ有機化合物であってもよい。この場合、発光層5へのホールの注入障壁を小さくすることができるので、ホールをより効率よく発光層へ注入することができる。
【0049】
ホール輸送層はアリールアミン誘導体を含んでもよい。この場合、ホール輸送層のホール輸送性が向上するので、ホールをさらに効率よく発光層へ注入することができる。
【0050】
ホール輸送層は式(10)で示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-benzidine)を含んでもよい。この場合、ホール輸送層のホール輸送性が向上するので、ホールをさらに効率よく発光層へ注入することができる。
【0051】
【化13】

【発明の効果】
【0052】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子においては、電子の輸送を促進する電子輸送層と電子の移動を制限する電子制限層とを設けることにより、駆動電圧を低くしかつ寿命を延ばすことが可能となる。また、短波長発光層と長波長発光層とを設けることにより、所望の発光色を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0053】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL素子を示す模式的な断面図である。
【0054】
図1に示す有機EL素子100の作製時には、まず基板1上に、例えば、インジウム−スズ酸化物(ITO)等の透明導電膜からなるホール注入電極2を形成し、このホール注入電極2上に、ホール注入層3a、ホール輸送層4、発光層5、電子制限層6および電子輸送層7を順に形成する。さらに、この電子輸送層7上に、例えば、アルミニウム等からなる電子注入電極8を形成する。
【0055】
基板1は、ガラスまたはプラスチック等からなる透明基板である。
【0056】
ホール注入層3aは、例えば、プラズマCVD法(プラズマ化学的気相成長法)により形成されたCFX (フッ化炭素)からなる。ホール注入層3aの厚さは0.5nm以上5nm以下であることが好ましい。この場合、ホールを効率よく発光層5に注入することができる。それにより、有機EL素子100の駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【0057】
なお、ホール注入電極2とホール注入層3aとの間に、例えばCuPc(銅フタロシアニン)からなる他のホール注入層3bを形成してもよい。この場合、ホールをさらに効率よく発光層5に注入することができる。
【0058】
ホール輸送層4は、例えば、下記式(10)に示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-benzidine)(以下、NPBと略記する)等の有機材料からなる。
【0059】
【化14】

【0060】
発光層5は、例えば、下記式(4)に示されるターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセン(tert-butyl substituted dinaphthylanthracene)(以下、TBADNと略記する)をホスト材料とし、下記式(9)に示す1,4,7,10-テトラ-ターシャリー-ブチルペリレン(1,4,7,10-Tetra-tert-butylPerylene)(以下、TBPと略記する)を発光ドーパントとして形成される。
【0061】
【化15】

【0062】
【化16】

【0063】
電子制限層6としては、電子移動度の低い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い材料を用いることが好ましい。本実施の形態においては、電子制限層6の材料として、電子輸送層7の材料よりも電子移動度が低い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い材料を選択する。例えば、下記式(1)に示される構造を有する有機化合物を用いることができる。
【0064】
【化17】

【0065】
式(1)において、R1〜R3は互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよく、式(1)中のキノリン環のいずれの位置にあってもよい。式(1)中のR1〜R3は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数が4以下のアルキル基を示す。
【0066】
本実施の形態においては、電子制限層6は、下記式(2)に示されるトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)(以下、Alq3と略記する)からなる。Alq3の電子移動度は10-6cm2 /Vsであり、LUMOのエネルギーレベルは約−3.0eVである。
【0067】
【化18】

【0068】
また、電子制限層6としては、下記式(3)に示される構造を有する有機化合物を用いてもよい。
【0069】
【化19】

【0070】
式(3)において、R4〜R7は互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよく、ベンゼン環およびキノリン環のいずれの位置にあってもよい。式(3)中のR4〜R7は、水素原子、ハロゲン原子または炭素数4以下のアルキル基を示す。
【0071】
電子輸送層7としては、電子移動度の高い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが高い材料を用いることが好ましい。本実施の形態においては、電子輸送層7の材料として、電子制限層6の材料よりも電子移動度が高い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが高い材料を選択する。例えば、フェナントロリン化合物を用いることができる。電子輸送層7の材料として用いられるフェナントロリン化合物としては、例えば、下記式(5)に示される1,10-フェナントロリン(1,10-phenanthroline)またはその誘導体が好ましい。
【0072】
【化20】

【0073】
電子輸送層7の材料として用いられる1,10-フェナントロリンの誘導体としては、例えば、下記式(6)に示される構造を有する化合物を用いることがより好ましい。
【0074】
【化21】

【0075】
式(6)において、R8〜R11は互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよい。式(6)中のR8〜R11は、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基を示し、R10およびR11は式(6)のベンゼン環のオルト位、メタ位およびパラ位のいずれの位置にあってもよい。式(6)のR8〜R11の脂肪族置換基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、tert-ブチル基等が挙げられ、芳香族置換基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アンスリル基、2-チエニル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基等が挙げられる。
【0076】
本実施の形態においては、電子輸送層7は、下記式(7)に示される2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)(以下、BCPと略記する)からなる。BCPのLUMOのエネルギーレベルは約−2.7eVである。
【0077】
【化22】

【0078】
また、電子輸送層7としては、下記式(8)に示されるシロール誘導体を用いてもよい。
【0079】
【化23】

【0080】
式(8)においては、R12〜R15は互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。式(8)中のR12〜R15は、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基を示す。式(8)のR12〜R15の脂肪族置換基としては、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、tert-ブチル基等が挙げられ、芳香族置換基としては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アンスリル基、2-チエニル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基、2-(2-フェニル)ピリジル基、2,2-ビピリジン-6-イル基等が挙げられる。
【0081】
上記の有機EL素子100においては、ホール注入電極2と電子注入電極8との間に電圧を印加することにより、有機EL素子100の発光層5が発光し、基板1の裏面から光が出射される。
【0082】
本実施の形態の有機EL素子100においては、電子輸送層7として高い電子移動度を有するBCPが用いられている。それにより、電子を効率よく発光層5に注入することができる。その結果、駆動電圧が低くなり、有機EL素子100の消費電力が低減される。
【0083】
また、発光層5と電子輸送層7との間に電子輸送層7よりも低い電子移動度を有しかつ最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低いAlq3からなる電子制限層6が設けられている。それにより、電子輸送層7から電子制限層6を通って発光層5へと注入される電子の移動が電子制限層6によって制限され、ホールと電子との再結合領域が電子注入電極8側へ移動する。したがって、ホールと再結合することなく発光層5を通り抜けてホール輸送層4に到達する電子が低減される。その結果、電子によるホール輸送層4の劣化を防止することができ、有機EL素子100の発光寿命を長くすることができる。
【0084】
この場合、電子制限層6により電流が制限されることになるが、電子輸送層7が高い電子移動度を有するので、有機EL素子100全体に流れる電流はほとんど低減されない。このように、高い電子移動度を有する電子輸送層7および低い電子移動度を有する電子制限層6を組み合わせることにより、駆動電圧を低く保ちつつ有機EL素子100の長寿命化を実現することができる。
【0085】
なお、電子輸送層7の電子移動度は10-5cm2 /Vs以上であることが好ましく、10-4cm2 /Vs以上であることがより好ましい。この場合、発光層5への電子の注入量を十分に増加させることができるので、駆動電圧を大幅に下げることができる。
【0086】
また、電子制限層6と電子輸送層7との電子移動度の差は10倍以上であることが好ましい。この場合、発光層5への電子の注入量を十分に制限することができるので、有機EL素子100の発光寿命を大幅に延ばすことができる。
【0087】
また、電子制限層6の膜厚は20nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましく、5nmであることがさらに好ましい。この場合、電子の注入量を十分に増加させることができるので、駆動電圧を大幅に下げることができる。
【0088】
このように、本実施の形態に係る有機EL素子100によれば、発光層5上に電子制限層6および電子輸送層7を形成することにより、駆動電圧を低くしかつ発光寿命を長くすることが可能となる。
【0089】
なお、本実施の形態に係る有機EL素子100においては、発光層5上に電子制限層6および電子輸送層7が順に形成されているが、発光層5上に電子輸送層7および電子制限層6が順に形成されてもよい。
【0090】
また、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに発光層5上に電子制限層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する電子制限輸送層67が形成されてもよい。この場合、電子制限輸送層67における電子輸送制限層6の材料の含有率は40重量%以下であることが好ましく、30重量%以下であることがより好ましい。したがって、電子制限輸送層67における電子輸送層7の材料の含有率は60重量%以上であることが好ましく、70重量%以上であることがより好ましい。それにより、発光効率を低下させることなく、駆動電圧を低くしかつ発光寿命を長くすることが可能となる。
【0091】
また、電子制限層6の材料としては、上記の材料に限られず電子輸送層7よりも低い電子移動度を有する他の有機材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い他の有機材料を用いてもよい。例えば、アントラセン誘導体を用いることができる。本実施の形態において電子制限層6の材料として用いられるアントラセン誘導体としては、TBADNが好ましい。
【0092】
また、電子輸送層7の材料としては、上記の材料に限られず電子制限層6よりも高い電子移動度を有する他の有機材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが高い他の有機材料を用いてもよい。
【0093】
また、上記実施の形態においては、発光層5は青色に発光するが、発光層5を橙色に発光させてもよく、緑色に発光させてもよく、赤色に発光させてもよい。
【0094】
橙色に発光させる場合には、発光層5は、例えば、NPBをホスト材料として、下記式(12)に示す5,12-ビス(4-(6-メチルベンゾチアゾール-2-イル)フェニル)-6,11-ジフェニルナフタセン(5,12-Bis(4-(6-methylbenzothiazol-2-yl)phenyl)-6,11-diphenylnaphthacene)(以下、DBzRと略記する)を発光ドーパントとして形成される。
【0095】
【化24】

【0096】
なお、この場合、ホール輸送層4と発光層5のホスト材料とが同じ材料であるので、発光層5へのホールの注入障壁を小さくすることができ、より効率よくホールを発光層5へ注入することができる。
【0097】
また、ホスト材料としてホール輸送層4の材料であるNPBが用いられているので、発光層5はホールを輸送する役割も担う。この場合、ホールが効率よく輸送されるので、有機EL素子100の発光効率が向上する。また、ホールと電子との再結合領域が電子制限層6側へ移動するので、ホールと再結合することなくホール輸送層4へと到達する電子が低減される。それにより、ホール輸送層4の劣化を防止することができ、有機EL素子100の長寿命化が可能になる。
【0098】
緑色に発光させる場合には、発光層5は、TBADNをホスト材料とし、下記式(11)に示す5,12-ビス(4-ターシャリー-ブチルフェニル)-ナフタセン(5,12-Bis(4-tert-butylphenyl)-naphthacene)(以下、tBuDPNと略記する)または下記式(13)に示される3-(2-ベンゾチアゾールイル)-7-(ジエチルアミノ)クマリン(3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin)(以下クマリン6と略記する。)を発光ドーパントとして形成される。
【0099】
【化25】

【0100】
【化26】

【0101】
赤色に発光させる場合には、発光層5は、例えば、Alq3をホスト材料とし、下記式(14)に示されるルブレン(Rubrene)を補助ドーパントとし、下記式(15)に示される(2-(1,1-ジメチルエチル)-6-(2-(2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-lII,5II-ベンゾ〔ij〕キノリジン−9−イル)エテニル)-4H-ピラン−4-イリデン)プロパンジニトリル((2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-lII,5II-benzo〔ij〕quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile)(以下、DCJTBと略記する)を発光ドーパントとして形成される。この場合、発光ドーパントは発光し、補助ドーパントは、ホスト材料から発光ドーパントへのエネルギーの移動を促進することにより発光ドーパントの発光を補助する役割を担う。なお、補助ドーパントはドープしなくてもよい。
【0102】
【化27】

【0103】
【化28】

【0104】
また、発光層5としては、三重項励起エネルギーを発光に変換可能な材料(以下、三重項発光材料と呼ぶ)を用いてもよい。この場合、有機EL素子100の発光効率を向上させることができる。
【0105】
(第2の実施の形態)
図2は、本発明の第2の実施の形態に係る有機EL素子を示す模式的な断面図である。第2の実施の形態に係る有機EL素子101は、図1の有機EL素子100の発光層5の代わりに橙色発光を得ることが可能な橙色発光層5aおよび青色発光を得ることが可能な青色発光層5bが設けられる点を除き第1の実施の形態に係る有機EL素子100と同様の構成を有する。
【0106】
橙色発光層5aは、例えば、NPBをホスト材料とし、tBuDPNを補助ドーパントとし、DBzRを発光ドーパントとして形成される。この場合、発光ドーパントは発光し、補助ドーパントは、ホスト材料から発光ドーパントへのエネルギーの移動を促進することにより発光ドーパントの発光を補助する役割を担う。それにより、橙色発光層5aは500nmよりも大きく650nmよりも小さいピーク波長を有する橙色光を発生する。
【0107】
なお、この場合、ホール輸送層4と橙色発光層5aのホスト材料とが同じ材料であるので、橙色発光層5aへのホールの注入障壁を小さくすることができ、より効率よくホールを発光層5へ注入することができる。
【0108】
また、ホスト材料としてホール輸送層4の材料であるNPBが用いられているので、橙色発光層5aはホールを青色発光層5bへ輸送する役割も担う。この場合、ホールが効率よく青色発光層5bへ輸送されるので、有機EL素子101の発光効率が向上する。また、ホールと電子との再結合領域が青色発光層5b側へ移動するので、ホールと再結合することなくホール輸送層4へと到達する電子が低減される。それにより、ホール輸送層4の劣化を防止することができ、有機EL素子101の長寿命化が可能になる。
【0109】
青色発光層5bは、例えば、TBADNをホスト材料とし、NPBを補助ドーパントとし、TBPを発光ドーパントとして形成される。この場合、発光ドーパントは発光し、補助ドーパントはキャリアの輸送を促進することにより発光ドーパントの発光を補助する役割を担う。それにより、青色発光層5bは400nmよりも大きく500nmよりも小さいピーク波長を有する青色光を発生する。
【0110】
なお、橙色発光層5aおよび青色発光層5bにおいては、補助ドーパントはドープされなくてもよい。
【0111】
本実施の形態の有機EL素子101においては、電子輸送層7として高い電子移動度を有するBCPが用いられている。それにより、電子を効率よく発光層5に注入することができる。その結果、駆動電圧が低くなり、有機EL素子101の消費電力が低減される。
【0112】
また、青色発光層5bと電子輸送層7との間に電子輸送層7よりも低い電子移動度を有しかつ最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低いAlq3からなる電子制限層6が設けられている。それにより、橙色発光層5aおよび青色発光層5bへと注入される電子の移動が制限され、ホールと電子との再結合領域が電子注入電極8側へ移動する。この場合、電子制限層6の膜厚を調整することによりホールと電子との再結合領域の位置を制御することができる。その結果、橙色発光層5aおよび青色発光層5bにおける発光の割合を調整することが可能となり、所望の発光色を得ることができる。
【0113】
この場合、電子制限層6により電流が制限されることになるが、電子輸送層7が高い電子移動度を有するので、有機EL素子101全体に流れる電流はほとんど低減されない。このように、高い電子移動度を有する電子輸送層7および低い電子移動度を有する電子制限層6を組み合わせることにより、駆動電圧を低くするとともに所望の発光色を得ることができる。
【0114】
なお、電子輸送層7の電子移動度は10-5cm2 /Vs以上であることが好ましく、10-4cm2 /Vs以上であることがより好ましい。この場合、橙色発光層5aおよび青色発光層5bへの電子の注入量を十分に増加させることができるので、駆動電圧を大幅に下げることができる。
【0115】
また、電子制限層6と電子輸送層7との電子移動度の差は10倍以上であることが好ましい。この場合、橙色発光層5aおよび青色発光層5bへの電子の注入量を十分に制限することができるので、所望の発光色を容易に得ることができる。
【0116】
また、電子制限層6の膜厚は20nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましく、5nmであることがさらに好ましい。この場合、電子の注入量を十分に増加させることができるので、駆動電圧を大幅に下げることができる。
【0117】
このように、本実施の形態に係る有機EL素子101によれば、青色発光層5b上に電子制限層6および電子輸送層7を形成することにより、駆動電圧を低くしかつ所望の発光色を得ることが可能となる。
【0118】
また、橙色発光層5aおよび青色発光層5bとが発光することにより、白色発光を得ることができる。この場合、白色発光を得ることが可能な有機EL素子に赤色、緑色および青色のフィルタを設けることで光の3原色の表示(RGB表示)が可能となり、フルカラー表示が実現する。
【0119】
本実施の形態に係る有機EL素子101においては、青色発光層5b上に電子制限層6および電子輸送層7が順に形成されているが、青色発光層5b上に電子輸送層7および電子制限層6が順に形成されてもよい。また、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに青色発光層5b上に電子制限層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する層が形成されてもよい。
【0120】
また、橙色発光層5aは、例えば、下記式(16)に示す4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)-ビフェニル(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)-biphenyl:以下、CBPと略記する)をホスト材料とし、下記式(17)に示すトリス(2-フェニルキノリン)イリジウム(Tris(2-phenylquinoline)iridium:以下、Ir(phq)3と略記する)を発光ドーパントとして形成されてもよい。この場合、Ir(phq)3は三重項発光材料であるので、有機EL素子101の発光効率を向上させることができる。
【0121】
【化29】

【0122】
【化30】

【0123】
本実施の形態においては、橙色発光層5aが長波長発光層に相当し、青色発光層5bが短波長発光層に相当する。
【0124】
(第3の実施の形態)
図3は有機EL素子を用いた有機EL表示装置の一例を示す模式的平面図であり、図4は図3の有機EL表示装置のA−A線断面図である。
【0125】
図3および図4の有機EL表示装置においては、赤色に発光する有機EL素子100R、緑色に発光する有機EL素子100Gおよび青色に発光する有機EL素子100Bがマトリクス状に配置されている。
【0126】
各有機EL素子100R,100G,100Bは図1の有機EL素子100と同様の構成を有しており、それぞれ発光層5として赤色に発光する赤色発光層5R、緑色に発光する緑色発光層5Gおよび青色に発光する青色発光層5Bを備える。なお、各発光層5R,5G,5Bに用いられる材料は、第1の実施の形態において説明したものを用いることができる。
【0127】
以下、本実施の形態に係る有機EL表示装置をより詳細に説明する。
【0128】
図3においては、左から順に有機EL素子100R、有機EL素子100Gおよび有機EL素子100Bが設けられている。
【0129】
各有機EL素子100R,100G,100Bの構成は平面図では同一である。各有機EL素子100R,100G,100Bは行方向に延びる2つのゲート信号線51と列方向に延びる2つのドレイン信号線(データ線)52とに囲まれた領域に形成される。各有機EL素子の領域内において、ゲート信号線51とドレイン信号線52との交点付近にはスイッチング素子である第1のTFT130が形成され、中央付近には各有機EL素子100R,100G,100Bを駆動する第2のTFT140が形成される。また、各有機EL素子100R,100G,100Bの領域内に補助容量70、およびITOからなるホール注入電極2が形成される。ホール注入電極2の領域に各有機EL素子100R,100G,100Bが島状に形成される。
【0130】
第1のTFT130のドレインはドレイン電極13dを介してドレイン信号線52に接続され、第1のTFT130のソースはソ−ス電極13sを介して電極55に接続される。第1のTFT130のゲート電極111は、ゲート信号線51から延びる。
【0131】
補助容量70は、電源電圧Vscを受けるSC線54と、能動層11(図4参照)と一体の電極55とから構成される。
【0132】
第2のTFT140のドレインはドレイン電極43dを介して各有機EL素子のホール注入電極2に接続され、第2のTFT140のソースはソ−ス電極43sを介して列方向に延びる電源線53に接続される。第2のTFT140のゲート電極41は電極55に接続される。
【0133】
図4に示されるように、ガラス基板10上に多結晶シリコン等からなる能動層11が形成され、その能動層11の一部が有機EL素子を駆動するための第2のTFT140となる。能動層11上にゲート酸化膜(図示せず)を介してダブルゲート構造のゲート電極41が形成され、ゲート電極41を覆うように能動層11上に層間絶縁膜13および第1の平坦化層15が形成される。第1の平坦化層15の材料としては、例えばアクリル樹脂を用いることができる。第1の平坦化層15上に透明なホール注入電極2が各有機EL素子ごとに形成され、ホール注入電極2を覆うように第1の平坦化層15上に絶縁性の第2の平坦化層18が形成される。第2のTFT140は第2の平坦化層18の下に形成されている。
【0134】
ホール注入電極2および第2の平坦化層18を覆うようにホール輸送層4が全体の領域上に形成される。
【0135】
有機EL素子100R、有機EL素子100Gおよび有機EL素子100Bのホール輸送層4上には、それぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5Bが形成される。
【0136】
ストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5Bの間の境界は第2の平坦化層18上の表面でガラス基板10と平行となっている領域に設けられる。
【0137】
有機EL素子100R、有機EL素子100Gおよび有機EL素子100Bの赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5B上には、列方向に延びるストライプ状の電子制限層6および列方向に延びるストライプ状の電子輸送層7がそれぞれ形成される。
【0138】
電子制限層6は、例えば、第1および第2の実施の形態と同様に低い電子移動度を有するAlq3からなる。電子輸送層7は、例えば、第1および第2の実施の形態と同様に高い電子移動度を有するBCPからなる。
【0139】
さらに、各電子輸送層7上には電子注入電極8が形成される。電子注入電極8の上には樹脂等からなる保護層34が形成されている。
【0140】
上記有機EL表示装置において、ゲート信号線51に選択信号が出力されると第1のTFT130がオンし、そのときにドレイン信号線52に与えられる電圧値(データ信号)に応じて補助容量70が充電される。第2のTFT140のゲート電極41は補助容量70に充電された電荷に応じた電圧を受ける。それにより、電源線53から各有機EL素子100R,100G,100Bに供給される電流が制御され、各有機EL素子100R,100G,100Bは供給された電流に応じた輝度で発光する。
【0141】
本実施の形態の有機EL表示装置の各有機EL素子100R,100G,100Bにおいては、電子輸送層7として高い電子移動度を有するBCPが用いられている。それにより、電子を効率よく赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5Bに注入することができる。その結果、各有機EL素子100R,100G,100Bの駆動電圧が低くなり、有機EL表示装置の消費電力が低減される。
【0142】
また、赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5Bと電子輸送層7との間に電子輸送層7よりも低い電子移動度を有するAlq3からなる電子制限層6が設けられている。それにより、電子輸送層7から電子制限層6を通って赤色発光層5R、緑色発光層5Gおよび青色発光層5Bへと注入される電子の移動が制限され、ホールと電子との再結合領域が電子注入電極8側へ移動する。したがって、ホールと再結合することなくホール輸送層4に到達する電子が低減される。その結果、電子によるホール輸送層4の劣化を防止することができ、各有機EL素子100R,100G,100Bの発光寿命を長くすることができる。
【0143】
この場合、電子制限層6により電流が制限されることになるが、電子輸送層7が高い電子移動度を有するので、各有機EL素子100R,100G,100Bに流れる電流はほとんど低減されない。このように、高い電子移動度を有する電子輸送層7および低い電子移動度を有する電子制限層6を組み合わせることにより、駆動電圧を低く保ちつつ各有機EL素子100R,100G,100Bの長寿命化を実現することができる。その結果、消費電力が少なくかつ発光寿命の長いフルカラー表示が得られる。
【0144】
(他の実施の形態)
発光層5のホスト材料としては、上記実施の形態において説明したものに限られず、例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム等の金属キレート化オキシノイド化合物、ジアリールブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、べンズオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、CBP、トリアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、オキサジアゾール系化合物、アントラセンやピレン、ペリレンなどの縮合環誘導体、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、ピリミジン、チオフェン、チオキサンテン等の複素環誘導体、ベンゾキノリノール金属錯体、ビピリジン金属錯体、ローダミン金属錯体、アゾメチン金属錯体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、フタルイミド誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、イミダゾール誘導体やオキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等のアゾール誘導体およびその金属錯体、ベンズオキサゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール等のベンズアゾール誘導体およびその金属錯体、トリフェニルアミン誘導体およびカルバゾール誘導体等のアミン誘導体、メロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体等の燐光材料、メポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ホリチオファン誘導体等を用いることができる。
【0145】
また、発光ドーパントとしては、例えば、アントラセン、ペリレン等の縮合多環芳香族炭化水素、7−ジメチルアミノ−4−メチルクマリン等のクマリン誘導体、ビス(ジイソプロピルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸イミド等のナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンおよびペンゾイルアセトンとフェナントロリン等を配位子とするEu錯体等の希土類錯体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニン等の金属フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ローダミン誘導体、デアザフラピン誘導体、クマリン誘導体、オキサジン化合物、チオキサンテン誘導体、シアニン色素誘導体、フルオレセイン誘導体、アクリジン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピロール誘導体、キナゾリン誘導体、ビロロピリジン誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体、ジアザフラビン誘導体、ピロメテン誘導体およびその金属錯体、フェノキサジン誘導体、フェノキサゾン誘導体、チアジアゾロピレン誘導体、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体、トリス(2-フェニルピリジル)イリジウム錯体、トリス[2-(2-チオフェニル)ピリジル]イリジウム錯体、トリス〔2-(2-ベンゾチオフェニル)ピリジル〕インジウム錯体、トリス(2-フェニルベンゾチアゾールミネッセンス)イリジウム錯体、トリス(2-フェニルベンゾオキサゾール)イリジウム錯体、トリスベンゾキノリンイリジウム錯体、ビス(2-フェニルピリジル)(アセテルアセトナート)イリジウム錯体、ビス[2-(2-チオフェニル)ピリジル]イリジウム錯体、ビス[2-(2-ベンゾチオフェニル)ピリジル](アセチルアセトナート)イリジウム錯体、ビス(2-フェニルベンゾチアゾール)(アセチルアセトナート)イリジウム錯体等を用いることができる。
【実施例】
【0146】
以下、実施例および比較例の有機EL素子を作製し、作製した有機EL素子の発光特性を測定した。
【0147】
(実施例1および比較例1,2の比較)
(実施例1)
実施例1においては、図1の構造を有し青色に発光する有機EL素子を次のように作製した。
【0148】
ガラスからなる基板1上にインジウム−スズ酸化物(ITO)からなるホール注入電極2を形成した。次に、ホール注入電極2上にプラズマCVD法によりCFX (フッ化炭素)からなるホール注入層3aを形成した。プラズマCVDにおけるプラズマ放電時間は15秒とした。
【0149】
さらに、ホール注入層3a上に、ホール輸送層4、発光層5、電子制限層6および電子輸送層7を真空蒸着により順に形成した。
【0150】
ホール輸送層4は、膜厚150nmのNPBからなる。発光層5は、膜厚30nmを有し、TBADNからなるホスト材料にTBPからなる発光ドーパントを1重量%添加することにより形成される。電子制限層6は、膜厚3nmのAlq3からなる。電子輸送層7は、膜厚7nmのBCPからなる。
【0151】
その後、電子輸送層7上に、1nmのフッ化リチウム膜および200nmのアルミニウム膜の積層構造からなる電子注入電極8を形成した。
【0152】
以上のようにして作製した有機EL素子の10mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標、発光効率および発光寿命を測定した。なお、実施例1および後述する比較例1,2における発光寿命は測定開始時の輝度3000cd/m2 が半減するまでの時間を測定したものである。
【0153】
その結果、実施例1の有機EL素子の駆動電圧は4.2Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.14,0.13)であり、発光効率は5.8cd/Aであり、発光寿命は130時間であった。
【0154】
(比較例1)
比較例1においては、電子制限層6の膜厚を10nmとし、電子輸送層7を設けなかった点を除いて、実施例1と同じ構造を有する有機EL素子を作製した。
【0155】
比較例1の有機EL素子の10mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標、発光効率および発光寿命を測定した。
【0156】
その結果、比較例1の有機EL素子の駆動電圧は6.2Vであり、CIE色度座標は(x、y)=(0.14、0.14)であり、発光効率は4.0cd/Aであり、発光寿命は150時間であった。
【0157】
(比較例2)
比較例2においては、電子輸送層7の膜厚を10nmとし、電子制限層6を設けなかった点を除いて、実施例1と同じ構造を有する有機EL素子を作製した。
【0158】
比較例2の有機EL素子の10mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標、発光効率および発光寿命を測定した。
【0159】
その結果、比較例2の有機EL素子の駆動電圧は3.8Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.14,0.13)であり、発光効率は5.4cd/Aであり、発光寿命は60時間であった。
【0160】
(評価)
表1に、実施例1、比較例1および比較例2の有機EL素子の各層の条件を示す。表2に、実施例1、比較例1および比較例2における駆動電圧、CIE色度座標、発光効率および発光寿命の測定結果を示す。
【0161】
【表1】

【0162】
【表2】

【0163】
表2に示すように、実施例1の有機EL素子の駆動電圧は比較例1の有機EL素子に比べて低くなっている。
【0164】
実施例1の有機EL素子においては、電子制限層6と電子注入電極8との間に高い電子移動度を有するBCPからなる電子輸送層7が設けられている。この電子輸送層7が電子の移動を促進し、実施例1の有機EL素子の駆動電圧が低くなったと考えられる。
【0165】
一方、比較例1の有機EL素子においては、高い電子移動度を有するBCPからなる電子輸送層7が設けられておらず、低い電子移動度を有するAlq3からなる電子制限層6のみが設けられている。この電子制限層6によって電子の移動が抑制され、比較例1の駆動電圧が高くなったと考えられる。
【0166】
ここで、実施例1の有機EL素子の発光効率は比較例1の有機EL素子に比べて高くなっている。さらに、実施例1の有機EL素子の発光寿命は比較例1の有機EL素子とほぼ等しくなっている。このように、実施例1の有機EL素子においては、BCPからなる電子輸送層7を設けることによる特性の低下はほとんどないと言える。
【0167】
また、表2に示すように、実施例1の有機EL素子の発光寿命は比較例2の有機EL素子に比べて十分に長くなっている。
【0168】
実施例1の有機EL素子においては、電子輸送層7と発光層5との間にAlq3からなる電子制限層6が設けられている。この電子制限層6によって電子輸送層7から発光層5へと注入される電子の移動が制限される。それにより、電子とホールとの再結合領域が電子注入電極8側へ移動し、ホールと再結合せずに発光層5を通り抜けてホール輸送層4に到達する電子が低減したと考えられる。その結果、ホール輸送層4の劣化を防止でき、実施例1の有機EL素子の発光寿命を長くすることができたと考えられる。
【0169】
一方、比較例2の有機EL素子には、電子制限層6が設けられていない。そのため、電子とホールとの再結合領域がホール注入電極2側に位置し、ホールと再結合せずに発光層5を通り抜けてホール輸送層4に到達する電子が増加したと考えられる。その結果、ホール輸送層4が劣化し、発光寿命が短くなったと考えられる。
【0170】
ここで、実施例1の有機EL素子の駆動電圧および発光効率は比較例3の有機EL素子とほぼ等しくなっている。このように、実施例1の有機EL素子においては、Alq3からなる電子制限層6を設けることによる特性の低下はほとんどないと言える。
【0171】
また、表2に示すように、実施例1の有機EL素子のCIE色度座標は比較例1および比較例2の有機EL素子とほぼ等しくなっている。
【0172】
以上のように、電子制限層6として電子移動度の低い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い材料を用い、電子輸送層7として電子移動度の高い材料を用いることにより、有機EL素子の発光特性を低下させることなく、駆動電圧を低くしかつ発光寿命を延ばすことができる。
【0173】
(実施例2〜5および比較例3の比較)
(実施例2)
実施例2においては、図2の構造を有する有機EL素子を次のように作製した。
【0174】
ガラスからなる基板1上にインジウム−スズ酸化物(ITO)からなるホール注入電極2を形成した。次に、ホール注入電極2上にプラズマCVD法によりCFX (フッ化炭素)からなるホール注入層3aを形成した。プラズマCVDにおけるプラズマ放電時間は15秒とした。
【0175】
さらに、ホール注入層3a上に、ホール輸送層4、橙色発光層5a、青色発光層5b、電子制限層6および電子輸送層7を真空蒸着により順に形成した。
【0176】
ホール輸送層4は、膜厚150nmのNPBからなる。橙色発光層5aは、膜厚60nmを有し、NPBからなるホスト材料にtBuDPNからなる第1のドーパントを10重量%添加し、DBzRからなる第2のドーパントを3重量%添加することにより形成される。
【0177】
青色発光層5bは、膜厚50nmを有し、TBADNからなるホスト材料にNPBからなる第1のドーパントを20重量%添加し、TBPからなる第2のドーパントを1重量%添加することにより形成される。
【0178】
電子制限層6は、膜厚3nmのAlq3からなる。電子輸送層7は、膜厚7nmのBCPからなる。
【0179】
その後、電子輸送層7上に、1nmのフッ化リチウム膜および200nmのアルミニウム膜の積層構造からなる電子注入電極8を形成した。
【0180】
以上のようにして作製した有機EL素子の10mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標および発光効率を測定した。
【0181】
その結果、実施例2の有機EL素子の駆動電圧は5.1Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.400,0.395)であり、発光効率は15.2cd/Aであった。
【0182】
(実施例3)
実施例3においては、電子制限層6の膜厚を5nmにした点を除いて実施例2と同じ有機EL素子を作製した。
【0183】
実施例3の有機EL素子の10mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標および発光効率を測定した。
【0184】
その結果、実施例2の有機EL素子の駆動電圧は5.5Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.354,0.366)であり、発光効率は14.1cd/Aであった。
【0185】
(実施例4)
実施例4においては、電子制限層6の材料をTBADNとした点を除いて実施例2と同じ有機EL素子を作製した。
【0186】
実施例4の有機EL素子の20mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標および発光効率を測定した。
【0187】
その結果、実施例4の有機EL素子の駆動電圧は5.2Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.392,0.390)であり、発光効率は13.6cd/Aであった。
【0188】
(実施例5)
実施例5においては、電子制限層6の材料をTBADNとした点を除いて実施例3と同じ有機EL素子を作製した。
【0189】
実施例5の有機EL素子の20mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標および発光効率を測定した。
【0190】
その結果、実施例4の有機EL素子の駆動電圧は5.7Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.332,0.331)であり、発光効率は12.4cd/Aであった。
【0191】
(比較例3)
比較例3においては、電子制限層6を設けなかった点を除いて実施例2と同じ有機EL素子を作製した。
【0192】
比較例3の有機EL素子の20mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標および発光効率を測定した。
【0193】
その結果、比較例3の有機EL素子の駆動電圧は4.5Vであり、CIE色度座標は(x,y)=(0.464,0.441)であり、発光効率は15.6cd/Aであった。
【0194】
(評価)
表3に、実施例2〜5および比較例3の有機EL素子の各層の条件を示す。表4に、実施例2〜5および比較例3における駆動電圧、CIE色度座標および発光効率の測定結果を示す。
【0195】
【表3】

【0196】
【表4】

【0197】
図5は、実施例2、実施例3および比較例3の発光スペクトルを示すグラフである。図5において、横軸は波長を示し、縦軸は相対強度を示す。
【0198】
図5に示すように、実施例2、実施例3および比較例3の有機EL素子の発光スペクトルは、450nm付近で第1のピーク値を示し、570nm付近で第2のピーク値を示す。
【0199】
ここで、実施例2の有機EL素子においては、第1のピーク値と第2のピーク値とがほぼ同じである。実施例3の有機EL素子においては、第1のピーク値が第2のピーク値に比べて大きい。比較例3の有機EL素子においては、第2のピーク値が第1のピーク値に比べて大きい。
【0200】
このように、電子制限層6の厚さによって、第1のピーク値に対する第2のピーク値の大きさが変化している。すなわち、電子制限層6の厚さを調整することによって、橙色発光層5aと青色発光層5bとの発光強度比を調整することができ、所望の白色光を得ることができる。
【0201】
また、表4に示すように、実施例2および実施例3の有機EL素子の駆動電圧は比較例3の有機EL素子に比べてほとんど上昇していない。また、実施例2および実施例3の有機EL素子の発光効率は比較例3とほぼ同じである。このことから、実施例2および比較例3の有機EL素子においては、Alq3からなる電子制限層6を設けたことによる特性の低下はほとんどないと言える。
【0202】
以上のように、電子制限層6として電子移動度の低い材料または最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルが低い材料を用い、電子輸送層7として電子移動度の高い材料を用いることにより、有機EL素子の発光特性を低下させることなく、駆動電圧を低くしかつ所望の発光色を得ることができる。
【0203】
また、表4に示すように、実施例4および実施例5の有機EL素子においても、色度座標が変化している。このことから、電子制限層6としてTBADNを用いる場合も、電子制限層6としてAlq3を用いる場合と同様に、電子制限層6の膜厚を調整することにより所望の発光色を得ることが可能であることが分かる。
【0204】
(実施例6,7および比較例4,5の比較)
(実施例6)
実施例6の有機LE素子が実施例1の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0205】
実施例6においては、ホール注入電極2とホール輸送層3aとの間にCuPc(銅フタロシアニン)からなるホール輸送層3bを真空蒸着により形成した。なお、ホール輸送層3bの膜厚は10nmであり、ホール輸送層3aの膜厚は1nmである。
【0206】
発光層5は、膜厚40nmを有し、NPBからなるホスト材料にtBuDPNからなる発光ドーパントを添加することにより形成した。この場合、発光層5は緑色に発光する。
【0207】
(実施例7)
実施例7の有機EL素子が実施例6の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0208】
実施例7においては、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに、発光層5上に膜厚10nmの電子制限輸送層67を真空蒸着により形成した。なお、電子制限輸送層67は、電子制限輸送層67全体に対してAlq3が20重量%含有されるように形成した。
【0209】
(比較例4)
比較例4の有機EL素子が実施例6の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0210】
比較例4においては、電子輸送層7を設けずに、電子制限層6の膜厚を10nmとした。
【0211】
(比較例5)
比較例5の有機EL素子が実施例6の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0212】
比較例5においては、電子制限層6を設けずに、電子輸送層7の膜厚を10nmとした。
【0213】
(評価)
実施例6,7および比較例4,5の有機EL素子の20mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率を測定した。なお、発光寿命は測定開始時の輝度1000cd/m2 が半減するまでの時間を測定したものである。
【0214】
表5に、実施例6,7および比較例4,5の有機EL素子の各層の条件を示す。表6に、実施例6,7および比較例4,5の有機EL素子の駆動電圧、CIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率の測定結果を示す。
【0215】
【表5】

【0216】
【表6】

【0217】
表6に示すように、実施例6の有機EL素子は比較例4の有機EL素子に比べて駆動電圧が大幅に低下するとともに発光効率、電力効率および外部量子効率が向上している。また、実施例6の有機EL素子の発光効率、電力効率および外部量子効率は比較例5の有機EL素子に比べてそれほど低下しておらず、駆動電圧もほとんど上昇していない。また、実施例6の有機EL素子の発光寿命は比較例5の有機EL素子に比べて大幅に向上している。すなわち、発光層5の材料としてNPBおよびtBuDPNを用いて緑色に発光させた場合にも、実施例1および実施例2の有機EL素子と同様の効果を得ることができた。この結果、電子制限層6を設けることは、発光層5の材料にかかわらず有効であると言える。
【0218】
また、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに電子輸送層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する電子制限輸送層67を設けた実施例7の有機EL素子においても、比較例4に比べて駆動電圧を低下させるとともに発光特性を向上させかつ比較例5に比べて発光寿命を向上させる効果を得られることが分かる。
【0219】
(実施例8,9および比較例6,7の比較)
(実施例8および実施例9)
実施例8および実施例9の有機EL素子が実施例7の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0220】
実施例8においては、発光層5のホスト材料としてNPBを用い、発光ドーパントとしてDBzRを用いた。これにより、実施例8の有機EL素子は橙色に発光する。なお、発光ドーパントの添加量は3重量%である。
【0221】
実施例9においては、発光層5のホスト材料としてAlq3を用い、発光ドーパントとしてDCJTBを用いた。これにより、実施例9の有機EL素子は赤色に発光する。なお、発光ドーパントの添加量は3重量%である。
【0222】
(比較例6および比較例7)
比較例6および比較例7の有機EL素子がそれぞれ実施例8および実施例9の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0223】
比較例6および比較例7においては、電子制限輸送層67の代わりにBCPからなる電子輸送層7を設けた。
【0224】
(評価)
実施例8,9および比較例6,7の有機EL素子の20mA/cm2 でのCIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率を測定した。なお、発光寿命は測定開始時の輝度1000cd/m2 が半減するまでの時間を測定したものである。
【0225】
表7に、実施例8,9および比較例6,7の有機EL素子の各層の条件を示す。表8に、実施例8,9および比較例6,7の有機EL素子のCIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率の測定結果を示す。
【0226】
【表7】

【0227】
【表8】

【0228】
表8に示すように、電子制限層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する電子制限輸送層67を設けた実施例8および実施例9の有機EL素子においても、それぞれ比較例6および比較例7の有機EL素子に比べて外部量子効率を大きく低下させることなく、発光寿命を向上させる効果を得られることがわかる。特に、実施例9の有機EL素子は比較例7の有機EL素子に比べて発光特性がほとんど低下していない。
【0229】
(実施例10〜12および比較例8,9の比較)
(実施例10)
実施例10の有機EL素子が実施例2の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0230】
実施例10においては、ホール注入電極2とホール輸送層3aとの間にCuPc(銅フタロシアニン)からなるホール輸送層3bを真空蒸着により形成した。なお、ホール輸送層3bの膜厚は10nmであり、ホール輸送層3aの膜厚は1nmである。
【0231】
橙色発光層5aは、膜厚10nmを有し、NPBからなるホスト材料にDBzRからなる発光ドーパントを3重量%添加することにより形成した。
【0232】
青色発光層5bは、膜厚40nmを有し、TBADNからなるホスト材料にTBPからなる発光ドーパントを添加することにより形成した。
【0233】
(実施例11)
実施例11の有機EL素子が実施例10の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0234】
実施例11においては、青色発光層5b上に電子輸送層7および電子制限層6を順に形成した。
【0235】
(実施例12)
実施例12の有機EL素子が実施例10の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0236】
実施例12においては、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに、青色発光層5b上に膜厚10nmの電子制限輸送層67を真空蒸着により形成した。なお、電子制限輸送層67は、電子制限輸送層67全体に対してAlq3が20重量%含有されるように形成した。
【0237】
(比較例8)
比較例8の有機EL素子が実施例10の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0238】
比較例8においては、電子輸送層7を設けずに、電子制限層6の膜厚を10nmとした。
【0239】
(比較例9)
比較例9の有機EL素子が実施例10の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0240】
比較例9においては、電子制限層6を設けずに、電子輸送層7の膜厚を10nmとした。
【0241】
(評価)
実施例10〜12および比較例8,9の有機EL素子の20mA/cm2 での駆動電圧、CIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率を測定した。なお、発光寿命は測定開始時の輝度5000cd/m2 が半減するまでの時間を測定したものである。
【0242】
表9に、実施例10〜12および比較例8,9の有機EL素子の各層の条件を示す。表10に、実施例10〜12および比較例8,9の有機EL素子の駆動電圧、CIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率の測定結果を示す。
【0243】
【表9】

【0244】
【表10】

【0245】
表10に示すように、実施例10の有機EL素子は比較例8の有機EL素子に比べて駆動電圧が大幅に低下するとともに発光効率、電力効率、および外部量子効率が向上している。また、実施例10の有機EL素子の発光効率、電子効率および外部量子効率は比較例9の有機EL素子とほぼ等しく、駆動電圧の上昇は比較的小さい。また、実施例10の有機EL素子の発光寿命は、比較例9の有機EL素子に比べて大幅に向上している。このことから、2つの発光層により白色発光を行う有機EL素子においても、電子制限層6を設けることにより、発光特性を低下させることなく、駆動電圧を低くしかつ発光寿命を延ばすことができることが分かる。
【0246】
また、実施例11の有機EL素子の発光特性は、実施例10の有機EL素子の発光特性とほぼ等しい。このことから、電子制限層6および電子輸送層7の配置を逆にした場合も同様の効果を得られることが分かる。
【0247】
また、電子制限層6および電子輸送層7の代わりに電子輸送層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する電子制限輸送層67を設けた実施例12の有機EL素子においても、比較例8に比べて駆動電圧を低下させるとともに発光特性を向上させかつ比較例9に比べて発光寿命を向上させる効果を得られることが分かる。
【0248】
(実施例13および比較例10の比較)
(実施例13)
実施例13の有機EL素子が実施例12の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0249】
実施例13においては、橙色発光層5aのホスト材料としてCBPを用い、発光ドーパントとしてIr(phq)3を用いた。なお、発光ドーパントの添加量は6重量%である。
【0250】
(比較例10)
比較例10の有機EL素子が実施例13の有機EL素子と異なるのは以下の点である。
【0251】
比較例10においては、電子制限輸送層67の代わりにBCPからなる電子輸送層7を設けた。
【0252】
(評価)
実施例13および比較例10の有機EL素子の20mA/cm2 でのCIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率を測定した。なお、発光寿命は測定開始時の輝度5000cd/m2 が半減するまでの時間を測定したものである。
【0253】
表11に、実施例13および比較例10の有機EL素子の各層の条件を示す。表12に、実施例13および比較例10の有機EL素子のCIE色度座標、発光効率、発光寿命、電力効率および外部量子効率の測定結果を示す。
【0254】
【表11】

【0255】
【表12】

【0256】
表12に示すように、実施例13の有機EL素子は比較例10の有機EL素子に比べて発光効率、電力効率および外部量子効率を大きく低下させることなく、発光寿命を向上させることができた。このことから、三重項発光材料を用いた有機EL素子においても、電子制限層6の材料と電子輸送層7の材料とが混在する電子制限輸送層67を設けることにより、発光特性を低下させることなく発光寿命を向上させることができることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【0257】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、各光源または表示装置等に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【0258】
【図1】第1の実施の形態に係る有機EL素子の一例を示す模式的断面図である。
【図2】第2の実施の形態に係る有機EL素子の一例を示す模式的断面図である。
【図3】第1の実施の形態に係る有機EL素子を用いた有機EL表示装置の一例を示す模式的断面図である。
【図4】図3の有機EL表示装置のA−A腺断面図である。
【図5】実施例2、実施例3および比較例3の発光特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【0259】
1 基板
2 ホール注入電極
3a,3b ホール注入層
4 ホール輸送層
5 発光層
6 電子制限層
7 電子輸送層
8 電子注入電極
100 有機エレクトロルミネッセンス素子



【特許請求の範囲】
【請求項1】
ホール注入電極と、
発光層と、
電子注入電極とを順に備え、
前記発光層と前記電子注入電極との間に電子の輸送を促進する電子輸送層と、電子の移動を制限する電子制限層とをさらに備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項2】
前記電子制限層は、前記発光層と前記電子輸送層との間に設けられることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項3】
前記電子制限層は、前記電子輸送層と前記電子注入電極との間に設けられることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項4】
前記電子制限層の最低空分子軌道のエネルギーレベルは、前記電子輸送層の最低空分子軌道のエネルギーレベルより低いことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項5】
前記電子制限層は式(1)で示される分子構造を有する有機化合物を含み、式(1)中のR1〜R3は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化1】

【請求項6】
前記電子制限層は式(2)で示される分子構造を有するトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウムを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化2】

【請求項7】
前記電子制限層は式(3)で示される分子構造を有する有機化合物を含み、式(3)中のR4〜R7は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化3】

【請求項8】
前記電子制限層はアントラセン誘導体を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項9】
前記電子制限層は式(4)に示される分子構造を有するターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセンを含むことを特徴とする請求項8記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化4】

【請求項10】
前記電子輸送層はフェナントロリン化合物を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項11】
前記電子輸送層は式(5)に示される分子構造を有する1,10-フェナントロリンまたはその誘導体を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化5】

【請求項12】
前記電子輸送層は式(6)に示される分子構造を有するフェナントロリン誘導体を含み、式(6)中のR8〜R11は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化6】

【請求項13】
前記電子輸送層は式(7)に示される分子構造を有する2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンを含むこと特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化7】

【請求項14】
前記電子輸送層は式(8)に示される分子構造を有するシロール誘導体を含み、式(8)中のR12〜R15は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、脂肪族置換基または芳香族置換基であることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化8】

【請求項15】
前記発光層は、ホスト材料と発光ドーパントとを含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項16】
前記ホスト材料は、アントラセン誘導体、アルミニウム錯体、ルブレン誘導体およびアリールアミン誘導体のいずれかを含むことを特徴とする請求項15記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項17】
前記発光ドーパントは三重項励起エネルギーを発光に変換しうる材料を含むことを特徴とする請求項15または16記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項18】
前記ホスト材料は、式(4)で示されるターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセンを含み、
前記発光ドーパントは式(9)で示される1,4,7,10-テトラ-ターシャリー-ブチルペリレンを含むことを特徴とする請求項15または16記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化9】

【化10】

【請求項19】
前記ホスト材料は式(10)で示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジンを含み、
前記発光ドーパントは式(11)で示される5,12-ビス(4-ターシャリー-ブチルフェニル)-ナフタセンを含むことを特徴とする請求項15または16記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化11】

【化12】

【請求項20】
前記発光層は、1または複数の層を含むことを特徴とする請求項1〜19のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項21】
前記発光層は、短波長発光層と長波長発光層とを含み、前記短波長発光層が発するピーク波長のうち少なくとも一つは500nmよりも小さく、前記長波長発光層が発するピーク波長のうち少なくとも一つは500nmよりも大きいことを特徴とする請求項20記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項22】
前記ホール注入電極と前記発光層との間にホールの輸送を促進するホール輸送層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜21のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項23】
前記ホスト材料と前記ホール輸送層とが同じ有機化合物であることを特徴とする請求項22記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項24】
前記ホール輸送層はアリールアミン誘導体を含むことを特徴とする請求項22または23記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項25】
前記ホール輸送層は式(10)で示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジンを含むことを特徴とする請求項22〜24のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化13】


【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate


【公開番号】特開2006−66872(P2006−66872A)
【公開日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−53718(P2005−53718)
【出願日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【出願人】(000001889)三洋電機株式会社 (18,308)
【Fターム(参考)】