有機発光装置および電子機器
【課題】有機半導体層で発生した熱を効率良く放熱することができ、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の有機発光装置は、第１の電極、第２の電極および有機半導体層４を備える複数の有機発光素子を有する装置本体１１と、装置本体１１に接合膜３２を介して接合されたカラーフィルター基板９とを有し、接合膜３２は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、接合膜３２は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、接合膜３２の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３２の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、装置本体１１とカラーフィルター基板９とを接合している。
【解決手段】本発明の有機発光装置は、第１の電極、第２の電極および有機半導体層４を備える複数の有機発光素子を有する装置本体１１と、装置本体１１に接合膜３２を介して接合されたカラーフィルター基板９とを有し、接合膜３２は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、接合膜３２は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、接合膜３２の表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、接合膜３２の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、装置本体１１とカラーフィルター基板９とを接合している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層（有機半導体層）を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
例えば、特許文献２には、図１６に示すように、基板９００上に画素電極９０１、発光層９０２および透明な対向電極９０３がこの順で設けられ、基板９００と反対側（対向電極９０３側）から、発光層９０２の発光光ｌ１〜ｌ８を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子（有機発光素子）９１０が提案されている。
【０００４】
このトップエミッション構造の有機ＥＬ素子９１０は、電極間の通電のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子や配線を基板９００側に設けることができることから、発光層９０２の開口率を高めて、消費電力の低電力化等を図ることができることから、着目され、実用化に向けて種々の研究がなされている。
ここで、このような有機ＥＬ素子９１０を複数備える表示装置（有機発光装置）９２０では、カラーフィルター９１２を備えるカラーフィルター基板９１１を対向電極９０３側に設け、発光光ｌ１〜ｌ８がカラーフィルター９１２を透過することにより、色調が変化（色変調）し、これにより、フルカラー画像表示を実現している。
また、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とは、端部に配置された図示しないスペーサを介して接合されている。この接合方法としては、例えば、接着剤での接着による方法を用いることができる。
【０００５】
しかしながら、スペーサを介し、接着剤により、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とを接合する場合、スペーサと対向電極９０３の間や、スペーサとカラーフィルター基板９１１の間に接着剤を供給する際の当該接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、接着剤層の厚さが不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、表示装置９２０が設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
また、有機ＥＬ素子９１０で発生した熱を効率良く放熱することができないという欠点もある。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】特開２００５−６２４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機半導体層で発生した熱を効率良く放熱することができ、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置では、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【０００９】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、装置本体およびカラーフィルター基板に対して、特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。
本発明の有機発光装置では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１３】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、装置本体とカラーフィルター基板との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、有機発光装置の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。また、接合膜の表面に生じる凹凸の高さを緩和することができ、被着体に対する密着性をより高めることができる。
【００１６】
本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【００１７】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００１８】
本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【００１９】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００２０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高い有機発光装置が得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有することが好ましい。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止することができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
【００２２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
また、バンクとカラーフィルター基板とが接合することによってカラーフィルターの有効領域が減少してしまうのを防止することができる。
【００２３】
本発明の有機発光装置では、前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、第２の電極、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
【００２４】
本発明の有機発光装置では、前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成したことが好ましい。
これにより、有機発光装置をより低電圧で駆動することが可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
バンクをかかる材料を主材料として構成することにより、バンクに優れた導電性を付与することができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置では、前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有することが好ましい。
これにより、ブラックマトリクスが設けられている領域から、有機発光素子からの光を、ブラックマトリクスの有機発光素子と反対側に取り出されるのを確実に防止することができる。これにより、有機発光装置により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００２６】
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極であることが好ましい。
これにより、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置では、前記各有機発光素子は、同色に発光するものであることが好ましい。
これにより、構成を簡素化することができる。
本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いトップエミッション構造の有機発光装置が得られる。
【００２８】
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高く、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができ、また、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でもフルカラー表示が可能となる有機発光装置を有する電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の有機発光装置の第１実施形態について説明する。
【００３０】
図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図、図３は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図、図６および図７は、それぞれ、第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
なお、以下の説明では、図１、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向して設けられたカラーフィルター基板９と、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との間に設けられたバンク３１とを有している。ＴＦＴ回路基板２０、各有機ＥＬ素子１およびバンク３１により、装置本体１１の主要部が構成され、カラーフィルター基板９（本実施形態では、ブラックマトリクス７）は、接合膜３２を介してその装置本体１１（本実施形態では、バンク３１）に接合されている。すなわち、装置本体１１とカラーフィルター基板９とは、これらの間に介在する接合膜３２を介して互いに接合されている。
【００３２】
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
以下、このＴＦＴ回路基板２０について説明する。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９（後述する陰極５）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が用いられ、これらの中でも比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００３３】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、各有機ＥＬ素子１が備える陽極３と陰極５における通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有するものであり、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
【００３４】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、互いに対向するように配置された一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える有機ＥＬ素子（有機発光素子）１が、それぞれ、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して複数設けられている。
【００３５】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線（導電部）２７により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の有機半導体層４は、一体的に形成されており、陰極５は、共通電極とされている。
【００３６】
以下、この有機ＥＬ素子１について説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、各有機ＥＬ素子１毎に設けられた個別の陽極（第１の電極）３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた共通の陰極（第２の電極）５と、陽極３と陰極５との間に設けられた共通の有機半導体層４とを有している。
【００３７】
陽極３は、有機半導体層（後述する発光層）４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３８】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を有機半導体層４において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００３９】
このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する有機半導体層４で発光した光が陽極３（有機ＥＬ素子１の後述するブラックマトリクス７と反対側の電極）側で吸収（吸光）されることなく、陰極５（後述するバンク３１）側に反射されて、カラーフィルター６を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、少なくとも陽極３の表面を構成することにより形成することができる。
【００４０】
一方、陰極５は、有機半導体層４に電子を注入する電極である。
この陰極５の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極５側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性（光透過性）を有する導電性材料が選択される。
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００４１】
陰極５の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
【００４２】
このような陰極５は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極５側から取り出すことができる。
前記陽極３と陰極５との間には、有機半導体層４が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層４は、発光層で構成される単層体となっている。
【００４３】
ここで、個別の陽極３と共通の陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、陽極３から発光層（有機半導体層４）に正孔が注入され、また、陰極５から電子が発光層に注入され、この発光層の個別に設けられた陽極３に対応する領域において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層の前記領域ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、各有機ＥＬ素子１（陽極３）の形状に対応して、有機半導体層（発光層）４が光を発光する。
【００４４】
発光層の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、複層体であってもよい。
【００４５】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１がいずれも白色光を発光するように構成され（同色に発光するように構成され）、この白色光を後述するカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂにそれぞれ透過させて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に色調を変換させ、表示装置１０のフルカラー表示が可能となっている。
ここで、白色光を発光する有機半導体層４としては、例えば、青色発光する１、１、４、４−テトラフェニル−１、３−ブタジエン（ＴＰＢ）と、赤色発光する（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびナイルレッドと、緑色発光するクマリン６とを組み合わせて構成したもの等が挙げられる。
【００４６】
発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層４は、本実施形態で示したような単層体の他、発光層を含む複数の層が積層された積層体であってもよい。
有機半導体層４をかかる構成とする場合、陽極３と発光層との間には、例えば、陽極３から注入された正孔を発光層まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この正孔輸送層と陽極３との間に、陽極３から正孔輸送層への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
【００４７】
また、陰極５と発光層との間には、例えば、陰極５から注入された電子を発光層まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この電子輸送層と陰極５との間に、陰極５から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４９】
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５１】
さて、カラーフィルター基板９は、上基板８と、この上基板８上に設けられたカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ同士を区画するブラックマトリクス７とで構成されている。
上基板８は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護層等として機能するものである。
このような上基板８を設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
【００５２】
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９すなわち上基板８側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板８は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような上基板８には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００５３】
上基板８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この上基板８の下には、各有機ＥＬ素子１に対応するように、それぞれ、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。
複数のカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、赤色のカラーフィルター６Ｒと、緑色のカラーフィルター６Ｇと、青色のカラーフィルター６Ｂとで構成され、図２に示すように、マトリクス状に配設された３つのカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（三原色）が１組となって１画素（ピクセル）を構成する。
【００５４】
ここで、有機ＥＬ素子１から発光された光（白色光）は、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを透過して、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出されるが、この際、各白色光は、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応した色に色調が変換されることとなる。
なお、以下では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称してカラーフィルター６ということもある。
【００５５】
このようなカラーフィルター６には、例えば、前述したような透明な樹脂材料やレジスト材料を主材料として構成され、この主材料を着色する着色剤を含む（添加した）ものを用いることができる。
レジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等のネガ型フォトレジストや、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等のポジ型フォトレジストが挙げられる。
また、着色剤としては、例えば、染料または顔料を用いることができるが、耐光性および耐候性の観点から、微粒子状の顔料を用いることが好ましい。
【００５６】
カラーフィルター６Ｒに用いられる赤色の顔料としては、例えば、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料およびイソインドリン系顔料等が、カラーフィルター６Ｇに用いられる緑色の顔料としては、例えば、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料およびイソインドリノン系の顔料等が、カラーフィルター６Ｂに用いられる青色の顔料としては、例えば、銅フタロシアニン系顔料、インダンスレン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料およびジオキサジン系顔料等がそれぞれ挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
カラーフィルター６の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５７】
また、隣接するカラーフィルター６同士の間（バンク３１の各有機ＥＬ素子１と反対側）には、ブラックマトリクス７が設けられている。ブラックマトリクス７の平面視での形状は、格子状をなしており、隣接するカラーフィルター６同士は、このブラックマトリクス７により区画されている。
ブラックマトリクス７は、光の透過を阻止する（遮光）機能を有している。そのため、カラーフィルター基板９を、ブラックマトリクス７を備える構成とすることより、ブラックマトリクス７が設けられている領域から、有機ＥＬ素子１からの光を、上基板８（ブラックマトリクス７）の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出される（出射する）のを確実に防止することができる。これにより、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００５８】
このようなブラックマトリクス７は、例えば、カーボンやチタン等を分散させた透明な樹脂またはレジスト層の他、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎおよびＴｉ等で構成されている。
ブラックマトリクス７は、カラーフィルター６と連続した平滑面で構成されているのが好ましく、その平均厚さは、カラーフィルター６と同様に、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
また、カラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）とＴＦＴ回路基板２０（有機ＥＬ素子１）との間には、バンク３１が設けられている。
【００５９】
図１に示すように、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなし（バンク３１の平面視での形状は、格子状をなし）、陰極５上に形成されており、バンク３１上に形成された接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合されている。換言すれば、バンク３１は、その一端側、すなわち基部３１１が、接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合され、その他端側、すなわち頂部３１２が陰極５に接合されている。これにより、有機ＥＬ素子１とカラーフィルター６との間には、バンク３１により区画される空間３６が形成されている。
【００６０】
接合膜３２は、エネルギー付与前において、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。そして、この接合膜３２は、エネルギーを付与したことにより、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、これにより接合膜３２の表面に接着性が発現し、その接着性によって、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とを接合している。
【００６１】
このような接合膜３２は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このような構造の接合膜３２は、その厚さを薄くしても十分な接合強度が得られる。このため、接合膜３２は、十分に薄いにもかかわらず、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、さらに、前記のように、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができる。
【００６２】
ここで、仮にバンク３１を設けない場合、他の条件によっては、隣接する有機ＥＬ素子からの光が混ざり合うクロストーク現象が生じ、これに起因して、表示装置により表示される画像に色ムラが生じてしまう場合がある。
これに対して、表示装置１０では、バンク３１を設けたので、このバンク３１が各有機ＥＬ素子１を区画する遮光板として機能して、特定の空間３６から隣接する空間３６への光の漏れ出しを確実に防止することができる。その結果、表示装置１０では、クロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを防止することができる。
【００６３】
また、バンク３１を設けることにより、カラーフィルター６を有機ＥＬ素子１に対して近づけることや、ブラックマトリクス７の形成領域を大きくする必要がなくなるので、カラーフィルター６の開口率を大きく設定することが可能となる。
【００６４】
また、本実施形態では、バンク３１の内側の面を、有機ＥＬ素子１からの光を反射し得る反射面で構成した。そのため、図１に示すように、有機ＥＬ素子１からの光のうち、対応するカラーフィルター（開口部）６から外れた方向に向かう光Ｌ１を、バンク３１の内面（反射面）で反射して、カラーフィルター６内に誘導する（導く）ことができる。その結果、光Ｌ２とともにカラーフィルター６を透過させて、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出すことができるようになる。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度、光の取り出し効率の向上を図ることとができるとともに、表示装置１０の低消費電力化および長寿命化を実現することができる。
【００６５】
本実施形態では、バンク３１は、図２に示すように、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなしており、隣り合うバンク３１同士と一体的に設けられている。
なお、バンク３１は、有機ＥＬ素子１を取り囲むように設けられていればよく、その枠の形状は、本実施形態のような四角形の環状の他、例えば、円形、楕円形、五角形、六角形等の多角形等の環状ように、いかなるものであってもよい。
【００６６】
また、図示の構成では、バンク３１の幅（図１に示す長さＷ）は、バンク３１の厚さ方向（上下方向）に沿って一定であるが、バンク３１は、有機ＥＬ素子１側に向かって（基部３１１から頂部３１２に向かって）、その幅が小さくなる部分を有しているのが好ましい。すなわち、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が小さくなる部分を有しているのが好ましい。これにより、後述する表示装置１０の製造方法において、アライメントの精度が低い場合等においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１と接触することなく、有機ＥＬ素子１を取り囲むようにバンク３１により区画することができる。
【００６７】
具体的には、バンク３１の有機ＥＬ素子１と反対側の面と、バンク３１の内面とのなす角度（図１に示す角度θ）は、図示の構成では９０°であるが、６０°以上、９０°未満であるのが好ましく、７０°以上、９０°未満であるのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前述したような効果を確実に発揮させることができる。
なお、前記角度θは、９０°を超えていてもよく、また、６０°未満であってもよいことは、言うまでもない。
【００６８】
また、バンク３１は、その内面の反射率が、好ましくは６０〜９９．８％程度、より好ましくは９０〜９９．８％程度となっている。これにより、バンク３１に入射（到達）した光Ｌ１がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。その結果、光Ｌ１がバンク３１の内面で反射して、カラーフィルター６を確実に透過することとなる。
【００６９】
かかる関係を満足するバンク３１とするには、その内面の表面粗さＲａをできるだけ小さく設定するのが好ましい。
具体的には、バンク３１は、その構成材料の種類によっても若干異なるが、内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であるのが好ましく、８０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１の内面は、特に高い反射率を有するものとなる。
【００７０】
また、本実施形態では、カラーフィルター（開口部）６の面積（開口面積）は、陽極３および陰極５（有機ＥＬ素子１が備える一対の電極）のうち、その面積が小さい陽極３よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ素子１からの光を、空間３６内で反射させることなく確実に上基板８の上側（バンク３１と反対側）に取り出すことができる。
具体的には、陽極３の平面積（平面積が小さい方の平面積）をＡ［μｍ２］とし、カラーフィルター６の面積（開口面積）をＢ［μｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足するのが好ましく、１．０〜１．２なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７１】
バンク３１の平均高さは、特に限定されないが、１〜３５μｍ程度とするのが好ましく、５〜１５μｍ程度とするのがより好ましい。これにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、有機ＥＬ素子１からの光を、確実に上基板８の上側に取り出すことができる。
また、本実施形態のように、カラーフィルター６が平面視で四角形状をなす場合には、このバンク３１の平均高さをＣ［μｍ］とし、カラーフィルター（開口部）６の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足するのが好ましく、０．３３〜３なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、上基板８の上側に出射される光の方向を、有機ＥＬ素子１の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。
【００７２】
さらに、有機ＥＬ素子１とブラックマトリクス７との間の空間３６が封止されており、この空間３６には、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスが充填されているのが好ましい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１が備える有機半導体層４等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
ここで、バンク３１は、導電性材料、半導体材料および絶縁材料のうちのいずれで構成してもよいが、特に、導電性材料で構成されるのが好ましい。
【００７３】
前述したように、本実施形態では、一対の電極のうちカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）側の陰極５を共通電極で構成し、この陰極（共通電極）５にバンク３１を接触するように設けている。これにより、陰極５全体として抵抗値の低減（電気伝導度の向上）を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することが可能となる。
かかる構成は、陰極５を前述したＩＴＯのような比較的抵抗値の大きい導電性材料で構成した場合に、特に有効である。
【００７４】
このような導電性材料としては、各種の金属材料や導電性樹脂材料等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。バンク３１をかかる材料を主材料として構成することにより、バンク３１に優れた導電性および伝熱性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。
なお、バンク３１の一部、例えば、内面付近を選択的に導電性材料、特に、前記金属材料で構成し、その導電性材料（金属材料）で構成された部位を陰極５に接触させるようにしてもよい。かかる構成によっても、前記と同様の効果が得られる。
【００７５】
以上のように、バンク３１に陰極５全体としての抵抗値を低減させる機能を付与することにより、このような機能を有する補助陰極を、陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に形成する必要がないことから、後述する表示装置１０の製造方法（工程［２−Ｂ］）で示すように、マスクを用いることなく１回の工程で、有機半導体層４を一体的に形成することができる。その結果、有機半導体層４を形成するための工程数の削減を図ることができる。
【００７６】
ここで、バンク３１は、優れた伝熱性を有しており、特に、導電性材料で構成した場合は、優れた導電性および伝熱性を有している。また、仮に接着剤を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とを接合した場合は、接着剤層により伝熱性が大幅に低下してしまうが、この表示装置１０では、優れた伝熱性を有する接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間において伝熱性が低下してしまうのを防止することができる。これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【００７７】
次に、接合膜３２について説明する。
接合膜３２のエネルギーを付与する前の状態は、図３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３２にエネルギーを付与すると、図４に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３２により、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが接合されている。
【００７８】
このような接合膜３２は、前述したように、十分に薄くしても、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。そして、前述したように、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体１１とカラーフィルター基板９との接合強度をさらに高くすることができる。
【００７９】
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、また、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができ、これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【００８０】
また、接合膜３２は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、表示装置１０が高温下に曝されたとしても、接合膜３２の変質・劣化を確実に防止することができ、バンク３１からカラーフィルター基板９が剥がれてしまうのを確実に防止することができる。
また、このような接合膜３２は、流動性を有しない固体状のものである。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜３２を用いて製造された表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。特に、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、各有機ＥＬ素子１とカラーフィルター基板９との間の距離を均一にすることができる。
【００８１】
また、接合膜３２を用いることにより、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にする。また、このような接合により、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
このような接合膜３２としては、特に、接合膜３２を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３２は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３２自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３２は、接合される各部に対して特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。
【００８２】
また、接合膜３２中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述した化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３２の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００８３】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３２に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００８４】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。
【００８５】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００８６】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜３２の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００８７】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００８８】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３２は、接着性に特に優れることから、表示装置１０に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００８９】
また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００９０】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜３２が設けられたバンク３１に対してカラーフィルター基板９を貼り合わせた際に、これらの密着性をより高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００９１】
次に、接合膜３２を作製する方法、およびこの方法を含む表示装置１０の製造方法について説明する。
［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【００９２】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００９３】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００９４】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【００９５】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００９６】
［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に有機ＥＬ素子１を形成する。
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【００９７】
［２−Ｂ］次に、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６を覆うように、有機半導体層（発光層）４を一体的に形成する。
この有機半導体層４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。これらの中でも、有機半導体層４の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して、有機半導体層４は、液相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００９８】
具体的には、有機半導体層形成用の液状材料を、液相プロセスを用いて、有機半導体層４を形成する領域、すなわち、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
【００９９】
用いる液状材料は、前述したような発光材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１００】
なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１が白色光を発光し、カラーフィルター６により、その光の色調を変換する構成となっていることから、各陽極３および各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６の全面に、有機半導体層４を一体的に形成することができる。
そのため、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スピンコート法（パイロゾル法）、スプレーコート法等を用いた液相プロセス等が好適に用いられる。
また、このように本実施形態では、マスクを用いる必要がないことから、例えば、マスクの形成工程および除去工程等を省略できるため、表示装置１０の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。
【０１０１】
［２−Ｃ］次に、有機半導体層（発光層）４上に、すなわち、有機半導体層４の陽極３と反対側に、各陽極３に共通の陰極５を形成する。
この陰極５は、例えば、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により形成することができる。
なお、これらの方法は、陰極５の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
なお、本実施形態では、有機半導体層４の全面に、陰極５を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スパッタ法、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
【０１０２】
［３］次に、陰極５上に、カラーフィルター基板９のブラックマトリクス７とほぼ同じパターンとなるように、すなわち、各有機ＥＬ素子１を取り囲み（区画し）、各有機ＥＬ素子１が露出するように、バンク３１を形成する。
［３−Ａ］まず、図６（ａ）に示すように、陰極５を覆うように、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により、バンク３１の構成材料により主として構成されるバンク形成膜３１’を形成する。
なお、これらの方法は、バンク３１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。例えば、バンク３１を前述したような導電性材料を主材料として構成する場合、バンク形成膜３１’を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等を用いた気相プロセスが好適に選択される。
【０１０３】
［３−Ｂ］次に、図６（ｂ）に示すように、バンク３１を形成する領域、すなわち、有機ＥＬ素子１が設けられていない領域に対応するレジスト層３８をバンク形成膜上に形成する。
このレジスト層３８は、バンク３１の形状に対応するフォトマスクを用いて、後述する工程［５−Ａａ］と同様にして得ることができる。
【０１０４】
［３−Ｃ］次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト層３８をマスクとして用いて、ウェットエッチング法によりバンク形成膜の不要部分を除去して、各有機ＥＬ素子１を露出させる。その後、図６（ｄ）に示すように、レジスト層３８を除去することによりバンク３１を形成する。以上のようにして、装置本体１１が得られる。
なお、ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、特に限定されないが、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【０１０５】
［４］次に、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上に接合膜３２を形成する。
なお、本工程［４］は、次の工程［５］の後に説明する。
［５］次に、カラーフィルター基板９を用意する。
［５−Ａ］まず、上基板８を用意し、図７（ａ）に示すように、上基板８上に、カラーフィルター６を形成する。
【０１０６】
［５−Ａａ］まず、上基板８上に、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、カラーフィルター６を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成する。
このレジスト層は、上基板８上に、レジスト材料を液相プロセスにより供給した後に、このレジスト材料を形成するカラーフィルター６の形状に対応するフォトマスクを介してｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよく、カラーフィルター６の構成材料で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１０７】
［５−Ａｂ］次に、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部にカラーフィルター形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給して乾燥した後、レジスト層を除去することによりカラーフィルター６を形成することができる。
また、カラーフィルター形成用の液状材料は、前述したようなカラーフィルター６の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【０１０８】
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を開口部に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応する各色毎の液状材料を容易に塗り分けすることができる。
なお、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【０１０９】
［５−Ｂ］次に、図７（ｂ）に示すように、各カラーフィルター６同士の間、すなわち、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス７を形成する。
このブラックマトリクス７は、例えば、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給した後、乾燥することにより得ることができる。
また、ブラックマトリクス形成用の液状材料は、前述したようなブラックマトリクス７の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【０１１０】
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を上基板８が露出する領域に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、上基板８が露出する領域の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、液状材料のムダを省くことができるとともに、カラーフィルター６の上面にブラックマトリクス７の構成材料が付着するのを確実に防止することができる。
なお、本工程［５］は、前記工程［４］の後に限らず、例えば、前記工程［１］の前、前記工程［１］と前記工程［２］の間、前記工程［２］と前記工程［３］の間等、いずれの段階で行ってもよい。
【０１１１】
次に、前記工程［４］、すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成する方法について説明する。
このような接合膜３２は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギー付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３２を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３２は、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製され、エネルギーが付与される前の接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
ここでは、接合膜３２をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、接合膜３２の形成方法を説明するのに先立って、接合膜３２を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３２の形成方法について説明する。
【０１１２】
図５に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、装置本体１１を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
【０１１３】
図５に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
【０１１４】
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０は、板状をなしており、装置本体１１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図５に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【０１１５】
第１の電極１３０の装置本体１１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図５に示すように、装置本体１１を鉛直方向に沿って支持することができる。また、装置本体１１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で装置本体１１をプラズマ処理に供することができる。
【０１１６】
第２の電極１４０は、装置本体１１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
【０１１７】
図５に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１１８】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して装置本体１１のバンク３１の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【０１１９】
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
【０１２０】
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による装置本体１１の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１２１】
次に、バンク３１に、接合膜３２を形成する方法について説明する。
［４−Ａ］まず、装置本体１１をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
【０１２２】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【０１２３】
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物がバンク３１上に付着・堆積する。これにより、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３２が形成される。
なお、ここでは、装置本体１１の上面のうち、バンク３１の上面のみに部分的に接合膜３２を形成するので、例えば、バンク３１に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜３２を成膜する。
【０１２４】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３２は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１２５】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【０１２６】
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３２の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３２の厚さを容易に調整することができる。このため、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の距離を厳密に制御することができる。
また、装置本体１１の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜３２を得ることができる。
【０１２８】
［４−Ｂ］次に、バンク３１上に形成した接合膜３２に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜３２では、図３に示す脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面３２０に、カラーフィルター基板９との接着性が発現する。
【０１２９】
ここで、接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する方法、（II）接合膜３２を加熱する方法、（III）接合膜３２に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
【０１３０】
このうち、接合膜３２にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【０１３１】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３２の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３２に接着性を発現させることができる。
【０１３２】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３２の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３２との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１３３】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３２の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３２の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３２の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１３４】
一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
また、接合膜３２に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１３５】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３２に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による装置本体１１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３２から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３２とカラーフィルター基板９との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１３６】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３２の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３２の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３２に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１３７】
（II）接合膜３２を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、装置本体１１等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３２を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜３２の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１３８】
また、接合膜３２は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、接合される部材間の熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜３２を加熱すればよいが、これらの熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１３９】
（III）本実施形態では、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせる前に、接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、これらを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成した後、エネルギーを付与する前に、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜３２に対してエネルギーを付与することにより、接合膜３２に接着性が発現し、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがそれぞれ接合（接着）される。
【０１４０】
この場合、仮接合体中の接合膜３２に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜３２に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、接合される部材同士が互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３２に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３２に十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、接合される部材の各構成材料によっては、部材に損傷等が生じるおそれがある。
【０１４１】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、接合される部材間は、まだ接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、接合される部材の相対位置を微調整することにより、最終的に得られる表示装置１０の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【０１４２】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜３２にエネルギーを付与することができる。
なお、接合膜３２の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜３２の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、接合される部材間の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【０１４３】
ここで、前述したように、エネルギーが付与される前の状態の接合膜３２は、図３に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３２にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。
【０１４４】
ここで、接合膜３２を「活性化させる」とは、接合膜３２の表面３２０および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【０１４５】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３２に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【０１４６】
［６］次に、バンク３１上に接合膜３２が形成された装置本体１１と、カラーフィルター基板９とを接合膜３２を介して接合させて表示装置１０を得る。
［６−Ａ］まず、接着性が発現してなる接合膜３２とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが密着するように、これらを貼り合わせる。これにより、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが、接合膜３２を介して接合（接着）される。そして、各有機ＥＬ素子１がバンク３１により取り囲まれるような形態となり、空間３６が形成される。
【０１４７】
なお、この工程は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、空間３６内に不活性ガスを確実に充填することができる。
各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応した状態、すなわち、接合膜３２（バンク３１）とブラックマトリクス７とが対応した状態で、接合膜３２とブラックマトリクス７とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。
【０１４８】
ここで、上記のようにして接合されるバンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる表示装置１０において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【０１４９】
また、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、これらを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１５０】
具体的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差にもよるが、バンク３１とカラーフィルター基板９の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、これらを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、表示装置１０における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１５１】
また、この場合、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜３２を用いることにより、上述したような低温下でも、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。
また、バンク３１とカラーフィルター基板９とは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
【０１５２】
なお、バンク３１（装置本体１１）の接合膜３２を成膜する領域、すなわち、バンク３１の上面には、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
【０１５３】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３２を形成するために、バンク３１の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施すバンク３１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、バンク３１の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３２の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られるバンク３１の構成材料としては、例えば、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【０１５４】
このような材料で構成されたバンク３１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成されたバンク３１を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２とを強固に密着させることができる。
なお、この場合、バンク３１の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３２を成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【０１５５】
さらに、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
【０１５６】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
また、表面処理に代えて、バンク３１の少なくとも接合膜３２を成膜する領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３２との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介してバンク３１上に接合膜３２を成膜することにより、バンク３１と接合膜３２との接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわち表示装置１０を得ることができる。
【０１５７】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度を特に高めることができる。
【０１５８】
一方、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域、すなわち、ブラックマトリクス７の下面にも、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
なお、この表面処理には、バンク３１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１５９】
また、表面処理に代えて、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域に、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述のバンク３１に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１６０】
ここで、本工程において、接合膜３２が形成されたバンク３１と、カラーフィルター基板９とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、カラーフィルター基板９のバンク３１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが接触するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、接合膜３２の表面３２０に存在する水酸基と、カラーフィルター基板９の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３２とカラーフィルター基板９との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがより強固に接合されると推察される。
【０１６１】
なお、前記工程［４−Ｂ］で活性化された接合膜３２の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［４−Ｂ］の終了後、できるだけ早く本工程［６］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［４−Ｂ］の終了後、６０分以内に本工程［６］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３２の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合されたバンク３１とカラーフィルター基板９との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い表示装置１０が得られる。
【０１６２】
［６−Ｂ］次に、ＴＦＴ回路基板２０およびカラーフィルター基板９の縁部に、これらの縁部において形成される間隙を封止する封止部（図示せず）を形成する。
封止部は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、インクジェット法のような液相プロセス等により封止部を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。
【０１６３】
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。
なお、上記では、バンク３１上に成膜された接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように貼り合わせる場合について説明しているが、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とバンク３１とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせるようにしてもよい。
【０１６４】
また、接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９の双方に成膜されていてもよい。この場合、バンク３１上に成膜された接合膜３２と、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせることにより、これらをより強固に接合することができる。
また、表示装置１０を得た後、この表示装置１０に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［７Ａ］および［７Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（表示装置１０の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１６５】
［７Ａ］得られた表示装置１０を圧縮するように、具体的には、装置本体１１とカラーフィルター基板９とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、バンク３１およびカラーフィルター基板９の表面と、これらに隣接する接合膜３２の表面とが、それぞれより近接し、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。
【０１６６】
また、表示装置１０を加圧することにより、表示装置１０中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をさらに高めることができる。
なお、この圧力は、表示装置１０の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、表示装置１０の各部の構成材料によっては、表示装置１０に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、表示装置１０を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６７】
［７Ｂ］得られた表示装置１０を加熱する。
これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。
このとき、表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１６８】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
なお、前記工程［７Ａ］、［７Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、表示装置１０の接合強度を特に高めることができる。
【０１６９】
以上のような工程を行うことにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなす場合について説明したが、このような場合に限定されず、隣接するカラーフィルター６のうち同一のカラーフィルター同士（例えば、カラーフィルター６Ｂ同士）の間に対応する位置において、バンクの形成を省略するようにしてもよい。
【０１７０】
また、バンク３１を、接合膜３２と同様の構成材料で構成してもよい（接合膜３２と同様に、エネルギーを付与することにより接着性が発現するように構成してもよい）。
また、本実施形態では、光Ｌ１および光Ｌ２を陰極５側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に本発明の有機発光装置を適用した場合について説明したが、本発明では、このような場合に限定されず、例えば、光Ｌ１および光Ｌ２を陽極３（ＴＦＴ回路基板２０）側から取り出すボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を備える表示装置に本発明の有機発光装置を適用することもできる。この場合には、例えば、陽極３の下側、すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の下側に、カラーフィルター基板９およびバンク３１を設けるようにすればよい。
【０１７１】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図９は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１０は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１１は、図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
なお、以下の説明では、図８〜図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１７２】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１７３】
すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３２は、図８に示すように、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、図９に示す活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１７４】
以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１７５】
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１７６】
また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。
【０１７７】
また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３２の表面３２０付近に存在していればよく、接合膜３２のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３２の表面３２０付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面３２０付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３２に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３２に、接合を担う機能の他に、導電性および透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３２の導電性および透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
【０１７８】
以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１７９】
このうち、遷移金属は、最外殻電子がｄ軌道またはｆ軌道に位置しており、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。
【０１８０】
また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｂのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１８１】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３２中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。
【０１８２】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１８３】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、バンク３１とカラーフィルター基板９との接着性をより高度なものとすることができる。
【０１８４】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１８５】
以上のことを考慮すると、接合膜３２としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３２は、バンク３１に対して特に強固に接着するとともに、カラーフィルター基板９に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。
【０１８６】
また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１８７】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせた際に、接合膜３２のカラーフィルター基板９に対する密着性を高めることができる。
【０１８８】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、接合膜３２のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３２の表面３２０付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１８９】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、バンク３１上に接合膜３２を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞ Ａの方法では、接合膜３２は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料をバンク３１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３２のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１９０】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３２を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、カラーフィルター基板９に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、光表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１９１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１９２】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３２を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３２を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、バンク３１上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００について説明する。
【０１９３】
図１０に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３２の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー８１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【０１９４】
また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１９５】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１１に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、イオン発生室８５６には、図１０に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。
【０１９６】
このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。
【０１９７】
イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。
【０１９８】
また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、接合膜３２の成膜速度をより速くすることができる。
【０１９９】
また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット８１６、装置本体１１および接合膜３２が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２００】
また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして接合膜３２が形成される。
まず、装置本体１１を用意し、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
【０２０１】
次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０２０２】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０２０３】
次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０２０４】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が装置本体１１のバンク３１上に堆積することにより、接合膜３２が形成される。
【０２０５】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３２を成膜することができる。
【０２０６】
＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、接合膜３２は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。
【０２０７】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０２０８】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、バンク３１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０２０９】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０２１０】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３２の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０２１１】
［ｉ］ まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０２１２】
［iii］ 次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０２１３】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、装置本体１１のバンク３１上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０２１４】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０２１５】
［iv］ 次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、装置本体１１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０２１６】
［v］ 次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３２が形成される。
【０２１７】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０２１８】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０２１９】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３２０付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３２を成膜することができる。
【０２２０】
以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
【０２２１】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第３実施形態について説明する。
図１２は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２２２】
以下、第３実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０２２３】
すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３２から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０２２４】
以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、バンク３１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の接合手が切れて接合膜３２の少なくとも表面３２０付近から脱離し、図９に示すように、接合膜３２の少なくとも表面３２０付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３２が形成されたバンク３１は、ブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０２２５】
また、接合膜３２は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【０２２６】
さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０２２７】
また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。
また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０２２８】
以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０２２９】
このうち、遷移金属は、前述したように、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。
【０２３０】
また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＣｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。さらに、接合膜３２を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３２を成膜することができる。
【０２３１】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３２から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０２３２】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。
【０２３３】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０２３４】
また、かかる構成の接合膜３２において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３２を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０２３５】
また、接合膜３２の平均厚さは、０．２〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０２３６】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせた際に、接合膜３２のカラーフィルター基板９に対する密着性を高めることができる。
【０２３７】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３２を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３２を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３２を形成することができる。
【０２３８】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法により、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０２３９】
図１２に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３２の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２４０】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、装置本体１１および接合膜３２が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２４１】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、ガス供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
【０２４２】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３２を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３２が成膜される。
【０２４３】
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３２に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３２を成膜することができる。その結果、この接合膜３２は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２４４】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにしてバンク３１上に接合膜３２が形成される。
【０２４５】
［ｉ］ まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２４６】
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２４７】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３２の種類、すなわち、接合膜３２を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３２を成膜することができる。
【０２４８】
［iii］ 次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２４９】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、バンク３１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、バンク３１上に接合膜３２を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３２をバンク３１上に形成することができる。
【０２５０】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３２を確実に形成することができる。
【０２５１】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、バンク３１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。
【０２５２】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３２を成膜することができる。
以上のように、接合膜３２を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３２を成膜することができる。
【０２５３】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３２に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３２を成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
【０２５４】
＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５５】
図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５６】
図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０２５７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０２５９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０２６０】
なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０２６１】
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０２６２】
なお、前記実施形態では、接合膜は、それを成膜する際、装置本体およびカラーフィルター基板のうちの装置本体に成膜されるようになっているが、本発明では、これに限定されず、例えば、装置本体およびカラーフィルター基板の双方に成膜されてもよく、また、カラーフィルター基板に成膜されてもよい。
また、前記実施形態では、装置本体のうちのバンクと、カラーフィルター基板のブラックマトリクスとが接合膜を介して接合されるようになっているが、本発明では、これに限定されない。すなわち、装置本体側の接合部位（接合箇所）は、バンク以外の部位であってもよく、また、カラーフィルター基板側の接合部位は、ブラックマトリクス以外の部位であってもよい。
また、本発明では、バンクは省略されていてもよい。
また、本発明では、陽極の位置と陰極との位置とを、前記実施形態と逆にしてもよい。すなわち、本発明は、基板上に陰極、有機半導体層、陽極がこの順で積層されている構成の有機ＥＬ素子（有機発光素子）を備える有機発光装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２６３】
【図１】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図である。
【図３】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図７】第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図９】第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１０】第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１２】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１６】従来の有機発光装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０２６４】
１……有機ＥＬ素子 ３……陽極 ３１……バンク ３１１……基部 ３１２……頂部 ３１’……バンク形成膜 ３２……接合膜 ３２０……表面 ３６……空間 ３８……レジスト層 ４……有機半導体層 ５……陰極 ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……カラーフィルター ７……ブラックマトリクス ８……上基板 ９……カラーフィルター基板 １０……表示装置 １１……装置本体 ２０……ＴＦＴ回路基板 ２１……基板 ２２……回路部 ２３……下地保護層 ２４……駆動用ＴＦＴ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２５……第１層間絶縁層 ２６……第２層間絶縁層 ２７……配線 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……排気ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ４００……成膜装置 ４１１……チャンバー ４１２……基板ホルダー ４２１……シャッター ４３０……排気手段 ４３１……排気ライン ４３２……ポンプ ４３３……バルブ ４６０……有機金属材料供給手段 ４６１……ガス供給ライン ４６２……貯留槽 ４６３……バルブ ４６４……ポンプ ４６５……ガスボンベ ４７０……ガス供給手段 ４７１……ガス供給ライン ４７３……バルブ ４７４……ポンプ ４７５……ガスボンベ ８００…成膜装置 ８１１…チャンバー ８１２…基板ホルダー ８１５…イオン源 ８１６…ターゲット ８１７…ターゲットホルダー ８１９…ガス供給源 ８２０…第１のシャッター ８２１…第２のシャッター ８３０…排気手段 ８３１…排気ライン ８３２…ポンプ ８３３…バルブ ８５０…開口 ８５３、８５４…グリッド ８５５…磁石 ８５６…イオン発生室 ８５７…フィラメント ８６０…ガス供給手段 ８６１…ガス供給ライン ８６２…ポンプ ８６３…バルブ ８６４…ガスボンベ １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６…………シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ ９００……基板 ９０１……画素電極 ９０２……発光層 ９０３……対向電極 ９１０……有機ＥＬ素子 ９１１……カラーフィルター基板 ９１２……カラーフィルター ９１３……ブラックマトリクス ９１５……空間 ９２０……表示装置 Ｌ１、Ｌ２、ｌ１〜ｌ８……光
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層（有機半導体層）を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
例えば、特許文献２には、図１６に示すように、基板９００上に画素電極９０１、発光層９０２および透明な対向電極９０３がこの順で設けられ、基板９００と反対側（対向電極９０３側）から、発光層９０２の発光光ｌ１〜ｌ８を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子（有機発光素子）９１０が提案されている。
【０００４】
このトップエミッション構造の有機ＥＬ素子９１０は、電極間の通電のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子や配線を基板９００側に設けることができることから、発光層９０２の開口率を高めて、消費電力の低電力化等を図ることができることから、着目され、実用化に向けて種々の研究がなされている。
ここで、このような有機ＥＬ素子９１０を複数備える表示装置（有機発光装置）９２０では、カラーフィルター９１２を備えるカラーフィルター基板９１１を対向電極９０３側に設け、発光光ｌ１〜ｌ８がカラーフィルター９１２を透過することにより、色調が変化（色変調）し、これにより、フルカラー画像表示を実現している。
また、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とは、端部に配置された図示しないスペーサを介して接合されている。この接合方法としては、例えば、接着剤での接着による方法を用いることができる。
【０００５】
しかしながら、スペーサを介し、接着剤により、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とを接合する場合、スペーサと対向電極９０３の間や、スペーサとカラーフィルター基板９１１の間に接着剤を供給する際の当該接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、接着剤層の厚さが不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、表示装置９２０が設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
また、有機ＥＬ素子９１０で発生した熱を効率良く放熱することができないという欠点もある。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】特開２００５−６２４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機半導体層で発生した熱を効率良く放熱することができ、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置では、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【０００９】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００１０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、装置本体およびカラーフィルター基板に対して、特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。
【００１１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。
本発明の有機発光装置では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００１２】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。
【００１３】
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、装置本体とカラーフィルター基板との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、有機発光装置の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。また、接合膜の表面に生じる凹凸の高さを緩和することができ、被着体に対する密着性をより高めることができる。
【００１６】
本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【００１７】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００１８】
本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。
【００１９】
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。
【００２０】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高い有機発光装置が得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有することが好ましい。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止することができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
【００２２】
本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
また、バンクとカラーフィルター基板とが接合することによってカラーフィルターの有効領域が減少してしまうのを防止することができる。
【００２３】
本発明の有機発光装置では、前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、第２の電極、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
【００２４】
本発明の有機発光装置では、前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成したことが好ましい。
これにより、有機発光装置をより低電圧で駆動することが可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
バンクをかかる材料を主材料として構成することにより、バンクに優れた導電性を付与することができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置では、前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有することが好ましい。
これにより、ブラックマトリクスが設けられている領域から、有機発光素子からの光を、ブラックマトリクスの有機発光素子と反対側に取り出されるのを確実に防止することができる。これにより、有機発光装置により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００２６】
本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極であることが好ましい。
これにより、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置では、前記各有機発光素子は、同色に発光するものであることが好ましい。
これにより、構成を簡素化することができる。
本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いトップエミッション構造の有機発光装置が得られる。
【００２８】
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高く、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができ、また、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でもフルカラー表示が可能となる有機発光装置を有する電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の有機発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の有機発光装置の第１実施形態について説明する。
【００３０】
図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図、図３は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図、図６および図７は、それぞれ、第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
なお、以下の説明では、図１、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向して設けられたカラーフィルター基板９と、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との間に設けられたバンク３１とを有している。ＴＦＴ回路基板２０、各有機ＥＬ素子１およびバンク３１により、装置本体１１の主要部が構成され、カラーフィルター基板９（本実施形態では、ブラックマトリクス７）は、接合膜３２を介してその装置本体１１（本実施形態では、バンク３１）に接合されている。すなわち、装置本体１１とカラーフィルター基板９とは、これらの間に介在する接合膜３２を介して互いに接合されている。
【００３２】
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
以下、このＴＦＴ回路基板２０について説明する。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９（後述する陰極５）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が用いられ、これらの中でも比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００３３】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、各有機ＥＬ素子１が備える陽極３と陰極５における通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有するものであり、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
【００３４】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、互いに対向するように配置された一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える有機ＥＬ素子（有機発光素子）１が、それぞれ、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して複数設けられている。
【００３５】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線（導電部）２７により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の有機半導体層４は、一体的に形成されており、陰極５は、共通電極とされている。
【００３６】
以下、この有機ＥＬ素子１について説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、各有機ＥＬ素子１毎に設けられた個別の陽極（第１の電極）３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた共通の陰極（第２の電極）５と、陽極３と陰極５との間に設けられた共通の有機半導体層４とを有している。
【００３７】
陽極３は、有機半導体層（後述する発光層）４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００３８】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を有機半導体層４において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００３９】
このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する有機半導体層４で発光した光が陽極３（有機ＥＬ素子１の後述するブラックマトリクス７と反対側の電極）側で吸収（吸光）されることなく、陰極５（後述するバンク３１）側に反射されて、カラーフィルター６を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、少なくとも陽極３の表面を構成することにより形成することができる。
【００４０】
一方、陰極５は、有機半導体層４に電子を注入する電極である。
この陰極５の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極５側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性（光透過性）を有する導電性材料が選択される。
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００４１】
陰極５の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
【００４２】
このような陰極５は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極５側から取り出すことができる。
前記陽極３と陰極５との間には、有機半導体層４が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層４は、発光層で構成される単層体となっている。
【００４３】
ここで、個別の陽極３と共通の陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、陽極３から発光層（有機半導体層４）に正孔が注入され、また、陰極５から電子が発光層に注入され、この発光層の個別に設けられた陽極３に対応する領域において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層の前記領域ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、各有機ＥＬ素子１（陽極３）の形状に対応して、有機半導体層（発光層）４が光を発光する。
【００４４】
発光層の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、複層体であってもよい。
【００４５】
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１がいずれも白色光を発光するように構成され（同色に発光するように構成され）、この白色光を後述するカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂにそれぞれ透過させて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に色調を変換させ、表示装置１０のフルカラー表示が可能となっている。
ここで、白色光を発光する有機半導体層４としては、例えば、青色発光する１、１、４、４−テトラフェニル−１、３−ブタジエン（ＴＰＢ）と、赤色発光する（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびナイルレッドと、緑色発光するクマリン６とを組み合わせて構成したもの等が挙げられる。
【００４６】
発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層４は、本実施形態で示したような単層体の他、発光層を含む複数の層が積層された積層体であってもよい。
有機半導体層４をかかる構成とする場合、陽極３と発光層との間には、例えば、陽極３から注入された正孔を発光層まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この正孔輸送層と陽極３との間に、陽極３から正孔輸送層への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
【００４７】
また、陰極５と発光層との間には、例えば、陰極５から注入された電子を発光層まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この電子輸送層と陰極５との間に、陰極５から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００４９】
正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５１】
さて、カラーフィルター基板９は、上基板８と、この上基板８上に設けられたカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ同士を区画するブラックマトリクス７とで構成されている。
上基板８は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護層等として機能するものである。
このような上基板８を設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
【００５２】
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９すなわち上基板８側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板８は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような上基板８には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００５３】
上基板８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この上基板８の下には、各有機ＥＬ素子１に対応するように、それぞれ、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。
複数のカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、赤色のカラーフィルター６Ｒと、緑色のカラーフィルター６Ｇと、青色のカラーフィルター６Ｂとで構成され、図２に示すように、マトリクス状に配設された３つのカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（三原色）が１組となって１画素（ピクセル）を構成する。
【００５４】
ここで、有機ＥＬ素子１から発光された光（白色光）は、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを透過して、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出されるが、この際、各白色光は、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応した色に色調が変換されることとなる。
なお、以下では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称してカラーフィルター６ということもある。
【００５５】
このようなカラーフィルター６には、例えば、前述したような透明な樹脂材料やレジスト材料を主材料として構成され、この主材料を着色する着色剤を含む（添加した）ものを用いることができる。
レジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等のネガ型フォトレジストや、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等のポジ型フォトレジストが挙げられる。
また、着色剤としては、例えば、染料または顔料を用いることができるが、耐光性および耐候性の観点から、微粒子状の顔料を用いることが好ましい。
【００５６】
カラーフィルター６Ｒに用いられる赤色の顔料としては、例えば、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料およびイソインドリン系顔料等が、カラーフィルター６Ｇに用いられる緑色の顔料としては、例えば、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料およびイソインドリノン系の顔料等が、カラーフィルター６Ｂに用いられる青色の顔料としては、例えば、銅フタロシアニン系顔料、インダンスレン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料およびジオキサジン系顔料等がそれぞれ挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
カラーフィルター６の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５７】
また、隣接するカラーフィルター６同士の間（バンク３１の各有機ＥＬ素子１と反対側）には、ブラックマトリクス７が設けられている。ブラックマトリクス７の平面視での形状は、格子状をなしており、隣接するカラーフィルター６同士は、このブラックマトリクス７により区画されている。
ブラックマトリクス７は、光の透過を阻止する（遮光）機能を有している。そのため、カラーフィルター基板９を、ブラックマトリクス７を備える構成とすることより、ブラックマトリクス７が設けられている領域から、有機ＥＬ素子１からの光を、上基板８（ブラックマトリクス７）の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出される（出射する）のを確実に防止することができる。これにより、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。
【００５８】
このようなブラックマトリクス７は、例えば、カーボンやチタン等を分散させた透明な樹脂またはレジスト層の他、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎおよびＴｉ等で構成されている。
ブラックマトリクス７は、カラーフィルター６と連続した平滑面で構成されているのが好ましく、その平均厚さは、カラーフィルター６と同様に、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
また、カラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）とＴＦＴ回路基板２０（有機ＥＬ素子１）との間には、バンク３１が設けられている。
【００５９】
図１に示すように、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなし（バンク３１の平面視での形状は、格子状をなし）、陰極５上に形成されており、バンク３１上に形成された接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合されている。換言すれば、バンク３１は、その一端側、すなわち基部３１１が、接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合され、その他端側、すなわち頂部３１２が陰極５に接合されている。これにより、有機ＥＬ素子１とカラーフィルター６との間には、バンク３１により区画される空間３６が形成されている。
【００６０】
接合膜３２は、エネルギー付与前において、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。そして、この接合膜３２は、エネルギーを付与したことにより、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、これにより接合膜３２の表面に接着性が発現し、その接着性によって、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とを接合している。
【００６１】
このような接合膜３２は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このような構造の接合膜３２は、その厚さを薄くしても十分な接合強度が得られる。このため、接合膜３２は、十分に薄いにもかかわらず、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、さらに、前記のように、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができる。
【００６２】
ここで、仮にバンク３１を設けない場合、他の条件によっては、隣接する有機ＥＬ素子からの光が混ざり合うクロストーク現象が生じ、これに起因して、表示装置により表示される画像に色ムラが生じてしまう場合がある。
これに対して、表示装置１０では、バンク３１を設けたので、このバンク３１が各有機ＥＬ素子１を区画する遮光板として機能して、特定の空間３６から隣接する空間３６への光の漏れ出しを確実に防止することができる。その結果、表示装置１０では、クロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを防止することができる。
【００６３】
また、バンク３１を設けることにより、カラーフィルター６を有機ＥＬ素子１に対して近づけることや、ブラックマトリクス７の形成領域を大きくする必要がなくなるので、カラーフィルター６の開口率を大きく設定することが可能となる。
【００６４】
また、本実施形態では、バンク３１の内側の面を、有機ＥＬ素子１からの光を反射し得る反射面で構成した。そのため、図１に示すように、有機ＥＬ素子１からの光のうち、対応するカラーフィルター（開口部）６から外れた方向に向かう光Ｌ１を、バンク３１の内面（反射面）で反射して、カラーフィルター６内に誘導する（導く）ことができる。その結果、光Ｌ２とともにカラーフィルター６を透過させて、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出すことができるようになる。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度、光の取り出し効率の向上を図ることとができるとともに、表示装置１０の低消費電力化および長寿命化を実現することができる。
【００６５】
本実施形態では、バンク３１は、図２に示すように、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなしており、隣り合うバンク３１同士と一体的に設けられている。
なお、バンク３１は、有機ＥＬ素子１を取り囲むように設けられていればよく、その枠の形状は、本実施形態のような四角形の環状の他、例えば、円形、楕円形、五角形、六角形等の多角形等の環状ように、いかなるものであってもよい。
【００６６】
また、図示の構成では、バンク３１の幅（図１に示す長さＷ）は、バンク３１の厚さ方向（上下方向）に沿って一定であるが、バンク３１は、有機ＥＬ素子１側に向かって（基部３１１から頂部３１２に向かって）、その幅が小さくなる部分を有しているのが好ましい。すなわち、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が小さくなる部分を有しているのが好ましい。これにより、後述する表示装置１０の製造方法において、アライメントの精度が低い場合等においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１と接触することなく、有機ＥＬ素子１を取り囲むようにバンク３１により区画することができる。
【００６７】
具体的には、バンク３１の有機ＥＬ素子１と反対側の面と、バンク３１の内面とのなす角度（図１に示す角度θ）は、図示の構成では９０°であるが、６０°以上、９０°未満であるのが好ましく、７０°以上、９０°未満であるのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前述したような効果を確実に発揮させることができる。
なお、前記角度θは、９０°を超えていてもよく、また、６０°未満であってもよいことは、言うまでもない。
【００６８】
また、バンク３１は、その内面の反射率が、好ましくは６０〜９９．８％程度、より好ましくは９０〜９９．８％程度となっている。これにより、バンク３１に入射（到達）した光Ｌ１がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。その結果、光Ｌ１がバンク３１の内面で反射して、カラーフィルター６を確実に透過することとなる。
【００６９】
かかる関係を満足するバンク３１とするには、その内面の表面粗さＲａをできるだけ小さく設定するのが好ましい。
具体的には、バンク３１は、その構成材料の種類によっても若干異なるが、内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であるのが好ましく、８０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１の内面は、特に高い反射率を有するものとなる。
【００７０】
また、本実施形態では、カラーフィルター（開口部）６の面積（開口面積）は、陽極３および陰極５（有機ＥＬ素子１が備える一対の電極）のうち、その面積が小さい陽極３よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ素子１からの光を、空間３６内で反射させることなく確実に上基板８の上側（バンク３１と反対側）に取り出すことができる。
具体的には、陽極３の平面積（平面積が小さい方の平面積）をＡ［μｍ２］とし、カラーフィルター６の面積（開口面積）をＢ［μｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足するのが好ましく、１．０〜１．２なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７１】
バンク３１の平均高さは、特に限定されないが、１〜３５μｍ程度とするのが好ましく、５〜１５μｍ程度とするのがより好ましい。これにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、有機ＥＬ素子１からの光を、確実に上基板８の上側に取り出すことができる。
また、本実施形態のように、カラーフィルター６が平面視で四角形状をなす場合には、このバンク３１の平均高さをＣ［μｍ］とし、カラーフィルター（開口部）６の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足するのが好ましく、０．３３〜３なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、上基板８の上側に出射される光の方向を、有機ＥＬ素子１の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。
【００７２】
さらに、有機ＥＬ素子１とブラックマトリクス７との間の空間３６が封止されており、この空間３６には、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスが充填されているのが好ましい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１が備える有機半導体層４等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
ここで、バンク３１は、導電性材料、半導体材料および絶縁材料のうちのいずれで構成してもよいが、特に、導電性材料で構成されるのが好ましい。
【００７３】
前述したように、本実施形態では、一対の電極のうちカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）側の陰極５を共通電極で構成し、この陰極（共通電極）５にバンク３１を接触するように設けている。これにより、陰極５全体として抵抗値の低減（電気伝導度の向上）を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することが可能となる。
かかる構成は、陰極５を前述したＩＴＯのような比較的抵抗値の大きい導電性材料で構成した場合に、特に有効である。
【００７４】
このような導電性材料としては、各種の金属材料や導電性樹脂材料等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。バンク３１をかかる材料を主材料として構成することにより、バンク３１に優れた導電性および伝熱性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。
なお、バンク３１の一部、例えば、内面付近を選択的に導電性材料、特に、前記金属材料で構成し、その導電性材料（金属材料）で構成された部位を陰極５に接触させるようにしてもよい。かかる構成によっても、前記と同様の効果が得られる。
【００７５】
以上のように、バンク３１に陰極５全体としての抵抗値を低減させる機能を付与することにより、このような機能を有する補助陰極を、陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に形成する必要がないことから、後述する表示装置１０の製造方法（工程［２−Ｂ］）で示すように、マスクを用いることなく１回の工程で、有機半導体層４を一体的に形成することができる。その結果、有機半導体層４を形成するための工程数の削減を図ることができる。
【００７６】
ここで、バンク３１は、優れた伝熱性を有しており、特に、導電性材料で構成した場合は、優れた導電性および伝熱性を有している。また、仮に接着剤を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とを接合した場合は、接着剤層により伝熱性が大幅に低下してしまうが、この表示装置１０では、優れた伝熱性を有する接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間において伝熱性が低下してしまうのを防止することができる。これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【００７７】
次に、接合膜３２について説明する。
接合膜３２のエネルギーを付与する前の状態は、図３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３２にエネルギーを付与すると、図４に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３２により、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが接合されている。
【００７８】
このような接合膜３２は、前述したように、十分に薄くしても、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。そして、前述したように、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体１１とカラーフィルター基板９との接合強度をさらに高くすることができる。
【００７９】
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、また、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができ、これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【００８０】
また、接合膜３２は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、表示装置１０が高温下に曝されたとしても、接合膜３２の変質・劣化を確実に防止することができ、バンク３１からカラーフィルター基板９が剥がれてしまうのを確実に防止することができる。
また、このような接合膜３２は、流動性を有しない固体状のものである。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜３２を用いて製造された表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。特に、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、各有機ＥＬ素子１とカラーフィルター基板９との間の距離を均一にすることができる。
【００８１】
また、接合膜３２を用いることにより、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にする。また、このような接合により、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
このような接合膜３２としては、特に、接合膜３２を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３２は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３２自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３２は、接合される各部に対して特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。
【００８２】
また、接合膜３２中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述した化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３２の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
【００８３】
また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３２に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。
【００８４】
かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。
【００８５】
なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００８６】
これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜３２の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。
【００８７】
ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。
【００８８】
また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３２は、接着性に特に優れることから、表示装置１０に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
【００８９】
また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００９０】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜３２が設けられたバンク３１に対してカラーフィルター基板９を貼り合わせた際に、これらの密着性をより高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
【００９１】
次に、接合膜３２を作製する方法、およびこの方法を含む表示装置１０の製造方法について説明する。
［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。
【００９２】
［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００９３】
［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００９４】
［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【００９５】
［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００９６】
［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に有機ＥＬ素子１を形成する。
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【００９７】
［２−Ｂ］次に、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６を覆うように、有機半導体層（発光層）４を一体的に形成する。
この有機半導体層４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。これらの中でも、有機半導体層４の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して、有機半導体層４は、液相プロセスにより形成するのが好ましい。
【００９８】
具体的には、有機半導体層形成用の液状材料を、液相プロセスを用いて、有機半導体層４を形成する領域、すなわち、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
【００９９】
用いる液状材料は、前述したような発光材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０１００】
なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１が白色光を発光し、カラーフィルター６により、その光の色調を変換する構成となっていることから、各陽極３および各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６の全面に、有機半導体層４を一体的に形成することができる。
そのため、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スピンコート法（パイロゾル法）、スプレーコート法等を用いた液相プロセス等が好適に用いられる。
また、このように本実施形態では、マスクを用いる必要がないことから、例えば、マスクの形成工程および除去工程等を省略できるため、表示装置１０の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。
【０１０１】
［２−Ｃ］次に、有機半導体層（発光層）４上に、すなわち、有機半導体層４の陽極３と反対側に、各陽極３に共通の陰極５を形成する。
この陰極５は、例えば、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により形成することができる。
なお、これらの方法は、陰極５の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
なお、本実施形態では、有機半導体層４の全面に、陰極５を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スパッタ法、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
【０１０２】
［３］次に、陰極５上に、カラーフィルター基板９のブラックマトリクス７とほぼ同じパターンとなるように、すなわち、各有機ＥＬ素子１を取り囲み（区画し）、各有機ＥＬ素子１が露出するように、バンク３１を形成する。
［３−Ａ］まず、図６（ａ）に示すように、陰極５を覆うように、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により、バンク３１の構成材料により主として構成されるバンク形成膜３１’を形成する。
なお、これらの方法は、バンク３１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。例えば、バンク３１を前述したような導電性材料を主材料として構成する場合、バンク形成膜３１’を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等を用いた気相プロセスが好適に選択される。
【０１０３】
［３−Ｂ］次に、図６（ｂ）に示すように、バンク３１を形成する領域、すなわち、有機ＥＬ素子１が設けられていない領域に対応するレジスト層３８をバンク形成膜上に形成する。
このレジスト層３８は、バンク３１の形状に対応するフォトマスクを用いて、後述する工程［５−Ａａ］と同様にして得ることができる。
【０１０４】
［３−Ｃ］次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト層３８をマスクとして用いて、ウェットエッチング法によりバンク形成膜の不要部分を除去して、各有機ＥＬ素子１を露出させる。その後、図６（ｄ）に示すように、レジスト層３８を除去することによりバンク３１を形成する。以上のようにして、装置本体１１が得られる。
なお、ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、特に限定されないが、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【０１０５】
［４］次に、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上に接合膜３２を形成する。
なお、本工程［４］は、次の工程［５］の後に説明する。
［５］次に、カラーフィルター基板９を用意する。
［５−Ａ］まず、上基板８を用意し、図７（ａ）に示すように、上基板８上に、カラーフィルター６を形成する。
【０１０６】
［５−Ａａ］まず、上基板８上に、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、カラーフィルター６を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成する。
このレジスト層は、上基板８上に、レジスト材料を液相プロセスにより供給した後に、このレジスト材料を形成するカラーフィルター６の形状に対応するフォトマスクを介してｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよく、カラーフィルター６の構成材料で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１０７】
［５−Ａｂ］次に、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部にカラーフィルター形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給して乾燥した後、レジスト層を除去することによりカラーフィルター６を形成することができる。
また、カラーフィルター形成用の液状材料は、前述したようなカラーフィルター６の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【０１０８】
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を開口部に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応する各色毎の液状材料を容易に塗り分けすることができる。
なお、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
【０１０９】
［５−Ｂ］次に、図７（ｂ）に示すように、各カラーフィルター６同士の間、すなわち、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス７を形成する。
このブラックマトリクス７は、例えば、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給した後、乾燥することにより得ることができる。
また、ブラックマトリクス形成用の液状材料は、前述したようなブラックマトリクス７の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
【０１１０】
液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を上基板８が露出する領域に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、上基板８が露出する領域の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、液状材料のムダを省くことができるとともに、カラーフィルター６の上面にブラックマトリクス７の構成材料が付着するのを確実に防止することができる。
なお、本工程［５］は、前記工程［４］の後に限らず、例えば、前記工程［１］の前、前記工程［１］と前記工程［２］の間、前記工程［２］と前記工程［３］の間等、いずれの段階で行ってもよい。
【０１１１】
次に、前記工程［４］、すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成する方法について説明する。
このような接合膜３２は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギー付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３２を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３２は、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製され、エネルギーが付与される前の接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
ここでは、接合膜３２をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、接合膜３２の形成方法を説明するのに先立って、接合膜３２を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３２の形成方法について説明する。
【０１１２】
図５に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、装置本体１１を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
【０１１３】
図５に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
【０１１４】
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０は、板状をなしており、装置本体１１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図５に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。
【０１１５】
第１の電極１３０の装置本体１１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図５に示すように、装置本体１１を鉛直方向に沿って支持することができる。また、装置本体１１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で装置本体１１をプラズマ処理に供することができる。
【０１１６】
第２の電極１４０は、装置本体１１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。
【０１１７】
図５に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。
【０１１８】
貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して装置本体１１のバンク３１の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。
【０１１９】
ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。
【０１２０】
拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による装置本体１１の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
【０１２１】
次に、バンク３１に、接合膜３２を形成する方法について説明する。
［４−Ａ］まず、装置本体１１をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。
【０１２２】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【０１２３】
次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物がバンク３１上に付着・堆積する。これにより、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３２が形成される。
なお、ここでは、装置本体１１の上面のうち、バンク３１の上面のみに部分的に接合膜３２を形成するので、例えば、バンク３１に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜３２を成膜する。
【０１２４】
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３２は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。
【０１２５】
プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【０１２６】
また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３２の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３２の厚さを容易に調整することができる。このため、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の距離を厳密に制御することができる。
また、装置本体１１の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜３２を得ることができる。
【０１２８】
［４−Ｂ］次に、バンク３１上に形成した接合膜３２に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜３２では、図３に示す脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面３２０に、カラーフィルター基板９との接着性が発現する。
【０１２９】
ここで、接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する方法、（II）接合膜３２を加熱する方法、（III）接合膜３２に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
【０１３０】
このうち、接合膜３２にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【０１３１】
以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３２の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３２に接着性を発現させることができる。
【０１３２】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３２の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３２との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【０１３３】
また、紫外線を照射する時間は、接合膜３２の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３２の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３２の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【０１３４】
一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
また、接合膜３２に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【０１３５】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３２に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による装置本体１１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３２から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３２とカラーフィルター基板９との間の接合強度を容易に制御することができる。
【０１３６】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３２の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３２の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３２に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
【０１３７】
（II）接合膜３２を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、装置本体１１等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３２を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜３２の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１３８】
また、接合膜３２は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、接合される部材間の熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜３２を加熱すればよいが、これらの熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１３９】
（III）本実施形態では、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせる前に、接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、これらを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成した後、エネルギーを付与する前に、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜３２に対してエネルギーを付与することにより、接合膜３２に接着性が発現し、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがそれぞれ接合（接着）される。
【０１４０】
この場合、仮接合体中の接合膜３２に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜３２に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、接合される部材同士が互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３２に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３２に十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、接合される部材の各構成材料によっては、部材に損傷等が生じるおそれがある。
【０１４１】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、接合される部材間は、まだ接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、接合される部材の相対位置を微調整することにより、最終的に得られる表示装置１０の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。
【０１４２】
以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜３２にエネルギーを付与することができる。
なお、接合膜３２の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜３２の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、接合される部材間の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。
【０１４３】
ここで、前述したように、エネルギーが付与される前の状態の接合膜３２は、図３に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３２にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。
【０１４４】
ここで、接合膜３２を「活性化させる」とは、接合膜３２の表面３２０および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。
【０１４５】
したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３２に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
【０１４６】
［６］次に、バンク３１上に接合膜３２が形成された装置本体１１と、カラーフィルター基板９とを接合膜３２を介して接合させて表示装置１０を得る。
［６−Ａ］まず、接着性が発現してなる接合膜３２とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが密着するように、これらを貼り合わせる。これにより、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが、接合膜３２を介して接合（接着）される。そして、各有機ＥＬ素子１がバンク３１により取り囲まれるような形態となり、空間３６が形成される。
【０１４７】
なお、この工程は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、空間３６内に不活性ガスを確実に充填することができる。
各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応した状態、すなわち、接合膜３２（バンク３１）とブラックマトリクス７とが対応した状態で、接合膜３２とブラックマトリクス７とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。
【０１４８】
ここで、上記のようにして接合されるバンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる表示装置１０において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【０１４９】
また、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、これらを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【０１５０】
具体的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差にもよるが、バンク３１とカラーフィルター基板９の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、これらを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、表示装置１０における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。
【０１５１】
また、この場合、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜３２を用いることにより、上述したような低温下でも、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。
また、バンク３１とカラーフィルター基板９とは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
【０１５２】
なお、バンク３１（装置本体１１）の接合膜３２を成膜する領域、すなわち、バンク３１の上面には、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。
【０１５３】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３２を形成するために、バンク３１の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施すバンク３１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、バンク３１の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３２の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られるバンク３１の構成材料としては、例えば、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【０１５４】
このような材料で構成されたバンク３１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成されたバンク３１を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２とを強固に密着させることができる。
なお、この場合、バンク３１の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３２を成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【０１５５】
さらに、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。
【０１５６】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
また、表面処理に代えて、バンク３１の少なくとも接合膜３２を成膜する領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３２との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介してバンク３１上に接合膜３２を成膜することにより、バンク３１と接合膜３２との接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわち表示装置１０を得ることができる。
【０１５７】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度を特に高めることができる。
【０１５８】
一方、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域、すなわち、ブラックマトリクス７の下面にも、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
なお、この表面処理には、バンク３１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【０１５９】
また、表面処理に代えて、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域に、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述のバンク３１に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１６０】
ここで、本工程において、接合膜３２が形成されたバンク３１と、カラーフィルター基板９とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、カラーフィルター基板９のバンク３１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが接触するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、接合膜３２の表面３２０に存在する水酸基と、カラーフィルター基板９の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３２とカラーフィルター基板９との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがより強固に接合されると推察される。
【０１６１】
なお、前記工程［４−Ｂ］で活性化された接合膜３２の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［４−Ｂ］の終了後、できるだけ早く本工程［６］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［４−Ｂ］の終了後、６０分以内に本工程［６］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３２の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合されたバンク３１とカラーフィルター基板９との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い表示装置１０が得られる。
【０１６２】
［６−Ｂ］次に、ＴＦＴ回路基板２０およびカラーフィルター基板９の縁部に、これらの縁部において形成される間隙を封止する封止部（図示せず）を形成する。
封止部は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、インクジェット法のような液相プロセス等により封止部を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。
【０１６３】
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。
なお、上記では、バンク３１上に成膜された接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように貼り合わせる場合について説明しているが、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とバンク３１とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせるようにしてもよい。
【０１６４】
また、接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９の双方に成膜されていてもよい。この場合、バンク３１上に成膜された接合膜３２と、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせることにより、これらをより強固に接合することができる。
また、表示装置１０を得た後、この表示装置１０に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［７Ａ］および［７Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（表示装置１０の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１６５】
［７Ａ］得られた表示装置１０を圧縮するように、具体的には、装置本体１１とカラーフィルター基板９とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、バンク３１およびカラーフィルター基板９の表面と、これらに隣接する接合膜３２の表面とが、それぞれより近接し、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。
【０１６６】
また、表示装置１０を加圧することにより、表示装置１０中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をさらに高めることができる。
なお、この圧力は、表示装置１０の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、表示装置１０の各部の構成材料によっては、表示装置１０に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、表示装置１０を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１６７】
［７Ｂ］得られた表示装置１０を加熱する。
これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。
このとき、表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１６８】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
なお、前記工程［７Ａ］、［７Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、表示装置１０の接合強度を特に高めることができる。
【０１６９】
以上のような工程を行うことにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなす場合について説明したが、このような場合に限定されず、隣接するカラーフィルター６のうち同一のカラーフィルター同士（例えば、カラーフィルター６Ｂ同士）の間に対応する位置において、バンクの形成を省略するようにしてもよい。
【０１７０】
また、バンク３１を、接合膜３２と同様の構成材料で構成してもよい（接合膜３２と同様に、エネルギーを付与することにより接着性が発現するように構成してもよい）。
また、本実施形態では、光Ｌ１および光Ｌ２を陰極５側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に本発明の有機発光装置を適用した場合について説明したが、本発明では、このような場合に限定されず、例えば、光Ｌ１および光Ｌ２を陽極３（ＴＦＴ回路基板２０）側から取り出すボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を備える表示装置に本発明の有機発光装置を適用することもできる。この場合には、例えば、陽極３の下側、すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の下側に、カラーフィルター基板９およびバンク３１を設けるようにすればよい。
【０１７１】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図９は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１０は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１１は、図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
なお、以下の説明では、図８〜図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１７２】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０１７３】
すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３２は、図８に示すように、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、図９に示す活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０１７４】
以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
【０１７５】
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０１７６】
また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。
【０１７７】
また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３２の表面３２０付近に存在していればよく、接合膜３２のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３２の表面３２０付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面３２０付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３２に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３２に、接合を担う機能の他に、導電性および透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３２の導電性および透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。
【０１７８】
以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０１７９】
このうち、遷移金属は、最外殻電子がｄ軌道またはｆ軌道に位置しており、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。
【０１８０】
また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｂのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ２）等が挙げられる。
【０１８１】
なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３２中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。
【０１８２】
また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１８３】
かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、バンク３１とカラーフィルター基板９との接着性をより高度なものとすることができる。
【０１８４】
なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１８５】
以上のことを考慮すると、接合膜３２としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３２は、バンク３１に対して特に強固に接着するとともに、カラーフィルター基板９に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。
【０１８６】
また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０１８７】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせた際に、接合膜３２のカラーフィルター基板９に対する密着性を高めることができる。
【０１８８】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、接合膜３２のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３２の表面３２０付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。
【０１８９】
以下、ＡおよびＢの方法を用いて、バンク３１上に接合膜３２を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞ Ａの方法では、接合膜３２は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料をバンク３１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３２のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。
【０１９０】
さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３２を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、カラーフィルター基板９に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、光表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【０１９１】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。
【０１９２】
以下、ＰＶＤ法により接合膜３２を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３２を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、バンク３１上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００について説明する。
【０１９３】
図１０に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３２の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー８１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。
【０１９４】
また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
【０１９５】
イオン源（イオン銃）２１５は、図１１に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、イオン発生室８５６には、図１０に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。
【０１９６】
このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。
【０１９７】
イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。
【０１９８】
また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、接合膜３２の成膜速度をより速くすることができる。
【０１９９】
また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット８１６、装置本体１１および接合膜３２が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２００】
また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして接合膜３２が形成される。
まず、装置本体１１を用意し、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
【０２０１】
次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
【０２０２】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。
【０２０３】
次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０２０４】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が装置本体１１のバンク３１上に堆積することにより、接合膜３２が形成される。
【０２０５】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３２を成膜することができる。
【０２０６】
＜Ｂ＞ 一方、Ｂの方法では、接合膜３２は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。
【０２０７】
ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。
【０２０８】
また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、バンク３１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。
【０２０９】
さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。
【０２１０】
以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３２の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。
【０２１１】
［ｉ］ まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。
【０２１２】
［iii］ 次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。
【０２１３】
このガスのイオンＩ＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、装置本体１１のバンク３１上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
【０２１４】
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
【０２１５】
［iv］ 次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、装置本体１１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。
【０２１６】
［v］ 次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３２が形成される。
【０２１７】
脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。
【０２１８】
この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。
【０２１９】
導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３２０付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３２を成膜することができる。
【０２２０】
以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
【０２２１】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第３実施形態について説明する。
図１２は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２２２】
以下、第３実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０２２３】
すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３２から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。
【０２２４】
以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、バンク３１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の接合手が切れて接合膜３２の少なくとも表面３２０付近から脱離し、図９に示すように、接合膜３２の少なくとも表面３２０付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３２が形成されたバンク３１は、ブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。
【０２２５】
また、接合膜３２は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
【０２２６】
さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【０２２７】
また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。
また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
【０２２８】
以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【０２２９】
このうち、遷移金属は、前述したように、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。
【０２３０】
また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＣｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。さらに、接合膜３２を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３２を成膜することができる。
【０２３１】
また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３２から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０２３２】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。
【０２３３】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０２３４】
また、かかる構成の接合膜３２において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３２を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０２３５】
また、接合膜３２の平均厚さは、０．２〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【０２３６】
さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせた際に、接合膜３２のカラーフィルター基板９に対する密着性を高めることができる。
【０２３７】
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３２を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３２を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３２を形成することができる。
【０２３８】
以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法により、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。
【０２３９】
図１２に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３２の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０２４０】
基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、装置本体１１および接合膜３２が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０２４１】
有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、ガス供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。
【０２４２】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３２を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３２が成膜される。
【０２４３】
チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３２に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３２を成膜することができる。その結果、この接合膜３２は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０２４４】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにしてバンク３１上に接合膜３２が形成される。
【０２４５】
［ｉ］ まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］ 次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０２４６】
また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０２４７】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３２の種類、すなわち、接合膜３２を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３２を成膜することができる。
【０２４８】
［iii］ 次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
【０２４９】
このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、バンク３１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、バンク３１上に接合膜３２を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３２をバンク３１上に形成することができる。
【０２５０】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３２を確実に形成することができる。
【０２５１】
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、バンク３１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。
【０２５２】
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３２を成膜することができる。
以上のように、接合膜３２を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３２を成膜することができる。
【０２５３】
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３２に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３２を成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
【０２５４】
＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５５】
図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５６】
図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０２５７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。
【０２５８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０２５９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０２６０】
なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０２６１】
以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０２６２】
なお、前記実施形態では、接合膜は、それを成膜する際、装置本体およびカラーフィルター基板のうちの装置本体に成膜されるようになっているが、本発明では、これに限定されず、例えば、装置本体およびカラーフィルター基板の双方に成膜されてもよく、また、カラーフィルター基板に成膜されてもよい。
また、前記実施形態では、装置本体のうちのバンクと、カラーフィルター基板のブラックマトリクスとが接合膜を介して接合されるようになっているが、本発明では、これに限定されない。すなわち、装置本体側の接合部位（接合箇所）は、バンク以外の部位であってもよく、また、カラーフィルター基板側の接合部位は、ブラックマトリクス以外の部位であってもよい。
また、本発明では、バンクは省略されていてもよい。
また、本発明では、陽極の位置と陰極との位置とを、前記実施形態と逆にしてもよい。すなわち、本発明は、基板上に陰極、有機半導体層、陽極がこの順で積層されている構成の有機ＥＬ素子（有機発光素子）を備える有機発光装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２６３】
【図１】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図である。
【図３】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図７】第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図９】第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図１０】第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１１】図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
【図１２】本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図１３】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１６】従来の有機発光装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０２６４】
１……有機ＥＬ素子 ３……陽極 ３１……バンク ３１１……基部 ３１２……頂部 ３１’……バンク形成膜 ３２……接合膜 ３２０……表面 ３６……空間 ３８……レジスト層 ４……有機半導体層 ５……陰極 ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……カラーフィルター ７……ブラックマトリクス ８……上基板 ９……カラーフィルター基板 １０……表示装置 １１……装置本体 ２０……ＴＦＴ回路基板 ２１……基板 ２２……回路部 ２３……下地保護層 ２４……駆動用ＴＦＴ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２５……第１層間絶縁層 ２６……第２層間絶縁層 ２７……配線 ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……脱離基 ３０４……活性手 １００……プラズマ重合装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……排気ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ４００……成膜装置 ４１１……チャンバー ４１２……基板ホルダー ４２１……シャッター ４３０……排気手段 ４３１……排気ライン ４３２……ポンプ ４３３……バルブ ４６０……有機金属材料供給手段 ４６１……ガス供給ライン ４６２……貯留槽 ４６３……バルブ ４６４……ポンプ ４６５……ガスボンベ ４７０……ガス供給手段 ４７１……ガス供給ライン ４７３……バルブ ４７４……ポンプ ４７５……ガスボンベ ８００…成膜装置 ８１１…チャンバー ８１２…基板ホルダー ８１５…イオン源 ８１６…ターゲット ８１７…ターゲットホルダー ８１９…ガス供給源 ８２０…第１のシャッター ８２１…第２のシャッター ８３０…排気手段 ８３１…排気ライン ８３２…ポンプ ８３３…バルブ ８５０…開口 ８５３、８５４…グリッド ８５５…磁石 ８５６…イオン発生室 ８５７…フィラメント ８６０…ガス供給手段 ８６１…ガス供給ライン ８６２…ポンプ ８６３…バルブ ８６４…ガスボンベ １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６…………シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ ９００……基板 ９０１……画素電極 ９０２……発光層 ９０３……対向電極 ９１０……有機ＥＬ素子 ９１１……カラーフィルター基板 ９１２……カラーフィルター ９１３……ブラックマトリクス ９１５……空間 ９２０……表示装置 Ｌ１、Ｌ２、ｌ１〜ｌ８……光
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１１】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１２】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１３】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。
【請求項１７】
前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されている請求項１４ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成した請求項１４ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１８に記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有する請求項１４ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極である請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記各有機発光素子は、同色に発光するものである請求項１ないし２１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２３】
当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２４】
請求項１ないし２３のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１１】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１２】
互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。
【請求項１３】
前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１４】
前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１５】
前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。
【請求項１６】
前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。
【請求項１７】
前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されている請求項１４ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１８】
前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成した請求項１４ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１９】
前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１８に記載の有機発光装置。
【請求項２０】
前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有する請求項１４ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２１】
前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極である請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２２】
前記各有機発光素子は、同色に発光するものである請求項１ないし２１のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２３】
当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項２４】
請求項１ないし２３のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−２９５４４７（Ｐ２００９−２９５４４７Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４８５３５（Ｐ２００８−１４８５３５）
【出願日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月５日（２００８．６．５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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