有機EL装置
【課題】表示品位の良好な有機EL装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【0003】
例えば、特許文献1によれば、異物が存在することに起因した電極間のショートにより発光不良が発生した場合に、発光不良が発生した有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して少なくとも一方の電極を除去する有機発光装置のリペア方法及び製造方法に関する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2009−16195号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、表示品位の良好な有機EL装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
【0007】
また、本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記隔壁に接続されるとともに前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を前記隔壁との間で複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層及び前記隔壁を覆う対向電極と、
前記有機層及び前記対向電極がループ状に欠落し、前記分割層の一部を露出する溝と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、表示品位の良好な有機EL装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】図1は、本発明の一態様に係る有機EL装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図2】図2は、本実施形態における有機EL表示装置の有機EL素子を含むアレイ基板の概略断面図である。
【図3】図3は、図2に示した分割層のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図4】図4は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図5】図5は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図6】図6は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図7】図7は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図8】図8は、異物混入に起因した画素電極−対向電極間ショートのリペアを説明するための平面図である。
【図9】図9は、図8に示した有機EL素子をA−A線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図10】図10は、混色不良のリペアを説明するための平面図である。
【図11】図11は、図10に示した第1有機EL素子及び第2有機EL素子をB−B線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0011】
図1は、有機EL装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機EL表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【0012】
すなわち、有機EL装置は、表示パネル1を備えている。この表示パネル1は、アレイ基板100及び封止基板200を備えている。アレイ基板100は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア102において、マトリクス状に配置された複数の有機EL素子OLEDを備えている。封止基板200は、アクティブエリア102において、アレイ基板100の有機EL素子OLEDと向かい合っている。この封止基板200は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。
【0013】
これらのアレイ基板100及び封止基板200は、アクティブエリア102を囲む枠状に形成されたシール部材300によって貼り合わせされている。シール部材300は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料や、フリットガラスによって形成されている。シール部材300が有機系材料によって形成されている場合には、アレイ基板100と封止基板200との間のシール部材300によって囲まれた内側に樹脂層が充填されても良い。この場合、充填される樹脂層は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの光透過性を有する有機系材料によって形成可能である。
【0014】
また、アレイ基板100は、アクティブエリア102の外側の周辺エリア104において、封止基板200の端部200Eから外方に向かって延在した延在部110を備えている。この延在部110には、駆動部130が設けられている。この駆動部130には、有機EL素子OLEDに電源や各種制御信号などの有機EL素子OLEDを駆動するのに必要な信号を供給する駆動ICチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット(以下、FPCと称する)などの信号供給源が接続可能である。
【0015】
図2は、有機EL装置の有機EL素子OLEDを備えたアレイ基板100の断面図である。
【0016】
このアレイ基板100は、ガラスなどの絶縁基板101、絶縁基板101の上方に形成されたスイッチング素子SW、有機EL素子OLEDなどを備えている。絶縁基板101の上には、アンダーコート層111が配置されている。このアンダーコート層111は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなアンダーコート層111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0017】
アンダーコート層111の上には、スイッチング素子SWの半導体層SCが配置されている。この半導体層SCは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層SCには、チャネル領域SCCを挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。
【0018】
半導体層SCは、ゲート絶縁膜112によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜112は、アンダーコート層111の上にも配置されている。このゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなゲート絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0019】
ゲート絶縁膜112の上には、チャネル領域SCCの直上にスイッチング素子SWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチング素子SWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。このゲート電極Gは、パッシベーション膜113によって被覆されている。また、パッシベーション膜113は、ゲート絶縁膜112の上にも配置されている。このパッシベーション膜113は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなパッシベーション膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0020】
パッシベーション膜113の上には、スイッチング素子SWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSにコンタクトしている。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDにコンタクトしている。スイッチング素子SWのゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dは、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの導電材料を用いて形成されている。
【0021】
ソース電極S及びドレイン電極Dは、絶縁膜114によって被覆されている。また、絶縁膜114は、パッシベーション膜113の上にも配置されている。このような絶縁膜114は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。また、このような絶縁膜114は、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
【0022】
有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEは、絶縁膜114の上に配置されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに接続されている。この画素電極PEは、この例では陽極に相当する。
【0023】
この画素電極PEは、反射電極PER及び透過電極PETが積層された2層構造である。つまり、反射電極PERは、絶縁膜114の上に配置されている。また、透過電極PETは、反射電極PERの上に配置されている。反射電極PERは、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極PETは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)、インジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極PEは、上述した2層構造に限らず、3層以上の積層構造であっても良いし、反射電極PER単層であっても良いし、透過電極PET単層であっても良い。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、画素電極PEは、反射電極PERを含む。
【0024】
絶縁膜114の上には、隔壁PIが配置されている。この隔壁PIは、画素電極PEの周囲に配置されている。また、この隔壁PIは、画素電極PEの一部に重なっている。このような隔壁PIは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。この隔壁PIは、側面PISと、上面PITとを有している。
【0025】
隔壁PIから露出した画素電極PEの上には、分割層120が配置されている。この分割層120は、画素電極PEを複数の領域に分割するものであり、図2に示した例では、分割層120と隔壁PIとの間に2つの領域A1及びA2が形成されている。これらの領域A1及びA2では、画素電極PEが隔壁PI及び分割層120から露出している。
【0026】
このような分割層120は、隔壁PIと同一材料によって形成可能であり、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などの絶縁材料によって形成されている。特に、有機系材料を用いた場合には、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィプロセスにより、隔壁PIと分割層120とを一括して形成することが可能である。このため、分割層120を形成するための別途の工程が不要である。この分割層120の構造については、後に詳細に説明する。
【0027】
有機EL素子OLEDを構成する有機層ORGは、画素電極PEの上に配置されている。また、この有機層ORGは、分割層120の上にも配置されている。つまり、有機層ORGは、画素電極PE及び分割層120を覆っている。換言すると、分割層120は、画素電極PEと有機層ORGとの間に配置されている。さらに、この有機層ORGは、隔壁PIの上、特に隔壁PIの側面PISを覆うように配置されているが、隔壁PIの上面PITの少なくとも一部は露出している。
【0028】
このような有機層ORGは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。有機層ORGの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【0029】
有機EL素子OLEDを構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。また、対向電極CEは、隔壁PIの上にも配置されている。つまり、対向電極CEは、有機層ORG及び隔壁PIを覆っている。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。
【0030】
このような対向電極CEは、例えば、ITOやIZOなどの導電材料によって形成された透過層や、マグネシウム・銀などによって形成された半透過層によって構成されている。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、対向電極CEは、半透過層を含む。このような対向電極CEは、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
【0031】
隔壁PIによって囲まれた内側の領域は、実質的に発光領域EAに相当する。すなわち、発光領域EAでは、画素電極PEが隔壁PIから露出しており、画素電極PEの上に有機層ORGが積層され、さらに有機層ORGの上に対向電極CEが積層されている。このため、画素電極PEと対向電極CEとの間を電流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。
【0032】
なお、分割層120が配置された領域では、画素電極PEと有機層ORGとの間に絶縁材料からなる分割層120が介在しているため、電流のパスがなく、有機層ORGにおいて発光しない。
【0033】
図3は、分割層120のレイアウト例を概略的に示す平面図である。なお、この図3においては、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0034】
発光領域EAは、略長方形状であり、第1方向Xに平行な一対の長辺L1及びL2と、第1方向Xに直交する第2方向Yに平行な一対の短辺S1及びS2と、を有している。これらの長辺L1及びL2、及び、短辺S1及びS2は、隔壁PIと画素電極PEとの境界に相当する。
【0035】
分割層120は、十字型に形成され、発光領域EAの各辺L1及びL2及びS1及びS2において、隔壁PIと接続されている。すなわち、分割層120は、第1方向Xに平行な第1分割部121、及び、第2方向Yに平行で且つ発光領域EAの略中央で第1分割部121と交差する第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0036】
第1分割部121の両端は、短辺S1及びS2にそれぞれ接続されている。第2分割部122の両端は、長辺L1及びL2にそれぞれ接続されている。これにより、画素電極PEは、4つの領域A1乃至A4に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A4が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0037】
なお、分割層120は、第1方向Xに平行な分割部を複数個有し、また、第2方向Yに平行な分割部を複数個有していても良い。これにより、画素電極PEは、より多くの領域に分割可能となる。
【0038】
図4乃至図7は、分割層120の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。なお、図3に示したレイアウト例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【0039】
図4に示した例では、分割層120は、第2方向Yに平行な第1分割部121、及び、この第1分割部121から離間しているとともに第1分割部121と平行な第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0040】
これらの第1分割部121及び第2分割部122の両端は、それぞれ長辺L1及びL2に接続されている。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A3が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0041】
なお、分割層120は、第2方向Yに平行な分割部を1個のみ有していても良いし、3個以上有していても良い。分割部の数が多いほど、画素電極PEはより多くの領域に分割可能となる。
【0042】
図5に示した例では、分割層120は、第1方向Xに平行な第1分割部121、及び、この第1分割部121から離間しているとともに第1分割部121と平行な第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0043】
これらの第1分割部121及び第2分割部122の両端は、それぞれ短辺S1及びS2に接続されている。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A3が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0044】
なお、分割層120は、第1方向Xに平行な分割部を1個のみ有していても良いし、3個以上有していても良い。
【0045】
図6に示した例では、分割層120は、短辺S1と長辺L1とが交わる角部C1から長辺L2の略中点LMを繋ぐ直線状の第1分割部121、及び、短辺S2と長辺L1とが交わる角部C2から長辺L2の略中点LMを繋ぐ直線状の第2分割部122を有している。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。領域A2の面積は、他の領域A1及びA3のそれぞれの面積より大きく、ここでは、領域A1の面積及び領域A3の面積の和と同等である。
【0046】
図7に示した例では、分割層120は、短辺S1と長辺L1とが交わる角部C1から短辺S2の略中点SMを繋ぐ直線状の第1分割部121、及び、短辺S1と長辺L2とが交わる角部C2から短辺S2の略中点SMを繋ぐ直線状の第2分割部122を有している。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。領域A2の面積は、他の領域A1及びA3のそれぞれの面積より大きく、ここでは、領域A1の面積及び領域A3の面積の和と同等である。
【0047】
図3乃至図7に示した分割層120の各レイアウト例は、2以上を互いに組み合わせても良い。
【0048】
次に、有機層ORGに異物が混入し、画素電極PEと対向電極CEとの間のショートが発生した有機EL素子OLEDのリペアについて説明する。
【0049】
図8は、分割層120として図3に示したレイアウト例を適用した有機EL素子OLEDの平面図である。図8に示した例では、発光領域EAにおける領域A2に異物が混入している。このような状態では、有機EL素子OLEDにおける発光領域EAの全体が発光できない。
【0050】
そこで、分割層120及び隔壁PIに向けてレーザーを照射し、異物が混入した領域A2を囲むように、分割層120及び隔壁PIの上に積層された有機層及び対向電極をループ状に除去する。ここでは、領域A2は、隔壁PIと、短辺S2との接続点から第2分割部122との交点までの第1分割部121と、長辺L1との接続点から第1分割部121との交点までの第2分割部122と、によって囲まれている。レーザーは、領域A2を囲むこれらの隔壁PI、第1分割部121、及び、第2分割部122の上を通るループ状に走査し、リペア処理が行われる。これにより、有機層及び対向電極が欠落したループ状の溝GVが形成される。この溝GVからは、隔壁PI、第1分割部121、及び、第2分割部122が露出している。
【0051】
図9は、リペア後の有機EL素子OLEDを概略的に示す断面図である。なお、図9では、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0052】
絶縁膜114の上に配置された画素電極PEは、隔壁PIと第1分割部121とによって領域A2及びA4とに分割されている。領域A2には異物が混入し、画素電極PEと対向電極CEとがショートしている。リペア後には、隔壁PIの上の対向電極CE、及び、第1分割部121の上の有機層ORG及び対向電極CEが欠落し、溝GVが形成されている。つまり、第1分割部121の一部及び隔壁PIの一部が溝GVから露出することになる。
【0053】
溝GVによって囲まれた内側の有機層ORG及び対向電極CEは残留している。しかしながら、溝GVの内側の対向電極(つまり領域A2に対応した対向電極)CEは、溝GVの外側の対向電極(つまり領域A4に対応した対向電極及び隔壁PI上の対向電極)とは分離されている。
【0054】
このような溝GVの形成により、溝GVによって囲まれた対向電極CEには電位が供給されない。一方で、溝GVの外側の対向電極CEは一続きとなっており、電位が供給可能である。つまり、領域A2は、他の領域A1、A3、及び、A4とは電気的に切り離された状態となる。したがって、領域A2は滅点化される一方で、他の領域A1、A3、及び、A4では、画素電極PEと対向電極CEとの間を正常に電流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。つまり、領域A1、A3、及び、A4は、実質的に発光に寄与する領域となる。
【0055】
上述したように、画素電極PEを複数の領域に分割する分割層120を配置したことにより、異物が混入したことに起因して画素電極PEと対向電極CEとでショートが発生したとしても、異物が混入した領域のみを電気的に切り離して滅点化させることで、他の領域を正常に発光させることができ、リペアが可能となる。したがって、リペア前と比較して、良好な表示品位を実現できる。
【0056】
特に、リペアに際して利用されるレーザーは、分割層120及び隔壁PIに沿って走査される。このとき、レーザーを照射する際のターゲットとして分割層120(あるいは、分割層120を配置したことによって形成された発光領域EA内の起伏、あるいは、透過率や反射率の差など)を利用することができ、レーザーの照射精度を向上することが可能となる。
【0057】
また、リペアに際しては、分割層120の上方からレーザーが照射されるため、分割層120の下方に配置された画素電極PEや各種配線や各種回路に対して、分割層120が保護膜として機能する。このため、分割層120の下方へのダメージを軽減することが可能となる。具体的には、分割層120上の対向電極CEにレーザーを照射しても分割層120によってレーザーが遮られるため分割層120下の画素電極PEまで切断されることは無い。したがって、例えば、図4乃至図7においてA1領域の画素電極PEにスイッチング素子のドレイン電極が接続されている場合に、レーザー照射によってA2領域の対向電極CEを他の領域から電気的に切り離しても、画素電極PEは電気的に切り離されないため、A3領域に電位を供給することが可能となる。
【0058】
次に、隣接する2つの有機EL素子の間で混色不良が発生した場合のリペアについて説明する。
【0059】
図10は、分割層120として図5に示したレイアウト例を適用した第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2の平面図である。第1有機EL素子OLED1と、第2有機EL素子OLED2とは、隣接している。第1有機EL素子OLED1は、第1有機層ORG1を有している。第2有機EL素子OLED2は、第1有機層ORG1とは異なる色に発光する第2有機層ORG2を有している。これらの第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2は、それぞれ分割層120として第1分割部121及び第2分割部122を有し、それぞれ領域A1乃至A3を有している。
【0060】
図10に示した例では、第1有機層ORG1が第1有機EL素子OLED1と第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIを乗り越えて第2有機EL素子OLED2の領域A1に到達している。このような状態では、第2有機EL素子OLED2の領域A1では、第1有機層ORG1と第2有機層ORG2とが積層されているため、第1有機層ORG1の発光色と第2有機層ORG2の発光色とが混ざった所謂混色不良が発生する。
【0061】
そこで、分割層120及び隔壁PIに向けてレーザーを照射し、混色不良が発生した領域A1を囲むように、分割層120及び隔壁PIの上に積層された第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極をループ状に除去する。ここでは、第2有機EL素子OLED2の領域A1は、隔壁PI及び第1分割部121によって囲まれている。レーザーは、領域A1を囲むこれらの隔壁PI及び第1分割部121の上を通るループ状に走査し、リペア処理が行われる。これにより、第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極が欠落した溝GVが形成される。この溝GVからは、隔壁PI及び第1分割部121が露出している。
【0062】
図11は、リペア後の第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2を概略的に示す断面図である。なお、図11では、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0063】
絶縁膜114の上に配置された第1有機EL素子OLED1の画素電極PE及び第2有機EL素子OLED2の画素電極PEは、それぞれ、隔壁PIと第1分割部121との間の領域A1と、第1分割部121と第2分割部122との間の領域A2と、第2分割部122と隔壁PIとの間の領域A3と、に分割されている。第1有機EL素子OLED1の第1有機層ORG1は、画素電極PE及び分割層120の上に配置されるとともに、第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIの上にも配置され、さらに、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEの領域A1の上にも配置されている。第2有機EL素子OLED2の第2有機層ORG2は、画素電極PE及び分割層120の上に配置されるとともに、領域A1においては、第1有機層ORG1の上にも配置されている。対向電極CEは、第1有機層ORG1及び第2有機層ORG2の上に配置されている。
【0064】
リペア後には、第1有機EL素子OLED1と第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIの上の第1有機層ORG1及び対向電極CEが欠落して、溝GVが形成されるとともに、第2有機EL素子OLED2において、第1分割部121の上の第2有機層ORG2及び対向電極CEが欠落して、溝GVが形成されている。つまり、第2有機EL素子OLED2においては、第1分割部121の一部及び隔壁PIの一部が溝GVから露出することになる。
【0065】
溝GVによって囲まれた内側の第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極CEは残留している。しかしながら、溝GVの内側の対向電極(つまり領域A1に対応した対向電極)CEは、溝GVの外側の対向電極(つまり領域A2及びA3に対応した対向電極及び隔壁PI上の対向電極)とは分離されている。
【0066】
このような溝GVの形成により、溝GVによって囲まれた対向電極CEには電位が供給されない。一方で、溝GVの外側の対向電極CEは一続きとなっており、電位が供給可能である。つまり、第2有機EL素子OLED2における領域A1は、他の領域A2及びA3とは電気的に切り離された状態となる。したがって、領域A1は滅点化される一方で、他の領域A2及びA3では、画素電極PEと対向電極CEとの間を正常に連流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。つまり、領域A2及びA3は、実質的に発光に寄与する領域となる。
【0067】
上述したように、画素電極PEを複数の領域に分割する分割層120を配置したことにより、混色不良が発生したとしても、その領域のみを電気的に切り離して滅点化させることで、他の領域を正常に発光させることができ、リペアが可能となる。したがって、リペア前と比較して、良好な表示品位を実現できる。
【0068】
なお、本実施形態においては、画素電極PEを分割する領域が多いほど、リペアの際に滅点化させる領域の面積が小さくて済むため、発光領域EAにおいて実質的に発光に寄与する領域の面積を大きく確保することができる。このため、リペア後の有機EL素子OLEDの発光状態は、正常な発光領域EAを有する有機EL素子OLEDの発光状態に近く、より良好な表示品位を得ることが可能となる。
【0069】
画素電極PEにおいて、分割された各領域の面積が略同等である場合、滅点化させる領域に応じた発光に寄与する面積の変化が少ない。すなわち、分割された領域に面積差がある場合には、比較的大きな面積の領域を滅点化させると、発光に寄与する面積が小さくなってしまい、逆に、比較的小さな面積の領域を滅点化させた場合には発光に寄与する面積が大きくなる。これに対して、画素電極PEを略同等の面積で分割した場合、どの領域を滅点化させても、リペア後に発光に寄与する面積は略同等とすることができる。
【0070】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【0071】
本実施形態は、有機EL装置として、有機EL表示装置について説明したが、有機EL照明や有機ELプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【符号の説明】
【0072】
1…表示パネル
100…アレイ基板
120…分割層
121…第1分割部 122…第2分割部
OLED…有機EL素子
PE…画素電極
CE…対向電極
ORG…有機層
PI…隔壁
GV…溝
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【0003】
例えば、特許文献1によれば、異物が存在することに起因した電極間のショートにより発光不良が発生した場合に、発光不良が発生した有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して少なくとも一方の電極を除去する有機発光装置のリペア方法及び製造方法に関する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2009−16195号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、表示品位の良好な有機EL装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
【0007】
また、本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記隔壁に接続されるとともに前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を前記隔壁との間で複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層及び前記隔壁を覆う対向電極と、
前記有機層及び前記対向電極がループ状に欠落し、前記分割層の一部を露出する溝と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、表示品位の良好な有機EL装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】図1は、本発明の一態様に係る有機EL装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図2】図2は、本実施形態における有機EL表示装置の有機EL素子を含むアレイ基板の概略断面図である。
【図3】図3は、図2に示した分割層のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図4】図4は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図5】図5は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図6】図6は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図7】図7は、図2に示した分割層の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。
【図8】図8は、異物混入に起因した画素電極−対向電極間ショートのリペアを説明するための平面図である。
【図9】図9は、図8に示した有機EL素子をA−A線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【図10】図10は、混色不良のリペアを説明するための平面図である。
【図11】図11は、図10に示した第1有機EL素子及び第2有機EL素子をB−B線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【0011】
図1は、有機EL装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機EL表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【0012】
すなわち、有機EL装置は、表示パネル1を備えている。この表示パネル1は、アレイ基板100及び封止基板200を備えている。アレイ基板100は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア102において、マトリクス状に配置された複数の有機EL素子OLEDを備えている。封止基板200は、アクティブエリア102において、アレイ基板100の有機EL素子OLEDと向かい合っている。この封止基板200は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。
【0013】
これらのアレイ基板100及び封止基板200は、アクティブエリア102を囲む枠状に形成されたシール部材300によって貼り合わせされている。シール部材300は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料や、フリットガラスによって形成されている。シール部材300が有機系材料によって形成されている場合には、アレイ基板100と封止基板200との間のシール部材300によって囲まれた内側に樹脂層が充填されても良い。この場合、充填される樹脂層は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの光透過性を有する有機系材料によって形成可能である。
【0014】
また、アレイ基板100は、アクティブエリア102の外側の周辺エリア104において、封止基板200の端部200Eから外方に向かって延在した延在部110を備えている。この延在部110には、駆動部130が設けられている。この駆動部130には、有機EL素子OLEDに電源や各種制御信号などの有機EL素子OLEDを駆動するのに必要な信号を供給する駆動ICチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット(以下、FPCと称する)などの信号供給源が接続可能である。
【0015】
図2は、有機EL装置の有機EL素子OLEDを備えたアレイ基板100の断面図である。
【0016】
このアレイ基板100は、ガラスなどの絶縁基板101、絶縁基板101の上方に形成されたスイッチング素子SW、有機EL素子OLEDなどを備えている。絶縁基板101の上には、アンダーコート層111が配置されている。このアンダーコート層111は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなアンダーコート層111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0017】
アンダーコート層111の上には、スイッチング素子SWの半導体層SCが配置されている。この半導体層SCは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層SCには、チャネル領域SCCを挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。
【0018】
半導体層SCは、ゲート絶縁膜112によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜112は、アンダーコート層111の上にも配置されている。このゲート絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなゲート絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0019】
ゲート絶縁膜112の上には、チャネル領域SCCの直上にスイッチング素子SWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチング素子SWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタである。このゲート電極Gは、パッシベーション膜113によって被覆されている。また、パッシベーション膜113は、ゲート絶縁膜112の上にも配置されている。このパッシベーション膜113は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。このようなパッシベーション膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。
【0020】
パッシベーション膜113の上には、スイッチング素子SWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSにコンタクトしている。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDにコンタクトしている。スイッチング素子SWのゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dは、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの導電材料を用いて形成されている。
【0021】
ソース電極S及びドレイン電極Dは、絶縁膜114によって被覆されている。また、絶縁膜114は、パッシベーション膜113の上にも配置されている。このような絶縁膜114は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。また、このような絶縁膜114は、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
【0022】
有機EL素子OLEDを構成する画素電極PEは、絶縁膜114の上に配置されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに接続されている。この画素電極PEは、この例では陽極に相当する。
【0023】
この画素電極PEは、反射電極PER及び透過電極PETが積層された2層構造である。つまり、反射電極PERは、絶縁膜114の上に配置されている。また、透過電極PETは、反射電極PERの上に配置されている。反射電極PERは、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極PETは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)、インジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極PEは、上述した2層構造に限らず、3層以上の積層構造であっても良いし、反射電極PER単層であっても良いし、透過電極PET単層であっても良い。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、画素電極PEは、反射電極PERを含む。
【0024】
絶縁膜114の上には、隔壁PIが配置されている。この隔壁PIは、画素電極PEの周囲に配置されている。また、この隔壁PIは、画素電極PEの一部に重なっている。このような隔壁PIは、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などによって形成されている。この隔壁PIは、側面PISと、上面PITとを有している。
【0025】
隔壁PIから露出した画素電極PEの上には、分割層120が配置されている。この分割層120は、画素電極PEを複数の領域に分割するものであり、図2に示した例では、分割層120と隔壁PIとの間に2つの領域A1及びA2が形成されている。これらの領域A1及びA2では、画素電極PEが隔壁PI及び分割層120から露出している。
【0026】
このような分割層120は、隔壁PIと同一材料によって形成可能であり、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料や、各種無機系材料などの絶縁材料によって形成されている。特に、有機系材料を用いた場合には、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィプロセスにより、隔壁PIと分割層120とを一括して形成することが可能である。このため、分割層120を形成するための別途の工程が不要である。この分割層120の構造については、後に詳細に説明する。
【0027】
有機EL素子OLEDを構成する有機層ORGは、画素電極PEの上に配置されている。また、この有機層ORGは、分割層120の上にも配置されている。つまり、有機層ORGは、画素電極PE及び分割層120を覆っている。換言すると、分割層120は、画素電極PEと有機層ORGとの間に配置されている。さらに、この有機層ORGは、隔壁PIの上、特に隔壁PIの側面PISを覆うように配置されているが、隔壁PIの上面PITの少なくとも一部は露出している。
【0028】
このような有機層ORGは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。有機層ORGの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【0029】
有機EL素子OLEDを構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。また、対向電極CEは、隔壁PIの上にも配置されている。つまり、対向電極CEは、有機層ORG及び隔壁PIを覆っている。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。
【0030】
このような対向電極CEは、例えば、ITOやIZOなどの導電材料によって形成された透過層や、マグネシウム・銀などによって形成された半透過層によって構成されている。マイクロキャビティ構造を採用する場合には、対向電極CEは、半透過層を含む。このような対向電極CEは、アクティブエリア102の全体に亘って延在している。
【0031】
隔壁PIによって囲まれた内側の領域は、実質的に発光領域EAに相当する。すなわち、発光領域EAでは、画素電極PEが隔壁PIから露出しており、画素電極PEの上に有機層ORGが積層され、さらに有機層ORGの上に対向電極CEが積層されている。このため、画素電極PEと対向電極CEとの間を電流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。
【0032】
なお、分割層120が配置された領域では、画素電極PEと有機層ORGとの間に絶縁材料からなる分割層120が介在しているため、電流のパスがなく、有機層ORGにおいて発光しない。
【0033】
図3は、分割層120のレイアウト例を概略的に示す平面図である。なお、この図3においては、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0034】
発光領域EAは、略長方形状であり、第1方向Xに平行な一対の長辺L1及びL2と、第1方向Xに直交する第2方向Yに平行な一対の短辺S1及びS2と、を有している。これらの長辺L1及びL2、及び、短辺S1及びS2は、隔壁PIと画素電極PEとの境界に相当する。
【0035】
分割層120は、十字型に形成され、発光領域EAの各辺L1及びL2及びS1及びS2において、隔壁PIと接続されている。すなわち、分割層120は、第1方向Xに平行な第1分割部121、及び、第2方向Yに平行で且つ発光領域EAの略中央で第1分割部121と交差する第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0036】
第1分割部121の両端は、短辺S1及びS2にそれぞれ接続されている。第2分割部122の両端は、長辺L1及びL2にそれぞれ接続されている。これにより、画素電極PEは、4つの領域A1乃至A4に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A4が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0037】
なお、分割層120は、第1方向Xに平行な分割部を複数個有し、また、第2方向Yに平行な分割部を複数個有していても良い。これにより、画素電極PEは、より多くの領域に分割可能となる。
【0038】
図4乃至図7は、分割層120の他のレイアウト例を概略的に示す平面図である。なお、図3に示したレイアウト例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
【0039】
図4に示した例では、分割層120は、第2方向Yに平行な第1分割部121、及び、この第1分割部121から離間しているとともに第1分割部121と平行な第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0040】
これらの第1分割部121及び第2分割部122の両端は、それぞれ長辺L1及びL2に接続されている。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A3が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0041】
なお、分割層120は、第2方向Yに平行な分割部を1個のみ有していても良いし、3個以上有していても良い。分割部の数が多いほど、画素電極PEはより多くの領域に分割可能となる。
【0042】
図5に示した例では、分割層120は、第1方向Xに平行な第1分割部121、及び、この第1分割部121から離間しているとともに第1分割部121と平行な第2分割部122を有している。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、ともに直線状に形成されている。
【0043】
これらの第1分割部121及び第2分割部122の両端は、それぞれ短辺S1及びS2に接続されている。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。これらの第1分割部121及び第2分割部122は、領域A1乃至A3が略同等の面積となるように形成されることが望ましい。
【0044】
なお、分割層120は、第1方向Xに平行な分割部を1個のみ有していても良いし、3個以上有していても良い。
【0045】
図6に示した例では、分割層120は、短辺S1と長辺L1とが交わる角部C1から長辺L2の略中点LMを繋ぐ直線状の第1分割部121、及び、短辺S2と長辺L1とが交わる角部C2から長辺L2の略中点LMを繋ぐ直線状の第2分割部122を有している。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。領域A2の面積は、他の領域A1及びA3のそれぞれの面積より大きく、ここでは、領域A1の面積及び領域A3の面積の和と同等である。
【0046】
図7に示した例では、分割層120は、短辺S1と長辺L1とが交わる角部C1から短辺S2の略中点SMを繋ぐ直線状の第1分割部121、及び、短辺S1と長辺L2とが交わる角部C2から短辺S2の略中点SMを繋ぐ直線状の第2分割部122を有している。これにより、画素電極PEは、3つの領域A1乃至A3に分割されている。領域A2の面積は、他の領域A1及びA3のそれぞれの面積より大きく、ここでは、領域A1の面積及び領域A3の面積の和と同等である。
【0047】
図3乃至図7に示した分割層120の各レイアウト例は、2以上を互いに組み合わせても良い。
【0048】
次に、有機層ORGに異物が混入し、画素電極PEと対向電極CEとの間のショートが発生した有機EL素子OLEDのリペアについて説明する。
【0049】
図8は、分割層120として図3に示したレイアウト例を適用した有機EL素子OLEDの平面図である。図8に示した例では、発光領域EAにおける領域A2に異物が混入している。このような状態では、有機EL素子OLEDにおける発光領域EAの全体が発光できない。
【0050】
そこで、分割層120及び隔壁PIに向けてレーザーを照射し、異物が混入した領域A2を囲むように、分割層120及び隔壁PIの上に積層された有機層及び対向電極をループ状に除去する。ここでは、領域A2は、隔壁PIと、短辺S2との接続点から第2分割部122との交点までの第1分割部121と、長辺L1との接続点から第1分割部121との交点までの第2分割部122と、によって囲まれている。レーザーは、領域A2を囲むこれらの隔壁PI、第1分割部121、及び、第2分割部122の上を通るループ状に走査し、リペア処理が行われる。これにより、有機層及び対向電極が欠落したループ状の溝GVが形成される。この溝GVからは、隔壁PI、第1分割部121、及び、第2分割部122が露出している。
【0051】
図9は、リペア後の有機EL素子OLEDを概略的に示す断面図である。なお、図9では、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0052】
絶縁膜114の上に配置された画素電極PEは、隔壁PIと第1分割部121とによって領域A2及びA4とに分割されている。領域A2には異物が混入し、画素電極PEと対向電極CEとがショートしている。リペア後には、隔壁PIの上の対向電極CE、及び、第1分割部121の上の有機層ORG及び対向電極CEが欠落し、溝GVが形成されている。つまり、第1分割部121の一部及び隔壁PIの一部が溝GVから露出することになる。
【0053】
溝GVによって囲まれた内側の有機層ORG及び対向電極CEは残留している。しかしながら、溝GVの内側の対向電極(つまり領域A2に対応した対向電極)CEは、溝GVの外側の対向電極(つまり領域A4に対応した対向電極及び隔壁PI上の対向電極)とは分離されている。
【0054】
このような溝GVの形成により、溝GVによって囲まれた対向電極CEには電位が供給されない。一方で、溝GVの外側の対向電極CEは一続きとなっており、電位が供給可能である。つまり、領域A2は、他の領域A1、A3、及び、A4とは電気的に切り離された状態となる。したがって、領域A2は滅点化される一方で、他の領域A1、A3、及び、A4では、画素電極PEと対向電極CEとの間を正常に電流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。つまり、領域A1、A3、及び、A4は、実質的に発光に寄与する領域となる。
【0055】
上述したように、画素電極PEを複数の領域に分割する分割層120を配置したことにより、異物が混入したことに起因して画素電極PEと対向電極CEとでショートが発生したとしても、異物が混入した領域のみを電気的に切り離して滅点化させることで、他の領域を正常に発光させることができ、リペアが可能となる。したがって、リペア前と比較して、良好な表示品位を実現できる。
【0056】
特に、リペアに際して利用されるレーザーは、分割層120及び隔壁PIに沿って走査される。このとき、レーザーを照射する際のターゲットとして分割層120(あるいは、分割層120を配置したことによって形成された発光領域EA内の起伏、あるいは、透過率や反射率の差など)を利用することができ、レーザーの照射精度を向上することが可能となる。
【0057】
また、リペアに際しては、分割層120の上方からレーザーが照射されるため、分割層120の下方に配置された画素電極PEや各種配線や各種回路に対して、分割層120が保護膜として機能する。このため、分割層120の下方へのダメージを軽減することが可能となる。具体的には、分割層120上の対向電極CEにレーザーを照射しても分割層120によってレーザーが遮られるため分割層120下の画素電極PEまで切断されることは無い。したがって、例えば、図4乃至図7においてA1領域の画素電極PEにスイッチング素子のドレイン電極が接続されている場合に、レーザー照射によってA2領域の対向電極CEを他の領域から電気的に切り離しても、画素電極PEは電気的に切り離されないため、A3領域に電位を供給することが可能となる。
【0058】
次に、隣接する2つの有機EL素子の間で混色不良が発生した場合のリペアについて説明する。
【0059】
図10は、分割層120として図5に示したレイアウト例を適用した第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2の平面図である。第1有機EL素子OLED1と、第2有機EL素子OLED2とは、隣接している。第1有機EL素子OLED1は、第1有機層ORG1を有している。第2有機EL素子OLED2は、第1有機層ORG1とは異なる色に発光する第2有機層ORG2を有している。これらの第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2は、それぞれ分割層120として第1分割部121及び第2分割部122を有し、それぞれ領域A1乃至A3を有している。
【0060】
図10に示した例では、第1有機層ORG1が第1有機EL素子OLED1と第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIを乗り越えて第2有機EL素子OLED2の領域A1に到達している。このような状態では、第2有機EL素子OLED2の領域A1では、第1有機層ORG1と第2有機層ORG2とが積層されているため、第1有機層ORG1の発光色と第2有機層ORG2の発光色とが混ざった所謂混色不良が発生する。
【0061】
そこで、分割層120及び隔壁PIに向けてレーザーを照射し、混色不良が発生した領域A1を囲むように、分割層120及び隔壁PIの上に積層された第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極をループ状に除去する。ここでは、第2有機EL素子OLED2の領域A1は、隔壁PI及び第1分割部121によって囲まれている。レーザーは、領域A1を囲むこれらの隔壁PI及び第1分割部121の上を通るループ状に走査し、リペア処理が行われる。これにより、第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極が欠落した溝GVが形成される。この溝GVからは、隔壁PI及び第1分割部121が露出している。
【0062】
図11は、リペア後の第1有機EL素子OLED1及び第2有機EL素子OLED2を概略的に示す断面図である。なお、図11では、説明に必要な主要部のみを図示している。
【0063】
絶縁膜114の上に配置された第1有機EL素子OLED1の画素電極PE及び第2有機EL素子OLED2の画素電極PEは、それぞれ、隔壁PIと第1分割部121との間の領域A1と、第1分割部121と第2分割部122との間の領域A2と、第2分割部122と隔壁PIとの間の領域A3と、に分割されている。第1有機EL素子OLED1の第1有機層ORG1は、画素電極PE及び分割層120の上に配置されるとともに、第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIの上にも配置され、さらに、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEの領域A1の上にも配置されている。第2有機EL素子OLED2の第2有機層ORG2は、画素電極PE及び分割層120の上に配置されるとともに、領域A1においては、第1有機層ORG1の上にも配置されている。対向電極CEは、第1有機層ORG1及び第2有機層ORG2の上に配置されている。
【0064】
リペア後には、第1有機EL素子OLED1と第2有機EL素子OLED2との間の隔壁PIの上の第1有機層ORG1及び対向電極CEが欠落して、溝GVが形成されるとともに、第2有機EL素子OLED2において、第1分割部121の上の第2有機層ORG2及び対向電極CEが欠落して、溝GVが形成されている。つまり、第2有機EL素子OLED2においては、第1分割部121の一部及び隔壁PIの一部が溝GVから露出することになる。
【0065】
溝GVによって囲まれた内側の第1有機層ORG1、第2有機層ORG2、及び、対向電極CEは残留している。しかしながら、溝GVの内側の対向電極(つまり領域A1に対応した対向電極)CEは、溝GVの外側の対向電極(つまり領域A2及びA3に対応した対向電極及び隔壁PI上の対向電極)とは分離されている。
【0066】
このような溝GVの形成により、溝GVによって囲まれた対向電極CEには電位が供給されない。一方で、溝GVの外側の対向電極CEは一続きとなっており、電位が供給可能である。つまり、第2有機EL素子OLED2における領域A1は、他の領域A2及びA3とは電気的に切り離された状態となる。したがって、領域A1は滅点化される一方で、他の領域A2及びA3では、画素電極PEと対向電極CEとの間を正常に連流が流れ、有機層ORGにおいて発光可能となる。つまり、領域A2及びA3は、実質的に発光に寄与する領域となる。
【0067】
上述したように、画素電極PEを複数の領域に分割する分割層120を配置したことにより、混色不良が発生したとしても、その領域のみを電気的に切り離して滅点化させることで、他の領域を正常に発光させることができ、リペアが可能となる。したがって、リペア前と比較して、良好な表示品位を実現できる。
【0068】
なお、本実施形態においては、画素電極PEを分割する領域が多いほど、リペアの際に滅点化させる領域の面積が小さくて済むため、発光領域EAにおいて実質的に発光に寄与する領域の面積を大きく確保することができる。このため、リペア後の有機EL素子OLEDの発光状態は、正常な発光領域EAを有する有機EL素子OLEDの発光状態に近く、より良好な表示品位を得ることが可能となる。
【0069】
画素電極PEにおいて、分割された各領域の面積が略同等である場合、滅点化させる領域に応じた発光に寄与する面積の変化が少ない。すなわち、分割された領域に面積差がある場合には、比較的大きな面積の領域を滅点化させると、発光に寄与する面積が小さくなってしまい、逆に、比較的小さな面積の領域を滅点化させた場合には発光に寄与する面積が大きくなる。これに対して、画素電極PEを略同等の面積で分割した場合、どの領域を滅点化させても、リペア後に発光に寄与する面積は略同等とすることができる。
【0070】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【0071】
本実施形態は、有機EL装置として、有機EL表示装置について説明したが、有機EL照明や有機ELプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【符号の説明】
【0072】
1…表示パネル
100…アレイ基板
120…分割層
121…第1分割部 122…第2分割部
OLED…有機EL素子
PE…画素電極
CE…対向電極
ORG…有機層
PI…隔壁
GV…溝
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【請求項2】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記隔壁に接続されるとともに前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を前記隔壁との間で複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層及び前記隔壁を覆う対向電極と、
前記有機層及び前記対向電極がループ状に欠落し、前記分割層の一部を露出する溝と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【請求項3】
前記溝は、前記分割層及び前記隔壁に沿って形成されたことを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
【請求項4】
前記分割層は、前記隔壁と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
【請求項5】
前記分割層によって分割された領域の各面積は、略同等であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
【請求項1】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【請求項2】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、
前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、
前記隔壁に接続されるとともに前記画素電極の上に配置され、前記隔壁から露出した前記画素電極を前記隔壁との間で複数の領域に分割する分割層と、
前記画素電極及び前記分割層の上に配置された有機層と、
前記有機層及び前記隔壁を覆う対向電極と、
前記有機層及び前記対向電極がループ状に欠落し、前記分割層の一部を露出する溝と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。
【請求項3】
前記溝は、前記分割層及び前記隔壁に沿って形成されたことを特徴とする請求項2に記載の有機EL装置。
【請求項4】
前記分割層は、前記隔壁と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
【請求項5】
前記分割層によって分割された領域の各面積は、略同等であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2011−34849(P2011−34849A)
【公開日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−180881(P2009−180881)
【出願日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【出願人】(302020207)東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【出願人】(302020207)東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
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