欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラム
【課題】基板の欠陥修正において、基板に塗布されたペーストへのゴミの付着を回避する。
【解決手段】欠陥修正装置では、基板２０上に塗布されたペースト６に対して、ペースト６の焼成用のレーザー光１ａが照射されるとともに、当該レーザー光１ａが照射される角度とは異なる角度から、供給管４０を介して、窒素ガス４ａが放出される。なお、窒素ガス４ａは、イオナイザによって除電された後、基板２０上に供給される。
【解決手段】欠陥修正装置では、基板２０上に塗布されたペースト６に対して、ペースト６の焼成用のレーザー光１ａが照射されるとともに、当該レーザー光１ａが照射される角度とは異なる角度から、供給管４０を介して、窒素ガス４ａが放出される。なお、窒素ガス４ａは、イオナイザによって除電された後、基板２０上に供給される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラムに関し、特に、液晶パネルのカラーフィルタ基板上に発生した異物混入やプラズマディスプレイパネルの背面に形成された電極パターンの欠陥を修正する欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネル製造工程において、パターンの欠陥には、欠陥を修正するための装置（パターン修正装置）が使用されている。このような修正装置については、種々の技術が提案されている。
【０００３】
たとえば、特許文献１（特開２０００−２９９０５９号公報）には、基板上に形成された微細パターンの欠陥に修正ペーストを塗布し、塗布した修正ペーストからなる修正部にレーザ光を照射して焼成を行なう技術が開示されている。また、特許文献２（特開平９−２７５１０４号公報）には、信頼性の高い配線を形成するために、不活性ガスが利用する技術が開示されている。具体的には、金属ペーストのＣＯ２レーザーによる焼成時において、ペーストの質の低下を防ぐために、窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平９−２７５１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したような不活性ガスが利用された場合であっても、ガスの吹き付け中、及び直後に、ゴミがペーストに付着し、これにより、基板の品質が低下する恐れがあった。
【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、基板に塗布されたペーストへのゴミの付着を回避することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従った欠陥修正方法は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するステップと、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するステップとを備え、基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスをペーストに供給する。
【０００８】
好ましくは、不活性ガスは、窒素ガスである。
本発明に従ったプログラムは、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、コンピュータを、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段、および、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる。
【０００９】
本発明に従った欠陥修正装置は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段と、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える。
【００１０】
好ましくは、供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである。
好ましくは、供給手段は、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する。
【００１１】
好ましくは、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する。
【００１２】
好ましくは、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する。
【００１３】
好ましくは、噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える。
好ましくは、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、焼成の際、ペーストに、除電気によって電気的に中和された不活性ガスが照射される。これにより、不活性ガスにおける静電気の発生を抑え、ペーストへのゴミの付着を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態の欠陥修正装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の欠陥修正装置の部分的な正面図である。
【図３】図１の欠陥修正装置における、基板に対する、レーザー光の照射および窒素ガスの供給の態様を模式的に示す図である。
【図４】図１の欠陥修正装置の主要部の制御ブロック図である。
【図５】図１の欠陥修正装置において実行されるペースト焼成処理のフローチャートである。
【図６】図２の供給管の第１の変形例を説明するための図である。
【図７】図２の供給管の第２の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の欠陥修正装置の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、同一の構成要素には各図において同一の符号を付し、詳細な説明は繰返さない。
【００１７】
＜欠陥修正装置の全体構成＞
図１は、本実施の形態の欠陥修正装置５００の全体構成を示す図である。また、図２は、図１の欠陥修正装置５００の部分的な正面図である。
【００１８】
図１を参照して、欠陥修正装置５００は、Ｘ軸テーブル１１と、Ｙ軸テーブル１２と、Ｚ軸テーブル１３とからなる位置決めテーブルを含む。Ｙ軸テーブル１２上には、欠陥修正装置５００における修正対象となる基板（基板２０）が載置されている。
【００１９】
また、欠陥修正装置５００には、レーザー装置１、レーザー装置１または図示せぬ他のレーザー装置から基板２０に照射されるレーザー光を中継するための顕微鏡ユニット２、および、ペーストの塗布機構３が設けられている。レーザー装置１は、塗布機構３によって基板２０上に塗布されたペーストを焼成するために、基板２０にレーザー光を照射する。
【００２０】
顕微鏡ユニット２には、スリット板が設けられている。スリット板には、基板２０における被加工部位の形状に対応したスリットが形成されている。そして、欠陥修正装置５００では、当該スリット板をレーザー光が通過し、顕微鏡ユニット２の対物レンズを介して、被加工部位上にレーザー光が照射されることによって、不要な欠陥を除去することができる。
【００２１】
欠陥修正装置５００では、後述するＸ軸テーブル駆動部１１Ａ、Ｙ軸テーブル駆動部１２Ａ、および、Ｚ軸テーブル駆動部１３Ａが駆動されることにより、図１中のＸ方向、Ｙ方向、および、Ｚ方向についての、基板２０の位置合わせが行なわれる。
【００２２】
欠陥修正装置５００には、図示せぬ窒素ガス供給源（窒素ガスボンベ等）から基板２０上に窒素ガスを供給するための供給管４０、および、イオナイザ装置４が取り付けられている。欠陥修正装置５００では、図示しない窒素ガスの供給源から供給管４０に窒素ガスが導入され、当該窒素ガスは、供給管４０を介して、基板２０上へ放出される。イオナイザ装置４は、供給管４０に導入された窒素ガスを電気的に中和する。これにより、欠陥修正装置５００は、除電された窒素ガスを、基板２０上へ供給できる。
【００２３】
図３は、欠陥修正装置５００における、基板２０に対する、レーザー光の照射および窒素ガスの供給の態様を模式的に示す図である。図３を参照して、欠陥修正装置５００では、レーザー装置１から基板２０上に塗布されたペースト６に対して、ペースト６の焼成用のレーザー光１ａが照射されるとともに、当該レーザー光１ａが照射される角度とは異なる角度から、供給管４０を介して、除電された窒素ガス４ａが放出される。
【００２４】
なお、欠陥修正装置５００では、供給管４０の先端を、図２中の矢印Ｒ１方向に移動させたり、矢印Ｒ２方向に回転移動させるための駆動部（後述する噴出口駆動部５０）が設けられている。これにより、欠陥修正装置５００では、供給管４０から放出する窒素ガスのターゲットの位置を、ペースト６が塗布された位置に合わせて移動させることができる。
【００２５】
また、欠陥修正装置５００は、当該欠陥修正装置５００に備えられる各要素の動作を制御するための制御用コンピュータ１００を備える。
【００２６】
＜制御ブロック＞
図４は、欠陥修正装置５００の主要部の制御ブロック図である。
【００２７】
欠陥修正装置５００は、上記した制御用コンピュータ１００、ならびに、当該制御用コンピュータ１００によって動作を制御される、レーザー装置１、Ｘ軸テーブル駆動部１１Ａ、Ｙ軸テーブル駆動部１２Ａ、Ｚ軸テーブル駆動部１３Ａ、塗布機構３、イオナイザ装置４、および、噴出口駆動部５０に加えて、不活性ガス供給部８と入力装置９とを備える。
【００２８】
不活性ガス供給部８は、上記した窒素ガス供給源から供給管４０への窒素ガスの導入量を調整するものであり、たとえば、窒素ガス供給源と供給管４０との間に設けられたバルブの開度を調整するための機構（モータ等）によって実現される。不活性ガス供給部８の動作は、制御用コンピュータ１００によって制御される。
【００２９】
入力装置９は、制御用コンピュータ１００に情報を入力するための装置であり、たとえば、キーボードやマウス、タッチセンサによって実現される。
【００３０】
噴出口駆動部５０は、供給管４０の先端（不活性ガスを噴出する噴出口）の位置を移動させるための部品からなり、たとえば、供給管４０の先端を支持する部材と、当該部材を変位させるためのモータ等の駆動手段とを含む。制御用コンピュータ１００は、噴出口駆動部５０を適宜駆動することにより、供給管４０の先端の位置を移動させることができる。
【００３１】
制御用コンピュータ１００は、本明細書に記載された欠陥修正装置５００の動作を実現するために当該欠陥修正装置５００の各要素（イオナイザ装置４等）の動作を制御するための処理を実行する演算装置１００Ａと、当該演算装置１００Ａによって実行されるプログラムを記憶するための記憶装置１００Ｂと、他の機器と通信するためのインターフェース１００Ｃとを含む。
【００３２】
記憶装置１００Ｂを構成する記憶媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk - Read Only Memory）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disk - Read Only Memory）、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、メモリカード、ＦＤ（Flexible Disk）、ハードディスク、磁気テープ、カセットテープ、ＭＯ（Magnetic Optical Disk）、ＭＤ（Mini Disk）、ＩＣ（Integrated Circuit）カード（メモリカードを除く）、光カード、マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（Electronically Erasable Programmable Read Only Memory）などの、不揮発的にプログラムを格納する媒体が挙げられる。
【００３３】
＜ペースト焼成処理＞
欠陥修正装置５００では、制御用コンピュータ１００は、欠陥修正装置５００の各要素の動作を制御することにより、基板２０の欠陥部位にペースト６を塗布した後、ペースト６の焼成に適した期間（以下、「所定時間」ともいう）、レーザー装置１に、ペースト６に対してレーザー光を照射させる。図５は、このようなペースト６の焼成の際に制御用コンピュータ１００において実行される処理（ペースト焼成処理）のフローチャートである。
【００３４】
図５を参照して、制御用コンピュータ１００は、まずステップＳ１０で、基板２０にペースト６の焼成のためのレーザー光を照射するタイミングが到来したか否かを判断する。たとえば、ペースト６をレーザー装置１からのレーザー光の照射位置に位置させるような基板２０の位置決めが完了したとき、制御用コンピュータ１００は、上記レーザー光を照射するタイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ１００は、当該タイミングが到来したと判断するとステップＳ２０へ処理を進める。
【００３５】
ステップＳ２０では、制御用コンピュータ１００は、イオナイザ装置４の除電動作をＯＮし、不活性ガスの供給をＯＮして、ステップＳ３０へ処理を進める。「不活性ガスの供給をＯＮ」とは、たとえば、不活性ガス供給部８が上記したようなバルブの開度を調整するモータによって実現される場合には、当該モータを駆動させてバルブの開度を上げて、供給管４０を介して窒素ガスが放出される状態にすることを言う。
【００３６】
ステップＳ３０では、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１にレーザー光を照射させる。これにより、図３を参照して説明したように、基板２０のペースト６を塗布された部分に、レーザー光１ａが照射され、また、除電された窒素ガス４ａが供給される。なお、ステップＳ３０におけるレーザー光照射の開始は、ステップＳ２０においてイオナイザ装置４の除電動作をＯＮさせてから、当該イオナイザ装置４の動作が安定すると考えられる時間が経過した後に、行なわれても良い。
【００３７】
次に、ステップＳ４０で、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１によるレーザー光の照射を終了するタイミングが到来したか否かを判断する。制御用コンピュータ１００は、たとえば、ステップＳ３０でレーザー光の照射を開始してから、ペースト６の焼成のためのレーザー光照射についての所定時間が経過したか否かを判断し、経過したと判断すると、当該タイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ１００は、当該タイミングが到来したと判断するとステップＳ５０へ処理を進める。
【００３８】
ステップＳ５０では、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１にレーザー光の照射を終了させて、ステップＳ６０へ処理を進める。
【００３９】
ステップＳ６０では、ステップＳ２０でＯＮさせたイオナイザ装置４の除電動作をＯＦＦし、また、ステップＳ２０でＯＮさせた不活性ガスの供給をＯＦＦして、処理を終了する。
【００４０】
＜変形例等＞
以上説明した本実施の形態では、欠陥修正装置５００によって、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置の一例が構成される。
【００４１】
また、塗布機構３によって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段の一例が構成される。また、レーザー装置１によって、基板上に塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段の一例が構成される。また、不活性ガス供給部８および供給管４０によって、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段の一例が構成される。そして、イオナイザ装置４によって、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段の一例が構成される。
【００４２】
なお、供給手段によって供給される不活性ガスとして、本実施の形態では、窒素ガスが採用されたが、これに限定されるものではない。なお、窒素ガスが採用された場合には、欠陥修正装置のランニングコストの低下が可能となり、また、装置の管理が容易になる。
【００４３】
また、供給手段は、基板２０近傍を窒素雰囲気にするものであれば良い。なお、本実施の形態のように、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口（供給管４０の先端）を有するものであっても良い。噴出口が設けられることにより、基板２０上のペースト６が設けられた部分に対して局所的に不活性ガスを供給できる。これにより、より少ない窒素ガス供給量で、確実に、ペースト６近傍を窒素雰囲気にすることができる。
【００４４】
また、欠陥修正装置５００では、噴出口駆動部５０によって、噴出口の位置を移動させるための移動手段の一例が構成される。欠陥修正装置５００においてこのような移動手段が設けられた場合には、噴出口の位置を適宜補正できるため、より確実に、ペースト６近傍を窒素雰囲気にすることができる。したがって、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００４５】
また、欠陥修正装置５００では、ユーザは、入力装置９に、基板２０の焼成時間を含めた、基板２０の処理についての種々の条件を入力することができる。制御用コンピュータ１００は、当該入力された条件に従って、基板２０の焼成を含めた種々の制御動作を実行する。たとえば、制御用コンピュータ１００は、上記のように入力された焼成時間を、図５を参照して説明したペースト焼成処理における「所定時間」とすることができる。つまり、ステップＳ３０で焼成を開始してから、ステップＳ４０において上記焼成時間の経過を条件として、ステップＳ５０で焼成（レーザー装置１によるレーザー光の照射）を終了させることができる。
【００４６】
このことから、欠陥修正装置５００では、入力装置９によって、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段の一例が構成され、また、制御用コンピュータ１００によって、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段の一例が構成される。なお、制御用コンピュータ１００は、他の装置から入力された焼成時間に従って焼成の時間を決定する場合には、インターフェース１００Ｃによって、入力手段の一例が構成される。
【００４７】
＜変更の第１具体例＞
欠陥修正装置において、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する場合が有り得る。図６は、図２等に示された供給管４０の第１の変形例を説明するための図である。
【００４８】
図６に示された供給管４０は、その先端が、噴出口４０Ａと噴出口４０Ｂに分岐している。なお、噴出口４０Ａと噴出口４０Ｂは、いずれも、図４を参照して説明したようなペースト６に向けて不活性ガスを噴出する向きに配置されている。
【００４９】
これにより、ペースト６に対して、二方向から１点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００５０】
＜変更の第２具体例＞
欠陥修正装置において、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する場合が有り得る。図７は、図２等に示された供給管４０の第２の変形例を説明するための図である。
【００５１】
図７には、供給管４０の代わりに設けられる供給管４１が示されている。供給管４１は、供給管４０に対して、その先端部分（ペースト６に不活性ガスを供給する側の部分）の構造が変更されている。
【００５２】
供給管４１には、複数の噴出孔４１Ａ〜４１Ｈが設けられている。そして、本変形例では、図３に示されたようなペースト６に向けて、噴出孔４１Ａ〜４１Ｈのそれぞれから、除電された不活性ガスが放出される。これにより、ペースト６に対して、多方向から１点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５４】
１ レーザー装置、１ａ レーザー光、２ 顕微鏡ユニット、３ 塗布機構、４ イオナイザ装置、４ａ 窒素ガス、６ ペースト、８ 不活性ガス供給部、９ 入力装置、２０ 基板、４０，４１ 供給管、４０Ａ，４０Ｂ 噴出口、４１Ａ〜４１Ｈ 噴出孔、５０ 噴出口駆動部、１００ 制御用コンピュータ、１００Ａ 演算装置、１００Ｂ 記憶装置、１００Ｃ インターフェース、５００ 欠陥修正装置。
【技術分野】
【０００１】
この発明は欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラムに関し、特に、液晶パネルのカラーフィルタ基板上に発生した異物混入やプラズマディスプレイパネルの背面に形成された電極パターンの欠陥を修正する欠陥修正方法、欠陥修正装置、および、プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネル製造工程において、パターンの欠陥には、欠陥を修正するための装置（パターン修正装置）が使用されている。このような修正装置については、種々の技術が提案されている。
【０００３】
たとえば、特許文献１（特開２０００−２９９０５９号公報）には、基板上に形成された微細パターンの欠陥に修正ペーストを塗布し、塗布した修正ペーストからなる修正部にレーザ光を照射して焼成を行なう技術が開示されている。また、特許文献２（特開平９−２７５１０４号公報）には、信頼性の高い配線を形成するために、不活性ガスが利用する技術が開示されている。具体的には、金属ペーストのＣＯ２レーザーによる焼成時において、ペーストの質の低下を防ぐために、窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９９０５９号公報
【特許文献２】特開平９−２７５１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したような不活性ガスが利用された場合であっても、ガスの吹き付け中、及び直後に、ゴミがペーストに付着し、これにより、基板の品質が低下する恐れがあった。
【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、基板に塗布されたペーストへのゴミの付着を回避することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に従った欠陥修正方法は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するステップと、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するステップとを備え、基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスをペーストに供給する。
【０００８】
好ましくは、不活性ガスは、窒素ガスである。
本発明に従ったプログラムは、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、コンピュータを、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段、および、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる。
【０００９】
本発明に従った欠陥修正装置は、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段と、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える。
【００１０】
好ましくは、供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである。
好ましくは、供給手段は、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する。
【００１１】
好ましくは、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する。
【００１２】
好ましくは、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する。
【００１３】
好ましくは、噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える。
好ましくは、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、焼成の際、ペーストに、除電気によって電気的に中和された不活性ガスが照射される。これにより、不活性ガスにおける静電気の発生を抑え、ペーストへのゴミの付着を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施の形態の欠陥修正装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の欠陥修正装置の部分的な正面図である。
【図３】図１の欠陥修正装置における、基板に対する、レーザー光の照射および窒素ガスの供給の態様を模式的に示す図である。
【図４】図１の欠陥修正装置の主要部の制御ブロック図である。
【図５】図１の欠陥修正装置において実行されるペースト焼成処理のフローチャートである。
【図６】図２の供給管の第１の変形例を説明するための図である。
【図７】図２の供給管の第２の変形例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の欠陥修正装置の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、同一の構成要素には各図において同一の符号を付し、詳細な説明は繰返さない。
【００１７】
＜欠陥修正装置の全体構成＞
図１は、本実施の形態の欠陥修正装置５００の全体構成を示す図である。また、図２は、図１の欠陥修正装置５００の部分的な正面図である。
【００１８】
図１を参照して、欠陥修正装置５００は、Ｘ軸テーブル１１と、Ｙ軸テーブル１２と、Ｚ軸テーブル１３とからなる位置決めテーブルを含む。Ｙ軸テーブル１２上には、欠陥修正装置５００における修正対象となる基板（基板２０）が載置されている。
【００１９】
また、欠陥修正装置５００には、レーザー装置１、レーザー装置１または図示せぬ他のレーザー装置から基板２０に照射されるレーザー光を中継するための顕微鏡ユニット２、および、ペーストの塗布機構３が設けられている。レーザー装置１は、塗布機構３によって基板２０上に塗布されたペーストを焼成するために、基板２０にレーザー光を照射する。
【００２０】
顕微鏡ユニット２には、スリット板が設けられている。スリット板には、基板２０における被加工部位の形状に対応したスリットが形成されている。そして、欠陥修正装置５００では、当該スリット板をレーザー光が通過し、顕微鏡ユニット２の対物レンズを介して、被加工部位上にレーザー光が照射されることによって、不要な欠陥を除去することができる。
【００２１】
欠陥修正装置５００では、後述するＸ軸テーブル駆動部１１Ａ、Ｙ軸テーブル駆動部１２Ａ、および、Ｚ軸テーブル駆動部１３Ａが駆動されることにより、図１中のＸ方向、Ｙ方向、および、Ｚ方向についての、基板２０の位置合わせが行なわれる。
【００２２】
欠陥修正装置５００には、図示せぬ窒素ガス供給源（窒素ガスボンベ等）から基板２０上に窒素ガスを供給するための供給管４０、および、イオナイザ装置４が取り付けられている。欠陥修正装置５００では、図示しない窒素ガスの供給源から供給管４０に窒素ガスが導入され、当該窒素ガスは、供給管４０を介して、基板２０上へ放出される。イオナイザ装置４は、供給管４０に導入された窒素ガスを電気的に中和する。これにより、欠陥修正装置５００は、除電された窒素ガスを、基板２０上へ供給できる。
【００２３】
図３は、欠陥修正装置５００における、基板２０に対する、レーザー光の照射および窒素ガスの供給の態様を模式的に示す図である。図３を参照して、欠陥修正装置５００では、レーザー装置１から基板２０上に塗布されたペースト６に対して、ペースト６の焼成用のレーザー光１ａが照射されるとともに、当該レーザー光１ａが照射される角度とは異なる角度から、供給管４０を介して、除電された窒素ガス４ａが放出される。
【００２４】
なお、欠陥修正装置５００では、供給管４０の先端を、図２中の矢印Ｒ１方向に移動させたり、矢印Ｒ２方向に回転移動させるための駆動部（後述する噴出口駆動部５０）が設けられている。これにより、欠陥修正装置５００では、供給管４０から放出する窒素ガスのターゲットの位置を、ペースト６が塗布された位置に合わせて移動させることができる。
【００２５】
また、欠陥修正装置５００は、当該欠陥修正装置５００に備えられる各要素の動作を制御するための制御用コンピュータ１００を備える。
【００２６】
＜制御ブロック＞
図４は、欠陥修正装置５００の主要部の制御ブロック図である。
【００２７】
欠陥修正装置５００は、上記した制御用コンピュータ１００、ならびに、当該制御用コンピュータ１００によって動作を制御される、レーザー装置１、Ｘ軸テーブル駆動部１１Ａ、Ｙ軸テーブル駆動部１２Ａ、Ｚ軸テーブル駆動部１３Ａ、塗布機構３、イオナイザ装置４、および、噴出口駆動部５０に加えて、不活性ガス供給部８と入力装置９とを備える。
【００２８】
不活性ガス供給部８は、上記した窒素ガス供給源から供給管４０への窒素ガスの導入量を調整するものであり、たとえば、窒素ガス供給源と供給管４０との間に設けられたバルブの開度を調整するための機構（モータ等）によって実現される。不活性ガス供給部８の動作は、制御用コンピュータ１００によって制御される。
【００２９】
入力装置９は、制御用コンピュータ１００に情報を入力するための装置であり、たとえば、キーボードやマウス、タッチセンサによって実現される。
【００３０】
噴出口駆動部５０は、供給管４０の先端（不活性ガスを噴出する噴出口）の位置を移動させるための部品からなり、たとえば、供給管４０の先端を支持する部材と、当該部材を変位させるためのモータ等の駆動手段とを含む。制御用コンピュータ１００は、噴出口駆動部５０を適宜駆動することにより、供給管４０の先端の位置を移動させることができる。
【００３１】
制御用コンピュータ１００は、本明細書に記載された欠陥修正装置５００の動作を実現するために当該欠陥修正装置５００の各要素（イオナイザ装置４等）の動作を制御するための処理を実行する演算装置１００Ａと、当該演算装置１００Ａによって実行されるプログラムを記憶するための記憶装置１００Ｂと、他の機器と通信するためのインターフェース１００Ｃとを含む。
【００３２】
記憶装置１００Ｂを構成する記憶媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disk - Read Only Memory）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disk - Read Only Memory）、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、メモリカード、ＦＤ（Flexible Disk）、ハードディスク、磁気テープ、カセットテープ、ＭＯ（Magnetic Optical Disk）、ＭＤ（Mini Disk）、ＩＣ（Integrated Circuit）カード（メモリカードを除く）、光カード、マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（Electronically Erasable Programmable Read Only Memory）などの、不揮発的にプログラムを格納する媒体が挙げられる。
【００３３】
＜ペースト焼成処理＞
欠陥修正装置５００では、制御用コンピュータ１００は、欠陥修正装置５００の各要素の動作を制御することにより、基板２０の欠陥部位にペースト６を塗布した後、ペースト６の焼成に適した期間（以下、「所定時間」ともいう）、レーザー装置１に、ペースト６に対してレーザー光を照射させる。図５は、このようなペースト６の焼成の際に制御用コンピュータ１００において実行される処理（ペースト焼成処理）のフローチャートである。
【００３４】
図５を参照して、制御用コンピュータ１００は、まずステップＳ１０で、基板２０にペースト６の焼成のためのレーザー光を照射するタイミングが到来したか否かを判断する。たとえば、ペースト６をレーザー装置１からのレーザー光の照射位置に位置させるような基板２０の位置決めが完了したとき、制御用コンピュータ１００は、上記レーザー光を照射するタイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ１００は、当該タイミングが到来したと判断するとステップＳ２０へ処理を進める。
【００３５】
ステップＳ２０では、制御用コンピュータ１００は、イオナイザ装置４の除電動作をＯＮし、不活性ガスの供給をＯＮして、ステップＳ３０へ処理を進める。「不活性ガスの供給をＯＮ」とは、たとえば、不活性ガス供給部８が上記したようなバルブの開度を調整するモータによって実現される場合には、当該モータを駆動させてバルブの開度を上げて、供給管４０を介して窒素ガスが放出される状態にすることを言う。
【００３６】
ステップＳ３０では、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１にレーザー光を照射させる。これにより、図３を参照して説明したように、基板２０のペースト６を塗布された部分に、レーザー光１ａが照射され、また、除電された窒素ガス４ａが供給される。なお、ステップＳ３０におけるレーザー光照射の開始は、ステップＳ２０においてイオナイザ装置４の除電動作をＯＮさせてから、当該イオナイザ装置４の動作が安定すると考えられる時間が経過した後に、行なわれても良い。
【００３７】
次に、ステップＳ４０で、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１によるレーザー光の照射を終了するタイミングが到来したか否かを判断する。制御用コンピュータ１００は、たとえば、ステップＳ３０でレーザー光の照射を開始してから、ペースト６の焼成のためのレーザー光照射についての所定時間が経過したか否かを判断し、経過したと判断すると、当該タイミングが到来したと判断する。そして、制御用コンピュータ１００は、当該タイミングが到来したと判断するとステップＳ５０へ処理を進める。
【００３８】
ステップＳ５０では、制御用コンピュータ１００は、レーザー装置１にレーザー光の照射を終了させて、ステップＳ６０へ処理を進める。
【００３９】
ステップＳ６０では、ステップＳ２０でＯＮさせたイオナイザ装置４の除電動作をＯＦＦし、また、ステップＳ２０でＯＮさせた不活性ガスの供給をＯＦＦして、処理を終了する。
【００４０】
＜変形例等＞
以上説明した本実施の形態では、欠陥修正装置５００によって、基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置の一例が構成される。
【００４１】
また、塗布機構３によって、基板上の欠陥にペーストを塗布するための塗布手段の一例が構成される。また、レーザー装置１によって、基板上に塗布されたペーストを硬化させるために基板を焼成するための焼成手段の一例が構成される。また、不活性ガス供給部８および供給管４０によって、焼成手段による基板の焼成において、ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段の一例が構成される。そして、イオナイザ装置４によって、供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段の一例が構成される。
【００４２】
なお、供給手段によって供給される不活性ガスとして、本実施の形態では、窒素ガスが採用されたが、これに限定されるものではない。なお、窒素ガスが採用された場合には、欠陥修正装置のランニングコストの低下が可能となり、また、装置の管理が容易になる。
【００４３】
また、供給手段は、基板２０近傍を窒素雰囲気にするものであれば良い。なお、本実施の形態のように、欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口（供給管４０の先端）を有するものであっても良い。噴出口が設けられることにより、基板２０上のペースト６が設けられた部分に対して局所的に不活性ガスを供給できる。これにより、より少ない窒素ガス供給量で、確実に、ペースト６近傍を窒素雰囲気にすることができる。
【００４４】
また、欠陥修正装置５００では、噴出口駆動部５０によって、噴出口の位置を移動させるための移動手段の一例が構成される。欠陥修正装置５００においてこのような移動手段が設けられた場合には、噴出口の位置を適宜補正できるため、より確実に、ペースト６近傍を窒素雰囲気にすることができる。したがって、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００４５】
また、欠陥修正装置５００では、ユーザは、入力装置９に、基板２０の焼成時間を含めた、基板２０の処理についての種々の条件を入力することができる。制御用コンピュータ１００は、当該入力された条件に従って、基板２０の焼成を含めた種々の制御動作を実行する。たとえば、制御用コンピュータ１００は、上記のように入力された焼成時間を、図５を参照して説明したペースト焼成処理における「所定時間」とすることができる。つまり、ステップＳ３０で焼成を開始してから、ステップＳ４０において上記焼成時間の経過を条件として、ステップＳ５０で焼成（レーザー装置１によるレーザー光の照射）を終了させることができる。
【００４６】
このことから、欠陥修正装置５００では、入力装置９によって、焼成手段による基板の焼成の時間を入力するための入力手段の一例が構成され、また、制御用コンピュータ１００によって、入力手段に入力された時間、焼成手段に基板を焼成させるための制御手段の一例が構成される。なお、制御用コンピュータ１００は、他の装置から入力された焼成時間に従って焼成の時間を決定する場合には、インターフェース１００Ｃによって、入力手段の一例が構成される。
【００４７】
＜変更の第１具体例＞
欠陥修正装置において、供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の噴出口を有する場合が有り得る。図６は、図２等に示された供給管４０の第１の変形例を説明するための図である。
【００４８】
図６に示された供給管４０は、その先端が、噴出口４０Ａと噴出口４０Ｂに分岐している。なお、噴出口４０Ａと噴出口４０Ｂは、いずれも、図４を参照して説明したようなペースト６に向けて不活性ガスを噴出する向きに配置されている。
【００４９】
これにより、ペースト６に対して、二方向から１点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００５０】
＜変更の第２具体例＞
欠陥修正装置において、供給手段は、互いに異なる方向から欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の噴出口を有する場合が有り得る。図７は、図２等に示された供給管４０の第２の変形例を説明するための図である。
【００５１】
図７には、供給管４０の代わりに設けられる供給管４１が示されている。供給管４１は、供給管４０に対して、その先端部分（ペースト６に不活性ガスを供給する側の部分）の構造が変更されている。
【００５２】
供給管４１には、複数の噴出孔４１Ａ〜４１Ｈが設けられている。そして、本変形例では、図３に示されたようなペースト６に向けて、噴出孔４１Ａ〜４１Ｈのそれぞれから、除電された不活性ガスが放出される。これにより、ペースト６に対して、多方向から１点に集中させて、窒素ブローを供給でき、より確実に、ペースト６へのゴミの付着を防止できる。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５４】
１ レーザー装置、１ａ レーザー光、２ 顕微鏡ユニット、３ 塗布機構、４ イオナイザ装置、４ａ 窒素ガス、６ ペースト、８ 不活性ガス供給部、９ 入力装置、２０ 基板、４０，４１ 供給管、４０Ａ，４０Ｂ 噴出口、４１Ａ〜４１Ｈ 噴出孔、５０ 噴出口駆動部、１００ 制御用コンピュータ、１００Ａ 演算装置、１００Ｂ 記憶装置、１００Ｃ インターフェース、５００ 欠陥修正装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するステップと、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するステップとを備え、
前記基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスを前記ペーストに供給する、欠陥修正方法。
【請求項２】
前記不活性ガスは、窒素ガスである、請求項１に記載の欠陥修正方法。
【請求項３】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段、および、
前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる、プログラム。
【請求項４】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段と、
前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、
前記供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える、欠陥修正装置。
【請求項５】
前記供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである、請求項４に記載の欠陥修正装置。
【請求項６】
前記供給手段は、前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する、請求項４または請求項５に記載の欠陥修正装置。
【請求項７】
前記供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の前記噴出口を有する、請求項６に記載の欠陥修正装置。
【請求項８】
前記供給手段は、互いに異なる方向から前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の前記噴出口を有する、請求項６または請求項７に記載の欠陥修正装置。
【請求項９】
前記噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える、請求項６〜請求項８のいずれかに記載の欠陥修正装置。
【請求項１０】
前記焼成手段による前記基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、
前記入力手段に入力された時間、前記焼成手段に前記基板を焼成させるための制御手段とを備える、請求項４〜請求項８のいずれかに記載の欠陥修正装置。
【請求項１】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正する欠陥修正方法であって、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するステップと、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するステップとを備え、
前記基板を焼成するステップでは、除電器によって除電された不活性ガスを前記ペーストに供給する、欠陥修正方法。
【請求項２】
前記不活性ガスは、窒素ガスである、請求項１に記載の欠陥修正方法。
【請求項３】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置を制御するコンピュータが実行するプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段、および、
前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに供給する不活性ガスを除電するための除電手段として機能させる、プログラム。
【請求項４】
基板上のパターン不良あるいは異物混入などの欠陥を修正するための欠陥修正装置であって、
前記基板上の前記欠陥にペーストを塗布するための塗布手段と、
塗布された前記ペーストを硬化させるために前記基板を焼成するための焼成手段と、
前記焼成手段による前記基板の焼成において、前記ペーストに不活性ガスを供給するための供給手段と、
前記供給手段によって供給される不活性ガスを除電するための除電手段とを備える、欠陥修正装置。
【請求項５】
前記供給手段によって供給される不活性ガスは、窒素ガスである、請求項４に記載の欠陥修正装置。
【請求項６】
前記供給手段は、前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための噴出口を有する、請求項４または請求項５に記載の欠陥修正装置。
【請求項７】
前記供給手段は、不活性ガスの供給源に接続された配管が分岐してなる複数の前記噴出口を有する、請求項６に記載の欠陥修正装置。
【請求項８】
前記供給手段は、互いに異なる方向から前記欠陥に向けて不活性ガスを供給するための複数の前記噴出口を有する、請求項６または請求項７に記載の欠陥修正装置。
【請求項９】
前記噴出口の位置を移動させるための移動手段をさらに備える、請求項６〜請求項８のいずれかに記載の欠陥修正装置。
【請求項１０】
前記焼成手段による前記基板の焼成の時間を入力するための入力手段と、
前記入力手段に入力された時間、前記焼成手段に前記基板を焼成させるための制御手段とを備える、請求項４〜請求項８のいずれかに記載の欠陥修正装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−１０５０７７（Ｐ２０１３−１０５０７７Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４９６８４（Ｐ２０１１−２４９６８４）
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（０００１０２６９２）ＮＴＮ株式会社 (9,006)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（０００１０２６９２）ＮＴＮ株式会社 (9,006)
【Ｆターム（参考）】
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