液晶組成物および液晶表示素子
【課題】ネマチック相の高い上限温度及び低い下限温度、大きな光学異方性、誘電率異方性、比抵抗、小さな粘度、紫外線および熱に対する高い安定性を示す液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子の提供。
【解決手段】例えば、第１成分として４位にフッ素、４´位にアルケニル基が置換されたビフェニル成分、第２成分として３，４，５−トリフルオロフェニルと２，６−ジフルオロビフェニルが−ＣＦ２Ｏ−で結合した化合物及び３，４，５−トリフェニルターフェニル化合物から選ばれた成分、及び第３成分として３，４，５−トリフルオロビフェニルシクロヘキサン化合物及び３，４，５−トリフルオロビフェニルジシクロヘキサン化合物から選ばれた成分を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【解決手段】例えば、第１成分として４位にフッ素、４´位にアルケニル基が置換されたビフェニル成分、第２成分として３，４，５−トリフルオロフェニルと２，６−ジフルオロビフェニルが−ＣＦ２Ｏ−で結合した化合物及び３，４，５−トリフェニルターフェニル化合物から選ばれた成分、及び第３成分として３，４，５−トリフルオロビフェニルシクロヘキサン化合物及び３，４，５−トリフルオロビフェニルジシクロヘキサン化合物から選ばれた成分を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。一般的に、誘電率異方性が大きいほど粘度が大きくなる。素子の用途によって適切な誘電率異方性が求められる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１および２に開示されている。
【特許文献１】特開昭６１−２７９３１
【特許文献２】特開平１０−１１４６９３
【０００７】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。この目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。本発明の側面は、０．１３から０．１７の大きい光学異方性、大きな誘電率異方性などを有する組成物を提供することであり、そして低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。特に、大きな光学異方性、大きな誘電異方性および小さな粘度を求められるＴＮモードまたはＯＣＢモードを利用したＡＭ素子に適している。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、０．１３から０．１７の大きな光学異方性、大きな誘電異方性などの特性を有し、そして低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、直線状の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。
【００１２】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００１３】
下記の化合物（１）は大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度および優れた相溶性を有する。そこで、高い信頼性および種々の特性のバランスを満足するように、化合物（２−１）と化合物（２−２）、および化合物（３−１）と化合物（３−２）を選択し本組成物を完成した。化合物（２−１）と化合物（２−２）は、非常に大きな誘電率異方性および大きな光学異方性を有し、化合物（３−１）と化合物（３−２）は、大きな誘電異方性、小さい粘度および高い上限温度と低い下限温度を有する。このような着想に基づいて組成物を調製し、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さい粘性、高い信頼性および高い上限温度と低い下限温度などの特性を有する組成物を見出した。組成物の特性を微調整できるような成分化合物をさらに検討し、本発明を完成させた。
【００１４】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｙ１はフッ素または塩素である。
【００１５】
本発明の詳細は、下記の項などである。
１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００２０】
２． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組物。
【００２１】
３． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲である、項１または２に記載の液晶組成物。
【００２２】
４． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００２８】
５． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項４に記載の液晶組成物。
【００２９】
６． 式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素である、項４または５に記載の液晶組成物。
【００３０】
７． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、項６に記載の液晶組成物。
【００３１】
８． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００３８】
９． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項８に記載の液晶組成物。
【００３９】
１０． 式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素であり、式（５）においてＸ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素である、項８または９に記載の液晶組成物。
【００４０】
１１． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が３重量％から２０重量％の範囲である、項１０に記載の液晶組成物。
【００４１】
１２． ネマチック相の上限温度が７０℃から１１０℃の範囲であり、２５℃で波長５８９ｎｍにおける光学異方性が０．１３から０．１８の範囲であり、そして２５℃における誘電率異方性が７から１７の範囲である、項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００４２】
１３． 項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００４３】
本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００４４】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００４５】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４）および化合物（５）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである。
【００４６】
組成物Ｂは、実質的に、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４）および化合物（５）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００４７】
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。
【００４８】
【００４９】
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、粘度を下げ、そしてネマチック相の下限温度を下げる。化合物（２−１）および化合物（２−２）は誘電率異方性を特に上げ、光学異方性を上げる。化合物（３−１）および（３−２）は、誘電率異方性を上げ、ネマチック相の上限温度を上げ、そしてネマチック相の下限温度を下げる。化合物（４）は、特にネマチック相の上限温度を上げ、光学異方性を上げ、そして粘度を下げる。化合物（５）は、光学異方性を上げ、そして粘度を下げる。
【００５０】
第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、粘度を下げ、下限温度を下げるために５％以上であり、上限温度を上げ、下限温度を下げるために２５％以下である。さらに好ましい割合は５％から２０％の範囲である。特に好ましい割合は６％から１５％の範囲である。
【００５１】
第２成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、特に誘電異方性を上げるために１０％以上であり、下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％から３５％である。特に好ましい割合は１５％から３０％の範囲である。
【００５２】
第３成分の好ましい割合は、誘電異方性を上げ、上限温度を上げ、そして下限温度を下げるために２５％以上であり、下限温度を下げるために６５％以下である。さらに好ましい割合は、２５％から６０％の範囲である。特に好ましい割合は、３０％から５５％の範囲である。
【００５３】
第４成分は付加的な成分であり、特に大きな光学異方性、低い粘度、高い上限温度および低い下限温度を有する組成物の調整に適している。この成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、粘度を下げ、上限温度を上げ、下限温度を下げ、かつ大きい誘電異方性を確保するために、３０％以下である。さらに好ましい割合は、２５％以下である。
第５成分は付加的な成分であり、特に大きな光学異方性および低い粘度を有する組成物の調整に適している。この成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、粘度を下げ、かつ大きい誘電異方性を確保するために、２０％以下である。さらに好ましい割合は、１５％以下である。
【００５４】
組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分および第５成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける５つの成分の合計は１００％である。
【００５５】
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。
Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルある。好ましいＲ１は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数２から８のアルケニル、炭素数４から８のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８のアルケニルである。さらに好ましいＲ１は炭素数２から５のアルケニルである。
【００５６】
Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ２は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルである。Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数１から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ３およびＲ４は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から炭素数１から８のアルキル、炭素数１から８のアルコキシ、炭素数１から８のアルコキシアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルである。さらに好ましいＲ３およびＲ４は炭素数１から５のアルキルまたは炭素数２から５のアルケニルである。特に好ましいＲ３およびＲ４は炭素数１から５のアルキルである。
【００５７】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、小さな粘度などの観点からエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００５８】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度の観点などからビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。
【００５９】
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、小さな粘度などの観点からメトキシまたはエトキシである。
【００６０】
好ましいアルコキシアルキルは、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメチル、またはヘプチルオキシメチルである。さらに好ましいアルコキシアルキルは、小さな粘度などの観点からメトキシメチルである。
【００６１】
任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、２，２−ジフルオロビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、５，５−ジフルオロ−４−ペンテニル、または６，６−ジフルオロ−５−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、粘度を下げるために２，２−ジフルオロビニルである。
【００６２】
１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００６３】
Ｚ１およびＺ２は単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。さらに好ましいＺ１およびＺ２は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から単結合である。
【００６４】
Ｘ１は水素またはフッ素である。Ｘ２は水素またはフッ素である。特に好ましいＸ２は下限温度を下げるなどの観点から水素である。Ｘ３は水素またはフッ素である。特に好ましいＸ３は下限温度を下げるなどの観点からフッ素である。Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり。好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素および水素、または水素、フッ素および水素またはフッ素、水素およびフッ素、である。さらに好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は順にフッ素、水素および水素である。
【００６５】
Ｙ１はフッ素または塩素である。特に好ましいＹ１は下限温度を下げるなどの観点から、フッ素である。Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシである。
【００６６】
第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数１から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。成分化合物の化学式において、Ｒ２の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ２の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（２−１−１）のＲ２がエチルであり、化合物（３−１−１）のＲ２がエチルであるケースがある。化合物（２−１−１）のＲ２がエチルであり、化合物（３−１−１）のＲ２がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ２、Ｚ１などにも適用される。
【００６７】
好ましい化合物（１）は化合物（１−１）から化合物（１−４０）である。化合物（１−２０）から化合物（１−３８）および化合物（１−４０）のＣＬは、塩素を示す。さらに好ましい化合物（１）は高い上限温度、低い下限温度、大きい誘電率異方性および小さい粘度の観点から化合物（１）は化合物（１−１）、化合物（１−５）、化合物（１−２０）および化合物（１−２４）である。特に好ましい化合物（１）は化合物（１−５）である。
【００６８】
好ましい化合物（２−１）は化合物（２−１−１）から化合物（２−１−４）である。さらに好ましい化合物（２−１）は低い下限温度、大きな誘電異方性および小さな粘度の観点から、化合物（２−１−２）および化合物（２−１−３）である。
好ましい化合物（２−２）は化合物化合物（２−２−１）および化合物（２−２−２）である。さらに好ましい化合物（２−２）は低い下限温度の観点から、化合物（２−２−１）である。
【００６９】
好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）から化合物（３−１−４）である。さらに好ましい化合物（３−１）は、低い下限温度、小さな粘度の観点から化合物（３−１−１）および化合物（３−１−３）である。特に好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）である。好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）から化合物（３−２−６）である。さらに好ましい化合物（３−２）は、低い下限温度、小さな粘度の観点から化合物（３−２−１）および化合物（３−２−４）である。特に好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）である。
【００７０】
好ましい化合物（４）は化合物（４−１）および化合物（４−２）である。さらに好ましい化合物（４）は、低い下限温度の観点から化合物（４−２）である。
好ましい化合物（５）は化合物（５−１）から化合物（５−３）である。特に好ましい化合物（５）は、低い下限温度および小さい粘度の観点から化合物（５−１）である。
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−５）および化合物（１−２４）は、特開昭６１−２７９３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−１−２）および化合物（２−１−３）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１−１）および（３−２−２）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−２）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。
【００８０】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John
Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。
【００８１】
第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）から化合物（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。
【００８２】
【００８３】
ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。
【００８４】
酸化防止剤の好ましい例は、ｋが１から９の整数である化合物（７）などである。化合物（７）において、好ましいｋは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｋは１または７である。ｋが１である化合物（７）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｋが７である化合物（７）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。
【００８５】
【００８６】
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから５０００ｐｐｍの範囲である。
【００８７】
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−２０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．１３から０．１８の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１１から０．２０の光学異方性を有する組成物、さらには０．０９から０．３０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
【００８８】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００８９】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００９０】
【００９１】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００９２】
母液晶の組成は下記のとおりである。
【００９３】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【００９４】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００９５】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００９６】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。
【００９７】
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルトから１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。
【００９８】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００９９】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【０１００】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【０１０１】
電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％、ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０μｓ）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ｍｓのあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【０１０２】
電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。
【０１０３】
応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ（ミリ秒））：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和である。
【０１０４】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【０１０５】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。
一般には成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、実質的に補正係数は１であるので、試料中の成分化合物の重量％は、試料中の各ピークの面積％とほぼ対応する。各成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。
【０１０６】
比較例１
特許文献２（特開平１０−１１４６９３号）に開示された組成物の中から実施例４を選んだ。選択の理由は、この組成物が化合物（１−３）を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を調整し物性値の測定を行った。
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ２０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４０％
Ｖ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４０％
ＮＩ＝７４．８℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝３．４；γ１＝７０．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１３．９ｍｓ．
【０１０７】
［実施例１］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９０．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝８．８；γ１＝１６０．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝４７．８ｍｓ．
実施例１の組成物は、比較例１の組成物と比較して、高い上限温度、低い下限温度、大きな屈折率異方性、大きな誘電異方性および低いしきい値電圧を有した。
【０１０８】
［実施例２］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６８；Δε＝９．３；γ１＝１６６．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝４８．９ｍｓ．
【０１０９】
［実施例３］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ６％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ７％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ７％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−２） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
ＮＩ＝７４．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１１．９；γ１＝１７４．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝４８．７ｍｓ．
【０１１０】
［実施例４］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
Ｖ４−ＢＢ−Ｆ （１−１０） ６％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２１％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ８％
ＮＩ＝８９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６４；Δε＝８．５；γ１＝１５５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．７ｍｓ
【０１１１】
［実施例５］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） ２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
ＮＩ＝７３．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４２；Δε＝１５．１；γ１＝１９１．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝５１．２ｍｓ．
【０１１２】
［実施例６］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ８％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−１９） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ８％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝１０９．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５６；Δε＝１１．４；γ１＝１８５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝５２．１ｍｓ．
【０１１３】
［実施例７］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
ＶＦＦ２−ＢＢ−ＣＬ （１−４０） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７１．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５８；Δε＝１２．７；γ１＝１６４．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４５．３ｍｓ．
【０１１４】
［実施例８］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−８） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−１９） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
４−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ７％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ４％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−１） ４％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （５−２） ４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ４％
ＮＩ＝７１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５５；Δε＝９．３；γ１＝１４５．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４２．６ｍｓ．
【０１１５】
［実施例９］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２２） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
３−ＨＢＢＢ−３ （４−１） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ８％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （５−３） ５％
３−ＨＨＢ−１ （−） ３％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （−） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （−） ３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （−） ３％
ＮＩ＝９１．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６９；Δε＝９．２；γ１＝１５１．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４４．６ｍｓ．
【０１１６】
［実施例１０］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ８％
３−ＨＨ−Ｖ （−） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ４％
ＮＩ＝９２．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５７；Δε＝８．２；γ１＝１４１．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．９％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝４２．９ｍｓ．
【０１１７】
［実施例１１］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ４％
２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２７） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ２０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ６％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） １０％
７−ＨＢ−１ （−） ５％
３−ＨＨ−ＶＦＦ （−） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １２％
ＮＩ＝８０．４℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１１．８；γ１＝１５５．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４３．７ｍｓ．
【０１１８】
［実施例１２］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
ＶＦＦ２−ＢＢ−Ｆ （１−３９） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） １０％
２Ｏ−ＨＢＢＢ−３ （４−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝９４．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１７０；Δε＝１１．１；γ１＝１６６．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４７．０ｍｓ．
【０１１９】
［実施例１３］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ４％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ６％
３−ＨＢＢ−２ （−） ４％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （−） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （−） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ７％
ＮＩ＝１０７．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１７３；Δε＝８．２；γ１＝１６０．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝４８．９ｍｓ．
【０１２０】
［実施例１４］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ８％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ７％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ７％
ＮＩ＝７５．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４４；Δε＝１１．２；γ１＝１５５．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４３．９ｍｓ．
【０１２１】
［実施例１５］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ７％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−６） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ６％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （−） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝１００．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５６；Δε＝１１．１；γ１＝１６３．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．３ｍｓ．
【０１２２】
［実施例１６］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２７） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２６％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ４％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （５−２） ４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ４％
ＮＩ＝８２．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１８０；Δε＝１０．７；γ１＝１５４．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４４．０ｍｓ．
【０１２３】
［実施例１７］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ６％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ３％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７８．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４８；Δε＝１０．０；γ１＝１２９．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝３７．４ｍｓ．
【０１２４】
［実施例１８］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １０％
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
ＮＩ＝７１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５０；Δε＝１２．７；γ１＝１６９．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．７ｍｓ．
【０１２５】
［実施例１９］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １８％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ２％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
ＮＩ＝７２．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１２．３；γ１＝１５７．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４３．７ｍｓ．
【０１２６】
［実施例２０］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝８４．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝１１．３；γ１＝１６７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４７．０ｍｓ．
【０１２７】
［実施例２１］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ６％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ６％
ＮＩ＝８１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６１；Δε＝１１．１；γ１＝１５３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４２．０ｍｓ．
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。一般的に、誘電率異方性が大きいほど粘度が大きくなる。素子の用途によって適切な誘電率異方性が求められる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１および２に開示されている。
【特許文献１】特開昭６１−２７９３１
【特許文献２】特開平１０−１１４６９３
【０００７】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。この目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。本発明の側面は、０．１３から０．１７の大きい光学異方性、大きな誘電率異方性などを有する組成物を提供することであり、そして低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。特に、大きな光学異方性、大きな誘電異方性および小さな粘度を求められるＴＮモードまたはＯＣＢモードを利用したＡＭ素子に適している。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物、およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、０．１３から０．１７の大きな光学異方性、大きな誘電異方性などの特性を有し、そして低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、直線状の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。
【００１２】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００１３】
下記の化合物（１）は大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さな粘度および優れた相溶性を有する。そこで、高い信頼性および種々の特性のバランスを満足するように、化合物（２−１）と化合物（２−２）、および化合物（３−１）と化合物（３−２）を選択し本組成物を完成した。化合物（２−１）と化合物（２−２）は、非常に大きな誘電率異方性および大きな光学異方性を有し、化合物（３−１）と化合物（３−２）は、大きな誘電異方性、小さい粘度および高い上限温度と低い下限温度を有する。このような着想に基づいて組成物を調製し、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、小さい粘性、高い信頼性および高い上限温度と低い下限温度などの特性を有する組成物を見出した。組成物の特性を微調整できるような成分化合物をさらに検討し、本発明を完成させた。
【００１４】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｙ１はフッ素または塩素である。
【００１５】
本発明の詳細は、下記の項などである。
１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００２０】
２． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組物。
【００２１】
３． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲である、項１または２に記載の液晶組成物。
【００２２】
４． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００２８】
５． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項４に記載の液晶組成物。
【００２９】
６． 式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素である、項４または５に記載の液晶組成物。
【００３０】
７． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、項６に記載の液晶組成物。
【００３１】
８． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【００３８】
９． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項８に記載の液晶組成物。
【００３９】
１０． 式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素であり、式（５）においてＸ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素である、項８または９に記載の液晶組成物。
【００４０】
１１． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が３重量％から２０重量％の範囲である、項１０に記載の液晶組成物。
【００４１】
１２． ネマチック相の上限温度が７０℃から１１０℃の範囲であり、２５℃で波長５８９ｎｍにおける光学異方性が０．１３から０．１８の範囲であり、そして２５℃における誘電率異方性が７から１７の範囲である、項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００４２】
１３． 項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００４３】
本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００４４】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００４５】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４）および化合物（５）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである。
【００４６】
組成物Ｂは、実質的に、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４）および化合物（５）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００４７】
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。
【００４８】
【００４９】
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、粘度を下げ、そしてネマチック相の下限温度を下げる。化合物（２−１）および化合物（２−２）は誘電率異方性を特に上げ、光学異方性を上げる。化合物（３−１）および（３−２）は、誘電率異方性を上げ、ネマチック相の上限温度を上げ、そしてネマチック相の下限温度を下げる。化合物（４）は、特にネマチック相の上限温度を上げ、光学異方性を上げ、そして粘度を下げる。化合物（５）は、光学異方性を上げ、そして粘度を下げる。
【００５０】
第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、粘度を下げ、下限温度を下げるために５％以上であり、上限温度を上げ、下限温度を下げるために２５％以下である。さらに好ましい割合は５％から２０％の範囲である。特に好ましい割合は６％から１５％の範囲である。
【００５１】
第２成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、特に誘電異方性を上げるために１０％以上であり、下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％から３５％である。特に好ましい割合は１５％から３０％の範囲である。
【００５２】
第３成分の好ましい割合は、誘電異方性を上げ、上限温度を上げ、そして下限温度を下げるために２５％以上であり、下限温度を下げるために６５％以下である。さらに好ましい割合は、２５％から６０％の範囲である。特に好ましい割合は、３０％から５５％の範囲である。
【００５３】
第４成分は付加的な成分であり、特に大きな光学異方性、低い粘度、高い上限温度および低い下限温度を有する組成物の調整に適している。この成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、粘度を下げ、上限温度を上げ、下限温度を下げ、かつ大きい誘電異方性を確保するために、３０％以下である。さらに好ましい割合は、２５％以下である。
第５成分は付加的な成分であり、特に大きな光学異方性および低い粘度を有する組成物の調整に適している。この成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、粘度を下げ、かつ大きい誘電異方性を確保するために、２０％以下である。さらに好ましい割合は、１５％以下である。
【００５４】
組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分および第５成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける５つの成分の合計は１００％である。
【００５５】
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。
Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルある。好ましいＲ１は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数２から８のアルケニル、炭素数４から８のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８のアルケニルである。さらに好ましいＲ１は炭素数２から５のアルケニルである。
【００５６】
Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ２は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１から８のアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルである。Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数１から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ３およびＲ４は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から炭素数１から８のアルキル、炭素数１から８のアルコキシ、炭素数１から８のアルコキシアルキルまたは炭素数２から８のアルケニルである。さらに好ましいＲ３およびＲ４は炭素数１から５のアルキルまたは炭素数２から５のアルケニルである。特に好ましいＲ３およびＲ４は炭素数１から５のアルキルである。
【００５７】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、小さな粘度などの観点からエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００５８】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度の観点などからビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。
【００５９】
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、小さな粘度などの観点からメトキシまたはエトキシである。
【００６０】
好ましいアルコキシアルキルは、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペンチルオキシメチル、ヘキシルオキシメチル、またはヘプチルオキシメチルである。さらに好ましいアルコキシアルキルは、小さな粘度などの観点からメトキシメチルである。
【００６１】
任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、２，２−ジフルオロビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、５，５−ジフルオロ−４−ペンテニル、または６，６−ジフルオロ−５−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、粘度を下げるために２，２−ジフルオロビニルである。
【００６２】
１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００６３】
Ｚ１およびＺ２は単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。さらに好ましいＺ１およびＺ２は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から単結合である。
【００６４】
Ｘ１は水素またはフッ素である。Ｘ２は水素またはフッ素である。特に好ましいＸ２は下限温度を下げるなどの観点から水素である。Ｘ３は水素またはフッ素である。特に好ましいＸ３は下限温度を下げるなどの観点からフッ素である。Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり。好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素および水素、または水素、フッ素および水素またはフッ素、水素およびフッ素、である。さらに好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は順にフッ素、水素および水素である。
【００６５】
Ｙ１はフッ素または塩素である。特に好ましいＹ１は下限温度を下げるなどの観点から、フッ素である。Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシである。
【００６６】
第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数１から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルである。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。成分化合物の化学式において、Ｒ２の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ２の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（２−１−１）のＲ２がエチルであり、化合物（３−１−１）のＲ２がエチルであるケースがある。化合物（２−１−１）のＲ２がエチルであり、化合物（３−１−１）のＲ２がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ２、Ｚ１などにも適用される。
【００６７】
好ましい化合物（１）は化合物（１−１）から化合物（１−４０）である。化合物（１−２０）から化合物（１−３８）および化合物（１−４０）のＣＬは、塩素を示す。さらに好ましい化合物（１）は高い上限温度、低い下限温度、大きい誘電率異方性および小さい粘度の観点から化合物（１）は化合物（１−１）、化合物（１−５）、化合物（１−２０）および化合物（１−２４）である。特に好ましい化合物（１）は化合物（１−５）である。
【００６８】
好ましい化合物（２−１）は化合物（２−１−１）から化合物（２−１−４）である。さらに好ましい化合物（２−１）は低い下限温度、大きな誘電異方性および小さな粘度の観点から、化合物（２−１−２）および化合物（２−１−３）である。
好ましい化合物（２−２）は化合物化合物（２−２−１）および化合物（２−２−２）である。さらに好ましい化合物（２−２）は低い下限温度の観点から、化合物（２−２−１）である。
【００６９】
好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）から化合物（３−１−４）である。さらに好ましい化合物（３−１）は、低い下限温度、小さな粘度の観点から化合物（３−１−１）および化合物（３−１−３）である。特に好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）である。好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）から化合物（３−２−６）である。さらに好ましい化合物（３−２）は、低い下限温度、小さな粘度の観点から化合物（３−２−１）および化合物（３−２−４）である。特に好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）である。
【００７０】
好ましい化合物（４）は化合物（４−１）および化合物（４−２）である。さらに好ましい化合物（４）は、低い下限温度の観点から化合物（４−２）である。
好ましい化合物（５）は化合物（５−１）から化合物（５−３）である。特に好ましい化合物（５）は、低い下限温度および小さい粘度の観点から化合物（５−１）である。
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−５）および化合物（１−２４）は、特開昭６１−２７９３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−１−２）および化合物（２−１−３）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１−１）および（３−２−２）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−２）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。
【００８０】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John
Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。
【００８１】
第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）から化合物（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。
【００８２】
【００８３】
ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。
【００８４】
酸化防止剤の好ましい例は、ｋが１から９の整数である化合物（７）などである。化合物（７）において、好ましいｋは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｋは１または７である。ｋが１である化合物（７）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｋが７である化合物（７）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。
【００８５】
【００８６】
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから５０００ｐｐｍの範囲である。
【００８７】
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−２０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．１３から０．１８の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１１から０．２０の光学異方性を有する組成物、さらには０．０９から０．３０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
【００８８】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００８９】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００９０】
【００９１】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００９２】
母液晶の組成は下記のとおりである。
【００９３】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【００９４】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００９５】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００９６】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。
【００９７】
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルトから１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。
【００９８】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００９９】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【０１００】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【０１０１】
電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％、ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０μｓ）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ｍｓのあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【０１０２】
電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。
【０１０３】
応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ（ミリ秒））：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和である。
【０１０４】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【０１０５】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。
一般には成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、実質的に補正係数は１であるので、試料中の成分化合物の重量％は、試料中の各ピークの面積％とほぼ対応する。各成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。
【０１０６】
比較例１
特許文献２（特開平１０−１１４６９３号）に開示された組成物の中から実施例４を選んだ。選択の理由は、この組成物が化合物（１−３）を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を調整し物性値の測定を行った。
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ２０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４０％
Ｖ２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４０％
ＮＩ＝７４．８℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝３．４；γ１＝７０．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１３．９ｍｓ．
【０１０７】
［実施例１］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９０．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝８．８；γ１＝１６０．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝４７．８ｍｓ．
実施例１の組成物は、比較例１の組成物と比較して、高い上限温度、低い下限温度、大きな屈折率異方性、大きな誘電異方性および低いしきい値電圧を有した。
【０１０８】
［実施例２］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６８；Δε＝９．３；γ１＝１６６．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝４８．９ｍｓ．
【０１０９】
［実施例３］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ６％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ７％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ３０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ７％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−２） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
ＮＩ＝７４．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１１．９；γ１＝１７４．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝４８．７ｍｓ．
【０１１０】
［実施例４］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
Ｖ４−ＢＢ−Ｆ （１−１０） ６％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２１％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ８％
ＮＩ＝８９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６４；Δε＝８．５；γ１＝１５５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．７ｍｓ
【０１１１】
［実施例５］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） ２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
ＮＩ＝７３．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４２；Δε＝１５．１；γ１＝１９１．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝５１．２ｍｓ．
【０１１２】
［実施例６］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ８％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−１９） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ８％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ８％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝１０９．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５６；Δε＝１１．４；γ１＝１８５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝５２．１ｍｓ．
【０１１３】
［実施例７］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
ＶＦＦ２−ＢＢ−ＣＬ （１−４０） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７１．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５８；Δε＝１２．７；γ１＝１６４．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４５．３ｍｓ．
【０１１４】
［実施例８］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−８） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−１９） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
４−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ７％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ４％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−１） ４％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （５−２） ４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ４％
ＮＩ＝７１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５５；Δε＝９．３；γ１＝１４５．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４２．６ｍｓ．
【０１１５】
［実施例９］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２２） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
３−ＨＢＢＢ−３ （４−１） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ８％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （５−３） ５％
３−ＨＨＢ−１ （−） ３％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （−） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （−） ３％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （−） ３％
ＮＩ＝９１．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６９；Δε＝９．２；γ１＝１５１．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．０％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４４．６ｍｓ．
【０１１６】
［実施例１０］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ８％
３−ＨＨ−Ｖ （−） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ４％
ＮＩ＝９２．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５７；Δε＝８．２；γ１＝１４１．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．９％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝４２．９ｍｓ．
【０１１７】
［実施例１１］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ４％
２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２７） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ２０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ６％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） １０％
７−ＨＢ−１ （−） ５％
３−ＨＨ−ＶＦＦ （−） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １２％
ＮＩ＝８０．４℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１１．８；γ１＝１５５．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４３．７ｍｓ．
【０１１８】
［実施例１２］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ６％
ＶＦＦ２−ＢＢ−Ｆ （１−３９） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） １０％
２Ｏ−ＨＢＢＢ−３ （４−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝９４．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１７０；Δε＝１１．１；γ１＝１６６．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４７．０ｍｓ．
【０１１９】
［実施例１３］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ４％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ６％
３−ＨＢＢ−２ （−） ４％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （−） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （−） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ７％
ＮＩ＝１０７．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１７３；Δε＝８．２；γ１＝１６０．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝４８．９ｍｓ．
【０１２０】
［実施例１４］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ８％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ７％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ７％
ＮＩ＝７５．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４４；Δε＝１１．２；γ１＝１５５．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４３．９ｍｓ．
【０１２１】
［実施例１５］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） ７％
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ７％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−５） ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−６） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ６％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （−） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝１００．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５６；Δε＝１１．１；γ１＝１６３．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．３ｍｓ．
【０１２２】
［実施例１６］
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ５％
２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２７） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−３８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２６％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ４％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （５−２） ４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ４％
ＮＩ＝８２．０℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１８０；Δε＝１０．７；γ１＝１５４．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４４．０ｍｓ．
【０１２３】
［実施例１７］
Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−３） ３％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ６％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ３％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７８．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４８；Δε＝１０．０；γ１＝１２９．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．２％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝３７．４ｍｓ．
【０１２４】
［実施例１８］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １０％
１Ｖ２−ＢＢ−ＣＬ （１−２４） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
ＮＩ＝７１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５０；Δε＝１２．７；γ１＝１６９．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝４６．７ｍｓ．
【０１２５】
［実施例１９］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−４） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （２−１−３） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） １８％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ２％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
ＮＩ＝７２．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１２．３；γ１＝１５７．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４３．７ｍｓ．
【０１２６】
［実施例２０］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） １０％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−１） ８％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−４） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝８４．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝１１．３；γ１＝１６７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝４７．０ｍｓ．
【０１２７】
［実施例２１］
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （１−５） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−１−２） １０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ６％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （２−２−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−１） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−１−３） ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （３−２−１） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−２） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−２） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−１） ５％
３−ＨＢ−ＣＬ （−） ６％
ＮＩ＝８１．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６１；Δε＝１１．１；γ１＝１５３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝４２．０ｍｓ．
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項２】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組物。
【請求項３】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲である、請求項１または２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項５】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、請求項６に記載の液晶組成物。
【請求項８】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項９】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素であり、式（５）においてＸ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素である、請求項８または９に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が３重量％から２０重量％の範囲である、請求項１０に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
ネマチック相の上限温度が７０℃から１１０℃の範囲であり、２５℃で波長５８９ｎｍにおける光学異方性が０．１３から０．１８の範囲であり、そして２５℃における誘電率異方性が７から１７の範囲である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【請求項１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１およびＸ２は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項２】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組物。
【請求項３】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲である、請求項１または２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項５】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素である、請求項４または５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、請求項６に記載の液晶組成物。
【請求項８】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）および式（２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数２から１２のアルケニル、炭素数４から１２のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルあり；Ｒ２は炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルコキシアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素または塩素であり；Ｙ２はフッ素またはトリフルオロメトキシであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−ＣＨ２ＣＨ２−である。
【請求項９】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物であり、第３成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
式（１）においてＹ１がフッ素であり、式（３−１）および式（３−２）においてＸ２が水素であり、式（４）においてＸ３がフッ素であり、式（５）においてＸ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素である、請求項８または９に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から６５重量％の範囲であり、第４成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲であり、そして第５成分の割合が３重量％から２０重量％の範囲である、請求項１０に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
ネマチック相の上限温度が７０℃から１１０℃の範囲であり、２５℃で波長５８９ｎｍにおける光学異方性が０．１３から０．１８の範囲であり、そして２５℃における誘電率異方性が７から１７の範囲である、請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【公開番号】特開２００７−２９１３３８（Ｐ２００７−２９１３３８Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２６８７２（Ｐ２００７−２６８７２）
【出願日】平成１９年２月６日（２００７．２．６）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月６日（２００７．２．６）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]