液晶組成物および液晶表示素子
【課題】ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、特に小さな粘度、適切かつ大きな光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供する。
【解決手段】 式（１）で表される化合物、３環が直接結合している特定の化合物群から選択された化合物、及び式（３）で表される化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
Ｒ１〜Ｒ８はＣ１〜１２のアルキルなど；Ｙ１はＦ、−ＯＣＦ３又は−ＯＣＨＦ２；Ｘ１〜Ｘ６はＨ又はフッ素であり、Ｘ４〜Ｘ６のうち、少なくとも一つはＦである。
【解決手段】 式（１）で表される化合物、３環が直接結合している特定の化合物群から選択された化合物、及び式（３）で表される化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
Ｒ１〜Ｒ８はＣ１〜１２のアルキルなど；Ｙ１はＦ、−ＯＣＦ３又は−ＯＣＨＦ２；Ｘ１〜Ｘ６はＨ又はフッ素であり、Ｘ４〜Ｘ６のうち、少なくとも一つはＦである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
表１．組成物とＡＭ素子における一般的特性
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。一般的に、誘電率異方性が大きいほど粘度が大きくなる。素子の用途によって適切な誘電率異方性が求められる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１から４に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３０５３号公報（ＥＰ１０４６６９４Ａ１）
【特許文献２】ＷＯ２００５０１７０６７Ａ１パンフレット
【特許文献３】特開２００４−２８５３５３Ａ２公報（ＥＰ１４５４９７５Ａ３）
【特許文献４】ＷＯ２００５００７７７５Ａ１パンフレット
【０００７】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、特に小さな粘度、適切かつ大きな光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。この目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。本発明の側面は、特に小さな粘度、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性、そして特に短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、特に小さな粘度、適切かつ大きな光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、小さな粘度、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、直線状の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。
【００１２】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００１３】
下記の化合物（１）は大きな誘電異方性、小さな粘度および高い上限温度を有する。そこで、高い信頼性、種々の特性のバランスおよび高速応答を満足するように、化合物（２−１）から化合物（２−３）、および化合物（３）を選択し本組成物を完成した。化合物（２−１）から化合物（２−３）は、適切な光学異方性、高い上限温度、低い下限温度および小さい粘度を有する。化合物（３）は、低い下限温度および特に小さな粘度を有する。つまり、化合物（１）は、特に大きな誘電異方性および高い上限温度を有するため、一定の上限温度と一定の誘電異方性を有する液晶組成物の組成設計においては、化合物（２−１）から化合物（２−３）、および化合物（３）等の特に粘度が小さい化合物の含有量を増すことが可能になるため、結果的に組成物の粘度を小さくし、高速応答を達成することができる。このような着想に基づいて組成物を調製し、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、特に小さい粘度、高い信頼性および高い上限温度と低い下限温度などの特性を有する組成物を見出した。種々の特性のバランスを満たしながら特に高速応答を達成するためには、化合物（１）以外で大きな誘電率異方性を有する化合物として、化合物（４−１）および化合物（４−２）以外は、含有しない方がさらに好ましい。組成物の特性を微調整できるような成分化合物をさらに検討し、本発明を完成させた。
【００１４】
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素である。
【００１５】
本発明の詳細は、下記の項のとおりである。
１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００１６】
２． 式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、項１に記載の液晶組成物。
【００１７】
３． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶組成物。
【００１８】
４． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲である、項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００１９】
５． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２０】
６． 式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、項５に記載の液晶組成物。
【００２１】
７． 第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項５または６に記載の液晶組成物。
【００２２】
８． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から２０重量％の範囲である、項５から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２３】
９． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２４】
１０． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２５】
１１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２６】
１２． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２７】
１３． ネマチック相の上限温度が７０℃から９５℃の範囲であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１０から０．１６の範囲であり、誘電異方性（２５℃、１ｋＨｚ）が３から７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が３０ｍＰａ・ｓから１００ｍＰａ・ｓの範囲である、項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２８】
１４． 項１から１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２９】
本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００３０】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００３１】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（４−１）および化合物（４−２）、化合物（５）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである
【００３２】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（４−１）、化合物（４−２）および化合物（５）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａと比較して、高速応答の観点からより好ましい。また、組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。
【００３３】
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。
【００３４】
【００３５】
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、上限温度を上げる。化合物（２−１）から化合物（２−３）は上限温度を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げ、そして適切な光学異方性の値に調整する。化合物（３）は光学異方性を下げ、下限温度を下げ、特に粘度を大きく下げる。化合物（４−１）および化合物（４−２）は下限温度を下げ、誘電異方性を上げる。化合物（５）は下限温度を下げ、粘度を下げ、そして光学異方性を調整する。
【００３６】
第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、上限温度を上げるために５％以上であり、下限温度を下げるために２５％以下である。さらに好ましい割合は５％から２０％の範囲である。特に好ましい割合は５％から１８％の範囲である。
【００３７】
第２成分の好ましい割合は、上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために１５％以上であり、下限温度を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は、１５％から４５％の範囲である。特に好ましい割合は１５％から４０％の範囲である。
【００３８】
第３成分の好ましい割合は、粘度を下げるために２５％以上であり、下限温度を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は、２５％から４５％である。特に好ましい割合は３０％から４５％の範囲である。
第４成分は選択的な成分であり、特に低い下限温度および適切な誘電率異方性を有する組成物の調整に適している。
この成分の好ましい割合は、下限温度を下げ、粘度を下げるために、２０％以下である。さらに好ましい割合は、１８％以下である。
第５成分は選択的な成分であり、特に低い下限温度および適切な光学異方性を有する組成物の調整に適している。
この成分の好ましい割合は、下限温度を下げ、上限温度を上げるために、１５％以下である。さらに好ましい割合は、１０％以下である。
【００３９】
組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分および第５成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける５つの成分の合計は１００％である。
【００４０】
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。
【００４１】
Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ１は誘電異方性を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ１は炭素数１〜５のアルキルである。Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ２、Ｒ３およびＲ５は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜８のアルケニルである。さらに好ましいＲ２、Ｒ３およびＲ５は炭素数１〜８のアルキルまたは炭素数２〜８のアルケニルである。Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ４は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素または炭素数１〜１２のアルキルである。さらに好ましいＲ４はフッ素または炭素数１〜８のアルキルである。特に好ましいＲ４はフッ素である。Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、塩素または炭素数１〜１２のアルキルである。さらに好ましいＲ６は塩素または炭素数１〜８のアルキルである。特に好ましいＲ６は塩素である。Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ７およびＲ８は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ７およびＲ８は、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のジアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである。特に好ましいＲ７およびＲ８は、Ｒ７が炭素数２〜５のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜５のアルキルである。Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ９は、上限温度を上げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ９は炭素数２〜１２のアルケニルである。Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。好ましいＲ１０は、上限温度を上げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。さらに好ましいＲ１０は、炭素数１〜１２のアルキル、フッ素または塩素である。
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、小さな粘度などの観点からエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００４２】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度の観点などからビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。
【００４３】
環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンである。特に好ましい環Ａは、大きな屈折率異方性の観点から、フェニレンである。
化合物中の１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００４４】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素である。ただし、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。第１成分の式（１）において、好ましいＸ１、Ｘ２およびＸ３は誘電異方性を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素およびフッ素、または、水素、水素およびフッ素である。特に好ましいＸ１、Ｘ２およびＸ３は順に水素、水素およびフッ素である。化合物（２−１）の好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素および水素、または水素、水素およびフッ素またはフッ素、フッ素および水素、である。さらに好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は順にフッ素、水素および水素である。
【００４５】
Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である。好ましいＹ１は下限温度を下げ、誘電率異方性を上げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素または−ＯＣＦ３である。更に好ましいＹ１はフッ素である。Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。特に好ましいＹ２は誘電異方性を上げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素である。
【００４６】
第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ２およびＲ３は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１２は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ１３は炭素数１〜１２のアルキルであり、Ｒ９は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１０は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００４７】
成分化合物の化学式において、例えば、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（４−１−１）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（４−１−１）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２からＲ１１などにも適用される。ＣＬは塩素を表す。
【００４８】
好ましい化合物（１）は化合物（１−１）から（１−２４）である。さらに好ましい化合物（１）は、低い下限温度、大きな誘電異方性および小さい粘度の観点から化合物（１−８）、（１−１６）および（１−２４）である。特に好ましい化合物（１）は化合物（１−８）である。
【００４９】
好ましい化合物（２−１）は化合物（２−１−１）から（２−１−３）である。さらに好ましい化合物（２−１）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−１−１）である。
【００５０】
好ましい化合物（２−２）は化合物（２−２−１）および（２−２−２）である。さらに好ましい化合物（２−２）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−２−２）である。
【００５１】
好ましい化合物（２−３）は化合物（２−３−１）から（２−３−３）である。さらに好ましい化合物（２−３）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−３−１）および化合物（２−３−３）である。
【００５２】
好ましい化合物（３）は化合物（３−１）から化合物（３−８）である。さらに好ましい化合物（３）は低い下限温度および低い粘度の観点から、化合物（３−２）、（３−３）および（３−８）である。特に好ましい化合物（３）は化合物（３−２）である。
【００５３】
好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−１）から化合物（４−１−４）である。さらに好ましい化合物（４−１）は低い下限温度、大きな誘電異方性および小さな粘度の観点から、化合物（４−１−２）および化合物（４−１−３）である。特に好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−２）である。
【００５４】
好ましい化合物（４−２）は化合物（４−２−１）および化合物（４−２−２）である。さらに好ましい化合物（４−２）は低い下限温度の観点から、化合物（４−２−１）である。
【００５５】
好ましい化合物（５）は化合物（５−１）および化合物（５−２）である。さらに好ましい化合物（５）は低い下限温度の観点から化合物（５−２）である。
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（２−１−１）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−１）は、特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−２）は、特開昭５７−６４６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−３）は、特開昭５７−１１４５３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−２）は、特公平４−３０３８２号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−８）は、特開平１−３０８２３９号公報に記載された方法で合成する。化合物（１−８）は、化合物（３−８）と同様の方法で合成する。化合物（４−１−２）および化合物（４−１−３）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は特開昭５６―６８６３６号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−２）は、特開昭６１−２７９３１号公報に記載された方法で合成する。
【００６３】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John
Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。
【００６４】
第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）〜化合物（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。
【００６５】
【００６６】
ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。
【００６７】
酸化防止剤の好ましい例は、ｋが１から９の整数である化合物（７）などである。化合物（７）において、好ましいｋは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｋは１または７である。ｋが１である化合物（７）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｋが７である化合物（７）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。
【００６８】
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから５０００ｐｐｍの範囲である。
【００６９】
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−２０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．１０から０．１６の範囲の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性を有する組成物、さらには０．０８から０．３０の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
【００７０】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する高速応答用の素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００７１】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。
【００７２】
【００７３】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。
【００７４】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。（外挿値）＝｛（試料の測定値）−０．８５×（母液晶の測定値）｝／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００７５】
母液晶の組成は下記のとおりである。
【００７６】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。
【００７７】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００７８】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００７９】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。
【００８０】
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。
【００８１】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００８２】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【００８３】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【００８４】
電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％、ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【００８５】
電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。
【００８６】
応答時間（τ；２５℃で測定；ミリ秒）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間（τ）は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和である。
【００８７】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【００８８】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。
組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物はガスクロマトグラフで検出することができる。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合（モル数）に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を１とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合（重量％）は、ピークの面積比から算出する。
【００８９】
比較例１
特許文献１（特開２００１−３０５３号公報）に開示された組成物の中から実施例３を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ （−） ３％
２−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ３％
３−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ７％
ＮＩ＝７８．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１６．４；
γ１＝２７２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．００Ｖ；τ＝４９．４ｍｓ．
【００９０】
比較例２
特許文献２（ＷＯ２００５０１７０６７Ａ１）に開示された組成物の中から実施例Ｍ１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物と本願第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＨ−４ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） １５％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） ８％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ３％
２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０．５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
７−ＨＢ−Ｆ （５−１） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ７．５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １２％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ５％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １％
ＮＩ＝７０．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０８３９；Δε＝７．８；
γ１＝７９．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３４Ｖ；τ＝１８．１ｍｓ．
【００９１】
比較例３
特許文献３（特開２００４−２８５３５３号公報）に開示された組成物の中から実施例Ｍ１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物と本願第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＨ−５ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １２％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ４％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
２−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
５−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ５％
２−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
ＮＩ＝７２．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０７８５；Δε＝９．３；
γ１＝８６．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２３Ｖ；τ＝２０．４ｍｓ．
【００９２】
比較例４
特許文献４（ＷＯ２００５００７７７５Ａ１）に開示された組成物の中から実施例１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第２成分と第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） １２％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） １８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ８％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
３−ＨＢ−Ｏ１ （５−１） ７％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７９．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝４．７；
γ１＝５８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７６Ｖ；τ＝１１．７ｍｓ．
【００９３】
実施例１
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ９％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （５−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝８０．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６０；Δε＝３．７；
γ１＝５８．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．４８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝１４．４ｍｓ．
実施例１の組成物は、比較例１のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９４】
実施例２
実施例２の組成物は、比較例２および３のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有する。
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１）１０．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ９．５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３９％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝７４．６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝４．４；
γ１＝４２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝８．３ｍｓ．
実施例２の組成物は、比較例２および３のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９５】
実施例３
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １２％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） １８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １０％
３−ＨＢ−Ｏ１ （５−１） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝４．７；
γ１＝４７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝９．３ｍｓ．
実施例３の組成物は、比較例４のそれと比較して、ほぼ同等の上限温度、ほぼ同等のしきい値電圧、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９６】
実施例４
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５．５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） ２２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ５％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝７４．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝４．０；
γ１＝３７．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝６．２ｍｓ．
【００９７】
実施例５
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ８％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （２−１−２） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
３−ＨＨ−４ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） ６％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ４％
ＮＩ＝８９．１℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３７；Δε＝６．４；
γ１＝９８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．３ｍｓ．
【００９８】
実施例６
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） １０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １５％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ５％
７−ＨＢ−１ （５−１） ４％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝８３．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝５．２；
γ１＝６８．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１２．８ｍｓ．
【００９９】
実施例７
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （２−３−１） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） １０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ （２−３−２） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） １０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） １０％
ＮＩ＝９６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝４．０；
γ１＝８３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．７ｍｓ．
【０１００】
実施例８
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （２−１−２） ５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５ （２−１−２） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （２−１−３） ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） １０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） ８％
ＮＩ＝７７・６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５０；Δε＝３．７；
γ１＝７８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．８ｍｓ．
【０１０１】
実施例９
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ７％
２−ＨＨ−３ （３−１） ８％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） ８％
２−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
ＮＩ＝７８．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３１；Δε＝５．５；
γ１＝６４．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１１．９ｍｓ．
【０１０２】
実施例１０
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ６％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ６％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ５％
２−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ４％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ４％
１Ｖ２−ＢＢ−１ （５−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （−） ６％
ＮＩ＝８５．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝６．５；
γ１＝１００．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１８．３ｍｓ．
【０１０３】
実施例１１
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１２％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） １６％
ＶＦＦ−ＨＨ−５ （３−８） ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−４） ５％
ＮＩ＝８６．６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３４；Δε＝７．３；
γ１＝１１９．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝２０．０ｍｓ．
【０１０４】
実施例１２
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ６％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
５−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ８％
ＮＩ＝７４．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１５；Δε＝６．９；
γ１＝６９．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ；τ＝１２．０ｍｓ．
【０１０５】
実施例１３
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ４％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−１） １０％
ＮＩ＝９９．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５２；Δε＝５．１；
γ１＝１０２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；τ＝１９．０ｍｓ．
【０１０６】
実施例１４
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ４％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ４％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １２％
１Ｖ２−ＢＢ−１ （５−２） ４％
ＮＩ＝９９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２３；Δε＝４．３；
γ１＝７０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１５Ｖ；τ＝１４．０ｍｓ．
【０１０７】
実施例１５
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ４％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１）１０％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （２−１−３） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） ２０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １８％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ４％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ４％
ＮＩ＝９３．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝３．７；
γ１＝１２１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３６Ｖ；τ＝２７．１ｍｓ．
【０１０８】
実施例１６
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ６％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
ＮＩ＝７７．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝８．８；
γ１＝１４２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４２Ｖ；τ＝２２．９ｍｓ．
【０１０９】
実施例１７
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ５％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （２−３−２） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１）１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
ＮＩ＝９２．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２７；Δε＝６．３；
γ１＝８７．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７７Ｖ；τ＝１７．０ｍｓ．
【０１１０】
実施例１８
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−５ （３−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） １０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝７３．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３０；Δε＝８．５；
γ１＝１１７．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝１８．９ｍｓ．
【０１１１】
実施例１９
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１）１０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
ＮＩ＝７２．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝９．０；
γ１＝１１０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３８Ｖ；τ＝１７．８ｍｓ．
【０１１２】
実施例２０
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝９４．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝５．２；
γ１＝８８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９６Ｖ；τ＝１６．５ｍｓ．
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子などに関する。この組成物はネマチック相および正の誘電率異方性を有する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
表１．組成物とＡＭ素子における一般的特性
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。適切な積の値は動作モードの種類に依存する。ＴＮのようなモードの素子では、適切な値は約０．４５μｍである。この場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する組成物が好ましい。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。一般的に、誘電率異方性が大きいほど粘度が大きくなる。素子の用途によって適切な誘電率異方性が求められる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１から４に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３０５３号公報（ＥＰ１０４６６９４Ａ１）
【特許文献２】ＷＯ２００５０１７０６７Ａ１パンフレット
【特許文献３】特開２００４−２８５３５３Ａ２公報（ＥＰ１４５４９７５Ａ３）
【特許文献４】ＷＯ２００５００７７７５Ａ１パンフレット
【０００７】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、特に小さな粘度、適切かつ大きな光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することである。この目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。本発明の側面は、特に小さな粘度、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性、そして特に短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、特に小さな粘度、適切かつ大きな光学異方性、適切な誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線および熱に対する高い安定性などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。この組成物の多くは、小さな粘度、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性、短い応答時間、大きな電圧保持率、大きなコントラスト比、長い寿命などを有するＡＭ素子に適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、直線状の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。式（１）で表される化合物の群も「化合物（１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。
【００１２】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。「第１成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。第２成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。
【００１３】
下記の化合物（１）は大きな誘電異方性、小さな粘度および高い上限温度を有する。そこで、高い信頼性、種々の特性のバランスおよび高速応答を満足するように、化合物（２−１）から化合物（２−３）、および化合物（３）を選択し本組成物を完成した。化合物（２−１）から化合物（２−３）は、適切な光学異方性、高い上限温度、低い下限温度および小さい粘度を有する。化合物（３）は、低い下限温度および特に小さな粘度を有する。つまり、化合物（１）は、特に大きな誘電異方性および高い上限温度を有するため、一定の上限温度と一定の誘電異方性を有する液晶組成物の組成設計においては、化合物（２−１）から化合物（２−３）、および化合物（３）等の特に粘度が小さい化合物の含有量を増すことが可能になるため、結果的に組成物の粘度を小さくし、高速応答を達成することができる。このような着想に基づいて組成物を調製し、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、特に小さい粘度、高い信頼性および高い上限温度と低い下限温度などの特性を有する組成物を見出した。種々の特性のバランスを満たしながら特に高速応答を達成するためには、化合物（１）以外で大きな誘電率異方性を有する化合物として、化合物（４−１）および化合物（４−２）以外は、含有しない方がさらに好ましい。組成物の特性を微調整できるような成分化合物をさらに検討し、本発明を完成させた。
【００１４】
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して水素またはフッ素である。
【００１５】
本発明の詳細は、下記の項のとおりである。
１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００１６】
２． 式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、項１に記載の液晶組成物。
【００１７】
３． 第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶組成物。
【００１８】
４． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲である、項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００１９】
５． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２０】
６． 式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、項５に記載の液晶組成物。
【００２１】
７． 第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項５または６に記載の液晶組成物。
【００２２】
８． 液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から２０重量％の範囲である、項５から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２３】
９． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２４】
１０． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２５】
１１． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２６】
１２． 第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【００２７】
１３． ネマチック相の上限温度が７０℃から９５℃の範囲であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１０から０．１６の範囲であり、誘電異方性（２５℃、１ｋＨｚ）が３から７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が３０ｍＰａ・ｓから１００ｍＰａ・ｓの範囲である、項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２８】
１４． 項１から１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２９】
本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、２）防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物をさらに含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００３０】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００３１】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（４−１）および化合物（４−２）、化合物（５）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである
【００３２】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）、化合物（２−１）、化合物（２−２）、化合物（２−３）、化合物（３）、化合物（４−１）、化合物（４−２）および化合物（５）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａと比較して、高速応答の観点からより好ましい。また、組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストを下げるためから組成物Ａよりも好ましい。
【００３３】
第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。
【００３４】
【００３５】
成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、上限温度を上げる。化合物（２−１）から化合物（２−３）は上限温度を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げ、そして適切な光学異方性の値に調整する。化合物（３）は光学異方性を下げ、下限温度を下げ、特に粘度を大きく下げる。化合物（４−１）および化合物（４−２）は下限温度を下げ、誘電異方性を上げる。化合物（５）は下限温度を下げ、粘度を下げ、そして光学異方性を調整する。
【００３６】
第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第１成分の好ましい割合は、誘電率異方性を上げ、光学異方性を上げ、上限温度を上げるために５％以上であり、下限温度を下げるために２５％以下である。さらに好ましい割合は５％から２０％の範囲である。特に好ましい割合は５％から１８％の範囲である。
【００３７】
第２成分の好ましい割合は、上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために１５％以上であり、下限温度を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は、１５％から４５％の範囲である。特に好ましい割合は１５％から４０％の範囲である。
【００３８】
第３成分の好ましい割合は、粘度を下げるために２５％以上であり、下限温度を下げ、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は、２５％から４５％である。特に好ましい割合は３０％から４５％の範囲である。
第４成分は選択的な成分であり、特に低い下限温度および適切な誘電率異方性を有する組成物の調整に適している。
この成分の好ましい割合は、下限温度を下げ、粘度を下げるために、２０％以下である。さらに好ましい割合は、１８％以下である。
第５成分は選択的な成分であり、特に低い下限温度および適切な光学異方性を有する組成物の調整に適している。
この成分の好ましい割合は、下限温度を下げ、上限温度を上げるために、１５％以下である。さらに好ましい割合は、１０％以下である。
【００３９】
組成物Ａにおいて、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分および第５成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける５つの成分の合計は１００％である。
【００４０】
第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。
【００４１】
Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ１は誘電異方性を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ１は炭素数１〜５のアルキルである。Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ２、Ｒ３およびＲ５は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜８のアルケニルである。さらに好ましいＲ２、Ｒ３およびＲ５は炭素数１〜８のアルキルまたは炭素数２〜８のアルケニルである。Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ４は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素または炭素数１〜１２のアルキルである。さらに好ましいＲ４はフッ素または炭素数１〜８のアルキルである。特に好ましいＲ４はフッ素である。Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、塩素または炭素数１〜１２のアルキルである。さらに好ましいＲ６は塩素または炭素数１〜８のアルキルである。特に好ましいＲ６は塩素である。Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ７およびＲ８は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ７およびＲ８は、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のジアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである。特に好ましいＲ７およびＲ８は、Ｒ７が炭素数２〜５のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜５のアルキルである。Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。好ましいＲ９は、上限温度を上げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルである。さらに好ましいＲ９は炭素数２〜１２のアルケニルである。Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。好ましいＲ１０は、上限温度を上げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。さらに好ましいＲ１０は、炭素数１〜１２のアルキル、フッ素または塩素である。
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、小さな粘度などの観点からエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００４２】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、小さな粘度の観点などからビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。
【００４３】
環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンである。特に好ましい環Ａは、大きな屈折率異方性の観点から、フェニレンである。
化合物中の１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００４４】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素である。ただし、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。第１成分の式（１）において、好ましいＸ１、Ｘ２およびＸ３は誘電異方性を上げ、下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素およびフッ素、または、水素、水素およびフッ素である。特に好ましいＸ１、Ｘ２およびＸ３は順に水素、水素およびフッ素である。化合物（２−１）の好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、順にフッ素、水素および水素、または水素、水素およびフッ素またはフッ素、フッ素および水素、である。さらに好ましいＸ４、Ｘ５およびＸ６は順にフッ素、水素および水素である。
【００４５】
Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である。好ましいＹ１は下限温度を下げ、誘電率異方性を上げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素または−ＯＣＦ３である。更に好ましいＹ１はフッ素である。Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。特に好ましいＹ２は誘電異方性を上げ、粘度を下げるなどの観点から、フッ素である。
【００４６】
第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ２およびＲ３は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１２は炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数１〜１２のアルコキシであり、Ｒ１３は炭素数１〜１２のアルキルであり、Ｒ９は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ１０は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素である。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、高い上限温度の観点からシスよりもトランスが好ましい。
【００４７】
成分化合物の化学式において、例えば、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（４−１−１）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（４−１−１）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２からＲ１１などにも適用される。ＣＬは塩素を表す。
【００４８】
好ましい化合物（１）は化合物（１−１）から（１−２４）である。さらに好ましい化合物（１）は、低い下限温度、大きな誘電異方性および小さい粘度の観点から化合物（１−８）、（１−１６）および（１−２４）である。特に好ましい化合物（１）は化合物（１−８）である。
【００４９】
好ましい化合物（２−１）は化合物（２−１−１）から（２−１−３）である。さらに好ましい化合物（２−１）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−１−１）である。
【００５０】
好ましい化合物（２−２）は化合物（２−２−１）および（２−２−２）である。さらに好ましい化合物（２−２）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−２−２）である。
【００５１】
好ましい化合物（２−３）は化合物（２−３−１）から（２−３−３）である。さらに好ましい化合物（２−３）は低い下限温度および低い粘度の観点から化合物（２−３−１）および化合物（２−３−３）である。
【００５２】
好ましい化合物（３）は化合物（３−１）から化合物（３−８）である。さらに好ましい化合物（３）は低い下限温度および低い粘度の観点から、化合物（３−２）、（３−３）および（３−８）である。特に好ましい化合物（３）は化合物（３−２）である。
【００５３】
好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−１）から化合物（４−１−４）である。さらに好ましい化合物（４−１）は低い下限温度、大きな誘電異方性および小さな粘度の観点から、化合物（４−１−２）および化合物（４−１−３）である。特に好ましい化合物（４−１）は化合物（４−１−２）である。
【００５４】
好ましい化合物（４−２）は化合物（４−２−１）および化合物（４−２−２）である。さらに好ましい化合物（４−２）は低い下限温度の観点から、化合物（４−２−１）である。
【００５５】
好ましい化合物（５）は化合物（５−１）および化合物（５−２）である。さらに好ましい化合物（５）は低い下限温度の観点から化合物（５−２）である。
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
第六に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（２−１−１）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−１）は、特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−２）は、特開昭５７−６４６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−３−３）は、特開昭５７−１１４５３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−２）は、特公平４−３０３８２号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−８）は、特開平１−３０８２３９号公報に記載された方法で合成する。化合物（１−８）は、化合物（３−８）と同様の方法で合成する。化合物（４−１−２）および化合物（４−１−３）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は特開昭５６―６８６３６号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−２）は、特開昭６１−２７９３１号公報に記載された方法で合成する。
【００６３】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John
Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。
【００６４】
第七に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（６−１）〜化合物（６−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５％以下である。さらに好ましい割合は０．０１％から２％の範囲である。
【００６５】
【００６６】
ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１％から１０％の範囲である。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。
【００６７】
酸化防止剤の好ましい例は、ｋが１から９の整数である化合物（７）などである。化合物（７）において、好ましいｋは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｋは１または７である。ｋが１である化合物（７）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｋが７である化合物（７）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。
【００６８】
紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。紫外線吸収剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから５０００ｐｐｍの範囲である。
【００６９】
最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−２０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．１０から０．１６の範囲の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１０から０．１６の範囲の光学異方性を有する組成物、さらには０．０８から０．３０の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。
【００７０】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮまたはＯＣＢモードを有する高速応答用の素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００７１】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。
【００７２】
【００７３】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。
【００７４】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。（外挿値）＝｛（試料の測定値）−０．８５×（母液晶の測定値）｝／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００７５】
母液晶の組成は下記のとおりである。
【００７６】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。
【００７７】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００７８】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００７９】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。
【００８０】
回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。
【００８１】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００８２】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【００８３】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【００８４】
電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％、ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。
【００８５】
電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６６７ミリ秒のあいだ測定した。
【００８６】
応答時間（τ；２５℃で測定；ミリ秒）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が約０．４５ / Δｎ (μｍ)であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間（τ）は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和である。
【００８７】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【００８８】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。
組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物はガスクロマトグラフで検出することができる。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合（モル数）に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を１とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合（重量％）は、ピークの面積比から算出する。
【００８９】
比較例１
特許文献１（特開２００１−３０５３号公報）に開示された組成物の中から実施例３を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ （−） ３％
２−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ３％
３−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ７％
ＮＩ＝７８．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３９；Δε＝１６．４；
γ１＝２７２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．００Ｖ；τ＝４９．４ｍｓ．
【００９０】
比較例２
特許文献２（ＷＯ２００５０１７０６７Ａ１）に開示された組成物の中から実施例Ｍ１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物と本願第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＨ−４ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） １５％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） ８％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ３％
２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０．５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
７−ＨＢ−Ｆ （５−１） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ７．５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １２％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ５％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １％
ＮＩ＝７０．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０８３９；Δε＝７．８；
γ１＝７９．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３４Ｖ；τ＝１８．１ｍｓ．
【００９１】
比較例３
特許文献３（特開２００４−２８５３５３号公報）に開示された組成物の中から実施例Ｍ１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第１成分の化合物（１）と類似の骨格を有する化合物と本願第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＨ−５ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １２％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ４％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
２−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
５−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ５％
２−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ８％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ９％
ＮＩ＝７２．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０７８５；Δε＝９．３；
γ１＝８６．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．２３Ｖ；τ＝２０．４ｍｓ．
【００９２】
比較例４
特許文献４（ＷＯ２００５００７７７５Ａ１）に開示された組成物の中から実施例１を選んだ。根拠は、この組成物が、本願第２成分と第３成分の化合物を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） １２％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） １８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １０％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ８％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
３−ＨＢ−Ｏ１ （５−１） ７％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７９．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝４．７；
γ１＝５８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７６Ｖ；τ＝１１．７ｍｓ．
【００９３】
実施例１
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３１％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ９％
１Ｖ２−ＢＢ−Ｆ （５−２） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝８０．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１６０；Δε＝３．７；
γ１＝５８．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．４８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝１４．４ｍｓ．
実施例１の組成物は、比較例１のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９４】
実施例２
実施例２の組成物は、比較例２および３のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有する。
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１）１０．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ９．５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３９％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝７４．６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝４．４；
γ１＝４２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝８．３ｍｓ．
実施例２の組成物は、比較例２および３のそれと比較して、高い上限温度、大きな屈折率異方性、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９５】
実施例３
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １２％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） １８％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １０％
３−ＨＢ−Ｏ１ （５−１） ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ （−） ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １４％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝７９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝４．７；
γ１＝４７．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝９．３ｍｓ．
実施例３の組成物は、比較例４のそれと比較して、ほぼ同等の上限温度、ほぼ同等のしきい値電圧、小さい回転粘度および速い応答時間を有した。
【００９６】
実施例４
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５．５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） ２２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ５％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ２％
ＮＩ＝７４．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝４．０；
γ１＝３７．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝６．２ｍｓ．
【００９７】
実施例５
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ８％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ８％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （２−１−２） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
３−ＨＨ−４ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） ６％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ４％
ＮＩ＝８９．１℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．１３７；Δε＝６．４；
γ１＝９８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．３ｍｓ．
【００９８】
実施例６
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） １０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ７％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １５％
Ｖ−ＨＨ−４ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ５％
７−ＨＢ−１ （５−１） ４％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝８３．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝５．２；
γ１＝６８．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１２．８ｍｓ．
【００９９】
実施例７
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ （２−３−１） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） １０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ （２−３−２） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） １０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） １０％
ＮＩ＝９６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝４．０；
γ１＝８３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．７ｍｓ．
【０１００】
実施例８
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ （２−１−２） ５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５ （２−１−２） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （２−１−３） ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） １０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） ８％
ＮＩ＝７７・６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５０；Δε＝３．７；
γ１＝７８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１７．８ｍｓ．
【０１０１】
実施例９
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ７％
２−ＨＨ−３ （３−１） ８％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） ８％
２−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
ＮＩ＝７８．１℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３１；Δε＝５．５；
γ１＝６４．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１１．９ｍｓ．
【０１０２】
実施例１０
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ６％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ６％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） １０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ５％
２−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ４％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ４％
１Ｖ２−ＢＢ−１ （５−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （−） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （−） ６％
ＮＩ＝８５．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝６．５；
γ１＝１００．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＨＲ−２＝９８．２％；τ＝１８．３ｍｓ．
【０１０３】
実施例１１
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１２％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） １６％
ＶＦＦ−ＨＨ−５ （３−８） ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−４） ５％
ＮＩ＝８６．６℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３４；Δε＝７．３；
γ１＝１１９．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；
ＶＨＲ−２＝９８．１％；τ＝２０．０ｍｓ．
【０１０４】
実施例１２
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ６％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
５−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ８％
ＮＩ＝７４．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１５；Δε＝６．９；
γ１＝６９．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ；τ＝１２．０ｍｓ．
【０１０５】
実施例１３
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ４％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１）１０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−１） １０％
ＮＩ＝９９．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１５２；Δε＝５．１；
γ１＝１０２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；τ＝１９．０ｍｓ．
【０１０６】
実施例１４
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ４％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ４％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ４％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
１Ｖ−ＨＨ−３ （３−３） １２％
１Ｖ２−ＢＢ−１ （５−２） ４％
ＮＩ＝９９．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２３；Δε＝４．３；
γ１＝７０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１５Ｖ；τ＝１４．０ｍｓ．
【０１０７】
実施例１５
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ４％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−３） ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （１−５） ４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１）１０％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２ （２−１−３） ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （２−１−３） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
３−ＨＨ−Ｏ１ （３−１） ２０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） １８％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ４％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （−） ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ （−） ４％
ＮＩ＝９３．７℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝３．７；
γ１＝１２１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３６Ｖ；τ＝２７．１ｍｓ．
【０１０８】
実施例１６
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−１−３） ６％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ４％
ＮＩ＝７７．５℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝８．８；
γ１＝１４２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４２Ｖ；τ＝２２．９ｍｓ．
【０１０９】
実施例１７
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＨＦ２ （１−２４） ５％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ （２−３−２） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２０％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１ （３−２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１）１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ４％
ＮＩ＝９２．８℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２７；Δε＝６．３；
γ１＝８７．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７７Ｖ；τ＝１７．０ｍｓ．
【０１１０】
実施例１８
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ２５％
ＶＦＦ−ＨＨ−３ （３−８） ５％
ＶＦＦ−ＨＨ−５ （３−８） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） １０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） ５％
ＮＩ＝７３．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３０；Δε＝８．５；
γ１＝１１７．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；
ＶＨＲ−２＝９８．０％；τ＝１８．９ｍｓ．
【０１１１】
実施例１９
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ７％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ （１−１６） ７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
３−ＨＨＢ−１ （２−３−１） ６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （２−３−３） ５％
２−ＨＨ−３ （３−１） ５％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２）１０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１）１０％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ５％
ＮＩ＝７２．９℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝９．０；
γ１＝１１０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．３８Ｖ；τ＝１７．８ｍｓ．
【０１１２】
実施例２０
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−８） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５ （２−１−１） ５％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （２−１−１） ５％
３−ＨＢＢ−２ （２−２−１） ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ （２−２−２） ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （２−３−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−３ （３−２） ３０％
Ｖ−ＨＨ−５ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （−） １０％
ＮＩ＝９４．２℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１３２；Δε＝５．２；
γ１＝８８．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９６Ｖ；τ＝１６．５ｍｓ．
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項２】
式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲である、請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項５】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項６】
式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項５または６に記載の液晶組成物。
【請求項８】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から２０重量％の範囲である、請求項５から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１０】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１２】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１３】
ネマチック相の上限温度が７０℃から９５℃の範囲であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１０から０．１６の範囲であり、誘電異方性（２５℃、１ｋＨｚ）が３から７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が３０ｍＰａ・ｓから１００ｍＰａ・ｓの範囲である、請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【請求項１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項２】
式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
第２成分が式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲である、請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項５】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項６】
式（１）において、Ｙ１がフッ素であり、Ｘ１およびＸ２が水素であり、Ｘ３がフッ素であり、式（２−１）から式（２−３）において、Ｘ４がフッ素であり、Ｘ５およびＸ６が水素であり、式（３）において、Ｒ７が炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり、Ｒ８が炭素数１〜１２のアルキルである、請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項７】
第２成分が、式（２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項５または６に記載の液晶組成物。
【請求項８】
液晶組成物の全重量に基づいて、第１成分の割合が５重量％から２５重量％の範囲であり、第２成分の割合が１５重量％から５０重量％の範囲であり、第３成分の割合が２５重量％から５０重量％の範囲であり、そして第４成分の割合が５重量％から２０重量％の範囲である、請求項５から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項９】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１０】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１１】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１２】
第１成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第２成分として式（２−１）から式（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第３成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第４成分として式（４−１）または式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第５成分として式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして実質的にこれらの成分のみからなるネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ２、Ｒ３およびＲ５は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ４はフッ素、炭素数１〜１２のアルキルまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ６はフッ素、塩素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシまたは炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ７およびＲ８は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数４〜１２のアルカジエニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ９は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニルであり；Ｒ１０は独立して炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、炭素数２〜１２のアルコキシアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２〜１２のアルケニル、フッ素または塩素であり；環Ａは、シクロヘキシレンまたはフェニレンであり；Ｙ１はフッ素、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり；Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は独立して水素またはフッ素であり、Ｘ４、Ｘ５およびＸ６のうち、少なくとも一つはフッ素である。
【請求項１３】
ネマチック相の上限温度が７０℃から９５℃の範囲であり、波長５８９ｎｍにおける光学異方性（２５℃）が０．１０から０．１６の範囲であり、誘電異方性（２５℃、１ｋＨｚ）が３から７の範囲であり、そして回転粘度（２５℃）が３０ｍＰａ・ｓから１００ｍＰａ・ｓの範囲である、請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【公開番号】特開２００８−７７５２（Ｐ２００８−７７５２Ａ）
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３７６５３（Ｐ２００７−１３７６５３）
【出願日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
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