液晶組成物および液晶表示素子
【課題】液晶相の上限温度が高く、液晶相の下限温度が低く、屈折率異方性が小さくした液晶組成物の提供。
【解決手段】第一成分として、ビシクロヘキサン環骨格を有する化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、例えば式（２−１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、例えば式（３−２−１）で表される化合物、さらに第四成分として、特定のシクロヘキサン骨格を有する化合物を組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【解決手段】第一成分として、ビシクロヘキサン環骨格を有する化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、例えば式（２−１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、例えば式（３−２−１）で表される化合物、さらに第四成分として、特定のシクロヘキサン骨格を有する化合物を組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、かつ、液晶相の上限温度が高く、液晶相の下限温度が低く、屈折率異方性の小さい液晶組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでに、バックライトを光源とした透過型アクティブマトリックス液晶表示素子（ＡＭ−ＬＣＤ）がフルカラー表示が可能な装置として実用化されている。このバックライトは、かなりの電力を消費するという欠点を有しており、このようなＡＭ−ＬＣＤを搭載したデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラは、長時間使用することができないという不都合が生じている。この消費電力の問題を解決するために、反射型のＡＭ−ＬＣＤが開発された。反射型のＡＭ−ＬＣＤは、S.-T.Wu, C.-S.Wu, C.-L,Kuo 等により SID97 Digest/643 に報告されているように、光が液晶層を２回通過するので、液晶層の厚み（ｄ）と液晶の屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）を小さく設定しなければならない。このため、従来の透過型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤの液晶に要求されるΔｎは０．０７５〜０．１２０程度であったが、反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤの液晶にに要求されるΔｎは０．０７以下である。Δｎ以外では、反射型のＡＭ−ＬＣＤが求める液晶組成物の特性は従来の透過型のＡＭ−ＬＣＤと同様に、（１） ＬＣＤのコントラストを高く維持するために、高い比抵抗と高い電圧保持率を有すること。
（２） ＬＣＤの屋外での使用を可能とするために、ネマチック相を示す温度範囲が広いこと（ネマチック相を示す上限温度が高く、ネマチック相を示す下限温度が低いこと）。
（３） ＬＣＤの消費電力を小さくするために、しきい値電圧が低いこと。
（４） ＬＣＤの表示速度を速くするために、粘度が小さいこと。
である。ＡＭ−ＬＣＤに使用可能と考えられる液晶化合物または液晶組成物を開示した文献として、ＷＯ９６／２３８５１、特開平９−７１７７９、特開平９−１１０９８１、ＤＥ１９６２９８１２Ａ１およびＷＯ９８／１７６６４を挙げることができる。しかし、これらに開示されている液晶組成物は、本願の比較例で示すように、Δｎが大きかったり、Δｎが比較的小さくてもネマチック相を示す下限温度が高かったり、電圧保持率が低いという欠点を有しているため、反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤに用いるためには、不十分であった。このように、液晶組成物は、種々の目的に応じて鋭意検討されているものの、常に新たな改良を要求されているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開１９９６−０２３８５１パンフレット
【特許文献２】特開平９−７１７７９号公報
【特許文献３】特開平９−１１０９８１号公報
【特許文献４】独国特許第１９６２９８１２号明細書
【特許文献５】国際公開１９９８−０１７６６４パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低く、屈折率異方性の小さな液晶組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく、種々の液晶化合物を用いた液晶組成物を鋭意検討した結果、以下に示す本発明の液晶組成物がフルカラー表示が可能な反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤに使用可能であり、所期の目的を達成できることを見いだした。以下、本発明を詳細に説明する。
【０００６】
第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。
【０００７】
【化３】
【０００８】
【化４】
【０００９】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【発明の効果】
【００１０】
本発明によって、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、液晶相の上限温度を高くし、液晶相の下限温度を低くし、屈折率異方性を小さくした液晶組成物が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、下記の項などである。
１． 第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【００１２】
【化１】
【００１３】
【化２】
【００１４】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【００１５】
２． ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、かつ、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする項１に記載の液晶組成物。
【００１６】
３． 項１〜２のいずれか１項に記載した液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【００１７】
本発明は、第四成分として一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。
【００１８】
本発明は、ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする液晶組成物である。
【００１９】
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい形態について説明する。一般式（１）で表される化合物の中で、下記の一般式（１−１）〜（１−３）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２０】
【化５】
【００２１】
（式中、ＲおよびＲ'は、各々独立して、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（２）で表される化合物の中で、下記の一般式（２−１）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２２】
【化６】
【００２３】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（３−１）で表される化合物の中で、下記の一般式（３−１−１）または（３−１−２）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２４】
【化７】
【００２５】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（３−２）で表される化合物の中で、下記の一般式（３−２−１）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２６】
【化８】
【００２７】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（４−１）で表される化合物の中で、下記の一般式（４−１−１）〜（４−１−５）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２８】
【化９】
【００２９】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（４−２）で表される化合物の中で、下記の一般式（４−２−１）〜（４−２−５）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００３０】
【化１０】
【００３１】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
【００３２】
次に、本発明の液晶組成物を構成する各化合物の液晶組成物における役割について説明する。一般式（１）で表される化合物は、誘電率異方性がほぼゼロであり、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が比較的低く、粘度が低く、屈折率異方性がかなり小さいという特徴を有している。このため、一般式（１）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く維持しながら、粘度を小さくし、屈折率異方性を小さくする目的で使用される。一般式（２）で表される化合物は、誘電率異方性が大きく、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、一般式（２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧を小さくする目的で使用される。一般式（３−１）で表される化合物および（３−２）で表される化合物は、一般式（２）で表される化合物よりも誘電率異方性が大きく、比抵抗値が高い。また、ネマチック相の上限温度が一般式（２）で表される化合物程は高くないが、一般式（１）で表される化合物よりは高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、一般式（３−１）で表される化合物および（３−２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、しきい値電圧をさらに小さくする目的で使用される。
【００３３】
一般式（１）、一般式（２）、および一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物を組み合わせることによって、本発明の目的であるＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低く、屈折率異方性を小さくした液晶組成物を達成することが可能となる。例えば、一般式（１）で表される化合物のみからなる組成物、一般式（２）で表される化合物のみからなる組成物、および一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物のみからなる組成物は、いずれも本願発明の目的を達成することができない。また、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物、一般式（１）で表される化合物と一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物、および一般式（２）で表される化合物と一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物は、いずれも本願発明の目的とする、特に、ネマチック相の下限温度が低い組成物を得ることがきない。
【００３４】
一般式（４−１）で表される化合物は、誘電率異方性がゼロまたは正で、比抵抗値が高く、屈折率異方性が比較的小さく、液晶組成物にこの化合物を添加することにより、低温領域においてスメクチック相の発現を抑制するという特徴を有している。このため、一般式（４−１）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の下限温度を調整するまたはしきい値電圧を調整する目的で使用される。一般式（４−２）で表される化合物は、誘電率異方性が比較的大きく、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が比較的高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、本発明の一般式（４−２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧をさらに低くする目的で使用する。
【００３５】
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい成分比並びにその理由について説明する。一般式（１）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、９５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは７５重量％以下、さらに好ましくは６５重量％以下である。また、液晶組成物の屈折率異方性を極力小さくするために、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが好ましく、より好ましくは１０重量％以上である。液晶組成物の屈折率異方性を極力小さくしかつ粘度を小さくするためには、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して２０重量％以上にすることがさらに好ましい。
【００３６】
一般式（２）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、２５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは２０重量％以下である。また、液晶組成物のしきい値電圧を比較的低くし、なおかつ、ネマチック相の上限温度を高くするために、一般式（２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが望ましい。一般式（３−１）で表される化合物および一般式（３−２）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、７０重量％以下にすることが好まく、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。また、液晶組成物のしきい値電圧をさらに低くし、組成物のネマチック相の下限温度を低くするためには、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが望ましい。本発明の液晶組成物において第四成分を用いる場合、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物が液晶組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、８５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは６５重量％以下であり、液晶組成物の屈折率異方性を小さくし、かつ、ネマチック相下限温度を極力低くするためには５５重量％以下がさらに好ましい。
【００３７】
次に、本発明を構成する組成物の持つ特性値について詳細に説明する。ネマチック相の上限温度が７０℃より低く、ネマチック相の下限温度が−２０℃より高い液晶組成物を使用したディスプレイは、使用する環境温度に制限があり、特に、屋外で使用する場合には、表示ができなくなり、ディスプレイとしての機能を果たせなくなる恐れがある。このため、液晶組成物のネマチック相範囲は、上限温度を７０℃以上、下限温度を−２０℃以下にすることが望ましい。測定温度が２５℃、使用波長が５８９ｎｍの条件で測定した屈折率異方性が０．０７より大きい液晶組成物を使用した場合、反射型のＡＭ−ＬＣＤでは、白色の表示が若干黄色みを帯びてしまうことがある。このため、液晶組成物の屈折率異方性は、０．０７以下にすることが望ましい。
【００３８】
本願発明の液晶組成物に使用される化合物はいずれも既知の化合物である。例えば、一般式（１−２）の化合物は、特開昭５８−１７０７３３にその合成法が記載されている。一般式（２）で表される化合物の一例として、一般式（２−１）の物、一般式（３−１）で表される化合物の一例として、一般式（３−１−１）の物、一般式（３−２）で表される化合物の例として、一般式（３−２−１）の物、一般式（４−１）で表される化合物の例として、一般式（４−１−５）の物および一般式（４−２）で表される化合物の例として、一般式（４−２−２）の物が、特開平２−２３３６２６にそれぞれの合成法が記載されている。このように、本願発明の組成物を構成するそれぞれの化合物は、先行文献を参考にすることによって、合成し得るものである。本発明の液晶組成物には、本発明の目的を害さない範囲で、前記の一般式で表される化合物以外の液晶化合物を混合して使用することもできる。本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の化合物を混合し、高い温度で互いに溶解させる方法をとる。本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整する目的で、コレステリックノナノエート等のキラルドープ剤を添加して使用してもよい。また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系の二色性色素を添加してゲストホストモードの液晶組成物としても使用することができるし、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードおよび動的散乱モードの液晶組成物としても使用することができる。イン・プレイン・スイッチング方式の液晶組成物としても使用することができる。
【実施例】
【００３９】
実施例以下に、実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は、以下に示す実施例に限定されるもではない。比較例および実施例に示した組成比は全て重量％で表した。比較例および実施例で用いた化合物は、表１に示した定義に基き、記号で表した。液晶組成物の特性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴＮＩ、ネマチック液晶相の下限温度をＴＣ、粘度をη、屈折率異方性をΔｎ、しきい値電圧をＶth、電圧保持率をＶＨＲで表した。ＴＮＩは、偏光顕微鏡を用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体に変化するときの温度を測定することにより求めた。ＴＣは、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置し、液晶相の変化で判断した。例えば、一つの液晶組成物について、−２０℃でネマチック状態をとり、−３０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合には、その液晶組成物のＴＣは、＜−２０℃と表現した。ηは、２０℃で測定した。Δｎは、５８９ｎｍの波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。Ｖthは、セルギャップが（０．４／Δｎ）μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になったときに印加されている電圧の値を２５℃で測定した。ＶＨＲは、２５℃にて面積法にて求めた。
【００４０】
【表１】
【００４１】
比較例１
ＷＯ９６／２３８５１に開示された組成物中で、末端にＣＮ基を有しない化合物のみからなり、Δｎが最も小さい組成物として実施例１９の物を調製した。
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ １６％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ １０％
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＨ−５ ８％
７−ＨＢ−Ｆ ４％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ ０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．０℃
η ＝ １７．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６６
Ｖth ＝ １．２２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、Δｎは小さいが、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４２】
比較例２
特開平９−７１７７９に開示された組成物中で、ＴＮＩが高く、かつ、Δｎが最も小さい組成物として例２の物を調製した。
５−ＨＢ−ＣＬ １０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １％
３−ＨＢ−Ｏ２ ６％
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨＢ−１ ７％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ −４０℃
ＴＮＩ ＝ ９６．４℃
η ＝ １８．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０９１
Ｖth ＝ ２．１８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、Δｎが大きいという欠点を有している。
【００４３】
比較例３
特開平９−１１０９８１に開示された組成物中で、Δｎが最も小さい組成物として表５の物を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９．２％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４．６％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９．２％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ４．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −１０℃
ＴＮＩ ＝ １１８．３℃
η ＝ ２６．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０８３
Ｖth ＝ ２．００Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．２％
この組成物は、Δｎが大きいく、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４４】
比較例４
ＤＥ１９６２９８１２Ａ１に開示された組成物中で、本願に類似した組成物としてＥｘ．Ｈの物を調製した。
７−ＨＢ−Ｆ １．５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ９．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ６．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ４．０％
２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．５％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−ＨＨ−５ ６．０％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １８．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ −１０℃
ＴＮＩ ＝ ７７．０℃
η ＝ １９．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０８６
Ｖth ＝ １．１７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．１％
この組成物は、Δｎが大きいく、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４５】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のとおりであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．１℃
η ＝ ２２．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．６４Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４６】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２９％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．１℃
η ＝ ２０．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．５８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４７】
参考例
第一成分、
５−ＨＨ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．２℃
η ＝ ２２．１ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．６２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４８】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２９％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．５℃
η ＝ ２１．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．４８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４９】
実施例５
第一成分、
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １２％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ９％
７−ＨＥＢ−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８１．７℃
η ＝ ２２．２ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６５
Ｖth ＝ １．４５Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５０】
実施例６
第一成分、
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２３％
５−ＨＨ−ＥＭｅ ８％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ５％
７−ＨＥＢ−Ｆ ５％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ２％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７６．０℃
η ＝ ２１．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．６３Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５１】
実施例７
第一成分、
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２２％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．２℃
η ＝ １８．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６３
Ｖth ＝ １．６３Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５２】
実施例８
第一成分、
３−ＨＨ−４ ５％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １３％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２１％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りでなった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８９．３℃
η ＝ ２３．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．７４Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５３】
実施例９
第一成分、
２−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．１℃
η ＝ １７．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５９
Ｖth ＝ ２．１７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５４】
実施例１０
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １６％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １１％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ４％
７−ＨＥＢ−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．８℃
η ＝ １９．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．５８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５５】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １４％
５−ＨＨ−ＥＭｅ ８％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
（その他成分）
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ２％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −４０℃
ＴＮＩ ＝ ７５．３℃
η ＝ １９．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６０
Ｖth ＝ １．４７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．７％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５６】
実施例１２
第一成分、
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
第四成分、
５−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７１．０℃
η ＝ ２４．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．２２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５７】
実施例１３
第一成分、
３−ＨＨ−４ ６％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７１．０℃
η ＝ ３８．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６５
Ｖth ＝ ０．９０Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．２％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５８】
実施例１４
第一成分、
３−ＨＨ−４ ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２３％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第三成分、
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＢ−ＣＬ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．４℃
η ＝ １９．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．５０Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５９】
実施例１５
第一成分、
３−ＨＨ−４ ７％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２６％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８５．１℃
η ＝ １９．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．７２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．６％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００６０】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ２０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
（その他成分）
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．２℃
η ＝ １７．７ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５８
Ｖth ＝ ２．４７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００６１】
実施例１７
第一成分、
３−ＨＨ−Ｏ１ ２５％
３−ＨＨ−Ｏ２ ８％
５−ＨＨ−Ｏ２ １０％
７−ＨＨ−Ｏ１ ７％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第四成分、
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７２．６℃
η ＝ １６．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５８
Ｖth ＝ ２．０５Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本願発明の液晶組成物は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしており、特に、液晶相の上限温度が高く、液晶相の下限温度を低く、屈折率異方性が小さいため、ディスプレイ等の電子機器の材料として好ましく利用可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、かつ、液晶相の上限温度が高く、液晶相の下限温度が低く、屈折率異方性の小さい液晶組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでに、バックライトを光源とした透過型アクティブマトリックス液晶表示素子（ＡＭ−ＬＣＤ）がフルカラー表示が可能な装置として実用化されている。このバックライトは、かなりの電力を消費するという欠点を有しており、このようなＡＭ−ＬＣＤを搭載したデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラは、長時間使用することができないという不都合が生じている。この消費電力の問題を解決するために、反射型のＡＭ−ＬＣＤが開発された。反射型のＡＭ−ＬＣＤは、S.-T.Wu, C.-S.Wu, C.-L,Kuo 等により SID97 Digest/643 に報告されているように、光が液晶層を２回通過するので、液晶層の厚み（ｄ）と液晶の屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）を小さく設定しなければならない。このため、従来の透過型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤの液晶に要求されるΔｎは０．０７５〜０．１２０程度であったが、反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤの液晶にに要求されるΔｎは０．０７以下である。Δｎ以外では、反射型のＡＭ−ＬＣＤが求める液晶組成物の特性は従来の透過型のＡＭ−ＬＣＤと同様に、（１） ＬＣＤのコントラストを高く維持するために、高い比抵抗と高い電圧保持率を有すること。
（２） ＬＣＤの屋外での使用を可能とするために、ネマチック相を示す温度範囲が広いこと（ネマチック相を示す上限温度が高く、ネマチック相を示す下限温度が低いこと）。
（３） ＬＣＤの消費電力を小さくするために、しきい値電圧が低いこと。
（４） ＬＣＤの表示速度を速くするために、粘度が小さいこと。
である。ＡＭ−ＬＣＤに使用可能と考えられる液晶化合物または液晶組成物を開示した文献として、ＷＯ９６／２３８５１、特開平９−７１７７９、特開平９−１１０９８１、ＤＥ１９６２９８１２Ａ１およびＷＯ９８／１７６６４を挙げることができる。しかし、これらに開示されている液晶組成物は、本願の比較例で示すように、Δｎが大きかったり、Δｎが比較的小さくてもネマチック相を示す下限温度が高かったり、電圧保持率が低いという欠点を有しているため、反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤに用いるためには、不十分であった。このように、液晶組成物は、種々の目的に応じて鋭意検討されているものの、常に新たな改良を要求されているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開１９９６−０２３８５１パンフレット
【特許文献２】特開平９−７１７７９号公報
【特許文献３】特開平９−１１０９８１号公報
【特許文献４】独国特許第１９６２９８１２号明細書
【特許文献５】国際公開１９９８−０１７６６４パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低く、屈折率異方性の小さな液晶組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく、種々の液晶化合物を用いた液晶組成物を鋭意検討した結果、以下に示す本発明の液晶組成物がフルカラー表示が可能な反射型ＴＮタイプのＡＭ−ＬＣＤに使用可能であり、所期の目的を達成できることを見いだした。以下、本発明を詳細に説明する。
【０００６】
第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。
【０００７】
【化３】
【０００８】
【化４】
【０００９】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【発明の効果】
【００１０】
本発明によって、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、液晶相の上限温度を高くし、液晶相の下限温度を低くし、屈折率異方性を小さくした液晶組成物が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、下記の項などである。
１． 第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【００１２】
【化１】
【００１３】
【化２】
【００１４】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【００１５】
２． ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、かつ、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする項１に記載の液晶組成物。
【００１６】
３． 項１〜２のいずれか１項に記載した液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【００１７】
本発明は、第四成分として一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。
【００１８】
本発明は、ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする液晶組成物である。
【００１９】
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい形態について説明する。一般式（１）で表される化合物の中で、下記の一般式（１−１）〜（１−３）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２０】
【化５】
【００２１】
（式中、ＲおよびＲ'は、各々独立して、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（２）で表される化合物の中で、下記の一般式（２−１）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２２】
【化６】
【００２３】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（３−１）で表される化合物の中で、下記の一般式（３−１−１）または（３−１−２）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２４】
【化７】
【００２５】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（３−２）で表される化合物の中で、下記の一般式（３−２−１）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２６】
【化８】
【００２７】
（式中、Ｒは、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（４−１）で表される化合物の中で、下記の一般式（４−１−１）〜（４−１−５）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２８】
【化９】
【００２９】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
一般式（４−２）で表される化合物の中で、下記の一般式（４−２−１）〜（４−２−５）で表される化合物が好ましく用いられる。
【００３０】
【化１０】
【００３１】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基を表す。）
【００３２】
次に、本発明の液晶組成物を構成する各化合物の液晶組成物における役割について説明する。一般式（１）で表される化合物は、誘電率異方性がほぼゼロであり、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が比較的低く、粘度が低く、屈折率異方性がかなり小さいという特徴を有している。このため、一般式（１）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く維持しながら、粘度を小さくし、屈折率異方性を小さくする目的で使用される。一般式（２）で表される化合物は、誘電率異方性が大きく、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、一般式（２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧を小さくする目的で使用される。一般式（３−１）で表される化合物および（３−２）で表される化合物は、一般式（２）で表される化合物よりも誘電率異方性が大きく、比抵抗値が高い。また、ネマチック相の上限温度が一般式（２）で表される化合物程は高くないが、一般式（１）で表される化合物よりは高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、一般式（３−１）で表される化合物および（３−２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、しきい値電圧をさらに小さくする目的で使用される。
【００３３】
一般式（１）、一般式（２）、および一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物を組み合わせることによって、本発明の目的であるＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低く、屈折率異方性を小さくした液晶組成物を達成することが可能となる。例えば、一般式（１）で表される化合物のみからなる組成物、一般式（２）で表される化合物のみからなる組成物、および一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物のみからなる組成物は、いずれも本願発明の目的を達成することができない。また、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物、一般式（１）で表される化合物と一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物、および一般式（２）で表される化合物と一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物との組合せのみからなる組成物は、いずれも本願発明の目的とする、特に、ネマチック相の下限温度が低い組成物を得ることがきない。
【００３４】
一般式（４−１）で表される化合物は、誘電率異方性がゼロまたは正で、比抵抗値が高く、屈折率異方性が比較的小さく、液晶組成物にこの化合物を添加することにより、低温領域においてスメクチック相の発現を抑制するという特徴を有している。このため、一般式（４−１）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の下限温度を調整するまたはしきい値電圧を調整する目的で使用される。一般式（４−２）で表される化合物は、誘電率異方性が比較的大きく、比抵抗値が高く、ネマチック相の上限温度が比較的高く、屈折率異方性が比較的小さいという特徴を有している。このため、本発明の一般式（４−２）で表される化合物は、特に、液晶組成物の電圧保持率を高く、かつ、屈折率異方性を小さく維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧をさらに低くする目的で使用する。
【００３５】
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい成分比並びにその理由について説明する。一般式（１）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、９５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは７５重量％以下、さらに好ましくは６５重量％以下である。また、液晶組成物の屈折率異方性を極力小さくするために、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが好ましく、より好ましくは１０重量％以上である。液晶組成物の屈折率異方性を極力小さくしかつ粘度を小さくするためには、一般式（１）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して２０重量％以上にすることがさらに好ましい。
【００３６】
一般式（２）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、２５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは２０重量％以下である。また、液晶組成物のしきい値電圧を比較的低くし、なおかつ、ネマチック相の上限温度を高くするために、一般式（２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが望ましい。一般式（３−１）で表される化合物および一般式（３−２）で表される化合物は、組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、７０重量％以下にすることが好まく、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。また、液晶組成物のしきい値電圧をさらに低くし、組成物のネマチック相の下限温度を低くするためには、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、５重量％以上にすることが望ましい。本発明の液晶組成物において第四成分を用いる場合、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物が液晶組成物中に多量に存在すると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くすることがある。このため、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合を液晶組成物の全重量に対して、８５重量％以下にすることが好ましく、より好ましくは６５重量％以下であり、液晶組成物の屈折率異方性を小さくし、かつ、ネマチック相下限温度を極力低くするためには５５重量％以下がさらに好ましい。
【００３７】
次に、本発明を構成する組成物の持つ特性値について詳細に説明する。ネマチック相の上限温度が７０℃より低く、ネマチック相の下限温度が−２０℃より高い液晶組成物を使用したディスプレイは、使用する環境温度に制限があり、特に、屋外で使用する場合には、表示ができなくなり、ディスプレイとしての機能を果たせなくなる恐れがある。このため、液晶組成物のネマチック相範囲は、上限温度を７０℃以上、下限温度を−２０℃以下にすることが望ましい。測定温度が２５℃、使用波長が５８９ｎｍの条件で測定した屈折率異方性が０．０７より大きい液晶組成物を使用した場合、反射型のＡＭ−ＬＣＤでは、白色の表示が若干黄色みを帯びてしまうことがある。このため、液晶組成物の屈折率異方性は、０．０７以下にすることが望ましい。
【００３８】
本願発明の液晶組成物に使用される化合物はいずれも既知の化合物である。例えば、一般式（１−２）の化合物は、特開昭５８−１７０７３３にその合成法が記載されている。一般式（２）で表される化合物の一例として、一般式（２−１）の物、一般式（３−１）で表される化合物の一例として、一般式（３−１−１）の物、一般式（３−２）で表される化合物の例として、一般式（３−２−１）の物、一般式（４−１）で表される化合物の例として、一般式（４−１−５）の物および一般式（４−２）で表される化合物の例として、一般式（４−２−２）の物が、特開平２−２３３６２６にそれぞれの合成法が記載されている。このように、本願発明の組成物を構成するそれぞれの化合物は、先行文献を参考にすることによって、合成し得るものである。本発明の液晶組成物には、本発明の目的を害さない範囲で、前記の一般式で表される化合物以外の液晶化合物を混合して使用することもできる。本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の化合物を混合し、高い温度で互いに溶解させる方法をとる。本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整する目的で、コレステリックノナノエート等のキラルドープ剤を添加して使用してもよい。また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系の二色性色素を添加してゲストホストモードの液晶組成物としても使用することができるし、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードおよび動的散乱モードの液晶組成物としても使用することができる。イン・プレイン・スイッチング方式の液晶組成物としても使用することができる。
【実施例】
【００３９】
実施例以下に、実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は、以下に示す実施例に限定されるもではない。比較例および実施例に示した組成比は全て重量％で表した。比較例および実施例で用いた化合物は、表１に示した定義に基き、記号で表した。液晶組成物の特性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴＮＩ、ネマチック液晶相の下限温度をＴＣ、粘度をη、屈折率異方性をΔｎ、しきい値電圧をＶth、電圧保持率をＶＨＲで表した。ＴＮＩは、偏光顕微鏡を用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体に変化するときの温度を測定することにより求めた。ＴＣは、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置し、液晶相の変化で判断した。例えば、一つの液晶組成物について、−２０℃でネマチック状態をとり、−３０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合には、その液晶組成物のＴＣは、＜−２０℃と表現した。ηは、２０℃で測定した。Δｎは、５８９ｎｍの波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。Ｖthは、セルギャップが（０．４／Δｎ）μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になったときに印加されている電圧の値を２５℃で測定した。ＶＨＲは、２５℃にて面積法にて求めた。
【００４０】
【表１】
【００４１】
比較例１
ＷＯ９６／２３８５１に開示された組成物中で、末端にＣＮ基を有しない化合物のみからなり、Δｎが最も小さい組成物として実施例１９の物を調製した。
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ １６％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ １０％
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＨ−５ ８％
７−ＨＢ−Ｆ ４％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ ０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．０℃
η ＝ １７．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６６
Ｖth ＝ １．２２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、Δｎは小さいが、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４２】
比較例２
特開平９−７１７７９に開示された組成物中で、ＴＮＩが高く、かつ、Δｎが最も小さい組成物として例２の物を調製した。
５−ＨＢ−ＣＬ １０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １％
３−ＨＢ−Ｏ２ ６％
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨＢ−１ ７％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ −４０℃
ＴＮＩ ＝ ９６．４℃
η ＝ １８．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０９１
Ｖth ＝ ２．１８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、Δｎが大きいという欠点を有している。
【００４３】
比較例３
特開平９−１１０９８１に開示された組成物中で、Δｎが最も小さい組成物として表５の物を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ １５．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９．２％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４．６％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ９．２％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ４．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３．０％
３−ＨＨＢ−１ ８．０％
上記組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −１０℃
ＴＮＩ ＝ １１８．３℃
η ＝ ２６．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０８３
Ｖth ＝ ２．００Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．２％
この組成物は、Δｎが大きいく、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４４】
比較例４
ＤＥ１９６２９８１２Ａ１に開示された組成物中で、本願に類似した組成物としてＥｘ．Ｈの物を調製した。
７−ＨＢ−Ｆ １．５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ９．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ６．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ４．０％
２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８．５％
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０．０％
３−ＨＨ−５ ６．０％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １８．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２．０％
上記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴＣ ＜ −１０℃
ＴＮＩ ＝ ７７．０℃
η ＝ １９．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０８６
Ｖth ＝ １．１７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．１％
この組成物は、Δｎが大きいく、ＴＣ点が高いという欠点を有している。
【００４５】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のとおりであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．１℃
η ＝ ２２．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．６４Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４６】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２９％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．１℃
η ＝ ２０．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．５８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４７】
参考例
第一成分、
５−ＨＨ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．２℃
η ＝ ２２．１ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．６２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４８】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２９％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７８．５℃
η ＝ ２１．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．４８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００４９】
実施例５
第一成分、
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １２％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ９％
７−ＨＥＢ−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８１．７℃
η ＝ ２２．２ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６５
Ｖth ＝ １．４５Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５０】
実施例６
第一成分、
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２３％
５−ＨＨ−ＥＭｅ ８％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ５％
７−ＨＥＢ−Ｆ ５％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ２％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下のようになった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７６．０℃
η ＝ ２１．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．６３Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５１】
実施例７
第一成分、
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２２％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．２℃
η ＝ １８．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６３
Ｖth ＝ １．６３Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５２】
実施例８
第一成分、
３−ＨＨ−４ ５％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １３％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２１％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りでなった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８９．３℃
η ＝ ２３．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．７４Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５３】
実施例９
第一成分、
２−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ８０．１℃
η ＝ １７．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５９
Ｖth ＝ ２．１７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５４】
実施例１０
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １６％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １１％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
第四成分、
５−ＨＥＢ−Ｆ ４％
７−ＨＥＢ−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．８℃
η ＝ １９．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６１
Ｖth ＝ １．５８Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．５％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５５】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−４ １１％
２−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １４％
５−ＨＨ−ＥＭｅ ８％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
（その他成分）
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ２％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −４０℃
ＴＮＩ ＝ ７５．３℃
η ＝ １９．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６０
Ｖth ＝ １．４７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．７％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５６】
実施例１２
第一成分、
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２５％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
第三成分、
２−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
第四成分、
５−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ３％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７１．０℃
η ＝ ２４．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６２
Ｖth ＝ １．２２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５７】
実施例１３
第一成分、
３−ＨＨ−４ ６％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １２％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７１．０℃
η ＝ ３８．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６５
Ｖth ＝ ０．９０Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．２％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５８】
実施例１４
第一成分、
３−ＨＨ−４ ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２３％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第三成分、
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＤＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
第四成分、
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＢ−ＣＬ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．４℃
η ＝ １９．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．５０Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００５９】
実施例１５
第一成分、
３−ＨＨ−４ ７％
３−ＨＨ−ＥＭｅ ２６％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
４−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
第四成分、
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ６％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ ３％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ８５．１℃
η ＝ １９．４ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０６４
Ｖth ＝ １．７２Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．６％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００６０】
参考例
第一成分、
３−ＨＨ−ＥＭｅ ３０％
５−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ２０％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
（その他成分）
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ６％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −２０℃
ＴＮＩ ＝ ７９．２℃
η ＝ １７．７ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５８
Ｖth ＝ ２．４７Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．３％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【００６１】
実施例１７
第一成分、
３−ＨＨ−Ｏ１ ２５％
３−ＨＨ−Ｏ２ ８％
５−ＨＨ−Ｏ２ １０％
７−ＨＨ−Ｏ１ ７％
第二成分、
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
第三成分、
５−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
第四成分、
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
その他成分、
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
からなる組成物を調製した。この組成物の特性は、以下の通りであった。
ＴＣ ＜ −３０℃
ＴＮＩ ＝ ７２．６℃
η ＝ １６．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ ＝ ０．０５８
Ｖth ＝ ２．０５Ｖ
ＶＨＲ ＝ ９８．４％
この組成物は、ＶＨＲが高く、ＴＮＩが高く、ＴＣ点が低く、Δｎが小さい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本願発明の液晶組成物は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしており、特に、液晶相の上限温度が高く、液晶相の下限温度を低く、屈折率異方性が小さいため、ディスプレイ等の電子機器の材料として好ましく利用可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【化１】
【化２】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【請求項２】
ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、かつ、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか１項に記載した液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項１】
第一成分として、一般式（１）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第二成分として、一般式（２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、第三成分として、一般式（３−１）で表される化合物または（３−２）で表される化合物の少なくとも一つを含有し、さらに第四成分として、一般式（４−１）〜（４−２）で表される化合物群から選ばれた化合物の少なくとも一つを組成物全体に対して８５重量％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
【化１】
【化２】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、炭素数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基、または−ＣＯＯ−Ｒ６を表し、Ｚ１は、単結合または−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ｒ７およびＲ８は、各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４およびＸ５は、各々独立してＨまたはＦを表し、Ｘ２はＣｌ、Ｆまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基を表し、Ｚ２は、−ＣＯＯ−、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、Ｚ３およびＺ４は、各々独立して−Ｃ２Ｈ４または単結合を表す。但し、Ｘ１およびＸ３が同時にＨの場合、Ｚ２は必ず−ＣＯＯ−である。）
【請求項２】
ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、ネマチック相の下限温度が−２０℃以下であり、かつ、屈折率異方性が０．０７以下であることを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか１項に記載した液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【公開番号】特開２０１０−１０６２７９（Ｐ２０１０−１０６２７９Ａ）
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８２８５０（Ｐ２００９−２８２８５０）
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【分割の表示】特願平１０−３１４５２３の分割
【原出願日】平成１０年１１月５日（１９９８．１１．５）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【分割の表示】特願平１０−３１４５２３の分割
【原出願日】平成１０年１１月５日（１９９８．１１．５）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【Ｆターム（参考）】
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