液晶表示装置およびその製造方法
【課題】 漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一対の基板１Ａ，１Ｂと、一対の基板１Ａ，１Ｂに挟まれた液晶層７と、基板１Ａにマトリクス状に配置された複数の画素電極３４と、複数の画素電極３４に対応するように基板１Ａ上に配置された複数の半導体層２を有するＴＦＴ素子Ｔと、を備える液晶表示装置Ａであって、ＴＦＴ素子Ｔが形成された基板１Ａの面内方向において、半導体層２を囲うように形成された遮光部４が設けられている。
【解決手段】 一対の基板１Ａ，１Ｂと、一対の基板１Ａ，１Ｂに挟まれた液晶層７と、基板１Ａにマトリクス状に配置された複数の画素電極３４と、複数の画素電極３４に対応するように基板１Ａ上に配置された複数の半導体層２を有するＴＦＴ素子Ｔと、を備える液晶表示装置Ａであって、ＴＦＴ素子Ｔが形成された基板１Ａの面内方向において、半導体層２を囲うように形成された遮光部４が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ素子を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴ）素子を備えた液晶表示装置としては、図１０に示すものがある。この液晶表示装置Ｘは、ＴＦＴ素子９１を構成する半導体層９２を備えており、この半導体層９２の一部がチャンネル領域９２ａとされている。液晶表示装置Ｘが使用される際に、液晶層９３を照明するための照明装置（図示略）からの光がチャンネル領域９２ａに入射すると、このチャンネル領域９２ａにおいて光電変換効果により光電流が発生し、ＴＦＴ素子９１の機能が適切に発揮されない。液晶表示装置Ｘにおいては、チャンネル領域９２ａ下方の遮光対策として、下側遮光膜９４が設けられている。また、チャンネル領域９２ａ上方の遮光対策として、データ線９５ａおよび容量線９５ｂがＴＦＴ素子９１の上方を覆うように形成されており、これらのデータ線９５ａおよび容量線９５ｂが上側遮光膜９５として兼用されている。
【０００３】
しかしながら、基板９０上には絶縁膜９６など複数の透光性を有する膜が複雑な形状で積層されている。このため、たとえば、ＴＦＴ素子９１からその側方に遠ざかった位置において絶縁膜９６に入射した光が、屈折および反射を繰り返して、チャンネル領域９２ａに照射される場合がある。このような光に対しては、下側遮光膜９４および上側遮光膜９５は、遮光効果を果たさないため、上記光電流が発生することとなり、ＴＦＴ素子９１の機能を適切に発揮させることが困難であった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１２４６７９号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される液晶表示装置は、一対の基板と、上記一対の基板に挟まれた液晶層と、上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置された複数の半導体層を有するＴＦＴ素子と、を備える液晶表示装置であって、上記ＴＦＴ素子が形成された基板の面内方向において、上記半導体層を囲うように形成された遮光部が設けられていることを特徴としている。
【０００８】
このような構成によれば、上記基板の面内方向から上記半導体層に向かってくる光を上記遮光部により適切に遮ることができる。したがって、上記半導体層において光電変換効果による光電流の発生を防止することが可能であり、上記ＴＦＴ素子の機能を適切に発揮させることができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光部は、上記半導体層を囲う枠状部と、上記枠状部の内向き側面に形成された遮光膜とにより構成されている。このような構成によれば、上記基板の面内方向における上記半導体層の遮光を確実化するのに有利である。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記枠状部は、ＳｉＯ2により形成されている。このような構成によれば、上記枠状部を所望の形状および大きさに形成するのに適している。また、たとえば、ＳｉＯ2をマスク材料としてエッチバック処理を施すことにより、上記半導体層に生じた段差部の平滑化がなされる構成においては、エッチバック処理において上記枠状部を形成することができる。したがって、上記枠状部を形成するための特別な工程を経ることなく、上記枠状部を容易に形成することができる。ＳｉＯ2は、絶縁性が高いために、上記枠状部が上記ＴＦＴ素子を構成する導電性部材や上記ＴＦＴ素子に導通する配線などを不当に導通させることを回避して、上記ＴＦＴ素子の機能を適切に発揮させることができる。また、ＳｉＯ2は、エッチングにおける加工性が優れており、微細かつ複雑な形状に形成された上記半導体層を適切に囲うように上記枠状部を形成するのに適している。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光膜は、ＴｉまたはＷにより形成されている。このような構成によれば、ＴｉまたはＷは比較的遮光効果に優れるために、上記半導体層の遮光を確実化するのに好適である。また、ＴｉまたはＷを用いれば、スパッタ法または蒸着法などにより上記遮光膜を適切に形成することができる。さらに、ＴｉまたはＷは、比較的高融点を有し、耐腐食性が高い。このため、上記液晶表示装置の製造工程において、上記遮光膜を形成した後にさらに他の部分を形成するための成膜処理やエッチングなどを施した場合にも、上記遮光膜がこれらの処理により侵食されてしまうなどの不具合を防止することができる。
【００１２】
本発明の第２の側面によって提供される液晶表示装置の製造方法は、ＴＦＴ素子を構成する半導体層を基板上に形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板上に上記半導体層を囲う枠状部を形成する工程と、上記基板に直交する方向に対して傾斜した方向から指向性を有する薄膜形成法を施すことにより、上記枠状部の内向き側面に遮光膜を形成する工程と、をさらに有することを特徴としている。
【００１３】
このような構成によれば、上記遮光膜の形成において、上記枠状部材の内向き側面に上記遮光膜を適切に形成することができる。また、上記半導体層へと向かってくる上記遮光膜の材料を、上記枠状部の角部により遮ることが可能であり、上記半導体層に上記遮光膜の材料が不当に付着することを防止することができる。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層を形成する工程の後に、上記半導体層に生じた段差部の平滑化を行なう工程を有し、上記枠状部の形成は、上記平滑化を行なう工程においてなされる。このような構成によれば、上記枠状部を形成するための特別な工程が不要であり、製造工程の効率を低下させることなく、上記枠状部を容易に形成することができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記平滑化を行なう工程は、上記基板のうち上記半導体層を含む領域をマスク材料により覆い、このマスク材料にエッチバック処理を施すことにより行い、上記枠状部の形成は、上記エッチバック処理において、上記マスク材料のうち上記半導体層を囲う部分を残存させることにより行なう。エッチバック処理とは、たとえば積層構造物において、パターン形成された各層間に生じた段差を縮小化するために用いられる、平坦化技術の一手法である。一般に、段差部を埋めるように絶縁膜を塗布し、ホトレジストを用いて上記絶縁膜のうち所定部分をエッチングすることによりなされる。エッチバック処理は、他の平坦化技術と比較して比較的簡単であること、対象物の微細化への対応が容易であることなどの長所を有する。このような構成によれば、上記枠状部をエッチバック処理により所定の位置に正確な形状で仕上げることが可能であり、上記枠状部の内向き側面を利用して、上記半導体層を適切に囲うように上記遮光膜を形成するのに適している。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記マスク材料はＳｉＯ2である。このような構成によれば、上記枠状部を所望の形状に仕上げるのに有利である。ＳｉＯ2は、エッチングにおける加工性に優れているために、上記半導体層を適切に覆うように上記枠状部を形成することができる。また、エッチバック処理においてエッチング速度を制御することにより、上記枠状部を上記ＴＦＴ素子に対して適切な高さとすることが好ましいが、ＳｉＯ2を用いれば上記枠状部の高さを比較的正確に仕上げることができる。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記指向性を有する薄膜形成法は、スパッタ法または蒸着法である。このような構成によれば、上記遮光膜の材料は高い指向性で出射されるために、上記枠状部の内向き側面に適切に上記遮光膜を形成しつつ、上記半導体層に上記遮光膜の材料が不当に付着することを防止するのに適している。
【００１８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２０】
図１および図２は、本発明に係る液晶表示装置の一例を示している。この液晶表示装置Ａは、ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂと、これらの基板間に介在する液晶層７とを備えている。なお、図２においては、説明の便宜のため層間絶縁膜５２が省略されている。
【００２１】
ＴＦＴ基板１Ａは、たとえばガラス製であり、複数のＴＦＴ素子Ｔがマトリクス状に配置されている。
【００２２】
ＴＦＴ素子Ｔは、半導体層２、ゲート絶縁膜５１、ゲート電極３１、ソース電極３２などから構成されている。ＴＦＴ素子Ｔは、この液晶表示装置Ａにマトリクス状に配置された複数の画素（図示略）について、それぞれの画素に対応する液晶層７の偏光状態を切り替えるいわゆるスイッチングのために用いられるものである。
【００２３】
半導体層２は、チャンネル領域２１、ソース領域２２、およびドレイン領域２３を有しており、ＴＦＴ基板１Ａ上に形成されている。半導体層２は、多結晶シリコン（以下、poly-Si）により形成されている。チャンネル領域２１は、ゲート電極３１からの電界によりいわゆるチャンネルが形成される領域である。ソース領域２２およびドレイン領域２３は、それぞれソース電極３２およびドレイン３３と接合されている。なお、半導体層２は、poly-Siに代えてアモルファスシリコン（a-Si）により形成しても良い。
【００２４】
ゲート電極３１は、チャンネル領域２１に作用させる電界を発生させるためのものであり、たとえば、アルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属薄膜により形成されている。このゲート電極３１が高電位または低電位の状態とされることにより、上記画素に対するスイッチングがなされる。ゲート絶縁膜５１は、ゲート電極３１などと半導体層２とを絶縁するためのものであり、たとえばＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などにより形成されている。
【００２５】
ソース電極３２は、図外のソース配線から信号電圧が供給されるものであり、たとえばゲート電極３１と同様に金属薄膜により形成されている。ドレイン３３は、ＴＦＴ素子Ｔから画素電極３４に信号電圧を供給するためのものであり、たとえば上述した金属薄膜により形成されている。
【００２６】
遮光部４は、枠状部４１と遮光膜４２とにより構成されており、図２に良く表れているようにＴＦＴ素子Ｔの半導体層２およびゲート電極３１などを囲うように設けられている。枠状部４１は、ＳｉＯ2を用いて、ＴＦＴ基板１Ａ上に形成されている。枠状部４１は、その上面４１ｂがゲート電極３１の上面よりも十分に高位となる高さとされている。遮光膜４２は、枠状部４１の内向き側面４１ａおよび上面４１ｂに形成されており、半導体層２に側方から向かってくる光を遮るためのものである。遮光膜４２は、たとえばＴｉまたはＷにより形成されている。ＴｉまたはＷによれば、後述するように、スパッタ法または蒸着法などを用いて形成するのに適している。
【００２７】
画素電極３４は、液晶層７の偏光状態を切り替えるために電圧を印加するためのものであり、透明電極（ＩＴＯ）として形成されている。この画素電極３４には、ＴＦＴ素子Ｔのスイッチング機能により、その画素の表示状態に応じた電圧がドレイン３３を介して供給される。
【００２８】
配光膜６Ａは、液晶層７の液晶材料７１に混入された液晶分子を一方向に並べるためのものであり、ラビング処理などの配光処理が施されている。配光膜６Ａは、たとえばポリイミド樹脂を用いて薄膜として形成されている。
【００２９】
対向基板１Ｂは、ＴＦＴ基板１Ａと対向するように設けられており、たとえばガラス製である。対向基板１Ｂの下面には、共通電極３５および配光膜６Ｂが形成されている。
【００３０】
液晶層７は、ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂ間の領域のうちシール材料（図示略）により密閉された空間に、ネマチック液晶などの液晶を含む液晶材料７１が充填されたものである。液晶層７の所定部分の偏光状態が表示される画像に応じて変更されることにより、この液晶層７を透過する光の強度が調整されることとなり、液晶表示装置Ａの画像表示が実現される。
【００３１】
次に、液晶表示装置Ａの製造方法について、図面を参照しつつ以下に説明する。
【００３２】
まず、図３に示すようにガラス製の基板材料１Ａ’を準備し、この基板材料１Ａ’上に半導体層２を形成する。半導体層２の形成は、たとえばＣＶＤ法によりpoly-Siの膜を成膜し、この膜に対してフォトリソグラフィを用いたパターニングを施すことにより行なう。
【００３３】
半導体層２を形成した後は、図４に示すように、この半導体層２を覆うようにゲート絶縁膜５１を形成する。このゲート絶縁膜５１の形成は、たとえばＣＶＤ法によりＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの膜を形成した後にパターニングを施すことにより行なう。このゲート絶縁膜５１上に、スパッタリング法などによりアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属薄膜を成膜したのちにパターニングを施すことにより、ゲート電極３１を形成する。
【００３４】
次いで、半導体層２およびゲート電極３１に生じた段差部の平滑化を目的として、エッチバック処理を行なう。本実施形態においては、このエッチバック処理の際に、遮光部４を構成する枠状部４１も形成する。まず、図５に示すように、半導体層２およびゲート電極３１などを含む基板材料１Ａ’の略全面を覆うようにＳｉＯ2の膜５５を形成する。この膜５５は、その厚さがこの後に形成する枠状部４１の高さとなるため、その上面がゲート電極３１の上面よりも十分に高位となるものとしておく。次いで、図６に示すように、肩部５４および枠状部４１を形成する。肩部５４および枠状部４１の形成は、膜５５に対してエッチバック処理を施すことにより行なう。肩部５４は、図６（ａ）に良く表れているように、ゲート電極３１の上面縁部からゲート絶縁膜５１に向けてなだらかな傾斜面を有し、かつ、図６（ｂ）に良く表れているように、ゲート電極３１を囲う形状とされる。枠状部４１は、図６（ｂ）に良く表れているように、膜５５のうち、平面視において半導体層２およびゲート電極３１から離間し、かつこれらを囲う枠状の部分を残存させることにより形成する。図６（ａ）に良く表れているように、枠状部４１は、その上面４１ｂがゲート電極３１の上面よりも十分に高位となる高さとなっている。枠状部４１の材料としてＳｉＯ2を用いれば、微細な形状に形成された半導体層２を適切に覆うような形状に枠状部４１を仕上げるのに好適である。
【００３５】
枠状部４１を形成した後は、枠状部４１の内向き側面４１ａおよび上面４１ｂに遮光膜４２を形成する。まず、図７（ａ）に示すように、枠状部４１の右側部分４１Ｒに対して、ＴｉまたはＷを用いてスパッタ法または蒸着法などの指向性を有する薄膜形成法を施す。この際、上記薄膜形成法は、基板材料１Ａ’に直交する方向に対して傾斜した方向から行い、本実施形態においては、基板材料１Ａ’の面内方向に対して角度θだけ傾斜した方向から行なう。スパッタ法または蒸着法は、ＴｉまたはＷなどの金属材料を高い指向性で加工対象に向けて放射するものである。本実施形態においては、ＴｉまたはＷなどが放射される方向からは、ゲート電極３１および半導体層２が、枠状部４１の左側部分４１Ｌの影となっていることにより、ゲート電極３１および半導体層２にＴｉまたはＷの薄膜が形成されることを回避することができる。一方、枠状部４１の右側部分４１Ｒの内向き側面４１ａは、枠状部４１の左側部分４１Ｌの影とはならないために、遮光膜４２を適切に形成することができる。また、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）に示した方向とは反対側から、基板材料１Ａ’の面内方向に対して角度θだけ傾斜した方向から上記薄膜形成法を施すことにより、枠状部４１の左側部分４１Ｌの内向き側面４１ａに遮光膜４２を形成する。このような処理を、枠状部４１に向けて四方から行なうことにより、枠状部４１の内向き側面４１ａすべてに遮光膜４２を形成することができる。遮光膜４２をＴｉまたはＷにより形成すれば、後述する工程において遮光膜４２が不当に侵食されるなどの不具合を回避するのに適している。
【００３６】
この後は、従来技術などと同様の既知の工程により、液晶表示装置Ａを完成させる。たとえば、半導体層２にソース領域２２およびドレイン領域２３を形成するためのインプラを施した後に、基板材料１Ａ’の全面を覆うように層間絶縁膜５２を形成する。また、層間絶縁膜５２の所定箇所にソース領域２２およびドレイン領域２３へと通じるコンタクトホールを形成し、その上面に金属膜をパターニングすることによりソース電極３２およびドレイン３３を形成する。次いで、これらを覆うように保護膜５３を形成し、その上に画素電極３４をパターン形成する。そして、ポリイミド樹脂などを用いて配光膜６Ａを形成することにより、ＴＦＴ基板１Ａが得られる。一方、ガラスなどの基板材料１Ｂ’に共通電極３５および配光膜６Ｂを積層させて、対向基板１Ｂを形成する。ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂを対向させ、これらの間の空間をその周縁部にシール部材（図示略）を設けることにより区画し、その区画領域内に液晶材料７１を充填して密封することにより液晶層７を形成する。そして、適宜、制御ＩＣ（図示略）や接続端子部（図示略）を設けることにより、液晶表装置Ａが得られる。
【００３７】
次に、液晶表示装置Ａの作用について説明する。
【００３８】
本実施形態によれば、ＴＦＴ素子Ｔの側方遠方において、層間絶縁膜５２に入射した光が層間絶縁膜５２内で反射を繰り返してＴＦＴ素子Ｔに向かってきても、このような光は、遮光膜４２により遮られるために、半導体層２に到達しない。したがって、半導体層２において側方からの漏光に起因して光電変換効果により光電流が生じることを防止することが可能であり、ＴＦＴ素子Ｔの機能を適切に発揮させることができる。遮光膜４２は、半導体層２を四方から囲うように設けられた枠状部４１の内向き側面４１ａに形成されていることにより、半導体層２の四方について遮光するのに好適である。
【００３９】
液晶表示装置Ａの製造においては、ＴＦＴ基板Ｔの厚さ方向に対して傾斜した方向から薄膜形成法を施すことにより遮光膜４２を形成するために、ゲート電極３１および半導体層２に遮光膜４２の金属材料が不当に付着することを回避可能であり、ＴＦＴ素子Ｔとしての機能が阻害される虞れが無い。
【００４０】
また、上述した製造方法によれば、枠状部４１は、半導体層２とゲート電極３１との段差部を平滑化するためのエッチバック処理において一括して形成することができるために、液晶表示装置Ａを従来の液晶表示装置と同等の効率で製造することができる。
【００４１】
上述したように、本実施形態によれば、半導体層２の四方について適切に遮光することが可能であるが、さらに、半導体層２の上下方向についての遮光対策を図っても良い。たとえば、図８に示された実施形態においては、半導体層２の上方および下方に上部遮光膜４３および下部遮光膜４４が形成されている。これらは、遮光膜４２と同様にＴｉまたはＷにより形成すれば良い。
【００４２】
図９に示された実施形態においては、枠状部４３自体が遮光性を有する点が、上述した実施形態と異なる。枠状部４３は、たとえば顔料が混入された樹脂により形成されている。このような実施形態によっても、半導体層２の遮光を適切に行なうことが可能であり、光電流の発生を抑制してＴＦＴ素子Ｔの機能を適切に発揮させることができる。
【００４３】
本発明に係る液晶表示装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る液晶表示装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００４４】
枠状部は、矩形状の外形を有するものに限定されず、たとえばリング形状であっても良い。遮光部は、枠状部とこれに形成された遮光膜とにより構成されたものが、遮光性および製造効率の向上に好ましいが、本発明はこれに限定されず、半導体層の側方から向かってくる光を適切に遮ることが可能な材質および形状であれば良く、たとえば、起立した壁状の遮光部材を設けても良い。
【００４５】
上述した実施形態におけるＴＦＴ素子、その他の液晶表示装置各部の構造は、それらの一例でありこれらに限定されるものではない。本発明は、ＴＦＴ素子の構成部材として光電変換効果が生じる半導体層を有するあらゆる液晶表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一例を示す要部断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図６】本図（ａ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図であり、本図（ｂ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部平面図である。
【図７】本図（ａ），（ｂ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図８】本発明に係る液晶表示装置の他の例を示す要部断面図である。
【図９】本発明に係る液晶表示装置の他の例を示す要部断面図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ａ 液晶表示装置
Ｔ ＴＦＴ素子
１Ａ ＴＦＴ基板
１Ｂ 対向基板
２ 半導体層
４ 遮光部
７ 液晶層
２１ チャンネル領域
２２ ソース領域
２３ ドレイン領域
３１ ゲート電極
３２ ソース電極
３３ ドレイン
３４ 画素電極
３５ 共通電極
４１ 枠状部
４２ 遮光膜
４３ 上部遮光膜
４４ 下部遮光膜
５１ ゲート絶縁膜
５２ 層間絶縁膜
５３ 保護膜
６Ａ，６Ｂ 配光膜
７１ 液晶材料
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ素子を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴ）素子を備えた液晶表示装置としては、図１０に示すものがある。この液晶表示装置Ｘは、ＴＦＴ素子９１を構成する半導体層９２を備えており、この半導体層９２の一部がチャンネル領域９２ａとされている。液晶表示装置Ｘが使用される際に、液晶層９３を照明するための照明装置（図示略）からの光がチャンネル領域９２ａに入射すると、このチャンネル領域９２ａにおいて光電変換効果により光電流が発生し、ＴＦＴ素子９１の機能が適切に発揮されない。液晶表示装置Ｘにおいては、チャンネル領域９２ａ下方の遮光対策として、下側遮光膜９４が設けられている。また、チャンネル領域９２ａ上方の遮光対策として、データ線９５ａおよび容量線９５ｂがＴＦＴ素子９１の上方を覆うように形成されており、これらのデータ線９５ａおよび容量線９５ｂが上側遮光膜９５として兼用されている。
【０００３】
しかしながら、基板９０上には絶縁膜９６など複数の透光性を有する膜が複雑な形状で積層されている。このため、たとえば、ＴＦＴ素子９１からその側方に遠ざかった位置において絶縁膜９６に入射した光が、屈折および反射を繰り返して、チャンネル領域９２ａに照射される場合がある。このような光に対しては、下側遮光膜９４および上側遮光膜９５は、遮光効果を果たさないため、上記光電流が発生することとなり、ＴＦＴ素子９１の機能を適切に発揮させることが困難であった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１２４６７９号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、漏光による光電流の発生を防止し、ＴＦＴ素子の特性を適切に防止することが可能な液晶表示装置、およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される液晶表示装置は、一対の基板と、上記一対の基板に挟まれた液晶層と、上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置された複数の半導体層を有するＴＦＴ素子と、を備える液晶表示装置であって、上記ＴＦＴ素子が形成された基板の面内方向において、上記半導体層を囲うように形成された遮光部が設けられていることを特徴としている。
【０００８】
このような構成によれば、上記基板の面内方向から上記半導体層に向かってくる光を上記遮光部により適切に遮ることができる。したがって、上記半導体層において光電変換効果による光電流の発生を防止することが可能であり、上記ＴＦＴ素子の機能を適切に発揮させることができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光部は、上記半導体層を囲う枠状部と、上記枠状部の内向き側面に形成された遮光膜とにより構成されている。このような構成によれば、上記基板の面内方向における上記半導体層の遮光を確実化するのに有利である。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記枠状部は、ＳｉＯ2により形成されている。このような構成によれば、上記枠状部を所望の形状および大きさに形成するのに適している。また、たとえば、ＳｉＯ2をマスク材料としてエッチバック処理を施すことにより、上記半導体層に生じた段差部の平滑化がなされる構成においては、エッチバック処理において上記枠状部を形成することができる。したがって、上記枠状部を形成するための特別な工程を経ることなく、上記枠状部を容易に形成することができる。ＳｉＯ2は、絶縁性が高いために、上記枠状部が上記ＴＦＴ素子を構成する導電性部材や上記ＴＦＴ素子に導通する配線などを不当に導通させることを回避して、上記ＴＦＴ素子の機能を適切に発揮させることができる。また、ＳｉＯ2は、エッチングにおける加工性が優れており、微細かつ複雑な形状に形成された上記半導体層を適切に囲うように上記枠状部を形成するのに適している。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光膜は、ＴｉまたはＷにより形成されている。このような構成によれば、ＴｉまたはＷは比較的遮光効果に優れるために、上記半導体層の遮光を確実化するのに好適である。また、ＴｉまたはＷを用いれば、スパッタ法または蒸着法などにより上記遮光膜を適切に形成することができる。さらに、ＴｉまたはＷは、比較的高融点を有し、耐腐食性が高い。このため、上記液晶表示装置の製造工程において、上記遮光膜を形成した後にさらに他の部分を形成するための成膜処理やエッチングなどを施した場合にも、上記遮光膜がこれらの処理により侵食されてしまうなどの不具合を防止することができる。
【００１２】
本発明の第２の側面によって提供される液晶表示装置の製造方法は、ＴＦＴ素子を構成する半導体層を基板上に形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板上に上記半導体層を囲う枠状部を形成する工程と、上記基板に直交する方向に対して傾斜した方向から指向性を有する薄膜形成法を施すことにより、上記枠状部の内向き側面に遮光膜を形成する工程と、をさらに有することを特徴としている。
【００１３】
このような構成によれば、上記遮光膜の形成において、上記枠状部材の内向き側面に上記遮光膜を適切に形成することができる。また、上記半導体層へと向かってくる上記遮光膜の材料を、上記枠状部の角部により遮ることが可能であり、上記半導体層に上記遮光膜の材料が不当に付着することを防止することができる。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層を形成する工程の後に、上記半導体層に生じた段差部の平滑化を行なう工程を有し、上記枠状部の形成は、上記平滑化を行なう工程においてなされる。このような構成によれば、上記枠状部を形成するための特別な工程が不要であり、製造工程の効率を低下させることなく、上記枠状部を容易に形成することができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記平滑化を行なう工程は、上記基板のうち上記半導体層を含む領域をマスク材料により覆い、このマスク材料にエッチバック処理を施すことにより行い、上記枠状部の形成は、上記エッチバック処理において、上記マスク材料のうち上記半導体層を囲う部分を残存させることにより行なう。エッチバック処理とは、たとえば積層構造物において、パターン形成された各層間に生じた段差を縮小化するために用いられる、平坦化技術の一手法である。一般に、段差部を埋めるように絶縁膜を塗布し、ホトレジストを用いて上記絶縁膜のうち所定部分をエッチングすることによりなされる。エッチバック処理は、他の平坦化技術と比較して比較的簡単であること、対象物の微細化への対応が容易であることなどの長所を有する。このような構成によれば、上記枠状部をエッチバック処理により所定の位置に正確な形状で仕上げることが可能であり、上記枠状部の内向き側面を利用して、上記半導体層を適切に囲うように上記遮光膜を形成するのに適している。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記マスク材料はＳｉＯ2である。このような構成によれば、上記枠状部を所望の形状に仕上げるのに有利である。ＳｉＯ2は、エッチングにおける加工性に優れているために、上記半導体層を適切に覆うように上記枠状部を形成することができる。また、エッチバック処理においてエッチング速度を制御することにより、上記枠状部を上記ＴＦＴ素子に対して適切な高さとすることが好ましいが、ＳｉＯ2を用いれば上記枠状部の高さを比較的正確に仕上げることができる。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記指向性を有する薄膜形成法は、スパッタ法または蒸着法である。このような構成によれば、上記遮光膜の材料は高い指向性で出射されるために、上記枠状部の内向き側面に適切に上記遮光膜を形成しつつ、上記半導体層に上記遮光膜の材料が不当に付着することを防止するのに適している。
【００１８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２０】
図１および図２は、本発明に係る液晶表示装置の一例を示している。この液晶表示装置Ａは、ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂと、これらの基板間に介在する液晶層７とを備えている。なお、図２においては、説明の便宜のため層間絶縁膜５２が省略されている。
【００２１】
ＴＦＴ基板１Ａは、たとえばガラス製であり、複数のＴＦＴ素子Ｔがマトリクス状に配置されている。
【００２２】
ＴＦＴ素子Ｔは、半導体層２、ゲート絶縁膜５１、ゲート電極３１、ソース電極３２などから構成されている。ＴＦＴ素子Ｔは、この液晶表示装置Ａにマトリクス状に配置された複数の画素（図示略）について、それぞれの画素に対応する液晶層７の偏光状態を切り替えるいわゆるスイッチングのために用いられるものである。
【００２３】
半導体層２は、チャンネル領域２１、ソース領域２２、およびドレイン領域２３を有しており、ＴＦＴ基板１Ａ上に形成されている。半導体層２は、多結晶シリコン（以下、poly-Si）により形成されている。チャンネル領域２１は、ゲート電極３１からの電界によりいわゆるチャンネルが形成される領域である。ソース領域２２およびドレイン領域２３は、それぞれソース電極３２およびドレイン３３と接合されている。なお、半導体層２は、poly-Siに代えてアモルファスシリコン（a-Si）により形成しても良い。
【００２４】
ゲート電極３１は、チャンネル領域２１に作用させる電界を発生させるためのものであり、たとえば、アルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属薄膜により形成されている。このゲート電極３１が高電位または低電位の状態とされることにより、上記画素に対するスイッチングがなされる。ゲート絶縁膜５１は、ゲート電極３１などと半導体層２とを絶縁するためのものであり、たとえばＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などにより形成されている。
【００２５】
ソース電極３２は、図外のソース配線から信号電圧が供給されるものであり、たとえばゲート電極３１と同様に金属薄膜により形成されている。ドレイン３３は、ＴＦＴ素子Ｔから画素電極３４に信号電圧を供給するためのものであり、たとえば上述した金属薄膜により形成されている。
【００２６】
遮光部４は、枠状部４１と遮光膜４２とにより構成されており、図２に良く表れているようにＴＦＴ素子Ｔの半導体層２およびゲート電極３１などを囲うように設けられている。枠状部４１は、ＳｉＯ2を用いて、ＴＦＴ基板１Ａ上に形成されている。枠状部４１は、その上面４１ｂがゲート電極３１の上面よりも十分に高位となる高さとされている。遮光膜４２は、枠状部４１の内向き側面４１ａおよび上面４１ｂに形成されており、半導体層２に側方から向かってくる光を遮るためのものである。遮光膜４２は、たとえばＴｉまたはＷにより形成されている。ＴｉまたはＷによれば、後述するように、スパッタ法または蒸着法などを用いて形成するのに適している。
【００２７】
画素電極３４は、液晶層７の偏光状態を切り替えるために電圧を印加するためのものであり、透明電極（ＩＴＯ）として形成されている。この画素電極３４には、ＴＦＴ素子Ｔのスイッチング機能により、その画素の表示状態に応じた電圧がドレイン３３を介して供給される。
【００２８】
配光膜６Ａは、液晶層７の液晶材料７１に混入された液晶分子を一方向に並べるためのものであり、ラビング処理などの配光処理が施されている。配光膜６Ａは、たとえばポリイミド樹脂を用いて薄膜として形成されている。
【００２９】
対向基板１Ｂは、ＴＦＴ基板１Ａと対向するように設けられており、たとえばガラス製である。対向基板１Ｂの下面には、共通電極３５および配光膜６Ｂが形成されている。
【００３０】
液晶層７は、ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂ間の領域のうちシール材料（図示略）により密閉された空間に、ネマチック液晶などの液晶を含む液晶材料７１が充填されたものである。液晶層７の所定部分の偏光状態が表示される画像に応じて変更されることにより、この液晶層７を透過する光の強度が調整されることとなり、液晶表示装置Ａの画像表示が実現される。
【００３１】
次に、液晶表示装置Ａの製造方法について、図面を参照しつつ以下に説明する。
【００３２】
まず、図３に示すようにガラス製の基板材料１Ａ’を準備し、この基板材料１Ａ’上に半導体層２を形成する。半導体層２の形成は、たとえばＣＶＤ法によりpoly-Siの膜を成膜し、この膜に対してフォトリソグラフィを用いたパターニングを施すことにより行なう。
【００３３】
半導体層２を形成した後は、図４に示すように、この半導体層２を覆うようにゲート絶縁膜５１を形成する。このゲート絶縁膜５１の形成は、たとえばＣＶＤ法によりＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などの膜を形成した後にパターニングを施すことにより行なう。このゲート絶縁膜５１上に、スパッタリング法などによりアルミニウム、タンタル、タングステンなどの金属薄膜を成膜したのちにパターニングを施すことにより、ゲート電極３１を形成する。
【００３４】
次いで、半導体層２およびゲート電極３１に生じた段差部の平滑化を目的として、エッチバック処理を行なう。本実施形態においては、このエッチバック処理の際に、遮光部４を構成する枠状部４１も形成する。まず、図５に示すように、半導体層２およびゲート電極３１などを含む基板材料１Ａ’の略全面を覆うようにＳｉＯ2の膜５５を形成する。この膜５５は、その厚さがこの後に形成する枠状部４１の高さとなるため、その上面がゲート電極３１の上面よりも十分に高位となるものとしておく。次いで、図６に示すように、肩部５４および枠状部４１を形成する。肩部５４および枠状部４１の形成は、膜５５に対してエッチバック処理を施すことにより行なう。肩部５４は、図６（ａ）に良く表れているように、ゲート電極３１の上面縁部からゲート絶縁膜５１に向けてなだらかな傾斜面を有し、かつ、図６（ｂ）に良く表れているように、ゲート電極３１を囲う形状とされる。枠状部４１は、図６（ｂ）に良く表れているように、膜５５のうち、平面視において半導体層２およびゲート電極３１から離間し、かつこれらを囲う枠状の部分を残存させることにより形成する。図６（ａ）に良く表れているように、枠状部４１は、その上面４１ｂがゲート電極３１の上面よりも十分に高位となる高さとなっている。枠状部４１の材料としてＳｉＯ2を用いれば、微細な形状に形成された半導体層２を適切に覆うような形状に枠状部４１を仕上げるのに好適である。
【００３５】
枠状部４１を形成した後は、枠状部４１の内向き側面４１ａおよび上面４１ｂに遮光膜４２を形成する。まず、図７（ａ）に示すように、枠状部４１の右側部分４１Ｒに対して、ＴｉまたはＷを用いてスパッタ法または蒸着法などの指向性を有する薄膜形成法を施す。この際、上記薄膜形成法は、基板材料１Ａ’に直交する方向に対して傾斜した方向から行い、本実施形態においては、基板材料１Ａ’の面内方向に対して角度θだけ傾斜した方向から行なう。スパッタ法または蒸着法は、ＴｉまたはＷなどの金属材料を高い指向性で加工対象に向けて放射するものである。本実施形態においては、ＴｉまたはＷなどが放射される方向からは、ゲート電極３１および半導体層２が、枠状部４１の左側部分４１Ｌの影となっていることにより、ゲート電極３１および半導体層２にＴｉまたはＷの薄膜が形成されることを回避することができる。一方、枠状部４１の右側部分４１Ｒの内向き側面４１ａは、枠状部４１の左側部分４１Ｌの影とはならないために、遮光膜４２を適切に形成することができる。また、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）に示した方向とは反対側から、基板材料１Ａ’の面内方向に対して角度θだけ傾斜した方向から上記薄膜形成法を施すことにより、枠状部４１の左側部分４１Ｌの内向き側面４１ａに遮光膜４２を形成する。このような処理を、枠状部４１に向けて四方から行なうことにより、枠状部４１の内向き側面４１ａすべてに遮光膜４２を形成することができる。遮光膜４２をＴｉまたはＷにより形成すれば、後述する工程において遮光膜４２が不当に侵食されるなどの不具合を回避するのに適している。
【００３６】
この後は、従来技術などと同様の既知の工程により、液晶表示装置Ａを完成させる。たとえば、半導体層２にソース領域２２およびドレイン領域２３を形成するためのインプラを施した後に、基板材料１Ａ’の全面を覆うように層間絶縁膜５２を形成する。また、層間絶縁膜５２の所定箇所にソース領域２２およびドレイン領域２３へと通じるコンタクトホールを形成し、その上面に金属膜をパターニングすることによりソース電極３２およびドレイン３３を形成する。次いで、これらを覆うように保護膜５３を形成し、その上に画素電極３４をパターン形成する。そして、ポリイミド樹脂などを用いて配光膜６Ａを形成することにより、ＴＦＴ基板１Ａが得られる。一方、ガラスなどの基板材料１Ｂ’に共通電極３５および配光膜６Ｂを積層させて、対向基板１Ｂを形成する。ＴＦＴ基板１Ａおよび対向基板１Ｂを対向させ、これらの間の空間をその周縁部にシール部材（図示略）を設けることにより区画し、その区画領域内に液晶材料７１を充填して密封することにより液晶層７を形成する。そして、適宜、制御ＩＣ（図示略）や接続端子部（図示略）を設けることにより、液晶表装置Ａが得られる。
【００３７】
次に、液晶表示装置Ａの作用について説明する。
【００３８】
本実施形態によれば、ＴＦＴ素子Ｔの側方遠方において、層間絶縁膜５２に入射した光が層間絶縁膜５２内で反射を繰り返してＴＦＴ素子Ｔに向かってきても、このような光は、遮光膜４２により遮られるために、半導体層２に到達しない。したがって、半導体層２において側方からの漏光に起因して光電変換効果により光電流が生じることを防止することが可能であり、ＴＦＴ素子Ｔの機能を適切に発揮させることができる。遮光膜４２は、半導体層２を四方から囲うように設けられた枠状部４１の内向き側面４１ａに形成されていることにより、半導体層２の四方について遮光するのに好適である。
【００３９】
液晶表示装置Ａの製造においては、ＴＦＴ基板Ｔの厚さ方向に対して傾斜した方向から薄膜形成法を施すことにより遮光膜４２を形成するために、ゲート電極３１および半導体層２に遮光膜４２の金属材料が不当に付着することを回避可能であり、ＴＦＴ素子Ｔとしての機能が阻害される虞れが無い。
【００４０】
また、上述した製造方法によれば、枠状部４１は、半導体層２とゲート電極３１との段差部を平滑化するためのエッチバック処理において一括して形成することができるために、液晶表示装置Ａを従来の液晶表示装置と同等の効率で製造することができる。
【００４１】
上述したように、本実施形態によれば、半導体層２の四方について適切に遮光することが可能であるが、さらに、半導体層２の上下方向についての遮光対策を図っても良い。たとえば、図８に示された実施形態においては、半導体層２の上方および下方に上部遮光膜４３および下部遮光膜４４が形成されている。これらは、遮光膜４２と同様にＴｉまたはＷにより形成すれば良い。
【００４２】
図９に示された実施形態においては、枠状部４３自体が遮光性を有する点が、上述した実施形態と異なる。枠状部４３は、たとえば顔料が混入された樹脂により形成されている。このような実施形態によっても、半導体層２の遮光を適切に行なうことが可能であり、光電流の発生を抑制してＴＦＴ素子Ｔの機能を適切に発揮させることができる。
【００４３】
本発明に係る液晶表示装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る液晶表示装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００４４】
枠状部は、矩形状の外形を有するものに限定されず、たとえばリング形状であっても良い。遮光部は、枠状部とこれに形成された遮光膜とにより構成されたものが、遮光性および製造効率の向上に好ましいが、本発明はこれに限定されず、半導体層の側方から向かってくる光を適切に遮ることが可能な材質および形状であれば良く、たとえば、起立した壁状の遮光部材を設けても良い。
【００４５】
上述した実施形態におけるＴＦＴ素子、その他の液晶表示装置各部の構造は、それらの一例でありこれらに限定されるものではない。本発明は、ＴＦＴ素子の構成部材として光電変換効果が生じる半導体層を有するあらゆる液晶表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一例を示す要部断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図３】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図６】本図（ａ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図であり、本図（ｂ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部平面図である。
【図７】本図（ａ），（ｂ）は、本発明に係る液晶表示装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図８】本発明に係る液晶表示装置の他の例を示す要部断面図である。
【図９】本発明に係る液晶表示装置の他の例を示す要部断面図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ａ 液晶表示装置
Ｔ ＴＦＴ素子
１Ａ ＴＦＴ基板
１Ｂ 対向基板
２ 半導体層
４ 遮光部
７ 液晶層
２１ チャンネル領域
２２ ソース領域
２３ ドレイン領域
３１ ゲート電極
３２ ソース電極
３３ ドレイン
３４ 画素電極
３５ 共通電極
４１ 枠状部
４２ 遮光膜
４３ 上部遮光膜
４４ 下部遮光膜
５１ ゲート絶縁膜
５２ 層間絶縁膜
５３ 保護膜
６Ａ，６Ｂ 配光膜
７１ 液晶材料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
上記一対の基板に挟まれた液晶層と、
上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、
上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置された複数の半導体層を有するＴＦＴ素子と、を備える液晶表示装置であって、
上記ＴＦＴ素子が形成された基板の面内方向において、上記半導体層を囲うように形成された遮光部が設けられていることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項２】
上記遮光部は、上記半導体層を囲う枠状部と、上記枠状部の内向き側面に形成された遮光膜とにより構成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記枠状部は、ＳｉＯ2により形成されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
上記遮光膜は、ＴｉまたはＷにより形成されている、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
ＴＦＴ素子を構成する半導体層を基板上に形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、
上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板上に上記半導体層を囲う枠状部を形成する工程と、
上記基板に直交する方向に対して傾斜した方向から指向性を有する薄膜形成法を施すことにより、上記枠状部の内向き側面に遮光膜を形成する工程と、をさらに有することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記半導体層を形成する工程の後に、上記半導体層に生じた段差部の平滑化を行なう工程を有し、
上記枠状部の形成は、上記平滑化を行なう工程においてなされる、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記平滑化を行なう工程は、上記基板のうち上記半導体層を含む領域をマスク材料により覆い、このマスク材料にエッチバック処理を施すことにより行い、
上記枠状部の形成は、上記エッチバック処理において、上記マスク材料のうち上記半導体層を囲う部分を残存させることにより行なう、請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記マスク材料はＳｉＯ2である、請求項６または７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記指向性を有する薄膜形成法は、スパッタ法または蒸着法である、請求項５ないし８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
一対の基板と、
上記一対の基板に挟まれた液晶層と、
上記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、
上記複数の画素電極に対応するように上記一方の基板上に配置された複数の半導体層を有するＴＦＴ素子と、を備える液晶表示装置であって、
上記ＴＦＴ素子が形成された基板の面内方向において、上記半導体層を囲うように形成された遮光部が設けられていることを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項２】
上記遮光部は、上記半導体層を囲う枠状部と、上記枠状部の内向き側面に形成された遮光膜とにより構成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記枠状部は、ＳｉＯ2により形成されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
上記遮光膜は、ＴｉまたはＷにより形成されている、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
ＴＦＴ素子を構成する半導体層を基板上に形成する工程を有する液晶表示装置の製造方法であって、
上記半導体層を形成する工程の後に、上記基板上に上記半導体層を囲う枠状部を形成する工程と、
上記基板に直交する方向に対して傾斜した方向から指向性を有する薄膜形成法を施すことにより、上記枠状部の内向き側面に遮光膜を形成する工程と、をさらに有することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記半導体層を形成する工程の後に、上記半導体層に生じた段差部の平滑化を行なう工程を有し、
上記枠状部の形成は、上記平滑化を行なう工程においてなされる、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記平滑化を行なう工程は、上記基板のうち上記半導体層を含む領域をマスク材料により覆い、このマスク材料にエッチバック処理を施すことにより行い、
上記枠状部の形成は、上記エッチバック処理において、上記マスク材料のうち上記半導体層を囲う部分を残存させることにより行なう、請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記マスク材料はＳｉＯ2である、請求項６または７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記指向性を有する薄膜形成法は、スパッタ法または蒸着法である、請求項５ないし８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−１１１００（Ｐ２００６−１１１００Ａ）
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１８９０７４（Ｐ２００４−１８９０７４）
【出願日】平成１６年６月２８日（２００４．６．２８）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月２８日（２００４．６．２８）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
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