液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法
【課題】より安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を提供する。また、歩留まり良く液晶表示装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶材料に光硬化樹脂を添加し、第１の基板１００及び第２の基板１０１間に配置された液晶層１１０に対して、一方向に光照射手段を走査しながら選択的に光硬化樹脂を重合し、高分子安定化処理を行う。よって、液晶層内において、光照射処理が行われた領域（第１の領域ともいう）と、光照射処理を行われてない領域（第２の領域ともいう）が生じる。第１の領域においては光硬化樹脂の重合が進んでいるため、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【解決手段】ブルー相を示す液晶材料に光硬化樹脂を添加し、第１の基板１００及び第２の基板１０１間に配置された液晶層１１０に対して、一方向に光照射手段を走査しながら選択的に光硬化樹脂を重合し、高分子安定化処理を行う。よって、液晶層内において、光照射処理が行われた領域（第１の領域ともいう）と、光照射処理を行われてない領域（第２の領域ともいう）が生じる。第１の領域においては光硬化樹脂の重合が進んでいるため、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型、軽量化を図った表示装置（所謂フラットパネルディスプレイ）には液晶素子を有する液晶表示装置、自発光素子を有する発光装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などが競合し、開発されている。
【０００３】
液晶表示装置においては、液晶分子の応答速度の高速化が求められている。液晶の表示モードは種々あるが、中でも高速応答可能な液晶モードとしてＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ブルー相を示す液晶を用いるモードがあげられる。
【０００４】
特にブルー相を示す液晶を使用するモードは配向膜が不要であり、かつ広視野角化が得られるので、実用化に向けてより研究が行われている（例えば特許文献１参照。）。特許文献１は、ブルー相の出現する温度範囲を広げるために、液晶に高分子安定化処理を行う報告である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０５／０９０５２０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高分子安定化処理は、液晶材料に光硬化樹脂を添加し、光によって光硬化樹脂を重合し液晶層を安定化させる処理である。しかし、大型化が進む基板面内で均一に光硬化樹脂を重合するのは困難である。高分子の重合が不均一であると、液晶層において配向状態も不均一となり、安定したブルー相を形成できなくなってしまう。
【０００７】
従って、より安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置、及びその作製方法を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ブルー相を示す液晶材料に光硬化樹脂を添加し、第１の基板及び第２の基板間に配置された液晶層に対して、一方向に光照射手段を走査しながら選択的に光硬化樹脂を重合し、高分子安定化処理を行う。よって、液晶層内において、光照射処理が行われた領域（第１の領域ともいう）と、光照射処理を行われてない領域（第２の領域ともいう）が生じる。第１の領域においては光硬化樹脂の重合が進んでいるため、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【０００９】
本明細書では、液晶層において、光照射処理を行い含まれる光硬化樹脂の重合度を高めた領域を高重合領域、一方光照射処理を行わない領域を、該光硬化樹脂の重合度を高めた領域より含まれる光硬化樹脂の重合度が低いことから、低重合領域という。また、液晶層に用いる液晶材料及び光硬化樹脂の混合物を液晶混合物（液晶組成物）ともいう。
【００１０】
第１の基板と第２の基板はシール材によって固着（接着）され、シール材に囲まれた領域に液晶層は配置される。シール材近傍の液晶混合物と、シール材から離れた中央部の液晶混合物（表示領域の液晶混合物ともいう）では、光照射による光硬化樹脂の重合度が異なる。従って、このような液晶層全域（シール材近傍の領域及び表示領域）に光照射処理を行うとシール材近傍の領域と表示領域において光硬化樹脂の重合状態が異なるため、液晶混合物の配向にも差が生じてしまう。よって、表示領域ではブルー相を示すが、シール材近傍領域ではブルー相を示さないといった液晶層内が不均一な配向状態となり、表示不良を招く。
【００１１】
光照射処理によるシール材近傍領域と表示領域との極端な配向の差を軽減するために、シール材近傍付近は光照射処理を行わず、あえて低重合領域とする。シール材近傍付近は低重合領域であるために、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減することができ、より液晶層内の広い領域において安定なブルー相を形成することができる。
【００１２】
高分子安定化処理は光照射処理により光硬化樹脂を重合反応させて行う。選択的に光照射処理を行う方法として、液晶層全域に一括で光照射処理を行わずに、液晶層の一部分を光照射処理できる光照射手段を用いて、一方向に光照射手段を走査しながら光照射処理を行う。この場合、液晶層と光を相対的に走査できればよいので、光照射手段の方を走査してもよいし、液晶層の形成される基板の方を走査してもよい。
【００１３】
一度に光照射できる光照射領域は線状（長方形）が好ましく、その線状の光照射領域と平行な基板の一辺より長いとスループットが向上するので好ましい。例えば、光照射領域が長方形の基板の一辺より長い線状となるような線状の光を液晶層に照射し、その線状の光照射領域と垂直な方向に走査する。一括に行う光照射と異なり、光の走査領域を制御することで、液晶層に光を照射しない領域である低重合領域を形成することができる。
【００１４】
上記線状の光照射領域は、複数の光源を線状に配列させて形成してもよいし、光源より照射された光を光学系で加工して形成してもよい。
【００１５】
また、液晶層において照射する光照射領域の形状は、線状の他、矩形、円形、楕円形などを用いてもよい。また、光はランプ光源からのランプ光、レーザ光源からのレーザ光などを用いることができる。光硬化樹脂の重合反応が生じる波長の光及びエネルギーを適宜選択すればよい。
【００１６】
また、液晶層を加熱しながら高分子安定化処理である光照射処理を行ってもよい。光照射処理と同様に加熱処理も高重合領域のみに選択的に行ってもよい。
【００１７】
また、液晶層の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００１８】
光照射手段を走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００１９】
従って、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００２０】
液晶層には、ブルー相を示す液晶材料を用いる。ブルー相を示す液晶材料は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【００２１】
ブルー相を示す液晶材料として液晶及びカイラル剤を含む。カイラル剤は、液晶を螺旋構造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
【００２２】
液晶は、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。
【００２３】
カイラル剤は、液晶に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い材料を用いる。また、Ｒ体、Ｓ体のどちらか片方の材料が良く、Ｒ体とＳ体の割合が５０：５０のラセミ体は使用しない。
【００２４】
上記液晶材料は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【００２５】
ブルー相であるコレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下とピッチの比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【００２６】
また、ブルー相は狭い温度範囲でしか発現が難しく、温度範囲を広く改善するために液晶材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行う。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。
【００２７】
例えば、液晶層の温度を制御し、ブルー相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行う。但し、これに限定されず、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内の等方相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行ってもよい。ブルー相と等方相間の相転移温度とは、昇温時にブルー相から等方相に転移する温度又は降温時に等方相からブルー相に相転移する温度をいう。高分子安定化処理の一例としては、液晶層を等方相まで加熱した後、徐々に降温させてブルー相にまで相転移させ、ブルー相が発現する温度を保持した状態で光を照射することができる。他にも、液晶層を徐々に加熱して等方相に相転移させた後、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を発現した状態）で光を照射することができる。また、液晶材料に含まれる光硬化樹脂として、紫外線硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を用いる場合、液晶層に紫外線を照射すればよい。なお、ブルー相を発現させなくとも、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を発現した状態）で光を照射して高分子安定化処理を行えば、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能である。
【００２８】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、液晶層は第１の領域及び第２の領域を含み、第１の領域は第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【００２９】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、液晶層は第１の領域及びシール材と接する第２の領域を含み、第１の領域は第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【００３０】
上記構成において、高分子安定化処理を行った高重合領域（第１の領域）を表示領域となる画素領域に、低重合領域（第２の領域）を表示に寄与しない駆動回路領域とすると好ましい。
【００３１】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、液晶層において第１の領域は、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高く、光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行う。
【００３２】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、液晶層を加熱しながら液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、液晶層において第１の領域は、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高く、光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行う。
【００３３】
光照射処理は液晶層表面に対して斜めに照射してもよい。斜めに照射することによって照射領域に与えるエネルギーに差を有するようにできる。また、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射してもよい。また、光照射処理は、照射手段を複数設けて、液晶層の片面のみでなく、両面（第１の基板側からも第２の基板側からも）から液晶層に照射してもよい。
【００３４】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
【００３５】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【発明の効果】
【００３６】
安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】液晶表示装置を説明する図。
【図２】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図３】液晶表示装置を説明する図。
【図４】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図５】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】液晶表示装置を説明する図。
【図８】液晶表示モジュールを説明する図。
【図９】テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。
【図１０】遊技機の例を示す外観図。
【図１１】携帯型のコンピュータ及び携帯電話機の一例を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
（実施の形態１）
液晶表示装置を、図１及び図２を用いて説明する。
【００４０】
図１（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００４１】
第１の基板１００と第２の基板１０１は、シール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着（接着）され、第１の基板１００と第２の基板１０１の間には液晶層１１０が配置されている。液晶層１１０は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。液晶層１１０において、高重合領域１０８は高分子安定化処理をとして光硬化樹脂の光照射処理を行った領域（第１の領域）であり、低重合領域１０９は光照射処理を行わなかった領域（第２の領域）である。
【００４２】
図２（Ａ１）（Ａ２）乃至（Ｃ１）（Ｃ２）に図１の液晶表示装置の作製方法を示す。図２（Ａ２）乃至（Ｃ２）は液晶表示装置の平面図であり、図２（Ａ１）乃至（Ｃ１）は、図２（Ａ２）乃至（Ｃ２）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００４３】
第１の基板１００と第２の基板１０１とがシール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着され、第１の基板１００と第２の基板１０１との間に液晶層１１０が配置されている（図２（Ａ１）（Ａ２）参照。）。シール材１０３は液晶層１１０を囲むように形成されている。液晶層１１０はまだ全域において光硬化樹脂の光照射処理前の低重合領域１０２である。
【００４４】
液晶層１１０の低重合領域１０２に高分子安定化処理を行い、光硬化樹脂を選択的に重合させる。高分子安定化処理として照射領域が線状に加工された光照射処理を行う。線状に加工された光１０４を矢印１０５の方向に走査しながら液晶層１１０に照射する。液晶層１１０において、光１０４により照射された領域は、光硬化樹脂が重合し、重合度の高い高重合領域１０６となる。光照射処理は液晶層１１０において選択的に行われるため、光照射処理の行われていない領域は、低重合領域のままであり、低重合領域１０７となる（図２（Ｂ１）（Ｂ２）参照。）。なお、この場合、液晶層１１０と光１０４を相対的に走査できればよいので、光１０４の照射手段の方を走査してもよいし、液晶層１１０の形成される第１の基板１００の方を走査してもよい。
【００４５】
線状に加工された光１０４を、表示領域を含む領域に走査しながら、シール材１０３手前まで照射し高重合領域１０８とし、シール材１０３と接する領域を低重合領域１０９とする。以上の工程で、高重合領域１０８及び低重合領域１０９を有する液晶層１１０を形成する（図２（Ｃ１）（Ｃ２）参照。）。
【００４６】
光１０４を走査することによって照射するので、照射領域の制御が容易にできる。シール材１０３ｂに接する領域を低重合領域１０９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域１０８において安定なブルー相を形成することができる。
【００４７】
液晶層１１０において、高重合領域１０８に表示領域（画素領域）を形成し、低重合領域１０９に表示に寄与しない駆動回路領域や、筐体による遮蔽領域とすればよい。
【００４８】
また、液晶層１１０の高重合領域１０８は、重合反応により強度も高まるため、低重合領域１０９より強度が高い。よって、液晶表示装置において露出する表示部として、高重合領域１０８を用いることは信頼性の面でも有効である。また、重合反応により強度を有するため第１の基板１００及び第２の基板１０１に可撓性基板を用いて、可撓性の液晶表示装置とすることもできる。
【００４９】
上記線状の光照射領域は、複数の光源を線状に配列させて形成してもよいし、光源より照射された光を光学系で加工して形成してもよい。
【００５０】
また、液晶層において照射する光照射領域の形状は、線状の他、矩形、円形、楕円形などを用いてもよい。また、光はランプ光源からのランプ光、レーザ光源からのレーザ光などを用いることができる。光硬化樹脂の重合反応が生じる波長の光及びエネルギーを適宜選択すればよい。例えば、光硬化樹脂として紫外線（光）硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を用いる場合、高分子安定化処理として紫外線（光）を照射すればよい。
【００５１】
また、液晶層１１０の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層１１０の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００５２】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００５３】
液晶層１１０を形成する方法として、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板１００と第２の基板１０１とを貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
【００５４】
液晶層１１０には、ブルー相を示す液晶材料を用いる。ブルー相を示す液晶材料は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【００５５】
ブルー相を示す液晶材料として液晶及びカイラル剤を含む。カイラル剤は、液晶を螺旋構造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
【００５６】
液晶は、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。
【００５７】
カイラル剤は、液晶に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い材料を用いる。また、Ｒ体、Ｓ体のどちらか片方の材料が良く、Ｒ体とＳ体の割合が５０：５０のラセミ体は使用しない。
【００５８】
上記液晶材料は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【００５９】
ブルー相であるコレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下とピッチの比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【００６０】
ブルー相は狭い温度範囲でしか発現が難しく、温度範囲を広く改善するために液晶材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行う。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。
【００６１】
よって、液晶層１１０への光照射処理を、液晶層１１０を加熱手段により加熱しながら行ってもよい。加熱手段としては、ヒータなどの熱源を有するステージに基板を配置して行えばよい。光照射処理と同様に加熱処理も高重合領域１０８のみに選択的に行ってもよい。
【００６２】
光硬化樹脂は、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマーでもよく、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のものでもよく、両者を混合させてもよい。光硬化樹脂は、用いる光重合開始剤の反応する波長の光で重合する樹脂を選択すれば良く、代表的には紫外線硬化樹脂を用いることができる。
【００６３】
光重合開始剤は、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤でもよく、酸を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。
【００６４】
具体的には、液晶材料として、ＪＣ−１０４１ＸＸ（チッソ株式会社製）と４−シアノ−４’−ペンチルビフェニルの混合物を用いることができ、カイラル剤としては、ＺＬＩ−４５７２（メルク株式会社製）を用いることができ、光硬化樹脂は、２−エチルヘキシルアクリレート、ＲＭ２５７（メルク株式会社製）、トリメチロールプロパントリアクリレートを用いることができ、光重合開始剤としては２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを用いることができる。
【００６５】
また、図１及び図２では図示しないが、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどは適宜設ける。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【００６６】
本明細書において、液晶表示装置は光源の光を透過することによって表示を行う透過型の液晶表示装置（又は半透過型の液晶表示装置）の場合、少なくとも画素領域において光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する第１の基板、第２の基板、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【００６７】
液晶層に電圧を印加する電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などという）においては透光性が好ましいが、電極層のパターンによっては金属膜などの非透光性材料を用いてもよい。
【００６８】
電極層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【００６９】
また、電極層として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００７０】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００７１】
第１の基板１００、第２の基板１０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、並びにプラスチック基板などの可撓性基板を用いることができる。
【００７２】
シール材１０３としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
【００７３】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００７４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１において、マスクを組み合わせて用いる液晶表示装置の作製方法の例を図３及び図４に示す。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００７５】
図３（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００７６】
第１の基板１００と第２の基板１０１は、シール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着（接着）され、第１の基板１００と第２の基板１０１の間には液晶層１１０が配置されている。液晶層１１０は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。液晶層１１０において、高重合領域１０８は高分子安定化処理として光硬化樹脂に光照射処理を行った領域（第１の領域）であり、低重合領域１０９（１０９ａ、１０９ｂ）は光照射処理を行わなかった領域（第２の領域）である。
【００７７】
本実施の形態の液晶層１１０は、液晶層１１０の周囲を囲むシール材１０３と接する領域に低重合領域１０９を形成し、液晶層１１０中央に高重合領域１０８を形成する例である。
【００７８】
図４（Ａ１）（Ａ２）乃至（Ｃ１）（Ｃ２）に図３の液晶表示装置の作製方法を示す。図４（Ａ２）乃至（Ｃ２）は液晶表示装置の平面図であり、図４（Ａ１）乃至（Ｃ１）は、図４（Ａ２）乃至（Ｃ２）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００７９】
第１の基板１００と第２の基板１０１とがシール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着され、第１の基板１００と第２の基板１０１との間に液晶層１１０が配置されている（図４（Ａ１）（Ａ２）参照。）。シール材１０３は液晶層１１０を囲むように形成されている。液晶層１１０はまだ全域において光硬化樹脂の光照射処理前の低重合領域１０２である。
【００８０】
液晶層１１０の低重合領域１０２に高分子安定化処理を行い、光硬化樹脂を選択的に重合させる。高分子安定化処理として照射領域が線状に加工された光照射処理を行う。本実施の形態では、光照射時にマスク１１１を用いる。光１０４を走査し、かつマスク１１１を用いることで、より複雑な形状に処理領域の制御を行うことができる。
【００８１】
マスク１１１は、遮光性の材料を用い、光１０４を反射もしくは吸収し、液晶層へ光１０４が照射されるのを遮断する。本実施の形態では、遮光性のマスク１１１を用いる例を示すが、第２の基板１０１と液晶層１１０との間に遮光層を形成してもよい。この遮光層は薄膜トランジスタを形成する場合、光照射により薄膜トランジスタの特性変動が生じるのを防止する機能もある。
【００８２】
線状に加工された光１０４を矢印１０５の方向に走査しながら液晶層１１０に照射する。液晶層１１０において、光１０４により照射された領域は、高重合領域１０６となる。光照射処理は液晶層１１０において選択的に行われるため、光照射処理の行われていない領域は、低重合領域のままであり、低重合領域１０７となる。
【００８３】
線状に加工された光１０４を、マスク１１１を用いて液晶層１１０に走査しながら照射し高重合領域１０８及び、シール材１０３と接する低重合領域１０９を形成する。以上の工程で、高重合領域１０８及び高重合領域１０８を囲み、シール材１０３と接する低重合領域１０９を有する液晶層１１０を形成する（図４（Ｃ１）（Ｃ２）参照。）。
【００８４】
光１０４を走査し、かつマスク１１１を用いて照射するので、複雑な照射領域の制御が容易にできる。シール材１０３に接する領域を低重合領域１０９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域１０８において安定なブルー相を形成することができる。
【００８５】
また、液晶層１１０の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層１１０の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００８６】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００８７】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００８８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１又は実施の形態２において、大型の基板に複数の液晶表示装置を作製する例（所謂多面取り）、を図５に示す。従って、他は実施の形態１又は実施の形態２と同様に行うことができ、実施の形態１又は実施の形態２と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００８９】
大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合、その分断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができる。分断工程による液晶層への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。
【００９０】
図５（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）における線Ｖ１−Ｘ１の断面図、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）における線Ｖ２−Ｘ２の断面図である。
【００９１】
図５（Ａ）において、固着（接着）された第１の基板２００と第２の基板２０１との間には、４つの液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄが挟持され、それぞれシール材２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄで周囲を囲まれて配置されている。液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄは、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。
【００９２】
図５はマスク２１１を用い、かつ光２０４を走査して複数の液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄに選択的に高分子安定化処理を行い、高重合領域２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄと低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）、２０７ｂ（２０７ｂ１、２０７ｂ２）、２０７ｃ（２０７ｃ１、２０７ｃ２）、２０７ｄ（図示しないが液晶層２１０ｃと同様に高重合領域２０６ｄとシール材２０３ｄとの間に形成されている）を形成する工程である。
【００９３】
図５（Ｂ）は、光２０４の走査方向である矢印２０５と平行な面における断面である。液晶層２１０ａ、２１０ｃにおいて、マスク２１１（２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ）に遮光されず、光２０４に照射された領域は重合反応が進み、高重合領域２０６ａ、２０６ｃが形成されている。一方、マスク２１１（２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ）に覆われ、光２０４が遮光される、又は光２０４が走査されていない領域は、光照射処理されず、低重合領域２０７ｃ１、２０７ｃ２、２０７ａ１、２０７ａ２が形成されている。液晶層２１０ｃにおいて、高重合領域２０６ｃとシール材２０３ｃ（２０３ｃ１、２０３ｃ２）との間に低重合領域２０７ｃ（２０７ｃ１、２０７ｃ２）が形成され、同様に液晶層２１０ａにおいて、高重合領域２０６ａとシール材２０３ａ（２０３ａ１、２０３ａ２）との間に低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）が形成されている。
【００９４】
図５（Ｃ）は、光２０４の走査方向である矢印２０５と垂直な面における断面図である。液晶層２１０ａ、２１０ｂにおいて、マスク２１１（２１１ｄ、２１１ｅ、２１１ｆ）に遮光されず、光２０４に照射された領域は重合反応が進み、高重合領域２０６ａ、２０６ｂが形成されている。一方、マスク２１１（２１１ｄ、２１１ｅ、２１１ｆ）に覆われ、光２０４が遮光される領域は、光照射処理されず、低重合領域２０７ａ１、２０７ａ２、２０７ｂ１、２０７ｂ２が形成されている。液晶層２１０ａにおいて、高重合領域２０６ａとシール材２０３ａ（２０３ａ１、２０３ａ２）との間に低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）が形成され、同様に液晶層２１０ｂにおいて、高重合領域２０６ｂとシール材２０３ｂ（２０３ｂ１、２０３ｂ２）との間に低重合領域２０７ｂ（２０７ｂ１，２０７ｂ２）が形成されている。
【００９５】
このように、基板の辺方向に長く形成した線状の光２０４とマスク２１１を組み合わせることで、一度に複数の液晶層を高分子安定化処理できるため、生産性を向上させることができる。また、大型基板であっても光照射手段と基板を相対的に走査して光照射処理を行うので、大型な露光装置などを用いないでよい。
【００９６】
本実施の形態では、図５（Ｃ）に示すように液晶層２１０ａ、２１０ｂにおいて低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１をマスク２１１ｄ、２１１ｆを用いて形成する例を示すが、光２０４の照射領域が低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１まで及ばないように形状を制御して、低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１を形成してもよい。
【００９７】
大型基板の場合、基板がたわんで反ってしまう場合がある。この場合基板を縦置きとして走査すれば均一な光照射処理を行うことができる。
【００９８】
光を走査し、かつマスクを用いて照射するので、複雑な照射領域の制御が容易にできる。シール材に接する領域を低重合領域とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域において安定なブルー相を形成することができる。
【００９９】
また、液晶層の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせまた、一定方向に重合を進めるために、液晶層の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【０１００】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【０１０１】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【０１０２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１乃至３において適用することのできる光照射方法の他の例を図６に示す。従って、他は実施の形態１乃至３と同様に行うことができ、実施の形態１乃至３と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【０１０３】
図６（Ａ）乃至（Ｃ）に液晶層に選択的に光照射処理を行う例を示す。
【０１０４】
図６（Ａ）で示すように、光照射処理は、照射手段を複数設けて、液晶層の片面のみでなく、両面（第１の基板側からも第２の基板側から）から液晶層に照射してもよい。液晶層１１０は、第２の基板１０１側から照射される光１０４ａと、第１の基板１００側から照射される光１０４ｂによって光照射処理される。図６（Ａ）は光１０４ａ及び光１０４ｂは液晶層１１０において同領域を照射する例を示すが、異なる領域を照射してもよく、それぞれマスクを用いてもよい。
【０１０５】
また、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射してもよい。図６（Ｂ）において、光１０４ｃと光１０４ｄとは与えるエネルギーが異なる光であり、光１０４ｄの方が光１０４ｃよりもエネルギーが小さい。光１０４ｄによって照射された領域１１２に対して光１０４ｃを照射し、高重合領域１０６を形成する。重合させる光硬化樹脂を複数種用いる場合、このように照射する光のエネルギーやタイミングを制御すると重合の速度も制御することができ、より均一に安定化処理を行うことが可能となる。
【０１０６】
光照射処理は液晶層表面に対して斜めに照射してもよい。図６（Ｃ）において、液晶層１１０に照射される光１０４ｅは、液晶層１１０表面に対して斜めに入射しているため、照射領域に与えるエネルギーに差を有している。よって図６（Ｂ）と同様に光硬化樹脂の重合の速度を制御することができる。
【０１０７】
以上のように、光照射条件（照射のタイミング、光のエネルギー、照射時間）などを制御することで、より均一に液晶層に高分子安定化を行うことができる。
【０１０８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１０９】
従って、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【０１１０】
（実施の形態５）
本明細書に開示する発明は、パッシブマトリクス型の液晶表示装置でもアクティブマトリクス型の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１１１】
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０１１２】
液晶表示装置は表示素子として液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。
【０１１３】
また、液晶表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
【０１１４】
なお、本明細書中における液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。
【０１１５】
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図７を用いて説明する。図７（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成された薄膜トランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネルの上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ１）（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０１１６】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、液晶層４００７と共に封止されている。
【０１１７】
また、図７（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図７（Ａ２）は信号線駆動回路の一部を第１の基板４００１上に設けられた薄膜トランジスタで形成する例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されている。
【０１１８】
液晶層４００７において、画素部４００２は高分子安定化処理として光照射処理を行った光硬化樹脂の高重合領域４００８であり、走査線駆動回路４００４、信号線駆動回路４００３ｂは低重合領域４００９である。シール材４００５に接する表示に寄与しない駆動回路上に形成される領域を低重合領域４００９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域４００８において安定なブルー相を形成することができる。
【０１１９】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図７（Ａ１）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図７（Ａ２）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３ａを実装する例である。
【０１２０】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、薄膜トランジスタを複数有しており、図７（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けられている。
【０１２１】
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態では、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０１２２】
また、第１の基板４００１上に画素電極層４０３０が設けられ、画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１、及び液晶層４００７を含む。なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２、４０３３が設けられている。共通電極層４０３１は第２の基板４００６側に設けられ、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１とは液晶層４００７を介して積層する構成となっている。
【０１２３】
ブルー相を示す液晶層を有する液晶表示装置において、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。このような方式として、本実施の形態では、図７に示すようなＩＰＳモードで用いる電極構成を適用する例である。
【０１２４】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１２５】
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層４００７の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。なお、液晶層４００７を用いる液晶表示装置は、液晶層４００７の膜厚（セルギャップ）を４μｍ以上２０μｍ程度とすることが好ましい。
【０１２６】
なお図７は透過型液晶表示装置の例であるが、半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【０１２７】
また、図７の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。
【０１２８】
層間膜４０２１は、有彩色の透光性樹脂層であり、カラーフィルタ層として機能する。また、層間膜４０２１の一部を遮光層としてもよい。図７においては、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように遮光層４０３４が第２の基板４００６側に設けられている。遮光層４０３４は、高分子安定化処理である光照射処理において、低重合領域４００９のマスクとして機能する他、さらに液晶表示装置のコントラスト向上や薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。
【０１２９】
薄膜トランジスタの保護膜として機能する絶縁層４０２０で覆う構成としてもよいが、特に限定されない。
【０１３０】
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【０１３１】
また、保護膜を形成した後に、半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行ってもよい。
【０１３２】
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【０１３３】
積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく液晶表示装置を作製することが可能となる。
【０１３４】
画素電極層４０３０、共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０１３５】
また、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１３６】
また、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
【０１３７】
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０１３８】
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１３９】
図７では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０１４０】
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１４１】
また図７においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０１４２】
図８は、本明細書に開示する液晶表示装置として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
【０１４３】
図８は液晶表示モジュールの一例であり、素子基板２６００と対向基板２６０１がシール材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む素子層２６０３、液晶層を含む表示素子２６０４、カラーフィルタとして機能する着色層２６０５、偏光板２６０６が設けられ表示領域に形成している有彩色の透光性樹脂層である着色層２６０５はカラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。素子基板２６００と対向基板２６０１の外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。光源は冷陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキシブル配線基板２６０９により素子基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コントロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また、光源として、白色のダイオードを用いてもよい。また偏光板と、液晶層との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。
【０１４４】
以上の工程により、液晶表示装置として信頼性の高い液晶表示パネルを作製することができる。
【０１４５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４６】
（実施の形態６）
本明細書で開示する液晶表示装置が有する薄膜トランジスタの半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用いることのできる材料の例を説明する。
【０１４７】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１４８】
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。
【０１４９】
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１５０】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１５１】
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用いることができる。
【０１５２】
半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０１５３】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０１５４】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０１５５】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０１５６】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０１５７】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０１５８】
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
【０１５９】
酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜を用いることができる。
【０１６０】
酸化物半導体層（ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜を用いてもよい。
【０１６１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６２】
（実施の形態７）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０１６３】
図９（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。
【０１６４】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
【０１６５】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１６６】
図９（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表示部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
【０１６７】
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができる。
【０１６８】
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０１６９】
図１０（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成されており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示部９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１７０】
図１０（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロットマシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロットマシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
【０１７１】
図１１（Ａ）は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。
【０１７２】
図１１（Ａ）の携帯型のコンピュータは、上部筐体９３０１と下部筐体９３０２とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部９３０３を有する上部筐体９３０１と、キーボード９３０４を有する下部筐体９３０２とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部９３０３を見て入力操作を行うことができる。
【０１７３】
また、下部筐体９３０２はキーボード９３０４の他に入力操作を行うポインティングデバイス９３０６を有する。また、表示部９３０３をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体９３０２はＣＰＵやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体９３０２は他の機器、例えばＵＳＢの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート９３０５を有している。
【０１７４】
上部筐体９３０１には更に上部筐体９３０１内部にスライドさせて収納可能な表示部９３０７を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部９３０７の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部９３０７をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
【０１７５】
表示部９３０３または収納可能な表示部９３０７は、液晶表示パネルなどの映像表示装置を用いる。
【０１７６】
また、図１１（Ａ）の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部または表示部に表示することができる。また、上部筐体９３０１と下部筐体９３０２とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部９３０７をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを開状態として表示部９３０３を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。
【０１７７】
また、図１１（Ｂ）は、腕時計のように使用者の腕に装着可能な形態を有している携帯電話の一例を示す斜視図である。
【０１７８】
この携帯電話は、少なくとも電話機能を有する通信装置及びバッテリーを有する本体、本体を腕に装着するためのバンド部、腕に対するバンド部の固定状態を調節する調節部９２０５、表示部９２０１、スピーカ９２０７、及びマイク９２０８から構成されている。
【０１７９】
また、本体は、操作スイッチ９２０３を有し、電源入力スイッチや、表示切り替えスイッチや、撮像開始指示スイッチの他、例えばスイッチを押すとインタネット用のプログラムが起動されるなど、操作スイッチによって各ファンクションを対応づけることができる。
【０１８０】
この携帯電話の入力操作は、表示部９２０１に指や入力ペンなどで触れること、又は操作スイッチ９２０３の操作、またはマイク９２０８への音声入力により行われる。なお、図１１（Ｂ）では、表示部９２０１に表示された表示ボタン９２０２を図示しており、指などで触れることにより入力を行うことができる。
【０１８１】
また、本体は、撮影レンズを通して結像される被写体像を電子画像信号に変換する撮像手段を有するカメラ部９２０６を有する。なお、特にカメラ部は設けなくともよい。
【０１８２】
また、図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、テレビ放送の受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部９２０１に表示することができ、さらにメモリーなどの記憶装置などを備えた構成として、テレビ放送をメモリーに録画できる。また、図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、ＧＰＳなどの位置情報を収集できる機能を有していてもよい。
【０１８３】
表示部９２０１は、液晶表示パネルなどの映像表示装置を用いる。図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、小型、且つ、軽量であるため、バッテリー容量の限られており、表示部９２０１に用いる表示装置は低消費電力で駆動できるパネルを用いることが好ましい。
【０１８４】
なお、図１１（Ｂ）では”腕”に装着するタイプの電子機器を図示したが、特に限定されず、携行できる形状を有しているものであればよい。
【技術分野】
【０００１】
液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型、軽量化を図った表示装置（所謂フラットパネルディスプレイ）には液晶素子を有する液晶表示装置、自発光素子を有する発光装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などが競合し、開発されている。
【０００３】
液晶表示装置においては、液晶分子の応答速度の高速化が求められている。液晶の表示モードは種々あるが、中でも高速応答可能な液晶モードとしてＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ブルー相を示す液晶を用いるモードがあげられる。
【０００４】
特にブルー相を示す液晶を使用するモードは配向膜が不要であり、かつ広視野角化が得られるので、実用化に向けてより研究が行われている（例えば特許文献１参照。）。特許文献１は、ブルー相の出現する温度範囲を広げるために、液晶に高分子安定化処理を行う報告である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０５／０９０５２０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高分子安定化処理は、液晶材料に光硬化樹脂を添加し、光によって光硬化樹脂を重合し液晶層を安定化させる処理である。しかし、大型化が進む基板面内で均一に光硬化樹脂を重合するのは困難である。高分子の重合が不均一であると、液晶層において配向状態も不均一となり、安定したブルー相を形成できなくなってしまう。
【０００７】
従って、より安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置、及びその作製方法を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ブルー相を示す液晶材料に光硬化樹脂を添加し、第１の基板及び第２の基板間に配置された液晶層に対して、一方向に光照射手段を走査しながら選択的に光硬化樹脂を重合し、高分子安定化処理を行う。よって、液晶層内において、光照射処理が行われた領域（第１の領域ともいう）と、光照射処理を行われてない領域（第２の領域ともいう）が生じる。第１の領域においては光硬化樹脂の重合が進んでいるため、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【０００９】
本明細書では、液晶層において、光照射処理を行い含まれる光硬化樹脂の重合度を高めた領域を高重合領域、一方光照射処理を行わない領域を、該光硬化樹脂の重合度を高めた領域より含まれる光硬化樹脂の重合度が低いことから、低重合領域という。また、液晶層に用いる液晶材料及び光硬化樹脂の混合物を液晶混合物（液晶組成物）ともいう。
【００１０】
第１の基板と第２の基板はシール材によって固着（接着）され、シール材に囲まれた領域に液晶層は配置される。シール材近傍の液晶混合物と、シール材から離れた中央部の液晶混合物（表示領域の液晶混合物ともいう）では、光照射による光硬化樹脂の重合度が異なる。従って、このような液晶層全域（シール材近傍の領域及び表示領域）に光照射処理を行うとシール材近傍の領域と表示領域において光硬化樹脂の重合状態が異なるため、液晶混合物の配向にも差が生じてしまう。よって、表示領域ではブルー相を示すが、シール材近傍領域ではブルー相を示さないといった液晶層内が不均一な配向状態となり、表示不良を招く。
【００１１】
光照射処理によるシール材近傍領域と表示領域との極端な配向の差を軽減するために、シール材近傍付近は光照射処理を行わず、あえて低重合領域とする。シール材近傍付近は低重合領域であるために、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減することができ、より液晶層内の広い領域において安定なブルー相を形成することができる。
【００１２】
高分子安定化処理は光照射処理により光硬化樹脂を重合反応させて行う。選択的に光照射処理を行う方法として、液晶層全域に一括で光照射処理を行わずに、液晶層の一部分を光照射処理できる光照射手段を用いて、一方向に光照射手段を走査しながら光照射処理を行う。この場合、液晶層と光を相対的に走査できればよいので、光照射手段の方を走査してもよいし、液晶層の形成される基板の方を走査してもよい。
【００１３】
一度に光照射できる光照射領域は線状（長方形）が好ましく、その線状の光照射領域と平行な基板の一辺より長いとスループットが向上するので好ましい。例えば、光照射領域が長方形の基板の一辺より長い線状となるような線状の光を液晶層に照射し、その線状の光照射領域と垂直な方向に走査する。一括に行う光照射と異なり、光の走査領域を制御することで、液晶層に光を照射しない領域である低重合領域を形成することができる。
【００１４】
上記線状の光照射領域は、複数の光源を線状に配列させて形成してもよいし、光源より照射された光を光学系で加工して形成してもよい。
【００１５】
また、液晶層において照射する光照射領域の形状は、線状の他、矩形、円形、楕円形などを用いてもよい。また、光はランプ光源からのランプ光、レーザ光源からのレーザ光などを用いることができる。光硬化樹脂の重合反応が生じる波長の光及びエネルギーを適宜選択すればよい。
【００１６】
また、液晶層を加熱しながら高分子安定化処理である光照射処理を行ってもよい。光照射処理と同様に加熱処理も高重合領域のみに選択的に行ってもよい。
【００１７】
また、液晶層の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００１８】
光照射手段を走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００１９】
従って、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００２０】
液晶層には、ブルー相を示す液晶材料を用いる。ブルー相を示す液晶材料は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【００２１】
ブルー相を示す液晶材料として液晶及びカイラル剤を含む。カイラル剤は、液晶を螺旋構造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
【００２２】
液晶は、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。
【００２３】
カイラル剤は、液晶に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い材料を用いる。また、Ｒ体、Ｓ体のどちらか片方の材料が良く、Ｒ体とＳ体の割合が５０：５０のラセミ体は使用しない。
【００２４】
上記液晶材料は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【００２５】
ブルー相であるコレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下とピッチの比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【００２６】
また、ブルー相は狭い温度範囲でしか発現が難しく、温度範囲を広く改善するために液晶材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行う。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。
【００２７】
例えば、液晶層の温度を制御し、ブルー相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行う。但し、これに限定されず、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内の等方相を発現した状態で液晶層に光を照射することにより高分子安定化処理を行ってもよい。ブルー相と等方相間の相転移温度とは、昇温時にブルー相から等方相に転移する温度又は降温時に等方相からブルー相に相転移する温度をいう。高分子安定化処理の一例としては、液晶層を等方相まで加熱した後、徐々に降温させてブルー相にまで相転移させ、ブルー相が発現する温度を保持した状態で光を照射することができる。他にも、液晶層を徐々に加熱して等方相に相転移させた後、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を発現した状態）で光を照射することができる。また、液晶材料に含まれる光硬化樹脂として、紫外線硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を用いる場合、液晶層に紫外線を照射すればよい。なお、ブルー相を発現させなくとも、ブルー相と等方相間の相転移温度から＋１０℃以内、好ましくは＋５℃以内状態（等方相を発現した状態）で光を照射して高分子安定化処理を行えば、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能である。
【００２８】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、液晶層は第１の領域及び第２の領域を含み、第１の領域は第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【００２９】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、液晶層は第１の領域及びシール材と接する第２の領域を含み、第１の領域は第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高い。
【００３０】
上記構成において、高分子安定化処理を行った高重合領域（第１の領域）を表示領域となる画素領域に、低重合領域（第２の領域）を表示に寄与しない駆動回路領域とすると好ましい。
【００３１】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、液晶層において第１の領域は、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高く、光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行う。
【００３２】
本明細書で開示する発明の構成の他の一形態は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、液晶層を加熱しながら液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、液晶層において第１の領域は、第２の領域より光硬化樹脂の重合度が高く、光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行う。
【００３３】
光照射処理は液晶層表面に対して斜めに照射してもよい。斜めに照射することによって照射領域に与えるエネルギーに差を有するようにできる。また、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射してもよい。また、光照射処理は、照射手段を複数設けて、液晶層の片面のみでなく、両面（第１の基板側からも第２の基板側からも）から液晶層に照射してもよい。
【００３４】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
【００３５】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【発明の効果】
【００３６】
安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】液晶表示装置を説明する図。
【図２】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図３】液晶表示装置を説明する図。
【図４】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図５】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】液晶表示装置を説明する図。
【図８】液晶表示モジュールを説明する図。
【図９】テレビジョン装置およびデジタルフォトフレームの例を示す外観図。
【図１０】遊技機の例を示す外観図。
【図１１】携帯型のコンピュータ及び携帯電話機の一例を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
（実施の形態１）
液晶表示装置を、図１及び図２を用いて説明する。
【００４０】
図１（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００４１】
第１の基板１００と第２の基板１０１は、シール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着（接着）され、第１の基板１００と第２の基板１０１の間には液晶層１１０が配置されている。液晶層１１０は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。液晶層１１０において、高重合領域１０８は高分子安定化処理をとして光硬化樹脂の光照射処理を行った領域（第１の領域）であり、低重合領域１０９は光照射処理を行わなかった領域（第２の領域）である。
【００４２】
図２（Ａ１）（Ａ２）乃至（Ｃ１）（Ｃ２）に図１の液晶表示装置の作製方法を示す。図２（Ａ２）乃至（Ｃ２）は液晶表示装置の平面図であり、図２（Ａ１）乃至（Ｃ１）は、図２（Ａ２）乃至（Ｃ２）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００４３】
第１の基板１００と第２の基板１０１とがシール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着され、第１の基板１００と第２の基板１０１との間に液晶層１１０が配置されている（図２（Ａ１）（Ａ２）参照。）。シール材１０３は液晶層１１０を囲むように形成されている。液晶層１１０はまだ全域において光硬化樹脂の光照射処理前の低重合領域１０２である。
【００４４】
液晶層１１０の低重合領域１０２に高分子安定化処理を行い、光硬化樹脂を選択的に重合させる。高分子安定化処理として照射領域が線状に加工された光照射処理を行う。線状に加工された光１０４を矢印１０５の方向に走査しながら液晶層１１０に照射する。液晶層１１０において、光１０４により照射された領域は、光硬化樹脂が重合し、重合度の高い高重合領域１０６となる。光照射処理は液晶層１１０において選択的に行われるため、光照射処理の行われていない領域は、低重合領域のままであり、低重合領域１０７となる（図２（Ｂ１）（Ｂ２）参照。）。なお、この場合、液晶層１１０と光１０４を相対的に走査できればよいので、光１０４の照射手段の方を走査してもよいし、液晶層１１０の形成される第１の基板１００の方を走査してもよい。
【００４５】
線状に加工された光１０４を、表示領域を含む領域に走査しながら、シール材１０３手前まで照射し高重合領域１０８とし、シール材１０３と接する領域を低重合領域１０９とする。以上の工程で、高重合領域１０８及び低重合領域１０９を有する液晶層１１０を形成する（図２（Ｃ１）（Ｃ２）参照。）。
【００４６】
光１０４を走査することによって照射するので、照射領域の制御が容易にできる。シール材１０３ｂに接する領域を低重合領域１０９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域１０８において安定なブルー相を形成することができる。
【００４７】
液晶層１１０において、高重合領域１０８に表示領域（画素領域）を形成し、低重合領域１０９に表示に寄与しない駆動回路領域や、筐体による遮蔽領域とすればよい。
【００４８】
また、液晶層１１０の高重合領域１０８は、重合反応により強度も高まるため、低重合領域１０９より強度が高い。よって、液晶表示装置において露出する表示部として、高重合領域１０８を用いることは信頼性の面でも有効である。また、重合反応により強度を有するため第１の基板１００及び第２の基板１０１に可撓性基板を用いて、可撓性の液晶表示装置とすることもできる。
【００４９】
上記線状の光照射領域は、複数の光源を線状に配列させて形成してもよいし、光源より照射された光を光学系で加工して形成してもよい。
【００５０】
また、液晶層において照射する光照射領域の形状は、線状の他、矩形、円形、楕円形などを用いてもよい。また、光はランプ光源からのランプ光、レーザ光源からのレーザ光などを用いることができる。光硬化樹脂の重合反応が生じる波長の光及びエネルギーを適宜選択すればよい。例えば、光硬化樹脂として紫外線（光）硬化樹脂（ＵＶ硬化樹脂）を用いる場合、高分子安定化処理として紫外線（光）を照射すればよい。
【００５１】
また、液晶層１１０の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層１１０の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００５２】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００５３】
液晶層１１０を形成する方法として、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板１００と第２の基板１０１とを貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
【００５４】
液晶層１１０には、ブルー相を示す液晶材料を用いる。ブルー相を示す液晶材料は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【００５５】
ブルー相を示す液晶材料として液晶及びカイラル剤を含む。カイラル剤は、液晶を螺旋構造に配向させ、ブルー相を発現させるために用いる。例えば、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶材料を液晶層に用いればよい。
【００５６】
液晶は、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等を用いる。
【００５７】
カイラル剤は、液晶に対する相溶性が良く、かつ捩れ力の強い材料を用いる。また、Ｒ体、Ｓ体のどちらか片方の材料が良く、Ｒ体とＳ体の割合が５０：５０のラセミ体は使用しない。
【００５８】
上記液晶材料は、条件により、コレステリック相、コレステリックブルー相、スメクチック相、スメクチックブルー相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【００５９】
ブルー相であるコレステリックブルー相及びスメクチックブルー相は、螺旋ピッチが５００ｎｍ以下とピッチの比較的短いコレステリック相またはスメクチック相を有する液晶材料にみられる。液晶材料の配向は二重ねじれ構造を有する。可視光の波長以下の秩序を有しているため、透明であり、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的変調作用が生じる。ブルー相は光学的に等方であるため視野角依存性がなく、配向膜を形成しなくとも良いため、表示画像の質の向上及びコスト削減が可能である。
【００６０】
ブルー相は狭い温度範囲でしか発現が難しく、温度範囲を広く改善するために液晶材料に、光硬化樹脂及び光重合開始剤を添加し、高分子安定化処理を行う。高分子安定化処理は、液晶、カイラル剤、光硬化樹脂、及び光重合開始剤を含む液晶材料に、光硬化樹脂、及び光重合開始剤が反応する波長の光を照射して行う。この高分子安定化処理は、等方相を示す液晶材料に光照射して行っても良いし、温度制御してブルー相を発現した液晶材料に光照射して行ってもよい。
【００６１】
よって、液晶層１１０への光照射処理を、液晶層１１０を加熱手段により加熱しながら行ってもよい。加熱手段としては、ヒータなどの熱源を有するステージに基板を配置して行えばよい。光照射処理と同様に加熱処理も高重合領域１０８のみに選択的に行ってもよい。
【００６２】
光硬化樹脂は、アクリレート、メタクリレートなどの単官能モノマーでもよく、ジアクリレート、トリアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレートなどの多官能モノマーでもよく、これらを混合させたものでもよい。また、液晶性のものでも非液晶性のものでもよく、両者を混合させてもよい。光硬化樹脂は、用いる光重合開始剤の反応する波長の光で重合する樹脂を選択すれば良く、代表的には紫外線硬化樹脂を用いることができる。
【００６３】
光重合開始剤は、光照射によってラジカルを発生させるラジカル重合開始剤でもよく、酸を発生させる酸発生剤でもよく、塩基を発生させる塩基発生剤でもよい。
【００６４】
具体的には、液晶材料として、ＪＣ−１０４１ＸＸ（チッソ株式会社製）と４−シアノ−４’−ペンチルビフェニルの混合物を用いることができ、カイラル剤としては、ＺＬＩ−４５７２（メルク株式会社製）を用いることができ、光硬化樹脂は、２−エチルヘキシルアクリレート、ＲＭ２５７（メルク株式会社製）、トリメチロールプロパントリアクリレートを用いることができ、光重合開始剤としては２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを用いることができる。
【００６５】
また、図１及び図２では図示しないが、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどは適宜設ける。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【００６６】
本明細書において、液晶表示装置は光源の光を透過することによって表示を行う透過型の液晶表示装置（又は半透過型の液晶表示装置）の場合、少なくとも画素領域において光を透過させる必要がある。よって光が透過する画素領域に存在する第１の基板、第２の基板、他絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【００６７】
液晶層に電圧を印加する電極層（画素電極層、共通電極層、対向電極層などという）においては透光性が好ましいが、電極層のパターンによっては金属膜などの非透光性材料を用いてもよい。
【００６８】
電極層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに酸化珪素（ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【００６９】
また、電極層として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００７０】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００７１】
第１の基板１００、第２の基板１０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、並びにプラスチック基板などの可撓性基板を用いることができる。
【００７２】
シール材１０３としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
【００７３】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００７４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１において、マスクを組み合わせて用いる液晶表示装置の作製方法の例を図３及び図４に示す。従って、他は実施の形態１と同様に行うことができ、実施の形態１と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００７５】
図３（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００７６】
第１の基板１００と第２の基板１０１は、シール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着（接着）され、第１の基板１００と第２の基板１０１の間には液晶層１１０が配置されている。液晶層１１０は、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。液晶層１１０において、高重合領域１０８は高分子安定化処理として光硬化樹脂に光照射処理を行った領域（第１の領域）であり、低重合領域１０９（１０９ａ、１０９ｂ）は光照射処理を行わなかった領域（第２の領域）である。
【００７７】
本実施の形態の液晶層１１０は、液晶層１１０の周囲を囲むシール材１０３と接する領域に低重合領域１０９を形成し、液晶層１１０中央に高重合領域１０８を形成する例である。
【００７８】
図４（Ａ１）（Ａ２）乃至（Ｃ１）（Ｃ２）に図３の液晶表示装置の作製方法を示す。図４（Ａ２）乃至（Ｃ２）は液晶表示装置の平面図であり、図４（Ａ１）乃至（Ｃ１）は、図４（Ａ２）乃至（Ｃ２）における線Ｙ−Ｚの断面図である。
【００７９】
第１の基板１００と第２の基板１０１とがシール材１０３（１０３ａ、１０３ｂ）で固着され、第１の基板１００と第２の基板１０１との間に液晶層１１０が配置されている（図４（Ａ１）（Ａ２）参照。）。シール材１０３は液晶層１１０を囲むように形成されている。液晶層１１０はまだ全域において光硬化樹脂の光照射処理前の低重合領域１０２である。
【００８０】
液晶層１１０の低重合領域１０２に高分子安定化処理を行い、光硬化樹脂を選択的に重合させる。高分子安定化処理として照射領域が線状に加工された光照射処理を行う。本実施の形態では、光照射時にマスク１１１を用いる。光１０４を走査し、かつマスク１１１を用いることで、より複雑な形状に処理領域の制御を行うことができる。
【００８１】
マスク１１１は、遮光性の材料を用い、光１０４を反射もしくは吸収し、液晶層へ光１０４が照射されるのを遮断する。本実施の形態では、遮光性のマスク１１１を用いる例を示すが、第２の基板１０１と液晶層１１０との間に遮光層を形成してもよい。この遮光層は薄膜トランジスタを形成する場合、光照射により薄膜トランジスタの特性変動が生じるのを防止する機能もある。
【００８２】
線状に加工された光１０４を矢印１０５の方向に走査しながら液晶層１１０に照射する。液晶層１１０において、光１０４により照射された領域は、高重合領域１０６となる。光照射処理は液晶層１１０において選択的に行われるため、光照射処理の行われていない領域は、低重合領域のままであり、低重合領域１０７となる。
【００８３】
線状に加工された光１０４を、マスク１１１を用いて液晶層１１０に走査しながら照射し高重合領域１０８及び、シール材１０３と接する低重合領域１０９を形成する。以上の工程で、高重合領域１０８及び高重合領域１０８を囲み、シール材１０３と接する低重合領域１０９を有する液晶層１１０を形成する（図４（Ｃ１）（Ｃ２）参照。）。
【００８４】
光１０４を走査し、かつマスク１１１を用いて照射するので、複雑な照射領域の制御が容易にできる。シール材１０３に接する領域を低重合領域１０９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域１０８において安定なブルー相を形成することができる。
【００８５】
また、液晶層１１０の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせ、一定方向に重合を進めるために、液晶層１１０の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【００８６】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【００８７】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【００８８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１又は実施の形態２において、大型の基板に複数の液晶表示装置を作製する例（所謂多面取り）、を図５に示す。従って、他は実施の形態１又は実施の形態２と同様に行うことができ、実施の形態１又は実施の形態２と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【００８９】
大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合、その分断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができる。分断工程による液晶層への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。
【００９０】
図５（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）における線Ｖ１−Ｘ１の断面図、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）における線Ｖ２−Ｘ２の断面図である。
【００９１】
図５（Ａ）において、固着（接着）された第１の基板２００と第２の基板２０１との間には、４つの液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄが挟持され、それぞれシール材２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄで周囲を囲まれて配置されている。液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄは、光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を用いた液晶層である。
【００９２】
図５はマスク２１１を用い、かつ光２０４を走査して複数の液晶層２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄに選択的に高分子安定化処理を行い、高重合領域２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄと低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）、２０７ｂ（２０７ｂ１、２０７ｂ２）、２０７ｃ（２０７ｃ１、２０７ｃ２）、２０７ｄ（図示しないが液晶層２１０ｃと同様に高重合領域２０６ｄとシール材２０３ｄとの間に形成されている）を形成する工程である。
【００９３】
図５（Ｂ）は、光２０４の走査方向である矢印２０５と平行な面における断面である。液晶層２１０ａ、２１０ｃにおいて、マスク２１１（２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ）に遮光されず、光２０４に照射された領域は重合反応が進み、高重合領域２０６ａ、２０６ｃが形成されている。一方、マスク２１１（２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ）に覆われ、光２０４が遮光される、又は光２０４が走査されていない領域は、光照射処理されず、低重合領域２０７ｃ１、２０７ｃ２、２０７ａ１、２０７ａ２が形成されている。液晶層２１０ｃにおいて、高重合領域２０６ｃとシール材２０３ｃ（２０３ｃ１、２０３ｃ２）との間に低重合領域２０７ｃ（２０７ｃ１、２０７ｃ２）が形成され、同様に液晶層２１０ａにおいて、高重合領域２０６ａとシール材２０３ａ（２０３ａ１、２０３ａ２）との間に低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）が形成されている。
【００９４】
図５（Ｃ）は、光２０４の走査方向である矢印２０５と垂直な面における断面図である。液晶層２１０ａ、２１０ｂにおいて、マスク２１１（２１１ｄ、２１１ｅ、２１１ｆ）に遮光されず、光２０４に照射された領域は重合反応が進み、高重合領域２０６ａ、２０６ｂが形成されている。一方、マスク２１１（２１１ｄ、２１１ｅ、２１１ｆ）に覆われ、光２０４が遮光される領域は、光照射処理されず、低重合領域２０７ａ１、２０７ａ２、２０７ｂ１、２０７ｂ２が形成されている。液晶層２１０ａにおいて、高重合領域２０６ａとシール材２０３ａ（２０３ａ１、２０３ａ２）との間に低重合領域２０７ａ（２０７ａ１、２０７ａ２）が形成され、同様に液晶層２１０ｂにおいて、高重合領域２０６ｂとシール材２０３ｂ（２０３ｂ１、２０３ｂ２）との間に低重合領域２０７ｂ（２０７ｂ１，２０７ｂ２）が形成されている。
【００９５】
このように、基板の辺方向に長く形成した線状の光２０４とマスク２１１を組み合わせることで、一度に複数の液晶層を高分子安定化処理できるため、生産性を向上させることができる。また、大型基板であっても光照射手段と基板を相対的に走査して光照射処理を行うので、大型な露光装置などを用いないでよい。
【００９６】
本実施の形態では、図５（Ｃ）に示すように液晶層２１０ａ、２１０ｂにおいて低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１をマスク２１１ｄ、２１１ｆを用いて形成する例を示すが、光２０４の照射領域が低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１まで及ばないように形状を制御して、低重合領域２０７ａ２、２０７ｂ１を形成してもよい。
【００９７】
大型基板の場合、基板がたわんで反ってしまう場合がある。この場合基板を縦置きとして走査すれば均一な光照射処理を行うことができる。
【００９８】
光を走査し、かつマスクを用いて照射するので、複雑な照射領域の制御が容易にできる。シール材に接する領域を低重合領域とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域において安定なブルー相を形成することができる。
【００９９】
また、液晶層の複数の領域において、各領域の光照射処理に時間差をもたせまた、一定方向に重合を進めるために、液晶層の急激な状態変化によるクラックなどの形状不良も軽減することができる。
【０１００】
光照射処理手段及び液晶層を相対的に走査させながら光照射処理を行うため、大型基板の処理にも対応でき、均一で安定なブルー相を形成できる。
【０１０１】
以上のように、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【０１０２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１乃至３において適用することのできる光照射方法の他の例を図６に示す。従って、他は実施の形態１乃至３と同様に行うことができ、実施の形態１乃至３と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程の繰り返しの説明は省略する。
【０１０３】
図６（Ａ）乃至（Ｃ）に液晶層に選択的に光照射処理を行う例を示す。
【０１０４】
図６（Ａ）で示すように、光照射処理は、照射手段を複数設けて、液晶層の片面のみでなく、両面（第１の基板側からも第２の基板側から）から液晶層に照射してもよい。液晶層１１０は、第２の基板１０１側から照射される光１０４ａと、第１の基板１００側から照射される光１０４ｂによって光照射処理される。図６（Ａ）は光１０４ａ及び光１０４ｂは液晶層１１０において同領域を照射する例を示すが、異なる領域を照射してもよく、それぞれマスクを用いてもよい。
【０１０５】
また、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射してもよい。図６（Ｂ）において、光１０４ｃと光１０４ｄとは与えるエネルギーが異なる光であり、光１０４ｄの方が光１０４ｃよりもエネルギーが小さい。光１０４ｄによって照射された領域１１２に対して光１０４ｃを照射し、高重合領域１０６を形成する。重合させる光硬化樹脂を複数種用いる場合、このように照射する光のエネルギーやタイミングを制御すると重合の速度も制御することができ、より均一に安定化処理を行うことが可能となる。
【０１０６】
光照射処理は液晶層表面に対して斜めに照射してもよい。図６（Ｃ）において、液晶層１１０に照射される光１０４ｅは、液晶層１１０表面に対して斜めに入射しているため、照射領域に与えるエネルギーに差を有している。よって図６（Ｂ）と同様に光硬化樹脂の重合の速度を制御することができる。
【０１０７】
以上のように、光照射条件（照射のタイミング、光のエネルギー、照射時間）などを制御することで、より均一に液晶層に高分子安定化を行うことができる。
【０１０８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１０９】
従って、安定したブルー相を示す液晶層を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。また、作製時の歩留まりも向上する。
【０１１０】
（実施の形態５）
本明細書に開示する発明は、パッシブマトリクス型の液晶表示装置でもアクティブマトリクス型の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１１１】
薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０１１２】
液晶表示装置は表示素子として液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。
【０１１３】
また、液晶表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
【０１１４】
なお、本明細書中における液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。
【０１１５】
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図７を用いて説明する。図７（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成された薄膜トランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネルの上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ１）（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０１１６】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、液晶層４００７と共に封止されている。
【０１１７】
また、図７（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図７（Ａ２）は信号線駆動回路の一部を第１の基板４００１上に設けられた薄膜トランジスタで形成する例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されている。
【０１１８】
液晶層４００７において、画素部４００２は高分子安定化処理として光照射処理を行った光硬化樹脂の高重合領域４００８であり、走査線駆動回路４００４、信号線駆動回路４００３ｂは低重合領域４００９である。シール材４００５に接する表示に寄与しない駆動回路上に形成される領域を低重合領域４００９とするので、シール材近傍における光硬化樹脂の重合度の極端な変化を軽減でき、高重合領域４００８において安定なブルー相を形成することができる。
【０１１９】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図７（Ａ１）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図７（Ａ２）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３ａを実装する例である。
【０１２０】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、薄膜トランジスタを複数有しており、図７（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１とを例示している。薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けられている。
【０１２１】
薄膜トランジスタ４０１０、４０１１は、特に限定されず様々な薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態では、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１はｎチャネル型薄膜トランジスタである。
【０１２２】
また、第１の基板４００１上に画素電極層４０３０が設けられ、画素電極層４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１、及び液晶層４００７を含む。なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２、４０３３が設けられている。共通電極層４０３１は第２の基板４００６側に設けられ、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１とは液晶層４００７を介して積層する構成となっている。
【０１２３】
ブルー相を示す液晶層を有する液晶表示装置において、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。このような方式として、本実施の形態では、図７に示すようなＩＰＳモードで用いる電極構成を適用する例である。
【０１２４】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１２５】
また４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層４００７の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。なお、液晶層４００７を用いる液晶表示装置は、液晶層４００７の膜厚（セルギャップ）を４μｍ以上２０μｍ程度とすることが好ましい。
【０１２６】
なお図７は透過型液晶表示装置の例であるが、半透過型液晶表示装置でも適用できる。
【０１２７】
また、図７の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。
【０１２８】
層間膜４０２１は、有彩色の透光性樹脂層であり、カラーフィルタ層として機能する。また、層間膜４０２１の一部を遮光層としてもよい。図７においては、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように遮光層４０３４が第２の基板４００６側に設けられている。遮光層４０３４は、高分子安定化処理である光照射処理において、低重合領域４００９のマスクとして機能する他、さらに液晶表示装置のコントラスト向上や薄膜トランジスタの安定化の効果を高めることができる。
【０１２９】
薄膜トランジスタの保護膜として機能する絶縁層４０２０で覆う構成としてもよいが、特に限定されない。
【０１３０】
なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタ法を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【０１３１】
また、保護膜を形成した後に、半導体層のアニール（３００℃〜４００℃）を行ってもよい。
【０１３２】
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【０１３３】
積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、ＳＯＧ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等を用いることができる。絶縁層を材料液を用いて形成する場合、ベークする工程で同時に、半導体層のアニール（２００℃〜４００℃）を行ってもよい。絶縁層の焼成工程と半導体層のアニールを兼ねることで効率よく液晶表示装置を作製することが可能となる。
【０１３４】
画素電極層４０３０、共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０１３５】
また、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１３６】
また、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
【０１３７】
また別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０１３８】
また、薄膜トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１３９】
図７では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０１４０】
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１４１】
また図７においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０１４２】
図８は、本明細書に開示する液晶表示装置として液晶表示モジュールを構成する一例を示している。
【０１４３】
図８は液晶表示モジュールの一例であり、素子基板２６００と対向基板２６０１がシール材２６０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む素子層２６０３、液晶層を含む表示素子２６０４、カラーフィルタとして機能する着色層２６０５、偏光板２６０６が設けられ表示領域に形成している有彩色の透光性樹脂層である着色層２６０５はカラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。素子基板２６００と対向基板２６０１の外側には偏光板２６０６、偏光板２６０７、拡散板２６１３が配設されている。光源は冷陰極管２６１０と反射板２６１１により構成され、回路基板２６１２は、フレキシブル配線基板２６０９により素子基板２６００の配線回路部２６０８と接続され、コントロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また、光源として、白色のダイオードを用いてもよい。また偏光板と、液晶層との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。
【０１４４】
以上の工程により、液晶表示装置として信頼性の高い液晶表示パネルを作製することができる。
【０１４５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４６】
（実施の形態６）
本明細書で開示する液晶表示装置が有する薄膜トランジスタの半導体層に用いられる半導体材料は特に限定されない。薄膜トランジスタの半導体層に用いることのできる材料の例を説明する。
【０１４７】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう。）半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１４８】
微結晶半導体膜は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られる。
【０１４９】
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１５０】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１５１】
また、半導体の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も用いることができる。
【０１５２】
半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０１５３】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０１５４】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０１５５】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０１５６】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０１５７】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０１５８】
また半導体層に、酸化物半導体を用いてもよい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）なども用いることができる。ＺｎＯを半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、それらの積層などを用い、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いることができる。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを添加することもできる。
【０１５９】
酸化物半導体としてＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。なお、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）及びコバルト（Ｃｏ）から選ばれた一の金属元素又は複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。また、上記酸化物半導体において、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。例えば、酸化物半導体層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜を用いることができる。
【０１６０】
酸化物半導体層（ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜）としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜のかわりに、Ｍを他の金属元素とするＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）膜を用いてもよい。
【０１６１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６２】
（実施の形態７）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０１６３】
図９（Ａ）は、テレビジョン装置９６００の一例を示している。テレビジョン装置９６００は、筐体９６０１に表示部９６０３が組み込まれている。表示部９６０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド９６０５により筐体９６０１を支持した構成を示している。
【０１６４】
テレビジョン装置９６００の操作は、筐体９６０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機９６１０により行うことができる。リモコン操作機９６１０が備える操作キー９６０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部９６０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機９６１０に、当該リモコン操作機９６１０から出力する情報を表示する表示部９６０７を設ける構成としてもよい。
【０１６５】
なお、テレビジョン装置９６００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１６６】
図９（Ｂ）は、デジタルフォトフレーム９７００の一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム９７００は、筐体９７０１に表示部９７０３が組み込まれている。表示部９７０３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
【０１６７】
なお、デジタルフォトフレーム９７００は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部９７０３に表示させることができる。
【０１６８】
また、デジタルフォトフレーム９７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０１６９】
図１０（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９８８１と筐体９８９１の２つの筐体で構成されており、連結部９８９３により、開閉可能に連結されている。筐体９８８１には表示部９８８２が組み込まれ、筐体９８９１には表示部９８８３が組み込まれている。また、図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部９８８４、記録媒体挿入部９８８６、ＬＥＤランプ９８９０、入力手段（操作キー９８８５、接続端子９８８７、センサ９８８８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９８８９）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１０（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１７０】
図１０（Ｂ）は大型遊技機であるスロットマシン９９００の一例を示している。スロットマシン９９００は、筐体９９０１に表示部９９０３が組み込まれている。また、スロットマシン９９００は、その他、スタートレバーやストップスイッチなどの操作手段、コイン投入口、スピーカなどを備えている。もちろん、スロットマシン９９００の構成は上述のものに限定されず、少なくとも本明細書に開示する液晶表示装置を備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
【０１７１】
図１１（Ａ）は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。
【０１７２】
図１１（Ａ）の携帯型のコンピュータは、上部筐体９３０１と下部筐体９３０２とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部９３０３を有する上部筐体９３０１と、キーボード９３０４を有する下部筐体９３０２とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部９３０３を見て入力操作を行うことができる。
【０１７３】
また、下部筐体９３０２はキーボード９３０４の他に入力操作を行うポインティングデバイス９３０６を有する。また、表示部９３０３をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体９３０２はＣＰＵやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体９３０２は他の機器、例えばＵＳＢの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート９３０５を有している。
【０１７４】
上部筐体９３０１には更に上部筐体９３０１内部にスライドさせて収納可能な表示部９３０７を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部９３０７の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部９３０７をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
【０１７５】
表示部９３０３または収納可能な表示部９３０７は、液晶表示パネルなどの映像表示装置を用いる。
【０１７６】
また、図１１（Ａ）の携帯型のコンピュータは、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部または表示部に表示することができる。また、上部筐体９３０１と下部筐体９３０２とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部９３０７をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを開状態として表示部９３０３を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。
【０１７７】
また、図１１（Ｂ）は、腕時計のように使用者の腕に装着可能な形態を有している携帯電話の一例を示す斜視図である。
【０１７８】
この携帯電話は、少なくとも電話機能を有する通信装置及びバッテリーを有する本体、本体を腕に装着するためのバンド部、腕に対するバンド部の固定状態を調節する調節部９２０５、表示部９２０１、スピーカ９２０７、及びマイク９２０８から構成されている。
【０１７９】
また、本体は、操作スイッチ９２０３を有し、電源入力スイッチや、表示切り替えスイッチや、撮像開始指示スイッチの他、例えばスイッチを押すとインタネット用のプログラムが起動されるなど、操作スイッチによって各ファンクションを対応づけることができる。
【０１８０】
この携帯電話の入力操作は、表示部９２０１に指や入力ペンなどで触れること、又は操作スイッチ９２０３の操作、またはマイク９２０８への音声入力により行われる。なお、図１１（Ｂ）では、表示部９２０１に表示された表示ボタン９２０２を図示しており、指などで触れることにより入力を行うことができる。
【０１８１】
また、本体は、撮影レンズを通して結像される被写体像を電子画像信号に変換する撮像手段を有するカメラ部９２０６を有する。なお、特にカメラ部は設けなくともよい。
【０１８２】
また、図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、テレビ放送の受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部９２０１に表示することができ、さらにメモリーなどの記憶装置などを備えた構成として、テレビ放送をメモリーに録画できる。また、図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、ＧＰＳなどの位置情報を収集できる機能を有していてもよい。
【０１８３】
表示部９２０１は、液晶表示パネルなどの映像表示装置を用いる。図１１（Ｂ）に示す携帯電話は、小型、且つ、軽量であるため、バッテリー容量の限られており、表示部９２０１に用いる表示装置は低消費電力で駆動できるパネルを用いることが好ましい。
【０１８４】
なお、図１１（Ｂ）では”腕”に装着するタイプの電子機器を図示したが、特に限定されず、携行できる形状を有しているものであればよい。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、
前記液晶層は第１の領域及び第２の領域を含み、
前記第１の領域は前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、
前記液晶層は第１の領域及び前記シール材と接する第２の領域を含み、
前記第１の領域は前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の領域は画素領域であり、前記第２の領域は駆動回路領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記液晶層は、カイラル剤を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記液晶層は、光重合開始剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、
前記液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記液晶層において前記第１の領域は、前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高く、
前記光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、
前記液晶層を加熱しながら前記液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記液晶層において前記第１の領域は、前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高く、
前記光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記光照射処理時に前記第２の領域は一部マスクで覆うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は前記液晶層表面に対して斜めに照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、前記複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は、前記第１の基板側からも前記第２の基板側からも液晶層に光照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項において、前記光照射処理に用いる光は液晶層の照射領域において線状に加工することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、
前記液晶層は第１の領域及び第２の領域を含み、
前記第１の領域は前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって固着される第１の基板及び第２の基板と、
前記液晶層は第１の領域及び前記シール材と接する第２の領域を含み、
前記第１の領域は前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の領域は画素領域であり、前記第２の領域は駆動回路領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記液晶層は、カイラル剤を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記液晶層は、光重合開始剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、
前記液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記液晶層において前記第１の領域は、前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高く、
前記光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
光硬化樹脂及びブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持してシール材によって第１の基板及び第２の基板を固着し、
前記液晶層を加熱しながら前記液晶層に選択的に光照射処理を行い第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記液晶層において前記第１の領域は、前記第２の領域より前記光硬化樹脂の重合度が高く、
前記光照射処理は液晶層に対して一定の方向で光を走査しながら行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記光照射処理時に前記第２の領域は一部マスクで覆うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は前記液晶層表面に対して斜めに照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は、異なるエネルギーを与える複数の光を用い、前記複数の光のうち液晶層に与えるエネルギーが小さい光から先に液晶層に照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光照射処理は、前記第１の基板側からも前記第２の基板側からも液晶層に光照射することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項において、前記光照射処理に用いる光は液晶層の照射領域において線状に加工することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−２５０３０６（Ｐ２０１０−２５０３０６Ａ）
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６９３８４（Ｐ２０１０−６９３８４）
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月４日（２０１０．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２５日（２０１０．３．２５）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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