磁気シールド体
【課題】大開口を備えることで入室者に対する圧迫感を一層低減することができるものであって、所要の磁気遮蔽性能を得ることができる、磁気シールド体を提供すること。
【解決手段】フレーム１０を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性角筒体２０を備える磁気シールド体１であって、当該磁気シールド体１における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体１における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備える。
【解決手段】フレーム１０を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性角筒体２０を備える磁気シールド体１であって、当該磁気シールド体１における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体１における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁界を遮蔽するための磁気シールド体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁界を遮蔽するため、磁界発生源を覆うことによって、当該磁界発生源にて形成された磁界が外部に漏洩することを防止する磁気シールドルームが提案されている。この磁気シールドルームは、例えば、医療施設で用いられるＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ）装置を設置するための部屋（以下「ＭＲＩ室」）として実用化されている。この磁気シールドルームは、概略的には、壁、天井、及び床の全部又は一部に磁性材料を埋設することで構成されており、これら壁、天井、及び床に到達した磁束を磁性材料を介して迂回させることで、磁界が外部に漏洩することを防止している。
【０００３】
このような磁気シールドルームは、磁界発生源を壁、天井、及び床によって囲繞しているので、この磁気シールドルームの内部空間が密閉され、入室者に圧迫感を与える可能性がある。この点を解消するため、開放型の磁気シールド体を用いて磁気シールドルームを構成することも提案されている（例えば特許文献１参照）。この開放型の磁気シールド体は、複数の筒体を枠体にて支持することで構成されている。この構造によれば、磁気シールドルームの内部と外部とが、筒体の内部空間を介して視覚的に開放されるので、入室者に対する圧迫感を低減することができる。
【０００４】
しかしながら、特許文献１の磁気シールド体は、複数の筒体を相互に線状に接触させていたので、この接触部分に対して応力集中を生じさせる等の問題があった。この点を解消するため、本願発明者等は、複数の筒体を相互に間隔を空けて非接触状に配置して構成された磁気シールド体を提案した（特許文献２参照）。図５４は従来の磁気シールドルームの平面図、図５５は従来の磁気シールド体の斜視図（一部の磁性角筒体を分解斜視図として示す）である。これら図５４、５５において、磁気シールド体１００は、ＭＲＩ室から漏洩する磁気を遮蔽するためのものであって、フレーム１０１に形成された複数の貫通孔１０２に、透磁性を有する複数の角筒状の筒体（磁性体角筒）１０３を装着して構成されている。この構造によれば、磁性体角筒１０３への応力負荷を低減することができると共に、磁気シールド体１００の組立てや解体が容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１３７８１号公報
【特許文献２】特開２００８−１６００２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の磁気シールド体は、所望の磁気シールド性能を維持するため、各磁性体角筒における幅寸法よりも奥行寸法を長くする必要があり、入室者が見る角度によっては、磁性体角筒によって視野が遮られ、入室者に対する圧迫感を十分に低減することができないという問題がある。
【０００７】
この問題を、さらに詳細に示す。図５６は、磁気シールド体１００の解析モデルの縦断面図、図５７は、この解析モデルの立面図であり、ここでは、磁気シールド体１００の対称性を考慮して、１／４領域のみを表している。図５８は、磁気シールド体１００に用いた磁性体角筒１０３の解析モデルの斜視図である。磁場発生源としては、ＭＲＩの電磁石コイル（起磁力＝４００００ＡＴ）を想定し、この磁場発生源から２０００ｍｍ離れた場所に磁気シールド体１００を設置することを想定した。磁性体角筒１０３は、高さ＝幅＝２９６ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝７ｍｍ、隣接する磁性体角筒１０３の相互の間隔＝２ｍｍ、磁性体角筒１０３の比透磁率として、ｘ方向に沿った比透磁率μｘ＝１００００、ｙ方向に沿った比透磁率μｙ＝１００００、ｚ方向に沿った比透磁率μｚ＝１０００とした。漏洩磁場の評価面は、磁気シールド体１００を挟んで磁場発生源と反対側の位置であって、磁気シールド体１００の側面から３００ｍｍの位置に設定した。
【０００８】
このような解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。この結果を図５９に示す。この図５９では、磁気シールド体１００の各領域の漏洩磁束密度が大きくなる程、色が濃くなるものとして表示している（漏洩磁束密度を図示した他の図面においても同じ）。この評価面のうち、ｘ方向及びｙ方向における中央領域（高さ＝幅＝２４００ｍｍの領域）における最大磁束密度は、８．２４Ｅ−５（Ｔ）となった。
【０００９】
次に、他の解析モデルを用いて行った解析の結果について説明する。図６０は、磁気シールド体２００の解析モデルの正面図である。ここでは、磁気シールド体２００の対称性を考慮して、１／４領域のみを表している。この解析モデルでは、入室者に対する圧迫感を一層低減するために、ｘ方向及びｙ方向における中央領域（高さ＝幅＝２４００ｍｍの領域）に大開口の磁性体角筒２０１を設けることを想定した。すなわち、この中央領域に配置される磁性体角筒２０１のみを、高さ＝幅＝２４００ｍｍで構成し、他の領域に配置される磁性体角筒２０２は、図５７の解析モデルと同様に、高さ＝幅＝３００ｍｍとすることを想定した。その他の条件は、図５７の場合と同じとした。
【００１０】
このような解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。この結果を図６１に示す。この評価面の磁束密度分布は、図５７の解析モデルの磁束密度分布とは異なり、中央領域における大開口の磁性体角筒２０１の最大磁束密度は、１２．９１Ｅ−５（Ｔ）となり、図５７の解析モデルの場合より大幅に増加した。これは、高さ及び幅を大幅に大きくした磁性体角筒２０１においては、高さ及び幅を大きくしていない磁性体角筒２０２に比べて、磁気遮蔽性能が大幅に低下したためと考えられる。
【００１１】
これら各解析結果から明らかなように、入室者に対する圧迫感を一層低減するために、単に一部の磁性体角筒を大開口化した場合には、磁性体角筒を大開口化していない場合に比べて磁気遮蔽性能が大幅に低下してしまう。
【００１２】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、大開口を備えることで入室者に対する圧迫感を一層低減することができるものであって、所要の磁気遮蔽性能を得ることができる、磁気シールド体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１に記載の磁気シールド体は、支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える。
【００１４】
請求項２に記載の磁気シールド体は、請求項１に記載の磁気シールド体において、前記複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、前記複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した。
【００１５】
請求項３に記載の磁気シールド体は、請求項２に記載の磁気シールド体において、前記磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、前記一部の磁性筒体の比透磁率のうち、前記ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって前記磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、前記他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した。
【００１６】
請求項４に記載の磁気シールド体は、請求項２又は３に記載の磁気シールド体において、前記印加領域から前記低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された前記磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１７】
請求項５に記載の磁気シールド体は、請求項２から４のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１８】
請求項６に記載の磁気シールド体は、請求項２から５のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域を挟んで、前記印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１９】
請求項７に記載の磁気シールド体は、請求項２から６のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記磁性筒体には、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、前記磁性筒体の前記比透磁率を調整した。
【００２０】
請求項８に記載の磁気シールド体は、請求項１に記載の磁気シールド体において、前記支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された前記複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、前記板状遮蔽体に前記磁気誘導路を設け、前記磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における前記印加領域から、前記筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導する。
【００２１】
請求項９に記載の磁気シールド体は、支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、前記複数の磁性筒体のうち、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で前記大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える。
【００２２】
請求項１０に記載の磁気シールド体は、請求項１から９のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記支持手段を、導電性材料にて形成した。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１に記載の磁気シールド体によれば、磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して低減対象領域以外の領域に誘導でき、低減対象領域に伝わる磁気を低減できるので、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。従って、低減対象領域に大開口を設けた場合であっても、大開口から漏洩する磁気を低減することができ、大開口を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【００２４】
請求項２に記載の磁気シールド体によれば、複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路を形成したので、印加領域と低減対象領域の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体において、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００２５】
請求項３に記載の磁気シールド体によれば、磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、一部の磁性筒体の比透磁率のうち、ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路を形成ので、磁性筒体を磁性角筒体として形成した場合においても、印加領域と低減対象領域の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体において、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００２６】
請求項４に記載の磁気シールド体によれば、印加領域から低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に磁気誘導路を形成したので、印加領域から低減対象領域に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域に誘導される磁気を低減することができる。
【００２７】
請求項５に記載の磁気シールド体によれば、低減対象領域に含まれる磁性筒体のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に磁気誘導路を形成したので、周囲領域からｚ方向に沿って磁気シールド体の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００２８】
請求項６に記載の磁気シールド体によれば、低減対象領域に含まれる磁性筒体のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域を挟んで、印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に磁気誘導路を形成したので、反対領域からｚ方向に沿って磁気シールド体の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００２９】
請求項７に記載の磁気シールド体によれば、磁性筒体に、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、磁性筒体の比透磁率を調整したので、所要の方向（垂直方向、水平方向、及び奥行き方向の３方向の中から任意に選択した一つ以上の方向）の比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、磁性角筒体毎の各方向の比透磁率を容易に調整することができる。特に、切り欠き部を形成することで比透磁率を調整できるので、磁性角筒体の相互の間隔、切り欠き部以外の形状、厚み等を一定にできるので、磁性角筒体の製造や管理の労力の増加を招くことがなく、磁気シールド体の組み立ても容易であり、かつ、磁気シールド体の意匠性も低下させることがない。例えば、ＭＲＩ室の磁気シールド体において、ＭＲＩの入れ替えに伴って磁場の方向や角度が変わった場合であっても、各磁性角筒体の高さ、幅、奥行きが同一であるため、同一の支持手段に対して、切り欠き部のみが異なる磁性角筒体を入れ替えることで対応することができる。
【００３０】
請求項８に記載の磁気シールド体によれば、複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、板状遮蔽体に磁気誘導路を設け、磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における印加領域から、筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導するので、磁気発生源から板状遮蔽体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して、筒状遮蔽体以外の領域に誘導でき、筒状遮蔽体に伝わる磁気を低減できるので、筒状遮蔽体から漏洩する磁気を低減することができる。従って、筒状遮蔽体に大開口を設けた場合であっても、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができる。
【００３１】
請求項９に記載の磁気シールド体によれば、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、印加領域から大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して、大開口磁性筒体以外の領域に誘導でき、大開口磁性筒体に伝わる磁気を低減できるので、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができる。従って、大開口磁性筒体を設けた場合であっても、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができ、大開口磁性筒体を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【００３２】
請求項１０に記載の磁気シールド体によれば、支持手段を、導電性材料にて形成したので、電磁波遮断効果を得ることができると共に、磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る磁気シールド体の立面図である。
【図２】図２は図１の磁性角筒体の要部斜視図である。
【図３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図４】実際の磁性角筒体の斜視図である。
【図５】均質化モデルの斜視図である。
【図６】比透磁率μｘが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図７】図６のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図８】比透磁率μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図９】図８のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１０】比透磁率μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１１】図１１のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１２】比透磁率μｙ、μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１３】図１３のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１４】切り欠き部が形成されていない磁性角筒体に関する図である。
【図１５】切り欠き部が形成された磁性角筒体に関する図である。
【図１６】つなぎ長さＷｙを残さずに全て切った場合の磁性角筒体に関する図である。
【図１７】比透磁率μｘが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１８】図１８のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１９】比透磁率μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２０】図２０のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２１】比透磁率μｘ、μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２２】図２２のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２３】比透磁率μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２４】図２４のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２５】大開口を設けていない磁気シールド体の立面図である。
【図２６】大開口を設けた磁気シールド体の立面図である。
【図２７】図２５、２６の磁気シールド体に共通の縦断面図である。
【図２８】図２５の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図２９】図２６の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図３０】図２５、２６の磁気シールド体を構成する磁性体角筒の斜視図である。
【図３１】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３２】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３３】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３４】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３５】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３６】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３７】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３８】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３９】図２５と同様の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図４０】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４１】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４２】実施の形態２に係る磁気シールド体の立面図である。
【図４３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図４４】磁気シールド体の立面図である。
【図４５】図４４の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図４６】図４４の磁気シールド体を構成する磁性体角筒の斜視図である。
【図４７】均質化モデルの斜視図である。
【図４８】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４９】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図５０】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図５１】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図５２】実施の形態３に係る磁気シールド体の立面図である。
【図５３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図５４】従来の磁気シールドルームの平面図である。
【図５５】従来の磁気シールド体の斜視図である。
【図５６】磁気シールド体の解析モデルの縦断面図である。
【図５７】解析モデルの立面図である。
【図５８】磁気シールド体に用いた磁性体角筒の解析モデルの斜視図である。
【図５９】三次元磁界解析結果を示す図である。
【図６０】磁気シールド体の解析モデルの正面図である。
【図６１】三次元磁界解析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下に添付図面を参照して、本発明の各実施の形態を詳細に説明する。ただし、各実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００３５】
〔実施の形態１〕
最初に、実施の形態１に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、磁気シールド体の中央領域に大開口を形成した形態である。
【００３６】
（構成）
まず、磁気シールド体の基本的な構成について説明する。図１は本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図、図２は図１の磁性角筒体の要部斜視図（一部の磁性角筒体を分解斜視図として示す）である。以下、図１、２のＺ方向の距離を「奥行き」、Ｘ方向の距離を「幅」、Ｙ方向の距離を「高さ」と称する。これら図１、２に示すように、磁気シールド体１は、フレーム１０により、複数の磁性角筒体２０を相互に間隔を空けるように支持して構成されている。
【００３７】
この磁気シールド体１は、磁界発生源（図示せず）の周囲に配置されることで、この磁界発生源にて発生された磁界の全部又は一部が当該磁気シールド体１を介して外部に漏洩することを防止するものである。磁界発生源は任意であり、ＭＲＩ装置、永久磁石、電磁石コイル、超電導磁石を含む。磁気シールドルームは、その壁、天井、又は床に磁気シールド体１を配置することによって構成されるが、これら壁等の全面に磁気シールド体１を配置する構造以外に、これら壁等の一部のみに磁気シールド体１を配置する構造を含む。ただし、特に説明なき部分については、特許文献２と同様に構成することができる。
【００３８】
フレーム１０は、磁性角筒体２０を支持する支持手段で、中空角筒形状に形成されており、上下及び左右に複数並設されている。これら複数のフレーム１０は、別体に形成された後で並設されてもよく、あるいは一体に形成されてもよい。一体に形成する方法としては、例えば、複数の平板材を水平方向及び垂直方向に配置して相互に井桁状に組み合わせることで、各平板材の相互間にフレーム１０を形成することができる。このフレーム１０の内部には、貫通孔１１が形成されており、この貫通孔１１に磁性角筒体２０を収容することができる。
【００３９】
フレーム１０の材料は、磁性体１２よりも十分に磁気抵抗が大きく、かつ、磁性角筒体２０を支持するための所望の強度を有する限りにおいて任意であり、例えば、木材や樹脂を用いることができる。特に、フレーム１０の材料として導電性材料を用いることで、電磁波遮断効果を得ることができ、また、磁気発生源が移動等することで当該磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。このフレーム１０の中心軸に直交する縦断面（図２のＺ−Ｙ平面。以下、単に「縦断面」という場合において同じ）における、当該フレーム１０の縦断面形状は任意であるが、ここでは高さ及び幅が等しい正方形状とされている。
【００４０】
磁性角筒体２０は、フレーム１０の内部に形成された貫通孔１１に配置されるもので、このフレーム１０の内寸とほぼ合致する外寸を持つ中空の角筒形状に形成されている。この磁性角筒体２０は、隣接する磁性角筒体２０との間において、フレーム１０の肉厚に対応する空間を隔てて配置されている。この磁性角筒体２０は、磁性材料により形成される。この磁性材料の具体的種類は任意であるが、例えば珪素鋼板（方向性珪素鋼板、無方向性珪素鋼板）、パーマロイ、電磁鋼板、あるいは、アモルファス板を用いることができる。特に、磁性角筒体２０を珪素鋼板から形成した場合には、パーマロイ等から形成する場合に比べて材料コストが安価であるため、磁性角筒体２０の製造コストを低減することができる。例えば、磁性角筒体２０は、１枚の珪素鋼板を曲げ加工したり、２枚の珪素鋼板を相互に溶接あるいは付き合わせにて接合することで製造される。なお、１枚の珪素鋼板を曲げ加工することにより磁性角筒体２０を形成する場合には、この折り曲げ部分に焼き鈍し処理を施することで磁化特性を初期化することが好ましい。なお、磁性角筒体２０の各側面には、錆び止め等のための塗装を行なってもよい。
【００４１】
ここで、複数の磁性角筒体２０としては、より詳細には、磁性角筒体２０Ａと磁性角筒体２０Ｂが配置されている。磁性角筒体２０Ａは、従来と同様の高さ及び幅にて形成されたものであり、磁性角筒体２０Ｂは、磁性角筒体２０Ａより大きな高さ及び幅で形成された大開口筒体である。ただし、これらを特に区別する必要がない場合には、単に磁性角筒体２０と称する。
【００４２】
ここで、複数の磁性角筒体２０のうち、一部の磁性角筒体２０には、切り欠き部３０〜３２が形成されている。この切り欠き部３０〜３２は、磁性角筒体２０の比透磁率を調整するために形成されたもので、磁性角筒体２０のｘ方向に沿った側部２１、ｙ方向に沿った側部２２、又はｘ方向に沿った側部２１とｙ方向に沿った側部２２から形成される直角状の角部２３のうち、少なくとも一つ（図２では、これら全て）において、スリット状の切り込み部として形成されている。ただし、切り欠き部３０〜３２の形状は、スリット状に限定されず、例えば、丸孔状や楕円孔状等の孔形状としてもよい。この他にも、磁性角筒体２０の側部２１、２２や角部２３の一部分を除外して磁性的な非連続空間を形成できる限りにおいて、任意の形状の切り欠き部３０〜３２を形成することができる。
【００４３】
このように、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０のうち、一部の磁性角筒体２０に切り欠き部３０〜３２を形成し、その比透磁率を調整することで、磁気シールド体１の内部に比透磁率の差異を設けることができ、後述する磁気誘導路４０を形成することができる。すなわち、切り欠き部３０〜３２を形成する領域と、切り欠き部３０〜３２を形成する部分、切り欠き部３０〜３２の幅（切り欠き部３０〜３２がスリット状である場合には、その形成方向に直交する方向の寸法）、及び切り欠き部３０〜３２の長さ（切り欠き部３０〜３２がスリット状である場合には、その切り欠き部３０〜３２の形成方向に沿った方向の寸法）を調整することで、比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、所要の経路に磁気誘導路４０を設けることが可能となる。以下、このように切り欠き部３０〜３２を形成することの意義等について、さらに詳細に説明する。なお、比透磁率は、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の３方向に分解されるため、以下では、ｘ方向の比透磁率をμｘ、ｙ方向の比透磁率をμｙ、ｚ方向の比透磁率をμｚとそれぞれ称する。
【００４４】
（構成−磁気誘導路）
このように構成された磁気シールド体１は、磁気誘導路４０を備えている。図３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体１の対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【００４５】
印加領域Ｅ１とは、磁気シールド体１における領域の中で、磁気発生源からの最も強い磁気が印加される領域である。例えば、印加領域Ｅ１は、磁気発生源から最短距離に位置する領域であるが、最短距離に位置する領域に限定されない。ここでは、図１の磁気シールド体１の上下及び左右の中心領域（図３の最左方の最下方領域）を印加領域Ｅ１としている。
【００４６】
また、低減対象領域Ｅ２とは、磁気シールド体１における領域の中で、外部への磁気漏洩を低減したい領域である。例えば、磁気シールド体１からの漏洩磁気を評価する評価点が、磁気シールド体１を挟んで磁気発生源と反対側に設定されている場合には、この評価点から最短距離に位置する領域である。ここでは、大開口の磁性角筒体２０Ｂに対応する領域を低減対象領域Ｅ２としている。
【００４７】
図３において、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導するために、矢印で示した複数の磁気誘導路４０を設けている。これら複数の磁気誘導路４０の各々は、印加領域Ｅ１から出て、低減対象領域Ｅ２を回避しつつ、他の領域に至る経路となっている。このような磁気誘導路４０を設けることで、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気が、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に誘導され、低減対象領域Ｅ２に至る磁気が低減するので、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気が低減し、評価点における漏洩磁気が低減することになる。
【００４８】
このような磁気誘導路４０の形成位置を特定する方法は、概略的には、各磁気誘導路４０に対応する領域に配置される磁性角筒体２０の比透磁率を大きくすること（磁気抵抗を小さくすること）、あるいは、各磁気誘導路４０に対応する領域以外の領域に配置される磁性角筒体２０の比透磁率を小さくすること（磁気抵抗を大きくすること）である。このような方法により磁気シールド体１の各磁性角筒体２０の比透磁率の相対的な関係が決定されることで、比透磁率が大きくなるように決定された磁性角筒体２０を結んで経路が、磁気誘導路４０となる。
【００４９】
さらに具体的に磁気誘導路４０の形成位置の特定方法を説明すると、以下の第１の方法から第３の方法として表現することができる。これら第１の方法から第３の方法は、相互に独立した方法であり、いずれか一つの方法によって磁気誘導路４０の形成位置を特定すればよい。ただし、これら第１の方法から第３の方法の各々により特定される形成位置は、相互に重複する位置ができることを妨げるものではない。
【００５０】
第１の方法は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の最短領域Ｅ３においては、磁性角筒体２０の比透磁率が、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さく設定されており、このことにより、最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０が形成されている。このように磁気誘導路４０を形成することで、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２に誘導される磁気を低減することができる。なお、第１の方法は、換言すれば、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくすることにより、当該回避領域に磁気誘導路４０を形成する方法であると言える。
【００５１】
また、第２の方法は、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該周囲領域Ｅ４に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の周囲領域Ｅ４においては、磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚが、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚより小さく設定されており、このことにより周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０が形成されている。このように周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０を形成することで、周囲領域Ｅ４からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００５２】
また、第３の方法は、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の反対領域Ｅ５においては、磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚが、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚより大きく設定されており、このことにより、反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０が形成されている。このように磁気誘導路４０を形成することで、反対領域Ｅ５からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００５３】
（磁気誘導路の形成方法−均質化モデル）
次に、このような磁気誘導路４０を形成するための方法について説明する。この方法を説明するに際して、まず、磁性角筒体２０の比透磁率を効率的に導出するための方法について説明する。本実施の形態では、実際の磁性角筒体２０のモデル（以下、実モデル）を均質化手法にて均質化することによって作成された等価的なモデル（以下、均質化モデル）で置き換え、この均質化モデルの比透磁率を算定することにより、実際の磁性角筒体２０の比透磁率を導出する。図４は、実際の磁性角筒体２０の斜視図、図５は、均質化モデルの斜視図である。ここでは、概略的には、実モデルと均質化モデルのそれぞれに対して一様磁界を印加した場合における、これら実モデルと均質化モデルのそれぞれの磁気エネルギーを算定し、これらの磁気エネルギーが相互に一致することを条件として、均質化モデルの比透磁率の算定式を導出する。
【００５４】
図４に示すように、実際の磁性角筒体２０の寸法を、幅＝高さ＝２９６ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍ、厚さ＝３．５ｍｍ、隣接する他の実際の磁性角筒体２０との隙間＝２ｍｍとし、磁界の大きさ＝Ｈ、磁束密度＝Ｂ、比透磁率＝μ、実際の磁性角筒体２０の単位体積当たりの磁気エネルギー＝Ｘとすると、この磁気エネルギーＸは、式（１）で表わされる。
【００５５】
【数１】
【００５６】
ここで、ｘ方向の比透磁率＝μｘを導出すると、実モデルの全磁気エネルギーＸ（real）は、ｘ方向に一様磁界Bｘを印加した磁界解析を行い、得られた磁束分布から、式（２）のように表される。ここで、ｎｅ＝実モデルの要素数、ｉｅ＝要素ｉｅの値、Ｖ＝実モデルの体積である。
【００５７】
【数２】
【００５８】
一方、図５に示す体積Ｖｈの均質化モデルにおける磁気エネルギーＸ（homo）は、式（３）のように表される。
【００５９】
【数３】
【００６０】
ここで、実モデルの全磁気エネルギーＸ（real）と、均質化モデルにおける磁気エネルギーＸ（homo）は、相互に等しいことから、均質化モデルのｘ方向の比透磁率＝μｘについては、以下の式（４）が成り立つ。均質化モデルのｙ方向の比透磁率＝μｙと、均質化モデルのｚ方向の比透磁率＝μｚについても、同様に導出することができる。
【００６１】
【数４】
【００６２】
（磁気誘導路の形成方法−ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法）
次に、ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法について説明する。図６は、比透磁率μｘが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３０を備えて構成されている。この切り欠き部３０は、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｘ方向に沿った２つの側部２１の各々に形成されたもので、ｘ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６３】
このように切り欠き部３０を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図６に示す実モデルの寸法は、幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚さ＝７ｍｍ、隣接する他の実際の磁性角筒体２０との隙間＝２ｍｍとし、切り欠き部３０の間隙＝５ｍｍとした。また、切り欠き部３０を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率を、μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００とした。そして、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、切り欠き部３０を形成した側部２１において、切り欠き部３０に沿った方向の幅であって、切り欠き部３０の延長線上において切り欠き部３０が形成されることなく残った部分の幅（側部２１の全長から切り欠き部３０の長さを引いた長さ。以下、つなぎ長さ）をＷｘとし、このつなぎ長さＷｘを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００６４】
この算定結果を、図７に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｘが小さくなる程（切り欠き部３０の長さが大きくなる程）、μｘが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｘに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｘ方向に沿った側部２１に、ｘ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３０を形成することにより、ｘ方向の比透磁率＝μｘのみを調整することができ、切り欠き部３０の長さを変えることでμｘを所望の値に調整できる。さらに、この図７の結果から分かるように、つなぎ長さＷｘと比透磁率μｘは単なる比例関係ではなく、つなぎ長さＷｘが短くなるに伴って（切り欠き部３０が長くなるに伴って）、比透磁率μｘは２次曲線状に低下する。このような関係は、例えば、切り欠き部３０を形成する個所数や幅と、比透磁率μｘとの関係にも当てはまる。すなわち、個所数に関して、図６では、切り欠き部３０を、ｘ方向に沿った２つの側部２１の各々に形成しているが、このように２つの側部２１の各々に形成した場合の比透磁率μｘは、一方の側部２１のみに形成した場合の比透磁率μｘに比べて、単純に半分にはならず、２〜３割の低減となる。また、幅に関して、図６では、切り欠き部３０の幅＝５ｍｍとしているが、この幅を倍にしても、比透磁率μｘは単純に半分にはならず、２次曲線状に低下する。ただし、切り欠き部３０の総体積（切り欠き部３０の長さ×幅×厚み）が一定であれば、切り欠き部３０の長さを長くなるように変化させた場合に比べて、切り欠き部３０の幅を太くなるように変化させた方が、比透磁率μｘが滑らかに（小さい変化分で）低減されることが確認されており、後者の方が比透磁率μｘを微妙に変化させることができる点で好ましい。なお、これら個所数や幅に関する傾向は、ｙ方向やｚ方向に関しても同様である。
【００６５】
（磁気誘導路の形成方法−ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法）
次に、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法について説明する。図８は、比透磁率μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３１を備えて構成されている。この切り欠き部３１は、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｙ方向に沿った２つの側部２２の各々に形成されたもので、ｙ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６６】
このように切り欠き部３１を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図８に示す実モデルの寸法、切り欠き部３１を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率、及び比透磁率μｘ、μｙ、μｚの算定条件は、図６に示す実モデルと同じであり、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、つなぎ長さＷｙを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００６７】
この算定結果を、図９に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｙが小さくなる程（切り欠き部３１の長さが大きくなる程）、μｙが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｙに関わらず、μｘ、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｙ方向に沿った側部２２に、ｙ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３１を形成することにより、ｙ方向の比透磁率＝μｙのみを調整することができ、切り欠き部３１の長さを変えることでμｙを所望の値に調整できる。
【００６８】
（磁気誘導路の形成方法−ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整方法）
次に、ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整方法について説明する。図１０は、比透磁率μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３２を備えて構成されている。この切り欠き部３２は、磁性角筒体２０の４つの角部２３の各々に形成されたもので、ｚ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６９】
このように切り欠き部３２を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図１０に示す実モデルの寸法、切り欠き部３２を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率、及び比透磁率μｘ、μｙ、μｚの算定条件は、図６に示す実モデルと同じであり、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、つなぎ長さＷｚを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００７０】
この算定結果を、図１１に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｚが小さくなる程（切り欠き部３２の長さが大きくなる程）、μｚが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｚに関わらず、μｘ、μｙは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の角部２３に、ｚ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３２を形成することにより、ｚ方向の比透磁率＝μｚのみを調整することができ、切り欠き部３２の長さを変えることでμｚを所望の値に調整できる。
【００７１】
（磁気誘導路の形成方法−複数方向の比透磁率の調整方法）
次に、複数方向の比透磁率を同時に調整する方法について説明する。図１２は、比透磁率μｙ、μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、図８、１０にそれぞれ示したものと同じ切り欠き部３１、３２を備えて構成されている。
【００７２】
このように切り欠き部３１、３２を形成した場合の比透磁率の変化を、上記比透磁率μｙ、μｚをそれぞれ個別的に調整した場合と同様の方法で算定した。
【００７３】
この算定結果を、図１３に示す。この結果から分かるように、切り欠き部３１と切り欠き部３２を同時に形成した場合においても、比透磁率μｙの特性については、切り欠き部３１のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｚの特性については、切り欠き部３２のみを形成した場合と同じであり、つなぎ長さＷｙは、μｘ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｚは、μｘ、μｙに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０に切り欠き部３１と切り欠き部３２を同時に形成した場合には、ｙ方向の比透磁率＝μｙとｚ方向の比透磁率＝μｚのみを調整することができ、切り欠き部３１、３２の長さを変えることでμｙ、μｚを所望の値に調整できる。
【００７４】
また、結果の図示は省略するが、図６、８、１０にそれぞれ示したものと同じ切り欠き部３０〜３２を同時に形成した場合においても、同様の結果が確認された。すなわち、この場合においても、比透磁率μｘの特性については、切り欠き部３０のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｙの特性については、切り欠き部３１のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｚの特性については、切り欠き部３２のみを形成した場合と同じであり、つなぎ長さＷｘは、μｙ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｙは、μｘ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｚは、μｘ、μｙに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０に切り欠き部３０〜３２を同時に形成した場合には、ｘ方向の比透磁率＝μｘ、ｙ方向の比透磁率＝μｙ、及びｚ方向の比透磁率＝μｚを調整することができ、切り欠き部３０〜３２の長さを変えることでμｘ、μｙ、μｚを所望の値に調整できる。
【００７５】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の原理）
以上のように切り欠き部３０〜３２を形成することにより、比透磁率を調整することができる原理を説明する。一例として、ｙ方向に沿った２つの側部２２の各々において、ｙ方向に直交する方向に沿って形成された切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０の内部における磁束の流れについて説明する。図１４〜１６は、切り欠き部３１の形成状態が異なる複数の磁性角筒体２０と、これら複数の磁性角筒体２０の各々内部における磁束の流れを模式的に示した図であり、図１４は、切り欠き部３１が形成されていない磁性角筒体２０に関する図、図１５は、切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０に関する図、図１６は、つなぎ長さＷｙを残さずに全て切った場合の磁性角筒体２０に関する図である。ここでは、図示下方から上方に向かう磁束が入射した状態を想定する。
【００７６】
図１４（ａ）に示すように、切り欠き部３１が形成されていない磁性角筒体２０においては、図１４（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２の全域を伝って流れる。これに対して、図１５（ａ）に示すように、切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０においては、図１５（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２のうち、空気があり磁気抵抗が高い切り欠き部３１には流れず、磁気抵抗の低い磁性体部分（切り欠き部以外の部分）のみを伝って流れる。さらに、図１６（ａ）に示すように、全て切った磁性角筒体２０においては、図１６（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２のうち、磁気抵抗の低い磁性体部分（切り欠き部３１以外の部分）がないため、空気があり磁気抵抗が高い切り欠き部３１を介して減衰して流れる。これらのことから、切り欠き部３０〜３２の幅が広い程、また、切り欠き部３０〜３２の長さが長い程、磁束が流れにくくなり、磁気抵抗が高くなるため、比透磁率を低減できることが判る。換言すれば、比透磁率の所望の低減量に合致した幅及び長さで、特定方向及び特定箇所に切り欠き部３０〜３２を形成することで、所望の方向の比透磁率を所望の低減量だけ低減できることが判る。
【００７７】
（磁性角筒体の比透磁率調整方法）
次に、このような磁性角筒体２０の比透磁率調整方法について説明する。磁性角筒体２０は、例えば、従来と同様の方法により、磁性材料の板状体を折り曲げて形成する（準備工程）。そして、この折り曲げ前の段階において、あるいは、折り曲げ後の段階において、板状体や磁性角筒体２０の側部２１、２２や角部２３にカッターを押し当てることで、スリット状の切り欠き部（切り込み部）３０〜３２を入れる（切り欠き部形成工程）。ただし、切り欠き部３０〜３２の形成は、この他の方法で行うこともでき、例えば、磁性角筒体２０を鋳造で形成する場合には、切り欠き部３０〜３２も鋳造時に形成することができる。あるいは、磁性材料の板状体を折り曲げる前の段階や、磁性角筒体２０を形成した後の段階で、打ち抜き加工を施すことで、切り欠き部３０〜３２を形成してもよい。また、切り欠き部３０〜３２の形成後に焼鈍を行うことで、切り欠き時に生じた歪みによる磁気特性の劣化を改善し、磁性角筒体２０の各部の比透磁率を均質化することが好ましい。
【００７８】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の変形例１）
次に、比透磁率調整の変形例１について説明する。ｘ方向の比透磁率＝μｘと、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整は、切り欠き部を形成する以外にも、磁性角筒体２０の相互間の間隔を調整することで行うことができる。
【００７９】
まず、ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法について説明する。図１７は比透磁率μｘが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｘ方向の比透磁率μｘを、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）により調整する。なお、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔は一定値（ここでは２ｍｍ）に固定とする。図１７に示す実モデルでは、磁性角筒体２０の幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝７ｍｍとし、比透磁率μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００としている。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｘを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８０】
この算定結果を、図１８に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｘが大きくなる程、μｘが小さくなることが確認された。また、ギャップ寸法Ｇｘに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔を変えることでμｘを所望の値に調整できる。
【００８１】
次に、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法について説明する。図１９は比透磁率μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｙ方向の比透磁率μｙを、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）により調整する。なお、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔は一定値（ここでは２ｍｍ）に固定とする。その他の条件は、図１７と同じである。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｙを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８２】
この算定結果を、図２０に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｙが大きくなる程、μｙが小さくなることが確認された。また、ギャップ寸法Ｇｙに関わらず、μｘ、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔を変えることでμｙを所望の値に調整できる。
【００８３】
次に、複数方向の比透磁率を同時に調整する方法について説明する。図２１は、比透磁率μｘ、μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｘ方向の比透磁率μｘを、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）により調整すると同時に、ｙ方向の比透磁率μｙを、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）により調整する。その他の条件は、図１７と同じである。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｘ、Ｇｙを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８４】
この算定結果を、図２２に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを同時に大きくした場合においても、比透磁率μｘの特性については、ギャップ寸法Ｇｘのみを大きくした場合と同じであり、比透磁率μｙの特性については、ギャップ寸法Ｇｙのみを大きくした場合と同じであり、ギャップ寸法Ｇｘは、μｙ、μｚに影響を与えず、ギャップ寸法Ｇｙは、μｘ、μｚに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０のギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを同時に大きくした場合には、ｘ方向の比透磁率＝μｘとｙ方向の比透磁率＝μｙのみを調整することができ、ギャップ寸法Ｇｘ、Ｇｙを変えることでμｘ、μｙを所望の値に調整できる。
【００８５】
なお、このようにギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを調整するための具体的構造としては、例えば、各フレーム１０の厚みを変えたり、各フレーム１０と磁性角筒体２０の間に非磁性材料を挟んだ構造を採用することができる。
【００８６】
このような変形例２に係る方法によれば、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０の相互間におけるギャップ寸法を調整することで、ｘ方向及びｙ方向に所望の程度の比透磁率を持った磁気シールド体１を構成することができ、磁気シールド体１の特定領域に誘導させる磁気を低減し、磁気シールド体１の特定領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００８７】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の変形例２）
次に、比透磁率調整の変形例２について説明する。ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整は、切り欠き部を形成する以外にも、磁性角筒体２０の厚みを調整することで行うことができる。
【００８８】
図２３は比透磁率μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｚ方向の比透磁率μｚを、磁性角筒体２０の厚みにより調整する。図２３に示す実モデルでは、磁性角筒体２０の幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝ｔｍｍとし、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）＝ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）＝２ｍｍ、比透磁率μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００としている。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、厚みｔを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８９】
この算定結果を、図２４に示す。この結果から分かるように、厚みｔが大きくなる程、μｚが大きくなることが確認された。また、厚みｔに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の厚みｔを変えることでμｚを所望の値に調整できる。
【００９０】
なお、磁性角筒体２０の厚みｔを調整するための具体的構造としては、例えば、磁性角筒体２０を形成する際に、厚みｔが異なる磁性板材を用いて磁性角筒体２０を形成する際、鋳造時に厚みｔを変えたり、標準的な厚みｔの磁性角筒体２０を形成した後にその側面や内面に磁性体を貼付等する構造を採用することができる。
【００９１】
この変形例２に係る方法によれば、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０の厚みを調整することで、ｚ方向に所望の程度の比透磁率を持った磁気シールド体１を構成することができ、磁気シールド体１の特定領域に誘導させる磁気を低減し、磁気シールド体１の特定領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００９２】
（磁気シールド体における磁気誘導路の効果）
次に、磁気シールド体１に対して磁気誘導路４０を形成することの効果を、三次元磁気解析により検証した結果について説明する。ここでは、大開口を設けていない磁気シールド体１と、入室者の圧迫感を低減するために大開口を設けた磁気シールド体１について、それぞれ解析モデルを作成し、この解析モデルを用いて、磁気発生源から発生する磁気を印加した場合の評価面における漏洩磁束密度を、磁気誘導路４０を形成しない場合（磁性体角筒の比透磁率を最適化しない場合）と、磁気誘導路４０を形成した場合（磁性体角筒の比透磁率を最適化した場合）とについて、それぞれ求めた。
【００９３】
図２５は、大開口を設けていない磁気シールド体１の立面図、図２６は、大開口を設けた磁気シールド体１の立面図、図２７は、これらの磁気シールド体１に共通の縦断面図である。これら磁気シールド体１は、対称性を考慮して１／４領域のみを示している。図２５の磁気シールド体１は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性角筒体２０のみで構成されており、図２６の磁気シールド体１は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性角筒体２０Ａに加えて、高さ＝幅＝２４００ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍの大開口の磁性体角筒２０Ｂを用いて構成されている。ここでは、図２７に示すように、磁気発生源（４００００ＡＴの起磁力の電磁石コイル）から２３００ｍｍ隔てて磁気シールド体１が配置されており、磁気シールド体１を挟んで磁気発生源と反対側に３００ｍｍ離れた位置に評価面を設定している。
【００９４】
図２８は、図２５の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図、図２９は、図２６の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図である。これら解析モデルは、対称性を考慮して１／４領域モデルとして作成されている。ここでは、低減対象領域Ｅ２として、評価面における各領域の中で、図２５の大開口の磁性体角筒２０Ａに対応する領域を設定した。
【００９５】
また、磁性体角筒２０の３方向の比透磁率μｘ、μｙ、μｚは、上述した均質化手法により導出している。図３０は、図２５、２６の磁気シールド体１を構成する磁性体角筒（実モデル）の斜視図である。
【００９６】
具体的には、均質化モデル（図５と同様）を用いて均質化手法により導出した３方向の比透磁率を、図２８、２９の解析モデルの各磁性体角筒２０の各方向の比透磁率における初期値に設定する。そして、この各部の比透磁率を最大値として、低減対象領域Ｅ２における漏洩磁束密度が小さくなるように、各磁性体角筒の比透磁率を最適化（最小化）する反復解析を行った。
【００９７】
図２８の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図３１、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図３２に、それぞれ示す。これら図３１、３２から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約５Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約８Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【００９８】
さらに、図３３には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図３４には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図３３、３４では、磁束分布の大きさを矢印の長さ、磁束分布の向きを矢印の向きにより表示している（以下、磁束分布の大きさと向きを示す図において同じ）。これら図３３、３４から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体１に入射した磁束が、低減対象領域Ｅ２を避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、低減対象領域Ｅ２に流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【００９９】
また、図２９の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図３５、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図３６に、それぞれ示す。これら図３５、３６から明らかなように、大開口を形成した場合であっても、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約７Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約１３Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【０１００】
さらに、図３７には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図３８には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図３７、３８から明らかなように、大開口を形成した場合であっても、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体１に入射した磁束が、大開口の磁性角筒体２０Ｂを避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、大開口の磁性角筒体２０Ｂに流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【０１０１】
また、大開口を設けていない磁気シールド体１における印加領域Ｅ１の漏洩磁気についても解析を行った。図３９は、図２５と同様の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図であり、高さ＝幅＝１２００ｍｍの印加領域Ｅ１を低減対象領域Ｅ２として設定した状態を示す図である。この解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図４０、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図４１に、それぞれ示す。これら図４０、４１から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の印加領域Ｅ１における最大漏洩磁束密度（約１４Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の印加領域Ｅ１における最大漏洩磁束密度（約２４Ｅ−５（Ｔ））に比べて、約４割程度小さくなっている。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、印加領域Ｅ１の最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【０１０２】
（実施の形態１の効果）
このように実施の形態１によれば、磁気シールド体１における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域Ｅ１から、磁気シールド体１における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域Ｅ２以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して低減対象領域Ｅ２以外の領域に誘導でき、低減対象領域Ｅ２に伝わる磁気を低減できるので、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。従って、低減対象領域Ｅ２に大開口を設けた場合であっても、大開口から漏洩する磁気を低減することができ、大開口を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【０１０３】
また、複数の磁性角筒体２０の中の一部の磁性角筒体２０の比透磁率であって、当該磁性角筒体２０の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性角筒体２０の中の他の磁性角筒体２０における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成したので、印加領域Ｅ１と低減対象領域Ｅ２の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体１において、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０４】
また、一部の磁性角筒体２０の比透磁率のうち、ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって磁性角筒体２０の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成ので、磁性角筒体２０を磁性角筒体２０として形成した場合においても、印加領域Ｅ１と低減対象領域Ｅ２の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体１において、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０５】
また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０を形成したので、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２に誘導される磁気を低減することができる。
【０１０６】
また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０を形成したので、周囲領域Ｅ４からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０７】
また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０を形成したので、反対領域Ｅ５からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０８】
また、磁性角筒体２０に、当該磁性角筒体２０の側面２１、２２又は角部２３に形成された切り欠き部３０〜３２であって、当該切り欠き部３０〜３２に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部３０〜３２がない同一形状の磁性角筒体２０における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部３０〜３２であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部３０〜３２を設けることにより、磁性角筒体２０の比透磁率を調整したので、所要の方向（垂直方向、水平方向、及び奥行き方向の３方向の中から任意に選択した一つ以上の方向）の比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、磁性角筒体２０毎の各方向の比透磁率を容易に調整することができる。特に、切り欠き部３０〜３２を形成することで比透磁率を調整できるので、磁性角筒体２０の相互の間隔、切り欠き部３０〜３２以外の形状、厚み等を一定にできるので、磁性角筒体２０の製造や管理の労力の増加を招くことがなく、磁気シールド体の組み立ても容易であり、かつ、磁気シールド体１の意匠性も低下させることがない。
【０１０９】
また、一部の磁性角筒体２０を、他の磁性角筒体２０より大きな開口を有する大開口磁性角筒体２０Ｂとして形成し、印加領域Ｅ１から大開口磁性角筒体２０Ｂ以外の領域に、磁気を誘導することにより、大開口磁性角筒体２０Ｂから外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して、大開口磁性角筒体２０Ｂ以外の領域に誘導でき、大開口磁性角筒体２０Ｂに伝わる磁気を低減できるので、大開口磁性角筒体２０Ｂから漏洩する磁気を低減することができる。従って、大開口磁性角筒体２０Ｂを設けた場合であっても、大開口磁性角筒体２０Ｂから漏洩する磁気を低減することができ、大開口磁性角筒体２０Ｂを設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【０１１０】
また、フレーム１０を、導電性材料にて形成したので、電磁波遮断効果を得ることができると共に、磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。
【０１１１】
〔実施の形態２〕
次に、実施の形態２に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、大開口を連続的に形成した形態である。ただし、特に説明なき構成については、実施の形態１の構成と同じであり、実施の形態１と同じ構成については、必要に応じて実施の形態１で使用したものと同じ符号を用いて、その説明を省略する。
【０１１２】
（構成）
図４２は、本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図である。この磁気シールド体２は、大開口化された磁性角筒体２０Ｂを幅方向（ｘ方向）に沿って連続的に並設して構成されている。
【０１１３】
（構成−磁気誘導路４０）
このように構成された磁気シールド体２は、磁気誘導路４０を備えている。図４３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体２の対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【０１１４】
ここでも、上記第１から第３の方法により、磁気誘導路４０の形成位置を特定している。すなわち、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくしている。また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくしている。また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚに対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率μｘ、μｙを小さくしている。さらに、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚに対して、に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくしている。
【０１１５】
（磁気シールド体における磁気誘導路の効果）
次に、磁気シールド体２に対して磁気誘導路４０を形成することの効果を、三次元磁気解析により検証した結果について説明する。図４４は、磁気シールド体２の立面図である。この磁気シールド体２は、対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気シールド体２は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性体角筒に加えて、高さ＝幅＝６００ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍの大開口の磁性体角筒を用いて構成されている。その他の条件は、図２７と同じである。
【０１１６】
図４５は、図４４の磁気シールド体２の解析モデルの斜視図である。この解析モデルは、対称性を考慮して１／４領域モデルとして作成されている。ここでは、低減対象領域Ｅ２として、評価面における各領域の中で、図４４の大開口の磁性体角筒２０Ｂに対応する領域を設定した。
【０１１７】
また、磁性体角筒２０の３方向の比透磁率μｘ、μｙ、μｚは、上述した均質化手法により導出している。図４６は、図４４の磁気シールド体２を構成する磁性体角筒２０（実モデル）の斜視図、図４７は、均質化モデルの斜視図である。
【０１１８】
具体的には、図４７の均質化モデルを用いて均質化手法により導出した３方向の比透磁率を、図４５の解析モデルの各磁性体角筒２０の各方向の比透磁率における初期値に設定する。そして、この各部の比透磁率を最大値として、低減対象領域Ｅ２における漏洩磁束密度が小さくなるように、各磁性体角筒２０の比透磁率を最適化（最小化）する反復解析を行った。
【０１１９】
図４７の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図４８、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図４９に、それぞれ示す。これら図４８、４９から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約６Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約１１Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【０１２０】
さらに、図５０には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図５１には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図５０、５１から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体２に入射した磁束が、低減対象領域Ｅ２を避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、低減対象領域Ｅ２に流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。なお、図５１からは、低減対象領域Ｅ２にも一部の磁束が低減対象領域Ｅ２に流れているようにも見えるが、ここでは、低減対象領域Ｅ２における磁性体角筒２０のｚ方向の比透磁率を小さくしているので、低減対象領域Ｅ２に流れた磁束が、ｚ方向に流れることなく、さらに反対領域Ｅ５（低減対象領域Ｅ２より上方の領域）に向かって流れており、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減できることが確認された。
【０１２１】
（実施の形態２の効果）
このように実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。特に、大開口化された磁性角筒体２０を幅方向に沿って連続的に並設して磁気シールド体２を構成しているので、実施の形態１の磁気シールド体１よりもさらに圧迫感を低減した磁気シールド体２を提供することができる。
【０１２２】
〔実施の形態３〕
次に、実施の形態３に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置した形態である。ただし、特に説明なき構成については、実施の形態１の構成と同じであり、実施の形態１と同じ構成については、必要に応じて実施の形態１で使用したものと同じ符号を用いて、その説明を省略する。
【０１２３】
（構成）
図５２は、本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図である。この磁気シールド体３は、フレーム１０を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性角筒体２０により構成される筒状遮蔽体５０と、磁性板状体５１により構成された板状遮蔽体５２とを、相互に接するように配置して構成されている。筒状遮蔽体５０については、実施の形態１の磁気シールド体１と同様に構成できるので、その基本的な説明を省略する。板状遮蔽体５２とは、ｘ方向を長手方向とする横長状の方向性ケイ素鋼板を複数並設して構成されている。これら複数の方向性ケイ素鋼板は、相互に溶接等にて接続されている。なお、意匠性を高めるために、この複数の方向性ケイ素鋼板の外側に、化粧板を固定してもよい。
【０１２４】
（構成−磁気誘導路）
このように構成された磁気シールド体３は、磁気誘導路４０を備えている。図５３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体３の対称性を考慮して１／２領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【０１２５】
ここでも、上記第１から第３の方法により、磁気誘導路４０の形成位置を特定している。すなわち、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくしている。また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくしている。また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を小さくしている。ただし、この磁気シールド体３においては、減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５が存在しないため、反対領域Ｅ５に関する比透磁率の設定は省略されている。
【０１２６】
ただし、本実施の形態における磁気誘導路４０は、実施の形態１、２とは異なり、板状遮蔽体５２に形成されている。具体的には、磁気誘導路４０は、方向性ケイ素鋼板を使用することで形成されている。すなわち、方向性ケイ素鋼板は、圧延条件と熱処理条件を調整することで結晶粒の軸方向を揃えて形成されたものであり、特定方向に大きな比透磁率を有する。そして、この比透磁率が大きい方向がｘ方向に沿うように、方向性ケイ素鋼板を配置することで、磁気誘導路４０を形成している。このような構成によれば、磁気発生源から板状遮蔽体５２に入射した磁気が、ｘ方向に沿って誘導されるので、板状遮蔽体５２から筒状遮蔽体５０に伝わる磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減できる。
【０１２７】
（実施の形態３の効果）
このように実施の形態３によれば、複数の磁性角筒体２０により構成される筒状遮蔽体５０と、磁性板状体５１により構成された板状遮蔽体５２とを、相互に接するように配置して構成され、板状遮蔽体５２に磁気誘導路４０を設け、磁気誘導路４０により、当該板状遮蔽体５２における印加領域Ｅ１から、筒状遮蔽体５０以外の領域に、磁気を誘導するので、磁気発生源から板状遮蔽体５２に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して、筒状遮蔽体５０以外の領域に誘導でき、筒状遮蔽体５０に伝わる磁気を低減できるので、筒状遮蔽体５０から漏洩する磁気を低減することができる。従って、筒状遮蔽体５０に大開口を設けた場合であっても、大開口磁性角筒体２０から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１２８】
〔III〕各実施の形態に対する変形例
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明の具体的な構成及び手段は、特許請求の範囲に記載した各発明の技術的思想の範囲内において、任意に改変及び改良することができる。以下、このような変形例について説明する。
【０１２９】
（解決しようとする課題や発明の効果について）
また、発明が解決しようとする課題や発明の効果は、前記した内容に限定されるものではなく、本発明によって、前記に記載されていない課題を解決したり、前記に記載されていない効果を奏することもでき、また、記載されている課題の一部のみを解決したり、記載されている効果の一部のみを奏することがある。
【０１３０】
（形状や数値について）
上記各実施の形態で示した形状や数値は例示であり、各寸法値は任意に変更することができる。例えば、磁気シールド体を構成するための磁性筒体としては、四角筒状の磁性角筒体２０に代えて、特許文献１に記載されているような円筒状の磁性円筒体を使用してもよい。この場合、複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成すればよい。同様に、磁性筒体を角筒状とする場合であっても、三角筒状や六角筒状、様々な形状の磁性角筒体２０を使用することもできる。
【０１３１】
（各実施の形態の相互の関係について）
各実施の形態で説明した構成は相互に組み合わせてもよい。例えば、実施の形態３のように筒状遮蔽体５０と板状遮蔽体５２とから構成された磁気シールド体において、板状遮蔽体５２には実施の形態３で説明したように磁気誘導路４０を形成すると共に、筒状遮蔽体５０には実施の形態１、２のように磁気誘導路４０を形成してもよい。また、筒状遮蔽体５０に磁気誘導路４０を形成する場合、実施の形態１のように一部の磁性角筒体２０に切り欠き部を設けることに加えて、実施の形態１の変形例１のように一部の磁性角筒体２０の相互の間隔を変えたり、実施の形態１の変形例２のように一部の磁性角筒体２０の厚みを変えることを組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１３２】
１、２、３ 磁気シールド体
１０ フレーム
１１ 貫通孔
２０、２０Ａ、２０Ｂ 磁性角筒体
２１、２２ 側部
２３ 角部
３０〜３２ 切り欠き部
４０ 磁気誘導路
５０ 筒状遮蔽体
５１ 磁性板状体
５２ 板状遮蔽体
Ｅ１ 印加領域
Ｅ２ 低減対象領域
Ｅ３ 最短領域
Ｅ４ 周囲領域
Ｅ５ 反対領域
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁界を遮蔽するための磁気シールド体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁界を遮蔽するため、磁界発生源を覆うことによって、当該磁界発生源にて形成された磁界が外部に漏洩することを防止する磁気シールドルームが提案されている。この磁気シールドルームは、例えば、医療施設で用いられるＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ）装置を設置するための部屋（以下「ＭＲＩ室」）として実用化されている。この磁気シールドルームは、概略的には、壁、天井、及び床の全部又は一部に磁性材料を埋設することで構成されており、これら壁、天井、及び床に到達した磁束を磁性材料を介して迂回させることで、磁界が外部に漏洩することを防止している。
【０００３】
このような磁気シールドルームは、磁界発生源を壁、天井、及び床によって囲繞しているので、この磁気シールドルームの内部空間が密閉され、入室者に圧迫感を与える可能性がある。この点を解消するため、開放型の磁気シールド体を用いて磁気シールドルームを構成することも提案されている（例えば特許文献１参照）。この開放型の磁気シールド体は、複数の筒体を枠体にて支持することで構成されている。この構造によれば、磁気シールドルームの内部と外部とが、筒体の内部空間を介して視覚的に開放されるので、入室者に対する圧迫感を低減することができる。
【０００４】
しかしながら、特許文献１の磁気シールド体は、複数の筒体を相互に線状に接触させていたので、この接触部分に対して応力集中を生じさせる等の問題があった。この点を解消するため、本願発明者等は、複数の筒体を相互に間隔を空けて非接触状に配置して構成された磁気シールド体を提案した（特許文献２参照）。図５４は従来の磁気シールドルームの平面図、図５５は従来の磁気シールド体の斜視図（一部の磁性角筒体を分解斜視図として示す）である。これら図５４、５５において、磁気シールド体１００は、ＭＲＩ室から漏洩する磁気を遮蔽するためのものであって、フレーム１０１に形成された複数の貫通孔１０２に、透磁性を有する複数の角筒状の筒体（磁性体角筒）１０３を装着して構成されている。この構造によれば、磁性体角筒１０３への応力負荷を低減することができると共に、磁気シールド体１００の組立てや解体が容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１３７８１号公報
【特許文献２】特開２００８−１６００２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の磁気シールド体は、所望の磁気シールド性能を維持するため、各磁性体角筒における幅寸法よりも奥行寸法を長くする必要があり、入室者が見る角度によっては、磁性体角筒によって視野が遮られ、入室者に対する圧迫感を十分に低減することができないという問題がある。
【０００７】
この問題を、さらに詳細に示す。図５６は、磁気シールド体１００の解析モデルの縦断面図、図５７は、この解析モデルの立面図であり、ここでは、磁気シールド体１００の対称性を考慮して、１／４領域のみを表している。図５８は、磁気シールド体１００に用いた磁性体角筒１０３の解析モデルの斜視図である。磁場発生源としては、ＭＲＩの電磁石コイル（起磁力＝４００００ＡＴ）を想定し、この磁場発生源から２０００ｍｍ離れた場所に磁気シールド体１００を設置することを想定した。磁性体角筒１０３は、高さ＝幅＝２９６ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝７ｍｍ、隣接する磁性体角筒１０３の相互の間隔＝２ｍｍ、磁性体角筒１０３の比透磁率として、ｘ方向に沿った比透磁率μｘ＝１００００、ｙ方向に沿った比透磁率μｙ＝１００００、ｚ方向に沿った比透磁率μｚ＝１０００とした。漏洩磁場の評価面は、磁気シールド体１００を挟んで磁場発生源と反対側の位置であって、磁気シールド体１００の側面から３００ｍｍの位置に設定した。
【０００８】
このような解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。この結果を図５９に示す。この図５９では、磁気シールド体１００の各領域の漏洩磁束密度が大きくなる程、色が濃くなるものとして表示している（漏洩磁束密度を図示した他の図面においても同じ）。この評価面のうち、ｘ方向及びｙ方向における中央領域（高さ＝幅＝２４００ｍｍの領域）における最大磁束密度は、８．２４Ｅ−５（Ｔ）となった。
【０００９】
次に、他の解析モデルを用いて行った解析の結果について説明する。図６０は、磁気シールド体２００の解析モデルの正面図である。ここでは、磁気シールド体２００の対称性を考慮して、１／４領域のみを表している。この解析モデルでは、入室者に対する圧迫感を一層低減するために、ｘ方向及びｙ方向における中央領域（高さ＝幅＝２４００ｍｍの領域）に大開口の磁性体角筒２０１を設けることを想定した。すなわち、この中央領域に配置される磁性体角筒２０１のみを、高さ＝幅＝２４００ｍｍで構成し、他の領域に配置される磁性体角筒２０２は、図５７の解析モデルと同様に、高さ＝幅＝３００ｍｍとすることを想定した。その他の条件は、図５７の場合と同じとした。
【００１０】
このような解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。この結果を図６１に示す。この評価面の磁束密度分布は、図５７の解析モデルの磁束密度分布とは異なり、中央領域における大開口の磁性体角筒２０１の最大磁束密度は、１２．９１Ｅ−５（Ｔ）となり、図５７の解析モデルの場合より大幅に増加した。これは、高さ及び幅を大幅に大きくした磁性体角筒２０１においては、高さ及び幅を大きくしていない磁性体角筒２０２に比べて、磁気遮蔽性能が大幅に低下したためと考えられる。
【００１１】
これら各解析結果から明らかなように、入室者に対する圧迫感を一層低減するために、単に一部の磁性体角筒を大開口化した場合には、磁性体角筒を大開口化していない場合に比べて磁気遮蔽性能が大幅に低下してしまう。
【００１２】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、大開口を備えることで入室者に対する圧迫感を一層低減することができるものであって、所要の磁気遮蔽性能を得ることができる、磁気シールド体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１に記載の磁気シールド体は、支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える。
【００１４】
請求項２に記載の磁気シールド体は、請求項１に記載の磁気シールド体において、前記複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、前記複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した。
【００１５】
請求項３に記載の磁気シールド体は、請求項２に記載の磁気シールド体において、前記磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、前記一部の磁性筒体の比透磁率のうち、前記ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって前記磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、前記他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した。
【００１６】
請求項４に記載の磁気シールド体は、請求項２又は３に記載の磁気シールド体において、前記印加領域から前記低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された前記磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１７】
請求項５に記載の磁気シールド体は、請求項２から４のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１８】
請求項６に記載の磁気シールド体は、請求項２から５のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域を挟んで、前記印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に前記磁気誘導路を形成した。
【００１９】
請求項７に記載の磁気シールド体は、請求項２から６のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記磁性筒体には、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、前記磁性筒体の前記比透磁率を調整した。
【００２０】
請求項８に記載の磁気シールド体は、請求項１に記載の磁気シールド体において、前記支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された前記複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、前記板状遮蔽体に前記磁気誘導路を設け、前記磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における前記印加領域から、前記筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導する。
【００２１】
請求項９に記載の磁気シールド体は、支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、前記複数の磁性筒体のうち、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で前記大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える。
【００２２】
請求項１０に記載の磁気シールド体は、請求項１から９のいずれか一項に記載の磁気シールド体において、前記支持手段を、導電性材料にて形成した。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１に記載の磁気シールド体によれば、磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して低減対象領域以外の領域に誘導でき、低減対象領域に伝わる磁気を低減できるので、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。従って、低減対象領域に大開口を設けた場合であっても、大開口から漏洩する磁気を低減することができ、大開口を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【００２４】
請求項２に記載の磁気シールド体によれば、複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路を形成したので、印加領域と低減対象領域の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体において、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００２５】
請求項３に記載の磁気シールド体によれば、磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、一部の磁性筒体の比透磁率のうち、ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路を形成ので、磁性筒体を磁性角筒体として形成した場合においても、印加領域と低減対象領域の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体において、低減対象領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００２６】
請求項４に記載の磁気シールド体によれば、印加領域から低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に磁気誘導路を形成したので、印加領域から低減対象領域に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域に誘導される磁気を低減することができる。
【００２７】
請求項５に記載の磁気シールド体によれば、低減対象領域に含まれる磁性筒体のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に磁気誘導路を形成したので、周囲領域からｚ方向に沿って磁気シールド体の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００２８】
請求項６に記載の磁気シールド体によれば、低減対象領域に含まれる磁性筒体のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域を挟んで、印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に磁気誘導路を形成したので、反対領域からｚ方向に沿って磁気シールド体の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００２９】
請求項７に記載の磁気シールド体によれば、磁性筒体に、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、磁性筒体の比透磁率を調整したので、所要の方向（垂直方向、水平方向、及び奥行き方向の３方向の中から任意に選択した一つ以上の方向）の比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、磁性角筒体毎の各方向の比透磁率を容易に調整することができる。特に、切り欠き部を形成することで比透磁率を調整できるので、磁性角筒体の相互の間隔、切り欠き部以外の形状、厚み等を一定にできるので、磁性角筒体の製造や管理の労力の増加を招くことがなく、磁気シールド体の組み立ても容易であり、かつ、磁気シールド体の意匠性も低下させることがない。例えば、ＭＲＩ室の磁気シールド体において、ＭＲＩの入れ替えに伴って磁場の方向や角度が変わった場合であっても、各磁性角筒体の高さ、幅、奥行きが同一であるため、同一の支持手段に対して、切り欠き部のみが異なる磁性角筒体を入れ替えることで対応することができる。
【００３０】
請求項８に記載の磁気シールド体によれば、複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、板状遮蔽体に磁気誘導路を設け、磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における印加領域から、筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導するので、磁気発生源から板状遮蔽体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して、筒状遮蔽体以外の領域に誘導でき、筒状遮蔽体に伝わる磁気を低減できるので、筒状遮蔽体から漏洩する磁気を低減することができる。従って、筒状遮蔽体に大開口を設けた場合であっても、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができる。
【００３１】
請求項９に記載の磁気シールド体によれば、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、印加領域から大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体に入射した磁気を、磁気誘導路を介して、大開口磁性筒体以外の領域に誘導でき、大開口磁性筒体に伝わる磁気を低減できるので、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができる。従って、大開口磁性筒体を設けた場合であっても、大開口磁性筒体から漏洩する磁気を低減することができ、大開口磁性筒体を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【００３２】
請求項１０に記載の磁気シールド体によれば、支持手段を、導電性材料にて形成したので、電磁波遮断効果を得ることができると共に、磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る磁気シールド体の立面図である。
【図２】図２は図１の磁性角筒体の要部斜視図である。
【図３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図４】実際の磁性角筒体の斜視図である。
【図５】均質化モデルの斜視図である。
【図６】比透磁率μｘが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図７】図６のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図８】比透磁率μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図９】図８のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１０】比透磁率μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１１】図１１のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１２】比透磁率μｙ、μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１３】図１３のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１４】切り欠き部が形成されていない磁性角筒体に関する図である。
【図１５】切り欠き部が形成された磁性角筒体に関する図である。
【図１６】つなぎ長さＷｙを残さずに全て切った場合の磁性角筒体に関する図である。
【図１７】比透磁率μｘが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図１８】図１８のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図１９】比透磁率μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２０】図２０のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２１】比透磁率μｘ、μｙが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２２】図２２のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２３】比透磁率μｚが調整された磁性角筒体の斜視図である。
【図２４】図２４のモデルに対する算定結果を示す図である。
【図２５】大開口を設けていない磁気シールド体の立面図である。
【図２６】大開口を設けた磁気シールド体の立面図である。
【図２７】図２５、２６の磁気シールド体に共通の縦断面図である。
【図２８】図２５の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図２９】図２６の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図３０】図２５、２６の磁気シールド体を構成する磁性体角筒の斜視図である。
【図３１】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３２】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３３】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３４】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３５】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３６】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図３７】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３８】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図３９】図２５と同様の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図４０】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４１】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４２】実施の形態２に係る磁気シールド体の立面図である。
【図４３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図４４】磁気シールド体の立面図である。
【図４５】図４４の磁気シールド体の解析モデルの斜視図である。
【図４６】図４４の磁気シールド体を構成する磁性体角筒の斜視図である。
【図４７】均質化モデルの斜視図である。
【図４８】磁気誘導路を形成しない場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図４９】磁気誘導路を形成した場合の三次元磁界解析結果を示す図である。
【図５０】磁気誘導路を形成しない場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図５１】磁気誘導路を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを示す図である。
【図５２】実施の形態３に係る磁気シールド体の立面図である。
【図５３】磁気誘導路を概念的に説明するための説明図である。
【図５４】従来の磁気シールドルームの平面図である。
【図５５】従来の磁気シールド体の斜視図である。
【図５６】磁気シールド体の解析モデルの縦断面図である。
【図５７】解析モデルの立面図である。
【図５８】磁気シールド体に用いた磁性体角筒の解析モデルの斜視図である。
【図５９】三次元磁界解析結果を示す図である。
【図６０】磁気シールド体の解析モデルの正面図である。
【図６１】三次元磁界解析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下に添付図面を参照して、本発明の各実施の形態を詳細に説明する。ただし、各実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００３５】
〔実施の形態１〕
最初に、実施の形態１に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、磁気シールド体の中央領域に大開口を形成した形態である。
【００３６】
（構成）
まず、磁気シールド体の基本的な構成について説明する。図１は本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図、図２は図１の磁性角筒体の要部斜視図（一部の磁性角筒体を分解斜視図として示す）である。以下、図１、２のＺ方向の距離を「奥行き」、Ｘ方向の距離を「幅」、Ｙ方向の距離を「高さ」と称する。これら図１、２に示すように、磁気シールド体１は、フレーム１０により、複数の磁性角筒体２０を相互に間隔を空けるように支持して構成されている。
【００３７】
この磁気シールド体１は、磁界発生源（図示せず）の周囲に配置されることで、この磁界発生源にて発生された磁界の全部又は一部が当該磁気シールド体１を介して外部に漏洩することを防止するものである。磁界発生源は任意であり、ＭＲＩ装置、永久磁石、電磁石コイル、超電導磁石を含む。磁気シールドルームは、その壁、天井、又は床に磁気シールド体１を配置することによって構成されるが、これら壁等の全面に磁気シールド体１を配置する構造以外に、これら壁等の一部のみに磁気シールド体１を配置する構造を含む。ただし、特に説明なき部分については、特許文献２と同様に構成することができる。
【００３８】
フレーム１０は、磁性角筒体２０を支持する支持手段で、中空角筒形状に形成されており、上下及び左右に複数並設されている。これら複数のフレーム１０は、別体に形成された後で並設されてもよく、あるいは一体に形成されてもよい。一体に形成する方法としては、例えば、複数の平板材を水平方向及び垂直方向に配置して相互に井桁状に組み合わせることで、各平板材の相互間にフレーム１０を形成することができる。このフレーム１０の内部には、貫通孔１１が形成されており、この貫通孔１１に磁性角筒体２０を収容することができる。
【００３９】
フレーム１０の材料は、磁性体１２よりも十分に磁気抵抗が大きく、かつ、磁性角筒体２０を支持するための所望の強度を有する限りにおいて任意であり、例えば、木材や樹脂を用いることができる。特に、フレーム１０の材料として導電性材料を用いることで、電磁波遮断効果を得ることができ、また、磁気発生源が移動等することで当該磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。このフレーム１０の中心軸に直交する縦断面（図２のＺ−Ｙ平面。以下、単に「縦断面」という場合において同じ）における、当該フレーム１０の縦断面形状は任意であるが、ここでは高さ及び幅が等しい正方形状とされている。
【００４０】
磁性角筒体２０は、フレーム１０の内部に形成された貫通孔１１に配置されるもので、このフレーム１０の内寸とほぼ合致する外寸を持つ中空の角筒形状に形成されている。この磁性角筒体２０は、隣接する磁性角筒体２０との間において、フレーム１０の肉厚に対応する空間を隔てて配置されている。この磁性角筒体２０は、磁性材料により形成される。この磁性材料の具体的種類は任意であるが、例えば珪素鋼板（方向性珪素鋼板、無方向性珪素鋼板）、パーマロイ、電磁鋼板、あるいは、アモルファス板を用いることができる。特に、磁性角筒体２０を珪素鋼板から形成した場合には、パーマロイ等から形成する場合に比べて材料コストが安価であるため、磁性角筒体２０の製造コストを低減することができる。例えば、磁性角筒体２０は、１枚の珪素鋼板を曲げ加工したり、２枚の珪素鋼板を相互に溶接あるいは付き合わせにて接合することで製造される。なお、１枚の珪素鋼板を曲げ加工することにより磁性角筒体２０を形成する場合には、この折り曲げ部分に焼き鈍し処理を施することで磁化特性を初期化することが好ましい。なお、磁性角筒体２０の各側面には、錆び止め等のための塗装を行なってもよい。
【００４１】
ここで、複数の磁性角筒体２０としては、より詳細には、磁性角筒体２０Ａと磁性角筒体２０Ｂが配置されている。磁性角筒体２０Ａは、従来と同様の高さ及び幅にて形成されたものであり、磁性角筒体２０Ｂは、磁性角筒体２０Ａより大きな高さ及び幅で形成された大開口筒体である。ただし、これらを特に区別する必要がない場合には、単に磁性角筒体２０と称する。
【００４２】
ここで、複数の磁性角筒体２０のうち、一部の磁性角筒体２０には、切り欠き部３０〜３２が形成されている。この切り欠き部３０〜３２は、磁性角筒体２０の比透磁率を調整するために形成されたもので、磁性角筒体２０のｘ方向に沿った側部２１、ｙ方向に沿った側部２２、又はｘ方向に沿った側部２１とｙ方向に沿った側部２２から形成される直角状の角部２３のうち、少なくとも一つ（図２では、これら全て）において、スリット状の切り込み部として形成されている。ただし、切り欠き部３０〜３２の形状は、スリット状に限定されず、例えば、丸孔状や楕円孔状等の孔形状としてもよい。この他にも、磁性角筒体２０の側部２１、２２や角部２３の一部分を除外して磁性的な非連続空間を形成できる限りにおいて、任意の形状の切り欠き部３０〜３２を形成することができる。
【００４３】
このように、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０のうち、一部の磁性角筒体２０に切り欠き部３０〜３２を形成し、その比透磁率を調整することで、磁気シールド体１の内部に比透磁率の差異を設けることができ、後述する磁気誘導路４０を形成することができる。すなわち、切り欠き部３０〜３２を形成する領域と、切り欠き部３０〜３２を形成する部分、切り欠き部３０〜３２の幅（切り欠き部３０〜３２がスリット状である場合には、その形成方向に直交する方向の寸法）、及び切り欠き部３０〜３２の長さ（切り欠き部３０〜３２がスリット状である場合には、その切り欠き部３０〜３２の形成方向に沿った方向の寸法）を調整することで、比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、所要の経路に磁気誘導路４０を設けることが可能となる。以下、このように切り欠き部３０〜３２を形成することの意義等について、さらに詳細に説明する。なお、比透磁率は、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の３方向に分解されるため、以下では、ｘ方向の比透磁率をμｘ、ｙ方向の比透磁率をμｙ、ｚ方向の比透磁率をμｚとそれぞれ称する。
【００４４】
（構成−磁気誘導路）
このように構成された磁気シールド体１は、磁気誘導路４０を備えている。図３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体１の対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【００４５】
印加領域Ｅ１とは、磁気シールド体１における領域の中で、磁気発生源からの最も強い磁気が印加される領域である。例えば、印加領域Ｅ１は、磁気発生源から最短距離に位置する領域であるが、最短距離に位置する領域に限定されない。ここでは、図１の磁気シールド体１の上下及び左右の中心領域（図３の最左方の最下方領域）を印加領域Ｅ１としている。
【００４６】
また、低減対象領域Ｅ２とは、磁気シールド体１における領域の中で、外部への磁気漏洩を低減したい領域である。例えば、磁気シールド体１からの漏洩磁気を評価する評価点が、磁気シールド体１を挟んで磁気発生源と反対側に設定されている場合には、この評価点から最短距離に位置する領域である。ここでは、大開口の磁性角筒体２０Ｂに対応する領域を低減対象領域Ｅ２としている。
【００４７】
図３において、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導するために、矢印で示した複数の磁気誘導路４０を設けている。これら複数の磁気誘導路４０の各々は、印加領域Ｅ１から出て、低減対象領域Ｅ２を回避しつつ、他の領域に至る経路となっている。このような磁気誘導路４０を設けることで、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気が、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に誘導され、低減対象領域Ｅ２に至る磁気が低減するので、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気が低減し、評価点における漏洩磁気が低減することになる。
【００４８】
このような磁気誘導路４０の形成位置を特定する方法は、概略的には、各磁気誘導路４０に対応する領域に配置される磁性角筒体２０の比透磁率を大きくすること（磁気抵抗を小さくすること）、あるいは、各磁気誘導路４０に対応する領域以外の領域に配置される磁性角筒体２０の比透磁率を小さくすること（磁気抵抗を大きくすること）である。このような方法により磁気シールド体１の各磁性角筒体２０の比透磁率の相対的な関係が決定されることで、比透磁率が大きくなるように決定された磁性角筒体２０を結んで経路が、磁気誘導路４０となる。
【００４９】
さらに具体的に磁気誘導路４０の形成位置の特定方法を説明すると、以下の第１の方法から第３の方法として表現することができる。これら第１の方法から第３の方法は、相互に独立した方法であり、いずれか一つの方法によって磁気誘導路４０の形成位置を特定すればよい。ただし、これら第１の方法から第３の方法の各々により特定される形成位置は、相互に重複する位置ができることを妨げるものではない。
【００５０】
第１の方法は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の最短領域Ｅ３においては、磁性角筒体２０の比透磁率が、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さく設定されており、このことにより、最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０が形成されている。このように磁気誘導路４０を形成することで、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２に誘導される磁気を低減することができる。なお、第１の方法は、換言すれば、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくすることにより、当該回避領域に磁気誘導路４０を形成する方法であると言える。
【００５１】
また、第２の方法は、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該周囲領域Ｅ４に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の周囲領域Ｅ４においては、磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚが、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚより小さく設定されており、このことにより周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０が形成されている。このように周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０を形成することで、周囲領域Ｅ４からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００５２】
また、第３の方法は、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０を形成する方法である。すなわち、図３の反対領域Ｅ５においては、磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚが、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚより大きく設定されており、このことにより、反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０が形成されている。このように磁気誘導路４０を形成することで、反対領域Ｅ５からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【００５３】
（磁気誘導路の形成方法−均質化モデル）
次に、このような磁気誘導路４０を形成するための方法について説明する。この方法を説明するに際して、まず、磁性角筒体２０の比透磁率を効率的に導出するための方法について説明する。本実施の形態では、実際の磁性角筒体２０のモデル（以下、実モデル）を均質化手法にて均質化することによって作成された等価的なモデル（以下、均質化モデル）で置き換え、この均質化モデルの比透磁率を算定することにより、実際の磁性角筒体２０の比透磁率を導出する。図４は、実際の磁性角筒体２０の斜視図、図５は、均質化モデルの斜視図である。ここでは、概略的には、実モデルと均質化モデルのそれぞれに対して一様磁界を印加した場合における、これら実モデルと均質化モデルのそれぞれの磁気エネルギーを算定し、これらの磁気エネルギーが相互に一致することを条件として、均質化モデルの比透磁率の算定式を導出する。
【００５４】
図４に示すように、実際の磁性角筒体２０の寸法を、幅＝高さ＝２９６ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍ、厚さ＝３．５ｍｍ、隣接する他の実際の磁性角筒体２０との隙間＝２ｍｍとし、磁界の大きさ＝Ｈ、磁束密度＝Ｂ、比透磁率＝μ、実際の磁性角筒体２０の単位体積当たりの磁気エネルギー＝Ｘとすると、この磁気エネルギーＸは、式（１）で表わされる。
【００５５】
【数１】
【００５６】
ここで、ｘ方向の比透磁率＝μｘを導出すると、実モデルの全磁気エネルギーＸ（real）は、ｘ方向に一様磁界Bｘを印加した磁界解析を行い、得られた磁束分布から、式（２）のように表される。ここで、ｎｅ＝実モデルの要素数、ｉｅ＝要素ｉｅの値、Ｖ＝実モデルの体積である。
【００５７】
【数２】
【００５８】
一方、図５に示す体積Ｖｈの均質化モデルにおける磁気エネルギーＸ（homo）は、式（３）のように表される。
【００５９】
【数３】
【００６０】
ここで、実モデルの全磁気エネルギーＸ（real）と、均質化モデルにおける磁気エネルギーＸ（homo）は、相互に等しいことから、均質化モデルのｘ方向の比透磁率＝μｘについては、以下の式（４）が成り立つ。均質化モデルのｙ方向の比透磁率＝μｙと、均質化モデルのｚ方向の比透磁率＝μｚについても、同様に導出することができる。
【００６１】
【数４】
【００６２】
（磁気誘導路の形成方法−ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法）
次に、ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法について説明する。図６は、比透磁率μｘが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３０を備えて構成されている。この切り欠き部３０は、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｘ方向に沿った２つの側部２１の各々に形成されたもので、ｘ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６３】
このように切り欠き部３０を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図６に示す実モデルの寸法は、幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚さ＝７ｍｍ、隣接する他の実際の磁性角筒体２０との隙間＝２ｍｍとし、切り欠き部３０の間隙＝５ｍｍとした。また、切り欠き部３０を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率を、μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００とした。そして、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、切り欠き部３０を形成した側部２１において、切り欠き部３０に沿った方向の幅であって、切り欠き部３０の延長線上において切り欠き部３０が形成されることなく残った部分の幅（側部２１の全長から切り欠き部３０の長さを引いた長さ。以下、つなぎ長さ）をＷｘとし、このつなぎ長さＷｘを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００６４】
この算定結果を、図７に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｘが小さくなる程（切り欠き部３０の長さが大きくなる程）、μｘが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｘに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｘ方向に沿った側部２１に、ｘ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３０を形成することにより、ｘ方向の比透磁率＝μｘのみを調整することができ、切り欠き部３０の長さを変えることでμｘを所望の値に調整できる。さらに、この図７の結果から分かるように、つなぎ長さＷｘと比透磁率μｘは単なる比例関係ではなく、つなぎ長さＷｘが短くなるに伴って（切り欠き部３０が長くなるに伴って）、比透磁率μｘは２次曲線状に低下する。このような関係は、例えば、切り欠き部３０を形成する個所数や幅と、比透磁率μｘとの関係にも当てはまる。すなわち、個所数に関して、図６では、切り欠き部３０を、ｘ方向に沿った２つの側部２１の各々に形成しているが、このように２つの側部２１の各々に形成した場合の比透磁率μｘは、一方の側部２１のみに形成した場合の比透磁率μｘに比べて、単純に半分にはならず、２〜３割の低減となる。また、幅に関して、図６では、切り欠き部３０の幅＝５ｍｍとしているが、この幅を倍にしても、比透磁率μｘは単純に半分にはならず、２次曲線状に低下する。ただし、切り欠き部３０の総体積（切り欠き部３０の長さ×幅×厚み）が一定であれば、切り欠き部３０の長さを長くなるように変化させた場合に比べて、切り欠き部３０の幅を太くなるように変化させた方が、比透磁率μｘが滑らかに（小さい変化分で）低減されることが確認されており、後者の方が比透磁率μｘを微妙に変化させることができる点で好ましい。なお、これら個所数や幅に関する傾向は、ｙ方向やｚ方向に関しても同様である。
【００６５】
（磁気誘導路の形成方法−ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法）
次に、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法について説明する。図８は、比透磁率μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３１を備えて構成されている。この切り欠き部３１は、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｙ方向に沿った２つの側部２２の各々に形成されたもので、ｙ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６６】
このように切り欠き部３１を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図８に示す実モデルの寸法、切り欠き部３１を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率、及び比透磁率μｘ、μｙ、μｚの算定条件は、図６に示す実モデルと同じであり、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、つなぎ長さＷｙを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００６７】
この算定結果を、図９に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｙが小さくなる程（切り欠き部３１の長さが大きくなる程）、μｙが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｙに関わらず、μｘ、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の側部２１、２２の中で、ｙ方向に沿った側部２２に、ｙ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３１を形成することにより、ｙ方向の比透磁率＝μｙのみを調整することができ、切り欠き部３１の長さを変えることでμｙを所望の値に調整できる。
【００６８】
（磁気誘導路の形成方法−ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整方法）
次に、ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整方法について説明する。図１０は、比透磁率μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、切り欠き部３２を備えて構成されている。この切り欠き部３２は、磁性角筒体２０の４つの角部２３の各々に形成されたもので、ｚ方向に直交する方向に沿って形成されている。
【００６９】
このように切り欠き部３２を形成した場合の比透磁率の変化を、上述した均質化モデルを用いて算定した。図１０に示す実モデルの寸法、切り欠き部３２を形成する前の磁性角筒体２０の比透磁率、及び比透磁率μｘ、μｙ、μｚの算定条件は、図６に示す実モデルと同じであり、この実モデルを均質化した均質化モデル（図５と同様）について、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。ここでは、つなぎ長さＷｚを変化させた場合における、比透磁率μｘ、μｙ、μｚを算定した。
【００７０】
この算定結果を、図１１に示す。この結果から分かるように、つなぎ長さＷｚが小さくなる程（切り欠き部３２の長さが大きくなる程）、μｚが小さくなることが確認された。また、つなぎ長さＷｚに関わらず、μｘ、μｙは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の角部２３に、ｚ方向に直交する方向に沿って切り欠き部３２を形成することにより、ｚ方向の比透磁率＝μｚのみを調整することができ、切り欠き部３２の長さを変えることでμｚを所望の値に調整できる。
【００７１】
（磁気誘導路の形成方法−複数方向の比透磁率の調整方法）
次に、複数方向の比透磁率を同時に調整する方法について説明する。図１２は、比透磁率μｙ、μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。この磁性角筒体２０は、図８、１０にそれぞれ示したものと同じ切り欠き部３１、３２を備えて構成されている。
【００７２】
このように切り欠き部３１、３２を形成した場合の比透磁率の変化を、上記比透磁率μｙ、μｚをそれぞれ個別的に調整した場合と同様の方法で算定した。
【００７３】
この算定結果を、図１３に示す。この結果から分かるように、切り欠き部３１と切り欠き部３２を同時に形成した場合においても、比透磁率μｙの特性については、切り欠き部３１のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｚの特性については、切り欠き部３２のみを形成した場合と同じであり、つなぎ長さＷｙは、μｘ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｚは、μｘ、μｙに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０に切り欠き部３１と切り欠き部３２を同時に形成した場合には、ｙ方向の比透磁率＝μｙとｚ方向の比透磁率＝μｚのみを調整することができ、切り欠き部３１、３２の長さを変えることでμｙ、μｚを所望の値に調整できる。
【００７４】
また、結果の図示は省略するが、図６、８、１０にそれぞれ示したものと同じ切り欠き部３０〜３２を同時に形成した場合においても、同様の結果が確認された。すなわち、この場合においても、比透磁率μｘの特性については、切り欠き部３０のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｙの特性については、切り欠き部３１のみを形成した場合と同じであり、比透磁率μｚの特性については、切り欠き部３２のみを形成した場合と同じであり、つなぎ長さＷｘは、μｙ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｙは、μｘ、μｚに影響を与えず、つなぎ長さＷｚは、μｘ、μｙに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０に切り欠き部３０〜３２を同時に形成した場合には、ｘ方向の比透磁率＝μｘ、ｙ方向の比透磁率＝μｙ、及びｚ方向の比透磁率＝μｚを調整することができ、切り欠き部３０〜３２の長さを変えることでμｘ、μｙ、μｚを所望の値に調整できる。
【００７５】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の原理）
以上のように切り欠き部３０〜３２を形成することにより、比透磁率を調整することができる原理を説明する。一例として、ｙ方向に沿った２つの側部２２の各々において、ｙ方向に直交する方向に沿って形成された切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０の内部における磁束の流れについて説明する。図１４〜１６は、切り欠き部３１の形成状態が異なる複数の磁性角筒体２０と、これら複数の磁性角筒体２０の各々内部における磁束の流れを模式的に示した図であり、図１４は、切り欠き部３１が形成されていない磁性角筒体２０に関する図、図１５は、切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０に関する図、図１６は、つなぎ長さＷｙを残さずに全て切った場合の磁性角筒体２０に関する図である。ここでは、図示下方から上方に向かう磁束が入射した状態を想定する。
【００７６】
図１４（ａ）に示すように、切り欠き部３１が形成されていない磁性角筒体２０においては、図１４（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２の全域を伝って流れる。これに対して、図１５（ａ）に示すように、切り欠き部３１が形成された磁性角筒体２０においては、図１５（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２のうち、空気があり磁気抵抗が高い切り欠き部３１には流れず、磁気抵抗の低い磁性体部分（切り欠き部以外の部分）のみを伝って流れる。さらに、図１６（ａ）に示すように、全て切った磁性角筒体２０においては、図１６（ｂ）に示すように、磁束は、ｙ方向に沿った側部２２のうち、磁気抵抗の低い磁性体部分（切り欠き部３１以外の部分）がないため、空気があり磁気抵抗が高い切り欠き部３１を介して減衰して流れる。これらのことから、切り欠き部３０〜３２の幅が広い程、また、切り欠き部３０〜３２の長さが長い程、磁束が流れにくくなり、磁気抵抗が高くなるため、比透磁率を低減できることが判る。換言すれば、比透磁率の所望の低減量に合致した幅及び長さで、特定方向及び特定箇所に切り欠き部３０〜３２を形成することで、所望の方向の比透磁率を所望の低減量だけ低減できることが判る。
【００７７】
（磁性角筒体の比透磁率調整方法）
次に、このような磁性角筒体２０の比透磁率調整方法について説明する。磁性角筒体２０は、例えば、従来と同様の方法により、磁性材料の板状体を折り曲げて形成する（準備工程）。そして、この折り曲げ前の段階において、あるいは、折り曲げ後の段階において、板状体や磁性角筒体２０の側部２１、２２や角部２３にカッターを押し当てることで、スリット状の切り欠き部（切り込み部）３０〜３２を入れる（切り欠き部形成工程）。ただし、切り欠き部３０〜３２の形成は、この他の方法で行うこともでき、例えば、磁性角筒体２０を鋳造で形成する場合には、切り欠き部３０〜３２も鋳造時に形成することができる。あるいは、磁性材料の板状体を折り曲げる前の段階や、磁性角筒体２０を形成した後の段階で、打ち抜き加工を施すことで、切り欠き部３０〜３２を形成してもよい。また、切り欠き部３０〜３２の形成後に焼鈍を行うことで、切り欠き時に生じた歪みによる磁気特性の劣化を改善し、磁性角筒体２０の各部の比透磁率を均質化することが好ましい。
【００７８】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の変形例１）
次に、比透磁率調整の変形例１について説明する。ｘ方向の比透磁率＝μｘと、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整は、切り欠き部を形成する以外にも、磁性角筒体２０の相互間の間隔を調整することで行うことができる。
【００７９】
まず、ｘ方向の比透磁率＝μｘの調整方法について説明する。図１７は比透磁率μｘが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｘ方向の比透磁率μｘを、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）により調整する。なお、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔は一定値（ここでは２ｍｍ）に固定とする。図１７に示す実モデルでは、磁性角筒体２０の幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝７ｍｍとし、比透磁率μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００としている。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｘを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８０】
この算定結果を、図１８に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｘが大きくなる程、μｘが小さくなることが確認された。また、ギャップ寸法Ｇｘに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔を変えることでμｘを所望の値に調整できる。
【００８１】
次に、ｙ方向の比透磁率＝μｙの調整方法について説明する。図１９は比透磁率μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｙ方向の比透磁率μｙを、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）により調整する。なお、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔は一定値（ここでは２ｍｍ）に固定とする。その他の条件は、図１７と同じである。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｙを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８２】
この算定結果を、図２０に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｙが大きくなる程、μｙが小さくなることが確認された。また、ギャップ寸法Ｇｙに関わらず、μｘ、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔を変えることでμｙを所望の値に調整できる。
【００８３】
次に、複数方向の比透磁率を同時に調整する方法について説明する。図２１は、比透磁率μｘ、μｙが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｘ方向の比透磁率μｘを、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）により調整すると同時に、ｙ方向の比透磁率μｙを、ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）により調整する。その他の条件は、図１７と同じである。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、ギャップ寸法Ｇｘ、Ｇｙを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８４】
この算定結果を、図２２に示す。この結果から分かるように、ギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを同時に大きくした場合においても、比透磁率μｘの特性については、ギャップ寸法Ｇｘのみを大きくした場合と同じであり、比透磁率μｙの特性については、ギャップ寸法Ｇｙのみを大きくした場合と同じであり、ギャップ寸法Ｇｘは、μｙ、μｚに影響を与えず、ギャップ寸法Ｇｙは、μｘ、μｚに影響を与えないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０のギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを同時に大きくした場合には、ｘ方向の比透磁率＝μｘとｙ方向の比透磁率＝μｙのみを調整することができ、ギャップ寸法Ｇｘ、Ｇｙを変えることでμｘ、μｙを所望の値に調整できる。
【００８５】
なお、このようにギャップ寸法Ｇｘとギャップ寸法Ｇｙを調整するための具体的構造としては、例えば、各フレーム１０の厚みを変えたり、各フレーム１０と磁性角筒体２０の間に非磁性材料を挟んだ構造を採用することができる。
【００８６】
このような変形例２に係る方法によれば、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０の相互間におけるギャップ寸法を調整することで、ｘ方向及びｙ方向に所望の程度の比透磁率を持った磁気シールド体１を構成することができ、磁気シールド体１の特定領域に誘導させる磁気を低減し、磁気シールド体１の特定領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００８７】
（磁気誘導路の形成方法−比透磁率調整の変形例２）
次に、比透磁率調整の変形例２について説明する。ｚ方向の比透磁率＝μｚの調整は、切り欠き部を形成する以外にも、磁性角筒体２０の厚みを調整することで行うことができる。
【００８８】
図２３は比透磁率μｚが調整された磁性角筒体２０（実モデル）の斜視図である。ここでは、ｚ方向の比透磁率μｚを、磁性角筒体２０の厚みにより調整する。図２３に示す実モデルでは、磁性角筒体２０の幅＝高さ＝奥行き＝３００ｍｍ、厚み＝ｔｍｍとし、ｘ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｘ）＝ｙ方向に沿って隣接する磁性角筒体２０の相互間の間隔（ギャップ寸法Ｇｙ）＝２ｍｍ、比透磁率μｘ＝μｙ＝１００００、μｚ＝１０００としている。そして、この実モデルに対する均質化モデル（図５と同様）における、厚みｔを変化させた場合の３方向の比透磁率を算定した。
【００８９】
この算定結果を、図２４に示す。この結果から分かるように、厚みｔが大きくなる程、μｚが大きくなることが確認された。また、厚みｔに関わらず、μy、μzは変化しないことが確認された。これらのことから、磁性角筒体２０の厚みｔを変えることでμｚを所望の値に調整できる。
【００９０】
なお、磁性角筒体２０の厚みｔを調整するための具体的構造としては、例えば、磁性角筒体２０を形成する際に、厚みｔが異なる磁性板材を用いて磁性角筒体２０を形成する際、鋳造時に厚みｔを変えたり、標準的な厚みｔの磁性角筒体２０を形成した後にその側面や内面に磁性体を貼付等する構造を採用することができる。
【００９１】
この変形例２に係る方法によれば、磁気シールド体１を構成する複数の磁性角筒体２０の厚みを調整することで、ｚ方向に所望の程度の比透磁率を持った磁気シールド体１を構成することができ、磁気シールド体１の特定領域に誘導させる磁気を低減し、磁気シールド体１の特定領域から漏洩する磁気を低減することができる。
【００９２】
（磁気シールド体における磁気誘導路の効果）
次に、磁気シールド体１に対して磁気誘導路４０を形成することの効果を、三次元磁気解析により検証した結果について説明する。ここでは、大開口を設けていない磁気シールド体１と、入室者の圧迫感を低減するために大開口を設けた磁気シールド体１について、それぞれ解析モデルを作成し、この解析モデルを用いて、磁気発生源から発生する磁気を印加した場合の評価面における漏洩磁束密度を、磁気誘導路４０を形成しない場合（磁性体角筒の比透磁率を最適化しない場合）と、磁気誘導路４０を形成した場合（磁性体角筒の比透磁率を最適化した場合）とについて、それぞれ求めた。
【００９３】
図２５は、大開口を設けていない磁気シールド体１の立面図、図２６は、大開口を設けた磁気シールド体１の立面図、図２７は、これらの磁気シールド体１に共通の縦断面図である。これら磁気シールド体１は、対称性を考慮して１／４領域のみを示している。図２５の磁気シールド体１は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性角筒体２０のみで構成されており、図２６の磁気シールド体１は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性角筒体２０Ａに加えて、高さ＝幅＝２４００ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍの大開口の磁性体角筒２０Ｂを用いて構成されている。ここでは、図２７に示すように、磁気発生源（４００００ＡＴの起磁力の電磁石コイル）から２３００ｍｍ隔てて磁気シールド体１が配置されており、磁気シールド体１を挟んで磁気発生源と反対側に３００ｍｍ離れた位置に評価面を設定している。
【００９４】
図２８は、図２５の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図、図２９は、図２６の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図である。これら解析モデルは、対称性を考慮して１／４領域モデルとして作成されている。ここでは、低減対象領域Ｅ２として、評価面における各領域の中で、図２５の大開口の磁性体角筒２０Ａに対応する領域を設定した。
【００９５】
また、磁性体角筒２０の３方向の比透磁率μｘ、μｙ、μｚは、上述した均質化手法により導出している。図３０は、図２５、２６の磁気シールド体１を構成する磁性体角筒（実モデル）の斜視図である。
【００９６】
具体的には、均質化モデル（図５と同様）を用いて均質化手法により導出した３方向の比透磁率を、図２８、２９の解析モデルの各磁性体角筒２０の各方向の比透磁率における初期値に設定する。そして、この各部の比透磁率を最大値として、低減対象領域Ｅ２における漏洩磁束密度が小さくなるように、各磁性体角筒の比透磁率を最適化（最小化）する反復解析を行った。
【００９７】
図２８の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図３１、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図３２に、それぞれ示す。これら図３１、３２から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約５Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約８Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【００９８】
さらに、図３３には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図３４には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図３３、３４では、磁束分布の大きさを矢印の長さ、磁束分布の向きを矢印の向きにより表示している（以下、磁束分布の大きさと向きを示す図において同じ）。これら図３３、３４から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体１に入射した磁束が、低減対象領域Ｅ２を避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、低減対象領域Ｅ２に流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【００９９】
また、図２９の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図３５、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図３６に、それぞれ示す。これら図３５、３６から明らかなように、大開口を形成した場合であっても、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約７Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約１３Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【０１００】
さらに、図３７には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図３８には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図３７、３８から明らかなように、大開口を形成した場合であっても、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体１に入射した磁束が、大開口の磁性角筒体２０Ｂを避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、大開口の磁性角筒体２０Ｂに流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【０１０１】
また、大開口を設けていない磁気シールド体１における印加領域Ｅ１の漏洩磁気についても解析を行った。図３９は、図２５と同様の磁気シールド体１の解析モデルの斜視図であり、高さ＝幅＝１２００ｍｍの印加領域Ｅ１を低減対象領域Ｅ２として設定した状態を示す図である。この解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図４０、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図４１に、それぞれ示す。これら図４０、４１から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の印加領域Ｅ１における最大漏洩磁束密度（約１４Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の印加領域Ｅ１における最大漏洩磁束密度（約２４Ｅ−５（Ｔ））に比べて、約４割程度小さくなっている。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、印加領域Ｅ１の最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。
【０１０２】
（実施の形態１の効果）
このように実施の形態１によれば、磁気シールド体１における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域Ｅ１から、磁気シールド体１における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域Ｅ２以外の領域に、磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して低減対象領域Ｅ２以外の領域に誘導でき、低減対象領域Ｅ２に伝わる磁気を低減できるので、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。従って、低減対象領域Ｅ２に大開口を設けた場合であっても、大開口から漏洩する磁気を低減することができ、大開口を設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【０１０３】
また、複数の磁性角筒体２０の中の一部の磁性角筒体２０の比透磁率であって、当該磁性角筒体２０の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性角筒体２０の中の他の磁性角筒体２０における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成したので、印加領域Ｅ１と低減対象領域Ｅ２の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体１において、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０４】
また、一部の磁性角筒体２０の比透磁率のうち、ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって磁性角筒体２０の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成ので、磁性角筒体２０を磁性角筒体２０として形成した場合においても、印加領域Ｅ１と低減対象領域Ｅ２の位置関係に応じた所望の方向における比透磁率を調整することができ、様々な磁気シールド体１において、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０５】
また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域Ｅ３以外の領域に磁気誘導路４０を形成したので、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路に誘導される磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２に誘導される磁気を低減することができる。
【０１０６】
また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域Ｅ４以外の領域に磁気誘導路４０を形成したので、周囲領域Ｅ４からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０７】
また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域Ｅ５に磁気誘導路４０を形成したので、反対領域Ｅ５からｚ方向に沿って磁気シールド体１の外部に漏洩する磁気を増加させることが、低減対象領域Ｅ２からｚ方向に沿って漏洩する磁気を低減することができる。
【０１０８】
また、磁性角筒体２０に、当該磁性角筒体２０の側面２１、２２又は角部２３に形成された切り欠き部３０〜３２であって、当該切り欠き部３０〜３２に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部３０〜３２がない同一形状の磁性角筒体２０における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部３０〜３２であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部３０〜３２を設けることにより、磁性角筒体２０の比透磁率を調整したので、所要の方向（垂直方向、水平方向、及び奥行き方向の３方向の中から任意に選択した一つ以上の方向）の比透磁率を所要の低減量だけ低減させることができ、磁性角筒体２０毎の各方向の比透磁率を容易に調整することができる。特に、切り欠き部３０〜３２を形成することで比透磁率を調整できるので、磁性角筒体２０の相互の間隔、切り欠き部３０〜３２以外の形状、厚み等を一定にできるので、磁性角筒体２０の製造や管理の労力の増加を招くことがなく、磁気シールド体の組み立ても容易であり、かつ、磁気シールド体１の意匠性も低下させることがない。
【０１０９】
また、一部の磁性角筒体２０を、他の磁性角筒体２０より大きな開口を有する大開口磁性角筒体２０Ｂとして形成し、印加領域Ｅ１から大開口磁性角筒体２０Ｂ以外の領域に、磁気を誘導することにより、大開口磁性角筒体２０Ｂから外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路４０を備えるので、磁気発生源から磁気シールド体１に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して、大開口磁性角筒体２０Ｂ以外の領域に誘導でき、大開口磁性角筒体２０Ｂに伝わる磁気を低減できるので、大開口磁性角筒体２０Ｂから漏洩する磁気を低減することができる。従って、大開口磁性角筒体２０Ｂを設けた場合であっても、大開口磁性角筒体２０Ｂから漏洩する磁気を低減することができ、大開口磁性角筒体２０Ｂを設けることで入室者の圧迫感を低減できると同時に、所要の磁気遮蔽性能を確保することができる。
【０１１０】
また、フレーム１０を、導電性材料にて形成したので、電磁波遮断効果を得ることができると共に、磁気発生源からの磁気が変動する場合においても、変動磁気を渦電流の効果により低減することができる。
【０１１１】
〔実施の形態２〕
次に、実施の形態２に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、大開口を連続的に形成した形態である。ただし、特に説明なき構成については、実施の形態１の構成と同じであり、実施の形態１と同じ構成については、必要に応じて実施の形態１で使用したものと同じ符号を用いて、その説明を省略する。
【０１１２】
（構成）
図４２は、本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図である。この磁気シールド体２は、大開口化された磁性角筒体２０Ｂを幅方向（ｘ方向）に沿って連続的に並設して構成されている。
【０１１３】
（構成−磁気誘導路４０）
このように構成された磁気シールド体２は、磁気誘導路４０を備えている。図４３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体２の対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【０１１４】
ここでも、上記第１から第３の方法により、磁気誘導路４０の形成位置を特定している。すなわち、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくしている。また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくしている。また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚに対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率μｘ、μｙを小さくしている。さらに、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率μｚに対して、に対して、低減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５に含まれる他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を大きくしている。
【０１１５】
（磁気シールド体における磁気誘導路の効果）
次に、磁気シールド体２に対して磁気誘導路４０を形成することの効果を、三次元磁気解析により検証した結果について説明する。図４４は、磁気シールド体２の立面図である。この磁気シールド体２は、対称性を考慮して１／４領域のみを示している。この磁気シールド体２は、高さ＝幅＝奥行き＝３００ｍｍの磁性体角筒に加えて、高さ＝幅＝６００ｍｍ、奥行き＝３００ｍｍの大開口の磁性体角筒を用いて構成されている。その他の条件は、図２７と同じである。
【０１１６】
図４５は、図４４の磁気シールド体２の解析モデルの斜視図である。この解析モデルは、対称性を考慮して１／４領域モデルとして作成されている。ここでは、低減対象領域Ｅ２として、評価面における各領域の中で、図４４の大開口の磁性体角筒２０Ｂに対応する領域を設定した。
【０１１７】
また、磁性体角筒２０の３方向の比透磁率μｘ、μｙ、μｚは、上述した均質化手法により導出している。図４６は、図４４の磁気シールド体２を構成する磁性体角筒２０（実モデル）の斜視図、図４７は、均質化モデルの斜視図である。
【０１１８】
具体的には、図４７の均質化モデルを用いて均質化手法により導出した３方向の比透磁率を、図４５の解析モデルの各磁性体角筒２０の各方向の比透磁率における初期値に設定する。そして、この各部の比透磁率を最大値として、低減対象領域Ｅ２における漏洩磁束密度が小さくなるように、各磁性体角筒２０の比透磁率を最適化（最小化）する反復解析を行った。
【０１１９】
図４７の解析モデルに対して磁場発生源から発生する磁界を印加した場合における評価面での漏洩磁束密度を、三次元磁界解析により求めた。磁気誘導路４０を形成しない場合の結果を図４８、磁気誘導路４０を形成した場合の結果を図４９に、それぞれ示す。これら図４８、４９から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約６Ｅ−５（Ｔ））は、磁気誘導路４０を形成しない場合の低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度（約１１Ｅ−５（Ｔ））に比べて、小さくなっている。
【０１２０】
さらに、図５０には、磁気誘導路４０を形成しない場合の磁束分布の大きさと向き、図５１には、磁気誘導路４０を形成した場合の磁束分布の大きさと向きを、それぞれ示す。これら図５０、５１から明らかなように、磁気誘導路４０を形成した場合には、磁気誘導路４０を形成しない場合に比べて、磁場発生源から発生して磁気シールド体２に入射した磁束が、低減対象領域Ｅ２を避けるように流れているのが分かる。このことから、磁気誘導路４０を形成することで、低減対象領域Ｅ２に流れる磁束の密度を低減でき、低減対象領域Ｅ２における最大漏洩磁束密度を低減できることが確認された。なお、図５１からは、低減対象領域Ｅ２にも一部の磁束が低減対象領域Ｅ２に流れているようにも見えるが、ここでは、低減対象領域Ｅ２における磁性体角筒２０のｚ方向の比透磁率を小さくしているので、低減対象領域Ｅ２に流れた磁束が、ｚ方向に流れることなく、さらに反対領域Ｅ５（低減対象領域Ｅ２より上方の領域）に向かって流れており、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減できることが確認された。
【０１２１】
（実施の形態２の効果）
このように実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。特に、大開口化された磁性角筒体２０を幅方向に沿って連続的に並設して磁気シールド体２を構成しているので、実施の形態１の磁気シールド体１よりもさらに圧迫感を低減した磁気シールド体２を提供することができる。
【０１２２】
〔実施の形態３〕
次に、実施の形態３に係る磁気シールド体について説明する。この形態は、磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置した形態である。ただし、特に説明なき構成については、実施の形態１の構成と同じであり、実施の形態１と同じ構成については、必要に応じて実施の形態１で使用したものと同じ符号を用いて、その説明を省略する。
【０１２３】
（構成）
図５２は、本実施の形態に係る磁気シールド体の立面図である。この磁気シールド体３は、フレーム１０を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性角筒体２０により構成される筒状遮蔽体５０と、磁性板状体５１により構成された板状遮蔽体５２とを、相互に接するように配置して構成されている。筒状遮蔽体５０については、実施の形態１の磁気シールド体１と同様に構成できるので、その基本的な説明を省略する。板状遮蔽体５２とは、ｘ方向を長手方向とする横長状の方向性ケイ素鋼板を複数並設して構成されている。これら複数の方向性ケイ素鋼板は、相互に溶接等にて接続されている。なお、意匠性を高めるために、この複数の方向性ケイ素鋼板の外側に、化粧板を固定してもよい。
【０１２４】
（構成−磁気誘導路）
このように構成された磁気シールド体３は、磁気誘導路４０を備えている。図５３は、磁気誘導路４０を概念的に説明するための説明図であり、ここでは、磁気シールド体３の対称性を考慮して１／２領域のみを示している。この磁気誘導路４０は、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２以外の領域に磁気を誘導することにより、低減対象領域Ｅ２から外部への漏洩磁気を低減させるものである。
【０１２５】
ここでも、上記第１から第３の方法により、磁気誘導路４０の形成位置を特定している。すなわち、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２に至る最短の経路上の最短領域Ｅ３に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より小さくしている。また、印加領域Ｅ１から低減対象領域Ｅ２を経ることなく低減対象領域Ｅ２以外の領域に至る経路上の回避領域に配置された磁性角筒体２０の比透磁率を、他の磁性角筒体２０の比透磁率より大きくしている。また、低減対象領域Ｅ２に含まれる磁性角筒体２０のｚ方向に沿った比透磁率に対して、低減対象領域Ｅ２の周囲の周囲領域Ｅ４に配置された他の磁性角筒体２０における同一方向に沿った比透磁率を小さくしている。ただし、この磁気シールド体３においては、減対象領域Ｅ２を挟んで、印加領域Ｅ１とは反対側に位置する反対領域Ｅ５が存在しないため、反対領域Ｅ５に関する比透磁率の設定は省略されている。
【０１２６】
ただし、本実施の形態における磁気誘導路４０は、実施の形態１、２とは異なり、板状遮蔽体５２に形成されている。具体的には、磁気誘導路４０は、方向性ケイ素鋼板を使用することで形成されている。すなわち、方向性ケイ素鋼板は、圧延条件と熱処理条件を調整することで結晶粒の軸方向を揃えて形成されたものであり、特定方向に大きな比透磁率を有する。そして、この比透磁率が大きい方向がｘ方向に沿うように、方向性ケイ素鋼板を配置することで、磁気誘導路４０を形成している。このような構成によれば、磁気発生源から板状遮蔽体５２に入射した磁気が、ｘ方向に沿って誘導されるので、板状遮蔽体５２から筒状遮蔽体５０に伝わる磁気を低減でき、低減対象領域Ｅ２から漏洩する磁気を低減できる。
【０１２７】
（実施の形態３の効果）
このように実施の形態３によれば、複数の磁性角筒体２０により構成される筒状遮蔽体５０と、磁性板状体５１により構成された板状遮蔽体５２とを、相互に接するように配置して構成され、板状遮蔽体５２に磁気誘導路４０を設け、磁気誘導路４０により、当該板状遮蔽体５２における印加領域Ｅ１から、筒状遮蔽体５０以外の領域に、磁気を誘導するので、磁気発生源から板状遮蔽体５２に入射した磁気を、磁気誘導路４０を介して、筒状遮蔽体５０以外の領域に誘導でき、筒状遮蔽体５０に伝わる磁気を低減できるので、筒状遮蔽体５０から漏洩する磁気を低減することができる。従って、筒状遮蔽体５０に大開口を設けた場合であっても、大開口磁性角筒体２０から漏洩する磁気を低減することができる。
【０１２８】
〔III〕各実施の形態に対する変形例
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明の具体的な構成及び手段は、特許請求の範囲に記載した各発明の技術的思想の範囲内において、任意に改変及び改良することができる。以下、このような変形例について説明する。
【０１２９】
（解決しようとする課題や発明の効果について）
また、発明が解決しようとする課題や発明の効果は、前記した内容に限定されるものではなく、本発明によって、前記に記載されていない課題を解決したり、前記に記載されていない効果を奏することもでき、また、記載されている課題の一部のみを解決したり、記載されている効果の一部のみを奏することがある。
【０１３０】
（形状や数値について）
上記各実施の形態で示した形状や数値は例示であり、各寸法値は任意に変更することができる。例えば、磁気シールド体を構成するための磁性筒体としては、四角筒状の磁性角筒体２０に代えて、特許文献１に記載されているような円筒状の磁性円筒体を使用してもよい。この場合、複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、磁気誘導路４０を形成すればよい。同様に、磁性筒体を角筒状とする場合であっても、三角筒状や六角筒状、様々な形状の磁性角筒体２０を使用することもできる。
【０１３１】
（各実施の形態の相互の関係について）
各実施の形態で説明した構成は相互に組み合わせてもよい。例えば、実施の形態３のように筒状遮蔽体５０と板状遮蔽体５２とから構成された磁気シールド体において、板状遮蔽体５２には実施の形態３で説明したように磁気誘導路４０を形成すると共に、筒状遮蔽体５０には実施の形態１、２のように磁気誘導路４０を形成してもよい。また、筒状遮蔽体５０に磁気誘導路４０を形成する場合、実施の形態１のように一部の磁性角筒体２０に切り欠き部を設けることに加えて、実施の形態１の変形例１のように一部の磁性角筒体２０の相互の間隔を変えたり、実施の形態１の変形例２のように一部の磁性角筒体２０の厚みを変えることを組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１３２】
１、２、３ 磁気シールド体
１０ フレーム
１１ 貫通孔
２０、２０Ａ、２０Ｂ 磁性角筒体
２１、２２ 側部
２３ 角部
３０〜３２ 切り欠き部
４０ 磁気誘導路
５０ 筒状遮蔽体
５１ 磁性板状体
５２ 板状遮蔽体
Ｅ１ 印加領域
Ｅ２ 低減対象領域
Ｅ３ 最短領域
Ｅ４ 周囲領域
Ｅ５ 反対領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、
当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える、
磁気シールド体。
【請求項２】
前記複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、前記複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した、
請求項１に記載の磁気シールド体。
【請求項３】
前記磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、
前記一部の磁性筒体の比透磁率のうち、前記ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって前記磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、前記他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した、
請求項２に記載の磁気シールド体。
【請求項４】
前記印加領域から前記低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された前記磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２又は３に記載の磁気シールド体。
【請求項５】
前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２から４のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項６】
前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域を挟んで、前記印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２から５のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項７】
前記磁性筒体には、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、前記磁性筒体の前記比透磁率を調整した、
請求項２から６のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項８】
前記支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された前記複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、
前記板状遮蔽体に前記磁気誘導路を設け、
前記磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における前記印加領域から、前記筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導する、
請求項１に記載の磁気シールド体。
【請求項９】
支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、
前記複数の磁性筒体のうち、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、
当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で前記大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える、
磁気シールド体。
【請求項１０】
前記支持手段を、導電性材料にて形成した、
請求項１から９のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項１】
支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、
当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で外部への磁気漏洩を低減したい低減対象領域以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記低減対象領域から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える、
磁気シールド体。
【請求項２】
前記複数の磁性筒体の中の一部の磁性筒体の比透磁率であって、当該磁性筒体の筒軸方向であるｚ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向に直交する方向に沿った比透磁率の少なくとも一方を、前記複数の磁性筒体の中の他の磁性筒体における同一方向の比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した、
請求項１に記載の磁気シールド体。
【請求項３】
前記磁性筒体は、四角筒状の磁性角筒体であり、
前記一部の磁性筒体の比透磁率のうち、前記ｚ方向に沿った比透磁率、当該ｚ方向に直交する方向であって前記磁性筒体の一側面に直交するｘ方向に沿った比透磁率、又は、当該ｚ方向及び当該ｘ方向に直交するｙ方向に沿った比透磁率の少なくとも一つを、前記他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率とは異なる比透磁率とすることにより、前記磁気誘導路を形成した、
請求項２に記載の磁気シールド体。
【請求項４】
前記印加領域から前記低減対象領域に至る最短の経路上の最短領域に配置された前記磁性筒体の比透磁率を、他の磁性筒体の比透磁率より小さくすることにより、当該最短領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２又は３に記載の磁気シールド体。
【請求項５】
前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域の周囲の周囲領域に配置された他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を小さくすることにより、当該周囲領域以外の領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２から４のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項６】
前記低減対象領域に含まれる前記磁性筒体の前記ｚ方向に沿った比透磁率に対して、前記低減対象領域を挟んで、前記印加領域とは反対側に位置する反対領域に含まれる他の磁性筒体における同一方向に沿った比透磁率を大きくすることにより、当該反対領域に前記磁気誘導路を形成した、
請求項２から５のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項７】
前記磁性筒体には、当該磁性筒体の側面又は角部に形成された切り欠き部であって、当該切り欠き部に直交する方向に沿った比透磁率を、当該切り欠き部がない同一形状の磁性角筒体における同一方向の比透磁率より低減するための切り欠き部であり、当該比透磁率の所要の低減量に対応した長さ及び幅で形成された切り欠き部を設けることにより、前記磁性筒体の前記比透磁率を調整した、
請求項２から６のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【請求項８】
前記支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された前記複数の磁性筒体により構成される筒状遮蔽体と、磁性板状体により構成された板状遮蔽体とを、相互に接するように配置して構成され、
前記板状遮蔽体に前記磁気誘導路を設け、
前記磁気誘導路により、当該板状遮蔽体における前記印加領域から、前記筒状遮蔽体以外の領域に、磁気を誘導する、
請求項１に記載の磁気シールド体。
【請求項９】
支持手段を介して相互に間隔を空けて並設された複数の磁性筒体を備える磁気シールド体であって、
前記複数の磁性筒体のうち、一部の磁性筒体を、他の磁性筒体より大きな開口を有する大開口磁性筒体として形成し、
当該磁気シールド体における領域の中で磁気発生源からの最も強い磁気が印加される印加領域から、当該磁気シールド体における領域の中で前記大開口磁性筒体以外の領域に、磁気を誘導することにより、前記大開口磁性筒体から外部への漏洩磁気を低減させる磁気誘導路を備える、
磁気シールド体。
【請求項１０】
前記支持手段を、導電性材料にて形成した、
請求項１から９のいずれか一項に記載の磁気シールド体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【公開番号】特開２０１１−２４９６９２（Ｐ２０１１−２４９６９２Ａ）
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２３５７９（Ｐ２０１０−１２３５７９）
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【出願人】（０００００３６２１）株式会社竹中工務店 (1,669)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月８日（２０１１．１２．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月２８日（２０１０．５．２８）
【出願人】（０００００３６２１）株式会社竹中工務店 (1,669)
【Ｆターム（参考）】
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