説明

磁気軸受

【課題】 永久磁石を用いることができない環境下においても用いることができるとともに、所定方向に大きな軸受力を発生させることができる磁気軸受を提供する。
【解決手段】 固定軸1に対して回転する略円筒状の回転体2を非接触支持する磁気軸受100であって、固定軸1と一体的に設けられた固定子3に複数のバイアスコイル4を回転体2の内周面と近接対向するように巻回し、かつ固定子3の外面と回転体2との間に空隙を設けた磁気軸受100。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気軸受に関し、特に、所定方向から主として荷重を受けながら回転する回転体を非接触支持する磁気軸受に関する。
【背景技術】
【0002】
現在、製紙ロールや圧延ロールなどの各種大型ロールの軸受として、コロ軸受などの機械式軸受が用いられている。しかしながら、機械式軸受は、定期的にメンテナンスを行いグリスなどの潤滑剤を補充する必要があり、メンテナンス中は製造ラインを停止せざる負えないため連続可動時間に限界があるので、ライン効率向上の妨げとなっている。また、しかしながら、機械式軸受により大型ロールの回転時の振動を除去し大型ロールの回転精度を更に向上することは非常に困難であるので、最終製品の精度を含む品質向上の妨げとなっている。
【0003】
これらを考慮し、大型ロールの軸受として、機械式軸受に代えて、磁気軸受を用いることが考えられる。磁気軸受は、非接触状態で回転体を支持するため潤滑剤を必要としないため、定期的なメンテナンスを省くことができ、連続可動時間を大幅に延ばすことが可能となる。また、磁気軸受は、自動位置調整機能を設けることにより回転中の位置や傾きをアクティブ制御することができ、大型ロールの回転精度を向上することが可能となる。
【0004】
例えば、非特許文献1には、自動位置調整機能を備えた磁気軸受900が開示されている。この磁気軸受900は、図5に概略軸方向断面図を示すように、永久磁石901と電磁石を備えたハイブリッド型の磁気軸受である。磁気軸受900は、固定部902に対して回転する回転軸903を非接触支持するものであり、固定部902の外筒に永久磁石901が固着されている。電磁石は、図6に示すように、回転軸903に隣接対向するように固定部902から突出した突部904に制御コイル905が巻回されることにより設けられている。永久磁石901によるバイアス磁束は、図6に示す矢印のように、均等に通っており、固定部902に対して回転軸903を全方向に均等に非接触支持する軸受力が発生する。センサ906が検出した回転軸903の変位に応じて、制御コイル905に通電する電流を調整することにより、回転軸903の位置及び傾きを制御することができる。
【非特許文献1】「IEEE/ASME TRANSACTIONS ON MECHATRONICS,VOL.6,No.4,DECEMBER 2001」 521−524頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、上記従来のハイブリッド型の磁気軸受900は、永久磁石901によってバイアス磁束を発生させるので、高温環境など永久磁石がその機能を発揮し得ない環境下において用いることができないという問題があった。また、バイアス磁束が均等に通るので、一方向から高荷重を受ける場合であっても、これに対抗する大きな軸受力を効果的に発生させることができない。そのため、生産効率を上げるため更なる大型化の要請がある大型ロールに対応することができないという問題があった。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、永久磁石を用いることができない環境下においても用いることができるとともに、所定方向に大きな軸受力を発生させることができる磁気軸受を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するために、請求項に1記載の磁気軸受は、固定軸に対して回転する略円筒状の回転体を非接触支持する磁気軸受であって、前記固定軸と一体的に設けられた固定子に複数のバイアスコイルを前記回転体の内周面と近接対向するように巻回し、かつ前記固定子の外面と前記回転体との間に空隙を設けたことを特徴としている。
【0008】
請求項2に記載の磁気軸受は、請求項1に記載の磁気軸受において、前記固定子が前記回転体の内周面に近接対向する半円柱面状の外周面を有し、該外周面に形成された凹部に前記バイアスコイルの一部が収容されることを特徴としている。
【0009】
請求項3に記載の磁気軸受は、請求項2に記載の磁気軸受において、前記バイアスコイルと近接対向する前記回転体の内周面に環状溝を形成したことを特徴としている。
【0010】
請求項4に記載の磁気軸受は、請求項1から3の何れか1項に記載の磁気軸受において、前記固定子の外面と前記回転体との間に空隙に前記回転体の変位を検出するセンサを設けたことを特徴としている。
【0011】
請求項5に記載の磁気軸受は、請求項1から4の何れか1項に記載の磁気軸受において、前記固定子に制御コイルを巻回した複数対の突極を設け、前記制御コイルによってそれぞれ発生する制御磁束を制御することにより、前記回転体の位置を制御することを特徴としている。
【0012】
請求項6に記載の磁気軸受は、請求項5に記載の磁気軸受において、前記固定子の飽和磁束密度に略等しいバイアス磁束密度を前記バイアスコイルによって発生させることを特徴としている。
【発明の効果】
【0013】
本発明の請求項1に記載の磁気軸受によれば、バイアスコイルによってバイアス磁束を発生させるので、永久磁石によってバイアス磁束を発生させる前記従来の磁気軸受900とは異なり、高温環境など永久磁石がその機能を発揮し得ない環境下においても磁気軸受を良好に用いることができる。また、固定子の外面と回転体との間に空隙を設けたので、バイアスコイルによって発生するバイアス磁束は当該空隙を越えることができないため、バイアス磁束は空隙のない所定方向に偏って通り、バイアス磁束によって当該所定方向向きの軸受力(バイアス吸引力)が発生する。そのため、永久磁石によってバイアス磁束を均等に通して軸受力を均等に発生させる前記従来の磁気軸受900とは異なり、当該所定方向と反対方向から受ける荷重に対する対抗力としての軸受力を効果的に発生させることができ、少ない消費電力で高荷重に対応可能な磁気軸受を得ることができる。また、複数のバイアスコイルを巻回したので、小型でありながら大きな軸受力を発生させることができる磁気軸受を得ることが可能となる。
【0014】
請求項2に記載の磁気軸受によれば、固定子が回転体の内周面に近接対向する半円柱面状の外周面を有し、該外周面に形成された凹部にバイアスコイルの一部が収容される。そのため、半円柱面状の外周面が形成された側をバイアス磁束は通ることはできるが、反対側には固定子と回転体との間に空隙が存在するため当該空隙を越えてバイアス磁束は通ることができない。よって、バイアス磁束は外周面が形成された側に偏って通り、バイアス磁束によって当該外周面が形成された側向きの軸受力が発生する。また、半円柱面状の外周面が形成された側においてバイアス磁束が通ることが可能な領域を最大化することができ、当該側に向かって発生させる軸受力を大きくすることができる。なお、半円柱面状の外周面が形成された側と反対側においては、前記空隙を広げることによりバイアス磁束が通すことが可能な領域を小さくすることができるので、当該反対側に向かって発生させる軸受力を小さくすることができ、半円柱面状の外周面が形成された側に向かって発生させる軸受力を大きくすることができる。
【0015】
請求項3に記載の磁気軸受によれば、バイアスコイルと近接対向する回転体の内周面に環状溝を形成したので、回転体の内周面には形成された環状溝間に凸部が生じる。そのため、当該凸部と、固定子の外周面に形成された凹部間に生じる凸部とは、互いに近接対向し、これら凸部に集中するバイアス磁束によって発生する吸引作用により、回転体を軸方向の所定位置に保持させる大きな復元力を得ることができる。また、これら凸部が軸方向に複数に形成されているので、前記復元力をより良好に得ることができる。よって、回転体の軸方向の位置変動が安定し、スラスト軸受を省略、もしくは小型化することができ、磁気軸受の製造コストを削減することが可能となる。
【0016】
請求項4に記載の磁気軸受によれば、固定子の外面と回転体との間に空隙にセンサを設けたので、前記従来の磁気軸受900のように、外部にセンサを設ける必要がないので、磁気軸受の小型化が可能となる。
【0017】
請求項5に記載の磁気軸受によれば、制御コイルによって発生する制御磁束をそれぞれ制御することにより回転体の位置を制御するため、制御コイルに通電する電流に応じて制御力が変化するので、制御コイルに通電する電流を調整することによって回転体の位置を容易にアクティブ制御することができ、回転体の位置精度を向上させることが可能となる。
【0018】
請求項6に記載の磁気軸受によれば、固定子の飽和磁束密度に略等しいバイアス磁束密度をバイアスコイルによって発生させるので、回転体と固定子とのギャップ変動によるバイアス磁束の変化を小さくし、バイアス磁束によって発生する軸受力の変動を小さくすることができる。そのため、軸受力の変動を吸収するために必要な制御力を小さくすることができ、制御部を小型化することができ、磁気軸受の小型化と製造コスト削減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
本発明の実施の形態に係る磁気軸受100は、図1に概略軸方向断面図を示すように、固定軸1に対して略円筒状の回転体2を非接触支持するものであり、固定軸1には、固定子(ステータ)3が一体的に固定して設けられている。固定子3は、固定軸1の軸方向に沿って、当該固定軸1に、第1の固定子31、第2の固定子32、及び第3の固定子33の順に固定されている。なお、図示しないが、固定軸1は支持軸によって土台に固定されている。
【0020】
固定子3は、バイアス磁束が通るバイアス磁路を構成するものであって、複数(3つ)のバイアスコイル4が回転体2の内周面と近接対向するようにそれぞれ巻回されている。固定子3は、図2(a)及び図2(b)にも示すように、各図下側に回転体2との間に空隙を設けるよう形成されている。具体的には、図2(a)に示すように、固定子3の回転軸方向と直交する方向における断面を略扇形状としている。より詳細には、この断面外形は、上側が回転体2の内周面の直径に略等しい直径を有する半円であり、下側が上側の半円の直径より短い直径を有する半円及び当該半円への上側の半円の両端からの接線からなっている。固定子3の外周面には、図1に示すように、各バイアスコイル4の一部がそれぞれ収容される凹部5が形成されている。この凹部5が形成された部分における固定子3は、図2(b)に示すように、回転中心を中心とする円状の外周面を有しており、当該外周面の一部は前記下側の半円のなす面と連なるものである。これにより、バイアスコイル4は、その全周に渡って一様に、回転体2の内周面と近接対向するように配置される。また、複数の凹部5が形成されるので、その間に凸部がそれぞれ形成されることになる。なお、固定子3は、バイアス磁束が通る磁路を構成するので、積層鉄心であることが好ましいが、必ずしも積層である必要はない。
【0021】
さらに、固定子3は、制御磁束が通る制御磁路を構成するものでもあって、図3にも示すように、第1及び第3の固定子31,33の軸方向の外側にそれぞれ2対(4個)の突極6が設けられている。各突極6は、回転軸を中心として均等に4方向に延びるように、つまり全体として十字状となるように形成された突出部61に制御コイル62がそれぞれ巻回されることにより設けられている。
【0022】
回転体2は、略円筒状のものであり、バイアスコイル4と対向する内周面には、環状溝7がそれぞれ形成されている。回転体2は、第1から第3の固定子31,32,33にそれぞれ対応する3つの略短円筒状の回転子(ロータ)21,22,23が分割形成された円筒状の外筒24によってボルト等の固定具(不図示)によって固定されてなるものである。複数の環状溝7が形成されているので、その間に凸部がそれぞれ形成されることになる。これら凸部は、固定子3の外周面に形成された凸部とそれぞれ近接対向する。
【0023】
固定子3と回転体2との空隙に一対の変位センサ7が2か所に設けられている。これら変位センサ8は、当該空隙内において軸方向にできる限り離間させて固定軸1に対し固定的に設けられている。一対の変位センサ8は、回転体2に対する2方向の変位(ギャップ)を検出する。そして、不図示の検出ユニットが、これらの変位センサ8から出力された検出信号に基づいて、固定軸1に対する回転体2の所定位置からのずれを求める。
【0024】
上記のように構成された磁気軸受100のバイアスコイル4及び制御コイル62に通電すると、バイアスコイル4によってバイアス磁束が発生し、制御コイル62によって制御磁束が発生することによって、回転する回転体2を固定軸1に対して非接触支持するように、磁気軸受100が軸受力を発生する。
【0025】
バイアスコイル4に通電することによって発生したバイアス磁束は、図4に示すように、固定子3から回転体2を巡るように形成される。バイアス磁束は、固定子3と回転体2との間に設けた空隙を越えて回転体2に渡ることができないため、空隙が設けられていない側(図中上側)に偏って通るので、バイアス磁束によって発生する軸受力(バイアス吸引力)は、当該空隙を設けた側とは反対方向の所定方向に向かう。そのため、図5に示した従来の磁気軸受900のようにバイアス磁束を均等に発生させる場合とは異なり、当該所定方向と反対方向から受ける荷重に対する対抗力としての軸受力を発生させることができる。
【0026】
固定子3が回転体2の内周面に近接対向する半円柱面状の外周面を有し、該外周面に形成された凹部5にバイアスコイル4の一部が収容されるため、バイアス磁束は半円柱面状の外周面が形成された側(図中上側)を通ることができるが、反対側には固定子3と回転体2との間に空隙が存在するため当該空隙を越えて通ることができない。よって、バイアス磁束は外周面が形成された側に偏って通り、バイアス磁束によって当該外周面が形成された側向き(図中上向き)の軸受力が発生する。また、半円柱面状の外周面が形成された側においてバイアス磁束が通ることが可能な領域が最大化されており、当該側に向かって大きな軸受力を発生させることができる。さらに、半円柱面状の外周面が形成された側と反対側においては、バイアスコイル4を適切に巻回できる程度にまで空隙を広げ、バイアス磁束が通ることが可能な領域を小さくしているので、当該反対側に向かって発生する軸受力を小さくし、半円柱面状の外周面が形成された側に向かって発生する軸受力を全体として大きくしている。
【0027】
以上、説明したようにバイアスコイル4によってバイアス磁束を発生させるので、永久磁石によってバイアス磁束を発生させる図5に示した従来の磁気軸受900とは異なり、高温環境など永久磁石がその機能を発揮し得ない環境下においても磁気軸受100を良好に用いることができる。よって、製紙ロールや圧延ロールなどの各種大型ロールに好適に磁気軸受100を用いることができる。なお、固定軸1は、中実として図示したが、変位センサ8からの信号線等を配する空洞を内部に備えたものであってもよい。
【0028】
また、固定子3の外周面に形成された凹部5間に生じる凸部と、回転体2の内周面に形成された環状溝7間に生じる凸部とは、互いに近接対向するので、これら凸部に集中するバイアス磁束によって発生する吸引作用により、回転体2を軸方向の所定位置に保持させる大きな復元力を得ることができる。また、これら凸部が軸方向に複数に形成されているので、前記復元力をより良好に得ることができる。よって、回転体2の軸方向の位置変動が安定し、スラスト軸受を省略、もしくは小型化することができる。
【0029】
また、固定子3と回転体2との間に空隙に変位センサ8を設けたので、従来の磁気軸受900のように、外部にセンサを設ける必要がないので、磁気軸受100を小型化することが可能となる。
【0030】
また、制御コイル62に通電する電流を調整することによって発生させる制御磁束をそれぞれ制御することにより、回転体2の位置を制御している。そのため、制御コイル62に通電する電流に比例して制御力が変化するので、制御コイル62に通電する電流を調整することによって回転体2の位置を容易にアクティブ制御することができ、回転体2の位置精度を向上することが可能となる。
【0031】
また、固定子3の飽和磁束密度に略等しいバイアス磁束密度をバイアスコイル4によって発生させることが好ましい。回転体2と固定子3とのギャップ変動によるバイアス磁束の変化を小さくし、バイアス磁束によって発生する軸受力の変動を小さくできるので、軸受力の変動を吸収するために必要な制御力を小さくできる。
【0032】
また、固定子31,32,33の個数を適宜変更することによって、バイアスコイル4を必要な軸受力に応じて適切に設けることが容易に可能となる。そのため、小型でありながら大きな軸受力を発生することができ、拡張性のある磁気軸受100を容易に得ることができる。
【0033】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本実施の形態では、所定方向から高荷重を受けながら回転する回転体を固定軸に対して非接触支持する磁気軸受として実施した態様を説明したが、所定方向から高荷重を受ける固定軸に対して回転する回転体を非接触支持する磁気軸受等、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で実施形態を変更可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の実施の形態に係る磁気軸受100の概略軸方向断面図である。
【図2】磁気軸受100の概略断面図であり、(a)は図1に示すA―Aにおける断面を、(b)は図1に示すB―Bにおける断面をそれぞれ示す。
【図3】磁気軸受100の概略断面図であり、図1に示すC−Cにおける断面を示す。
【図4】磁気軸受100内のバイアス磁束の通る磁路を説明する説明図である。
【図5】従来の磁気軸受900を示す概略軸方向断面図である。
【図6】従来の磁気軸受900内のバイアス磁束の通る磁路を説明する説明図である。
【符号の説明】
【0035】
1 固定軸
2 回転体
3 固定子
4 バイアスコイル
5 凹部
6 突極
7 環状溝
8 変位センサ
100 磁気軸受

【特許請求の範囲】
【請求項1】
固定軸に対して回転する略円筒状の回転体を非接触支持する磁気軸受であって、
前記固定軸と一体的に設けられた固定子に複数のバイアスコイルを前記回転体の内周面と近接対向するように巻回し、かつ前記固定子の外面と前記回転体との間に空隙を設けたことを特徴とする磁気軸受。
【請求項2】
前記固定子が前記回転体の内周面に近接対向する半円柱面状の外周面を有し、該外周面に形成された凹部に前記バイアスコイルの一部が収容されることを特徴とする請求項1に記載の磁気軸受。
【請求項3】
前記バイアスコイルと近接対向する前記回転体の内周面に環状溝を形成したことを特徴とする請求項2に記載の磁気軸受。
【請求項4】
前記固定子の外面と前記回転体との間に空隙に前記回転体の変位を検出するセンサを設けたことを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の磁気軸受。
【請求項5】
前記固定子に制御コイルを巻回した複数対の突極を設け、前記制御コイルによってそれぞれ発生する制御磁束を制御することにより、前記回転体の位置を制御することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の磁気軸受。
【請求項6】
前記固定子の飽和磁束密度に略等しいバイアス磁束密度を前記バイアスコイルによって発生させることを特徴とする請求項5に記載の磁気軸受。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2010−121713(P2010−121713A)
【公開日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−296139(P2008−296139)
【出願日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【出願人】(593006630)学校法人立命館 (359)
【出願人】(000110158)トクデン株式会社 (91)
【Fターム(参考)】