耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法
【課題】 パラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の耐食性を改善するために下地めっきとしてＣｕ及びＮｉの１種又は２種をめっきしているものの耐食性を更に改善したパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【解決手段】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法、詳細には、パラジウムめっきの下地めっきとしてＣｕ及びＮｉの１種又は２種をめっきした耐食性に優れたパラジウムメッキ用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージに使用した場合のリードフレームのアウターリード部の表面にＰｂはんだをめっきしているが、最近環境上の問題からＰｂをなくすことが要求されてきた。そこでＰｂはんだに代わるものとしてＰｄ（パラジウム）が提案され、Ｃｕ系、Ｎｉ系のリードフレーム材においてはＰｄめっきしたものに移行しつつある。しかし、Ｆｅ系、すなわちＦｅーＮｉ系、ＦｅーＣｒ系などのリードフレーム材にＰｄをめっきすると、リードフレーム材のＦｅーＮｉ合金、ＦｅーＣｒ合金などとＰｄめっき層とは自然電位の差が大きいために局部電池が形成され、耐食性が劣化するという問題が発生した。そこで、自然電位の電位差を下げるという観点から、ＦｅーＮｉ系のリードフレーム材にＮｉをめっきした後Ｐｄをめっきし、その後拡散加熱処理を行ってＰｄとＮｉを相互拡散させた傾斜材料層を設けたものが本発明者らによって開発され、特願平８─１９５１９７号として特許出願されている。しかし、ＦｅーＮｉ系合金とＰｄ−Ｎｉ合金との電位差はＦｅーＮｉ系合金とＰｄとの電位差より小さいので、耐食性はある程度改善されるもののまだ十分ではなかった。
【０００３】また、Ｃｕ系、Ｎｉ系のリードフレーム材にＰｄをめっきしたものは耐食性が問題になっていないことから、ＦｅーＮｉ系、ＦｅーＣｒ系のリードフレーム材にＰｄをめっきする前に下地めっきとしてＣｕをめっきすることが提案されているが、このＣｕを下地めっきしたものは、Ｃｕをめっきしていないものより耐食性が改善されているもののまだ十分ではなかった。そこで、Ｃｕを下地めっきしたものが耐食性が十分でない原因について調べたところ、Ｐｄめっき層及び下地めっきのＣｕめっき層は、ポーラスであるためにＰｄとＦｅーＮｉ系合金、ＦｅーＣｒ系合金などとの間で局部電池が形成され、耐食性が劣化することが原因であることが判明した。この対策としてＰｄを厚くめっきをして孔を低減することも考えられたが、Ｐｄめっきは非常に高価であるために実施することが困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、下地めっきとしてＣｕ及びＮｉの１種又は２種（以下、「Ｃｕ及び／又はＮｉ」という。）をめっきしたものにおいても耐食性が優れ、あるいは耐食性が優れているとともにめっき後に打ち抜きによるタイバーカットを行ってもリードフレーム材自体が露出することがないせん断面を得ることができるリードフレーム材及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材においては、ＦｅーＮｉ系合金などのＦｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及び／又はＮｉの４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延あるいは冷間圧延後に４００℃以上の温度で焼鈍されたものとしたことである。また、上記目的を達成するため、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法においては、ＦｅーＮｉ系合金などのＦｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延あるいは冷間圧延後に４００℃以上の温度で焼鈍をする製造方法としたことである。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を説明する。先ず、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材について説明すると、本発明のＦｅ系リードフレーム材は、Ｎｉを３０〜５５％含有しているＦｅーＮｉ系合金、このＦｅーＮｉ系合金にＮｂを２〜７％及びＣｏを１〜５％含有しているＦｅーＮｉ─Ｎｂ─Ｃｏ系合金、Ｃｒを５〜１３％含有しているＦｅーＣｒ系合金などである。また、本発明のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、表面にＣｕ及び／又はＮｉを４μｍ以上設けているが、表面にＣｕ及び／又はＮｉをめっきするのは、Ｃｕ及びＮｉがＦｅーＮｉ系合金及びＦｅーＣｒ系合金に付着し易く、またこれらの合金及びＰｄと自然電位が近くて局部電池が形成され難いからである。またＦｅ系リードフレーム材はめっき層を４μｍ以上にしているが、４μｍより薄いと耐食性が十分改善されないからである。このめっき層の厚さは好ましくは７．５μｍ以上であり、上限はコストの点を考慮すると冷間圧延後の厚さが１２μｍ以下が好ましい。
【０００７】本発明のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、めっき層が加工率１０％以上の冷間圧延をしたものであるが、冷間圧延しているのはＣｕ及びＮｉめっき層に発生した孔を封孔して局部電池を形成するのを防止するためであり、加工率を１０％以上にするのは、１０％より少ないと封孔が十分行われないために局部電池の形成を防止することができないからである。上限は、特に限定されないが加工率を高くするとＣｕ及びＮｉめっき層を厚くめっきする必要があるので、５０％以下が好ましい。また、本発明の別の実施の形態のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、めっき層が４００℃以上の温度で焼鈍したものであるが、焼鈍しているのは下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉの歪みを取って伸びを回復させるためであり、その結果として打ち抜き加工によってタイバーカットした場合に生じるせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆させて耐食性を改善するためである。この焼鈍を４００℃以上で行うのは、４００℃以下の温度では下地めっき層の歪みを十分取ることができないからである。上限は、コストの点を考慮すると８００℃以下が好ましい。
【０００８】
【作用】本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、加工率１０％以上の冷間圧延をしたＣｕ及び／又はＮｉの４μｍ以上のめっき層を設けているので、めっき層の孔が封孔されているためにＦｅーＮｉ系合金、ＦｅーＣｒ系合金などとＰｄとが局部電池を形成してリードフレーム材を腐食することがない。またその後４００℃以上の温度で焼鈍しているものにおいては、下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉの伸びが回復しているので、タイバーカットのための打ち抜き加工後に生じたせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆し、耐食性を改善することができる。
【０００９】次に、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法について説明すると、Ｆｅ系リードフレーム材、Ｃｕ及び／又はＮｉのめっきをすること、加工率１０％以上の冷間圧延すること及び４００℃以上の温度で焼鈍することについては上記耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材のところで述べたとおりである。本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法は、表面にＣｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきしているが、４．５μｍ以上めっきしてすれば加工率１０％の冷間圧延によっても耐食性を改善するのに必要な厚さ、すなわち４μｍ以上のめっき層が得られるからである。ただ、冷間圧延の加工率を１０％より高くする場合には、加工率に従ってめっき層も厚くする必要がある。このめっき層の厚さは、好ましくは７．５μｍ以上であり、上限はコストの点を考慮すると冷間圧延後の厚さが１２μｍ以下が好ましい。
【００１０】
【作用】本発明のＦｅ系リードフレーム材の製造方法は、Ｃｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をしているので、Ｃｕ及びＮｉめっき層に発生した孔を封孔することができる。その結果としてＦｅーＮｉ系合金及びＦｅーＣｒ系合金とＰｄとが局部電池を形成することによる腐食を防止することができる。また４００℃以上の温度で焼鈍するものにおいては、焼鈍することによって下地めっき層の歪みが除去されて伸びが回復される。その結果としてタイバーカットのための打ち抜き加工後をすると、せん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉが被覆されてせん断面の耐食性も改善することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
実施例１下記表１に示した成分組成の材料を溶解後鋳造して鋼塊にし、この鋼塊を１１００℃にて熱間鍛造して厚さ２０ｍｍ、幅５０ｍｍの板にした。この板の表面をグラインダーにより脱スケールした後、熱間圧延により厚さ３ｍｍの板にし、その後この板を再度グラインダーにより脱スケールし、冷間圧延により厚さ１ｍｍの板にした。この板を１０００℃にて５分間の真空焼鈍と冷間圧延とを繰り返して０．２ｍｍの板とし、同様に真空焼鈍した。
【００１２】
【表１】
【００１３】この板を切断して３０ｍｍ×５０ｍｍのそれぞれの供試材について６枚ずつ計１８枚の試験片を作成し、下記めっき浴を用いてＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉを下記表２に記載したような３種類の厚さにめっきするとともに、４種類の冷間加工率を加えた試料を作成した。この試料をJIS Z 2371に準じた２４時間の塩水噴霧試験を行い、その錆の発生率を画像処理法で求め、下記表２に示した結果を得た。なお、ＣｕとＮｉの両方をめっきしたものは、Ｃｕをめっきした後Ｎｉをめっきした。
Ｎｉめっき浴及びめっき条件 硫酸ニッケル ２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル ４５ｇ／ｌ ホウ酸 ３０ｇ／ｌ ｐＨ ５．０ 温度 ５０℃ 陽極 銅板 電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 陽極 ニッケル板 Ｃｕめっき浴及びめっき条件 硫酸銅（CuSO4 ・5H2O) ２２０ｇ／ｌ 硫酸 ５０ｇ／ｌ 温度 ３５℃ 電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 陽極 銅板
【００１４】
【表２】
【００１５】これらの結果より、いずれのめっきをしたものにおいても冷間加工前のめっき厚さが４．５μｍ以上になると、錆発生量が大幅に低下し、１０％以上の冷間圧延をしたものは、錆の発生率が極端に低下していることが分かる。
【００１６】実施例２上記実施例１と同じ方法で製造し、切断した試験片に上記めっき浴を用いてめっき時間を変えながらＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉを表３に示したような厚さにめっきし、２０％の冷間加工した後６００℃で５分間真空焼鈍してリードフレーム材の試料を得た。これらの試料を図１に示したような形状の穴を打ち抜いて試料にした。この試料にJIS Z 2371に準じた２４時間の塩水噴霧試験を行い、打ち抜いた穴の部分の錆の発生率を画像処理法で求め、下記表３に示した結果を得た。
【００１７】これらの結果より、冷間加工前のめっき厚さが４．５μｍ以上になると、錆発生量が大幅に低下し、７．５μｍ以上になると、錆発生量が極端に低下することが分かる。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例３上記実施例１と同じ方法で製造し、切断した試験片に上記めっき浴を用いて表４に記載したような厚さのＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉをめっきし、表４に記載したような加工率の冷間加工をし、その後６００℃で５分間真空焼鈍または焼鈍をせず下記に記載しためっき浴を用いてＰｄを０．５μｍめっきした試料を作成した。この試料を実施例１と同じ塩水噴霧試験を行い、表面の錆の発生率を求めた。その結果を下記表４に示した。
Ｐｄめっきパラジウム（Pd(NH3)2(NO2)2として） １３ｇ／ｌスルファミン酸アンモニウム １００ｇ／ｌｐＨ（アンモンニア水で） ８．０温度 ２７℃電流密度 ０．６Ａ／ｄｍ2陽極 白金被覆陽極
【００２０】
【表４】
【００２１】これらの結果より、Ｐｄをめっきしても冷間加工の加工率が５％のものは耐食性が十分でないことが分かった。また焼鈍をしてないものと焼鈍をしているものとは耐食性に殆ど違いがないことが分かった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記構成にしたことにより、下地めっきとしてＣｕ及び／又はＮｉをめっきした後加工率１０％以上の冷間加工をしたものにおいては耐食性が十分優れており、また冷間加工後に焼鈍をしたものは打ち抜き加工をしてもせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆させることができるので、せん断面も耐食性を改善することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】せん断面の耐食性を調査するために打ち抜き加工した穴の形状及び大きさを説明するための平面図である。
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法、詳細には、パラジウムめっきの下地めっきとしてＣｕ及びＮｉの１種又は２種をめっきした耐食性に優れたパラジウムメッキ用Ｆｅ系リードフレーム材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣパッケージに使用した場合のリードフレームのアウターリード部の表面にＰｂはんだをめっきしているが、最近環境上の問題からＰｂをなくすことが要求されてきた。そこでＰｂはんだに代わるものとしてＰｄ（パラジウム）が提案され、Ｃｕ系、Ｎｉ系のリードフレーム材においてはＰｄめっきしたものに移行しつつある。しかし、Ｆｅ系、すなわちＦｅーＮｉ系、ＦｅーＣｒ系などのリードフレーム材にＰｄをめっきすると、リードフレーム材のＦｅーＮｉ合金、ＦｅーＣｒ合金などとＰｄめっき層とは自然電位の差が大きいために局部電池が形成され、耐食性が劣化するという問題が発生した。そこで、自然電位の電位差を下げるという観点から、ＦｅーＮｉ系のリードフレーム材にＮｉをめっきした後Ｐｄをめっきし、その後拡散加熱処理を行ってＰｄとＮｉを相互拡散させた傾斜材料層を設けたものが本発明者らによって開発され、特願平８─１９５１９７号として特許出願されている。しかし、ＦｅーＮｉ系合金とＰｄ−Ｎｉ合金との電位差はＦｅーＮｉ系合金とＰｄとの電位差より小さいので、耐食性はある程度改善されるもののまだ十分ではなかった。
【０００３】また、Ｃｕ系、Ｎｉ系のリードフレーム材にＰｄをめっきしたものは耐食性が問題になっていないことから、ＦｅーＮｉ系、ＦｅーＣｒ系のリードフレーム材にＰｄをめっきする前に下地めっきとしてＣｕをめっきすることが提案されているが、このＣｕを下地めっきしたものは、Ｃｕをめっきしていないものより耐食性が改善されているもののまだ十分ではなかった。そこで、Ｃｕを下地めっきしたものが耐食性が十分でない原因について調べたところ、Ｐｄめっき層及び下地めっきのＣｕめっき層は、ポーラスであるためにＰｄとＦｅーＮｉ系合金、ＦｅーＣｒ系合金などとの間で局部電池が形成され、耐食性が劣化することが原因であることが判明した。この対策としてＰｄを厚くめっきをして孔を低減することも考えられたが、Ｐｄめっきは非常に高価であるために実施することが困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、下地めっきとしてＣｕ及びＮｉの１種又は２種（以下、「Ｃｕ及び／又はＮｉ」という。）をめっきしたものにおいても耐食性が優れ、あるいは耐食性が優れているとともにめっき後に打ち抜きによるタイバーカットを行ってもリードフレーム材自体が露出することがないせん断面を得ることができるリードフレーム材及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材においては、ＦｅーＮｉ系合金などのＦｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及び／又はＮｉの４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延あるいは冷間圧延後に４００℃以上の温度で焼鈍されたものとしたことである。また、上記目的を達成するため、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法においては、ＦｅーＮｉ系合金などのＦｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延あるいは冷間圧延後に４００℃以上の温度で焼鈍をする製造方法としたことである。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を説明する。先ず、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材について説明すると、本発明のＦｅ系リードフレーム材は、Ｎｉを３０〜５５％含有しているＦｅーＮｉ系合金、このＦｅーＮｉ系合金にＮｂを２〜７％及びＣｏを１〜５％含有しているＦｅーＮｉ─Ｎｂ─Ｃｏ系合金、Ｃｒを５〜１３％含有しているＦｅーＣｒ系合金などである。また、本発明のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、表面にＣｕ及び／又はＮｉを４μｍ以上設けているが、表面にＣｕ及び／又はＮｉをめっきするのは、Ｃｕ及びＮｉがＦｅーＮｉ系合金及びＦｅーＣｒ系合金に付着し易く、またこれらの合金及びＰｄと自然電位が近くて局部電池が形成され難いからである。またＦｅ系リードフレーム材はめっき層を４μｍ以上にしているが、４μｍより薄いと耐食性が十分改善されないからである。このめっき層の厚さは好ましくは７．５μｍ以上であり、上限はコストの点を考慮すると冷間圧延後の厚さが１２μｍ以下が好ましい。
【０００７】本発明のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、めっき層が加工率１０％以上の冷間圧延をしたものであるが、冷間圧延しているのはＣｕ及びＮｉめっき層に発生した孔を封孔して局部電池を形成するのを防止するためであり、加工率を１０％以上にするのは、１０％より少ないと封孔が十分行われないために局部電池の形成を防止することができないからである。上限は、特に限定されないが加工率を高くするとＣｕ及びＮｉめっき層を厚くめっきする必要があるので、５０％以下が好ましい。また、本発明の別の実施の形態のパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、めっき層が４００℃以上の温度で焼鈍したものであるが、焼鈍しているのは下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉの歪みを取って伸びを回復させるためであり、その結果として打ち抜き加工によってタイバーカットした場合に生じるせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆させて耐食性を改善するためである。この焼鈍を４００℃以上で行うのは、４００℃以下の温度では下地めっき層の歪みを十分取ることができないからである。上限は、コストの点を考慮すると８００℃以下が好ましい。
【０００８】
【作用】本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材は、加工率１０％以上の冷間圧延をしたＣｕ及び／又はＮｉの４μｍ以上のめっき層を設けているので、めっき層の孔が封孔されているためにＦｅーＮｉ系合金、ＦｅーＣｒ系合金などとＰｄとが局部電池を形成してリードフレーム材を腐食することがない。またその後４００℃以上の温度で焼鈍しているものにおいては、下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉの伸びが回復しているので、タイバーカットのための打ち抜き加工後に生じたせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆し、耐食性を改善することができる。
【０００９】次に、本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法について説明すると、Ｆｅ系リードフレーム材、Ｃｕ及び／又はＮｉのめっきをすること、加工率１０％以上の冷間圧延すること及び４００℃以上の温度で焼鈍することについては上記耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材のところで述べたとおりである。本発明の耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法は、表面にＣｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきしているが、４．５μｍ以上めっきしてすれば加工率１０％の冷間圧延によっても耐食性を改善するのに必要な厚さ、すなわち４μｍ以上のめっき層が得られるからである。ただ、冷間圧延の加工率を１０％より高くする場合には、加工率に従ってめっき層も厚くする必要がある。このめっき層の厚さは、好ましくは７．５μｍ以上であり、上限はコストの点を考慮すると冷間圧延後の厚さが１２μｍ以下が好ましい。
【００１０】
【作用】本発明のＦｅ系リードフレーム材の製造方法は、Ｃｕ及び／又はＮｉを４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をしているので、Ｃｕ及びＮｉめっき層に発生した孔を封孔することができる。その結果としてＦｅーＮｉ系合金及びＦｅーＣｒ系合金とＰｄとが局部電池を形成することによる腐食を防止することができる。また４００℃以上の温度で焼鈍するものにおいては、焼鈍することによって下地めっき層の歪みが除去されて伸びが回復される。その結果としてタイバーカットのための打ち抜き加工後をすると、せん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉが被覆されてせん断面の耐食性も改善することができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
実施例１下記表１に示した成分組成の材料を溶解後鋳造して鋼塊にし、この鋼塊を１１００℃にて熱間鍛造して厚さ２０ｍｍ、幅５０ｍｍの板にした。この板の表面をグラインダーにより脱スケールした後、熱間圧延により厚さ３ｍｍの板にし、その後この板を再度グラインダーにより脱スケールし、冷間圧延により厚さ１ｍｍの板にした。この板を１０００℃にて５分間の真空焼鈍と冷間圧延とを繰り返して０．２ｍｍの板とし、同様に真空焼鈍した。
【００１２】
【表１】
【００１３】この板を切断して３０ｍｍ×５０ｍｍのそれぞれの供試材について６枚ずつ計１８枚の試験片を作成し、下記めっき浴を用いてＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉを下記表２に記載したような３種類の厚さにめっきするとともに、４種類の冷間加工率を加えた試料を作成した。この試料をJIS Z 2371に準じた２４時間の塩水噴霧試験を行い、その錆の発生率を画像処理法で求め、下記表２に示した結果を得た。なお、ＣｕとＮｉの両方をめっきしたものは、Ｃｕをめっきした後Ｎｉをめっきした。
Ｎｉめっき浴及びめっき条件 硫酸ニッケル ２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル ４５ｇ／ｌ ホウ酸 ３０ｇ／ｌ ｐＨ ５．０ 温度 ５０℃ 陽極 銅板 電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 陽極 ニッケル板 Ｃｕめっき浴及びめっき条件 硫酸銅（CuSO4 ・5H2O) ２２０ｇ／ｌ 硫酸 ５０ｇ／ｌ 温度 ３５℃ 電流密度 ５Ａ／ｄｍ2 陽極 銅板
【００１４】
【表２】
【００１５】これらの結果より、いずれのめっきをしたものにおいても冷間加工前のめっき厚さが４．５μｍ以上になると、錆発生量が大幅に低下し、１０％以上の冷間圧延をしたものは、錆の発生率が極端に低下していることが分かる。
【００１６】実施例２上記実施例１と同じ方法で製造し、切断した試験片に上記めっき浴を用いてめっき時間を変えながらＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉを表３に示したような厚さにめっきし、２０％の冷間加工した後６００℃で５分間真空焼鈍してリードフレーム材の試料を得た。これらの試料を図１に示したような形状の穴を打ち抜いて試料にした。この試料にJIS Z 2371に準じた２４時間の塩水噴霧試験を行い、打ち抜いた穴の部分の錆の発生率を画像処理法で求め、下記表３に示した結果を得た。
【００１７】これらの結果より、冷間加工前のめっき厚さが４．５μｍ以上になると、錆発生量が大幅に低下し、７．５μｍ以上になると、錆発生量が極端に低下することが分かる。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例３上記実施例１と同じ方法で製造し、切断した試験片に上記めっき浴を用いて表４に記載したような厚さのＣｕ、ＮｉあるいはＣｕ及びＮｉをめっきし、表４に記載したような加工率の冷間加工をし、その後６００℃で５分間真空焼鈍または焼鈍をせず下記に記載しためっき浴を用いてＰｄを０．５μｍめっきした試料を作成した。この試料を実施例１と同じ塩水噴霧試験を行い、表面の錆の発生率を求めた。その結果を下記表４に示した。
Ｐｄめっきパラジウム（Pd(NH3)2(NO2)2として） １３ｇ／ｌスルファミン酸アンモニウム １００ｇ／ｌｐＨ（アンモンニア水で） ８．０温度 ２７℃電流密度 ０．６Ａ／ｄｍ2陽極 白金被覆陽極
【００２０】
【表４】
【００２１】これらの結果より、Ｐｄをめっきしても冷間加工の加工率が５％のものは耐食性が十分でないことが分かった。また焼鈍をしてないものと焼鈍をしているものとは耐食性に殆ど違いがないことが分かった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上記構成にしたことにより、下地めっきとしてＣｕ及び／又はＮｉをめっきした後加工率１０％以上の冷間加工をしたものにおいては耐食性が十分優れており、また冷間加工後に焼鈍をしたものは打ち抜き加工をしてもせん断面に下地めっき層のＣｕ及び／又はＮｉを被覆させることができるので、せん断面も耐食性を改善することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】せん断面の耐食性を調査するために打ち抜き加工した穴の形状及び大きさを説明するための平面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【請求項２】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延された後、４００℃以上の温度で焼鈍されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【請求項３】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種を４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をすることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法。
【請求項４】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種を４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をし、その後４００℃以上の温度で焼鈍をしたことを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法。
【請求項１】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【請求項２】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種の４μｍ以上のめっき層が設けられており、このめっき層が加工率１０％以上の冷間圧延された後、４００℃以上の温度で焼鈍されたものであることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材。
【請求項３】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種を４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をすることを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法。
【請求項４】 Ｆｅ系リードフレーム材の表面にＣｕ及びＮｉの１種又は２種を４．５μｍ以上めっきした後、加工率１０％以上の冷間圧延をし、その後４００℃以上の温度で焼鈍をしたことを特徴とする耐食性に優れたパラジウムめっき用Ｆｅ系リードフレーム材の製造方法。
【図１】
【公開番号】特開平１１−１７０９５
【公開日】平成１１年（１９９９）１月２２日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平９−１８１８６０
【出願日】平成９年（１９９７）６月２４日
【出願人】（０００００３７１３）大同特殊鋼株式会社 (916)
【公開日】平成１１年（１９９９）１月２２日
【国際特許分類】
【出願日】平成９年（１９９７）６月２４日
【出願人】（０００００３７１３）大同特殊鋼株式会社 (916)
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