落下式粉体処理装置
【課題】 原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、この加熱部内において落下される粉体を加熱処理させた後、このように加熱処理された粉体を冷却部において冷却させるにあたり、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を適切に調整して、原料となる様々な粉体を適切に加熱処理できるようにする。
【解決手段】 原料の粉体Ｗを供給する原料供給部１０と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部２０と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部３０とを備えた落下式粉体処理装置において、加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにした。
【解決手段】 原料の粉体Ｗを供給する原料供給部１０と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部２０と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部３０とを備えた落下式粉体処理装置において、加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭素粉末やフェライト粉末等の原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、この加熱部内において落下される粉体を加熱処理させた後、このように加熱部内において加熱処理された粉体を冷却部において冷却させるようにした落下式粉体処理装置に関するものである。特に、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を適切に調整できるようにした点に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭素粉末やフェライト粉末等の原料となる粉体を加熱処理するにあたっては、原料となる粉体をこう鉢に入れて、加熱炉内で加熱処理させるようにしたものの他に、特許文献１，２等に示されるように、原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、このように供給された粉体を加熱部内において自由落下させながら加熱処理するようにした落下式粉体処理装置が使用されている。
【０００３】
しかし、このように原料となる粉体を加熱部内において自由落下させるようにした場合、原料となる粉体の比重や粒径等によって加熱部内を落下する粉体の落下速度が異なり、加熱部において粉体を加熱処理する時間を適切に調整することができず、また原料となる粉体の種類に応じて、加熱部において加熱処理する時間を適切に調整することもできないという問題があった。
【０００４】
また、上記の特許文献１においては、大豆やあずき等の粒径が大きい原料の場合、自由落下する速度が速くなって十分な加熱処理を行うことができなくなるのを防止するため、筒状になった加熱部内にロート状やカサ状のバッフルを設け、このバッフルの傾斜に沿って上記の原料を落下させるようにして、加熱処理する時間を長くすることが提案されている。
【０００５】
しかし、このように加熱部内にロート状やカサ状のバッフルを設けた落下式粉体処理装置において、比重や粒径等が小さい粉体を加熱処理する場合には、粉体を加熱処理する時間が長くなりすぎたり、粉体がバッフルに付着して凝集したりするという問題があり、原料となる粉体の比重や粒径等に応じて、加熱部において粉体を加熱処理する時間を適切に調整したり、また原料となる粉体の種類に応じて、加熱部において加熱処理する時間を適切に調整したりすることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−７９５６７号公報
【特許文献２】特開２００９−８４１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、この加熱部内において落下される粉体を加熱処理させた後、このように加熱部内において加熱処理された粉体を冷却部において冷却させるようにした落下式粉体処理装置における上記のような問題を解決することを課題とするものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、上記のような落下式粉体処理装置において、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を適切に調整して、原料となる様々な粉体を適切に加熱処理できるようにすることを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明においては、上記のような課題を解決するため、原料の粉体を供給する原料供給部と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部とを備えた落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにした。
【００１０】
そして、このように加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するにあたっては、加熱部の下側及び／又は上側にガスを供給するガス供給装置と、このガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御する制御装置を設けるようにする。
【００１１】
ここで、上記の制御装置においては、加熱部内の圧力に基づいて、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御させるようにすることが好ましい。
【００１２】
また、加熱部内おいて粉体を加熱処理した場合に発生する排ガスを粉体と分離させて排出させるようにするため、加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設け、またこの排ガスに含まれる有害成分を除去するように、この排ガス部に排ガスを無害化させる排ガス処理装置を設けることが好ましい。
【００１３】
また、このように加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設けた場合において、この排ガス部に加熱部内の圧力を測定するための圧力測定器を設け、この圧力測定器により測定された加熱部内の圧力に基づいて、上記の制御装置により、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御させるようにすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明における落下式粉体処理装置においては、原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱部内において加熱処理するにあたり、上記のように加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにしたため、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を簡単かつ適切に調整することができるようになる。
【００１５】
この結果、本発明における落下式粉体処理装置においては、原料となる様々な粉体に対応させて加熱処理する時間を調整し、各粉体に対して適切な加熱処理が行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る落下式粉体処理装置を示した概略説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る落下式粉体処理装置を添付図面に基づいて具体的に説明する。なお、本発明に係る落下式粉体処理装置は、下記の実施形態に示したものに限定されず、発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施できるものである。
【００１８】
この実施形態の落下式粉体処理装置においては、図１に示すように、原料供給部１０に設けられた原料供給装置１１から加熱処理する原料となる粉体Ｗをふるい装置１２に導き、このふるい装置１２により凝集している粉体Ｗを解砕させて、粉体Ｗを分散させるようにしている。
【００１９】
そして、このように分散させた粉体Ｗを、原料供給部１０における案内管１３を通して筒状になった加熱部２０内に導き、この加熱部２０内において落下させるようにしている。
【００２０】
ここで、この加熱部２０の外周側には加熱装置２１が設けられており、この加熱装置２１により加熱部２０内を加熱させ、この加熱部２０内を落下する上記の粉体Ｗを加熱処理するようにしている。
【００２１】
そして、このように加熱処理されて落下する粉体Ｗを、上記の加熱部２０内からその下方に設けられた冷却部３０内に導いて冷却させるようにしている。
【００２２】
ここで、この実施形態においては、この冷却部３０内に傘状になった案内部材３１を設け、この冷却部３０内を落下する上記の粉体Ｗをこの案内部材３１に接触させて冷却させると共に、この案内部材３１により上記の粉体Ｗを冷却部３０の内壁面に導き、この内壁面との接触によって上記の粉体Ｗを効率よく冷却させるようにしている。
【００２３】
そして、この実施形態においては、粉体Ｗの処理目的に応じて、窒素，空気，水素，炭化水素等の各種のガスを供給するガス供給装置４０を設け、このガス供給装置４０から上記のガスを、第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内に導き、このように冷却部３０内に導かれたガスを上記の加熱部２０の下側から加熱部２０内に導くようにすると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０に導き、上記のふるい装置１２により分散されて案内管１３に導かれた粉体Ｗをこのガスによって加熱部２０内に送り出すようにしている。
【００２４】
また、上記の第１供給路４１ａに第１流量調整弁４２ａを設けると共に、上記の第２供給路４１ｂに第２流量調整弁４２ｂを設け、この第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御装置４３により制御し、第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を調整するようにしている。
【００２５】
また、この実施形態においては、上記の加熱部２０の上側に加熱部２０内の排ガスを外部に排出させる排ガス部５０を設け、この排ガス部５０に、上記の排ガスに含まれる有害成分を除去して排ガスを無害化させる排ガス処理装置５１を設けている。
【００２６】
また、この実施形態においては、上記の排ガス部５０に、上記の加熱部２０内の圧力を測定するための圧力測定器５２を設け、この圧力測定器５２によって測定された加熱部２０内の圧力を上記の制御装置４３に出力し、上記のように第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を調整するようにしている。
【００２７】
ここで、粉体Ｗの落下速度や落下時間を加熱中に実際に測定することは非常に困難であるが、このように加熱部２０内の圧力に基づいて、制御装置４３により、冷却部３０や案内管１３から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると、粉体Ｗの加熱処理条件の調整や再現が可能になる。
【００２８】
また、この実施形態においては、上記の加熱部２０や排ガス部５０の周囲に断熱材Ｄを設けている。
【００２９】
そして、この実施形態の落下式粉体処理装置によって粉体Ｗを加熱処理するにあたり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を長くする場合には、上記の制御装置４３によって上記の第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御し、上記の第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を多くする一方、上記の第２供給路４１ｂを通して原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を少なくし、或いはガスを導かないようにする。このようにすると、比重や粒径が大きくて加熱部２０内において自由落下する速度が速い粉体Ｗであっても、上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスによってその落下速度が遅くなり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を長くすることができる。また、自由落下する速度が遅い粉体Ｗを用いた場合において、さらに落下速度を遅くすることもできる。
【００３０】
一方、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を短くする場合には、上記の制御装置４３によって上記の第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御し、上記の第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を少なくし、或いはガスを導かないようにする一方、上記の第２供給路４１ｂを通して原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を多くする。このようにすると、比重や粒径が小さくて加熱部２０内において自由落下する速度が遅い粉体Ｗであっても、上記の案内管１３に導かれるガスによって、加熱部２０内において落下する速度が速くなり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を短くすることができる。また、自由落下する速度が速い粉体Ｗを用いた場合において、さらに落下速度を速くすることもできる。
【００３１】
このため、この実施形態の落下式粉体処理装置においては、原料となる粉体Ｗの種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体Ｗに対応させて、この粉体Ｗを加熱部２０内において落下させながら加熱処理する時間を簡単かつ適切に調整することができ、原料となる様々な粉体Ｗを適切に加熱処理できるようになる。
【００３２】
なお、上記のガス供給装置４０から供給するガスの種類は特に限定されず、空気や窒素などの一般に使用されるガスの他に、粉体Ｗと反応して粉体Ｗに対して処理を行うための特殊なガスなど、様々なガスを使用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１０ 原料供給部
１１ 原料供給装置
１２ ふるい装置
１３ 案内管
２０ 加熱部
２１ 加熱装置
３０ 冷却部
３１ 案内部材
４０ ガス供給装置
４１ａ 第１供給路
４１ｂ 第２供給路
４２ａ 第１流量調整弁
４２ｂ 第２流量調整弁
４３ 制御装置
５０ 排ガス部
５１ 排ガス処理装置
５２ 圧力測定器
Ｄ 断熱材
Ｗ 粉体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭素粉末やフェライト粉末等の原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、この加熱部内において落下される粉体を加熱処理させた後、このように加熱部内において加熱処理された粉体を冷却部において冷却させるようにした落下式粉体処理装置に関するものである。特に、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を適切に調整できるようにした点に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭素粉末やフェライト粉末等の原料となる粉体を加熱処理するにあたっては、原料となる粉体をこう鉢に入れて、加熱炉内で加熱処理させるようにしたものの他に、特許文献１，２等に示されるように、原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、このように供給された粉体を加熱部内において自由落下させながら加熱処理するようにした落下式粉体処理装置が使用されている。
【０００３】
しかし、このように原料となる粉体を加熱部内において自由落下させるようにした場合、原料となる粉体の比重や粒径等によって加熱部内を落下する粉体の落下速度が異なり、加熱部において粉体を加熱処理する時間を適切に調整することができず、また原料となる粉体の種類に応じて、加熱部において加熱処理する時間を適切に調整することもできないという問題があった。
【０００４】
また、上記の特許文献１においては、大豆やあずき等の粒径が大きい原料の場合、自由落下する速度が速くなって十分な加熱処理を行うことができなくなるのを防止するため、筒状になった加熱部内にロート状やカサ状のバッフルを設け、このバッフルの傾斜に沿って上記の原料を落下させるようにして、加熱処理する時間を長くすることが提案されている。
【０００５】
しかし、このように加熱部内にロート状やカサ状のバッフルを設けた落下式粉体処理装置において、比重や粒径等が小さい粉体を加熱処理する場合には、粉体を加熱処理する時間が長くなりすぎたり、粉体がバッフルに付着して凝集したりするという問題があり、原料となる粉体の比重や粒径等に応じて、加熱部において粉体を加熱処理する時間を適切に調整したり、また原料となる粉体の種類に応じて、加熱部において加熱処理する時間を適切に調整したりすることはできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−７９５６７号公報
【特許文献２】特開２００９−８４１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、原料となる粉体を原料供給部から加熱部に供給し、この加熱部内において落下される粉体を加熱処理させた後、このように加熱部内において加熱処理された粉体を冷却部において冷却させるようにした落下式粉体処理装置における上記のような問題を解決することを課題とするものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、上記のような落下式粉体処理装置において、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を適切に調整して、原料となる様々な粉体を適切に加熱処理できるようにすることを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明においては、上記のような課題を解決するため、原料の粉体を供給する原料供給部と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部とを備えた落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにした。
【００１０】
そして、このように加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するにあたっては、加熱部の下側及び／又は上側にガスを供給するガス供給装置と、このガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御する制御装置を設けるようにする。
【００１１】
ここで、上記の制御装置においては、加熱部内の圧力に基づいて、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御させるようにすることが好ましい。
【００１２】
また、加熱部内おいて粉体を加熱処理した場合に発生する排ガスを粉体と分離させて排出させるようにするため、加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設け、またこの排ガスに含まれる有害成分を除去するように、この排ガス部に排ガスを無害化させる排ガス処理装置を設けることが好ましい。
【００１３】
また、このように加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設けた場合において、この排ガス部に加熱部内の圧力を測定するための圧力測定器を設け、この圧力測定器により測定された加熱部内の圧力に基づいて、上記の制御装置により、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御させるようにすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明における落下式粉体処理装置においては、原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱部内において加熱処理するにあたり、上記のように加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御するようにしたため、原料となる粉体の種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体に対応させて、この粉体を加熱部内において落下させながら加熱処理する時間を簡単かつ適切に調整することができるようになる。
【００１５】
この結果、本発明における落下式粉体処理装置においては、原料となる様々な粉体に対応させて加熱処理する時間を調整し、各粉体に対して適切な加熱処理が行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る落下式粉体処理装置を示した概略説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る落下式粉体処理装置を添付図面に基づいて具体的に説明する。なお、本発明に係る落下式粉体処理装置は、下記の実施形態に示したものに限定されず、発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施できるものである。
【００１８】
この実施形態の落下式粉体処理装置においては、図１に示すように、原料供給部１０に設けられた原料供給装置１１から加熱処理する原料となる粉体Ｗをふるい装置１２に導き、このふるい装置１２により凝集している粉体Ｗを解砕させて、粉体Ｗを分散させるようにしている。
【００１９】
そして、このように分散させた粉体Ｗを、原料供給部１０における案内管１３を通して筒状になった加熱部２０内に導き、この加熱部２０内において落下させるようにしている。
【００２０】
ここで、この加熱部２０の外周側には加熱装置２１が設けられており、この加熱装置２１により加熱部２０内を加熱させ、この加熱部２０内を落下する上記の粉体Ｗを加熱処理するようにしている。
【００２１】
そして、このように加熱処理されて落下する粉体Ｗを、上記の加熱部２０内からその下方に設けられた冷却部３０内に導いて冷却させるようにしている。
【００２２】
ここで、この実施形態においては、この冷却部３０内に傘状になった案内部材３１を設け、この冷却部３０内を落下する上記の粉体Ｗをこの案内部材３１に接触させて冷却させると共に、この案内部材３１により上記の粉体Ｗを冷却部３０の内壁面に導き、この内壁面との接触によって上記の粉体Ｗを効率よく冷却させるようにしている。
【００２３】
そして、この実施形態においては、粉体Ｗの処理目的に応じて、窒素，空気，水素，炭化水素等の各種のガスを供給するガス供給装置４０を設け、このガス供給装置４０から上記のガスを、第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内に導き、このように冷却部３０内に導かれたガスを上記の加熱部２０の下側から加熱部２０内に導くようにすると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０に導き、上記のふるい装置１２により分散されて案内管１３に導かれた粉体Ｗをこのガスによって加熱部２０内に送り出すようにしている。
【００２４】
また、上記の第１供給路４１ａに第１流量調整弁４２ａを設けると共に、上記の第２供給路４１ｂに第２流量調整弁４２ｂを設け、この第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御装置４３により制御し、第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を調整するようにしている。
【００２５】
また、この実施形態においては、上記の加熱部２０の上側に加熱部２０内の排ガスを外部に排出させる排ガス部５０を設け、この排ガス部５０に、上記の排ガスに含まれる有害成分を除去して排ガスを無害化させる排ガス処理装置５１を設けている。
【００２６】
また、この実施形態においては、上記の排ガス部５０に、上記の加熱部２０内の圧力を測定するための圧力測定器５２を設け、この圧力測定器５２によって測定された加熱部２０内の圧力を上記の制御装置４３に出力し、上記のように第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると共に、第２供給路４１ｂを通して上記の原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を調整するようにしている。
【００２７】
ここで、粉体Ｗの落下速度や落下時間を加熱中に実際に測定することは非常に困難であるが、このように加熱部２０内の圧力に基づいて、制御装置４３により、冷却部３０や案内管１３から加熱部２０内に導かれるガスの量を調整すると、粉体Ｗの加熱処理条件の調整や再現が可能になる。
【００２８】
また、この実施形態においては、上記の加熱部２０や排ガス部５０の周囲に断熱材Ｄを設けている。
【００２９】
そして、この実施形態の落下式粉体処理装置によって粉体Ｗを加熱処理するにあたり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を長くする場合には、上記の制御装置４３によって上記の第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御し、上記の第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を多くする一方、上記の第２供給路４１ｂを通して原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を少なくし、或いはガスを導かないようにする。このようにすると、比重や粒径が大きくて加熱部２０内において自由落下する速度が速い粉体Ｗであっても、上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスによってその落下速度が遅くなり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を長くすることができる。また、自由落下する速度が遅い粉体Ｗを用いた場合において、さらに落下速度を遅くすることもできる。
【００３０】
一方、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を短くする場合には、上記の制御装置４３によって上記の第１流量調整弁４２ａと第２流量調整弁４２ｂとを制御し、上記の第１供給路４１ａを通して上記の冷却部３０内から加熱部２０内に導かれるガスの量を少なくし、或いはガスを導かないようにする一方、上記の第２供給路４１ｂを通して原料供給部１０における案内管１３に導かれるガスの量を多くする。このようにすると、比重や粒径が小さくて加熱部２０内において自由落下する速度が遅い粉体Ｗであっても、上記の案内管１３に導かれるガスによって、加熱部２０内において落下する速度が速くなり、粉体Ｗを加熱部２０内において加熱処理する時間を短くすることができる。また、自由落下する速度が速い粉体Ｗを用いた場合において、さらに落下速度を速くすることもできる。
【００３１】
このため、この実施形態の落下式粉体処理装置においては、原料となる粉体Ｗの種類、比重、粒径等が異なる場合においても、原料となる粉体Ｗに対応させて、この粉体Ｗを加熱部２０内において落下させながら加熱処理する時間を簡単かつ適切に調整することができ、原料となる様々な粉体Ｗを適切に加熱処理できるようになる。
【００３２】
なお、上記のガス供給装置４０から供給するガスの種類は特に限定されず、空気や窒素などの一般に使用されるガスの他に、粉体Ｗと反応して粉体Ｗに対して処理を行うための特殊なガスなど、様々なガスを使用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１０ 原料供給部
１１ 原料供給装置
１２ ふるい装置
１３ 案内管
２０ 加熱部
２１ 加熱装置
３０ 冷却部
３１ 案内部材
４０ ガス供給装置
４１ａ 第１供給路
４１ｂ 第２供給路
４２ａ 第１流量調整弁
４２ｂ 第２流量調整弁
４３ 制御装置
５０ 排ガス部
５１ 排ガス処理装置
５２ 圧力測定器
Ｄ 断熱材
Ｗ 粉体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料の粉体を供給する原料供給部と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部とを備えた落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御することを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側にガスを供給するガス供給装置と、このガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御する制御装置を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載した落下式粉体処理装置において、上記の制御装置は、加熱部内の圧力に基づいて、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御することを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載した落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設けると共に、この排ガス部に上記の排ガスを無害化させる排ガス処理装置を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載した落下式粉体処理装置において、上記の排ガス部に加熱部内の圧力を測定するための圧力測定器を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項１】
原料の粉体を供給する原料供給部と、この原料供給部から供給されて落下される粉体を加熱処理する加熱部と、加熱処理された粉体を冷却させる冷却部とを備えた落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側からガスを供給させて加熱部内を落下する粉体の落下速度を制御することを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載した落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の下側及び／又は上側にガスを供給するガス供給装置と、このガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御する制御装置を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載した落下式粉体処理装置において、上記の制御装置は、加熱部内の圧力に基づいて、ガス供給装置から加熱部の下側及び／又は上側に供給するガス量を制御することを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載した落下式粉体処理装置において、上記の加熱部の上側に加熱部内の排ガスを外部に排出させる排ガス部を設けると共に、この排ガス部に上記の排ガスを無害化させる排ガス処理装置を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載した落下式粉体処理装置において、上記の排ガス部に加熱部内の圧力を測定するための圧力測定器を設けたことを特徴とする落下式粉体処理装置。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−２２８６３１（Ｐ２０１２−２２８６３１Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９６７３７（Ｐ２０１１−９６７３７）
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００２１１１２３）中外炉工業株式会社 (170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２２日（２０１２．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２５日（２０１１．４．２５）
【出願人】（０００２１１１２３）中外炉工業株式会社 (170)
【Ｆターム（参考）】
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