表示装置およびその製造方法
【課題】寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを良好に貼り合わせることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層とを備えた表示装置。
【解決手段】第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層とを備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の封止方法としては、例えば、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを樹脂を間にして貼り合わせる方法が用いられている。具体的には、第１基板に樹脂材料を配置し、この樹脂材料の上に第２基板を載せ、第２基板の裏面中央部から左右に向かって押圧力を加えて樹脂材料を押し潰し、気泡を追い出しながら貼り合わせていく（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２９６１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、マイクロディスプレイと呼ばれる、対角寸法１インチ以下の極めて小型の表示装置が開発されている。しかしながら、寸法が小さいマイクロディスプレイに特許文献１の方法をそのまま適用すると、押圧された樹脂材料が広がり過ぎてしまうおそれがあり、更に改善の余地があった。
【０００５】
本開示の目的は、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを良好に貼り合わせることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示による表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネル
（Ｂ）第２基板に金属膜を有し、第１パネルの複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネル
（Ｃ）表示領域を囲むと共に第１パネルおよび第２パネルの間に設けられた封止枠
（Ｄ）封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層
【０００７】
本開示の表示装置では、第１パネルおよび第２パネルの間に表示領域を囲む封止枠が設けられ、この封止枠の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層が充填されている。よって、従来のように貼り合わせのために押圧力をかける必要がなくなり、押圧された光硬化性樹脂が広がり過ぎてしまうおそれがなくなる。従って、接着層が封止枠からはみ出す等の形状不良が抑えられ、接着層が封止枠の内部に良好に収まっている。また、第２パネルに金属膜が設けられているので、製造工程において光硬化性樹脂に照射された紫外光は、第１パネル上の有機ＥＬ素子の電極と第２パネル上の金属膜との間で反射しながら光硬化性樹脂の奥まで進入することが可能となる。よって、接着層を構成する光硬化性樹脂が十分に硬化されており、未硬化の光硬化性樹脂が漏れ出す等の不具合が抑えられる。
【０００８】
本開示による表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程
（Ｂ）第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程
（Ｃ）第１パネルに表示領域を囲む封止枠を設け、第１パネルおよび第２パネルを、封止枠を間にして貼り合わせる工程
（Ｄ）封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程
（Ｅ）封止枠の側面の側から紫外線を照射し、光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程
【発明の効果】
【０００９】
本開示の表示装置によれば、第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、第２基板に金属膜を有する第２パネルとの間に、表示領域を囲む封止枠を設け、この封止枠の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層を充填するようにしている。よって、接着層の形状不良や硬化不良を抑え、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００１０】
本開示の表示装置の製造方法によれば、第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成し、第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成し、第１基板に表示領域を囲む封止枠を設け、第１パネルおよび第２パネルを、封止枠を間にして貼り合わせ、封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入し、封止枠の側面の側から紫外線を照射し、光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成するようにしている。よって、上記本開示の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】図３に示した有機層の構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した表示装置の回路構成を表す図である。
【図６】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す上面図および側面図である。
【図８】図７に続く工程を表す上面図である。
【図９】図８に示した表示領域における紫外線の照射経路を表す断面図である。
【図１０】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１１】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す正面図および背面図である。
【図１２】適用例２の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置の平面構成を表したものである。この表示装置１は、デジタル一眼レフカメラのビューファインダやヘッドマウント形ディスプレイなどに用いられる、対角寸法１インチ以下のいわゆるマイクロディスプレイと呼ばれる小型・高精細有機ＥＬ表示装置である。表示装置１は、第１パネル１０と、第２パネル２０とを、封止枠３１および接着層３２により貼り合わせた構成を有している。
【００１４】
第１パネル１０は、シリコン（Ｓｉ）基板等よりなる第１基板１１の略中央部に表示領域１１０を有している。表示領域１１０には、後述する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（図１には図示せず、図２および図３参照。）が設けられている。第２パネル２０は、ガラス等よりなる第２基板２１に、後述するカラーフィルタ２２および金属膜２３（図１には図示せず、図３参照。）を有している。封止枠３１は、第１パネル１０と第２パネル２０の間に、表示領域１１０を囲んで設けられ、例えば光硬化性樹脂により構成されている。封止枠３１には、一ケ所に開口３１Ａが設けられている。この開口３１Ａは、例えば光硬化性樹脂よりなる封口部３２により密閉されている。封止枠３１および封口部３２の内部には、光硬化性樹脂よりなる接着層３３が充填されている。これにより、この表示装置１は、寸法の小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１と封止用の第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となっている。
【００１５】
第１パネル１０の一辺には、第２パネル２０から露出した領域５０が設けられている。この露出した領域５０は、後述する信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０（図５参照）の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を設けたものである。
【００１６】
図２は、図１に示した表示領域１１０の一部の平面構成を表したものである。第１基板１１上には、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが行列状に配置されている。各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一方向に長い矩形形状を有しており、短辺に平行な行方向には、異なる色の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に配列されている。長辺に平行な列方向には、同一色の有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）が配列されている。
【００１７】
隣り合う三つの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの画素１０を構成しており、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの副画素を構成している。複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの行方向におけるピッチ（中心間距離）ｐは、例えば３０μｍ以下である。具体的には、一つの画素１０は例えば一辺が約１０μｍの正方形であり、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのピッチｐは例えば約３．３μｍである。
【００１８】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面構成を表したものである。第１パネル１０は、例えば、第１基板１１の側から、駆動トランジスタＴｒ１，第１絶縁膜１２および上述した複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、第１基板１１の側から、第１電極１３，第２絶縁膜１４，発光層を含む有機層１５，および第２電極１６をこの順に有している。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、保護膜１７により被覆されている。
【００１９】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えば、第１基板１１の側から、ゲート電極１１Ａ，ゲート絶縁膜１１Ｂ，半導体膜１１Ｃ，ソース・ドレイン電極１１Ｄをこの順に有している。なお、駆動トランジスタＴｒ１は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ型（トップゲート型）でもよく特に限定されない。またはシリコン（Ｓｉ）を用いたＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）でもよい。
【００２０】
第１絶縁膜１２は、駆動トランジスタＴｒ１等が設けられた第１基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、厚みが１００ｎｍないし１０００ｎｍであり、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2またはＳｉＯ）により構成されている。第１絶縁膜１２には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと駆動トランジスタＴｒ１との接続のためのコンタクトホール１２Ａが設けられている。コンタクトホール１２Ａには導電性金属よりなるプラグ１２Ｂが設けられている。
【００２１】
第１電極１３は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに設けられている。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以下であり、高反射率材料であるアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金よりなる反射性の電極であり、発光層で発生した光を第２電極１５側から取り出すようになっている（トップエミッション）。第１電極１３の厚みは、耐熱性を考慮すると５０ｎｍないし１００ｎｍ程度であることが好ましい。第１電極１３の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。
【００２２】
また、第１電極１３は、上述した反射電極の下地として、厚みが２０ｎｍ程度であり、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ）などよりなる密着層（図示せず）を有していてもよい。この密着層は、第１電極１３の厚みを薄くした場合にも反射率を高く維持するための反射補助層としての機能も有している。このような密着層を設けた場合には、第１電極１３の厚みは１５ｎｍ以上であれば足りる。
【００２３】
更に、第１電極１３は、密着層または反射補助層としてのチタン層と、アルミニウムまたはその合金などの上述した反射電極と、チタン層またはタンタル層との３層の積層構造を有していてもよい。あるいは、第１電極１３は、上述した反射電極と、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（登録商標）（酸化インジウム亜鉛），またはＳｎＯ2などの透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００２４】
第２絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。第２絶縁膜１４は、第１電極１３の発光領域に対応して開口部１４Ａを有している。第２絶縁膜１４は、例えば、厚みが１００ｎｍ以下であり、ＳｉＯ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮにより構成されている。
【００２５】
有機層１５は、第１電極１３および第２絶縁膜１４の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。有機層１５は、例えば図４に示したように、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを積層した構成を有している。
【００２６】
正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが２ｎｍないし１０ｎｍであり、化１に示したヘキサトリルアザトリフェニレンにより構成されている。
【００２７】
【化１】
【００２８】
正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍであり、化２に示した材料により構成されている。
【００２９】
【化２】
【００３０】
発光層１５Ｃは、例えば、第１電極１３の側から順に、厚み１０ｎｍの赤色発光層、厚み１０ｎｍの発光分離層、厚み１０ｎｍの青色発光層、および厚み１０ｎｍの緑色発光層（いずれも図示せず）を順に積層した白色発光用のものである。赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。発光分離層は、赤色発光層への電子供給量を減らすためのものである。青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、第２絶縁膜１４の開口部１４Ａに対応した領域で発光するようになっている。
【００３１】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３２】
発光分離層は、例えば、化３に示した材料により構成されている。
【００３３】
【化３】
【００３４】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３５】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３６】
電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００３７】
第２電極１６は、有機層１５の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極１６は、例えば、第１電極１３の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極１６は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。その理由は、有機層１５が複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられているので、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに第２電極１６と補助配線との接続をとることができないからである。
【００３８】
保護膜１７は、例えば、厚みが０．５μｍないし１０μｍであり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）により構成されている。
【００３９】
第２パネル２０は、例えば、上述したように、第２基板２１に、カラーフィルタ２２および金属膜２３を有している。
【００４０】
第２基板２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層３２と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。第２基板２１は、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００４１】
カラーフィルタ２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した白色光を，赤，緑または青の色光として取り出すためのものであり、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有している。赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４２】
金属膜２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクス（遮光膜）であり、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善する機能を有する。金属膜２３は、例えば、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），チタンとクロムとの混合物により構成されていることが好ましい。マイクロディスプレイでは、上述したように複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの行方向におけるピッチｐが例えば３０μｍ以下と狭いので、黒色樹脂よりなるブラックマトリクスを高精度にパターニングすることが難しいからである。また、チタンやクロムは光吸収率が高く、ガラスよりなる第２基板２１との密着性に優れているという利点も有している。
【００４３】
図５は、このような表示装置１の回路構成を表したものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。
【００４４】
図６は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、第１電極１３の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、上述した駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）との間に接続されている。
【００４５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００４６】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４７】
図７ないし図９は、この表示装置１の製造方法の主要部を工程順に表したものである。まず、図５および図６に示したように、上述した材料よりなる第１基板１１の表示領域１１０の周囲には、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を形成する。これと同時に、表示領域１１０には、図３に示した駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。
【００４８】
次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）法により、例えばＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜またはＳｉＯ膜を、例えば１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚みで形成する。続いて、このＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜またはＳｉＯ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形することにより、図３に示したように、コンタクトホール１２Ａを有する第１絶縁膜１２を形成する。そののち、同じく図３に示したように、第１絶縁膜１２のコンタクトホール１２Ａに導電性金属よりなるプラグ１２Ｂを埋め込む。
【００４９】
続いて、第１絶縁膜１２の上に、例えばスパッタリング法により、例えばチタン膜およびアルミニウム合金膜（図示せず）を形成する。そののち、このチタン膜およびアルミニウム合金膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図３に示したように、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。
【００５０】
第１電極１３を形成したのち、第１電極１３上および第１絶縁膜１２上に、例えばＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＯＮ膜を例えば１０ｎｍないし２００ｎｍの厚みで成膜する。このＳｉＯＮ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図３に示したように、開口部１４Ａを有する第２絶縁膜１４を形成する。
【００５１】
第２絶縁膜１４を形成したのち、図４に示したように、第１電極１３および第２絶縁膜１４の上に、例えば蒸着法により、有機層１５の正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃ，電子輸送層１５Ｄを形成し、引き続き、例えば真空蒸着法により、第２電極１６を形成する。これにより、図２ないし図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００５２】
続いて、同じく図３に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。以上により、第１基板１１の表示領域１１０に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０が形成される。
【００５３】
また、同じく図３に示したように、例えば、上述した材料よりなる第２基板２１に、上述した材料よりなる金属膜２３を形成する。続いて、第２基板２１に赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、第２基板２２にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０が形成される。
【００５４】
そののち、図７（Ａ）に示したように、第１パネル１０に、例えば光硬化性樹脂を、表示領域１１０を囲む矩形枠状に配置する。光硬化性樹脂には、開口３１Ａを一ケ所設ける。続いて、光硬化性樹脂の上に第２パネル２０を載せ、第２パネル２０を第１パネル１０に対して位置合わせし、紫外線照射により光硬化性樹脂を硬化させて封止枠３１を形成する。照射量は例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2とすることが可能である。これにより、第１パネル１０および第２パネル２０を、封止枠３１を間にして貼り合わせる。
【００５５】
第１パネル１０および第２パネル２０を封止枠３１を間にして貼り合わせたのち、第１パネル１０および第２パネル２０を所定の寸法に切断し、同じく図７（Ａ）に示したように、接着層３３が設けられていない中空の表示装置１Ａを形成する。
【００５６】
続いて、この中空の表示装置１Ａを冶具（図示せず）に装着し、図７（Ｂ）に示したように、封止枠３１の開口３１Ａを、接着層３３を形成するための光硬化性樹脂３３Ａの槽６１に浸す。光硬化性樹脂３３Ａの粘度を下げるために温度を３５℃から４５℃程度に保たせた状態で、毛細管現象により封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入・充填する。
【００５７】
このとき、光硬化性樹脂３３Ａは封止枠３１の内部に充填されるので、従来のように貼り合わせのために押圧力をかける必要がなくなり、押圧された光硬化性樹脂３３Ａが広がり過ぎてしまうおそれがなくなる。従って、光硬化性樹脂３３Ａが封止枠３１からはみ出す等の形状不良が抑えられ、光硬化性樹脂３３Ａが封止枠３１の内部に良好に収まる。
【００５８】
また、熱硬化性樹脂を使用した場合には、注入しやすいように加熱して粘度を下げる必要があったが、時間経過と共に再び粘度が上昇してしまっていた。この加熱後の粘度上昇は不可逆的に進行してしまうので、樹脂注入不足が生じたり、注入後の残渣が硬化して廃棄せざるをえなくなったりしていた。
【００５９】
本実施の形態では熱硬化性樹脂ではなく光硬化性樹脂３３Ａを用いることにより、注入のために加熱して粘度を下げても、注入後の残渣が硬化してしまうこともなく、次ロットに使用可能となる。よって、材料利用効率の向上が可能となる。また、注入不足による歩留まり不良率を下げることが可能となる。
【００６０】
封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入したのち、図８に示したように、封止枠３１の開口３１Ａを、光硬化性樹脂よりなる封口部３２で密閉し、洗浄する。
【００６１】
続いて、同じく図８に示したように、封止枠３１の四辺の側面に紫外線ランプ６２を配置し、封止枠３１の側面の側から紫外線ＵＶを照射し、光硬化性樹脂３３Ａを硬化させて接着層３３を形成する。照射量は例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2とすることが可能である。
【００６２】
このとき、第２パネル２０に金属膜２３が設けられているので、図９に示したように、光硬化性樹脂３３Ａに照射された紫外光ＵＶは、第１パネル１０上の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１３と第２パネル２０上の金属膜２３との間で反射しながら光硬化性樹脂３３Ａの奥まで進入する。よって、接着層３３を構成する光硬化性樹脂３３Ａが十分に硬化され、未硬化の光硬化性樹脂３３Ａが漏れ出す等の不具合が抑えられる。以上により、図１ないし図６に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，保護膜１７，接着層３３，カラーフィルタ２２および第２基板２１を透過して（トップエミッション）取り出される。
【００６４】
このように本実施の形態の表示装置１では、第１基板１１の表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０と、第２基板２１にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０との間に、表示領域１１０を囲む封止枠３１を設け、この封止枠３１の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層３３を充填するようにしている。よって、接着層３３の形状不良や硬化不良を抑え、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１とカラーフィルタ２２等が設けられた第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００６５】
本実施の形態の表示装置１の製造方法では、第１基板１１の表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０を形成し、第２基板２１にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０を形成し、第１パネル１０に表示領域１１０を囲む封止枠３１を設け、第１パネル１０および第２パネル２０を、封止枠３１を間にして貼り合わせ、封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入し、封止枠３１の側面の側から紫外線ＵＶを照射し、光硬化性樹脂３３Ａを硬化させて接着層３３を形成するようにしている。よって、接着層３３の形状不良や硬化不良を抑え、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１とカラーフィルタ２２等が設けられた第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００６６】
また、熱硬化性樹脂ではなく光硬化性樹脂３３Ａを用いることにより、注入のために加熱して粘度を下げても、注入後の残渣が硬化してしまうこともなく、次ロットに使用可能となる。よって、材料の利用効率を高めることが可能となる。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置１は、例えば、図１０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１，２などの電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１パネル１０の第２パネル２０から露出した領域５０の外部接続端子（図示せず）に、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）７０を設けたものである。
【００６９】
（適用例１）
図１１は、表示装置１が適用される撮像装置（レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ）の外観を表したものである。この撮像装置は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ２１５を除くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このビューファインダ２１５は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１２は、表示装置１が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観を表したものである。このヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部２２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部２２２を有しており、その表示部２２１は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７１】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、金属膜２３は、第２基板２１の表面、すなわちカラーフィルタ２２の第２基板２１側に設けられている場合について説明したが、金属膜２３は、カラーフィルタ２２の第１基板１１側の表面に設けられていてもよい。
【００７２】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、第１基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板のほか、ガラス基板やプラスチック基板、または表面が絶縁性に保たれた他の材料基板でもよい。また、第１絶縁膜１２は、アクリル，ポリイミド等の有機材料により構成されていてもよい。
【００７３】
更に、例えば、上記実施の形態において表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【００７４】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、
第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、
前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、
前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層と
を備えた表示装置。
（２）
前記金属膜は、前記複数の有機ＥＬ素子の境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクスである
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記複数の有機ＥＬ素子のピッチは３０μｍ以下である
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
前記複数の有機ＥＬ素子は白色光を発生し、
前記第２パネルは前記白色光を有色光として取り出すカラーフィルタを有する
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程と、
第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程と、
前記第１パネルに前記表示領域を囲む封止枠を設け、前記第１パネルおよび前記第２パネルを、前記封止枠を間にして貼り合わせる工程と、
前記封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程と、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射し、前記光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（６）
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記第１基板の側から、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有し、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射する工程において、前記光硬化性樹脂に照射された紫外光は、前記第１パネル上の前記複数の有機ＥＬ素子の前記第１電極と前記第２パネル上の前記金属膜との間で反射しながら前記光硬化性樹脂の奥まで進入する
前記（５）記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７５】
１０…第１パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…第１絶縁膜、１３…第１電極、１４…第２絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…第２パネル、２１…第２基板、２２…カラーフィルタ、２３…金属膜、３１…封止枠、３２…封口部、３３…接着層、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置の封止方法としては、例えば、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを樹脂を間にして貼り合わせる方法が用いられている。具体的には、第１基板に樹脂材料を配置し、この樹脂材料の上に第２基板を載せ、第２基板の裏面中央部から左右に向かって押圧力を加えて樹脂材料を押し潰し、気泡を追い出しながら貼り合わせていく（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２９６１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、マイクロディスプレイと呼ばれる、対角寸法１インチ以下の極めて小型の表示装置が開発されている。しかしながら、寸法が小さいマイクロディスプレイに特許文献１の方法をそのまま適用すると、押圧された樹脂材料が広がり過ぎてしまうおそれがあり、更に改善の余地があった。
【０００５】
本開示の目的は、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを良好に貼り合わせることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示による表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネル
（Ｂ）第２基板に金属膜を有し、第１パネルの複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネル
（Ｃ）表示領域を囲むと共に第１パネルおよび第２パネルの間に設けられた封止枠
（Ｄ）封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層
【０００７】
本開示の表示装置では、第１パネルおよび第２パネルの間に表示領域を囲む封止枠が設けられ、この封止枠の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層が充填されている。よって、従来のように貼り合わせのために押圧力をかける必要がなくなり、押圧された光硬化性樹脂が広がり過ぎてしまうおそれがなくなる。従って、接着層が封止枠からはみ出す等の形状不良が抑えられ、接着層が封止枠の内部に良好に収まっている。また、第２パネルに金属膜が設けられているので、製造工程において光硬化性樹脂に照射された紫外光は、第１パネル上の有機ＥＬ素子の電極と第２パネル上の金属膜との間で反射しながら光硬化性樹脂の奥まで進入することが可能となる。よって、接着層を構成する光硬化性樹脂が十分に硬化されており、未硬化の光硬化性樹脂が漏れ出す等の不具合が抑えられる。
【０００８】
本開示による表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程
（Ｂ）第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程
（Ｃ）第１パネルに表示領域を囲む封止枠を設け、第１パネルおよび第２パネルを、封止枠を間にして貼り合わせる工程
（Ｄ）封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程
（Ｅ）封止枠の側面の側から紫外線を照射し、光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程
【発明の効果】
【０００９】
本開示の表示装置によれば、第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、第２基板に金属膜を有する第２パネルとの間に、表示領域を囲む封止枠を設け、この封止枠の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層を充填するようにしている。よって、接着層の形状不良や硬化不良を抑え、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子が設けられた第１基板と封止用の第２基板とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００１０】
本開示の表示装置の製造方法によれば、第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成し、第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成し、第１基板に表示領域を囲む封止枠を設け、第１パネルおよび第２パネルを、封止枠を間にして貼り合わせ、封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入し、封止枠の側面の側から紫外線を照射し、光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成するようにしている。よって、上記本開示の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図２】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】図３に示した有機層の構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した表示装置の回路構成を表す図である。
【図６】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す上面図および側面図である。
【図８】図７に続く工程を表す上面図である。
【図９】図８に示した表示領域における紫外線の照射経路を表す断面図である。
【図１０】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１１】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す正面図および背面図である。
【図１２】適用例２の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置の平面構成を表したものである。この表示装置１は、デジタル一眼レフカメラのビューファインダやヘッドマウント形ディスプレイなどに用いられる、対角寸法１インチ以下のいわゆるマイクロディスプレイと呼ばれる小型・高精細有機ＥＬ表示装置である。表示装置１は、第１パネル１０と、第２パネル２０とを、封止枠３１および接着層３２により貼り合わせた構成を有している。
【００１４】
第１パネル１０は、シリコン（Ｓｉ）基板等よりなる第１基板１１の略中央部に表示領域１１０を有している。表示領域１１０には、後述する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ（図１には図示せず、図２および図３参照。）が設けられている。第２パネル２０は、ガラス等よりなる第２基板２１に、後述するカラーフィルタ２２および金属膜２３（図１には図示せず、図３参照。）を有している。封止枠３１は、第１パネル１０と第２パネル２０の間に、表示領域１１０を囲んで設けられ、例えば光硬化性樹脂により構成されている。封止枠３１には、一ケ所に開口３１Ａが設けられている。この開口３１Ａは、例えば光硬化性樹脂よりなる封口部３２により密閉されている。封止枠３１および封口部３２の内部には、光硬化性樹脂よりなる接着層３３が充填されている。これにより、この表示装置１は、寸法の小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１と封止用の第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となっている。
【００１５】
第１パネル１０の一辺には、第２パネル２０から露出した領域５０が設けられている。この露出した領域５０は、後述する信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０（図５参照）の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を設けたものである。
【００１６】
図２は、図１に示した表示領域１１０の一部の平面構成を表したものである。第１基板１１上には、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが行列状に配置されている。各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一方向に長い矩形形状を有しており、短辺に平行な行方向には、異なる色の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に配列されている。長辺に平行な列方向には、同一色の有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）が配列されている。
【００１７】
隣り合う三つの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの画素１０を構成しており、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの副画素を構成している。複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの行方向におけるピッチ（中心間距離）ｐは、例えば３０μｍ以下である。具体的には、一つの画素１０は例えば一辺が約１０μｍの正方形であり、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのピッチｐは例えば約３．３μｍである。
【００１８】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面構成を表したものである。第１パネル１０は、例えば、第１基板１１の側から、駆動トランジスタＴｒ１，第１絶縁膜１２および上述した複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、第１基板１１の側から、第１電極１３，第２絶縁膜１４，発光層を含む有機層１５，および第２電極１６をこの順に有している。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、保護膜１７により被覆されている。
【００１９】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えば、第１基板１１の側から、ゲート電極１１Ａ，ゲート絶縁膜１１Ｂ，半導体膜１１Ｃ，ソース・ドレイン電極１１Ｄをこの順に有している。なお、駆動トランジスタＴｒ１は、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ型（トップゲート型）でもよく特に限定されない。またはシリコン（Ｓｉ）を用いたＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）でもよい。
【００２０】
第１絶縁膜１２は、駆動トランジスタＴｒ１等が設けられた第１基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、厚みが１００ｎｍないし１０００ｎｍであり、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2またはＳｉＯ）により構成されている。第１絶縁膜１２には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと駆動トランジスタＴｒ１との接続のためのコンタクトホール１２Ａが設けられている。コンタクトホール１２Ａには導電性金属よりなるプラグ１２Ｂが設けられている。
【００２１】
第１電極１３は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに設けられている。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以下であり、高反射率材料であるアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金よりなる反射性の電極であり、発光層で発生した光を第２電極１５側から取り出すようになっている（トップエミッション）。第１電極１３の厚みは、耐熱性を考慮すると５０ｎｍないし１００ｎｍ程度であることが好ましい。第１電極１３の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。
【００２２】
また、第１電極１３は、上述した反射電極の下地として、厚みが２０ｎｍ程度であり、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ）などよりなる密着層（図示せず）を有していてもよい。この密着層は、第１電極１３の厚みを薄くした場合にも反射率を高く維持するための反射補助層としての機能も有している。このような密着層を設けた場合には、第１電極１３の厚みは１５ｎｍ以上であれば足りる。
【００２３】
更に、第１電極１３は、密着層または反射補助層としてのチタン層と、アルミニウムまたはその合金などの上述した反射電極と、チタン層またはタンタル層との３層の積層構造を有していてもよい。あるいは、第１電極１３は、上述した反射電極と、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（登録商標）（酸化インジウム亜鉛），またはＳｎＯ2などの透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００２４】
第２絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。第２絶縁膜１４は、第１電極１３の発光領域に対応して開口部１４Ａを有している。第２絶縁膜１４は、例えば、厚みが１００ｎｍ以下であり、ＳｉＯ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮにより構成されている。
【００２５】
有機層１５は、第１電極１３および第２絶縁膜１４の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。有機層１５は、例えば図４に示したように、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを積層した構成を有している。
【００２６】
正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが２ｎｍないし１０ｎｍであり、化１に示したヘキサトリルアザトリフェニレンにより構成されている。
【００２７】
【化１】
【００２８】
正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍであり、化２に示した材料により構成されている。
【００２９】
【化２】
【００３０】
発光層１５Ｃは、例えば、第１電極１３の側から順に、厚み１０ｎｍの赤色発光層、厚み１０ｎｍの発光分離層、厚み１０ｎｍの青色発光層、および厚み１０ｎｍの緑色発光層（いずれも図示せず）を順に積層した白色発光用のものである。赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。発光分離層は、赤色発光層への電子供給量を減らすためのものである。青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から電子輸送層１５Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、第２絶縁膜１４の開口部１４Ａに対応した領域で発光するようになっている。
【００３１】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３２】
発光分離層は、例えば、化３に示した材料により構成されている。
【００３３】
【化３】
【００３４】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３５】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３６】
電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００３７】
第２電極１６は、有機層１５の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極１６は、例えば、第１電極１３の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極１６は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。その理由は、有機層１５が複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられているので、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに第２電極１６と補助配線との接続をとることができないからである。
【００３８】
保護膜１７は、例えば、厚みが０．５μｍないし１０μｍであり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）により構成されている。
【００３９】
第２パネル２０は、例えば、上述したように、第２基板２１に、カラーフィルタ２２および金属膜２３を有している。
【００４０】
第２基板２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層３２と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。第２基板２１は、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００４１】
カラーフィルタ２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した白色光を，赤，緑または青の色光として取り出すためのものであり、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有している。赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００４２】
金属膜２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクス（遮光膜）であり、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善する機能を有する。金属膜２３は、例えば、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），チタンとクロムとの混合物により構成されていることが好ましい。マイクロディスプレイでは、上述したように複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの行方向におけるピッチｐが例えば３０μｍ以下と狭いので、黒色樹脂よりなるブラックマトリクスを高精度にパターニングすることが難しいからである。また、チタンやクロムは光吸収率が高く、ガラスよりなる第２基板２１との密着性に優れているという利点も有している。
【００４３】
図５は、このような表示装置１の回路構成を表したものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。
【００４４】
図６は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、第１電極１３の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、上述した駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）との間に接続されている。
【００４５】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００４６】
この表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４７】
図７ないし図９は、この表示装置１の製造方法の主要部を工程順に表したものである。まず、図５および図６に示したように、上述した材料よりなる第１基板１１の表示領域１１０の周囲には、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０を形成する。これと同時に、表示領域１１０には、図３に示した駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。
【００４８】
次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）法により、例えばＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜またはＳｉＯ膜を、例えば１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚みで形成する。続いて、このＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ2膜またはＳｉＯ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形することにより、図３に示したように、コンタクトホール１２Ａを有する第１絶縁膜１２を形成する。そののち、同じく図３に示したように、第１絶縁膜１２のコンタクトホール１２Ａに導電性金属よりなるプラグ１２Ｂを埋め込む。
【００４９】
続いて、第１絶縁膜１２の上に、例えばスパッタリング法により、例えばチタン膜およびアルミニウム合金膜（図示せず）を形成する。そののち、このチタン膜およびアルミニウム合金膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図３に示したように、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。
【００５０】
第１電極１３を形成したのち、第１電極１３上および第１絶縁膜１２上に、例えばＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＯＮ膜を例えば１０ｎｍないし２００ｎｍの厚みで成膜する。このＳｉＯＮ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図３に示したように、開口部１４Ａを有する第２絶縁膜１４を形成する。
【００５１】
第２絶縁膜１４を形成したのち、図４に示したように、第１電極１３および第２絶縁膜１４の上に、例えば蒸着法により、有機層１５の正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃ，電子輸送層１５Ｄを形成し、引き続き、例えば真空蒸着法により、第２電極１６を形成する。これにより、図２ないし図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００５２】
続いて、同じく図３に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。以上により、第１基板１１の表示領域１１０に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０が形成される。
【００５３】
また、同じく図３に示したように、例えば、上述した材料よりなる第２基板２１に、上述した材料よりなる金属膜２３を形成する。続いて、第２基板２１に赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、第２基板２２にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０が形成される。
【００５４】
そののち、図７（Ａ）に示したように、第１パネル１０に、例えば光硬化性樹脂を、表示領域１１０を囲む矩形枠状に配置する。光硬化性樹脂には、開口３１Ａを一ケ所設ける。続いて、光硬化性樹脂の上に第２パネル２０を載せ、第２パネル２０を第１パネル１０に対して位置合わせし、紫外線照射により光硬化性樹脂を硬化させて封止枠３１を形成する。照射量は例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2とすることが可能である。これにより、第１パネル１０および第２パネル２０を、封止枠３１を間にして貼り合わせる。
【００５５】
第１パネル１０および第２パネル２０を封止枠３１を間にして貼り合わせたのち、第１パネル１０および第２パネル２０を所定の寸法に切断し、同じく図７（Ａ）に示したように、接着層３３が設けられていない中空の表示装置１Ａを形成する。
【００５６】
続いて、この中空の表示装置１Ａを冶具（図示せず）に装着し、図７（Ｂ）に示したように、封止枠３１の開口３１Ａを、接着層３３を形成するための光硬化性樹脂３３Ａの槽６１に浸す。光硬化性樹脂３３Ａの粘度を下げるために温度を３５℃から４５℃程度に保たせた状態で、毛細管現象により封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入・充填する。
【００５７】
このとき、光硬化性樹脂３３Ａは封止枠３１の内部に充填されるので、従来のように貼り合わせのために押圧力をかける必要がなくなり、押圧された光硬化性樹脂３３Ａが広がり過ぎてしまうおそれがなくなる。従って、光硬化性樹脂３３Ａが封止枠３１からはみ出す等の形状不良が抑えられ、光硬化性樹脂３３Ａが封止枠３１の内部に良好に収まる。
【００５８】
また、熱硬化性樹脂を使用した場合には、注入しやすいように加熱して粘度を下げる必要があったが、時間経過と共に再び粘度が上昇してしまっていた。この加熱後の粘度上昇は不可逆的に進行してしまうので、樹脂注入不足が生じたり、注入後の残渣が硬化して廃棄せざるをえなくなったりしていた。
【００５９】
本実施の形態では熱硬化性樹脂ではなく光硬化性樹脂３３Ａを用いることにより、注入のために加熱して粘度を下げても、注入後の残渣が硬化してしまうこともなく、次ロットに使用可能となる。よって、材料利用効率の向上が可能となる。また、注入不足による歩留まり不良率を下げることが可能となる。
【００６０】
封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入したのち、図８に示したように、封止枠３１の開口３１Ａを、光硬化性樹脂よりなる封口部３２で密閉し、洗浄する。
【００６１】
続いて、同じく図８に示したように、封止枠３１の四辺の側面に紫外線ランプ６２を配置し、封止枠３１の側面の側から紫外線ＵＶを照射し、光硬化性樹脂３３Ａを硬化させて接着層３３を形成する。照射量は例えば２０００ｍＪ／ｃｍ2とすることが可能である。
【００６２】
このとき、第２パネル２０に金属膜２３が設けられているので、図９に示したように、光硬化性樹脂３３Ａに照射された紫外光ＵＶは、第１パネル１０上の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１３と第２パネル２０上の金属膜２３との間で反射しながら光硬化性樹脂３３Ａの奥まで進入する。よって、接着層３３を構成する光硬化性樹脂３３Ａが十分に硬化され、未硬化の光硬化性樹脂３３Ａが漏れ出す等の不具合が抑えられる。以上により、図１ないし図６に示した表示装置１が完成する。
【００６３】
この表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，保護膜１７，接着層３３，カラーフィルタ２２および第２基板２１を透過して（トップエミッション）取り出される。
【００６４】
このように本実施の形態の表示装置１では、第１基板１１の表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０と、第２基板２１にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０との間に、表示領域１１０を囲む封止枠３１を設け、この封止枠３１の内部に光硬化性樹脂よりなる接着層３３を充填するようにしている。よって、接着層３３の形状不良や硬化不良を抑え、寸法が小さいマイクロディスプレイの場合にも、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１とカラーフィルタ２２等が設けられた第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００６５】
本実施の形態の表示装置１の製造方法では、第１基板１１の表示領域１１０に複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する第１パネル１０を形成し、第２基板２１にカラーフィルタ２２および金属膜２３を有する第２パネル２０を形成し、第１パネル１０に表示領域１１０を囲む封止枠３１を設け、第１パネル１０および第２パネル２０を、封止枠３１を間にして貼り合わせ、封止枠３１の内部に光硬化性樹脂３３Ａを注入し、封止枠３１の側面の側から紫外線ＵＶを照射し、光硬化性樹脂３３Ａを硬化させて接着層３３を形成するようにしている。よって、接着層３３の形状不良や硬化不良を抑え、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた第１基板１１とカラーフィルタ２２等が設けられた第２基板２１とを良好に貼り合わせることが可能となる。
【００６６】
また、熱硬化性樹脂ではなく光硬化性樹脂３３Ａを用いることにより、注入のために加熱して粘度を下げても、注入後の残渣が硬化してしまうこともなく、次ロットに使用可能となる。よって、材料の利用効率を高めることが可能となる。
【００６７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００６８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置１は、例えば、図１０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１，２などの電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１パネル１０の第２パネル２０から露出した領域５０の外部接続端子（図示せず）に、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）７０を設けたものである。
【００６９】
（適用例１）
図１１は、表示装置１が適用される撮像装置（レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ）の外観を表したものである。この撮像装置は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ２１５を除くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このビューファインダ２１５は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７０】
（適用例２）
図１２は、表示装置１が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観を表したものである。このヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部２２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部２２２を有しており、その表示部２２１は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７１】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、金属膜２３は、第２基板２１の表面、すなわちカラーフィルタ２２の第２基板２１側に設けられている場合について説明したが、金属膜２３は、カラーフィルタ２２の第１基板１１側の表面に設けられていてもよい。
【００７２】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、第１基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板のほか、ガラス基板やプラスチック基板、または表面が絶縁性に保たれた他の材料基板でもよい。また、第１絶縁膜１２は、アクリル，ポリイミド等の有機材料により構成されていてもよい。
【００７３】
更に、例えば、上記実施の形態において表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。
【００７４】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、
第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、
前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、
前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層と
を備えた表示装置。
（２）
前記金属膜は、前記複数の有機ＥＬ素子の境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクスである
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記複数の有機ＥＬ素子のピッチは３０μｍ以下である
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
前記複数の有機ＥＬ素子は白色光を発生し、
前記第２パネルは前記白色光を有色光として取り出すカラーフィルタを有する
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程と、
第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程と、
前記第１パネルに前記表示領域を囲む封止枠を設け、前記第１パネルおよび前記第２パネルを、前記封止枠を間にして貼り合わせる工程と、
前記封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程と、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射し、前記光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（６）
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記第１基板の側から、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有し、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射する工程において、前記光硬化性樹脂に照射された紫外光は、前記第１パネル上の前記複数の有機ＥＬ素子の前記第１電極と前記第２パネル上の前記金属膜との間で反射しながら前記光硬化性樹脂の奥まで進入する
前記（５）記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７５】
１０…第１パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…第１絶縁膜、１３…第１電極、１４…第２絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…第２パネル、２１…第２基板、２２…カラーフィルタ、２３…金属膜、３１…封止枠、３２…封口部、３３…接着層、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、
第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、
前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、
前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記金属膜は、前記複数の有機ＥＬ素子の境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクスである
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の有機ＥＬ素子のピッチは３０μｍ以下である
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の有機ＥＬ素子は白色光を発生し、
前記第２パネルは前記白色光を有色光として取り出すカラーフィルタを有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程と、
第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程と、
前記第１パネルに前記表示領域を囲む封止枠を設け、前記第１パネルおよび前記第２パネルを、前記封止枠を間にして貼り合わせる工程と、
前記封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程と、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射し、前記光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記第１基板の側から、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有し、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射する工程において、前記光硬化性樹脂に照射された紫外光は、前記第１パネル上の前記複数の有機ＥＬ素子の前記第１電極と前記第２パネル上の前記金属膜との間で反射しながら前記光硬化性樹脂の奥まで進入する
請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルと、
第２基板に金属膜を有し、前記第１パネルの前記複数の有機ＥＬ素子の側に対向配置された第２パネルと、
前記表示領域を囲むと共に前記第１パネルおよび前記第２パネルの間に設けられた封止枠と、
前記封止枠の内部に充填された、光硬化性樹脂よりなる接着層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記金属膜は、前記複数の有機ＥＬ素子の境界線に対向する位置に設けられたブラックマトリクスである
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数の有機ＥＬ素子のピッチは３０μｍ以下である
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の有機ＥＬ素子は白色光を発生し、
前記第２パネルは前記白色光を有色光として取り出すカラーフィルタを有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
第１基板の表示領域に複数の有機ＥＬ素子を有する第１パネルを形成する工程と、
第２基板に金属膜を有する第２パネルを形成する工程と、
前記第１パネルに前記表示領域を囲む封止枠を設け、前記第１パネルおよび前記第２パネルを、前記封止枠を間にして貼り合わせる工程と、
前記封止枠の内部に光硬化性樹脂を注入する工程と、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射し、前記光硬化性樹脂を硬化させて接着層を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記第１基板の側から、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有し、
前記封止枠の側面の側から紫外線を照射する工程において、前記光硬化性樹脂に照射された紫外光は、前記第１パネル上の前記複数の有機ＥＬ素子の前記第１電極と前記第２パネル上の前記金属膜との間で反射しながら前記光硬化性樹脂の奥まで進入する
請求項５記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−３７８０８（Ｐ２０１３−３７８０８Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７０９２９（Ｐ２０１１−１７０９２９）
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月４日（２０１１．８．４）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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