説明

表面プラズモン励起増強蛍光測定装置および表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体

【課題】リガンド固定領域を除いた領域にアナライトが吸着してしまうことを確実に防止し、高感度に蛍光検出を行うことのできる表面プラズモン励起増強蛍光測定装置および表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体を提供すること。
【解決手段】表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体であって、前記センサ構造体は、誘電体部材と、前記誘電体部材の上に形成された金属薄膜と、前記金属薄膜上に形成されたリガンド固定領域と、前記誘電体部材上の前記リガンド固定領域を除いた領域に形成された非特異吸着防止層と、を備えたセンサ部材と、前記センサ部材上に固定され、前記リガンド固定領域上および前記非特異吸着防止層上を試料溶液が流通可能となるように構成された流路構成部材と、を少なくとも備えて成る。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS;Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy)の原理に基づいた表面プラズモン励起増強蛍光測定装置およびこの表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)の原理に基づき、例えば生体内の極微少なアナライトの検出が行われている。
表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)は、光源より照射したレーザ光(励起光)が金属薄膜表面で全反射減衰(ATR;attenuated total reflectance)する条件において、金属薄膜表面に粗密波(表面プラズモン)を発生させることによって、光源より照射したレーザ光(励起光)が有するフォトン量を数十倍〜数百倍に増やし(表面プラズモンの電場増強効果)、これにより金属薄膜近傍の蛍光物質を効率良く励起させ、この励起された蛍光を検出することで極微量および/または極低濃度のアナライトを検出するようにしたものである。
【0003】
近年、このような表面プラズモン励起増強蛍光分光法(SPFS)の原理に基づいた表面プラズモン励起増強蛍光測定装置(以下、SPFS装置ともいう)の開発が進められており、例えば特許文献1や特許文献2などにその技術開示がなされている。
【0004】
このようなSPFS装置200は、図8に示したように、まず誘電体部材102の上面に金属薄膜104が形成されており、さらにこの金属薄膜104上にリガンド固定領域106を有するセンサ部材108と、このセンサ部材108の上に固定され、リガンド固定領域106と、金属薄膜104上のリガンド固定領域106を除いた領域との上を、試料溶液が流通可能となる流路110を構成する流路構成部材112と、から成るセンサ構造体100を備えている。
【0005】
そして、センサ構造体100の誘電体部材102側には、金属薄膜104に向かって励起光114を照射する光源116と、光源116から照射され金属薄膜104で反射した反射光118を受光する受光手段120が設けられている。
【0006】
一方、センサ構造体100の流路構成部材112側には、リガンド固定領域106で捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質が発する蛍光122を受光する光検出手段124が設けられている。
【0007】
なお、流路構成部材112と光検出手段124との間には、蛍光122を効率よく集めるための集光部材126と、蛍光122以外に含まれる光を除去し、必要な蛍光122のみを選択する波長選択機能部材128が設けられている。
【0008】
そして、SPFS装置200の使用においては、まず金属薄膜104上のリガンド固定領域106にリガンドを固定しておき、流路110内に目的となるアナライトを含有してなる試料溶液を流入させてリガンドにアナライトを捕捉させ、さらに捕捉されたアナライトを蛍光物質で標識する。
【0009】
そしてこの状態で、光源116より誘電体部材102に励起光114を照射し、この励起光114が共鳴角θ1で金属薄膜104に入射することで、金属薄膜104上に粗密波(表面プラズモン)を生じさせる。
【0010】
なお、金属薄膜104上に粗密波(表面プラズモン)が生ずる際には、励起光114と金属薄膜104中の電子振動とがカップリングし、反射光118の光量減少が生ずるため、受光手段120で受光される反射光118のシグナルが変化(光量が減少)する地点を見つければ、粗密波(表面プラズモン)が生ずる共鳴角θ1を得ることができる。
【0011】
この粗密波(表面プラズモン)を生ずる現象により、金属薄膜104上のリガンド固定領域106の蛍光物質が効率良く励起され、これにより蛍光物質が発する蛍光122の光量が増大することとなる。
【0012】
この増大した蛍光122を、集光部材126および波長選択機能部材128を介して光検出手段124で受光することで、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出することができるようになっている。
【0013】
このようなSPFS装置200は、特に生体分子間などの微細な分子活動を観察するのに好適である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0014】
【特許文献1】特許第3294605号公報
【特許文献2】特開2006−208069号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
ところで、上述したような従来のSPFS装置200では、流路110内に目的となるアナライトを含有してなる試料溶液を流入させてリガンド固定領域106のリガンドにアナライトを捕捉させる際において、アナライトがリガンド固定領域106を除いた領域、つまりリガンド固定領域106を除いた金属薄膜104上の領域に、ある程度吸着してしまう場合がある。
【0016】
このようにリガンド固定領域106を除いた領域にアナライトが吸着してしまうと、検出感度が低下してしまうこととなる。例えばアナライトが極僅かで有る場合には、アナライトがリガンドで捕捉されず、蛍光検出がなされないおそれも有り、更なる検出精度向上が望まれている。
【0017】
本発明はこのような現状に鑑みなされたものであって、リガンド固定領域を除いた領域にアナライトが吸着してしまうことを確実に防止し、高感度に蛍光検出を行うことのできる表面プラズモン励起増強蛍光測定装置および表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明は、前述したような従来技術における問題点を解決するために発明されたものであって、
本発明のセンサ構造体は、
誘電体部材の上面に形成された金属薄膜に、前記誘電体部材側から全反射条件となる入射角で励起光を照射し、前記金属薄膜上の電場を増強させることにより、前記金属薄膜上に形成されたリガンド固定領域の蛍光物質を励起させ、これにより増強された蛍光を光検出手段にて検出するようにした表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体であって、
前記センサ構造体は、
前記誘電体部材と、前記誘電体部材の上に形成された前記金属薄膜と、前記金属薄膜上に形成された前記リガンド固定領域と、前記誘電体部材上の前記リガンド固定領域を除いた領域に形成された非特異吸着防止層と、を備えたセンサ部材と、
前記センサ部材上に固定され、前記リガンド固定領域上および前記非特異吸着防止層上を試料溶液が流通可能となるように構成された流路構成部材と、
を少なくとも備えて成ることを特徴とする。
【0019】
このように非特異吸着防止層を有するセンサ構造体であれば、検出対象となるアナライトが含有された試料溶液を流路内に流入させた際に、リガンド固定領域を除いた領域にアナライトが誤って吸着してしまうことを確実に防止することができる。
したがって、アナライトをリガンド固定領域に集中させることができる。
【0020】
また、本発明のセンサ構造体は、
前記リガンド固定領域は、前記金属薄膜上に区画形成され、
前記非特異吸着防止層は、前記金属薄膜上の前記リガンド固定領域を除いた領域に形成されていることを特徴とする。
【0021】
このように金属薄膜上の一部にリガンド固定領域を形成し、金属薄膜上の残り部分又はその残り部分と固定化されたリガンドの周縁とを覆うように、リガンド固定領域を除いた領域の金属薄膜上に非特異吸着防止層を形成すれば、金属薄膜とリガンド固定領域とを精度よく位置合わせして形成する必要がなく、金属薄膜を誘電体部材上に形成する領域を制限する部材を特に用いなくても誘電体部材のほぼ全域にわたって簡易に金属薄膜を形成することもできる。
【0022】
さらに、非特異吸着防止層として、例えばリガンド固定領域に対応する部分に貫通孔を備えたシート状部材を金属薄膜上に配置することで簡易にセンサ構造体を得ることもできる。
【0023】
また、本発明のセンサ構造体は、
前記非特異吸着防止層が、
励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光することのできる遮光機能付き非特異吸着防止層であることを特徴とする。
このように遮光機能付き非特異吸着防止層であれば、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の誘電体部材などから生ずる自家蛍光を遮光することができる。
【0024】
また、本発明のセンサ構造体は、
前記非特異吸着防止層と前記誘電体部材との間に、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光する遮光層を備えることを特徴とする。
【0025】
或いは、本発明のセンサ構造体は、
前記非特異吸着防止層と前記金属薄膜との間に、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光する遮光層を備えることを特徴とする。
このように遮光層を設ければ、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の誘電体部材などから生ずる自家蛍光を遮光することができる。
【0026】
また、本発明のセンサ構造体は、
前記遮光層が、前記金属薄膜と同じ材質から成ることを特徴とする。
このように構成すれば、金属薄膜形成時に遮光層となる部分も同時に成膜させることができ、製造に要する工程を簡素化させることができる。
【0027】
また、本発明のセンサ構造体は、
前記リガンド固定領域の直下に位置する前記金属薄膜の上面から前記非特異吸着防止層の上面までの高さが、1〜200μmの範囲内であることを特徴とする。
【0028】
このような高さの範囲内とすれば、リガンド固定領域にアナライトを含有する試料溶液を流入させた際に、非特異吸着防止層上からリガンド固定領域との間に段差を生じても、試料溶液を流路内で確実に混合させることができ、リガンドにアナライトを確実に捕捉させることができる。
【0029】
また、本発明の表面プラズモン励起増強蛍光測定装置は、
上記いずれかに記載のセンサ構造体を配設してなることを特徴とする。
このようなセンサ構造体を用いれば、アナライトをリガンド固定領域に集中させてシグナルを向上させることができるので、高精度に蛍光検出を行うことができる。
【発明の効果】
【0030】
本発明によれば、金属薄膜上のリガンド固定領域を除いた領域に非特異吸着防止層を設けたので、リガンド固定領域を除いた領域にアナライトが吸着してしまうことを確実に防止し、高感度に蛍光検出を行うことのできる表面プラズモン励起増強蛍光測定装置および表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】図1は、本発明の実施形態1によるセンサ構造体を用いたSPFS装置の概略図である。
【図2】図2は、本発明の実施形態1によるセンサ構造体の概略図である。
【図3】図3は、本発明の実施形態1によるセンサ構造体の概略図である。
【図4】図4は、本発明の実施形態2におけるセンサ構造体の概略図である。
【図5】図5は、本発明の実施形態2におけるセンサ構造体の概略図である。
【図6】図6は、本発明の実施形態2におけるセンサ構造体の概略図である。
【図7】図7は、本発明のセンサ構造体において流路構成部材の他の形態について説明するための概略図である。
【図8】図8は、従来のセンサ構造体を用いたSPFS装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいてより詳細に説明する。
本発明の表面プラズモン励起増強蛍光測定装置(SPFS装置)は、リガンド固定領域に固定されたリガンドに捕捉されたアナライトを標識した蛍光物質を、確実に励起させて高感度に蛍光検出を行うものである。
【0033】
また、本明細書中でいう「表面プラズモン」とは、広義の意味で用いられるものであって、「局在プラズモン」も含まれるものである。
さらに「リガンド固定領域を除いた領域」とは、金属薄膜上のリガンド固定領域を除いた領域の全て、およびリガンド固定領域を除いた領域の一部も含まれるものであり、「リガンド固定領域」と「リガンド固定領域を除いた領域」とは隣接しているものである。
【0034】
<SPFS装置1>
図1に示したように本発明のSPFS装置1は、誘電体部材12と、誘電体部材12の上面に形成された金属薄膜14と、この金属薄膜14上面に区画形成され、検出対象となるアナライトと特異的に吸着するリガンドを固定するためのリガンド固定領域16と、さらに金属薄膜14上のリガンド固定領域16を除いた領域に形成された非特異吸着防止層18と、を備えたセンサ部材20を有している。
【0035】
また、センサ部材20上には、リガンド固定領域16上およびリガンド固定領域16を除いた領域の非特異吸着防止層18上を試料溶液が流通可能とする流路22を構成する流路構成部材24が固定されており、センサ部材20と流路構成部材24とを合わせてセンサ構造体10を構成している。
【0036】
このようなセンサ構造体10の金属薄膜14の材質としては、好ましくは金,銀,アルミニウム,銅,および白金からなる群から選ばれる少なくとも1種の金属からなり、より好ましくは金からなり、さらにこれら金属の合金からなることである。
【0037】
このような金属は、酸化に対して安定であり、かつ粗密波(表面プラズモン)による電場増強が大きくなることから金属薄膜14に好適である。
また、金属薄膜14の形成方法としては、例えばスパッタリング法,蒸着法(抵抗加熱蒸着法,電子線蒸着法等),電解メッキ,無電解メッキ法などが挙げられる。中でもスパッタリング法,蒸着法は、薄膜形成条件の調整が容易であるため好ましい。
【0038】
さらに金属薄膜14の厚さとしては、金:5〜500nm、銀:5〜500nm、アルミニウム:5〜500nm、銅:5〜500nm、白金:5〜500nm、およびそれらの合金:5〜500nmの範囲内であることが好ましい。
【0039】
電場増強効果の観点からは、金:20〜70nm、銀:20〜70nm、アルミニウム:10〜50nm、銅:20〜70nm、白金:20〜70nm、およびそれらの合金:10〜70nmの範囲内であることがより好ましい。
【0040】
金属薄膜14の厚さが上記範囲内であれば、粗密波(表面プラズモン)が発生し易く好適である。また、金属薄膜14の大きさ(縦×横)は誘電体部材12とリガンド固定領域16との間に少なくとも形成されていれば特に限定されないものである。
【0041】
なお、誘電体部材12の上面の少なくとも一部に、誘電体部材12の一端から他端までライン状に金属薄膜14を形成することが、金属薄膜14を一様な厚さで簡易に形成でき好ましい。
【0042】
一方、誘電体部材12としては、光学的に透明な各種の無機物,天然ポリマー,合成ポリマーを用いることができ、化学的安定性,製造安定性および光学的透明性の観点から、二酸化ケイ素(SiO2)または二酸化チタン(TiO2)を含むことが好ましい。
【0043】
また誘電体部材12の形状は、図1に示したような断面略台形形状の六面体(截頭四角錐形状)に限定されるものではなく、例えば四角錐,円錐,三角錐,多角錐などの角錐形状、または截頭角錐形状などであっても良いものである。誘電体部材12が截頭四角錐形状であれば、センサ構造体10の高さを低く抑えることができ、SPFS装置1の小型化に寄与することができる。
【0044】
さらに、センサ部材20上に流路構成部材24を固定する方法としては、誘電体部材12と同じ光屈折率を有する接着剤,マッチングオイル,透明粘着シートなどを用いることが好ましい。
【0045】
そして、センサ構造体10の誘電体部材12側には、誘電体部材12内に入射され、金属薄膜14に向かって励起光26を照射する光源28を備え、さらに光源28から照射され金属薄膜14に反射した反射光30を受光する受光手段32が備えられている。
【0046】
光源28から照射される励起光26としてはレーザ光が好ましく、波長200〜900nm、0.001〜1,000mWのLDレーザ、または波長230〜800nm、0.01〜100mWの半導体レーザが好適である。
【0047】
一方、センサ構造体10の流路構成部材24側には、リガンド固定領域16で生じた蛍光34を受光する光検出手段36が設けられている。
このような光検出手段36としては、超高感度の光電子増倍管、または多点計測が可能なCCDイメージセンサを用いることが好ましい。
【0048】
また、センサ構造体10の流路構成部材24と光検出手段36との間に、光を効率よく集光するための集光部材38と、光の内で蛍光34のみを選択するように形成された波長選択機能部材40が設けられている。
【0049】
集光部材38としては、蛍光シグナルを効率よく集光するものであれば、任意の集光系を用いることができる。簡易な集光系としては、顕微鏡などで使用されている市販の対物レンズを転用することができる。対物レンズの倍率としては、10〜100倍が好ましい。
【0050】
一方、波長選択機能部材40としては、光学フィルタ,カットフィルタなどを用いることができる。
光学フィルタとしては、減光(ND)フィルタ,ダイアフラムレンズなどが挙げられる。
【0051】
さらにカットフィルタとしては、外光(装置外の照明光),励起光(励起光の透過成分),迷光(各所での励起光の散乱成分),プラズモンの散乱光(励起光を起源とし、センサ構造体10の面に付着した付着物などの影響で発生する散乱光),酵素蛍光基質の自家蛍光などの各種ノイズ光を除去するフィルタであって、例えば干渉フィルタ,色フィルタなどが挙げられる。
【0052】
このようにして構成されるSPFS装置1は、その使用において、まずセンサ構造体10の金属薄膜14上のリガンド固定領域16に検出対象となるアナライトと特異的に吸着するリガンドを固定しておき、この状態で検出対象となるアナライトを含有してなる試料溶液を流路22内に流入させてリガンドにアナライトを捕捉させる。
【0053】
ここでアナライト検出時に用いられる検体(アナライトを含有する溶液)としては、血液,血清,血漿,尿,鼻孔液,唾液,便,体腔液(髄液,腹水,胸水等)などが挙げられる。
【0054】
また、検体中に含有されるアナライトは、例えば、核酸(一本鎖であっても二本鎖であってもよいDNA,RNA,ポリヌクレオチド,オリゴヌクレオチド,PNA(ペプチド核酸)等、またはヌクレオシド,ヌクレオチドおよびそれらの修飾分子),タンパク質(ポリペプチド、オリゴペプチド等),アミノ酸(修飾アミノ酸も含む。),糖質(オリゴ糖,多糖類,糖鎖等),脂質,またはこれらの修飾分子,複合体などが挙げられ、具体的には、AFP(αフェトプロテイン)等のがん胎児性抗原や腫瘍マーカー,シグナル伝達物質,ホルモンなどであってもよく、特に限定されない。
【0055】
リガンドにアナライトを捕捉させた後、さらに流路22内を洗浄し、アナライトに捕捉される蛍光物質を含んだ溶液を流路22内に流入させることにより、蛍光物質で標識されたアナライトがリガンドに捕捉された状態とする。
【0056】
アナライトを標識する蛍光物質としては、所定の励起光26を照射するか、または電界効果を利用することで励起し、蛍光34を発する物質であれば特に限定されない。なお本明細書でいう蛍光34とは、燐光など各種の発光も含まれるものである。
【0057】
この状態で、光源28より誘電体部材12内に励起光26を照射し、この励起光26が特定の角度(共鳴角θa)で金属薄膜14に入射することで、金属薄膜14上に粗密波(表面プラズモン)を生ずるようにすることができる。
【0058】
なお、金属薄膜14上に粗密波(表面プラズモン)が生ずる際には、励起光26と金属薄膜14中の電子振動とがカップリングし、反射光30のシグナルが変化(光量が減少)することとなるため、受光手段32で受光される反射光30のシグナルが変化(光量が減少)する地点を見つければ良い。
【0059】
ここで共鳴角θaの調整のために、角度可変部(図示せず)や光検出手段36に入力された情報を処理するためのコンピュータ(図示せず)などを有しても良い。
なお、角度可変部(図示せず)は、サーボモータで全反射減衰(ATR)条件を求めるために受光手段32と光源28とを同期し、45〜85°の角度変更を可能とし、分解能が0.01°以上であることが好ましい。
【0060】
そしてこの粗密波(表面プラズモン)により、金属薄膜14上のリガンド固定領域16の蛍光物質が効率良く励起され、これにより蛍光物質が発する蛍光34の光量が増大し、この蛍光34を、集光部材38と波長選択機能部材40を介して光検出手段36で収集することで、極微量および/または極低濃度のアナライトを検出することができる。
【0061】
このような構成を有する本発明のSPFS装置1は、上記したセンサ構造体10が、非特異吸着防止層18を有しており、この点において特に特徴的である。
以下、このような非特異吸着防止層18を有するセンサ構造体10について詳細に説明する。
【0062】
<センサ構造体10>
[実施形態1]
図1および図2に示したように、本発明のセンサ構造体10は、金属薄膜14上に区画形成されたリガンド固定領域を除いた領域に、非特異吸着防止層18が形成されている。
【0063】
このような非特異吸着防止層18としては、アナライトの非特異吸着を防止することが出来れば如何なるものであっても良く、例えば金属薄膜14上のリガンド固定領域を除いた領域にテフロン(登録商標)テープを貼付したり、BSAやカゼインなどのタンパク質を含有した溶液や日油株式会社製の各種のリン脂質類似合成ポリマーを含んだ溶液を塗布して設けたりすることが好ましい。
【0064】
なお、非特異吸着防止層18が金属薄膜14上に形成されると、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16との境界において段差が生じ、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16とで凹部44が形成されてしまうこととなる。
【0065】
このような段差による凹部44は、流路22内にアナライトを含有する試料溶液を流入させた際に、この段差により生ずる凹部44内で試料溶液の流れが生じ難くなるおそれがあるため、本来であれば望ましくない。
【0066】
しかしながら本発明者は、非特異吸着防止層18を下記のような範囲で設定すれば、試料溶液の流れが凹部44内でも確実に生じ、リガンド固定領域16のリガンドに、確実にアナライトを捕捉させることができることを見出した。
【0067】
すなわち、リガンド固定領域16の直下に位置する金属薄膜14の上面から非特異吸着防止層18の上面までの高さT1を、好ましくは1〜200μmの範囲内、より好ましくは1〜100μmの範囲内、さらに好ましくは1〜50μmの範囲内に設定すれば、流路22内にアナライトを含有した試料溶液を流入させた際に、非特異吸着防止層18上からリガンド固定領域16上までに段差を生じても、試料溶液が流路22内で確実に混合され、リガンドにアナライトを確実に捕捉させることができる。
【0068】
なお高さT1は、低ければ低いほど試料溶液の流路22内での混合を、より確かなものとすることができるため、可能な限り低く設定することが好ましい。
また図中の符号T2は、流路22の高さである。流路22の高さT2は50〜500μmの範囲内とすることが好ましい。さらに流路22の幅は1〜3mmの範囲内とすることが好ましい。
【0069】
さらにアナライトを含有する試料溶液の流量は1〜50000μl/minの範囲内、流速は5.56×10-5〜2.78m/sの範囲内とすることが好ましい。
このように設定することで、上記段差により生ずる凹部44内においても試料溶液の流れが確実に生じ、リガンドにアナライトを確実に捕捉させることができる。
【0070】
このようなセンサ構造体10では、リガンド固定領域16を除いた領域に非特異吸着防止層18を有することで、アナライトがリガンド固定領域16を除いた領域に吸着してしまうことを確実に防止することができる。
【0071】
なお、非特異吸着防止層18は、図2に示したセンサ構造体10のように、リガンド固定領域16を除いた領域の全面に形成されていても良いが、図3に示したセンサ構造体10のように、部分的に形成されていても良いものである。本実施形態1においては、リガンド固定領域16と非特異吸着防止層18とが隣接しているとともに、リガンド固定領域16を非特異吸着防止層18が取り囲むようになっている。
【0072】
このように、本発明のセンサ構造体10によれば、金属薄膜14上のリガンド固定領域を除いた領域に非特異吸着防止層18を設けることにより、リガンド固定領域を除いた領域にアナライトが吸着してしまうことを確実に防止することができる。
【0073】
したがって、SPFS装置1にこのようなセンサ構造体10を用いれば、リガンド固定領域16にアナライトを集中させ、高精度に蛍光検出を行うことができる。
【0074】
[実施形態2]
図4〜図7に示したセンサ構造体は、図1〜図3に示したセンサ構造体と基本的には同様の構成であるので、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明を省略する。
【0075】
図4〜図7に示したセンサ構造体10は、金属薄膜14上のリガンド固定領域16を除く領域に非特異吸着防止層18が形成されていることに加え、励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光する遮光機能を備えている点で、上記した実施形態1と異なっている。
【0076】
まず図4に示したセンサ構造体10では、非特異吸着防止層18が励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光する遮光機能付き非特異吸着防止層18aとなっている。
【0077】
通常の非特異吸着防止層18との違いとしては、非特異吸着防止層18の基材を、励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光することのできる基材としている点である。
【0078】
具体例としては、励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光することができるよう色付けされたテフロン(登録商標)テープを用いることで、非特異吸着防止機能に加えて遮光機能も備えることができる。
【0079】
また、非特異吸着防止層18に遮光機能を備える別の方法として、遮光材が含有された非特異吸着防止層18を用いても良い。
この場合には、例えば非特異吸着防止層18の原材料中に予め遮光材を混入させておき、これを金属薄膜14上に塗布して成膜するようにすれば良い。ここで遮光材としては、例えばカーボンブラック等の顔料や染料の他、金属微粒子などを用いることができる。
【0080】
さらに非特異吸着防止層18に遮光機能を備える別の方法として、図5に示したように非特異吸着防止層18と金属薄膜14との間に、励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光する遮光層42を備えるようにしても良い。
【0081】
このような遮光層42は、例えば金属材料を塗布することで形成することができる。
遮光層42の材質としては、光透過性の低い金属被膜、例えばクロム,チタン,モリブデン,スズ,酸化鉄,酸化カドミウム,硫化カドミウムなど、反射率の高い膜材料、例えば銀,アルミニウム,ロジウム,及びそれらの合金などを用いることができる。
【0082】
ここで遮光層42の厚みとしては、5nm以上とすることが好ましい。
なお、遮光層42を金属薄膜14と同じ金属材料で形成しても良く、この場合には、図6に示したように金属薄膜14の成膜の際に、リガンド固定領域16を除いた領域の金属薄膜14だけを部分的に厚く形成することで、リガンド固定領域16を除いた領域の金属薄膜14に遮光層42としての機能を持たせるようにすることができる。
【0083】
このように、本発明のセンサ構造体10が、非特異吸着防止機能に加えて遮光機能を有していれば、リガンド固定領域16にアナライトを集中させることができるとともに、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光することができ、これにより誘電体部材12などから生ずる自家蛍光を遮光することができる。
【0084】
したがって、実施形態2のセンサ構造体10を用いて蛍光検出を行えば、リガンド固定領域16にアナライトを集中させてシグナルを高めることができるとともに、ノイズを低減させることができるため、S/N比を向上させ、実施形態1のセンサ構造体を用いた場合よりもさらに高感度に蛍光検出を行うことができる。
【0085】
以上、本発明のセンサ構造体10およびこれを用いたSPFS装置1について説明したが、本発明は上記の形態に限定されるものではなく、例えば図7に示したように流路構成部材24を複数の部材24a,24bから構成しても良いなど、本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能なものである。
【0086】
例えば、遮光層42は、励起された蛍光物質が生じる蛍光34と同じ波長の光を遮光するように構成したが、それ以外の波長の光を遮光するように構成してもよく、少なくとも蛍光34と同じ波長の光を遮光するように構成することが好ましい。
【0087】
また、誘電体部材12上に固定される流路構成部材24は、必ずしも非特異吸着防止層18上に固定される必要はなく、金属薄膜14に対して接着固定されてもよく、また誘電体部材12に対して接着固定されてもよい。各種溶液が流路22から漏出することを簡単且つ確実に防止する上で、流路構成部材24を非特異吸着防止層18に対して接着固定することが特に好ましい。
【実施例】
【0088】
[実施例1]
図2に示した本発明のセンサ構造体10において、リガンド固定領域16の直下に位置する金属薄膜14の上面から非特異吸着防止層18の上面までの高さT1を50μmとし、流路22の高さT2を50μmとしたセンサ構造体10を用意した。
【0089】
また、図8に示した従来のセンサ構造体100において、流路の高さを100μmとしたセンサ構造体100を用意した。
2つのセンサ構造体のそれぞれの流路内に、流量3000μl/min、流速0.167m/sでアナライトが含有された試料溶液を流入させ、さらにアナライトを蛍光物質で標識し、この状態でSPFS装置による蛍光検出を行った際のアッセイシグナル(count/sec)を、CCDイメージセンサを用いて測定した。
【0090】
非特異吸着防止層18を有する本発明のセンサ構造体10では、アッセイシグナル(count/sec)が500,000であるのに対し、非特異吸着防止層18を有しない従来型のセンサ構造体100では、アッセイシグナル(count/sec)が250,000であり、本発明のセンサ構造体10を用いれば、アッセイシグナルを従来よりも向上させることができることが確認された。
【0091】
[実施例2]
図2に示したセンサ構造体10において、リガンド固定領域16の直下に位置する金属薄膜14の上面から非特異吸着防止層18の上面までの高さT1を50μmとし流路22の高さT2を100μmとしたもの、高さT1を100μmとし流路高さT2を100μmとしたもの、高さT1を200μmとし高さT2を100μmとしたもの、高さT1を250μmとし高さT2を100μmとしたものの、合計4種類のセンサ構造体を用意した。
【0092】
4種類のセンサ構造体のそれぞれの流路22内にアナライトを含有した試料溶液を流入させ、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16との段差により形成された凹部44内の試料溶液の流れが、高さT1の違いによって、どのように変化するか実験を行った。
【0093】
なお、流路22内に流入させた試料溶液は、流量3000μl/min、流速0.167m/sとした。
高さT1を50μmとし高さT2を100μmとしたセンサ構造体10では、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16とで形成された凹部44内の試料溶液の流量が750μl/minであり、充分な反応を生ずるだけの流量が得られることが確認された。
【0094】
次いで高さT1を100μmとし高さT2を100μmとしたセンサ構造体10では、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16とで形成された凹部44内の試料溶液の流量が429μl/minであり、充分な反応を生ずるだけの流量が得られることが確認された。
【0095】
さらに高さT1を200μmとし高さT2を100μmとしたセンサ構造体10では、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16とで形成された凹部44内の試料溶液の流量が300μl/minであり、充分とはいえないものの反応を生ずるだけの流量が得られることが確認された。
【0096】
一方、高さT1を200μmを超えた高さ(例えば250μm以上)とし高さT2を50μmから500μmの間で幾つか振ってみたところ、非特異吸着防止層18とリガンド固定領域16とで形成された凹部44内に試料溶液の一部が滞留することが時折見受けられる場合があった。
【0097】
よって、リガンド固定領域16の直下に位置する金属薄膜14の上面から非特異吸着防止層18の上面までの高さT1をせいぜい200μm以下とすることが、反応を生ずる充分な流量が得られ、より高感度な蛍光検出を実現する上で好ましい。
【0098】
[実施例3]
図4に示した、非特異吸着防止層18が励起された蛍光物質が生ずる蛍光34と同じ波長の光を遮光する遮光機能付き非特異吸着防止層18aとなっている本発明のセンサ構造体10において、リガンド固定領域16の直下に位置する金属薄膜14の上面から非特異吸着防止層18の上面までの高さT1を50μmとし、流路の高さT2を50μmとしたセンサ構造体10を用意した。
【0099】
また、図8に示した従来のセンサ構造体100において、流路高さを100μmとしたセンサ構造体100を用意した。
2つのセンサ構造体のそれぞれの流路内に、流量3000μl/min、流速0.167m/sでアナライトが含有された試料溶液を流入させ、さらにアナライトを蛍光物質で標識し、SPFS装置による蛍光検出を行った際の光学ブランク(ノイズ)を調べた。
【0100】
非特異吸着防止層18および遮光機能を有する本発明のセンサ構造体10では、光学ブランク(count/sec)が6,000であるのに対し、非特異吸着防止層18および遮光機能を有しない従来のセンサ構造体100では、光学ブランク(count/sec)が10,000であり、本発明のセンサ構造体10では、誘電体部材への入射光由来の自家蛍光を遮光して光学ブランクを低減させることができることが確認された。
【符号の説明】
【0101】
1・・・表面プラズモン励起増強蛍光測定装置(SPFS装置)
10・・・センサ構造体
12・・・誘電体部材
14・・・金属薄膜
16・・・リガンド固定領域
18・・・非特異吸着防止層
18a・・遮光機能付き非特異吸着防止層
18b・・遮光材が含有された非特異吸着防止層
20・・・センサ部材
22・・・流路
24・・・流路構成部材
24a・・流路構成部材
24b・・流路構成部材
26・・・励起光
28・・・光源
30・・・反射光
32・・・受光手段
34・・・蛍光
36・・・光検出手段
38・・・集光部材
40・・・波長選択機能部材
42・・・遮光層
44・・・凹部
T1・・リガンド固定領域の直下に位置する金属薄膜の上面から非特異吸着防止層の上面までの高さ
T2・・流路の高さ
θa・・共鳴角
100・・・センサ構造体
102・・・誘電体部材
104・・・金属薄膜
106・・・リガンド固定領域
108・・・センサ部材
110・・・流路
112・・・流路構成部材
114・・・励起光
116・・・光源
118・・・反射光
120・・・受光手段
122・・・蛍光
124・・・光検出手段
126・・・集光部材
128・・・波長選択機能部材
200・・・表面プラズモン励起増強蛍光測定装置(SPFS装置)
θ1・・共鳴角

【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体部材の上面に形成された金属薄膜に、前記誘電体部材側から全反射条件となる入射角で励起光を照射し、前記金属薄膜上の電場を増強させることにより、前記金属薄膜上に形成されたリガンド固定領域の蛍光物質を励起させ、これにより増強された蛍光を光検出手段にて検出するようにした表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に用いられるセンサ構造体であって、
前記センサ構造体は、
前記誘電体部材と、前記誘電体部材の上に形成された前記金属薄膜と、前記金属薄膜上に形成された前記リガンド固定領域と、前記誘電体部材上の前記リガンド固定領域を除いた領域に形成された非特異吸着防止層と、を備えたセンサ部材と、
前記センサ部材上に固定され、前記リガンド固定領域上および前記非特異吸着防止層上を試料溶液が流通可能となるように構成された流路構成部材と、
を少なくとも備えて成ることを特徴とするセンサ構造体。
【請求項2】
前記リガンド固定領域は、前記金属薄膜上に区画形成され、
前記非特異吸着防止層は、前記金属薄膜上の前記リガンド固定領域を除いた領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサ構造体。
【請求項3】
前記非特異吸着防止層が、
励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光することのできる遮光機能付き非特異吸着防止層であることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ構造体。
【請求項4】
前記非特異吸着防止層と前記誘電体部材との間に、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光する遮光層を備えることを特徴とする請求項1に記載のセンサ構造体。
【請求項5】
前記非特異吸着防止層と前記金属薄膜との間に、励起された蛍光物質が生ずる蛍光と同じ波長の光を遮光する遮光層を備えることを特徴とする請求項2に記載のセンサ構造体。
【請求項6】
前記遮光層が、前記金属薄膜と同じ材質から成ることを特徴とする請求項5に記載のセンサ構造体。
【請求項7】
前記リガンド固定領域の直下に位置する前記金属薄膜の上面から前記非特異吸着防止層の上面までの高さが、1〜200μmの範囲内であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のセンサ構造体。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載のセンサ構造体を配設してなることを特徴とする表面プラズモン励起増強蛍光測定装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2012−251863(P2012−251863A)
【公開日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−124336(P2011−124336)
【出願日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【出願人】(000001270)コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Fターム(参考)】