走査電子顕微鏡
【課題】 低真空試料室内で起こるガス増幅を利用し、正の誘導電流検出方式を用いたVP-SEMにおいて、二次電子と反射電子の分離同時検出が可能なVP-SEMを実現する。かつ電極数を最小に抑えた安価なVP-SEM用の多種電子検出器を提供する。
【解決手段】 試料室内に、試料からの反射電子を当てて副次電子を生じさせるための反射板を設け、反射板の電位を接地電位にする。かつ、反射板と前記試料台の間隙に、正電位、典型的には+100〜+500 Vの正の電圧を印加した電界供給電極を設ける。更に、反射電子起因のイオン電流を検出する第1検出電極と、二次電子起因のイオン電流(厳密には二次電子起因と反射電子起因のイオン電流が混じった電流)を検出する第2検出電極とを設けることにより、同時分離検出を達成する。
【解決手段】 試料室内に、試料からの反射電子を当てて副次電子を生じさせるための反射板を設け、反射板の電位を接地電位にする。かつ、反射板と前記試料台の間隙に、正電位、典型的には+100〜+500 Vの正の電圧を印加した電界供給電極を設ける。更に、反射電子起因のイオン電流を検出する第1検出電極と、二次電子起因のイオン電流(厳密には二次電子起因と反射電子起因のイオン電流が混じった電流)を検出する第2検出電極とを設けることにより、同時分離検出を達成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、低真空走査電子顕微鏡(VP-SEM)に適用される二次荷電粒子の検出装置および方法に関わる。すなわち、観察面の情報を持った電子をガス分子とのイオン化散乱によって増幅(ガス増幅)し、同時に増幅されるイオンを検出電極に向かって移動させ、それによって検出電極に流れる正の誘導電流を検出して画像を形成する装置および方法に属する。
【背景技術】
【0002】
検出原理にガス増幅を利用したVP-SEMとは、一次電子線の照射によって低真空雰囲気中に放出される電子に起因する二次荷電粒子を検出して画像を形成する電子線装置であり、通常の高真空SEMとは、検出原理と装置構成が異なっている。
【0003】
一次電子線照射により発生した二次荷電粒子は、電界によって加速され、残留ガス分子とのイオン化散乱を繰り返す。イオン化散乱が繰り返し起こることにより、電子およびイオンは増幅(ガス増幅)され、これらの増幅されたイオン/電子を検出電極で検出することにより、画像を形成する。上記のイオン/電子は、検出電極に流れる正/負の誘導電流の形で検出される。発生したイオン/電子を検出電極に向けて移動させるため、検出電極とイオン/電子の発生箇所の間には何らかの電位勾配が設定される。
【0004】
イオンの移動による正の誘導電流を検出する方式と、電子の移動による負の誘導電流を検出する方式とでは、物理原理は全く同じだが、試料室内に供給される電位勾配や、電界供給用の電極の形状などが異なっており、用途に応じて様々な検出器形態が存在している。
【0005】
正の誘導電流を検出する方式としては、例えば、特開2001−126655には、正イオン電流の検出電極を試料台に配置し、電界供給電極として対物レンズの周囲に配置された二次電子コレクタ電極(高真空二次電子検出器に接続されている)を用いた形態のVP-SEMが開示されている。また、特開2003−132830には、曲面形状のイオン電流検出電極を、電界供給電極と試料台の間(イオン化散乱の発生する経路上)に配置した形態のVP-SEMが開示されている。
【0006】
負の誘導電流を検出する方式としては、例えば、スキャニング3、215 (1980)(Scanning3, 215 (1980))に開示されたG. D. Danilatosらの方式がある。この方法では、電子電流の検出電極と電界供給電極を兼用する方式をとっており、検出電極の表面電位は周囲の電位よりも高く維持される。
【0007】
上で説明した各先行文献に開示された技術は、いずれも二次電子起因のイオン/電子を検出して低真空二次電子像を得るための技術である。しかしながら、低真空二次電子像だけではなく、低真空反射電子像を観察したいというニーズもある。二次電子像は、エッジ情報に富み、試料の表面構造を観察するのに優れた画像である。一方、反射電子像は、組成情報に富み、試料の組成分布を観察するのに優れた画像である。従って、低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方が取得可能なVP-SEMが望まれている。
【0008】
特表2002−516647号公報には、負の誘導電流を検出する方式を用いて、低真空二次電子と低真空反射電子の両方を検出可能なVP-SEMが開示されている。以下、図19を用いて特表2002−516647に開示されるVP-SEMの構成について説明する。
【0009】
低真空大気環境に保たれた試料室101内に、観察対象となる試料102が設置してある。試料102の上方にはプレート状もしくはメッシュ状の検出電極103が設置されており、さらに上方には反射板兼電界供給電極104が設置されている。検出電極103は接地電位であり、反射板兼電界供給電極104には電源105によって-100〜-500Vの負の電圧が印加されている。
【0010】
SEM観察を行うときには、一次電子線106を対物レンズ107によって試料102の観察面上に収束させる。一次電子線2の照射位置からは、反射電子108及び二次電子109が発生する。エネルギーの低い二次電子109は、電位勾配が存在しない試料台110と検出電極103間では、ガス分子に吸収され、もしくは試料台110にかえり、検出電極103に到達しない。一方、エネルギーが高い反射電子108は、反射板兼電界供給電極104に当たってさらに電子を発生させる。この発生した電子を副次電子111と呼ぶこととする。
【0011】
副次電子111は反射板兼電界供給電極104と検出電極103の間の領域に作られる電位勾配にしたがって検出電極103に向けて加速される。この過程でガス分子とのイオン化散乱が起こり、新たに電子-イオンペアが生成される。加速、イオン化散乱の過程は検出電極103に近づくにつれて指数関数的に起こり、結果、電子が増幅される。これをガス増幅と呼ぶ。増幅された電子が検出電極103に近づくと、検出電極103には負の誘導電流112が流れる。誘導電流112は増幅器113によって増幅される。一次電子線2は図示しない偏向器によって試料102面上を二次元的に走査され、その走査と同期して増幅された信号を図示しない画像処理端末上に表示することで低真空反射電子像が得られる。
【0012】
また、特表2002−516647号公報には、メッシュ電極の変わりに円盤形電極を用い、前記の反射板に印加する電圧と、円盤状検出電極に印加する電圧とを調整することにより、検出する二次荷電粒子のモード(二次電子のみを検出するモード、反射電子のみを検出するモード、二次電子と反射電子を両方検出するモード)が切替可能な構成例も開示されている。図20を用いてこの別形態について説明する。この形態では、検出電極にドーナツ状の円盤型電極114を用いており、検出電極114と反射板兼電界供給電極104の両者にそれぞれ別個の電源115、116を接続し、それぞれにV1、V2の電圧を供給する。低エネルギーの二次電子109を検出する場合は、V1= V2=+500Vを印加する。このとき、二次電子109は検出電極114に向けて加速され、ガス増幅を起こす。検出電極114では、負の誘導電流112を検出する。二次電子109と反射電子108を混合で検出する場合は、検出電極114に印加する電圧V1を正の電圧に固定し、反射板兼電界供給電極104に印加する電圧V2が- V1と+V1の間の任意の値に設定する。ただし、この場合、増幅器117はフローティング増幅器でなければならない。
【0013】
以上、特表2002−516647の構成により、一台の装置で低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方が取得可能なVP-SEMが実現可能となる。
【0014】
【特許文献1】特開2001−126655
【特許文献2】特開2003−132830
【特許文献3】特表2002−516647
【非特許文献1】G. D. Danilatos et, al,Scanning3, 215 (1980)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
特表2002−516647に開示のVP-SEMでは、二次電子109と反射電子108起源の副次電子111を同一の検出電極114で検出しているため、両者を分離検出することができない。よって、特表2002−516647に開示されたVP-SEMにおいては、低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方を同時検出することは不可能である。
【0016】
また、ガス増幅検出器との併用によって反射電子像を同時検出できる反射電子検出器としては、半導体検出器やなどが用いられているが、それらは高価であるため、安価な反射電子検出器が望まれている。
そこで、本発明では、二次電子と反射電子の分離同時検出が可能な安価なVP-SEM用の電子検出器を提供することを目的とする。
【0017】
さらに本発明では、分離同時検出された二次電子信号および反射電子信号に対して適当な演算を施して、二次電子と反射電子の分離の度合いを自由に調整したSEM画像を取得可能なVP-SEMを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明においては、低真空走査電子顕微鏡(VP-SEM)に対して、正の誘導電流検出方式を適用し、かつ少なくとも一つのガス増幅発生用の電界供給電極と、試料から放出される荷電粒子のうち、少なくとも二種類の異なる荷電粒子に起因する二種類の誘導電流を分離して同時に検出する少なくとも二系統の検出手段とを備えることにより上記の課題を達成する。
【0019】
より具体的には、上記二系統の検出手段が、上記二種類の異なる荷電粒子の一方に起因する前記誘導電流を検出する第1の検出電極と、二種類異なる荷電粒子のうちのもう一方の荷電粒子に起因する前記誘導電流を検出する第2の検出電極と、試料から放出される二種類の荷電粒子をガス増幅して得られる二種類のイオンをそれぞれ、上記の第1検出電極と第2検出電極へ分離して移動させる手段とを備えることで、課題を解決する。
【0020】
更に具体的には、試料からの反射電子を当てて副次電子を生じさせるための反射板を試料室内に設け、反射板の電位を接地電位にする。更に、被観察試料を保持する試料台と反射板との間隙に、正の電位(典型的には+100〜+500 V程度)が印加される電界供給電極を設ける。かつ、反射電子起因のイオン電流を検出する第1検出電極と、二次電子起因のイオン電流(厳密には二次電子起因と反射電子起因のイオン電流が混じった電流)を検出する第2検出電極とを設けることにより、同時分離検出を達成する。
【発明の効果】
【0021】
かかる構成によれば、最小の構成で、副次電子と二次電子のガス増幅を単一の電界供給電極によって起こしつつ、増幅されたイオンに関しては、副次電子(反射電子)起源のイオンと、二次電子起源のイオンとでそれぞれ別個の検出系で検出できるため、反射電子像および二次電子像の分離検出が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下では、本発明の代表的な実施例について図を用いて説明する。
(実施例1)
本実施例では、低真空二次電子画像と低真空反射電子像の両方が取得可能な走査電子顕微鏡のうち、反射電子検出電極が一次電子線の照射光軸近傍に配置された、いわゆる軸上検出型の反射電子検出電極を備え、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用する方式の実施例について説明する。
【0023】
図1には、軸状検出型反射電子検出手段と、反射板−検出電極兼用型の低真空SEMにおいて、二次電子検出手段を試料台もしくはその近傍に配置した形式の走査電子顕微鏡の外観構成を模式的に示した。図1に示す走査電子顕微鏡は、電子光学鏡筒、試料室9,検出された二次電子/反射電子起因のイオン電流信号を信号処理して画像を形成する情報処理部14,画像処理部に接続された画像処理端末15等により構成される。画像処理端末15には、形成画像を表示するための表示手段や、当該表示手段に表示されるGUIに対して装置の操作に必要な情報を入力する情報入力手段等を備えている。なお、電子光学鏡党内の各構成要素、例えば一次電子線の加速電圧、各電極に印加する電流・電圧などは、観察条件制御部66により調整される。
【0024】
走査電子顕微鏡鏡筒内部に格納された電子銃1は、タングステン熱電子銃を用いて構成されており、典型的にはエネルギー0.5〜30 keV)の一次電子線2を発生させる。コンデンサーレンズ3は、一次電子線2を収束させる作用を持ち、一次電子線2がSEM観察に好適な光学条件になるように設定される。対物レンズ4も、一次電子線2を収束させる作用を持ち、試料5上の観察対象部位に一次電子線2を収束させる。対物レンズ4の底面は、電子光学鏡筒の底面を構成している。偏向器6は、試料5上の一次電子線2の照射位置を所望の観察視野範囲に従って走査させる。一次電子線2の照射に伴って試料からは反射電子7および二次電子8が発生する。試料5が収められた試料室9の内部の真空度は、該試料室9への大気導入口10のニードルバルブ11の閉開によって制御する。
【0025】
本VP-SEMは低真空での観察モードの他に、高真空での観察モードを備えており、高真空での観察時には、ニードルバルブ11を閉じ、試料室9の内部を10-3 Pa以下の高真空状態に保つ。試料5から発生した二次電子8は、高真空用の二次電子検出器で検出される。本実施例では、高真空用二次電子検出器として、シンチレータと光電子増倍管からなるEverhart Thornley型検出器12を用いた。このとき、二次電子8の捕集効率を高めるため、典型的には+300 Vを印加した二次電子コレクタ電極13によって試料室9内に電位勾配を供給する。一方、反射電子7は、対物レンズ4直下に設置する図示しない反射電子検出器によって検出する。反射電子検出器には、半導体検出器もしくはマイクロチャンネルプレートを用いる。検出された信号はおのおの電気的に増幅された後、画像処理部14でA/D変換され、一次電子線2の走査と同期させて、画像処理端末15に表示する。これにより、観察視野範囲のSEM画像が得られる。
【0026】
低真空での観察時には、ニードルバルブ11の閉開によって、試料室9内を一定のガス圧力に保つ。また、二次電子コレクタ電極13の電位が接地電位に切り替えられる。ガス圧力は、典型的には1〜300 Paである。
対物レンズ4直下には、接地電位の円盤状の反射板16を設置する。本実施例の反射板16は、反射電子起因の誘導電流を検出する第1電子検出電極を兼用しており、電極底面(試料台に向いて配置される面)は試料から発生した反射電子が衝突する衝突面を形成している。さらにまた、当該衝突面は反射電子起因のイオン電流の検出面を兼ねるため、衝突面にはイオン電流検出用電極が形成されている。反射板16の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。反射板16の外径には制限は特に設けないが、試料室9内の構造物との干渉を避けるため、典型的には50 mmφ以下程度とする。反射板16の中心には、一次電子線2が通過するための円形の穴が設けられており、穴径は典型的には1〜5mmφ程度である。反射板16と試料台17の間隙には、ドーナツ状の円盤型の電界供給電極18を設置する。電界供給電極18の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。電界供給電極18には、電界供給電極用電源19によって+100〜+500 Vの正の電圧を印加する。反射板16と電界供給電極18の間隔は1 mm〜10 mm程度とする。ただし、この間隔が大きくなりすぎると、作動距離(working distance、 WD)を短くした場合の観察に支障をきたすことから、一般的には1 mm〜3 mmとする。電界供給電極18の外径は、一般的には反射板16の外径と同程度であり、内径は20 mm程度とする。試料から放出される反射電子7の角度検出範囲の最大値は、電界供給電極18の内径で決まっており、検出角度領域を大きくしたい場合は、電界供給電極18の内径を20 mmより大きくしてもよい。また、WDが短い場合(例えば WD = 5 mm)などでは、電界供給電極18の内径を小さくしても角度検出範囲を大きくとれることから、電界供給電極Xの内径を20 mmより小さくしてもよい。いずれの場合でも、電界供給電極18の外径は内径+10 mm〜30 mmとする。なお、反射板16の外径は、電界供給電極18の内径より小さくなってもよい。この場合、反射板16の外径で反射電子7の角度検出領域が決まる場合もある。いずれの場合にせよ、観察するWDに対応して所望の角度検出領域が確保できるように反射板16と電界供給電極18の大きさを決定する。
【0027】
ガス圧力を調整するニードルバルブ11、二次電子コレクタ電極13に印加される電圧、電界供給電極18に印加される電圧は観察条件制御部66により、観察条件に好適な条件に設定される。なお、低真空観察時には、ガス圧力、電界供給電極18に印加される電圧は、ユーザーが所望の設定値に設定してもよい。
【0028】
低真空での反射電子の検出は次のようにして行う。
試料5から放出された反射電子7は、二次電子と比較して高エネルギー(約0.5 keV以上)であるため、低真空雰囲気中であっても反射板16の衝突面まで到達する。反射板16に衝突した反射電子7は衝突面と相互作用して、数eV程度の低エネルギーの副次電子20を放出させる。副次電子20は、電界供給電極18の供給する電界にしたがって加速される。この過程でガス増幅が起こり、電界供給電極18近傍で電子、イオンが増幅される。増幅された副次電子20起源のイオン21は、低電位である反射板16に向かってドリフトする。電位勾配は、接地電位である反射板16および同じく接地電位である試料台17と、唯一正の電圧を印加された電界供給電極18によって作られており、電界供給電極18より上方で作られる副次電子20起源のイオン21は、ほとんどが反射板16に向かってドリフトする。イオン21のドリフトによって反射板16には反射電子起源の正の誘導電流22が流れる。反射板16には誘導電流22を増幅するための反射電子検出用増幅器23が接続されており、所望の利得で電流信号を増幅する。
【0029】
一方、低真空での二次電子の検出は次のようにして行う。
試料5から放出された数 eV程度のエネルギーを持つ二次電子8は、電界供給電極18の供給する電界にしたがって加速される。この過程でガス増幅が起こり、電界供給電極18近傍で電子、イオンが増幅される。増幅された二次電子8起源のイオン24のほとんどは、副次電子20起源のイオン21とは逆に、ほとんどが試料台17にむかってドリフトする。試料台17には、ドリフトしてくる二次電子起源の正の誘導電流25を検出するための第2検出電極が設けられており、第2検出電極で検出された誘導電流25は二次電子検出用増幅器26によって、所望の利得で増幅される。従って、本実施例においては、上記電界供給電極18が上記第1検出電極と第2検出電極の間に形成する電位差によって、反射電子ないし二次電子の分離効果および検出電極までのドリフト効果が実現される。
【0030】
実施例1の反射板16、電界供給電極18は、試料台の上下(WDの上下)にともなって各々の試料7との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。
【0031】
低真空モード、高真空モードのいずれに関しても、得られた信号を電気的に増幅した後、画像処理部14でA/D変換し、一次電子線2の走査と同期させて、画像処理端末15に表示する。これにより、観察視野範囲のSEM画像が得られる。
【0032】
上記のように、本発明では、正の電圧を印加した電界供給電極18が反射板16と試料台17との間に供給する電界によって、ガス増幅だけでなく、エネルギー弁別も行っている。電位勾配は、低エネルギーの電子(主に二次電子8)を電界供給電極18に向かって加速させ、その結果、低エネルギーの電子は反射板には到達できない。また、高エネルギーの電子(反射電子7)は、電界の影響を受けずに反射板16に到達できる。これにより、エネルギー弁別が行われる。
【0033】
しかし、低エネルギー電子には低エネルギーの反射電子も含まれており、試料台17から検出される誘導電流25には、反射電子起源の情報も含まれている。また、電界供給電極18近傍でのイオンの挙動はほぼランダムであり、副次電子20起源のイオン21の一部が試料台17に向かってドリフトする、もしくは、同様に二次電子8起源のイオン24が反射板16に向かってドリフトするということもありうる。結果として、得られた反射電子像、二次電子像には、お互いの情報が若干混じっているということもありうる。そこで、本発明の画像処理部14には、得られた各信号に任意の重みを乗じて加算、減算した合成画像を出力できる画像処理機能を設けた。
【0034】
画像処理機能について、図2〜4を用いて説明する。図2〜4は、画像処理端末15の画面の模式図である。図2に示したように、画像処理端末の画面27には、同時に取得した反射電子像28および二次電子像29を表示する。各々のコントラストおよび、ブライトネスは、自動もしくは手動で増幅器の利得を調整することで調整する。図3には画像処理機能によって反射電子信号と二次電子信号を電気的に加算もしくは減算した第三の画像である合成画像30を追加で出力した画像処理端末の画面27を示す。
【0035】
合成画像は画像処理機能によって、例えば、次のようにして作成する。
デジタル変換された各画素当たりの輝度を、反射電子信号および二次電子信号でそれぞれA、Bとすると、合成画像では、各画素につき、C = k ×A + l ×B の輝度の画像を出力する。ここで、k、l、はそれぞれ-1〜+1まで値をもつパラメータで、一枚の画像に対して定数である。または、k、l、は各画素の輝度に依存してもよく、例えば、k に関してはA の関数、l に関してはB の関数であっても良い。
【0036】
k、l のパラメータセットの決定方法は、設計者が事前に標準サンプルを用いて観察、画像合成した結果から決定してもよく、複数のパラメータセットをあらかじめ実装してあっても良い。
【0037】
パラメータセットの例としては、k = -0.1 、 l = +1のような「反射電子情報を差し引いた二次電子像用パラメータセット」(図3参照)、k = +1 、 l = -0.1のような「二次電子情報を差し引いた反射電子像用パラメータセット」(図4参照)、k = +1 、 l = +1のような「反射電子情報、二次電子情報混合画像用パラメータセット」などがある。
【0038】
ユーザーがパラメータセットの呼び出しを行うには、キーボードで各パラメータセットに対応したキーを入力する、もしくは図3に示したように画面27上に表示されたボタン31のうち、所望のセットに対応するボタンを選択し、クリックする。図3は、「反射電子情報を差し引いた二次電子像用パラメータセット」を選択したときの様子を示したものである。
【0039】
またk、l、の各パラメータは、ユーザーが画像を観察しながら所望の画像が得られるように任意に設定してもよく、その場合、ユーザーは、例えば、図4に示したような画面27内のk 値バー32、l 値バー33を見ながらキーボードやダイヤルなどの手動操作装置でパラメータを設定する。このとき、可動バー34は、操作に対応して現在のk、l、の値を出力する。または、図4に示したように、画面27内の可動バー34をマウスのクリック&ドラッグで直接左右に動かしてもよい。画像処理部14は、これらの操作を反映させ、ユーザーが指定したk、l、の値に対応した合成画像を画面27に表示する。図3は、ユーザーが可動バー34をマウスのクリック&ドラッグで調整して、「二次電子情報を差し引いた反射電子像用パラメータセット」を実現したときの様子を示したものである。
【0040】
なお、合成画像用の信号の合成は、デジタル信号同士である必要はなく、アナログ信号同士で行ってもよい。この場合、アナログ回路によって、デジタル信号のときと同様に画像の合成を行う。
【0041】
図5では、図1に示した構成の走査電子顕微鏡において、試料台以外の位置に第2検出電極を設置した変形例を示した。なお、以下の説明においては、図1の構成例と共通する要素については説明は省略する。電界供給電極18と試料台17の間に接地電位のドーナツ状の円盤型の検出電極35を設置する。検出電極35の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。検出電極35の内径は電界供給電極18の内径と同程度かそれ以下であり、一般的には電界供給電極18の内径-10 mmφ程度とする。検出電極35と電界供給電極18の間隔は、1 mm〜10 mm程度とする。
【0042】
図5の構成例では、試料台から発生した二次電子8は電界供給電極18の供給する電場にしたがって加速され、該電極18近傍でガス増幅を起こす。増幅されたイオン24は、接地電位である検出電極35に向かってドリフトし、検出電極35には二次電子起源の正の誘導電流25が流れる。この電流信号から実施例1と同様に低真空二次電子像を得る。
【0043】
図5に示した構成例は、図1の構成例と比較して数々の利点がある。
まず、試料台から信号を検出する必要がないため、試料台17を冷却するための、ステージクーリングシステム36と併用することが可能である。図1の構成例では、ステージクーリングシステムを用いると、試料台17に接続した増幅器がステージクーリングシステムからのノイズ信号を検出してしまい、像観察が困難であったが、図5の構成例では、検出電極から信号を検出するため、画像へのノイズの影響なくステージクーリングシステム36を併用できる。
【0044】
また、検出電極35の浮遊容量を小さくでき、増幅回路26のレスポンスを向上できる。図1の構成例では、複雑な構成をした試料台17に増幅器を接続しており、試料台17の大きな浮遊容量が原因で、出力信号のレスポンスが遅かった。図5の構成例の検出電極35は、構造が単純であるため、典型的には、浮遊容量を試料台17の1/3以下にまで低減できる。
【0045】
さらに、検出電極35が試料台17とは離間しているため、電界供給電極18と第2検出電極35との間の電位勾配を最適化する上で、設計の自由度が大きくなる。すなわち、図1の構成例においては、試料台17上に検出電極35が形成されているため、検出電極35の設計形状が試料台17の表面形状に制約され、電界供給電極18の形状を工夫する以外に電位勾配の最適化はできなかった。一方、図5の構成例では、電界供給電極18と検出電極35の双方に間隔や形状を工夫する余地があるため、ガス増幅に好適な電位勾配を形成する上で、設計自由度が図1の構成例に比べて高くなる。
【0046】
さらに、試料台17から発生する二次電子8を電界供給電極18に向けて加速させるため、試料台17に負の電圧を印加することも可能になる。このとき、電圧の印加は試料台用電源37によって行い、印加電圧は典型的には0〜-500 Vである。図1の構成例で試料台17に電圧を印加しようとすると、増幅器をフローティング増幅器にする必要があるため、製造コストが図5の構成例に比べて高くなる。
【0047】
なお、図5の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極35は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。
【0048】
図6(旧図9)に、本実施例の類型の更に別な変形例を示した。図6の構成例は、図1の構成例の電界供給電極の形状を、断面が円形のリング状としたものである。この場合、電界供給電極39と反射板16との間隔は1〜5 mm程度が好ましく、電極の直径は1〜10 mm程度が好ましい。電界供給電極39の形状は、反射板16の中心軸に関して対称とする。反射電子7の検出、二次電子8の検出は、実施例1と同様に行う。
【0049】
図7(旧図12)には、本実施例の類型の更に別な変形例を示した。図7の構成例は、電界供給電極の形状を断面が円形のリング状とし、図5の構成例における反射板16と第2検出電極35の間隙に、円筒形の低角度反射電子検出用反射板54を設けた構成例である。反射板16、低角度反射電子検出用反射板54、検出電極35、電界供給電極39は、一次電子線2の光軸に関して対称になるように配置する。
【0050】
図7の構成例では、試料から放出される反射電子の仰角に対する角度弁別が可能になる。以下では角度弁別の方法を説明する。
【0051】
一次電子線2光軸から見込む仰角が小さい方向に反射された反射電子55(以下、高角度反射電子と呼ぶ)は、反射板16に当たり、副次電子20を生成する。一方、一次電子線2の光軸から見込む仰角が大きい方向に反射された反射電子56(低角度反射電子と呼ぶ)は、低角度反射電子検出用反射板54に当たり、低角度反射電子56起源の副次電子57を生成する。仰角の小さな反射電子を多く検出するため、低角度反射電子検出用反射板54は、高角度反射電子検出用電極である反射板16と、二次電子検出用電極である第2検出電極35により構成される空間に、中心軸が一次電子線光軸と一致するように配置されている。あるいは、電子の衝突面の法線が一次電子線光軸と垂直になるように配置されている。
【0052】
副次電子20、および低角度反射電子56起源の副次電子57、および試料から放出された二次電子8は電界供給電極39に向かって加速され、ガス増幅を起こす。これによって増幅されたイオンは、それぞれ副次電子20起源のイオン21は反射板16に、副次電子57起源のイオン58は低角度反射電子検出用反射板54に、二次電子8起源のイオン24は検出電極35に向かってドリフトし、それぞれの反射板16、54/検出電極35には正の誘導電流22、59、25が流れる。得られた信号を、それぞれに接続した増幅器23、60、26によって増幅する。これによって、三種類の異なる情報を持ったSEM画像が得られる。これらの三種の画像の任意の組み合わせに関しても、実施例1の方法によって合成画像が得られるようにしてもよい。
【0053】
なお、図7の構成例の反射板16、低角度反射電子検出用反射板54、検出電極35、電界供給電極39は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0054】
図8には、本実施例の類型において、軸状検出用電極の誘導電流検出面を複数の検出セグメントに分割して、反射電子の方位角に対する弁別検出を可能にした構成例について示す。図8に示す構成例では、第1検出電極、すなわち反射板16のイオン電流検出面は、検出領域a41〜d44の四つのセグメントに分割されている。
【0055】
一次電子線照射により発生した反射電子45は電界供給電極18の開口部を通過し、元々持っていた方位角成分に応じて検出領域a41〜d44のいずれかのセグメントに衝突する。特定の検出セグメント、例えば検出領域a41にあたった反射電子45は、副次電子20を生成する。生成された副次電子20は電界供給電極18に向かってドリフトし、ガス増幅を起こす。増幅されたイオン21の大部分は、検出領域a41に向かってドリフトし、検出領域a41には正の誘導電流46が流れる。電流信号は検出領域a41に接続された検出領域a用増幅器47によって増幅され、SEM画像が得られる。同様に各反射板b42〜d44には専用の増幅器48〜50が接続され、それぞれ対応した反射板b42〜d44にあたった反射電子起源の正の誘導電流51〜53を増幅する。これら四種類の信号は、それぞれが検出する反射電子の放出方位に依存しており、それぞれ異なった試料表面の構造情報を持つ。よって、各信号から、四種類の異なった試料依存の情報を含むSEM画像が得られる。なお、図8に示した方位角弁別検出方式は、本実施例のいずれの構成例と組み合わせることも可能である。
【0056】
以上、本実施例の類型について、図1〜8に示される構成例を用いて説明したが、図1の構成例で説明した画像信号処理手法は、本実施例のいずれの構成例にも適用可能である。特に、図8に示した方位角弁別検出方式と組み合わせれば、試料の表面形状に関する新たな情報を引き出せる。例えば複数の画像で信号の減算を行えば、試料の表面形状の方位角による異方性が強調され、結果立体構造を強調した合成画像が得られる。
【0057】
(実施例2)
実施例1では、軸上検出型の反射電子検出方式で、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用する方式の実施例について説明したが、本実施例では、同じく軸状検出型で、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用しない方式の実施例について説明する。
【0058】
図9には、本実施例の類型の一構成例を示した。図9に示す構成例の走査電子顕微鏡は、図1の構成例の装置において、反射板16と試料台17の間隙にドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極61を設置したものである。実施例1で説明した各構成とは異なり、反射板は接地されている。この検出電極61の内径は、ガス増幅されたイオン21の検出効率を高めるため、電界供給電極18の内径より小さくする。ガス増幅されたイオン21は、検出電極61に向かってドリフトし、検出電極61には正の誘導電流22が流れる。得られた電流信号を、反射電子検出用増幅器23によって増幅することでSEM画像を得る。図9の構成例では、図5の構成例と同様に、試料を冷却するためのステージクーリングシステム36を導入してもよい。
【0059】
なお、図9の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0060】
図10には、図9の構成例の変形例を示した。本構成例の走査電子顕微鏡は、図9の構成例のドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極61と試料台17との間隙に、実施例9、12の電界供給電極と同様の断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極62を備えたものである。電界供給電極62には、+100〜+500 Vの正の電圧を、二次電子増幅用電界供給電極用電源63によって印加する。二次電子8をガス増幅することで増幅されたイオン24は試料台17に向かってドリフトする。二次電子起源の正の誘導電流25は、試料台17に接続した二次電子検出用増幅器26によって検出する。
【0061】
なお、本構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61、電界供給電極62は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0062】
図11に示す構成例は、図10の構成例の電界供給電極62と試料台17の間隙に、ドーナツ状の円盤型の検出電極35を備えたものである。二次電子8起源の正の誘導電流25の検出は、実施例2、9と同様に行う。実施例12では、実施例2と同様に、試料を冷却するためのステージクーリングシステム36や二次電子8を加速するための試料台用電源35を導入してもよい。なお、本構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61、電界供給電極62、検出電極35は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0063】
図12には、図11の構成例のさらに別の変形例について示した。本構成例の装置は、二次電子専用検出器として、実施例5の二次電子検出系と同じ形態で、電界供給電極を断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極62としたものを備えた構成例である。
【0064】
二次電子8は、電界供給電極によってガス増幅される。増幅されたイオン24は円筒形状の検出電極38に向かってドリフトする。二次電子起源の正の誘導電流25は、試料台17に接続した検出電極38によって検出する。
【0065】
以上、本実施例の類型の装置について、図9〜12で示される構成例について説明したが、以上で説明した構成例における反射電子検出用検出電極61は、図8に示されるように複数のセグメントに分割してもよい。
【0066】
(実施例3)
実施例1および2では、軸上検出方式の装置の類型について示したが、本実施例では、いわゆる軸外検出方式の走査電子顕微鏡に対して本発明を適用した実施例について説明する。なおここで、軸外検出とは軸上検出に対する技術用語であり、電子線2光軸から見込む仰角が比較的小さい方向に反射される反射電子(高角度反射電子)を検出する軸上検出に対し、仰角が大きい方向に反射される反射電子(低角度反射電子)を検出するために、検出器を光軸から傾けて配置し、軸外で検出する検出方式の意味である。
【0067】
図13には、軸外検出方式で、低真空二次電子と低真空反射電子とを分離検出するための最も基本的な構成例について示した。ここで、図13は、低真空反射電子と低真空二次電子を分離検出するための要部のみを示した図であり、走査電子顕微鏡を構成するためのその他の構成要件・動作等については、図1に示される走査電子顕微鏡と同等である。従って、図1と共通する構成要素については図示を省略し、特に断らない限り、以下使用する図面についても同様である。
【0068】
図13に示す構成例では、反射電子起因の誘導電流検出用の第1検出電極を、試料台17の軸外に配置し、二次電子起因の誘導電流を検出するための第2検出電極を、試料台17の表面に配置している。第2検出電極と第1検出電極の空間には、ガス増幅を行うための電界供給電極18が配置されており、電界供給電極18によって第1、第2の各検出電極との間に形成される電界によって、二次電子と反射電子とが分離され、かつ検出電極へドリフトされる。電界供給電極18には、正電位を供給するための電源19が接続されており、電源19から電界供給電極18に印加される電位は、第1、第2の各検出電極との電位差が所定値になるように、情報処理部14によって制御される。また、第1、第2の各検出電極には、反射電子検出用増幅器23,二次電子検出用増幅器26がそれぞれ接続されており、かつ接地されている。各電極で検出された誘導電流信号は、情報処理部14によって適当な演算処理が行われ低真空反射電子像、低真空二次電子像が形成される。
【0069】
図13に示す構成例では、第1検出電極は反射板16と兼用であり、従って、第1検出電極は、反射電子との衝突面を備えている。衝突効率を高めるため、反射板16は、衝突面が試料台側に向き、かつ反射電子衝突面の中心軸と一次電子線の光軸とが鋭角をなすような角度に配置されている。また、反射板16は、衝突面の中心軸と、一次電子線2の光軸とが、一次電子線2の走査中心でおおむね一致するように配置される。反射板16および電界供給電極18の形状は、反射板の中心軸に関して対称とする。
なお、図13に示す構成例において、反射板16、電界供給電極18は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台17との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。また、試料台17を固定したとき、反射板16と電界供給電極18のどちらか一方もしくは両者は、反射板16の中心軸と一次電子線2の光軸が一次電子線2の走査中心でおおむね一致する状態で、試料5に近づく方向もしくは遠ざかる方向に、図示しない駆動装置によって移動してもよい。
【0070】
実施例1、2では、検出器が対物レンズ4直下にあったためWDを特に短くしたい(例えば、WD≦5mm)場合、試料台17と検出器が干渉し、観察が不可能だったが、この構成では、検出器を軸外に設置していることから、短WDでの観察が可能になる。
【0071】
図14には、本実施例の類型の別な構成例を示した。図14に示す構成は、図13の構成例において、接地電位である検出電極を電界供給電極18と試料台17の間隙に配置した変形例である。
【0072】
検出電極35の形状は、反射板16の中心軸に関して対称とする。実施例4では、電界供給電極18が試料台17近傍につくる電位勾配を検出電極35が遮蔽しないようにするため、検出電極35の内径は、電界供給電極18の内径より3 mm〜10 mm程度大きくする。二次電子検出の方法は、実施例2と同様に行う。
【0073】
この構成では、図5の構成例と同様の理由で、ステージクーリングシステム36、試料台用電源37との併用が可能になる。
【0074】
図15には、本実施例の類型の別な構成例を示した。図15の構成例は、図14の構成例において、二次電子検出用の検出電極の形状を変更したものである。図15の構成例では、二次電子検出用に、イオンの検出効率を高めるため、電界供給電極18の周囲を囲む円筒形状の検出電極38を設置する。検出電極は接地電位とする。検出電極38は、中心軸が反射板の中心軸と一致するように設置する。検出電極38の内径は、一般的には10〜50 mmφ程度である。検出電極38の中心軸は反射板16の中心軸と一致するように配置する。反射電子7の検出、二次電子8の検出は、図14の構成例と同様に行う。
【0075】
図15の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極38は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台17との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18、検出電極38の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。また、試料台17を固定したとき、反射板16、電界供給電極18、検出電極38は、反射板16の中心軸と一次電子線2の光軸が一次電子線2の走査中心でおおむね一致する状態で、試料5に近づく方向もしくは遠ざかる方向に、図示しない駆動装置によって移動してもよい。
【0076】
なお、本実施例の全ての構成例において、電界供給電極の形状はドーナツ状の円盤型に限定されるものではない。ガス増幅は、電界供給電極と接地電位の反射板もしくは試料台もしくは検出電極との間に作られる電位勾配に依存しており、ガス増幅の利得が最大となるように電界供給電極の形状を決定する。
【0077】
この構成では、図14の構成例と同様に、ステージクーリングシステム36、試料台用電源37との併用が可能になる。また、二次電子8起源のイオン24に対する検出電極38の見込み角を大きくする事ができるので、図14の構成例に対して、イオン24の捕集効率が向上する。
【0078】
図16には、図15に示した構成例において、電界供給電極の形状を変えた変形例について示す。図15の構成例における電界供給電極は、反射電子の通過する開口を備えた円盤形状の金属板により構成されているが、本構成例の電界供給電極は、曲面を持った複数の電極により構成されている。以下詳述する。図16において、反射板16と,円筒電極38は、それぞれ反射電子起因の誘導電流検出電極(第1検出電極)、二次電子起因の誘導電流検出電極(第2検出電極)であり、第1検出電極は電子の衝突面を備えている。
【0079】
円筒電極38の内壁面には、ベアリングのような球形状の電界供給電極40が複数配列されている。各電界供給電極40は、円筒電極38の中心軸に関して軸対称になるように配置される。また、各電極の大きさは1〜10 mm程度が好ましい。
複数の電界供給電極40の電極は全て短絡されており、複数の電界供給電極40のいずれかには、正電位を印加するための電源19が接続されている。電界供給電極40と反射板16もしくは検出電極38との距離は1〜10 mm程度が好ましい。
【0080】
この構成例のように、電界供給電極40の表面を曲面とすることで、接地電位である各検出電極との間に起こる放電を抑制しやすくなる。
【0081】
なお、図16の構成例から、反射板16を除いた形状の装置を実現することも可能である。そのような変形例を図17aに示した。円筒電極38や電界供給電極40の形状は図16の構成例と同等であるが、反射板16が無い。反射電子の検出は、円筒電極とは別に設けた反射電子検出用の検出電極により行う。典型的には、軸上検出型の反射電子検出電極と組み合わせて用いられる。
【0082】
なお、図17aに示す構成は、実施例1から3のいずれの構成と組み合わせることも可能である。
【0083】
実施例1、2の二次電子検出器では、完全に二次電子のみの検出が行われていたわけではなく、反射板に到達するまえに、電界供給電極の作る電界に引き寄せられた低エネルギー(数百eV以下)の反射電子も検出していた。本構成例では、図17aに示す二次電子検出器の配置を工夫することで、低エネルギーの反射電子の検出を抑制できるという効果がある。具体的には、円筒電極38の中心軸と電子線の光軸2の角度が垂直になるようにし、それぞれの交点が試料の観察面より下方になるようにすればよい。この様子を図17bに示した。このようにすることで極々低角度で低エネルギーの反射電子以外は電界供給電極40に到達しなくなる。一般に、低角度ほど放出される反射電子の量は少なくなることが知られており、これにより、反射電子の検出が抑制される。
【0084】
(実施例4)
軸上検出方式の装置構成においては、反射板兼第1検出電極が電子光学鏡筒の直下、あるいは対物レンズの直下に配置されることになるため、電界供給電極との間に形成される電位勾配が一次電子線の軌道に一部重なる。この影響をなくすため、対物レンズ直下に電場シールドを設けてもよい。図18には、反射板16の反射電子衝突面に電場シールドを設けた構成例について示した。電界供給電極18の作り出す電界は、接地電位である電場シールド64によって遮蔽される。電場シールド64は対物レンズ4と電気的に導通されていてもよい。電場シールド64は、磁性を帯びると一次電子線2に影響を与えるため、非磁性である必要がある。なお、電場シールド64は、差動排気のためのアパチャー65を備えてもよい。これによって、電場シールド64内の真空度を試料室内より高く保つことができ、電場シールド64内で起こる、ガス分子との散乱による一次電子線2の広がりを抑制できる。
【0085】
以上、実施例1から4について、検出電極と電界供給電極を形状、配置場所で類別して説明したが、以上の実施例において、反射板に、反射板の反射電子が当たる面に酸化マグネシウムもしくはマグネシウムもしくは金などを塗布もしくは蒸着してもよい。副次電子の放出効率を高める効果がある。また、以上の実施例において、反射板として、半導体検出器、マイクロチャンネルプレートなど、反射電子を直接検出する反射電子検出器を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0086】
【図1】第1の実施例に関わる走査電子顕微鏡の構成例を示す図。
【図2】第1の実施例の走査電子顕微鏡において、電子像と反射電子像が同時に表示されている場合の画像処理端末の出力画面。出力されているときの画面。
【図3】第1の実施例において、合成画像を作成するためのk、l の各パラメータを画像処理部から呼び出している様子を示す図。
【図4】第1の実施例において、合成画像を作成するためのk、l の各パラメータをGUI上で設定しているときの様子を示す図。
【図5】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図6】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図7】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図8】第1の実施例において、反射板を複数セグメントに分けて構成した図。
【図9】第2の実施例における構成例の光学系要部を示す図。
【図10】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図11】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図12】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図13】第3の実施例における構成例の光学系要部を示す図。
【図14】第3の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図15】第3の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図16】第3の実施例における電界供給電極変形例について示す図。
【図17a】第3の実施例における電界供給電極変形例について示す図。
【図17b】図17aの実施例の配置例について示す図。
【図18】第4の実施例における電界シールドについて示す図。
【図19】従来技術である特表2002−516647の特徴を示す模式図。
【図20】従来技術である特表2002−516647の特徴を示す模式図。
【符号の説明】
【0087】
1…電子銃、2…一次電子線、3…コンデンサーレンズ、4…対物レンズ、5…試料、6…偏向器、7…反射電子、8…二次電子、9…試料室、10…大気導入口、11…ニードルバルブ、12…Everhart Thornley型検出器、13…二次電子コレクタ電極、14…画像処理部、15…画像処理端末、16…反射板、17…試料台、18…ドーナツ状円盤型電界供給電極、19…電界供給電極用電源、20…副次電子、21…副次電子20起源のイオン、22…反射電子起源の正の誘導電流、23…反射電子検出用増幅器、24…二次電子8起源のイオン、25…二次電子起源の正の誘導電流、26…二次電子検出用増幅器、27…画像処理端末の画面、28…反射電子像、29…二次電子像、30…合成画像、31…パラメータ選択用ボタン、32…k 値バー、33…l 値バー、34…可動バー、35…ドーナツ状の円盤型の検出電極、36…ステージクーリングシステム、37…試料台用電源、38…円筒形状の検出電極、39…、断面が円形のリング状の電界供給電極、40…曲面を持った複数の電界供給電極、41…反射板a、42…反射板a、43…反射板b、44…反射板d、45…反射板aにあたった反射電子、46…反射板aにあたった反射電子45起源の正の誘導電流、47…反射板a用増幅器、48…反射板b用増幅器、49…反射板c用増幅器、50…反射板d用増幅器、51…反射板bにあたった反射電子起源の正の誘導電流、52…反射板cにあたった反射電子起源の正の誘導電流、53…反射板dにあたった反射電子起源の正の誘導電流、54…低角度反射電子検出用反射板、55…高角度反射電子、56…低角度反射電子、57…低角度反射電子56起源の副次電子、58…低角度反射電子56起源の副次電子57起源のイオン、59…低角度反射電子検出用反射板にあたった低角度反射電子起源の正の誘導電流、60…低角度反射電子検出用反射板用増幅器、61…ドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極、62…断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極、63…二次電子増幅用電界供給電極用電源、64…電場シールド、65…差動排気のためのアパーチャ、
66…観察条件制御部、101…特表2002−516647の実施例の試料室、102…特表2002−516647の実施例の試料、103…特表2002−516647の実施例の検出電極、104…特表2002−516647の実施例の反射板兼電界供給電極、105…特表2002−516647の実施例の電源、106…特表2002−516647の実施例の一次電子線、107…特表2002−516647の実施例の対物レンズ、108…特表2002−516647の実施例の反射電子、109…特表2002−516647の実施例の二次電子、110…特表2002−516647の実施例の試料台、111…特表2002−516647の実施例の副次電子、112…特表2002−516647の実施例の負の誘導電流、113…特表2002−516647の実施例の増幅器、114…特表2002−516647の実施例の円盤型検出電極、115…特表2002−516647の実施例の検出電極114用電源、116…特表2002−516647の実施例の反射板兼電界供給電極104用電源。
【技術分野】
【0001】
本発明は、低真空走査電子顕微鏡(VP-SEM)に適用される二次荷電粒子の検出装置および方法に関わる。すなわち、観察面の情報を持った電子をガス分子とのイオン化散乱によって増幅(ガス増幅)し、同時に増幅されるイオンを検出電極に向かって移動させ、それによって検出電極に流れる正の誘導電流を検出して画像を形成する装置および方法に属する。
【背景技術】
【0002】
検出原理にガス増幅を利用したVP-SEMとは、一次電子線の照射によって低真空雰囲気中に放出される電子に起因する二次荷電粒子を検出して画像を形成する電子線装置であり、通常の高真空SEMとは、検出原理と装置構成が異なっている。
【0003】
一次電子線照射により発生した二次荷電粒子は、電界によって加速され、残留ガス分子とのイオン化散乱を繰り返す。イオン化散乱が繰り返し起こることにより、電子およびイオンは増幅(ガス増幅)され、これらの増幅されたイオン/電子を検出電極で検出することにより、画像を形成する。上記のイオン/電子は、検出電極に流れる正/負の誘導電流の形で検出される。発生したイオン/電子を検出電極に向けて移動させるため、検出電極とイオン/電子の発生箇所の間には何らかの電位勾配が設定される。
【0004】
イオンの移動による正の誘導電流を検出する方式と、電子の移動による負の誘導電流を検出する方式とでは、物理原理は全く同じだが、試料室内に供給される電位勾配や、電界供給用の電極の形状などが異なっており、用途に応じて様々な検出器形態が存在している。
【0005】
正の誘導電流を検出する方式としては、例えば、特開2001−126655には、正イオン電流の検出電極を試料台に配置し、電界供給電極として対物レンズの周囲に配置された二次電子コレクタ電極(高真空二次電子検出器に接続されている)を用いた形態のVP-SEMが開示されている。また、特開2003−132830には、曲面形状のイオン電流検出電極を、電界供給電極と試料台の間(イオン化散乱の発生する経路上)に配置した形態のVP-SEMが開示されている。
【0006】
負の誘導電流を検出する方式としては、例えば、スキャニング3、215 (1980)(Scanning3, 215 (1980))に開示されたG. D. Danilatosらの方式がある。この方法では、電子電流の検出電極と電界供給電極を兼用する方式をとっており、検出電極の表面電位は周囲の電位よりも高く維持される。
【0007】
上で説明した各先行文献に開示された技術は、いずれも二次電子起因のイオン/電子を検出して低真空二次電子像を得るための技術である。しかしながら、低真空二次電子像だけではなく、低真空反射電子像を観察したいというニーズもある。二次電子像は、エッジ情報に富み、試料の表面構造を観察するのに優れた画像である。一方、反射電子像は、組成情報に富み、試料の組成分布を観察するのに優れた画像である。従って、低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方が取得可能なVP-SEMが望まれている。
【0008】
特表2002−516647号公報には、負の誘導電流を検出する方式を用いて、低真空二次電子と低真空反射電子の両方を検出可能なVP-SEMが開示されている。以下、図19を用いて特表2002−516647に開示されるVP-SEMの構成について説明する。
【0009】
低真空大気環境に保たれた試料室101内に、観察対象となる試料102が設置してある。試料102の上方にはプレート状もしくはメッシュ状の検出電極103が設置されており、さらに上方には反射板兼電界供給電極104が設置されている。検出電極103は接地電位であり、反射板兼電界供給電極104には電源105によって-100〜-500Vの負の電圧が印加されている。
【0010】
SEM観察を行うときには、一次電子線106を対物レンズ107によって試料102の観察面上に収束させる。一次電子線2の照射位置からは、反射電子108及び二次電子109が発生する。エネルギーの低い二次電子109は、電位勾配が存在しない試料台110と検出電極103間では、ガス分子に吸収され、もしくは試料台110にかえり、検出電極103に到達しない。一方、エネルギーが高い反射電子108は、反射板兼電界供給電極104に当たってさらに電子を発生させる。この発生した電子を副次電子111と呼ぶこととする。
【0011】
副次電子111は反射板兼電界供給電極104と検出電極103の間の領域に作られる電位勾配にしたがって検出電極103に向けて加速される。この過程でガス分子とのイオン化散乱が起こり、新たに電子-イオンペアが生成される。加速、イオン化散乱の過程は検出電極103に近づくにつれて指数関数的に起こり、結果、電子が増幅される。これをガス増幅と呼ぶ。増幅された電子が検出電極103に近づくと、検出電極103には負の誘導電流112が流れる。誘導電流112は増幅器113によって増幅される。一次電子線2は図示しない偏向器によって試料102面上を二次元的に走査され、その走査と同期して増幅された信号を図示しない画像処理端末上に表示することで低真空反射電子像が得られる。
【0012】
また、特表2002−516647号公報には、メッシュ電極の変わりに円盤形電極を用い、前記の反射板に印加する電圧と、円盤状検出電極に印加する電圧とを調整することにより、検出する二次荷電粒子のモード(二次電子のみを検出するモード、反射電子のみを検出するモード、二次電子と反射電子を両方検出するモード)が切替可能な構成例も開示されている。図20を用いてこの別形態について説明する。この形態では、検出電極にドーナツ状の円盤型電極114を用いており、検出電極114と反射板兼電界供給電極104の両者にそれぞれ別個の電源115、116を接続し、それぞれにV1、V2の電圧を供給する。低エネルギーの二次電子109を検出する場合は、V1= V2=+500Vを印加する。このとき、二次電子109は検出電極114に向けて加速され、ガス増幅を起こす。検出電極114では、負の誘導電流112を検出する。二次電子109と反射電子108を混合で検出する場合は、検出電極114に印加する電圧V1を正の電圧に固定し、反射板兼電界供給電極104に印加する電圧V2が- V1と+V1の間の任意の値に設定する。ただし、この場合、増幅器117はフローティング増幅器でなければならない。
【0013】
以上、特表2002−516647の構成により、一台の装置で低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方が取得可能なVP-SEMが実現可能となる。
【0014】
【特許文献1】特開2001−126655
【特許文献2】特開2003−132830
【特許文献3】特表2002−516647
【非特許文献1】G. D. Danilatos et, al,Scanning3, 215 (1980)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0015】
特表2002−516647に開示のVP-SEMでは、二次電子109と反射電子108起源の副次電子111を同一の検出電極114で検出しているため、両者を分離検出することができない。よって、特表2002−516647に開示されたVP-SEMにおいては、低真空二次電子像と低真空反射電子像の両方を同時検出することは不可能である。
【0016】
また、ガス増幅検出器との併用によって反射電子像を同時検出できる反射電子検出器としては、半導体検出器やなどが用いられているが、それらは高価であるため、安価な反射電子検出器が望まれている。
そこで、本発明では、二次電子と反射電子の分離同時検出が可能な安価なVP-SEM用の電子検出器を提供することを目的とする。
【0017】
さらに本発明では、分離同時検出された二次電子信号および反射電子信号に対して適当な演算を施して、二次電子と反射電子の分離の度合いを自由に調整したSEM画像を取得可能なVP-SEMを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明においては、低真空走査電子顕微鏡(VP-SEM)に対して、正の誘導電流検出方式を適用し、かつ少なくとも一つのガス増幅発生用の電界供給電極と、試料から放出される荷電粒子のうち、少なくとも二種類の異なる荷電粒子に起因する二種類の誘導電流を分離して同時に検出する少なくとも二系統の検出手段とを備えることにより上記の課題を達成する。
【0019】
より具体的には、上記二系統の検出手段が、上記二種類の異なる荷電粒子の一方に起因する前記誘導電流を検出する第1の検出電極と、二種類異なる荷電粒子のうちのもう一方の荷電粒子に起因する前記誘導電流を検出する第2の検出電極と、試料から放出される二種類の荷電粒子をガス増幅して得られる二種類のイオンをそれぞれ、上記の第1検出電極と第2検出電極へ分離して移動させる手段とを備えることで、課題を解決する。
【0020】
更に具体的には、試料からの反射電子を当てて副次電子を生じさせるための反射板を試料室内に設け、反射板の電位を接地電位にする。更に、被観察試料を保持する試料台と反射板との間隙に、正の電位(典型的には+100〜+500 V程度)が印加される電界供給電極を設ける。かつ、反射電子起因のイオン電流を検出する第1検出電極と、二次電子起因のイオン電流(厳密には二次電子起因と反射電子起因のイオン電流が混じった電流)を検出する第2検出電極とを設けることにより、同時分離検出を達成する。
【発明の効果】
【0021】
かかる構成によれば、最小の構成で、副次電子と二次電子のガス増幅を単一の電界供給電極によって起こしつつ、増幅されたイオンに関しては、副次電子(反射電子)起源のイオンと、二次電子起源のイオンとでそれぞれ別個の検出系で検出できるため、反射電子像および二次電子像の分離検出が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0022】
以下では、本発明の代表的な実施例について図を用いて説明する。
(実施例1)
本実施例では、低真空二次電子画像と低真空反射電子像の両方が取得可能な走査電子顕微鏡のうち、反射電子検出電極が一次電子線の照射光軸近傍に配置された、いわゆる軸上検出型の反射電子検出電極を備え、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用する方式の実施例について説明する。
【0023】
図1には、軸状検出型反射電子検出手段と、反射板−検出電極兼用型の低真空SEMにおいて、二次電子検出手段を試料台もしくはその近傍に配置した形式の走査電子顕微鏡の外観構成を模式的に示した。図1に示す走査電子顕微鏡は、電子光学鏡筒、試料室9,検出された二次電子/反射電子起因のイオン電流信号を信号処理して画像を形成する情報処理部14,画像処理部に接続された画像処理端末15等により構成される。画像処理端末15には、形成画像を表示するための表示手段や、当該表示手段に表示されるGUIに対して装置の操作に必要な情報を入力する情報入力手段等を備えている。なお、電子光学鏡党内の各構成要素、例えば一次電子線の加速電圧、各電極に印加する電流・電圧などは、観察条件制御部66により調整される。
【0024】
走査電子顕微鏡鏡筒内部に格納された電子銃1は、タングステン熱電子銃を用いて構成されており、典型的にはエネルギー0.5〜30 keV)の一次電子線2を発生させる。コンデンサーレンズ3は、一次電子線2を収束させる作用を持ち、一次電子線2がSEM観察に好適な光学条件になるように設定される。対物レンズ4も、一次電子線2を収束させる作用を持ち、試料5上の観察対象部位に一次電子線2を収束させる。対物レンズ4の底面は、電子光学鏡筒の底面を構成している。偏向器6は、試料5上の一次電子線2の照射位置を所望の観察視野範囲に従って走査させる。一次電子線2の照射に伴って試料からは反射電子7および二次電子8が発生する。試料5が収められた試料室9の内部の真空度は、該試料室9への大気導入口10のニードルバルブ11の閉開によって制御する。
【0025】
本VP-SEMは低真空での観察モードの他に、高真空での観察モードを備えており、高真空での観察時には、ニードルバルブ11を閉じ、試料室9の内部を10-3 Pa以下の高真空状態に保つ。試料5から発生した二次電子8は、高真空用の二次電子検出器で検出される。本実施例では、高真空用二次電子検出器として、シンチレータと光電子増倍管からなるEverhart Thornley型検出器12を用いた。このとき、二次電子8の捕集効率を高めるため、典型的には+300 Vを印加した二次電子コレクタ電極13によって試料室9内に電位勾配を供給する。一方、反射電子7は、対物レンズ4直下に設置する図示しない反射電子検出器によって検出する。反射電子検出器には、半導体検出器もしくはマイクロチャンネルプレートを用いる。検出された信号はおのおの電気的に増幅された後、画像処理部14でA/D変換され、一次電子線2の走査と同期させて、画像処理端末15に表示する。これにより、観察視野範囲のSEM画像が得られる。
【0026】
低真空での観察時には、ニードルバルブ11の閉開によって、試料室9内を一定のガス圧力に保つ。また、二次電子コレクタ電極13の電位が接地電位に切り替えられる。ガス圧力は、典型的には1〜300 Paである。
対物レンズ4直下には、接地電位の円盤状の反射板16を設置する。本実施例の反射板16は、反射電子起因の誘導電流を検出する第1電子検出電極を兼用しており、電極底面(試料台に向いて配置される面)は試料から発生した反射電子が衝突する衝突面を形成している。さらにまた、当該衝突面は反射電子起因のイオン電流の検出面を兼ねるため、衝突面にはイオン電流検出用電極が形成されている。反射板16の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。反射板16の外径には制限は特に設けないが、試料室9内の構造物との干渉を避けるため、典型的には50 mmφ以下程度とする。反射板16の中心には、一次電子線2が通過するための円形の穴が設けられており、穴径は典型的には1〜5mmφ程度である。反射板16と試料台17の間隙には、ドーナツ状の円盤型の電界供給電極18を設置する。電界供給電極18の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。電界供給電極18には、電界供給電極用電源19によって+100〜+500 Vの正の電圧を印加する。反射板16と電界供給電極18の間隔は1 mm〜10 mm程度とする。ただし、この間隔が大きくなりすぎると、作動距離(working distance、 WD)を短くした場合の観察に支障をきたすことから、一般的には1 mm〜3 mmとする。電界供給電極18の外径は、一般的には反射板16の外径と同程度であり、内径は20 mm程度とする。試料から放出される反射電子7の角度検出範囲の最大値は、電界供給電極18の内径で決まっており、検出角度領域を大きくしたい場合は、電界供給電極18の内径を20 mmより大きくしてもよい。また、WDが短い場合(例えば WD = 5 mm)などでは、電界供給電極18の内径を小さくしても角度検出範囲を大きくとれることから、電界供給電極Xの内径を20 mmより小さくしてもよい。いずれの場合でも、電界供給電極18の外径は内径+10 mm〜30 mmとする。なお、反射板16の外径は、電界供給電極18の内径より小さくなってもよい。この場合、反射板16の外径で反射電子7の角度検出領域が決まる場合もある。いずれの場合にせよ、観察するWDに対応して所望の角度検出領域が確保できるように反射板16と電界供給電極18の大きさを決定する。
【0027】
ガス圧力を調整するニードルバルブ11、二次電子コレクタ電極13に印加される電圧、電界供給電極18に印加される電圧は観察条件制御部66により、観察条件に好適な条件に設定される。なお、低真空観察時には、ガス圧力、電界供給電極18に印加される電圧は、ユーザーが所望の設定値に設定してもよい。
【0028】
低真空での反射電子の検出は次のようにして行う。
試料5から放出された反射電子7は、二次電子と比較して高エネルギー(約0.5 keV以上)であるため、低真空雰囲気中であっても反射板16の衝突面まで到達する。反射板16に衝突した反射電子7は衝突面と相互作用して、数eV程度の低エネルギーの副次電子20を放出させる。副次電子20は、電界供給電極18の供給する電界にしたがって加速される。この過程でガス増幅が起こり、電界供給電極18近傍で電子、イオンが増幅される。増幅された副次電子20起源のイオン21は、低電位である反射板16に向かってドリフトする。電位勾配は、接地電位である反射板16および同じく接地電位である試料台17と、唯一正の電圧を印加された電界供給電極18によって作られており、電界供給電極18より上方で作られる副次電子20起源のイオン21は、ほとんどが反射板16に向かってドリフトする。イオン21のドリフトによって反射板16には反射電子起源の正の誘導電流22が流れる。反射板16には誘導電流22を増幅するための反射電子検出用増幅器23が接続されており、所望の利得で電流信号を増幅する。
【0029】
一方、低真空での二次電子の検出は次のようにして行う。
試料5から放出された数 eV程度のエネルギーを持つ二次電子8は、電界供給電極18の供給する電界にしたがって加速される。この過程でガス増幅が起こり、電界供給電極18近傍で電子、イオンが増幅される。増幅された二次電子8起源のイオン24のほとんどは、副次電子20起源のイオン21とは逆に、ほとんどが試料台17にむかってドリフトする。試料台17には、ドリフトしてくる二次電子起源の正の誘導電流25を検出するための第2検出電極が設けられており、第2検出電極で検出された誘導電流25は二次電子検出用増幅器26によって、所望の利得で増幅される。従って、本実施例においては、上記電界供給電極18が上記第1検出電極と第2検出電極の間に形成する電位差によって、反射電子ないし二次電子の分離効果および検出電極までのドリフト効果が実現される。
【0030】
実施例1の反射板16、電界供給電極18は、試料台の上下(WDの上下)にともなって各々の試料7との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。
【0031】
低真空モード、高真空モードのいずれに関しても、得られた信号を電気的に増幅した後、画像処理部14でA/D変換し、一次電子線2の走査と同期させて、画像処理端末15に表示する。これにより、観察視野範囲のSEM画像が得られる。
【0032】
上記のように、本発明では、正の電圧を印加した電界供給電極18が反射板16と試料台17との間に供給する電界によって、ガス増幅だけでなく、エネルギー弁別も行っている。電位勾配は、低エネルギーの電子(主に二次電子8)を電界供給電極18に向かって加速させ、その結果、低エネルギーの電子は反射板には到達できない。また、高エネルギーの電子(反射電子7)は、電界の影響を受けずに反射板16に到達できる。これにより、エネルギー弁別が行われる。
【0033】
しかし、低エネルギー電子には低エネルギーの反射電子も含まれており、試料台17から検出される誘導電流25には、反射電子起源の情報も含まれている。また、電界供給電極18近傍でのイオンの挙動はほぼランダムであり、副次電子20起源のイオン21の一部が試料台17に向かってドリフトする、もしくは、同様に二次電子8起源のイオン24が反射板16に向かってドリフトするということもありうる。結果として、得られた反射電子像、二次電子像には、お互いの情報が若干混じっているということもありうる。そこで、本発明の画像処理部14には、得られた各信号に任意の重みを乗じて加算、減算した合成画像を出力できる画像処理機能を設けた。
【0034】
画像処理機能について、図2〜4を用いて説明する。図2〜4は、画像処理端末15の画面の模式図である。図2に示したように、画像処理端末の画面27には、同時に取得した反射電子像28および二次電子像29を表示する。各々のコントラストおよび、ブライトネスは、自動もしくは手動で増幅器の利得を調整することで調整する。図3には画像処理機能によって反射電子信号と二次電子信号を電気的に加算もしくは減算した第三の画像である合成画像30を追加で出力した画像処理端末の画面27を示す。
【0035】
合成画像は画像処理機能によって、例えば、次のようにして作成する。
デジタル変換された各画素当たりの輝度を、反射電子信号および二次電子信号でそれぞれA、Bとすると、合成画像では、各画素につき、C = k ×A + l ×B の輝度の画像を出力する。ここで、k、l、はそれぞれ-1〜+1まで値をもつパラメータで、一枚の画像に対して定数である。または、k、l、は各画素の輝度に依存してもよく、例えば、k に関してはA の関数、l に関してはB の関数であっても良い。
【0036】
k、l のパラメータセットの決定方法は、設計者が事前に標準サンプルを用いて観察、画像合成した結果から決定してもよく、複数のパラメータセットをあらかじめ実装してあっても良い。
【0037】
パラメータセットの例としては、k = -0.1 、 l = +1のような「反射電子情報を差し引いた二次電子像用パラメータセット」(図3参照)、k = +1 、 l = -0.1のような「二次電子情報を差し引いた反射電子像用パラメータセット」(図4参照)、k = +1 、 l = +1のような「反射電子情報、二次電子情報混合画像用パラメータセット」などがある。
【0038】
ユーザーがパラメータセットの呼び出しを行うには、キーボードで各パラメータセットに対応したキーを入力する、もしくは図3に示したように画面27上に表示されたボタン31のうち、所望のセットに対応するボタンを選択し、クリックする。図3は、「反射電子情報を差し引いた二次電子像用パラメータセット」を選択したときの様子を示したものである。
【0039】
またk、l、の各パラメータは、ユーザーが画像を観察しながら所望の画像が得られるように任意に設定してもよく、その場合、ユーザーは、例えば、図4に示したような画面27内のk 値バー32、l 値バー33を見ながらキーボードやダイヤルなどの手動操作装置でパラメータを設定する。このとき、可動バー34は、操作に対応して現在のk、l、の値を出力する。または、図4に示したように、画面27内の可動バー34をマウスのクリック&ドラッグで直接左右に動かしてもよい。画像処理部14は、これらの操作を反映させ、ユーザーが指定したk、l、の値に対応した合成画像を画面27に表示する。図3は、ユーザーが可動バー34をマウスのクリック&ドラッグで調整して、「二次電子情報を差し引いた反射電子像用パラメータセット」を実現したときの様子を示したものである。
【0040】
なお、合成画像用の信号の合成は、デジタル信号同士である必要はなく、アナログ信号同士で行ってもよい。この場合、アナログ回路によって、デジタル信号のときと同様に画像の合成を行う。
【0041】
図5では、図1に示した構成の走査電子顕微鏡において、試料台以外の位置に第2検出電極を設置した変形例を示した。なお、以下の説明においては、図1の構成例と共通する要素については説明は省略する。電界供給電極18と試料台17の間に接地電位のドーナツ状の円盤型の検出電極35を設置する。検出電極35の形状は、一次電子線2の光軸に関して対称とする。検出電極35の内径は電界供給電極18の内径と同程度かそれ以下であり、一般的には電界供給電極18の内径-10 mmφ程度とする。検出電極35と電界供給電極18の間隔は、1 mm〜10 mm程度とする。
【0042】
図5の構成例では、試料台から発生した二次電子8は電界供給電極18の供給する電場にしたがって加速され、該電極18近傍でガス増幅を起こす。増幅されたイオン24は、接地電位である検出電極35に向かってドリフトし、検出電極35には二次電子起源の正の誘導電流25が流れる。この電流信号から実施例1と同様に低真空二次電子像を得る。
【0043】
図5に示した構成例は、図1の構成例と比較して数々の利点がある。
まず、試料台から信号を検出する必要がないため、試料台17を冷却するための、ステージクーリングシステム36と併用することが可能である。図1の構成例では、ステージクーリングシステムを用いると、試料台17に接続した増幅器がステージクーリングシステムからのノイズ信号を検出してしまい、像観察が困難であったが、図5の構成例では、検出電極から信号を検出するため、画像へのノイズの影響なくステージクーリングシステム36を併用できる。
【0044】
また、検出電極35の浮遊容量を小さくでき、増幅回路26のレスポンスを向上できる。図1の構成例では、複雑な構成をした試料台17に増幅器を接続しており、試料台17の大きな浮遊容量が原因で、出力信号のレスポンスが遅かった。図5の構成例の検出電極35は、構造が単純であるため、典型的には、浮遊容量を試料台17の1/3以下にまで低減できる。
【0045】
さらに、検出電極35が試料台17とは離間しているため、電界供給電極18と第2検出電極35との間の電位勾配を最適化する上で、設計の自由度が大きくなる。すなわち、図1の構成例においては、試料台17上に検出電極35が形成されているため、検出電極35の設計形状が試料台17の表面形状に制約され、電界供給電極18の形状を工夫する以外に電位勾配の最適化はできなかった。一方、図5の構成例では、電界供給電極18と検出電極35の双方に間隔や形状を工夫する余地があるため、ガス増幅に好適な電位勾配を形成する上で、設計自由度が図1の構成例に比べて高くなる。
【0046】
さらに、試料台17から発生する二次電子8を電界供給電極18に向けて加速させるため、試料台17に負の電圧を印加することも可能になる。このとき、電圧の印加は試料台用電源37によって行い、印加電圧は典型的には0〜-500 Vである。図1の構成例で試料台17に電圧を印加しようとすると、増幅器をフローティング増幅器にする必要があるため、製造コストが図5の構成例に比べて高くなる。
【0047】
なお、図5の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極35は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。
【0048】
図6(旧図9)に、本実施例の類型の更に別な変形例を示した。図6の構成例は、図1の構成例の電界供給電極の形状を、断面が円形のリング状としたものである。この場合、電界供給電極39と反射板16との間隔は1〜5 mm程度が好ましく、電極の直径は1〜10 mm程度が好ましい。電界供給電極39の形状は、反射板16の中心軸に関して対称とする。反射電子7の検出、二次電子8の検出は、実施例1と同様に行う。
【0049】
図7(旧図12)には、本実施例の類型の更に別な変形例を示した。図7の構成例は、電界供給電極の形状を断面が円形のリング状とし、図5の構成例における反射板16と第2検出電極35の間隙に、円筒形の低角度反射電子検出用反射板54を設けた構成例である。反射板16、低角度反射電子検出用反射板54、検出電極35、電界供給電極39は、一次電子線2の光軸に関して対称になるように配置する。
【0050】
図7の構成例では、試料から放出される反射電子の仰角に対する角度弁別が可能になる。以下では角度弁別の方法を説明する。
【0051】
一次電子線2光軸から見込む仰角が小さい方向に反射された反射電子55(以下、高角度反射電子と呼ぶ)は、反射板16に当たり、副次電子20を生成する。一方、一次電子線2の光軸から見込む仰角が大きい方向に反射された反射電子56(低角度反射電子と呼ぶ)は、低角度反射電子検出用反射板54に当たり、低角度反射電子56起源の副次電子57を生成する。仰角の小さな反射電子を多く検出するため、低角度反射電子検出用反射板54は、高角度反射電子検出用電極である反射板16と、二次電子検出用電極である第2検出電極35により構成される空間に、中心軸が一次電子線光軸と一致するように配置されている。あるいは、電子の衝突面の法線が一次電子線光軸と垂直になるように配置されている。
【0052】
副次電子20、および低角度反射電子56起源の副次電子57、および試料から放出された二次電子8は電界供給電極39に向かって加速され、ガス増幅を起こす。これによって増幅されたイオンは、それぞれ副次電子20起源のイオン21は反射板16に、副次電子57起源のイオン58は低角度反射電子検出用反射板54に、二次電子8起源のイオン24は検出電極35に向かってドリフトし、それぞれの反射板16、54/検出電極35には正の誘導電流22、59、25が流れる。得られた信号を、それぞれに接続した増幅器23、60、26によって増幅する。これによって、三種類の異なる情報を持ったSEM画像が得られる。これらの三種の画像の任意の組み合わせに関しても、実施例1の方法によって合成画像が得られるようにしてもよい。
【0053】
なお、図7の構成例の反射板16、低角度反射電子検出用反射板54、検出電極35、電界供給電極39は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0054】
図8には、本実施例の類型において、軸状検出用電極の誘導電流検出面を複数の検出セグメントに分割して、反射電子の方位角に対する弁別検出を可能にした構成例について示す。図8に示す構成例では、第1検出電極、すなわち反射板16のイオン電流検出面は、検出領域a41〜d44の四つのセグメントに分割されている。
【0055】
一次電子線照射により発生した反射電子45は電界供給電極18の開口部を通過し、元々持っていた方位角成分に応じて検出領域a41〜d44のいずれかのセグメントに衝突する。特定の検出セグメント、例えば検出領域a41にあたった反射電子45は、副次電子20を生成する。生成された副次電子20は電界供給電極18に向かってドリフトし、ガス増幅を起こす。増幅されたイオン21の大部分は、検出領域a41に向かってドリフトし、検出領域a41には正の誘導電流46が流れる。電流信号は検出領域a41に接続された検出領域a用増幅器47によって増幅され、SEM画像が得られる。同様に各反射板b42〜d44には専用の増幅器48〜50が接続され、それぞれ対応した反射板b42〜d44にあたった反射電子起源の正の誘導電流51〜53を増幅する。これら四種類の信号は、それぞれが検出する反射電子の放出方位に依存しており、それぞれ異なった試料表面の構造情報を持つ。よって、各信号から、四種類の異なった試料依存の情報を含むSEM画像が得られる。なお、図8に示した方位角弁別検出方式は、本実施例のいずれの構成例と組み合わせることも可能である。
【0056】
以上、本実施例の類型について、図1〜8に示される構成例を用いて説明したが、図1の構成例で説明した画像信号処理手法は、本実施例のいずれの構成例にも適用可能である。特に、図8に示した方位角弁別検出方式と組み合わせれば、試料の表面形状に関する新たな情報を引き出せる。例えば複数の画像で信号の減算を行えば、試料の表面形状の方位角による異方性が強調され、結果立体構造を強調した合成画像が得られる。
【0057】
(実施例2)
実施例1では、軸上検出型の反射電子検出方式で、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用する方式の実施例について説明したが、本実施例では、同じく軸状検出型で、かつ反射電子検出用電極と反射板とを兼用しない方式の実施例について説明する。
【0058】
図9には、本実施例の類型の一構成例を示した。図9に示す構成例の走査電子顕微鏡は、図1の構成例の装置において、反射板16と試料台17の間隙にドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極61を設置したものである。実施例1で説明した各構成とは異なり、反射板は接地されている。この検出電極61の内径は、ガス増幅されたイオン21の検出効率を高めるため、電界供給電極18の内径より小さくする。ガス増幅されたイオン21は、検出電極61に向かってドリフトし、検出電極61には正の誘導電流22が流れる。得られた電流信号を、反射電子検出用増幅器23によって増幅することでSEM画像を得る。図9の構成例では、図5の構成例と同様に、試料を冷却するためのステージクーリングシステム36を導入してもよい。
【0059】
なお、図9の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0060】
図10には、図9の構成例の変形例を示した。本構成例の走査電子顕微鏡は、図9の構成例のドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極61と試料台17との間隙に、実施例9、12の電界供給電極と同様の断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極62を備えたものである。電界供給電極62には、+100〜+500 Vの正の電圧を、二次電子増幅用電界供給電極用電源63によって印加する。二次電子8をガス増幅することで増幅されたイオン24は試料台17に向かってドリフトする。二次電子起源の正の誘導電流25は、試料台17に接続した二次電子検出用増幅器26によって検出する。
【0061】
なお、本構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61、電界供給電極62は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0062】
図11に示す構成例は、図10の構成例の電界供給電極62と試料台17の間隙に、ドーナツ状の円盤型の検出電極35を備えたものである。二次電子8起源の正の誘導電流25の検出は、実施例2、9と同様に行う。実施例12では、実施例2と同様に、試料を冷却するためのステージクーリングシステム36や二次電子8を加速するための試料台用電源35を導入してもよい。なお、本構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極61、電界供給電極62、検出電極35は、図示しない駆動装置によって、試料台17の上下に伴って各々の試料5との相対距離が保存されるように上下してもよい。
【0063】
図12には、図11の構成例のさらに別の変形例について示した。本構成例の装置は、二次電子専用検出器として、実施例5の二次電子検出系と同じ形態で、電界供給電極を断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極62としたものを備えた構成例である。
【0064】
二次電子8は、電界供給電極によってガス増幅される。増幅されたイオン24は円筒形状の検出電極38に向かってドリフトする。二次電子起源の正の誘導電流25は、試料台17に接続した検出電極38によって検出する。
【0065】
以上、本実施例の類型の装置について、図9〜12で示される構成例について説明したが、以上で説明した構成例における反射電子検出用検出電極61は、図8に示されるように複数のセグメントに分割してもよい。
【0066】
(実施例3)
実施例1および2では、軸上検出方式の装置の類型について示したが、本実施例では、いわゆる軸外検出方式の走査電子顕微鏡に対して本発明を適用した実施例について説明する。なおここで、軸外検出とは軸上検出に対する技術用語であり、電子線2光軸から見込む仰角が比較的小さい方向に反射される反射電子(高角度反射電子)を検出する軸上検出に対し、仰角が大きい方向に反射される反射電子(低角度反射電子)を検出するために、検出器を光軸から傾けて配置し、軸外で検出する検出方式の意味である。
【0067】
図13には、軸外検出方式で、低真空二次電子と低真空反射電子とを分離検出するための最も基本的な構成例について示した。ここで、図13は、低真空反射電子と低真空二次電子を分離検出するための要部のみを示した図であり、走査電子顕微鏡を構成するためのその他の構成要件・動作等については、図1に示される走査電子顕微鏡と同等である。従って、図1と共通する構成要素については図示を省略し、特に断らない限り、以下使用する図面についても同様である。
【0068】
図13に示す構成例では、反射電子起因の誘導電流検出用の第1検出電極を、試料台17の軸外に配置し、二次電子起因の誘導電流を検出するための第2検出電極を、試料台17の表面に配置している。第2検出電極と第1検出電極の空間には、ガス増幅を行うための電界供給電極18が配置されており、電界供給電極18によって第1、第2の各検出電極との間に形成される電界によって、二次電子と反射電子とが分離され、かつ検出電極へドリフトされる。電界供給電極18には、正電位を供給するための電源19が接続されており、電源19から電界供給電極18に印加される電位は、第1、第2の各検出電極との電位差が所定値になるように、情報処理部14によって制御される。また、第1、第2の各検出電極には、反射電子検出用増幅器23,二次電子検出用増幅器26がそれぞれ接続されており、かつ接地されている。各電極で検出された誘導電流信号は、情報処理部14によって適当な演算処理が行われ低真空反射電子像、低真空二次電子像が形成される。
【0069】
図13に示す構成例では、第1検出電極は反射板16と兼用であり、従って、第1検出電極は、反射電子との衝突面を備えている。衝突効率を高めるため、反射板16は、衝突面が試料台側に向き、かつ反射電子衝突面の中心軸と一次電子線の光軸とが鋭角をなすような角度に配置されている。また、反射板16は、衝突面の中心軸と、一次電子線2の光軸とが、一次電子線2の走査中心でおおむね一致するように配置される。反射板16および電界供給電極18の形状は、反射板の中心軸に関して対称とする。
なお、図13に示す構成例において、反射板16、電界供給電極18は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台17との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。また、試料台17を固定したとき、反射板16と電界供給電極18のどちらか一方もしくは両者は、反射板16の中心軸と一次電子線2の光軸が一次電子線2の走査中心でおおむね一致する状態で、試料5に近づく方向もしくは遠ざかる方向に、図示しない駆動装置によって移動してもよい。
【0070】
実施例1、2では、検出器が対物レンズ4直下にあったためWDを特に短くしたい(例えば、WD≦5mm)場合、試料台17と検出器が干渉し、観察が不可能だったが、この構成では、検出器を軸外に設置していることから、短WDでの観察が可能になる。
【0071】
図14には、本実施例の類型の別な構成例を示した。図14に示す構成は、図13の構成例において、接地電位である検出電極を電界供給電極18と試料台17の間隙に配置した変形例である。
【0072】
検出電極35の形状は、反射板16の中心軸に関して対称とする。実施例4では、電界供給電極18が試料台17近傍につくる電位勾配を検出電極35が遮蔽しないようにするため、検出電極35の内径は、電界供給電極18の内径より3 mm〜10 mm程度大きくする。二次電子検出の方法は、実施例2と同様に行う。
【0073】
この構成では、図5の構成例と同様の理由で、ステージクーリングシステム36、試料台用電源37との併用が可能になる。
【0074】
図15には、本実施例の類型の別な構成例を示した。図15の構成例は、図14の構成例において、二次電子検出用の検出電極の形状を変更したものである。図15の構成例では、二次電子検出用に、イオンの検出効率を高めるため、電界供給電極18の周囲を囲む円筒形状の検出電極38を設置する。検出電極は接地電位とする。検出電極38は、中心軸が反射板の中心軸と一致するように設置する。検出電極38の内径は、一般的には10〜50 mmφ程度である。検出電極38の中心軸は反射板16の中心軸と一致するように配置する。反射電子7の検出、二次電子8の検出は、図14の構成例と同様に行う。
【0075】
図15の構成例の反射板16、電界供給電極18、検出電極38は、試料台17の上下にともなって、各々と試料台17との相対距離を保存するように上下してもよい。この場合、反射板16、電界供給電極18、検出電極38の上下運動は、図示しない駆動装置によって行う。また、試料台17を固定したとき、反射板16、電界供給電極18、検出電極38は、反射板16の中心軸と一次電子線2の光軸が一次電子線2の走査中心でおおむね一致する状態で、試料5に近づく方向もしくは遠ざかる方向に、図示しない駆動装置によって移動してもよい。
【0076】
なお、本実施例の全ての構成例において、電界供給電極の形状はドーナツ状の円盤型に限定されるものではない。ガス増幅は、電界供給電極と接地電位の反射板もしくは試料台もしくは検出電極との間に作られる電位勾配に依存しており、ガス増幅の利得が最大となるように電界供給電極の形状を決定する。
【0077】
この構成では、図14の構成例と同様に、ステージクーリングシステム36、試料台用電源37との併用が可能になる。また、二次電子8起源のイオン24に対する検出電極38の見込み角を大きくする事ができるので、図14の構成例に対して、イオン24の捕集効率が向上する。
【0078】
図16には、図15に示した構成例において、電界供給電極の形状を変えた変形例について示す。図15の構成例における電界供給電極は、反射電子の通過する開口を備えた円盤形状の金属板により構成されているが、本構成例の電界供給電極は、曲面を持った複数の電極により構成されている。以下詳述する。図16において、反射板16と,円筒電極38は、それぞれ反射電子起因の誘導電流検出電極(第1検出電極)、二次電子起因の誘導電流検出電極(第2検出電極)であり、第1検出電極は電子の衝突面を備えている。
【0079】
円筒電極38の内壁面には、ベアリングのような球形状の電界供給電極40が複数配列されている。各電界供給電極40は、円筒電極38の中心軸に関して軸対称になるように配置される。また、各電極の大きさは1〜10 mm程度が好ましい。
複数の電界供給電極40の電極は全て短絡されており、複数の電界供給電極40のいずれかには、正電位を印加するための電源19が接続されている。電界供給電極40と反射板16もしくは検出電極38との距離は1〜10 mm程度が好ましい。
【0080】
この構成例のように、電界供給電極40の表面を曲面とすることで、接地電位である各検出電極との間に起こる放電を抑制しやすくなる。
【0081】
なお、図16の構成例から、反射板16を除いた形状の装置を実現することも可能である。そのような変形例を図17aに示した。円筒電極38や電界供給電極40の形状は図16の構成例と同等であるが、反射板16が無い。反射電子の検出は、円筒電極とは別に設けた反射電子検出用の検出電極により行う。典型的には、軸上検出型の反射電子検出電極と組み合わせて用いられる。
【0082】
なお、図17aに示す構成は、実施例1から3のいずれの構成と組み合わせることも可能である。
【0083】
実施例1、2の二次電子検出器では、完全に二次電子のみの検出が行われていたわけではなく、反射板に到達するまえに、電界供給電極の作る電界に引き寄せられた低エネルギー(数百eV以下)の反射電子も検出していた。本構成例では、図17aに示す二次電子検出器の配置を工夫することで、低エネルギーの反射電子の検出を抑制できるという効果がある。具体的には、円筒電極38の中心軸と電子線の光軸2の角度が垂直になるようにし、それぞれの交点が試料の観察面より下方になるようにすればよい。この様子を図17bに示した。このようにすることで極々低角度で低エネルギーの反射電子以外は電界供給電極40に到達しなくなる。一般に、低角度ほど放出される反射電子の量は少なくなることが知られており、これにより、反射電子の検出が抑制される。
【0084】
(実施例4)
軸上検出方式の装置構成においては、反射板兼第1検出電極が電子光学鏡筒の直下、あるいは対物レンズの直下に配置されることになるため、電界供給電極との間に形成される電位勾配が一次電子線の軌道に一部重なる。この影響をなくすため、対物レンズ直下に電場シールドを設けてもよい。図18には、反射板16の反射電子衝突面に電場シールドを設けた構成例について示した。電界供給電極18の作り出す電界は、接地電位である電場シールド64によって遮蔽される。電場シールド64は対物レンズ4と電気的に導通されていてもよい。電場シールド64は、磁性を帯びると一次電子線2に影響を与えるため、非磁性である必要がある。なお、電場シールド64は、差動排気のためのアパチャー65を備えてもよい。これによって、電場シールド64内の真空度を試料室内より高く保つことができ、電場シールド64内で起こる、ガス分子との散乱による一次電子線2の広がりを抑制できる。
【0085】
以上、実施例1から4について、検出電極と電界供給電極を形状、配置場所で類別して説明したが、以上の実施例において、反射板に、反射板の反射電子が当たる面に酸化マグネシウムもしくはマグネシウムもしくは金などを塗布もしくは蒸着してもよい。副次電子の放出効率を高める効果がある。また、以上の実施例において、反射板として、半導体検出器、マイクロチャンネルプレートなど、反射電子を直接検出する反射電子検出器を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0086】
【図1】第1の実施例に関わる走査電子顕微鏡の構成例を示す図。
【図2】第1の実施例の走査電子顕微鏡において、電子像と反射電子像が同時に表示されている場合の画像処理端末の出力画面。出力されているときの画面。
【図3】第1の実施例において、合成画像を作成するためのk、l の各パラメータを画像処理部から呼び出している様子を示す図。
【図4】第1の実施例において、合成画像を作成するためのk、l の各パラメータをGUI上で設定しているときの様子を示す図。
【図5】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図6】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図7】第1の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図8】第1の実施例において、反射板を複数セグメントに分けて構成した図。
【図9】第2の実施例における構成例の光学系要部を示す図。
【図10】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図11】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図12】第2の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図13】第3の実施例における構成例の光学系要部を示す図。
【図14】第3の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図15】第3の実施例における別な構成例の光学系要部を示す図。
【図16】第3の実施例における電界供給電極変形例について示す図。
【図17a】第3の実施例における電界供給電極変形例について示す図。
【図17b】図17aの実施例の配置例について示す図。
【図18】第4の実施例における電界シールドについて示す図。
【図19】従来技術である特表2002−516647の特徴を示す模式図。
【図20】従来技術である特表2002−516647の特徴を示す模式図。
【符号の説明】
【0087】
1…電子銃、2…一次電子線、3…コンデンサーレンズ、4…対物レンズ、5…試料、6…偏向器、7…反射電子、8…二次電子、9…試料室、10…大気導入口、11…ニードルバルブ、12…Everhart Thornley型検出器、13…二次電子コレクタ電極、14…画像処理部、15…画像処理端末、16…反射板、17…試料台、18…ドーナツ状円盤型電界供給電極、19…電界供給電極用電源、20…副次電子、21…副次電子20起源のイオン、22…反射電子起源の正の誘導電流、23…反射電子検出用増幅器、24…二次電子8起源のイオン、25…二次電子起源の正の誘導電流、26…二次電子検出用増幅器、27…画像処理端末の画面、28…反射電子像、29…二次電子像、30…合成画像、31…パラメータ選択用ボタン、32…k 値バー、33…l 値バー、34…可動バー、35…ドーナツ状の円盤型の検出電極、36…ステージクーリングシステム、37…試料台用電源、38…円筒形状の検出電極、39…、断面が円形のリング状の電界供給電極、40…曲面を持った複数の電界供給電極、41…反射板a、42…反射板a、43…反射板b、44…反射板d、45…反射板aにあたった反射電子、46…反射板aにあたった反射電子45起源の正の誘導電流、47…反射板a用増幅器、48…反射板b用増幅器、49…反射板c用増幅器、50…反射板d用増幅器、51…反射板bにあたった反射電子起源の正の誘導電流、52…反射板cにあたった反射電子起源の正の誘導電流、53…反射板dにあたった反射電子起源の正の誘導電流、54…低角度反射電子検出用反射板、55…高角度反射電子、56…低角度反射電子、57…低角度反射電子56起源の副次電子、58…低角度反射電子56起源の副次電子57起源のイオン、59…低角度反射電子検出用反射板にあたった低角度反射電子起源の正の誘導電流、60…低角度反射電子検出用反射板用増幅器、61…ドーナツ状の円盤型の反射電子検出用検出電極、62…断面が円形のリング状の二次電子増幅用電界供給電極、63…二次電子増幅用電界供給電極用電源、64…電場シールド、65…差動排気のためのアパーチャ、
66…観察条件制御部、101…特表2002−516647の実施例の試料室、102…特表2002−516647の実施例の試料、103…特表2002−516647の実施例の検出電極、104…特表2002−516647の実施例の反射板兼電界供給電極、105…特表2002−516647の実施例の電源、106…特表2002−516647の実施例の一次電子線、107…特表2002−516647の実施例の対物レンズ、108…特表2002−516647の実施例の反射電子、109…特表2002−516647の実施例の二次電子、110…特表2002−516647の実施例の試料台、111…特表2002−516647の実施例の副次電子、112…特表2002−516647の実施例の負の誘導電流、113…特表2002−516647の実施例の増幅器、114…特表2002−516647の実施例の円盤型検出電極、115…特表2002−516647の実施例の検出電極114用電源、116…特表2002−516647の実施例の反射板兼電界供給電極104用電源。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子線を試料に照射する照射光学系と、被観察試料を保持する試料台と、当該試料台を格納する試料室内とを備え、前記電子線照射によって試料から放出される荷電粒子を、試料室内のガス分子との相互作用によってガス増幅し、当該増幅された荷電粒子を正の誘導電流として検出する走査電子顕微鏡において、
前記試料から放出される荷電粒子のうち、少なくとも二種類の異なる荷電粒子に起因する二種類の誘導電流を分離して同時に検出する少なくとも二系統の検出手段を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項2】
請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記二系統の検出手段は、
ガス増幅用電界供給電圧と、
前記二種類の異なる荷電粒子の一方に起因する前記誘導電流を検出する第1の検出電極と、
該第1の検出電極に接続された第1の増幅器と、
もう一方の荷電粒子に起因する前記誘導電流を検出する第2の検出電極と、
該第2の検出電極に接続された第2の増幅器とを少なくとも備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項3】
電子線を試料に照射する電子光学鏡筒と、被観察試料を保持する試料台と、当該試料台を格納する試料室内とを備え、前記電子線照射によって試料から放出される荷電粒子を、試料室内のガス分子との相互作用によってガス増幅し、当該増幅されたイオンを正の誘導電流として検出する走査電子顕微鏡において、
前記電子線照射により、前記被観察試料から放出される荷電粒子のうち反射電子起因の誘導電流を検出する第1検出電極と、
前記電子線照射により、前記被観察試料から放出される荷電粒子のうち二次電子起因の誘導電流を検出する第2検出電極と、
前記反射電子によってガス増幅されたイオンと、前記二次電子によってガス増幅したイオンとを、分離して前記第1検出電極と前記第2検出電極へ移動させる手段を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項4】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記反射電子の衝突面を備え、
前記ガス増幅したイオンの移動手段として、ガス増幅用の電界供給電極を備え、
当該電界供給電極が、前記試料台と前記第1検出電極との間に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項5】
請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極が、角度成分の異なる反射電子が衝突する複数の反射電子衝突面を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項6】
請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記反射電子の高角度成分が衝突する第1の衝突面と、前記反射電子の低角度成分が衝突する第2の衝突面とを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項7】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記ガス増幅したイオンの移動させる手段として、前記試料台と前記第1検出電極との間に配置されたガス増幅用の電界供給電極を備え、
当該第1検出電極は、前記電子光学鏡筒下面と前記試料台との空間において前記照射電子線光軸から一定距離離れた位置に、前記衝突面が前記試料台を向くように配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項8】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極と前記電子光学鏡筒の底面との間に配置された、反射電子の衝突する衝突面を備えた反射板を備え、当該反射板が接地されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項9】
請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記電子光学鏡筒底面の下部に配置され、かつ、方位角の異なる反射電子が衝突する領域に分割された複数の衝突面を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項10】
請求項3から9のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料台が前記第2検出電極を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項11】
請求項4から9のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第2検出電極が、前記電界供給電極と前記試料台との間に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項12】
請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、円盤状電極により構成され、
前記第2検出電極は、前記衝突面の中心軸に対して軸対称な位置に配置された円筒状電極により構成され、
前記電界供給電極は、前記円筒内部に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項13】
請求項11に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電界供給電極は、前記円筒状電極の内壁面に設けられた複数の半球面状電極により構成されることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項14】
請求項8に記載の走査電子顕微鏡において、
前記反射板は、一次電子線通過用開口の下部に形成された、電子線の光軸に関して対称な形状、かつ非磁性の材質からなる電場シールドを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項15】
請求項14に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電場シールドの内部に形成された差動排気用アパーチャを有することを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項16】
請求項3から15のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極に替えて、反射電子検出器を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項17】
請求項3から16のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極または第2検出電極から検出される誘導電流の信号に対して、所定の演算を施し、一つの画像に合成して出力する画像処理装置を備えた走査電子顕微鏡。
【請求項1】
電子線を試料に照射する照射光学系と、被観察試料を保持する試料台と、当該試料台を格納する試料室内とを備え、前記電子線照射によって試料から放出される荷電粒子を、試料室内のガス分子との相互作用によってガス増幅し、当該増幅された荷電粒子を正の誘導電流として検出する走査電子顕微鏡において、
前記試料から放出される荷電粒子のうち、少なくとも二種類の異なる荷電粒子に起因する二種類の誘導電流を分離して同時に検出する少なくとも二系統の検出手段を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項2】
請求項1に記載の走査電子顕微鏡において、前記二系統の検出手段は、
ガス増幅用電界供給電圧と、
前記二種類の異なる荷電粒子の一方に起因する前記誘導電流を検出する第1の検出電極と、
該第1の検出電極に接続された第1の増幅器と、
もう一方の荷電粒子に起因する前記誘導電流を検出する第2の検出電極と、
該第2の検出電極に接続された第2の増幅器とを少なくとも備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項3】
電子線を試料に照射する電子光学鏡筒と、被観察試料を保持する試料台と、当該試料台を格納する試料室内とを備え、前記電子線照射によって試料から放出される荷電粒子を、試料室内のガス分子との相互作用によってガス増幅し、当該増幅されたイオンを正の誘導電流として検出する走査電子顕微鏡において、
前記電子線照射により、前記被観察試料から放出される荷電粒子のうち反射電子起因の誘導電流を検出する第1検出電極と、
前記電子線照射により、前記被観察試料から放出される荷電粒子のうち二次電子起因の誘導電流を検出する第2検出電極と、
前記反射電子によってガス増幅されたイオンと、前記二次電子によってガス増幅したイオンとを、分離して前記第1検出電極と前記第2検出電極へ移動させる手段を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項4】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記反射電子の衝突面を備え、
前記ガス増幅したイオンの移動手段として、ガス増幅用の電界供給電極を備え、
当該電界供給電極が、前記試料台と前記第1検出電極との間に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項5】
請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極が、角度成分の異なる反射電子が衝突する複数の反射電子衝突面を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項6】
請求項5に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記反射電子の高角度成分が衝突する第1の衝突面と、前記反射電子の低角度成分が衝突する第2の衝突面とを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項7】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記ガス増幅したイオンの移動させる手段として、前記試料台と前記第1検出電極との間に配置されたガス増幅用の電界供給電極を備え、
当該第1検出電極は、前記電子光学鏡筒下面と前記試料台との空間において前記照射電子線光軸から一定距離離れた位置に、前記衝突面が前記試料台を向くように配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項8】
請求項3に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極と前記電子光学鏡筒の底面との間に配置された、反射電子の衝突する衝突面を備えた反射板を備え、当該反射板が接地されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項9】
請求項4に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、前記電子光学鏡筒底面の下部に配置され、かつ、方位角の異なる反射電子が衝突する領域に分割された複数の衝突面を備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項10】
請求項3から9のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記試料台が前記第2検出電極を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項11】
請求項4から9のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第2検出電極が、前記電界供給電極と前記試料台との間に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項12】
請求項7に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極は、円盤状電極により構成され、
前記第2検出電極は、前記衝突面の中心軸に対して軸対称な位置に配置された円筒状電極により構成され、
前記電界供給電極は、前記円筒内部に配置されたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項13】
請求項11に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電界供給電極は、前記円筒状電極の内壁面に設けられた複数の半球面状電極により構成されることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項14】
請求項8に記載の走査電子顕微鏡において、
前記反射板は、一次電子線通過用開口の下部に形成された、電子線の光軸に関して対称な形状、かつ非磁性の材質からなる電場シールドを備えることを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項15】
請求項14に記載の走査電子顕微鏡において、
前記電場シールドの内部に形成された差動排気用アパーチャを有することを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項16】
請求項3から15のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極に替えて、反射電子検出器を備えたことを特徴とする走査電子顕微鏡。
【請求項17】
請求項3から16のいずれか1項に記載の走査電子顕微鏡において、
前記第1検出電極または第2検出電極から検出される誘導電流の信号に対して、所定の演算を施し、一つの画像に合成して出力する画像処理装置を備えた走査電子顕微鏡。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17a】
【図17b】
【図18】
【図19】
【図20】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17a】
【図17b】
【図18】
【図19】
【図20】
【公開番号】特開2008−47310(P2008−47310A)
【公開日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−219160(P2006−219160)
【出願日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【出願人】(000233550)株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ (112)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【出願人】(000233550)株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ (112)
【Fターム(参考)】
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