【課題】 Ｘ線元素分析を行う前段階においてＸ線分析に適した試料上の位置を評価・判別でき、分析者が高い信頼性を確保した分析を手戻り無く、短時間に行うことができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検出器を備えた荷電粒子線装置において、Ｘ線検出器１２（２５〜３０）のＸ線検出面と同軸上に第一の反射電子検出器１５がＸ線検出器１２と一体もしくは独立して配置され、Ｘ線検出器１２によりＸ線信号を、第一の反射電子検出器１５により反射電子信号を同時もしくは個別に検出する。 （もっと読む）

【課題】任意の放出角度の反射電子を検出することのできる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料からの電子を検出することによって像を得る走査電子顕微鏡において、試料１９からの二次電子と反射電子とを弁別する制御電極１８と、反射電子の衝突によって二次電子を発生させる二次電子変換電極１３とその二次電子を引き上げる電極１２と、引き上げられた二次電子と試料１９からの反射電子を弁別するエネルギーフィルタ１１と、二次電子変換電極１３と引き上げ電極１２とエネルギーフィルタ１１への印加電圧の組み合わせを選択する制御演算手段３６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子銃２９と、アパ−チャ２６と、試料台３と、電子線３１を試料２上に収束するための電子光学系４−１と、偏向手段１０と、二次電子検出器８、反射電子検出器９と、電子銃２９と試料２の間となる位置に筒状の電子輸送手段５を備え、反射電子検出器９は電子輸送手段５の内部であって、二次電子検出器８及び偏向手段１０よりも電子銃２９に対して遠方側に設置され、反射電子検出器９の感受面９−１は電子輸送手段５と同電位となるように電気的に配線されている。 （もっと読む）

【課題】選択を特に後方散乱電子及び二次電子に従って容易に行なうことができる検出装
置を有する電子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】電子ビーム装置（７）は、電子源（８）と、対物レンズ（１２）と第１およ
び第２の検出器（１９，２１）と第２の検出器（２１）に割り当てられ、第２の検出器（
２１）の物体側に配置された逆電界格子（３６）を備えている。物体（１８）により放出
され第１の検出器（１９）の孔を通過した電子の一部は、逆電界格子（３６）により偏向
され、第２の検出器（２１）により検出されないように、逆電界格子（３６）に電圧が印
加される。 （もっと読む）

【課題】低段差試料や帯電試料の観察、測定等において、反射荷電粒子信号に基づく画像を形成する際にも、倍率変動や測長誤差によらずに正確な画像を取得する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】二次荷電粒子信号を検出する第１の検出条件と、反射荷電粒子信号を検出する第２の検出条件との間で、荷電粒子線の走査偏向量を補正するように偏向器を制御する装置、及びコンピュータプログラムを提供する。このような構成によれば、検出する荷電粒子信号の変更による倍率変動や測長誤差を補正することが可能となるため、反射荷電粒子信号に基づく画像を正確に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】簡便にＳＥやＢＳＥの角度とエネルギーを弁別し、観察対象試料の必要な情報を画像化する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】一次荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、当該一次荷電粒子線を試料上に集束する集束レンズと、当該試料上の照射点から放出された二次荷電粒子を検出する検出器とを備える走査型荷電粒子線装置において、前記検出器からの信号を波形処理し、二次荷電粒子のエネルギー分布情報を作成する波形処理部と、前記エネルギー分布情報の任意のエネルギー範囲の情報を選択して表示部に画像表示する制御部を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト構造であっても、パターン底部の寸法を高精度に計測できる荷電粒子線装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】 アスペクト比の高いパターンが形成された試料のパターン寸法底部を計測する方法において、試料の同一領域に荷電粒子線を第１方向及び第１方向とは逆の第２方向に走査させたときにそれぞれ発生する信号荷電粒子に基づく第１走査像と第２走査像とを比較し、走査像の信号強度が小さい方を真値とし、走査像を再構築し、再構築した走査像を用いて試料に形成されたパターン底部の寸法を計測する。また、その方法を実現する荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】本発明では、（ａ）走査（透過）電子顕微鏡において、０.１ｎｍ原子サイズ構造の３次元観察を可能とすること、（ｂ）走査（透過）電子顕微鏡において、試料中の原子の３次元構造と材料の特定を可能とすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、０.１ｎｍ原子サイズ構造の３次元観察を可能とするために、球面収差係数が小さい電子レンズシステムを有し、照射角の変更が可能な絞り、電子線プローブのプローブサイズおよび照射角度を変更することが可能な照射電子レンズ系、二次電子検出器、透過電子検出器、前方散乱電子線検出器、フォーカス可変装置、画像のコントラストを識別する画像演算装置、画像鮮鋭度を演算する画像演算装置、画像の３次元構築を行う演算装置、二次電子信号と試料前方散乱電子信号を混合するミキサー、を有する走査透過電子顕微鏡。 （もっと読む）

【課題】試料ダメージ及びコンタミネーションを増加させることなく、加速電圧の使用範囲が比較的大きい電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡は、電子銃からの電子線を試料に照射する電子線光学系と、試料からの電子を検出する電子検出器とを有する。電子検出器は、セラミックシンチレータと、該セラミックシンチレータからの光を電流に変換する光電変換素子とを有し、前記セラミックシンチレータは、蛍光体を焼結して形成したセラミック蛍光体を含み、該セラミック蛍光体の厚さは、２００〜３００μｍである。 （もっと読む）

【課題】検査精度を向上させ、５〜３０ｎｍのデザインルールにも適用できる検査方法及び検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の検査装置は、荷電粒子又は電磁波の何れか一つをビームとして発生させるビーム発生手段と、ワーキングチャンバ内に保持した検査対象に前記ビームを導き照射する１次光学系と、可動式のニューメリカルアパーチャ、および前記検査対象から発生して当該ニューメリカルアパーチャを通過した二次荷電粒子を検出する第１検出器を有する２次光学系と、前記第１検出器によって検出された二次荷電粒子に基づいて画像を形成する画像処理系と、前記可動式のニューメリカルアパーチャと前記第１検出器の間に設けられ、前記検査対象から発生する二次荷電粒子のクロスオーバ位置における位置及び形状を検出する第２検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる種類の複数の検出器を有した走査電子顕微鏡において、任意の観察条件で操作者が所望する観察画像を容易に取得する手段を提供することにある。
【解決手段】前記目的を達成するために、任意の観察条件を連続的に変化させながら画像をリアルタイムに表示させ、操作者はリアルタイムに表示される画像から、最適と感じる画像を選択することで容易に画像を取得することができる。観察条件には、ワーキングディスタンス，真空度，複数に分割された反射電子検出素子の検出信号の加減算操作、低真空二次電子検出器のバイアス電極に印加する電圧、ミキシング画像を表示する際の信号の混合比がある。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を高効率に検出可能とする荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子の軌道を集束する集束素子を、当該集束素子による集束作用が、試料に向かう荷電粒子線に影響を与えない（或いは影響を抑制可能な）位置に配置した荷電粒子線装置、及び荷電粒子線の照射方法を提案する。集束作用は、試料から放出された電子に選択的に影響し、試料に向かう荷電粒子線への影響を抑制されるため、試料から放出され、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を集束し、検出器等に導くことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、SEM用の複合静電/磁気対物レンズ内に設けられた鏡筒内後方散乱電子検出器に関する。
【解決手段】 当該検出器は、荷電粒子に敏感な表面−好適には静電集束場を生成する電極面(110)の1つとして機能するシンチレータディスク(406)−として形成される。前記シンチレータ内で生成された光子は、光子検出器(202,408)−たとえばフォトダイオード又は多画素光子検出器−によって検出される。前記対物レンズには、軸付近に保持される2次電子を検出する他の電子検出器(116)が備えられて良い。導光体(204,404)が、前記光子検出器とシンチレータとの間での電気的絶縁を供するのに用いられて良い。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの異なる信号荷電粒子の合成機能を自動化する。
【解決手段】一次荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子源と、試料から発生した信号荷電粒子のうち第１のエネルギーを有する第１の信号電子を検出する第１の検出器と、試料から発生した信号荷電粒子のうち第２のエネルギーを有する第２の信号電子を検出する第２の検出器と、第１の信号電子の信号強度と第２の信号電子の信号強度の合成比を変化させ、各合成比に対応する検出画像を生成する第１の演算部と、各合成比について生成された検出画像の所定の２つのエリアに対応する信号強度の比を算出する第２の演算部と、信号強度の比の変化に基づいて、検出画像の取得に使用する混合比を決定する第３の演算部とを荷電粒子線装置に搭載する。 （もっと読む）

【課題】一次線の光軸近傍を軌道とする検出対象電子と、その外側を軌道とする検出対象電子とを簡易な構成で分離して検出する。
【解決手段】一次線２が通過するための開口４が形成されているとともに、両面がシンチレーション面を形成しているプレート５と、エネルギーフィルタ３と、試料１０と対向する側のシンチレーション面に一次線２の照射に応じて試料１０から発生する第１の検出対象電子２１が到達して生じるシンチレーション光２３を検出するための第１の光検出器７ａと、一次線２の照射に応じて試料１０から発生し該プレート５の開口４を通過してエネルギーフィルタ３により追い返された第２の検出対象電子２２ａが到達して生じるシンチレーション光２４を検出するための第２の光検出器７ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 試料面から放出される反射電子や二次電子の試料面側への再反射を防止すると共に、電子検出器での電子検出量を増大させる。
【解決手段】 電子ビーム照射装置において、電子ビームを試料面上に照射するための対物レンズ１０と、対物レンズ１０と試料面２０との間に配置され、試料面２０から放出される反射電子或いは二次電子を検出する電子検出器３０と、電子検出器３０と試料面２０との間に配置され、試料面２０から放出される反射電子或いは二次電子の試料面２０側への再反射を防止する反射防止機構４０を備えている。反射防止機構４０は、試料面２０からの反射電子或いは二次電子の螺旋軌道に沿った複数の孔４２を有している。 （もっと読む）