電磁波シールド扉
【課題】電磁波シールド扉のシールド性能と操作性を向上する。
【解決手段】電磁波シールド扉は、金属でシールドされている扉枠体２と、金属でシールドされ扉枠体２から片開きする扉本体１とを備えている。扉枠体２は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材３と、室外側側面部を囲む第１の金属部材５ａと、側面部を囲み第１の弾性導電部材３と第１の金属部材５ａの間に配設されている第１の電磁波吸収部材７ａとを有している。扉本体１は、室内側側面部を囲み第１の弾性導電部材３と接触する第２の金属部材６ａと、室外側側面部を囲み第１の金属部材５ａと接触する第２の弾性導電部材４と、側面部を囲み第２の弾性導電部材４と第２の金属部材６ａの間に配設されている第２の電磁波吸収部材７ｂとを有している。
【解決手段】電磁波シールド扉は、金属でシールドされている扉枠体２と、金属でシールドされ扉枠体２から片開きする扉本体１とを備えている。扉枠体２は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材３と、室外側側面部を囲む第１の金属部材５ａと、側面部を囲み第１の弾性導電部材３と第１の金属部材５ａの間に配設されている第１の電磁波吸収部材７ａとを有している。扉本体１は、室内側側面部を囲み第１の弾性導電部材３と接触する第２の金属部材６ａと、室外側側面部を囲み第１の金属部材５ａと接触する第２の弾性導電部材４と、側面部を囲み第２の弾性導電部材４と第２の金属部材６ａの間に配設されている第２の電磁波吸収部材７ｂとを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は電磁波シールド扉に関し、特にシールド性能の向上を目的とした扉本体と扉枠体の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電磁波シールド扉は、扉を閉めた状態で、建物の扉から漏れる電磁波をシールドする。扉本体と扉枠体の間の隙間から電磁波が侵入したり漏洩したりするのを防止するために、扉本体と扉枠体の間は導電接続されている。扉を閉めるときに必要となる加圧力を低減したり高周波でのシールド性能を向上させたりするために、電磁波吸収機構を導電接触部に併設した電磁波シールド扉も考案されている。
【０００３】
一般に電磁波シールド扉では、電磁波の周波数が高くなると共にシールド性能が低下する。特に１ＧＨｚ以上の周波数では、シールド性能が急激に低下する。導電接触部の接触抵抗をできるだけ小さくするため、扉本体と扉枠体の隙間全体に導電接触部を設けると共に扉を閉じる時の加圧力を大きくすることが行なわれている。このような扉では、大きな加圧力を得るために、ロック機構が必要になったり、扉の開閉力が大きくなったりして、扉開閉時の操作性が低下する。
【０００４】
この点を解決するために、特許文献１では、導電接触部に電磁波吸収機構を併設している。シールド性能は向上しているが、電磁波吸収機構として用いられる電磁波吸収材料による電磁波の減衰量は少ないため、十分なシールド量を得るには吸収材料を長くする必要がある。この文献に開示される構造では吸収材料を扉の厚み方向に設置することができないので、電磁波吸収機構は扉面と室内の壁との間に設置する必要がある。こうすると扉面の大きさに比べて扉開口部の大きさが狭くなる。
【０００５】
特許文献２では、電磁波シールド窓に対して、２つの電磁波遮蔽物と、その間の空間の側面に設けられた電磁波吸収材料の作用による多重反射を利用してシールド性能を向上させている。電磁波シールド窓には開閉機構が無く、広い透光面から侵入する電磁波をシールドする。この方法は、開閉機構を有する扉構造や扉本体と扉枠体の狭い隙間にはそのまま適用できない。
【０００６】
特許文献３では、２箇所に導電接触部を設けてシールド性能を向上させている。この場合、電磁波吸収材料を用いていないので、電磁波の周波数が高くなるとシールド性能が低下する。また、２箇所に導電接触部を設けているため、扉を閉じる時の加圧力が大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１１１２６９号公報
【特許文献２】特開２００２−１１８３９１号公報
【特許文献３】特開２００８−０３４５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、電磁波シールド扉のシールド性能と操作性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る電磁波シールド扉は、金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ扉枠体から片開きする扉本体とを備えている。扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第１の金属部材と、側面部を囲み第１の弾性導電部材と第１の金属部材の間に配設されている第１の電磁波吸収部材とを有している。扉本体は、室内側側面部を囲み第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、室外側側面部を囲み第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、側面部を囲み第２の弾性導電部材と第２の金属部材の間に配設されている第２の電磁波吸収部材とを有している。
【発明の効果】
【００１０】
この発明に係る電磁波シールド扉は、電磁波の周波数が高くなっても、扉開閉時の操作性を維持しながら、良好なシールド性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図３】実施の形態１によるシールド扉の詳細構成を示す断面図である。
【図４】導電接触部を有するシールド扉のシールド量を求める図である。
【図５】電磁波吸収部材を有するシールド扉のシールド量を求める図である。
【図６】隙間における電磁波の電界方向と磁界方向を示す断面図である。
【図７】シールド扉のシールド量と隙間の寸法関係を示す図である。
【図８】実施の形態２によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図９】実施の形態２によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図１０】実施の形態３によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１１】実施の形態３によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図１２】実施の形態４によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１３】実施の形態５によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１４】実施の形態６によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１５】シールド扉に用いる電磁波吸収部材の電磁波吸収量の周波数特性を示す図である。
【図１６】シールド扉に用いる電磁波吸収部材の電磁波吸収量と電磁波吸収部材の厚みの関係を示す図である。
【図１７】実施の形態７によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１８】実施の形態８によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１９】実施の形態９によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１０によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２１】実施の形態１０によるシールド扉の別の構成を示す断面図である。
【図２２】実施の形態１１によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２３】実施の形態１２によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２４】実施の形態１３によるシールド扉の電磁波吸収部材の配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるシールド扉の構成を示す断面図である。シールド扉１００は、金属板５でシールドされている扉枠体２と、金属板６でシールドされ扉枠体２に取り付けられている扉本体１とから構成される。丁番２０は、室外側から見て扉本体１の右側端部に取り付けられている。丁番２０によって扉本体１は扉枠体２から片開きする。扉本体１の厚さは４０ｍｍから７０ｍｍ程度である。
【００１３】
扉本体１の開閉は、丁番２０を中心にして扉本体１を回転運動させることにより、矢印で表示される扉開閉方向に行なう。扉本体１と扉枠体２が干渉することなく開閉動作を行なうために、扉本体１と扉枠体２の間には、５ｍｍから１０ｍｍの隙間９が必要である。隙間９は、電磁波が侵入したり漏洩したりする電磁波伝搬経路８となる。扉枠体２の側面部（内周面）１０ａと扉本体１の側面部（外周面）１０ｂは、扉本体１の閉時に、対向する。
【００１４】
図２は、シールド扉１００が開いている状態を表している。弾性導電部材（第１の弾性導電部材）３は、扉枠体２の室内側に取り付けられていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板（第２の金属部材）６ａは扉本体１の室内側に取り付けられていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。金属板６ａは扉本体１の閉時に弾性導電部材３と接触し、かみ合うことで電磁波の漏洩を防ぐ。弾性導電部材（第２の弾性導電部材）４は扉本体１の室外側の側面部１０ｂに取り付けられ、扉本体１の外周を囲んでいる。金属板（第１の金属部材）５ａは、扉枠体２の室外側の側面部１０ａに設けられ、扉本体１の閉時に弾性導電部材４と接触し、かみ合う。金属板５に設けられた電磁波吸収部材（第１の電磁波吸収部材）７ａは弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板６に設けられた電磁波吸収部材（第１の電磁波吸収部材）７ｂは金属板６ａと弾性導電部材４の間に配設されていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。
【００１５】
扉枠体２に設けた金属板５と扉本体１に設けた金属板６は、金属板５に設けた弾性導電部材３と金属板６に設けた弾性導電部材４によって電気的に接続されている。金属板５、６と弾性導電部材３、４で囲まれた空間（隙間９）が扉本体１の全周囲に形成されるため、電磁波は細長い隙間形状の空間を伝搬する。この隙間形状の空間において、弾性導電部材３と金属板６ａの接触部から室内に電磁波が漏洩する。同様に金属板５ａと弾性導電部材４の接触部から室外に電磁波が漏洩する。金属板の途中からは電磁波は室内外に漏洩しないため、電磁波が室内外に漏れるのは、２箇所の接触部のみとなる。
【００１６】
実施の形態１では、電磁波吸収部材７ａ、７ｂの断面は矩形形状である。電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、磁性体材料や誘電体材料を用いることができる。電磁波は、磁性体損失や誘電体損失によって、隙間９を伝搬するうちに減衰する。特に、電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、磁性材料を用いた場合、１ＧＨｚ以下の比較的低い周波数においても高いシールド効果を得ることができる。電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、フェライトなどの磁性体や炭素粉などを含む電波吸収体を用いても良い。この場合、１ＧＨｚ以下の周波数においても高いシールド効果を得ることができる。
【００１７】
弾性導電部材３、４は、弾性を有していて、金属板５ａ、６ａを押し当てるとかみ合うことによって、電磁波の漏洩を防ぐことができる。弾性導電部材３、４には、伸縮性のある芯材を金属ワイヤや導電性繊維で被覆した導電性ガスケット、或は金属バネ形状のシールドフィンガーと呼ばれるガスケットが適している。この場合、扉本体１と扉枠体２の寸法公差によって多少の隙間が生じても、両者の電気的接続を確実に取ることができる。
【００１８】
次にシールド扉１００の動作を説明する。図３はシールド扉の片側の隙間の断面構造を示す図である。室外から室内に電磁波が侵入する場合の電磁波伝搬経路８の詳細を示したものである。室外から扉に達した電磁波は、弾性導電部材４と金属板５ａの接触部を通り、扉本体１と扉枠体２の隙間９に侵入する。隙間９を電磁波が伝搬する間に、隙間９の両側に配置された電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が弾性導電部材３と金属板６ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室内に漏れるが、大部分の電磁波は反射して隙間９の内部を逆方向に伝搬する。
【００１９】
このとき電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が弾性導電部材４と金属板５ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室外へ戻るが、大部分は反射して隙間９を最初と同一方向に伝搬する。このとき電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が再び弾性導電部材３と金属板６ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室内に漏れるが、大部分の電磁波は反射して隙間９を逆方向に伝搬する。図中には２回の反射しか記載していないが、実際は２つの導電接触部の間を何度も多重反射しながら電磁波が伝搬するため、電磁波吸収部材７ａ、７ｂよる減衰は非常に大きくなる。室内から室外に電磁波が漏洩する場合は電磁波の伝搬方向が逆になる。
【００２０】
次にシールド扉１００のシールド量を説明する。図４は電磁波吸収部材がないときのシールド量を求める図である。ここではシールド扉１００における２箇所の導電接触部Ａ、Ｂでの多重反射のみを考慮してシールド量を求めている。導電接触部Ａは弾性導電部材４と金属板５ａを象徴している。導電接触部Ｂは弾性導電部材３と金属板６ａを象徴している。導電接触部Ａと導電接触部Ｂのシールド量を４０ｄＢと仮定する。このとき入射波の１／１００が導電接触部を透過することになる。室外からの入射波の振幅を１０，０００とすると、導電接触部Ａでは、透過波の振幅は１００（＝１００００×１／１００）、反射波の振幅は９９００（＝１００００−１００）となる。振幅１００の透過波が隙間内に侵入するため、導電接触部Ｂでの入射波は振幅１００となり、透過波は振幅１、反射波は振幅９９となる。
【００２１】
導電接触部Ｂでの反射波は導電接触部Ａに到達し、透過波は０．９９、反射波は９８となる。この反射波は導電接触部Ｂに到達し、透過波は０．９８、反射は９７となる。以下同様に導電接触部Ａと導電接触部Ｂの間を多重反射しながら減衰してゼロになる。全体のシールド量は多重反射時のトータルの透過波によって決まる。最初に導電接触部Ｂで反射した電磁波（振幅９９）の半分ずつが室外側と室内側を透過するため、導電接触部Ｂを透過して室内に侵入する電磁波はトータルで振幅５０．５（＝９９／２＋１）となる。このときのシールド量は４６ｄＢになる。このように電磁波の反射でシールドをおこなっている導電接触部を多段にしても、シールド量は単純加算の８０ｄＢにならない。
【００２２】
図５は電磁波吸収部材が有るときのシールド量を求める図である。導電接触部Ａと導電接触部Ｂのシールド量を４０ｄＢ、電磁波吸収部材７による電磁波の減衰を２０ｄＢと仮定する。このとき、電磁波は隙間９を伝搬中に振幅が１／１０に減衰する。室外からの入射波の振幅を１０，０００とする。導電接触部Ａでの透過波の振幅は１００となる。透過波は隙間内の電磁波吸収部材７で減衰し、導電接触部Ｂに到達すると振幅は１０になる。導電接触部Ｂでの透過波の振幅は０．１である。導電接触部Ｂでの反射波は９．９となり、導電接触部Ａに到達すると振幅は０．９９に減衰する。導電接触部Ａで反射して導電接触部Ｂに到達すると振幅は０．０９８に減衰する。導電接触部Ｂでの透過波の振幅は０．０００９８である。
【００２３】
このように電磁波は電磁波吸収部材で減衰しながら多重反射を繰り返す。１往復することにより到達波の振幅は元の１／００（往復分）に減衰する。このため、３回目以降の到達波を考慮する必要は無い。従って、トータルの透過波の振幅は、９．８／１００００＋０．１＝０．１００９８となる。すなわち２重ガスケット（導電接触部Ａ、Ｂ）と電磁波吸収体を組み合わせた系のシールド量は―９９．９ｄＢとなる。この値は、単純加算した１００ｄＢ（＝４０ｄＢ＋４０ｄＢ＋２０ｄＢ）と等しい。このように、２箇所の導電接触部の間に電磁波吸収部材を配置することにより、シールド量は４６ｄＢから１００ｄＢと非常に大きくなる。電磁波吸収部材の両側に導電接触部を設ける構造にすることにより、所定のシールド量を得るために電磁波吸収体の長さを非常に短くすることができる。
【００２４】
次に隙間９を伝搬する電磁波の電磁波吸収部材による減衰について説明する。図６は隙
間９を伝搬する電磁波の電界と磁界の方向を示している。隙間９を伝搬する電磁波の進行方向１１に対し、電界方向１２は金属板５ａ、６ａにほぼ垂直になる。磁界方向１３は電磁波吸収部材７ａ、７ｂにほぼ平行となる。角度１４は金属板５、６の法線と電界方向１２のなす角度を指す。電界方向１２が電磁波吸収部材７と直交すると大きな減衰量が得られる。角度１４が大きくなると減衰量が低下して、所定のシールド量を得るために必要な電磁波吸収部材の長さが長くなる。
【００２５】
金属板に挟まれた隙間９を伝搬する電磁波は、隙間９の長さＡと隙間９の間隔Ｂに関係する。比率Ａ／Ｂが大きいほど、電界方向１２は金属板に垂直に近くなり、シールド量が大きくなる。図７に比率Ａ／Ｂとシールド量の関係を示す。実線１８は、金属板５、６が導電接触部で電気的に接続されている場合である。比率Ａ／Ｂ＞１となると角度１４がほとんどゼロになるため、電磁波吸収部材による減衰量が大きくなり大きなシールド量を得ることができる。一方、比率Ａ／Ｂ＜１では、角度１４が大きくなり、電磁波吸収部材の減衰効果がほとんど現れずに、シールド量は小さい。
【００２６】
通常のシールド扉では、隙間９の長さＡに相当する扉厚さは６０ｍｍ程度であるのに対し、扉枠体と扉本体の隙間Ｂは６ｍｍ程度である。比率Ａ／Ｂ＝１０となり、大きなシールド量を得ることができ、必要なシールド量を得るための電磁波吸収部材の長さを非常に短くすることができる。これに対して、特許文献２に示した窓枠では、隙間の長さＡに相当する窓厚さは１０ｍｍ程度なのに対し、隙間に相当する窓幅は１００ｍｍ程度である。この場合、比率Ａ／Ｂは０．０１となり、大きなシールド量を得ることはできない。
【００２７】
図７の実線１９は、金属板５、６が導電接触部Ａ、Ｂで電気的に接続されていない場合である。この場合、金属板５と金属板６の高周波的な電位が異なるため、角度１４が大きくなる。電磁波吸収部材の減衰効果がほとんど現れずに、シールド量は小さくなる。文献２に示した窓枠では、電磁波遮蔽層と窓枠の間に電磁波吸収部材がある。２つの電磁波遮蔽層間の電気的導通が取れないため、大きなシールド効果を得ることはできない。
【００２８】
以上から、この発明によれば、扉枠体と扉本体の間の隙間を漏洩する電磁波を、導電接触部間の多重反射を利用して大きく減衰させることができ、電磁波吸収部材の長さを短くしても優れたシールド性能を得ることができる。電磁波吸収部材を短くできるので、扉の厚さ方向に電磁波吸収部材を配置することができ、扉の開口部が狭くならないという効果を有する。また、扉隙間を伝搬する電磁波の電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようなるため、シールド性能を更に向上させることができる。
【００２９】
実施の形態２．
図８はこの発明の実施の形態２によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。図中に示す形態は、扉本体１と扉枠体２の角部に電磁波吸収部材を配置した構成である。図９は実施の形態２によるシールド扉の開状態を示している。電磁波吸収部材７ａ、７ｂは断面が山型形状を呈している。
【００３０】
このような構成にすることにより、扉開口部の面積をあまり減少させずに扉厚さを薄くすることができる。また扉本体や扉枠体の角部に合わせて電磁波吸収部材を取り付ければよいので、取り付け精度を向上させることができ、扉隙間の管理を容易に行なうことができるようになる。
【００３１】
実施の形態３．
図１０はこの発明の実施の形態３によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。図中に示す形態は、導電接触部と電磁波吸収部材を多段にした構成である。図１１は実施の形態３によるシールド扉の開状態を示している。
【００３２】
電磁波吸収部材２３ａ（第３の電磁波吸収部材）は、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３（第１の弾性導電部材）と金属板５ａ（第１の金属部材）の間であって、電磁波吸収部材７ａ（第１の電磁波吸収部材）よりも金属板５ａ側に配設されている。電磁波吸収部材２３ｂ（第４の電磁波吸収部材）は、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４（第２の弾性導電部材）と金属板６ａ（第２の金属部材）の間であって、電磁波吸収部材７ｂ（第２の電磁波吸収部材）よりも弾性導電部材４側に配設されている。
【００３３】
金属板５に設けられた弾性導電部材２２（第３の弾性導電部材）は、電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材２３ａの間に配設されていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板６に設けられた金属板６ｂ（第３の金属部材）は、電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材２３ｂの間に配設されていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。弾性導電部材２２と金属板６ｂは、扉本体１の閉時に、接触しかみ合うことで、電磁波の漏洩を防ぐ。
【００３４】
このような構成にすることにより、広帯域で大きな減衰量を得ることができるシールド扉を得ることができる。また、このような構成にすることにより、特性の異なる電磁波吸収部材を用いることができるようになる。電磁波吸収部材が減衰させる電磁波の周波数が異なる材料を用いることにより、広帯域で大きな減衰量を得ることのできるシールド扉とすることができる。中央の弾性導電部材２２は、無くても同様の効果を有することは言うまでもない。
【００３５】
実施の形態４．
図１２はこの発明の実施の形態４によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１から３では、扉枠体の扉側側面部および扉本体の側面部の両側に電磁波吸収部材を配置した場合について説明したが、どちらか片方に電磁波吸収部材を配置しても同様の効果が得られる。図では、電磁波吸収部材７を扉枠体２の扉側側面部に設けた場合を示している。この場合、電磁波吸収部材の使用量を減らして扉の重さを軽くすることができるという効果を有する。
【００３６】
実施の形態５．
図１３はこの発明の実施の形態５によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａ（第１の構成部材）と電磁波吸収部材７ｃ（第２の構成部材）は、扉枠体２の厚さ方向に並んで積み重ねられている。電磁波吸収部材７ｂ（第３の構成部材）と電磁波吸収部材７ｄ（第４の構成部材）は、扉本体１の厚さ方向に並んで積み重ねられている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されている。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄは、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４と金属板６ａの間に配設されている。
【００３７】
電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃには、電磁波吸収特性の異なる電磁波吸収部材が用いられている。同様に、電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄには、電磁波吸収特性の異なる電磁波吸収部材が用いられている。電磁波吸収部材７a〜７ｄに、周波数
に対する電磁波吸収特性が異なる材料を用いることにより、シールド扉１００は、広帯域で大きな減衰量を得ることができる。複数種類の電磁波吸収部材を用いても、部材の厚さを揃えることにより、扉本体１と扉枠体２の隙間は均一になり、電磁波吸収特性は安定する。
【００３８】
実施の形態６．
図１４はこの発明の実施の形態６によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。
電磁波吸収部材７ｃは、電磁波吸収部材７ａよりも扉枠体２の内部側に配置され、電磁波吸収部材７ｄは、電磁波吸収部材７ｂよりも扉本体１の内部側に配置されている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されている。扉枠体２の側面部１０ａに接して電磁波吸収部材７ｃが配設され、その上層に電磁波吸収部材７ａが配設されている。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄは、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４と金属板６ａの間に配設されている。扉本体１の側面部１０ｂに接して電磁波吸収部材７ｄが配設され、その上層に電磁波吸収部材７ｂが配設されている。
【００３９】
図１５は異なる材料に関して電磁波吸収特性を比較して示す図である。実線５１は電磁波吸収部材７ｃ、７ｄの電磁波吸収量を示している。実線５２は電磁波吸収部材７ａ、７ｂの電磁波吸収量を示している。電磁波吸収部材７ｃ、７ｄが最もよく電磁波を吸収する周波数帯域は、電磁波吸収部材７ａ、７ｂが電磁波を最もよく吸収する周波数帯域よりも低く設定されている。
【００４０】
電磁波は、周波数が高くなるほど表皮深さが浅くなるため、周波数が高い領域では材料の表面しか侵入しないのに対し、周波数が低い領域では材料の奥深くまで侵入する。図１６は電磁波吸収部材の厚さと電磁波吸収量の関係を示している。実線６１は電磁波の周波数が高いときの電磁波吸収量を示している。実線６２は電磁波の周波数が低いときの電磁波吸収量を示している。電磁波の周波数が低いと電磁波吸収部材の厚さが厚いほど吸収量は増加するが、電磁波の周波数が高くなると電磁波吸収部材の厚さが厚くなっても吸収量はさほど増加しない。
【００４１】
電磁波を吸収する周波数帯域の異なる電磁波吸収部材を用いる場合、隙間側に電磁波吸収帯域の高い材料を配設し、側面部の奥行き側に電磁波吸収帯域の低い材料を配設することにより、広帯域で大きな減衰量を得ることができる。電磁波吸収部材の厚さは、電磁波の周波数が低くなるほど所定の減衰量を得るために厚くする。このため、電磁波吸収部材７ｃ、７ｄの厚さを、それぞれ、電磁波吸収部材７ａ、７ｂの厚さより厚くしている。このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド扉を得ることができる。２種類の電磁波吸収部材を積層しているため、電磁波吸収部材のトータルの厚さ薄くすることができ、扉の厚さが薄くなる。２種類以上の多数の電磁波吸収部材を用いても、同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【００４２】
実施の形態７．
図１７はこの発明の実施の形態７によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波の周波数が低くなると所定の減衰量を得るための電磁波吸収部材の厚さを厚くする必要がある。このとき扉枠体側の電磁波吸収部材７ｃの厚みと扉本体側の電磁波吸収部材７ｄの厚みを合わせたトータルの厚さによって電磁波減衰量が決まるため、必ずしも両者の厚さを同じにする必要はない。実施の形態７で示したシールド扉においては、扉枠体側の電磁波吸収部材７ｃの厚さを扉本体側の電磁波吸収部材７ｄの厚さより厚くしている。
【００４３】
このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド性能を得ることができる。また、扉本体側の電磁波吸収部材の厚さを薄くできるため、扉本体を軽くでき、扉開閉時の操作性が向上すると共に、扉本体を支える丁番２０を小型化できる。
【００４４】
実施の形態８．
図１８はこの発明の実施の形態８によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃの間に膜状の仕切り金属板３１ａを設けている
。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄの間に膜状の仕切り金属板３１ｂを設けている。仕切り金属板３１ａの厚さは、電磁波吸収部材７ａが減衰させる周波数帯域の電磁波を反射し、電磁波吸収部材７ｃが減衰させる周波数帯域の電磁波を透過させる厚さとする。仕切り金属板３１ｂの厚さは、電磁波吸収部材７ｂが減衰させる周波数帯域の電磁波を反射し、電磁波吸収部材７ｄが減衰させる周波数帯域の電磁波を透過させる厚さとする。
【００４５】
このような構成にすることにより電磁波吸収部材７ａ、７ｂが減衰させる周波数帯域において、電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようになる。高い周波数でのシールド量の低下は防止できる。電磁波吸収部材７ｃ、７ｄが減衰させる周波数帯域の電磁波は金属膜を透過するために、この周波数帯域でのシールド量が低下することはない。
【００４６】
実施の形態９．
図１９はこの発明の実施の形態９によるシールド扉１００への電磁波吸収部材の取り付け方法を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂは断面が山型形状に加工されている。押さえ板８１は電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂの段差部に取り付ける。このような構成にすることにより、押さえ板８１の厚みによって電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂの間の隙間を広げることなく電磁波吸収部材７ａ、７ｂをシールド扉１００に取り付けることができる。押さえ板８１はポリカーボネイトなどの樹脂材料が望ましい。電磁波吸収部材７の段差部と押さえ板８１がかみ合うことにより、電磁波吸収部材７が扉本体１や扉枠体２に確実に固定される。押さえ板８１は、扉開閉に伴う振動によって電磁波吸収部材７が割れたり欠けたりすることを防止する。
【００４７】
実施の形態１０．
図２０はこの発明の実施の形態１０によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１から９では、電磁波吸収部材７ａが弾性導電部材３と金属板５ａの間にある例について説明した。実施の形態１０では、弾性導電部材３は扉枠体２の室内側に、弾性導電部材４は扉枠体２の室外側に、それぞれ取り付けられている。電磁波吸収部材７ａは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と弾性導電部材４の間に配設されている。金属板６ａは扉本体１の室内側に取り付けられている。金属板６ｂは扉本体１の室外側に取り付けられている。電磁波吸収部材７ｂは扉本体１の側面部１０ｂを囲み、金属板６ａと金属板６ｂの間に配設されている。弾性導電部材３と金属板６ａ、および弾性導電部材４と金属板６ｂによって、扉枠体２の金属部と扉本体１の金属部は電気的に接続されている。
【００４８】
このような構成にすることにより、実施の形態１の場合と同じように、扉枠体と扉本体の間の隙間から漏洩する電磁波は、導電接触部間で多重反射される。漏洩する電磁波が大きく減衰するため、電磁波吸収部材の幅を短くしても優れたシールド性能を得ることができる。電磁波吸収部材７ａ、７ｂの幅を短くできるので、扉の厚さ方向に電磁波吸収部材を配置することができ、扉の開口部が狭くならない。また、扉隙間を伝搬する電磁波の電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようになるため、シールド性能を更に向上させることができる。また、図２１に示すように扉枠側に金属板５ａと金属板５ｂを、扉本体側に弾性導電部材３と弾性導電部材４を取り付けても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４９】
実施の形態１１．
図２２はこの発明の実施の形態１１によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。扉本体１は室外側に設けられた外周縁１ａを備えている。扉枠体２は室内側に設けられた内周縁２ａを備えている。電磁波吸収部材７ａは内周縁２ａの室外側面に固定されている。電磁波吸収部材７ｂは外周縁１ａの室内側面に固定されている。電磁波吸収部材７ａ
は扉枠体２を囲み、弾性導電部材３と４の間に配設されている。電磁波吸収部材７ｂは、扉本体１を囲み、金属板６ａと金属板６ｂの間に配設されている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂはくし型形状とし、電磁波伝搬経路を迷路状にしている。
【００５０】
このような構成にすることにより、電磁波伝搬経路を長く取ることができ、大きなシールド性能を有するシールド扉を得ることができるという効果を有する。外周縁１ａと内周縁２ａに電磁波吸収体を配設しているため、扉厚さが厚くならない。また、扉枠体に弾性導電部材と金属板を取り付け、電磁波吸収部材を扉枠体の弾性導電部材と金属板の間に配設し、扉本体に弾性導電部材と金属板を取り付け、電磁波吸収部材を扉本体の弾性導電部材と金属板の間に配設しても同様の効果が得られる。
【００５１】
実施の形態１２．
図２３はこの発明の実施の形態１２によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１１と同様に、電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂをくし型形状としている。電磁波吸収部材７ａのくし歯に仕切り金属板３１ａを挿入している。電磁波吸収部材７ｂの間に仕切り金属板３１ｂを挿入している。このような構成にすることにより隙間を伝搬する電磁波の電界が電磁波吸収部材に直交させることができるため、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド扉を得ることができる。
【００５２】
実施の形態１３．
図２４はこの発明の実施の形態１３によるシールド扉１００の電磁波吸収部材の配置を示す図である。扉本体１の周囲に配設された電磁波吸収部材７ｂ、７ｄ、２３ｂのうち、床側部７１の厚さを他の部分（天井側部７４ｂおよび縦方向連結部７４ａ、７４ｃ）の厚さより厚くしている。同様に、扉枠体２の周囲に配設された電磁波吸収部材７ａ、７ｃ、２３ａのうち、床側部７３の厚さを他の部分（天井側部７２ｂおよび縦方向連結部７２ａ、７２ｃ）の厚さより薄くしている。
【００５３】
このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド性能を得ることができる。また、扉枠体２の下部の高さを低くすることができ、扉下部と床面との間にできる段差が小さくなる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 扉本体、２ 扉枠体、３ 弾性導電部材、４ 弾性導電部材、５ 金属板、６ 金属板、７ 電磁波吸収部材、８ 電磁波伝搬経路、９ 隙間、１０ 側面部、１１ 進行方向、１２ 電界方向、１３ 磁界方向、１４ 角度、２０ 丁番、２３ 電磁波吸収部材、３１ 仕切り金属板、７１ 床側部、７２ａ 縦方向連結部、７２ｂ 天井側部、７２ｃ 縦方向連結部、７３ 床側部、７４ａ 縦方向連結部、７４ｂ 天井側部、７４ｃ
縦方向連結部、１００ シールド扉
【技術分野】
【０００１】
この発明は電磁波シールド扉に関し、特にシールド性能の向上を目的とした扉本体と扉枠体の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電磁波シールド扉は、扉を閉めた状態で、建物の扉から漏れる電磁波をシールドする。扉本体と扉枠体の間の隙間から電磁波が侵入したり漏洩したりするのを防止するために、扉本体と扉枠体の間は導電接続されている。扉を閉めるときに必要となる加圧力を低減したり高周波でのシールド性能を向上させたりするために、電磁波吸収機構を導電接触部に併設した電磁波シールド扉も考案されている。
【０００３】
一般に電磁波シールド扉では、電磁波の周波数が高くなると共にシールド性能が低下する。特に１ＧＨｚ以上の周波数では、シールド性能が急激に低下する。導電接触部の接触抵抗をできるだけ小さくするため、扉本体と扉枠体の隙間全体に導電接触部を設けると共に扉を閉じる時の加圧力を大きくすることが行なわれている。このような扉では、大きな加圧力を得るために、ロック機構が必要になったり、扉の開閉力が大きくなったりして、扉開閉時の操作性が低下する。
【０００４】
この点を解決するために、特許文献１では、導電接触部に電磁波吸収機構を併設している。シールド性能は向上しているが、電磁波吸収機構として用いられる電磁波吸収材料による電磁波の減衰量は少ないため、十分なシールド量を得るには吸収材料を長くする必要がある。この文献に開示される構造では吸収材料を扉の厚み方向に設置することができないので、電磁波吸収機構は扉面と室内の壁との間に設置する必要がある。こうすると扉面の大きさに比べて扉開口部の大きさが狭くなる。
【０００５】
特許文献２では、電磁波シールド窓に対して、２つの電磁波遮蔽物と、その間の空間の側面に設けられた電磁波吸収材料の作用による多重反射を利用してシールド性能を向上させている。電磁波シールド窓には開閉機構が無く、広い透光面から侵入する電磁波をシールドする。この方法は、開閉機構を有する扉構造や扉本体と扉枠体の狭い隙間にはそのまま適用できない。
【０００６】
特許文献３では、２箇所に導電接触部を設けてシールド性能を向上させている。この場合、電磁波吸収材料を用いていないので、電磁波の周波数が高くなるとシールド性能が低下する。また、２箇所に導電接触部を設けているため、扉を閉じる時の加圧力が大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１１１２６９号公報
【特許文献２】特開２００２−１１８３９１号公報
【特許文献３】特開２００８−０３４５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、電磁波シールド扉のシールド性能と操作性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る電磁波シールド扉は、金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ扉枠体から片開きする扉本体とを備えている。扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第１の金属部材と、側面部を囲み第１の弾性導電部材と第１の金属部材の間に配設されている第１の電磁波吸収部材とを有している。扉本体は、室内側側面部を囲み第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、室外側側面部を囲み第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、側面部を囲み第２の弾性導電部材と第２の金属部材の間に配設されている第２の電磁波吸収部材とを有している。
【発明の効果】
【００１０】
この発明に係る電磁波シールド扉は、電磁波の周波数が高くなっても、扉開閉時の操作性を維持しながら、良好なシールド性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図３】実施の形態１によるシールド扉の詳細構成を示す断面図である。
【図４】導電接触部を有するシールド扉のシールド量を求める図である。
【図５】電磁波吸収部材を有するシールド扉のシールド量を求める図である。
【図６】隙間における電磁波の電界方向と磁界方向を示す断面図である。
【図７】シールド扉のシールド量と隙間の寸法関係を示す図である。
【図８】実施の形態２によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図９】実施の形態２によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図１０】実施の形態３によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１１】実施の形態３によるシールド扉の開状態を示す断面図である。
【図１２】実施の形態４によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１３】実施の形態５によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１４】実施の形態６によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１５】シールド扉に用いる電磁波吸収部材の電磁波吸収量の周波数特性を示す図である。
【図１６】シールド扉に用いる電磁波吸収部材の電磁波吸収量と電磁波吸収部材の厚みの関係を示す図である。
【図１７】実施の形態７によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１８】実施の形態８によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図１９】実施の形態９によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２０】実施の形態１０によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２１】実施の形態１０によるシールド扉の別の構成を示す断面図である。
【図２２】実施の形態１１によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２３】実施の形態１２によるシールド扉の構成を示す断面図である。
【図２４】実施の形態１３によるシールド扉の電磁波吸収部材の配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるシールド扉の構成を示す断面図である。シールド扉１００は、金属板５でシールドされている扉枠体２と、金属板６でシールドされ扉枠体２に取り付けられている扉本体１とから構成される。丁番２０は、室外側から見て扉本体１の右側端部に取り付けられている。丁番２０によって扉本体１は扉枠体２から片開きする。扉本体１の厚さは４０ｍｍから７０ｍｍ程度である。
【００１３】
扉本体１の開閉は、丁番２０を中心にして扉本体１を回転運動させることにより、矢印で表示される扉開閉方向に行なう。扉本体１と扉枠体２が干渉することなく開閉動作を行なうために、扉本体１と扉枠体２の間には、５ｍｍから１０ｍｍの隙間９が必要である。隙間９は、電磁波が侵入したり漏洩したりする電磁波伝搬経路８となる。扉枠体２の側面部（内周面）１０ａと扉本体１の側面部（外周面）１０ｂは、扉本体１の閉時に、対向する。
【００１４】
図２は、シールド扉１００が開いている状態を表している。弾性導電部材（第１の弾性導電部材）３は、扉枠体２の室内側に取り付けられていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板（第２の金属部材）６ａは扉本体１の室内側に取り付けられていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。金属板６ａは扉本体１の閉時に弾性導電部材３と接触し、かみ合うことで電磁波の漏洩を防ぐ。弾性導電部材（第２の弾性導電部材）４は扉本体１の室外側の側面部１０ｂに取り付けられ、扉本体１の外周を囲んでいる。金属板（第１の金属部材）５ａは、扉枠体２の室外側の側面部１０ａに設けられ、扉本体１の閉時に弾性導電部材４と接触し、かみ合う。金属板５に設けられた電磁波吸収部材（第１の電磁波吸収部材）７ａは弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板６に設けられた電磁波吸収部材（第１の電磁波吸収部材）７ｂは金属板６ａと弾性導電部材４の間に配設されていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。
【００１５】
扉枠体２に設けた金属板５と扉本体１に設けた金属板６は、金属板５に設けた弾性導電部材３と金属板６に設けた弾性導電部材４によって電気的に接続されている。金属板５、６と弾性導電部材３、４で囲まれた空間（隙間９）が扉本体１の全周囲に形成されるため、電磁波は細長い隙間形状の空間を伝搬する。この隙間形状の空間において、弾性導電部材３と金属板６ａの接触部から室内に電磁波が漏洩する。同様に金属板５ａと弾性導電部材４の接触部から室外に電磁波が漏洩する。金属板の途中からは電磁波は室内外に漏洩しないため、電磁波が室内外に漏れるのは、２箇所の接触部のみとなる。
【００１６】
実施の形態１では、電磁波吸収部材７ａ、７ｂの断面は矩形形状である。電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、磁性体材料や誘電体材料を用いることができる。電磁波は、磁性体損失や誘電体損失によって、隙間９を伝搬するうちに減衰する。特に、電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、磁性材料を用いた場合、１ＧＨｚ以下の比較的低い周波数においても高いシールド効果を得ることができる。電磁波吸収部材７ａ、７ｂとして、フェライトなどの磁性体や炭素粉などを含む電波吸収体を用いても良い。この場合、１ＧＨｚ以下の周波数においても高いシールド効果を得ることができる。
【００１７】
弾性導電部材３、４は、弾性を有していて、金属板５ａ、６ａを押し当てるとかみ合うことによって、電磁波の漏洩を防ぐことができる。弾性導電部材３、４には、伸縮性のある芯材を金属ワイヤや導電性繊維で被覆した導電性ガスケット、或は金属バネ形状のシールドフィンガーと呼ばれるガスケットが適している。この場合、扉本体１と扉枠体２の寸法公差によって多少の隙間が生じても、両者の電気的接続を確実に取ることができる。
【００１８】
次にシールド扉１００の動作を説明する。図３はシールド扉の片側の隙間の断面構造を示す図である。室外から室内に電磁波が侵入する場合の電磁波伝搬経路８の詳細を示したものである。室外から扉に達した電磁波は、弾性導電部材４と金属板５ａの接触部を通り、扉本体１と扉枠体２の隙間９に侵入する。隙間９を電磁波が伝搬する間に、隙間９の両側に配置された電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が弾性導電部材３と金属板６ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室内に漏れるが、大部分の電磁波は反射して隙間９の内部を逆方向に伝搬する。
【００１９】
このとき電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が弾性導電部材４と金属板５ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室外へ戻るが、大部分は反射して隙間９を最初と同一方向に伝搬する。このとき電磁波吸収部材７ａ、７ｂによって電磁波は減衰する。電磁波が再び弾性導電部材３と金属板６ａの接触部に到達すると、電磁波の一部は室内に漏れるが、大部分の電磁波は反射して隙間９を逆方向に伝搬する。図中には２回の反射しか記載していないが、実際は２つの導電接触部の間を何度も多重反射しながら電磁波が伝搬するため、電磁波吸収部材７ａ、７ｂよる減衰は非常に大きくなる。室内から室外に電磁波が漏洩する場合は電磁波の伝搬方向が逆になる。
【００２０】
次にシールド扉１００のシールド量を説明する。図４は電磁波吸収部材がないときのシールド量を求める図である。ここではシールド扉１００における２箇所の導電接触部Ａ、Ｂでの多重反射のみを考慮してシールド量を求めている。導電接触部Ａは弾性導電部材４と金属板５ａを象徴している。導電接触部Ｂは弾性導電部材３と金属板６ａを象徴している。導電接触部Ａと導電接触部Ｂのシールド量を４０ｄＢと仮定する。このとき入射波の１／１００が導電接触部を透過することになる。室外からの入射波の振幅を１０，０００とすると、導電接触部Ａでは、透過波の振幅は１００（＝１００００×１／１００）、反射波の振幅は９９００（＝１００００−１００）となる。振幅１００の透過波が隙間内に侵入するため、導電接触部Ｂでの入射波は振幅１００となり、透過波は振幅１、反射波は振幅９９となる。
【００２１】
導電接触部Ｂでの反射波は導電接触部Ａに到達し、透過波は０．９９、反射波は９８となる。この反射波は導電接触部Ｂに到達し、透過波は０．９８、反射は９７となる。以下同様に導電接触部Ａと導電接触部Ｂの間を多重反射しながら減衰してゼロになる。全体のシールド量は多重反射時のトータルの透過波によって決まる。最初に導電接触部Ｂで反射した電磁波（振幅９９）の半分ずつが室外側と室内側を透過するため、導電接触部Ｂを透過して室内に侵入する電磁波はトータルで振幅５０．５（＝９９／２＋１）となる。このときのシールド量は４６ｄＢになる。このように電磁波の反射でシールドをおこなっている導電接触部を多段にしても、シールド量は単純加算の８０ｄＢにならない。
【００２２】
図５は電磁波吸収部材が有るときのシールド量を求める図である。導電接触部Ａと導電接触部Ｂのシールド量を４０ｄＢ、電磁波吸収部材７による電磁波の減衰を２０ｄＢと仮定する。このとき、電磁波は隙間９を伝搬中に振幅が１／１０に減衰する。室外からの入射波の振幅を１０，０００とする。導電接触部Ａでの透過波の振幅は１００となる。透過波は隙間内の電磁波吸収部材７で減衰し、導電接触部Ｂに到達すると振幅は１０になる。導電接触部Ｂでの透過波の振幅は０．１である。導電接触部Ｂでの反射波は９．９となり、導電接触部Ａに到達すると振幅は０．９９に減衰する。導電接触部Ａで反射して導電接触部Ｂに到達すると振幅は０．０９８に減衰する。導電接触部Ｂでの透過波の振幅は０．０００９８である。
【００２３】
このように電磁波は電磁波吸収部材で減衰しながら多重反射を繰り返す。１往復することにより到達波の振幅は元の１／００（往復分）に減衰する。このため、３回目以降の到達波を考慮する必要は無い。従って、トータルの透過波の振幅は、９．８／１００００＋０．１＝０．１００９８となる。すなわち２重ガスケット（導電接触部Ａ、Ｂ）と電磁波吸収体を組み合わせた系のシールド量は―９９．９ｄＢとなる。この値は、単純加算した１００ｄＢ（＝４０ｄＢ＋４０ｄＢ＋２０ｄＢ）と等しい。このように、２箇所の導電接触部の間に電磁波吸収部材を配置することにより、シールド量は４６ｄＢから１００ｄＢと非常に大きくなる。電磁波吸収部材の両側に導電接触部を設ける構造にすることにより、所定のシールド量を得るために電磁波吸収体の長さを非常に短くすることができる。
【００２４】
次に隙間９を伝搬する電磁波の電磁波吸収部材による減衰について説明する。図６は隙
間９を伝搬する電磁波の電界と磁界の方向を示している。隙間９を伝搬する電磁波の進行方向１１に対し、電界方向１２は金属板５ａ、６ａにほぼ垂直になる。磁界方向１３は電磁波吸収部材７ａ、７ｂにほぼ平行となる。角度１４は金属板５、６の法線と電界方向１２のなす角度を指す。電界方向１２が電磁波吸収部材７と直交すると大きな減衰量が得られる。角度１４が大きくなると減衰量が低下して、所定のシールド量を得るために必要な電磁波吸収部材の長さが長くなる。
【００２５】
金属板に挟まれた隙間９を伝搬する電磁波は、隙間９の長さＡと隙間９の間隔Ｂに関係する。比率Ａ／Ｂが大きいほど、電界方向１２は金属板に垂直に近くなり、シールド量が大きくなる。図７に比率Ａ／Ｂとシールド量の関係を示す。実線１８は、金属板５、６が導電接触部で電気的に接続されている場合である。比率Ａ／Ｂ＞１となると角度１４がほとんどゼロになるため、電磁波吸収部材による減衰量が大きくなり大きなシールド量を得ることができる。一方、比率Ａ／Ｂ＜１では、角度１４が大きくなり、電磁波吸収部材の減衰効果がほとんど現れずに、シールド量は小さい。
【００２６】
通常のシールド扉では、隙間９の長さＡに相当する扉厚さは６０ｍｍ程度であるのに対し、扉枠体と扉本体の隙間Ｂは６ｍｍ程度である。比率Ａ／Ｂ＝１０となり、大きなシールド量を得ることができ、必要なシールド量を得るための電磁波吸収部材の長さを非常に短くすることができる。これに対して、特許文献２に示した窓枠では、隙間の長さＡに相当する窓厚さは１０ｍｍ程度なのに対し、隙間に相当する窓幅は１００ｍｍ程度である。この場合、比率Ａ／Ｂは０．０１となり、大きなシールド量を得ることはできない。
【００２７】
図７の実線１９は、金属板５、６が導電接触部Ａ、Ｂで電気的に接続されていない場合である。この場合、金属板５と金属板６の高周波的な電位が異なるため、角度１４が大きくなる。電磁波吸収部材の減衰効果がほとんど現れずに、シールド量は小さくなる。文献２に示した窓枠では、電磁波遮蔽層と窓枠の間に電磁波吸収部材がある。２つの電磁波遮蔽層間の電気的導通が取れないため、大きなシールド効果を得ることはできない。
【００２８】
以上から、この発明によれば、扉枠体と扉本体の間の隙間を漏洩する電磁波を、導電接触部間の多重反射を利用して大きく減衰させることができ、電磁波吸収部材の長さを短くしても優れたシールド性能を得ることができる。電磁波吸収部材を短くできるので、扉の厚さ方向に電磁波吸収部材を配置することができ、扉の開口部が狭くならないという効果を有する。また、扉隙間を伝搬する電磁波の電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようなるため、シールド性能を更に向上させることができる。
【００２９】
実施の形態２．
図８はこの発明の実施の形態２によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。図中に示す形態は、扉本体１と扉枠体２の角部に電磁波吸収部材を配置した構成である。図９は実施の形態２によるシールド扉の開状態を示している。電磁波吸収部材７ａ、７ｂは断面が山型形状を呈している。
【００３０】
このような構成にすることにより、扉開口部の面積をあまり減少させずに扉厚さを薄くすることができる。また扉本体や扉枠体の角部に合わせて電磁波吸収部材を取り付ければよいので、取り付け精度を向上させることができ、扉隙間の管理を容易に行なうことができるようになる。
【００３１】
実施の形態３．
図１０はこの発明の実施の形態３によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。図中に示す形態は、導電接触部と電磁波吸収部材を多段にした構成である。図１１は実施の形態３によるシールド扉の開状態を示している。
【００３２】
電磁波吸収部材２３ａ（第３の電磁波吸収部材）は、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３（第１の弾性導電部材）と金属板５ａ（第１の金属部材）の間であって、電磁波吸収部材７ａ（第１の電磁波吸収部材）よりも金属板５ａ側に配設されている。電磁波吸収部材２３ｂ（第４の電磁波吸収部材）は、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４（第２の弾性導電部材）と金属板６ａ（第２の金属部材）の間であって、電磁波吸収部材７ｂ（第２の電磁波吸収部材）よりも弾性導電部材４側に配設されている。
【００３３】
金属板５に設けられた弾性導電部材２２（第３の弾性導電部材）は、電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材２３ａの間に配設されていて、扉枠体２の側面部１０ａを囲んでいる。金属板６に設けられた金属板６ｂ（第３の金属部材）は、電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材２３ｂの間に配設されていて、扉本体１の側面部１０ｂを囲んでいる。弾性導電部材２２と金属板６ｂは、扉本体１の閉時に、接触しかみ合うことで、電磁波の漏洩を防ぐ。
【００３４】
このような構成にすることにより、広帯域で大きな減衰量を得ることができるシールド扉を得ることができる。また、このような構成にすることにより、特性の異なる電磁波吸収部材を用いることができるようになる。電磁波吸収部材が減衰させる電磁波の周波数が異なる材料を用いることにより、広帯域で大きな減衰量を得ることのできるシールド扉とすることができる。中央の弾性導電部材２２は、無くても同様の効果を有することは言うまでもない。
【００３５】
実施の形態４．
図１２はこの発明の実施の形態４によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１から３では、扉枠体の扉側側面部および扉本体の側面部の両側に電磁波吸収部材を配置した場合について説明したが、どちらか片方に電磁波吸収部材を配置しても同様の効果が得られる。図では、電磁波吸収部材７を扉枠体２の扉側側面部に設けた場合を示している。この場合、電磁波吸収部材の使用量を減らして扉の重さを軽くすることができるという効果を有する。
【００３６】
実施の形態５．
図１３はこの発明の実施の形態５によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａ（第１の構成部材）と電磁波吸収部材７ｃ（第２の構成部材）は、扉枠体２の厚さ方向に並んで積み重ねられている。電磁波吸収部材７ｂ（第３の構成部材）と電磁波吸収部材７ｄ（第４の構成部材）は、扉本体１の厚さ方向に並んで積み重ねられている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されている。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄは、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４と金属板６ａの間に配設されている。
【００３７】
電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃには、電磁波吸収特性の異なる電磁波吸収部材が用いられている。同様に、電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄには、電磁波吸収特性の異なる電磁波吸収部材が用いられている。電磁波吸収部材７a〜７ｄに、周波数
に対する電磁波吸収特性が異なる材料を用いることにより、シールド扉１００は、広帯域で大きな減衰量を得ることができる。複数種類の電磁波吸収部材を用いても、部材の厚さを揃えることにより、扉本体１と扉枠体２の隙間は均一になり、電磁波吸収特性は安定する。
【００３８】
実施の形態６．
図１４はこの発明の実施の形態６によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。
電磁波吸収部材７ｃは、電磁波吸収部材７ａよりも扉枠体２の内部側に配置され、電磁波吸収部材７ｄは、電磁波吸収部材７ｂよりも扉本体１の内部側に配置されている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と金属板５ａの間に配設されている。扉枠体２の側面部１０ａに接して電磁波吸収部材７ｃが配設され、その上層に電磁波吸収部材７ａが配設されている。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄは、扉本体１の側面部１０ｂを囲み、弾性導電部材４と金属板６ａの間に配設されている。扉本体１の側面部１０ｂに接して電磁波吸収部材７ｄが配設され、その上層に電磁波吸収部材７ｂが配設されている。
【００３９】
図１５は異なる材料に関して電磁波吸収特性を比較して示す図である。実線５１は電磁波吸収部材７ｃ、７ｄの電磁波吸収量を示している。実線５２は電磁波吸収部材７ａ、７ｂの電磁波吸収量を示している。電磁波吸収部材７ｃ、７ｄが最もよく電磁波を吸収する周波数帯域は、電磁波吸収部材７ａ、７ｂが電磁波を最もよく吸収する周波数帯域よりも低く設定されている。
【００４０】
電磁波は、周波数が高くなるほど表皮深さが浅くなるため、周波数が高い領域では材料の表面しか侵入しないのに対し、周波数が低い領域では材料の奥深くまで侵入する。図１６は電磁波吸収部材の厚さと電磁波吸収量の関係を示している。実線６１は電磁波の周波数が高いときの電磁波吸収量を示している。実線６２は電磁波の周波数が低いときの電磁波吸収量を示している。電磁波の周波数が低いと電磁波吸収部材の厚さが厚いほど吸収量は増加するが、電磁波の周波数が高くなると電磁波吸収部材の厚さが厚くなっても吸収量はさほど増加しない。
【００４１】
電磁波を吸収する周波数帯域の異なる電磁波吸収部材を用いる場合、隙間側に電磁波吸収帯域の高い材料を配設し、側面部の奥行き側に電磁波吸収帯域の低い材料を配設することにより、広帯域で大きな減衰量を得ることができる。電磁波吸収部材の厚さは、電磁波の周波数が低くなるほど所定の減衰量を得るために厚くする。このため、電磁波吸収部材７ｃ、７ｄの厚さを、それぞれ、電磁波吸収部材７ａ、７ｂの厚さより厚くしている。このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド扉を得ることができる。２種類の電磁波吸収部材を積層しているため、電磁波吸収部材のトータルの厚さ薄くすることができ、扉の厚さが薄くなる。２種類以上の多数の電磁波吸収部材を用いても、同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【００４２】
実施の形態７．
図１７はこの発明の実施の形態７によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波の周波数が低くなると所定の減衰量を得るための電磁波吸収部材の厚さを厚くする必要がある。このとき扉枠体側の電磁波吸収部材７ｃの厚みと扉本体側の電磁波吸収部材７ｄの厚みを合わせたトータルの厚さによって電磁波減衰量が決まるため、必ずしも両者の厚さを同じにする必要はない。実施の形態７で示したシールド扉においては、扉枠体側の電磁波吸収部材７ｃの厚さを扉本体側の電磁波吸収部材７ｄの厚さより厚くしている。
【００４３】
このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド性能を得ることができる。また、扉本体側の電磁波吸収部材の厚さを薄くできるため、扉本体を軽くでき、扉開閉時の操作性が向上すると共に、扉本体を支える丁番２０を小型化できる。
【００４４】
実施の形態８．
図１８はこの発明の実施の形態８によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｃの間に膜状の仕切り金属板３１ａを設けている
。電磁波吸収部材７ｂと電磁波吸収部材７ｄの間に膜状の仕切り金属板３１ｂを設けている。仕切り金属板３１ａの厚さは、電磁波吸収部材７ａが減衰させる周波数帯域の電磁波を反射し、電磁波吸収部材７ｃが減衰させる周波数帯域の電磁波を透過させる厚さとする。仕切り金属板３１ｂの厚さは、電磁波吸収部材７ｂが減衰させる周波数帯域の電磁波を反射し、電磁波吸収部材７ｄが減衰させる周波数帯域の電磁波を透過させる厚さとする。
【００４５】
このような構成にすることにより電磁波吸収部材７ａ、７ｂが減衰させる周波数帯域において、電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようになる。高い周波数でのシールド量の低下は防止できる。電磁波吸収部材７ｃ、７ｄが減衰させる周波数帯域の電磁波は金属膜を透過するために、この周波数帯域でのシールド量が低下することはない。
【００４６】
実施の形態９．
図１９はこの発明の実施の形態９によるシールド扉１００への電磁波吸収部材の取り付け方法を示す断面図である。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂは断面が山型形状に加工されている。押さえ板８１は電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂの段差部に取り付ける。このような構成にすることにより、押さえ板８１の厚みによって電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂの間の隙間を広げることなく電磁波吸収部材７ａ、７ｂをシールド扉１００に取り付けることができる。押さえ板８１はポリカーボネイトなどの樹脂材料が望ましい。電磁波吸収部材７の段差部と押さえ板８１がかみ合うことにより、電磁波吸収部材７が扉本体１や扉枠体２に確実に固定される。押さえ板８１は、扉開閉に伴う振動によって電磁波吸収部材７が割れたり欠けたりすることを防止する。
【００４７】
実施の形態１０．
図２０はこの発明の実施の形態１０によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１から９では、電磁波吸収部材７ａが弾性導電部材３と金属板５ａの間にある例について説明した。実施の形態１０では、弾性導電部材３は扉枠体２の室内側に、弾性導電部材４は扉枠体２の室外側に、それぞれ取り付けられている。電磁波吸収部材７ａは、扉枠体２の側面部１０ａを囲み、弾性導電部材３と弾性導電部材４の間に配設されている。金属板６ａは扉本体１の室内側に取り付けられている。金属板６ｂは扉本体１の室外側に取り付けられている。電磁波吸収部材７ｂは扉本体１の側面部１０ｂを囲み、金属板６ａと金属板６ｂの間に配設されている。弾性導電部材３と金属板６ａ、および弾性導電部材４と金属板６ｂによって、扉枠体２の金属部と扉本体１の金属部は電気的に接続されている。
【００４８】
このような構成にすることにより、実施の形態１の場合と同じように、扉枠体と扉本体の間の隙間から漏洩する電磁波は、導電接触部間で多重反射される。漏洩する電磁波が大きく減衰するため、電磁波吸収部材の幅を短くしても優れたシールド性能を得ることができる。電磁波吸収部材７ａ、７ｂの幅を短くできるので、扉の厚さ方向に電磁波吸収部材を配置することができ、扉の開口部が狭くならない。また、扉隙間を伝搬する電磁波の電界方向を電磁波吸収部材に直交させることができるようになるため、シールド性能を更に向上させることができる。また、図２１に示すように扉枠側に金属板５ａと金属板５ｂを、扉本体側に弾性導電部材３と弾性導電部材４を取り付けても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４９】
実施の形態１１．
図２２はこの発明の実施の形態１１によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。扉本体１は室外側に設けられた外周縁１ａを備えている。扉枠体２は室内側に設けられた内周縁２ａを備えている。電磁波吸収部材７ａは内周縁２ａの室外側面に固定されている。電磁波吸収部材７ｂは外周縁１ａの室内側面に固定されている。電磁波吸収部材７ａ
は扉枠体２を囲み、弾性導電部材３と４の間に配設されている。電磁波吸収部材７ｂは、扉本体１を囲み、金属板６ａと金属板６ｂの間に配設されている。電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂはくし型形状とし、電磁波伝搬経路を迷路状にしている。
【００５０】
このような構成にすることにより、電磁波伝搬経路を長く取ることができ、大きなシールド性能を有するシールド扉を得ることができるという効果を有する。外周縁１ａと内周縁２ａに電磁波吸収体を配設しているため、扉厚さが厚くならない。また、扉枠体に弾性導電部材と金属板を取り付け、電磁波吸収部材を扉枠体の弾性導電部材と金属板の間に配設し、扉本体に弾性導電部材と金属板を取り付け、電磁波吸収部材を扉本体の弾性導電部材と金属板の間に配設しても同様の効果が得られる。
【００５１】
実施の形態１２．
図２３はこの発明の実施の形態１２によるシールド扉１００の構成を示す断面図である。実施の形態１１と同様に、電磁波吸収部材７ａと電磁波吸収部材７ｂをくし型形状としている。電磁波吸収部材７ａのくし歯に仕切り金属板３１ａを挿入している。電磁波吸収部材７ｂの間に仕切り金属板３１ｂを挿入している。このような構成にすることにより隙間を伝搬する電磁波の電界が電磁波吸収部材に直交させることができるため、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド扉を得ることができる。
【００５２】
実施の形態１３．
図２４はこの発明の実施の形態１３によるシールド扉１００の電磁波吸収部材の配置を示す図である。扉本体１の周囲に配設された電磁波吸収部材７ｂ、７ｄ、２３ｂのうち、床側部７１の厚さを他の部分（天井側部７４ｂおよび縦方向連結部７４ａ、７４ｃ）の厚さより厚くしている。同様に、扉枠体２の周囲に配設された電磁波吸収部材７ａ、７ｃ、２３ａのうち、床側部７３の厚さを他の部分（天井側部７２ｂおよび縦方向連結部７２ａ、７２ｃ）の厚さより薄くしている。
【００５３】
このような構成にすることにより、数十ＭＨｚから数十ＧＨｚまでの広い周波数範囲にて良好なシールド性能を有するシールド性能を得ることができる。また、扉枠体２の下部の高さを低くすることができ、扉下部と床面との間にできる段差が小さくなる。
【符号の説明】
【００５４】
１ 扉本体、２ 扉枠体、３ 弾性導電部材、４ 弾性導電部材、５ 金属板、６ 金属板、７ 電磁波吸収部材、８ 電磁波伝搬経路、９ 隙間、１０ 側面部、１１ 進行方向、１２ 電界方向、１３ 磁界方向、１４ 角度、２０ 丁番、２３ 電磁波吸収部材、３１ 仕切り金属板、７１ 床側部、７２ａ 縦方向連結部、７２ｂ 天井側部、７２ｃ 縦方向連結部、７３ 床側部、７４ａ 縦方向連結部、７４ｂ 天井側部、７４ｃ
縦方向連結部、１００ シールド扉
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第１の金属部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第１の金属部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、室外側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記第２の弾性導電部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２】
前記第１の電磁波吸収部材および前記第２の電磁波吸収部材は断面が矩形形状であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項３】
前記第１の電磁波吸収部材および前記第２の電磁波吸収部材は断面が山型形状であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項４】
前記扉枠体の側面部を囲み前記第１の電磁波吸収部材と前記第１の金属部材の間に配設されている第３の電磁波吸収部材と、
前記扉本体の側面部を囲み前記第２の電磁波吸収部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設されている第４の電磁波吸収部材とを
有していることを特徴とする請求項２に記載の電磁波シールド扉。
【請求項５】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第３の電磁波吸収部材の間に配設され、前記扉枠体の側面部を囲む第３の弾性導電部材と、
前記第２の電磁波吸収部材と前記第４の電磁波吸収部材の間に配設され、前記扉本体の側面部を囲んでおり、前記第３の弾性導電部材と接触する第３の金属部材とを
有していることを特徴とする請求項４に記載の電磁波シールド扉。
【請求項６】
前記第３の電磁波吸収部材および前記第４の電磁波吸収部材は断面が矩形形状であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波シールド扉。
【請求項７】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体の室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、
前記扉枠体の室外側側面部を囲む第１の金属部材と、
前記扉本体の室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、前記扉本体の室外側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記扉枠体の側面部または前記扉本体の側面部を囲む電磁波吸収部材と
を有している電磁波シールド扉。
【請求項８】
前記扉本体と前記扉枠体の隙間の長さをＡとし、前記扉本体と前記扉枠体の隙間の幅をＢとすると、比率Ａ／Ｂが１よりも大きいことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【請求項９】
前記電磁波吸収部材が磁性体材料を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１０】
前記第１の電磁波吸収部材は電磁波に対する吸収ピークの位置が異なる第１の構成部材
と第２の構成部材から構成され、前記第２の電磁波吸収部材は電磁波に対する吸収ピークの位置が異なる第３の構成部材と第４の構成部材から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１１】
前記第１の構成部材の吸収ピークは前記第２の構成部材の吸収ピークよりも高周波側にシフトし、前記第３の構成部材の吸収ピークは前記第４の構成部材の吸収ピークよりも高周波側にシフトしていることを特徴とする請求項１０に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１２】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は前記扉枠体の厚さ方向に並列配置され、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は前記扉本体の厚さ方向に並列配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１３】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は前記扉枠体の側面部から前記扉枠体の内部側に向かう方向に積層され、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は前記扉本体の側面部から前記扉本体の内部側に向かう方向に積層されていることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１４】
前記第２の構成部材は前記第１の構成部材よりも前記扉枠体の内部側に配置され、前記第４の構成部材は、前記第３の構成部材よりも前記扉本体の内部側に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１５】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は金属膜で仕切られ、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は金属膜で仕切られていることを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１６】
前記第１の構成部材は前記第２の構成部材よりも薄いことを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１７】
前記第１の電磁波吸収部材は前記第２の電磁波吸収部材よりも厚いことを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１８】
前記第１の電磁波吸収部材は第１の押さえ板によって前記扉枠体に取り付けられ、前記第２の電磁波吸収部材は第２の押さえ板によって前記扉本体に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１９】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第２の弾性導電部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第１の金属部材と、室外側側面部を囲み前記第２の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２０】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の金属部材と、室外側側面部を囲む第２の金属部材と、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲み前記第２の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２１】
金属でシールドされ内周を囲む内周縁が室内側側面部に設けられている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きし、かつ外周を囲む外周縁が室外側側面部に設けられている扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、前記内周縁を囲み前記内周縁の室外側に配設された第１の電磁波吸収部材を有しており、
前記扉本体は、前記外周縁を囲み前記外周縁の室内側に配設された第２の電磁波吸収部材を有している電磁波シールド扉。
【請求項２２】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、くし歯を有するくし型に形成され、扉本体の閉時に相互に噛合することを特徴とする請求項２１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項２３】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、前記くし歯が金属膜で仕切られていることを特徴とする請求項２２に記載の電磁波シールド扉。
【請求項２４】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、床側部、天井側部、および縦方向部から構成され、前記第１の電磁波吸収部材は、前記床側部が前記天井側部および前記縦方向部よりも薄く、前記第２の電磁波吸収部材は、前記床側部が前記天井側部および前記縦方向部よりも厚いことを特徴とする請求項１から２３のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第１の金属部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第１の金属部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、室外側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記第２の弾性導電部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２】
前記第１の電磁波吸収部材および前記第２の電磁波吸収部材は断面が矩形形状であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項３】
前記第１の電磁波吸収部材および前記第２の電磁波吸収部材は断面が山型形状であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項４】
前記扉枠体の側面部を囲み前記第１の電磁波吸収部材と前記第１の金属部材の間に配設されている第３の電磁波吸収部材と、
前記扉本体の側面部を囲み前記第２の電磁波吸収部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設されている第４の電磁波吸収部材とを
有していることを特徴とする請求項２に記載の電磁波シールド扉。
【請求項５】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第３の電磁波吸収部材の間に配設され、前記扉枠体の側面部を囲む第３の弾性導電部材と、
前記第２の電磁波吸収部材と前記第４の電磁波吸収部材の間に配設され、前記扉本体の側面部を囲んでおり、前記第３の弾性導電部材と接触する第３の金属部材とを
有していることを特徴とする請求項４に記載の電磁波シールド扉。
【請求項６】
前記第３の電磁波吸収部材および前記第４の電磁波吸収部材は断面が矩形形状であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波シールド扉。
【請求項７】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体の室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、
前記扉枠体の室外側側面部を囲む第１の金属部材と、
前記扉本体の室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、前記扉本体の室外側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記扉枠体の側面部または前記扉本体の側面部を囲む電磁波吸収部材と
を有している電磁波シールド扉。
【請求項８】
前記扉本体と前記扉枠体の隙間の長さをＡとし、前記扉本体と前記扉枠体の隙間の幅をＢとすると、比率Ａ／Ｂが１よりも大きいことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【請求項９】
前記電磁波吸収部材が磁性体材料を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１０】
前記第１の電磁波吸収部材は電磁波に対する吸収ピークの位置が異なる第１の構成部材
と第２の構成部材から構成され、前記第２の電磁波吸収部材は電磁波に対する吸収ピークの位置が異なる第３の構成部材と第４の構成部材から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１１】
前記第１の構成部材の吸収ピークは前記第２の構成部材の吸収ピークよりも高周波側にシフトし、前記第３の構成部材の吸収ピークは前記第４の構成部材の吸収ピークよりも高周波側にシフトしていることを特徴とする請求項１０に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１２】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は前記扉枠体の厚さ方向に並列配置され、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は前記扉本体の厚さ方向に並列配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１３】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は前記扉枠体の側面部から前記扉枠体の内部側に向かう方向に積層され、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は前記扉本体の側面部から前記扉本体の内部側に向かう方向に積層されていることを特徴とする請求項１１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１４】
前記第２の構成部材は前記第１の構成部材よりも前記扉枠体の内部側に配置され、前記第４の構成部材は、前記第３の構成部材よりも前記扉本体の内部側に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１５】
前記第１の構成部材と前記第２の構成部材は金属膜で仕切られ、前記第３の構成部材と前記第４の構成部材は金属膜で仕切られていることを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１６】
前記第１の構成部材は前記第２の構成部材よりも薄いことを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１７】
前記第１の電磁波吸収部材は前記第２の電磁波吸収部材よりも厚いことを特徴とする請求項１３に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１８】
前記第１の電磁波吸収部材は第１の押さえ板によって前記扉枠体に取り付けられ、前記第２の電磁波吸収部材は第２の押さえ板によって前記扉本体に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項１９】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲む第２の弾性導電部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の弾性導電部材と接触する第１の金属部材と、室外側側面部を囲み前記第２の弾性導電部材と接触する第２の金属部材と、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２０】
金属でシールドされている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きする扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、室内側側面部を囲む第１の金属部材と、室外側側面部を囲む第２の金属部材と、前記第１の金属部材と前記第２の金属部材の間に配設され側面部を囲む第１の電磁波吸収部材とを有しており、
前記扉本体は、室内側側面部を囲み前記第１の金属部材と接触する第１の弾性導電部材と、室外側側面部を囲み前記第２の金属部材と接触する第２の弾性導電部材と、前記第１の弾性導電部材と前記第２の弾性導電部材の間に配設され側面部を囲む第２の電磁波吸収部材とを有している電磁波シールド扉。
【請求項２１】
金属でシールドされ内周を囲む内周縁が室内側側面部に設けられている扉枠体と、金属でシールドされ前記扉枠体から片開きし、かつ外周を囲む外周縁が室外側側面部に設けられている扉本体とを備えている電磁波シールド扉において、
前記扉枠体は、前記内周縁を囲み前記内周縁の室外側に配設された第１の電磁波吸収部材を有しており、
前記扉本体は、前記外周縁を囲み前記外周縁の室内側に配設された第２の電磁波吸収部材を有している電磁波シールド扉。
【請求項２２】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、くし歯を有するくし型に形成され、扉本体の閉時に相互に噛合することを特徴とする請求項２１に記載の電磁波シールド扉。
【請求項２３】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、前記くし歯が金属膜で仕切られていることを特徴とする請求項２２に記載の電磁波シールド扉。
【請求項２４】
前記第１の電磁波吸収部材と前記第２の電磁波吸収部材は、床側部、天井側部、および縦方向部から構成され、前記第１の電磁波吸収部材は、前記床側部が前記天井側部および前記縦方向部よりも薄く、前記第２の電磁波吸収部材は、前記床側部が前記天井側部および前記縦方向部よりも厚いことを特徴とする請求項１から２３のいずれか１項に記載の電磁波シールド扉。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１２−１６９６０４（Ｐ２０１２−１６９６０４Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１１６６０（Ｐ２０１２−１１６６０）
【出願日】平成２４年１月２４日（２０１２．１．２４）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月２４日（２０１２．１．２４）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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