青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造及びその作製方法
【課題】半導体や、光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等に好適に適用することができる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供する。
【解決手段】基板Ｓと被覆層モジュールＭとを備え、前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物と、チタン酸化物を含有する混合物被覆層、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層させて構成する。
【解決手段】基板Ｓと被覆層モジュールＭとを備え、前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物と、チタン酸化物を含有する混合物被覆層、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層させて構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆層構造及びその作製方法に関し、特に、青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の反射防止光学被覆層の多層構造は、いずれも、光学被覆層の表層の物質が低屈折率を有するという通則を利用しており、例えば、ＳｉＯ2は屈折率が１．４６、また、ＭｇＦ2は屈折率が１．３８である。
しかしながら、該反射防止被覆層を、ディスプレイ工業、例えば、静電気防止効果のあるコンピュータモニタ、液晶ディスプレイまたはプラズマディスプレイに用いられる低反射ガラスに適用する場合、大量生産の工程では、前記光学被覆層構造の導電層が、絶縁層（例えば、ＳｉＯ2またはＭｇＦ2）で焼結するという課題を有していた。
【０００３】
反射防止被覆層の基本的な設計ルールは、基板表面に形成される第１層が高屈折率（Ｈと表記する）の物質からなり、その上に、低屈折率（Ｌと表記する）の物質からなる第２層を形成するというものである。
したがって、従来の反射防止被覆層の多層構造の設計ルールは、ＨＬＨＬまたはＨＬＨＬＨＬであり、例えば、高屈折率（Ｈ）の物質をＩＴＯ、低屈折率（Ｌ）の物質をＳｉＯ2とすると、前記４層構造の場合は、ガラス／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／ＳｉＯ2となる。
前記ＩＴＯは、透明な導電物質であるため、該多層構造の被覆層は１００Ω／ｍ2未満であり、該導電被覆層が接地される際に、電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽または静電気放電に用いることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来の光学多層構造は、表面物質がＳｉＯ2であり、かつ、その厚さが１０００Åであり、該ＳｉＯ2は、高密度で、不活性で、電気絶縁性に優れていることから、反射防止被覆層をディスプレイ工業に適用する過程において、外層のＳｉＯ2層を、隔てられている焼結ＩＴＯ層に電気的に接続することは困難である。
【０００５】
このため、金属を前記ＩＴＯ層に接続する接地工程においては、超音波溶接プロセスにより、該ＳｉＯ2層を破って、ハンダボールと前記ＩＴＯ層との良好な接触を確保する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このプロセスは、反射防止被覆層の大量生産には適しているとは言えない。
しかも、前記超音波溶接プロセスでは、液体錫及び超音波の出力エネルギーにより、微細の汚染物が生じ、また、該超音波溶接プロセスでは、前記該絶縁層を均一な深さで破り、均一な接触抵抗を得られるとは限らないため、バスライン毎に非永続型の接触抵抗を発生する場合がある。
【０００７】
このような問題点は、従来の電磁干渉防止及び反射防止被覆層を用いるプロセスでの歩留まり及び信頼性を低下させる。
【０００８】
図６Ａに、従来の加工されていないガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図６Ａから、加工されていない（ガラス上に被覆層が形成されていない場合）ガラスを光線が透過する時、異なる光波長で、いずれも約９２％と同じ光透過率であることが分かる。
【０００９】
また、図６Ｂに、従来の加工済みのガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図６Ｂから、加工済み（ガラス上に予め設定された電磁干渉（ＥＭＩ）防止被覆層が形成されている場合）のガラスを光が透過する時、異なる光波長では、光透過率が異なることが分かる。特に、青色光の近辺（最も左側の領域）と赤色光の近辺（最も右側の領域）の光波長は、その透過率が、１０％程度まで低下することが明らかである。
【００１０】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、半導体や、光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等に好適に適用することができる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することを主な目的とする。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、表層の物質が透過可能な表面導電層であり、該表面導電層の光反射率が０．５％未満であり、低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、その透過率が５５〜７０％である青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、高導電性であり、プラズマディスプレイの製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点が得られる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。例えば、前記被覆層構造の表面抵抗が、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格ＭＩＬ−Ｃ−４８４９７の耐磨耗テストを満たすものである。
【００１３】
さらに、本発明の他の目的は、被覆層モジュールを作製した後、まず、前記被覆層モジュールの上面に、サイズが前記被覆層モジュールより小さい遮断板を設置し、前記被覆層モジュールの上面の周縁を露出させ、その後、導電層を前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布して、接地に供することにより、良好な電気接続が得られ、また、前記導電層が銀ペーストである青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【００１４】
さらにまた、本発明の他の目的は、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層を使用することにより、色が青色に近い透過光が生成される青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記目的を達成するため、基板と、前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供する。
【００１６】
また、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、表層が良好な導電特性を有しているため、接地工程のための作業負荷を低減させることができ、大量生産の収率や信頼度の向上を図ることができる。このため、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、上記目的を達成するための本発明の技術、手段及び効果を、より詳細に説明するが、本発明は、添付図面及び実施例によって、制限されるものではない。
【００１９】
図１は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造であり、基板Ｓと被覆層モジュールＭを備えている。
前記基板Ｓは、プラスチックフィルムまたはガラスであることが好ましい。また、被覆層モジュールＭは、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイの基本被覆層とすることができる。
【００２０】
前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成された第１被覆層１と、該第１被覆層１上に形成された第１シェーディング被覆層Ｃ１と、該第１シェーディング被覆層Ｃ１上に形成された第２被覆層２と、該第２被覆層２上に形成された第２シェーディング被覆層Ｃ２と、該第２シェーディング被覆層Ｃ２上に形成された第３被覆層３と、該第３被覆層３上に形成された第３シェーディング被覆層Ｃ３と、該第３シェーディング被覆層Ｃ３上に形成された第４被覆層４と、該第４被覆層４上に形成された第４シェーディング被覆層Ｃ４と、該第４シェーディング被覆層Ｃ４上に形成された第５被覆層５と、該第５被覆層５上に形成された第５シェーディング被覆層Ｃ５と、該第５シェーディング被覆層Ｃ５上に形成された第６被覆層６と、該第６被覆層６上に形成された第６シェーディング被覆層Ｃ６と、該第６シェーディング被覆層Ｃ６上に形成された第７被覆層７と、該第７被覆層７上に形成された第７シェーディング被覆層Ｃ７と、該第７シェーディング被覆層Ｃ７上に形成された第８被覆層８と、該第８被覆層８上に形成された第８シェーディング被覆層Ｃ８と、該第８シェーディング被覆層Ｃ８上に形成された第９被覆層９とを備えている。
【００２１】
前記第１被覆層１、前記第３被覆層３、前記第５被覆層５、前記第７被覆層７及び前記第９被覆層９は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である。前記第１シェーディング被覆層Ｃ１、前記第２シェーディング被覆層Ｃ２、前記第３シェーディング被覆層Ｃ３、前記第４シェーディング被覆層Ｃ４、前記第５シェーディング被覆層Ｃ５、前記第６シェーディング被覆層Ｃ６、前記第７シェーディング被覆層Ｃ７及び前記第８シェーディング被覆層Ｃ８は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層である。前記第２被覆層２、前記第４被覆層４、前記第６被覆層６及び前記第８被覆層８は、いずれも、金属被覆層である。
【００２２】
上記のように、前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層することにより構成される。
また、前記炭素・ケイ素化合物は炭化ケイ素（ＳｉＣ）、前記チタン酸化物は二酸化チタン（ＴｉＯ2）、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、前記金属被覆層は銀（Ａｇ）からなる。
【００２３】
また、前記第１被覆層、前記第３被覆層、前記第５被覆層、前記第７被覆層及び該第９被覆層の屈折率は、いずれも、２．６であり、前記第２被覆層、前記第４被覆層、前記第６被覆層及び前記第８被覆層の屈折率は、いずれも、０．１〜０．５の範囲内である。
【００２４】
また、前記第１被覆層の厚さは３０ｎｍ、前記第２被覆層の厚さは１０〜１８ｎｍ、前記第３被覆層の厚さは６６ｎｍ、前記第４被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第５被覆層の厚さは６０ｎｍ、前記第６被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第７被覆層の厚さは７０ｎｍ、前記第８被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第９被覆層の厚さは４０ｎｍである。
また、前記第１シェーディング被覆層Ｃ１、前記第２シェーディング被覆層Ｃ２、前記第３シェーディング被覆層Ｃ３、前記第４シェーディング被覆層Ｃ４、前記第５シェーディング被覆層Ｃ５、前記第６シェーディング被覆層Ｃ６、前記第７シェーディング被覆層Ｃ７及び前記第８シェーディング被覆層Ｃ８の厚さは、いずれも、３〜６ｎｍである。
【００２５】
また、前記第１被覆層１、前記第３被覆層３、前記第５被覆層５、前記第７被覆層７及び前記第９被覆層９の炭素・ケイ素化合物被覆層は、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第２被覆層２、前記第４被覆層４、前記第６被覆層６及び前記第８被覆層８の金属被覆層塗布層も、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第１被覆層１〜前記第９被覆層９は、インライン方式またはロール・ツー・ロール方式による真空蒸着またはスパッタリングで形成される。
【００２６】
図２は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す上面図である。図２に示す被覆層モジュールＭは、上面の周縁に塗布された接地するための導電層Ｃを備えている。
このように、接地するための導電層Ｃは、前記被覆層モジュールＭの第９被覆層９の上面の周面に塗布される。
具体的には、被覆層モジュールＭを作製した後、まず、遮断板Ｂを、前記被覆層モジュールＭの上面に設置する。この遮断板Ｂは、前記被覆層モジュールＭよりもサイズが小さいため、前記被覆層モジュールＭの上面の周縁が露出する。その後、導電層Ｃを被覆層モジュールＭの上面の周縁に塗布して、接地させることにより、良好な電気接続が得られる。最後に、遮断板Ｂを除去する。ここで、前記導電層Ｃには、銀ペーストを用いる。
【００２７】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートであり、以下の工程を備えている。なお、図３Ａに示す工程と、図３Ｂに示す工程とは、Ｓで連続している。
Ｓ２００：基板Ｓを用意する工程と、
Ｓ２０２：基板Ｓの表面に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第１被覆層１を形成する工程と、
Ｓ２０４：第１被覆層１上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第１シェーディング被覆層Ｃ１を形成する工程と、
Ｓ２０６：第１シェーディング被覆層Ｃ１上に、金属被覆層である第２被覆層２を形成する工程と、
Ｓ２０８：第２被覆層２上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第２シェーディング被覆層Ｃ２を形成する工程と、
Ｓ２１０：第２シェーディング被覆層Ｃ２上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第３被覆層３を形成する工程と、
Ｓ２１２：第３被覆層３上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第３シェーディング被覆層Ｃ３を形成する工程と、
Ｓ２１４：第３シェーディング被覆層Ｃ３上に、金属被覆層である第４被覆層４を形成する工程と、
Ｓ２１６：第４被覆層４上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第４シェーディング被覆層Ｃ４を形成する工程と、
Ｓ２１８：第４シェーディング被覆層Ｃ４上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第５被覆層５を形成する工程と、
Ｓ２２０：第５被覆層５上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第５シェーディング被覆層Ｃ５を形成する工程と、
Ｓ２２２：第５シェーディング被覆層Ｃ５上に、金属被覆層である第６被覆層６を形成する工程と、
Ｓ２２４：第６被覆層６上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第６シェーディング被覆層Ｃ６を形成する工程と、
Ｓ２２６：第６シェーディング被覆層Ｃ６上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第７被覆層７を形成する工程と、
Ｓ２２８：第７被覆層７上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第７シェーディング被覆層Ｃ７を形成する工程と、
Ｓ２３０：第７シェーディング被覆層Ｃ７上に、金属被覆層である第８被覆層８を形成する工程と、
Ｓ２３２：第８被覆層８上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第８シェーディング被覆層Ｃ８を形成する工程と、
最後に、Ｓ２３４：第８シェーディング被覆層Ｃ８上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第９被覆層９を形成する工程とを備えている。
【００２８】
図４は、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の透過率と光波長の特性曲線図である。図４から分かるように、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を光が透過する際に、異なる光波長では、光透過率が異なっている。特に、青色光の近辺（最も左側の領域）の光波長は、その透過率が、明らかに、従来の１０％程度から３０％程度まで増加している。
【００２９】
また、図５に示すように、本発明は、スパッタリングによるアルミニウム系酸化物被覆層（Ａｌ2Ｏ3）のコーティングを追加したため、色度領域のｘｙ座標が、元のＡ（０．３２〜０．３３，０．３５〜０．３６）からＢ（０．２８〜０．３０，０．３２〜０．３４）になり、座標色が、黄緑色から青色に近い色になる。
【００３０】
上記のような低抵抗光減衰反射防止被覆層は、半導体や光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等の工業用途に適用することができる。
【００３１】
また、該低抵抗光減衰反射防止被覆層の表層の物質は、透過可能な表面導電層であり、該透過可能の表面導電層の光反射率は０．５％未満であり、前記低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、その透過率は５５〜７０％である。
【００３２】
さらに、本発明に係る被覆層構造は、高導電性であり、プラズマディスプレイ製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点を有している。
例えば、本発明の被覆層構造の表面抵抗は、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格ＭＩＬ−Ｃ−４８４９７の耐磨耗テストを満たす。
【００３３】
また、前記被覆層構造の表層は、良好な導電特性を有しているため、該青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、接地工程に要する作業負荷を低減させることができ、また、大量生産時の収率や信頼度の向上を図ることができ、したがって、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
【００３４】
以上は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を制限するものではない。本発明に係る特許請求の範囲や明細書の記載に基づいて行った、当業者が適宜なし得る程度の変更や修飾等も、本発明の特許請求の範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す構成図である。
【図２】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す上面図である。
【図３Ａ】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートである。
【図３Ｂ】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートである。
【図４】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の透過率と光波長の特性曲線図である。
【図５】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造のＣＩＥ ｘｙ色度座標図である。
【図６Ａ】従来の加工されていないガラスの光透過率と光波長の特性曲線図である。
【図６Ｂ】従来の加工済みのガラスの光透過率と光波長の特性曲線図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ｓ 基板
Ｍ 被覆層モジュール
１ 第１被覆層
２ 第２被覆層
３ 第３被覆層
４ 第４被覆層
５ 第５被覆層
６ 第６被覆層
７ 第７被覆層
８ 第８被覆層
９ 第９被覆層
Ｃ１ 第１シェーディング被覆層
Ｃ２ 第２シェーディング被覆層
Ｃ３ 第３シェーディング被覆層
Ｃ４ 第４シェーディング被覆層
Ｃ５ 第５シェーディング被覆層
Ｃ６ 第６シェーディング被覆層
Ｃ７ 第７シェーディング被覆層
Ｃ８ 第８シェーディング被覆層
Ｂ 遮断板
Ｃ 導電層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆層構造及びその作製方法に関し、特に、青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の反射防止光学被覆層の多層構造は、いずれも、光学被覆層の表層の物質が低屈折率を有するという通則を利用しており、例えば、ＳｉＯ2は屈折率が１．４６、また、ＭｇＦ2は屈折率が１．３８である。
しかしながら、該反射防止被覆層を、ディスプレイ工業、例えば、静電気防止効果のあるコンピュータモニタ、液晶ディスプレイまたはプラズマディスプレイに用いられる低反射ガラスに適用する場合、大量生産の工程では、前記光学被覆層構造の導電層が、絶縁層（例えば、ＳｉＯ2またはＭｇＦ2）で焼結するという課題を有していた。
【０００３】
反射防止被覆層の基本的な設計ルールは、基板表面に形成される第１層が高屈折率（Ｈと表記する）の物質からなり、その上に、低屈折率（Ｌと表記する）の物質からなる第２層を形成するというものである。
したがって、従来の反射防止被覆層の多層構造の設計ルールは、ＨＬＨＬまたはＨＬＨＬＨＬであり、例えば、高屈折率（Ｈ）の物質をＩＴＯ、低屈折率（Ｌ）の物質をＳｉＯ2とすると、前記４層構造の場合は、ガラス／ＩＴＯ／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／ＳｉＯ2となる。
前記ＩＴＯは、透明な導電物質であるため、該多層構造の被覆層は１００Ω／ｍ2未満であり、該導電被覆層が接地される際に、電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽または静電気放電に用いることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来の光学多層構造は、表面物質がＳｉＯ2であり、かつ、その厚さが１０００Åであり、該ＳｉＯ2は、高密度で、不活性で、電気絶縁性に優れていることから、反射防止被覆層をディスプレイ工業に適用する過程において、外層のＳｉＯ2層を、隔てられている焼結ＩＴＯ層に電気的に接続することは困難である。
【０００５】
このため、金属を前記ＩＴＯ層に接続する接地工程においては、超音波溶接プロセスにより、該ＳｉＯ2層を破って、ハンダボールと前記ＩＴＯ層との良好な接触を確保する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このプロセスは、反射防止被覆層の大量生産には適しているとは言えない。
しかも、前記超音波溶接プロセスでは、液体錫及び超音波の出力エネルギーにより、微細の汚染物が生じ、また、該超音波溶接プロセスでは、前記該絶縁層を均一な深さで破り、均一な接触抵抗を得られるとは限らないため、バスライン毎に非永続型の接触抵抗を発生する場合がある。
【０００７】
このような問題点は、従来の電磁干渉防止及び反射防止被覆層を用いるプロセスでの歩留まり及び信頼性を低下させる。
【０００８】
図６Ａに、従来の加工されていないガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図６Ａから、加工されていない（ガラス上に被覆層が形成されていない場合）ガラスを光線が透過する時、異なる光波長で、いずれも約９２％と同じ光透過率であることが分かる。
【０００９】
また、図６Ｂに、従来の加工済みのガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図６Ｂから、加工済み（ガラス上に予め設定された電磁干渉（ＥＭＩ）防止被覆層が形成されている場合）のガラスを光が透過する時、異なる光波長では、光透過率が異なることが分かる。特に、青色光の近辺（最も左側の領域）と赤色光の近辺（最も右側の領域）の光波長は、その透過率が、１０％程度まで低下することが明らかである。
【００１０】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、半導体や、光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等に好適に適用することができる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することを主な目的とする。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、表層の物質が透過可能な表面導電層であり、該表面導電層の光反射率が０．５％未満であり、低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、その透過率が５５〜７０％である青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、高導電性であり、プラズマディスプレイの製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点が得られる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。例えば、前記被覆層構造の表面抵抗が、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格ＭＩＬ−Ｃ−４８４９７の耐磨耗テストを満たすものである。
【００１３】
さらに、本発明の他の目的は、被覆層モジュールを作製した後、まず、前記被覆層モジュールの上面に、サイズが前記被覆層モジュールより小さい遮断板を設置し、前記被覆層モジュールの上面の周縁を露出させ、その後、導電層を前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布して、接地に供することにより、良好な電気接続が得られ、また、前記導電層が銀ペーストである青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【００１４】
さらにまた、本発明の他の目的は、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層を使用することにより、色が青色に近い透過光が生成される青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、上記目的を達成するため、基板と、前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供する。
【００１６】
また、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、表層が良好な導電特性を有しているため、接地工程のための作業負荷を低減させることができ、大量生産の収率や信頼度の向上を図ることができる。このため、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、上記目的を達成するための本発明の技術、手段及び効果を、より詳細に説明するが、本発明は、添付図面及び実施例によって、制限されるものではない。
【００１９】
図１は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造であり、基板Ｓと被覆層モジュールＭを備えている。
前記基板Ｓは、プラスチックフィルムまたはガラスであることが好ましい。また、被覆層モジュールＭは、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイの基本被覆層とすることができる。
【００２０】
前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成された第１被覆層１と、該第１被覆層１上に形成された第１シェーディング被覆層Ｃ１と、該第１シェーディング被覆層Ｃ１上に形成された第２被覆層２と、該第２被覆層２上に形成された第２シェーディング被覆層Ｃ２と、該第２シェーディング被覆層Ｃ２上に形成された第３被覆層３と、該第３被覆層３上に形成された第３シェーディング被覆層Ｃ３と、該第３シェーディング被覆層Ｃ３上に形成された第４被覆層４と、該第４被覆層４上に形成された第４シェーディング被覆層Ｃ４と、該第４シェーディング被覆層Ｃ４上に形成された第５被覆層５と、該第５被覆層５上に形成された第５シェーディング被覆層Ｃ５と、該第５シェーディング被覆層Ｃ５上に形成された第６被覆層６と、該第６被覆層６上に形成された第６シェーディング被覆層Ｃ６と、該第６シェーディング被覆層Ｃ６上に形成された第７被覆層７と、該第７被覆層７上に形成された第７シェーディング被覆層Ｃ７と、該第７シェーディング被覆層Ｃ７上に形成された第８被覆層８と、該第８被覆層８上に形成された第８シェーディング被覆層Ｃ８と、該第８シェーディング被覆層Ｃ８上に形成された第９被覆層９とを備えている。
【００２１】
前記第１被覆層１、前記第３被覆層３、前記第５被覆層５、前記第７被覆層７及び前記第９被覆層９は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である。前記第１シェーディング被覆層Ｃ１、前記第２シェーディング被覆層Ｃ２、前記第３シェーディング被覆層Ｃ３、前記第４シェーディング被覆層Ｃ４、前記第５シェーディング被覆層Ｃ５、前記第６シェーディング被覆層Ｃ６、前記第７シェーディング被覆層Ｃ７及び前記第８シェーディング被覆層Ｃ８は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層である。前記第２被覆層２、前記第４被覆層４、前記第６被覆層６及び前記第８被覆層８は、いずれも、金属被覆層である。
【００２２】
上記のように、前記被覆層モジュールＭは、前記基板Ｓの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層することにより構成される。
また、前記炭素・ケイ素化合物は炭化ケイ素（ＳｉＣ）、前記チタン酸化物は二酸化チタン（ＴｉＯ2）、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、前記金属被覆層は銀（Ａｇ）からなる。
【００２３】
また、前記第１被覆層、前記第３被覆層、前記第５被覆層、前記第７被覆層及び該第９被覆層の屈折率は、いずれも、２．６であり、前記第２被覆層、前記第４被覆層、前記第６被覆層及び前記第８被覆層の屈折率は、いずれも、０．１〜０．５の範囲内である。
【００２４】
また、前記第１被覆層の厚さは３０ｎｍ、前記第２被覆層の厚さは１０〜１８ｎｍ、前記第３被覆層の厚さは６６ｎｍ、前記第４被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第５被覆層の厚さは６０ｎｍ、前記第６被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第７被覆層の厚さは７０ｎｍ、前記第８被覆層の厚さは１５ｎｍ、前記第９被覆層の厚さは４０ｎｍである。
また、前記第１シェーディング被覆層Ｃ１、前記第２シェーディング被覆層Ｃ２、前記第３シェーディング被覆層Ｃ３、前記第４シェーディング被覆層Ｃ４、前記第５シェーディング被覆層Ｃ５、前記第６シェーディング被覆層Ｃ６、前記第７シェーディング被覆層Ｃ７及び前記第８シェーディング被覆層Ｃ８の厚さは、いずれも、３〜６ｎｍである。
【００２５】
また、前記第１被覆層１、前記第３被覆層３、前記第５被覆層５、前記第７被覆層７及び前記第９被覆層９の炭素・ケイ素化合物被覆層は、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第２被覆層２、前記第４被覆層４、前記第６被覆層６及び前記第８被覆層８の金属被覆層塗布層も、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第１被覆層１〜前記第９被覆層９は、インライン方式またはロール・ツー・ロール方式による真空蒸着またはスパッタリングで形成される。
【００２６】
図２は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す上面図である。図２に示す被覆層モジュールＭは、上面の周縁に塗布された接地するための導電層Ｃを備えている。
このように、接地するための導電層Ｃは、前記被覆層モジュールＭの第９被覆層９の上面の周面に塗布される。
具体的には、被覆層モジュールＭを作製した後、まず、遮断板Ｂを、前記被覆層モジュールＭの上面に設置する。この遮断板Ｂは、前記被覆層モジュールＭよりもサイズが小さいため、前記被覆層モジュールＭの上面の周縁が露出する。その後、導電層Ｃを被覆層モジュールＭの上面の周縁に塗布して、接地させることにより、良好な電気接続が得られる。最後に、遮断板Ｂを除去する。ここで、前記導電層Ｃには、銀ペーストを用いる。
【００２７】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートであり、以下の工程を備えている。なお、図３Ａに示す工程と、図３Ｂに示す工程とは、Ｓで連続している。
Ｓ２００：基板Ｓを用意する工程と、
Ｓ２０２：基板Ｓの表面に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第１被覆層１を形成する工程と、
Ｓ２０４：第１被覆層１上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第１シェーディング被覆層Ｃ１を形成する工程と、
Ｓ２０６：第１シェーディング被覆層Ｃ１上に、金属被覆層である第２被覆層２を形成する工程と、
Ｓ２０８：第２被覆層２上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第２シェーディング被覆層Ｃ２を形成する工程と、
Ｓ２１０：第２シェーディング被覆層Ｃ２上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第３被覆層３を形成する工程と、
Ｓ２１２：第３被覆層３上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第３シェーディング被覆層Ｃ３を形成する工程と、
Ｓ２１４：第３シェーディング被覆層Ｃ３上に、金属被覆層である第４被覆層４を形成する工程と、
Ｓ２１６：第４被覆層４上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第４シェーディング被覆層Ｃ４を形成する工程と、
Ｓ２１８：第４シェーディング被覆層Ｃ４上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第５被覆層５を形成する工程と、
Ｓ２２０：第５被覆層５上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第５シェーディング被覆層Ｃ５を形成する工程と、
Ｓ２２２：第５シェーディング被覆層Ｃ５上に、金属被覆層である第６被覆層６を形成する工程と、
Ｓ２２４：第６被覆層６上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第６シェーディング被覆層Ｃ６を形成する工程と、
Ｓ２２６：第６シェーディング被覆層Ｃ６上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第７被覆層７を形成する工程と、
Ｓ２２８：第７被覆層７上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第７シェーディング被覆層Ｃ７を形成する工程と、
Ｓ２３０：第７シェーディング被覆層Ｃ７上に、金属被覆層である第８被覆層８を形成する工程と、
Ｓ２３２：第８被覆層８上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第８シェーディング被覆層Ｃ８を形成する工程と、
最後に、Ｓ２３４：第８シェーディング被覆層Ｃ８上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第９被覆層９を形成する工程とを備えている。
【００２８】
図４は、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の透過率と光波長の特性曲線図である。図４から分かるように、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を光が透過する際に、異なる光波長では、光透過率が異なっている。特に、青色光の近辺（最も左側の領域）の光波長は、その透過率が、明らかに、従来の１０％程度から３０％程度まで増加している。
【００２９】
また、図５に示すように、本発明は、スパッタリングによるアルミニウム系酸化物被覆層（Ａｌ2Ｏ3）のコーティングを追加したため、色度領域のｘｙ座標が、元のＡ（０．３２〜０．３３，０．３５〜０．３６）からＢ（０．２８〜０．３０，０．３２〜０．３４）になり、座標色が、黄緑色から青色に近い色になる。
【００３０】
上記のような低抵抗光減衰反射防止被覆層は、半導体や光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等の工業用途に適用することができる。
【００３１】
また、該低抵抗光減衰反射防止被覆層の表層の物質は、透過可能な表面導電層であり、該透過可能の表面導電層の光反射率は０．５％未満であり、前記低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、その透過率は５５〜７０％である。
【００３２】
さらに、本発明に係る被覆層構造は、高導電性であり、プラズマディスプレイ製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点を有している。
例えば、本発明の被覆層構造の表面抵抗は、０．５〜０．７Ω／ｍ2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格ＭＩＬ−Ｃ−４８４９７の耐磨耗テストを満たす。
【００３３】
また、前記被覆層構造の表層は、良好な導電特性を有しているため、該青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、接地工程に要する作業負荷を低減させることができ、また、大量生産時の収率や信頼度の向上を図ることができ、したがって、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
【００３４】
以上は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を制限するものではない。本発明に係る特許請求の範囲や明細書の記載に基づいて行った、当業者が適宜なし得る程度の変更や修飾等も、本発明の特許請求の範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す構成図である。
【図２】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す上面図である。
【図３Ａ】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートである。
【図３Ｂ】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートである。
【図４】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の透過率と光波長の特性曲線図である。
【図５】本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造のＣＩＥ ｘｙ色度座標図である。
【図６Ａ】従来の加工されていないガラスの光透過率と光波長の特性曲線図である。
【図６Ｂ】従来の加工済みのガラスの光透過率と光波長の特性曲線図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ｓ 基板
Ｍ 被覆層モジュール
１ 第１被覆層
２ 第２被覆層
３ 第３被覆層
４ 第４被覆層
５ 第５被覆層
６ 第６被覆層
７ 第７被覆層
８ 第８被覆層
９ 第９被覆層
Ｃ１ 第１シェーディング被覆層
Ｃ２ 第２シェーディング被覆層
Ｃ３ 第３シェーディング被覆層
Ｃ４ 第４シェーディング被覆層
Ｃ５ 第５シェーディング被覆層
Ｃ６ 第６シェーディング被覆層
Ｃ７ 第７シェーディング被覆層
Ｃ８ 第８シェーディング被覆層
Ｂ 遮断板
Ｃ 導電層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項２】
前記被覆層モジュールは、
前記基板の表面に形成される第１被覆層と、
前記第１被覆層上に形成される第１シェーディング被覆層と、
前記第１シェーディング被覆層上に形成される第２被覆層と、
前記第２被覆層上に形成される第２シェーディング被覆層と、
前記第２シェーディング被覆層上に形成される第３被覆層と、
前記第３被覆層上に形成される第３シェーディング被覆層と、
前記第３シェーディング被覆層上に形成される第４被覆層と、
前記第４被覆層上に形成される第４シェーディング被覆層と、
前記第４シェーディング被覆層上に形成される第５被覆層と、
前記第５被覆層上に形成される第５シェーディング被覆層と、
前記第５シェーディング被覆層上に形成される第６被覆層と、
前記第６被覆層上に形成される第６シェーディング被覆層と、
前記第６シェーディング被覆層上に形成される第７被覆層と、
前記第７被覆層上に形成される第７シェーディング被覆層と、
前記第７シェーディング被覆層上に形成される第８被覆層と、
前記第８被覆層上に形成される第８シェーディング被覆層と、
前記第８シェーディング被覆層上に形成される第９被覆層とを備え、
前記第１被覆層、前記第３被覆層、前記第５被覆層、前記第７被覆層及び該第９被覆層は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層であり、
前記第１シェーディング被覆層、前記第２シェーディング被覆層、前記第３シェーディング被覆層、前記第４シェーディング被覆層、前記第５シェーディング被覆層、前記第６シェーディング被覆層、前記第７シェーディング被覆層及び前記第８シェーディング被覆層は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層であり、
前記第２被覆層、前記第４被覆層、前記第６被覆層及び前記第８被覆層は、いずれも、金属被覆層であることを特徴とする請求項１記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項３】
前記炭素・ケイ素化合物被覆層は炭化ケイ素、前記チタン酸化物は二酸化チタン、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ、前記金属被覆層は銀であることを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項４】
前記炭素・ケイ素化合物と前記チタン酸化物の割合は、４０％：６０％で、これらの混合物被覆層の屈折率は、前記金属被覆層よりも高いことを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項５】
前記第１被覆層の厚さは３０ｎｍ、
前記第２被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第３被覆層の厚さは６６ｎｍ、
前記第４被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第５被覆層の厚さは６０ｎｍ、
前記第６被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第７被覆層の厚さは７０ｎｍ、
前記第８被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第９被覆層の厚さは４０ｎｍであり、
前記第１シェーディング被覆層、前記第２シェーディング被覆層、前記第３シェーディング被覆層、前記第４シェーディング被覆層、前記第５シェーディング被覆層、前記第６シェーディング被覆層、前記第７シェーディング被覆層及び前記第８シェーディング被覆層の厚さは、いずれも、３〜６ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項６】
さらに、前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布された接地するための導電層を備えていることを特徴とする請求項１記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項７】
基板を用意する工程と、
前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。
【請求項８】
さらに、前記被覆層モジュールの上面に、該被覆層モジュールの上面の周縁を露出させるように、前記被覆層モジュールよりもサイズが小さい遮断板を設ける工程と、
前記被覆層モジュールの上面の露出した周縁に、接地するための導電層を塗布する工程とを備えていることを特徴とする請求項７記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項２】
前記被覆層モジュールは、
前記基板の表面に形成される第１被覆層と、
前記第１被覆層上に形成される第１シェーディング被覆層と、
前記第１シェーディング被覆層上に形成される第２被覆層と、
前記第２被覆層上に形成される第２シェーディング被覆層と、
前記第２シェーディング被覆層上に形成される第３被覆層と、
前記第３被覆層上に形成される第３シェーディング被覆層と、
前記第３シェーディング被覆層上に形成される第４被覆層と、
前記第４被覆層上に形成される第４シェーディング被覆層と、
前記第４シェーディング被覆層上に形成される第５被覆層と、
前記第５被覆層上に形成される第５シェーディング被覆層と、
前記第５シェーディング被覆層上に形成される第６被覆層と、
前記第６被覆層上に形成される第６シェーディング被覆層と、
前記第６シェーディング被覆層上に形成される第７被覆層と、
前記第７被覆層上に形成される第７シェーディング被覆層と、
前記第７シェーディング被覆層上に形成される第８被覆層と、
前記第８被覆層上に形成される第８シェーディング被覆層と、
前記第８シェーディング被覆層上に形成される第９被覆層とを備え、
前記第１被覆層、前記第３被覆層、前記第５被覆層、前記第７被覆層及び該第９被覆層は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層であり、
前記第１シェーディング被覆層、前記第２シェーディング被覆層、前記第３シェーディング被覆層、前記第４シェーディング被覆層、前記第５シェーディング被覆層、前記第６シェーディング被覆層、前記第７シェーディング被覆層及び前記第８シェーディング被覆層は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層であり、
前記第２被覆層、前記第４被覆層、前記第６被覆層及び前記第８被覆層は、いずれも、金属被覆層であることを特徴とする請求項１記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項３】
前記炭素・ケイ素化合物被覆層は炭化ケイ素、前記チタン酸化物は二酸化チタン、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ、前記金属被覆層は銀であることを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項４】
前記炭素・ケイ素化合物と前記チタン酸化物の割合は、４０％：６０％で、これらの混合物被覆層の屈折率は、前記金属被覆層よりも高いことを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項５】
前記第１被覆層の厚さは３０ｎｍ、
前記第２被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第３被覆層の厚さは６６ｎｍ、
前記第４被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第５被覆層の厚さは６０ｎｍ、
前記第６被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第７被覆層の厚さは７０ｎｍ、
前記第８被覆層の厚さは１５ｎｍ、
前記第９被覆層の厚さは４０ｎｍであり、
前記第１シェーディング被覆層、前記第２シェーディング被覆層、前記第３シェーディング被覆層、前記第４シェーディング被覆層、前記第５シェーディング被覆層、前記第６シェーディング被覆層、前記第７シェーディング被覆層及び前記第８シェーディング被覆層の厚さは、いずれも、３〜６ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項２記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項６】
さらに、前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布された接地するための導電層を備えていることを特徴とする請求項１記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
【請求項７】
基板を用意する工程と、
前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。
【請求項８】
さらに、前記被覆層モジュールの上面に、該被覆層モジュールの上面の周縁を露出させるように、前記被覆層モジュールよりもサイズが小さい遮断板を設ける工程と、
前記被覆層モジュールの上面の露出した周縁に、接地するための導電層を塗布する工程とを備えていることを特徴とする請求項７記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【公開番号】特開２００９−２８２２５６（Ｐ２００９−２８２２５６Ａ）
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３３７３９（Ｐ２００８−１３３７３９）
【出願日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【出願人】（５０７１３２０８６）智盛全球股▲ふん▼有限公司 (7)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【出願人】（５０７１３２０８６）智盛全球股▲ふん▼有限公司 (7)
【Ｆターム（参考）】
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