青色発光用途のためのクリセン類
本発明は、エレクトロルミネッセンス用途に有用な、青色発光が可能であるクリセン化合物に関する。本発明は、活性層がこのようなクリセン化合物を含む電子デバイスにも関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願データ
本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条に基づき２００７年６月１日に出願された米国仮特許出願第６０／９４１，４０４号明細書の優先権を主張し、この文献全体が参照として本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、青色発光するエレクトロルミネッセンスのクリセン化合物に関する。本発明は、活性層がこのようなクリセン化合物を含む電子デバイスにも関する。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイを構成する発光ダイオードなどの光を発する有機電子デバイスは、多くの異なる種類の電子装置中に存在する。すべてのこのようなデバイスにおいては、２つの電気接触層の間に有機活性層が挟まれている。少なくとも１つの電気接触層は、光が電気接触層を通過できるように光透過性である。電気接触層に電気を印加すると、有機光活性層は、光透過性電気接触層を透過する光を発する。
【０００４】
発光ダイオード中の活性成分として有機エレクトロルミネッセンス化合物が使用されることが知られている。アントラセン、チアジアゾール誘導体、およびクマリン誘導体などの単純な有機分子はエレクトロルミネッセンスを示すことが知られている。半導体共役ポリマーもエレクトロルミネッセンス成分として使用されており、たとえば、米国特許第５，２４７，１９０号明細書、米国特許第５，４０８，１０９号明細書、および欧州特許出願公開第４４３ ８６１号明細書に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、エレクトロルミネッセンス化合物、特に青色発光の化合物が引き続き必要とされている。
【０００６】
式Ｉ：
【０００７】
【化１】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有し、青色光を発することが可能である化合物が提供される。
【０００８】
式Ｉの化合物を含む活性層を含む電子デバイスも提供する。
【０００９】
本明細書において提示される概念の理解をすすめるために、添付の図面において実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機電子デバイスの一例の図である。
【００１１】
当業者であれば理解しているように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
多数の態様および実施形態が本明細書において開示されるが、これらは例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、当業者には、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が可能であることが理解されよう。
【００１３】
任意の１つ以上の実施形態の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明では、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、クリセン化合物、電子デバイス、そして最後に実施例を扱う。
【００１４】
１．用語の定義および説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
【００１５】
用語の定義
本明細書において使用される場合、用語「化合物」は、原子からなる分子から構成される非帯電物質であって、これらの原子が、物理的手段によって分離することができない物質を意味することを意図している。デバイス中の層に言及するために使用される場合、語句「隣接する」は、ある層が別の層のすぐ隣にあることを必ずしも意味するものではない。他方で、語句「隣接するＲ基」は、化学式中で互いに隣同士であるＲ基（すなわち、１つの結合によって連結した複数の原子上に存在する複数のＲ基）を意味するために使用される。用語「光活性」は、エレクトロルミネッセンスおよび／または感光性を示すあらゆる材料を意味する。
【００１６】
用語「アリール」は、１つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することを意図している。この用語には、１つの環を有する基、ならびに単結合によって連結したり、互いに縮合したりすることができる複数の環を有する基が含まれる。この用語はヘテロアリールを含むことを意図している。用語「アリーレン」は、２つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することを意図している。ある実施形態においては、アリール基は３〜６０個の炭素原子を有する。
【００１７】
用語「アルキル」は、１つの結合点を有する脂肪族炭化水素から誘導される基を意味することを意図しており、線状、分岐、または環状の基を含んでいる。この用語はヘテロアルキルを含むことを意図している。用語「アルキレン」は、脂肪族炭化水素から誘導され２つ以上の結合点を有する基を意味することを意図している。ある実施形態においては、アルキル基は１〜２０個の炭素原子を有する。
【００１８】
用語「分岐アルキル」は、少なくとも１つの第２級または第３級の炭素を有するアルキル基を意味する。用語「第２級アルキル」は、第２級炭素原子を有する分岐アルキル基を意味する。用語「第３アルキル」は、第３級炭素原子を有する分岐アルキル基を意味する。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、第２級または第３級の炭素を介して結合している。
【００１９】
用語「脂肪族環」は、非局在化π電子を有さない環状基を意味することを意図している。ある実施形態においては、脂肪族環は不飽和を有さない。ある実施形態においては、この環は１つの二重結合または三重結合を有する。
【００２０】
用語「ビナフチル」は、単結合によって結合した２つのナフタレン単位を有する基を意味することを意図している。ある実施形態においては、ビナフチル基は、３位、４位、または５位で結合する１，１−ビナフチルであり；ある実施形態においては、１−ナフチル部分上の３位、４位、または５位、あるいは２−ナフチル部分上の４位または５位で結合する１，２−ビナフチルであり；ある実施形態においては、４位または５位で結合する２，２−ビナフチルである。
【００２１】
用語「ビフェニル」は、単結合によって結合した２つのフェニル単位を有する（ｈａｖｉｎ）基を意味することを意図している。この基は２位、３位、または４位で結合することができる。
【００２２】
用語「青色」は、約４００〜５００ｎｍの範囲内の波長で発光極大を有する放射線を意味する。
【００２３】
接頭語「ヘテロ」は、１つ以上の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示している。ある実施形態においては、この異なる原子はＮ、Ｏ、またはＳである。
【００２４】
すべての基は、非置換であってもよいし置換されていてもよい。ある実施形態においては、置換基は、ハライド、アルキル、アルコキシ、アリール、およびシアノからなる群から選択される。
【００２５】
用語「層」は、用語「膜」と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよいし、実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または１つのサブピクセルの小ささであってもよい。層および膜は、気相堆積、液相堆積（連続的技術および不連続な技術）、および熱転写などの従来のあらゆる堆積技術によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
用語「有機電子デバイス」または場合により単に「電子デバイス」は、１つ以上の有機半導体層または有機半導体材料を含むデバイスを意味することを意図している。
【００２７】
特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、それらの記載内容全体が参照として援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。
【００２８】
さらに、全体的にＩＵＰＡＣ番号方式が使用され、周期表の族は、左から右に１〜１８の番号が付けられる（ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１st Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０００）。
【００２９】
２．クリセン化合物
本発明の一態様は式Ｉ：
【００３０】
【化２】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）の組成物である。この化合物は青色発光が可能である。
【００３１】
ある実施形態においては、分岐アルキル基は３〜８個の炭素原子を有する。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、イソプロピルおよび２−ブチルからなる群から選択される第２級アルキルである。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、ｔ−ブチルおよび２−（２−メチル）−ブチルからなる群から選択される第３級アルキルである。
【００３２】
ある実施形態においては、Ｒ３は分岐アルキル基である。ある実施形態においては、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、およびＲ７からＲ１１はＨである。
【００３３】
ある実施形態においては、Ｒ２およびＲ３を合わせたものが、５または６員環の脂肪族環を形成する。ある実施形態においては、この脂肪族環はシクロヘキシルおよびシクロペンチルからなる群から選択される。ある実施形態においては、この脂肪族環は１つ以上のアルキル置換基を有する。
【００３４】
ある実施形態においては、Ａｒ１からＡｒ４は独立して、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ビナフチル、フェニルナフチル、およびナフチルフェニルからなる群から選択される。ある実施形態においては、少なくとも１つのアリール基が、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ１〜２０アルコキシ、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロからなる群から選択される置換基を有する。ある実施形態においては、これらのアルキル、アルコキシ、およびパーフルオロアルキル基は１〜８個の炭素を有する。
【００３５】
ある実施形態においては、Ａｒ１およびＡｒ３はフェニル基である。ある実施形態においては、Ａｒ１およびＡｒ３は、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロから選択される１つの置換基を有するフェニル基である。ある実施形態においては、このパーフルオロアルキル基はトリフルオロメチルである。ある実施形態においてはＡｒ１およびＡｒ３は、アルキル基およびアルコキシ基からなる群から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル基である。
【００３６】
ある実施形態においては、Ａｒ２およびＡｒ４は、フェニル基およびビフェニル基からなる群から選択される。ある実施形態においては、Ａｒ２およびＡｒ４は、少なくとも１つのアルキル置換基を有する。
【００３７】
ある実施形態においては、青色クリセン化合物は化合物Ｅ１からＥ９：
【００３８】
【化３】
【００３９】
【化４】
【００４０】
【化５】
【００４１】
【化６】
【００４２】
【化７】
から選択される。
【００４３】
ある実施形態においては、青色クリセン化合物は以下のＥ１０からＥ１５
【００４４】
【化８】
【００４５】
【化９】
【００４６】
【化１０】
から選択される。
【００４７】
化合物Ｅ１０からＥ１５中、Ａｒ１からＡｒ４は前述の通りである。ある実施形態においては、Ａｒ１からＡｒ４は、フェニルおよびビフェニルからなる群から選択される。ある実施形態においては、Ａｒ１＝Ａｒ２およびＡｒ３＝Ａｒ４である。ある実施形態においては、Ａｒ１＝Ａｒ３およびＡｒ２＝Ａｒ４である。
【００４８】
本発明の新規クリセン類は、周知のカップリング反応および置換反応によって調製することができる。代表的な調製を実施例で示している。
【００４９】
本明細書に記載のクリセン化合物は、液相堆積技術を使用して膜に成形することができる。ホストマトリックス中に分散させたこれらの材料の薄膜は、良好から優秀なフォトルミネッセンス特性および青色発光を示す。
【００５０】
３．電子デバイス
本明細書に記載の青色発光材料を含む１つ以上の層を有することが有益となりうる有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザー）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、ＩＲ検出器）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、ならびに（４）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品（たとえば、トランジスタまたはダイオード）を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５１】
有機電子デバイス構造の一例を図１に示す。デバイス１００は、第１の電気接触層のアノード層１１０、および第２の電気接触層のカソード層１６０、並びにそれらの間の光活性層１４０を有する。アノードに隣接して緩衝層１２０が存在する。緩衝層に隣接して、正孔輸送材料を含む正孔輸送層１３０が存在する。カソードに隣接して、電子輸送材料を含む電子輸送層１５０が存在することができる。選択肢の１つとして、デバイスは、アノード１１０の隣に１つ以上の追加の正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）、および／またはカソード１６０の隣に１つ以上の追加の電子注入層または電子輸送層（図示せず）を使用することができる。
【００５２】
層１２０から１５０は、個別および集合的に活性層と呼ばれる。
【００５３】
一実施形態においては、種々の層は以下の範囲の厚さを有する：アノード１１０、５００〜５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；緩衝層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；正孔輸送層１３０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層１４０、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；層１５０、５０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；カソード１６０、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。デバイス中の電子−正孔再結合領域の位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さによって影響されうる。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。
【００５４】
デバイス１００の用途に依存するが、光活性層１４０は、印加電圧によって励起する発光層（発光ダイオード中または発光電気化学セル中など）、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料層（光検出器中など）であってよい。光検出器の例としては、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、および光電管、ならびに光起電力セルが挙げられ、これらの用語は、Ｍａｒｋｕｓ、Ｊｏｈｎ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｎｕｃｌｅｏｎｉｃｓ Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ、４７０および４７６（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ， Ｉｎｃ．１９６６）に記載されている。
【００５５】
ａ．光活性層
式Ｉのクリセン化合物は、層１４０中の光活性材料として有用である。これらの化合物は単独で使用することもできるし、ホスト材料と組み合わせることもできる。
【００５６】
ある実施形態においては、ホストは、ビス縮合環状芳香族化合物である。
【００５７】
ある実施形態においては、ホストは、アントラセン誘導体化合物である。ある実施形態においてはこの化合物は以下の式：
Ａｎ−Ｌ−Ａｎ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ｌは二価の連結基である）
で表される。この式のある実施形態においては、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または芳香族基である。ある実施形態においては、Ａｎは、モノ−またはジフェニルアントリル部分である。
【００５８】
ある実施形態においては、ホストは式：
Ａ−Ａｎ−Ａ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ａは、出現ごとに同一または異なり、芳香族基である）
で表される。
【００５９】
ある実施形態においては、Ａ基は、アントラセン部分の９位または１０位に結合している。ある実施形態においては、Ａは、ナフチル、ナフチルフェニレン、およびナフチルナフチレンからなる群から選択される。ある実施形態においては、この化合物は対称であり、ある実施形態においては、この化合物は非対称である。
【００６０】
ある実施形態においては、ホストは式：
【００６１】
【化１１】
（式中：
Ａ1およびＡ2は、出現ごとに同一または異なり、Ｈ、芳香族基、およびアルケニル基からなる群から選択されるか、またはＡが１つ以上の複合芳香環を表すことができ；
ｐおよびｑは、同一または異なり、１〜３の整数である）
で表される。ある実施形態においては、アントラセン誘導体は非対称である。ある実施形態においては、ｐ＝２およびｑ＝１である。ある実施形態においては、Ａ1およびＡ2の少なくとも１つがナフチル基である。
【００６２】
ある実施形態においては、ホストは
【００６３】
【化１２】
およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００６４】
式Ｉのクリセン化合物は、光活性層中の発光ドーパントとして有用であることに加えて、光活性層１４０中の別の発光ドーパントの電荷キャリアホストとして機能することもできる。
【００６５】
ｂ．他のデバイス層
デバイス中の他の層は、そのような層中に有用であることが知られているあらゆる材料でできていてよい。
【００６６】
アノード１１０は、正電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。アノードは、たとえば金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有する材料でできていいてもよいし、伝導性ポリマー、およびそれらの混合物であってもよい。好適な金属としては、１１族金属、４〜６族の金属、および８〜１０族の遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性となるべき場合には、インジウムスズ酸化物などの１２族、１３族、および１４族の金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノード１１０は、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ」、Ｎａｔｕｒｅ 第３５７巻、ｐｐ ４７７−４７９（１９９２年６月１１日）に記載されるようなポリアニリンなどの有機材料を含むこともできる。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるように、少なくとも部分的に透明であることが望ましい。
【００６７】
緩衝層１２０は緩衝材料を含み、限定するものではないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴などの、１つまたは複数の機能を有機電子デバイス中で有することができる。緩衝材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってよい。これらは、溶液、分散体、懸濁液、エマルジョン、コロイド混合物、またはその他の組成物の形態であってよい液体から気相堆積または堆積することができる。
【００６８】
緩衝層は、プロトン酸がドープされることが多いポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマー材料で形成され得る。プロトン酸は、たとえば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであってよい。
【００６９】
緩衝層は、銅フタロシアニンやテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物などを含むことができる。
【００７０】
ある実施形態においては、緩衝層は、少なくとも１種類の導電性ポリマーおよび少なくとも１種類のフッ素化酸ポリマーを含む。このような材料は、たとえば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４−０１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／２０５８６０号明細書に記載されている。
【００７１】
層１３０の正孔輸送材料の例は、たとえば、Ｙ．Ｗａｎｇにより，Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、第１８巻、ｐ．８３７−８６０、１９９６にまとめられている。正孔輸送分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子は：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物である。一般に使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、およびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に、上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。場合により、トリアリールアミンポリマー、特にトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが使用される。場合により、これらのポリマーおよびコポリマーは架橋性である。
【００７２】
層１５０中に使用可能な他の電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）などの金属キレート化オキシノイド化合物；ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニル−フェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）および３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；９，１０−ジフェニルフェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン誘導体；ならびにそれらの混合物が挙げられる。層１５０は、電子輸送の促進と、層界面での励起子の消光を防止する緩衝層または閉じ込め層としての両方の機能を果たすことができる。好ましくは、この層は電子移動を促進し、励起子の消光を減少させる。
【００７３】
カソード１６０は、電子または負電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。カソードの材料は、１族のアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、たとえば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびに組み合わせた材料を使用することができる。動作電圧を低下させるために、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、およびＬｉ2Ｏを有機層とカソード層との間に堆積することもできる。
【００７４】
有機電子デバイス中に別の層を有することが知られている。たとえば、注入される正電荷量を制御するため、および／または層のバンドギャップの整合性を促進するため、あるいは保護層として機能させるために、アノード１１０と緩衝層１２０との間に層（図示せず）が存在してもよい。銅フタロシアニン、ケイ素酸窒化物、フルオロカーボン類、シラン類、またはＰｔなどの金属の超薄層などの、当技術分野において周知の層を使用することができる。あるいは、アノード層１１０、活性層１２０、１３０、１４０、および１５０、あるいはカソード層１６０の一部またはすべては、電荷キャリア輸送効率を増加させるために表面処理を行うことができる。各構成層の材料の選択は、好ましくは、高いエレクトロルミネッセンス効率を有するデバイスを得るために発光層中の正電荷および負電荷の釣り合いを取ることによって決定される。
【００７５】
各機能層は２つ以上の層で構成されてよいことを理解されたい。
【００７６】
本発明のデバイスは、好適な基体上に個別の層を順次気相堆積するなどの種々の技術によって作製することができる。ガラス、プラスチック、および金属などの基体を使用することができる。熱蒸着、化学蒸着などの従来の気相堆積技術を使用することができる。あるいは、有機層は、限定するものではないが、スピンコーティング、浸漬コーティング、ロール・トゥ・ロール技術、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの従来のコーティングまたは印刷技術を使用して、好適な溶媒中の溶液または分散体から適用することもできる。
【００７７】
本発明は、２つの電気接触層の間に少なくとも１つの活性層を含む電子デバイスであって、デバイスの少なくとも１つ活性層が式１のクリセン化合物を含む電子デバイスにも関する。多くの場合デバイスは追加の正孔輸送および電子輸送層を有する。
【００７８】
高効率ＬＥＤを実現するために、正孔輸送材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）がアノードの仕事関数に合わせられることが望ましく、電子輸送材料のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）がカソードの仕事関数に合わせられることが望ましい。材料の化学的適合性および昇華温度も、電子輸送材料および正孔輸送材料の選択における重要な考慮事項である。
【００７９】
本明細書に記載のクリセン化合物を使用して作製されたデバイスの効率は、デバイス中の別の層を最適化することによってさらに改善できることを理解されたい。たとえば、Ｃａ、Ｂａ、またはＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。動作電圧を下げ量子効率を増加させる成形基体および新規な正孔輸送材料も利用可能である。種々の層のエネルギー準位を調整しエレクトロルミネッセンスを促進するために追加層を加えることもできる。
【００８０】
本発明のクリセン化合物は、多くの場合、蛍光性およびフォトルミネッセンスであり、酸素感受性インジケーターおよびバイオアッセイにおける蛍光インジケーターなど、ＯＬＥＤ以外の用途において有用となりうる。
【実施例】
【００８１】
以下の実施例により、本発明の特定の特徴および利点を説明する。これらは、本発明の説明を意図するものであり、限定を意図するものではない。特に明記しない限り、すべてのパーセント値は重量を基準としている。
【００８２】
実施例１
この実施例では、化合物Ｅ１である３−イソ−プロピル−Ｎ6，Ｎ6，Ｎ12，Ｎ12−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）−クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００８３】
【化１３】
【００８４】
ａ．（Ｚ）−１−（４−イソ−プロピルスチリル）ナフタレンの調製。
ドライボックス中で、１−ビニルナフタレン（９．８０ｇ、６３．５ｍｍｏｌ）および４−ブロモクメン（１１．５ｇ、５７．８ｍｍｏｌ）を２５０ｍｌの丸底フラスコ中に入れ、８０ｍｌの乾燥ＤＭＦ中に溶解させた。パラジウム触媒（ｔｒａｎｓ−ジ（μ−アセタト）ビス［ｏ−（ジ−ｏ−トリルホスフィノ）ベンジル］ジパラジウム（ＩＩ）、０．５４２ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）および酢酸ナトリウム（７．１１ｇ、８６．６ｍｍｏｌ）を最後に加え、続いて２０ｍｌの乾燥ＤＭＦを加えた。このフラスコに蓋をして、ドライボックスから取り出し、窒素をフラッシングした冷却器に取り付けた。反応混合物を１２０℃で６０時間撹拌した。溶液を室温まで冷却し、７５０ｍｌの水中に注いだ。水層をＣＨ2Ｃｌ2（３×５００ｍｌ）で抽出した。１つにまとめた有機層を水およびブライン（各５００ｍｌ）で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、揮発分を真空下で除去した。粗生成物を、４インチのカラムに充填した２５ｇのシリカ上に吸着させ、最初にヘキサン、次にヘキサン中２０％のＣＨ2Ｃｌ2で溶出させた。最初の画分を濃縮し、残留物を高真空下で乾燥させて６．３ｇ（４０％）の所望の生成物を得た。1Ｈ ＮＭＲは、文献（Ｂｅｃｋｍａｎｎ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔ．Ｎｕｃ．Ｍａｇ．Ｒｅｓ．，１９９８，１２，２５１）に報告されるものと類似している。
【００８５】
ｂ．３−イソ−プロピルクリセンの調製。
（Ｚ）−１−（４−イソプロピルスチリル）ナフタレン（４ｇ、７．３４ｍｍｏｌ）を、空気流入口および撹拌棒を取り付けた１Ｌの光化学容器（ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｖｅｓｓｅｌ）中の１Ｌの乾燥四塩化炭素中に溶解させた。この光化学容器の上部に２つの冷却器を取り付けた。反応混合物にハロゲンランプ（Ｈａｎｏｖｉａ、４５０Ｗ）を４時間照射した。揮発分を真空下で除去し、得られた固形分をトルエンで抽出して、１．６ｇ（４０％）の黄色粉末を得た。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、ＬＩＭＳ ６４３３５７）：□１．３２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、３．０２（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、７．３４〜７．４７（ｍ，３Ｈ）、７．７３〜７．７９（ｍ，４Ｈ）、８．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．３Ｈｚ）、８．５２（ｓ，１Ｈ）、８．５３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ）、８．６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ）。
【００８６】
ｃ．６，１２−ジブロモ−３−イソ−プロピルクリセンの調製
Ｋｏｄｏｍａｒｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８８，２０９３に記載のようにして臭素化を行った。収率２２．５％。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２１（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、２．８３（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、７．２８〜７．３９（ｍ，３Ｈ）、８．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．２２（ｓ，１Ｈ）、８．３７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．３９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２、８．２Ｈｚ）、８．７３（ｓ，１Ｈ）、８．９４（ｓ，１Ｈ）。
【００８７】
ｄ．Ｅ１の調製
ドライボックス中で、６，１２−ジブロモ−３−イソ−プロピルクリセン（０．５５ｇ、１．２８ｍｍｏｌ）およびビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン（０．５９３ｇ、２．６３ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中で混合し、１５ｍｌのトルエン中に溶解させた。次にトリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０５２ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１１８ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を加え、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．２９６ｇ、３．０８ｍｍｏｌ）および５ｍｌの乾燥トルエンを加えた。ガラス管を密封して、ドライボックスから取り出し、１００℃の油浴中に２４時間入れた。反応混合物を室温まで冷却し、８０ｍｌのジクロロメタンで希釈し、セライトおよびシリカのプラグで濾過した。プラグをさらなる２００ｍｌのジクロロメタンで洗浄した。濾液を１つにまとめ、減圧下で揮発分を除去して、暗黄色固体を得た。ヘキサン中１０％のジクロロメタンを使用したシリカ上のカラムクロマトグラフィーによってさらに精製を行った。第２の溶出画分を蒸発させると、７５０ｍｇ（８１％）の鮮黄色粉末が得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ）、２．０３（ｓ，１２Ｈ）、２．１０（ｓ，１２Ｈ）、３．０２（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ）、６．６９〜６．７７（ｍ，４Ｈ）、６．８２（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．１、６．５Ｈｚ）、６．８７（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．７、８．２Ｈｚ）、７．９８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．０３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．２７（ｓ，１Ｈ）、８．３６（ｓ，１Ｈ）、８．４３〜８．４７（ｍ，２Ｈ）。
【００８８】
実施例２
この実施例では、化合物Ｅ２である３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ6，Ｎ12，Ｎ12−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）−クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００８９】
【化１４】
【００９０】
ａ．１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ナフタレンの調製。
オーブンで乾燥させた５００ｍｌの三口丸底フラスコに、磁気撹拌子、添加漏斗、および窒素流入口コネクターを取り付けた。このフラスコに、塩化（１−ナプチルメチル）トリフェニルホスホニウム（１２．０７ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）および２００ｍｌの無水ＴＨＦを投入した。水素化ナトリウム（１．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）を１回で加えた。この混合物は鮮橙色になり、室温で終夜撹拌した。カニューレを使用して添加漏斗に無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）中の４−ｔｅｒｔ−ブチル−ベンズアルデヒド（７．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）の溶液を加えた。このアルデヒド溶液を４５分かけて反応混合物に滴下した。反応物を室温で２４時間撹拌した（橙色は消失した）。反応混合物にシリカゲルを加え、揮発分を減圧下で除去した。得られた粗生成物を、ヘキサン５〜１０％のジクロロメタンを使用したシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーで精製した。生成物は、シスおよびトランス異性体の混合物（６．３ｇ、８９％）として単離され、これを分離せずに使用した。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２７（ｓ，９Ｈ）、７．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、７．３３〜７．４９（ｍ，７Ｈ）、７．６８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、７．７１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．７６〜７．８１（ｍ，２Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）。
【００９１】
ｂ．３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンの調製。
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ナフタレン（４．０ｇ、１４．０ｍｍｏｌ）を、窒素流入口および撹拌棒を取り付けた１リットルの光化学容器中の乾燥トルエン（１ｌ）に溶解させた。乾燥プロピレンオキシドの瓶を氷水中で冷却してから、シリンジで１００ｍｌのエポキシドを抜き取り、上記反応混合物に加えた。最後にヨウ素（３．６１ｇ、１４．２ｍｍｏｌ）を加えた。光化学容器に冷却器を取り付け、ハロゲンランプ（Ｈａｎｏｖｉａ、４５０Ｗ）を点灯した。反応混合物中にヨウ素が残留しないことがその色の消失から明らかになると、ランプを消灯して反応を停止させた。反応は３．５時間で終了した。減圧下でトルエンおよび過剰のプロピレンオキシドを除去すると、暗黄色固体が得られた。粗生成物を少量のヘキサン中の２５％ジクロロメタンに溶解させ、中性アルミナの４インチのプラグに通し、ヘキサン中の２５％ジクロロメタン（約１リットル）で洗浄した。揮発分を除去すると、３．６ｇ（９１％）の３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンが黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４１（ｓ，９Ｈ）、７．５１（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５８（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．６３（ｄｄ（１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．４Ｈｚ）、７．８０〜７．９２（ｍ，４Ｈ）、８．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．１Ｈｚ）、８．６３〜８．６８（ｍ，３Ｈ）。
【００９２】
ｃ．６，１２−ジブロモ−３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンの調製
３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン（４．０ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）およびトリメチルホスフェート（１１０ｍｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合した。臭素（４．９５ｇ、３１ｍｍｏｌ）を加えた後、フラスコに還流冷却器を取り付け、反応混合物を油浴中１０５℃で１時間撹拌した。ほとんどすぐに白色沈殿が形成された。少量の氷水（１００ｍｌ）上に注ぐことによって、反応混合物の後処理を行った。この混合物を減圧濾過し、水で十分に洗浄した。得られた黄褐色固体を真空下で乾燥させた。粗生成物をメタノール（１００ｍｌ）中で沸騰させ、室温まで冷却し、再び濾過すると、３．７４ｇ（６０％）の白色固体が得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４６（ｓ，９Ｈ）、７．７０（ｍ，２Ｈ）、７．７９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．９、８．８Ｈｚ）、８．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）、８．３６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５、８．０）、８．６０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．６４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５、８．０Ｈｚ）、８．８９（ｓ，１Ｈ）、８．９７（ｓ，１Ｈ）。
【００９３】
ｄ．３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製。
ドライボックス中で、６，１２−ジブロモ−３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン（９．７ｇ、２１．９４ｍｍｏｌ）および３，４−ジメチルアニリン（５．５８ｇ、４６．１ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、２００ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０８０ｇ、０．３９５ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１８０ｇ、０．１９７ｍｍｏｌ）を２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４．２ｇ、４３．９ｍｍｏｌ）および１００ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、１リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると暗褐色固体が得られた。粗生成物を、５００ｇのシリカゲルカラム（幅５インチ、高さ７インチ）上でヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（２０％から５０％）を使用してさらに精製した。１つにまとめた画分から、１０．５ｇ（９１％）の生成物が黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３９（ｓ，９Ｈ）、２．１５（ｓ，６Ｈ）、２．１６（ｓ，６Ｈ）、５．９４（ｓ，１Ｈ）、５．９８（ｓ，１Ｈ）、６．７０（ｄｄ，１Ｈ）、６．７９（ｄｄ，１Ｈ）、６．８６（ａｐｐ ｄｄ，２Ｈ）、６．９７（ａｐｐ ｄｄ，２Ｈ）、７．４８〜７．５８（ｍ，２Ｈ）、７．６３（ｄｄ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，１Ｈ）、８．０５（ｄｄ，１Ｈ）、８．３４（ｓ，１Ｈ）、８．４６〜８．５３（ｍ，３Ｈ）。
【００９４】
ｅ．Ｅ２の調製
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（５．０ｇ、９．６ｍｍｏｌ）および４−ブロモ−ｏ−キシレン（４．１ｇ、２２．２ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、１２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３７ｇ、０．１８２ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０８３ｇ、０．０９１ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．１ｇ、２２．２ｍｍｏｌ）および５０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、０．５リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると７．２５ｇの黄色固体が得られた。粗生成物の一部（３．５ｇ）を、１１０ｇのＦｌｏｒｏｓｉｌ（登録商標）カラム上でヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（１０％から４０％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、２．５ｇ（７２．４％）の生成物が淡黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３１（ｓ，９Ｈ）、２．０３７（ｓ，３Ｈ）、２．０４４（ｓ，３Ｈ）、２．１１（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．７３（ａｐｐ ｔ，４Ｈ）、６．８２（ａｐｐ ｄ，４Ｈ）、６．８９（ａｐｐ ｄｄ，４Ｈ）、７．３９（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．４５〜７．５２（ｍ，２Ｈ）、７．９７（ｄ，１Ｈ）、８．０３（ｄ，１Ｈ）、８．３５〜８．４８（ｍ，４Ｈ）。
【００９５】
実施例３
この実施例では、化合物Ｅ３である３，３’−（３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン−６，１２−ジイル）ビス（（３，４−ジメチルフェニル）アザンジイル）−ジベンゾニトリルの調製を示す。
【００９６】
【化１５】
【００９７】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（２．０３ｇ、３．８８ｍｍｏｌ）および３−ブロモベンゾニトリル（１．４５ｇ、７．９５ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中に入れ、２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。次にトリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３１ｇ、０．１６ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０７１ｇ、０．０８ｍｍｏｌ）を加え、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．８９４ｇ、９．３１ｍｍｏｌ）および５ｍｌの乾燥トルエンを加えた。ガラス管を密封し、ドライボックスから取り出し、９０℃の油浴中に１６時間入れた。翌日、反応混合物を室温まで冷却した。ジクロロメタン（１５０ｍｌ）で希釈し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、０．５リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、暗赤色固体が得られた。粗生成物を、シリカゲルカラム（幅２インチ、高さ６インチ）上で１：１ｖ／ｖのヘキサン中ジクロロメタンを使用してさらに精製した。３つの画分を回収し、その真ん中の画分を、１×２インチのＦｌｏｒｏｓｉｌ（登録商標）プラグでジクロロメタンを使用してさらに精製した。得られた黄色溶液を減圧下で濃縮すると、０．９７ｇ（３４．５％）の黄色固体が得られた（ＬＣによると、ｆｌｏｒｏｓｉｌカラムの前よりも試料の純度の改善は示されなかった）。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３４（ｓ，９Ｈ）、２．０９（ｓ，３Ｈ）、２．１０（ｓ，３Ｈ）、２．１５（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．９〜７．１８（ｍ，１４Ｈ）、７．４５（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５６（ｍ，２Ｈ）、７．９３（ｄ，１Ｈ）、８．４５（ｂｒ ｄ，１Ｈ）、８．４６（ｂｒ ｓ，１Ｈ）、８．５２（ｍ，２Ｈ）。
【００９８】
実施例４
この実施例では、化合物Ｅ４である３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００９９】
【化１６】
【０１００】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（３．３ｇ、６．３ｍｍｏｌ）および１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２．９６ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、１２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０２３ｇ、０．１１ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０５２ｇ、０．０５７ｍｍｏｌ）を５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．３３ｇ、１３．９１ｍｍｏｌ）および４０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、４インチのシリカゲルプラグおよび１インチのセライトプラグに通して濾過し、１．２リットルのクロロホルムで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、５．６ｇの黄色固体が得られた。粗生成物の一部（３．５ｇ）を、２００ｇシリカゲルカラム上、ヘキサン中のクロロホルムのグラジエント（５％から２０％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、４．５ｇ（９０．５％）の生成物が淡黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２０（ｓ，９Ｈ）、１．２１（ｓ，９Ｈ）、１．３０（ｓ，９Ｈ）、２．０５（ｂｒ ｓ，３Ｈ）、２．０６（ｂｒ ｓ，３Ｈ）、２．１６（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．７８（ａｐｐ ｔ，２Ｈ）、６．９１（ｍ，８Ｈ）、７．１３（ａｐｐ ｄ，２Ｈ）、７．１６（ａｐｐ ｄ，２Ｈ）、７．４０（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５０（ｍ，２Ｈ）、７．９７（ｄ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、８．３８（ｄ，１Ｈ）、８．４２（ｂｒ ｄ，２Ｈ）、８．４８（ｄ，１Ｈ）。
【０１０１】
実施例５
この実施例では、化合物Ｅ５であるＮ6，Ｎ12−ビス（ビフェニル−４−イル）−３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【０１０２】
【化１７】
【０１０３】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセン（１．８ｇ、４．０７ｍｍｏｌ）およびＮ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ビフェニル−４−アミン（２．５８ｇ、８．５５ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中で混合し、２０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０１４８ｇ、０．０７３ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０３３５ｇ、０．０３６６ｍｍｏｌ）を１０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．７８２ｇ、８．１４ｍｍｏｌ）および２０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、４インチのシリカゲルプラグおよび１インチのセライトプラグに通して濾過し、１リットルのクロロホルムおよび３００ｍｌのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、黄色固体がえら得た。粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによってヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（１０％〜１５％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、３．２５ｇ（９０．５％）の生成物が黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２２（ｓ，９Ｈ）、１．２３（ｓ，９Ｈ）、１．３１（ｓ，９Ｈ）、７．０４〜７．５６（ｍ，２９Ｈ）、８．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．３Ｈｚ）、８．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．５１（ｓ，１Ｈ）、８．５３（ｓ，１Ｈ）、８．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）。
【０１０４】
実施例６
この実施例では、化合物Ｅ６である３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−フルオロフェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０５】
実施例５に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フルオロアニリンから化合物Ｅ６を調製した。収量８２０ｍｇ（８４％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．３２（ｓ，９Ｈ）、１．３３（ｓ，９Ｈ）、１．４５（ｓ，９Ｈ）、６．６９〜６．７６（ｍ，４Ｈ）、６．７８〜６．８３（ｍ，２Ｈ）、７．２８〜７．４０（ｍ，６Ｈ）、７．４５〜７．５０（ｍ，４Ｈ）、７．６８（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０、６．９、９．３Ｈｚ）、７．７６（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．４、６．９、８．４Ｈｚ）、７．８２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．７Ｈｚ）、８．１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）、８．２０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０、８．４Ｈｚ）、８．８６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ）、８．９７（ｓ，１Ｈ）、９．０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、９．０５（ｓ，１Ｈ）。
【０１０６】
実施例７
この実施例では、化合物Ｅ７である３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｏ−トリル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０７】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（ｏ−トリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンから化合物Ｅ７を調製した。粗生成物は、ヘキサンおよびジエチルエーテルを使用して粉砕することによって精製した。収量７００ｍｇ（７８％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．２６（ｓ，９Ｈ）、１．２８（ｓ，９Ｈ）、１．３２（ｓ，９Ｈ）、２．１３（ｓ，３Ｈ）、２．１７（ｓ，３Ｈ）、６．７４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、６．７９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）、７．１４〜７．３９（ｍ，１２Ｈ）、７．５０（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．６１（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．６５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７、８．４Ｈｚ）、８．０４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）、８．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝０．８、８．４Ｈｚ）、８．３１〜８．３４（ｍ，２Ｈ）、８．３５（ｓ，１Ｈ）、８．４９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０１０８】
実施例８
この実施例では、化合物Ｅ８、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−フルオロフェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０９】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（ｍ−フルオロフェニル）−４−ビフェニルアミンから化合物Ｅ８を調製した。収量９３０ｍｇ（７９．６％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．４１（ｓ，９Ｈ）、６．７９（ａｐｐ ｄｔ，２Ｈ、Ｊ＝２．４、８．４Ｈｚ）、６．９０（ｂｒ ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ）、６．９６（ｍ，２Ｈ）、７．２８〜７．４０（ｍ，８Ｈ）、７．４５（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．６２〜７．７５（ｍ，１０Ｈ）、７．８０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．４７Ｈｚ）、８．１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．１８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．３Ｈｚ）、８．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ）、８．９９（ｓ，１Ｈ）、９．０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、９．１５（ｓ，１Ｈ）。
【０１１０】
実施例９
この実施例では、化合物Ｅ９、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（１−ナフチル）フェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１１１】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（４−（１−ナフチル）フェニル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンから化合物Ｅ９を調製した。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーによってヘキサン中５〜１２％のＣＨ2Ｃｌ2を使用して精製した。収量４４０ ｍｇ（３３．６％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．２９（ｓ，９Ｈ）、１．３０（ｓ，９Ｈ）、１．４３（ｓ，９Ｈ）、７．２３（ｍ，４Ｈ）、７．３１（ｍ，４Ｈ）、７．４１〜７．４６（ｍ，１０Ｈ）、７．４６〜７．５９（ｍ，６Ｈ），７．６６（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．７５（ａｐｐ ｔ，1Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．８１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．５Ｈｚ）、７．９３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝３．３、８．４Ｈｚ）、８．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．２７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．９Ｈｚ）、８．８３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ）、８．９８（ｓ，１Ｈ）、８．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、９．０３（ｓ，１Ｈ）。
【０１１２】
【表１】
【０１１３】
実施例１０〜２１
これらの実施例では、青色発光するデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）、これはポリピロールおよびポリマーフッ素化スルホン酸との水性分散体である。この材料は、米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書の実施例１に記載の手順と類似の手順を使用して調製した。
正孔輸送層＝ポリマーＰ１（２０ｎｍ）
光活性層＝１３：１のホスト：ドーパント（４８ｎｍ）
電子輸送層＝テトラキス−（８−ヒドロキシキノリン）ジルコニウム（ＺｒＱ）（２０ｎｍ）
カソード＝ＬｉＦ／Ａｌ（０．５／１００ｎｍ）
【０１１４】
ＯＬＥＤデバイスは溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、３０オーム／スクエアのシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体は、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。
【０１１５】
デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却の直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体をマスクし、真空室に入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、次にＬｉＦ層を堆積した。次に真空下でマスクを交換し、Ａｌ層を熱蒸着によって堆積した。真空室に通気し、ガラス蓋、デシカント（ｄｅｓｓｉｃａｎｔ）、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。
【０１１６】
ＯＬＥＤ試料の特性決定を、それらの（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。デバイスデータを表２に示している。
【０１１７】
【化１８】
【０１１８】
実施例１０
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ１であり、ホストはＨ１であった。
【０１１９】
実施例１１
この実施例では、青色ドーパントはＥ２であり、ホストはＨ１であった。
【０１２０】
実施例１２
この実施例では、青色ドーパントはＥ３であり、ホストはＨ１であった。
【０１２１】
実施例１３
この実施例では、青色ドーパントはＥ２であり、ホストはＨ２であった。
【０１２２】
実施例１４
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ４であり、ホストはＨ１であった。
【０１２３】
実施例１５
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ４であり、ホストはＨ２であった。
【０１２４】
実施例１６
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ５であり、ホストはＨ１であった。
【０１２５】
実施例１７
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ５であり、ホストはＨ２であった。
【０１２６】
実施例１８
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ６であり、ホストはＨ１であった。
【０１２７】
実施例１９
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ７であり、ホストはＨ１であった。
【０１２８】
実施例２０
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ８であり、ホストはＨ１であった。
【０１２９】
実施例２１
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ９であり、ホストはＨ１であった。
【０１３０】
【表２】
【０１３１】
概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つ以上のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。
【０１３２】
以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることが理解できよう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正は本発明の範囲内に含まれることを意図している。
【０１３３】
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。
【０１３４】
本明細書において明記される種々の範囲内の数値が使用される場合、記載の範囲内の最小値および最大値の両方の前に単語「約」が付けられているかのように近似値として記載されている。この方法では、記載の範囲よりもわずかに上およびわずかに下のばらつきを使用して、その範囲内の値の場合と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内となる。
【０１３５】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、範囲内に記載される値への言及はわずかなばらつきを含んでおり、記載の範囲の上下の値を使用して、その範囲内の値と実質的に同じ結果を得ることができる。これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に得られる場合がある小数値を含む、最小および最大の平均値の間のすべての値を含む連続的な範囲として意図されている。さらに、より広いおよびより狭い範囲が開示される場合、一方の範囲の最小値を他方の範囲の最大値と一致させる、またはその逆を行うことが、本発明の考慮の範囲内となる。
【技術分野】
【０００１】
関連出願データ
本出願は、米国特許法第１１９（ｅ）条に基づき２００７年６月１日に出願された米国仮特許出願第６０／９４１，４０４号明細書の優先権を主張し、この文献全体が参照として本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、青色発光するエレクトロルミネッセンスのクリセン化合物に関する。本発明は、活性層がこのようなクリセン化合物を含む電子デバイスにも関する。
【背景技術】
【０００３】
ディスプレイを構成する発光ダイオードなどの光を発する有機電子デバイスは、多くの異なる種類の電子装置中に存在する。すべてのこのようなデバイスにおいては、２つの電気接触層の間に有機活性層が挟まれている。少なくとも１つの電気接触層は、光が電気接触層を通過できるように光透過性である。電気接触層に電気を印加すると、有機光活性層は、光透過性電気接触層を透過する光を発する。
【０００４】
発光ダイオード中の活性成分として有機エレクトロルミネッセンス化合物が使用されることが知られている。アントラセン、チアジアゾール誘導体、およびクマリン誘導体などの単純な有機分子はエレクトロルミネッセンスを示すことが知られている。半導体共役ポリマーもエレクトロルミネッセンス成分として使用されており、たとえば、米国特許第５，２４７，１９０号明細書、米国特許第５，４０８，１０９号明細書、および欧州特許出願公開第４４３ ８６１号明細書に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、エレクトロルミネッセンス化合物、特に青色発光の化合物が引き続き必要とされている。
【０００６】
式Ｉ：
【０００７】
【化１】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有し、青色光を発することが可能である化合物が提供される。
【０００８】
式Ｉの化合物を含む活性層を含む電子デバイスも提供する。
【０００９】
本明細書において提示される概念の理解をすすめるために、添付の図面において実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機電子デバイスの一例の図である。
【００１１】
当業者であれば理解しているように、図面中の物体は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、実施形態を理解しやすいようにするために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されている場合がある。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
多数の態様および実施形態が本明細書において開示されるが、これらは例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、当業者には、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が可能であることが理解されよう。
【００１３】
任意の１つ以上の実施形態の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明では、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、クリセン化合物、電子デバイス、そして最後に実施例を扱う。
【００１４】
１．用語の定義および説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義または説明を行う。
【００１５】
用語の定義
本明細書において使用される場合、用語「化合物」は、原子からなる分子から構成される非帯電物質であって、これらの原子が、物理的手段によって分離することができない物質を意味することを意図している。デバイス中の層に言及するために使用される場合、語句「隣接する」は、ある層が別の層のすぐ隣にあることを必ずしも意味するものではない。他方で、語句「隣接するＲ基」は、化学式中で互いに隣同士であるＲ基（すなわち、１つの結合によって連結した複数の原子上に存在する複数のＲ基）を意味するために使用される。用語「光活性」は、エレクトロルミネッセンスおよび／または感光性を示すあらゆる材料を意味する。
【００１６】
用語「アリール」は、１つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することを意図している。この用語には、１つの環を有する基、ならびに単結合によって連結したり、互いに縮合したりすることができる複数の環を有する基が含まれる。この用語はヘテロアリールを含むことを意図している。用語「アリーレン」は、２つの結合点を有する芳香族炭化水素から誘導される基を意味することを意図している。ある実施形態においては、アリール基は３〜６０個の炭素原子を有する。
【００１７】
用語「アルキル」は、１つの結合点を有する脂肪族炭化水素から誘導される基を意味することを意図しており、線状、分岐、または環状の基を含んでいる。この用語はヘテロアルキルを含むことを意図している。用語「アルキレン」は、脂肪族炭化水素から誘導され２つ以上の結合点を有する基を意味することを意図している。ある実施形態においては、アルキル基は１〜２０個の炭素原子を有する。
【００１８】
用語「分岐アルキル」は、少なくとも１つの第２級または第３級の炭素を有するアルキル基を意味する。用語「第２級アルキル」は、第２級炭素原子を有する分岐アルキル基を意味する。用語「第３アルキル」は、第３級炭素原子を有する分岐アルキル基を意味する。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、第２級または第３級の炭素を介して結合している。
【００１９】
用語「脂肪族環」は、非局在化π電子を有さない環状基を意味することを意図している。ある実施形態においては、脂肪族環は不飽和を有さない。ある実施形態においては、この環は１つの二重結合または三重結合を有する。
【００２０】
用語「ビナフチル」は、単結合によって結合した２つのナフタレン単位を有する基を意味することを意図している。ある実施形態においては、ビナフチル基は、３位、４位、または５位で結合する１，１−ビナフチルであり；ある実施形態においては、１−ナフチル部分上の３位、４位、または５位、あるいは２−ナフチル部分上の４位または５位で結合する１，２−ビナフチルであり；ある実施形態においては、４位または５位で結合する２，２−ビナフチルである。
【００２１】
用語「ビフェニル」は、単結合によって結合した２つのフェニル単位を有する（ｈａｖｉｎ）基を意味することを意図している。この基は２位、３位、または４位で結合することができる。
【００２２】
用語「青色」は、約４００〜５００ｎｍの範囲内の波長で発光極大を有する放射線を意味する。
【００２３】
接頭語「ヘテロ」は、１つ以上の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示している。ある実施形態においては、この異なる原子はＮ、Ｏ、またはＳである。
【００２４】
すべての基は、非置換であってもよいし置換されていてもよい。ある実施形態においては、置換基は、ハライド、アルキル、アルコキシ、アリール、およびシアノからなる群から選択される。
【００２５】
用語「層」は、用語「膜」と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであってもよいし、実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または１つのサブピクセルの小ささであってもよい。層および膜は、気相堆積、液相堆積（連続的技術および不連続な技術）、および熱転写などの従来のあらゆる堆積技術によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
用語「有機電子デバイス」または場合により単に「電子デバイス」は、１つ以上の有機半導体層または有機半導体材料を含むデバイスを意味することを意図している。
【００２７】
特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験を行うことができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、それらの記載内容全体が参照として援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。
【００２８】
さらに、全体的にＩＵＰＡＣ番号方式が使用され、周期表の族は、左から右に１〜１８の番号が付けられる（ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１st Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０００）。
【００２９】
２．クリセン化合物
本発明の一態様は式Ｉ：
【００３０】
【化２】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）の組成物である。この化合物は青色発光が可能である。
【００３１】
ある実施形態においては、分岐アルキル基は３〜８個の炭素原子を有する。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、イソプロピルおよび２−ブチルからなる群から選択される第２級アルキルである。ある実施形態においては、分岐アルキル基は、ｔ−ブチルおよび２−（２−メチル）−ブチルからなる群から選択される第３級アルキルである。
【００３２】
ある実施形態においては、Ｒ３は分岐アルキル基である。ある実施形態においては、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、およびＲ７からＲ１１はＨである。
【００３３】
ある実施形態においては、Ｒ２およびＲ３を合わせたものが、５または６員環の脂肪族環を形成する。ある実施形態においては、この脂肪族環はシクロヘキシルおよびシクロペンチルからなる群から選択される。ある実施形態においては、この脂肪族環は１つ以上のアルキル置換基を有する。
【００３４】
ある実施形態においては、Ａｒ１からＡｒ４は独立して、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ビナフチル、フェニルナフチル、およびナフチルフェニルからなる群から選択される。ある実施形態においては、少なくとも１つのアリール基が、Ｃ１〜２０アルキル、Ｃ１〜２０アルコキシ、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロからなる群から選択される置換基を有する。ある実施形態においては、これらのアルキル、アルコキシ、およびパーフルオロアルキル基は１〜８個の炭素を有する。
【００３５】
ある実施形態においては、Ａｒ１およびＡｒ３はフェニル基である。ある実施形態においては、Ａｒ１およびＡｒ３は、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロから選択される１つの置換基を有するフェニル基である。ある実施形態においては、このパーフルオロアルキル基はトリフルオロメチルである。ある実施形態においてはＡｒ１およびＡｒ３は、アルキル基およびアルコキシ基からなる群から選択される１〜５個の置換基を有するフェニル基である。
【００３６】
ある実施形態においては、Ａｒ２およびＡｒ４は、フェニル基およびビフェニル基からなる群から選択される。ある実施形態においては、Ａｒ２およびＡｒ４は、少なくとも１つのアルキル置換基を有する。
【００３７】
ある実施形態においては、青色クリセン化合物は化合物Ｅ１からＥ９：
【００３８】
【化３】
【００３９】
【化４】
【００４０】
【化５】
【００４１】
【化６】
【００４２】
【化７】
から選択される。
【００４３】
ある実施形態においては、青色クリセン化合物は以下のＥ１０からＥ１５
【００４４】
【化８】
【００４５】
【化９】
【００４６】
【化１０】
から選択される。
【００４７】
化合物Ｅ１０からＥ１５中、Ａｒ１からＡｒ４は前述の通りである。ある実施形態においては、Ａｒ１からＡｒ４は、フェニルおよびビフェニルからなる群から選択される。ある実施形態においては、Ａｒ１＝Ａｒ２およびＡｒ３＝Ａｒ４である。ある実施形態においては、Ａｒ１＝Ａｒ３およびＡｒ２＝Ａｒ４である。
【００４８】
本発明の新規クリセン類は、周知のカップリング反応および置換反応によって調製することができる。代表的な調製を実施例で示している。
【００４９】
本明細書に記載のクリセン化合物は、液相堆積技術を使用して膜に成形することができる。ホストマトリックス中に分散させたこれらの材料の薄膜は、良好から優秀なフォトルミネッセンス特性および青色発光を示す。
【００５０】
３．電子デバイス
本明細書に記載の青色発光材料を含む１つ以上の層を有することが有益となりうる有機電子デバイスとしては、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、またはダイオードレーザー）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、ＩＲ検出器）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、ならびに（４）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品（たとえば、トランジスタまたはダイオード）を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５１】
有機電子デバイス構造の一例を図１に示す。デバイス１００は、第１の電気接触層のアノード層１１０、および第２の電気接触層のカソード層１６０、並びにそれらの間の光活性層１４０を有する。アノードに隣接して緩衝層１２０が存在する。緩衝層に隣接して、正孔輸送材料を含む正孔輸送層１３０が存在する。カソードに隣接して、電子輸送材料を含む電子輸送層１５０が存在することができる。選択肢の１つとして、デバイスは、アノード１１０の隣に１つ以上の追加の正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）、および／またはカソード１６０の隣に１つ以上の追加の電子注入層または電子輸送層（図示せず）を使用することができる。
【００５２】
層１２０から１５０は、個別および集合的に活性層と呼ばれる。
【００５３】
一実施形態においては、種々の層は以下の範囲の厚さを有する：アノード１１０、５００〜５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；緩衝層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；正孔輸送層１３０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層１４０、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；層１５０、５０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；カソード１６０、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。デバイス中の電子−正孔再結合領域の位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さによって影響されうる。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。
【００５４】
デバイス１００の用途に依存するが、光活性層１４０は、印加電圧によって励起する発光層（発光ダイオード中または発光電気化学セル中など）、放射エネルギーに応答し、バイアス電圧の印加を使用してまたは使用せずに信号を発生する材料層（光検出器中など）であってよい。光検出器の例としては、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、および光電管、ならびに光起電力セルが挙げられ、これらの用語は、Ｍａｒｋｕｓ、Ｊｏｈｎ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｎｕｃｌｅｏｎｉｃｓ Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ、４７０および４７６（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ， Ｉｎｃ．１９６６）に記載されている。
【００５５】
ａ．光活性層
式Ｉのクリセン化合物は、層１４０中の光活性材料として有用である。これらの化合物は単独で使用することもできるし、ホスト材料と組み合わせることもできる。
【００５６】
ある実施形態においては、ホストは、ビス縮合環状芳香族化合物である。
【００５７】
ある実施形態においては、ホストは、アントラセン誘導体化合物である。ある実施形態においてはこの化合物は以下の式：
Ａｎ−Ｌ−Ａｎ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ｌは二価の連結基である）
で表される。この式のある実施形態においては、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または芳香族基である。ある実施形態においては、Ａｎは、モノ−またはジフェニルアントリル部分である。
【００５８】
ある実施形態においては、ホストは式：
Ａ−Ａｎ−Ａ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ａは、出現ごとに同一または異なり、芳香族基である）
で表される。
【００５９】
ある実施形態においては、Ａ基は、アントラセン部分の９位または１０位に結合している。ある実施形態においては、Ａは、ナフチル、ナフチルフェニレン、およびナフチルナフチレンからなる群から選択される。ある実施形態においては、この化合物は対称であり、ある実施形態においては、この化合物は非対称である。
【００６０】
ある実施形態においては、ホストは式：
【００６１】
【化１１】
（式中：
Ａ1およびＡ2は、出現ごとに同一または異なり、Ｈ、芳香族基、およびアルケニル基からなる群から選択されるか、またはＡが１つ以上の複合芳香環を表すことができ；
ｐおよびｑは、同一または異なり、１〜３の整数である）
で表される。ある実施形態においては、アントラセン誘導体は非対称である。ある実施形態においては、ｐ＝２およびｑ＝１である。ある実施形態においては、Ａ1およびＡ2の少なくとも１つがナフチル基である。
【００６２】
ある実施形態においては、ホストは
【００６３】
【化１２】
およびそれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００６４】
式Ｉのクリセン化合物は、光活性層中の発光ドーパントとして有用であることに加えて、光活性層１４０中の別の発光ドーパントの電荷キャリアホストとして機能することもできる。
【００６５】
ｂ．他のデバイス層
デバイス中の他の層は、そのような層中に有用であることが知られているあらゆる材料でできていてよい。
【００６６】
アノード１１０は、正電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。アノードは、たとえば金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有する材料でできていいてもよいし、伝導性ポリマー、およびそれらの混合物であってもよい。好適な金属としては、１１族金属、４〜６族の金属、および８〜１０族の遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性となるべき場合には、インジウムスズ酸化物などの１２族、１３族、および１４族の金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノード１１０は、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ」、Ｎａｔｕｒｅ 第３５７巻、ｐｐ ４７７−４７９（１９９２年６月１１日）に記載されるようなポリアニリンなどの有機材料を含むこともできる。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるように、少なくとも部分的に透明であることが望ましい。
【００６７】
緩衝層１２０は緩衝材料を含み、限定するものではないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴などの、１つまたは複数の機能を有機電子デバイス中で有することができる。緩衝材料は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってよい。これらは、溶液、分散体、懸濁液、エマルジョン、コロイド混合物、またはその他の組成物の形態であってよい液体から気相堆積または堆積することができる。
【００６８】
緩衝層は、プロトン酸がドープされることが多いポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマー材料で形成され得る。プロトン酸は、たとえば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであってよい。
【００６９】
緩衝層は、銅フタロシアニンやテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物などを含むことができる。
【００７０】
ある実施形態においては、緩衝層は、少なくとも１種類の導電性ポリマーおよび少なくとも１種類のフッ素化酸ポリマーを含む。このような材料は、たとえば、米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４−０１２７６３７号明細書、および米国特許出願公開第２００５／２０５８６０号明細書に記載されている。
【００７１】
層１３０の正孔輸送材料の例は、たとえば、Ｙ．Ｗａｎｇにより，Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、第１８巻、ｐ．８３７−８６０、１９９６にまとめられている。正孔輸送分子および正孔輸送ポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子は：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物である。一般に使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、およびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に、上述のものなどの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。場合により、トリアリールアミンポリマー、特にトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが使用される。場合により、これらのポリマーおよびコポリマーは架橋性である。
【００７２】
層１５０中に使用可能な他の電子輸送材料の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）などの金属キレート化オキシノイド化合物；ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニル−フェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）および３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；９，１０−ジフェニルフェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン誘導体；ならびにそれらの混合物が挙げられる。層１５０は、電子輸送の促進と、層界面での励起子の消光を防止する緩衝層または閉じ込め層としての両方の機能を果たすことができる。好ましくは、この層は電子移動を促進し、励起子の消光を減少させる。
【００７３】
カソード１６０は、電子または負電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。カソードの材料は、１族のアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、たとえば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびに組み合わせた材料を使用することができる。動作電圧を低下させるために、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、およびＬｉ2Ｏを有機層とカソード層との間に堆積することもできる。
【００７４】
有機電子デバイス中に別の層を有することが知られている。たとえば、注入される正電荷量を制御するため、および／または層のバンドギャップの整合性を促進するため、あるいは保護層として機能させるために、アノード１１０と緩衝層１２０との間に層（図示せず）が存在してもよい。銅フタロシアニン、ケイ素酸窒化物、フルオロカーボン類、シラン類、またはＰｔなどの金属の超薄層などの、当技術分野において周知の層を使用することができる。あるいは、アノード層１１０、活性層１２０、１３０、１４０、および１５０、あるいはカソード層１６０の一部またはすべては、電荷キャリア輸送効率を増加させるために表面処理を行うことができる。各構成層の材料の選択は、好ましくは、高いエレクトロルミネッセンス効率を有するデバイスを得るために発光層中の正電荷および負電荷の釣り合いを取ることによって決定される。
【００７５】
各機能層は２つ以上の層で構成されてよいことを理解されたい。
【００７６】
本発明のデバイスは、好適な基体上に個別の層を順次気相堆積するなどの種々の技術によって作製することができる。ガラス、プラスチック、および金属などの基体を使用することができる。熱蒸着、化学蒸着などの従来の気相堆積技術を使用することができる。あるいは、有機層は、限定するものではないが、スピンコーティング、浸漬コーティング、ロール・トゥ・ロール技術、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの従来のコーティングまたは印刷技術を使用して、好適な溶媒中の溶液または分散体から適用することもできる。
【００７７】
本発明は、２つの電気接触層の間に少なくとも１つの活性層を含む電子デバイスであって、デバイスの少なくとも１つ活性層が式１のクリセン化合物を含む電子デバイスにも関する。多くの場合デバイスは追加の正孔輸送および電子輸送層を有する。
【００７８】
高効率ＬＥＤを実現するために、正孔輸送材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）がアノードの仕事関数に合わせられることが望ましく、電子輸送材料のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）がカソードの仕事関数に合わせられることが望ましい。材料の化学的適合性および昇華温度も、電子輸送材料および正孔輸送材料の選択における重要な考慮事項である。
【００７９】
本明細書に記載のクリセン化合物を使用して作製されたデバイスの効率は、デバイス中の別の層を最適化することによってさらに改善できることを理解されたい。たとえば、Ｃａ、Ｂａ、またはＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。動作電圧を下げ量子効率を増加させる成形基体および新規な正孔輸送材料も利用可能である。種々の層のエネルギー準位を調整しエレクトロルミネッセンスを促進するために追加層を加えることもできる。
【００８０】
本発明のクリセン化合物は、多くの場合、蛍光性およびフォトルミネッセンスであり、酸素感受性インジケーターおよびバイオアッセイにおける蛍光インジケーターなど、ＯＬＥＤ以外の用途において有用となりうる。
【実施例】
【００８１】
以下の実施例により、本発明の特定の特徴および利点を説明する。これらは、本発明の説明を意図するものであり、限定を意図するものではない。特に明記しない限り、すべてのパーセント値は重量を基準としている。
【００８２】
実施例１
この実施例では、化合物Ｅ１である３−イソ−プロピル−Ｎ6，Ｎ6，Ｎ12，Ｎ12−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）−クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００８３】
【化１３】
【００８４】
ａ．（Ｚ）−１−（４−イソ−プロピルスチリル）ナフタレンの調製。
ドライボックス中で、１−ビニルナフタレン（９．８０ｇ、６３．５ｍｍｏｌ）および４−ブロモクメン（１１．５ｇ、５７．８ｍｍｏｌ）を２５０ｍｌの丸底フラスコ中に入れ、８０ｍｌの乾燥ＤＭＦ中に溶解させた。パラジウム触媒（ｔｒａｎｓ−ジ（μ−アセタト）ビス［ｏ−（ジ−ｏ−トリルホスフィノ）ベンジル］ジパラジウム（ＩＩ）、０．５４２ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）および酢酸ナトリウム（７．１１ｇ、８６．６ｍｍｏｌ）を最後に加え、続いて２０ｍｌの乾燥ＤＭＦを加えた。このフラスコに蓋をして、ドライボックスから取り出し、窒素をフラッシングした冷却器に取り付けた。反応混合物を１２０℃で６０時間撹拌した。溶液を室温まで冷却し、７５０ｍｌの水中に注いだ。水層をＣＨ2Ｃｌ2（３×５００ｍｌ）で抽出した。１つにまとめた有機層を水およびブライン（各５００ｍｌ）で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させ、揮発分を真空下で除去した。粗生成物を、４インチのカラムに充填した２５ｇのシリカ上に吸着させ、最初にヘキサン、次にヘキサン中２０％のＣＨ2Ｃｌ2で溶出させた。最初の画分を濃縮し、残留物を高真空下で乾燥させて６．３ｇ（４０％）の所望の生成物を得た。1Ｈ ＮＭＲは、文献（Ｂｅｃｋｍａｎｎ ｅｔ ａｌ．，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔ．Ｎｕｃ．Ｍａｇ．Ｒｅｓ．，１９９８，１２，２５１）に報告されるものと類似している。
【００８５】
ｂ．３−イソ−プロピルクリセンの調製。
（Ｚ）−１−（４−イソプロピルスチリル）ナフタレン（４ｇ、７．３４ｍｍｏｌ）を、空気流入口および撹拌棒を取り付けた１Ｌの光化学容器（ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｖｅｓｓｅｌ）中の１Ｌの乾燥四塩化炭素中に溶解させた。この光化学容器の上部に２つの冷却器を取り付けた。反応混合物にハロゲンランプ（Ｈａｎｏｖｉａ、４５０Ｗ）を４時間照射した。揮発分を真空下で除去し、得られた固形分をトルエンで抽出して、１．６ｇ（４０％）の黄色粉末を得た。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、ＬＩＭＳ ６４３３５７）：□１．３２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、３．０２（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、７．３４〜７．４７（ｍ，３Ｈ）、７．７３〜７．７９（ｍ，４Ｈ）、８．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．３Ｈｚ）、８．５２（ｓ，１Ｈ）、８．５３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ）、８．６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２Ｈｚ）。
【００８６】
ｃ．６，１２−ジブロモ−３−イソ−プロピルクリセンの調製
Ｋｏｄｏｍａｒｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８８，２０９３に記載のようにして臭素化を行った。収率２２．５％。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２１（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、２．８３（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、７．２８〜７．３９（ｍ，３Ｈ）、８．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．２２（ｓ，１Ｈ）、８．３７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．３９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．２、８．２Ｈｚ）、８．７３（ｓ，１Ｈ）、８．９４（ｓ，１Ｈ）。
【００８７】
ｄ．Ｅ１の調製
ドライボックス中で、６，１２−ジブロモ−３−イソ−プロピルクリセン（０．５５ｇ、１．２８ｍｍｏｌ）およびビス（３，４−ジメチルフェニル）アミン（０．５９３ｇ、２．６３ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中で混合し、１５ｍｌのトルエン中に溶解させた。次にトリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０５２ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１１８ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を加え、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．２９６ｇ、３．０８ｍｍｏｌ）および５ｍｌの乾燥トルエンを加えた。ガラス管を密封して、ドライボックスから取り出し、１００℃の油浴中に２４時間入れた。反応混合物を室温まで冷却し、８０ｍｌのジクロロメタンで希釈し、セライトおよびシリカのプラグで濾過した。プラグをさらなる２００ｍｌのジクロロメタンで洗浄した。濾液を１つにまとめ、減圧下で揮発分を除去して、暗黄色固体を得た。ヘキサン中１０％のジクロロメタンを使用したシリカ上のカラムクロマトグラフィーによってさらに精製を行った。第２の溶出画分を蒸発させると、７５０ｍｇ（８１％）の鮮黄色粉末が得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ）、２．０３（ｓ，１２Ｈ）、２．１０（ｓ，１２Ｈ）、３．０２（ｓｅｐｔ，１Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ）、６．６９〜６．７７（ｍ，４Ｈ）、６．８２（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．１、６．５Ｈｚ）、６．８７（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝２．７、８．２Ｈｚ）、７．９８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．０３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、８．２７（ｓ，１Ｈ）、８．３６（ｓ，１Ｈ）、８．４３〜８．４７（ｍ，２Ｈ）。
【００８８】
実施例２
この実施例では、化合物Ｅ２である３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ6，Ｎ12，Ｎ12−テトラキス（３，４−ジメチルフェニル）−クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００８９】
【化１４】
【００９０】
ａ．１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ナフタレンの調製。
オーブンで乾燥させた５００ｍｌの三口丸底フラスコに、磁気撹拌子、添加漏斗、および窒素流入口コネクターを取り付けた。このフラスコに、塩化（１−ナプチルメチル）トリフェニルホスホニウム（１２．０７ｇ、２７．５ｍｍｏｌ）および２００ｍｌの無水ＴＨＦを投入した。水素化ナトリウム（１．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）を１回で加えた。この混合物は鮮橙色になり、室温で終夜撹拌した。カニューレを使用して添加漏斗に無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）中の４−ｔｅｒｔ−ブチル−ベンズアルデヒド（７．１ｇ、２５ｍｍｏｌ）の溶液を加えた。このアルデヒド溶液を４５分かけて反応混合物に滴下した。反応物を室温で２４時間撹拌した（橙色は消失した）。反応混合物にシリカゲルを加え、揮発分を減圧下で除去した。得られた粗生成物を、ヘキサン５〜１０％のジクロロメタンを使用したシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーで精製した。生成物は、シスおよびトランス異性体の混合物（６．３ｇ、８９％）として単離され、これを分離せずに使用した。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２７（ｓ，９Ｈ）、７．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、７．３３〜７．４９（ｍ，７Ｈ）、７．６８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、７．７１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．７６〜７．８１（ｍ，２Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）。
【００９１】
ｂ．３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンの調製。
１−（４−ｔｅｒｔ−ブチルスチリル）ナフタレン（４．０ｇ、１４．０ｍｍｏｌ）を、窒素流入口および撹拌棒を取り付けた１リットルの光化学容器中の乾燥トルエン（１ｌ）に溶解させた。乾燥プロピレンオキシドの瓶を氷水中で冷却してから、シリンジで１００ｍｌのエポキシドを抜き取り、上記反応混合物に加えた。最後にヨウ素（３．６１ｇ、１４．２ｍｍｏｌ）を加えた。光化学容器に冷却器を取り付け、ハロゲンランプ（Ｈａｎｏｖｉａ、４５０Ｗ）を点灯した。反応混合物中にヨウ素が残留しないことがその色の消失から明らかになると、ランプを消灯して反応を停止させた。反応は３．５時間で終了した。減圧下でトルエンおよび過剰のプロピレンオキシドを除去すると、暗黄色固体が得られた。粗生成物を少量のヘキサン中の２５％ジクロロメタンに溶解させ、中性アルミナの４インチのプラグに通し、ヘキサン中の２５％ジクロロメタン（約１リットル）で洗浄した。揮発分を除去すると、３．６ｇ（９１％）の３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンが黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４１（ｓ，９Ｈ）、７．５１（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５８（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．６３（ｄｄ（１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．４Ｈｚ）、７．８０〜７．９２（ｍ，４Ｈ）、８．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．１Ｈｚ）、８．６３〜８．６８（ｍ，３Ｈ）。
【００９２】
ｃ．６，１２−ジブロモ−３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセンの調製
３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン（４．０ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）およびトリメチルホスフェート（１１０ｍｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合した。臭素（４．９５ｇ、３１ｍｍｏｌ）を加えた後、フラスコに還流冷却器を取り付け、反応混合物を油浴中１０５℃で１時間撹拌した。ほとんどすぐに白色沈殿が形成された。少量の氷水（１００ｍｌ）上に注ぐことによって、反応混合物の後処理を行った。この混合物を減圧濾過し、水で十分に洗浄した。得られた黄褐色固体を真空下で乾燥させた。粗生成物をメタノール（１００ｍｌ）中で沸騰させ、室温まで冷却し、再び濾過すると、３．７４ｇ（６０％）の白色固体が得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．４６（ｓ，９Ｈ）、７．７０（ｍ，２Ｈ）、７．７９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．９、８．８Ｈｚ）、８．２８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）、８．３６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５、８．０）、８．６０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．６４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５、８．０Ｈｚ）、８．８９（ｓ，１Ｈ）、８．９７（ｓ，１Ｈ）。
【００９３】
ｄ．３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製。
ドライボックス中で、６，１２−ジブロモ−３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン（９．７ｇ、２１．９４ｍｍｏｌ）および３，４−ジメチルアニリン（５．５８ｇ、４６．１ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、２００ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０８０ｇ、０．３９５ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１８０ｇ、０．１９７ｍｍｏｌ）を２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（４．２ｇ、４３．９ｍｍｏｌ）および１００ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、１リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると暗褐色固体が得られた。粗生成物を、５００ｇのシリカゲルカラム（幅５インチ、高さ７インチ）上でヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（２０％から５０％）を使用してさらに精製した。１つにまとめた画分から、１０．５ｇ（９１％）の生成物が黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３９（ｓ，９Ｈ）、２．１５（ｓ，６Ｈ）、２．１６（ｓ，６Ｈ）、５．９４（ｓ，１Ｈ）、５．９８（ｓ，１Ｈ）、６．７０（ｄｄ，１Ｈ）、６．７９（ｄｄ，１Ｈ）、６．８６（ａｐｐ ｄｄ，２Ｈ）、６．９７（ａｐｐ ｄｄ，２Ｈ）、７．４８〜７．５８（ｍ，２Ｈ）、７．６３（ｄｄ，１Ｈ）、８．０１（ｄ，１Ｈ）、８．０５（ｄｄ，１Ｈ）、８．３４（ｓ，１Ｈ）、８．４６〜８．５３（ｍ，３Ｈ）。
【００９４】
ｅ．Ｅ２の調製
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（５．０ｇ、９．６ｍｍｏｌ）および４−ブロモ−ｏ−キシレン（４．１ｇ、２２．２ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、１２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３７ｇ、０．１８２ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０８３ｇ、０．０９１ｍｍｏｌ）を５０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．１ｇ、２２．２ｍｍｏｌ）および５０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、０．５リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると７．２５ｇの黄色固体が得られた。粗生成物の一部（３．５ｇ）を、１１０ｇのＦｌｏｒｏｓｉｌ（登録商標）カラム上でヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（１０％から４０％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、２．５ｇ（７２．４％）の生成物が淡黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３１（ｓ，９Ｈ）、２．０３７（ｓ，３Ｈ）、２．０４４（ｓ，３Ｈ）、２．１１（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．７３（ａｐｐ ｔ，４Ｈ）、６．８２（ａｐｐ ｄ，４Ｈ）、６．８９（ａｐｐ ｄｄ，４Ｈ）、７．３９（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．４５〜７．５２（ｍ，２Ｈ）、７．９７（ｄ，１Ｈ）、８．０３（ｄ，１Ｈ）、８．３５〜８．４８（ｍ，４Ｈ）。
【００９５】
実施例３
この実施例では、化合物Ｅ３である３，３’−（３−ｔｅｒｔ−ブチルクリセン−６，１２−ジイル）ビス（（３，４−ジメチルフェニル）アザンジイル）−ジベンゾニトリルの調製を示す。
【００９６】
【化１５】
【００９７】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（２．０３ｇ、３．８８ｍｍｏｌ）および３−ブロモベンゾニトリル（１．４５ｇ、７．９５ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中に入れ、２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。次にトリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３１ｇ、０．１６ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０７１ｇ、０．０８ｍｍｏｌ）を加え、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．８９４ｇ、９．３１ｍｍｏｌ）および５ｍｌの乾燥トルエンを加えた。ガラス管を密封し、ドライボックスから取り出し、９０℃の油浴中に１６時間入れた。翌日、反応混合物を室温まで冷却した。ジクロロメタン（１５０ｍｌ）で希釈し、シリカゲルおよびセライトの４インチのプラグに通して濾過し、０．５リットルのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、暗赤色固体が得られた。粗生成物を、シリカゲルカラム（幅２インチ、高さ６インチ）上で１：１ｖ／ｖのヘキサン中ジクロロメタンを使用してさらに精製した。３つの画分を回収し、その真ん中の画分を、１×２インチのＦｌｏｒｏｓｉｌ（登録商標）プラグでジクロロメタンを使用してさらに精製した。得られた黄色溶液を減圧下で濃縮すると、０．９７ｇ（３４．５％）の黄色固体が得られた（ＬＣによると、ｆｌｏｒｏｓｉｌカラムの前よりも試料の純度の改善は示されなかった）。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．３４（ｓ，９Ｈ）、２．０９（ｓ，３Ｈ）、２．１０（ｓ，３Ｈ）、２．１５（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．９〜７．１８（ｍ，１４Ｈ）、７．４５（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５６（ｍ，２Ｈ）、７．９３（ｄ，１Ｈ）、８．４５（ｂｒ ｄ，１Ｈ）、８．４６（ｂｒ ｓ，１Ｈ）、８．５２（ｍ，２Ｈ）。
【００９８】
実施例４
この実施例では、化合物Ｅ４である３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【００９９】
【化１６】
【０１００】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（３，４−ジメチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミン（３．３ｇ、６．３ｍｍｏｌ）および１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（２．９６ｇ、１３．９ｍｍｏｌ）を５００ｍｌの丸底フラスコ中で混合し、１２５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０２３ｇ、０．１１ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０５２ｇ、０．０５７ｍｍｏｌ）を５ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．３３ｇ、１３．９１ｍｍｏｌ）および４０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、４インチのシリカゲルプラグおよび１インチのセライトプラグに通して濾過し、１．２リットルのクロロホルムで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、５．６ｇの黄色固体が得られた。粗生成物の一部（３．５ｇ）を、２００ｇシリカゲルカラム上、ヘキサン中のクロロホルムのグラジエント（５％から２０％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、４．５ｇ（９０．５％）の生成物が淡黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２０（ｓ，９Ｈ）、１．２１（ｓ，９Ｈ）、１．３０（ｓ，９Ｈ）、２．０５（ｂｒ ｓ，３Ｈ）、２．０６（ｂｒ ｓ，３Ｈ）、２．１６（ｂｒ ｓ，６Ｈ）、６．７８（ａｐｐ ｔ，２Ｈ）、６．９１（ｍ，８Ｈ）、７．１３（ａｐｐ ｄ，２Ｈ）、７．１６（ａｐｐ ｄ，２Ｈ）、７．４０（ａｐｐ ｔ，１Ｈ）、７．５０（ｍ，２Ｈ）、７．９７（ｄ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、８．３８（ｄ，１Ｈ）、８．４２（ｂｒ ｄ，２Ｈ）、８．４８（ｄ，１Ｈ）。
【０１０１】
実施例５
この実施例では、化合物Ｅ５であるＮ6，Ｎ12−ビス（ビフェニル−４−イル）−３−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ6，Ｎ12−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）クリセン−６，１２−ジアミンの調製を示す。
【０１０２】
【化１７】
【０１０３】
ドライボックス中で、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセン（１．８ｇ、４．０７ｍｍｏｌ）およびＮ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ビフェニル−４−アミン（２．５８ｇ、８．５５ｍｍｏｌ）を肉厚ガラス管中で混合し、２０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させた。トリス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０１４８ｇ、０．０７３ｍｍｏｌ）およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．０３３５ｇ、０．０３６６ｍｍｏｌ）を１０ｍｌの乾燥トルエン中に溶解させ、１０分間撹拌した。この触媒溶液を上記反応混合物に加え、１０分間撹拌し、続いてナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．７８２ｇ、８．１４ｍｍｏｌ）および２０ｍｌの乾燥トルエンを加えた。さらに１０分後、反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素ラインに取り付け、８０℃で終夜撹拌した。翌日、反応混合物を室温まで冷却し、４インチのシリカゲルプラグおよび１インチのセライトプラグに通して濾過し、１リットルのクロロホルムおよび３００ｍｌのジクロロメタンで洗浄した。揮発分を減圧下で除去すると、黄色固体がえら得た。粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによってヘキサン中のジクロロメタンのグラジエント（１０％〜１５％）を使用してさらに精製した。揮発分を除去すると、３．２５ｇ（９０．５％）の生成物が黄色固体として得られた。1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）：δ１．２２（ｓ，９Ｈ）、１．２３（ｓ，９Ｈ）、１．３１（ｓ，９Ｈ）、７．０４〜７．５６（ｍ，２９Ｈ）、８．００（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．３Ｈｚ）、８．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ）、８．５１（ｓ，１Ｈ）、８．５３（ｓ，１Ｈ）、８．５４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）。
【０１０４】
実施例６
この実施例では、化合物Ｅ６である３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−フルオロフェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０５】
実施例５に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３−フルオロアニリンから化合物Ｅ６を調製した。収量８２０ｍｇ（８４％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．３２（ｓ，９Ｈ）、１．３３（ｓ，９Ｈ）、１．４５（ｓ，９Ｈ）、６．６９〜６．７６（ｍ，４Ｈ）、６．７８〜６．８３（ｍ，２Ｈ）、７．２８〜７．４０（ｍ，６Ｈ）、７．４５〜７．５０（ｍ，４Ｈ）、７．６８（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０、６．９、９．３Ｈｚ）、７．７６（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．４、６．９、８．４Ｈｚ）、７．８２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．７Ｈｚ）、８．１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ）、８．２０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．０、８．４Ｈｚ）、８．８６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ）、８．９７（ｓ，１Ｈ）、９．０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、９．０５（ｓ，１Ｈ）。
【０１０６】
実施例７
この実施例では、化合物Ｅ７である３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｏ−トリル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０７】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（ｏ−トリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンから化合物Ｅ７を調製した。粗生成物は、ヘキサンおよびジエチルエーテルを使用して粉砕することによって精製した。収量７００ｍｇ（７８％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．２６（ｓ，９Ｈ）、１．２８（ｓ，９Ｈ）、１．３２（ｓ，９Ｈ）、２．１３（ｓ，３Ｈ）、２．１７（ｓ，３Ｈ）、６．７４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、６．７９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）、７．１４〜７．３９（ｍ，１２Ｈ）、７．５０（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ）、７．６１（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．６５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７、８．４Ｈｚ）、８．０４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９Ｈｚ）、８．０７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝０．８、８．４Ｈｚ）、８．３１〜８．３４（ｍ，２Ｈ）、８．３５（ｓ，１Ｈ）、８．４９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）。
【０１０８】
実施例８
この実施例では、化合物Ｅ８、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（ｍ−フルオロフェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１０９】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（ｍ−フルオロフェニル）−４−ビフェニルアミンから化合物Ｅ８を調製した。収量９３０ｍｇ（７９．６％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．４１（ｓ，９Ｈ）、６．７９（ａｐｐ ｄｔ，２Ｈ、Ｊ＝２．４、８．４Ｈｚ）、６．９０（ｂｒ ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ）、６．９６（ｍ，２Ｈ）、７．２８〜７．４０（ｍ，８Ｈ）、７．４５（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、７．６２〜７．７５（ｍ，１０Ｈ）、７．８０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．４７Ｈｚ）、８．１５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．１８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．３Ｈｚ）、８．９０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．６Ｈｚ）、８．９９（ｓ，１Ｈ）、９．０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、９．１５（ｓ，１Ｈ）。
【０１１０】
実施例９
この実施例では、化合物Ｅ９、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６，１２−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（１−ナフチル）フェニル）クリセンジアミンの合成を示す。
【０１１１】
実施例６に記載されるようにして、３−ｔｅｒｔ−ブチル−６，１２−ジブロモクリセンおよびＮ−（４−（１−ナフチル）フェニル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンから化合物Ｅ９を調製した。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーによってヘキサン中５〜１２％のＣＨ2Ｃｌ2を使用して精製した。収量４４０ ｍｇ（３３．６％）。1Ｈ ＮＭＲ（ｄｍｆ−ｄ7）：□１．２９（ｓ，９Ｈ）、１．３０（ｓ，９Ｈ）、１．４３（ｓ，９Ｈ）、７．２３（ｍ，４Ｈ）、７．３１（ｍ，４Ｈ）、７．４１〜７．４６（ｍ，１０Ｈ）、７．４６〜７．５９（ｍ，６Ｈ），７．６６（ａｐｐ ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．７５（ａｐｐ ｔ，1Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、７．８１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８、８．５Ｈｚ）、７．９３（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝３．３、８．４Ｈｚ）、８．２５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、８．２７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．１、８．９Ｈｚ）、８．８３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．７Ｈｚ）、８．９８（ｓ，１Ｈ）、８．９９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、９．０３（ｓ，１Ｈ）。
【０１１２】
【表１】
【０１１３】
実施例１０〜２１
これらの実施例では、青色発光するデバイスの製造および性能を示す。以下の材料を使用した：
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）：５０ｎｍ
緩衝層＝緩衝液１（２５ｎｍ）、これはポリピロールおよびポリマーフッ素化スルホン酸との水性分散体である。この材料は、米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書の実施例１に記載の手順と類似の手順を使用して調製した。
正孔輸送層＝ポリマーＰ１（２０ｎｍ）
光活性層＝１３：１のホスト：ドーパント（４８ｎｍ）
電子輸送層＝テトラキス−（８−ヒドロキシキノリン）ジルコニウム（ＺｒＱ）（２０ｎｍ）
カソード＝ＬｉＦ／Ａｌ（０．５／１００ｎｍ）
【０１１４】
ＯＬＥＤデバイスは溶液処理と熱蒸着技術との組み合わせによって製造した。Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、３０オーム／スクエアのシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯがコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ １７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン化されたＩＴＯ基体は、水性洗剤溶液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン化されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。
【０１１５】
デバイス製造の直前に、このパターン化されたＩＴＯ基体を洗浄したものをＵＶオゾンで１０分間処理した。冷却の直後に、緩衝液１の水性分散体をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次に基体に正孔輸送材料の溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体をマスクし、真空室に入れた。熱蒸着によってＺｒＱ層を堆積し、次にＬｉＦ層を堆積した。次に真空下でマスクを交換し、Ａｌ層を熱蒸着によって堆積した。真空室に通気し、ガラス蓋、デシカント（ｄｅｓｓｉｃａｎｔ）、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。
【０１１６】
ＯＬＥＤ試料の特性決定を、それらの（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。デバイスデータを表２に示している。
【０１１７】
【化１８】
【０１１８】
実施例１０
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ１であり、ホストはＨ１であった。
【０１１９】
実施例１１
この実施例では、青色ドーパントはＥ２であり、ホストはＨ１であった。
【０１２０】
実施例１２
この実施例では、青色ドーパントはＥ３であり、ホストはＨ１であった。
【０１２１】
実施例１３
この実施例では、青色ドーパントはＥ２であり、ホストはＨ２であった。
【０１２２】
実施例１４
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ４であり、ホストはＨ１であった。
【０１２３】
実施例１５
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ４であり、ホストはＨ２であった。
【０１２４】
実施例１６
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ５であり、ホストはＨ１であった。
【０１２５】
実施例１７
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ５であり、ホストはＨ２であった。
【０１２６】
実施例１８
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ６であり、ホストはＨ１であった。
【０１２７】
実施例１９
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ７であり、ホストはＨ１であった。
【０１２８】
実施例２０
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ８であり、ホストはＨ１であった。
【０１２９】
実施例２１
この実施例では、青色ドーパントは化合物Ｅ９であり、ホストはＨ１であった。
【０１３０】
【表２】
【０１３１】
概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つ以上のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。
【０１３２】
以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることが理解できよう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正は本発明の範囲内に含まれることを意図している。
【０１３３】
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。
【０１３４】
本明細書において明記される種々の範囲内の数値が使用される場合、記載の範囲内の最小値および最大値の両方の前に単語「約」が付けられているかのように近似値として記載されている。この方法では、記載の範囲よりもわずかに上およびわずかに下のばらつきを使用して、その範囲内の値の場合と実質的に同じ結果を得ることができる。また、これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に生じうる分数値を含めて、最小平均値と最大平均値との間のすべての値を含む連続した範囲であることを意図している。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示される場合、ある範囲の最小値を別の範囲の最大値と一致させること、およびその逆のことが本発明の意図の範囲内となる。
【０１３５】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、範囲内に記載される値への言及はわずかなばらつきを含んでおり、記載の範囲の上下の値を使用して、その範囲内の値と実質的に同じ結果を得ることができる。これらの範囲の開示は、ある値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に得られる場合がある小数値を含む、最小および最大の平均値の間のすべての値を含む連続的な範囲として意図されている。さらに、より広いおよびより狭い範囲が開示される場合、一方の範囲の最小値を他方の範囲の最大値と一致させる、またはその逆を行うことが、本発明の考慮の範囲内となる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有し、青色光を発することが可能である、化合物。
【請求項２】
前記分岐アルキル基が３〜８個の炭素原子を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、およびＲ７からＲ１１がＨであり、Ｒ３が分岐アルキル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２およびＲ３をが一緒になって、シクロペンチルおよびシクロヘキシルからなる群から選択される脂肪族環を形成する、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ａｒ１からＡｒ４が、フェニル、ビフェニル、ナフチル、およびビナフチルからなる群から独立的に選択され、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つが、アルキル、アルコキシ、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロから選択される少なくとも１つの置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ａｒ１およびＡｒ３がフェニルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
Ａｒ１およびＡｒ３が、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロからなる群から選択される１つの置換基を有する、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
Ａｒ１およびＡｒ３が、アルキル基およびアルコキシ基からなる群から選択される１〜５個の置換基を有する請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒ２およびＡｒ４が、フェニル基およびビフェニル基からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
Ａｒ２およびＡｒ４が少なくとも１つのアルキル置換基を有する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の少なくとも１つの活性層を含む有機電子デバイスであって、前記活性層が式Ｉ：
【化２】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有する化合物を含み；
前記化合物が青色光を発することが可能な、有機電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物を含む活性層。
【請求項１３】
Ａｎ−Ｌ−Ａｎ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ｌは二価の連結基である）：
Ａ−Ａｎ−Ａ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ａは、出現ごとに同一または異なり、芳香族基である）
から選択される式を有するホスト材料をさらに含む、請求項１２に記載の活性層。
【請求項１４】
前記ホストが式
【化３】
（式中：
Ａ1およびＡ2は、出現ごとに同一または異なり、Ｈ、芳香族基、およびアルケニル基からなる群から選択されるか、あるいはＡが１つ以上の縮合芳香環を表すことができ；
ｐおよびｑは、同じまたは異なるものであり、１〜３の整数である）
を有する、請求項１３に記載の活性層。
【請求項１５】
前記ホストが
【化４】
ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の活性層。
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有し、青色光を発することが可能である、化合物。
【請求項２】
前記分岐アルキル基が３〜８個の炭素原子を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、およびＲ７からＲ１１がＨであり、Ｒ３が分岐アルキル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２およびＲ３をが一緒になって、シクロペンチルおよびシクロヘキシルからなる群から選択される脂肪族環を形成する、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ａｒ１からＡｒ４が、フェニル、ビフェニル、ナフチル、およびビナフチルからなる群から独立的に選択され、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つが、アルキル、アルコキシ、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロから選択される少なくとも１つの置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ａｒ１およびＡｒ３がフェニルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
Ａｒ１およびＡｒ３が、パーフルオロアルキル、シアノ、およびフルオロからなる群から選択される１つの置換基を有する、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
Ａｒ１およびＡｒ３が、アルキル基およびアルコキシ基からなる群から選択される１〜５個の置換基を有する請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒ２およびＡｒ４が、フェニル基およびビフェニル基からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
Ａｒ２およびＡｒ４が少なくとも１つのアルキル置換基を有する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
第１の電気接触層、第２の電気接触層、およびそれらの間の少なくとも１つの活性層を含む有機電子デバイスであって、前記活性層が式Ｉ：
【化２】
（式中：
Ａｒ１からＡｒ４は、同一または異なり、アリールであり、Ａｒ１からＡｒ４の少なくとも１つは置換されており；
Ｒ１からＲ５およびＲ７からＲ１１は、同一または異なり、Ｈおよび分岐アルキルからなる群から選択されるか、隣接するＲ基が互いに結合して５または６員環の脂肪族環を形成できるかであり、ここで、（ｉ）Ｒ３が分岐アルキルであるか、（ｉｉ）Ｒ２およびＲ３が一緒になって５または６員環の脂肪族環を形成するかのいずれかであることを条件とする）
を有する化合物を含み；
前記化合物が青色光を発することが可能な、有機電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物を含む活性層。
【請求項１３】
Ａｎ−Ｌ−Ａｎ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ｌは二価の連結基である）：
Ａ−Ａｎ−Ａ
（式中：
Ａｎはアントラセン部分であり；
Ａは、出現ごとに同一または異なり、芳香族基である）
から選択される式を有するホスト材料をさらに含む、請求項１２に記載の活性層。
【請求項１４】
前記ホストが式
【化３】
（式中：
Ａ1およびＡ2は、出現ごとに同一または異なり、Ｈ、芳香族基、およびアルケニル基からなる群から選択されるか、あるいはＡが１つ以上の縮合芳香環を表すことができ；
ｐおよびｑは、同じまたは異なるものであり、１〜３の整数である）
を有する、請求項１３に記載の活性層。
【請求項１５】
前記ホストが
【化４】
ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載の活性層。
【図１】
【公表番号】特表２０１０−５２９０２７（Ｐ２０１０−５２９０２７Ａ）
【公表日】平成２２年８月２６日（２０１０．８．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５１０４１０（Ｐ２０１０−５１０４１０）
【出願日】平成２０年５月１６日（２００８．５．１６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００８／０６３８１１
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１４７７２１
【国際公開日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年８月２６日（２０１０．８．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月１６日（２００８．５．１６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００８／０６３８１１
【国際公開番号】ＷＯ２００８／１４７７２１
【国際公開日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【出願人】（３９００２３６７４）イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー (2,692)
【氏名又は名称原語表記】Ｅ．Ｉ．ＤＵ ＰＯＮＴ ＤＥ ＮＥＭＯＵＲＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＡＮＹ
【Ｆターム（参考）】
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