２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法
【課題】、収率が高く、かつ純度が高い２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法を提供する。
【解決手段】２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法は、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させることによって行われる。この場合、有機過酸化物としてパーオキシモノカーボネートを用いる。パーオキシモノカーボネートとしては、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）が好ましく、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートが最も好ましい。また、パーオキシモノカーボネートとしては１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものが好ましく、パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることが好ましい。
【解決手段】２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法は、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させることによって行われる。この場合、有機過酸化物としてパーオキシモノカーボネートを用いる。パーオキシモノカーボネートとしては、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）が好ましく、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートが最も好ましい。また、パーオキシモノカーボネートとしては１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものが好ましく、パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば架橋剤、高分子修飾剤、難燃助剤等として有用な２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物が熱分解する条件で反応させることにより２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンが製造できることは知られている。すなわち、有機過酸化物の熱分解により有機過酸化物のラジカルが生成し、そのラジカルがクメン中の第３級水素を引き抜くことによりクミルラジカルが生成し、生成したクミルラジカルの２分子がカップリング反応して２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンが生成する。
【０００３】
このような方法の１つとして、有機過酸化物にジアシルパーオキサイドを使用する方法が古くから知られている。しかしながら、ジアシルパーオキサイドの熱分解により生じたラジカルはアシルラジカル構造をとり、水素引き抜き力が弱いため、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が著しく低くなるという欠点があった。そのような欠点を改良するために、近年では有機過酸化物としてジｔ−ブチルパーオキサイドや１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンを使用する方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】欧州特許第０１１９０７２０号公報（第７頁及び第８頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されている方法では、大量のクメン中での製法であり、触媒あたりの収率が開示されているが、クメンあたりの収率が不十分であった。さらに、ジｔ−ブチルパーオキサイドの揮発性が高いため、生成してくる低沸分と一緒にこの有機過酸化物（触媒）が反応系外に留出するという問題や、熱分解温度が高いため反応温度を高く設定せざるを得ないために原料のクメン（沸点：１５２℃）が反応系内から留出してしまうという問題があった。さらに、反応生成物中に含まれる有機過酸化物に由来する希釈溶剤の混入や副生成物が多いため、反応生成物の純度が低い上に、精製が困難であるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的とするところは、収率が高く、かつ純度が高い２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートであることを特徴とする。
【０００７】
第２の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１の発明において、前記パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることを特徴とする。
【０００８】
第３の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１又は第２の発明において、前記パーオキシモノカーボネートは、１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることを特徴とする。
【０００９】
第４の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第２又は第３の発明において、前記パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることを特徴とする。
【００１０】
第５の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１から第４のいずれか１項の発明において、前記有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、次のような効果を発揮することができる。
第１の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートである。係るパーオキシモノカーボネートは、従来のジｔ−ブチルパーオキサイドに比べて熱分解温度が低いため反応温度を低く設定することができ、原料であるクメンの留出を抑えることができると共に、反応生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン等を留出させて反応を促進させることができる。さらに、パーオキシモノカーボネートは、従来の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンと比較してアルキルラジカルなどの生成が少ないことから、副反応を抑え、副生成物の生成を抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高め、かつ純度を高めることができる。
【００１２】
第２の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）である。このため、係るｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートは熱分解温度が適切であり、反応が円滑に進行し、第１の発明の効果を向上させることができる。
【００１３】
第３の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものである。従って、この１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができ、第１又は第２の発明の効果を高めることができる。
【００１４】
第４の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートである。このｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切であるため、第２又は第３の発明の効果を有効に発揮させることができる。
【００１５】
第５の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃である。従って、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができ、第１から第４のいずれかの発明の効果を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の最良と思われる実施形態について詳細に説明する。
〔２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法〕
本実施形態の１，２−ジフェニルエタンの製造方法は、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法であり、前記有機過酸化物はパーオキシモノカーボネートである。すなわち、パーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカルが生成し、生成したラジカルがクメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成し、得られたクミルラジカルがカップリング反応することにより、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造することができる。
（パーオキシモノカーボネート）
前記パーオキシモノカーボネートは、クメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成させ得るものであり、特に制限されない。該パーオキシモノカーボネートとしては、例えばｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度１１８℃）、ｔ−アミルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度１１５℃）、ｔ−オクチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（１時間半減期温度１１９℃）、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−オクチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン（１時間半減期温度１１５℃）、ジエチレングリコール−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）（１時間半減期温度１１８℃）等が挙げられる。
【００１７】
これらのパーオキシモノカーボネートのうち、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）は熱分解温度（１時間半減期温度）がクメンの沸点（１５２℃）より３０℃余り低く適切であり、前記反応を円滑に進行させることができる点から好ましい。このｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートのうち、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切で、副生成物を留出（留去）させることができ、主生成物である２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高めることができる点から最も好ましい。
【００１８】
また、パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものが、その１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができることから好ましく、１１０〜１２０℃のものがより好ましい。１時間半減期温度が１０５℃より低い場合には、反応温度を低く設定すると生成低沸分が留去されないため反応の進行が遅れたり、反応温度を高く設定すると熱分解によって過剰のラジカルが生成して副反応が顕著になったりして好ましくない。一方、１時間半減期温度が１２５℃より高い場合には、反応温度を高く設定する必要があり、原料のクメンが留出し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下して好ましくない。
【００１９】
パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度（反応温度）は、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができる点から１２５〜１４５℃であることが好ましい。この温度が１２５℃未満の場合、パーオキシモノカーボネートの熱分解によるラジカルの発生が不足し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率低下を招いて好ましくない。その一方、１４５℃を超える場合、副反応が増加したり、原料のクメンが留出したりして好ましくない。
【００２０】
パーオキシモノカーボネートの使用量は、クメン１モル（ｍｏｌ）に対して通常０．１〜１．０モル、好ましくは０．３〜０．７モルである。この使用量が０．１モル未満の場合には、釜効率が低下し、反応後に大量のクメンが反応液中に残り、再沈法で精製する場合には、再沈溶媒が良溶媒となるため２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの回収率が低下する。その一方、使用量が１．０モルを越える場合には、熱分解により生じるアルコキシラジカルが自己開裂や不均化等により失活し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下する傾向にある。
〔反応温度〕
２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する際における反応温度について説明する。この反応温度は、パーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度から１時間半減期温度＋３０℃までの範囲であることが好ましい。例えば、パーオキシモノカーボネートがｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートである場合には、その１時間半減期温度が１１８℃であることから、反応温度は１１８℃〜１４８℃であることが好ましく、１２５℃〜１４５℃であることがさらに好ましい。反応温度が１時間半減期温度よりも低い場合、パーオキシモノカーボネートの熱分解によるラジカルの発生量が少なくなり、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下して好ましくない。一方、１時間半減期温度＋３０℃を超える場合、副反応が増加したり、原料のクメンが留出したりして２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率及び純度が低下し好ましくない。
（反応方法）
２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する際には、例えば反応温度まで加熱したクメンに、パーオキシモノカーボネートを好ましくは３０秒〜３０分かけて滴下する。このパーオキシモノカーボネートの滴下は、３０分以上かけてゆっくり行うこともできるが、製造に要する時間が長くなる。また、一部のクメンでパーオキシモノカーボネートを希釈し、残りのクメン中に前記希釈したパーオキシモノカーボネートを滴下する方法を採用することにより、滴下時の取扱性を高めることができるため好ましい。
【００２１】
この反応は、まずパーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカル（ブトキシラジカル及びイソプロポキシカーボネートラジカル）を生成する。これらのラジカルは、クメンの第３級水素の引き抜き能が高く、クミルラジカルを容易に生成する。続いて、生成したラジカルが原料であるクメンの特に第３級水素を引き抜くことによりクミルラジカルを生成する。次いで、得られたクミルラジカル同士がカップリング反応を起こすことにより、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、ｔ−ブチルアルコール（沸点８２．５℃）、イソプロピルアルコール（沸点８２．４℃）、アセトン（沸点５６．３℃）及び二酸化炭素等を生成する。この場合、反応温度を例えば１２５〜１４５℃に設定することにより、主生成物である２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンに対して、副生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン及び二酸化炭素等が反応温度より低い沸点であることから、副生成物を留出させながら、反応を進行させることができる。
（精製方法）
前記反応で得られた２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの反応液を６０〜８０℃程度に冷却し、メタノ−ルを再沈（再沈殿）溶媒として再結晶化を行うことが好ましい。再沈溶媒としては、メタノール以外にエタノール、２−プロパノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエン、キシレン、クメン、イソパラフィン、鉱油等を用いることができる。これらの再沈溶媒のうち、メタノールが最も貧溶媒となり好ましい。また、これら再沈溶媒の混合物や水との相溶性があるものは、水希釈溶媒を使用することもできる。
【００２２】
また、反応後に原料であるクメンを含む低沸分（低沸点成分）を減圧留去し、溶融した２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを得た後、６０〜８０℃程度に冷却、固化し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを得る方法もある。この場合、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの融点が約１１０℃であることから、直接冷却して結晶化が行われる。この方法では、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン中の不純物がそのまま残存するため、再沈法と比較して２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの純度が低下する。
【００２３】
結晶化した２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを、例えば濾紙上に広げて常温で放置することにより乾燥させることができる。揮発性が低い再沈溶媒を使用する場合には、棚段乾燥機や真空乾燥機を使用して乾燥することもできる。
〔実施形態の作用、効果のまとめ〕
・ 本実施形態の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートに特定されている。係るパーオキシモノカーボネートは、従来のジｔ−ブチルパーオキサイドに比べて熱分解温度が低いため反応温度を低く設定することができ、原料であるクメンの留出を抑えることができると共に、反応生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン等を留出させて反応を促進させることができる。さらに、パーオキシモノカーボネートは、従来の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンから生成するアルキルラジカルの生成量が少ないことから、副反応を抑え、副生成物の生成を抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高め、かつ純度を高めることができる。よって、得られる２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを架橋剤、高分子修飾剤、難燃助剤等として好適に使用することができる。
【００２４】
・ 前記パーオキシモノカーボネートがｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることにより、係るｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートは熱分解温度が適切であり、反応を円滑に進行させることができる。
【００２５】
・ パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることにより、この１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができる。
・ パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることにより、このｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切であるため、上記の効果を有効に発揮させることができる。
【００２６】
・ パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることにより、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができる。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明するが、本発明はそれら実施例の範囲に限定されるものではない。
（実施例１）
反応釜（反応器）中で１４０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９８％のｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度：１１８℃）９０ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１、クメンに対して４８質量％）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１４０℃で２時間撹拌して熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン１７７．９ｇ（収率：６６．０％、純度：４４．２質量％）を得た。
【００２８】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７４．１ｇ（収率：５８．２％、純度：９４質量％）を得た。
（実施例２）
反応釜中で１４０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９５％のｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（1時間半減期温度：１１９℃）１３０ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１、クメンに対して６７質量％）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１４０℃で２時間撹拌して熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン２１８．４ｇ（収率：６２．５％、純度：３４．１質量％）を得た。
【００２９】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７１．２ｇ（収率：５５．０％、純度：９２質量％）を得た。
（比較例１）
反応釜中で１５０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９８％のジｔ−ブチルパーオキサイド（1時間半減期温度：１４４℃）７４ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１）を４時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１５０℃で４時間撹拌をして熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン１８６ｇ（収率：６０．４％、純度：３８．７質量％）を得た。
【００３０】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン５９．２ｇ（収率：４２．８％、純度：８６質量％）を得た。なお、副生成物として、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの異性体やメチル基が付加した化合物などが生成したものと考えられる。
（比較例２）
反応釜中で１３３℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に純度８０％の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサン（１時間半減期温度：１１１℃、希釈溶剤はイソパラフィン）１６３ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１３３℃で２時間撹拌をして熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン２６５．８ｇ（収率：５６．０％、純度：２５．１質量％、有機過酸化物の希釈溶剤が混入）を得た。
【００３１】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７４．３ｇ（収率：３７．４％、純度：６０質量％）を得た。収率及び純度が低いのは、水素引き抜き能の高いアルコキシラジカルのほかに、多くのアルキルラジカルが生じ、副生成物が多量に生成したためと考えられる。
【００３２】
以上のように、実施例１及び２の結果から、パーオキシモノカーボネートとしてｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート又はｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネートを使用した場合、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が高く、かつ純度も高くなることが明らかになった。
【００３３】
一方、従来の有機過酸化物である、ジｔ−ブチルパーオキサイドを使用した比較例１や１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンを使用した比較例２では、クメンあたりの収率が低い上に、純度も低いことがわかった。ちなみに、ジｔ−ブチルパーオキサイドを使用したときの反応温度は１５０℃に設定したが、反応温度をこれ以上に上昇させるとさらに原料であるクメン（沸点１５２℃）やジｔ−ブチルパーオキサイド（沸点１１１℃）が反応系外に多量に留出することとなり、収率が一層低下する。
【００３４】
なお、前記実施形態を次のように変更して具体化することも可能である。
・ 前記パーオキシモノカーボネートとして、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−アミルパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−オクチルパーオキシアリルモノカーボネート、クミルーパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシアリルモノカーボネート等を用いることもできる。
【００３５】
・ 前記パーオキシモノカーボネートとして、熱分解温度（１時間半減期温度）の異なる複数の化合物を適宜選択して使用することもできる。
さらに、前記実施形態より把握される技術的思想について以下に記載する。
【００３６】
・ 前記反応は、パーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカルを生成し、該ラジカルがクメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成し、該クミルラジカルがカップリング反応するものであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。このように構成した場合、各反応が順に起って２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを効率良く得ることができ、請求項１から請求項５のいずれかに係る発明の効果を向上させることができる。
【００３７】
・ 前記有機過酸化物を熱分解させる温度は、パーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度から１時間半減期温度＋３０℃までの範囲であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。このように構成した場合、請求項１から請求項４のいずれかに係る発明の効果に加え、有機過酸化物を熱分解させる温度をパーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度に基づいて適切に設定することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば架橋剤、高分子修飾剤、難燃助剤等として有用な２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物が熱分解する条件で反応させることにより２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンが製造できることは知られている。すなわち、有機過酸化物の熱分解により有機過酸化物のラジカルが生成し、そのラジカルがクメン中の第３級水素を引き抜くことによりクミルラジカルが生成し、生成したクミルラジカルの２分子がカップリング反応して２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンが生成する。
【０００３】
このような方法の１つとして、有機過酸化物にジアシルパーオキサイドを使用する方法が古くから知られている。しかしながら、ジアシルパーオキサイドの熱分解により生じたラジカルはアシルラジカル構造をとり、水素引き抜き力が弱いため、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が著しく低くなるという欠点があった。そのような欠点を改良するために、近年では有機過酸化物としてジｔ−ブチルパーオキサイドや１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンを使用する方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【特許文献１】欧州特許第０１１９０７２０号公報（第７頁及び第８頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されている方法では、大量のクメン中での製法であり、触媒あたりの収率が開示されているが、クメンあたりの収率が不十分であった。さらに、ジｔ−ブチルパーオキサイドの揮発性が高いため、生成してくる低沸分と一緒にこの有機過酸化物（触媒）が反応系外に留出するという問題や、熱分解温度が高いため反応温度を高く設定せざるを得ないために原料のクメン（沸点：１５２℃）が反応系内から留出してしまうという問題があった。さらに、反応生成物中に含まれる有機過酸化物に由来する希釈溶剤の混入や副生成物が多いため、反応生成物の純度が低い上に、精製が困難であるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的とするところは、収率が高く、かつ純度が高い２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートであることを特徴とする。
【０００７】
第２の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１の発明において、前記パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることを特徴とする。
【０００８】
第３の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１又は第２の発明において、前記パーオキシモノカーボネートは、１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることを特徴とする。
【０００９】
第４の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第２又は第３の発明において、前記パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることを特徴とする。
【００１０】
第５の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、第１から第４のいずれか１項の発明において、前記有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、次のような効果を発揮することができる。
第１の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートである。係るパーオキシモノカーボネートは、従来のジｔ−ブチルパーオキサイドに比べて熱分解温度が低いため反応温度を低く設定することができ、原料であるクメンの留出を抑えることができると共に、反応生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン等を留出させて反応を促進させることができる。さらに、パーオキシモノカーボネートは、従来の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンと比較してアルキルラジカルなどの生成が少ないことから、副反応を抑え、副生成物の生成を抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高め、かつ純度を高めることができる。
【００１２】
第２の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）である。このため、係るｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートは熱分解温度が適切であり、反応が円滑に進行し、第１の発明の効果を向上させることができる。
【００１３】
第３の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものである。従って、この１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができ、第１又は第２の発明の効果を高めることができる。
【００１４】
第４の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートである。このｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切であるため、第２又は第３の発明の効果を有効に発揮させることができる。
【００１５】
第５の発明の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃である。従って、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができ、第１から第４のいずれかの発明の効果を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の最良と思われる実施形態について詳細に説明する。
〔２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法〕
本実施形態の１，２−ジフェニルエタンの製造方法は、クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法であり、前記有機過酸化物はパーオキシモノカーボネートである。すなわち、パーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカルが生成し、生成したラジカルがクメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成し、得られたクミルラジカルがカップリング反応することにより、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造することができる。
（パーオキシモノカーボネート）
前記パーオキシモノカーボネートは、クメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成させ得るものであり、特に制限されない。該パーオキシモノカーボネートとしては、例えばｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度１１８℃）、ｔ−アミルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度１１５℃）、ｔ−オクチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（１時間半減期温度１１９℃）、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−オクチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン（１時間半減期温度１１５℃）、ジエチレングリコール−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）（１時間半減期温度１１８℃）等が挙げられる。
【００１７】
これらのパーオキシモノカーボネートのうち、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）は熱分解温度（１時間半減期温度）がクメンの沸点（１５２℃）より３０℃余り低く適切であり、前記反応を円滑に進行させることができる点から好ましい。このｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートのうち、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切で、副生成物を留出（留去）させることができ、主生成物である２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高めることができる点から最も好ましい。
【００１８】
また、パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものが、その１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができることから好ましく、１１０〜１２０℃のものがより好ましい。１時間半減期温度が１０５℃より低い場合には、反応温度を低く設定すると生成低沸分が留去されないため反応の進行が遅れたり、反応温度を高く設定すると熱分解によって過剰のラジカルが生成して副反応が顕著になったりして好ましくない。一方、１時間半減期温度が１２５℃より高い場合には、反応温度を高く設定する必要があり、原料のクメンが留出し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下して好ましくない。
【００１９】
パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度（反応温度）は、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができる点から１２５〜１４５℃であることが好ましい。この温度が１２５℃未満の場合、パーオキシモノカーボネートの熱分解によるラジカルの発生が不足し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率低下を招いて好ましくない。その一方、１４５℃を超える場合、副反応が増加したり、原料のクメンが留出したりして好ましくない。
【００２０】
パーオキシモノカーボネートの使用量は、クメン１モル（ｍｏｌ）に対して通常０．１〜１．０モル、好ましくは０．３〜０．７モルである。この使用量が０．１モル未満の場合には、釜効率が低下し、反応後に大量のクメンが反応液中に残り、再沈法で精製する場合には、再沈溶媒が良溶媒となるため２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの回収率が低下する。その一方、使用量が１．０モルを越える場合には、熱分解により生じるアルコキシラジカルが自己開裂や不均化等により失活し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下する傾向にある。
〔反応温度〕
２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する際における反応温度について説明する。この反応温度は、パーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度から１時間半減期温度＋３０℃までの範囲であることが好ましい。例えば、パーオキシモノカーボネートがｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートである場合には、その１時間半減期温度が１１８℃であることから、反応温度は１１８℃〜１４８℃であることが好ましく、１２５℃〜１４５℃であることがさらに好ましい。反応温度が１時間半減期温度よりも低い場合、パーオキシモノカーボネートの熱分解によるラジカルの発生量が少なくなり、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が低下して好ましくない。一方、１時間半減期温度＋３０℃を超える場合、副反応が増加したり、原料のクメンが留出したりして２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率及び純度が低下し好ましくない。
（反応方法）
２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する際には、例えば反応温度まで加熱したクメンに、パーオキシモノカーボネートを好ましくは３０秒〜３０分かけて滴下する。このパーオキシモノカーボネートの滴下は、３０分以上かけてゆっくり行うこともできるが、製造に要する時間が長くなる。また、一部のクメンでパーオキシモノカーボネートを希釈し、残りのクメン中に前記希釈したパーオキシモノカーボネートを滴下する方法を採用することにより、滴下時の取扱性を高めることができるため好ましい。
【００２１】
この反応は、まずパーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカル（ブトキシラジカル及びイソプロポキシカーボネートラジカル）を生成する。これらのラジカルは、クメンの第３級水素の引き抜き能が高く、クミルラジカルを容易に生成する。続いて、生成したラジカルが原料であるクメンの特に第３級水素を引き抜くことによりクミルラジカルを生成する。次いで、得られたクミルラジカル同士がカップリング反応を起こすことにより、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、ｔ−ブチルアルコール（沸点８２．５℃）、イソプロピルアルコール（沸点８２．４℃）、アセトン（沸点５６．３℃）及び二酸化炭素等を生成する。この場合、反応温度を例えば１２５〜１４５℃に設定することにより、主生成物である２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンに対して、副生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン及び二酸化炭素等が反応温度より低い沸点であることから、副生成物を留出させながら、反応を進行させることができる。
（精製方法）
前記反応で得られた２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの反応液を６０〜８０℃程度に冷却し、メタノ−ルを再沈（再沈殿）溶媒として再結晶化を行うことが好ましい。再沈溶媒としては、メタノール以外にエタノール、２−プロパノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、トルエン、キシレン、クメン、イソパラフィン、鉱油等を用いることができる。これらの再沈溶媒のうち、メタノールが最も貧溶媒となり好ましい。また、これら再沈溶媒の混合物や水との相溶性があるものは、水希釈溶媒を使用することもできる。
【００２２】
また、反応後に原料であるクメンを含む低沸分（低沸点成分）を減圧留去し、溶融した２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを得た後、６０〜８０℃程度に冷却、固化し、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを得る方法もある。この場合、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの融点が約１１０℃であることから、直接冷却して結晶化が行われる。この方法では、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン中の不純物がそのまま残存するため、再沈法と比較して２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの純度が低下する。
【００２３】
結晶化した２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを、例えば濾紙上に広げて常温で放置することにより乾燥させることができる。揮発性が低い再沈溶媒を使用する場合には、棚段乾燥機や真空乾燥機を使用して乾燥することもできる。
〔実施形態の作用、効果のまとめ〕
・ 本実施形態の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法では、有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートに特定されている。係るパーオキシモノカーボネートは、従来のジｔ−ブチルパーオキサイドに比べて熱分解温度が低いため反応温度を低く設定することができ、原料であるクメンの留出を抑えることができると共に、反応生成物であるｔ−ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン等を留出させて反応を促進させることができる。さらに、パーオキシモノカーボネートは、従来の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンから生成するアルキルラジカルの生成量が少ないことから、副反応を抑え、副生成物の生成を抑制することができる。従って、本発明の製造方法によれば、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率を高め、かつ純度を高めることができる。よって、得られる２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを架橋剤、高分子修飾剤、難燃助剤等として好適に使用することができる。
【００２４】
・ 前記パーオキシモノカーボネートがｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることにより、係るｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネートは熱分解温度が適切であり、反応を円滑に進行させることができる。
【００２５】
・ パーオキシモノカーボネートは１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることにより、この１時間半減期温度に基づいて反応温度を適切に設定することができる。
・ パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることにより、このｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートは熱分解温度が最も適切であるため、上記の効果を有効に発揮させることができる。
【００２６】
・ パーオキシモノカーボネートを熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることにより、原料であるクメンの沸点（１５２℃）より低い温度で反応を行うことができ、クメンの留出を抑制して反応効率を高めることができる。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明するが、本発明はそれら実施例の範囲に限定されるものではない。
（実施例１）
反応釜（反応器）中で１４０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９８％のｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート（１時間半減期温度：１１８℃）９０ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１、クメンに対して４８質量％）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１４０℃で２時間撹拌して熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン１７７．９ｇ（収率：６６．０％、純度：４４．２質量％）を得た。
【００２８】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７４．１ｇ（収率：５８．２％、純度：９４質量％）を得た。
（実施例２）
反応釜中で１４０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９５％のｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート（1時間半減期温度：１１９℃）１３０ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１、クメンに対して６７質量％）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１４０℃で２時間撹拌して熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン２１８．４ｇ（収率：６２．５％、純度：３４．１質量％）を得た。
【００２９】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７１．２ｇ（収率：５５．０％、純度：９２質量％）を得た。
（比較例１）
反応釜中で１５０℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に９８％のジｔ−ブチルパーオキサイド（1時間半減期温度：１４４℃）７４ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１）を４時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１５０℃で４時間撹拌をして熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン１８６ｇ（収率：６０．４％、純度：３８．７質量％）を得た。
【００３０】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン５９．２ｇ（収率：４２．８％、純度：８６質量％）を得た。なお、副生成物として、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの異性体やメチル基が付加した化合物などが生成したものと考えられる。
（比較例２）
反応釜中で１３３℃に保持されたクメン（１８４ｇ、１．５モル）中に純度８０％の１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサン（１時間半減期温度：１１１℃、希釈溶剤はイソパラフィン）１６３ｇ（０．５モル、仕込みモル比：クメン／有機過酸化物＝３／１）を３時間をかけて撹拌しながら滴下し、反応を行った。その後、１３３℃で２時間撹拌をして熟成反応を行った。この場合、滴下反応中及び熟成反応中のいずれにおいても、有機過酸化物の分解物等の低沸分は反応系外に留去しながら反応を行った。そして、粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン２６５．８ｇ（収率：５６．０％、純度：２５．１質量％、有機過酸化物の希釈溶剤が混入）を得た。
【００３１】
得られた粗の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンについて、メタノールを再沈溶媒として結晶化させた後、濾過及び乾燥を行って精製した。その結果、精製後に２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン７４．３ｇ（収率：３７．４％、純度：６０質量％）を得た。収率及び純度が低いのは、水素引き抜き能の高いアルコキシラジカルのほかに、多くのアルキルラジカルが生じ、副生成物が多量に生成したためと考えられる。
【００３２】
以上のように、実施例１及び２の結果から、パーオキシモノカーボネートとしてｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート又はｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネートを使用した場合、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの収率が高く、かつ純度も高くなることが明らかになった。
【００３３】
一方、従来の有機過酸化物である、ジｔ−ブチルパーオキサイドを使用した比較例１や１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサンを使用した比較例２では、クメンあたりの収率が低い上に、純度も低いことがわかった。ちなみに、ジｔ−ブチルパーオキサイドを使用したときの反応温度は１５０℃に設定したが、反応温度をこれ以上に上昇させるとさらに原料であるクメン（沸点１５２℃）やジｔ−ブチルパーオキサイド（沸点１１１℃）が反応系外に多量に留出することとなり、収率が一層低下する。
【００３４】
なお、前記実施形態を次のように変更して具体化することも可能である。
・ 前記パーオキシモノカーボネートとして、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−アミルパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−オクチルパーオキシアリルモノカーボネート、クミルーパーオキシアリルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシアリルモノカーボネート等を用いることもできる。
【００３５】
・ 前記パーオキシモノカーボネートとして、熱分解温度（１時間半減期温度）の異なる複数の化合物を適宜選択して使用することもできる。
さらに、前記実施形態より把握される技術的思想について以下に記載する。
【００３６】
・ 前記反応は、パーオキシモノカーボネートが熱分解してラジカルを生成し、該ラジカルがクメンの第３級水素を引き抜いてクミルラジカルを生成し、該クミルラジカルがカップリング反応するものであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。このように構成した場合、各反応が順に起って２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを効率良く得ることができ、請求項１から請求項５のいずれかに係る発明の効果を向上させることができる。
【００３７】
・ 前記有機過酸化物を熱分解させる温度は、パーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度から１時間半減期温度＋３０℃までの範囲であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。このように構成した場合、請求項１から請求項４のいずれかに係る発明の効果に加え、有機過酸化物を熱分解させる温度をパーオキシモノカーボネートの１時間半減期温度に基づいて適切に設定することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、
前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートであることを特徴とする２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項２】
前記パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることを特徴とする請求項１に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項３】
前記パーオキシモノカーボネートは、１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項４】
前記パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項５】
前記有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項１】
クメン及び有機過酸化物を出発原料とし、有機過酸化物の熱分解に基づいて反応させて２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンを製造する方法において、
前記有機過酸化物がパーオキシモノカーボネートであることを特徴とする２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項２】
前記パーオキシモノカーボネートは、ｔ−ブチルパーオキシアルキルモノカーボネート（但し、アルキル基の炭素数は３〜８）であることを特徴とする請求項１に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項３】
前記パーオキシモノカーボネートは、１時間半減期温度が１０５〜１２５℃のものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項４】
前記パーオキシモノカーボネートはｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネートであることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【請求項５】
前記有機過酸化物を熱分解させる温度は１２５〜１４５℃であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタンの製造方法。
【公開番号】特開２００９−１７３５８０（Ｐ２００９−１７３５８０Ａ）
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３５５５（Ｐ２００８−１３５５５）
【出願日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【出願人】（０００００４３４１）日油株式会社 (896)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【出願人】（０００００４３４１）日油株式会社 (896)
【Ｆターム（参考）】
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