３−５族化合物半導体用電極の製造方法
【目的】３−５族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとする。
【構成】ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【構成】ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は３−５族化合物半導体用電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外もしくは青色の発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記すことがある。）又は紫外もしくは青色のレーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体が知られている。該化合物半導体を用いた発光素子について、概略を図１により説明する。図１R>１の例は、ｎ型のＩｎxＧａy Ａｌz ＮからなるＮ層２と、ｐ型のＩｎx'Ｇａy'Ａｌz'ＮからなるＰ層３との界面にｐ−ｎ接合を有する例である。ｎ電極４とｐ電極５にそれぞれマイナス、プラスの電圧を加えると、接合の順方向に電流が流れる。
【０００３】ところで一般的に、ＬＥＤの作製の容易さからは、電極側から光を取り出せることが望ましい。たとえば、図１の状態で検査を行なう場合、電極への電気的接触は電極側から行ない、また基板は一般に粘着フィルム等に支えられている。電極側から発光を取り出せる場合は、この光をモニターすることで検査が容易に行なえる。一方、基板側へのみ発光する場合には、粘着フィルム等を通して発光を観察せねばならず、こうして観察された発光は強度が弱められており、検査の信頼性、容易さなどの点から問題がある。電極側へ発光させるためには、電極金属の占める面積をなるべく小さくすることが望ましく、また発光が素子全体に広がっていることが望ましい。ところが、電極面積が小さい場合、電流は素子全体に広がらず、電極周辺の限られた接合部分のみから発光し、接合の一部分のみしか発光には寄与しなくなる。つまり素子の形状に比べて不均一な発光パターンとなり、表示用素子としての価値が下がる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このような事情をみて鋭意検討した結果、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、特定の条件で熱処理することにより電極としての機能を保持したまま透明になることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明は、次に記す発明である。
（１）ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（２）前記（１）記載のＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎで表される３−５族化合物半導体において、０≦ｘ≦１の代わりに０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（３）保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる層であることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【０００７】（４）電極材料がＡｕであることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（５）電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【０００８】次に、本発明を詳細に説明する。本発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体である。該化合物半導体は、可視光領域から紫外線領域に、３族元素の組成によって制御できるバンドギャップを持っており、そのバンド構造はすべての３族元素の組成において高い発光効率が期待できる直接遷移型である。特に、Ｉｎの濃度が１０モル％以上のものは、発光波長が紫色又はそれより長波長の可視領域にすることができるため、表示用途への応用上好ましい。
【０００９】本発明の３−５族化合物半導体結晶は、好ましくは基板の上に成長させて得られるが、用いる基板については、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、スピネル、ＺｎＯ等を用いることができる。また、サファイア上にはＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性の高いＧａＮ層を成長させることができる。ＧａＮと該３- ５族化合物半導体は格子定数が比較的近いので、このＧａＮ上に該３−５族化合物半導体を成長させることもできる。
【００１０】該３−５族化合物半導体の製造方法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。なお、ＭＢＥ法を用いる場合、窒素原料としては、窒素ガス、アンモニア又はその他の窒素化合物を気体状態で供給する方法である気体ソース分子線エピタキシー（以下、ＧＳＭＢＥと記すことがある。）法が一般的に用いられている。この場合、窒素原料が化学的に不活性で、窒素原子が結晶中に取り込まれにくいことがある。その場合には、マイクロ波などにより窒素原料を励起して、活性状態にして供給することで、窒素の取り込み効率を上げることができる。
【００１１】これらの製造方法のなかでＭＯＶＰＥ法は、均一性が高く、量産にも向いていることから特に好ましい。ＭＯＶＰＥ法を用いて本発明における３−５族化合物半導体を製造する場合には、以下のような原料を用いることができる。すなわち、３族元素の原料としては、トリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ3 ）3、以下、ＴＭＧと記すことがある。〕、トリエチルガリウム〔Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルガリウム；トリメチルアルミニウム〔Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下、ＴＭＡと記すことがある。〕、トリエチルアルミニウム〔Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 〕、トリイソブチルアルミニウム〔Ａｌ（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルアルミニウム；トリメチルアミンアラン〔ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3〕；トリメチルインジウム〔Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 、以下、ＴＭＩと記すことがある。〕、トリエチルインジウム〔Ｉｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルインジウム等が挙げられる。これらは単独または混合して用いられる。
【００１２】次に、５族元素の原料としては、アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−ジメチルヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは単独または混合して用いられる。
【００１３】次に、本発明における３−５族化合物半導体に用いられるｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏが挙げられ、中でもＳｉ、Ｇｅが好ましく、Ｓｉがさらに好ましい。ｐ型不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｚｎが好ましく、Ｍｇがさらに好ましい。これらの不純物をドープする方法としては、ＧＳＭＢＥ法により該３−５族化合物半導体を製造する場合で、不純物の単体そのものが成長装置内で他の分子線の妨げにならないような蒸気圧に制御できる場合には、これらの単体をそのまま用いることができる。ＭＯＶＰＥの場合には公知のこれらの不純物を含む化合物を反応炉に導入して、不純物をドープした化合物半導体を得ることができる。
【００１４】本発明における３−５族化合物半導体用電極材料は、Ａｕ金属、又はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金が好ましい。Ａｕとの合金として、さらに好ましくはＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金である。Ａｕとの合金として具体的には、Ａｕ−Ｍｇ、Ａｕ−Ｚｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｎｉ合金などが挙げられる。特にＡｕ−Ｍｇ合金が好ましい。これらの電極材料はｐ型不純物をドープした該化合物半導体と接触抵抗の小さい電極となるので好ましい。
【００１５】本発明の３−５族化合物半導体用電極の製造方法について、例を挙げて具体的に説明する。初めに、公知の方法により、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体を成長させ、次いで電極材料を蒸着する。３−５族化合物半導体に電子線を照射するか又は４００℃以上に加熱することにより熱処理した後、本発明の電極材料を成膜してもよい。蒸着方法は特に限定されないが、例えばＡｕとＧｅとの合金の場合には、Ａｕ−Ｇｅ合金をタングステンボートを用いて、抵抗加熱方式により真空蒸着する方法が挙げられる。また、別々の蒸発源からＡｕとＧｅとを同時に蒸着してもよい。また、Ａｕと他の金属とを、真空蒸着、又はスパッタリング法等により順次成膜した積層膜を、膜形成後に熱処理により合金化することもできる。
【００１６】成膜する電極材料の膜厚は、１０Å以上５μｍ以下が好ましい。電極の膜厚が１０Åより小さい場合には均一な薄膜を得ることができず、良好な電極にならないので好ましくない。また、５μｍより大きい場合には、以下に述べる熱処理によっても透明になりにくいので好ましくない。さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下である。なお、電極金属は保護層を形成しないで熱処理した場合には凝集してしまい、電極として使用することが困難となる。本発明の３−５族化合物半導体用電極の製造方法によれば、保護層形成後に電極金属を熱処理することで、電極材料の凝集が見られず、伝導性を保持したまま電極が透明になるので好ましい。ここで、電極が透明であるとは、可視光領域での光の透過率が、３−５族化合物半導体からの発光を著しく妨げない程度に高いことをいい、具体的には可視光領域でのどの部分においても光の透過率が３０％以上のものをいう。
【００１７】本発明に使用するこれらの保護層の性質としては、ピンホールがないこと、熱処理時に物理的な剥げ落ちなどの欠陥を生じないこと、および熱処理時に電極材料の導電性を消失させないことが必要な条件である。このような要件を満たす場合には、保護層には特別に良好な結晶性は必要なく、構成元素の欠陥、不純物等を含んでいてもよい。また、単一の層からなるものだけでなく、複数の層の積層構造でもよい。なお、検査時、または製品として使用する場合に、この保護層を通して発光素子からの発光を取り出す場合には、目的とする波長範囲で光吸収が問題とならない程度に小さいことが好ましい。このような条件を満たす材料としては酸化硅素（以下、ＳｉＯ2 と記す。）、窒化硅素（以下、Ｓｉ3 Ｎ4 と記す。）および錫添加酸化インジウム（一般にＩＴＯと呼ばれるものである。）が挙げられる。このうち、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 は高温の熱処理に対しても化学的に安定なので好ましい。さらにＳｉＯ2 は耐薬品性にも優れており特に好ましい。保護層の厚さは、１０Å以上１０μｍ以下が好ましい。保護層の厚さが１０Åより小さい場合には、ピンホールのない保護層を形成することが難しく、１０μｍを越える場合には膜形成に時間がかかるので実用的でなく、好ましくない。保護層の厚さは、さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下である。
【００１８】該電極材料の保護層の成膜方法は公知の方法によることができる。成膜方法としては、スパッタリング、真空蒸着、気相熱分解法（以下、ＣＶＤ法と記す）、プラズマＣＶＤ法などを用いることができる。スパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてはＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯを用いることができる。また、ＳｉターゲットをＮ2 雰囲気、又はＯ2 雰囲気でスパッタリングして成膜する、いわゆる反応性スパッタリング法を用いてもよい。ＩＴＯの場合にはＩｎとＳｎとの合金、又はＩｎのターゲットとＳｎのターゲットを同時にＯ2 雰囲気中でスパッタリングすることができる。Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯをターゲットとする場合もＮ2 又はＯ2 雰囲気でスパッタリングしてもよい。
【００１９】ＳｉＯ2 又はＩＴＯを真空蒸着により成膜する場合には、それぞれ、ＳｉＯ2又はＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 を真空中で電子ビームや抵抗加熱法で加熱して蒸着することができる。この場合、Ｏ2 を蒸着装置内に導入することでＯの欠陥の発生を低減することができる。ＩＴＯについてはＯ2 雰囲気中でＩｎ、Ｓｎを蒸着させる方法によってもよい。
【００２０】ＣＶＤ法では、３００〜８００℃に加熱した基板上で原料ガスを反応させ、目的の保護層を得ることができる。Ｓｉ3 Ｎ4 の場合には、Ｓｉ原料としてＳｉＨ4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｎ原料としてＮＨ3 を用いることができる。ＳｉＯ2 の場合には、前述のＳｉ原料とＯ原料としてＯ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ2 などを用いることができる。また、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のような化合物を単独で用いることもできる。また、ＩＴＯの場合には、例えば、ＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 の水溶液にエタノールと塩酸を加え、加熱した基板に噴霧して薄膜を得ることができる。プラズマＣＶＤでは、ＳｉＨ4 やＳｉＣｌ4 をＮＨ3 又はＯ2 プラズマ中で反応させることでＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 の膜を得ることができる。これらの成膜方法のうちでは、スパッタリング法は簡便に均一な膜が形成できるので好ましい。さらにマグネトロンスパッタリング法は成膜速度が大きく、特に好ましい。
【００２１】本発明において保護層形成後の熱処理温度は、４００℃以上であり、４００℃以上１２００℃以下が好ましい。熱処理温度が４００℃より低い場合には、本発明による効果が十分でないので好ましくない。１２００℃以下の場合には、該化合物半導体の熱分解があまり起こらず、また電極材料も変質しないのでより好ましい。さらに好ましくは６００℃以上１１００℃以下であり、８００℃以上１１００℃以下が特に好ましい。熱処理時間は熱処理温度にもよるが、１秒以上２時間以下が好ましい。さらに好ましくは２秒以上３０分以下である。熱処理時間が短か過ぎると充分な効果が得られず、また長過ぎると素子の構成材料が変性を起こし、素子特性の低下を引き起こしたり、また生産性が悪くなるので好ましくない。
【００２２】本発明により得られた電極は保護層が形成されているため、保護層がない場合に比べて熱処理の雰囲気の影響は少ないが、熱処理中に該電極を変質させるような雰囲気は好ましくない。具体的な雰囲気としては、充分精製された窒素やアルゴン等の不活性ガス、又は充分精製された水素などが好ましい。なお、熱処理後に保護層を部分的にまたは全面的に取り除き、外部からの電気的接触を取ることができる。
【００２３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。窒化ガリウム系半導体をＭＯＶＰＥ法による気相成長により作製した。用いた原料ガスは、ＮＨ3 とキャリアガス（Ｈ2 およびＮ2 ）、トリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ〕、トリメチルアルミニウム〔（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ〕、トリメチルインジウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、ＴＭＩ〕、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、以下、ＭＣｐ2 Ｍｇと記す。〕である。
【００２４】実施例１有機洗浄したＣ面を主面とする単結晶のサファイア基板をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたグラファイト製サセプタに装着した。次に、常圧の水素雰囲気中で高周波加熱によりサセプタを１１００℃に加熱し、この状態でサファイア基板を１０分間保持してサファイア基板を気相クリーニングした。次に、温度を６００℃まで低下させて、ＮＨ3 とＴＭＡを供給して約５００Åの厚さのＡｌＮのバッファ層を形成した。次に、ＴＭＡのみの供給を停止して、サファイア基板の温度を１１００℃まで昇温し、温度が安定したのち、ＴＭＧとＭＣｐ2 Ｍｇを供給し、ＭｇをドープしたＧａＮ層を３μｍ成長した。作製した基板を窒素中、６５０℃で２０分間アニール処理をした。こうして、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3 のｐ型ＧａＮ膜を得た。この試料について２ｍｍ離れた２点間の抵抗を測定したところ５００ｋΩであった。
【００２５】こうして得られたｐ型ＧａＮ膜に、蒸着法によりＡｕＭｇ（Ｍｇ濃度５重量％）、ＡｕＺｎ（Ｚｎ濃度５重量％）、ＡｕＧｅ（Ｇｅ濃度１２重量％）、ＡｕＳｉ（Ｓｉ濃度１０重量％）、ＡｕＮｉ（Ｎｉ濃度５重量％）、及びＡｕ電極をそれぞれ２０００Å成膜した。さらに、この試料にマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 を１μｍ成膜した。スパッタ条件は、ＳｉＯ2 をターゲットとして用い、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、真空度１．６Ｐａ、高周波パワー３００Ｗであった。ここで、「ｓｃｃｍ」とは気体の流量の単位で、１ｓｃｃｍは０℃、１気圧で１ｃｃの体積を占める重量の気体が流れていることを示す。さらに、これらの試料を窒素中、１０００℃で５分間熱処理したところ、どの電極材料とも透明になった。図２にＡｕＭｇ電極について熱処理の前後での透過スペクトルを示す。熱処理前では透過率の最大値はせいぜい０．２％しかないのに対して、熱処理により４００ｎｍから７５０ｎｍの領域で透過率が４０％以上に向上していることがわかる。これらの試料を沸酸で処理してＳｉＯ2 の保護層を取り除き、２ｍｍ離れた２点間の抵抗を測定したところ、どの電極でも５０ｋΩ以下であり、電極として機能することを確かめた。ＳｉＯ2 のかわりにＩＴＯを用いても同様の効果を示す。
【００２６】比較例１保護層がないことを除いては実施例１と同様にしてＡｕ電極を設け、実施例１と同様に熱処理したところ、電極材料が微細なボール上になって半導体表面に凝集し、電極として使用できなくなった。
【００２７】実施例２実施例１と同様にして得たｐ型ＧａＮ膜に、Ｍｇ、Ａｕをこの順番にそれぞれ、２００Å、２０００Å真空蒸着して電極としたのち、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 を１０００Å成膜した。成膜条件は、真空度：１３３パスカル、シランを４％含むＡｒの流量：２０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 流量：２０ｓｃｃｍ、基板の温度：３００℃、高周波パワー：１５０Ｗであった。実施例１と同様に熱処理したところ、やはり導電性を保持したまま透明になった。
【００２８】実施例３ＭＣｐ2 Ｍｇを導入しないことを除いては実施例１と同様にしてノンドープの窒化ガリウムを３μｍ成長し、さらに、ＴＭＩ、ＴＭＧ及びＮＨ3 を用いてＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ膜を１８００Å成長した。このようにして得られたＩｎＧａＮ膜にＡｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｍｇ電極を蒸着して実施例１と同様の評価した結果、やはりどの電極も導電性を保ったまま透明になることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の製造方法により得られた電極は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に対して透明な電極として用いることができ、発光素子の製造工程を容易にし信頼性を高めることができるので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外もしくは青色のレーザーダイオード等の発光デバイスの電極として工業的価値が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光素子の構造を示す概略図。
【図２】熱処理前後での透過スペクトルの変化を示す図。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板。
２・・・ｎ型Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ。
３・・・ｐ型Ｉｎx'Ｇａy'Ａｌz'Ｎ。
４・・・ｎ電極。
５・・・ｐ電極。
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は３−５族化合物半導体用電極の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外もしくは青色の発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記すことがある。）又は紫外もしくは青色のレーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体が知られている。該化合物半導体を用いた発光素子について、概略を図１により説明する。図１R>１の例は、ｎ型のＩｎxＧａy Ａｌz ＮからなるＮ層２と、ｐ型のＩｎx'Ｇａy'Ａｌz'ＮからなるＰ層３との界面にｐ−ｎ接合を有する例である。ｎ電極４とｐ電極５にそれぞれマイナス、プラスの電圧を加えると、接合の順方向に電流が流れる。
【０００３】ところで一般的に、ＬＥＤの作製の容易さからは、電極側から光を取り出せることが望ましい。たとえば、図１の状態で検査を行なう場合、電極への電気的接触は電極側から行ない、また基板は一般に粘着フィルム等に支えられている。電極側から発光を取り出せる場合は、この光をモニターすることで検査が容易に行なえる。一方、基板側へのみ発光する場合には、粘着フィルム等を通して発光を観察せねばならず、こうして観察された発光は強度が弱められており、検査の信頼性、容易さなどの点から問題がある。電極側へ発光させるためには、電極金属の占める面積をなるべく小さくすることが望ましく、また発光が素子全体に広がっていることが望ましい。ところが、電極面積が小さい場合、電流は素子全体に広がらず、電極周辺の限られた接合部分のみから発光し、接合の一部分のみしか発光には寄与しなくなる。つまり素子の形状に比べて不均一な発光パターンとなり、表示用素子としての価値が下がる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このような事情をみて鋭意検討した結果、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、特定の条件で熱処理することにより電極としての機能を保持したまま透明になることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】即ち、本発明は、次に記す発明である。
（１）ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（２）前記（１）記載のＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎで表される３−５族化合物半導体において、０≦ｘ≦１の代わりに０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（３）保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる層であることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【０００７】（４）電極材料がＡｕであることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
（５）電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であることを特徴とする（１）記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【０００８】次に、本発明を詳細に説明する。本発明における３−５族化合物半導体とは、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体である。該化合物半導体は、可視光領域から紫外線領域に、３族元素の組成によって制御できるバンドギャップを持っており、そのバンド構造はすべての３族元素の組成において高い発光効率が期待できる直接遷移型である。特に、Ｉｎの濃度が１０モル％以上のものは、発光波長が紫色又はそれより長波長の可視領域にすることができるため、表示用途への応用上好ましい。
【０００９】本発明の３−５族化合物半導体結晶は、好ましくは基板の上に成長させて得られるが、用いる基板については、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、スピネル、ＺｎＯ等を用いることができる。また、サファイア上にはＡｌＮ等の薄膜をバッファ層とすることで結晶性の高いＧａＮ層を成長させることができる。ＧａＮと該３- ５族化合物半導体は格子定数が比較的近いので、このＧａＮ上に該３−５族化合物半導体を成長させることもできる。
【００１０】該３−５族化合物半導体の製造方法としては、有機金属気相成長（以下、ＭＯＶＰＥと記すことがある。）法、分子線エピタキシー（以下、ＭＢＥと記すことがある。）法、ハイドライド気相成長（以下、ＨＶＰＥと記すことがある。）法などが挙げられる。なお、ＭＢＥ法を用いる場合、窒素原料としては、窒素ガス、アンモニア又はその他の窒素化合物を気体状態で供給する方法である気体ソース分子線エピタキシー（以下、ＧＳＭＢＥと記すことがある。）法が一般的に用いられている。この場合、窒素原料が化学的に不活性で、窒素原子が結晶中に取り込まれにくいことがある。その場合には、マイクロ波などにより窒素原料を励起して、活性状態にして供給することで、窒素の取り込み効率を上げることができる。
【００１１】これらの製造方法のなかでＭＯＶＰＥ法は、均一性が高く、量産にも向いていることから特に好ましい。ＭＯＶＰＥ法を用いて本発明における３−５族化合物半導体を製造する場合には、以下のような原料を用いることができる。すなわち、３族元素の原料としては、トリメチルガリウム〔Ｇａ（ＣＨ3 ）3、以下、ＴＭＧと記すことがある。〕、トリエチルガリウム〔Ｇａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｇａ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルガリウム；トリメチルアルミニウム〔Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、以下、ＴＭＡと記すことがある。〕、トリエチルアルミニウム〔Ａｌ（Ｃ2Ｈ5 ）3 〕、トリイソブチルアルミニウム〔Ａｌ（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルアルミニウム；トリメチルアミンアラン〔ＡｌＨ3 Ｎ（ＣＨ3 ）3〕；トリメチルインジウム〔Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 、以下、ＴＭＩと記すことがある。〕、トリエチルインジウム〔Ｉｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ（ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は低級アルキル基）で表されるトリアルキルインジウム等が挙げられる。これらは単独または混合して用いられる。
【００１２】次に、５族元素の原料としては、アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−ジメチルヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは単独または混合して用いられる。
【００１３】次に、本発明における３−５族化合物半導体に用いられるｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏが挙げられ、中でもＳｉ、Ｇｅが好ましく、Ｓｉがさらに好ましい。ｐ型不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｈｇが挙げられ、中でもＭｇ、Ｚｎが好ましく、Ｍｇがさらに好ましい。これらの不純物をドープする方法としては、ＧＳＭＢＥ法により該３−５族化合物半導体を製造する場合で、不純物の単体そのものが成長装置内で他の分子線の妨げにならないような蒸気圧に制御できる場合には、これらの単体をそのまま用いることができる。ＭＯＶＰＥの場合には公知のこれらの不純物を含む化合物を反応炉に導入して、不純物をドープした化合物半導体を得ることができる。
【００１４】本発明における３−５族化合物半導体用電極材料は、Ａｕ金属、又はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金が好ましい。Ａｕとの合金として、さらに好ましくはＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金である。Ａｕとの合金として具体的には、Ａｕ−Ｍｇ、Ａｕ−Ｚｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｎｉ合金などが挙げられる。特にＡｕ−Ｍｇ合金が好ましい。これらの電極材料はｐ型不純物をドープした該化合物半導体と接触抵抗の小さい電極となるので好ましい。
【００１５】本発明の３−５族化合物半導体用電極の製造方法について、例を挙げて具体的に説明する。初めに、公知の方法により、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体を成長させ、次いで電極材料を蒸着する。３−５族化合物半導体に電子線を照射するか又は４００℃以上に加熱することにより熱処理した後、本発明の電極材料を成膜してもよい。蒸着方法は特に限定されないが、例えばＡｕとＧｅとの合金の場合には、Ａｕ−Ｇｅ合金をタングステンボートを用いて、抵抗加熱方式により真空蒸着する方法が挙げられる。また、別々の蒸発源からＡｕとＧｅとを同時に蒸着してもよい。また、Ａｕと他の金属とを、真空蒸着、又はスパッタリング法等により順次成膜した積層膜を、膜形成後に熱処理により合金化することもできる。
【００１６】成膜する電極材料の膜厚は、１０Å以上５μｍ以下が好ましい。電極の膜厚が１０Åより小さい場合には均一な薄膜を得ることができず、良好な電極にならないので好ましくない。また、５μｍより大きい場合には、以下に述べる熱処理によっても透明になりにくいので好ましくない。さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下である。なお、電極金属は保護層を形成しないで熱処理した場合には凝集してしまい、電極として使用することが困難となる。本発明の３−５族化合物半導体用電極の製造方法によれば、保護層形成後に電極金属を熱処理することで、電極材料の凝集が見られず、伝導性を保持したまま電極が透明になるので好ましい。ここで、電極が透明であるとは、可視光領域での光の透過率が、３−５族化合物半導体からの発光を著しく妨げない程度に高いことをいい、具体的には可視光領域でのどの部分においても光の透過率が３０％以上のものをいう。
【００１７】本発明に使用するこれらの保護層の性質としては、ピンホールがないこと、熱処理時に物理的な剥げ落ちなどの欠陥を生じないこと、および熱処理時に電極材料の導電性を消失させないことが必要な条件である。このような要件を満たす場合には、保護層には特別に良好な結晶性は必要なく、構成元素の欠陥、不純物等を含んでいてもよい。また、単一の層からなるものだけでなく、複数の層の積層構造でもよい。なお、検査時、または製品として使用する場合に、この保護層を通して発光素子からの発光を取り出す場合には、目的とする波長範囲で光吸収が問題とならない程度に小さいことが好ましい。このような条件を満たす材料としては酸化硅素（以下、ＳｉＯ2 と記す。）、窒化硅素（以下、Ｓｉ3 Ｎ4 と記す。）および錫添加酸化インジウム（一般にＩＴＯと呼ばれるものである。）が挙げられる。このうち、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 は高温の熱処理に対しても化学的に安定なので好ましい。さらにＳｉＯ2 は耐薬品性にも優れており特に好ましい。保護層の厚さは、１０Å以上１０μｍ以下が好ましい。保護層の厚さが１０Åより小さい場合には、ピンホールのない保護層を形成することが難しく、１０μｍを越える場合には膜形成に時間がかかるので実用的でなく、好ましくない。保護層の厚さは、さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下である。
【００１８】該電極材料の保護層の成膜方法は公知の方法によることができる。成膜方法としては、スパッタリング、真空蒸着、気相熱分解法（以下、ＣＶＤ法と記す）、プラズマＣＶＤ法などを用いることができる。スパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてはＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯを用いることができる。また、ＳｉターゲットをＮ2 雰囲気、又はＯ2 雰囲気でスパッタリングして成膜する、いわゆる反応性スパッタリング法を用いてもよい。ＩＴＯの場合にはＩｎとＳｎとの合金、又はＩｎのターゲットとＳｎのターゲットを同時にＯ2 雰囲気中でスパッタリングすることができる。Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＩＴＯをターゲットとする場合もＮ2 又はＯ2 雰囲気でスパッタリングしてもよい。
【００１９】ＳｉＯ2 又はＩＴＯを真空蒸着により成膜する場合には、それぞれ、ＳｉＯ2又はＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 を真空中で電子ビームや抵抗加熱法で加熱して蒸着することができる。この場合、Ｏ2 を蒸着装置内に導入することでＯの欠陥の発生を低減することができる。ＩＴＯについてはＯ2 雰囲気中でＩｎ、Ｓｎを蒸着させる方法によってもよい。
【００２０】ＣＶＤ法では、３００〜８００℃に加熱した基板上で原料ガスを反応させ、目的の保護層を得ることができる。Ｓｉ3 Ｎ4 の場合には、Ｓｉ原料としてＳｉＨ4 、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、Ｎ原料としてＮＨ3 を用いることができる。ＳｉＯ2 の場合には、前述のＳｉ原料とＯ原料としてＯ2 、Ｎ2 Ｏ、ＣＯ2 などを用いることができる。また、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のような化合物を単独で用いることもできる。また、ＩＴＯの場合には、例えば、ＩｎＣｌ3 とＳｎＣｌ4 の水溶液にエタノールと塩酸を加え、加熱した基板に噴霧して薄膜を得ることができる。プラズマＣＶＤでは、ＳｉＨ4 やＳｉＣｌ4 をＮＨ3 又はＯ2 プラズマ中で反応させることでＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 の膜を得ることができる。これらの成膜方法のうちでは、スパッタリング法は簡便に均一な膜が形成できるので好ましい。さらにマグネトロンスパッタリング法は成膜速度が大きく、特に好ましい。
【００２１】本発明において保護層形成後の熱処理温度は、４００℃以上であり、４００℃以上１２００℃以下が好ましい。熱処理温度が４００℃より低い場合には、本発明による効果が十分でないので好ましくない。１２００℃以下の場合には、該化合物半導体の熱分解があまり起こらず、また電極材料も変質しないのでより好ましい。さらに好ましくは６００℃以上１１００℃以下であり、８００℃以上１１００℃以下が特に好ましい。熱処理時間は熱処理温度にもよるが、１秒以上２時間以下が好ましい。さらに好ましくは２秒以上３０分以下である。熱処理時間が短か過ぎると充分な効果が得られず、また長過ぎると素子の構成材料が変性を起こし、素子特性の低下を引き起こしたり、また生産性が悪くなるので好ましくない。
【００２２】本発明により得られた電極は保護層が形成されているため、保護層がない場合に比べて熱処理の雰囲気の影響は少ないが、熱処理中に該電極を変質させるような雰囲気は好ましくない。具体的な雰囲気としては、充分精製された窒素やアルゴン等の不活性ガス、又は充分精製された水素などが好ましい。なお、熱処理後に保護層を部分的にまたは全面的に取り除き、外部からの電気的接触を取ることができる。
【００２３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。窒化ガリウム系半導体をＭＯＶＰＥ法による気相成長により作製した。用いた原料ガスは、ＮＨ3 とキャリアガス（Ｈ2 およびＮ2 ）、トリメチルガリウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ〕、トリメチルアルミニウム〔（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ〕、トリメチルインジウム〔（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、ＴＭＩ〕、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム〔（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ、以下、ＭＣｐ2 Ｍｇと記す。〕である。
【００２４】実施例１有機洗浄したＣ面を主面とする単結晶のサファイア基板をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたグラファイト製サセプタに装着した。次に、常圧の水素雰囲気中で高周波加熱によりサセプタを１１００℃に加熱し、この状態でサファイア基板を１０分間保持してサファイア基板を気相クリーニングした。次に、温度を６００℃まで低下させて、ＮＨ3 とＴＭＡを供給して約５００Åの厚さのＡｌＮのバッファ層を形成した。次に、ＴＭＡのみの供給を停止して、サファイア基板の温度を１１００℃まで昇温し、温度が安定したのち、ＴＭＧとＭＣｐ2 Ｍｇを供給し、ＭｇをドープしたＧａＮ層を３μｍ成長した。作製した基板を窒素中、６５０℃で２０分間アニール処理をした。こうして、キャリア濃度１×１０18／ｃｍ3 のｐ型ＧａＮ膜を得た。この試料について２ｍｍ離れた２点間の抵抗を測定したところ５００ｋΩであった。
【００２５】こうして得られたｐ型ＧａＮ膜に、蒸着法によりＡｕＭｇ（Ｍｇ濃度５重量％）、ＡｕＺｎ（Ｚｎ濃度５重量％）、ＡｕＧｅ（Ｇｅ濃度１２重量％）、ＡｕＳｉ（Ｓｉ濃度１０重量％）、ＡｕＮｉ（Ｎｉ濃度５重量％）、及びＡｕ電極をそれぞれ２０００Å成膜した。さらに、この試料にマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2 を１μｍ成膜した。スパッタ条件は、ＳｉＯ2 をターゲットとして用い、Ａｒ流量３０ｓｃｃｍ、真空度１．６Ｐａ、高周波パワー３００Ｗであった。ここで、「ｓｃｃｍ」とは気体の流量の単位で、１ｓｃｃｍは０℃、１気圧で１ｃｃの体積を占める重量の気体が流れていることを示す。さらに、これらの試料を窒素中、１０００℃で５分間熱処理したところ、どの電極材料とも透明になった。図２にＡｕＭｇ電極について熱処理の前後での透過スペクトルを示す。熱処理前では透過率の最大値はせいぜい０．２％しかないのに対して、熱処理により４００ｎｍから７５０ｎｍの領域で透過率が４０％以上に向上していることがわかる。これらの試料を沸酸で処理してＳｉＯ2 の保護層を取り除き、２ｍｍ離れた２点間の抵抗を測定したところ、どの電極でも５０ｋΩ以下であり、電極として機能することを確かめた。ＳｉＯ2 のかわりにＩＴＯを用いても同様の効果を示す。
【００２６】比較例１保護層がないことを除いては実施例１と同様にしてＡｕ電極を設け、実施例１と同様に熱処理したところ、電極材料が微細なボール上になって半導体表面に凝集し、電極として使用できなくなった。
【００２７】実施例２実施例１と同様にして得たｐ型ＧａＮ膜に、Ｍｇ、Ａｕをこの順番にそれぞれ、２００Å、２０００Å真空蒸着して電極としたのち、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3 Ｎ4 を１０００Å成膜した。成膜条件は、真空度：１３３パスカル、シランを４％含むＡｒの流量：２０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 流量：２０ｓｃｃｍ、基板の温度：３００℃、高周波パワー：１５０Ｗであった。実施例１と同様に熱処理したところ、やはり導電性を保持したまま透明になった。
【００２８】実施例３ＭＣｐ2 Ｍｇを導入しないことを除いては実施例１と同様にしてノンドープの窒化ガリウムを３μｍ成長し、さらに、ＴＭＩ、ＴＭＧ及びＮＨ3 を用いてＩｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ膜を１８００Å成長した。このようにして得られたＩｎＧａＮ膜にＡｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｍｇ電極を蒸着して実施例１と同様の評価した結果、やはりどの電極も導電性を保ったまま透明になることがわかった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の製造方法により得られた電極は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に対して透明な電極として用いることができ、発光素子の製造工程を容易にし信頼性を高めることができるので、紫外もしくは青色のＬＥＤ又は紫外もしくは青色のレーザーダイオード等の発光デバイスの電極として工業的価値が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光素子の構造を示す概略図。
【図２】熱処理前後での透過スペクトルの変化を示す図。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板。
２・・・ｎ型Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ。
３・・・ｐ型Ｉｎx'Ｇａy'Ａｌz'Ｎ。
４・・・ｎ電極。
５・・・ｐ電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項２】請求項１記載のＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎで表される３−５族化合物半導体において、０≦ｘ≦１の代わりに０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項３】保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる層であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項４】電極材料がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項５】電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項１】ＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項２】請求項１記載のＩｎX Ｇａy Ａｌz Ｎで表される３−５族化合物半導体において、０≦ｘ≦１の代わりに０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項３】保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる層であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項４】電極材料がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項５】電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開平７−３０２７７０
【公開日】平成７年（１９９５）１１月１４日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平６−９２３２３
【出願日】平成６年（１９９４）４月２８日
【出願人】（０００００２０９３）住友化学工業株式会社 (8,981)
【公開日】平成７年（１９９５）１１月１４日
【国際特許分類】
【出願日】平成６年（１９９４）４月２８日
【出願人】（０００００２０９３）住友化学工業株式会社 (8,981)
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