ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法
【課題】有機発光層の膜厚むらを低減する。
【解決手段】ＥＬパネル１における有機ＥＬ素子８の正孔注入層８ｂは、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、バンク１３の開口部１３ａに液状体を塗布し正孔注入層を形成する手法に比べて這い上がりの影響を低減することができ、その正孔注入層８ｂに機能層８ｉと発光層８ｃを積層してなる有機発光層の膜厚むらを低減することが可能となる。
【解決手段】ＥＬパネル１における有機ＥＬ素子８の正孔注入層８ｂは、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、バンク１３の開口部１３ａに液状体を塗布し正孔注入層を形成する手法に比べて這い上がりの影響を低減することができ、その正孔注入層８ｂに機能層８ｉと発光層８ｃを積層してなる有機発光層の膜厚むらを低減することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、有機発光層を成膜する工程として、ガラス基板上に設けられた透明電極を囲むように形成された隔壁間の凹部に、ノズルを通じて液体状の有機材料を流し込んで塗布するノズルプリント方式の技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−７５６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、隔壁間に塗布された有機材料を乾燥させて、正孔注入層や発光層などの有機発光層を成膜する過程において、液体状の有機材料が隔壁面に付着して成膜された「這い上がり」といわれる隆起したような成膜層が生じて、有機発光層の膜厚の均一性が損なわれてしまうことがあり、その膜厚むらに起因する発光むらが生じてしまうことがある。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、有機発光層の膜厚むらを低減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ＥＬパネルであって、
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記隔壁間に有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体が塗布されて乾燥されてなる発光層と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴としている。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、ＥＬパネルであって、
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層の上面側を覆う発光層と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴としている。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のＥＬパネルにおいて、
前記キャリア注入層と前記発光層との間に、前記発光層の発光に寄与する機能層が備えられ、
前記機能層は、前記キャリア注入層上の全面または前記キャリア注入層上の前記隔壁間の範囲に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記第一電極上に相当する前記隔壁間に、有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体を塗布し発光層を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴としている。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面を覆う発光層を形成する工程と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴としている。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法において、
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が溶媒に溶解または分散された液状体が前記基板の上面側に塗布されて形成されることを特徴としている。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法において、
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が前記基板の上面側に真空成膜されて形成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＥＬパネルにおいて、膜厚むらを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１４】
（実施形態１）
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１５】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の隔壁であるバンク１３が設けられている。このバンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に所定の発光層（後述する発光層８ｃ）が設けられて、画素Ｐの発光領域となる。
【００１６】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の１画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１７】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の１画素Ｐにつき、薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、有機ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１８】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び有機ＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素Ｐの有機ＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００１９】
また、このＥＬパネル１の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００２０】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４〜図６を用いて説明する。ここで、図４は、ＥＬパネル１の１画素Ｐに相当する平面図であり、図５は、図４のV−V線に沿った面の矢視断面図、図６は、図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００２１】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍に有機ＥＬ素子８が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び有機ＥＬ素子８が配置されている。
【００２２】
図４〜図６に示すように、基板１０上の一面にゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１が成膜されており、その層間絶縁膜１１の上に層間絶縁膜１２が成膜されている。信号線３は層間絶縁膜１１と基板１０との間に形成され、走査線２及び電圧供給線４は層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に形成されている。
【００２３】
また、図４、図６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート５ａ、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
【００２４】
ゲート５ａは、基板１０と層間絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート５ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート５ａの上に絶縁性の層間絶縁膜１１が成膜されており、その層間絶縁膜１１によってゲート５ａが被覆されている。
層間絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。この層間絶縁膜１１上であってゲート５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂが層間絶縁膜１１を挟んでゲート５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜５ｄが形成されている。このチャネル保護膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ドレイン電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ソース電極５ｉが形成されている。ドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉの上には、保護膜となる絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉが層間絶縁膜１２によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、層間絶縁膜１２によって覆われるようになっている。層間絶縁膜１２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍ窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２５】
また、図４、図５に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート６ａ、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００２６】
ゲート６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなり、ゲート５ａと同様に基板１０と層間絶縁膜１１の間に形成されている。そして、ゲート６ａは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる層間絶縁膜１１によって被覆されている。
この層間絶縁膜１１の上であって、ゲート６ａに対応する位置に、チャネルが形成される半導体膜６ｂが、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンにより形成されている。この半導体膜６ｂは層間絶縁膜１１を挟んでゲート６ａと相対している。
半導体膜６ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜６ｄが形成されている。このチャネル保護膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはそれぞれ半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。ドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉが層間絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、層間絶縁膜１２によって覆われるようになっている。
【００２７】
キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間に接続されており、図４、図６に示すように、基板１０と層間絶縁膜１１との間に一方の電極７ａが形成され、層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に他方の電極７ｂが形成され、電極７ａと電極７ｂが誘電体である層間絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００２８】
なお、信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート６ａは、基板１０に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、層間絶縁膜１１に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２９】
また、層間絶縁膜１１には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１１ａが形成され、ドレイン電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１１ｂが形成され、ゲート電極６ａとソース電極５ｉとが重なる領域にコンタクトホール１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート６ａが電気的に導通する。
コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線２が直接ゲート電極５ａと接触し、ドレイン電極５ｈが信号線３と接触し、ソース電極５ｉがゲート電極６ａと接触してもよい。
なお、駆動トランジスタ６のゲート６ａがキャパシタ７の電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の電極７ｂに一体に連なっている。
【００３０】
画素電極８ａは、層間絶縁膜１１を介して基板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。なお、画素電極８ａは一部、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉが接続している。
そして、図４、図５に示すように、層間絶縁膜１２が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び層間絶縁膜１１を覆うように形成されている。層間絶縁膜１２には、各画素電極８ａの中央部が露出するように開口部１２ａが形成されている。そのため、層間絶縁膜１２は平面視して格子状に形成されている。
【００３１】
そして、基板１０の表面に走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７、画素電極８ａ及び層間絶縁膜１２が形成されてなるパネルがトランジスタアレイパネルとなっている。
【００３２】
有機ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、画素電極８ａの上に形成された有機化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された有機化合物膜である機能層８ｉと、機能層８ｉの上に形成された有機化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての対向電極８ｄとを備えている。対向電極８ｄは全画素Ｐに共通の単一電極であって、全画素Ｐに連続して形成されている。
【００３３】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
なお、正孔注入層８ｂは、画素電極８ａの上面から、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６を覆う層間絶縁膜１２の上面に亘って設けられている。
【００３４】
機能層８ｉは、例えば、ポリフルオレン系材料からなるインターレイヤー層（電子ブロック層）であって、電子が発光層８ｃから正孔注入層８ｂ側へ移動することを抑制する機能を有する。
発光層８ｃは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する有機材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなり、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは互いに発光層８ｃの発光材料が異なる。画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のパターンは、デルタ配列であってもよく、また縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンであってもよい。
【００３５】
対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金で形成されている。
この対向電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの有機化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００３６】
正孔注入層８ｂは、開口部１２ａによって露出された画素電極８ａ上、層間絶縁膜１２の開口部１２ａでの側壁、層間絶縁膜１２上を連続して被覆するように、正孔注入層８ｂが基板１０の上面側のほぼ全域に亘って形成されている（図７参照）。このため複数の画素Ｐが同じ正孔注入層８ｂとなる。
更に、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ間に相当する位置にバンク１３が形成されている。このバンク１３は、正孔注入層８ｂを介して層間絶縁膜１２のほぼ上側に配設されており、層間絶縁膜１２と同様に平面視して格子状に形成され、各画素電極８ａに対応する位置において開口部１３ａが形成されている（図８参照）。なお、バンク１３は一部、画素電極８ａ上に相当する部分に重なるように配設されている。
バンク１３は層間絶縁膜１２上の正孔注入層８ｂばかりでなく、開口部１２ａにおける層間絶縁膜１２の側壁に堆積された正孔注入層８ｂをも覆っている。このため、正孔注入層８ｂが後述する湿式法によって成膜され、層間絶縁膜１２の側壁に這い上がりが生じ開口部１２ａ近傍が厚く堆積されたとしても、この厚く堆積された正孔注入層８ｂをバンク１３が覆っているので開口部１３ａから露出している正孔注入層８ｂは表面が平滑な状態とすることができる。
そして、開口部１３ａ内における正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間に、機能層８ｉと発光層８ｃが積層されている（図５、図７〜図１１参照）。
【００３７】
具体的には、バンク１３は、機能層８ｉや発光層８ｃを湿式法によって形成するに際して、機能層８ｉや発光層８ｃを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体が隣接する画素Ｐに滲み出ないように仕切る隔壁として機能する。
例えば、図９に示すように、正孔注入層８ｂの上に設けられたバンク１３には、層間絶縁膜１２の開口部１２ａより内側に開口部１３ａが形成されている。
そして、図１０に示すように、各開口部１３ａ内に囲まれた正孔注入層８ｂ上に、機能層８ｉを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が機能層８ｉとなる。
さらに、図１１に示すように、開口部１３ａ内の機能層８ｉ上に、発光層８ｃを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が発光層８ｃとなる。
なお、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように対向電極８ｄが設けられている（図５参照）。
【００３８】
そして、このＥＬパネル１においては、画素電極８ａ、基板１０及び層間絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、層間絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏面（下面）が表示面となる。
なお、基板１０側ではなく、反対側が表示面となってもよい。この場合、対向電極８ｄを透明電極とし、画素電極８ａを反射電極として、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄを透過して出射する。
【００３９】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。
各走査線２が選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加された電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、有機ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流に応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉ間の電位差は保持される。
このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、有機ＥＬ素子８の輝度を維持するようになっている。
【００４０】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について説明する。
【００４１】
基板１０上にゲートメタル層をスパッタリングで堆積させ、フォトリソグラフィーによりパターニングして信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート６ａを形成する。次いで、プラズマＣＶＤによって窒化シリコン等のゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１を堆積する。層間絶縁膜１１には、ＥＬパネル１の一辺に位置する走査ドライバに接続するための各走査線２の外部接続端子を開口するコンタクトホール（図示せず）を形成する。
次いで半導体膜５ｂ、６ｂとなるアモルファスシリコン等の半導体層、チャネル保護膜５ｄ、６ｄとなる窒化シリコン等の絶縁層を連続して堆積後、フォトリソグラフィーによってチャネル保護膜５ｄ、６ｄをパターン形成し、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、６ｆ，６ｇとなる不純物層を堆積後、フォトリソグラフィーによって不純物層及び半導体層を連続してパターニングして不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、６ｆ，６ｇ、半導体膜５ｂ、６ｂを形成する。
そして、フォトリソグラフィーによってコンタクトホール１１ａ〜１１ｃを形成する。ついで、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを形成する。この工程は省略されても良い。
スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉとなるソース、ドレインメタル層を堆積して適宜パターニングして、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉを形成する。その後、ＩＴＯ膜を堆積してからパターニングして画素電極８ａを形成する。
【００４２】
図７に示すように、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うように、気相成長法により絶縁膜を成膜し、その絶縁膜をフォトリソグラフィーでパターニングすることで画素電極８ａの中央部が露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。開口部１２ａとともに、図示しない走査線２の外部接続端子、ＥＬパネル１の一辺に位置するデータドライバに接続するための各信号線３の外部接続端子及び電圧供給線４の外部接続端子をそれぞれ開口する複数のコンタクトホールを形成する。
なお、この画素基板の上面における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の表面を純水超音波洗浄し、その後、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶオゾン処理を施すことで、その表面を親水化することが好ましい。
【００４３】
次いで、図８に示すように、画素電極８ａとともに、基板１０の上面側となる層間絶縁膜１２上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが水などの溶媒に溶解または分散された液状体を、その表面全体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を成膜させて複数の画素電極８ａを跨るように正孔注入層８ｂを形成する。
【００４４】
そして、図９に示すように、正孔注入層８ｂ上にポリイミド等の感光性樹脂を堆積後、露光して画素電極８ａ上の正孔注入層８ｂが露出する開口部１３ａを有する格子状のバンク１３を形成する。このとき、バンク１３は、上記外部接続端子を開口するコンタクトホールを露出している。図４に示すように、バンク１３の開口部１３ａは、層間絶縁膜１２の開口部１２ａより一回り小さく、開口部１２ａより内側に設けられている。このため、バンク１３は層間絶縁膜１２上の正孔注入層８ｂばかりでなく、開口部１２ａにおける層間絶縁膜１２の側壁に堆積された正孔注入層８ｂをも覆っており、正孔注入層８ｂが後述する湿式法によって成膜され、層間絶縁膜１２の側壁に這い上がりが生じ開口部１２ａ近傍が厚く堆積されたとしても、この厚く堆積された正孔注入層８ｂをバンク１３が覆っているので開口部１３ａから露出している正孔注入層８ｂは表面が平滑な状態とすることができる。
【００４５】
次いで、図１０に示すように、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間となる開口部１３ａ内に、機能層８ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体を、分離した複数の液滴として吐出するインクジェット方式又は連続した液流を流すノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、平滑な正孔注入層８ｂ上に機能層８ｉを形成する。機能層８ｉは、開口部１３ａにおいて成膜される際にはい上がりを生じても、正孔注入層８ｂが平滑なため全体として開口部１３ａ内側周縁の隆起が緩和されている。
さらに、図１１に示すように、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当する開口部１３ａ内における機能層８ｉ上に、発光層８ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をインクジェット方式又はノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、正孔注入層８ｂ上の機能層８ｉに発光層８ｃを積層して形成する。発光層８ｃは、開口部１３ａにおいて成膜される際にはい上がりを生じても、正孔注入層８ｂが平滑なため全体として開口部１３ａ内側周縁の隆起が緩和されている。
【００４６】
そして、図５に示すように、バンク１３の上及び発光層８ｃの上に、発光層８ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで、有機ＥＬ素子８が構成されて、ＥＬパネル１が製造される。
【００４７】
このように、ＥＬパネル１における正孔注入層８ｂは、発光せずつまり画素Ｐの発光色に直接寄与しないため、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）パターンの色に応じて各画素ごとに分離する必要がないため、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、従来技術のインクジェット方式のように、バンク内の凹部に液状体を塗布するために、インクジェットノズルと凹部の位置合わせを行い、個々の画素ごとに液状体を塗布するというような煩雑な塗布工程を行うことに比べて、容易に正孔注入層８ｂを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に湿式成膜した正孔注入層８ｂであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂを形成することができる。具体的には、従来技術のように、バンク１３における開口部１３ａ内に、有機材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が含有される液状体を塗布して正孔注入層を形成する場合には、その開口部１３ａ内の壁面にも僅かながら有機化合物膜が成膜されるため、その液状体が開口部１３ａの壁面を上に這い上がるようにして成膜されたように見える現象（這い上がり現象）が起こり、凹部の中央側に比べてその壁面寄りの膜厚が厚くなってしまいがちになる。そのため、その正孔注入層に膜厚むらが生じてしまうこととなるが、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂであれば「這い上がり」のない、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂとすることが可能になるのである。
そして、正孔注入層８ｂの膜厚が均一である程、その正孔注入層８ｂ上に積層される機能層８ｉや発光層８ｃの膜厚を安定させやすくなるので、正孔注入層８ｂ、機能層８ｉ、発光層８ｃからなる有機発光層の膜厚むらを低減することができる。
【００４８】
また、這い上がりをなくすことで、塗布した液状体の大部分を効率的に正孔注入層８ｂの平坦な膜部分とすることができるので、形成する正孔注入層８ｂの膜厚の管理や調整を行いやすくなる。
そして、正孔注入層８ｂや、正孔注入層８ｂを含む有機発光層の膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８及びＥＬパネル１を製造することができる。
【００４９】
なお、本発明は上記実施形態に限られるものではない。
前述した正孔注入層８ｂは、正孔注入層８ｂを構成する材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が溶媒に溶解または分散された液状体を、基板１０の上面側に塗布することによって形成する有機化合物膜であるとしたが、例えば、正孔注入層８ｂを構成する材料を、基板１０の上面側に真空成膜することによって、正孔注入層８ｂを形成するようにしてもよい。真空成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
具体的には、正孔注入層８ｂを、例えば、有機金属錯体である銅フタロシアニンや、遷移金属酸化物である酸化モリブデン、酸化バナジウムなどの材料からなる層とする。
そして、図７に示す画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上に、画素Ｐに対応する部位が開口したメタルマスクを用いることなく正孔注入層材料を真空蒸着して形成して、図８に示すように、正孔注入層８ｂを形成してもよい。
また、上記実施形態では、走査線２の外部接続端子、信号線３の外部接続端子及び電圧供給線４の外部接続端子をそれぞれ開口するコンタクトホールに正孔注入層８ｂが入らないように、これらコンタクトホールの或る部位をマスキングしてもよいし、正孔注入層８ｂを形成してから正孔注入層８ｂ及び層間絶縁膜１２をエッチングしてコンタクトホールを形成してもよい。
また上記実施形態では、機能層８ｉを設けたが必要がなければ設けなくてもよい。
また上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
【００５０】
（実施形態２）
次に、本発明に係るＥＬパネルの実施形態２について説明する。なお、実施形態１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５１】
図１２に示すように、ＥＬパネルの有機ＥＬ素子８１は、画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面のほぼ全域に設けられた正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂ上の全面に設けられた機能層８１ｉと、機能層８１ｉの上に積層された発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された対向電極８ｄとを備えている。
なお、バンク１３は、機能層８１ｉの上面における、層間絶縁膜１２の上方に相当する位置であって画素電極８ａ間に相当する位置に形成されている。
【００５２】
次に、この有機ＥＬ素子８１を備えるＥＬパネルの製造方法について説明する。
まず、図７に示すように、基板１０の上面側である層間絶縁膜１１上に画素電極８ａを形成し、さらに、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うとともに画素電極８ａが露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。
そして、図８に示すように、画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面を覆うように、塗布あるいは蒸着などの手法によって正孔注入層８ｂを形成する。
【００５３】
次いで、正孔注入層８ｂ上の全面に、機能層８１ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料を成膜させて機能層８１ｉを形成する。
また、機能層８１ｉ上であって、層間絶縁膜１２の上方に相当し画素電極８ａ間に相当する位置に、各画素電極８ａを画素Ｐごとに隔離する格子状のバンク１３を形成する。
次いで、機能層８１ｉ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間となる開口部１３ａ内に、発光層８ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、正孔注入層８ｂ上の機能層８１ｉに発光層８ｃを積層して形成する。（図１２参照）。
【００５４】
そして、図１２に示すように、バンク１３の上及び発光層８ｃの上に、発光層８ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで有機ＥＬ素子８１が構成されて、その有機ＥＬ素子８１を備えるＥＬパネルが製造される。
【００５５】
このような有機ＥＬ素子８１であれば、バンク１３が形成される前に、正孔注入層８ｂと機能層８１ｉを、基板１０の上面側のほぼ全域にコートし形成することができるので、従来技術のように、ノズルによって液状体をバンク内の凹部に塗布する手法に比べて、容易に正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂや機能層８１ｉであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉの膜厚が均一である程、その正孔注入層８ｂや機能層８１ｉの上に積層される発光層８ｃの膜厚を安定させやすくなるので、正孔注入層８ｂ、機能層８１ｉ、発光層８ｃからなる有機発光層の膜厚むらを低減することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを含む有機発光層の膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８１及びＥＬパネルを製造することができる。
このように、ＥＬパネル１における正孔注入層８ｂ及び機能層８１ｉはキャリアの注入移動を制御するものであって画素Ｐの発光色に直接寄与しないため、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）パターンの色に応じて各画素ごとに分離する必要がないため、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、従来技術のインクジェット方式のように、バンク内の凹部に液状体を塗布するために、インクジェットノズルと凹部の位置合わせを行い、個々の画素ごとに液状体を塗布するというような煩雑な塗布工程を行うことに比べて、容易に正孔注入層８ｂを形成することができる。
上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また上記実施形態では、機能層８１ｉを単層としたが、第一機能層及び第一機能層と異なる第二機能層を連続して積層して機能層８１ｉとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
【００５６】
（実施形態３）
次に、本発明に係る単色発光ＥＬパネルの実施形態３について説明する。なお、実施形態１、２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５７】
図１３に示すように、ＥＬパネルの有機ＥＬ素子８２は、画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面のほぼ全域に設けられた正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂ上の全面に設けられた機能層８１ｉと、機能層８１ｉ上の全面に設けられた発光層８２ｃと、発光層８２ｃの上に形成された対向電極８ｄとを備えている。
なお、バンク１３は、発光層８２ｃの上面における、層間絶縁膜１２の上方に相当する位置であって画素電極８ａ間に相当する位置に形成されている。
【００５８】
次に、この有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルの製造方法について説明する。
まず、図７に示すように、基板１０の上面側である層間絶縁膜１１上に画素電極８ａを形成し、さらに、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うとともに画素電極８ａが露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。
そして、図８に示すように、画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面を覆うように、塗布あるいは蒸着などの手法によって正孔注入層８ｂを形成する。
【００５９】
次いで、正孔注入層８ｂ上の全面に、機能層８１ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料を成膜させて機能層８１ｉを形成する。
さらに、機能層８１ｉ上の全面に、発光層８２ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機発光材料を成膜させて発光層８２ｃを形成する。
また、発光層８２ｃ上であって、層間絶縁膜１２の上方に相当し画素電極８ａ間に相当する位置に、各画素電極８ａを画素Ｐごとに隔離する格子状のバンク１３を形成する。（図１３参照）この場合、バンク１３は、対向電極８ｄの電界が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、又はキャパシタ７に干渉しないように保護する絶縁膜として機能している。
【００６０】
そして、図１３に示すように、バンク１３の上及び発光層８２ｃの上に、発光層８２ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで有機ＥＬ素子８２が構成されて、その有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルが製造される。
なお、バンク１３が形成される前に、基板１０の上面側のほぼ全域にコートして形成される発光層８２ｃを有する有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルは、モノカラーパネルとなる。
【００６１】
このような有機ＥＬ素子８２であれば、バンク１３が形成される前に、正孔注入層８ｂと機能層８１ｉと発光層８２ｃを、基板１０の上面側のほぼ全域にコートして形成することができるので、従来技術のように、ノズルによって液状体をバンク内の凹部に塗布する手法に比べて、容易に正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃの膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８２及びＥＬパネルを製造することができる。
【００６２】
上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また上記実施形態では、機能層８１ｉを単層としたが、第一機能層及び第一機能層と異なる第二機能層を連続して積層して機能層８１ｉとしてもよい。
また上記実施形態では、発光層８２ｃを単層としたが、第一発光層及び第一発光層と異なる第二発光層を連続して積層して発光層８２ｃとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
このように、各実施の形態においては、正孔注入層、機能層、発光層の３層よりなる有機発光層を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、電子注入層など備える３層以上の有機発光層を有する有機ＥＬ素子やＥＬパネルであってもよい。
【００６３】
また、実施形態３における有機ＥＬ素子のように、各画素Ｐに共通する発光層８２ｃを有する有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルは、モノカラーパネルとなる。
一方、実施形態１、２における有機ＥＬ素子のように、隣接する画素Ｐごとに異なる有機材料が含有される液状体を塗布して成膜した発光層８ｃを有する有機ＥＬ素子８、８１であれば、赤色の発光層、緑色の発光層、青色の発光層が順に繰り返すように設けられてなる、赤色の画素（Ｒ）、緑色の画素（Ｇ）、青色の画素（Ｂ）を有するフルカラーのＥＬパネルとすることができる。
【００６４】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
上記各実施形態では、バンク１３の開口部１３ａが、画素Ｐ毎に設けられているが、隣接する画素が同色に発光するものであれば、同色の複数の画素群を１つの単位として開口部１３ａを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの１画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの１画素を示した平面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。
【図６】図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。
【図７】ＥＬパネルにおける画素電極と層間絶縁膜が形成された状態を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルにおける正孔注入層が形成された状態を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルにおけるバンクが形成された状態を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルにおける機能層が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルにおける発光層が形成された状態を示す断面図である。
【図１２】実施形態２における有機ＥＬ素子及びＥＬパネルを示す断面図である。
【図１３】実施形態３における有機ＥＬ素子及びＥＬパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１ ＥＬパネル
８ 有機ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 正孔注入層
８ｉ 機能層
８ｃ 発光層
８ｄ 対向電極（第二電極）
１０ 基板
１１ 層間絶縁膜
１２ 層間絶縁膜
１３ バンク（隔壁）
１３ａ 開口部
８１ 有機ＥＬ素子
８１ｉ 機能層
８２ 有機ＥＬ素子
８２ｃ 発光層
Ｐ 画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬパネル及びＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、有機発光層を成膜する工程として、ガラス基板上に設けられた透明電極を囲むように形成された隔壁間の凹部に、ノズルを通じて液体状の有機材料を流し込んで塗布するノズルプリント方式の技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−７５６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、隔壁間に塗布された有機材料を乾燥させて、正孔注入層や発光層などの有機発光層を成膜する過程において、液体状の有機材料が隔壁面に付着して成膜された「這い上がり」といわれる隆起したような成膜層が生じて、有機発光層の膜厚の均一性が損なわれてしまうことがあり、その膜厚むらに起因する発光むらが生じてしまうことがある。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、有機発光層の膜厚むらを低減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ＥＬパネルであって、
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記隔壁間に有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体が塗布されて乾燥されてなる発光層と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴としている。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、ＥＬパネルであって、
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層の上面側を覆う発光層と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴としている。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のＥＬパネルにおいて、
前記キャリア注入層と前記発光層との間に、前記発光層の発光に寄与する機能層が備えられ、
前記機能層は、前記キャリア注入層上の全面または前記キャリア注入層上の前記隔壁間の範囲に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記第一電極上に相当する前記隔壁間に、有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体を塗布し発光層を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴としている。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、ＥＬパネルの製造方法であって、
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面を覆う発光層を形成する工程と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴としている。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法において、
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が溶媒に溶解または分散された液状体が前記基板の上面側に塗布されて形成されることを特徴としている。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法において、
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が前記基板の上面側に真空成膜されて形成されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＥＬパネルにおいて、膜厚むらを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１４】
（実施形態１）
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１５】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の隔壁であるバンク１３が設けられている。このバンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に所定の発光層（後述する発光層８ｃ）が設けられて、画素Ｐの発光領域となる。
【００１６】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の１画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１７】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の１画素Ｐにつき、薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、有機ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１８】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及び有機ＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素Ｐの有機ＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００１９】
また、このＥＬパネル１の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００２０】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４〜図６を用いて説明する。ここで、図４は、ＥＬパネル１の１画素Ｐに相当する平面図であり、図５は、図４のV−V線に沿った面の矢視断面図、図６は、図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００２１】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍に有機ＥＬ素子８が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及び有機ＥＬ素子８が配置されている。
【００２２】
図４〜図６に示すように、基板１０上の一面にゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１が成膜されており、その層間絶縁膜１１の上に層間絶縁膜１２が成膜されている。信号線３は層間絶縁膜１１と基板１０との間に形成され、走査線２及び電圧供給線４は層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に形成されている。
【００２３】
また、図４、図６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート５ａ、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
【００２４】
ゲート５ａは、基板１０と層間絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート５ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート５ａの上に絶縁性の層間絶縁膜１１が成膜されており、その層間絶縁膜１１によってゲート５ａが被覆されている。
層間絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。この層間絶縁膜１１上であってゲート５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂが層間絶縁膜１１を挟んでゲート５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜５ｄが形成されている。このチャネル保護膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ドレイン電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ソース電極５ｉが形成されている。ドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉの上には、保護膜となる絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉが層間絶縁膜１２によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、層間絶縁膜１２によって覆われるようになっている。層間絶縁膜１２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍ窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２５】
また、図４、図５に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート６ａ、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００２６】
ゲート６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなり、ゲート５ａと同様に基板１０と層間絶縁膜１１の間に形成されている。そして、ゲート６ａは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる層間絶縁膜１１によって被覆されている。
この層間絶縁膜１１の上であって、ゲート６ａに対応する位置に、チャネルが形成される半導体膜６ｂが、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンにより形成されている。この半導体膜６ｂは層間絶縁膜１１を挟んでゲート６ａと相対している。
半導体膜６ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜６ｄが形成されている。このチャネル保護膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部チャネル保護膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはそれぞれ半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。ドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の層間絶縁膜１２が成膜され、チャネル保護膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉが層間絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、層間絶縁膜１２によって覆われるようになっている。
【００２７】
キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間に接続されており、図４、図６に示すように、基板１０と層間絶縁膜１１との間に一方の電極７ａが形成され、層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２との間に他方の電極７ｂが形成され、電極７ａと電極７ｂが誘電体である層間絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００２８】
なお、信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート６ａは、基板１０に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、層間絶縁膜１１に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２９】
また、層間絶縁膜１１には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１１ａが形成され、ドレイン電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１１ｂが形成され、ゲート電極６ａとソース電極５ｉとが重なる領域にコンタクトホール１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート６ａが電気的に導通する。
コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線２が直接ゲート電極５ａと接触し、ドレイン電極５ｈが信号線３と接触し、ソース電極５ｉがゲート電極６ａと接触してもよい。
なお、駆動トランジスタ６のゲート６ａがキャパシタ７の電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の電極７ｂに一体に連なっている。
【００３０】
画素電極８ａは、層間絶縁膜１１を介して基板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。なお、画素電極８ａは一部、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉが接続している。
そして、図４、図５に示すように、層間絶縁膜１２が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び層間絶縁膜１１を覆うように形成されている。層間絶縁膜１２には、各画素電極８ａの中央部が露出するように開口部１２ａが形成されている。そのため、層間絶縁膜１２は平面視して格子状に形成されている。
【００３１】
そして、基板１０の表面に走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７、画素電極８ａ及び層間絶縁膜１２が形成されてなるパネルがトランジスタアレイパネルとなっている。
【００３２】
有機ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、画素電極８ａの上に形成された有機化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された有機化合物膜である機能層８ｉと、機能層８ｉの上に形成された有機化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての対向電極８ｄとを備えている。対向電極８ｄは全画素Ｐに共通の単一電極であって、全画素Ｐに連続して形成されている。
【００３３】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
なお、正孔注入層８ｂは、画素電極８ａの上面から、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６を覆う層間絶縁膜１２の上面に亘って設けられている。
【００３４】
機能層８ｉは、例えば、ポリフルオレン系材料からなるインターレイヤー層（電子ブロック層）であって、電子が発光層８ｃから正孔注入層８ｂ側へ移動することを抑制する機能を有する。
発光層８ｃは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する有機材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなり、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは互いに発光層８ｃの発光材料が異なる。画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のパターンは、デルタ配列であってもよく、また縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンであってもよい。
【００３５】
対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金で形成されている。
この対向電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの有機化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００３６】
正孔注入層８ｂは、開口部１２ａによって露出された画素電極８ａ上、層間絶縁膜１２の開口部１２ａでの側壁、層間絶縁膜１２上を連続して被覆するように、正孔注入層８ｂが基板１０の上面側のほぼ全域に亘って形成されている（図７参照）。このため複数の画素Ｐが同じ正孔注入層８ｂとなる。
更に、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ間に相当する位置にバンク１３が形成されている。このバンク１３は、正孔注入層８ｂを介して層間絶縁膜１２のほぼ上側に配設されており、層間絶縁膜１２と同様に平面視して格子状に形成され、各画素電極８ａに対応する位置において開口部１３ａが形成されている（図８参照）。なお、バンク１３は一部、画素電極８ａ上に相当する部分に重なるように配設されている。
バンク１３は層間絶縁膜１２上の正孔注入層８ｂばかりでなく、開口部１２ａにおける層間絶縁膜１２の側壁に堆積された正孔注入層８ｂをも覆っている。このため、正孔注入層８ｂが後述する湿式法によって成膜され、層間絶縁膜１２の側壁に這い上がりが生じ開口部１２ａ近傍が厚く堆積されたとしても、この厚く堆積された正孔注入層８ｂをバンク１３が覆っているので開口部１３ａから露出している正孔注入層８ｂは表面が平滑な状態とすることができる。
そして、開口部１３ａ内における正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間に、機能層８ｉと発光層８ｃが積層されている（図５、図７〜図１１参照）。
【００３７】
具体的には、バンク１３は、機能層８ｉや発光層８ｃを湿式法によって形成するに際して、機能層８ｉや発光層８ｃを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体が隣接する画素Ｐに滲み出ないように仕切る隔壁として機能する。
例えば、図９に示すように、正孔注入層８ｂの上に設けられたバンク１３には、層間絶縁膜１２の開口部１２ａより内側に開口部１３ａが形成されている。
そして、図１０に示すように、各開口部１３ａ内に囲まれた正孔注入層８ｂ上に、機能層８ｉを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が機能層８ｉとなる。
さらに、図１１に示すように、開口部１３ａ内の機能層８ｉ上に、発光層８ｃを構成する有機材料が含有される液状体を塗布し、その液状体を乾燥させ成膜させた有機化合物膜が発光層８ｃとなる。
なお、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように対向電極８ｄが設けられている（図５参照）。
【００３８】
そして、このＥＬパネル１においては、画素電極８ａ、基板１０及び層間絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、層間絶縁膜１１及び基板１０を透過して出射する。そのため、基板１０の裏面（下面）が表示面となる。
なお、基板１０側ではなく、反対側が表示面となってもよい。この場合、対向電極８ｄを透明電極とし、画素電極８ａを反射電極として、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄを透過して出射する。
【００３９】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。
各走査線２が選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加された電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、有機ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流に応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉ間の電位差は保持される。
このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、有機ＥＬ素子８の輝度を維持するようになっている。
【００４０】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について説明する。
【００４１】
基板１０上にゲートメタル層をスパッタリングで堆積させ、フォトリソグラフィーによりパターニングして信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート６ａを形成する。次いで、プラズマＣＶＤによって窒化シリコン等のゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１を堆積する。層間絶縁膜１１には、ＥＬパネル１の一辺に位置する走査ドライバに接続するための各走査線２の外部接続端子を開口するコンタクトホール（図示せず）を形成する。
次いで半導体膜５ｂ、６ｂとなるアモルファスシリコン等の半導体層、チャネル保護膜５ｄ、６ｄとなる窒化シリコン等の絶縁層を連続して堆積後、フォトリソグラフィーによってチャネル保護膜５ｄ、６ｄをパターン形成し、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、６ｆ，６ｇとなる不純物層を堆積後、フォトリソグラフィーによって不純物層及び半導体層を連続してパターニングして不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、６ｆ，６ｇ、半導体膜５ｂ、６ｂを形成する。
そして、フォトリソグラフィーによってコンタクトホール１１ａ〜１１ｃを形成する。ついで、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを形成する。この工程は省略されても良い。
スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉとなるソース、ドレインメタル層を堆積して適宜パターニングして、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉを形成する。その後、ＩＴＯ膜を堆積してからパターニングして画素電極８ａを形成する。
【００４２】
図７に示すように、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うように、気相成長法により絶縁膜を成膜し、その絶縁膜をフォトリソグラフィーでパターニングすることで画素電極８ａの中央部が露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。開口部１２ａとともに、図示しない走査線２の外部接続端子、ＥＬパネル１の一辺に位置するデータドライバに接続するための各信号線３の外部接続端子及び電圧供給線４の外部接続端子をそれぞれ開口する複数のコンタクトホールを形成する。
なお、この画素基板の上面における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の表面を純水超音波洗浄し、その後、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶオゾン処理を施すことで、その表面を親水化することが好ましい。
【００４３】
次いで、図８に示すように、画素電極８ａとともに、基板１０の上面側となる層間絶縁膜１２上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが水などの溶媒に溶解または分散された液状体を、その表面全体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を成膜させて複数の画素電極８ａを跨るように正孔注入層８ｂを形成する。
【００４４】
そして、図９に示すように、正孔注入層８ｂ上にポリイミド等の感光性樹脂を堆積後、露光して画素電極８ａ上の正孔注入層８ｂが露出する開口部１３ａを有する格子状のバンク１３を形成する。このとき、バンク１３は、上記外部接続端子を開口するコンタクトホールを露出している。図４に示すように、バンク１３の開口部１３ａは、層間絶縁膜１２の開口部１２ａより一回り小さく、開口部１２ａより内側に設けられている。このため、バンク１３は層間絶縁膜１２上の正孔注入層８ｂばかりでなく、開口部１２ａにおける層間絶縁膜１２の側壁に堆積された正孔注入層８ｂをも覆っており、正孔注入層８ｂが後述する湿式法によって成膜され、層間絶縁膜１２の側壁に這い上がりが生じ開口部１２ａ近傍が厚く堆積されたとしても、この厚く堆積された正孔注入層８ｂをバンク１３が覆っているので開口部１３ａから露出している正孔注入層８ｂは表面が平滑な状態とすることができる。
【００４５】
次いで、図１０に示すように、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間となる開口部１３ａ内に、機能層８ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体を、分離した複数の液滴として吐出するインクジェット方式又は連続した液流を流すノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、平滑な正孔注入層８ｂ上に機能層８ｉを形成する。機能層８ｉは、開口部１３ａにおいて成膜される際にはい上がりを生じても、正孔注入層８ｂが平滑なため全体として開口部１３ａ内側周縁の隆起が緩和されている。
さらに、図１１に示すように、正孔注入層８ｂ上であって、画素電極８ａ上に相当する開口部１３ａ内における機能層８ｉ上に、発光層８ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をインクジェット方式又はノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、正孔注入層８ｂ上の機能層８ｉに発光層８ｃを積層して形成する。発光層８ｃは、開口部１３ａにおいて成膜される際にはい上がりを生じても、正孔注入層８ｂが平滑なため全体として開口部１３ａ内側周縁の隆起が緩和されている。
【００４６】
そして、図５に示すように、バンク１３の上及び発光層８ｃの上に、発光層８ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで、有機ＥＬ素子８が構成されて、ＥＬパネル１が製造される。
【００４７】
このように、ＥＬパネル１における正孔注入層８ｂは、発光せずつまり画素Ｐの発光色に直接寄与しないため、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）パターンの色に応じて各画素ごとに分離する必要がないため、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、従来技術のインクジェット方式のように、バンク内の凹部に液状体を塗布するために、インクジェットノズルと凹部の位置合わせを行い、個々の画素ごとに液状体を塗布するというような煩雑な塗布工程を行うことに比べて、容易に正孔注入層８ｂを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に湿式成膜した正孔注入層８ｂであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂを形成することができる。具体的には、従来技術のように、バンク１３における開口部１３ａ内に、有機材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が含有される液状体を塗布して正孔注入層を形成する場合には、その開口部１３ａ内の壁面にも僅かながら有機化合物膜が成膜されるため、その液状体が開口部１３ａの壁面を上に這い上がるようにして成膜されたように見える現象（這い上がり現象）が起こり、凹部の中央側に比べてその壁面寄りの膜厚が厚くなってしまいがちになる。そのため、その正孔注入層に膜厚むらが生じてしまうこととなるが、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂであれば「這い上がり」のない、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂとすることが可能になるのである。
そして、正孔注入層８ｂの膜厚が均一である程、その正孔注入層８ｂ上に積層される機能層８ｉや発光層８ｃの膜厚を安定させやすくなるので、正孔注入層８ｂ、機能層８ｉ、発光層８ｃからなる有機発光層の膜厚むらを低減することができる。
【００４８】
また、這い上がりをなくすことで、塗布した液状体の大部分を効率的に正孔注入層８ｂの平坦な膜部分とすることができるので、形成する正孔注入層８ｂの膜厚の管理や調整を行いやすくなる。
そして、正孔注入層８ｂや、正孔注入層８ｂを含む有機発光層の膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８及びＥＬパネル１を製造することができる。
【００４９】
なお、本発明は上記実施形態に限られるものではない。
前述した正孔注入層８ｂは、正孔注入層８ｂを構成する材料（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が溶媒に溶解または分散された液状体を、基板１０の上面側に塗布することによって形成する有機化合物膜であるとしたが、例えば、正孔注入層８ｂを構成する材料を、基板１０の上面側に真空成膜することによって、正孔注入層８ｂを形成するようにしてもよい。真空成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
具体的には、正孔注入層８ｂを、例えば、有機金属錯体である銅フタロシアニンや、遷移金属酸化物である酸化モリブデン、酸化バナジウムなどの材料からなる層とする。
そして、図７に示す画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上に、画素Ｐに対応する部位が開口したメタルマスクを用いることなく正孔注入層材料を真空蒸着して形成して、図８に示すように、正孔注入層８ｂを形成してもよい。
また、上記実施形態では、走査線２の外部接続端子、信号線３の外部接続端子及び電圧供給線４の外部接続端子をそれぞれ開口するコンタクトホールに正孔注入層８ｂが入らないように、これらコンタクトホールの或る部位をマスキングしてもよいし、正孔注入層８ｂを形成してから正孔注入層８ｂ及び層間絶縁膜１２をエッチングしてコンタクトホールを形成してもよい。
また上記実施形態では、機能層８ｉを設けたが必要がなければ設けなくてもよい。
また上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
【００５０】
（実施形態２）
次に、本発明に係るＥＬパネルの実施形態２について説明する。なお、実施形態１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５１】
図１２に示すように、ＥＬパネルの有機ＥＬ素子８１は、画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面のほぼ全域に設けられた正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂ上の全面に設けられた機能層８１ｉと、機能層８１ｉの上に積層された発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された対向電極８ｄとを備えている。
なお、バンク１３は、機能層８１ｉの上面における、層間絶縁膜１２の上方に相当する位置であって画素電極８ａ間に相当する位置に形成されている。
【００５２】
次に、この有機ＥＬ素子８１を備えるＥＬパネルの製造方法について説明する。
まず、図７に示すように、基板１０の上面側である層間絶縁膜１１上に画素電極８ａを形成し、さらに、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うとともに画素電極８ａが露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。
そして、図８に示すように、画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面を覆うように、塗布あるいは蒸着などの手法によって正孔注入層８ｂを形成する。
【００５３】
次いで、正孔注入層８ｂ上の全面に、機能層８１ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料を成膜させて機能層８１ｉを形成する。
また、機能層８１ｉ上であって、層間絶縁膜１２の上方に相当し画素電極８ａ間に相当する位置に、各画素電極８ａを画素Ｐごとに隔離する格子状のバンク１３を形成する。
次いで、機能層８１ｉ上であって、画素電極８ａ上に相当するバンク１３間となる開口部１３ａ内に、発光層８ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をノズルプリント方式により塗布し乾燥させることで、正孔注入層８ｂ上の機能層８１ｉに発光層８ｃを積層して形成する。（図１２参照）。
【００５４】
そして、図１２に示すように、バンク１３の上及び発光層８ｃの上に、発光層８ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで有機ＥＬ素子８１が構成されて、その有機ＥＬ素子８１を備えるＥＬパネルが製造される。
【００５５】
このような有機ＥＬ素子８１であれば、バンク１３が形成される前に、正孔注入層８ｂと機能層８１ｉを、基板１０の上面側のほぼ全域にコートし形成することができるので、従来技術のように、ノズルによって液状体をバンク内の凹部に塗布する手法に比べて、容易に正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂや機能層８１ｉであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉの膜厚が均一である程、その正孔注入層８ｂや機能層８１ｉの上に積層される発光層８ｃの膜厚を安定させやすくなるので、正孔注入層８ｂ、機能層８１ｉ、発光層８ｃからなる有機発光層の膜厚むらを低減することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを含む有機発光層の膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８１及びＥＬパネルを製造することができる。
このように、ＥＬパネル１における正孔注入層８ｂ及び機能層８１ｉはキャリアの注入移動を制御するものであって画素Ｐの発光色に直接寄与しないため、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）パターンの色に応じて各画素ごとに分離する必要がないため、バンク１３が形成される前に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機材料が含有される液状体を、基板１０の上面側のほぼ全域に塗布しコートすることで形成することができるので、従来技術のインクジェット方式のように、バンク内の凹部に液状体を塗布するために、インクジェットノズルと凹部の位置合わせを行い、個々の画素ごとに液状体を塗布するというような煩雑な塗布工程を行うことに比べて、容易に正孔注入層８ｂを形成することができる。
上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また上記実施形態では、機能層８１ｉを単層としたが、第一機能層及び第一機能層と異なる第二機能層を連続して積層して機能層８１ｉとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
【００５６】
（実施形態３）
次に、本発明に係る単色発光ＥＬパネルの実施形態３について説明する。なお、実施形態１、２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５７】
図１３に示すように、ＥＬパネルの有機ＥＬ素子８２は、画素基板における画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面のほぼ全域に設けられた正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂ上の全面に設けられた機能層８１ｉと、機能層８１ｉ上の全面に設けられた発光層８２ｃと、発光層８２ｃの上に形成された対向電極８ｄとを備えている。
なお、バンク１３は、発光層８２ｃの上面における、層間絶縁膜１２の上方に相当する位置であって画素電極８ａ間に相当する位置に形成されている。
【００５８】
次に、この有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルの製造方法について説明する。
まず、図７に示すように、基板１０の上面側である層間絶縁膜１１上に画素電極８ａを形成し、さらに、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６等を覆うとともに画素電極８ａが露出する開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２を形成する。
そして、図８に示すように、画素電極８ａと層間絶縁膜１２の上面を覆うように、塗布あるいは蒸着などの手法によって正孔注入層８ｂを形成する。
【００５９】
次いで、正孔注入層８ｂ上の全面に、機能層８１ｉを構成する有機材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機材料を成膜させて機能層８１ｉを形成する。
さらに、機能層８１ｉ上の全面に、発光層８２ｃを構成する有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体をコーティングするように塗布し乾燥させ、その有機発光材料を成膜させて発光層８２ｃを形成する。
また、発光層８２ｃ上であって、層間絶縁膜１２の上方に相当し画素電極８ａ間に相当する位置に、各画素電極８ａを画素Ｐごとに隔離する格子状のバンク１３を形成する。（図１３参照）この場合、バンク１３は、対向電極８ｄの電界が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、又はキャパシタ７に干渉しないように保護する絶縁膜として機能している。
【００６０】
そして、図１３に示すように、バンク１３の上及び発光層８２ｃの上に、発光層８２ｃを覆う対向電極８ｄを一面に成膜することで有機ＥＬ素子８２が構成されて、その有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルが製造される。
なお、バンク１３が形成される前に、基板１０の上面側のほぼ全域にコートして形成される発光層８２ｃを有する有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルは、モノカラーパネルとなる。
【００６１】
このような有機ＥＬ素子８２であれば、バンク１３が形成される前に、正孔注入層８ｂと機能層８１ｉと発光層８２ｃを、基板１０の上面側のほぼ全域にコートして形成することができるので、従来技術のように、ノズルによって液状体をバンク内の凹部に塗布する手法に比べて、容易に正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することができる。
特に、バンク１３が形成される前に成膜した正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃであれば「這い上がり」がないので膜厚むらを低減することができ、より均一な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することができる。
そして、正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃの膜厚が均一である程、その発光効率が向上し、良好な発光が行われるようになるので、好適な膜厚を有する正孔注入層８ｂや機能層８１ｉや発光層８２ｃを形成することで、良好な発光が可能な有機ＥＬ素子８２及びＥＬパネルを製造することができる。
【００６２】
上記実施形態では、正孔注入層８ｂを単層としたが、第一正孔注入層及び第一正孔注入層と異なる第二正孔注入層を連続して積層して正孔注入層８ｂとしてもよい。
また上記実施形態では、機能層８１ｉを単層としたが、第一機能層及び第一機能層と異なる第二機能層を連続して積層して機能層８１ｉとしてもよい。
また上記実施形態では、発光層８２ｃを単層としたが、第一発光層及び第一発光層と異なる第二発光層を連続して積層して発光層８２ｃとしてもよい。
また整合性があれば、上述した複数の構成を任意に組合せてもよい。
このように、各実施の形態においては、正孔注入層、機能層、発光層の３層よりなる有機発光層を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、電子注入層など備える３層以上の有機発光層を有する有機ＥＬ素子やＥＬパネルであってもよい。
【００６３】
また、実施形態３における有機ＥＬ素子のように、各画素Ｐに共通する発光層８２ｃを有する有機ＥＬ素子８２を備えるＥＬパネルは、モノカラーパネルとなる。
一方、実施形態１、２における有機ＥＬ素子のように、隣接する画素Ｐごとに異なる有機材料が含有される液状体を塗布して成膜した発光層８ｃを有する有機ＥＬ素子８、８１であれば、赤色の発光層、緑色の発光層、青色の発光層が順に繰り返すように設けられてなる、赤色の画素（Ｒ）、緑色の画素（Ｇ）、青色の画素（Ｂ）を有するフルカラーのＥＬパネルとすることができる。
【００６４】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
上記各実施形態では、バンク１３の開口部１３ａが、画素Ｐ毎に設けられているが、隣接する画素が同色に発光するものであれば、同色の複数の画素群を１つの単位として開口部１３ａを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの１画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの１画素を示した平面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った面の矢視断面図である。
【図６】図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。
【図７】ＥＬパネルにおける画素電極と層間絶縁膜が形成された状態を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルにおける正孔注入層が形成された状態を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルにおけるバンクが形成された状態を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルにおける機能層が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルにおける発光層が形成された状態を示す断面図である。
【図１２】実施形態２における有機ＥＬ素子及びＥＬパネルを示す断面図である。
【図１３】実施形態３における有機ＥＬ素子及びＥＬパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１ ＥＬパネル
８ 有機ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 正孔注入層
８ｉ 機能層
８ｃ 発光層
８ｄ 対向電極（第二電極）
１０ 基板
１１ 層間絶縁膜
１２ 層間絶縁膜
１３ バンク（隔壁）
１３ａ 開口部
８１ 有機ＥＬ素子
８１ｉ 機能層
８２ 有機ＥＬ素子
８２ｃ 発光層
Ｐ 画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記隔壁間に有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体が塗布されて乾燥されてなる発光層と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項２】
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層の上面側を覆う発光層と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項３】
前記キャリア注入層と前記発光層との間に、前記発光層の発光に寄与する機能層が備えられ、
前記機能層は、前記キャリア注入層上の全面または前記キャリア注入層上の前記隔壁間の範囲に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＥＬパネル。
【請求項４】
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記第一電極上に相当する前記隔壁間に、有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体を塗布し発光層を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面を覆う発光層を形成する工程と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が溶媒に溶解または分散された液状体が前記基板の上面側に塗布されて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が前記基板の上面側に真空成膜されて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項１】
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記隔壁間に有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体が塗布されて乾燥されてなる発光層と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項２】
所定の基板の上面側に設けられた第一電極と、
前記第一電極、及び前記第一電極を除く前記基板の上面側を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層の上面側を覆う発光層と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に配設される隔壁と、
前記発光層を覆う第二電極と、
を備えることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項３】
前記キャリア注入層と前記発光層との間に、前記発光層の発光に寄与する機能層が備えられ、
前記機能層は、前記キャリア注入層上の全面または前記キャリア注入層上の前記隔壁間の範囲に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＥＬパネル。
【請求項４】
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面側であって、前記第一電極上に相当する前記隔壁間に、有機発光材料が溶媒に溶解または分散された液状体を塗布し発光層を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
所定の基板の上面側に第一電極を形成する工程と、
前記第一電極を含む前記基板の上面側を覆うキャリア注入層を形成する工程と、
前記キャリア注入層の上面を覆う発光層を形成する工程と、
前記発光層上であって、前記第一電極間に相当する位置に隔壁を形成する工程と、
前記発光層を覆う第二電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が溶媒に溶解または分散された液状体が前記基板の上面側に塗布されて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記キャリア注入層は、キャリア注入層を構成する材料が前記基板の上面側に真空成膜されて形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載のＥＬパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−２１８１５６（Ｐ２００９−２１８１５６Ａ）
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−６２６８７（Ｐ２００８−６２６８７）
【出願日】平成２０年３月１２日（２００８．３．１２）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月１２日（２００８．３．１２）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]