ＴＡＢ−ＩＣの実装構造

【目的】隣接するＴＡＢリード間のクロストークノイズの発生を防止すると共に、該ノイズのＴＡＢリードまたはＩＣへ影響を抑えて、高周波特性に優れかつ廉価なＴＡＢ−ＩＣの実装構造を提供する。
【構成】誘電体層１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ並びにグランド用導体層１６ａ，１６ｂ及び信号用導体層１７を有する多層基板１４にＴＡＢ−ＩＣ２１を収納できるようなスペースでキャビティ部１８及びこのキャビティ部１８の周囲にＴＡＢリード９を収納する切り込み部１９を設ける。該キャビティ部１８にＴＡＢ−ＩＣ２１のＩＣ２をそして切り込み部１９にはＴＡＢリード９を入り込むようにして載置すると共に、前記ＴＡＢリード９を前記信号用導体層１７に接続して実装し、前記ＴＡＢ−ＩＣ２１の上部をグランド用導体層２０ｂを有するサブ基板２０で覆って多層基板１４内に埋設することとした。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速信号伝送に用いるＴＡＢ−ＩＣの多層基板への実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例のＴＡＢ−ＩＣの実装例を示す側面図であり、図において１はＩＣ２を搭載するための基板であり、この基板１は誘電体層３と、この誘電体層３の下面側に設けられたグランド用導体層４と、このグランド用導体層４とは反対側のもう一方の上面側に設けられた信号用導体５並びにＩＣ搭載用導体６とにより形成された３層構造となっている。なお、この基板１は前記誘電体層３の厚み、及び信号用導体５の線幅並びに厚みをコントロールすることでインピーダンスコントロールを行って、高速信号伝送を忠実に行えるようにしている。
【０００３】７は前記ＩＣ２の上面側に設けられたＡｕ等のバンプ、９はこのバンプ７を介してＩＣ２の電極とそのインナー側を接続しているＴＡＢリードであり、そのアウター側は前記基板１の信号用導体層５に接続しており、前記ＩＣ２はＡｇペースト等から成る接着剤１０を介して前記ＩＣ搭載用導体６上に搭載されている。そして、上記ＴＡＢリード９には、ポリイミド等の誘電体層１１と、グランド用導体層１２により形成されたＴＡＢテープ１３を部分的に設けることでマイクロストリップライン構造とし、これによりインピーダンスをコントロールできるようにして、高速信号伝送に対応させる構造としていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した従来の技術においては、高速信号伝送、かつ高密度実装を考慮した場合、ＴＡＢリードに設けたＴＡＢテープが部分的であることからマイクロストリップ構造が部分的であること、さらにＴＡＢリードの片面側、つまり多層基板とは反対側の面が空気に接していることから、隣接する他のＴＡＢリードとの間で、クロストークノイズが生じ、大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】また、上述した構造によることでＴＡＢリードまたはＩＣは、外部からのノイズの影響を受けやすく、しかもさらにノイズをＴＡＢリードから発生してしまい、他の回路に対して影響を与えてしまうという問題があった。さらに、前記ＴＡＢリードに設けたＴＡＢテープは、ポリイミド等の誘電体層及びグランド用導体より成っており、高価であるという問題もあった。
【０００６】本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、隣接するＴＡＢリード間のクロストークノイズの発生を防止して、該ノイズの発生により影響を受け易かったＴＡＢリードまたはＩＣへのノイズの影響を無くすと共に発生を抑制して高周波特性の優れた、しかも廉価なＴＡＢ−ＩＣの実装構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成するため本発明は、信号を伝送する信号用導体層とグランド用導体層の間に、前記信号用導体層がインピーダンス整合されるように厚さをコントロールされた誘電体層をもつ基板に搭載するＴＡＢ−ＩＣの実装構造において、前記基板の上下面に誘電体層並びにグランド用導体層を有する誘電体層とを設けて多層基板を形成し、該多層基板に前記ＴＡＢ−ＩＣを収納できるようなスペースでキャビティ部及びこのキャビティ部の周囲にＴＡＢリードを収納する切り込み部を設けて、該キャビティ部にＴＡＢ−ＩＣのＩＣ部をそして切り込みにはＴＡＢリードを入り込むようにして載置すると共に、前記ＴＡＢリードを前記信号用導体に接続して実装して、前記ＴＡＢ−ＩＣの上部をグランド用導体層を有するサブ基板で覆って多層基板内に埋設することとしたものである。
【０００８】
【作用】上述した構成によれば、ＴＡＢ−ＩＣは多層基板内に埋設された状態に支持されることになり、そのＴＡＢリードも多層基板の誘電体層に形成された切り込み部に入り込ませるので、互いに隣接するＴＡＢリード間には誘電体層が介在することになり、従ってＴＡＢリード間でクロストクノイズの発生が抑制される。また、ＴＡＢ−ＩＣも多層基板内に埋められており、かつグランド用導体層さまれているために、外部からのノイズの影響を受けず、かつ外部へのノイズの放射も抑えられることになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。図１は本実施例の構造を示す側断面図、図２は図１に示した多層基板の要部側断面図、図３は同じく図１に示したサブ基板の側面図、図４は本実施例の製造方法を示す説明図であり、（ａ）に要部断面図を、また（ｂ）に要部斜視図を示している。なお、以下に示す説明において従来とほぼ同様のものにつては同一符号を付して説明している。
【００１０】まず、図２において、１４は多層基板であり、この多層基板１４は４層の誘電体層１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄと、３層の導体層、つまり誘電体層１５ａ，１５ｂとの間、および最上層の誘電体層１５ｄ上に形成されたグランド用導体層１６ａ，１６ｂと、誘電体層１５ｂ，１５ｃ間の信号用導体層１７とより成っている。
【００１１】１８はこの多層基板１４内に形成された後述するＴＡＢ−ＩＣ搭載用のキャビティ部であり、誘電体層１５ａ上のグランド用導体層１６ａまで露出させている。そして、さらにこのキャビティ部１８の周囲から外方に延在するようにして誘電体層１５ｃに溝状の切り込み部１９が形成されており、この切り込み部１９はＩＣ２に接続されるＴＡＢリード９を収納するようになっていて、前記信号用導体層１７を露出させている。
【００１２】なお、前記誘電体層１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの厚さは、信号用導体層１７内の信号線がストリップライン構造となる部分内でインピーダンス整合されるようにコントロールされている。次に、図３において、２０はサブ基板であり、前記多層基板１４の誘電体層１５ｄと等しい厚さを持つ誘電体２０ａと、該誘電体層２０ａ上に形成されたグランド用の導体層２０ｂとからなっている。
【００１３】上記構成による多層基板１４とサブ基板２０を用いて行うＴＡＢ−ＩＣの実装手順を、上記図２及び図３に、図４並びに図１を加えて、以下に説明する。なお、図１及び図４に示す２１はＴＡＢ−ＩＣであり、このＴＡＢ−ＩＣ２１はＩＣ２と、このＩＣ２に設けられたＡｕ等から成るバンプ７を介してそのインナー側が接続されている複数本のＴＡＢリード９とより成っていて、このＴＡＢリード９はＩＣ２の周縁部から水平に外方向に延在して形成されている。
【００１４】まず、図２に示す前記多層基板１４のキャビティ部１８に、該キャビティ部１８の底面となるグランド用導体層１６ａの上面にＡｇペースト等の接着剤１０を塗布し、この接着剤１０を塗布したキャビティ部１８に前記ＴＡＢ−ＩＣ２１を載置してダイボンディングし、ＩＣ２の裏面とグランド用導体層１６ａを電気的に接続する。
【００１５】そして、このＴＡＢ−ＩＣ２１のＴＡＢリード９のアウター側は、誘電体層１５ｂ上の信号用導体層１７上にボンディングする。この時、誘電体層１５ｃには、図４（ｂ）に示すように、前記ＴＡＢリード９を収納するための切り込み部１９が形成されており、前記ＴＡＢ−ＩＣ２１をキャビティ部１８に載置する際に、ＴＡＢリード９もそれぞれ対応する誘電体層１５ｃの各切り込み部１９内に入り込ませ、これにより、隣り合う各ＴＡＢリード９間には誘電体層１５ｃが介在するようにしておく。
【００１６】この後、図１に示すようにＴＡＢリード９が入り込んだ切り込み部１９内の隙間を、Ａｇペースト等の接着剤２２で埋めて硬化させた後、サブ基板２０をＴＡＢ−ＩＣ２１上及び誘電体層１５ｃ上に載せる。そして、このサブ基板２０と多層基板１４とを固定するため、サブ基板２０の周囲に形成される多層基板１４との間隙に接着剤２３を注入して硬化させ、最後に多層基板１４上のグランド用導体層１６ｂとサブ基板２０上のグランド用導体層１６ｂとを、ワイヤ又はリード２４により接続して、電気的に接続させる。これによりＴＡＢ−ＩＣ２１は多層基板１４内に埋設されて一体となる。
【００１７】上記構造によりＴＡＢリード９はサブ基板２０上の誘電体層１５ａ，グランド用導体層１６ａ，多層基板１４の誘電体層１５ａ，グランド用導体層１６ｂにより構成されるストリップライン構造となり、ＴＡＢリード９間のクロストークノイズは減少して外部からのノイズにも強くなってＴＡＢ−ＩＣ２１内部で発生するノイズも外部へ漏れにくくなる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、信号を伝送する信号用導体層とグランド用導体層の間に、前記信号用導体層がインピーダンス整合されるように厚さをコントロールされた誘電体層をもつ基板に搭載するＴＡＢ−ＩＣの実装構造において、前記基板の上下面に誘電体層並びにグランド用導体層を有する誘電体層とを設けて多層基板を形成し、該多層基板に前記ＴＡＢ−ＩＣを収納できるようなスペースでキャビティ部及びこのキャビティ部の周囲にＴＡＢリードを収納する切り込み部を設けて、該キャビティ部にＴＡＢ−ＩＣのＩＣ部をそして切り込みにはＴＡＢリードを入り込むようにして載置すると共に、前記ＴＡＢリードを前記信号用導体に接続して実装して、前記ＴＡＢ−ＩＣの上部をグランド用導体層を有するサブ基板で覆って多層基板内に埋設することとした。
【００１９】このため、ＴＡＢ−ＩＣは多層基板とサブ基板のグランド用導体層と誘電体層とにより挟み付けて埋設される構造となるので、ＴＡＢリードはストリップライン構造となる。また、このＴＡＢリードは、互いに隣接するリード間には、誘電体層が介在することになるので、近接することで生じるクロストークノイズを減少させることができる。
【００２０】また、ＴＡＢ−ＩＣも多層基板内に埋設されかつグランド用導体層に挟まれた構造となっていることで、外部からのノイズの影響を受けにくく、またＴＡＢ−ＩＣ内で発生するノイズも外部へ放射しにくくなるという効果が得られる。さらに、従来の高周波用ＴＡＢ−ＩＣによれば、ＴＡＢリードをマイクロストリップライン構造とするために、高価なＴＡＢテープを前記ＴＡＢリードに部分的に設けていたが、これが不要となるので、廉価に実装することができるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の構造を示す側断面図である。
【図２】図１に示した多層基板の要部側断面図である。
【図３】図１に示したサブ基板の側面図である。
【図４】本実施例の製造方法を示す説明図で、（ａ）に要部断面図を、また（ｂ）に要部斜視図を示している。
【図５】従来例のＴＡＢ−ＩＣの実装例を示す側面図である。
【符号の説明】
２ＩＣ
９ＴＡＢリード
１４多層基板
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ誘電体層
１６ａ，１６ｂグランド用導体層
１７信号用導体層
１８キャビティ部
２０サブ基板
２０ａ誘電体層
２０ｂグランド用導体層
２１ＴＡＢ−ＩＣ

【特許請求の範囲】
【請求項１】信号を伝送する信号用導体層とグランド用導体層の間に、前記信号用導体層がインピーダンス整合されるように厚さをコントロールされた誘電体層をもつ基板に搭載するＴＡＢ−ＩＣの実装構造において、前記基板の上下面にそれぞれ誘電体層並びにグランド用導体層を有する誘電体層とを設けて多層基板を形成し、該多層基板に前記ＴＡＢ−ＩＣを収納できるようなスペースでキャビティ部及びこのキャビティ部の周囲にＴＡＢリードを収納する切り込み部を設けて、該キャビティ部にＴＡＢ−ＩＣのＩＣ部をそして切り込みにはＴＡＢリードを入り込むようにして載置すると共に、前記ＴＡＢリードを前記信号用導体に接続して実装して、前記ＴＡＢ−ＩＣの上部をグランド用導体層を有するサブ基板で覆って多層基板内に埋設することを特徴とするＴＡＢ−ＩＣの実装構造。

【図１】