【課題】レジストパターンの形成精度を高め、製造歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置を提供する
【解決手段】少なくとも、非磁性基板１上に連続した磁性層２を形成する工程、磁性層２の上にレジスト層４を形成する工程、レジスト層４をパターニングする工程、及び、パターニングしたレジスト層４を用いて磁性層２を磁気的に分離する工程の各工程をこの順で有しており、レジスト層４をパターニングする工程において、レジスト層４の内、当該磁気記録媒体における磁気記録再生に使用されない領域に検査用パターンを形成し、該検査用パターンに記録された制御情報を用いることにより、レジスト層４をパターニングする工程における、当該磁気記録媒体ワークの次に加工する磁気記録媒体ワークの加工条件、及び／又は、磁性層２を磁気的に分離する工程における、当該磁気記録媒体ワークの加工条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】偏平多穴型の熱交換器用チューブの製造において、チューブ製造用板状体の製作時の隆起加工を容易にするとともに隆起加工用工具の摩耗を抑制する。
【解決手段】アルミニウム板(11)の一方の面に、長手方向に沿って仕切壁形成部(15)を隆起させてチューブ製造用板状体(10)とし、このチューブ製造用板状体(10)を曲げ加工して幅方向の端部どうしを接合することによりチューブを成形するとともに、前記仕切壁形成部(15)を接合してチューブ内を複数の熱交換媒体通路に仕切る偏平多穴型の熱交換器用チューブの製造方法であって、前記チューブ製造用板状体(10)における接合予定部(15)にろう材およびフラックスを付着させた後に曲げ加工してチューブを成形する。 （もっと読む）

【課題】優れた透明（透光）性を有し、耐熱性、耐光（ＵＶ）性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、半田リフロー工程や熱サイクル等の急激な熱変化でもクラック、被着体からの剥離が極めて発生しにくく、使用条件下において黄変等の問題が生じない半導体封止用硬化性組成物及びそれを用いたランプを提供すること。
【解決手段】以下の（Ａ）および（Ｂ）成分を含むことを特徴とする半導体封止用硬化性組成物：
（Ａ）特定の構造のエポキシ基含有オルガノシロキサン化合物
（Ｂ）５員環または６員環の酸無水物。 （もっと読む）

【課題】扁平なワークを確実に反転できる扁平ワークの反転装置を提供する。
【解決手段】本発明の反転装置は、搬入ラインＬｉから搬入されるワークが配置されるワーク搬入部４４と、ワーク搬入部３３の下方位置に設けられるワーク搬出部３６と、ワーク搬入部３３からワーク搬出部３６にかけて設けられ、かつ搬入ラインＬｉと平行な軸線回りに沿って配置される略半円弧状の半周滑走経路５と、を備える。そしてワークがワーク搬入部３３において表面側を上向きにして配置された際に、ワークがその裏面側を半周滑走経路５の内周側に向けたままの状態で、半周滑走経路５に沿って自重により横滑りで滑走することにより反転されて、ワークがワーク搬出部３６において裏面側を上向きにして配置される。 （もっと読む）

【課題】耐環境性、特に耐腐食性を高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】インライン式成膜装置を用いて、少なくとも非磁性基板の面上に形成された記録磁性層に磁気記録パターンを有する磁気記録媒体を製造する際に、少なくとも記録磁性層８３と磁気記録パターン８３ａに対応したマスク層とがこの順で積層された非磁性基板８０をキャリアに取り付ける工程と、記録磁性層８３のマスク層で覆われていない箇所を反応性プラズマ処理又はイオン照射処理することにより、磁気記録パターン８３ａを形成する工程と、記録磁性層８３上からマスク層を除去する工程と、キャリアから非磁性基板８０を取り外す工程とを含み、キャリアが各チャンバの間を通過する間に、各チャンバ内を減圧雰囲気とし、大気と遮断された状態で各工程を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】管状ワークの外表面を高平滑面に加工することができる引抜プラグを提供する。
【解決手段】引抜プラグ３０は、管状ワーク４０の中空部４０ｃ内に配置されるとともにワーク４０の内表面４０ｂを加工するプラグ本体３２を備える。プラグ本体３２の表面におけるワーク内表面４０ｂとの当接部３３に、引抜方向Ｎと平行に延びた溝条部３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】圧縮機のオフ時の急激な吐気温の上昇を防止しうるとともに、ヘッダ部内での通路抵抗の増大を防止しうるエバポレータを提供する。
【解決手段】エバポレータ１の熱交換管４を、プレス加工が施された２枚の長方形状金属板どうしを積層状に接合することにより形成する。熱交換管４を形成する両金属板を外方に膨出させることにより、熱交換管４に上下方向にのびるとともに上下両端が開口した少なくとも１つの冷媒流通部45を設ける。熱交換管４の上下両端部における冷媒流通部45と対応する部分に、管挿通穴18,22を通してヘッダタンク2,3のヘッダ部内に挿入される挿入部53を設ける。熱交換管４の上下両端部の挿入部53における前後方向の両端部を除いた部分に、熱交換管４の長さ方向内側に凹んだ凹部55を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造作業が容易な蓄冷機能付きエバポレータを提供する。
【解決手段】蓄冷機能付きエバポレータは、冷媒用ヘッダ部7,14および蓄冷材用ヘッダ部8,15を有する１対のタンク2,3と、両タンク2,3間に配置されかつ冷媒流通管部23および蓄冷材封入管部24を有する扁平中空体４とを備えている。扁平中空体４を、第１外方膨出部26を有する第１管部形成用金属板25と第２外方膨出部28を有する第２管部形成用金属板27とを積層状に配置し、両金属板25,27間に仕切板29を介在させることにより形成する。扁平中空体４の第１管部形成用金属板25の第１外方膨出部26と仕切板29とにより冷媒流通管部23を形成する。第２管部形成用金属板27の第２外方膨出部28と仕切板29とにより蓄冷材封入管部24を形成する。扁平中空体４の冷媒流通管部23を冷媒用ヘッダ部7,14に、蓄冷材封入管部24を蓄冷材ヘッダ部8,15に接続する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を再現性良く結晶成長させる炭化珪素単結晶の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】種結晶４の結晶成長面をエッチング処理してエッチング処理面４ａを形成するエッチング処理面形成工程と、エッチング処理面４ａに昇華法により炭化珪素単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を有する炭化珪素単結晶の結晶成長方法を用いることにより、結晶成長前にエッチング処理を行って、ゴミや研磨傷ダメージなどの結晶成長阻害要因を除去することができ、沿面成長を促進して、結晶欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を結晶成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上のエピ成長膜上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】化合物半導体基板４０上に、有機金属気相成長法によってＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を化合物半導体基板４０上に順次積層してなる化合物半導体層を形成する際に、反応容器内に、その結晶成長面が上を向くように化合物半導体基板４０を取り付け、化合物半導体基板４０の上方に結晶成長面と対向する側に放射状の複数の溝６３が形成された保護部材６０を取り付け、保護部材６０の中央部に設けられた第１の貫通孔６１を介して、反応容器の内部に原料ガスの供給を行う。 （もっと読む）