【課題】 従来例よりも深い選択導電領域の形成に利用でき、かつ選択導電領域の高品質化が可能なイオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、十分な照明光を得ることにより、半導体チップの形状を測定することができる新規な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ１を搭載するウェハシート２と、前記ウェハシートの半導体チップ非搭載面より吸着する吸着ノズル４と、光源を有しその光を前記ウェハシートに照射する照明装置６と、この照明装置６の透過光を撮像するために前記半導体チップの搭載側に設置された撮像装置８と、この撮像装置から取りこんだ画像を認識し前記半導体チップの位置を計測する画像処理装置とを有する半導体製造装置において、前記吸着ノズルの内部に照明導光板３を備え、前記照明装置は前記吸着ノズルの支持部材５に配置され、前記照明導光板に照射されて発光し、前記撮像装置に対して前記半導体チップを投影するように構成してあることを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子機器ユニット搭載スペースを最大限に確保し、さらに、低コスト化を可能にした電子機器筐体における電子機器ユニット収納構造を提供する。
【解決手段】 電子機器ユニット１０を収納可能な電子機器筐体１において、電子機器ユニットの両側面及び背面の形状に合わせてユニット引出部材２０を設け、電子機器ユニットの両側面に設けた可動ガイド１６が、ユニット引出部材の両側面に設けた固定ガイド２６に沿って摺動自在に構成してあるとともに、ユニット引出部材の両側面の外側に板状体の筐体固定部材３０を設け、筐体固定部材に設けた可動ガイド３１が、ユニット引出部材に取り付けた第二の固定ガイド２７に沿って摺動し、ユニット引出部材の前端部を筐体の正面又はその近傍に固定し、筐体固定部材の後端部を筐体の背面又はその近傍に固定してあることを特徴とする電子機器ユニット収納構造。 （もっと読む）

【課題】電力損失が小さく、かつ安価な全波整流回路を提供する。
【解決手段】ブリッジ型に接続された２個のダイオードD1,D2と２個のMOSFET Q1,Q2を整流素子として利用した全波整流回路において、２個のMOSFETQ1,Q2のゲートを分圧抵抗R1,R2,R3,R4によって、それぞれ必要な半サイクルごとに正にバイアスすることにより、補助電源を必要とせず、駆動回路も抵抗のみで構成できる安価な方法により電力損失の小さい全波整流回路を得る。 （もっと読む）

【課題】極性反転整流回路において、電力損失が小さく、かつ安価な極性反転整流回路を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるＱ１，Ｑ２とＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるＱ３，Ｑ４が、ＰチャンネルＭＯＳとＮチャンネルＭＯＳが直列に接続された２組の回路からなり、かつこれらの２組の回路が並列に接続されてブリッジに構成され、それぞれのＭＯＳＦＥＴのゲートは入力電位とドレイン間の分圧抵抗の分圧点により入力ラインに接続されている。入力端子１，２に入力される電圧が正の極性＋ＶｉのときはＱ３のゲートは負にバイアスされ、Ｑ２のゲートは正にバイアスされてそれぞれ導通状態となり、入力電圧が負の極性−ＶｉのときはＱ１とＱ４が導通状態となる。これにより、入力電圧の極性が正、負のいずれの極性であっても、出力端子３，４には３を正極、４を負極とした同一の極性の直流電圧が出力される。 （もっと読む）

【課題】 ガード溝が均一に充填され、かつ従来と同じ耐圧を得るのに要する周辺部の面積を小さくし、小型化および低コスト化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 活性溝１０４およびベース領域１０３の周囲には、断面が細長い四角形状のガード溝１１０が複数形成されている。隣接するガード溝１１０同士の間隔は内側から外側へ向かうにしたがって広くなり、ガード溝１１０の幅は内側から外側へ向かうにしたがって広くなり、ガード溝１１０の深さは内側から外側へ向かうにしたがって深くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的特性を有する薄い構造のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴを安定して作製すること。
【解決手段】本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ⁻低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ⁻低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ⁻低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 （もっと読む）

【課題】フルトランジスタのＥＣＵを備えたエンジンをキック等の手動始動を可能にするエンジン始動装置。
【解決手段】レギュレータからのエンジン始動負荷への出力ラインと、エンジン始動負荷以外のバッテリを含む車体負荷への出力ラインとの２系統の別個の出力ラインを設ける。さらにエンジン始動負荷への出力ラインには電解コンデンサの正側が接続され、電解コンデンサの負側には、ゲート回路を介して、ジュネレータ出力が接続される。エンジン始動負荷への出力ライン電圧が所定値以下であって、かつ発電機からの交流入力が所定値以上となると、ゲート回路が動作して電解コンデンサの負側に逆電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】バリアハイトの調整が容易で、後工程のはんだ工程においてもバリアハイトが変化しにくいショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の表面にＮ⁻層を有するＮ^＋型のシリコン基体を準備するシリコン基体準備工程と、このシリコン基体の一方の表面に、開口部を有する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜の開口部に、白金膜を形成する白金膜形成工程と、前記シリコン基体に熱処理を施すことにより白金のシリサイド層を形成するシリサイド層形成工程と、前記シリサイド層の上方に、白金の除去工程を経ることなく、モリブデン膜を形成するモリブデン膜形成工程と、前記シリコン基体に熱処理を施すことによりモリブデンを前記シリサイド層に含有させるシリサイド層変性工程と、をこの順で含むことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 回路モジュールの冷却性を確保した上でそのマザー基板へのレイアウト自由度を高めることができる回路モジュール構造を提供する。
【解決手段】 一対の回路モジュールを向かい合わせて配置した場合に、該両回路モジュール間で互いに係合する各突部２１，２２をケース２に設け、該各突部２１，２２を互いに係合させた状態で、両回路モジュール間に所定の間隙が形成されると共に、これらをマザー基板に略直立した状態で実装可能となる一方、単一の回路モジュールをマザー基板上にこれに沿って寝かせた状態で配置した場合には、前記各突部２１，２２が台座となって該回路モジュールとマザー基板との間に所定の間隙が形成されると共に、該回路モジュールをマザー基板に前記寝かせた状態で実装可能となる。 （もっと読む）