【課題】 ガードリングからのリーク電流を低減することができるショットキーダイオードなどの半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｎ型のＳｉＣからなる高濃度層３と、高濃度層３上に積層されＮ型のＳｉＣからなり高濃度層３よりも不純物濃度が低いドリフト層４と、ドリフト層４上に積層されＮ型のＳｉＣからなりドリフト層４よりも不純物濃度が低い低濃度層６ａと、低濃度層６ａ上に形成され低濃度層６ａとショットキー接触したバリアメタル膜８と、Ｐ型のＳｉＣからなり低濃度層６ａ内に埋設されている部位、低濃度層６ａから露出している部位、その露出している部位の一部であってバリアメタル膜８の周辺部と接している部位を有するガードリング領域５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、定常時においては出力電圧の負荷特性は良好であり、過電流保護時はほぼ一定の電流に制限する能力により良好な保護特性が得られる直列共振コンバータを提供する。
【解決手段】 一次・二次間をトランスTにより絶縁し、一次側にスイッチ素子Q1〜Q4を備えたブリッジ形のスイッチング回路４１と、前記トランスの一次巻線と直列に共振用インダクタLr共振用コンデンサCrとを接続し、二次側に整流回路DB1を設けてある直列共振形コンバータにおいて、前記スイッチ素子のオン、オフを制御する制御部５を備え、この制御部は、定常時はスイッチング周波数を前記共振回路の共振周波数とほぼ同じとし、起動時及び過電流保護時はスイッチング周波数を共振周波数のほぼ２分の１とする制御を行うように構成してあることを特徴とする直列共振形コンバータ。 （もっと読む）

【課題】導通抵抗が低く高耐圧の半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、加工層１３に形成された幅広の主溝１９が、主溝１９よりも幅狭でリング状の複数の副溝２０で取り囲まれている。副溝２０内は充填されるものの、主溝１９内は不完全充填される程度に半導体結晶を成長させて副溝２０内に耐圧領域２３を形成し、主溝１９内に導電領域２２を形成する。そして導電領域２２の表面にゲート絶縁膜２１を形成した後、ゲート絶縁膜２１で囲まれた領域内にゲート電極１４を配置し、ゲート絶縁膜２１の側面に深さ方向に反転層が形成され、反転層によってソース領域３８が導電領域２２に接続されるようにする。ゲート電極１４の底面に絶縁性埋込領域１０が位置しているので高耐圧である。 （もっと読む）

【課題】
電子機器の基板取り付け構造において、電子機器の筐体が小型化しても基板を容易に取り付けることが可能な構造を提供することを第１の目的とする。また、基板が小型化しても、電子機器の筐体をそのまま利用可能な構造を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】
まず、連結具１０に基板２０を位置合わせしながら載せる。次に、スペーサ３０をねじ込んだヒートシンク４０を基板２０の上に載せ、次にビス５０をねじ込んで連結具１０，基板２０，スペーサ３０及びヒートシンク４０を一体化する。そして、ヒートシンク４０を手やジグで支えながら、一体化した部分を図示していない筐体に挿入して行く。さらに、挿入部１３を図示していない筐体の帯状部と側板との間に挿入し、最後に連結具１０を側板に固着する。 （もっと読む）

【課題】 高力率形スイッチング電源（ＰＦＣ）において、入力フィルタの小型化・低コスト化を達成するものである。
【解決手段】 複数台の臨界制御モードのＰＦＣ２０をスイッチ素子８の動作タイミングをずらして並列運転することによって、入力フィルタ２に流れる高周波リップル電流の周波数を上げ、且つ高周波成分の振幅を小さくすることができるスイッチング電源装置。 （もっと読む）

【課題】 黒鉛の析出を低減でき、かつ、ＳｉＣ基板とオーミック電極との接触抵抗を充分に低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１にオーミック接触しているオーミック電極２とを有する半導体装置１０であって、オーミック電極２が、ＳｉＣ基板１上に配置されているシリサイド（ＮｉＳｉ）２ｅと、シリサイド２ｅ上に配置されている第１のＮｉ層２ａと、第１のＮｉ層２ａ上に配置されているＴｉ層２ｂと、Ｔｉ層２ｂ上に配置されておりＮｉ２ｄ_１とＳｉ２ｄ_２とを含んでなるＮｉ／Ｓｉ層２ｄと、Ｎｉ／Ｓｉ層２ｄ上に配置されている第２のＮｉ層２ｃとを有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 逆方向電圧が印加された場合の素子破壊の発生を低減することができるＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】 高濃度のｎ型ＳｉＣからなる高濃度層１０１の一方の表面上には、低濃度のｎ型ＳｉＣからなる低濃度層１０２が形成されている。低濃度層１０２内には、高濃度層１０１と接するように、ｎ型ＳｉＣからなる埋め込み層１０３が形成されている。低濃度層１０２の表面領域には、ｐ型ＳｉＣからなるガードリング領域１０４が形成されている。低濃度層１０２およびガードリング領域１０４上にはショットキー電極１２０が形成されている。高濃度層１０１の他方の表面上にはオーミック電極１２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、入力電圧を、低圧から高圧、若しくは高圧から低圧にスムースに切り替えることが可能な三相整流装置を提供する。
【解決手段】 三相交流を入力源とし、入力と絶縁された直流又は交流を出力する３つの単位電源部１，２，３と、これら単位電源部から出力された電力を負荷に供給する出力部１０とを備えた三相整流回路において、前記入力源と単位電源部との間に、入力切換部２０を設け、この入力切換部は、各相間に切替スイッチ２１，２２，２３を備え、これら切替スイッチの一端をそれぞれ一方の単位電源部の入力に接続し、他端をそれぞれ他方の単位電源部の入力若しくは共通の中性点２４のいずれかを選択して接続できるように構成してあり、入力電圧に応じて、前記切替スイッチがほぼ同時に、前記他方の単位電源部の入力若しくは前記共通の中性点のいずれかに切り替わり接続するように構成してあることを特徴とする三相整流回路。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を小型化することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐ型埋込領域１０８は、エピタキシャル成長、および酸化膜１０３をマスクとしたエッチングによってトレンチ内に形成される。Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、負荷に影響なくゼロボルトスイッチ動作を実現し、各主スイッチに掛かる電圧が、均一で各主スイッチに過大な電圧が掛からないスイッチング電源を提供する。
【解決手段】 直流電源Ｖinを入力とし、一次・二次間を主トランスＴ１で絶縁し、一次側に基準インバータ１１と制御インバータ１２とを設け、それぞれに主スイッチを備えたブリッジ回路１を設け、二次側に整流回路２を設けてあるスイッチング電源において、前記主トランスの一次巻線と直列に共振インダクタＬＬ１及び共振コンデンサＣｒを接続した共振回路３と、フェイズシフトにより前記主スイッチのオン、オフを制御する制御回路４と、前記直流電源の入力端子間に二つのコンデンサＣ１，Ｃ２を直列に接続し、これらの接続部と前記基準インバータの接続部との間に補助共振インダクタＬaxを接続した補助共振回路６とを備えてあることを特徴とするスイッチング電源。 （もっと読む）