【課題】外部の集中管理端末を介さずに、イーサネット受電端末のハングアップ時の自動復旧動作と、スケジュールによる給電制御を可能とするローコストのイーサネット給電装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに予め登録されたイーサネット受電端末のＩＰアドレス情報などの情報を元にイーサネット受電端末のハングアップ検出を給電制御部で自立的に行い、検出時は、自動的に給電スイッチ部をＯＦＦ／ＯＮすることで自動復旧を行う。また、不揮発性メモリに予め登録されたスケジュール給電情報に基づいて、内部カレンダーを定期的に参照することにより、指定日時に給電を自立的にＯＮ／ＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＥＤラインの異常による電流の増加を防止するＬＥＤ点灯駆動回路を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤを直列に接続してなるＬＥＤライン１１，１２，１３，１４を複数個設け、これらを並列に接続してＬＥＤモジュール１０を構成してある照明用ＬＥＤの点灯駆動回路において、前記ＬＥＤモジュールの定電流制御を行う定電流制御エラーアンプEA1と、前記ＬＥＤモジュールが故障などの異常で定電流ループからオープンになった場合に、その異常のラインを検出する正常動作電流検出回路２０とを設け、前記正常動作電流検出回路で異常を検出した際、前記定電流制御エラーアンプの基準電圧レベルを下げるように変化させて、ＬＥＤ点灯駆動回路全体の定電流レベルを下げて電流を一定にするように構成してある事を特徴とするＬＥＤ点灯駆動回路。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、負荷への給電を絶つことなく容易に整流装置から負荷分岐部を残して、整流部を切り離すことができる整流装置を提供する。。
【解決手段】 電流を負荷に供給する負荷分岐部２０を備えてある整流装置において、整流部１０の左右下側部に脚部１１を設けてあるとともに、負荷分岐部２０に脚部１１を載せることが可能な案内部２４を設けてあり、案内部２４に整流部１０の脚部１１を載せて、案内部２４に沿って脚部２１を案内することにより、整流部１０と負荷分岐部２０とを着脱自在に構成してあることを特徴とする整流装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、小型化及び低コスト化を実現したデジタル回路で制御するスイッチング電源を提供する。
【解決手段】 出力電圧が設定した範囲内にあるかを判定する出力電圧判定手段と、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を駆動させる駆動信号のパルス幅を計算するパルス幅計算手段と、前記パルス幅計算手段で計算したパルス幅を更新し、出力電圧を設定範囲内に制御する出力電圧制御手段と、出力電圧が設定した範囲内に収まっているときに、前記駆動信号をロックする駆動信号ロック手段とを備えた制御手段２を備えてあることを特徴とするスイッチング電源。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に対して電極を形成するときに、従来よりも低温の焼鈍により、良好なオーミック接触を得ることができるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の電極形成領域上に、合金層２を形成し、少なくとも該合金層２に対して焼鈍を施すことにより、該電極形成領域上に電極を形成するＳｉＣ半導体装置１０の製造方法であって、合金層２は、Ｎｉを該合金層２の代わりとして前記焼鈍したときにシリサイドが形成される該焼鈍の温度よりも低温で、前記焼鈍してもシリサイドを形成するものからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 黒鉛の発生を充分に回避しながら、ｎ型ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の電極形成領域上に、第１層２ａ_１を形成し、第１層２ａ_１上に第２層２ｂ_１を形成し、第１層２ａ_１及び第２層２ｂ_１に対してアニールを施すことにより、前記電極形成領域上に電極を形成するＳｉＣ半導体装置１０Ａの製造方法であって、前記第１層２ａ_１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｔｉのいずれかと、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｔｉのうちの２つ以上からなる合金と、のうちの一つで形成し、前記第２層２ｂ_１は、Ｓｉで形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の電極形成領域上に、メッキ法によって、ｎ型の不純物を含む金属層２を形成し、金属層２に対して、焼鈍処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に対して、低抵抗で良好なオーミック電極を容易に形成できるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１ａの電極形成領域上に、該ｎ型ＳｉＣ基板１ａの導電型と同一の導電型（ｎ型）の不純物を有してなる不純物拡散源層２ａを形成し、不純物拡散源層２ａ上に、Ｎｉなどの金属からなる金属層３を形成し、不純物拡散源層２ａ及び金属層３に対して焼鈍処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
導通抵抗が低い半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体装置１では、加工層１３に形成された幅広の主溝１９が、主溝１９よりも幅狭でリング状の複数の副溝２０で取り囲まれている。主溝１９内と副溝２０内に半導体単結晶を成長させるとき、副溝２０が半導体単結晶で充填されたときに成長を終了させ、主溝１９を不完全充填し、主溝１９内に成長された導電領域の表面にゲート絶縁膜２５を形成し、ゲート絶縁膜２５で囲まれた領域内にゲート電極２８を配置し、ゲート絶縁膜２５の側面に深さ方向に反転層が形成され、反転層によってソース領域３７が導電領域２２に接続されるようにする。導電領域２２を低抵抗にしておくと、導通抵抗が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】
無効面積の少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】
細長のゲート電極４５とは垂直方向に主溝２５を配置し、主溝２５の内部下方位置に埋込領域５５を配置し、上部にオーミック領域５２を配置する。ベース領域５１は、オーミック領域５２を介してソース電極に接続される。ソース領域６１の一部にオーミック領域５２を配置せずに済むので、その分、ベース領域幅を狭くすることができる。 （もっと読む）