【課題】 装置の小型化並びにに低コスト化が可能な突入電流を防止する交流直流変換装置を提供する。
【解決手段】 単相交流電源１の一端にリアクトル３を介して、ダイオード４ａ，４ｂ、スイッチ５ａ，５ｂをブリッジ上に接続して交流を直流に変換、電圧の昇圧を行い、そのブリッジの出力に平滑コンデンサ７を接続して電圧を平滑して、負荷８に直流電力を供給する交流直流変換装置において、ブリッジ回路を構成する整流素子のうち少なくとも一組を双方向スイッチ５ａ，５ｂで構成し、入力電圧波形がゼロクロスを通過したときに、一組の双方向スイッチのうちどちらか一方の双方向スイッチがオンし、ゼロクロスを通過した入力電圧波形が基準値に達した時にオフする動作を交互に繰り返し、平滑コンデンサを充電して突入電流を抑制する制御を行うように構成してある。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ランプ寿命末期やランプ異常時に入力電力及びフィラメント電流を低減させることにより、より安全な放電灯点灯装置を提供する。
【解決手段】 力率改善回路１、Ｌ−Ｃ共振型インバータ回路２、及びランプ３−１，３−２を備えた負荷回路を有し、ＬＣ直列共振周波数がランプ点灯周波数f3と充分ランプを始動させる電圧を得る事ができる始動周波数f2の中間にあるインバータ点灯装置において、前記ランプが寿命末期検出回路又はランプ点灯検出回路４−１，４−２が非点灯状態を検出した時、その時の前記ランプ点灯周波数が前記始動周波数より低い周波数の場合は任意の時間で前記インバータ回路の発振を停止し、再度予熱周波数f1から前記ランプを再始動させ、調光状態の前記始動周波数で周波数を固定し、一定時間経過後前記力率改善回路の出力電圧を低下させるように構成してある制御回路１０を設けてある事を特徴とする放電灯点灯装置。 （もっと読む）

本発明の横型短チャネルＤＭＯＳ１０Ａは、Ｐ⁻型の半導体基体１０８の表面に形成されたＮ⁻型エピタキシャル層１１０と、このＮ⁻型エピタキシャル層１１０の表面近傍に形成されチャネル形成領域Ｃを含むＰ型ウェル１１４と、このＰ型ウェル１１４の表面近傍に形成されたＮ^＋型ソース領域１１６と、Ｎ⁻型エピタキシャル層１１０の表面近傍に、Ｐ型ウェル１１４と接しないように形成されたオン抵抗低減用Ｎ型ウェル１３４と、このオン抵抗低減用Ｎ型ウェル１３４の表面近傍に形成されたＮ^＋型ドレイン領域１１８と、Ｎ^＋型ソース領域１１６からＮ^＋型ドレイン領域１１８に至る領域のうち少なくともチャネル形成領域Ｃの上部にゲート絶縁膜１２０を介して形成されたポリシリコンゲート電極１２２と、ポリシリコンゲート電極１２２と接続されたゲート抵抗低減用金属層１３０とを備えている。このため、本発明の横型短チャネルＤＭＯＳ１０Ａは、ゲート抵抗及びオン抵抗が低く、高速スイッチング特性及び電流駆動特性に優れた横型短チャネルＤＭＯＳとなる。
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【課題】 基板裏面へのＳｉＣの転写を防止すると共に、均一な組成のＳｉＣ薄膜を得ることができるサセプタおよび化学気相成長方法を提供する。
【解決手段】ＴａＣ被膜４ａによって被覆された黒鉛部材２ａと、ＳｉＣ被膜３ａによって被覆された黒鉛部材２ｂとを組み合わせ、一体化したサセプタを用いる。黒鉛部材２ａの外形形状は、例えば円盤状であり、その表面はＴａＣ被膜４ａによって被覆されている。黒鉛部材２ｂの外形形状は、例えばリング状（枠状）であり、その表面はＳｉＣ被膜３ａによって被覆されている。基板１が黒鉛部材２ａの主面上に配置された状態において、基板１によって被覆された部分を除く黒鉛部材２ａの主面を黒鉛部材２ｂが被覆するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面に電極を形成する工程とを有し、前記荒らす工程は、前記露出面についての研磨処理又はレーザー照射Ｌを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面に電極９を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＳｉＣに対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１上に、１ｂ族と８族のＦｅ列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか１つ又は２つ以上からなる第１の貴金属膜２を形成し、第１の貴金属膜２上に、４ａ族と５ａ族と６ａ族と７ａ族と８族のＦｅ列とのいずれかに属する元素のうち、いずれか１つ又は２つ以上からなる耐熱金属膜３を形成し、耐熱金属膜３上に、１ｂ族と８族のＦｅ列以外とのいずれかに属する元素のうち、いずれか１つ又は２つ以上からなる第２の貴金属膜４を形成し、その後、これらを９６０℃から１０００℃までの範囲で加熱する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、配線数並びに配線部品個数を低減することにより、小型化並びに低コスト化を図る新規な電源装置を提供する。
【解決手段】 電源ユニット１１，…，１５を複数台搭載可能なユニット搭載部３０を設けた電源装置において、前記電源ユニット及び前記ユニット搭載部にそれぞれを接続可能な接続端子２１，…２５，３１，…，３５を設けてあり、前記ユニット搭載部に設けた各接続端子の一端子を、前記電源ユニットが電源装置に搭載されたかを監視する監視部４０に接続し、前記ユニット搭載部に設けた各接続端子の他の一端子を、それぞれに異なった抵抗値の抵抗Ｒ１，…，Ｒ５に接続し、これら抵抗を前記監視部に接続して、前記監視部が、これら抵抗の合成抵抗値から前記ユニット搭載部の何れの接続端子に電源ユニットの接続端子が接続されているかを監視できるようにしてあることを特徴とする電源装置。 （もっと読む）

【課題】 反応室の構造を簡素化すると共に、メンテナンス性に優れた化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１を支持する下部プレート２は、その主面がほぼ平行となるように配置されている。回転シャフト３は下部プレート２をほぼ水平面内で回転させる。反応室の側面には、複数種の反応ガスを反応室内に供給する供給口１７が設けられている。また、反応ガスを反応室外へ排出する排出口１８が、下部プレート２のほぼ中心と対向するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＳｉＣに対して良好なオーミック接触を得ることができるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ^＋型ＳｉＣ基板１１と、第２の主面上に形成されたエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層１３上に形成されると共に、エピタキシャル層１３とオーミック接触した電極１４とを有することを特徴とする。 （もっと読む）