【課題】 ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面の状態を荒らす工程と、荒らされたｎ^＋型ＳｉＣ層１の露出面に電極９を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 形成される薄膜の均一性を高めることができる化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１は、主面が反応ガスの流動方向とほぼ平行な方向となるようにサセプタ３内に配置される。サセプタ３は石英管２内に配置される。反応ガスの流動方向と直交する反応室の断面において、反応室の両端部の内壁３ｅおよび３ｆは、外側へ向かって膨出するように構成される。これにより、反応室の両端部で、内壁の影響により反応ガスの流速が遅くなることを防ぎ、成膜を基板１の表面全体にわたって均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】感光体に対するクリーニングブレード（ＣＢ）の圧接における線圧の均一性が高く、ＣＢへのトナーの付着や感光体等でのフィルミングを発生することなく帯電量が低い領域でも画像が形成できる画像形成方法を提供する。
【解決手段】ＣＢの感光体への圧接における線圧が10〜80g/cm、両端部の線圧Peと長さ方向中心部の線圧Pcとの比が1.05<Pe/Pc<1.30、ＣＢはｔａｎδのピーク温度が-10℃〜+10℃、ピーク高さが0.90以下、引裂き強さTr(N/mm)と硬度Hs（ショアＡ）との比Tr/Hsが5.4〜6.4であるポリエステルポリオール系ポリウレタン弾性体にて形成されており、トナーは結着樹脂と着色剤を含む着色樹脂粒子及び外添剤とからなり、着色樹脂粒子の体積平均粒子径が4〜10μｍ、平均円形度が0.95〜0.995であり、感光体表面上での帯電量の絶対値│Ｑ│が10〜80μC/g、残留スチレン量が200ppm以下である画像形成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ソフトウエアによらない簡易な回路構成により、各リチウムイオン電池のセル電圧を適切に制御することを目的とする。
【解決手段】 直列接続された個々の電池に対して設けられ、電池のセル電圧が基準電圧以上の場合に充電電流をバイパスする回路と、電池に充電電流を供給するとともに、電池の直列電圧を基準電圧に安定化する手段と、安定化された電圧値をｎ：１の比で分圧し、基準電圧を生成する手段とを備え、バイパス回路が電池のセル電圧と基準電圧との差分を検出し、これに基づいて電池の充電電流をバイパスする直流電圧供給装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、予熱時間、始動時間、全点灯時間を個別に設定が可能で安全に点灯制御が可能なランプ点灯用の集積回路を提供する。
【解決手段】 ＬＣ直列共振の共振周波数foはfo=1/２π√LCで与えられ前記共振周波数より高い予熱周波数、始動周波数、並びに前記共振周波数より低い全点灯周波数が切り替え可能にしてあるランプ点灯装置において、共振周波数より高い予熱周波数で動作する時間を確保する予熱周波数動作タイマー１０と、予熱周波数動作時間後に前記ランプを点灯させるよう切り換えて点灯始動時間を確保する始動周波数動作タイマー２０とを備え、また始動周波数動作タイマー２０はランプ状態検出回路５５の入力により前記共振周波数より低い全点灯周波数に移行をさせるとともに予熱周波数動作時間ならびに始動周波数動作時間を個別に設定できるように構成してあることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）

【課題】導通抵抗が低い高耐圧半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ドレイン領域の表面部分を構成する高導電領域１８は、主拡散層３６やチャネル拡散層３７よりも深く拡散されており、導通抵抗が小さくなっている。更に、高導電領域１８は、Ｐ型の拡散領域４０によって囲まれており、球状接合が無く、高導電領域１８内に広がる空乏層は、高導電領域１８の内側に向けて伸びるようになっている。従って、低い導通抵抗を維持したまま。高耐圧になっている。 （もっと読む）

本発明は、出力側の電力給電を入力側の燃料電池の給電電力と同じとする一定電力化制御を図ることにより、電池充電電流を定電流化し、構成部品を低減し、さらに安定充電する新規の充電器を提供する。電力供給時の出力インピーダンスが比較的大きい燃料電池や太陽電池等を入力源（Ｖｆｃ）とする充電器において、出力に二次電池（Ｂ）を備え、該二次電池に接続される電流制御回路（１０）は、前記二次電池へ流入する充電電流を、コンバータの出力電圧を設定する垂下電圧に維持するために必要な制御量から得られる電流値として給電するように構成してあることを特徴とする充電器。
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【課題】制御ICを使用した電流臨界動作型フライバックコンバータにおいて、起動時の主スイッチング素子オンタイミング誤動作を防止することにより、起動時の主スイッチング素子への過剰なストレスが印加されることを防ぎ、より安全度の高いスイッチング電源を提供する。
【解決手段】電源起動時の制御巻線４電圧にはMOSFET２オフ時のリンギング電圧は発生するが、タイマー１７によりMOSFET２がオフしてから一定時間の検出ブランク時間を設けて、MOSFET２OFF時の制御巻線４リンギング電圧による誤検出を防ぎ、主スイッチング素子への過剰なストレスを防止する。 （もっと読む）

【課題】 アバランシェ破壊耐量の高いMOSFETを提供する。
【解決手段】 二重拡散縦型MOSFETのチャネル領域６３の円筒接合部分９２の降伏電圧を球状接合部分９１の降伏電圧以下にする。誘導性負荷の逆起電力によってｐｎ接合が降伏する際、面積の大きい円筒接合部分９２が降伏してその部分にアバランシェ電流が流れるので、破壊耐量が向上する。チャネル拡散層６３の対向する辺の間に、ドレイン領域７２と同じ導電型で不純物濃度の高いアバランシェ降伏誘起層５８を設け、円筒接合部分９２の耐圧が低くなるようにしておくとよい。 （もっと読む）