【課題】 Ｖ_Ｆを低減することができるダイオードおよびブリッジダイオードを提供する。
【解決手段】 Ｎ型高濃度層１０の主面１０ａ上には、Ｎ型低濃度層１１が形成されている。Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。Ｐ型拡散層１２の表面不純物濃度は５×１０^１５〜２×１０^１６ｃｍ^−３である。Ｎ型拡散層１１の厚みは３０〜４５μｍである。Ｐ型拡散層１２からＮ型低濃度層１１に注入されるキャリアのライフタイムは１〜２０μｓである。 （もっと読む）

【課題】
トレンチゲート構造を持つ半導体装置において、溝とドレイン層との間の部分の抵抗成分を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ソース電極膜２４とドレイン電極膜２３との間に電圧を印加するとともに、ゲート電極膜１６とソース電極膜２４との間に閾値以上の電圧を印加すると、ドレイン電極膜２３からソース電極２４へ電流が流れる。このとき、チャネルとＮ^＋型ドレイン層１１との間においては、Ｎ⁻型ドリフト層１３よりも抵抗成分が低いＮ型埋込導電領域１２が主な電流経路となる。したがって、抵抗成分の低いＮ型埋込導電領域１２を形成すると共に、オンしているときにＮ型埋込導電領域１２を経路として電流が流れるようにしているので、とドレイン層との間の部分の抵抗成分を低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、カレントトランスが過度に励磁されることを防ぐ新規なＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】 同期整流方式のＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、カレントトランスＣＴを設け、カレントトランスＣＴの二次巻線ｎ２の両端間に負荷Ｒｓと、ダイオードＤ１とスイッチＳとの直列回路とを並列に接続し、前記負荷とカレントトランスの二次巻線の間に、カレントトランスから負荷へ電流が流れ込むように一方向導通素子Ｄ２を接続してある電流検出手段を備えてあることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータ。 （もっと読む）

【課題】 溶液の交換を頻繁に行うことなく、シリサイド化されずにシリサイド上面に残った金属を除去するエッチング用の溶液を用いた半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体素子の電極形成方法は、半導体基板のいずれか一方又は両方の面上に、所定の金属をメッキする第１のメッキ工程と、加熱処理を行い、半導体と前記金属とを合金化させてシリサイド層を形成するシリサイド形成工程と、該シリサイド層表面に生成された未反応の金属を含む析出層を、塩酸及び過酸化水素水のみからなる溶液にてエッチングするエッチング工程と、前記シリサイド層上面に所定の金属をメッキし、金属層を形成する第２のメッキ工程と
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極におけるシリサイド層と金属層（ＮiとＰとの共析層）との間の剥がれを防止する半導体素子の電極の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の電極形成方法は、半導体基板１のいずれか一方又は両方の面上に、所定の金属２をメッキする第１のメッキ工程と、加熱処理を行い、半導体と前記金属とを合金化させてシリサイド層３を形成するシリサイド形成工程と、該シリサイド層表面に生成された未反応の金属を含む析出層４，５を、酸を含む第１の溶液にてエッチングする第１のエッチング工程と、前記シリサイド層上面の酸化膜９を、弗酸を含む第２の溶液にてエッチングする第２のエッチング工程と、前記シリサイド層上面に所定の金属をメッキし、金属層６を形成する第２のメッキ工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、クラックの発生による断線不良を低減することができる新規な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１とリード端子３とを電気的に接続し、これらを樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置１０において、前記半導体素子及びリード端子を樹脂封止した際に、前記リード端子の側面を含めた一部を樹脂封止してなる樹脂封止部４より露出させて非樹脂封止部５を設け、この非樹脂封止部の側縁の一部又は全部を打ち出し、若しくは、エッチングして凹部６を形成して、前記凹部を形成した非封止樹脂部と外部回路２０とを物理的に接続できるように構成してあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ内にボイドが発生することを防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ドライＯ_２法（ドライ酸化）により、トレンチ１３の側面１３ａおよび底面１３ｂに犠牲酸化膜１４を形成する。続いて、フッ酸を含む薬液によって犠牲酸化膜１４をエッチングして除去し、トレンチ１３の側面１３ａおよび底面１３ｂを露出させる。犠牲酸化膜１４の形成およびエッチングにより、ドライエッチング時にトレンチ１３の内壁に発生した損傷層が除去される。続いて、シラン系ガスを用いたＣＶＤ法により、半導体層１１とは反対の導電型のシリコン等の半導体材料をトレンチ１３の側面１３ａおよび底面１３ｂにエピタキシャル成長させ、半導体層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で且つ小型化を図ることができる新規な電力変換装置及びこの電力変換装置における冷却構造を提供する。
【解決手段】電源回路素子モジュールをケース１に実装してあるインバータ、コンバータなどの電力変換装置において、ケース１の回路素子モジュール実装面の裏面１１に凹部を形成して、不凍液、水その他冷却液が流れる冷却流路３ａをケース１と一体的に設けてあり、ケース１とは別にカバー９を設け、カバー９と、ケース１の回路素子モジュール実装面の裏面１１と衝合して、カバー９とケース１の回路素子モジュール実装面の裏面とをシーリング６，７してある電力変換装置。 （もっと読む）

高速な実時間波形の形で主スイッチ電流波形を検出し、低インピーダンスで出力する電流検出回路を備えたスイッチング回路を提供する。オン電圧が抵抗特性を示すメインスイッチ（１１）を備え、このメインスイッチのゲートに駆動回路（４）を、ドレイン又はソースの一方に固定電位（３）を、この他方に負荷回路（２）を夫々接続してあり、固定電位に接続したメインスイッチのオン抵抗より高い抵抗値を有する第一の抵抗素子（２１）と、この抵抗素子をソースに接続した補助スイッチ（１２）と、第一の抵抗素子に発生する電圧とメインスイッチのオン電圧とを比較増幅して、補助スイッチのゲートに出力する増幅器（６）と、補助スイッチのドレインに接続してメインスイッチのオン電流を増幅させて電圧を発生させる第二の抵抗素子（２２）とを備えた電流検出回路を設けたことを特徴とするスイッチング回路。
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【課題】外部の集中管理端末を介さずに、イーサネット受電端末のハングアップ時の自動復旧動作と、スケジュールによる給電制御を可能とするローコストのイーサネット給電装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに予め登録されたイーサネット受電端末のＩＰアドレス情報などの情報を元にイーサネット受電端末のハングアップ検出を給電制御部で自立的に行い、検出時は、自動的に給電スイッチ部をＯＦＦ／ＯＮすることで自動復旧を行う。また、不揮発性メモリに予め登録されたスケジュール給電情報に基づいて、内部カレンダーを定期的に参照することにより、指定日時に給電を自立的にＯＮ／ＯＦＦする。 （もっと読む）