【目的】 狭ギャップ化においても絶縁性を確保し、また信号磁束の増加を図ると共に、再生出力並びにバイアス効率の改善を実現する。
【構成】 一対のシールド磁性体４，５間に、ＭＲ素子８とこのＭＲ素子８にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加部材９とを配してなるＭＲヘッドにおいて、シールド磁性体４に溝部１４を形成し、その溝部１４にバイアス磁界印加部材９を配すると共に、ＭＲ素子８の先端側及び後端側又はいずれか一方に高透磁率材料よりなるフラックスガイド１１を設ける。 （もっと読む）

【目的】 ディスクカートリッジを携待するのに使用するディスクカートリッジ用のキャリングケースにおいて、落下時における衝撃でディスクカートリッジのシャッタやシャッタロック機構が破損するのを防止する。
【構成】 ディスクカートリッジ用のキャリングケース１を、把持部２と底部３の間にカートリッジ収納部４を設けたケース本体部５と、該ケース本体部５の開口部を開閉する蓋部６とで構成する。上記ケース本体部５に、ディスクカートリッジ１０１を、そのシャッタ１０４の移動許容方向が、上記底部３を向くようにして、カートリッジ収納部４に収納したときに、該カートリッジ収納部４へのディスクカートリッジ１０１の収納を阻止する収納阻止部材２１，２２を設けた。 （もっと読む）

【構成】 負極活物質とバインダーよりなる負極合剤が負極集電体に保持されてなる負極１と、正極活物質とバインダーよりなる正極合剤が正極集電体に保持されてなる正極２と、非水電解液を具備してなる非水電解液二次電池において、負極合剤，正極合剤に含有させるバインダーとして水酸基を有するポリフッ化ビニリデンがイソシアネート基を有するポリマーによって熱架橋されているものを用いる。
【効果】 充放電サイクルの繰り返しに際して活物質が集電体から剥がれ落ちることがほとんどなく、良好な充放電サイクル特性を発揮する非水電解液二次電池が得られる。 （もっと読む）

【目的】電源層及び又はグランド層を基板面積のほぼ全体に亘つて形成し、電源層及び又はグランド層に対して絶縁層を介して信号線を積層してなる回路基板において、反りの発生を一段と低減し得ると共に伝送特性の等しい信号線の配線方向を増加させる。
【構成】金属箔でなるグランド層及び又は電源層に六角形又は円形形状の開口を配列形成することにより、温度変化が生じた場合においても反りの発生を一段と低減し得ると共に、伝送特性の等しい信号線を３方向に配線し得る。 （もっと読む）

【目的】 非水電解液二次電池の非水溶媒として、ハロゲン原子含有非水溶媒を使用することにより、引火点や沸点、更に難燃性の程度を向上させ、且つ電池の高負荷特性、低温特性、サイクル特性を向上させる。
【構成】 リチウムをドープ・脱ドープできる負極と、正極と、非水溶媒に電解質が溶解した非水電解液とを備えた非水電解液二次電池において、非水電解液の非水溶媒として式（１）
【化１】ＸＣＯＯＲ （１）
（式中、Ｘはハロゲン原子であり、そしてＲはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１〜５のアルキル基である）で表されるハロゲン化ギ酸エステルを使用する。 （もっと読む）

【目的】アパーチャグリルをフレームへ能率的に溶接することができるアパーチャグリルの溶接組立て装置を提供する。
【構成】溶接すべきアパーチャグリルを載置するための、一方が固定された対向する第１ブロック１１と、上記第１ブロック１１上に嵌合配置し得る対向する第２ブロック１２と、上記対向する第１ブロック１１間の距離を変更可能で、上記第１ブロックと第２ブロックでクランプされるアパーチャグリルを架張し得るシリンダ１７を具備する。 （もっと読む）

【構成】 受信側９１は、映像データバッファメモリ１４の内容量を測定しており、この内容量の測定値Ｖが上限値Ｖｍａｘを越えたこと又は下限値Ｖｍｉｎを下回ったことを検出すると、その旨の制御信号を送信側９０に送る。送信側９０は、受信側９１からの制御信号を受けるとその内容に応じて動画の画質選択又はコマ落とし数を可変する。すなわち、送信側９０が受信側９１からの制御信号を受信すると、フレームバッファ６８において動画の画質選択又はコマ落とし数を可変することで、受信側９１に送る動画データの量を制御する。
【効果】 入力から出力までの時間遅れが少なく、また、映像の途切れも防ぐことができる。 （もっと読む）

【目的】 量産的に製造することができ、記録情報信号の再生を磁気的に行うことができるようにする。
【構成】 情報凹凸ピット列ＳＬが形成された非磁性体基板１１面に、凹凸ピットの底面１４および上面１３を含んで磁性層１２が形成され、これら底面１４と上面１３とで磁化の向きを異ならしめた構成とする。 （もっと読む）

【目的】 セル面積の縮小、すなわち高集積化を図り、しかも信号処理の高スピード化を図ることができる完全ＣＭＯＳ型ＳＲＡＭ装置を提供すること。
【構成】 ＳＲＡＭセルの構成要素であるＰ型トランジスタのＰ型不純物拡散層４ａとＮ型トランジスタのＮ型不純物拡散層４ｂとが、同一パターンの半導体薄膜層１６内に直接ＰＮ接合（ダイオード接続）するように形成してある。ＰＮ接合する部分の近くのＮ型不純物拡散層４ｂまたはＰ型不純物拡散層４ａまたはこれらの双方に対して、半導体薄膜層の上部に形成されるゲート電極６ａ，６ａ’の一部が、コンタクトホール８ａ，８ｂを通して接続してある。 （もっと読む）