説明

ソニー株式会社により出願された特許

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【構成】 CCD素子13,1,14からのビデオ信号のゲインを可変することでホワイトバランスを調整可能なビデオアンプ回路51と、工場出荷時等に設定されているホワイトプリセット値を変更するモードをメニュー画面上で選択するためのスイッチ61〜63と、ホワイトプリセット値を変更するホワイトプリセット値変更モードのときにホワイトプリセット値をメニュー画面上で変更するためのスイッチ67〜70と、各スイッチ67〜70によってメニュー画面上で変更されたホワイトプリセット値を記憶するEEPROM59と、EEPROM59に記憶した変更されたホワイトプリセット値に基づいてビデオアンプ回路51を制御するシステムコントロールモジュール57とを有する。
【効果】 ホワイトバランスのプリセット値をユーザでも簡単に変更できる。 (もっと読む)


【目的】 大型ガラス基板上で低温プロセスで画素スイッチング用薄膜トランジスタのLDD構造を実現する。
【構成】 表示用薄膜半導体装置はガラス基板0に形成された表示部及び周辺駆動部を備えている。表示部にはマトリクス状の画素電極9及びスイッチング用の薄膜トランジスタNchLDD−TFTが集積形成されている。又周辺駆動部には回路要素となる薄膜トランジスタPchTFT,NchTFTが集積形成されている。個々の薄膜トランジスタは、ゲート電極1と、絶縁膜2を介してその上に形成された多結晶半導体層3と、その上に形成されたソース及びドレイン用高濃度不純物層4又は7とを有している。さらにスイッチング用の薄膜トランジスタNchLDD−TFTは、多結晶半導体層3と高濃度不純物層7との間に低濃度不純物層8が介在したLDD構造を有する。 (もっと読む)


【目的】 ブランケットタングステン等の高融点金属層とアルミニウム等の低抵抗配線材料層とを積層した積層配線構造体であって、かつその表面が平滑化されているものを得る。
【構成】 ブランケットタングステン等の高融点金属層2とアルミニウム等の低抵抗配線材料層3とを積層した配線層を有する積層配線構造体において、高融点金属層2と低抵抗配線材料層3との間にポリチアジル含有層4が設けられており、このポリチアジル含有層4の低抵抗配線材料層3側の面と低抵抗配線材料層3の表面が平滑になっている。この積層配線構造体は、高融点金属層2上でイオウと窒素を含む処理ガスを用いてプラズマ処理することにより表面平滑なポリチアジル含有層4を形成し、次にポリチアジル含有層4上に低抵抗配線材料層3を形成することにより製造することができる。 (もっと読む)


【目的】 アルミニウム系下層配線層にアルミニウム系プラグを導通させる際に、それらの間に高い比抵抗を有するTiON又はTiNからなるバリヤメタル層を形成することなく、下層配線層のアルミニウムのアルミニウム系プラグへの移動を抑制する。
【構成】 アルミニウム系下層配線層1と、その上に積層された絶縁層2であって、アルミニウム系下層配線層1への導通をとるための接続孔Aを有する絶縁層2と、接続孔Aに埋め込まれたアルミニム系プラグ4aとから構成される配線構造体において、少なくとも接続孔Aの底部のアルミニウム系下層配線層1とアルミニウム系プラグ4aとの間にTiAl層7を形成する。 (もっと読む)


【目的】 エネルギー密度及びサイクル特性の向上を図ることを可能とし、しかも開口率の大きなセパレータの使用を可能として重負荷特性を大幅に改善する。
【構成】 巻芯体5を、その一端面を基板4上に据え付けられて回転自由に設置し、回転駆動ローラー6を、巻芯体5の下方に常にその円筒側面で巻芯体5の円筒側面と接した状態で設置して構成する。この回転駆動ローラー6を、その一端面を基板4上に据え付け、基板4に設置されている回転駆動制御装置7より回転駆動力を与えてその軸を中心として所望の一定速度で回転駆動する。 (もっと読む)


【目的】 仕切板上にまたがって乗ってしまった長物ワークを自動的にコンベア部上に落として処理することができるようにした長物ワーク用仕分け装置及びその方法を提供する。
【構成】 コンベア2上を複数列のコンベア部2A〜2Eに仕切っている仕切板5の上端部分に回転手段として例えば回転ローラ12を設け、この回転ローラ12が回転されることにより、仕切板5上にまたがって乗せられた長物ワーク100をコンベア部2A〜2E上に自動的に落下させて移送処理できるようにした。 (もっと読む)



【目的】 小型・軽量化が可能で、コストも低く、かつ放熱効率の良いプリント回路板の構造及びその放熱方法を提供する。
【構成】 発熱性の電子部品より突出されて形成されたサーマルビア8と、本体部7Aより突出されて形成されたサーマルビア9を有した放熱体7と、プリント配線板2に積層されて設けられているとともに、プリント配線板2上に装着された電子部品のサーマルビア8と放熱体7のサーマルビア9と各々熱伝導結合される熱伝導層12とを備え、プリント配線板2上に装着された電子部品より発生される熱をサーマルビア8と熱伝導層12とサーマルビア9を通して放熱体7に伝達させて放熱するようにした。 (もっと読む)


【目的】 無線電話装置において、サービスエリア外で通話を行いたい場合に、簡単かつ確実に通話ができるようにする。
【構成】 基地局との間で通信ができるエリア内であることを検出する検出手段18と、基地局を介した通話のための発呼を指示する指示手段19と、検出手段18でエリア内でないことが検出された状態で指示手段19で発呼が指示された後に、検出手段18でエリア内となったことが検出されたとき、自動的に発呼する制御手段13とを設けた。 (もっと読む)


【目的】トランジスタの動作が安定しており、従来のDRAMのような大容量のキャパシタを必要とせず、情報の書き込み/読み出しを確実に行うことができ、短チャネル化することができ、あるいはセル面積を小さくすることができ、あるいは又ASIC対応の半導体メモリセルを提供する。
【構成】半導体チャネル層Ch1、第1及び第2の導電ゲートG1,G2、第1及び第2の導電層L1,L2とから成る情報蓄積用トランジスタTR1、及び、半導体チャネル形成領域Ch2、第3の導電ゲートG3、第3及び第4の導電層L3,L4から成るスイッチ用トランジスタTR2、から成り、第4の導電層L4は第2の導電ゲートG2に接続され、第1の導電ゲートG1及び第3の導電ゲートG3はメモリセル選択用の第1の配線に接続され、第1の導電層L1及び第3の導電層L3はメモリセル選択用の第2の配線に接続され、第2の導電層L2は所定の電位に接続され、半導体チャネル形成領域Ch2は、書き込み/読み出し選択用配線に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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